説明

透明導電層の製造方法及び透明電極基材

【課題】透明導電層を形成するために用いる出発原料溶液の濃度管理が容易な透明導電層の製造方法を提供する。
【解決手段】スプレー熱分解法を用いた透明導電層12の製造方法であって、有機スズ化合物と、有機溶媒、水、又は有機溶媒−水混合溶液と、界面活性材とを少なくとも含む原料溶液を用いて透明導電層12を形成することを特徴とする透明導電層12の製造方法を提供する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は透明導電層の製造方法に係り、より詳しくは透明導電層の表面抵抗値の向上を図った透明導電層の製造方法及び透明電極基材に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、太陽電池、液晶表示装置(LCD)、プラズマディスプレイ(PDP)等においては、例えば絶縁体であるガラスなどからなる透明な基板上に透明導電層(TCF:Transparent Conductive Films)を形成した透明電極基材が広く利用されている。
この透明導電層は、酸化物透明導電体(TCO:Transparent Conductive Oxide)とも称されるスズドープ酸化インジウム(ITO:Indium Tin Oxide)や酸化スズ(TO:Tin Oxide)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO:Fluoride−doped Tin Oxide)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO:Antimony−doped Tin Oxide)、酸化亜鉛(ZnO:Zinc Oxide)等の導電性金属酸化物を主成分とする半導体セラミックスの層で、可視光に対する優れた透明性と優れた電気伝導性を併せ持っている。この透明導電層の中でも、特にITOやFTOを主成分とする透明導電層が広く知られており、パーソナルコンピューター(PC)、テレビジョン、携帯用電話機器の液晶表示(LCD)に応用されている。
【0003】
このようなITOやFTO等の透明導電層を透明基材上に形成する方法として、スプレー熱分解法がある。
スプレー熱分解法は、あらかじめ透明導電層の形成温度にまで加熱された基板に向けて、霧化等の噴霧手段を用いて膜の原料となる溶液を噴霧することにより、反応初期には、基材表面に付着した溶液中の溶媒の蒸発と、溶質の熱分解に続く加水分解反応、及び熱酸化反応することにより結晶が形成される。反応が進むと基材上に形成した結晶(多結晶膜)上に、液滴が付着し、液滴中の溶媒蒸発と共に、溶質および下部の結晶間で結晶成長が進む、という一連の反応を応用した技術である。
このスプレー熱分解法では、噴霧に好適な透明導電層の出発原料として、金属無機塩の水溶液、アルコール溶液、有機溶剤中に有機金属化合物や有機酸塩を溶解した有機溶剤系溶液、あるいはこれらの混合液を混合してなる混合溶液等が用いられている。基材の温度は、出発原料や原料溶液の種類によって異なるが、250〜700℃の温度範囲に設定される。このようなスプレー熱分解法は、装置が簡易で、原料も比較的安価なため、低コストで透明導電層等の形成が可能である。
【0004】
従来、大気プロセスでの酸化スズは、DBTDA(di-n-butyltin(IV)diacetate)やTDA(tin(IV)diacetate)等の有機スズ化合物を出発原料として、エタノールなどの有機溶媒に溶解させてスプレー熱分解法などの手法でガラス上に噴霧、加熱させることで透明導電層を形成していた(特許文献1,2参照)。
【0005】
しかしながら、有機スズ化合物は溶解できる溶媒が限られており、例えば水などの安全で安価な溶媒には不溶であるので、水以外の溶媒、例えば有機溶媒を選択する必要があった。この様に有機溶媒を用いた場合では、出発原料の濃度管理が難しく、透明導電層の導電特性のばらつきを引き起こす虞があった。特許文献1には、出発原料溶液に界面活性剤を加えることで、溶媒として水とアルコールの混合溶液を用いて塗布法により透明導電層を成膜することが提案されている。しかしながら、この方法においては、所望の厚さの薄膜を安定して得ることが困難であったり、成膜の際の条件設定が煩雑であった。また、工程の増加や消費エネルギーの増加によるコスト負担が大きいものであった。
【特許文献1】特開平05−178643号公報
【特許文献2】特開平09−063954号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、透明導電層を形成するために用いる出発原料溶液の濃度管理が容易な透明導電層の製造方法を提供することを第一の目的とする。
【0007】
本発明は、粒系の異なる結晶粒子を特定の領域に偏在させることにより、透明導電層の表面抵抗値を上昇させることなく表面粗さの異なるテクスチャ形状を備えた透明導電層を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の請求項1に係る透明導電層の製造方法は、スプレー熱分解法を用いた透明導電層の製造方法であって、有機スズ化合物と、有機溶媒、水、又は有機溶媒−水混合溶液と、界面活性材とを少なくとも含む原料溶液を用いて透明導電層を形成することを特徴とする。
