送信ドライバ回路
【課題】信号の伝送速度が速い差動通信においても、コモンモード電圧の発生を適切に抑制できる送信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】レベルホールド回路３は、通信信号出力部２が差動信号の電圧レベルを変化させる際に伝送線路５に発生するコモンモード電圧の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドする。そして、信号処理回路４は、前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、通信信号出力部２による電圧の出力状態を調整する。
【解決手段】レベルホールド回路３は、通信信号出力部２が差動信号の電圧レベルを変化させる際に伝送線路５に発生するコモンモード電圧の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドする。そして、信号処理回路４は、前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、通信信号出力部２による電圧の出力状態を調整する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の信号線により差動信号を伝送する伝送線路に接続され、その伝送線路を介して信号を送信するための送信ドライバ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の信号線により差動信号を伝送する伝送線路については、送信ドライバ回路が一方の信号線（＋）の電位を上昇させると同時に他方の信号線（−）の電位を低下させるようにドライブすることで差動信号を伝送する。この時、信号線（＋）の電位を上昇させるタイミングと信号線（−）の電位を低下させるタイミングとの間にズレが生じて双方の電位の変化が非対称になると、伝送線路上にコモンモード電圧が発生してノイズとなる。
【０００３】
このようなノイズの発生を防止する従来技術として、例えば特許文献１には、信号線ＶＨ，ＶＬのそれぞれの電位変化の対称性が崩れた状態に応じて発生する電流を送信ドライバ回路にフィードバックさせることで、信号線ＶＨ，ＶＬをそれぞれドライブするスイッチング素子をスイッチングさせるタイミングを調整し、コモンモード電圧の発生を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２６０７９９号公報（図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術は、伝送線路に発生するコモンモード電圧を検出してから、電流をフィードバックさせるまでにある程度の時間を要するため、例えばFlexRay（登録商標）のように伝送線路を高速でスイッチングする差動通信では、リアルタイムでのフィードバック制御が間に合わず、コモンモード電圧の発生を抑制することができないという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、信号の伝送速度が速い差動通信においても、コモンモード電圧の発生を適切に抑制できる送信ドライバ回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の送信ドライバ回路によれば、コモンモード検出手段は、信号出力部が差動信号の電圧レベルを変化させる際に伝送線路に発生するコモンモード電圧又は電流（以下、説明の都合上「コモンモード電圧」とのみ称す）の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドする。そして、制御部は、前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。このように構成すれば、制御部が、コモンモード電圧の発生状態に応じてフィードバック制御を行うことで、差動信号を送信する毎にコモンモード電圧を順次低減させることができ、差動信号を高速に伝送する場合でもコモンモード電圧を確実に低減することができるので、ノイズの発生を抑制することが可能となる。
【０００８】
請求項２記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、コモンモード電圧の検出レベルが上限基準値を上回ると、信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整する。この場合、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングが適正なタイミングよりも遅いか、または信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングが適正なタイミングよりも速くなっていることで、コモンモード電圧は上限基準値を上回る山型の波形となっている。したがって、上記の各タイミングをそれぞれ逆方向に変化させるように調整すれば、山型波形のコモンモード電圧を低減できる。
【０００９】
一方、制御部は、コモンモード電圧の検出レベルが下限基準値を下回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整する。この場合、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミング，または信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングが山型の場合と逆になっていることで、コモンモード電圧は下限基準値を下回る谷型の波形となっている。したがって、上記の各タイミングをそれぞれ逆方向に変化させるように調整すれば、谷型波形のコモンモード電圧を低減できる。
【００１０】
請求項３記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、検出レベルと上限基準値との差又は検出レベルと下限基準値との差に応じて、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。すなわち、信号出力部による電圧の出力状態の調整量は、コモンモード電圧の検出レベルと基準値との差に応じて決まるので、コモンモード電圧を低減するための調整をより短時間に完了することができる。
【００１１】
請求項４記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、検出レベルが上限基準値以内であり、且つ下限基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させる。この場合、コモンモード電圧が発生しているとしても許容範囲内にあると考えられるので、その時点での信号出力部による電圧の出力状態を維持すれば良く、以降に制御部が調整を行う必要はない。したがって、制御部の動作を停止させて消費電力を低減することができる。
【００１２】
請求項５記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、コモンモード検出手段による検出レベルを、オフセット検出手段により検出された差動信号電圧のＤＣオフセットレベルに基づき補正した値を上限基準値及び下限基準値と比較する。すなわち、伝送線路の信号線に実際に付与されているハイ，ローレベルの電圧の状態によっては、ＤＣオフセットが発生している場合がある。そこで、制御部が、コモンモード検出手段による検出レベルをＤＣオフセットレベルに基づき補正すれば、コモンモード電圧の発生状態をより正確に検出することができる。
【００１３】
請求項６記載の送信ドライバ回路によれば、コモンモード検出手段は、コモンモード電圧の微分値を検出し、制御部は、その微分値の検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較する。このように構成すれば、コモンモード電圧の変化率の大きさを検出できるので、請求項５のようにＤＣオフセットレベルを検出して補正する必要が無くなる。
【００１４】
請求項７記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、ピークホールド手段によって検出されたコモンモード電圧のピーク値を上限基準値と比較すると共に、ボトムホールド手段によって検出されたコモンモード電圧のボトム値を下限基準値と比較する。したがって、コモンモード電圧が変化した場合の波形のピーク値，ボトム値を検出して、コモンモード電圧が発生している場合の波形振幅の大きさを正確に捉えることができる。
【００１５】
請求項８記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、ピーク値が上限基準値を上回ると共にボトム値が下限基準値を下回ると両者の平均値を求め、その平均値が、一対の信号線間の中間基準電位よりも高いか或いは低いかに応じて、コモンモード電圧を低減するための調整方向を決定する。すなわち、このケースでは、コモンモード電圧の波形が正側と負側とに大きなピークを有する山谷型となっているので、両者の平均値を中間基準電位と比較した結果に応じて調整方向を決定すれば、ノイズの発生原因としてより影響が大きい方の波形振幅を低減するように調整できる。
【００１６】
請求項９記載の送信ドライバ回路によれば、第１計時手段は、信号出力部が差動信号の電圧レベルを変化させる際に、伝送線路の一方の電位が低下を開始した時点から計時を開始し、第２計時手段は、伝送線路の他方の電位が上昇を開始した時点から計時を開始し、それぞれの伝送線路の電位が互いに等しくなった時点で計時を停止させて第１時間及び第２時間をそれぞれ計時する。制御部は、第１時間と第２時間との差である第１時間差を求めると、第１時間差が正であれば第１時間差と第１基準値とを比較し、第１時間差が負であれば第２時間と第１時間との差である第２時間差を求めて第２基準値とを比較する。その結果、第１時間差が第１基準値を上回るか又は第２時間差が第２基準値を上回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧又は電流を低減するように、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。
【００１７】
すなわち、第１時間と第２時間とが等しい場合は、伝送線路の一方の電位が低下する速度と、伝送線路の他方の電位が上昇する速度とが等しくなっているのでコモンモード電圧は発生せず、第１時間と第２時間とが異なればコモンモード電圧が発生する。そして、第１時間差（＞０）が第１基準値を上回った場合の波形は山型であり、第２時間差（＞０）が第２基準値を上回っていれば波形は谷型であるから、それぞれの波形に応じて信号出力部による電圧の出力状態をフィードバック制御すれば、コモンモード電圧を低減するように調整できる。
【００１８】
請求項１０記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、第１時間差が第１基準値を上回ると、信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整する。また、第２時間差が第２基準値を上回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整する。このように調整すれば、請求項２と同様にして、コモンモード電圧の波形に応じて当該電圧を低減するよう調整できる。
【００１９】
請求項１１記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、第１時間差と第１基準値との差又は第２時間差と第２基準値との差とに応じて、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。したがって、請求項３と同様に、コモンモード電圧を低減するための調整を、より短時間に完了することができる。
【００２０】
請求項１２記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、第１時間差が第１基準値以内であり、又は第２時間差が第２基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させる。したがって、請求項４と同様に、制御部が調整を行う必要はない場合に動作を停止させて消費電力を低減することができる。
【００２１】
請求項１３記載の送信ドライバ回路によれば、信号出力部は、高電位点又は低電位点と信号線との間に接続される駆動用半導体スイッチング素子をスイッチングさせて差動信号の電圧レベルを変化させ、また、高電位点又は低電位点と駆動用半導体スイッチング素子の制御端子との間に接続される制御用半導体スイッチング素子をスイッチングさせて、前記制御端子に出力する制御電圧を変化させる。そして、高電位点又は低電位点と、制御用半導体スイッチング素子との間に接続される抵抗素子の抵抗値を調整するので、これにより、駆動用半導体スイッチング素子の制御端子に通電する経路の抵抗値を変化させて、信号線の電圧レベルを変化させるタイミングを変更することができる。
【００２２】
請求項１４記載の送信ドライバ回路によれば、信号出力部は、高電位点又は低電位点と信号線との間に接続される半導体スイッチング素子をスイッチングさせて差動信号の電圧レベルを変化させ、高電位点又は低電位点と、半導体スイッチング素子との間に接続される抵抗素子の抵抗値を調整可能に構成されている。これにより、半導体スイッチング素子が信号線のレベルをハイ，ロー間で変化させる場合に、信号線と高電位点又は低電位点との間で通電する経路の抵抗値を変化させて、信号線の電圧レベルを変化させるタイミングを変更することができる。
【００２３】
請求項１５記載の送信ドライバ回路によれば、信号出力部は、高電位点又は低電位点と信号線との間に接続される半導体スイッチング素子をスイッチングさせて差動信号の電圧レベルを変化させ、制御信号の入力端子と、半導体スイッチング素子の制御端子との間に接続される複数個の遅延素子を備え、複数個の遅延素子の直列接続数を変更可能に構成されている。このように構成すれば、制御信号が半導体スイッチング素子の制御端子に入力される経路の遅延時間を変化させて、信号線の電圧レベルを変化させるタイミングを変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施例であり、送信ドライバ回路の構成を概略的に示す図
【図２】（ａ）は通信プロトコルがFlexRayである場合の伝送線路のドライブ状態を示す図、（ｂ）はコモンモード電圧の検出結果に応じたフィードバック制御を説明する図
【図３】信号処理回路による制御内容を概略的に示すフローチャート
【図４】送信ドライバ回路の構成をより具体的に示す図
【図５】コモンモード電圧をサンプル／ホールドするタイミングを示す図
【図６】（ａ）はコモンモード電圧が「山型」，「谷型」の場合の波形を示す図、（ｂ）はステップＳ３，Ｓ５の内容をより詳細に示す図
【図７】通信信号出力回路並びにゲート駆動部を構成する各ＭＯＳＦＥＴのオンオフ状態をモデル的に示す図
【図８】第２実施例を示す図４相当図
【図９】第３実施例を示す図４相当図
【図１０】第４実施例を示す図４相当図
【図１１】ピーク／ボトムホールド回路の具体構成を示す図
【図１２】図５相当図
【図１３】図６相当図
【図１４】第５実施例を示す図４相当図
【図１５】第６実施例を示す図６（ｂ）相当図
【図１６】第７実施例を示す図６（ｂ）相当図
【図１７】第８実施例を示す図４相当図
【図１８】図１２相当図
【図１９】第９実施例を示す図４相当図
【図２０】電圧変化時間検出回路の詳細構成を示す図
【図２１】タイミングチャート
【図２２】図６（ｂ）相当図
【図２３】第１０実施例を示す図１９相当図
【図２４】図２１相当図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（第１実施例）
以下、第１実施例について図１ないし図７を参照して説明する。先ず、本発明の概略を、図１ないし図３を参照して説明する。図１は、送信ドライバ回路の構成を概略的に示している。送信ドライバ回路１は、通信信号出力回路２，レベルホールド回路（コモンモード検出手段）３，信号処理回路（制御部）４で構成されている。通信信号出力回路２は、外部より与えられる制御信号に応じて、一対の信号線ＢＰ，ＢＭからなる伝送線路５をハイレベル，又はローレベルにドライブすることで、差動信号を出力する。また、通信信号出力回路２は上記のように伝送線路５をドライブする際に、信号線ＢＰ，ＢＭに対する電圧の出力状態を調整可能に構成されている。ここでの「電圧の出力状態」とは、ドライブを開始するタイミングや、電圧の立ち上り，立下りの傾きや、ハイレベル，ローレベルのピーク値等を言う。
【００２６】
