透明体の処理工程における管理システム
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルに使用されるガラス基板のような透明体を複数の処理工程にて処理する際に、各工程毎に透明体を管理するシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルは、ガラス基板にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がマトリクス状に設けられたＴＦＴ基板と、ガラス基板にカラーフィルター（ＣＦ）が設けられたＣＦ基板とを貼り合わせて、それらの間に液晶を封止することにより組み立てられている。ＴＦＴ基板およびＣＦ基板は、相互に貼り合わせるまでに、洗浄、配向膜形成、ラビング処理等の複数の処理工程にて処理する必要がある。
【０００３】ＴＦＴ基板およびＣＦ基板の各処理工程では、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板を１枚ずつしか処理できない枚葉処理工程と、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板を複数をまとめて処理することができるバッチ処理工程とが混在している。また、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板を１枚ずつ処理する工程において、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とによって、あるいはＴＦＴ基板の種類によっては処理内容が異なることがある。このために、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板の処理工程においては、各ＴＦＴ基板およびＣＦ基板をホストコンピュータによって、統括的に制御および管理することが行われている（ＣＩＭ）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＩＭでは、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に対する各処理工程における処理の内容については、ホストコンピュータによって管理されている。このために、各処理工程において、それぞれの基板がどのような処理が必要かは、ホストコンピュータにアクセスすることにより明らかになる。しかし、各処理工程において、各基板に所定の処理が確実に実施されたかどうかは不明である。このために、所定の処理が実施されていない不良品であっても、その後の工程にて各処理が実施されることになる。その結果、不良品であるにもかかわらず、各処理工程にて処理が実施されることになり、処理工程において多大な作業ロスが発生するという問題がある。
【０００５】
【０００６】本発明は、このような問題を解決するものであり、その目的は、ガラス基板等の透明体を複数の処理工程にて順次処理する際に、各処理工程にて透明体が確実に処理されていることを容易に認識することができる透明体の処理工程における管理システムを提供することにある。
【０００７】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の透明体の処理工程における管理システムは、透明体を複数の処理工程にて順次処理するに際し、処理を開始する前に、透明体に対して金属板を合わせた状態で透明体を介して金属板にレーザービームを照射し、金属板の金属成分を透明体に付着させることにより、各処理工程に関する情報を有するマーキングを形成する工程と、各処理を終えた後に、透明体に形成されたマーキングにレーザービームを照射して、その処理に関する情報を消去する工程と、を包含することを特徴とする。
【０００９】前記透明体は、液晶表示パネルに使用されるガラス基板である。
【００１０】前記マーキングは、情報を２次元的に表現された２次元コードである。
【００１１】
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明の透明体の処理工程における管理システムの実施の形態の一例として、液晶表示パネルに使用されるガラス基板の組立工程を示す模式図である。この液晶表示パネルに使用されるガラス基板の組立工程では、ガラス基板に多数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がマトリクス状に設けられたＴＦＴ基板と、ガラス基板にカラーフィルターが設けられたＣＦ（カラーフィルター）基板とが、順次、搬入される。そして、各ガラス基板１０（ＴＦＴ基板およびＣＦ基板の両方を含む）が、順次、各処理工程へと移送されて、各処理工程にて所定の処理が実施される。
【００１４】搬入された各ガラス基板１０は、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に、金属板２５を介して載置されて、レーザービーム照射装置２０によって、端部にマーキングが形成されるようになっている。
【００１５】図２は、レーザービーム照射装置２０の概略構成図である。このレーザービーム照射装置２０は、コントローラー２２によって制御されるＹＡＧレーザービーム発振器２１と、ＹＡＧレーザービーム発振器２１から発振されるレーザービームを集光状態で走査するヘッド部２３とを有している。
