通信モジュール
【課題】コストを増大させることなく、高耐電力と低通過損失の両立が可能なアンテナ分波器を備える通信モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の分波器を備え、複数の分波器のうち、互いに送信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタ、即ち第１分波器４０の第１送信フィルタ４２と第２分波器５０の第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４および互いに受信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタ、即ち第１分波器４０の第１受信フィルタ４４と第２分波器５０の第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４の少なくとも一方が、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている通信モジュールである。
【解決手段】本発明は、複数の分波器を備え、複数の分波器のうち、互いに送信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタ、即ち第１分波器４０の第１送信フィルタ４２と第２分波器５０の第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４および互いに受信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタ、即ち第１分波器４０の第１受信フィルタ４４と第２分波器５０の第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４の少なくとも一方が、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている通信モジュールである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信システムの発展に伴って、携帯電話端末等が急速に普及している。また、携帯電話端末に代表される無線通信機器のマルチバンド化及びシステム化が進み、１台の無線通信機器に複数の通信装置が搭載されるようになっている。例えば複数の周波数帯をカバーする携帯電話端末が知られており、この携帯電話端末には、複数の周波数帯をカバーするために、複数のアンテナ分波器が搭載されている。
【０００３】
アンテナ分波器は、周波数の異なる送信信号と受信信号を分離するために用いられ、送信フィルタと受信フィルタとを有する。最近では、これら送信フィルタや受信フィルタに、小型化に適した弾性波フィルタが使用されるようになっている。
【０００４】
アンテナ分波器は通常、別々のチップで形成した送信フィルタと受信フィルタとを基板上に実装した構成をしている。近年では、実装の簡略化を考慮し、送信フィルタと受信フィルタとを１チップ化したものも製造されている。また、２以上のアンテナ分波器が１つのパッケージに収納される構成において、アンテナ分波器の送信フィルタ同士を１チップ化し、受信フィルタ同士を１チップ化した構成も提案されている（例えば特許文献１、２）。また、膜厚や材料の異なるＩＤＴ電極を有する複数の弾性波フィルタを１チップ化する技術も提案されている（例えば特許文献３〜５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３４９５８６号公報
【特許文献２】特開２００７−１３４７９５号公報
【特許文献３】特開２０１１−９８８２号公報
【特許文献４】特開２００１−２６７８６８号公報
【特許文献５】特開平１０−１９０３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実装の簡略化を考慮すると、アンテナ分波器の送信フィルタと受信フィルタとを１チップ化した構成とすることが望ましい。送信フィルタと受信フィルタとを１チップ化した場合、一般的に送信フィルタと受信フィルタとは同時に形成されるようになり、それぞれのＩＤＴ電極は、同じ材料且つ同じ膜厚となる。
【０００７】
送信フィルタは高耐電力であることが求められるため、高耐電力の実現が可能な材料を用いてＩＤＴ電極が形成される結果、受信フィルタのＩＤＴ電極も高耐電力の実現が可能な材料を用いて形成されることとなる。しかしながら、受信フィルタは送信フィルタほど高耐電力であることは求められておらず、受信フィルタのＩＤＴ電極を高耐電力の実現が可能な材料を用いて形成すると、電気抵抗が増加し通過損失が悪化してしまうことがある。
【０００８】
例えば、特許文献３に記載された方法を用いて送信フィルタと受信フィルタとを１チップ化すれば、送信フィルタの高耐電力と受信フィルタの低通過損失を両立できるが、製造工程が複雑になるため、コストの増大は避けられない。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、コストを増大させることなく、高耐電力と低通過損失の両立が可能なアンテナ分波器を備える通信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、複数の分波器を備え、前記複数の分波器のうち、互いに送信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極および互いに受信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極の少なくとも一方が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられていることを特徴とする通信モジュールである。本発明によれば、コストを増大させることなく、高耐電力且つ低通過損失のアンテナ分波器を有する通信モジュールを得ることができる。
【００１１】
上記構成において、前記送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、且つ、前記受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記送信フィルタのＩＤＴ電極は、前記受信フィルタのＩＤＴ電極に比べて耐電力が高い構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記受信フィルタのＩＤＴ電極は、前記送信フィルタのＩＤＴ電極に比べて電気抵抗が低い構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記複数の分波器それぞれに含まれる受信フィルタとは異なる受信帯域を有する受信フィルタを備え、該受信フィルタのＩＤＴ電極と前記少なくとも２つの分波器に含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極とが、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタは、ＷＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド２とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの送信フィルタを含む構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド１とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの受信フィルタを含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、コストを増大させることなく、高耐電力且つ低通過損失のアンテナ分波器を有する通信モジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、比較例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、比較例１に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送信フィルタと受信フィルタの断面模式図の例である。