レベルホールド回路３は、信号線ＢＰ，ＢＭ間に接続されており、伝送線路５に発生するコモンモード電圧のレベルをホールドして信号処理回路４に出力する。信号処理回路４は、マイクロコンピュータで構成されており、レベルホールド回路３より与えられるコモンモード電圧のレベルに応じて、次回に差動信号を送信する際に通信信号出力回路２を制御する。すなわち、上述のように通信信号出力回路２が伝送線路５をドライブする際に、信号線ＢＰ，ＢＭに対する電圧の出力状態を調整してコモンモード電圧が低減するようにフィードバック制御する。
【００２７】
ここで、図２（ａ）は、通信プロトコルがFlexRayである場合の伝送線路５のドライブ状態を示している。FlexRayでは、同図に示すように信号の状態がＤａｔａ１（ハイレベル），Ｄａｔａ０（ローレベル）間で変化する場合に、信号線ＢＰ，ＢＭの電位が反転するようにドライブが行われる。すると、双方の電位が等しくなる電圧波形のクロスポイント付近のタイミングでコモンモード電圧Ｖcomが発生することが多い。例えば、電源Ｖｃｃ（高電位点）が５Ｖで信号線ＢＰ，ＢＭの中間基準電位が２．５Ｖである場合、コモンモード電圧Ｖcomは数１０ｍＶ程度の振幅で、３０ｎ〜４０ｎ秒程度の時間発生する。そこで本実施例では、図２（ｂ）に示すように、コモンモード電圧Ｖcomの検出結果に応じて、信号処理回路４が次回に差動信号を送信する際に通信信号出力回路２を制御することで、コモンモード電圧Ｖcomを順次低減させるようにフィードバック制御する。
【００２８】
図３は、信号処理回路４によるフィードバック制御の内容を概略的に示すフローチャートである。先ず、レベルホールド回路３より与えられるコモンモード電圧をＡ／Ｄ変換して読み込み、コモンモード電圧が山型／谷型の何れの波形であるかを判断する（ステップＳ１）。山型とは、コモンモード電圧が伝送線路５の中間電位を上回る振幅方向に発生する場合であり、谷型とは、コモンモード電圧が伝送線路５の中間電位を下回る振幅方向に発生する場合である。
山型である場合はステップＳ２に移行して、コモンモード電圧が上限基準値以内か否かを判断する。上限基準値以内であれば（ＹＥＳ）、ノイズとしての影響は無視できる程度であるから処理を終了する（「開始」に戻る）。一方、コモンモード電圧が上限基準値を超えていれば（ＮＯ）、次回の信号送信時にコモンモード電圧を低下させる方向に通信信号出力回路２を調整する（ステップＳ３）。
【００２９】
また、ステップＳ１においてコモンモード電圧が谷型である場合はステップＳ４に移行して、コモンモード電圧が下限基準値以内か否かを判断する。下限基準値以内であれば（ＹＥＳ）処理を終了し、下限基準値を下回っていれば（ＮＯ）、次回の信号送信時にコモンモード電圧を上昇させる方向に通信信号出力回路２を調整する（ステップＳ５）。以上のようにしてフィードバック制御を繰り返すことで、図２（ｂ）に示すように（山型の場合）コモンモード電圧を低減することが可能となる。
【００３０】
図４は、図１に示す送信ドライバ回路１の構成をより具体的に示したものである。図４（ａ）において、通信信号出力回路２は、４つのＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ，１１ＰＮ，１１ＭＰ，１１ＭＮ（駆動用半導体スイッチング素子）からなる駆動素子部１２と、駆動素子部１２の各ＭＯＳＦＥＴ１１にゲート信号を出力するゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮ，１３ＭＰ，１３ＭＮとで構成されている。ゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮには、外部からの制御信号がＮＯＴゲート５０Ｐ，５０Ｎを介して与えられており、ゲート駆動部１３ＭＰ，１３ＭＮには、前記制御信号がそのまま与えられている。また、ゲート駆動部１３ＰＰ〜１３ＭＮには、信号処理回路４からのスイッチ切替え信号が個別に与えられている。上記制御信号は、信号処理回路４にも入力されている。
【００３１】
電源Ｖｃｃとグランド（低電位点）との間には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮの直列回路と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＰ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＮの直列回路とが接続されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮの共通接続点（ドレイン）は信号線ＢＰに接続されており、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＰ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＮの共通接続点（ドレイン）は信号線ＢＭに接続されている。
【００３２】
信号線ＢＰ，ＢＭの間には、サンプルホールド回路３Ｓを構成する抵抗素子１４ａ及び１４ｂの直列回路が接続されており、それらの共通接続点は、オペアンプ１５の非反転入力端子に接続されている。オペアンプ１５の反転入力端子は、抵抗素子１６及び１７，コンデンサ１８の直列回路を介してグランドに接続されており、また、互いに接続方向が異なる２つのダイオード１９及び２０を介してオペアンプ１５の出力端子に接続されている。これらのダイオード１９及び２０は、オペアンプ１５の出力レベルを制限するために配置されている。そして、オペアンプ１５の出力端子は、スイッチ２１を介して抵抗素子１６及び１７の共通接続点に接続されており、その共通接続点は信号処理回路４の入力端子に接続されている。スイッチ２１のオンオフ制御は、信号処理回路４によって行われる。
【００３３】
また、図４（ｂ）は、ゲート駆動部１３の内部回路を示している。尚、ゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮ，１３ＭＰ，１３ＭＮの構成は何れも共通であるため、モデル的に１つだけを示す。電源Ｖｃｃとグランドとの間には、駆動素子部１２の何れかのＭＯＳＦＥＴ１１のゲート（制御端子）には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｐ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｎ（制御用半導体スイッチング素子）のドレインが接続されている。そして、電源ＶＧ（＝Ｖｃｃでも良い）とＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｐのソースとの間には、スイッチ及び抵抗素子の直列回路を複数並列に接続して構成される抵抗アレイ部ＲＡｐが接続されており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｎのソースとグランドとの間には、同様にスイッチ及び抵抗素子の直列回路を複数並列に接続して構成される抵抗アレイ部ＲＡｎが接続されている。そして、信号処理回路４は、抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎに個別の切替え信号を与えて、それらのスイッチのオンオフを切り替える。
【００３４】
次に、本実施例の作用について図５及び図６も参照して説明する。図５は、通信信号出力回路２に与えられる制御信号のレベルがロー，ハイ，ローに変化することで、伝送線路５の差動信号がＤａｔａ１，Ｄａｔａ０，Ｄａｔａ１に変化する場合に、サンプルホールド回路３がコモンモード電圧をサンプル／ホールドするタイミングを示している。制御信号のレベルがローの場合、ゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮにはハイレベルの信号が与えられ、ゲート駆動部１３ＭＰ，１３ＭＮにはローレベルの信号が与えられる。これにより、ゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮではＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｎがオンとなっており、ゲート駆動部１３ＭＰ，１３ＭＮではＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｐがオンとなっている。その結果、駆動素子部１２でＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰがオン、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＮがオンするので、信号線ＢＰのレベルがハイ，信号線ＢＭのレベルはローとなっている（（ａ），（ｂ）参照）。
【００３５】
そして、制御信号のレベルがローからハイに変化すると、上記の各信号の状態が反転するので、信号線ＢＰのレベルがロー，信号線ＢＭのレベルはハイに変化する（（ａ），（ｂ）参照）。コモンモード電圧は、制御信号の立ち上り，立下りのタイミングから若干の遅延の後、信号線ＢＰ，ＢＭの電圧が変化して双方のレベルが同一となるクロスポイントの付近で発生する（（ｃ）参照）。
【００３６】
コモンモード電圧が発生する場合とは、上記のクロスポイントが中間基準電位（例えば２．５Ｖ）から変動した場合であり、サンプルホールド回路３Ｓのオペアンプ１５の出力端子には、上記中間基準電位から変動した電圧が山型，谷型に出力される。そこで、信号処理回路４は、制御信号の立ち上りタイミングを起点として、立下りタイミングに係る前後にサンプルホールド回路３のスイッチ２１を一定期間オンさせるようにモノパルス信号を出力し、コモンモード電圧のレベルをサンプリングさせる（（ｄ）参照）。
【００３７】
図６（ｂ）は、図３で示したフローチャートのステップＳ３，Ｓ５の内容を、図４に示す構成に合わせてより詳細にしたものである。尚、図６（ａ）は、コモンモード電圧Ｖcomが「山型」の場合，「谷型」の場合の波形を示す。コモンモード電圧が上限基準値を超えた場合のステップＳ３では、ゲート駆動部１３ＰＰ（ＢＰ＿Ｐch），１３ＰＮ（ＢＰ＿Ｎch），１３ＭＰ（ＢＭ＿Ｐch），１３ＭＮ（ＢＭ＿Ｎch）がそれぞれ内蔵する抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎのスイッチを（１）〜（８）に示すように切り替えることで駆動素子部１２の各ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート抵抗値を変化させ、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧の振幅を低減させる。
【００３８】
尚、各ゲート駆動部１３における抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎの初期状態では、例えばスイッチの半分程度をオンさせており、この状態からスイッチをオンさせる数を増やせば抵抗値が低下し、スイッチをオンさせる数を減らせば抵抗値が上昇することになる。具体的には、各ゲート駆動部１３における抵抗アレイ部ＲＡｐの抵抗値を大きくするようにスイッチをオンさせる数を減らし、抵抗アレイ部ＲＡｎの抵抗値を小さくするようにスイッチをオンさせる数を増やす。また、これら（１）〜（８）は必ずしも全て同時に実行する必要はなく、少なくとも１つ以上を実行すれば良い。一方、コモンモード電圧が下限基準値を超えた場合のステップＳ５では、（１）〜（８）における抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎの抵抗値の大小変化を逆にする。
【００３９】
ここで、図７は、ステップＳ３，Ｓ５における抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎの抵抗値の切替えを説明するため、通信信号出力回路２並びにゲート駆動部１３を構成する各ＭＯＳＦＥＴのオンオフ状態をモデル的に示したもので、信号線ＢＰがハイレベル，信号線ＢＭがローレベルとなる場合である。信号線ＢＰ側のゲート駆動部１３ではＮチャネルＭＯＳＦＥＴがオンしており、信号線ＢＭ側のゲート駆動部１３ではＰチャネルＭＯＳＦＥＴがオンしている。
【００４０】
この時、図５に示すように、信号線ＢＰのレベルがローからハイ，信号線ＢＰのレベルがハイからローに変化するタイミングでコモンモード電圧が上限基準値を超えた際に想定されるのは、信号線ＢＰ側の電位変化のタイミングが相対的に速いか、信号線ＢＭ側の電位変化のタイミングが相対的に遅い場合である。したがって、コモンモード電圧のレベルを低減するには、信号線ＢＰ，ＢＭの電位変化のタイミングが上記と逆方向となるように調整すれば良い。
【００４１】
そこで、ステップＳ３において上述のように各部の抵抗値を調整することで、信号線ＢＰ側については、例えばＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰのオンタイミングを遅延させる方向に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮのオフタイミングを速める方向に調整する。一方、信号線ＢＭ側については、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＰのオフタイミングを遅延させる方向に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＮのオンタイミングを速める方向に調整する。これにより、信号線ＢＰ側の電位変化を相対的に遅くし、信号線ＢＭ側の電位変化を相対的に速くするように変化させる。
【００４２】
また、コモンモード電圧が下限基準値を超えた際に想定されるのは、信号線ＢＰ側，ＢＭ側の電位変化タイミングの相対的な遅速関係が上限基準値を超えた場合と逆になるので、ステップＳ５においては、例えば信号線ＢＰ側の電位変化を相対的に速くし、信号線ＢＭ側の電位変化を相対的に遅くするように変化させる。尚、ここで述べた電位変化の遅速関係は、信号線ＢＰのレベルがハイからローに，信号線ＢＰのレベルがローからハイに変化するタイミングについては逆になるが、結果としてステップＳ３，Ｓ５における調整方向がそのまま適用される。
【００４３】
また、図６（ｂ）に示す処理を繰り返し実行する際に、次回は、今回の各抵抗値の設定を維持した状態を基準として、抵抗値を変化させる方向を決定する。例えば、今回の処理でコモンモード電圧が上限基準値を超えた結果、ステップＳ３中の何れか１つのスイッチ切替えを行い、次回の処理でもコモンモード電圧が上限基準値を超えている場合は、上記スイッチの切替えは維持したまま他の（１）〜（８）の何れかのスイッチ切替えを追加するか、若しくは今回切り替えたものと同じスイッチが属する抵抗アレイ部ＲＡについて、スイッチ切替え数をより多くすることで対応する。
【００４４】
以上のように本実施例によれば、レベルホールド回路３（サンプルホールド回路３Ｓ）は、通信信号出力部２が差動信号の電圧レベルを変化させる際に伝送線路５に発生するコモンモード電圧の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドする。そして、信号処理回路４は、前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、通信信号出力部２による電圧の出力状態を調整する。すなわち、信号処理回路４が、コモンモード電圧の発生状態に応じてフィードバック制御を行うことでコモンモード電圧を順次低減させて、差動信号を高速に伝送する場合でもコモンモード電圧を確実に低減することができ、ノイズの発生を抑制することが可能となる。
【００４５】
そして、信号処理回路４は、コモンモード電圧の検出レベルが上限基準値を上回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整することで、コモンモード電圧が山型の波形となっている場合に当該電圧を低減できる。
また、信号処理回路４は、コモンモード電圧の検出レベルが下限基準値を下回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整することで、コモンモード電圧が谷型の波形となっている場合に当該電圧を低減できる。
【００４６】
更に、通信信号出力部２は、電源Ｖｃｃとグランドとの間に接続されるＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ，１１ＰＮ，１１ＭＰ，１１ＭＮをスイッチングさせて差動信号の電圧レベルを変化させ、また、電源ＶＧ又はグランドとＭＯＳＦＥＴ１１のゲートとの間に接続されるＭＯＳＦＥＴ２２をスイッチングさせて、前記ゲートに出力する制御電圧を変化させる。この場合、電源ＶＧ又はグランドとＭＯＳＦＥＴ２２との間における通電経路の抵抗値を調整することになるので、これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートに通電する経路の抵抗値を変化させて、信号線の電圧レベルを変化させるタイミングを変更することができる。
【００４７】
