透明導電性基板の製造装置
【課題】噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類に制限されること無く、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能な、ＳＰＤ法による透明導電性基板の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の製造装置２０は、被処理体１１を載置する支持手段２１と、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する第一生成手段２８及び第二生成手段２９と、前記第一生成手段と個別に繋がり、前記被処理体の一面１１ａに向けて、それぞれの成分からなる第一ミスト２３Ａを噴霧する第一吐出手段２４Ａ及び、前記第二生成手段と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなる第二ミスト２３Ｂを噴霧する第二吐出手段２４Ｂと、前記被処理体の温度を調整する温度制御手段２２と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【解決手段】本発明の製造装置２０は、被処理体１１を載置する支持手段２１と、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する第一生成手段２８及び第二生成手段２９と、前記第一生成手段と個別に繋がり、前記被処理体の一面１１ａに向けて、それぞれの成分からなる第一ミスト２３Ａを噴霧する第一吐出手段２４Ａ及び、前記第二生成手段と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなる第二ミスト２３Ｂを噴霧する第二吐出手段２４Ｂと、前記被処理体の温度を調整する温度制御手段２２と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スプレー熱分解（ＳＰＤ：Spray Pyrolysis Deposition）法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等においては、たとえば絶縁体であるガラスなどからなる透明な基材上に透明導電膜（ＴＣＦ：Transparent Conductive Films）を成膜した透明導電性基板が広く利用されている。
この透明導電膜は、酸化物透明導電体（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）とも称されるスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）や酸化スズ（ＴＯ：Tin Oxide）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ：Fluorine-doped Tin Oxide）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ：Antimony-doped Tin Oxide）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：Zinc Oxide）等の導電性金属酸化物を主成分とする半導体セラミックスの膜で、可視光に対する優れた透明性と優れた電気伝導性を併せ持っている。この透明導電膜の中でも、特にＩＴＯを主成分とする透明導電膜が広く知られており、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、テレビジョン、携帯用電話機等の液晶表示装置（ＬＣＤ）に応用されている。
【０００３】
また、太陽電池においては、光電変換効率の向上が最も重要な課題である。この光電変換効率の向上を達成する方法として、この透明導電膜の表面を凹凸化する方法が知られている。この凹凸化により、入射光が透明導電膜と発電層の界面で散乱される。この散乱効果により、入射光の表面反射損失の低減、発電層における吸収の増大、短絡電流密度の増大が得られる。これにより、光電変換効率が向上する。
【０００４】
このようなＩＴＯ等の透明導電膜を、透明基材上に成膜する方法として、ＳＰＤ法がある。
ＳＰＤ法は、あらかじめ成膜温度まで加熱された基板に向けて、霧化器等の噴霧手段を用いて膜の原料となる溶液を噴霧することにより、反応初期には、基材表面に付着した液滴中の溶媒の蒸発と、溶質の熱分解に続く加水分解反応、及び熱酸化反応することにより結晶が成形される。反応が進むと基材上に形成した結晶（多結晶膜）上に、液滴が付着し、液滴中の溶媒蒸発と共に、溶質および下部の結晶間で結晶成長が進む、という一連の反応を応用した技術である。
このＳＰＤ法では、噴霧に好適な透明導電膜の出発原料として、金属無機塩の水溶液またはアルコール溶液、あるいは有機溶剤中に有機金属化合物や有機酸塩を溶解した有機溶剤系溶液、あるいはこれらの溶液を混合してなる混合溶液等が用いられている。基材の温度は、出発原料や原料溶液の種類によって異なるが、２５０〜７００℃の温度範囲に設定される。このようなＳＰＤ法は、成膜装置が簡易で、原料も比較的安価なため、低コストで透明導電膜等の形成が可能である。
【０００５】
また、上述したＳＰＤ法以外に、複数の種類の原料を含む薄膜を製造する方法としては、いかに説明する（１）〜（４）の方法が提案されている。
（１）一つの気化器に複数の液体原料を時分割送入することで、あるいは一つの気化器に独立した複数の部屋を持たせることで、多くの気化器を必用としないで液体原料を気化し、気化後に混合して、ＣＶＤ（化学気相体積）法により成膜するようにした技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
（２）高温に保持された気化チャンバ内へ複数の液体材料を混合して噴霧し、噴霧した液体材料を気化することで、ＣＶＤ（化学気相体積）法により成膜するようにした技術が提案されている（特許文献２参照）。
【０００７】
（３）異なる組成のスプレー噴霧液を所望の噴霧量比で混合した後、一つのスプレーノズルから直接噴霧することで、ＳＰＤ法により成膜するようにした技術が提案されている（特許文献３参照）。
【０００８】
（４）超臨界状態の流体又は液体に成膜原料を混合して原料流体を形成し、この原料流体を基板表面に供給して加熱処理を施すことで、ゾルゲル成膜法により成膜するようにした技術が提案されている（特許文献４参照）。
【０００９】
しかしながら、従来のＳＰＤ法や上記（１）〜（４）に説明した各成膜法によって透明導電膜を製造する場合、複数の原料を混合して使用するため、次のような問題があった。
（イ）最初から複数の原料を混合すると、溶媒が反応して副生成物を作る場合がある。
（ロ）混合する原料の種類が制限されることがある。
（ハ）混合する全ての原料が溶ける溶媒を用いなければならない。
（ニ）溶媒に原料が溶ける割合が制限される場合があるため、高性能な成膜が行えない。
【００１０】
ＳＰＤ法により、透明基材等からなる被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置としては、たとえば、図３に示すようなものがある。
この製造装置１００は、被処理体１１１を載置する支持手段１２１と、被処理体１１１の一面１１１ａに向けて、透明導電膜の原料溶液からなるミスト１２３を吐出口１２４ａから噴霧する吐出手段１２４と、前記原料溶液に含有される透明導電膜原料の濃度を調整する濃度制御手段１２５と、前記被処理体１１１の温度を調整する温度制御手段１２２と、を少なくとも備えている。
吐出手段１２４は、空気（Ａｉｒと表記）を取り込む第一導入路１２４αと、濃度制御手段１２５によって透明導電膜原料の濃度が調整された原料溶液を取り込む第二導入路１２４βとを備え、たとえば、矢印αの方向に空気を、矢印βの方向に原料溶液を導入し、これらを混ぜ合わせてミスト（「液滴とエアーの混合物」を指す）化を図った上で、吐出口１２４ａを通して被処理体１１１の一面１１１ａに向けて噴霧する。
また、製造装置１００には、前記一面１１１ａに向けて放射状に噴霧したミスト１２３を安定させると共に、透明導電膜１１２の堆積（成膜）面を安定させる上から、吐出手段１２４と被処理体１１１との空間１２６を包み込むように配置されるフード１２７が備えられている。
【００１１】
このような成膜装置を用いてＦＴＯ膜を成膜する場合、原料溶液は、酸化スズの原料とドープするフッ素を含む原料を溶媒に混合し、成膜を行なう。具体的には、酸化スズの原料に酸化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４ ／５Ｈ２Ｏ）、ドープするフッ素を含む原料にフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を用いることがあるが、この二つの原料は、高濃度にすると容易に沈殿を生じるものであった。また、フッ化アンモニウムはアルコールに溶けにくいため、水溶媒もしくはアルコールと水の混合溶媒を用いなければならなかった。
しかも、ＳＰＤ法以外の方法は、ＳＰＤ法に比べて装置が複雑かつ高価であったり、所望の厚さの薄膜を安定して得ることが困難であったり、工程の増加や消費エネルギーの増加によるコスト負担が大きいものであった。
【００１２】
また、太陽電池に用いられる透明導電性基板に関して、太陽光からは可視光領域よりも長波長側の赤外光も地上に達しているにも関わらず、ヘイズ率の制御は可視光領域に対して行われていることがほとんどであった。
【特許文献１】特開２０００−５８５２８号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０５４６号公報
【特許文献３】特開２００３−２０５２３５号公報
【特許文献４】特開２００３−２１３４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類に制限されること無く、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能な、ＳＰＤ法による透明導電性基板の製造装置を提供することを第一の目的とする。
また、可視光よりも長波長側の赤外光のヘイズ率を制御し、より多くの光を散乱することができる透明導電性基板と、その製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１に係る透明導電性基板の製造装置は、スプレー熱分解法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、前記生成手段の各々と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する複数の吐出手段と、前記被処理体の温度を調整する温度制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項２に係る透明導電性基板の製造装置は、スプレー熱分解法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、前記生成手段の各々と個別に繋がり、各成分からなるミストを集合させて混在ミストを形成するバッファ手段と、前記バッファ手段と繋がり、前記被処理体の一面に向けて、混在ミストを噴霧する吐出手段と、前記被処理体の温度を調整する温度制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項３に係る透明導電性基板は、請求項１又は請求項２に記載の透明導電性基板の製造装置を用いた透明導電性基板であって、８００〜１０００ｎｍの入射光に対してヘイズ率が１０％以上であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項４に係る透明導電性基板は、請求項３において、前記透明導電性基板は、１０００ｎｍの入射光に対するヘイズ率を６００ｎｍの入射光に対するヘイズ率で除してなる比が０．８以上であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項５に係る透明導電性基板の製造方法は、請求項１又は請求項２に記載の透明導電性基板の製造装置を用い、前記被処理体の一面上に前記透明導電膜を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の請求項１に係る透明導電性基板の製造装置（以下、「第一製造装置」とも呼ぶ。）は、ＳＰＤ法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、特に、前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、前記生成手段の各々と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する複数の吐出手段と、を備えたことにより、透明導電膜の原料を個別にまたは複数を溶媒に溶かした原料溶液を生成手段によってそれぞれミスト化し、これをそれぞれの吐出手段によって被処理体に向けて噴霧することができる。