【００１６】ＹＡＧレーザービーム発振器２１は、例えば、出力５０Ｗのレーザービームを発振するようになっており、ＹＡＧレーザー発振器２１から発振されたレーザービームは、ヘッド部２３に照射されている。ヘッド部２３は、カルバノメーターを内蔵しており、ＹＡＧレーザー発振器２１から発振されたレーザービームを、ヘッド部２３の下方に配置された受け台２４上に集光して、２次元方向に走査するようになっている。
【００１７】ヘッド部２３の下方に配置された受け台２４上には、金属板２５を介して、所定の処理が実施される前のガラス基板１０が載置される。受け台２４上に設けられた金属板２５は、化学的に安定なクロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、真鍮等の銅合金、あるいは、上記各種金属をガラス基板１０上に薄膜形成した金属薄膜等によって構成されており、ヘッド部２３は、レーザービームを、金属板２５上に載置されたガラス基板１０を通して、金属板２５に集光した状態で、金属板２５の表面を２次元方向に走査させるようになっている。
【００１８】金属板２５は、レーザービームが照射されることにより高温になり、金属板２５の表面から金属成分が昇華する。昇華した金属成分は、ガラス基板１０の表面（下面）に付着する。ヘッド部２３は、金属板２５の表面に２次元方向にレーザービームを走査しており、金属板２５の表面の金属成分を、文字、パターン等の所定の形状に昇華させている。これにより、ガラス基板１０の表面（下面）には、所定形状のマーキングが形成される。
【００１９】ガラス基板１０の表面に形成されるマーキングは、例えば、情報を線的に表現したバーコードのような１次元的なものであってもよく、また、情報を面的に表現した２次元コードであってもよい。形成されたマーキングには、ガラス基板１０が、ＴＦＴ基板であるかＣＦ基板であるか、どのようなタイプであるか等のガラス基板１０に関する情報と、１台のローカルコンピューター５０が管理可能な処理工程の範囲内の各工程で実施されるそれの処理に関する情報とが含まれている。ローカルコンピューター５０は、一定の処理工程の範囲毎に設置されている。各ローカルコンピューター５０は、液晶表示パネルの製造工程を全て管理するホストコンピューター６０と接続されており、ホストコンピューター６０との間で、データの交換および処理を行う。
【００２０】このようにして、連続して搬送される各ガラス基板１０に、所定のマーキングが順次形成されると、各ガラス基板１０は、順次、第１洗浄工程３１へと搬送される。そして、各ガラス基板１０は、第１洗浄工程３１にて洗浄される。この工程の管理は、ローカルコンピューター５０によって行われる。
【００２１】第１洗浄工程３１にて洗浄された各ガラス基板１０は、図１に示すように、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。この場合、受け台２４上には金属板は載置されていない。ヘッド部２３は、各ガラス基板１０のマーキングに対向状態とされて、マーキングに書き込まれた第１洗浄工程３１に関する情報に、レーザービームが照射される。これにより、マーキングにおける第１洗浄工程３１に関する情報である金属成分は昇華して、ガラス基板１０表面から遊離した状態になり、第１洗浄工程３１に関する情報のみがガラス基板１０のマーキングから消去される。
【００２２】遊離した金属成分は、排気システムによってクリーンルームから排出されるようになっており、クリーンルームは、遊離した金属成分によって汚染されないようになっている。他の工程におけるレーザービームによりマーキングを消去する場合にも、排気システムによって、遊離した金属成分がクリーンルームから排出されるようになっている。
【００２３】次に、ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に位置されて、マーキングに書き込まれたガラス基板１０に関する情報を読み取り、ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認する。そして、ＴＦＴ基板かＣＦ基板であるかを確認されたガラス基板１０は、順次、配向膜形成工程３２へと搬送される。このとき、配向膜形成工程３２では、読み取り装置４１にて読み取られた情報に基づいて、搬送されるガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認し、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板によって、異なる配向膜のパターンを形成する。
【００２４】このようにして、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に基づいて、所定のパターンの配向膜が形成されたガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれた配向膜形成工程３２に関する情報のみが消去される。
【００２５】配向膜形成工程に関する情報が消去された各ガラス基板１０は、順次、カセット４２内に収納される。カセット４２内に収納される各ガラス基板１０は、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板が混在した状態になっている。そして、各ガラス基板１０を収納したカセット４２は、焼成工程３３の炉内へと搬送されて、２００℃程度の高温にて、一括して焼成される。
