透明電極構造体およびそれを用いたタッチパネル
【課題】十分な導電性を得ることができ、透明性および柔軟性に優れ、量産に適し、かつ、低コスト化が可能な、ポリチオフェン系導電性高分子の透明電極用の透明導電膜、それを含む透明電極、その透明電極が設けられた透明電極構造体、およびその透明電極構造体を含むタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明基材上に透明電極が設けられた、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体であって、該透明電極は少なくとも一層の透明導電膜を含み、該透明導電膜はポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体または電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有するポリチオフェン系導電性高分子膜であり、該ポリチオフェン系導電性高分子膜は膜厚方向の導電性を有することを特徴とする透明電極構造体、およびその透明電極構造体を含むタッチパネル。
【解決手段】透明基材上に透明電極が設けられた、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体であって、該透明電極は少なくとも一層の透明導電膜を含み、該透明導電膜はポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体または電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有するポリチオフェン系導電性高分子膜であり、該ポリチオフェン系導電性高分子膜は膜厚方向の導電性を有することを特徴とする透明電極構造体、およびその透明電極構造体を含むタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は抵抗膜方式タッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、キーボードやマウスを使うことなく、直感的で優れた入力インターフェイスを実現するものである。近年、携帯電話やＰＤＡ、ペン入力ＰＣなどの携帯情報端末の普及に伴い、これらの装置にダイレクトに情報を入力できるタッチパネルの需要が高まっている。
【０００３】
タッチパネルの種類としては、位置検出方式の違いから、抵抗膜方式、静電容量方式、赤外線方式、超音波方式、電磁誘導方式、静電結合方式等があるが、現在、ＰＤＡやペン入力ＰＣのタッチパネルには、主に抵抗膜方式が用いられている。
【０００４】
［従来の抵抗膜方式タッチパネル］
抵抗膜方式タッチパネルの透明電極を構成する透明導電膜の材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２の混合焼結体）が主に採用されてきた。
【０００５】
［ＩＴＯ透明導電膜］
ところが、ＩＴＯには、次に述べるような問題点がある。
第一の問題点は、ＩＴＯ透明導電膜（以下、単に「ＩＴＯ膜」という。）そのものの機械的特性によるものである。ＩＴＯ膜は、もろいセラミックスの薄膜であり、ＰＥＴフィルムその他の可とう性樹脂フィルムに比べると柔軟性が劣る。そのため、ＩＴＯ膜を可とう性樹脂フィルム上に成膜した透明導電性フィルムは、ＩＴＯ膜にクラックや傷が発生しやすく、曲げられた状態での保管もしくは流通、または透明電極板製造プロセスにおける連続加工もしくは打ち抜き加工によって、ＩＴＯ膜の劣化が生じる場合があった。また、タッチパネルの入力動作の繰り返しによって、ＩＴＯ膜に微小な割れが生じ、特性が劣化するという問題があった。
【０００６】
第二の問題点は、ＩＴＯ膜の成膜にはスパッタリング法その他ドライプロセスを使用するために低コスト化が困難であるということである。これに対しては、現在、ウェットプロセスの開発が進められている。
【０００７】
第三の問題点は、ＩＴＯ膜の原料であるインジウム資源の枯渇である。需要増大と相まって、インジウムの取引価格上昇を招いている。この問題に対しては、現在、インジウムの回収・再資源化や、酸化亜鉛系等のインジウムを使用しない材料を使用した透明導電膜の開発が進められている。
【０００８】
第四の問題点は、インジウム化合物の毒性である。従来、インジウム化合物は無毒性であると考えられてきたが、近年、ＩＴＯ焼結体の粉じんやインジウム化合物に起因すると考えられる健康障害が発生している。
【０００９】
ＩＴＯには、以上のような問題点があることから、将来的な需要増大、低コスト化の要求に対応できないおそれがある。これらの諸問題を解決すべく、代替材料、代替プロセス等の開発が活発化してきている。その中で、性能、量産性、コスト等を総合的に考えて、抵抗膜方式タッチパネル用の透明導電膜材料としては、ポリチオフェン系導電性高分子が性能、量産性、コスト等の点から検討されている。
【００１０】
［ポリチオフェン系導電性高分子］
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（以下「ＰＥＤＯＴ」ともいう。）に代表されるポリチオフェン系導電性高分子は、優れた導電性を有する高分子として知られている。導電性高分子は、金属導電体にない柔軟性および透明性を活かして、透明導電膜に成膜され、主に液晶、タッチパネル等の表示デバイス用透明配線部材や電磁遮蔽膜としての応用が検討されている。特に、透明導電膜表面から導通をとる用途においては、導電性高分子の柔軟性および透明性を活かせると考えられている。
【００１１】
しかし、ポリチオフェン系導電性高分子膜の導電性の改良は、従来、導電性高分子を使用して構成される透明導電膜の水平方向の導電性に照準を合わせて行われてきたので、透明導電膜の膜厚方向の導電性の改良については顧みられることがなかった（例えば、特許文献１〜３）。そのため、透明導電膜の膜厚方向の導電性が極めて悪く、応用範囲が限定されている。
【００１２】
なお、ポリチオフェン系導電性高分子は、水、溶剤等への可溶性付与の目的で、およびドーパントとして、ポリスチレンスルホン酸（以下「ＰＳＳ」ともいう。）のような高分子電解質を大量に添加して使用している。例えば、市販品の、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとを含有する、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液であるＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ（Ｈ．Ｃ．スタルク社）は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ質量比＝１／２．５で含有し、ＰＥＤＯＴがカチオン、ＰＳＳがアニオンとなっている。
【００１３】
特許文献１には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液に過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）等の電解質塩を配合した導電性高分子組成物から成膜した、水平方向の導電性が改良された透明導電膜およびそれを用いたＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）等のフレキシブル部材が記載されている。しかし、膜厚方向の導電性についての記載はまったくない。
【００１４】
特許文献２には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液に炭酸エステル等の高極性化合物を配合した導電性高分子組成物から成膜した、水平方向の導電性が改良され透明導電膜およびそれを用いたＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）等のフレキシブル部材が記載されている。しかし、膜厚方向の導電性についての記載はまったくない。
【００１５】
特許文献３には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液にテトラフルオロホウ酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムを配合することによって導電率が顕著に大きくなった導電性高分子組成物（混合物）、その組成物を含む部品、およびその部品の製造方法が記載されている。ポリチオフェン系導電性高分子膜（コーティング）の表面抵抗率（単位：Ω／□）が顕著に低下することが記載されている。しかし、膜厚方向の導電性についての記載はまったくない。
【００１６】
ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性の悪さは、その成膜時に、重力偏析により、ポリチオフェン系導電性高分子を実質上含有しない表面層（「上層」または「ＰＳＳ層」ともいう。）とそれを含有する内部層（「下層」または「ＰＥＤＯＴ層」ともいう。）との二層が形成され、表面層が極めて体積抵抗率が大きな高抵抗層または絶縁層となっていることによるものであると考えられている。
【００１７】
すなわち、ポリチオフェン系導電性高分子の一次粒子よりも、ＰＳＳの方が小さいため、ポリチオフェン系導電性高分子膜を成膜したときに、大きなポリチオフェン系導電性高分子が膜の下部に沈殿し、表面層にはポリチオフェン系導電性高分子が実質上存在しないＰＳＳリッチな状態となる。ＰＳＳの導電性は極めて低いため、表面層は高抵抗層または絶縁層となる。その結果として、透明導電膜の膜厚方向の導電性が極めて悪くなってしまう（非特許文献１）。
【００１８】
そのような事情のため、ポリチオフェン系導電性高分子膜を抵抗膜方式タッチパネルの透明電極としてそのまま適用することができなかった。
【００１９】
図５〜７を参照しながら説明する。
マトリクス型抵抗膜方式タッチパネル１０１は、上部透明樹脂フィルム１０２、その上に形成された上部透明電極１０３、下部透明ガラス基板１０５およびその上に形成された下部透明電極１０４が、上部透明電極１０３と下部透明電極１０４とが所定の間隔（１ｍｍ以下、通常、５〜１００μｍ程度。）を保ちながら対向し、かつ、上部透明電極１０３と下部透明電極１０４とでグリッドを形成するように配置されている（図５）。タッチパネル上面、すなわち、上部透明樹脂フィルム１０２の上面を押圧すると、上部透明電極１０３と下部透明電極１０４とが接触し、電気的に導通することによって電流が流れ、タッチパネル上の押圧位置が特定される。
【００２０】
しかし、透明電極として、ポリチオフェン系導電性高分子膜を採用すると、上述したように、成膜時に、ポリチオフェン系導電性高分子リッチなポリチオフェン層１２３（１２６）と、ＰＳＳリッチなＰＳＳ層１２４（１２５）とが形成され、図６に示すタッチパネルを押圧し、図７に示すように上部電極と下部電極とが接触しても、ＰＳＳ層１２４（１２５）がバリアとなってしまうため、上部電極と下部電極との間に電気的導通が得られず、ポリチオフェン系導電性高分子膜を抵抗膜方式タッチパネルの透明電極として採用することができなかった。
【００２１】
上記したように、従来のポリチオフェン系導電性高分子膜の表面層は膜厚方向の電気伝導率が極めて小さい高抵抗層または絶縁層である。しかし、ＰＳＳリッチな低導電性の表面層が存在しても、それを貫通してポリチオフェン系導電性高分子リッチな高導電性の内部層にまで達する導体をポリチオフェン系導電性高分子膜に分散させれば、膜厚方向の高い導電性を得ることができる。
【００２２】
例えば、特許文献４には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液にカーボンナノチューブ（以下「ＣＮＴ」という。）を配合した導電性高分子組成物から成膜した透明導電膜、それを有する透明導電性フィルムおよびそれを使用したタッチパネルが記載されている。しかし、ＣＮＴの分散制御・固定には濃度、塗布法の厳密な制御が必要であり、量産に向かず、低コスト化が困難であると考えられる。また、導電性を高めようとＣＮＴ含有量を増加すると、透明電極の透明性に悪影響を与え、タッチパネルの光透過性を悪化させるおそれがある。さらに、ＣＮＴにはアスベストと同様の健康障害の発生のおそれが指摘されている。
【００２３】
また、高抵抗の表面層を貫通する導体を分散させるのではなく、表面層の一部を物理的に破壊することによって膜厚方向の導電性を得る方法も提案されている。
【００２４】
例えば、特許文献５には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液にモンモリロナイト等の粘度系鉱物（無機フィラー）を配合したポリチオフェン系導電性高分子組成物から成膜した透明導電膜およびそれを有する座標入力装置（タッチパネル）が記載されている。透明導電膜表面に凹凸を設けることにより、高抵抗のＰＳＳ層を突破しようというものである。しかし、接触面積の低下により接点抵抗の改善には限界がある。
【００２５】
上述のように、特許文献４および５には、ポリチオフェン系導電性高分子膜の高抵抗の表面層を突破することによって、透明導電膜の膜厚方向の導電性を得ることが記載されている。
【００２６】
これに対して、表面層の膜厚方向の導電性を向上させることによって、透明導電膜の膜厚方向の導電性を得ることも検討されている。例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液に導電粒子（導電性フィラー）を配合し、ポリチオフェン系導電性高分子膜を成膜することが考えられる。しかし、導電粒子表面にＰＳＳリッチな高抵抗層が形成されてしまうため、十分な導電性を得ることができない。また、例えば、ポリチオフェン系導電性高分子膜の表面に、金属等の導電性膜をさらに形成する方法も考えられる。しかし、ポリチオフェン系導電性高分子膜の柔軟性および透明性を著しく損なうため、本末転倒である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２７】
【特許文献１】特開２００７−９６０１６号公報
【特許文献２】特開２００７−１３１６８２号公報
【特許文献３】特表２００８−５３５９６４号公報
【特許文献４】特開２００８−５０３９１号公報
【特許文献５】特開２００８−２３３９９３号公報
【非特許文献】
【００２８】
【非特許文献１】Timpanaro, S.、ほか４名，「Morphology and conductivity of PEDOT/PSS films studied by scanning-tunneling microscopy」Chemical Physics Letters，2004年，第394巻，339-43頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
そこで、本発明は、十分な導電性を得ることができ、透明性および柔軟性に優れ、量産に適し、かつ、低コスト化が可能な、ポリチオフェン系導電性高分子の透明電極用の透明導電膜、それを含む透明電極、その透明電極が設けられたタッチパネル用透明電極構造体、およびそのタッチパネル用透明電極構造体を含むタッチパネルを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれる少なくとも１種類を表面層に含有して用いると、表面層そのものの導電性を向上させることができ、ポリチオフェン系導電性高分子の透明導電膜の膜厚方向の導電性を改良できることを知得した。
【００３１】
すなわち、以下に掲げる発明が提供される。
〔１〕透明基材上に透明電極が設けられた、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体であって、
該透明電極は少なくとも一層の透明導電膜を含み、
該透明導電膜は
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、
高分子電解質（ｂ）と、
高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）と
を含有するポリチオフェン系導電性高分子膜であり、
該ポリチオフェン系導電性高分子膜は膜厚方向の導電性を有することを特徴とする、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体。
〔２〕透明基材と該透明基材上に設けられた透明電極とを有する第一の透明電極構造体と、透明基材と該透明基材上に設けられた透明電極とを有する第二の透明電極構造体とを、スペーサを介して、透明電極どうしが対向するよう配置してなり、第一の透明電極構造体の透明電極と第二の透明電極構造体の透明電極とを接触することによって両透明電極の電気的な接続を得ることができる抵抗膜方式タッチパネルにおいて、
第一の透明電極構造体が上記〔１〕に記載の透明電極構造体である抵抗膜方式タッチパネル。
〔３〕さらに、第二の透明電極構造体が上記〔１〕に記載の透明電極構造体である、上記〔２〕に記載の抵抗膜方式タッチパネル。
〔４〕透明基材の上にポリチオフェン系導電性高分子組成物を塗布する塗布工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物からポリチオフェン系導電性高分子膜を膜厚方向の重力偏析を許しながら成膜する成膜工程と
をこの順に具備する透明電極構造体の製造方法であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物が
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、
高分子電解質（ｂ）と、
高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）と
を含有するポリチオフェン系導電性高分子組成物である、透明電極構造体の製造方法。
〔５〕透明基材の上にポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）とを含有するポリチオフェン系導電性高分子組成物を塗布する塗布工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物からポリチオフェン系導電性高分子膜を膜厚方向の重力偏析を許しながら成膜する成膜工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子膜に高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）をドープするドーピング工程と
をこの順に具備する透明電極構造体の製造方法。
〔６〕ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）１００質量部に対して、該高分子電解質（ｂ）５０質量部以上と、該ドーパント（ｃ）として高極性化合物１．２５質量部以上、イオン性液体６．８×１０３質量部以上または過塩素酸リチウム１．２×１０４質量部以上、リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド５．５×１０２質量部以上もしくはリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド２．７質量部以上とを含有する、透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物。
〔７〕ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と該高分子電解質（ｂ）とを、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）≦２の質量比で、合わせて１．２〜１．４質量％含有する水分散液に、該ドーパント（ｃ）として、該組成物中に、高極性化合物０．０１質量％以上、イオン性液体２０質量％超または過塩素酸リチウム３０質量％超、リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド２質量％超もしくはリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド０．０１質量％以上を含有するように添加して得られる、透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物。
〔８〕上記〔６〕または〔７〕に記載の透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物を用いて得られる、抵抗膜方式タッチパネル用の抵抗膜。
〔９〕上記〔６〕または〔７〕に記載の透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物を用いて得られる、抵抗膜方式タッチパネル用の透明電極。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、十分な導電性を得ることができ、透明性および柔軟性に優れ、量産に適し、かつ、低コスト化が可能な、ポリチオフェン系導電性高分子の透明電極用の透明導電膜、それを含む透明電極、その透明電極が設けられたタッチパネル用透明電極構造体、およびそのタッチパネル用透明電極構造体を含むタッチパネルが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、本発明の透明電極構造体の構造を表す模式図である。