ゆえに、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、個別に作製したミストを、複数の成分が均一になるように噴霧後に混合することができ、さらに、混合したミストを被処理体に噴霧することで、複数の種類の成分を含む透明導電膜を成膜することができる。
したがって、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類に制限されること無く、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能な、ＳＰＤ法による透明導電性基板の製造装置を提供することができる。
しかも、原料溶液の濃度やミスト発生量、ミスト化された原料溶液の噴霧量を個別に調節することができるので、より適切な成膜条件を得ることができ、原料や溶媒の種類に左右されること無く、成膜速度を速くすることができる。
【００２０】
また、本発明の請求項２に係る透明導電性基板の製造装置（以下、「第二製造装置」とも呼ぶ。）によれば、ＳＰＤ法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、特に、前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、前記生成手段の各々と個別に繋がり、各成分からなるミストを集合させて混在ミストを形成するバッファ手段と、前記バッファ手段と繋がり、前記被処理体の一面に向けて、混在ミストを噴霧する吐出手段と、を備えたことにより、透明導電膜の原料を個別にまたは複数を溶媒に溶かした原料溶液を生成手段によってそれぞれミスト化し、これを複数の原料が均一になるようにバッファ手段によって集合させて混在ミストを形成し、この混在ミストを吐出手段によって被処理体に向けて噴霧することができる。
ゆえに、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、個別に作製したミストを、複数の成分が均一になるように噴霧前に混合することができ、さらに、混合したミストを被処理体に噴霧することで、複数の種類の成分を含む透明導電膜を成膜することができる。
したがって、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類に制限されること無く、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能な、ＳＰＤ法による透明導電性基板の製造装置を提供することができる。
しかも、原料溶液の濃度やミスト発生量（混在ミスト成分比）を個別に調節することができるので、より適切な成膜条件を得ることができ、原料や溶媒の種類に左右されること無く、成膜速度を速くすることができる。
【００２１】
また、本発明の請求項３に係る透明導電性基板は、８００〜１０００ｎｍの入射光に対してヘイズ率が１０％以上を有する。よって、波長の長い赤外光をも利用することができる透明導電性基板を提供することができる。
【００２２】
本発明の請求項４に係る透明導電性基板によれば、６００ｎｍと１０００ｎｍの入射光に対するヘイズ率の比が、０．８以上である。このことによって、従来利用されていた可視光と同様に赤外光をも利用することが可能である。
【００２３】
本発明の請求項５に係る透明導電性基板の製造方法によれば、可視光と同様に赤外光をも利用することができる透明導電性基板を効率良く作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（透明導電性基板の製造装置）
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
まず、本発明に係る透明導電性基板の製造装置としては、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに個別に作製したミストを、複数の成分が均一になるように噴霧後に混合する第一構造を備える第一製造装置と、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに個別に作製したミストを、複数の成分が均一になるように噴霧前に混合する第二構造を備える第二製造装置との２つのタイプが挙げられる。
【００２５】
＜第一実施形態＞
以下では、第一構造を備える透明導電性基板の製造装置（第一製造装置）について説明する。
ここでは、ＳＰＤ法により、被処理体としてガラス基材（透明基材）を用い、その一面上に透明導電膜として二種類の原料を含むＦＴＯ膜を作製する場合を例に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２６】
図１は、本発明の第一製造装置の一例を示す概略構成図である。
図１に示すように、本実施形態における第一製造装置２０は、スプレー熱分解法により被処理体１１の一面上にＦＴＯ膜からなる透明導電体１２を形成する透明導電性基板１０の製造装置であって、前記被処理体１１を載置する支持手段２１と、前記ＦＴＯ膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する第一生成手段２８及び第二生成手段２９と、前記第一生成手段２８と個別に繋がり、前記被処理体１１の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する第一吐出手段２４Ａと、前記第二生成手段２９と個別に繋がり、前記被処理体１１の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する第二吐出手段２４Ｂと、前記被処理体１１の温度を調整する温度制御手段２２と、を少なくとも備えている。
【００２７】
第一吐出手段２４Ａは、空気（Ａｉｒと表記）を取り込む第一導入路２４αと、第一生成手段２８によってミスト（「液滴とエアーの混合物」を指す）化された透明導電膜原料溶液を取り込む第二導入路２４βとを備え、たとえば、矢印αの方向に空気を、矢印βの方向にミスト化された原料溶液を導入し、第一吐出口２４ａを通して被処理体１１の一面１１ａに向けて噴霧する。
一方、第二吐出手段２４Ｂは、空気（Ａｉｒと表記）を取り込む第一導入路２４γと、第二生成手段２９によってミスト（「液滴とエアーの混合物」を指す）化された透明導電膜原料溶液を取り込む第二導入路２４δとを備え、たとえば、矢印γの方向に空気を、矢印δの方向にミスト化された原料溶液を導入し、第二吐出口２４ｂを通して被処理体１１の一面１１ａに向けて噴霧する。
【００２８】
したがって、第一吐出口２４ａから噴霧された第一ミスト２３Ａと、第二吐出口２４ｂから噴霧された第二ミスト２３Ｂは、それぞれの原料が均一になるように噴霧後に混合され、混合したミストが被処理体１１に噴霧され、ＦＴＯ膜からなる透明導電体１２を作製する。
なお、ミストを混合する場合、ミストがお互いに反発し合い、くっつくこと無く、被処理体１１に到達させるために、ミストの粒径は０．１〜１００μｍが好ましく、さらに望ましくは１〜５０μｍである。１００μｍより大きいとミスト同士がくっつき、大きなミストとなって成膜にバラツキが生じる。また、０．１μｍよりも小さいと成膜速度が遅くなってしまう。
【００２９】
また、被処理体１１は、所定の温度に加熱された状態に保持されていることが好ましく、保持温度としては、出発原料や原料溶液の種類によって異なるが、２５０〜７００℃の温度範囲が好ましい。このように被処理体１１の温度を制御するためには、図１に示したような温度制御手段２２、すなわち支持手段２１に内蔵された形態のもの（たとえば、シーズヒータやホットプレート等）の他に、支持手段２１とは別体をなす形態のもの（たとえば、ランプや加熱雰囲気等）を使用しても良い。
【００３０】
また、第一製造装置２０には、被処理体１１の一面１１ａに向けて放射状に噴霧された第一ミスト（図１の左側斜線部分）２３Ａと第二ミスト（図１の右側斜線部分）２３Ｂを安定させると共に、ＦＴＯ膜からなる透明導電体１２の堆積（成膜）面を安定させる上からも、第一吐出口２４ａと第二吐出口２４ｂと被処理体１１との空間２６を包み込むように配置されるフード２７を備える構成が好ましい。これにより、外気の影響が遮断され、適切な成膜条件の制御性が向上するので、量産する際に、所望の特性を有するＦＴＯ膜を、広い面積に亘って確実に製造可能となる。このようなフード２７は、その内部空間２６から装置の外部へ原料溶液が飛散し、無駄な使用量が増加するのを防ぐ働きもすることから、フード２７は原料溶液の利用効率の向上に寄与する。
【００３１】
次に、本実施形態に係る透明導電膜の成膜方法を説明する。
まず、支持手段２１上に被処理体１１を載置し、温度制御手段２２により前記被処理体１１の温度を調整する。
次いで、第一生成手段２８及び第二生成手段２９により前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する。
その後、第一吐出手段２４Ａにより被処理体１１に対して生成された第一ミスト２３Ａを噴霧し、第二吐出手段２４Ｂにより被処理体１１に対して生成された第二ミスト２３Ｂを噴霧する。
そして、第一ミスト２３Ａと第二ミスト２３Ｂとを噴霧後に混合したミストを、被処理体としてのガラス基材１１上に堆積させて、透明導電膜（たとえばＦＴＯ膜）成膜する。
【００３２】
このように本発明の第一製造装置によれば、以下のような種々の効果を有する。
（１）簡単な装置で所望の厚さの薄膜を効率良く低コストで形成するができる。
（２）単一もしくは数種類の原料を溶媒に溶かした原料溶液を個別に作製し、それぞれミスト化して噴霧して透明導電膜（たとえばＦＴＯ膜）を成膜するので、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類を制限されることが無く、反応する原料同士を混ぜなくて良い。
（３）単一原料を溶媒に溶かした場合、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能なので、他の原料によって濃度が制限されることが無い。
（４）原料の種類を容易に増やすことができ、溶媒も数種類使用することができるので、目的にあった原料や溶媒を自由に選択することができる。
（５）原料溶液の濃度やミスト発生量、ミスト化された原料溶液の噴霧量を個別に調節することができるので、より適切な成膜条件を得ることができ、高性能な透明導電膜を成膜することができる。
（６）原料溶液の管理が容易になり、長期保存が可能となる。
【００３３】
しかも、本発明によれば、ミスト化した原料溶液を噴霧するものに限らず、原料溶液を液体のまま吐出手段より噴霧するものとしても良い。
【００３４】
＜第二実施形態＞
以下では、第二構造を備える透明導電性基板の製造装置（第二製造装置）について説明する。
ここでは、ＳＰＤ法により、被処理体としてガラス基材（透明基材）を用い、その一面上に透明導電膜として二種類の原料を含むＦＴＯ膜を作製する場合を例に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３５】
図２は、本発明の第二製造装置の一例を示す概略構成図である。
図２に示すように、本実施形態における第二製造装置４０は、スプレー熱分解法により被処理体１１の一面上にＦＴＯ膜からなる透明導電体３２を形成する透明導電性基板３０の製造装置であって、前記被処理体１１を載置する支持手段４１と、前記ＦＴＯ膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する第一生成手段４８及び第二生成手段４９と、前記生成手段４８，４９の各々と個別に繋がり、各成分からなるミストを集合させて混在ミスト４３を形成するバッファ手段４５と、前記バッファ手段４５と繋がり、前記被処理体１１の一面に向けて、混在ミストを噴霧する吐出手段４４と、前記被処理体１１の温度を調整する温度制御手段４２と、を少なくとも備えている。
【００３６】
吐出手段４４は、空気（Ａｉｒと表記）を取り込む第一導入路４４αと、第一生成手段４８によってミスト（「液滴とエアーの混合物」を指す）化された透明導電膜原料溶液と、第二生成手段４９によってミスト化された透明導電膜原料溶液を集合させて形成した混在ミストを、バッファ手段４５より取り込む第二導入路４４βとを備え、たとえば、矢印αの方向に空気を、矢印βの方向にミスト化された原料溶液を導入し、吐出口４４ａを通して被処理体１１の一面１１ａに向けて噴霧する。
【００３７】
したがって、第一生成手段４８から噴霧された第一ミストと、第二生成手段４９から噴霧された第二ミストは、それぞれの原料が均一になるようにバッファ手段４５により集合され、形成した混在ミスト４３が吐出口４４ａから被処理体１１に噴霧され、ＦＴＯ膜からなる透明導電体３２を作製する。