【００２６】焼成工程３３にて焼成された各ガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれた焼成工程３３に関する情報のみが消去される。
【００２７】次いで、各ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に位置されて、マーキングに書き込まれたガラス基板１０に関する情報を読み取り、ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認する。そして、ＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認されたガラス基板１０は、順次、ラビング工程３４へと搬送される。ラビング工程３４では、読み取り装置４１にて読み取られた情報に基づいて、搬送されるガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認し、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板によって配向膜を異なる角度でラビングする。
【００２８】ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に基づいて所定角度に配向膜がラビングされたガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０におけるヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれたラビング工程３４に関する情報のみが消去される。
【００２９】ラビング工程３４に関する情報が消去された各ガラス基板１０は、順次、カセット４２内に収納される。カセット４２内に収納される各ガラス基板１０は、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板が混在した状態になっている。そして、各ガラス基板１０を収納したカセット４２は、第２洗浄工程３５へと搬送されて、第２洗浄工程にて、各ガラス基板１０は、ラビング工程３４にて付着した塵埃を、一括して除去される。
【００３０】第２洗浄工程３５にて洗浄された各ガラス基板１０は、カセット４２から順次取り出されて、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送され、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれた第２洗浄工程３５に関する情報のみが消去される。
【００３１】次いで、各ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に配置されて、マーキングに書き込まれたガラス基板１０に関する情報を読み取り、ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認する。そして、ＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認されたガラス基板１０は、ＴＦＴ基板の場合には、コモン電極形成工程３６へ搬送されて、コモン転移塗布装置にてコモン電極が形成され、ＣＦ基板の場合には、シール剤印刷工程３７へと搬送されて、コモン転移塗布装置にてシール剤が印刷される。
【００３２】ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に基づいてコモン電極形成工程３６またはシール剤印刷工程３７にて処理されたガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれたコモン電極形成工程３６またはシール剤印刷工程３７に関する情報のみが消去される。
【００３３】次に、ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に位置されて、マーキングに書き込まれたガラス基板１０に関する情報を読み取り、ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板であるかの情報を読み取る。そして、ＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認されたガラス基板１０は、ＴＦＴ基板の場合には、スペーサー塗布工程３８へと搬送され、ＣＦ基板の場合にはシール仮焼き工程３９へと搬送される。スペーサー塗布工程３８へ搬送されたＴＦＴ基板は、数ミクロンのスペーサーが塗布され、シール仮焼き工程３９へ搬送されたＣＦ基板は、加熱装置等によってシール剤が仮焼きされる。
【００３４】ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に基づいてスペーサー塗布工程３８またはシール仮焼き工程３９にて処理されたガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれたスペーサー塗布工程３８またはシール仮焼き工程３９に関する情報のみが消去される。