【図２】図２は、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの断面を表す模式図である。
【図３】図３は、本発明の抵抗膜方式タッチパネルのタッチ面を指（またはペン）でタッチしたときの本発明の抵抗膜方式タッチパネルの断面を表す模式図である。
【図４】図４は、実施例１，２で使用する膜厚方向電気伝導率測定装置を表す模式図である。
【図５】図５は、マトリクス型抵抗膜方式タッチパネルを表す模式図である。
【図６】図６は、タッチパネル非押圧時の、上部透明電極と下部透明電極とが接触していない状態のタッチパネルを表す模式図である。
【図７】図７は、タッチパネル押圧時の、上部透明電極と下部透明電極とが接触している状態のタッチパネルを表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
［透明電極構造体および抵抗膜方式タッチパネルの構造］
本発明の透明電極構造体および抵抗膜方式タッチパネルの構造を説明する。
本発明の透明電極構造体は、透明基材上に透明電極を設けた構造を有する。また、公知の透明電極構造体と同様に、透明基材にアンダーコートまたはプライマーをコーティングし、その上に透明電極を設けてもよい。本発明の透明電極構造体に設けられる透明電極は少なくとも一つの透明導電膜を含み、その透明導電膜の少なくとも一つはポリチオフェン系導電性高分子組成物から成膜したポリチオフェン系導電性高分子膜である。
【００３５】
図１は本発明の透明電極構造体の構造を表す模式図である。簡単のため、透明電極は単一のポリチオフェン系導電性高分子膜からなるものとして表現している。大きさはスケール通りではない。
【００３６】
図１を参照しながら本発明の透明電極構造体を説明する。
本発明の透明電極構造体１は、最も単純な形態では、透明基材４上に透明電極となるポリチポリチオフェン系導電性高分子膜５を形成した構造を有する。
【００３７】
ポリチオフェン系導電性高分子膜５は、ポリチオフェン系導電性高分子組成物からウェットプロセスで成膜される際に、重力偏析により、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）リッチで高分子電解質（ｂ）およびドーパント（ｃ）を含有するＢ層３（「下層」、「内部層」または「ポリチオフェン層」ともいう。）と、高分子電解質（ｂ）リッチでドーパント（ｃ）を含有するがポリチオフェン系導電性高分子（ａ）を実質上含有しないＡ層２（「上層」、「表面層」または「高分子電解質層」ともいう。）との二層に分かれる。
【００３８】
Ａ層２とＢ層３との界面は、一般に、平面ではなく、また明瞭でもない。重力偏析は、無重力または微小重力の下で行わない限り起こるので、地球上で特別な工程を用いないで成膜する場合には、重力偏析を許すことになる。
【００３９】
Ａ層およびＢ層の存在は、例えば、ＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）およびＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を使用して、非特許文献１に記載の方法に従って観察することができる。また、Ａ層の厚さは数ｎｍから最大でも膜厚の約１／２程度までなので、Ａ層にポリチオフェン系導電性高分子が実質上含有されないことは、Ｘ線光電子分光分析その他の組成分析方法によって確認することができる。
【００４０】
次に、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの構造を説明する。
図２は、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの構造を表す模式図である。大きさはスケール通りではない。
【００４１】
図２を参照しながら本発明の抵抗膜方式タッチパネルを説明する。
抵抗膜方式タッチパネル１１は上部電極板（可動電極板）１２と下部電極板（固定電極板）１３とが、スペーサ（絶縁層）１４を介して相対して貼り合わせられた構造となっている。なお、上部および下部が絶対的な配置をいうものではないことは当業者が理解するところである。
【００４２】
上部電極板１２は上部透明基材１５とその上に設けられた上部透明電極１６とを構成要素として含み、下部電極板１３は下部透明基材１８とその上に設けられた下部透明電極１７と、必要な場合には下部透明電極１７上に設けられるドットスペーサ１９とを構成要素として含む。タッチパネルの大きさによっては、ドットスペーサを設けなくともよいことは当業者が理解するところである。
【００４３】
上部電極板１２と下部電極板１３とは、上部透明電極１６と下部透明電極１７とが対峙するように対向して貼り合わせられる。上下電極間距離は１ｍｍ以下、好ましくは数十ｎｍ〜数百ｎｍ、より好ましくは５〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜１００μｍである。
【００４４】
ドットスペーサ１９は、誤入力または常時ＯＮ状態の防止をすることができ、かつ、その存在がパネルに表示される画像を阻害しない等、タッチパネルの機能を損なわないための条件を満たせばよいが、例えば、高さ５〜１０μｍ、直径５０μｍ以下とすることが好ましい。
【００４５】
上部透明基材１５としては、可とう性の観点から樹脂フィルムを使用することが好ましく、樹脂フィルムの中でもＰＥＴフィルムが好ましい。
下部透明基材１８としてはガラス基板、プラスチック基板または樹脂フィルムのいずれも好ましく使用することができる。
【００４６】
本発明においては、上部透明電極１６を本発明に係るポリチオフェン系導電性高分子膜を含む透明電極とすることが好ましい。下部透明電極１７は本発明に係るポリチオフェン系導電性高分子膜を含む透明電極としてもよいし、従来公知の透明導電膜を含む透明電極としてもよい。従来の透明電極としては、例えば、ＩＴＯ透明電極を好ましく例示することができる。
【００４７】
マトリクス（デジタル検出）型抵抗膜方式タッチパネルにあっては、上部透明電極１６と下部透明電極１７とでグリッドを構成するように上下電極を設けることが好ましく、アナログ検出型抵抗膜方式タッチパネルでは、上下電極とも画像を表示する「可視領域」のほぼ全域にわたり設けることが好ましい。
【００４８】
次に、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの原理について説明する。
図２は指（またはペン）２２が本発明の抵抗膜方式タッチパネル１１のタッチ面（「表面」または「上面」ともいう。）を押圧していない状態を示している。この場合には、上部透明電極１６と下部透明電極１７とが分離しているので、上下電極間は電気的な導通をしない。また、上部電極板１２または下部電極板１３がある程度たわんでも、ドットスペーサ１９により、上部透明電極１６と下部透明電極１７とが分離した状態に保たれる。
【００４９】
図３は、抵抗膜方式タッチパネル（押圧時）２１は、本発明の抵抗膜方式タッチパネル１１のタッチ面（「表面」または「上面」ともいう。）を指（またはペン）２２で押圧している状態を表す模式図である。この場合には、上部透明電極１６と下部透明電極１７とが接触し、上下電極間で電気的な導通をする。
【００５０】
マトリクス（デジタル検出）型抵抗膜式タッチパネルにおいては、電気的な導通があった電極を特定することによって、タッチされた座標を特定する。なお、ここで、導通とは、電極間抵抗が１０ＫΩ以下となることをいう。
一方、アナログ検出型抵抗膜式タッチパネルにおいては、上部透明電極１６および下部透明電極１７の抵抗に関して分圧比が測定され、タッチされた位置が算出される。
【００５１】
本発明のポリチオフェン系導電性高分子膜は、作動力（ＯＮ荷重）１ｇ以上、好ましくは１０ｇ〜２５０ｇの押圧をしたとき、電極間抵抗が１０ＫΩ以下、好ましくは１ＫΩ以下となることが望ましい。
【００５２】
本発明の抵抗膜方式タッチパネルは、指入力またはタッチペン入力のどちらでも使用することができるが、ユーザビリティの観点からは指入力で使用することが好ましい。
【００５３】
［抵抗膜方式タッチパネルの製造方法］
本発明の抵抗膜方式タッチパネルの製造プロセスの概略を簡単に説明する。
本発明の抵抗膜方式タッチパネルは、従来公知の抵抗膜方式タッチパネルの製造プロセスをほとんど変更なく利用することができる。
【００５４】
本発明の抵抗膜方式タッチパネルの製造方法は、概略を述べると、上部電極板（可動電極板）を製造し、下部電極板（固定電極板）を製造し、これら２つを貼り合わせるというものである。上部電極板または下部電極板のうち一方または両方が本発明の透明電極構造体である。
【００５５】
なお、上部電極板とはタッチパネルの上部に配置される、上部透明基材と上部透明電極を構成要素として含む電極板であり、下部電極板とはタッチパネルの下部に配置される、下部透明基材と下部透明電極とドットスペーサとを構成要素として含む電極板である。
【００５６】
タッチ面の可とう性と上部透明電極の柔軟性を確保する意味から、上部電極板を、透明基材としてプラスチックフィルムを使用した本発明の透明電極構造体とすることが好ましい。以下に、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの製造方法の例を説明するが、製造方法の態様はこの例に限定されるものではなく、従来公知の製造方法に準じて行うことができる。
【００５７】
上部電極板の好ましい製造プロセスについて説明する。
（ａ１）可とう性樹脂フィルム（ＰＥＴフィルムが好ましい。）上に本発明のポリチオフェン系導電性高分子組成物（液状またはペースト状）を印刷または塗布し、加熱硬化させてポリチオフェン系導電性高分子膜を成膜する。
マトリクス検出型にあっては、電極パターンを形成するように成膜し、アナログ検出型にあっては、可視領域のほぼ全域に成膜する。
（ａ２）可視領域（画像を表示する部分）以外の部分に銀インキを印刷して平行電極と引きまわし回路を形成する。
（ａ３）形成された銀回路を覆うように絶縁インキを印刷して絶縁層を形成する。
（ａ４）上下電極板を貼り合わせるための糊を印刷し、プレス機により外径を打ち抜いて上部電極板とする。
【００５８】
次に、下部電極板を従来公知のＩＴＯ／ガラス基板を用いる製造プロセスについて説明する。下部電極板も本発明の透明電極構造体としてもよい。
（ｂ１）ガラス基板上にＩＴＯ膜をスパッタリング法または真空蒸着法により成膜したもの（ＩＴＯ／ガラス基板）を準備する。
（ｂ２）上部電極板と同様にＩＴＯエッチング用レジストを印刷する。
（ｂ３）エッチングをして周辺の銀インキ印刷回路の部分のＩＴＯ膜を除去する。
（ｂ４）ドットスペーサを印刷・焼成する。
（ｂ５）可視領域（画像を表示する部分）以外の部分に銀インキを用いてＩＴＯ／ＰＥＴフィルムで形成した方向と垂直方向となるように平行電極と引きまわし回路を形成する。
（ｂ６）絶縁インキを印刷して絶縁層を形成する。
（ｂ７）異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を印刷してＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）接続部を形成する。その後、所定の大きさにＩＴＯ／ガラス基板をスクライバを用いて切断し、下部電極板とする。
【００５９】
最後に、上部電極板と下部電極板との貼り合わせプロセスについて説明する。
（ｃ１）上部電極板に印刷した糊と下部電極板を貼り合わせることにより、両電極板を所定の間隔に保持しながら接合する。
（ｃ２）引き出し線用のＦＰＣをＡＣＰと熱圧着させることにより上下電極板間およびＦＰＣとの回路を接続する。
（ｃ３）検査を行う。
（ｃ４）タッチパネルが完成となる。
【００６０】
［組成物および成膜方法］
〈１．ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）〉
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）は、従来公知のものを用いることができる。例えば、下記式（１）で表される繰り返し単位を主成分として含むものを使用することができる。
【００６１】
【化１】
【００６２】
式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル基もしくはアルキルオキシ基または１〜８個の酸素原子もしくは硫黄原子が挿入されたＣ１〜Ｃ２０−アルキル基もしくはアルキルオキシ基、または、Ｒ１およびＲ２が、一緒になって、任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ２０−ジオキシアルキレン基もしくはＣ１〜Ｃ２０−ジオキシアリーレン基を示す。
【００６３】
前記Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル基は、例えば、ｎ−ノナデシル基およびｎ−エイコシル基を例示することができる。
【００６４】
前記Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルオキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、１−メチルブチルオキシ基、２−メチルブチルオキシ基、３−メチルブチルオキシ基、１‐エチルプロピルオキシ基、１，１−ジメチルプロピルオキシ基、１，２−ジメチルプロピルオキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２‐エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基およびｎ−エイコシルオキシ基を例示することができる。
【００６５】
好ましくは、下記式（２）で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン系導電性高分子を使用することができる。
【００６６】
【化２】
【００６７】
式（２）中、Ａは、任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ５−アルキレン基またはＣ１〜Ｃ１２−アリーレン基、好ましくは任意に置換されていてよいＣ２〜Ｃ３−アリーレン基を示す。
【００６８】
式（２）中、Ｒは、直鎖状または分枝鎖状の任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ１８−アルキル基、好ましくは、直鎖状もしくは分枝鎖状の任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ１４−アルキル基、任意に置換されていてよいＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキル基、任意に置換されていてよいＣ６〜Ｃ１４−アリール基、任意に置換されていてよいＣ７〜Ｃ１８−アラルキル基または任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ４−ヒドロキシアルキル基、より好ましくは任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ２−ヒドロキシアルキル基またはヒドロキシル基を示す。
【００６９】
式（２）中、Ｘは、０〜８の整数、好ましくは０〜６の整数、より好ましくは０または１を示す。Ｒは、Ａがアルキレン基またはアリーレン基であるとき、ＡにＸ個結合してもよい。ＲおよびＡは、ＲがＡに結合しているとき、これらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００７０】
前記Ｃ１〜Ｃ５−アルキレン基は、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基およびｎ−ペンチレン基を例示することができる。
【００７１】
前記Ｃ１〜Ｃ１２−アリーレン基は、フェニレン基、ナフチレン基、ベンジリデン基およびアントラセニリデン基を例示することができる。
【００７２】
前記Ｃ１〜Ｃ１８アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２-−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２‐エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ヘキサデシル基またはｎ−オクタデシル基を例示することができる。
【００７３】
前記Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキル基は、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基およびシクロデシル基を例示することができる。
【００７４】
前記Ｃ５〜Ｃ１４−アリール基は、例えば、フェニル基およびナフチル基を例示することができる。
【００７５】
前記Ｃ７〜Ｃ１８−アラルキル基は、例えば、ベンジル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基およびメチシル基を例示することができる。
【００７６】
より好ましくは、下記式（３）で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン系導電性高分子を使用することができる。
【００７７】
【化３】
【００７８】
式（３）中、ＲおよびＸは、式（２）中のＲおよびＸと同じ内容を示す。
【００７９】
本発明において使用するポリチオフェン系導電性高分子は、上記式（１）〜（３）で表される繰り返し単位を１種類以上含む重合体であればよく、繰り返し単位を２種類以上含む共重合体であってもよい。
【００８０】
さらに、ポリ系導電性高分子のモノマーは、１つ以上の光学異性体を光学異性体を有してもよく、ラセミ体、エナンチオマー的に純粋なもしくはジアステレオマー的に純粋な化合物、またはエナンチオマー濃縮されたもしくはジアステレオマー濃縮された化合物であってもよい。また、これらの混合物であってもよい。
【００８１】
特に好ましくは、下記式（４）で表される繰り返し単位（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を含むポリチオフェン系導電性高分子（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）；ＰＥＤＯＴ）を使用することができる。
【化４】
【００８２】
〈２．高分子電解質（ｂ）〉
高分子電解質（ｂ）としては、アニオン性の高分子であれば特に限定されず、塩または誘導体であってもよい。例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸等のカルボン酸類を有する高分子電解質、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸等のスルホン酸類を有する高分子電解質を例示することができる。
カルボン酸類およびスルホン酸類を有する高分子電解質は、一種類のアニオン性モノマーからなる単独重合体であってもよいし、二種類以上のアニオン性モノマーからなる共重合体であってもよいし、さらには、アニオン性モノマーと当該アニオン性モノマーと共重合可能な非アニオン性モノマーとの共重合体であってもよい。このような非アニオン性モノマーとしては、例えば、アクリレートモノマー、スチレンモノマー等を例示することができる。高分子電解質が共重合体である場合には、少なくとも一種類のアニオン性モノマーが共重合成分として含まれていればよい。
【００８３】
《２−１．ポリスチレンスルホン酸またはその塩もしくは誘導体》
ポリスチレンスルホン酸またはその塩もしくは誘導体（以下、単に「ポリスチレンスルホン酸」と表記する場合がある。）としては、従来公知のポリスチレンスルホン酸またはその塩もしくは誘導体を使用することができる。
【００８４】
好ましいポリスチレンスルホン酸は、下記式（５）で表される繰り返し単位を含むポリスチレンスルホン酸である。
【００８５】
【化５】
【００８６】
〈３．ドーパント（ｃ）〉
本発明に係る透明導電膜に使用するドーパント（ｃ）は、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれる。
【００８７】
《３−１．高極性化合物》
高極性化合物としては、特に限定されないが、例えば、アルコール、グリコール、グリセリン、炭酸エステル、ラクタム、アミド、スルホン、スルホキシド、有機リン酸エステル、有機ホスホネート、有機ホスファミド、尿素および尿素の誘導体ならびにこれらの混合物を例示することができる。