なお、ミストを混合する場合、ミストがお互いに反発し合い、くっつくこと無く、被処理体１１に到達させるために、ミストの粒径は０．１〜１００μｍが好ましく、さらに望ましくは１〜５０μｍである。１００μｍより大きいとミスト同士がくっつき、大きなミストとなって成膜にバラツキが生じる。また、０．１μｍよりも小さいと成膜速度が遅くなってしまう。
【００３８】
また、被処理体１１は、所定の温度に加熱された状態に保持されていることが好ましく、保持温度としては、出発原料や原料溶液の種類によって異なるが、２５０〜７００℃の温度範囲が好ましい。このように被処理体１１の温度を制御するためには、図２に示したような温度制御手段４２、すなわち支持手段４１に内蔵された形態のもの（たとえば、シーズヒータやホットプレート等）の他に、支持手段４１とは別体をなす形態のもの（たとえば、ランプや加熱雰囲気等）を使用しても良い。
【００３９】
また、第二製造装置４０には、被処理体１１の一面１１ａに向けて放射状に噴霧された混在ミスト（図２の斜線部分）４３を安定させると共に、ＦＴＯ膜からなる透明導電体３２の堆積（成膜）面を安定させる上からも、吐出口４４ａと被処理体１１との空間４６を包み込むように配置されるフード４７を備える構成が好ましい。これにより、外気の影響が遮断され、適切な成膜条件の制御性が向上するので、量産する際に、所望の特性を有するＦＴＯ膜を、広い面積に亘って確実に製造可能となる。このようなフード４７は、その内部空間４６から装置の外部へ原料溶液が飛散し、無駄な使用量が増加するのを防ぐ働きもすることから、フード４７は原料溶液の利用効率の向上に寄与する。
【００４０】
次に、本実施形態に係る透明導電膜の成膜方法を説明する。
まず、支持手段４１上に被処理体１１を載置し、温度制御手段４２により前記被処理体１１の温度を調整する。
次いで、第一生成手段４８及び第二生成手段４９により前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する。
引き続き、各成分からなるミストをバッファ手段４５に集合させて混在ミスト４３を形成する。
その後、吐出手段４４により被処理体１１に対して生成された混在ミスト４３を噴霧する。
そして、噴霧前に形成した混在ミストを、被処理体としてのガラス基材１１上に堆積させて、透明導電膜（たとえばＦＴＯ膜）成膜する。
【００４１】
このように本発明の第二製造装置によれば、以下のような種々の効果を有する。
（１）簡単な装置で所望の厚さの薄膜を効率良く低コストで形成するができる。
（２）単一もしくは数種類の原料を溶媒に溶かした原料溶液を個別に作製し、それぞれミスト化して噴霧して透明導電膜（たとえばＦＴＯ膜）を成膜するので、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類を制限されることが無く、反応する原料同士を混ぜなくて良い。
（３）単一原料を溶媒に溶かした場合、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能なので、他の原料によって濃度が制限されることが無い。
（４）原料の種類を容易に増やすことができ、溶媒も数種類使用することができるので、目的にあった原料や溶媒を自由に選択することができる。
（５）原料溶液の濃度やミスト発生量、ミスト化された原料溶液の噴霧量を個別に調節することができるので、より適切な成膜条件を得ることができ、高性能な透明導電膜を成膜することができる。
（６）原料溶液の管理が容易になり、長期保存が可能となる。
【００４２】
次に、本実施形態に関わる透明導電性基板について、説明する。
本発明に関わる透明導電性基板に関しては、ガラス基板の一面に透明導電膜が配されている。
ガラス基板に関しては、厚さは０．０５〜１μｍとするのが好ましい。
また、透明導電膜に関しては、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＺｎＯ、等が材料として挙げられ、特に、フッ素ドープ酸化すず（ＦＴＯ）を薄膜とするのが好ましい。
また、全光線透過率は８０％以上とするのが好ましく、より好ましくは９０％以上である。
キャリア密度に関しては、２．０×１０２０以上が好ましく、より好ましくは３．０×１０２０、更に好ましくは５．０×１０２０である。
移動度（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）に関しては３０以上が好ましく、より好ましくは４０以上である。
本発明によれば、赤外光に対しても高いヘイズ率を有するので、光電変換効率に優れた透明導電性基板を得ることが可能となる。
【実施例】
【００４３】
次に、本発明の実施例について説明する。
まず、第一製造装置２０を用いて、ＳＰＤ法により、被処理体としてのガラス基材上に透明導電膜としてフッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）膜を成膜する場合について説明する。
なお、実施例は、本発明をより理解するために、透明導電膜としてＦＴＯ膜を成膜する場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な薄膜を形成するのに用いることができる。また、今回は原料、溶媒を二種類しか用いていないが、二種類に限定すること無く、二種類以上の原料、溶媒を用いても構わない。
【００４４】
事前に、実施例１〜３として、実施例ごとにＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例１の原料溶液とした。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒をエタノールとする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例２の原料溶液とした。
さらに、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ） とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例３の原料溶液とした。
【００４５】
次に、上記実施例（実施例１〜３）ごと、第一原料溶液を第一生成手段２８に供給しミストを形成した後、空気（Ａｉｒ：矢印α）を導入し、第一生成手段２８からミスト化された原料溶液（矢印β）を第一吐出手段２４Ａの中に導入し、第一吐出口２４ａから被処理体１１の一面に向けて第一ミスト２３Ａを噴霧すると共に、第二原料溶液を第二生成手段２９に供給しミストを形成した後、空気（Ａｉｒ：矢印γ）を導入し、第二生成手段２９からミスト化された原料溶液（矢印δ）を第二吐出手段２４Ｂの中に導入し、第二吐出口２４ｂから被処理体１１の一面に向けて第二ミスト２３Ｂを噴霧することにより、それぞれ被処理体１１上にＦＴＯ膜からなる透明導電体１２を作製した。この際、ミストの粒径は０．１〜１００μｍである。
【００４６】
ここで、被処理体１１としては何れも、硼珪酸ガラス基材（ＳＣＨＯＴＴ社製、型番：８３３０、サイズ：５００×５００×２［ｍｍ］）を用い、この硼珪酸ガラス基材を支持手段２１に設置し、室温から３００〜４５０℃の表面温度に達するまで加熱した。また、加熱方法は、硼珪酸ガラス基材１１の下部に配された温度制御手段２２からの伝熱に加えて、フード２７上部に配された赤外線ランプ（不図示）からの熱線輻射によるものとした。そして、硼珪酸ガラス基材１１の表面温度が安定したことを確認してから、硼珪酸ガラス基材１１の温度を４００℃に保持し、ＦＴＯ膜を形成した。
【００４７】
また、第一製造装置２０では、第一生成手段２８で生成されたミストを第一吐出手段２４Ａまで誘導する搬送路、及び第二生成手段２９で生成されたミストを第二吐出手段２４Ｂまで誘導する搬送路には、伸縮性を有する塩化ビニル製の蛇腹パイプを採用し、内面にはフッ素樹脂加工を施して撥水性を確保した。
【００４８】
以上の実施例１〜３により得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗をそれぞれ測定し、その結果を表１に示した。
また、実施例４として、実施例１の原料溶液のうち、第一原料溶液のみ２倍のミスト量で成膜し、同様に、得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表１に示した。
【００４９】
一方、以下の比較例ごとに、比較例とするＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ比較例１の原料溶液とした。上記実施例１〜３と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。この際、ミストの粒径は５０〜５００μｍである。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．３ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、０．８ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液とを混合し、比較例２の原料溶液とした。
さらに、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ） とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液とを混合し、比較例３の原料溶液とした。
【００５０】
そして、上記比較例（比較例１〜３）ごとに、上記実施例１〜３と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。その後、得られた透明導電性基板について、前記ＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表１に示した。
【００５１】
【表１】
【００５２】
表１に示す結果より、第一製造装置では、原料溶液の溶媒を変更したり、原料溶液の濃度を変更したりしても、シート抵抗が上昇すること無く、改善できたことが分かった。したがって、目的にあった原料や溶媒を選択する自由度を高め、より適切で高性能な透明導電膜が形成された透明導電性基板を得ることができる。
しかも、ミスト量を増大しても、シート抵抗が上昇してしまうことがないので、成膜速度を速める効果を有することが分かった。
また、第一製造装置２０を用いて作製した透明導電膜は何れも（実施例１〜４）、抵抗分布の面内バラツキが±２０％程度であった。
【００５３】
次に、上記実施例１から４、及び上記比較例１〜３にて調整した原料溶液をそれぞれ室温で１ヶ月放置後、沈殿が生じているか否か目視により調べた。なお、沈殿が生じなかった場合を「○」、沈殿が生じた場合を「×」として、表２に示した。
【００５４】
【表２】
【００５５】
表２に示す結果より、第一製造装置では、原料溶液に沈殿が発生しないものとすることができるので、原料溶液の管理が容易になり、長期保存が可能なことがわかる。
【００５６】
次に、第二製造装置４０を用いて、ＳＰＤ法により、被処理体としてのガラス基材上に透明導電膜としてフッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）膜を成膜する場合について説明する。
なお、本実施例は、本発明をより理解するために、透明導電膜としてＦＴＯ膜を成膜する場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な薄膜を形成するのに用いることができる。また、今回は原料、溶媒を二種類しか用いていないが、二種類に限定すること無く、二種類以上の原料、溶媒を用いても構わない。
【００５７】
事前に、実施例５〜７として、実施例ごとにＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例５の原料溶液とした。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒をエタノールとする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例６の原料溶液とした。
さらに、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ） とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例７の原料溶液とした。
【００５８】
次に、上記実施例（実施例５〜７）ごと、第一原料溶液を第一生成手段４８に供給しミストを形成した後、バッファ手段４５へ導入すると共に、第二原料溶液を第二生成手段４９に供給しミストを形成した後、バッファ手段４５へ導入し、さらに、空気（Ａｉｒ：矢印α）を導入し、バッファ手段４５から集合させた混在ミスト（矢印β）を吐出手段４４の中に導入し、吐出口４４ａから被処理体１１の一面に向けて混在ミスト４３を噴霧することにより、被処理体１１上にＦＴＯ膜からなる透明導電体３２を作製した。この際、ミストの粒径は０．１〜１００μｍである。