【００３５】次いで、各ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に位置されて、マーキングに書き込まれた情報を読み取る。このとき、各ガラス基板１０が、全ての処理工程にて処理されていることを、各処理工程に関する情報が消去されていることによって確認するとともに、各ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かも確認される。そして、いずれかの処理工程に関する情報が消去されていない場合には、そのガラス基板１０を不良品として排除し、全ての処理工程にて処理が実施されているガラス基板１０が、順次、貼り合わせ工程４０へと搬送される。貼り合わせ工程４０では、読み取り装置４１にて読み取られた情報に基づいて、搬送されるガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを判定し、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが相互に貼り合わされる。以上の各工程を含む組立工程は、別のローカルコンピューターによって管理されるようになっている。
【００３６】その後、このようにして貼り合わされたＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に、液晶が封入されて封止され、液晶表示パネルとされる。
【００３７】なお、上記実施例では、液晶表示パネルの組立工程におけるガラス板の管理システムについて説明したが、本発明は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板の製造工程に限らず、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）液晶表示パネルの製造工程、プラズマ表示装置の製造工程、ガラス管ランプの製造工程、ＣＲＴの製造工程のようにガラス板等の透明体の処理工程において適用することができる。また、上記実施例では、マーキングにレーザービームを照射して、情報を消去する構成であったが、必要であれば、処理が完了したガラス板を金属板上に載置してレーザービームを照射することにより、新たな処理内容を情報として書き込むようにしてもよい。
【００３８】また、このようにレーザービームによって情報を書き込んで消去する技術によれば、例えば小さなガラス板によってＩＤタグを作ることにより、焼付工程、塗装工程、食品の熱処理工程等の高温や薬品が使用される条件のきびしい工程の管理システムにも適用できる。
【００３９】
【発明の効果】本発明の透明体の処理工程における管理システムは、このように、レーザービームの照射によって書き込まれた情報を、レーザービームの照射によって消去することができるために、各処理工程における処理の情報を確実に捉えることができ、不良品等の排除等が容易に行える。
【００４０】また、各処理工程における処理の内容等が、ローカルコンピューターによって管理することができるために、ＣＩＭにおけるホストコンピューターが巨大化することを防止できるとともに、ローカルコンピューターによって、各処理工程をより精細に管理することができる。さらに、ホストコンピューターと各ローカルコンピューターとの間にて通信確認することにより、総合的にＣＩＭが小型化されてローコストで構成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の透明体の処理工程における管理システムの実施の形態の一例として、液晶表示パネルの組立工程における管理システムの概略を示す模式図である。
【図２】その管理システムに使用されるレーザービーム照射装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１０ ガラス基板
２０ レーザービーム照射装置
２１ レーザービーム発振器
２３ ヘッド部
２４ 受け台
２５ 金属板
４１ 読み取り装置
５０ ローカルコンピューター
６０ ホストコンピューター
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルに使用されるガラス基板のような透明体を複数の処理工程にて処理する際に、各工程毎に透明体を管理するシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルは、ガラス基板にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がマトリクス状に設けられたＴＦＴ基板と、ガラス基板にカラーフィルター（ＣＦ）が設けられたＣＦ基板とを貼り合わせて、それらの間に液晶を封止することにより組み立てられている。ＴＦＴ基板およびＣＦ基板は、相互に貼り合わせるまでに、洗浄、配向膜形成、ラビング処理等の複数の処理工程にて処理する必要がある。
【０００３】ＴＦＴ基板およびＣＦ基板の各処理工程では、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板を１枚ずつしか処理できない枚葉処理工程と、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板を複数をまとめて処理することができるバッチ処理工程とが混在している。また、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板を１枚ずつ処理する工程において、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とによって、あるいはＴＦＴ基板の種類によっては処理内容が異なることがある。