【００８８】
高極性化合物の中でも、イソプロピルアルコール（アルコール）；エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール（グリコール）；グリセリン（グリセリン）；炭酸プロピレン（炭酸エステル）；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ピロリドン（ラクタム）；ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（アミド）；テトラメチレンスルホン（スルホン）；ジメチルスルホキシド（スルホキシド）；ヘキサメチルホスファミド（有機ホスファミド）；および１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル尿素（尿素の誘導体）が好ましい。これらは単独でまたは組み合わせて使用することができる。
【００８９】
これらの中でも、ポリエチレングリコール、エチレングリコールおよびジメチルスルホキシドがさらに好ましい高極性化合物である。ポリエチレングリコールとしては、ＰＥＧ２００（平均分子量２００）が好ましい。
【００９０】
《３−２．イオン性液体》
イオン性液体としては、特に限定されないが、イオン性液体のカチオン成分がイミダゾリウムイオンもしくはその誘導体またはアンモニウムイオンもしくはその誘導体であるものが好ましい。ここで、誘導体とは、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、エーテル基、エステル基またはアシル基を導入されたもの、水素原子がフッ素原子で置換されたもの等をいう。
【００９１】
また、イオン性液体のアニオン成分が、臭化物イオン（Ｂｒ−）、塩化物イオン（Ｃｌ−）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ４−）、テトラフルオロホウ酸アニオン（ＢＦ４−）、ヘキサフルオロリン酸アニオン（ＰＦ６−）、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアニオン（ＴＦＳＩ，（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−）、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドアニオン（ＢＥＴＩ，（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−）またはＲＳＯ３−（Ｒは脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、エーテル基、エステル基またはアシル基であり、水素原子はフッ素原子で置換されてもよい。）であるものが好ましい。
【００９２】
イオン性液体としては、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＥＭＩ−ＴＦＳＩ）が好ましい。イオン性液体の中でも特に優れた導電性改良効果を奏するからである。
【００９３】
《３−３．電解質塩》
電解質塩は特に限定されず、従来公知のものを使用することができる。
【００９４】
好ましいカチオン成分は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋等のアルカリ金属カチオン、Ｃａ２＋、Ｍｇ２＋等のアルカリ土類金属カチオンおよびアンモニウムイオンである。
【００９５】
また、好ましいアニオン成分は、臭化物イオン（Ｂｒ−）、塩化物イオン（Ｃｌ−）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ４−）、テトラフルオロホウ酸アニオン（ＢＦ４−）、ヘキサフルオロリン酸アニオン（ＰＦ６−）、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアニオン（ＴＦＳＩ，（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−）、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドアニオン（ＢＥＴＩ，（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−）またはＲＳＯ３−（Ｒは脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、エーテル基、エステル基またはアシル基であり、水素原子はフッ素原子で置換されてもよい。）である。
【００９６】
電解質塩としては、過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）、リチウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＬｉＴＦＳＩ，Ｌｉ（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ）またはリチウムビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド（ＬｉＢＥＴＩ，Ｌｉ（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ）が好ましく、リチウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＬｉＴＦＳＩ，Ｌｉ（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ）またはリチウムビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド（ＬｉＢＥＴＩ，Ｌｉ（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ）がより好ましい。より良好な導電性を得ることができるからである。
【００９７】
電解質塩は、１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００９８】
〈４．ポリチオフェン系導電性高分子組成物〉
本発明の抵抗膜方式タッチパネル用のポリチオフェン系導電性高分子組成物（以下、単に「組成物」または「本発明の組成物」という場合がある。）は、透明電極の製造方法の態様により、
〔Ｉ〕ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、ドーパント（ｃ）とを含有するもの、または
〔ＩＩ〕ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）とを含有するが、ドーパント（ｃ）を含有しないものである。
【００９９】
上記〔ＩＩ〕の組成物は、ポリチオフェン系導電性高分子膜の成膜後にドーパント（ｃ）のドーピングを行う製造方法において使用するものであり、上記〔Ｉ〕の組成物はポリチオフェン系導電性高分子膜の成膜後にドーパント（ｃ）のドーピングを行う製造方法において使用することもできるが、通常、成膜後にドーパント（ｃ）のドーピングを行わない製造方法において使用する。
【０１００】
上記〔Ｉ〕の組成物は、前記ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、前記高分子電解質（ｂ）と、前記ドーパント（ｃ）とを含有する溶液であれば特に限定されない。
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）との含有量は特に限定されないが、質量比で、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）が２以下であることが好ましく、１／４以上２以下であることがより好ましい。
【０１０１】
ドーパント（ｃ）の含有量は、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）および高分子電解質（ｂ）を含有する水分散液にドーパント（ｃ）を添加して本発明の組成物を構成するとき、その水分散液中のポリチオフェン系導電性高分子（ａ）および高分子電解質（ｂ）の合計含有量が１．２〜１．４質量％であり、かつ、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）≦２の質量比であるとすると、ドーパント（ｃ）が高極性化合物である場合にあっては、微小量（０．０１質量％未満）以上、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上５質量％未満であり、ドーパント（ｃ）がイオン性液体である場合にあっては、２０質量％超、好ましくは２０質量％超７０質量％以下、より好ましくは２５〜７０質量％、さらに好ましくは２５〜４０質量％、いっそう好ましくは３０〜４０質量％であり、ドーパント（ｃ）が電解質塩のＬｉＣｌＯ４（過塩素酸リチウム）である場合にあっては、３０質量％超、好ましくは３５質量％以上、より好ましくは４０質量％以上であり、ドーパント（ｃ）が電解質塩のＬｉＴＦＳＩ（リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド）である場合にあっては、２質量％超、好ましくは２質量％超７０質量％未満、より好ましくは４０〜６０質量％、さらに好ましくは５０質量％であり、ドーパント（ｃ）が電解質塩のＬｉＢＥＴＩ（リチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド）である場合にあっては、微小量（０．０１質量％未満）以上、好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０〜７０質量％、さらに好ましくは２０〜７０質量％、いっそう好ましくは２５〜６０質量％、より一層好ましくは３０質量％である。
【０１０２】
上記〔Ｉ〕の組成物は、また、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）１００質量部に対して、高分子電解質（ｂ）を好ましくは５０質量部以上、より好ましくは５０〜４００質量部含有し、さらにドーパント（ｃ）を、高極性化合物にあっては、好ましくは２．７質量部以上、より好ましくは２．７〜１．４×１０３質量部、イオン性液体にあっては、好ましくは６．８×１０３質量部以上、より好ましくは６．８×１０３〜６．２×１０４質量部、さらに好ましくは９．０×１０３〜２．２×１０４質量部、いっそう好ましくは１．２×１０４〜１．８×１０４質量部、電解質塩のＬｉＣｌＯ４にあっては、好ましくは１．２×１０４質量部以上、より好ましくは１．８×１０４質量部以上、さらに好ましくは２．２×１０４質量部以上、電解質塩のＬｉＴＦＳＩにあっては、好ましくは５．５×１０２質量部以上、より好ましくは５．５×１０２〜６．２×１０４質量部、さらに好ましくは１．８×１０４〜４．０×１０４質量部、いっそう好ましくは２．７×１０４質量部、電解質塩のＬｉＢＥＴＩにあっては、好ましくは２．７質量部以上、より好ましくは１．４×１０３質量部以上、さらに好ましくは３．０×１０３〜６．２×１０４質量部、いっそう好ましくは６．７×１０３〜６．２×１０４質量部、よりいっそう好ましくは９．０×１０３〜４．０×１０４質量部以下、さらにいっそう好ましくは１．２×１０４質量部含有してもよい。
【０１０３】
上記〔ＩＩ〕の組成物は、前記ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、前記高分子電解質（ｂ）とを含有する溶液であれば特に限定されない。
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）との含有量は特に限定されないが、質量比で、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）が２以下であることが好ましく、１／４以上２以下であることがより好ましい。
【０１０４】
上記〔ＩＩ〕の組成物は、また、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）１００質量部に対して、高分子電解質（ｂ）を好ましくは５０質量部以上、より好ましくは５０〜４００質量部含有する。
【０１０５】
本発明の組成物は、希釈しまたは濃縮して使用することができる。
【０１０６】
本発明の組成物の溶媒は水系または溶剤系のどちらであってもよいが、水系であることが好ましい。
【０１０７】
本発明の組成物は、さらに、成膜性向上の観点から、成膜形成結合剤を含むことができる。そのような結合剤として、水溶性の、または水に分散する親水性ポリマー（例えばゼラチン、ゼラチン誘導体、マレイン酸または無水マレイン酸のコポリマー、ポリスルホン酸スチレン、セルロース誘導体（例えばカルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、酢酸酪酸セルロース、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース）、ポリエチレンオキシド、ポリビニルアルコール、ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン）等を例示することができる。また、他の結合剤としては、エチレンが不飽和であるモノマー（例えば、アクリル酸塩（アクリル酸を含む）、メタクリル酸塩（メタクリル酸を含む）、アクリルアミド、メタクリルアミド、イタコン酸と、その半エステルおよびジエステル、スチレン（置換されたスチレンを含む）、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、酢酸ビニル、ビニルエーテル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化ビニリデン、オレフィン）から調製した添加タイプのホモポリマーやコポリマーの水性エマルジョン、ポリウレタンとポリエステルイオノマーの水性分散液等を例示することができる。
【０１０８】
本発明の組成物は、さらに、公知のポリチオフェン系導電性高分子組成物に配合することができる添加剤を含有してもよい。そのような添加剤としては、ドーパント、触媒、高分子電解質、イオン交換樹脂、水、アルコール、グリコール類、アミン系溶剤その他溶剤、電解質塩、ワックス、界面活性剤、消泡剤、コーティング助剤、帯電防止剤、増粘剤または粘度調節剤、付着防止剤、融合助剤、架橋剤または硬化剤、可溶性染料および／または固体粒子染料、無光沢ビーズ、無機粒子またはポリマー粒子、接着促進剤、腐食性溶媒または化学的エッチング剤、潤滑剤、可塑剤、酸化防止剤、着色剤、その他従来公知の添加物を例示することができる。
【０１０９】
組成物中のポリチオフェン系導電性高分子（ａ）、高分子電解質（ｂ）およびドーパント（ｃ）各成分の質量比が、本発明の組成物中のポリチオフェン系導電性高分子（ａ）、高分子電解質（ｂ）およびドーパント（ｃ）各成分の質量比と同じものであって、本発明の組成物に成膜形成結合剤その他添加剤を配合しもしくは配合しないものもしくは希釈しもしくは濃縮したものまたはこれらと同一視し得る組成物は、各成分の組成物中濃度が相違したとしても、本発明の目的を達成することができ、同一の作用効果を奏する限り、本発明の技術的範囲に含まれることはいうまでもない。
【０１１０】
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）とは、水分散液とすることが好ましく、これにドーパント（ｃ）、その他の添加剤を添加して組成物を調製することが好ましい。ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）の安定性と取扱いの利便性の観点からである。
【０１１１】
本発明の組成物は、例えば、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）および高分子電解質（ｂ）として、それぞれ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）およびポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を使用することが好ましい。この場合には、市販のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を好適に使用することができる。
【０１１２】
そのような市販のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液としては、例えば、ＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ（Ｈ．Ｃ．スタルク社、固形分含有量１．２〜１．４質量％、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１／２．５（質量比））を好ましく例示することができる。このような水分散液は、希釈しまたは濃縮したものを用いることもできる。
【０１１３】
〈５．透明基材〉
本発明の透明電極構造体に使用する透明基材は、透明な基材であれば絶縁基材また導電基材のいずれでもよい。
【０１１４】
絶縁基材としては、例えば、ガラス、石英その他の無機透明基板を使用することができる。
【０１１５】
有機基材としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンその他のポリオレインの基板またはフィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、液晶ポリマーその他のポリエステル、アミノ基、エポキシ基、ヒドロキシル基、カルボニル基その他の官能基で一部変成した樹脂またはトリアセチルセルロース等の有機透明基板または有機透明フィルムを使用することができる。
【０１１６】
導電基材は、例えば、前記の絶縁基材の表面に透明導電コーティングを施したものが挙げられる。
【０１１７】
透明基材の洗浄、乾燥等前処理は、従来公知の技術を使用することができる。
基材処理は、あらかじめ、易接着処理がなされていたほうが好ましく、それには従来公知の技術を使用することができる。そのような技術としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、火炎処理等を例示することができる。
【０１１８】
〈６．ポリチオフェン系導電性高分子膜の形成方法〉
透明基材上にポリチオフェン系導電性高分子膜を形成する方法としては、以下の二通りの方法を用いることができる。
《６−１．成膜方法Ｉ》
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、ドーパント（ｃ）とを含有する組成物の溶液を使用して、透明基材上に塗布する塗布工程と、塗布した組成物を乾燥する成膜工程とを経ることによってポリチオフェン系導電性高分子膜を透明基材上に成膜することができる。なお、透明基材の塗布面には、アンダーコートまたはプライマー処理を施すことが好ましい。
【０１１９】
組成物を塗布する塗布工程では、従来公知の塗布方法を用いることができる。具体的には、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、リップダイレクト方、コンマコーター法、スリットリバース法、ダイコーター法、グラビアロールコーター法、ブレードコーター法、スプレーコーター法、エアーナイフコート法、ディップコート法、バーコーター法等を例示することができる。
【０１２０】
組成物を乾燥して成膜する成膜工程では、従来公知の乾燥方法を用いることができる。
【０１２１】
《６−２．成膜方法ＩＩ》
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）とを含有するが、ドーパント（ｃ）を含有しない組成物の溶液を使用して、透明基材上に塗布する塗布工程と、塗布した組成物を乾燥する成膜工程とを経ることによってドーパント（ｃ）を含有しないポリチオフェン系導電性高分子膜（以下「非ドープ膜」という。）を透明基材上に成膜し、さらに、非ドープ膜にドーパント（ｃ）をドープするドーピング工程を経ることによってポリチオフェン系導電性高分子膜を透明基材上に成膜することができる。なお、透明基材の塗布面には、アンダーコートまたはプライマー処理を施すことが好ましい。
【０１２２】
塗布方法および乾燥方法は、前記した成膜方法Ｉに記載した方法を用いることができる。
【０１２３】
膜にドーパント（ｃ）をドープするドーピング工程では、従来公知のドーピング方法を用いることができる。具体的には、例えば、ドーパント（ｃ）を所定濃度となるように溶媒に溶かして、非ドープ膜表面に接触させることによってドーピングをすることができる。
【実施例】
【０１２４】
〈１．共通操作〉
《１−１．基板洗浄方法》
透明基材としてガラス基板（ガラススライド、２５ｍｍ×３８ｍｍ）を用いた。ガラス基板をＰｉｒａｎｈａ（濃硫酸：過酸化水素水（３０ｖ／ｖ％）＝３：１）で１時間洗浄後、純水で４回すすぎ、さらに純水中超音波で１０分間洗浄し、６０℃のオーブンで一晩以上乾燥した。