【００５９】
ここで、被処理体１１としては何れも、硼珪酸ガラス基材（ＳＣＨＯＴＴ社製、型番：８３３０、サイズ：５００×５００×２［ｍｍ］）を用い、この硼珪酸ガラス基材を支持手段２１に設置し、室温から３００〜４５０℃の表面温度に達するまで加熱した。また、加熱方法は、硼珪酸ガラス基材１１の下部に配された温度制御手段２２からの伝熱に加えて、フード２７上部に配された赤外線ランプ（不図示）からの熱線輻射によるものとした。そして、硼珪酸ガラス基材１１の表面温度が安定したことを確認してから、硼珪酸ガラス基材１１の温度を４００℃に保持し、ＦＴＯ膜を形成した。
【００６０】
また、第二製造装置４０では、第一生成手段４８で生成されたミストと第二生成手段４９で生成されたミストとをバッファ手段４５に集合させて形成した混在ミストを、バッファ手段４５から吐出手段４４まで誘導する搬送路には、伸縮性を有する塩化ビニル製の蛇腹パイプを採用し、内面にはフッ素樹脂加工を施して撥水性を確保した。
【００６１】
また、ミストを混合するバッファ手段４５の断面積は、搬送路の断面積に比して１０倍であり、幅は（タンクの面積）１／２ の体積を有している。
【００６２】
以上の実施例５〜７により得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗をそれぞれ測定し、その結果を表３に示した。
また、実施例８として、実施例５の原料溶液のうち、第一原料溶液のみ２倍のミスト量で成膜し、同様に、得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表３に示した。
【００６３】
一方、以下の比較例ごとに、比較例とするＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ比較例４の原料溶液とした。上記実施例５〜７と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。この際、ミストの粒径は５０〜５００μｍである。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．３ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、０．８ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液とを混合し、比較例５の原料溶液とした。
さらに、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ） とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液とを混合し、比較例６の原料溶液とした。
【００６４】
そして、上記比較例（比較例４〜６）ごとに、上記実施例５〜７と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。その後、得られた透明導電性基板について、前記ＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表３に示した。
また、比較例７として、搬送路にミストを混合するバッファ手段を設けなかったこと以外は実施例５と同様にして成膜し、得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表３に示した。
【００６５】
【表３】
【００６６】
表３に示す結果より、第二製造装置では、原料溶液の溶媒を変更したり、原料溶液の濃度を変更したりしても、シート抵抗が上昇すること無く、改善できたことが分かった。したがって、目的にあった原料や溶媒を選択する自由度を高め、より適切で高性能な透明導電膜が形成された透明導電性基板を得ることができる。
しかも、ミスト量を増大しても、シート抵抗が上昇してしまうことがないので、成膜速度を速める効果を有することが分かった。
また、第二製造装置４０を用いて作製した透明導電膜は何れも（実施例５〜８）、抵抗分布の面内バラツキが±１０％程度であった。ゆえに、前述した第一製造装置２０に比べて第二製造装置４０は、抵抗分布の面内バラツキを抑制できることが分かった。また、バッファ手段を設けなかった比較例７の抵抗分布の面内バラツキは±１５％であった。これにより、バッファー手段を設けた方が面内のバラツキを小さくすることができることが分かった。
【００６７】
次に、上記実施例５から８、及び上記比較例５〜８にて調整した原料溶液をそれぞれ室温で１ヶ月放置後、沈殿が生じているか否か目視により調べた。なお、沈殿が生じなかった場合を「○」、沈殿が生じた場合を「×」として、表４に示した。
【００６８】
【表４】
【００６９】
表４に示す結果より、第二構造の本装置では、原料溶液に沈殿が発生しないものとすることができるので、原料溶液の管理が容易になり、長期保存が可能なことがわかる。
【００７０】
（ヘイズ率の測定）
次に、第一製造装置２０を用いて、ＳＰＤ法により、被処理体としてのガラス基材上に透明導電膜としてフッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）膜を成膜し、波長６００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍに対するヘイズ率、およびヘイズ率の比（Ｈλ＝１０００／Ｈλ＝６００）を測定した。
【００７１】
事前に、実施例９〜１０として、実施例ごとにＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例９の原料溶液とした。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、水とする、１．５ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、３．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例１０の原料溶液とした。
【００７２】
次に、上記実施例（実施例９〜１０）ごと、第一原料溶液を第一生成手段２８に供給しミストを形成した後、空気（Ａｉｒ：矢印α）を導入し、第一生成手段２８からミスト化された原料溶液（矢印β）を第一吐出手段２４Ａの中に導入し、第一吐出口２４ａから被処理体１１の一面に向けて第一ミスト２３Ａを噴霧すると共に、第二原料溶液を第二生成手段２９に供給しミストを形成した後、空気（Ａｉｒ：矢印γ）を導入し、第二生成手段２９からミスト化された原料溶液（矢印δ）を第二吐出手段２４Ｂの中に導入し、第二吐出口２４ｂから被処理体１１の一面に向けて第二ミスト２３Ｂを噴霧することにより、それぞれ被処理体１１上にＦＴＯ膜からなる透明導電体１２を作製した。この際、ミストの粒径は０．１〜１００μｍである。
【００７３】
ここで、被処理体１１としては何れも、硼珪酸ガラス基材（ＳＣＨＯＴＴ社製、型番：８３３０、サイズ：５００×５００×２［ｍｍ］）を用い、この硼珪酸ガラス基材を支持手段２１に設置し、室温から３００〜４５０℃の表面温度に達するまで加熱した。また、加熱方法は、硼珪酸ガラス基材１１の下部に配された温度制御手段２２からの伝熱に加えて、フード２７上部に配された赤外線ランプ（不図示）からの熱線輻射によるものとした。そして、硼珪酸ガラス基材１１の表面温度が安定したことを確認してから、硼珪酸ガラス基材１１の温度を３００〜４５０℃に保持し、１５分間、ＦＴＯ膜を形成した。
【００７４】
また、第一製造装置２０では、第一生成手段２８で生成されたミストを第一吐出手段２４Ａまで誘導する搬送路、及び第二生成手段２９で生成されたミストを第二吐出手段２４Ｂまで誘導する搬送路には、伸縮性を有する塩化ビニル製の蛇腹パイプを採用し、内面にはフッ素樹脂加工を施して撥水性を確保した。
【００７５】
以上の実施例９〜１０により得られた透明導電性基板について、６００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍの波長に対するヘイズ率をそれぞれ測定し、その結果を表５に示した。
【００７６】
一方、以下の比較例とするＦＴＯ膜を形成するための原料溶液を調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．５ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ比較例８の原料溶液とした。上記実施例９〜１０と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。
【００７７】
そして、上記比較例８は、上記実施例９〜１０と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。その後、得られた透明導電性基板について、前記ＦＴＯ膜の導電特性として６００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍの波長に対するヘイズ率をそれぞれ測定し、併せてその結果を表５に示した。
【００７８】
【表５】
【００７９】
表５に示す結果より、第一製造装置により作製された透明導電性基板では、入射光の波長が長波長となっても、ヘイズ率が１０％以上と高い数値を示した。また、波長の長さによらず、ほぼ一定のヘイズ率を示した。
【００８０】
次に、上記実施例９〜１０、及び上記比較例８にて得られたヘイズ率の比（Ｈλ＝１０００／Ｈλ＝６００）を表６に示した。
【００８１】
【表６】
【００８２】
表６に示す結果より、第一製造装置により作製された透明導電性基板では、従来行われていた可視光領域のヘイズ率と大差ないことが示された。
以上、表３および表４から、赤外領域においても高いヘイズ率を有する透明導電性基板を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第一製造装置の構造を示す概略図である。
【図２】本発明の第二製造装置の構造を示す概略図である。
【図３】従来の製造装置の構造を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０ 透明導電性基板、１１ 被処理体（ガラス基材）、１２ 透明導電体（ＦＴＯ膜）、２０ 第一製造装置、２１ 支持手段、２２ 温度制御手段、２３Ａ 第一ミスト、２３Ｂ 第二ミスト、２４Ａ 第一吐出手段、２４ａ 第一吐出口、２４Ｂ 第二吐出手段、２４ｂ 第二吐出口、２６ 空間、２７ フード、２８ 第一生成手段、２９ 第二生成手段、３０ 透明導電性基板、３２ 透明導電体（ＦＴＯ膜）、４０ 第二製造装置、４１ 支持手段、４２ 温度制御手段、４３ 混在ミスト、４４ 吐出手段、４４ａ 吐出口、４５ バッファ手段、４６ 空間、４７ フード、４８ 第一生成手段、４９ 第二生成手段。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スプレー熱分解（ＳＰＤ：Spray Pyrolysis Deposition）法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等においては、たとえば絶縁体であるガラスなどからなる透明な基材上に透明導電膜（ＴＣＦ：Transparent Conductive Films）を成膜した透明導電性基板が広く利用されている。
この透明導電膜は、酸化物透明導電体（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）とも称されるスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）や酸化スズ（ＴＯ：Tin Oxide）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ：Fluorine-doped Tin Oxide）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ：Antimony-doped Tin Oxide）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：Zinc Oxide）等の導電性金属酸化物を主成分とする半導体セラミックスの膜で、可視光に対する優れた透明性と優れた電気伝導性を併せ持っている。この透明導電膜の中でも、特にＩＴＯを主成分とする透明導電膜が広く知られており、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、テレビジョン、携帯用電話機等の液晶表示装置（ＬＣＤ）に応用されている。
【０００３】