このために、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板の処理工程においては、各ＴＦＴ基板およびＣＦ基板をホストコンピュータによって、統括的に制御および管理することが行われている（ＣＩＭ）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＩＭでは、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に対する各処理工程における処理の内容については、ホストコンピュータによって管理されている。このために、各処理工程において、それぞれの基板がどのような処理が必要かは、ホストコンピュータにアクセスすることにより明らかになる。しかし、各処理工程において、各基板に所定の処理が確実に実施されたかどうかは不明である。このために、所定の処理が実施されていない不良品であっても、その後の工程にて各処理が実施されることになる。その結果、不良品であるにもかかわらず、各処理工程にて処理が実施されることになり、処理工程において多大な作業ロスが発生するという問題がある。
【０００５】
【０００６】本発明は、このような問題を解決するものであり、その目的は、ガラス基板等の透明体を複数の処理工程にて順次処理する際に、各処理工程にて透明体が確実に処理されていることを容易に認識することができる透明体の処理工程における管理システムを提供することにある。
【０００７】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の透明体の処理工程における管理システムは、透明体を複数の処理工程にて順次処理するに際し、処理を開始する前に、透明体に対して金属板を合わせた状態で透明体を介して金属板にレーザービームを照射し、金属板の金属成分を透明体に付着させることにより、各処理工程に関する情報を有するマーキングを形成する工程と、各処理を終えた後に、透明体に形成されたマーキングにレーザービームを照射して、その処理に関する情報を消去する工程と、を包含することを特徴とする。
【０００９】前記透明体は、液晶表示パネルに使用されるガラス基板である。
【００１０】前記マーキングは、情報を２次元的に表現された２次元コードである。
【００１１】
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】図１は、本発明の透明体の処理工程における管理システムの実施の形態の一例として、液晶表示パネルに使用されるガラス基板の組立工程を示す模式図である。この液晶表示パネルに使用されるガラス基板の組立工程では、ガラス基板に多数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）がマトリクス状に設けられたＴＦＴ基板と、ガラス基板にカラーフィルターが設けられたＣＦ（カラーフィルター）基板とが、順次、搬入される。そして、各ガラス基板１０（ＴＦＴ基板およびＣＦ基板の両方を含む）が、順次、各処理工程へと移送されて、各処理工程にて所定の処理が実施される。
【００１４】搬入された各ガラス基板１０は、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に、金属板２５を介して載置されて、レーザービーム照射装置２０によって、端部にマーキングが形成されるようになっている。
【００１５】図２は、レーザービーム照射装置２０の概略構成図である。このレーザービーム照射装置２０は、コントローラー２２によって制御されるＹＡＧレーザービーム発振器２１と、ＹＡＧレーザービーム発振器２１から発振されるレーザービームを集光状態で走査するヘッド部２３とを有している。
【００１６】ＹＡＧレーザービーム発振器２１は、例えば、出力５０Ｗのレーザービームを発振するようになっており、ＹＡＧレーザー発振器２１から発振されたレーザービームは、ヘッド部２３に照射されている。ヘッド部２３は、カルバノメーターを内蔵しており、ＹＡＧレーザー発振器２１から発振されたレーザービームを、ヘッド部２３の下方に配置された受け台２４上に集光して、２次元方向に走査するようになっている。
【００１７】ヘッド部２３の下方に配置された受け台２４上には、金属板２５を介して、所定の処理が実施される前のガラス基板１０が載置される。受け台２４上に設けられた金属板２５は、化学的に安定なクロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、真鍮等の銅合金、あるいは、上記各種金属をガラス基板１０上に薄膜形成した金属薄膜等によって構成されており、ヘッド部２３は、レーザービームを、金属板２５上に載置されたガラス基板１０を通して、金属板２５に集光した状態で、金属板２５の表面を２次元方向に走査させるようになっている。
【００１８】金属板２５は、レーザービームが照射されることにより高温になり、金属板２５の表面から金属成分が昇華する。昇華した金属成分は、ガラス基板１０の表面（下面）に付着する。ヘッド部２３は、金属板２５の表面に２次元方向にレーザービームを走査しており、金属板２５の表面の金属成分を、文字、パターン等の所定の形状に昇華させている。これにより、ガラス基板１０の表面（下面）には、所定形状のマーキングが形成される。
【００１９】ガラス基板１０の表面に形成されるマーキングは、例えば、情報を線的に表現したバーコードのような１次元的なものであってもよく、また、情報を面的に表現した２次元コードであってもよい。形成されたマーキングには、ガラス基板１０が、ＴＦＴ基板であるかＣＦ基板であるか、どのようなタイプであるか等のガラス基板１０に関する情報と、１台のローカルコンピューター５０が管理可能な処理工程の範囲内の各工程で実施されるそれの処理に関する情報とが含まれている。ローカルコンピューター５０は、一定の処理工程の範囲毎に設置されている。各ローカルコンピューター５０は、液晶表示パネルの製造工程を全て管理するホストコンピューター６０と接続されており、ホストコンピューター６０との間で、データの交換および処理を行う。