【0009】
本発明の請求項2に係る透明導電層の製造方法は、請求項1において、前記界面活性剤が、ノニオン系界面活性剤であることを特徴とする。
【0010】
本発明の請求項3に係る透明導電層の製造方法は、請求項2において、前記ノニオン系界面活性剤が、ポリオキシエチレン−p−イソオクチルフェノールであることを特徴とする。
【0011】
本発明の請求項4に係る透明導電層の製造方法は、請求項3において、原料溶液に占める前記界面活性剤の濃度が、1モル%以上3モル%以下であることを特徴とする。
【0012】
本発明の請求項5に係る透明電極基材は、基材及びこの一面に配された透明導電層を少なくとも備えた透明電極基材であって、前記透明導電層は、異なる平均結晶粒系の粒子からなる領域が混在して分布していることを特徴とする
【発明の効果】
【0013】
本発明の透明導電層の製造方法は、FTO層を形成する際の出発原料に界面活性剤が添加されている。
この構成により、界面活性剤と有機スズ化合物とでコロイドが形成されるので、溶媒として水を混合することが可能となり、出発原料の濃度管理が容易となる。そのため、再現性良く出発原料を調整することがで、均一な導電特性を備えた透明導電層をスプレー熱分解法により透明基材上に形成することができる。
【0014】
本発明の透明導電層は、水と有機溶媒とを混合させた溶媒を用いてスプレー熱分解法により結晶を成長させるため、水を溶媒として成長した粒系が100〜1000nmの結晶と、有機溶媒から成長した粒系が10〜500nmの結晶とからなる。
この構成により、平均結晶粒系の異なる領域を複数混在させて配向させることで、透明導電層の表面テクスチャを制御することができる。従って、該透明導電層の表面抵抗を上昇させることなく、表面粗さの異なるテクスチャ構造を備えた透明導電層を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明の第一実施形態は、有機スズ化合物と、有機溶媒、水、又は有機溶媒−水混合液と、界面活性剤とを少なくとも有する出発原料を用いてスプレー熱分解法により透明導電層を透明基材上に形成する透明導電層の製造方法である。以下、それぞれについて説明する。
【0016】
有機スズ化合物は、透明導電層を構成する主な材料であり、例えば、DBTDA、TDA、TBT(tetra-n-butylti(IV)),TBTA(tri-n-butyltin(IV)acetate)、TBTC(tri-n-butyltin(IV)chloride)、DBTDC(di-n-butyltin(IV)dichloride)、TTC(tin(IV)tetrachloride)等が用いられ、DBTDAやTDAが好ましい。
【0017】
有機スズ化合物を溶かす溶媒としては、有機溶媒、水、又は有機溶媒と水の混合溶液を用いることができる。このような有機溶媒としては、例えば、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコール類が挙げられる。この中でも、結晶性を考慮して、エタノールが好ましい。水と有機溶媒との混合比は、用いる界面活性剤や有機スズ含有量等を考慮して、適宜調節して混合することができる。
【0018】
界面活性剤は、有機スズ化合物を水に溶解させるために用いる。この界面活性剤は有機スズ化合物とコロイドを形成するので、従来、不溶であった水に有機スズを溶解することが可能となる。このような界面活性剤としては、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤等を使用することができ、特に、有機スズ化合物と良好なコロイドを形成することから、ノニオン系界面活性剤が好ましい。
ノニオン系界面活性剤としては、アルキルフェノール系界面活性剤、高級アルコール系界面活性剤、脂肪酸系界面活性剤が挙げられ、アルキルフェノール系界面活性剤であるポリオキシエチレン−p−イソオクチルフェノールが好ましい。また、複数種の界面活性剤を組み合わせて使用することもできる。
【0019】
界面活性剤の添加量に関しては、添加した界面活性剤がヘイズ率や透過率等に影響を及ぼさない程度で、かつ透明導電層の表面抵抗を向上するような量を添加するのが望ましく、原料溶液に占める濃度が、1モル%以上3モル%以下が好ましい。
【0020】
次に、この出発原料を用いた透明電極基材10の製造方法について説明する。
本発明の透明電極基材10は、透明基材11の一方の面11aの全域を覆うようにスプレー熱分解法により透明導電層12を形成することで得られる。
【0021】
ここで、図2は、本発明に係る透明電極基材10の製造に用いる装置の一例を示す模式図である。
この装置50は、スプレー熱分解法により透明基材11上に透明導電層12を形成する装置であって、透明基材11を載置する支持手段51と、透明基材11の温度を調整する温度制御手段と、透明基材11の一面に向けて透明導電層12の原料溶液からなるミスト53を噴霧する吐出手段54と、原料溶液を作製する生成手段55と、吐出手段54と対向する位置に配される透明基材11との間の空間56を包み込むように配置されるフード57とを少なくとも備える。