また、太陽電池においては、光電変換効率の向上が最も重要な課題である。この光電変換効率の向上を達成する方法として、この透明導電膜の表面を凹凸化する方法が知られている。この凹凸化により、入射光が透明導電膜と発電層の界面で散乱される。この散乱効果により、入射光の表面反射損失の低減、発電層における吸収の増大、短絡電流密度の増大が得られる。これにより、光電変換効率が向上する。
【０００４】
このようなＩＴＯ等の透明導電膜を、透明基材上に成膜する方法として、ＳＰＤ法がある。
ＳＰＤ法は、あらかじめ成膜温度まで加熱された基板に向けて、霧化器等の噴霧手段を用いて膜の原料となる溶液を噴霧することにより、反応初期には、基材表面に付着した液滴中の溶媒の蒸発と、溶質の熱分解に続く加水分解反応、及び熱酸化反応することにより結晶が成形される。反応が進むと基材上に形成した結晶（多結晶膜）上に、液滴が付着し、液滴中の溶媒蒸発と共に、溶質および下部の結晶間で結晶成長が進む、という一連の反応を応用した技術である。
このＳＰＤ法では、噴霧に好適な透明導電膜の出発原料として、金属無機塩の水溶液またはアルコール溶液、あるいは有機溶剤中に有機金属化合物や有機酸塩を溶解した有機溶剤系溶液、あるいはこれらの溶液を混合してなる混合溶液等が用いられている。基材の温度は、出発原料や原料溶液の種類によって異なるが、２５０〜７００℃の温度範囲に設定される。このようなＳＰＤ法は、成膜装置が簡易で、原料も比較的安価なため、低コストで透明導電膜等の形成が可能である。
【０００５】
また、上述したＳＰＤ法以外に、複数の種類の原料を含む薄膜を製造する方法としては、いかに説明する（１）〜（４）の方法が提案されている。
（１）一つの気化器に複数の液体原料を時分割送入することで、あるいは一つの気化器に独立した複数の部屋を持たせることで、多くの気化器を必用としないで液体原料を気化し、気化後に混合して、ＣＶＤ（化学気相体積）法により成膜するようにした技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
（２）高温に保持された気化チャンバ内へ複数の液体材料を混合して噴霧し、噴霧した液体材料を気化することで、ＣＶＤ（化学気相体積）法により成膜するようにした技術が提案されている（特許文献２参照）。
【０００７】
（３）異なる組成のスプレー噴霧液を所望の噴霧量比で混合した後、一つのスプレーノズルから直接噴霧することで、ＳＰＤ法により成膜するようにした技術が提案されている（特許文献３参照）。
【０００８】
（４）超臨界状態の流体又は液体に成膜原料を混合して原料流体を形成し、この原料流体を基板表面に供給して加熱処理を施すことで、ゾルゲル成膜法により成膜するようにした技術が提案されている（特許文献４参照）。
【０００９】
しかしながら、従来のＳＰＤ法や上記（１）〜（４）に説明した各成膜法によって透明導電膜を製造する場合、複数の原料を混合して使用するため、次のような問題があった。
（イ）最初から複数の原料を混合すると、溶媒が反応して副生成物を作る場合がある。
（ロ）混合する原料の種類が制限されることがある。
（ハ）混合する全ての原料が溶ける溶媒を用いなければならない。
（ニ）溶媒に原料が溶ける割合が制限される場合があるため、高性能な成膜が行えない。
【００１０】
ＳＰＤ法により、透明基材等からなる被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置としては、たとえば、図３に示すようなものがある。
この製造装置１００は、被処理体１１１を載置する支持手段１２１と、被処理体１１１の一面１１１ａに向けて、透明導電膜の原料溶液からなるミスト１２３を吐出口１２４ａから噴霧する吐出手段１２４と、前記原料溶液に含有される透明導電膜原料の濃度を調整する濃度制御手段１２５と、前記被処理体１１１の温度を調整する温度制御手段１２２と、を少なくとも備えている。
吐出手段１２４は、空気（Ａｉｒと表記）を取り込む第一導入路１２４αと、濃度制御手段１２５によって透明導電膜原料の濃度が調整された原料溶液を取り込む第二導入路１２４βとを備え、たとえば、矢印αの方向に空気を、矢印βの方向に原料溶液を導入し、これらを混ぜ合わせてミスト（「液滴とエアーの混合物」を指す）化を図った上で、吐出口１２４ａを通して被処理体１１１の一面１１１ａに向けて噴霧する。
また、製造装置１００には、前記一面１１１ａに向けて放射状に噴霧したミスト１２３を安定させると共に、透明導電膜１１２の堆積（成膜）面を安定させる上から、吐出手段１２４と被処理体１１１との空間１２６を包み込むように配置されるフード１２７が備えられている。
【００１１】
このような成膜装置を用いてＦＴＯ膜を成膜する場合、原料溶液は、酸化スズの原料とドープするフッ素を含む原料を溶媒に混合し、成膜を行なう。具体的には、酸化スズの原料に酸化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４ ／５Ｈ２Ｏ）、ドープするフッ素を含む原料にフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を用いることがあるが、この二つの原料は、高濃度にすると容易に沈殿を生じるものであった。また、フッ化アンモニウムはアルコールに溶けにくいため、水溶媒もしくはアルコールと水の混合溶媒を用いなければならなかった。
しかも、ＳＰＤ法以外の方法は、ＳＰＤ法に比べて装置が複雑かつ高価であったり、所望の厚さの薄膜を安定して得ることが困難であったり、工程の増加や消費エネルギーの増加によるコスト負担が大きいものであった。
【００１２】
また、太陽電池に用いられる透明導電性基板に関して、太陽光からは可視光領域よりも長波長側の赤外光も地上に達しているにも関わらず、ヘイズ率の制御は可視光領域に対して行われていることがほとんどであった。
【特許文献１】特開２０００−５８５２８号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０５４６号公報
【特許文献３】特開２００３−２０５２３５号公報
【特許文献４】特開２００３−２１３４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類に制限されること無く、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能な、ＳＰＤ法による透明導電性基板の製造装置を提供することを第一の目的とする。
また、可視光よりも長波長側の赤外光のヘイズ率を制御し、より多くの光を散乱することができる透明導電性基板と、その製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１に係る透明導電性基板の製造装置は、スプレー熱分解法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、前記生成手段の各々と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する複数の吐出手段と、前記被処理体の温度を調整する温度制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項２に係る透明導電性基板の製造装置は、スプレー熱分解法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、前記生成手段の各々と個別に繋がり、各成分からなるミストを集合させて混在ミストを形成するバッファ手段と、前記バッファ手段と繋がり、前記被処理体の一面に向けて、混在ミストを噴霧する吐出手段と、前記被処理体の温度を調整する温度制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項３に係る透明導電性基板は、請求項１又は請求項２に記載の透明導電性基板の製造装置を用いた透明導電性基板であって、８００〜１０００ｎｍの入射光に対してヘイズ率が１０％以上であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項４に係る透明導電性基板は、請求項３において、前記透明導電性基板は、１０００ｎｍの入射光に対するヘイズ率を６００ｎｍの入射光に対するヘイズ率で除してなる比が０．８以上であることを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項５に係る透明導電性基板の製造方法は、請求項１又は請求項２に記載の透明導電性基板の製造装置を用い、前記被処理体の一面上に前記透明導電膜を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の請求項１に係る透明導電性基板の製造装置（以下、「第一製造装置」とも呼ぶ。）は、ＳＰＤ法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、特に、前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、前記生成手段の各々と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する複数の吐出手段と、を備えたことにより、透明導電膜の原料を個別にまたは複数を溶媒に溶かした原料溶液を生成手段によってそれぞれミスト化し、これをそれぞれの吐出手段によって被処理体に向けて噴霧することができる。
ゆえに、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、個別に作製したミストを、複数の成分が均一になるように噴霧後に混合することができ、さらに、混合したミストを被処理体に噴霧することで、複数の種類の成分を含む透明導電膜を成膜することができる。
したがって、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類に制限されること無く、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能な、ＳＰＤ法による透明導電性基板の製造装置を提供することができる。
しかも、原料溶液の濃度やミスト発生量、ミスト化された原料溶液の噴霧量を個別に調節することができるので、より適切な成膜条件を得ることができ、原料や溶媒の種類に左右されること無く、成膜速度を速くすることができる。
【００２０】
また、本発明の請求項２に係る透明導電性基板の製造装置（以下、「第二製造装置」とも呼ぶ。）によれば、ＳＰＤ法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、特に、前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、前記生成手段の各々と個別に繋がり、各成分からなるミストを集合させて混在ミストを形成するバッファ手段と、前記バッファ手段と繋がり、前記被処理体の一面に向けて、混在ミストを噴霧する吐出手段と、を備えたことにより、透明導電膜の原料を個別にまたは複数を溶媒に溶かした原料溶液を生成手段によってそれぞれミスト化し、これを複数の原料が均一になるようにバッファ手段によって集合させて混在ミストを形成し、この混在ミストを吐出手段によって被処理体に向けて噴霧することができる。
ゆえに、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、個別に作製したミストを、複数の成分が均一になるように噴霧前に混合することができ、さらに、混合したミストを被処理体に噴霧することで、複数の種類の成分を含む透明導電膜を成膜することができる。
したがって、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類に制限されること無く、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能な、ＳＰＤ法による透明導電性基板の製造装置を提供することができる。
しかも、原料溶液の濃度やミスト発生量（混在ミスト成分比）を個別に調節することができるので、より適切な成膜条件を得ることができ、原料や溶媒の種類に左右されること無く、成膜速度を速くすることができる。
【００２１】
また、本発明の請求項３に係る透明導電性基板は、８００〜１０００ｎｍの入射光に対してヘイズ率が１０％以上を有する。よって、波長の長い赤外光をも利用することができる透明導電性基板を提供することができる。
【００２２】
本発明の請求項４に係る透明導電性基板によれば、６００ｎｍと１０００ｎｍの入射光に対するヘイズ率の比が、０．８以上である。このことによって、従来利用されていた可視光と同様に赤外光をも利用することが可能である。
【００２３】
本発明の請求項５に係る透明導電性基板の製造方法によれば、可視光と同様に赤外光をも利用することができる透明導電性基板を効率良く作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（透明導電性基板の製造装置）
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