【００２０】このようにして、連続して搬送される各ガラス基板１０に、所定のマーキングが順次形成されると、各ガラス基板１０は、順次、第１洗浄工程３１へと搬送される。そして、各ガラス基板１０は、第１洗浄工程３１にて洗浄される。この工程の管理は、ローカルコンピューター５０によって行われる。
【００２１】第１洗浄工程３１にて洗浄された各ガラス基板１０は、図１に示すように、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。この場合、受け台２４上には金属板は載置されていない。ヘッド部２３は、各ガラス基板１０のマーキングに対向状態とされて、マーキングに書き込まれた第１洗浄工程３１に関する情報に、レーザービームが照射される。これにより、マーキングにおける第１洗浄工程３１に関する情報である金属成分は昇華して、ガラス基板１０表面から遊離した状態になり、第１洗浄工程３１に関する情報のみがガラス基板１０のマーキングから消去される。
【００２２】遊離した金属成分は、排気システムによってクリーンルームから排出されるようになっており、クリーンルームは、遊離した金属成分によって汚染されないようになっている。他の工程におけるレーザービームによりマーキングを消去する場合にも、排気システムによって、遊離した金属成分がクリーンルームから排出されるようになっている。
【００２３】次に、ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に位置されて、マーキングに書き込まれたガラス基板１０に関する情報を読み取り、ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認する。そして、ＴＦＴ基板かＣＦ基板であるかを確認されたガラス基板１０は、順次、配向膜形成工程３２へと搬送される。このとき、配向膜形成工程３２では、読み取り装置４１にて読み取られた情報に基づいて、搬送されるガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認し、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板によって、異なる配向膜のパターンを形成する。
【００２４】このようにして、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に基づいて、所定のパターンの配向膜が形成されたガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれた配向膜形成工程３２に関する情報のみが消去される。
【００２５】配向膜形成工程に関する情報が消去された各ガラス基板１０は、順次、カセット４２内に収納される。カセット４２内に収納される各ガラス基板１０は、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板が混在した状態になっている。そして、各ガラス基板１０を収納したカセット４２は、焼成工程３３の炉内へと搬送されて、２００℃程度の高温にて、一括して焼成される。
【００２６】焼成工程３３にて焼成された各ガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれた焼成工程３３に関する情報のみが消去される。
【００２７】次いで、各ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に位置されて、マーキングに書き込まれたガラス基板１０に関する情報を読み取り、ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認する。そして、ＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認されたガラス基板１０は、順次、ラビング工程３４へと搬送される。ラビング工程３４では、読み取り装置４１にて読み取られた情報に基づいて、搬送されるガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認し、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板によって配向膜を異なる角度でラビングする。
【００２８】ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に基づいて所定角度に配向膜がラビングされたガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０におけるヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれたラビング工程３４に関する情報のみが消去される。
【００２９】ラビング工程３４に関する情報が消去された各ガラス基板１０は、順次、カセット４２内に収納される。カセット４２内に収納される各ガラス基板１０は、ＴＦＴ基板およびＣＦ基板が混在した状態になっている。そして、各ガラス基板１０を収納したカセット４２は、第２洗浄工程３５へと搬送されて、第２洗浄工程にて、各ガラス基板１０は、ラビング工程３４にて付着した塵埃を、一括して除去される。