（第２実施例）
図８は第２実施例であり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第２実施例の送信ドライバ回路２３は、第１実施例ではゲート駆動部１３に配置していた抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎを、駆動素子部２４の内部に配置した構成となっている。尚、図８は信号線ＢＰ側のみを示しているが、信号線ＢＰ側についても同様に構成されている。すなわち、電源ＶｃｃとＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ，１１ＭＰのソースとの間，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮ，１１ＭＮのソースとグランドとの間に抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎが挿入されており、信号処理回路４は、それらのスイッチを切り替えて各ＭＯＳＦＥＴ１１のソース側の抵抗値を第１実施例と同様に切り替える。
【００４８】
以上のように構成される第２実施例によれば、送信ドライバ回路２３は、電源ＶｃｃとＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ，１１ＭＰのソースとの間，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮ，１１ＭＮのソースとグランドとの間に挿入した抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎの抵抗値を変化させて、信号線ＢＰ，ＢＭの電圧レベルを変化させるタイミングを変更するので、第１実施例と同様に制御することで、コモンモード電圧の発生レベルを低減するように調整できる。
【００４９】
（第３実施例）
図９は第３実施例であり、第１実施例と異なる部分のみ説明する。図９に示すサンプルホールド回路３Ｓでは、抵抗素子１４ａ及び１４ｂ（オフセット検出手段）の共通接続点がコンデンサ２５（オフセット検出手段）を介してグランドに接続されていると共に、信号処理回路４ａの入力端子に接続されている。以上が送信ドライバ回路２６を構成している。信号処理回路４ａは、上記入力端子の電圧をＡ／Ｄ変換して読み込むことで、コモンモード電圧のＤＣオフセット分を考慮することができる。すなわち、各回路素子の定数ずれ等により、信号線ＢＰ，ＢＭ間の中間基準電位が必ずしも２．５Ｖを示さない場合があるので、信号処理回路４ａがステップＳ１においてコモンモード電圧のサンプルホールド値を読み込んだ際に、ＤＣオフセット分を考慮して補正することでコモンモード電圧をより正確に把握できる。
以上のように第３実施例によれば、信号処理回路４ａは、サンプルホールド回路３Ｓによる検出レベルを、抵抗素子１４ａ及び１４ｂの共通接続点に与えられる差動信号電圧のＤＣオフセットレベルに基づき補正した値を上限基準値及び下限基準値と比較するので、コモンモード電圧の発生状態をより正確に検出することができる。
【００５０】
（第４実施例）
図１０ないし図１３は第４実施例を示すものであり、第３実施例と異なる部分を説明する。図１０に示す送信ドライバ回路２７は、サンプルホールド回路３Ｓに替えてピーク／ボトムホールド回路３ＰＢが配置されている。そして、ピーク／ボトムホールド回路３ＰＢより出力されるピークホールド値及びボトムホールド値は、信号処理回路４に替わる信号処理回路（制御部）２８に入力されている。
【００５１】
図１１は、ピーク／ボトムホールド回路３ＰＢの具体構成を示す。ピーク／ボトムホールド回路３ＰＢは、ピークホールド回路３Ｐ（ピークホールド手段）と、ボトムホールド回路３Ｂ（ボトムホールド手段）とで構成されている。ピークホールド回路３Ｐは、非反転入力端子が抵抗素子１４ａ及び１４ｂの共通接続点に接続されるオペアンプ２９Ｐと、オペアンプ２９Ｐの出力端子がダイオード３０Ｐを介して非反転入力端子に接続されるオペアンプ３１Ｐとを備えている。
【００５２】
オペアンプ３１Ｐの出力端子は、自身及びオペアンプ２９Ｐの反転入力端子に接続されていると共に、信号処理回路２８の入力端子に接続されている。また、オペアンプ２９Ｐの反転入力端子は、ダイオード３２Ｐを介して自身の出力端子に接続されている。オペアンプ３１Ｐの非反転入力端子とグランドとの間には、抵抗素子３３Ｐ及びコンデンサ３４Ｐの直列回路と、スイッチ３５Ｐとが接続されている。スイッチ３５Ｐは、ピークレベル保持用のコンデンサ３４Ｐを放電させてリセットするためにオンされ、そのオンオフ制御は信号処理回路２８によって行われる。
【００５３】
一方、ボトムホールド回路３Ｂは、ピークホールド回路３Ｐと略対象に構成されており、対応する構成には符号Ｐに替えて符号Ｂを付して示している。但し、ダイオード３０Ｂ，３２Ｂの接続方向は、ピークホールド回路３Ｐのダイオード３０Ｐ，３２Ｐとは逆になっている。
【００５４】
次に、第４実施例の作用について図１２及び図１３も参照して説明する。図１２は、第１実施例の図５相当図であり、信号処理回路２８がピークホールド回路３Ｐ，ボトムホールド回路３Ｂによってピークホールド，ボトムホールドを行わせるタイミング，すなわちスイッチ３５Ｐ，３５Ｂをオン→オフ（ホールド）→オン（リセット）に切り替えるタイミングを（ｄ）に示す。この場合、ホールド期間の始期は第１実施例のサンプルホールドタイミングに等しく設定されるが、ホールド期間の終期は、コモンモード電圧が発生している期間よりも確実に長くなるように、第１実施例のサンプルホールドタイミングよりも遅くなっている。第４実施例では、コモンモード電圧のピーク値とボトム値を検出することで、当該電圧振幅が山谷型，谷山型に変化する場合（図６（ａ）参照）についても対応する。
【００５５】
図１３は図６相当図であり、図１３（ａ）には、コモンモード電圧が山谷型，谷山型に変化する場合の波形を示している。すなわち、これらは何れも、電圧波形が中間基準電位に対して高低方向に変動するもので、山谷型とは、山側のピーク値が谷側のボトム値よりも大きい場合を称し、谷山型とは、逆に谷側のボトム値が山側のピーク値よりも大きい場合を称する。
【００５６】
図１３（ｂ）において、信号処理回路２８は、ピークホールド回路３Ｐからのピークホールド値を読取ると（ステップＳ１１）、ステップＳ２においてそのピークホールド値が上限基準値以内か否か判断する。また、信号処理回路２８は、ボトムホールド回路３Ｂからのボトムホールド値を読取ると（ステップＳ１２）、ステップＳ４においてそのボトムホールド値が下限基準値以内か否か判断する。尚、図１３（ｂ）では、ステップＳ１１及びステップＳ２の処理と、ステップＳ１２及びステップＳ４の処理とが並列に実行されるように示されているが、実際にはこれらはシリアルに実行される。
【００５７】
そして、ステップＳ２，Ｓ４の少なくとも一方で「ＮＯ」と判断すると、信号処理回路２８は、ピークホールド値とボトムホールド値との平均をとり、中間基準電位Ｖrefと比較する（ステップＳ１３）。（平均値＞Ｖref）であればコモンモード電圧は山谷型であるからステップＳ３を実行し、（平均値＜Ｖref）であればコモンモード電圧は谷山型であるからステップＳ５を実行する。それから、コンデンサ３４を放電させて（ステップＳ１５）ステップＳ１１，Ｓ１２に戻る。尚、図示はしないが、ステップＳ１４において（平均値＝Ｖref）の場合はそのままステップＳ１５に移行する。
【００５８】
以上のように第４実施例によれば、信号処理回路２８は、ピークホールド回路３Ｐによって検出されたコモンモード電圧のピーク値を上限基準値と比較すると共に、ボトムホールド回路３Ｂによって検出されたコモンモード電圧のボトム値を下限基準値と比較する。したがって、コモンモード電圧が変化した場合の波形のピーク値，ボトム値を検出して、コモンモード電圧が発生している場合の波形振幅の大きさを正確に捉えることができる。
【００５９】
そして、信号処理回路２８は、ピーク値が上限基準値を上回ると共にボトム値が下限基準値を下回ると両者の平均値を求め、その平均値が、一対の信号線間の中間基準電位よりも高いか或いは低いかに応じてコモンモード電圧を低減するための調整方向を決定するので、ノイズの発生原因としてより影響が大きい側の波形振幅を低減するように調整できる。
【００６０】
（第５実施例）
図１４は第５実施例である。第５実施例はゲート駆動部１３に替わるゲート駆動部３６の構成を示す。ゲート駆動部３６は、直列に接続される２ｎ個（ｎは２以上の自然数）のＮＯＴゲート（遅延素子）３７と、これらのうち初段のＮＯＴゲート３７の入力端子と、そこから２個先き毎のＮＯＴゲート３７の入力端子と、最後段のＮＯＴゲート３７の出力端子とにそれぞれ一端が接続される（ｎ＋１）個のスイッチ３８とで構成されている。ｎ個のスイッチ３８の他端は共通に接続されており、外部からの制御信号が与えられる。そして、スイッチ３８のオンオフ制御は信号処理回路４，４Ａ，２８等により制御される。
【００６１】
以上のように構成される第５実施例によれば、ゲート駆動部３６は、制御信号の入力端子と、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートとの間に接続される２ｎ個のＮＯＴゲートを備え、それらの直列接続数を２個単位で変更可能に構成されるので、例えば信号処理回路４が（ｎ＋１）個のスイッチ３８のうち何れか１つをオンすることで、駆動素子部１２にゲート信号を出力するタイミングに異なる遅延時間を付与することができる。また、遅延素子としては、その他ディレイライン等を用いても良く、この場合は素子の直列接続数を少なくとも１個ずつ変化させるように切り替えれば良い。
【００６２】
（第６実施例）
図１５は第６実施例を示す図６（ｂ）相当図であり、ステップＳ３，Ｓ５に替えてステップＳ２１，Ｓ２２が配置されている。第６実施例では、ステップＳ２で「ＮＯ」と判断すると、ステップＳ２１においてサンプルホールド値と上限基準値との差を求める。そして、その差の値から、コモンモード電圧が上限基準値以内となる第１実施例におけるゲート抵抗値や、第２実施例における駆動素子部２４の出力抵抗値，若しくは第５実施例における遅延時間を求め、スイッチの切り替えを行う。また、ステップＳ４で「ＮＯ」と判断した場合も、ステップＳ２２においてサンプルホールド値と下限基準値との差を求め、その差の値から、コモンモード電圧が下限基準値以内となるゲート抵抗値等を求め、スイッチの切り替えを行う。尚、上記の抵抗値や遅延時間については、予めシミュレーションや実測などにより求めておくようにする。
【００６３】
以上のように第６実施例によれば、信号処理回路２８は、検出レベルと上限基準値との差又は検出レベルと下限基準値との差に応じて、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。通信信号出力部２による電圧の出力状態の調整量は、コモンモード電圧の検出レベルと基準値との差に応じて決まるので、したがって、コモンモード電圧を低減するための調整を、より短時間に完了することができる。尚、第６実施例を第４実施例に適用する場合には、放電用のスイッチ３５は不要である。
【００６４】
（第７実施例）
図１６は第７実施例を示す図６（ｂ）相当図である。第７実施例では、ステップＳ２，Ｓ４で「ＹＥＳ」と判断すると、処理を終了する前に信号処理回路４（又は４ａ，２８）の動作を自身で停止させる（ステップＳ３１，Ｓ３２）。すなわち、この場合はデフォルトの設定，若しくはフィードバック制御を何回か実行した段階でコモンモード電圧の発生レベルが基準値以内となっているので、以降に信号処理回路４等が調整を行う必要が無い。したがって、信号処理回路４等の動作を停止させて消費電力を低減する。
以上のように第７実施例によれば、信号処理回路４は、検出レベルが上限基準値以内であり、且つ下限基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させるので、信号処理回路４が調整を行う必要はない場合に、不要な電力消費を低減することができる。
【００６５】
（第８実施例）
図１７及び図１８は第８実施例を示すものであり、第４実施例と異なる部分を説明する。第８実施例の送信ドライバ回路３７は、第４実施例の送信ドライバ回路２７におけるピーク／ボトムホールド回路３ＰＢの内部に、微分回路３８を追加した構成となっている。微分回路３８は、周知のようにオペアンプ３８ａと、コンデンサ３８ｂと、抵抗素子３８ｃとで構成されており、微分回路３８の入力端子は抵抗素子１４ａ及び１４ｂの共通接続点に接続されており、出力端子はピークホールド回路３Ｐ，ボトムホールド回路３Ｂの入力端子に接続されている。
【００６６】
次に、第８実施例の作用について図１８を参照して説明する。図１８は図１２相当図であり、図１８（ｄ）には、微分回路３８より出力されるコモンモード電圧の微分波形を示している。図１８（ｃ）に示す山型の電圧波形の場合、その微分波形は山谷型となるので、山のピークレベルと谷のボトムレベルとが検出される。したがって、第８実施例の処理は、第４実施例の図１３（ｂ）に示すフローチャートと同様になる。
以上のように第８実施例によれば、ピーク／ボトムホールド回路３ＰＢの内部に微分回路３８を配置してコモンモード電圧の微分値を検出し、信号処理回路２８は、その微分値の検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較するので、コモンモード電圧の変化率の大きさを検出でき、第３実施例のようにＤＣオフセットを検出して補正する必要が無くなる。
【００６７】
（第９実施例）
図１９ないし図２２は第９実施例を示すものである。第９実施例の送信ドライバ回路４１は、レベルホールド回路３に替えて電圧変化時間検出回路４２を備えており、図２０は、その電圧変化時間検出回路４２の詳細構成を示している。電圧変化時間検出回路４２は、ハイ側時間検出回路４２Ｈ（第１計時手段）と、ロー側時間検出回路４２Ｌ（第２計時手段）とで構成されている。電源とグランドとの間には、電流源４３（Ｐ，Ｍ）と、スイッチ４４（Ｐ，Ｍ）と、コンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）との直列回路が接続されている。コンパレータ４６Ｐは、信号線ＢＰの電位と、比較用の電圧であるＢＰ側基準値とを比較し、前者が後者を下回った場合にハイレベルのStart信号をスイッチ４４Ｐに出力する。ＢＰ側基準値は、信号線ＢＰのハイレベル電位よりも若干低いレベルに設定されている（図２１（ｂ）参照）。
【００６８】
また、コンパレータ４６Ｍは、信号線ＢＭの電位と、比較用の電圧であるＢＭ側基準値とを比較し、前者が後者を上回った場合にハイレベルのStart信号をスイッチ４４Ｍに出力する。ＢＭ側基準値は、信号線ＢＭのローレベル電位よりも若干高いレベルに設定されている（図２１（ｂ）参照）。そして、コンパレータ４６Ｃは、信号線ＢＰの電位と信号線ＢＭの電位とが同じレベルになると、ハイレベルのStop信号をスイッチ４４Ｐ，４４Ｍに出力する。スイッチ４４Ｐ，４４Ｍは、Start信号がハイレベルになるとオンし、その状態からStop信号がハイレベルになるとオフするように構成されている。また、コンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）には、スイッチ４７（Ｐ，Ｍ）及び抵抗素子４８（Ｐ，Ｍ）の直列回路が並列に接続されており、スイッチ４７（Ｐ，Ｍ）のオンオフ制御は信号処理回路（制御部）４９によって行われる。
【００６９】
次に、第９実施例の作用について図２１及び図２２を参照して説明する。第９実施例では、制御信号がローからハイに変化することで、信号線ＢＰのレベルがハイからローに変化し、且つ信号線ＢＭのレベルがローからハイに変化する期間に、スイッチ４７（Ｐ，Ｍ）のオンオフを制御してコンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）を充電する。尚、スイッチ４４（Ｐ，Ｍ）及び４７（Ｐ，Ｍ）は初期状態でオフしており、コンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）は放電されて、端子電圧は０Ｖであるとする。
【００７０】
すなわち、上記の期間において、信号線ＢＰのレベルがハイからローへの変化を開始してＢＰ側基準値を下回ると、コンパレータ４６ＰはStart信号をスイッチ４４Ｐに出力し、スイッチ４４Ｐはターンオンする。同時に信号線ＢＭのレベルがローからハイへの変化を開始してＢＭ側基準値を上回ると、コンパレータ４６ＭはStart信号をスイッチ４４Ｍに出力し、スイッチ４４Ｍはターンオンする。これにより、コンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）は電流源４３（Ｐ，Ｍ）によって充電される。
【００７１】