まず、本発明に係る透明導電性基板の製造装置としては、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに個別に作製したミストを、複数の成分が均一になるように噴霧後に混合する第一構造を備える第一製造装置と、透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに個別に作製したミストを、複数の成分が均一になるように噴霧前に混合する第二構造を備える第二製造装置との２つのタイプが挙げられる。
【００２５】
＜第一実施形態＞
以下では、第一構造を備える透明導電性基板の製造装置（第一製造装置）について説明する。
ここでは、ＳＰＤ法により、被処理体としてガラス基材（透明基材）を用い、その一面上に透明導電膜として二種類の原料を含むＦＴＯ膜を作製する場合を例に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２６】
図１は、本発明の第一製造装置の一例を示す概略構成図である。
図１に示すように、本実施形態における第一製造装置２０は、スプレー熱分解法により被処理体１１の一面上にＦＴＯ膜からなる透明導電体１２を形成する透明導電性基板１０の製造装置であって、前記被処理体１１を載置する支持手段２１と、前記ＦＴＯ膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する第一生成手段２８及び第二生成手段２９と、前記第一生成手段２８と個別に繋がり、前記被処理体１１の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する第一吐出手段２４Ａと、前記第二生成手段２９と個別に繋がり、前記被処理体１１の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する第二吐出手段２４Ｂと、前記被処理体１１の温度を調整する温度制御手段２２と、を少なくとも備えている。
【００２７】
第一吐出手段２４Ａは、空気（Ａｉｒと表記）を取り込む第一導入路２４αと、第一生成手段２８によってミスト（「液滴とエアーの混合物」を指す）化された透明導電膜原料溶液を取り込む第二導入路２４βとを備え、たとえば、矢印αの方向に空気を、矢印βの方向にミスト化された原料溶液を導入し、第一吐出口２４ａを通して被処理体１１の一面１１ａに向けて噴霧する。
一方、第二吐出手段２４Ｂは、空気（Ａｉｒと表記）を取り込む第一導入路２４γと、第二生成手段２９によってミスト（「液滴とエアーの混合物」を指す）化された透明導電膜原料溶液を取り込む第二導入路２４δとを備え、たとえば、矢印γの方向に空気を、矢印δの方向にミスト化された原料溶液を導入し、第二吐出口２４ｂを通して被処理体１１の一面１１ａに向けて噴霧する。
【００２８】
したがって、第一吐出口２４ａから噴霧された第一ミスト２３Ａと、第二吐出口２４ｂから噴霧された第二ミスト２３Ｂは、それぞれの原料が均一になるように噴霧後に混合され、混合したミストが被処理体１１に噴霧され、ＦＴＯ膜からなる透明導電体１２を作製する。
なお、ミストを混合する場合、ミストがお互いに反発し合い、くっつくこと無く、被処理体１１に到達させるために、ミストの粒径は０．１〜１００μｍが好ましく、さらに望ましくは１〜５０μｍである。１００μｍより大きいとミスト同士がくっつき、大きなミストとなって成膜にバラツキが生じる。また、０．１μｍよりも小さいと成膜速度が遅くなってしまう。
【００２９】
また、被処理体１１は、所定の温度に加熱された状態に保持されていることが好ましく、保持温度としては、出発原料や原料溶液の種類によって異なるが、２５０〜７００℃の温度範囲が好ましい。このように被処理体１１の温度を制御するためには、図１に示したような温度制御手段２２、すなわち支持手段２１に内蔵された形態のもの（たとえば、シーズヒータやホットプレート等）の他に、支持手段２１とは別体をなす形態のもの（たとえば、ランプや加熱雰囲気等）を使用しても良い。
【００３０】
また、第一製造装置２０には、被処理体１１の一面１１ａに向けて放射状に噴霧された第一ミスト（図１の左側斜線部分）２３Ａと第二ミスト（図１の右側斜線部分）２３Ｂを安定させると共に、ＦＴＯ膜からなる透明導電体１２の堆積（成膜）面を安定させる上からも、第一吐出口２４ａと第二吐出口２４ｂと被処理体１１との空間２６を包み込むように配置されるフード２７を備える構成が好ましい。これにより、外気の影響が遮断され、適切な成膜条件の制御性が向上するので、量産する際に、所望の特性を有するＦＴＯ膜を、広い面積に亘って確実に製造可能となる。このようなフード２７は、その内部空間２６から装置の外部へ原料溶液が飛散し、無駄な使用量が増加するのを防ぐ働きもすることから、フード２７は原料溶液の利用効率の向上に寄与する。
【００３１】
次に、本実施形態に係る透明導電膜の成膜方法を説明する。
まず、支持手段２１上に被処理体１１を載置し、温度制御手段２２により前記被処理体１１の温度を調整する。
次いで、第一生成手段２８及び第二生成手段２９により前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する。
その後、第一吐出手段２４Ａにより被処理体１１に対して生成された第一ミスト２３Ａを噴霧し、第二吐出手段２４Ｂにより被処理体１１に対して生成された第二ミスト２３Ｂを噴霧する。
そして、第一ミスト２３Ａと第二ミスト２３Ｂとを噴霧後に混合したミストを、被処理体としてのガラス基材１１上に堆積させて、透明導電膜（たとえばＦＴＯ膜）成膜する。
【００３２】
このように本発明の第一製造装置によれば、以下のような種々の効果を有する。
（１）簡単な装置で所望の厚さの薄膜を効率良く低コストで形成するができる。
（２）単一もしくは数種類の原料を溶媒に溶かした原料溶液を個別に作製し、それぞれミスト化して噴霧して透明導電膜（たとえばＦＴＯ膜）を成膜するので、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類を制限されることが無く、反応する原料同士を混ぜなくて良い。
（３）単一原料を溶媒に溶かした場合、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能なので、他の原料によって濃度が制限されることが無い。
（４）原料の種類を容易に増やすことができ、溶媒も数種類使用することができるので、目的にあった原料や溶媒を自由に選択することができる。
（５）原料溶液の濃度やミスト発生量、ミスト化された原料溶液の噴霧量を個別に調節することができるので、より適切な成膜条件を得ることができ、高性能な透明導電膜を成膜することができる。
（６）原料溶液の管理が容易になり、長期保存が可能となる。
【００３３】
しかも、本発明によれば、ミスト化した原料溶液を噴霧するものに限らず、原料溶液を液体のまま吐出手段より噴霧するものとしても良い。
【００３４】
＜第二実施形態＞
以下では、第二構造を備える透明導電性基板の製造装置（第二製造装置）について説明する。
ここでは、ＳＰＤ法により、被処理体としてガラス基材（透明基材）を用い、その一面上に透明導電膜として二種類の原料を含むＦＴＯ膜を作製する場合を例に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３５】
図２は、本発明の第二製造装置の一例を示す概略構成図である。
図２に示すように、本実施形態における第二製造装置４０は、スプレー熱分解法により被処理体１１の一面上にＦＴＯ膜からなる透明導電体３２を形成する透明導電性基板３０の製造装置であって、前記被処理体１１を載置する支持手段４１と、前記ＦＴＯ膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する第一生成手段４８及び第二生成手段４９と、前記生成手段４８，４９の各々と個別に繋がり、各成分からなるミストを集合させて混在ミスト４３を形成するバッファ手段４５と、前記バッファ手段４５と繋がり、前記被処理体１１の一面に向けて、混在ミストを噴霧する吐出手段４４と、前記被処理体１１の温度を調整する温度制御手段４２と、を少なくとも備えている。
【００３６】
吐出手段４４は、空気（Ａｉｒと表記）を取り込む第一導入路４４αと、第一生成手段４８によってミスト（「液滴とエアーの混合物」を指す）化された透明導電膜原料溶液と、第二生成手段４９によってミスト化された透明導電膜原料溶液を集合させて形成した混在ミストを、バッファ手段４５より取り込む第二導入路４４βとを備え、たとえば、矢印αの方向に空気を、矢印βの方向にミスト化された原料溶液を導入し、吐出口４４ａを通して被処理体１１の一面１１ａに向けて噴霧する。
【００３７】
したがって、第一生成手段４８から噴霧された第一ミストと、第二生成手段４９から噴霧された第二ミストは、それぞれの原料が均一になるようにバッファ手段４５により集合され、形成した混在ミスト４３が吐出口４４ａから被処理体１１に噴霧され、ＦＴＯ膜からなる透明導電体３２を作製する。
なお、ミストを混合する場合、ミストがお互いに反発し合い、くっつくこと無く、被処理体１１に到達させるために、ミストの粒径は０．１〜１００μｍが好ましく、さらに望ましくは１〜５０μｍである。１００μｍより大きいとミスト同士がくっつき、大きなミストとなって成膜にバラツキが生じる。また、０．１μｍよりも小さいと成膜速度が遅くなってしまう。
【００３８】
また、被処理体１１は、所定の温度に加熱された状態に保持されていることが好ましく、保持温度としては、出発原料や原料溶液の種類によって異なるが、２５０〜７００℃の温度範囲が好ましい。このように被処理体１１の温度を制御するためには、図２に示したような温度制御手段４２、すなわち支持手段４１に内蔵された形態のもの（たとえば、シーズヒータやホットプレート等）の他に、支持手段４１とは別体をなす形態のもの（たとえば、ランプや加熱雰囲気等）を使用しても良い。
【００３９】
また、第二製造装置４０には、被処理体１１の一面１１ａに向けて放射状に噴霧された混在ミスト（図２の斜線部分）４３を安定させると共に、ＦＴＯ膜からなる透明導電体３２の堆積（成膜）面を安定させる上からも、吐出口４４ａと被処理体１１との空間４６を包み込むように配置されるフード４７を備える構成が好ましい。これにより、外気の影響が遮断され、適切な成膜条件の制御性が向上するので、量産する際に、所望の特性を有するＦＴＯ膜を、広い面積に亘って確実に製造可能となる。このようなフード４７は、その内部空間４６から装置の外部へ原料溶液が飛散し、無駄な使用量が増加するのを防ぐ働きもすることから、フード４７は原料溶液の利用効率の向上に寄与する。
【００４０】
次に、本実施形態に係る透明導電膜の成膜方法を説明する。
まず、支持手段４１上に被処理体１１を載置し、温度制御手段４２により前記被処理体１１の温度を調整する。
次いで、第一生成手段４８及び第二生成手段４９により前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する。
引き続き、各成分からなるミストをバッファ手段４５に集合させて混在ミスト４３を形成する。
その後、吐出手段４４により被処理体１１に対して生成された混在ミスト４３を噴霧する。
そして、噴霧前に形成した混在ミストを、被処理体としてのガラス基材１１上に堆積させて、透明導電膜（たとえばＦＴＯ膜）成膜する。
【００４１】
このように本発明の第二製造装置によれば、以下のような種々の効果を有する。
（１）簡単な装置で所望の厚さの薄膜を効率良く低コストで形成するができる。
（２）単一もしくは数種類の原料を溶媒に溶かした原料溶液を個別に作製し、それぞれミスト化して噴霧して透明導電膜（たとえばＦＴＯ膜）を成膜するので、噴霧する液体材料を構成する原料や溶媒の種類を制限されることが無く、反応する原料同士を混ぜなくて良い。
（３）単一原料を溶媒に溶かした場合、溶媒に原料が溶ける割合を広く設定することが可能なので、他の原料によって濃度が制限されることが無い。
（４）原料の種類を容易に増やすことができ、溶媒も数種類使用することができるので、目的にあった原料や溶媒を自由に選択することができる。
（５）原料溶液の濃度やミスト発生量、ミスト化された原料溶液の噴霧量を個別に調節することができるので、より適切な成膜条件を得ることができ、高性能な透明導電膜を成膜することができる。
（６）原料溶液の管理が容易になり、長期保存が可能となる。
【００４２】
次に、本実施形態に関わる透明導電性基板について、説明する。
本発明に関わる透明導電性基板に関しては、ガラス基板の一面に透明導電膜が配されている。
ガラス基板に関しては、厚さは０．０５〜１μｍとするのが好ましい。
また、透明導電膜に関しては、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＺｎＯ、等が材料として挙げられ、特に、フッ素ドープ酸化すず（ＦＴＯ）を薄膜とするのが好ましい。