【００３０】第２洗浄工程３５にて洗浄された各ガラス基板１０は、カセット４２から順次取り出されて、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送され、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれた第２洗浄工程３５に関する情報のみが消去される。
【００３１】次いで、各ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に配置されて、マーキングに書き込まれたガラス基板１０に関する情報を読み取り、ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認する。そして、ＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認されたガラス基板１０は、ＴＦＴ基板の場合には、コモン電極形成工程３６へ搬送されて、コモン転移塗布装置にてコモン電極が形成され、ＣＦ基板の場合には、シール剤印刷工程３７へと搬送されて、コモン転移塗布装置にてシール剤が印刷される。
【００３２】ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に基づいてコモン電極形成工程３６またはシール剤印刷工程３７にて処理されたガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれたコモン電極形成工程３６またはシール剤印刷工程３７に関する情報のみが消去される。
【００３３】次に、ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に位置されて、マーキングに書き込まれたガラス基板１０に関する情報を読み取り、ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板であるかの情報を読み取る。そして、ＴＦＴ基板かＣＦ基板かを確認されたガラス基板１０は、ＴＦＴ基板の場合には、スペーサー塗布工程３８へと搬送され、ＣＦ基板の場合にはシール仮焼き工程３９へと搬送される。スペーサー塗布工程３８へ搬送されたＴＦＴ基板は、数ミクロンのスペーサーが塗布され、シール仮焼き工程３９へ搬送されたＣＦ基板は、加熱装置等によってシール剤が仮焼きされる。
【００３４】ＴＦＴ基板およびＣＦ基板に基づいてスペーサー塗布工程３８またはシール仮焼き工程３９にて処理されたガラス基板１０は、順次、レーザービーム照射装置２０が配置された受け台２４上に搬送されて、レーザービーム照射装置２０のヘッド部２３の下方に位置される。そして、ヘッド部２３から照射されるレーザービームによって、各ガラス基板１０のマーキングに書き込まれたスペーサー塗布工程３８またはシール仮焼き工程３９に関する情報のみが消去される。
【００３５】次いで、各ガラス基板１０は、マーキングを読み取る読み取り装置４１の下方に位置されて、マーキングに書き込まれた情報を読み取る。このとき、各ガラス基板１０が、全ての処理工程にて処理されていることを、各処理工程に関する情報が消去されていることによって確認するとともに、各ガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かも確認される。そして、いずれかの処理工程に関する情報が消去されていない場合には、そのガラス基板１０を不良品として排除し、全ての処理工程にて処理が実施されているガラス基板１０が、順次、貼り合わせ工程４０へと搬送される。貼り合わせ工程４０では、読み取り装置４１にて読み取られた情報に基づいて、搬送されるガラス基板１０がＴＦＴ基板かＣＦ基板かを判定し、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが相互に貼り合わされる。以上の各工程を含む組立工程は、別のローカルコンピューターによって管理されるようになっている。
【００３６】その後、このようにして貼り合わされたＴＦＴ基板とＣＦ基板との間に、液晶が封入されて封止され、液晶表示パネルとされる。
【００３７】なお、上記実施例では、液晶表示パネルの組立工程におけるガラス板の管理システムについて説明したが、本発明は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板の製造工程に限らず、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）液晶表示パネルの製造工程、プラズマ表示装置の製造工程、ガラス管ランプの製造工程、ＣＲＴの製造工程のようにガラス板等の透明体の処理工程において適用することができる。また、上記実施例では、マーキングにレーザービームを照射して、情報を消去する構成であったが、必要であれば、処理が完了したガラス板を金属板上に載置してレーザービームを照射することにより、新たな処理内容を情報として書き込むようにしてもよい。
【００３８】また、このようにレーザービームによって情報を書き込んで消去する技術によれば、例えば小さなガラス板によってＩＤタグを作ることにより、焼付工程、塗装工程、食品の熱処理工程等の高温や薬品が使用される条件のきびしい工程の管理システムにも適用できる。
【００３９】