【０１２５】
《１−２．ポリチオフェン系導電性高分子膜の形成》
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）としてポリ（３，４-エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、高分子電解質（ｂ）としてポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）をそれぞれ使用した。
具体的には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液（ＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ、Ｈ．Ｃ.スタルク社、固形分１．３質量％、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：２．５（質量比））を使用した。
【０１２６】
ドーパント（ｃ）は次の通りである。
高極性化合物として、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ２００、平均分子量２００）、エチレングリコール（ＥＧ）またはジメチルスルフォキシド（ＤＭＳＯ）を使用した。
【０１２７】
イオン性液体として、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＥＭＩ−ＴＦＳＩ）を使用した。
【０１２８】
電解質塩として、過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）、リチウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＬｉＴＦＳＩ）またはリチウムビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド（ＬｉＢＥＴＩ）を使用した。
【０１２９】
《《１−２−１．作成方法Ｉ》》
前記のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液にドーパント（ｃ）を添加し、超音波で１０分間以上かくはんして導電性高分子組成物とした。
ガラス基板上に前記の導電性高分子組成物を３０００ｒｐｍでスピンコートし、ガラス基板を大気下１２０℃で３０分間加熱乾燥し、ＰＳＳ層とＰＥＤＯＴ層あわせて９０ｎｍの膜厚の導電性高分子膜を成膜した。
【０１３０】
《《１−２−２．作成方法ＩＩ》》
ガラス基板上に前記のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液からなる導電性高分子組成物を３０００ｒｐｍでスピンコートし、ガラス基板を大気下１２０℃で３０分間加熱乾燥し、ＰＳＳ層とＰＥＤＯＴ層あわせて９０ｎｍの膜厚の導電性高分子膜（ドーパント（ｃ）抜き）を成膜した。さらに前記の高極性化合物、イオン性液体または電解質塩を所定濃度の溶液に調整し、ドーパント（ｃ）抜きの導電性高分子膜の表面に接触させ、ＰＳＳ層に前記の高極性化合物、イオン性液体または電解質塩を含浸させた。過剰な高極性化合物、イオン性液体または電解質塩を窒素ブローにより除去後、ガラス基板を大気下１２０℃で３０分間加熱乾燥した。
【０１３１】
＜実施例１、２ 製造方法＞
［実施例１ 作成方法Ｉ］
｛膜厚方向電気伝導率測定（荷重方式）｝
（測定方法）
膜厚方向電気伝導率測定用サンプルは、ガラス基板４５上に０．２μｍ厚の金蒸着膜を作成して金電極４４とし、その上に作成方法Ｉに従ってポリチオフェン系導電性高分子膜４６を作成した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜４６の成膜時に重力偏析によりＰＳＳリッチでＰＥＤＯＴを実質上含有しないＰＳＳ層４２とＰＥＤＯＴリッチなＰＥＤＯＴ層４３が形成された。
膜厚方向電気伝導率測定は、図４に示すように、膜厚方向電気伝導率測定装置４１を用いて、ポリチオフェン系導電性高分子膜４６の膜厚方向の電気抵抗を、ＰＳＳ層４２に接触させた、圧力を印加可能な可動探針４７と金電極４４と間で測定することにより測定した。ＰＳＳ層４２への荷重は０ｇ〜１００ｇまで増大させ、その抵抗値を抵抗計４９でモニタリングした。可動探針４７の接触面積は約１ｍｍ２であった。
【０１３２】
（測定結果）
いずれのサンプルともに抵抗値は荷重を増大させるに従って減少した。
電気接点では弱い押圧により低い接触抵抗を示すことが望まれるため、ある一定の抵抗値を示した荷重を比較した。
第１表に、各サンプルについて、抵抗値が０．３Ωおよび０．５Ωを示した荷重（単位：ｇ）を示す。
【０１３３】
【表１】
【０１３４】
第１表において、「ＰＥＤＯＴ」は組成物中にドーパント（ｃ）を含有しない比較用サンプルを、「ＥＧ」は組成物中に０．５質量％のエチレングリコールを含有する測定用サンプルを、「ＥＭＩ−ＴＦＳＩ」は組成物中に３０質量％のＥＭＩ−ＴＦＳＩを含有する測定サンプルを、「ＬｉＴＦＳＩ」は組成物中に５０質量％のＬｉＴＦＳＩを含有する測定用サンプルを、「ＬｉＢＥＴＩ」は組成物中に５０質量％のＬｉＢＥＴＩを含有する測定用サンプルを、それぞれ表す。
【０１３５】
結果をまとめると、ドーパント（ｃ）を含有しないと、１００ｇ以上の荷重によっても抵抗値を０．５Ωまたは０．３Ωとすることができなかったが、一方、ドーパント（ｃ）を含有する測定用サンプルでは、荷重５ｇ以下で抵抗値を０．５Ωまたは０．３Ωとすることができ、良好な膜厚方向電気伝導率を得ることができた。
【０１３６】
［実施例２ 作成方法ＩＩ］
作成方法ＩＩを用いた点を除いて、実施例１と同様に実施した。
【０１３７】
【表２】
【０１３８】
結果をまとめると、ドーパント（ｃ）を含有しないと、１００ｇ以上の荷重によっても抵抗値を０．５Ωまたは０．３Ωとすることができなかったが、一方、ドーパント（ｃ）を含有する測定用サンプルでは、荷重５ｇ以下で抵抗値を０．５Ωまたは０．３Ωとすることができ、良好な膜厚方向電気伝導率を得ることができた。
すなわち、作成方法Ｉの代わりに作成方法ＩＩを用いても、膜厚方向導電性を得られることが示された。
【０１３９】
＜実施例３〜９ 導電性高分子膜の表面層＞
しかし、探針を用いた膜厚方向導電性測定は、応用の実態に合わせて測定できるため簡便であるが、表面形状による表面の絶縁層を破壊したのか、それとも表面層の導電性が向上したのかを分離して議論することが困難な場合がある。
そこで、実施例３〜９では、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を用いて、導電性高分子膜表面の絶縁層を破壊するために必要なバイアス電圧を測定することにより、表面の絶縁層の厚さを定量化した。バイアス電圧が低いほど表面の絶縁層が薄いまたは表面層の導電性が向上したことを示している。
【０１４０】
ＳＴＭは、通常、非常に鋭く尖った探針を導電性の物質の表面に近づけ、流れるトンネル電流から表面の原子レベルの電子状態、構造等を観察し、表面走査をすることにより、表面形状が得られる。しかし、実施例３〜９においては、ＳＴＭを用いた測定は、表面走査をせず、基板表面の任意の場所を測定した。すなわち、実施例３〜９に係る測定において、表面から一定の高さになるように探針を保持し、基板とＳＴＭの探針間のバイアス電圧を徐々に上昇させた。電流が流れ始める電圧が、導電性高分子表面の絶縁層をトンネル電流が流れ始める電圧である。絶縁層が同一物質であれば、その電圧は絶縁層の厚みに比例するため、バイアス電流が流れ始める電圧を比較することにより表面の絶縁層の厚みを比較した。
【０１４１】
［実施例３］
ドーパント（ｃ）として、高極性化合物であるＰＥＧ２００を使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成は、ガラス基板上に０．２μｍ厚の金蒸着膜を作成し、その上に上記の作成方法１に従って行った。
ＳＴＭを用いた測定結果を第３表に示す。
【０１４２】
【表３】
【０１４３】
なお、第３表において、ＰＥＧ２００含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＰＥＧ２００との混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１４４】
第３表に示す結果から、ＰＥＧ２００添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＰＥＧ２００を０．５質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＰＥＧ２００を０．０１質量％添加時においても導電性向上効果が得られているため、添加量がより少量であっても、導電性向上効果を得られることは容易に理解できる。
【０１４５】
［実施例４］
ドーパント（ｃ）として、高極性化合物であるＥＧを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第４表に示す。
【０１４６】
【表４】
【０１４７】
なお、第４表において、ＥＧ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＥＧとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１４８】
第４表に示す結果から、ＥＧ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＥＧを０．５質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＥＧを０．０１質量％添加時においても導電性向上効果が得られているため、添加量がより少量であっても、導電性向上効果を得られることは容易に理解できる。
【０１４９】
［実施例５］
ドーパント（ｃ）として、高極性化合物であるＤＭＳＯを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第５表に示す。
【０１５０】
【表５】
【０１５１】
なお、第５表において、ＤＭＳＯ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＤＭＳＯとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１５２】
第５表に示す結果から、ＤＭＳＯ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＤＭＳＯを０．５質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＤＭＳＯを０．０１質量％添加時においても導電性向上効果が得られているため、添加量がより少量であっても、導電性向上効果を得られることは容易に理解できる。
【０１５３】
［実施例６］
ドーパント（ｃ）として、イオン性液体であるＥＭＩ−ＴＦＳＩを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第６表に示す。
【０１５４】
【表６】
【０１５５】
なお、第６表において、ＥＭＩ−ＴＦＳＩ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＥＭＩ−ＴＦＳＩとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１５６】
第６表に示す結果から、ＥＭＩ−ＴＦＳＩ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＥＭＩ−ＴＦＳＩを３０〜４０質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＥＭＩ−ＴＦＳＩを２０質量％を超えて添加すると導電性向上効果が得られることは、容易に理解できる。
【０１５７】
［実施例７］
ドーパント（ｃ）として、電解質塩であるＬｉＣｌＯ４を使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第７表に示す。
【０１５８】
【表７】
【０１５９】
なお、第７表において、ＬｉＣｌＯ４含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＬｉＣｌＯ４との混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１６０】
第７表に示す結果から、ＬｉＣｌＯ４添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＬｉＣｌＯ４を４０質量％以上添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＬｉＣｌＯ４を３０質量％を超えて添加すると導電性向上効果が得られることは、容易に理解できる。
【０１６１】
［実施例８］
ドーパント（ｃ）として、電解質塩であるＬｉＴＦＳＩを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第８表に示す。
【０１６２】
【表８】
【０１６３】
なお、第８表において、ＬｉＴＦＳＩ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＬｉＴＦＳＩとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１６４】
第８表に示す結果から、ＬｉＴＦＳＩ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＬｉＴＦＳＩを５０質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＬｉＴＦＳＩを２質量％を超えて添加すると導電性向上効果が得られることは、容易に理解できる。
【０１６５】
［実施例９ ポリチオフェン系導電性高分子膜の導電性］
ドーパント（ｃ）として、電解質塩であるＬｉＢＥＴＩを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第９表に示す。
【０１６６】
【表９】
【０１６７】
なお、第９表において、ＬｉＢＥＴＩ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＬｉＢＥＴＩとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１６８】
第９表に示す結果から、ＬｉＢＥＴＩ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＬｉＢＥＴＩを３０質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＬｉＢＥＴＩを１０質量％添加時においても導電性向上効果が得られているため、添加量がより少量であっても、導電性向上効果を得られることは容易に理解できる。
【符号の説明】
【０１６９】
１ 透明電極構造体
２ Ａ層
３ Ｂ層
４ 透明基材
５ ポリチオフェン系導電性高分子膜
１１ 抵抗膜方式タッチパネル
１２ 上部電極板（可動電極板）
１３ 下部電極板（固定電極板）
１４ スペーサ（絶縁層）
１５ 上部透明基材
１６ 上部透明電極
１７ 下部透明電極
１８ 下部透明基材
１９ ドットスペーサ
２０ ＦＰＣ
２１ 抵抗膜方式タッチパネル（押圧時）
２２ 指（またはペン）
２３ 異方性導電シート
４１ 膜厚方向電気伝導率測定装置
４２ ＰＳＳ層
４３ ＰＥＤＯＴ層
４４ 金電極
４５ ガラス基板
４６ ポリチオフェン系導電性高分子膜
４７ 可動探針
４８ 圧力計
４９ 抵抗計
５０、５１ リード線
１０１ マトリクス型抵抗膜方式タッチパネル
１０２ 上部透明樹脂フィルム
１０３ 上部透明電極
１０４ 下部透明電極
１０５ 下部透明ガラス基板
１２１ 抵抗膜方式タッチパネル（上下ポリチオフェン系導電性高分子膜非接触時）
１２２ 透明樹脂フィルム
１２３、１２６ ポリチオフェン層
１２４、１２５ ＰＳＳ層
１２７ 透明ガラス基板
１２８ スペーサ
１２９ ドットスペーサ
１３０ 指（またはペン）
１３１ 抵抗膜方式タッチパネル（上下ポリチオフェン系導電性高分子膜接触時）
【技術分野】
【０００１】
本発明は抵抗膜方式タッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、キーボードやマウスを使うことなく、直感的で優れた入力インターフェイスを実現するものである。近年、携帯電話やＰＤＡ、ペン入力ＰＣなどの携帯情報端末の普及に伴い、これらの装置にダイレクトに情報を入力できるタッチパネルの需要が高まっている。
【０００３】
タッチパネルの種類としては、位置検出方式の違いから、抵抗膜方式、静電容量方式、赤外線方式、超音波方式、電磁誘導方式、静電結合方式等があるが、現在、ＰＤＡやペン入力ＰＣのタッチパネルには、主に抵抗膜方式が用いられている。
【０００４】
［従来の抵抗膜方式タッチパネル］
抵抗膜方式タッチパネルの透明電極を構成する透明導電膜の材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２の混合焼結体）が主に採用されてきた。
【０００５】
［ＩＴＯ透明導電膜］
ところが、ＩＴＯには、次に述べるような問題点がある。
第一の問題点は、ＩＴＯ透明導電膜（以下、単に「ＩＴＯ膜」という。）そのものの機械的特性によるものである。ＩＴＯ膜は、もろいセラミックスの薄膜であり、ＰＥＴフィルムその他の可とう性樹脂フィルムに比べると柔軟性が劣る。そのため、ＩＴＯ膜を可とう性樹脂フィルム上に成膜した透明導電性フィルムは、ＩＴＯ膜にクラックや傷が発生しやすく、曲げられた状態での保管もしくは流通、または透明電極板製造プロセスにおける連続加工もしくは打ち抜き加工によって、ＩＴＯ膜の劣化が生じる場合があった。また、タッチパネルの入力動作の繰り返しによって、ＩＴＯ膜に微小な割れが生じ、特性が劣化するという問題があった。
【０００６】
第二の問題点は、ＩＴＯ膜の成膜にはスパッタリング法その他ドライプロセスを使用するために低コスト化が困難であるということである。これに対しては、現在、ウェットプロセスの開発が進められている。
【０００７】
第三の問題点は、ＩＴＯ膜の原料であるインジウム資源の枯渇である。需要増大と相まって、インジウムの取引価格上昇を招いている。この問題に対しては、現在、インジウムの回収・再資源化や、酸化亜鉛系等のインジウムを使用しない材料を使用した透明導電膜の開発が進められている。
【０００８】
第四の問題点は、インジウム化合物の毒性である。従来、インジウム化合物は無毒性であると考えられてきたが、近年、ＩＴＯ焼結体の粉じんやインジウム化合物に起因すると考えられる健康障害が発生している。
【０００９】
ＩＴＯには、以上のような問題点があることから、将来的な需要増大、低コスト化の要求に対応できないおそれがある。これらの諸問題を解決すべく、代替材料、代替プロセス等の開発が活発化してきている。その中で、性能、量産性、コスト等を総合的に考えて、抵抗膜方式タッチパネル用の透明導電膜材料としては、ポリチオフェン系導電性高分子が性能、量産性、コスト等の点から検討されている。
【００１０】
［ポリチオフェン系導電性高分子］
ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（以下「ＰＥＤＯＴ」ともいう。）に代表されるポリチオフェン系導電性高分子は、優れた導電性を有する高分子として知られている。導電性高分子は、金属導電体にない柔軟性および透明性を活かして、透明導電膜に成膜され、主に液晶、タッチパネル等の表示デバイス用透明配線部材や電磁遮蔽膜としての応用が検討されている。特に、透明導電膜表面から導通をとる用途においては、導電性高分子の柔軟性および透明性を活かせると考えられている。
【００１１】
しかし、ポリチオフェン系導電性高分子膜の導電性の改良は、従来、導電性高分子を使用して構成される透明導電膜の水平方向の導電性に照準を合わせて行われてきたので、透明導電膜の膜厚方向の導電性の改良については顧みられることがなかった（例えば、特許文献１〜３）。そのため、透明導電膜の膜厚方向の導電性が極めて悪く、応用範囲が限定されている。
【００１２】
なお、ポリチオフェン系導電性高分子は、水、溶剤等への可溶性付与の目的で、およびドーパントとして、ポリスチレンスルホン酸（以下「ＰＳＳ」ともいう。）のような高分子電解質を大量に添加して使用している。例えば、市販品の、ＰＥＤＯＴとＰＳＳとを含有する、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液であるＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ（Ｈ．Ｃ．スタルク社）は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ質量比＝１／２．５で含有し、ＰＥＤＯＴがカチオン、ＰＳＳがアニオンとなっている。