また、全光線透過率は８０％以上とするのが好ましく、より好ましくは９０％以上である。
キャリア密度に関しては、２．０×１０２０以上が好ましく、より好ましくは３．０×１０２０、更に好ましくは５．０×１０２０である。
移動度（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）に関しては３０以上が好ましく、より好ましくは４０以上である。
本発明によれば、赤外光に対しても高いヘイズ率を有するので、光電変換効率に優れた透明導電性基板を得ることが可能となる。
【実施例】
【００４３】
次に、本発明の実施例について説明する。
まず、第一製造装置２０を用いて、ＳＰＤ法により、被処理体としてのガラス基材上に透明導電膜としてフッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）膜を成膜する場合について説明する。
なお、実施例は、本発明をより理解するために、透明導電膜としてＦＴＯ膜を成膜する場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な薄膜を形成するのに用いることができる。また、今回は原料、溶媒を二種類しか用いていないが、二種類に限定すること無く、二種類以上の原料、溶媒を用いても構わない。
【００４４】
事前に、実施例１〜３として、実施例ごとにＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例１の原料溶液とした。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒をエタノールとする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例２の原料溶液とした。
さらに、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ） とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例３の原料溶液とした。
【００４５】
次に、上記実施例（実施例１〜３）ごと、第一原料溶液を第一生成手段２８に供給しミストを形成した後、空気（Ａｉｒ：矢印α）を導入し、第一生成手段２８からミスト化された原料溶液（矢印β）を第一吐出手段２４Ａの中に導入し、第一吐出口２４ａから被処理体１１の一面に向けて第一ミスト２３Ａを噴霧すると共に、第二原料溶液を第二生成手段２９に供給しミストを形成した後、空気（Ａｉｒ：矢印γ）を導入し、第二生成手段２９からミスト化された原料溶液（矢印δ）を第二吐出手段２４Ｂの中に導入し、第二吐出口２４ｂから被処理体１１の一面に向けて第二ミスト２３Ｂを噴霧することにより、それぞれ被処理体１１上にＦＴＯ膜からなる透明導電体１２を作製した。この際、ミストの粒径は０．１〜１００μｍである。
【００４６】
ここで、被処理体１１としては何れも、硼珪酸ガラス基材（ＳＣＨＯＴＴ社製、型番：８３３０、サイズ：５００×５００×２［ｍｍ］）を用い、この硼珪酸ガラス基材を支持手段２１に設置し、室温から３００〜４５０℃の表面温度に達するまで加熱した。また、加熱方法は、硼珪酸ガラス基材１１の下部に配された温度制御手段２２からの伝熱に加えて、フード２７上部に配された赤外線ランプ（不図示）からの熱線輻射によるものとした。そして、硼珪酸ガラス基材１１の表面温度が安定したことを確認してから、硼珪酸ガラス基材１１の温度を４００℃に保持し、ＦＴＯ膜を形成した。
【００４７】
また、第一製造装置２０では、第一生成手段２８で生成されたミストを第一吐出手段２４Ａまで誘導する搬送路、及び第二生成手段２９で生成されたミストを第二吐出手段２４Ｂまで誘導する搬送路には、伸縮性を有する塩化ビニル製の蛇腹パイプを採用し、内面にはフッ素樹脂加工を施して撥水性を確保した。
【００４８】
以上の実施例１〜３により得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗をそれぞれ測定し、その結果を表１に示した。
また、実施例４として、実施例１の原料溶液のうち、第一原料溶液のみ２倍のミスト量で成膜し、同様に、得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表１に示した。
【００４９】
一方、以下の比較例ごとに、比較例とするＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ比較例１の原料溶液とした。上記実施例１〜３と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。この際、ミストの粒径は５０〜５００μｍである。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．３ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、０．８ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液とを混合し、比較例２の原料溶液とした。
さらに、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ） とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液とを混合し、比較例３の原料溶液とした。
【００５０】
そして、上記比較例（比較例１〜３）ごとに、上記実施例１〜３と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。その後、得られた透明導電性基板について、前記ＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表１に示した。
【００５１】
【表１】
【００５２】
表１に示す結果より、第一製造装置では、原料溶液の溶媒を変更したり、原料溶液の濃度を変更したりしても、シート抵抗が上昇すること無く、改善できたことが分かった。したがって、目的にあった原料や溶媒を選択する自由度を高め、より適切で高性能な透明導電膜が形成された透明導電性基板を得ることができる。
しかも、ミスト量を増大しても、シート抵抗が上昇してしまうことがないので、成膜速度を速める効果を有することが分かった。
また、第一製造装置２０を用いて作製した透明導電膜は何れも（実施例１〜４）、抵抗分布の面内バラツキが±２０％程度であった。
【００５３】
次に、上記実施例１から４、及び上記比較例１〜３にて調整した原料溶液をそれぞれ室温で１ヶ月放置後、沈殿が生じているか否か目視により調べた。なお、沈殿が生じなかった場合を「○」、沈殿が生じた場合を「×」として、表２に示した。
【００５４】
【表２】
【００５５】
表２に示す結果より、第一製造装置では、原料溶液に沈殿が発生しないものとすることができるので、原料溶液の管理が容易になり、長期保存が可能なことがわかる。
【００５６】
次に、第二製造装置４０を用いて、ＳＰＤ法により、被処理体としてのガラス基材上に透明導電膜としてフッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）膜を成膜する場合について説明する。
なお、本実施例は、本発明をより理解するために、透明導電膜としてＦＴＯ膜を成膜する場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な薄膜を形成するのに用いることができる。また、今回は原料、溶媒を二種類しか用いていないが、二種類に限定すること無く、二種類以上の原料、溶媒を用いても構わない。
【００５７】
事前に、実施例５〜７として、実施例ごとにＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例５の原料溶液とした。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒をエタノールとする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例６の原料溶液とした。
さらに、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ） とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例７の原料溶液とした。
【００５８】
次に、上記実施例（実施例５〜７）ごと、第一原料溶液を第一生成手段４８に供給しミストを形成した後、バッファ手段４５へ導入すると共に、第二原料溶液を第二生成手段４９に供給しミストを形成した後、バッファ手段４５へ導入し、さらに、空気（Ａｉｒ：矢印α）を導入し、バッファ手段４５から集合させた混在ミスト（矢印β）を吐出手段４４の中に導入し、吐出口４４ａから被処理体１１の一面に向けて混在ミスト４３を噴霧することにより、被処理体１１上にＦＴＯ膜からなる透明導電体３２を作製した。この際、ミストの粒径は０．１〜１００μｍである。
【００５９】
ここで、被処理体１１としては何れも、硼珪酸ガラス基材（ＳＣＨＯＴＴ社製、型番：８３３０、サイズ：５００×５００×２［ｍｍ］）を用い、この硼珪酸ガラス基材を支持手段２１に設置し、室温から３００〜４５０℃の表面温度に達するまで加熱した。また、加熱方法は、硼珪酸ガラス基材１１の下部に配された温度制御手段２２からの伝熱に加えて、フード２７上部に配された赤外線ランプ（不図示）からの熱線輻射によるものとした。そして、硼珪酸ガラス基材１１の表面温度が安定したことを確認してから、硼珪酸ガラス基材１１の温度を４００℃に保持し、ＦＴＯ膜を形成した。
【００６０】
また、第二製造装置４０では、第一生成手段４８で生成されたミストと第二生成手段４９で生成されたミストとをバッファ手段４５に集合させて形成した混在ミストを、バッファ手段４５から吐出手段４４まで誘導する搬送路には、伸縮性を有する塩化ビニル製の蛇腹パイプを採用し、内面にはフッ素樹脂加工を施して撥水性を確保した。
【００６１】
また、ミストを混合するバッファ手段４５の断面積は、搬送路の断面積に比して１０倍であり、幅は（タンクの面積）１／２ の体積を有している。
【００６２】
以上の実施例５〜７により得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗をそれぞれ測定し、その結果を表３に示した。
また、実施例８として、実施例５の原料溶液のうち、第一原料溶液のみ２倍のミスト量で成膜し、同様に、得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表３に示した。
【００６３】
一方、以下の比較例ごとに、比較例とするＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．６ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．６ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ比較例４の原料溶液とした。上記実施例５〜７と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。この際、ミストの粒径は５０〜５００μｍである。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．３ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、０．８ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液とを混合し、比較例５の原料溶液とした。
さらに、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ） とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液とを混合し、比較例６の原料溶液とした。
【００６４】
そして、上記比較例（比較例４〜６）ごとに、上記実施例５〜７と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。その後、得られた透明導電性基板について、前記ＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表３に示した。
また、比較例７として、搬送路にミストを混合するバッファ手段を設けなかったこと以外は実施例５と同様にして成膜し、得られた透明導電性基板について、透明導電体をなすＦＴＯ膜の導電特性としてシート抵抗を測定し、併せてその結果を表３に示した。
【００６５】
【表３】
【００６６】