【図３】図３は、比較例２に係る通信モジュールの断面模式図の例である。
【図４】図４は、比較例２に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送受信チップの断面模式図の例である。
【図５】図５は、比較例３に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送受信チップの断面模式図の例である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、第１送受信チップの製造方法を示す断面模式図の例（その１）である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、第１送受信チップの製造方法を示す断面模式図の例（その２）である。
【図８】図８は、実施例１に係る通信モジュールを用いた無線部の構成を示すブロック図である。
【図９】図９は、実施例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。
【図１０】図１０（ａ）は、送信チップの断面模式図の例であり、図１０（ｂ）は、受信チップの断面模式図の例である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、送信チップの第１の製造方法を示す断面模式図の例である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、送信チップの第２の製造方法を示す断面模式図の例である。
【図１３】図１３は、実施例１の変形例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。
【図１４】図１４は、実施例２に係る通信モジュールを用いた無線部の構成を示すブロック図の例である。
【図１５】図１５は、実施例２に係る通信モジュールのブロック図の例である。
【図１６】図１６は、第３分波器と第４分波器の受信フィルタとＧＳＭの受信フィルタとを１チップ化した受信チップの断面模式図の例である。
【図１７】図１７（ａ）から図１７（ｃ）は、複数の分波器を備えた通信モジュールのブロック図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
まず、比較例１に係る通信モジュールについて説明する。図１は、比較例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。図２（ａ）は、比較例１に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送信フィルタの断面模式図の例であり、図２（ｂ）は、第１分波器の受信フィルタの断面模式図の例である。図１を参照に、比較例１に係る通信モジュールは、プリント基板２００上に実装された２つの分波器、第１分波器２２０と第２分波器２３０とを有する。第１分波器２２０の送受信帯域と第２分波器２３０の送受信帯域とは互いに異なる。
【００２０】
第１分波器２２０は、基板２０２上に実装された第１送信フィルタ２２２と第１受信フィルタ２２４とを有する。第１送信フィルタ２２２と第１受信フィルタ２２４とは別々のチップで設けられ、封止部２０４により封止されている。第１送信フィルタ２２２と第１受信フィルタ２２４とは、例えば弾性表面波フィルタである。図２（ａ）を参照に、第１送信フィルタ２２２は、圧電基板２０６上にＩＤＴ電極２０８とその両側に反射電極２１０とが設けられている。第１送信フィルタ２２２のＩＤＴ電極２０８と反射電極２１０とは、例えば圧電基板２０６側からＴｉ、Ａｌ−１％Ｃｕが順に積層された２層構造の電極である。図２（ｂ）を参照に、第１受信フィルタ２２４も同様に、圧電基板２０６上にＩＤＴ電極２０８と反射電極２１０とが設けられている。第１受信フィルタ２２４のＩＤＴ電極２０８と反射電極２１０とは、例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極である。なお、Ａｌ−１％Ｃｕとは、ＡｌにＣｕが１重量％混合した合金をいう。
【００２１】
第２分波器２３０は、基板２０２上に実装された第２送信フィルタ２３２と第２受信フィルタ２３４とを有する。第２送信フィルタ２３２と第２受信フィルタ２３４とは別々のチップで設けられ、封止部２０４により封止されている。第２送信フィルタ２３２と第２受信フィルタ２３４とは、例えば弾性表面波フィルタである。第２送信フィルタ２３２及び第２受信フィルタ２３４の断面模式図は、第１送信フィルタ２２２及び第１受信フィルタ２２４と同様であり、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示しているため、ここでは説明を省略する。
【００２２】
送信フィルタは高耐電力であることが求められる。このため、第１送信フィルタ２２２と第２送信フィルタ２３２とのＩＤＴ電極は、高耐電力を実現可能とすべく、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極を採用する。一方、受信フィルタは送信フィルタほど高耐電力を求められていない。このため、第１受信フィルタ２２４と第２受信フィルタ２３４とのＩＤＴ電極は、低損失となるよう電気抵抗を低くすべく、Ａｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極を採用する。
【００２３】
比較例１に係る通信モジュールによれば、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタは高耐電力を実現でき、受信フィルタは低電気抵抗による低通過損失を実現できる。また、弾性表面波フィルタは、周波数帯によってＩＤＴ電極の最適な膜厚が異なるが、第１分波器２２０と第２分波器２３０とで送信フィルタ及び受信フィルタをそれぞれ別チップで設けているため、ＩＤＴ電極を最適な厚さにできる。しかしながら、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタと受信フィルタとを別々に製造し、且つ別々に実装するため、製造・実装工程が増え、コストが増大してしまう。
【００２４】
次に、比較例２に係る通信モジュールについて説明する。図３は、比較例２に係る通信モジュールの断面模式図の例である。図４は、比較例２に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送受信チップの断面模式図の例である。図３を参照に、比較例２に係る通信モジュールは、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタと受信フィルタとが１チップ化されている（以下において、送信フィルタと受信フィルタとが１チップ化されたものを送受信チップと称す）点で、比較例１に係る通信モジュールと異なる。第１分波器２２０の送受信チップを第１送受信チップ２２６と称し、第２分波器２３０の送受信チップを第２送受信チップ２３６と称す。