【００１３】
特許文献１には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液に過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）等の電解質塩を配合した導電性高分子組成物から成膜した、水平方向の導電性が改良された透明導電膜およびそれを用いたＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）等のフレキシブル部材が記載されている。しかし、膜厚方向の導電性についての記載はまったくない。
【００１４】
特許文献２には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液に炭酸エステル等の高極性化合物を配合した導電性高分子組成物から成膜した、水平方向の導電性が改良され透明導電膜およびそれを用いたＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）等のフレキシブル部材が記載されている。しかし、膜厚方向の導電性についての記載はまったくない。
【００１５】
特許文献３には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液にテトラフルオロホウ酸１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムを配合することによって導電率が顕著に大きくなった導電性高分子組成物（混合物）、その組成物を含む部品、およびその部品の製造方法が記載されている。ポリチオフェン系導電性高分子膜（コーティング）の表面抵抗率（単位：Ω／□）が顕著に低下することが記載されている。しかし、膜厚方向の導電性についての記載はまったくない。
【００１６】
ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性の悪さは、その成膜時に、重力偏析により、ポリチオフェン系導電性高分子を実質上含有しない表面層（「上層」または「ＰＳＳ層」ともいう。）とそれを含有する内部層（「下層」または「ＰＥＤＯＴ層」ともいう。）との二層が形成され、表面層が極めて体積抵抗率が大きな高抵抗層または絶縁層となっていることによるものであると考えられている。
【００１７】
すなわち、ポリチオフェン系導電性高分子の一次粒子よりも、ＰＳＳの方が小さいため、ポリチオフェン系導電性高分子膜を成膜したときに、大きなポリチオフェン系導電性高分子が膜の下部に沈殿し、表面層にはポリチオフェン系導電性高分子が実質上存在しないＰＳＳリッチな状態となる。ＰＳＳの導電性は極めて低いため、表面層は高抵抗層または絶縁層となる。その結果として、透明導電膜の膜厚方向の導電性が極めて悪くなってしまう（非特許文献１）。
【００１８】
そのような事情のため、ポリチオフェン系導電性高分子膜を抵抗膜方式タッチパネルの透明電極としてそのまま適用することができなかった。
【００１９】
図５〜７を参照しながら説明する。
マトリクス型抵抗膜方式タッチパネル１０１は、上部透明樹脂フィルム１０２、その上に形成された上部透明電極１０３、下部透明ガラス基板１０５およびその上に形成された下部透明電極１０４が、上部透明電極１０３と下部透明電極１０４とが所定の間隔（１ｍｍ以下、通常、５〜１００μｍ程度。）を保ちながら対向し、かつ、上部透明電極１０３と下部透明電極１０４とでグリッドを形成するように配置されている（図５）。タッチパネル上面、すなわち、上部透明樹脂フィルム１０２の上面を押圧すると、上部透明電極１０３と下部透明電極１０４とが接触し、電気的に導通することによって電流が流れ、タッチパネル上の押圧位置が特定される。
【００２０】
しかし、透明電極として、ポリチオフェン系導電性高分子膜を採用すると、上述したように、成膜時に、ポリチオフェン系導電性高分子リッチなポリチオフェン層１２３（１２６）と、ＰＳＳリッチなＰＳＳ層１２４（１２５）とが形成され、図６に示すタッチパネルを押圧し、図７に示すように上部電極と下部電極とが接触しても、ＰＳＳ層１２４（１２５）がバリアとなってしまうため、上部電極と下部電極との間に電気的導通が得られず、ポリチオフェン系導電性高分子膜を抵抗膜方式タッチパネルの透明電極として採用することができなかった。
【００２１】
上記したように、従来のポリチオフェン系導電性高分子膜の表面層は膜厚方向の電気伝導率が極めて小さい高抵抗層または絶縁層である。しかし、ＰＳＳリッチな低導電性の表面層が存在しても、それを貫通してポリチオフェン系導電性高分子リッチな高導電性の内部層にまで達する導体をポリチオフェン系導電性高分子膜に分散させれば、膜厚方向の高い導電性を得ることができる。
【００２２】
例えば、特許文献４には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液にカーボンナノチューブ（以下「ＣＮＴ」という。）を配合した導電性高分子組成物から成膜した透明導電膜、それを有する透明導電性フィルムおよびそれを使用したタッチパネルが記載されている。しかし、ＣＮＴの分散制御・固定には濃度、塗布法の厳密な制御が必要であり、量産に向かず、低コスト化が困難であると考えられる。また、導電性を高めようとＣＮＴ含有量を増加すると、透明電極の透明性に悪影響を与え、タッチパネルの光透過性を悪化させるおそれがある。さらに、ＣＮＴにはアスベストと同様の健康障害の発生のおそれが指摘されている。
【００２３】
また、高抵抗の表面層を貫通する導体を分散させるのではなく、表面層の一部を物理的に破壊することによって膜厚方向の導電性を得る方法も提案されている。
【００２４】
例えば、特許文献５には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液にモンモリロナイト等の粘度系鉱物（無機フィラー）を配合したポリチオフェン系導電性高分子組成物から成膜した透明導電膜およびそれを有する座標入力装置（タッチパネル）が記載されている。透明導電膜表面に凹凸を設けることにより、高抵抗のＰＳＳ層を突破しようというものである。しかし、接触面積の低下により接点抵抗の改善には限界がある。
【００２５】
上述のように、特許文献４および５には、ポリチオフェン系導電性高分子膜の高抵抗の表面層を突破することによって、透明導電膜の膜厚方向の導電性を得ることが記載されている。
【００２６】
これに対して、表面層の膜厚方向の導電性を向上させることによって、透明導電膜の膜厚方向の導電性を得ることも検討されている。例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液に導電粒子（導電性フィラー）を配合し、ポリチオフェン系導電性高分子膜を成膜することが考えられる。しかし、導電粒子表面にＰＳＳリッチな高抵抗層が形成されてしまうため、十分な導電性を得ることができない。また、例えば、ポリチオフェン系導電性高分子膜の表面に、金属等の導電性膜をさらに形成する方法も考えられる。しかし、ポリチオフェン系導電性高分子膜の柔軟性および透明性を著しく損なうため、本末転倒である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２７】
【特許文献１】特開２００７−９６０１６号公報
【特許文献２】特開２００７−１３１６８２号公報
【特許文献３】特表２００８−５３５９６４号公報
【特許文献４】特開２００８−５０３９１号公報
【特許文献５】特開２００８−２３３９９３号公報
【非特許文献】
【００２８】
【非特許文献１】Timpanaro, S.、ほか４名，「Morphology and conductivity of PEDOT/PSS films studied by scanning-tunneling microscopy」Chemical Physics Letters，2004年，第394巻，339-43頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
そこで、本発明は、十分な導電性を得ることができ、透明性および柔軟性に優れ、量産に適し、かつ、低コスト化が可能な、ポリチオフェン系導電性高分子の透明電極用の透明導電膜、それを含む透明電極、その透明電極が設けられたタッチパネル用透明電極構造体、およびそのタッチパネル用透明電極構造体を含むタッチパネルを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれる少なくとも１種類を表面層に含有して用いると、表面層そのものの導電性を向上させることができ、ポリチオフェン系導電性高分子の透明導電膜の膜厚方向の導電性を改良できることを知得した。
【００３１】
すなわち、以下に掲げる発明が提供される。
〔１〕透明基材上に透明電極が設けられた、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体であって、
該透明電極は少なくとも一層の透明導電膜を含み、
該透明導電膜は
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、
高分子電解質（ｂ）と、
高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）と
を含有するポリチオフェン系導電性高分子膜であり、
該ポリチオフェン系導電性高分子膜は膜厚方向の導電性を有することを特徴とする、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体。
〔２〕透明基材と該透明基材上に設けられた透明電極とを有する第一の透明電極構造体と、透明基材と該透明基材上に設けられた透明電極とを有する第二の透明電極構造体とを、スペーサを介して、透明電極どうしが対向するよう配置してなり、第一の透明電極構造体の透明電極と第二の透明電極構造体の透明電極とを接触することによって両透明電極の電気的な接続を得ることができる抵抗膜方式タッチパネルにおいて、
第一の透明電極構造体が上記〔１〕に記載の透明電極構造体である抵抗膜方式タッチパネル。
〔３〕さらに、第二の透明電極構造体が上記〔１〕に記載の透明電極構造体である、上記〔２〕に記載の抵抗膜方式タッチパネル。
〔４〕透明基材の上にポリチオフェン系導電性高分子組成物を塗布する塗布工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物からポリチオフェン系導電性高分子膜を膜厚方向の重力偏析を許しながら成膜する成膜工程と
をこの順に具備する透明電極構造体の製造方法であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物が
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、
高分子電解質（ｂ）と、
高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）と
を含有するポリチオフェン系導電性高分子組成物である、透明電極構造体の製造方法。
〔５〕透明基材の上にポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）とを含有するポリチオフェン系導電性高分子組成物を塗布する塗布工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物からポリチオフェン系導電性高分子膜を膜厚方向の重力偏析を許しながら成膜する成膜工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子膜に高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）をドープするドーピング工程と
をこの順に具備する透明電極構造体の製造方法。
〔６〕ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）１００質量部に対して、該高分子電解質（ｂ）５０質量部以上と、該ドーパント（ｃ）として高極性化合物１．２５質量部以上、イオン性液体６．８×１０３質量部以上または過塩素酸リチウム１．２×１０４質量部以上、リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド５．５×１０２質量部以上もしくはリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド２．７質量部以上とを含有する、透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物。
〔７〕ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と該高分子電解質（ｂ）とを、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）≦２の質量比で、合わせて１．２〜１．４質量％含有する水分散液に、該ドーパント（ｃ）として、該組成物中に、高極性化合物０．０１質量％以上、イオン性液体２０質量％超または過塩素酸リチウム３０質量％超、リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド２質量％超もしくはリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド０．０１質量％以上を含有するように添加して得られる、透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物。
〔８〕上記〔６〕または〔７〕に記載の透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物を用いて得られる、抵抗膜方式タッチパネル用の抵抗膜。
〔９〕上記〔６〕または〔７〕に記載の透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物を用いて得られる、抵抗膜方式タッチパネル用の透明電極。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、十分な導電性を得ることができ、透明性および柔軟性に優れ、量産に適し、かつ、低コスト化が可能な、ポリチオフェン系導電性高分子の透明電極用の透明導電膜、それを含む透明電極、その透明電極が設けられたタッチパネル用透明電極構造体、およびそのタッチパネル用透明電極構造体を含むタッチパネルが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、本発明の透明電極構造体の構造を表す模式図である。
【図２】図２は、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの断面を表す模式図である。
【図３】図３は、本発明の抵抗膜方式タッチパネルのタッチ面を指（またはペン）でタッチしたときの本発明の抵抗膜方式タッチパネルの断面を表す模式図である。
【図４】図４は、実施例１，２で使用する膜厚方向電気伝導率測定装置を表す模式図である。
【図５】図５は、マトリクス型抵抗膜方式タッチパネルを表す模式図である。
【図６】図６は、タッチパネル非押圧時の、上部透明電極と下部透明電極とが接触していない状態のタッチパネルを表す模式図である。
【図７】図７は、タッチパネル押圧時の、上部透明電極と下部透明電極とが接触している状態のタッチパネルを表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
［透明電極構造体および抵抗膜方式タッチパネルの構造］
本発明の透明電極構造体および抵抗膜方式タッチパネルの構造を説明する。
本発明の透明電極構造体は、透明基材上に透明電極を設けた構造を有する。また、公知の透明電極構造体と同様に、透明基材にアンダーコートまたはプライマーをコーティングし、その上に透明電極を設けてもよい。本発明の透明電極構造体に設けられる透明電極は少なくとも一つの透明導電膜を含み、その透明導電膜の少なくとも一つはポリチオフェン系導電性高分子組成物から成膜したポリチオフェン系導電性高分子膜である。
【００３５】
図１は本発明の透明電極構造体の構造を表す模式図である。簡単のため、透明電極は単一のポリチオフェン系導電性高分子膜からなるものとして表現している。大きさはスケール通りではない。
【００３６】
図１を参照しながら本発明の透明電極構造体を説明する。
本発明の透明電極構造体１は、最も単純な形態では、透明基材４上に透明電極となるポリチポリチオフェン系導電性高分子膜５を形成した構造を有する。
【００３７】
ポリチオフェン系導電性高分子膜５は、ポリチオフェン系導電性高分子組成物からウェットプロセスで成膜される際に、重力偏析により、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）リッチで高分子電解質（ｂ）およびドーパント（ｃ）を含有するＢ層３（「下層」、「内部層」または「ポリチオフェン層」ともいう。）と、高分子電解質（ｂ）リッチでドーパント（ｃ）を含有するがポリチオフェン系導電性高分子（ａ）を実質上含有しないＡ層２（「上層」、「表面層」または「高分子電解質層」ともいう。）との二層に分かれる。
【００３８】
Ａ層２とＢ層３との界面は、一般に、平面ではなく、また明瞭でもない。重力偏析は、無重力または微小重力の下で行わない限り起こるので、地球上で特別な工程を用いないで成膜する場合には、重力偏析を許すことになる。
【００３９】
Ａ層およびＢ層の存在は、例えば、ＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）およびＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を使用して、非特許文献１に記載の方法に従って観察することができる。また、Ａ層の厚さは数ｎｍから最大でも膜厚の約１／２程度までなので、Ａ層にポリチオフェン系導電性高分子が実質上含有されないことは、Ｘ線光電子分光分析その他の組成分析方法によって確認することができる。
【００４０】
次に、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの構造を説明する。
図２は、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの構造を表す模式図である。大きさはスケール通りではない。
【００４１】
図２を参照しながら本発明の抵抗膜方式タッチパネルを説明する。
抵抗膜方式タッチパネル１１は上部電極板（可動電極板）１２と下部電極板（固定電極板）１３とが、スペーサ（絶縁層）１４を介して相対して貼り合わせられた構造となっている。なお、上部および下部が絶対的な配置をいうものではないことは当業者が理解するところである。
【００４２】
上部電極板１２は上部透明基材１５とその上に設けられた上部透明電極１６とを構成要素として含み、下部電極板１３は下部透明基材１８とその上に設けられた下部透明電極１７と、必要な場合には下部透明電極１７上に設けられるドットスペーサ１９とを構成要素として含む。タッチパネルの大きさによっては、ドットスペーサを設けなくともよいことは当業者が理解するところである。
【００４３】
上部電極板１２と下部電極板１３とは、上部透明電極１６と下部透明電極１７とが対峙するように対向して貼り合わせられる。上下電極間距離は１ｍｍ以下、好ましくは数十ｎｍ〜数百ｎｍ、より好ましくは５〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜１００μｍである。
【００４４】
ドットスペーサ１９は、誤入力または常時ＯＮ状態の防止をすることができ、かつ、その存在がパネルに表示される画像を阻害しない等、タッチパネルの機能を損なわないための条件を満たせばよいが、例えば、高さ５〜１０μｍ、直径５０μｍ以下とすることが好ましい。
【００４５】
上部透明基材１５としては、可とう性の観点から樹脂フィルムを使用することが好ましく、樹脂フィルムの中でもＰＥＴフィルムが好ましい。
下部透明基材１８としてはガラス基板、プラスチック基板または樹脂フィルムのいずれも好ましく使用することができる。
【００４６】
本発明においては、上部透明電極１６を本発明に係るポリチオフェン系導電性高分子膜を含む透明電極とすることが好ましい。下部透明電極１７は本発明に係るポリチオフェン系導電性高分子膜を含む透明電極としてもよいし、従来公知の透明導電膜を含む透明電極としてもよい。従来の透明電極としては、例えば、ＩＴＯ透明電極を好ましく例示することができる。
【００４７】
マトリクス（デジタル検出）型抵抗膜方式タッチパネルにあっては、上部透明電極１６と下部透明電極１７とでグリッドを構成するように上下電極を設けることが好ましく、アナログ検出型抵抗膜方式タッチパネルでは、上下電極とも画像を表示する「可視領域」のほぼ全域にわたり設けることが好ましい。
【００４８】
次に、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの原理について説明する。