【0022】
支持手段51は、透明基材11の被成面を所定の温度に保ちながら層を形成するため、透明基材11の加熱・保持・冷却機能を備えた温度制御手段52を内蔵している。温度制御手段52は、例えばヒータである。
【0023】
吐出手段54は、空気(Airと表示)を取り込む第一導入路54αと、生成手段55によって生成された原料溶液を取り込む第二導入路54βとを備えている。例えば、矢印αの方向に空気を、矢印βの方向に原料溶液を導入し、これらを混ぜ合わせてミスト化を図った上で、吐出口54aを通して透明基材11に向けて噴霧する。
【0024】
また、装置50では、フード57が吐出手段54と対向する位置に配される透明基材11との間の空間を包み込むように配置されているので、吐出手段54の吐出口54aからスプレー上状に噴射された原料溶液は、外気の影響を受けることなく吐出口54aから透明基材11に向かう放射状空間に噴霧された状態を安定に保つことができる。
【0025】
この装置50を用いて、スプレー熱分解法により透明導電層12を透明基材11上に形成する。
まず、支持手段51上に透明基材11を載置し、温度制御手段52により透明基材11の温度を調節する。
次いで、生成手段55に透明導電層12の出発原料溶液を加え、吐出手段54により透明基材11に対して出発原料溶液のミストを噴霧し、透明基材上11に堆積させることで透明導電層12を成膜する。
透明導電層12を形成する際の、吐出口54aの口径、吐出手段54から透明基材11までの距離、塗布圧力、及び透明基材11表面温度は、用いる出発原料溶液や透明基材11等に応じて適宜調整して行うことができる。
【0026】
以上のようにして得られる透明電極基材10は、スプレー熱分解法によって作製される透明導電層12を、透明基材11上に配している。透明導電層12は水と有機溶媒との混合溶液よりなる溶媒に有機スズ化合物が溶解したものから構成されているので、スプレー熱分解法により透明導電層12を形成すると、水を溶媒として結晶が成長した場合は、結晶粒系の大きいものができ、有機溶媒からは結晶粒系の大きいものが成膜される。このため、同一膜内に結晶粒系が異なった複数の領域が混在して分布したFTO膜を形成することができる。
【0027】
生成手段55に充填した界面活性剤の濃度を必要に応じて適宜調整することで、積層方向に界面活性剤の濃度が異なる透明導電層を連続して形成することができる。この場合、段階的に界面活性剤の濃度が異なる透明導電層を形成することが可能である。また濃度勾配を有する透明導電層を形成することも可能である。この場合、透明導電層12が透明基材11と接する側の面の界面活性剤濃度を高くしておくことで透明基材11の濡れ性が増加し、より導電率に優れた透明導電層12を得ることができる。
【0028】
図1は、本発明の透明導電層12の作製方法により得られる透明導電層12を備えた透明電極基材10の模式図である。
透明基材11の一面に透明導電層12を配している。
【0029】
透明基材11に関しては、通常、透明基材として用いられるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン等が挙げられる。また、光透過性に優れるものが好ましく、全光線透過率が90%以上のものがより好ましい。
【0030】
透明導電層12に関しては、透明基材11に導電性を付与するために、その一方の面11aに形成された層である。この透明導電層12を形成する材料としては、ITO、FTO、ZnO等が挙げられる。この透明導電層は、1層でも良いし、複数の層でも良い。
本発明における透明導電層12は、有機スズ化合物と、水と有機溶媒との混合溶液と、界面活性剤とを出発原料として、スプレー熱分解法により作製される。このため、透明導電層12は水を溶媒として結晶が成長した粒系の大きい酸化スズの結晶と、有機溶媒を溶媒として結晶が成長した粒系の小さい酸化スズの結晶とからなる領域が複数、混在して同一膜内に配している。ゆえに、結晶配向性を制御することでこの領域を調節することができ、透明導電層12の表面テクスチャを整えられる。よって、表面抵抗値が上昇することなく、表面テクスチャを所望のパターンとした透明導電層12を得ることができる。
【実施例】
【0031】
(出発原料溶液調整例1)
ジブチルスズジアセテート6.95mlをエタノール15mlに分散させた後、ポリオキシエチレン−p−イソオクチルフェノールを0.5ml添加し、NHFを2.22g分散させた水35mlを添加し、調整溶液1を作製した。
【0032】
(出発原料溶液調整例2)
出発原料調整例1において、添加したポリオキシエチレン−p−イソオクチルフェノールの量を1.5mlとした以外は、出発原料調整例1と同様にして、調整溶液2を作製した。
【0033】
(出発原料溶液調整例3)
出発原料調整例1において、添加したポリオキシエチレン−p−イソオクチルフェノールの量を3.0mlとした以外は、出発原料調整例1と同様にして、調整溶液3を作製した。
【0034】
(出発原料溶液調整例4)
出発原料調整例1において、添加したポリオキシエチレン−p−イソオクチルフェノールの量を5.0mlとした以外は、出発原料調整例1と同様にして、調整溶液4を作製した。
【0035】
(出発原料溶液調整例5)