【発明の効果】本発明の透明体の処理工程における管理システムは、このように、レーザービームの照射によって書き込まれた情報を、レーザービームの照射によって消去することができるために、各処理工程における処理の情報を確実に捉えることができ、不良品等の排除等が容易に行える。
【００４０】また、各処理工程における処理の内容等が、ローカルコンピューターによって管理することができるために、ＣＩＭにおけるホストコンピューターが巨大化することを防止できるとともに、ローカルコンピューターによって、各処理工程をより精細に管理することができる。さらに、ホストコンピューターと各ローカルコンピューターとの間にて通信確認することにより、総合的にＣＩＭが小型化されてローコストで構成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の透明体の処理工程における管理システムの実施の形態の一例として、液晶表示パネルの組立工程における管理システムの概略を示す模式図である。
【図２】その管理システムに使用されるレーザービーム照射装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１０ ガラス基板
２０ レーザービーム照射装置
２１ レーザービーム発振器
２３ ヘッド部
２４ 受け台
２５ 金属板
４１ 読み取り装置
５０ ローカルコンピューター
６０ ホストコンピューター
【特許請求の範囲】
【請求項１】 透明体を複数の処理工程にて順次処理するに際し、処理を開始する前に、透明体に対して金属板を合わせた状態で透明体を介して金属板にレーザービームを照射し、金属板の金属成分を透明体に付着させることにより、各処理工程に関する情報を有するマーキングを形成する工程と、各処理を終えた後に、透明体に形成されたマーキングにレーザービームを照射して、その処理に関する情報を消去する工程と、を包含することを特徴とする透明体の処理工程における管理システム。
【請求項２】 前記透明体は、液晶表示パネルに使用されるガラス基板である請求項１に記載の透明体の処理工程における管理システム。
【請求項３】 前記マーキングは、情報を２次元的に表現された２次元コードである請求項１に記載の透明体の処理工程における管理システム。
【請求項１】 透明体を複数の処理工程にて順次処理するに際し、処理を開始する前に、透明体に対して金属板を合わせた状態で透明体を介して金属板にレーザービームを照射し、金属板の金属成分を透明体に付着させることにより、各処理工程に関する情報を有するマーキングを形成する工程と、各処理を終えた後に、透明体に形成されたマーキングにレーザービームを照射して、その処理に関する情報を消去する工程と、を包含することを特徴とする透明体の処理工程における管理システム。
【請求項２】 前記透明体は、液晶表示パネルに使用されるガラス基板である請求項１に記載の透明体の処理工程における管理システム。
【請求項３】 前記マーキングは、情報を２次元的に表現された２次元コードである請求項１に記載の透明体の処理工程における管理システム。
【図１】
【図２】
【図２】
【特許番号】特許第３１８８１５８号（Ｐ３１８８１５８）
【登録日】平成１３年５月１１日（２００１．５．１１）
【発行日】平成１３年７月１６日（２００１．７．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平７−２２５４９０
【出願日】平成７年９月１日（１９９５．９．１）
【公開番号】特開平９−６８６８２
【公開日】平成９年３月１１日（１９９７．３．１１）
【審査請求日】平成１１年２月９日（１９９９．２．９）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【出願人】（５９１０７２５６９）シャープマニファクチャリングシステム株式会社 (17)
【参考文献】
【文献】特開 昭６０−２２４５８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平７−１９１２９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平５−３０９５５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開 平７−３６１３０（ＪＰ，Ｕ）
【登録日】平成１３年５月１１日（２００１．５．１１）
【発行日】平成１３年７月１６日（２００１．７．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成７年９月１日（１９９５．９．１）
【公開番号】特開平９−６８６８２
【公開日】平成９年３月１１日（１９９７．３．１１）
【審査請求日】平成１１年２月９日（１９９９．２．９）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【出願人】（５９１０７２５６９）シャープマニファクチャリングシステム株式会社 (17)
【参考文献】
【文献】特開 昭６０−２２４５８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平７−１９１２９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平５−３０９５５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開 平７−３６１３０（ＪＰ，Ｕ）
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