図２は指（またはペン）２２が本発明の抵抗膜方式タッチパネル１１のタッチ面（「表面」または「上面」ともいう。）を押圧していない状態を示している。この場合には、上部透明電極１６と下部透明電極１７とが分離しているので、上下電極間は電気的な導通をしない。また、上部電極板１２または下部電極板１３がある程度たわんでも、ドットスペーサ１９により、上部透明電極１６と下部透明電極１７とが分離した状態に保たれる。
【００４９】
図３は、抵抗膜方式タッチパネル（押圧時）２１は、本発明の抵抗膜方式タッチパネル１１のタッチ面（「表面」または「上面」ともいう。）を指（またはペン）２２で押圧している状態を表す模式図である。この場合には、上部透明電極１６と下部透明電極１７とが接触し、上下電極間で電気的な導通をする。
【００５０】
マトリクス（デジタル検出）型抵抗膜式タッチパネルにおいては、電気的な導通があった電極を特定することによって、タッチされた座標を特定する。なお、ここで、導通とは、電極間抵抗が１０ＫΩ以下となることをいう。
一方、アナログ検出型抵抗膜式タッチパネルにおいては、上部透明電極１６および下部透明電極１７の抵抗に関して分圧比が測定され、タッチされた位置が算出される。
【００５１】
本発明のポリチオフェン系導電性高分子膜は、作動力（ＯＮ荷重）１ｇ以上、好ましくは１０ｇ〜２５０ｇの押圧をしたとき、電極間抵抗が１０ＫΩ以下、好ましくは１ＫΩ以下となることが望ましい。
【００５２】
本発明の抵抗膜方式タッチパネルは、指入力またはタッチペン入力のどちらでも使用することができるが、ユーザビリティの観点からは指入力で使用することが好ましい。
【００５３】
［抵抗膜方式タッチパネルの製造方法］
本発明の抵抗膜方式タッチパネルの製造プロセスの概略を簡単に説明する。
本発明の抵抗膜方式タッチパネルは、従来公知の抵抗膜方式タッチパネルの製造プロセスをほとんど変更なく利用することができる。
【００５４】
本発明の抵抗膜方式タッチパネルの製造方法は、概略を述べると、上部電極板（可動電極板）を製造し、下部電極板（固定電極板）を製造し、これら２つを貼り合わせるというものである。上部電極板または下部電極板のうち一方または両方が本発明の透明電極構造体である。
【００５５】
なお、上部電極板とはタッチパネルの上部に配置される、上部透明基材と上部透明電極を構成要素として含む電極板であり、下部電極板とはタッチパネルの下部に配置される、下部透明基材と下部透明電極とドットスペーサとを構成要素として含む電極板である。
【００５６】
タッチ面の可とう性と上部透明電極の柔軟性を確保する意味から、上部電極板を、透明基材としてプラスチックフィルムを使用した本発明の透明電極構造体とすることが好ましい。以下に、本発明の抵抗膜方式タッチパネルの製造方法の例を説明するが、製造方法の態様はこの例に限定されるものではなく、従来公知の製造方法に準じて行うことができる。
【００５７】
上部電極板の好ましい製造プロセスについて説明する。
（ａ１）可とう性樹脂フィルム（ＰＥＴフィルムが好ましい。）上に本発明のポリチオフェン系導電性高分子組成物（液状またはペースト状）を印刷または塗布し、加熱硬化させてポリチオフェン系導電性高分子膜を成膜する。
マトリクス検出型にあっては、電極パターンを形成するように成膜し、アナログ検出型にあっては、可視領域のほぼ全域に成膜する。
（ａ２）可視領域（画像を表示する部分）以外の部分に銀インキを印刷して平行電極と引きまわし回路を形成する。
（ａ３）形成された銀回路を覆うように絶縁インキを印刷して絶縁層を形成する。
（ａ４）上下電極板を貼り合わせるための糊を印刷し、プレス機により外径を打ち抜いて上部電極板とする。
【００５８】
次に、下部電極板を従来公知のＩＴＯ／ガラス基板を用いる製造プロセスについて説明する。下部電極板も本発明の透明電極構造体としてもよい。
（ｂ１）ガラス基板上にＩＴＯ膜をスパッタリング法または真空蒸着法により成膜したもの（ＩＴＯ／ガラス基板）を準備する。
（ｂ２）上部電極板と同様にＩＴＯエッチング用レジストを印刷する。
（ｂ３）エッチングをして周辺の銀インキ印刷回路の部分のＩＴＯ膜を除去する。
（ｂ４）ドットスペーサを印刷・焼成する。
（ｂ５）可視領域（画像を表示する部分）以外の部分に銀インキを用いてＩＴＯ／ＰＥＴフィルムで形成した方向と垂直方向となるように平行電極と引きまわし回路を形成する。
（ｂ６）絶縁インキを印刷して絶縁層を形成する。
（ｂ７）異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を印刷してＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）接続部を形成する。その後、所定の大きさにＩＴＯ／ガラス基板をスクライバを用いて切断し、下部電極板とする。
【００５９】
最後に、上部電極板と下部電極板との貼り合わせプロセスについて説明する。
（ｃ１）上部電極板に印刷した糊と下部電極板を貼り合わせることにより、両電極板を所定の間隔に保持しながら接合する。
（ｃ２）引き出し線用のＦＰＣをＡＣＰと熱圧着させることにより上下電極板間およびＦＰＣとの回路を接続する。
（ｃ３）検査を行う。
（ｃ４）タッチパネルが完成となる。
【００６０】
［組成物および成膜方法］
〈１．ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）〉
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）は、従来公知のものを用いることができる。例えば、下記式（１）で表される繰り返し単位を主成分として含むものを使用することができる。
【００６１】
【化１】
【００６２】
式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル基もしくはアルキルオキシ基または１〜８個の酸素原子もしくは硫黄原子が挿入されたＣ１〜Ｃ２０−アルキル基もしくはアルキルオキシ基、または、Ｒ１およびＲ２が、一緒になって、任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ２０−ジオキシアルキレン基もしくはＣ１〜Ｃ２０−ジオキシアリーレン基を示す。
【００６３】
前記Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル基は、例えば、ｎ−ノナデシル基およびｎ−エイコシル基を例示することができる。
【００６４】
前記Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルオキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、１−メチルブチルオキシ基、２−メチルブチルオキシ基、３−メチルブチルオキシ基、１‐エチルプロピルオキシ基、１，１−ジメチルプロピルオキシ基、１，２−ジメチルプロピルオキシ基、２，２−ジメチルプロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２‐エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基およびｎ−エイコシルオキシ基を例示することができる。
【００６５】
好ましくは、下記式（２）で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン系導電性高分子を使用することができる。
【００６６】
【化２】
【００６７】
式（２）中、Ａは、任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ５−アルキレン基またはＣ１〜Ｃ１２−アリーレン基、好ましくは任意に置換されていてよいＣ２〜Ｃ３−アリーレン基を示す。
【００６８】
式（２）中、Ｒは、直鎖状または分枝鎖状の任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ１８−アルキル基、好ましくは、直鎖状もしくは分枝鎖状の任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ１４−アルキル基、任意に置換されていてよいＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキル基、任意に置換されていてよいＣ６〜Ｃ１４−アリール基、任意に置換されていてよいＣ７〜Ｃ１８−アラルキル基または任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ４−ヒドロキシアルキル基、より好ましくは任意に置換されていてよいＣ１〜Ｃ２−ヒドロキシアルキル基またはヒドロキシル基を示す。
【００６９】
式（２）中、Ｘは、０〜８の整数、好ましくは０〜６の整数、より好ましくは０または１を示す。Ｒは、Ａがアルキレン基またはアリーレン基であるとき、ＡにＸ個結合してもよい。ＲおよびＡは、ＲがＡに結合しているとき、これらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００７０】
前記Ｃ１〜Ｃ５−アルキレン基は、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基およびｎ−ペンチレン基を例示することができる。
【００７１】
前記Ｃ１〜Ｃ１２−アリーレン基は、フェニレン基、ナフチレン基、ベンジリデン基およびアントラセニリデン基を例示することができる。
【００７２】
前記Ｃ１〜Ｃ１８アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２-−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２‐エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ヘキサデシル基またはｎ−オクタデシル基を例示することができる。
【００７３】
前記Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキル基は、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基およびシクロデシル基を例示することができる。
【００７４】
前記Ｃ５〜Ｃ１４−アリール基は、例えば、フェニル基およびナフチル基を例示することができる。
【００７５】
前記Ｃ７〜Ｃ１８−アラルキル基は、例えば、ベンジル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基およびメチシル基を例示することができる。
【００７６】
より好ましくは、下記式（３）で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン系導電性高分子を使用することができる。
【００７７】
【化３】
【００７８】
式（３）中、ＲおよびＸは、式（２）中のＲおよびＸと同じ内容を示す。
【００７９】
本発明において使用するポリチオフェン系導電性高分子は、上記式（１）〜（３）で表される繰り返し単位を１種類以上含む重合体であればよく、繰り返し単位を２種類以上含む共重合体であってもよい。
【００８０】
さらに、ポリ系導電性高分子のモノマーは、１つ以上の光学異性体を光学異性体を有してもよく、ラセミ体、エナンチオマー的に純粋なもしくはジアステレオマー的に純粋な化合物、またはエナンチオマー濃縮されたもしくはジアステレオマー濃縮された化合物であってもよい。また、これらの混合物であってもよい。
【００８１】
特に好ましくは、下記式（４）で表される繰り返し単位（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を含むポリチオフェン系導電性高分子（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）；ＰＥＤＯＴ）を使用することができる。
【化４】
【００８２】
〈２．高分子電解質（ｂ）〉
高分子電解質（ｂ）としては、アニオン性の高分子であれば特に限定されず、塩または誘導体であってもよい。例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸等のカルボン酸類を有する高分子電解質、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸等のスルホン酸類を有する高分子電解質を例示することができる。
カルボン酸類およびスルホン酸類を有する高分子電解質は、一種類のアニオン性モノマーからなる単独重合体であってもよいし、二種類以上のアニオン性モノマーからなる共重合体であってもよいし、さらには、アニオン性モノマーと当該アニオン性モノマーと共重合可能な非アニオン性モノマーとの共重合体であってもよい。このような非アニオン性モノマーとしては、例えば、アクリレートモノマー、スチレンモノマー等を例示することができる。高分子電解質が共重合体である場合には、少なくとも一種類のアニオン性モノマーが共重合成分として含まれていればよい。
【００８３】
《２−１．ポリスチレンスルホン酸またはその塩もしくは誘導体》
ポリスチレンスルホン酸またはその塩もしくは誘導体（以下、単に「ポリスチレンスルホン酸」と表記する場合がある。）としては、従来公知のポリスチレンスルホン酸またはその塩もしくは誘導体を使用することができる。
【００８４】
好ましいポリスチレンスルホン酸は、下記式（５）で表される繰り返し単位を含むポリスチレンスルホン酸である。
【００８５】
【化５】
【００８６】
〈３．ドーパント（ｃ）〉
本発明に係る透明導電膜に使用するドーパント（ｃ）は、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれる。
【００８７】
《３−１．高極性化合物》
高極性化合物としては、特に限定されないが、例えば、アルコール、グリコール、グリセリン、炭酸エステル、ラクタム、アミド、スルホン、スルホキシド、有機リン酸エステル、有機ホスホネート、有機ホスファミド、尿素および尿素の誘導体ならびにこれらの混合物を例示することができる。
【００８８】
高極性化合物の中でも、イソプロピルアルコール（アルコール）；エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール（グリコール）；グリセリン（グリセリン）；炭酸プロピレン（炭酸エステル）；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ピロリドン（ラクタム）；ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（アミド）；テトラメチレンスルホン（スルホン）；ジメチルスルホキシド（スルホキシド）；ヘキサメチルホスファミド（有機ホスファミド）；および１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル尿素（尿素の誘導体）が好ましい。これらは単独でまたは組み合わせて使用することができる。
【００８９】
これらの中でも、ポリエチレングリコール、エチレングリコールおよびジメチルスルホキシドがさらに好ましい高極性化合物である。ポリエチレングリコールとしては、ＰＥＧ２００（平均分子量２００）が好ましい。
【００９０】
《３−２．イオン性液体》
イオン性液体としては、特に限定されないが、イオン性液体のカチオン成分がイミダゾリウムイオンもしくはその誘導体またはアンモニウムイオンもしくはその誘導体であるものが好ましい。ここで、誘導体とは、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、エーテル基、エステル基またはアシル基を導入されたもの、水素原子がフッ素原子で置換されたもの等をいう。
【００９１】
また、イオン性液体のアニオン成分が、臭化物イオン（Ｂｒ−）、塩化物イオン（Ｃｌ−）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ４−）、テトラフルオロホウ酸アニオン（ＢＦ４−）、ヘキサフルオロリン酸アニオン（ＰＦ６−）、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアニオン（ＴＦＳＩ，（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−）、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドアニオン（ＢＥＴＩ，（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−）またはＲＳＯ３−（Ｒは脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、エーテル基、エステル基またはアシル基であり、水素原子はフッ素原子で置換されてもよい。）であるものが好ましい。
【００９２】
イオン性液体としては、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＥＭＩ−ＴＦＳＩ）が好ましい。イオン性液体の中でも特に優れた導電性改良効果を奏するからである。
【００９３】
《３−３．電解質塩》
電解質塩は特に限定されず、従来公知のものを使用することができる。
【００９４】
好ましいカチオン成分は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋等のアルカリ金属カチオン、Ｃａ２＋、Ｍｇ２＋等のアルカリ土類金属カチオンおよびアンモニウムイオンである。
【００９５】
また、好ましいアニオン成分は、臭化物イオン（Ｂｒ−）、塩化物イオン（Ｃｌ−）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ４−）、テトラフルオロホウ酸アニオン（ＢＦ４−）、ヘキサフルオロリン酸アニオン（ＰＦ６−）、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアニオン（ＴＦＳＩ，（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−）、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミドアニオン（ＢＥＴＩ，（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−）またはＲＳＯ３−（Ｒは脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、エーテル基、エステル基またはアシル基であり、水素原子はフッ素原子で置換されてもよい。）である。
【００９６】
電解質塩としては、過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）、リチウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＬｉＴＦＳＩ，Ｌｉ（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ）またはリチウムビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド（ＬｉＢＥＴＩ，Ｌｉ（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ）が好ましく、リチウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＬｉＴＦＳＩ，Ｌｉ（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ）またはリチウムビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド（ＬｉＢＥＴＩ，Ｌｉ（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ）がより好ましい。より良好な導電性を得ることができるからである。
【００９７】
電解質塩は、１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００９８】
〈４．ポリチオフェン系導電性高分子組成物〉
本発明の抵抗膜方式タッチパネル用のポリチオフェン系導電性高分子組成物（以下、単に「組成物」または「本発明の組成物」という場合がある。）は、透明電極の製造方法の態様により、
〔Ｉ〕ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、ドーパント（ｃ）とを含有するもの、または
〔ＩＩ〕ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）とを含有するが、ドーパント（ｃ）を含有しないものである。
【００９９】