その状態から、信号線ＢＰの電位と信号線ＢＭの電位とがクロスポイントに達して同じレベルになると、コンパレータ４６Ｃは、Stop信号をスイッチ４４（Ｐ，Ｍ）に出力する。これにより、スイッチ４４（Ｐ，Ｍ）はターンオフしてコンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）の充電は停止される。したがって、この時点でのコンデンサ４５Ｐの充電電位は、信号線ＢＰのレベルがハイからローへの変化を開始してからクロスポイントに達するまでの時間に比例し、コンデンサ４５Ｍの充電電位は、信号線ＢＭのレベルがローからハイへの変化を開始してからクロスポイントに達するまでの時間に比例している。
【００７２】
図２２は、信号処理回路４９の処理内容を示すフローチャートである。信号処理回路４９は、制御信号のレベルがローからハイに変化すると（ステップＳ４１：ＹＥＳ）、その時点から若干の時間が経過してコンパレータ４６ＣがStop信号を出力した以降のタイミングで、電圧変化時間検出回路４２よりコンデンサ４５Ｐ，４５Ｍの端子電圧（第１，第２時間）をＡ／Ｄ変換して読み込む（ステップＳ４２）。そして、コンデンサ４５Ｐ（ＢＰ側），４５Ｍ（ＢＭ側）の端子電圧の大小を比較し（ステップＳ４３）、（ＢＰ側＞ＢＭ側）であれば（ＹＥＳ）ステップＳ４４に移行し、（ＢＰ側＜ＢＭ側）であれば（ＮＯ）ステップＳ４５に移行する。
【００７３】
ステップＳ４４では、コンデンサ４５Ｐの端子電圧からコンデンサ４５Ｍの端子電圧を減じた差（第１時間差）が基準値以内か否かを判断し、ステップＳ４５では、逆にコンデンサ４５Ｍの端子電圧からコンデンサ４５Ｐの端子電圧を減じた差（第２時間差）が基準値以内か否かを判断する。そして、ステップＳ４４で「ＮＯ」と判断するとステップＳ５を実行し、ステップＳ４５で「ＮＯ」と判断するとステップＳ３を実行する。
【００７４】
ここで、ステップＳ４４で「ＮＯ」と判断するケースは、図２１（ｂ）に示すように、信号線ＢＰ側の電位が低下するタイミングが信号線ＢＭの電位が上昇するタイミングよりも速く、クロスポイントが低電位側にずれてコモンモード電圧が谷型に発生する場合に対応する。したがって、ステップＳ５を実行する。一方、ステップＳ４５で「ＮＯ」と判断するケースは、上記とは逆に、信号線ＢＰ側の電位が低下するタイミングよりも信号線ＢＭの電位が上昇するタイミングが速く、クロスポイントが高電位側にずれてコモンモード電圧が山型に発生する場合に対応する。したがって、ステップＳ３を実行する。ステップＳ３又はＳ５の実行後は、スイッチ４７Ｐ，４７Ｍをオンすることでコンデンサ４５Ｐ，４５Ｍを放電させる（ステップＳ４６）。それから、ステップＳ４１に戻る。
【００７５】
以上のように第９実施例によれば、ハイ側時間検出回路４２Ｈは、通信信号出力部２が差動信号の電圧レベルを変化させる際に、信号線ＢＰの電位が低下を開始した時点から計時を開始し、ロー側時間検出回路４２Ｌは、信号線ＢＭの電位が上昇を開始した時点から計時を開始し、信号線ＢＰ，ＢＭの電位が互いに等しくなった時点で計時を停止させて第１時間及び第２時間をそれぞれ計時する。信号処理回路４９は、第１時間と第２時間との差である第１時間差を求め、第１時間差が正であれば第１時間差と第１基準値とを比較し、第１時間差が負であれば第２時間差を求めて第２基準値とを比較する。その結果、第１時間差が第１基準値を上回るか又は第２時間差が第２基準値を上回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、通信信号出力部２による電圧の出力状態を調整するようにした。したがって、コモンモード電圧波形が山型の場合と、谷型の場合とに応じて、通信信号出力部２による電圧の出力状態をフィードバック制御することで、コモンモード電圧を低減するように調整できる。
【００７６】
また、信号処理回路４９は、第１時間差が第１基準値を上回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整し、第２時間差が第２基準値を上回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整する。したがって、第１実施例と同様にして、コモンモード電圧の波形に応じて当該電圧を低減するよう調整できる。
【００７７】
尚、信号処理回路４９にStop信号を入力するようにして、ステップＳ４１では、信号処理回路４９は、制御信号のレベルがローからハイに変化した後、コンパレータ４６ＣがStop信号を出力したことを確認してステップＳ４２に移行しても良い。また、第９実施例は、制御信号のレベルがハイからローに変化して、信号線ＢＰ，ＢＭのレベル変化が上記と逆になる場合について実施しても良い。
【００７８】
（第１０実施例）
図２３及び図２４は第１０実施例を示すものであり、第９実施例と異なる部分について説明する。第１０実施例の送信ドライバ回路５１は、上記実施例のように信号線ＢＰ，ＢＭ間の電位が反転せず、例えばＣＡＮのように差動信号が、中間基準電位（差動電圧０Ｖ，レセッシブ）と、信号線ＢＰ側が高電位方向に，信号線ＢＭ側が低電位方向に変化する（ドミナント）との間で変化する場合に対応した構成となっている。通信信号出力回路５２は、電源Ｖｃｃとグランドとの間に接続される、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５３Ｐ，抵抗素子５４ａ及び５４ｂ，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５３Ｎ（駆動用半導体スイッチング素子）の直列回路で構成されている。
【００７９】
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５３Ｐはゲート駆動部５５Ｐによって駆動され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５３Ｎはゲート駆動部５５Ｎによって駆動される。ゲート駆動部５５Ｐ，５５Ｎの構成は、例えば第１実施例のゲート駆動部１３と同様であり、それらのスイッチ切替えは、信号処理回路（制御部）５６によって行われる。ゲート駆動部５５Ｐ側には、制御信号がＮＯＴゲート５７を介して与えられている。そして、信号線ＢＰ，ＢＭ間には第９実施例の電圧変化時間検出回路４２が接続されている。
【００８０】
第１０実施例において、電圧変化時間検出回路４２は第９実施例と全く同様に動作する。したがって、信号処理回路５６も図２２に示すフローチャートを実行すれば良い。但し、ステップＳ３，Ｓ５においては、ゲート駆動部ＢＰ＿Ｎｃｈ，ＢＭ＿Ｐｃｈに対応する構成が存在しないので、それらについての制御は行わない。尚、図２４（ｂ）に示しているように、制御信号の立下りタイミングでスイッチ４４Ｐ，４４Ｍをオンして、信号線ＢＰ側の電位がＢＰ側基準値を超えた場合にスイッチ４４Ｐをオフし、信号線ＢＭ側の電位がＢＭ側基準値を下回った場合にスイッチ４４Ｍをオフして、ステップＳ４２においてコンデンサ４５Ｐ，４５Ｍの充電電圧を読み込んでも良い。
以上のように第１０実施例によれば、差動信号の伝送形態が、ＣＡＮのようにレセッシブ，ドミナント間で変化する場合についても、第９実施例と同様の効果が得られる。
【００８１】
本発明は上記し、又は図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変型又は拡張が可能である。
コモンモード電圧に替えて、コモンモード電流を検出しても良い。
第９実施例において、第１，第２計時手段は、コンデンサ４５に替えてカウンタを用いることで、Ｓｔａｒｔ信号とＳｔｏｐ信号とが出力される時間を計測しても良い。
第９，第１０実施例について、第６実施例と同様に、ＢＰ側，ＢＭ側の端子電圧の差に応じて、ステップＳ３，Ｓ５における調整を一回で行うようにしても良い。
第８ないし第１０実施例に、第７実施例を組み合わせて実行しても良い。
半導体スイッチング素子はＭＯＳＦＥＴに限ることなく、バイポーラトランジスタを用
いても良い。
【符号の説明】
【００８２】
図面中、１は送信ドライバ回路、２は通信信号出力回路、３はレベルホールド回路（コモンモード検出手段）、３Ｓはサンプルホールド回路（コモンモード検出手段）、３Ｐはピークホールド回路（ピークホールド手段）、３Ｂはボトムホールド回路（ボトムホールド手段）、４は信号処理回路（制御部）、５は伝送線路、１１はＭＯＳＦＥＴ（駆動用半導体スイッチング素子）、１４は抵抗素子（オフセット検出手段）、２２はＭＯＳＦＥＴ（制御用半導体スイッチング素子）、２３は送信ドライバ回路、２５はコンデンサ（オフセット検出手段）、２６，２７は送信ドライバ回路、２８は信号処理回路（制御部）、３７はＮＯＴゲート（遅延素子）、３７は送信ドライバ回路、３８は微分回路、４１は送信ドライバ回路、４２Ｈはハイ側時間検出回路（第１計時手段）、４２Ｌはロー側時間検出回路（第２計時手段）、４９は信号処理回路（制御部）、５１は送信ドライバ回路、５２は通信信号出力回路、５３はＭＯＳＦＥＴ（駆動用半導体スイッチング素子）、５６は信号処理回路（制御部）を示す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の信号線により差動信号を伝送する伝送線路に接続され、その伝送線路を介して信号を送信するための送信ドライバ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一対の信号線により差動信号を伝送する伝送線路については、送信ドライバ回路が一方の信号線（＋）の電位を上昇させると同時に他方の信号線（−）の電位を低下させるようにドライブすることで差動信号を伝送する。この時、信号線（＋）の電位を上昇させるタイミングと信号線（−）の電位を低下させるタイミングとの間にズレが生じて双方の電位の変化が非対称になると、伝送線路上にコモンモード電圧が発生してノイズとなる。
【０００３】
このようなノイズの発生を防止する従来技術として、例えば特許文献１には、信号線ＶＨ，ＶＬのそれぞれの電位変化の対称性が崩れた状態に応じて発生する電流を送信ドライバ回路にフィードバックさせることで、信号線ＶＨ，ＶＬをそれぞれドライブするスイッチング素子をスイッチングさせるタイミングを調整し、コモンモード電圧の発生を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２６０７９９号公報（図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の技術は、伝送線路に発生するコモンモード電圧を検出してから、電流をフィードバックさせるまでにある程度の時間を要するため、例えばFlexRay（登録商標）のように伝送線路を高速でスイッチングする差動通信では、リアルタイムでのフィードバック制御が間に合わず、コモンモード電圧の発生を抑制することができないという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、信号の伝送速度が速い差動通信においても、コモンモード電圧の発生を適切に抑制できる送信ドライバ回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の送信ドライバ回路によれば、コモンモード検出手段は、信号出力部が差動信号の電圧レベルを変化させる際に伝送線路に発生するコモンモード電圧又は電流（以下、説明の都合上「コモンモード電圧」とのみ称す）の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドする。そして、制御部は、前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。このように構成すれば、制御部が、コモンモード電圧の発生状態に応じてフィードバック制御を行うことで、差動信号を送信する毎にコモンモード電圧を順次低減させることができ、差動信号を高速に伝送する場合でもコモンモード電圧を確実に低減することができるので、ノイズの発生を抑制することが可能となる。
【０００８】
請求項２記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、コモンモード電圧の検出レベルが上限基準値を上回ると、信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整する。この場合、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングが適正なタイミングよりも遅いか、または信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングが適正なタイミングよりも速くなっていることで、コモンモード電圧は上限基準値を上回る山型の波形となっている。したがって、上記の各タイミングをそれぞれ逆方向に変化させるように調整すれば、山型波形のコモンモード電圧を低減できる。
【０００９】
一方、制御部は、コモンモード電圧の検出レベルが下限基準値を下回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整する。この場合、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミング，または信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングが山型の場合と逆になっていることで、コモンモード電圧は下限基準値を下回る谷型の波形となっている。したがって、上記の各タイミングをそれぞれ逆方向に変化させるように調整すれば、谷型波形のコモンモード電圧を低減できる。
【００１０】
請求項３記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、検出レベルと上限基準値との差又は検出レベルと下限基準値との差に応じて、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。すなわち、信号出力部による電圧の出力状態の調整量は、コモンモード電圧の検出レベルと基準値との差に応じて決まるので、コモンモード電圧を低減するための調整をより短時間に完了することができる。
【００１１】
請求項４記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、検出レベルが上限基準値以内であり、且つ下限基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させる。この場合、コモンモード電圧が発生しているとしても許容範囲内にあると考えられるので、その時点での信号出力部による電圧の出力状態を維持すれば良く、以降に制御部が調整を行う必要はない。したがって、制御部の動作を停止させて消費電力を低減することができる。
【００１２】
請求項５記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、コモンモード検出手段による検出レベルを、オフセット検出手段により検出された差動信号電圧のＤＣオフセットレベルに基づき補正した値を上限基準値及び下限基準値と比較する。すなわち、伝送線路の信号線に実際に付与されているハイ，ローレベルの電圧の状態によっては、ＤＣオフセットが発生している場合がある。そこで、制御部が、コモンモード検出手段による検出レベルをＤＣオフセットレベルに基づき補正すれば、コモンモード電圧の発生状態をより正確に検出することができる。
【００１３】
請求項６記載の送信ドライバ回路によれば、コモンモード検出手段は、コモンモード電圧の微分値を検出し、制御部は、その微分値の検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較する。このように構成すれば、コモンモード電圧の変化率の大きさを検出できるので、請求項５のようにＤＣオフセットレベルを検出して補正する必要が無くなる。
【００１４】
請求項７記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、ピークホールド手段によって検出されたコモンモード電圧のピーク値を上限基準値と比較すると共に、ボトムホールド手段によって検出されたコモンモード電圧のボトム値を下限基準値と比較する。したがって、コモンモード電圧が変化した場合の波形のピーク値，ボトム値を検出して、コモンモード電圧が発生している場合の波形振幅の大きさを正確に捉えることができる。
【００１５】
請求項８記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、ピーク値が上限基準値を上回ると共にボトム値が下限基準値を下回ると両者の平均値を求め、その平均値が、一対の信号線間の中間基準電位よりも高いか或いは低いかに応じて、コモンモード電圧を低減するための調整方向を決定する。すなわち、このケースでは、コモンモード電圧の波形が正側と負側とに大きなピークを有する山谷型となっているので、両者の平均値を中間基準電位と比較した結果に応じて調整方向を決定すれば、ノイズの発生原因としてより影響が大きい方の波形振幅を低減するように調整できる。
【００１６】