ジブチルスズジアセテート6.95ml、及びNHF2.22gをエタノール50mlに分散し、調整溶液5を作製した。
【0036】
(成膜)
(実施例1)
調整溶液1を、450℃に加熱した0.7mmTEMPAXガラス基板上にSPD法にて噴霧し、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)の膜を形成した。成膜にあたって、成膜装置のノズル口径は1mmで行った。また、ノズルと透明基板との距離は500mmで行い、塗布圧力は0.1MPa、基板表面温度は350℃で行った。
【0037】
(実施例2)
実施例1において、調整溶液1の代わりに、調整溶液2を用いた以外は、実施例1と同様にしてFTO膜を形成した。
【0038】
(実施例3)
実施例1において、出発原料調整例1で得られた溶液の代わりに、出発原料調整例3で得られた溶液を用いた以外は、実施例1と同様にしてFTO膜を形成した。
【0039】
(比較例1)
実施例1において、出発原料調整例1で得られた溶液の代わりに、出発原料調整例5で得られた溶液を用いた以外は、実施例1と同様にしてFTO膜を形成した。
【0040】
(比較例2)
実施例1において、出発原料調整例1で得られた溶液の代わりに、出発原料調整例4で得られた溶液を用いた以外は、実施例1と同様にしてFTO膜を形成した。
【0041】
上記で得られた各FTO膜について、表面抵抗、透過率、ヘイズ率、濃度管理の容易性、及び三次元表面粗さ(Sa)について検討した。これらの結果を、表1に示す。濃度管理に関しては、濃度管理が容易に行えた場合を○、濃度のばらつきが生じた場合を×で示した。
なお、抵抗値は表面抵抗測定装(三菱化学製ロレスタGPMCP−T610型)を用いて測定し、透過率は紫外可視分光光度計を用いて測定した。また、ヘイズ率についてはヘイズメーター(村上色彩社製、HM−100)で測定した。
【0042】
【表1】

【0043】
表1より、界面活性剤を添加した場合、出発原料溶液の濃度のばらつき、及び表面抵抗値の上昇が生じることなく、FTO膜を成膜することができた(実施例1〜3)。また、比較例1〜2と比較し、Sa値を低く抑えることができた。これは、界面活性剤を添加することで、結晶配向性が向上したためと考えられる。しかしながら、界面活性剤の添加量がおよそ7.5モル%である比較例2においては、出発原料溶液の濃度のばらつきは生じなかったが、表面抵抗値及びSa値の上昇が観察された。また、透過率やヘイズ率に関して、界面活性剤を加えた影響は観察されなかった。以上より、界面活性剤の添加量が1モル%以上、3%モル以下において、表面抵抗値が上昇することなく濃度管理が行えることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【0044】
本発明は、各種基板上に、出発原料を有機スズとする透明導電層を形成する技術で、太陽電池、ディスプレイ用電極、タッチパネル、センサー帯電防止などの分野で利用できる。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】透明電極基材を模式的に示した図である。
【図2】透明電極基材の製造に用いた装置の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【0046】
10 透明電極基材、11 透明基材、12 透明導電層。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
スプレー熱分解法を用いた透明導電層の製造方法であって、
有機スズ化合物と、有機溶媒、水、又は有機溶媒−水混合溶液と、界面活性材とを少なくとも含む原料溶液を用いて透明導電層を形成することを特徴とする透明導電層の製造方法。
【請求項2】
前記界面活性剤が、ノニオン系界面活性剤であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電層の製造方法。
【請求項3】
前記ノニオン系界面活性剤が、ポリオキシエチレン−p−イソオクチルフェノールであることを特徴とする請求項2に記載の透明導電層の製造方法。
【請求項4】
原料溶液に占める前記界面活性剤の濃度が、1モル%以上3モル%以下であることを特徴とする請求項3に記載の透明導電層の製造方法。
【請求項5】
基材及びこの一面に配された透明導電層を少なくとも備えた透明電極基材であって、
前記透明導電層は、異なる平均結晶粒系の粒子からなる領域が混在して分布していることを特徴とする透明電極基材。

【図1】
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【図2】
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【公開番号】特開2009−76277(P2009−76277A)
【公開日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−242970(P2007−242970)
【出願日】平成19年9月19日(2007.9.19)
【出願人】(000005186)株式会社フジクラ (4,463)
【Fターム(参考)】