上記〔ＩＩ〕の組成物は、ポリチオフェン系導電性高分子膜の成膜後にドーパント（ｃ）のドーピングを行う製造方法において使用するものであり、上記〔Ｉ〕の組成物はポリチオフェン系導電性高分子膜の成膜後にドーパント（ｃ）のドーピングを行う製造方法において使用することもできるが、通常、成膜後にドーパント（ｃ）のドーピングを行わない製造方法において使用する。
【０１００】
上記〔Ｉ〕の組成物は、前記ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、前記高分子電解質（ｂ）と、前記ドーパント（ｃ）とを含有する溶液であれば特に限定されない。
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）との含有量は特に限定されないが、質量比で、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）が２以下であることが好ましく、１／４以上２以下であることがより好ましい。
【０１０１】
ドーパント（ｃ）の含有量は、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）および高分子電解質（ｂ）を含有する水分散液にドーパント（ｃ）を添加して本発明の組成物を構成するとき、その水分散液中のポリチオフェン系導電性高分子（ａ）および高分子電解質（ｂ）の合計含有量が１．２〜１．４質量％であり、かつ、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）≦２の質量比であるとすると、ドーパント（ｃ）が高極性化合物である場合にあっては、微小量（０．０１質量％未満）以上、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上５質量％未満であり、ドーパント（ｃ）がイオン性液体である場合にあっては、２０質量％超、好ましくは２０質量％超７０質量％以下、より好ましくは２５〜７０質量％、さらに好ましくは２５〜４０質量％、いっそう好ましくは３０〜４０質量％であり、ドーパント（ｃ）が電解質塩のＬｉＣｌＯ４（過塩素酸リチウム）である場合にあっては、３０質量％超、好ましくは３５質量％以上、より好ましくは４０質量％以上であり、ドーパント（ｃ）が電解質塩のＬｉＴＦＳＩ（リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド）である場合にあっては、２質量％超、好ましくは２質量％超７０質量％未満、より好ましくは４０〜６０質量％、さらに好ましくは５０質量％であり、ドーパント（ｃ）が電解質塩のＬｉＢＥＴＩ（リチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド）である場合にあっては、微小量（０．０１質量％未満）以上、好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０〜７０質量％、さらに好ましくは２０〜７０質量％、いっそう好ましくは２５〜６０質量％、より一層好ましくは３０質量％である。
【０１０２】
上記〔Ｉ〕の組成物は、また、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）１００質量部に対して、高分子電解質（ｂ）を好ましくは５０質量部以上、より好ましくは５０〜４００質量部含有し、さらにドーパント（ｃ）を、高極性化合物にあっては、好ましくは２．７質量部以上、より好ましくは２．７〜１．４×１０３質量部、イオン性液体にあっては、好ましくは６．８×１０３質量部以上、より好ましくは６．８×１０３〜６．２×１０４質量部、さらに好ましくは９．０×１０３〜２．２×１０４質量部、いっそう好ましくは１．２×１０４〜１．８×１０４質量部、電解質塩のＬｉＣｌＯ４にあっては、好ましくは１．２×１０４質量部以上、より好ましくは１．８×１０４質量部以上、さらに好ましくは２．２×１０４質量部以上、電解質塩のＬｉＴＦＳＩにあっては、好ましくは５．５×１０２質量部以上、より好ましくは５．５×１０２〜６．２×１０４質量部、さらに好ましくは１．８×１０４〜４．０×１０４質量部、いっそう好ましくは２．７×１０４質量部、電解質塩のＬｉＢＥＴＩにあっては、好ましくは２．７質量部以上、より好ましくは１．４×１０３質量部以上、さらに好ましくは３．０×１０３〜６．２×１０４質量部、いっそう好ましくは６．７×１０３〜６．２×１０４質量部、よりいっそう好ましくは９．０×１０３〜４．０×１０４質量部以下、さらにいっそう好ましくは１．２×１０４質量部含有してもよい。
【０１０３】
上記〔ＩＩ〕の組成物は、前記ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、前記高分子電解質（ｂ）とを含有する溶液であれば特に限定されない。
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）との含有量は特に限定されないが、質量比で、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）が２以下であることが好ましく、１／４以上２以下であることがより好ましい。
【０１０４】
上記〔ＩＩ〕の組成物は、また、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）１００質量部に対して、高分子電解質（ｂ）を好ましくは５０質量部以上、より好ましくは５０〜４００質量部含有する。
【０１０５】
本発明の組成物は、希釈しまたは濃縮して使用することができる。
【０１０６】
本発明の組成物の溶媒は水系または溶剤系のどちらであってもよいが、水系であることが好ましい。
【０１０７】
本発明の組成物は、さらに、成膜性向上の観点から、成膜形成結合剤を含むことができる。そのような結合剤として、水溶性の、または水に分散する親水性ポリマー（例えばゼラチン、ゼラチン誘導体、マレイン酸または無水マレイン酸のコポリマー、ポリスルホン酸スチレン、セルロース誘導体（例えばカルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、酢酸酪酸セルロース、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース）、ポリエチレンオキシド、ポリビニルアルコール、ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン）等を例示することができる。また、他の結合剤としては、エチレンが不飽和であるモノマー（例えば、アクリル酸塩（アクリル酸を含む）、メタクリル酸塩（メタクリル酸を含む）、アクリルアミド、メタクリルアミド、イタコン酸と、その半エステルおよびジエステル、スチレン（置換されたスチレンを含む）、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、酢酸ビニル、ビニルエーテル、ハロゲン化ビニル、ハロゲン化ビニリデン、オレフィン）から調製した添加タイプのホモポリマーやコポリマーの水性エマルジョン、ポリウレタンとポリエステルイオノマーの水性分散液等を例示することができる。
【０１０８】
本発明の組成物は、さらに、公知のポリチオフェン系導電性高分子組成物に配合することができる添加剤を含有してもよい。そのような添加剤としては、ドーパント、触媒、高分子電解質、イオン交換樹脂、水、アルコール、グリコール類、アミン系溶剤その他溶剤、電解質塩、ワックス、界面活性剤、消泡剤、コーティング助剤、帯電防止剤、増粘剤または粘度調節剤、付着防止剤、融合助剤、架橋剤または硬化剤、可溶性染料および／または固体粒子染料、無光沢ビーズ、無機粒子またはポリマー粒子、接着促進剤、腐食性溶媒または化学的エッチング剤、潤滑剤、可塑剤、酸化防止剤、着色剤、その他従来公知の添加物を例示することができる。
【０１０９】
組成物中のポリチオフェン系導電性高分子（ａ）、高分子電解質（ｂ）およびドーパント（ｃ）各成分の質量比が、本発明の組成物中のポリチオフェン系導電性高分子（ａ）、高分子電解質（ｂ）およびドーパント（ｃ）各成分の質量比と同じものであって、本発明の組成物に成膜形成結合剤その他添加剤を配合しもしくは配合しないものもしくは希釈しもしくは濃縮したものまたはこれらと同一視し得る組成物は、各成分の組成物中濃度が相違したとしても、本発明の目的を達成することができ、同一の作用効果を奏する限り、本発明の技術的範囲に含まれることはいうまでもない。
【０１１０】
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）とは、水分散液とすることが好ましく、これにドーパント（ｃ）、その他の添加剤を添加して組成物を調製することが好ましい。ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）の安定性と取扱いの利便性の観点からである。
【０１１１】
本発明の組成物は、例えば、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）および高分子電解質（ｂ）として、それぞれ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）およびポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を使用することが好ましい。この場合には、市販のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を好適に使用することができる。
【０１１２】
そのような市販のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液としては、例えば、ＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ（Ｈ．Ｃ．スタルク社、固形分含有量１．２〜１．４質量％、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１／２．５（質量比））を好ましく例示することができる。このような水分散液は、希釈しまたは濃縮したものを用いることもできる。
【０１１３】
〈５．透明基材〉
本発明の透明電極構造体に使用する透明基材は、透明な基材であれば絶縁基材また導電基材のいずれでもよい。
【０１１４】
絶縁基材としては、例えば、ガラス、石英その他の無機透明基板を使用することができる。
【０１１５】
有機基材としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレンその他のポリオレインの基板またはフィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、液晶ポリマーその他のポリエステル、アミノ基、エポキシ基、ヒドロキシル基、カルボニル基その他の官能基で一部変成した樹脂またはトリアセチルセルロース等の有機透明基板または有機透明フィルムを使用することができる。
【０１１６】
導電基材は、例えば、前記の絶縁基材の表面に透明導電コーティングを施したものが挙げられる。
【０１１７】
透明基材の洗浄、乾燥等前処理は、従来公知の技術を使用することができる。
基材処理は、あらかじめ、易接着処理がなされていたほうが好ましく、それには従来公知の技術を使用することができる。そのような技術としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、火炎処理等を例示することができる。
【０１１８】
〈６．ポリチオフェン系導電性高分子膜の形成方法〉
透明基材上にポリチオフェン系導電性高分子膜を形成する方法としては、以下の二通りの方法を用いることができる。
《６−１．成膜方法Ｉ》
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、ドーパント（ｃ）とを含有する組成物の溶液を使用して、透明基材上に塗布する塗布工程と、塗布した組成物を乾燥する成膜工程とを経ることによってポリチオフェン系導電性高分子膜を透明基材上に成膜することができる。なお、透明基材の塗布面には、アンダーコートまたはプライマー処理を施すことが好ましい。
【０１１９】
組成物を塗布する塗布工程では、従来公知の塗布方法を用いることができる。具体的には、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、リップダイレクト方、コンマコーター法、スリットリバース法、ダイコーター法、グラビアロールコーター法、ブレードコーター法、スプレーコーター法、エアーナイフコート法、ディップコート法、バーコーター法等を例示することができる。
【０１２０】
組成物を乾燥して成膜する成膜工程では、従来公知の乾燥方法を用いることができる。
【０１２１】
《６−２．成膜方法ＩＩ》
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）とを含有するが、ドーパント（ｃ）を含有しない組成物の溶液を使用して、透明基材上に塗布する塗布工程と、塗布した組成物を乾燥する成膜工程とを経ることによってドーパント（ｃ）を含有しないポリチオフェン系導電性高分子膜（以下「非ドープ膜」という。）を透明基材上に成膜し、さらに、非ドープ膜にドーパント（ｃ）をドープするドーピング工程を経ることによってポリチオフェン系導電性高分子膜を透明基材上に成膜することができる。なお、透明基材の塗布面には、アンダーコートまたはプライマー処理を施すことが好ましい。
【０１２２】
塗布方法および乾燥方法は、前記した成膜方法Ｉに記載した方法を用いることができる。
【０１２３】
膜にドーパント（ｃ）をドープするドーピング工程では、従来公知のドーピング方法を用いることができる。具体的には、例えば、ドーパント（ｃ）を所定濃度となるように溶媒に溶かして、非ドープ膜表面に接触させることによってドーピングをすることができる。
【実施例】
【０１２４】
〈１．共通操作〉
《１−１．基板洗浄方法》
透明基材としてガラス基板（ガラススライド、２５ｍｍ×３８ｍｍ）を用いた。ガラス基板をＰｉｒａｎｈａ（濃硫酸：過酸化水素水（３０ｖ／ｖ％）＝３：１）で１時間洗浄後、純水で４回すすぎ、さらに純水中超音波で１０分間洗浄し、６０℃のオーブンで一晩以上乾燥した。
【０１２５】
《１−２．ポリチオフェン系導電性高分子膜の形成》
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）としてポリ（３，４-エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、高分子電解質（ｂ）としてポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）をそれぞれ使用した。
具体的には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液（ＣＬＥＶＩＯＳ Ｐ、Ｈ．Ｃ.スタルク社、固形分１．３質量％、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：２．５（質量比））を使用した。
【０１２６】
ドーパント（ｃ）は次の通りである。
高極性化合物として、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ２００、平均分子量２００）、エチレングリコール（ＥＧ）またはジメチルスルフォキシド（ＤＭＳＯ）を使用した。
【０１２７】
イオン性液体として、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＥＭＩ−ＴＦＳＩ）を使用した。
【０１２８】
電解質塩として、過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）、リチウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＬｉＴＦＳＩ）またはリチウムビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド（ＬｉＢＥＴＩ）を使用した。
【０１２９】
《《１−２−１．作成方法Ｉ》》
前記のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液にドーパント（ｃ）を添加し、超音波で１０分間以上かくはんして導電性高分子組成物とした。
ガラス基板上に前記の導電性高分子組成物を３０００ｒｐｍでスピンコートし、ガラス基板を大気下１２０℃で３０分間加熱乾燥し、ＰＳＳ層とＰＥＤＯＴ層あわせて９０ｎｍの膜厚の導電性高分子膜を成膜した。
【０１３０】
《《１−２−２．作成方法ＩＩ》》
ガラス基板上に前記のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液からなる導電性高分子組成物を３０００ｒｐｍでスピンコートし、ガラス基板を大気下１２０℃で３０分間加熱乾燥し、ＰＳＳ層とＰＥＤＯＴ層あわせて９０ｎｍの膜厚の導電性高分子膜（ドーパント（ｃ）抜き）を成膜した。さらに前記の高極性化合物、イオン性液体または電解質塩を所定濃度の溶液に調整し、ドーパント（ｃ）抜きの導電性高分子膜の表面に接触させ、ＰＳＳ層に前記の高極性化合物、イオン性液体または電解質塩を含浸させた。過剰な高極性化合物、イオン性液体または電解質塩を窒素ブローにより除去後、ガラス基板を大気下１２０℃で３０分間加熱乾燥した。
【０１３１】
＜実施例１、２ 製造方法＞
［実施例１ 作成方法Ｉ］
｛膜厚方向電気伝導率測定（荷重方式）｝
（測定方法）
膜厚方向電気伝導率測定用サンプルは、ガラス基板４５上に０．２μｍ厚の金蒸着膜を作成して金電極４４とし、その上に作成方法Ｉに従ってポリチオフェン系導電性高分子膜４６を作成した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜４６の成膜時に重力偏析によりＰＳＳリッチでＰＥＤＯＴを実質上含有しないＰＳＳ層４２とＰＥＤＯＴリッチなＰＥＤＯＴ層４３が形成された。
膜厚方向電気伝導率測定は、図４に示すように、膜厚方向電気伝導率測定装置４１を用いて、ポリチオフェン系導電性高分子膜４６の膜厚方向の電気抵抗を、ＰＳＳ層４２に接触させた、圧力を印加可能な可動探針４７と金電極４４と間で測定することにより測定した。ＰＳＳ層４２への荷重は０ｇ〜１００ｇまで増大させ、その抵抗値を抵抗計４９でモニタリングした。可動探針４７の接触面積は約１ｍｍ２であった。
【０１３２】
（測定結果）
いずれのサンプルともに抵抗値は荷重を増大させるに従って減少した。
電気接点では弱い押圧により低い接触抵抗を示すことが望まれるため、ある一定の抵抗値を示した荷重を比較した。
第１表に、各サンプルについて、抵抗値が０．３Ωおよび０．５Ωを示した荷重（単位：ｇ）を示す。
【０１３３】
【表１】
【０１３４】
第１表において、「ＰＥＤＯＴ」は組成物中にドーパント（ｃ）を含有しない比較用サンプルを、「ＥＧ」は組成物中に０．５質量％のエチレングリコールを含有する測定用サンプルを、「ＥＭＩ−ＴＦＳＩ」は組成物中に３０質量％のＥＭＩ−ＴＦＳＩを含有する測定サンプルを、「ＬｉＴＦＳＩ」は組成物中に５０質量％のＬｉＴＦＳＩを含有する測定用サンプルを、「ＬｉＢＥＴＩ」は組成物中に５０質量％のＬｉＢＥＴＩを含有する測定用サンプルを、それぞれ表す。
【０１３５】
結果をまとめると、ドーパント（ｃ）を含有しないと、１００ｇ以上の荷重によっても抵抗値を０．５Ωまたは０．３Ωとすることができなかったが、一方、ドーパント（ｃ）を含有する測定用サンプルでは、荷重５ｇ以下で抵抗値を０．５Ωまたは０．３Ωとすることができ、良好な膜厚方向電気伝導率を得ることができた。
【０１３６】
［実施例２ 作成方法ＩＩ］
作成方法ＩＩを用いた点を除いて、実施例１と同様に実施した。
【０１３７】
【表２】
【０１３８】
結果をまとめると、ドーパント（ｃ）を含有しないと、１００ｇ以上の荷重によっても抵抗値を０．５Ωまたは０．３Ωとすることができなかったが、一方、ドーパント（ｃ）を含有する測定用サンプルでは、荷重５ｇ以下で抵抗値を０．５Ωまたは０．３Ωとすることができ、良好な膜厚方向電気伝導率を得ることができた。
すなわち、作成方法Ｉの代わりに作成方法ＩＩを用いても、膜厚方向導電性を得られることが示された。
【０１３９】
＜実施例３〜９ 導電性高分子膜の表面層＞
しかし、探針を用いた膜厚方向導電性測定は、応用の実態に合わせて測定できるため簡便であるが、表面形状による表面の絶縁層を破壊したのか、それとも表面層の導電性が向上したのかを分離して議論することが困難な場合がある。
そこで、実施例３〜９では、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を用いて、導電性高分子膜表面の絶縁層を破壊するために必要なバイアス電圧を測定することにより、表面の絶縁層の厚さを定量化した。バイアス電圧が低いほど表面の絶縁層が薄いまたは表面層の導電性が向上したことを示している。
【０１４０】