請求項９記載の送信ドライバ回路によれば、第１計時手段は、信号出力部が差動信号の電圧レベルを変化させる際に、伝送線路の一方の電位が低下を開始した時点から計時を開始し、第２計時手段は、伝送線路の他方の電位が上昇を開始した時点から計時を開始し、それぞれの伝送線路の電位が互いに等しくなった時点で計時を停止させて第１時間及び第２時間をそれぞれ計時する。制御部は、第１時間と第２時間との差である第１時間差を求めると、第１時間差が正であれば第１時間差と第１基準値とを比較し、第１時間差が負であれば第２時間と第１時間との差である第２時間差を求めて第２基準値とを比較する。その結果、第１時間差が第１基準値を上回るか又は第２時間差が第２基準値を上回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧又は電流を低減するように、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。
【００１７】
すなわち、第１時間と第２時間とが等しい場合は、伝送線路の一方の電位が低下する速度と、伝送線路の他方の電位が上昇する速度とが等しくなっているのでコモンモード電圧は発生せず、第１時間と第２時間とが異なればコモンモード電圧が発生する。そして、第１時間差（＞０）が第１基準値を上回った場合の波形は山型であり、第２時間差（＞０）が第２基準値を上回っていれば波形は谷型であるから、それぞれの波形に応じて信号出力部による電圧の出力状態をフィードバック制御すれば、コモンモード電圧を低減するように調整できる。
【００１８】
請求項１０記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、第１時間差が第１基準値を上回ると、信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整する。また、第２時間差が第２基準値を上回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整する。このように調整すれば、請求項２と同様にして、コモンモード電圧の波形に応じて当該電圧を低減するよう調整できる。
【００１９】
請求項１１記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、第１時間差と第１基準値との差又は第２時間差と第２基準値との差とに応じて、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。したがって、請求項３と同様に、コモンモード電圧を低減するための調整を、より短時間に完了することができる。
【００２０】
請求項１２記載の送信ドライバ回路によれば、制御部は、第１時間差が第１基準値以内であり、又は第２時間差が第２基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させる。したがって、請求項４と同様に、制御部が調整を行う必要はない場合に動作を停止させて消費電力を低減することができる。
【００２１】
請求項１３記載の送信ドライバ回路によれば、信号出力部は、高電位点又は低電位点と信号線との間に接続される駆動用半導体スイッチング素子をスイッチングさせて差動信号の電圧レベルを変化させ、また、高電位点又は低電位点と駆動用半導体スイッチング素子の制御端子との間に接続される制御用半導体スイッチング素子をスイッチングさせて、前記制御端子に出力する制御電圧を変化させる。そして、高電位点又は低電位点と、制御用半導体スイッチング素子との間に接続される抵抗素子の抵抗値を調整するので、これにより、駆動用半導体スイッチング素子の制御端子に通電する経路の抵抗値を変化させて、信号線の電圧レベルを変化させるタイミングを変更することができる。
【００２２】
請求項１４記載の送信ドライバ回路によれば、信号出力部は、高電位点又は低電位点と信号線との間に接続される半導体スイッチング素子をスイッチングさせて差動信号の電圧レベルを変化させ、高電位点又は低電位点と、半導体スイッチング素子との間に接続される抵抗素子の抵抗値を調整可能に構成されている。これにより、半導体スイッチング素子が信号線のレベルをハイ，ロー間で変化させる場合に、信号線と高電位点又は低電位点との間で通電する経路の抵抗値を変化させて、信号線の電圧レベルを変化させるタイミングを変更することができる。
【００２３】
請求項１５記載の送信ドライバ回路によれば、信号出力部は、高電位点又は低電位点と信号線との間に接続される半導体スイッチング素子をスイッチングさせて差動信号の電圧レベルを変化させ、制御信号の入力端子と、半導体スイッチング素子の制御端子との間に接続される複数個の遅延素子を備え、複数個の遅延素子の直列接続数を変更可能に構成されている。このように構成すれば、制御信号が半導体スイッチング素子の制御端子に入力される経路の遅延時間を変化させて、信号線の電圧レベルを変化させるタイミングを変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施例であり、送信ドライバ回路の構成を概略的に示す図
【図２】（ａ）は通信プロトコルがFlexRayである場合の伝送線路のドライブ状態を示す図、（ｂ）はコモンモード電圧の検出結果に応じたフィードバック制御を説明する図
【図３】信号処理回路による制御内容を概略的に示すフローチャート
【図４】送信ドライバ回路の構成をより具体的に示す図
【図５】コモンモード電圧をサンプル／ホールドするタイミングを示す図
【図６】（ａ）はコモンモード電圧が「山型」，「谷型」の場合の波形を示す図、（ｂ）はステップＳ３，Ｓ５の内容をより詳細に示す図
【図７】通信信号出力回路並びにゲート駆動部を構成する各ＭＯＳＦＥＴのオンオフ状態をモデル的に示す図
【図８】第２実施例を示す図４相当図
【図９】第３実施例を示す図４相当図
【図１０】第４実施例を示す図４相当図
【図１１】ピーク／ボトムホールド回路の具体構成を示す図
【図１２】図５相当図
【図１３】図６相当図
【図１４】第５実施例を示す図４相当図
【図１５】第６実施例を示す図６（ｂ）相当図
【図１６】第７実施例を示す図６（ｂ）相当図
【図１７】第８実施例を示す図４相当図
【図１８】図１２相当図
【図１９】第９実施例を示す図４相当図
【図２０】電圧変化時間検出回路の詳細構成を示す図
【図２１】タイミングチャート
【図２２】図６（ｂ）相当図
【図２３】第１０実施例を示す図１９相当図
【図２４】図２１相当図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
（第１実施例）
以下、第１実施例について図１ないし図７を参照して説明する。先ず、本発明の概略を、図１ないし図３を参照して説明する。図１は、送信ドライバ回路の構成を概略的に示している。送信ドライバ回路１は、通信信号出力回路２，レベルホールド回路（コモンモード検出手段）３，信号処理回路（制御部）４で構成されている。通信信号出力回路２は、外部より与えられる制御信号に応じて、一対の信号線ＢＰ，ＢＭからなる伝送線路５をハイレベル，又はローレベルにドライブすることで、差動信号を出力する。また、通信信号出力回路２は上記のように伝送線路５をドライブする際に、信号線ＢＰ，ＢＭに対する電圧の出力状態を調整可能に構成されている。ここでの「電圧の出力状態」とは、ドライブを開始するタイミングや、電圧の立ち上り，立下りの傾きや、ハイレベル，ローレベルのピーク値等を言う。
【００２６】
レベルホールド回路３は、信号線ＢＰ，ＢＭ間に接続されており、伝送線路５に発生するコモンモード電圧のレベルをホールドして信号処理回路４に出力する。信号処理回路４は、マイクロコンピュータで構成されており、レベルホールド回路３より与えられるコモンモード電圧のレベルに応じて、次回に差動信号を送信する際に通信信号出力回路２を制御する。すなわち、上述のように通信信号出力回路２が伝送線路５をドライブする際に、信号線ＢＰ，ＢＭに対する電圧の出力状態を調整してコモンモード電圧が低減するようにフィードバック制御する。
【００２７】
ここで、図２（ａ）は、通信プロトコルがFlexRayである場合の伝送線路５のドライブ状態を示している。FlexRayでは、同図に示すように信号の状態がＤａｔａ１（ハイレベル），Ｄａｔａ０（ローレベル）間で変化する場合に、信号線ＢＰ，ＢＭの電位が反転するようにドライブが行われる。すると、双方の電位が等しくなる電圧波形のクロスポイント付近のタイミングでコモンモード電圧Ｖcomが発生することが多い。例えば、電源Ｖｃｃ（高電位点）が５Ｖで信号線ＢＰ，ＢＭの中間基準電位が２．５Ｖである場合、コモンモード電圧Ｖcomは数１０ｍＶ程度の振幅で、３０ｎ〜４０ｎ秒程度の時間発生する。そこで本実施例では、図２（ｂ）に示すように、コモンモード電圧Ｖcomの検出結果に応じて、信号処理回路４が次回に差動信号を送信する際に通信信号出力回路２を制御することで、コモンモード電圧Ｖcomを順次低減させるようにフィードバック制御する。
【００２８】
図３は、信号処理回路４によるフィードバック制御の内容を概略的に示すフローチャートである。先ず、レベルホールド回路３より与えられるコモンモード電圧をＡ／Ｄ変換して読み込み、コモンモード電圧が山型／谷型の何れの波形であるかを判断する（ステップＳ１）。山型とは、コモンモード電圧が伝送線路５の中間電位を上回る振幅方向に発生する場合であり、谷型とは、コモンモード電圧が伝送線路５の中間電位を下回る振幅方向に発生する場合である。
山型である場合はステップＳ２に移行して、コモンモード電圧が上限基準値以内か否かを判断する。上限基準値以内であれば（ＹＥＳ）、ノイズとしての影響は無視できる程度であるから処理を終了する（「開始」に戻る）。一方、コモンモード電圧が上限基準値を超えていれば（ＮＯ）、次回の信号送信時にコモンモード電圧を低下させる方向に通信信号出力回路２を調整する（ステップＳ３）。
【００２９】
また、ステップＳ１においてコモンモード電圧が谷型である場合はステップＳ４に移行して、コモンモード電圧が下限基準値以内か否かを判断する。下限基準値以内であれば（ＹＥＳ）処理を終了し、下限基準値を下回っていれば（ＮＯ）、次回の信号送信時にコモンモード電圧を上昇させる方向に通信信号出力回路２を調整する（ステップＳ５）。以上のようにしてフィードバック制御を繰り返すことで、図２（ｂ）に示すように（山型の場合）コモンモード電圧を低減することが可能となる。
【００３０】
図４は、図１に示す送信ドライバ回路１の構成をより具体的に示したものである。図４（ａ）において、通信信号出力回路２は、４つのＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ，１１ＰＮ，１１ＭＰ，１１ＭＮ（駆動用半導体スイッチング素子）からなる駆動素子部１２と、駆動素子部１２の各ＭＯＳＦＥＴ１１にゲート信号を出力するゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮ，１３ＭＰ，１３ＭＮとで構成されている。ゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮには、外部からの制御信号がＮＯＴゲート５０Ｐ，５０Ｎを介して与えられており、ゲート駆動部１３ＭＰ，１３ＭＮには、前記制御信号がそのまま与えられている。また、ゲート駆動部１３ＰＰ〜１３ＭＮには、信号処理回路４からのスイッチ切替え信号が個別に与えられている。上記制御信号は、信号処理回路４にも入力されている。
【００３１】
電源Ｖｃｃとグランド（低電位点）との間には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮの直列回路と、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＰ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＮの直列回路とが接続されている。ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮの共通接続点（ドレイン）は信号線ＢＰに接続されており、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＰ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＮの共通接続点（ドレイン）は信号線ＢＭに接続されている。
【００３２】
信号線ＢＰ，ＢＭの間には、サンプルホールド回路３Ｓを構成する抵抗素子１４ａ及び１４ｂの直列回路が接続されており、それらの共通接続点は、オペアンプ１５の非反転入力端子に接続されている。オペアンプ１５の反転入力端子は、抵抗素子１６及び１７，コンデンサ１８の直列回路を介してグランドに接続されており、また、互いに接続方向が異なる２つのダイオード１９及び２０を介してオペアンプ１５の出力端子に接続されている。これらのダイオード１９及び２０は、オペアンプ１５の出力レベルを制限するために配置されている。そして、オペアンプ１５の出力端子は、スイッチ２１を介して抵抗素子１６及び１７の共通接続点に接続されており、その共通接続点は信号処理回路４の入力端子に接続されている。スイッチ２１のオンオフ制御は、信号処理回路４によって行われる。
【００３３】
また、図４（ｂ）は、ゲート駆動部１３の内部回路を示している。尚、ゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮ，１３ＭＰ，１３ＭＮの構成は何れも共通であるため、モデル的に１つだけを示す。電源Ｖｃｃとグランドとの間には、駆動素子部１２の何れかのＭＯＳＦＥＴ１１のゲート（制御端子）には、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｐ及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｎ（制御用半導体スイッチング素子）のドレインが接続されている。そして、電源ＶＧ（＝Ｖｃｃでも良い）とＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｐのソースとの間には、スイッチ及び抵抗素子の直列回路を複数並列に接続して構成される抵抗アレイ部ＲＡｐが接続されており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｎのソースとグランドとの間には、同様にスイッチ及び抵抗素子の直列回路を複数並列に接続して構成される抵抗アレイ部ＲＡｎが接続されている。そして、信号処理回路４は、抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎに個別の切替え信号を与えて、それらのスイッチのオンオフを切り替える。
【００３４】
次に、本実施例の作用について図５及び図６も参照して説明する。図５は、通信信号出力回路２に与えられる制御信号のレベルがロー，ハイ，ローに変化することで、伝送線路５の差動信号がＤａｔａ１，Ｄａｔａ０，Ｄａｔａ１に変化する場合に、サンプルホールド回路３がコモンモード電圧をサンプル／ホールドするタイミングを示している。制御信号のレベルがローの場合、ゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮにはハイレベルの信号が与えられ、ゲート駆動部１３ＭＰ，１３ＭＮにはローレベルの信号が与えられる。これにより、ゲート駆動部１３ＰＰ，１３ＰＮではＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｎがオンとなっており、ゲート駆動部１３ＭＰ，１３ＭＮではＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２Ｐがオンとなっている。その結果、駆動素子部１２でＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰがオン、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＮがオンするので、信号線ＢＰのレベルがハイ，信号線ＢＭのレベルはローとなっている（（ａ），（ｂ）参照）。
【００３５】
そして、制御信号のレベルがローからハイに変化すると、上記の各信号の状態が反転するので、信号線ＢＰのレベルがロー，信号線ＢＭのレベルはハイに変化する（（ａ），（ｂ）参照）。コモンモード電圧は、制御信号の立ち上り，立下りのタイミングから若干の遅延の後、信号線ＢＰ，ＢＭの電圧が変化して双方のレベルが同一となるクロスポイントの付近で発生する（（ｃ）参照）。
【００３６】
コモンモード電圧が発生する場合とは、上記のクロスポイントが中間基準電位（例えば２．５Ｖ）から変動した場合であり、サンプルホールド回路３Ｓのオペアンプ１５の出力端子には、上記中間基準電位から変動した電圧が山型，谷型に出力される。そこで、信号処理回路４は、制御信号の立ち上りタイミングを起点として、立下りタイミングに係る前後にサンプルホールド回路３のスイッチ２１を一定期間オンさせるようにモノパルス信号を出力し、コモンモード電圧のレベルをサンプリングさせる（（ｄ）参照）。