表３に示す結果より、第二製造装置では、原料溶液の溶媒を変更したり、原料溶液の濃度を変更したりしても、シート抵抗が上昇すること無く、改善できたことが分かった。したがって、目的にあった原料や溶媒を選択する自由度を高め、より適切で高性能な透明導電膜が形成された透明導電性基板を得ることができる。
しかも、ミスト量を増大しても、シート抵抗が上昇してしまうことがないので、成膜速度を速める効果を有することが分かった。
また、第二製造装置４０を用いて作製した透明導電膜は何れも（実施例５〜８）、抵抗分布の面内バラツキが±１０％程度であった。ゆえに、前述した第一製造装置２０に比べて第二製造装置４０は、抵抗分布の面内バラツキを抑制できることが分かった。また、バッファ手段を設けなかった比較例７の抵抗分布の面内バラツキは±１５％であった。これにより、バッファー手段を設けた方が面内のバラツキを小さくすることができることが分かった。
【００６７】
次に、上記実施例５から８、及び上記比較例５〜８にて調整した原料溶液をそれぞれ室温で１ヶ月放置後、沈殿が生じているか否か目視により調べた。なお、沈殿が生じなかった場合を「○」、沈殿が生じた場合を「×」として、表４に示した。
【００６８】
【表４】
【００６９】
表４に示す結果より、第二構造の本装置では、原料溶液に沈殿が発生しないものとすることができるので、原料溶液の管理が容易になり、長期保存が可能なことがわかる。
【００７０】
（ヘイズ率の測定）
次に、第一製造装置２０を用いて、ＳＰＤ法により、被処理体としてのガラス基材上に透明導電膜としてフッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）膜を成膜し、波長６００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍに対するヘイズ率、およびヘイズ率の比（Ｈλ＝１０００／Ｈλ＝６００）を測定した。
【００７１】
事前に、実施例９〜１０として、実施例ごとにＦＴＯ膜を形成するための原料溶液をそれぞれ調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、２．０ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、４．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例９の原料溶液とした。
また、出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、水とする、１．５ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、３．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ実施例１０の原料溶液とした。
【００７２】
次に、上記実施例（実施例９〜１０）ごと、第一原料溶液を第一生成手段２８に供給しミストを形成した後、空気（Ａｉｒ：矢印α）を導入し、第一生成手段２８からミスト化された原料溶液（矢印β）を第一吐出手段２４Ａの中に導入し、第一吐出口２４ａから被処理体１１の一面に向けて第一ミスト２３Ａを噴霧すると共に、第二原料溶液を第二生成手段２９に供給しミストを形成した後、空気（Ａｉｒ：矢印γ）を導入し、第二生成手段２９からミスト化された原料溶液（矢印δ）を第二吐出手段２４Ｂの中に導入し、第二吐出口２４ｂから被処理体１１の一面に向けて第二ミスト２３Ｂを噴霧することにより、それぞれ被処理体１１上にＦＴＯ膜からなる透明導電体１２を作製した。この際、ミストの粒径は０．１〜１００μｍである。
【００７３】
ここで、被処理体１１としては何れも、硼珪酸ガラス基材（ＳＣＨＯＴＴ社製、型番：８３３０、サイズ：５００×５００×２［ｍｍ］）を用い、この硼珪酸ガラス基材を支持手段２１に設置し、室温から３００〜４５０℃の表面温度に達するまで加熱した。また、加熱方法は、硼珪酸ガラス基材１１の下部に配された温度制御手段２２からの伝熱に加えて、フード２７上部に配された赤外線ランプ（不図示）からの熱線輻射によるものとした。そして、硼珪酸ガラス基材１１の表面温度が安定したことを確認してから、硼珪酸ガラス基材１１の温度を３００〜４５０℃に保持し、１５分間、ＦＴＯ膜を形成した。
【００７４】
また、第一製造装置２０では、第一生成手段２８で生成されたミストを第一吐出手段２４Ａまで誘導する搬送路、及び第二生成手段２９で生成されたミストを第二吐出手段２４Ｂまで誘導する搬送路には、伸縮性を有する塩化ビニル製の蛇腹パイプを採用し、内面にはフッ素樹脂加工を施して撥水性を確保した。
【００７５】
以上の実施例９〜１０により得られた透明導電性基板について、６００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍの波長に対するヘイズ率をそれぞれ測定し、その結果を表５に示した。
【００７６】
一方、以下の比較例とするＦＴＯ膜を形成するための原料溶液を調整した。
出発原料を塩化第二スズ・五水和物（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）とし、溶媒を水とする、０．５ｍｏｌ／ｌに調整された第一原料溶液と、出発原料をフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）とし、溶媒を水とする、１．０ｍｏｌ／ｌに調整された第二原料溶液を、それぞれ比較例８の原料溶液とした。上記実施例９〜１０と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。
【００７７】
そして、上記比較例８は、上記実施例９〜１０と同様の条件にて、それぞれ被処理体上にＦＴＯ膜からなる透明導電体を作製した。その後、得られた透明導電性基板について、前記ＦＴＯ膜の導電特性として６００ｎｍ、８００ｎｍ、１０００ｎｍの波長に対するヘイズ率をそれぞれ測定し、併せてその結果を表５に示した。
【００７８】
【表５】
【００７９】
表５に示す結果より、第一製造装置により作製された透明導電性基板では、入射光の波長が長波長となっても、ヘイズ率が１０％以上と高い数値を示した。また、波長の長さによらず、ほぼ一定のヘイズ率を示した。
【００８０】
次に、上記実施例９〜１０、及び上記比較例８にて得られたヘイズ率の比（Ｈλ＝１０００／Ｈλ＝６００）を表６に示した。
【００８１】
【表６】
【００８２】
表６に示す結果より、第一製造装置により作製された透明導電性基板では、従来行われていた可視光領域のヘイズ率と大差ないことが示された。
以上、表３および表４から、赤外領域においても高いヘイズ率を有する透明導電性基板を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第一製造装置の構造を示す概略図である。
【図２】本発明の第二製造装置の構造を示す概略図である。
【図３】従来の製造装置の構造を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０ 透明導電性基板、１１ 被処理体（ガラス基材）、１２ 透明導電体（ＦＴＯ膜）、２０ 第一製造装置、２１ 支持手段、２２ 温度制御手段、２３Ａ 第一ミスト、２３Ｂ 第二ミスト、２４Ａ 第一吐出手段、２４ａ 第一吐出口、２４Ｂ 第二吐出手段、２４ｂ 第二吐出口、２６ 空間、２７ フード、２８ 第一生成手段、２９ 第二生成手段、３０ 透明導電性基板、３２ 透明導電体（ＦＴＯ膜）、４０ 第二製造装置、４１ 支持手段、４２ 温度制御手段、４３ 混在ミスト、４４ 吐出手段、４４ａ 吐出口、４５ バッファ手段、４６ 空間、４７ フード、４８ 第一生成手段、４９ 第二生成手段。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スプレー熱分解法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、
前記被処理体を載置する支持手段と、
前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、
前記生成手段の各々と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する複数の吐出手段と、
前記被処理体の温度を調整する温度制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする透明導電性基板の製造装置。
【請求項２】
スプレー熱分解法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、
前記被処理体を載置する支持手段と、
前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、
前記生成手段の各々と繋がり、各成分からなるミストを集合させて混在ミストを形成するバッファ手段と、
前記バッファ手段と繋がり、前記被処理体の一面に向けて、混在ミストを噴霧する吐出手段と、
前記被処理体の温度を調整する温度制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする透明導電性基板の製造装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の透明導電性基板の製造装置を用いた透明導電性基板であって、８００〜１０００ｎｍの入射光に対してヘイズ率が１０％以上であることを特徴とする、透明導電性基板。
【請求項４】
前記透明導電性基板は、１０００ｎｍの入射光に対するヘイズ率を６００ｎｍの入射光に対するヘイズ率で除してなる比が０．８以上であることを特徴とする、請求項３記載の透明導電性基板。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の透明導電性基板の製造装置を用い、前記被処理体の一面上に前記透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電性基板の製造方法。
【請求項１】
スプレー熱分解法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、
前記被処理体を載置する支持手段と、
前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、
前記生成手段の各々と個別に繋がり、前記被処理体の一面に向けて、それぞれの成分からなるミストを噴霧する複数の吐出手段と、
前記被処理体の温度を調整する温度制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする透明導電性基板の製造装置。
【請求項２】
スプレー熱分解法により被処理体の一面上に透明導電膜を形成する透明導電性基板の製造装置であって、
前記被処理体を載置する支持手段と、
前記透明導電膜の原料溶液を構成する成分ごとに、それぞれの成分からなるミストを個別に作製する生成手段と、
前記生成手段の各々と繋がり、各成分からなるミストを集合させて混在ミストを形成するバッファ手段と、
前記バッファ手段と繋がり、前記被処理体の一面に向けて、混在ミストを噴霧する吐出手段と、
前記被処理体の温度を調整する温度制御手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする透明導電性基板の製造装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の透明導電性基板の製造装置を用いた透明導電性基板であって、８００〜１０００ｎｍの入射光に対してヘイズ率が１０％以上であることを特徴とする、透明導電性基板。
【請求項４】
前記透明導電性基板は、１０００ｎｍの入射光に対するヘイズ率を６００ｎｍの入射光に対するヘイズ率で除してなる比が０．８以上であることを特徴とする、請求項３記載の透明導電性基板。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の透明導電性基板の製造装置を用い、前記被処理体の一面上に前記透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電性基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００８−７８１１３（Ｐ２００８−７８１１３Ａ）
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３２９２４（Ｐ２００７−１３２９２４）
【出願日】平成１９年５月１８日（２００７．５．１８）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月１８日（２００７．５．１８）
【出願人】（０００００５１８６）株式会社フジクラ (4,463)
【Ｆターム（参考）】
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