ＳＴＭは、通常、非常に鋭く尖った探針を導電性の物質の表面に近づけ、流れるトンネル電流から表面の原子レベルの電子状態、構造等を観察し、表面走査をすることにより、表面形状が得られる。しかし、実施例３〜９においては、ＳＴＭを用いた測定は、表面走査をせず、基板表面の任意の場所を測定した。すなわち、実施例３〜９に係る測定において、表面から一定の高さになるように探針を保持し、基板とＳＴＭの探針間のバイアス電圧を徐々に上昇させた。電流が流れ始める電圧が、導電性高分子表面の絶縁層をトンネル電流が流れ始める電圧である。絶縁層が同一物質であれば、その電圧は絶縁層の厚みに比例するため、バイアス電流が流れ始める電圧を比較することにより表面の絶縁層の厚みを比較した。
【０１４１】
［実施例３］
ドーパント（ｃ）として、高極性化合物であるＰＥＧ２００を使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成は、ガラス基板上に０．２μｍ厚の金蒸着膜を作成し、その上に上記の作成方法１に従って行った。
ＳＴＭを用いた測定結果を第３表に示す。
【０１４２】
【表３】
【０１４３】
なお、第３表において、ＰＥＧ２００含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＰＥＧ２００との混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１４４】
第３表に示す結果から、ＰＥＧ２００添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＰＥＧ２００を０．５質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＰＥＧ２００を０．０１質量％添加時においても導電性向上効果が得られているため、添加量がより少量であっても、導電性向上効果を得られることは容易に理解できる。
【０１４５】
［実施例４］
ドーパント（ｃ）として、高極性化合物であるＥＧを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第４表に示す。
【０１４６】
【表４】
【０１４７】
なお、第４表において、ＥＧ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＥＧとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１４８】
第４表に示す結果から、ＥＧ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＥＧを０．５質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＥＧを０．０１質量％添加時においても導電性向上効果が得られているため、添加量がより少量であっても、導電性向上効果を得られることは容易に理解できる。
【０１４９】
［実施例５］
ドーパント（ｃ）として、高極性化合物であるＤＭＳＯを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第５表に示す。
【０１５０】
【表５】
【０１５１】
なお、第５表において、ＤＭＳＯ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＤＭＳＯとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１５２】
第５表に示す結果から、ＤＭＳＯ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＤＭＳＯを０．５質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＤＭＳＯを０．０１質量％添加時においても導電性向上効果が得られているため、添加量がより少量であっても、導電性向上効果を得られることは容易に理解できる。
【０１５３】
［実施例６］
ドーパント（ｃ）として、イオン性液体であるＥＭＩ−ＴＦＳＩを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第６表に示す。
【０１５４】
【表６】
【０１５５】
なお、第６表において、ＥＭＩ−ＴＦＳＩ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＥＭＩ−ＴＦＳＩとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１５６】
第６表に示す結果から、ＥＭＩ−ＴＦＳＩ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＥＭＩ−ＴＦＳＩを３０〜４０質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＥＭＩ−ＴＦＳＩを２０質量％を超えて添加すると導電性向上効果が得られることは、容易に理解できる。
【０１５７】
［実施例７］
ドーパント（ｃ）として、電解質塩であるＬｉＣｌＯ４を使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第７表に示す。
【０１５８】
【表７】
【０１５９】
なお、第７表において、ＬｉＣｌＯ４含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＬｉＣｌＯ４との混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１６０】
第７表に示す結果から、ＬｉＣｌＯ４添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＬｉＣｌＯ４を４０質量％以上添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＬｉＣｌＯ４を３０質量％を超えて添加すると導電性向上効果が得られることは、容易に理解できる。
【０１６１】
［実施例８］
ドーパント（ｃ）として、電解質塩であるＬｉＴＦＳＩを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第８表に示す。
【０１６２】
【表８】
【０１６３】
なお、第８表において、ＬｉＴＦＳＩ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＬｉＴＦＳＩとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１６４】
第８表に示す結果から、ＬｉＴＦＳＩ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＬｉＴＦＳＩを５０質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＬｉＴＦＳＩを２質量％を超えて添加すると導電性向上効果が得られることは、容易に理解できる。
【０１６５】
［実施例９ ポリチオフェン系導電性高分子膜の導電性］
ドーパント（ｃ）として、電解質塩であるＬｉＢＥＴＩを使用した。
ポリチオフェン系導電性高分子膜の作成方法およびＳＴＭを用いた測定方法は実施例３に記載したのと同様である。
測定結果を第９表に示す。
【０１６６】
【表９】
【０１６７】
なお、第９表において、ＬｉＢＥＴＩ含有量は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液とＬｉＢＥＴＩとの混合物中の濃度（単位：質量％）で表している。
【０１６８】
第９表に示す結果から、ＬｉＢＥＴＩ添加によって、ポリチオフェン系導電性高分子膜の膜厚方向の導電性が向上したことが確認できた。特に、ＬｉＢＥＴＩを３０質量％添加時に最大の導電性向上効果が得られた。
なお、本実施例においては、ＬｉＢＥＴＩを１０質量％添加時においても導電性向上効果が得られているため、添加量がより少量であっても、導電性向上効果を得られることは容易に理解できる。
【符号の説明】
【０１６９】
１ 透明電極構造体
２ Ａ層
３ Ｂ層
４ 透明基材
５ ポリチオフェン系導電性高分子膜
１１ 抵抗膜方式タッチパネル
１２ 上部電極板（可動電極板）
１３ 下部電極板（固定電極板）
１４ スペーサ（絶縁層）
１５ 上部透明基材
１６ 上部透明電極
１７ 下部透明電極
１８ 下部透明基材
１９ ドットスペーサ
２０ ＦＰＣ
２１ 抵抗膜方式タッチパネル（押圧時）
２２ 指（またはペン）
２３ 異方性導電シート
４１ 膜厚方向電気伝導率測定装置
４２ ＰＳＳ層
４３ ＰＥＤＯＴ層
４４ 金電極
４５ ガラス基板
４６ ポリチオフェン系導電性高分子膜
４７ 可動探針
４８ 圧力計
４９ 抵抗計
５０、５１ リード線
１０１ マトリクス型抵抗膜方式タッチパネル
１０２ 上部透明樹脂フィルム
１０３ 上部透明電極
１０４ 下部透明電極
１０５ 下部透明ガラス基板
１２１ 抵抗膜方式タッチパネル（上下ポリチオフェン系導電性高分子膜非接触時）
１２２ 透明樹脂フィルム
１２３、１２６ ポリチオフェン層
１２４、１２５ ＰＳＳ層
１２７ 透明ガラス基板
１２８ スペーサ
１２９ ドットスペーサ
１３０ 指（またはペン）
１３１ 抵抗膜方式タッチパネル（上下ポリチオフェン系導電性高分子膜接触時）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材上に透明電極が設けられた、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体であって、
該透明電極は少なくとも一層の透明導電膜を含み、
該透明導電膜は
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、
高分子電解質（ｂ）と、
高極性化合物、イオン性液体または電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）と
を含有するポリチオフェン系導電性高分子膜であり、
該ポリチオフェン系導電性高分子膜は膜厚方向の導電性を有することを特徴とする、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体。
【請求項２】
透明基材と該透明基材上に設けられた透明電極とを有する第一の透明電極構造体と、透明基材と該透明基材上に設けられた透明電極とを有する第二の透明電極構造体とを、スペーサを介して、透明電極どうしが対向するよう配置してなり、第一の透明電極構造体の透明電極と第二の透明電極構造体の透明電極とを接触することによって両透明電極の電気的な接続を得ることができる抵抗膜方式タッチパネルにおいて、
第一の透明電極構造体が請求項１に記載の透明電極構造体である抵抗膜方式タッチパネル。
【請求項３】
さらに、第二の透明電極構造体が請求項１に記載の透明電極構造体である、請求項２に記載の抵抗膜方式タッチパネル。
【請求項４】
透明基材の上にポリチオフェン系導電性高分子組成物を塗布する塗布工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物からポリチオフェン系導電性高分子膜を膜厚方向の重力偏析を許しながら成膜する成膜工程とをこの順に具備する透明電極構造体の製造方法であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物が
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、
高分子電解質（ｂ）と、
高極性化合物、イオン性液体または電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有するポリチオフェン系導電性高分子組成物である、透明電極構造体の製造方法。
【請求項５】
透明基材の上にポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）とを含有するポリチオフェン系導電性高分子組成物を塗布する塗布工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物からポリチオフェン系導電性高分子膜を膜厚方向の重力偏析を許しながら成膜する成膜工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子膜に高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）をドープするドーピング工程とをこの順に具備する透明電極構造体の製造方法。
【請求項６】
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）１００質量部に対して、該高分子電解質（ｂ）５０質量部以上と、該ドーパント（ｃ）として高極性化合物１．２５質量部以上、イオン性液体６．８×１０３質量部以上または過塩素酸リチウム１．２×１０４質量部以上、リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド５．５×１０２質量部以上もしくはリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド２．７質量部以上とを含有する、透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物。
【請求項７】
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と該高分子電解質（ｂ）とを、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）≦２の質量比で、合わせて１．２〜１．４質量％含有する水分散液に、該ドーパント（ｃ）として、該組成物中に、高極性化合物０．０１質量％以上、イオン性液体２０質量％超または過塩素酸リチウム３０質量％超、リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド２質量％超もしくはリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド０．０１質量％以上を含有するように添加して得られる、透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物。
【請求項８】
請求項６または７に記載の透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物を用いて得られる、抵抗膜方式タッチパネル用の抵抗膜。
【請求項９】
請求項６または７に記載の透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物を用いて得られる、抵抗膜方式タッチパネル用の透明電極。
【請求項１】
透明基材上に透明電極が設けられた、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体であって、
該透明電極は少なくとも一層の透明導電膜を含み、
該透明導電膜は
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、
高分子電解質（ｂ）と、
高極性化合物、イオン性液体または電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）と
を含有するポリチオフェン系導電性高分子膜であり、
該ポリチオフェン系導電性高分子膜は膜厚方向の導電性を有することを特徴とする、電気的接続構造に用いられる透明電極構造体。
【請求項２】
透明基材と該透明基材上に設けられた透明電極とを有する第一の透明電極構造体と、透明基材と該透明基材上に設けられた透明電極とを有する第二の透明電極構造体とを、スペーサを介して、透明電極どうしが対向するよう配置してなり、第一の透明電極構造体の透明電極と第二の透明電極構造体の透明電極とを接触することによって両透明電極の電気的な接続を得ることができる抵抗膜方式タッチパネルにおいて、
第一の透明電極構造体が請求項１に記載の透明電極構造体である抵抗膜方式タッチパネル。
【請求項３】
さらに、第二の透明電極構造体が請求項１に記載の透明電極構造体である、請求項２に記載の抵抗膜方式タッチパネル。
【請求項４】
透明基材の上にポリチオフェン系導電性高分子組成物を塗布する塗布工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物からポリチオフェン系導電性高分子膜を膜厚方向の重力偏析を許しながら成膜する成膜工程とをこの順に具備する透明電極構造体の製造方法であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物が
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、
高分子電解質（ｂ）と、
高極性化合物、イオン性液体または電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有するポリチオフェン系導電性高分子組成物である、透明電極構造体の製造方法。
【請求項５】
透明基材の上にポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と高分子電解質（ｂ）とを含有するポリチオフェン系導電性高分子組成物を塗布する塗布工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子組成物からポリチオフェン系導電性高分子膜を膜厚方向の重力偏析を許しながら成膜する成膜工程と、
該ポリチオフェン系導電性高分子膜に高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）をドープするドーピング工程とをこの順に具備する透明電極構造体の製造方法。
【請求項６】
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）１００質量部に対して、該高分子電解質（ｂ）５０質量部以上と、該ドーパント（ｃ）として高極性化合物１．２５質量部以上、イオン性液体６．８×１０３質量部以上または過塩素酸リチウム１．２×１０４質量部以上、リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド５．５×１０２質量部以上もしくはリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド２．７質量部以上とを含有する、透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物。
【請求項７】
ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と、高分子電解質（ｂ）と、高極性化合物、イオン性液体および電解質塩からなる群から選ばれるドーパント（ｃ）とを含有する透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物であって、
該ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）と該高分子電解質（ｂ）とを、ポリチオフェン系導電性高分子（ａ）／高分子電解質（ｂ）≦２の質量比で、合わせて１．２〜１．４質量％含有する水分散液に、該ドーパント（ｃ）として、該組成物中に、高極性化合物０．０１質量％以上、イオン性液体２０質量％超または過塩素酸リチウム３０質量％超、リチウムビス（トリフルオロメタンスルフォン）イミド２質量％超もしくはリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルフォン）イミド０．０１質量％以上を含有するように添加して得られる、透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物。
【請求項８】
請求項６または７に記載の透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物を用いて得られる、抵抗膜方式タッチパネル用の抵抗膜。
【請求項９】
請求項６または７に記載の透明電極構造体用ポリチオフェン系導電性高分子組成物を用いて得られる、抵抗膜方式タッチパネル用の透明電極。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１０８４２５（Ｐ２０１１−１０８４２５Ａ）
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６０３１１（Ｐ２００９−２６０３１１）
【出願日】平成２１年１１月１３日（２００９．１１．１３）
【出願人】（０００２３１０７３）日本航空電子工業株式会社 (1,081)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月１３日（２００９．１１．１３）
【出願人】（０００２３１０７３）日本航空電子工業株式会社 (1,081)
【Ｆターム（参考）】
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