【００３７】
図６（ｂ）は、図３で示したフローチャートのステップＳ３，Ｓ５の内容を、図４に示す構成に合わせてより詳細にしたものである。尚、図６（ａ）は、コモンモード電圧Ｖcomが「山型」の場合，「谷型」の場合の波形を示す。コモンモード電圧が上限基準値を超えた場合のステップＳ３では、ゲート駆動部１３ＰＰ（ＢＰ＿Ｐch），１３ＰＮ（ＢＰ＿Ｎch），１３ＭＰ（ＢＭ＿Ｐch），１３ＭＮ（ＢＭ＿Ｎch）がそれぞれ内蔵する抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎのスイッチを（１）〜（８）に示すように切り替えることで駆動素子部１２の各ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート抵抗値を変化させ、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧の振幅を低減させる。
【００３８】
尚、各ゲート駆動部１３における抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎの初期状態では、例えばスイッチの半分程度をオンさせており、この状態からスイッチをオンさせる数を増やせば抵抗値が低下し、スイッチをオンさせる数を減らせば抵抗値が上昇することになる。具体的には、各ゲート駆動部１３における抵抗アレイ部ＲＡｐの抵抗値を大きくするようにスイッチをオンさせる数を減らし、抵抗アレイ部ＲＡｎの抵抗値を小さくするようにスイッチをオンさせる数を増やす。また、これら（１）〜（８）は必ずしも全て同時に実行する必要はなく、少なくとも１つ以上を実行すれば良い。一方、コモンモード電圧が下限基準値を超えた場合のステップＳ５では、（１）〜（８）における抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎの抵抗値の大小変化を逆にする。
【００３９】
ここで、図７は、ステップＳ３，Ｓ５における抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎの抵抗値の切替えを説明するため、通信信号出力回路２並びにゲート駆動部１３を構成する各ＭＯＳＦＥＴのオンオフ状態をモデル的に示したもので、信号線ＢＰがハイレベル，信号線ＢＭがローレベルとなる場合である。信号線ＢＰ側のゲート駆動部１３ではＮチャネルＭＯＳＦＥＴがオンしており、信号線ＢＭ側のゲート駆動部１３ではＰチャネルＭＯＳＦＥＴがオンしている。
【００４０】
この時、図５に示すように、信号線ＢＰのレベルがローからハイ，信号線ＢＰのレベルがハイからローに変化するタイミングでコモンモード電圧が上限基準値を超えた際に想定されるのは、信号線ＢＰ側の電位変化のタイミングが相対的に速いか、信号線ＢＭ側の電位変化のタイミングが相対的に遅い場合である。したがって、コモンモード電圧のレベルを低減するには、信号線ＢＰ，ＢＭの電位変化のタイミングが上記と逆方向となるように調整すれば良い。
【００４１】
そこで、ステップＳ３において上述のように各部の抵抗値を調整することで、信号線ＢＰ側については、例えばＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰのオンタイミングを遅延させる方向に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮのオフタイミングを速める方向に調整する。一方、信号線ＢＭ側については、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＰのオフタイミングを遅延させる方向に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＭＮのオンタイミングを速める方向に調整する。これにより、信号線ＢＰ側の電位変化を相対的に遅くし、信号線ＢＭ側の電位変化を相対的に速くするように変化させる。
【００４２】
また、コモンモード電圧が下限基準値を超えた際に想定されるのは、信号線ＢＰ側，ＢＭ側の電位変化タイミングの相対的な遅速関係が上限基準値を超えた場合と逆になるので、ステップＳ５においては、例えば信号線ＢＰ側の電位変化を相対的に速くし、信号線ＢＭ側の電位変化を相対的に遅くするように変化させる。尚、ここで述べた電位変化の遅速関係は、信号線ＢＰのレベルがハイからローに，信号線ＢＰのレベルがローからハイに変化するタイミングについては逆になるが、結果としてステップＳ３，Ｓ５における調整方向がそのまま適用される。
【００４３】
また、図６（ｂ）に示す処理を繰り返し実行する際に、次回は、今回の各抵抗値の設定を維持した状態を基準として、抵抗値を変化させる方向を決定する。例えば、今回の処理でコモンモード電圧が上限基準値を超えた結果、ステップＳ３中の何れか１つのスイッチ切替えを行い、次回の処理でもコモンモード電圧が上限基準値を超えている場合は、上記スイッチの切替えは維持したまま他の（１）〜（８）の何れかのスイッチ切替えを追加するか、若しくは今回切り替えたものと同じスイッチが属する抵抗アレイ部ＲＡについて、スイッチ切替え数をより多くすることで対応する。
【００４４】
以上のように本実施例によれば、レベルホールド回路３（サンプルホールド回路３Ｓ）は、通信信号出力部２が差動信号の電圧レベルを変化させる際に伝送線路５に発生するコモンモード電圧の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドする。そして、信号処理回路４は、前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、通信信号出力部２による電圧の出力状態を調整する。すなわち、信号処理回路４が、コモンモード電圧の発生状態に応じてフィードバック制御を行うことでコモンモード電圧を順次低減させて、差動信号を高速に伝送する場合でもコモンモード電圧を確実に低減することができ、ノイズの発生を抑制することが可能となる。
【００４５】
そして、信号処理回路４は、コモンモード電圧の検出レベルが上限基準値を上回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整することで、コモンモード電圧が山型の波形となっている場合に当該電圧を低減できる。
また、信号処理回路４は、コモンモード電圧の検出レベルが下限基準値を下回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整することで、コモンモード電圧が谷型の波形となっている場合に当該電圧を低減できる。
【００４６】
更に、通信信号出力部２は、電源Ｖｃｃとグランドとの間に接続されるＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ，１１ＰＮ，１１ＭＰ，１１ＭＮをスイッチングさせて差動信号の電圧レベルを変化させ、また、電源ＶＧ又はグランドとＭＯＳＦＥＴ１１のゲートとの間に接続されるＭＯＳＦＥＴ２２をスイッチングさせて、前記ゲートに出力する制御電圧を変化させる。この場合、電源ＶＧ又はグランドとＭＯＳＦＥＴ２２との間における通電経路の抵抗値を調整することになるので、これにより、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートに通電する経路の抵抗値を変化させて、信号線の電圧レベルを変化させるタイミングを変更することができる。
【００４７】
（第２実施例）
図８は第２実施例であり、第１実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第２実施例の送信ドライバ回路２３は、第１実施例ではゲート駆動部１３に配置していた抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎを、駆動素子部２４の内部に配置した構成となっている。尚、図８は信号線ＢＰ側のみを示しているが、信号線ＢＰ側についても同様に構成されている。すなわち、電源ＶｃｃとＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ，１１ＭＰのソースとの間，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮ，１１ＭＮのソースとグランドとの間に抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎが挿入されており、信号処理回路４は、それらのスイッチを切り替えて各ＭＯＳＦＥＴ１１のソース側の抵抗値を第１実施例と同様に切り替える。
【００４８】
以上のように構成される第２実施例によれば、送信ドライバ回路２３は、電源ＶｃｃとＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＰ，１１ＭＰのソースとの間，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１１ＰＮ，１１ＭＮのソースとグランドとの間に挿入した抵抗アレイ部ＲＡｐ，ＲＡｎの抵抗値を変化させて、信号線ＢＰ，ＢＭの電圧レベルを変化させるタイミングを変更するので、第１実施例と同様に制御することで、コモンモード電圧の発生レベルを低減するように調整できる。
【００４９】
（第３実施例）
図９は第３実施例であり、第１実施例と異なる部分のみ説明する。図９に示すサンプルホールド回路３Ｓでは、抵抗素子１４ａ及び１４ｂ（オフセット検出手段）の共通接続点がコンデンサ２５（オフセット検出手段）を介してグランドに接続されていると共に、信号処理回路４ａの入力端子に接続されている。以上が送信ドライバ回路２６を構成している。信号処理回路４ａは、上記入力端子の電圧をＡ／Ｄ変換して読み込むことで、コモンモード電圧のＤＣオフセット分を考慮することができる。すなわち、各回路素子の定数ずれ等により、信号線ＢＰ，ＢＭ間の中間基準電位が必ずしも２．５Ｖを示さない場合があるので、信号処理回路４ａがステップＳ１においてコモンモード電圧のサンプルホールド値を読み込んだ際に、ＤＣオフセット分を考慮して補正することでコモンモード電圧をより正確に把握できる。
以上のように第３実施例によれば、信号処理回路４ａは、サンプルホールド回路３Ｓによる検出レベルを、抵抗素子１４ａ及び１４ｂの共通接続点に与えられる差動信号電圧のＤＣオフセットレベルに基づき補正した値を上限基準値及び下限基準値と比較するので、コモンモード電圧の発生状態をより正確に検出することができる。
【００５０】
（第４実施例）
図１０ないし図１３は第４実施例を示すものであり、第３実施例と異なる部分を説明する。図１０に示す送信ドライバ回路２７は、サンプルホールド回路３Ｓに替えてピーク／ボトムホールド回路３ＰＢが配置されている。そして、ピーク／ボトムホールド回路３ＰＢより出力されるピークホールド値及びボトムホールド値は、信号処理回路４に替わる信号処理回路（制御部）２８に入力されている。
【００５１】
図１１は、ピーク／ボトムホールド回路３ＰＢの具体構成を示す。ピーク／ボトムホールド回路３ＰＢは、ピークホールド回路３Ｐ（ピークホールド手段）と、ボトムホールド回路３Ｂ（ボトムホールド手段）とで構成されている。ピークホールド回路３Ｐは、非反転入力端子が抵抗素子１４ａ及び１４ｂの共通接続点に接続されるオペアンプ２９Ｐと、オペアンプ２９Ｐの出力端子がダイオード３０Ｐを介して非反転入力端子に接続されるオペアンプ３１Ｐとを備えている。
【００５２】
オペアンプ３１Ｐの出力端子は、自身及びオペアンプ２９Ｐの反転入力端子に接続されていると共に、信号処理回路２８の入力端子に接続されている。また、オペアンプ２９Ｐの反転入力端子は、ダイオード３２Ｐを介して自身の出力端子に接続されている。オペアンプ３１Ｐの非反転入力端子とグランドとの間には、抵抗素子３３Ｐ及びコンデンサ３４Ｐの直列回路と、スイッチ３５Ｐとが接続されている。スイッチ３５Ｐは、ピークレベル保持用のコンデンサ３４Ｐを放電させてリセットするためにオンされ、そのオンオフ制御は信号処理回路２８によって行われる。
【００５３】
一方、ボトムホールド回路３Ｂは、ピークホールド回路３Ｐと略対象に構成されており、対応する構成には符号Ｐに替えて符号Ｂを付して示している。但し、ダイオード３０Ｂ，３２Ｂの接続方向は、ピークホールド回路３Ｐのダイオード３０Ｐ，３２Ｐとは逆になっている。
【００５４】
次に、第４実施例の作用について図１２及び図１３も参照して説明する。図１２は、第１実施例の図５相当図であり、信号処理回路２８がピークホールド回路３Ｐ，ボトムホールド回路３Ｂによってピークホールド，ボトムホールドを行わせるタイミング，すなわちスイッチ３５Ｐ，３５Ｂをオン→オフ（ホールド）→オン（リセット）に切り替えるタイミングを（ｄ）に示す。この場合、ホールド期間の始期は第１実施例のサンプルホールドタイミングに等しく設定されるが、ホールド期間の終期は、コモンモード電圧が発生している期間よりも確実に長くなるように、第１実施例のサンプルホールドタイミングよりも遅くなっている。第４実施例では、コモンモード電圧のピーク値とボトム値を検出することで、当該電圧振幅が山谷型，谷山型に変化する場合（図６（ａ）参照）についても対応する。
【００５５】
図１３は図６相当図であり、図１３（ａ）には、コモンモード電圧が山谷型，谷山型に変化する場合の波形を示している。すなわち、これらは何れも、電圧波形が中間基準電位に対して高低方向に変動するもので、山谷型とは、山側のピーク値が谷側のボトム値よりも大きい場合を称し、谷山型とは、逆に谷側のボトム値が山側のピーク値よりも大きい場合を称する。
【００５６】
図１３（ｂ）において、信号処理回路２８は、ピークホールド回路３Ｐからのピークホールド値を読取ると（ステップＳ１１）、ステップＳ２においてそのピークホールド値が上限基準値以内か否か判断する。また、信号処理回路２８は、ボトムホールド回路３Ｂからのボトムホールド値を読取ると（ステップＳ１２）、ステップＳ４においてそのボトムホールド値が下限基準値以内か否か判断する。尚、図１３（ｂ）では、ステップＳ１１及びステップＳ２の処理と、ステップＳ１２及びステップＳ４の処理とが並列に実行されるように示されているが、実際にはこれらはシリアルに実行される。
【００５７】
そして、ステップＳ２，Ｓ４の少なくとも一方で「ＮＯ」と判断すると、信号処理回路２８は、ピークホールド値とボトムホールド値との平均をとり、中間基準電位Ｖrefと比較する（ステップＳ１３）。（平均値＞Ｖref）であればコモンモード電圧は山谷型であるからステップＳ３を実行し、（平均値＜Ｖref）であればコモンモード電圧は谷山型であるからステップＳ５を実行する。それから、コンデンサ３４を放電させて（ステップＳ１５）ステップＳ１１，Ｓ１２に戻る。尚、図示はしないが、ステップＳ１４において（平均値＝Ｖref）の場合はそのままステップＳ１５に移行する。
【００５８】
以上のように第４実施例によれば、信号処理回路２８は、ピークホールド回路３Ｐによって検出されたコモンモード電圧のピーク値を上限基準値と比較すると共に、ボトムホールド回路３Ｂによって検出されたコモンモード電圧のボトム値を下限基準値と比較する。したがって、コモンモード電圧が変化した場合の波形のピーク値，ボトム値を検出して、コモンモード電圧が発生している場合の波形振幅の大きさを正確に捉えることができる。
【００５９】
そして、信号処理回路２８は、ピーク値が上限基準値を上回ると共にボトム値が下限基準値を下回ると両者の平均値を求め、その平均値が、一対の信号線間の中間基準電位よりも高いか或いは低いかに応じてコモンモード電圧を低減するための調整方向を決定するので、ノイズの発生原因としてより影響が大きい側の波形振幅を低減するように調整できる。
【００６０】
（第５実施例）
図１４は第５実施例である。第５実施例はゲート駆動部１３に替わるゲート駆動部３６の構成を示す。ゲート駆動部３６は、直列に接続される２ｎ個（ｎは２以上の自然数）のＮＯＴゲート（遅延素子）３７と、これらのうち初段のＮＯＴゲート３７の入力端子と、そこから２個先き毎のＮＯＴゲート３７の入力端子と、最後段のＮＯＴゲート３７の出力端子とにそれぞれ一端が接続される（ｎ＋１）個のスイッチ３８とで構成されている。ｎ個のスイッチ３８の他端は共通に接続されており、外部からの制御信号が与えられる。そして、スイッチ３８のオンオフ制御は信号処理回路４，４Ａ，２８等により制御される。
【００６１】
以上のように構成される第５実施例によれば、ゲート駆動部３６は、制御信号の入力端子と、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートとの間に接続される２ｎ個のＮＯＴゲートを備え、それらの直列接続数を２個単位で変更可能に構成されるので、例えば信号処理回路４が（ｎ＋１）個のスイッチ３８のうち何れか１つをオンすることで、駆動素子部１２にゲート信号を出力するタイミングに異なる遅延時間を付与することができる。また、遅延素子としては、その他ディレイライン等を用いても良く、この場合は素子の直列接続数を少なくとも１個ずつ変化させるように切り替えれば良い。
【００６２】
（第６実施例）
図１５は第６実施例を示す図６（ｂ）相当図であり、ステップＳ３，Ｓ５に替えてステップＳ２１，Ｓ２２が配置されている。第６実施例では、ステップＳ２で「ＮＯ」と判断すると、ステップＳ２１においてサンプルホールド値と上限基準値との差を求める。そして、その差の値から、コモンモード電圧が上限基準値以内となる第１実施例におけるゲート抵抗値や、第２実施例における駆動素子部２４の出力抵抗値，若しくは第５実施例における遅延時間を求め、スイッチの切り替えを行う。また、ステップＳ４で「ＮＯ」と判断した場合も、ステップＳ２２においてサンプルホールド値と下限基準値との差を求め、その差の値から、コモンモード電圧が下限基準値以内となるゲート抵抗値等を求め、スイッチの切り替えを行う。尚、上記の抵抗値や遅延時間については、予めシミュレーションや実測などにより求めておくようにする。
【００６３】
以上のように第６実施例によれば、信号処理回路２８は、検出レベルと上限基準値との差又は検出レベルと下限基準値との差に応じて、信号出力部による電圧の出力状態を調整する。通信信号出力部２による電圧の出力状態の調整量は、コモンモード電圧の検出レベルと基準値との差に応じて決まるので、したがって、コモンモード電圧を低減するための調整を、より短時間に完了することができる。尚、第６実施例を第４実施例に適用する場合には、放電用のスイッチ３５は不要である。
【００６４】
（第７実施例）
図１６は第７実施例を示す図６（ｂ）相当図である。第７実施例では、ステップＳ２，Ｓ４で「ＹＥＳ」と判断すると、処理を終了する前に信号処理回路４（又は４ａ，２８）の動作を自身で停止させる（ステップＳ３１，Ｓ３２）。すなわち、この場合はデフォルトの設定，若しくはフィードバック制御を何回か実行した段階でコモンモード電圧の発生レベルが基準値以内となっているので、以降に信号処理回路４等が調整を行う必要が無い。したがって、信号処理回路４等の動作を停止させて消費電力を低減する。
以上のように第７実施例によれば、信号処理回路４は、検出レベルが上限基準値以内であり、且つ下限基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させるので、信号処理回路４が調整を行う必要はない場合に、不要な電力消費を低減することができる。
【００６５】
（第８実施例）
図１７及び図１８は第８実施例を示すものであり、第４実施例と異なる部分を説明する。第８実施例の送信ドライバ回路３７は、第４実施例の送信ドライバ回路２７におけるピーク／ボトムホールド回路３ＰＢの内部に、微分回路３８を追加した構成となっている。微分回路３８は、周知のようにオペアンプ３８ａと、コンデンサ３８ｂと、抵抗素子３８ｃとで構成されており、微分回路３８の入力端子は抵抗素子１４ａ及び１４ｂの共通接続点に接続されており、出力端子はピークホールド回路３Ｐ，ボトムホールド回路３Ｂの入力端子に接続されている。
【００６６】
次に、第８実施例の作用について図１８を参照して説明する。図１８は図１２相当図であり、図１８（ｄ）には、微分回路３８より出力されるコモンモード電圧の微分波形を示している。図１８（ｃ）に示す山型の電圧波形の場合、その微分波形は山谷型となるので、山のピークレベルと谷のボトムレベルとが検出される。したがって、第８実施例の処理は、第４実施例の図１３（ｂ）に示すフローチャートと同様になる。
以上のように第８実施例によれば、ピーク／ボトムホールド回路３ＰＢの内部に微分回路３８を配置してコモンモード電圧の微分値を検出し、信号処理回路２８は、その微分値の検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較するので、コモンモード電圧の変化率の大きさを検出でき、第３実施例のようにＤＣオフセットを検出して補正する必要が無くなる。
【００６７】
（第９実施例）
図１９ないし図２２は第９実施例を示すものである。第９実施例の送信ドライバ回路４１は、レベルホールド回路３に替えて電圧変化時間検出回路４２を備えており、図２０は、その電圧変化時間検出回路４２の詳細構成を示している。電圧変化時間検出回路４２は、ハイ側時間検出回路４２Ｈ（第１計時手段）と、ロー側時間検出回路４２Ｌ（第２計時手段）とで構成されている。電源とグランドとの間には、電流源４３（Ｐ，Ｍ）と、スイッチ４４（Ｐ，Ｍ）と、コンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）との直列回路が接続されている。コンパレータ４６Ｐは、信号線ＢＰの電位と、比較用の電圧であるＢＰ側基準値とを比較し、前者が後者を下回った場合にハイレベルのStart信号をスイッチ４４Ｐに出力する。ＢＰ側基準値は、信号線ＢＰのハイレベル電位よりも若干低いレベルに設定されている（図２１（ｂ）参照）。
【００６８】
また、コンパレータ４６Ｍは、信号線ＢＭの電位と、比較用の電圧であるＢＭ側基準値とを比較し、前者が後者を上回った場合にハイレベルのStart信号をスイッチ４４Ｍに出力する。ＢＭ側基準値は、信号線ＢＭのローレベル電位よりも若干高いレベルに設定されている（図２１（ｂ）参照）。そして、コンパレータ４６Ｃは、信号線ＢＰの電位と信号線ＢＭの電位とが同じレベルになると、ハイレベルのStop信号をスイッチ４４Ｐ，４４Ｍに出力する。スイッチ４４Ｐ，４４Ｍは、Start信号がハイレベルになるとオンし、その状態からStop信号がハイレベルになるとオフするように構成されている。また、コンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）には、スイッチ４７（Ｐ，Ｍ）及び抵抗素子４８（Ｐ，Ｍ）の直列回路が並列に接続されており、スイッチ４７（Ｐ，Ｍ）のオンオフ制御は信号処理回路（制御部）４９によって行われる。
【００６９】
次に、第９実施例の作用について図２１及び図２２を参照して説明する。第９実施例では、制御信号がローからハイに変化することで、信号線ＢＰのレベルがハイからローに変化し、且つ信号線ＢＭのレベルがローからハイに変化する期間に、スイッチ４７（Ｐ，Ｍ）のオンオフを制御してコンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）を充電する。尚、スイッチ４４（Ｐ，Ｍ）及び４７（Ｐ，Ｍ）は初期状態でオフしており、コンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）は放電されて、端子電圧は０Ｖであるとする。
【００７０】
すなわち、上記の期間において、信号線ＢＰのレベルがハイからローへの変化を開始してＢＰ側基準値を下回ると、コンパレータ４６ＰはStart信号をスイッチ４４Ｐに出力し、スイッチ４４Ｐはターンオンする。同時に信号線ＢＭのレベルがローからハイへの変化を開始してＢＭ側基準値を上回ると、コンパレータ４６ＭはStart信号をスイッチ４４Ｍに出力し、スイッチ４４Ｍはターンオンする。これにより、コンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）は電流源４３（Ｐ，Ｍ）によって充電される。
【００７１】
その状態から、信号線ＢＰの電位と信号線ＢＭの電位とがクロスポイントに達して同じレベルになると、コンパレータ４６Ｃは、Stop信号をスイッチ４４（Ｐ，Ｍ）に出力する。これにより、スイッチ４４（Ｐ，Ｍ）はターンオフしてコンデンサ４５（Ｐ，Ｍ）の充電は停止される。したがって、この時点でのコンデンサ４５Ｐの充電電位は、信号線ＢＰのレベルがハイからローへの変化を開始してからクロスポイントに達するまでの時間に比例し、コンデンサ４５Ｍの充電電位は、信号線ＢＭのレベルがローからハイへの変化を開始してからクロスポイントに達するまでの時間に比例している。
【００７２】
図２２は、信号処理回路４９の処理内容を示すフローチャートである。信号処理回路４９は、制御信号のレベルがローからハイに変化すると（ステップＳ４１：ＹＥＳ）、その時点から若干の時間が経過してコンパレータ４６ＣがStop信号を出力した以降のタイミングで、電圧変化時間検出回路４２よりコンデンサ４５Ｐ，４５Ｍの端子電圧（第１，第２時間）をＡ／Ｄ変換して読み込む（ステップＳ４２）。そして、コンデンサ４５Ｐ（ＢＰ側），４５Ｍ（ＢＭ側）の端子電圧の大小を比較し（ステップＳ４３）、（ＢＰ側＞ＢＭ側）であれば（ＹＥＳ）ステップＳ４４に移行し、（ＢＰ側＜ＢＭ側）であれば（ＮＯ）ステップＳ４５に移行する。
【００７３】
ステップＳ４４では、コンデンサ４５Ｐの端子電圧からコンデンサ４５Ｍの端子電圧を減じた差（第１時間差）が基準値以内か否かを判断し、ステップＳ４５では、逆にコンデンサ４５Ｍの端子電圧からコンデンサ４５Ｐの端子電圧を減じた差（第２時間差）が基準値以内か否かを判断する。そして、ステップＳ４４で「ＮＯ」と判断するとステップＳ５を実行し、ステップＳ４５で「ＮＯ」と判断するとステップＳ３を実行する。
【００７４】
ここで、ステップＳ４４で「ＮＯ」と判断するケースは、図２１（ｂ）に示すように、信号線ＢＰ側の電位が低下するタイミングが信号線ＢＭの電位が上昇するタイミングよりも速く、クロスポイントが低電位側にずれてコモンモード電圧が谷型に発生する場合に対応する。したがって、ステップＳ５を実行する。一方、ステップＳ４５で「ＮＯ」と判断するケースは、上記とは逆に、信号線ＢＰ側の電位が低下するタイミングよりも信号線ＢＭの電位が上昇するタイミングが速く、クロスポイントが高電位側にずれてコモンモード電圧が山型に発生する場合に対応する。したがって、ステップＳ３を実行する。ステップＳ３又はＳ５の実行後は、スイッチ４７Ｐ，４７Ｍをオンすることでコンデンサ４５Ｐ，４５Ｍを放電させる（ステップＳ４６）。それから、ステップＳ４１に戻る。
【００７５】
以上のように第９実施例によれば、ハイ側時間検出回路４２Ｈは、通信信号出力部２が差動信号の電圧レベルを変化させる際に、信号線ＢＰの電位が低下を開始した時点から計時を開始し、ロー側時間検出回路４２Ｌは、信号線ＢＭの電位が上昇を開始した時点から計時を開始し、信号線ＢＰ，ＢＭの電位が互いに等しくなった時点で計時を停止させて第１時間及び第２時間をそれぞれ計時する。信号処理回路４９は、第１時間と第２時間との差である第１時間差を求め、第１時間差が正であれば第１時間差と第１基準値とを比較し、第１時間差が負であれば第２時間差を求めて第２基準値とを比較する。その結果、第１時間差が第１基準値を上回るか又は第２時間差が第２基準値を上回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧を低減するように、通信信号出力部２による電圧の出力状態を調整するようにした。したがって、コモンモード電圧波形が山型の場合と、谷型の場合とに応じて、通信信号出力部２による電圧の出力状態をフィードバック制御することで、コモンモード電圧を低減するように調整できる。
【００７６】
また、信号処理回路４９は、第１時間差が第１基準値を上回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整し、第２時間差が第２基準値を上回ると、信号線の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は信号線の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整する。したがって、第１実施例と同様にして、コモンモード電圧の波形に応じて当該電圧を低減するよう調整できる。
【００７７】
尚、信号処理回路４９にStop信号を入力するようにして、ステップＳ４１では、信号処理回路４９は、制御信号のレベルがローからハイに変化した後、コンパレータ４６ＣがStop信号を出力したことを確認してステップＳ４２に移行しても良い。また、第９実施例は、制御信号のレベルがハイからローに変化して、信号線ＢＰ，ＢＭのレベル変化が上記と逆になる場合について実施しても良い。
【００７８】
（第１０実施例）
図２３及び図２４は第１０実施例を示すものであり、第９実施例と異なる部分について説明する。第１０実施例の送信ドライバ回路５１は、上記実施例のように信号線ＢＰ，ＢＭ間の電位が反転せず、例えばＣＡＮのように差動信号が、中間基準電位（差動電圧０Ｖ，レセッシブ）と、信号線ＢＰ側が高電位方向に，信号線ＢＭ側が低電位方向に変化する（ドミナント）との間で変化する場合に対応した構成となっている。通信信号出力回路５２は、電源Ｖｃｃとグランドとの間に接続される、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５３Ｐ，抵抗素子５４ａ及び５４ｂ，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５３Ｎ（駆動用半導体スイッチング素子）の直列回路で構成されている。
【００７９】
ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５３Ｐはゲート駆動部５５Ｐによって駆動され、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５３Ｎはゲート駆動部５５Ｎによって駆動される。ゲート駆動部５５Ｐ，５５Ｎの構成は、例えば第１実施例のゲート駆動部１３と同様であり、それらのスイッチ切替えは、信号処理回路（制御部）５６によって行われる。ゲート駆動部５５Ｐ側には、制御信号がＮＯＴゲート５７を介して与えられている。そして、信号線ＢＰ，ＢＭ間には第９実施例の電圧変化時間検出回路４２が接続されている。
【００８０】
第１０実施例において、電圧変化時間検出回路４２は第９実施例と全く同様に動作する。したがって、信号処理回路５６も図２２に示すフローチャートを実行すれば良い。但し、ステップＳ３，Ｓ５においては、ゲート駆動部ＢＰ＿Ｎｃｈ，ＢＭ＿Ｐｃｈに対応する構成が存在しないので、それらについての制御は行わない。尚、図２４（ｂ）に示しているように、制御信号の立下りタイミングでスイッチ４４Ｐ，４４Ｍをオンして、信号線ＢＰ側の電位がＢＰ側基準値を超えた場合にスイッチ４４Ｐをオフし、信号線ＢＭ側の電位がＢＭ側基準値を下回った場合にスイッチ４４Ｍをオフして、ステップＳ４２においてコンデンサ４５Ｐ，４５Ｍの充電電圧を読み込んでも良い。
以上のように第１０実施例によれば、差動信号の伝送形態が、ＣＡＮのようにレセッシブ，ドミナント間で変化する場合についても、第９実施例と同様の効果が得られる。
【００８１】
本発明は上記し、又は図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変型又は拡張が可能である。
コモンモード電圧に替えて、コモンモード電流を検出しても良い。
第９実施例において、第１，第２計時手段は、コンデンサ４５に替えてカウンタを用いることで、Ｓｔａｒｔ信号とＳｔｏｐ信号とが出力される時間を計測しても良い。
第９，第１０実施例について、第６実施例と同様に、ＢＰ側，ＢＭ側の端子電圧の差に応じて、ステップＳ３，Ｓ５における調整を一回で行うようにしても良い。
第８ないし第１０実施例に、第７実施例を組み合わせて実行しても良い。
半導体スイッチング素子はＭＯＳＦＥＴに限ることなく、バイポーラトランジスタを用
いても良い。
【符号の説明】
【００８２】
図面中、１は送信ドライバ回路、２は通信信号出力回路、３はレベルホールド回路（コモンモード検出手段）、３Ｓはサンプルホールド回路（コモンモード検出手段）、３Ｐはピークホールド回路（ピークホールド手段）、３Ｂはボトムホールド回路（ボトムホールド手段）、４は信号処理回路（制御部）、５は伝送線路、１１はＭＯＳＦＥＴ（駆動用半導体スイッチング素子）、１４は抵抗素子（オフセット検出手段）、２２はＭＯＳＦＥＴ（制御用半導体スイッチング素子）、２３は送信ドライバ回路、２５はコンデンサ（オフセット検出手段）、２６，２７は送信ドライバ回路、２８は信号処理回路（制御部）、３７はＮＯＴゲート（遅延素子）、３７は送信ドライバ回路、３８は微分回路、４１は送信ドライバ回路、４２Ｈはハイ側時間検出回路（第１計時手段）、４２Ｌはロー側時間検出回路（第２計時手段）、４９は信号処理回路（制御部）、５１は送信ドライバ回路、５２は通信信号出力回路、５３はＭＯＳＦＥＴ（駆動用半導体スイッチング素子）、５６は信号処理回路（制御部）を示す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の信号線により差動信号を伝送する伝送線路に接続され、前記伝送線路を介して信号を送信するための送信ドライバ回路において、
前記差動信号の電圧をローレベルとハイレベルとの間で変化させる際に、電圧レベルを変化させるタイミングを調整可能に構成される信号出力部と、
この信号出力部が前記差動信号の電圧レベルを変化させる際に前記伝送線路に発生するコモンモード電圧又は電流の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドするコモンモード検出手段と、
前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、前記検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧又は電流を低減するように、前記信号出力部による前記電圧の出力状態を調整する制御部とを備えたことを特徴とする送信ドライバ回路。
【請求項２】
前記制御部は、前記検出レベルが前記上限基準値を上回ると、前記信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は前記信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整し、
前記検出レベルが前記下限基準値を下回ると、前記信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は前記信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整することを特徴とする請求項１記載の送信ドライバ回路。
【請求項３】
前記制御部は、前記検出レベルと前記上限基準値との差又は前記検出レベルと前記下限基準値との差に応じて、前記信号出力部による前記電圧の出力状態を調整することを特徴とする請求項１又は２記載の送信ドライバ回路。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出レベルが前記上限基準値以内であり、且つ前記下限基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項５】
差動信号電圧のＤＣオフセットレベルを検出するオフセット検出手段を備え、
前記制御部は、前記コモンモード検出手段による検出レベルを、前記ＤＣオフセットレベルに基づき補正した値を、前記上限基準値及び前記下限基準値と比較することを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項６】
前記コモンモード検出手段は、前記コモンモード電圧又は電流の微分値を検出し、
前記制御部は、前記微分値の検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較することを特徴とする請求項１ないし４の記載の送信ドライバ回路。
【請求項７】
前記コモンモード検出手段は、前記コモンモード電圧又は電流について、ピーク値を検出してホールドするピークホールド手段と、ボトム値を検出してホールドするボトムホールド手段とを備え、
前記制御部は、前記ピークホールド手段によって検出されたピーク値を上限基準値と比較すると共に、前記ボトムホールド手段によって検出されたボトム値を下限基準値と比較することを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項８】
前記制御部は、前記ピーク値が前記上限基準値を上回ると共に前記ボトム値が前記下限基準値を下回ると、前記ピーク値と前記ボトム値との平均値を求め、
前記平均値が、前記一対の信号線間の中間基準電位よりも高いか或いは低いかに応じて、前記コモンモード電圧又は電流を低減するための調整方向を決定することを特徴とする請求項７記載の送信ドライバ回路。
【請求項９】
一対の信号線により差動信号を伝送する伝送線路に接続され、前記伝送線路を介して信号を送信するための送信ドライバ回路において、
前記差動信号の電圧をローレベルとハイレベルとの間で変化させる際に、電圧レベルを変化させるタイミングを調整可能に構成される信号出力部と、
この信号出力部が前記差動信号の電圧レベルを変化させる際に、前記伝送線路の一方の電位が低下を開始した時点から計時を開始する第１計時手段と、前記伝送線路の他方の電位が上昇を開始した時点から計時を開始する第２計時手段と、
前記第１及び第２計時手段が、それぞれの伝送線路の電位が互いに等しくなった時点で計時を停止させることで第１時間及び第２時間をそれぞれ計時すると、前記第１時間と前記第２時間との差である第１時間差を求め、前記第１時間差が正である場合は前記第１時間差と第１基準値とを比較し、
前記第１時間差が負である場合は前記第２時間と前記第１時間との差である第２時間差を求め、前記第２時間差と第２基準値とを比較し、
前記第１時間差が前記第１基準値を上回るか又は前記第２時間差が第２基準値を上回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧又は電流を低減するように、前記信号出力部による前記電圧の出力状態を調整する制御部とを備えたことを特徴とする送信ドライバ回路。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第１時間差が前記第１基準値を上回ると、前記信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は前記信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整し、前記第２時間差が前記第２基準値を上回ると、前記信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は前記信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整することを特徴とする請求項９記載の送信ドライバ回路。
【請求項１１】
前記制御部は、前記第１時間差と前記第１基準値との差又は前記第２時間差と前記第２基準値との差とに応じて、前記信号出力部による前記電圧の出力状態を調整することを特徴とする請求項９又は１０記載の送信ドライバ回路。
【請求項１２】
前記制御部は、前記第１時間差が前記第１基準値以内であり、又は前記第２時間差が前記第２基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させることを特徴とする請求項９ないし１１の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項１３】
前記信号出力部は、高電位点又は低電位点と前記信号線との間に接続される駆動用半導体スイッチング素子をスイッチングさせて前記差動信号の電圧レベルを変化させ、
高電位点又は低電位点と前記駆動用半導体スイッチング素子の制御端子との間に接続される制御用半導体スイッチング素子をスイッチングさせて、前記制御端子に出力する制御電圧を変化させ、
前記高電位点又は低電位点と、前記制御用半導体スイッチング素子との間に接続される抵抗素子の抵抗値を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項１ないし１２の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項１４】
前記信号出力部は、高電位点又は低電位点と前記信号線との間に接続される半導体スイッチング素子をスイッチングさせて前記差動信号の電圧レベルを変化させ、
前記高電位点又は低電位点と、前記半導体スイッチング素子との間に接続される抵抗素子の抵抗値を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項１ないし１２の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項１５】
前記信号出力部は、高電位点又は低電位点と前記信号線との間に接続される半導体スイッチング素子をスイッチングさせて前記差動信号の電圧レベルを変化させ、
制御信号の入力端子と、前記半導体スイッチング素子の制御端子との間に接続される複数個の遅延素子を備え、前記複数個の遅延素子の直列接続数を変更可能に構成されていることを特徴とする請求項１ないし１２の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項１】
一対の信号線により差動信号を伝送する伝送線路に接続され、前記伝送線路を介して信号を送信するための送信ドライバ回路において、
前記差動信号の電圧をローレベルとハイレベルとの間で変化させる際に、電圧レベルを変化させるタイミングを調整可能に構成される信号出力部と、
この信号出力部が前記差動信号の電圧レベルを変化させる際に前記伝送線路に発生するコモンモード電圧又は電流の変化を検出し、その検出レベルをレベルホールドするコモンモード検出手段と、
前記検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較し、前記検出レベルが上限基準値を上回るか又は下限基準値を下回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧又は電流を低減するように、前記信号出力部による前記電圧の出力状態を調整する制御部とを備えたことを特徴とする送信ドライバ回路。
【請求項２】
前記制御部は、前記検出レベルが前記上限基準値を上回ると、前記信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は前記信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整し、
前記検出レベルが前記下限基準値を下回ると、前記信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は前記信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整することを特徴とする請求項１記載の送信ドライバ回路。
【請求項３】
前記制御部は、前記検出レベルと前記上限基準値との差又は前記検出レベルと前記下限基準値との差に応じて、前記信号出力部による前記電圧の出力状態を調整することを特徴とする請求項１又は２記載の送信ドライバ回路。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出レベルが前記上限基準値以内であり、且つ前記下限基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項５】
差動信号電圧のＤＣオフセットレベルを検出するオフセット検出手段を備え、
前記制御部は、前記コモンモード検出手段による検出レベルを、前記ＤＣオフセットレベルに基づき補正した値を、前記上限基準値及び前記下限基準値と比較することを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項６】
前記コモンモード検出手段は、前記コモンモード電圧又は電流の微分値を検出し、
前記制御部は、前記微分値の検出レベルを上限基準値及び下限基準値と比較することを特徴とする請求項１ないし４の記載の送信ドライバ回路。
【請求項７】
前記コモンモード検出手段は、前記コモンモード電圧又は電流について、ピーク値を検出してホールドするピークホールド手段と、ボトム値を検出してホールドするボトムホールド手段とを備え、
前記制御部は、前記ピークホールド手段によって検出されたピーク値を上限基準値と比較すると共に、前記ボトムホールド手段によって検出されたボトム値を下限基準値と比較することを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項８】
前記制御部は、前記ピーク値が前記上限基準値を上回ると共に前記ボトム値が前記下限基準値を下回ると、前記ピーク値と前記ボトム値との平均値を求め、
前記平均値が、前記一対の信号線間の中間基準電位よりも高いか或いは低いかに応じて、前記コモンモード電圧又は電流を低減するための調整方向を決定することを特徴とする請求項７記載の送信ドライバ回路。
【請求項９】
一対の信号線により差動信号を伝送する伝送線路に接続され、前記伝送線路を介して信号を送信するための送信ドライバ回路において、
前記差動信号の電圧をローレベルとハイレベルとの間で変化させる際に、電圧レベルを変化させるタイミングを調整可能に構成される信号出力部と、
この信号出力部が前記差動信号の電圧レベルを変化させる際に、前記伝送線路の一方の電位が低下を開始した時点から計時を開始する第１計時手段と、前記伝送線路の他方の電位が上昇を開始した時点から計時を開始する第２計時手段と、
前記第１及び第２計時手段が、それぞれの伝送線路の電位が互いに等しくなった時点で計時を停止させることで第１時間及び第２時間をそれぞれ計時すると、前記第１時間と前記第２時間との差である第１時間差を求め、前記第１時間差が正である場合は前記第１時間差と第１基準値とを比較し、
前記第１時間差が負である場合は前記第２時間と前記第１時間との差である第２時間差を求め、前記第２時間差と第２基準値とを比較し、
前記第１時間差が前記第１基準値を上回るか又は前記第２時間差が第２基準値を上回ると、次回の信号送信時に発生するコモンモード電圧又は電流を低減するように、前記信号出力部による前記電圧の出力状態を調整する制御部とを備えたことを特徴とする送信ドライバ回路。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第１時間差が前記第１基準値を上回ると、前記信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより遅くするか、及び／又は前記信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより速くするように調整し、前記第２時間差が前記第２基準値を上回ると、前記信号線の一方の電圧レベルをハイからローに変化させるタイミングをより速くするか、及び／又は前記信号線の他方の電圧レベルをローからハイに変化させるタイミングをより遅くするように調整することを特徴とする請求項９記載の送信ドライバ回路。
【請求項１１】
前記制御部は、前記第１時間差と前記第１基準値との差又は前記第２時間差と前記第２基準値との差とに応じて、前記信号出力部による前記電圧の出力状態を調整することを特徴とする請求項９又は１０記載の送信ドライバ回路。
【請求項１２】
前記制御部は、前記第１時間差が前記第１基準値以内であり、又は前記第２時間差が前記第２基準値以内である場合は、以降に自身の動作を停止させることを特徴とする請求項９ないし１１の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項１３】
前記信号出力部は、高電位点又は低電位点と前記信号線との間に接続される駆動用半導体スイッチング素子をスイッチングさせて前記差動信号の電圧レベルを変化させ、
高電位点又は低電位点と前記駆動用半導体スイッチング素子の制御端子との間に接続される制御用半導体スイッチング素子をスイッチングさせて、前記制御端子に出力する制御電圧を変化させ、
前記高電位点又は低電位点と、前記制御用半導体スイッチング素子との間に接続される抵抗素子の抵抗値を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項１ないし１２の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項１４】
前記信号出力部は、高電位点又は低電位点と前記信号線との間に接続される半導体スイッチング素子をスイッチングさせて前記差動信号の電圧レベルを変化させ、
前記高電位点又は低電位点と、前記半導体スイッチング素子との間に接続される抵抗素子の抵抗値を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項１ないし１２の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【請求項１５】
前記信号出力部は、高電位点又は低電位点と前記信号線との間に接続される半導体スイッチング素子をスイッチングさせて前記差動信号の電圧レベルを変化させ、
制御信号の入力端子と、前記半導体スイッチング素子の制御端子との間に接続される複数個の遅延素子を備え、前記複数個の遅延素子の直列接続数を変更可能に構成されていることを特徴とする請求項１ないし１２の何れかに記載の送信ドライバ回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１２−１６９９０５（Ｐ２０１２−１６９９０５Ａ）
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２９７３２（Ｐ２０１１−２９７３２）
【出願日】平成２３年２月１５日（２０１１．２．１５）
【出願人】（０００００４６９５）株式会社日本自動車部品総合研究所 (1,981)
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１５日（２０１１．２．１５）
【出願人】（０００００４６９５）株式会社日本自動車部品総合研究所 (1,981)
【出願人】（０００００４２６０）株式会社デンソー (27,639)
【Ｆターム（参考）】
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