【００２５】
図４を参照に、第１送受信チップ２２６は、単一の圧電基板２０６上に、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと反射電極２１０Ａ及び受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂと反射電極２１０Ｂが設けられている。この場合、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂとは一般的に同時に形成されることから、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂとは、同じ材料且つ同じ膜厚となる。なお、第２送受信チップ２３６についても、第１送受信チップ２２６と同様の断面模式図であり、図４に示しているため、ここでは説明を省略する。
【００２６】
送信フィルタは高耐電力であることが求められ、これはアンテナ分波器にとって必須の要件である。したがって、第１送受信チップ２２６と第２送受信チップ２３６とにおいて、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａは、高耐電力を実現可能とすべく、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極を採用する。また、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂは送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと同時に形成されることから、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂも、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極となる。
【００２７】
比較例２に係る通信モジュールによれば、送信フィルタと受信フィルタとが１チップ化され、且つ送信フィルタと受信フィルタとのＩＤＴ電極が同時に形成されるため、製造・実装工程を簡略化することができる。また、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタは高耐電力を実現できる。しかしながら、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８ＢもＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極となるため、比較例１のように受信フィルタのＩＤＴ電極をＡｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極とした場合に比べて、電気抵抗が高くなり、通過損失が悪化してしまう。
【００２８】
次に、比較例３に係る通信モジュールについて説明する。比較例３に係る通信モジュールの断面模式図は、比較例２に係る通信モジュールの断面模式図と同じであり、図３で説明しているので、ここでは説明を省略する。図５は、比較例３に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送受信チップの断面模式図の例である。なお、第２分波器の送受信チップについても、第１分波器の送受信チップと同様の断面模式図であるため、ここでは説明を省略する。
【００２９】
図５を参照に、第１送受信チップ２２６は、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａ及び反射電極２１０Ａが、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極であり、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂ及び反射電極２１０Ｂが、Ａｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極である点で、比較例２に係る通信モジュールと異なる。
【００３０】
図６（ａ）から図７（ｃ）は、第１送受信チップ２２６の製造方法を示す断面模式図の例である。図６（ａ）を参照に、圧電基板２０６上に、例えばスパッタ法を用いて、Ｔｉ膜２１２とＡｌ−１％Ｃｕ膜２１４とを順に成膜する。図６（ｂ）を参照に、Ａｌ−１％Ｃｕ膜２１４上にレジスト２１６を形成し、レジスト２１６のパターニングを行う。このとき、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａ及び反射電極２１０Ａとなるべき領域が保護されるように、レジスト２１６のパターニングを行う。
【００３１】
図６（ｃ）を参照に、レジスト２１６をマスクとして、Ｔｉ膜２１２とＡｌ−１％Ｃｕ膜２１４とに対してエッチングを行う。これにより、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと反射電極２１０Ａとが形成される。また、受信フィルタの領域においては、Ｔｉ膜２１２とＡｌ−１％Ｃｕ膜２１４とが全て除去されて、圧電基板２０６の表面が露出する。
【００３２】
図７（ａ）を参照に、圧電基板２０６、ＩＤＴ電極２０８Ａ、及び反射電極２１０Ａの上にレジスト２１６を形成し、レジスト２１６のパターニングを行う。このとき、圧電基板２０６上であって受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂと反射電極２１０Ｂとが形成されるべき領域が露出するように、レジスト２１６のパターニングを行う。
【００３３】
図７（ｂ）を参照に、圧電基板２０６上及びレジスト２１６上に、例えば蒸着法を用いて、Ａｌ−１％Ｃｕ膜２１４を成膜する。図７（ｃ）を参照に、リフトオフをすることにより、レジスト２１６及びレジスト２１６上のＡｌ−１％Ｃｕ膜２１４を除去する。これにより、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂと反射電極２１０Ｂとが形成される。以上により、第１送受信チップ２２６が製造される。なお、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂと反射電極２１０Ｂとをエッチング法によって形成してもよく、また、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと反射電極２１０Ａとをリフトオフ法によって形成してもよい。
【００３４】
比較例３に係る通信モジュールによれば、送信フィルタと受信フィルタとが１チップ化されているため、実装工程を簡略化することができる。また、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタは高耐電力を実現でき、受信フィルタは低電気抵抗による低通過損失を実現できる。しかしながら、図６（ａ）から図７（ｃ）で説明したような製造工程を経るため、製造工数が多くなりコストが増大してしまう。
【００３５】
そこで、上記事情を鑑みて、コストを増大させることなく、送信フィルタの高耐電力と受信フィルタの低通過損失とを実現することが可能なアンテナ分波器を備える通信モジュールについて説明する。
【実施例１】
【００３６】
図８は、実施例１に係る通信モジュールを用いた無線部の構成を示すブロック図の例である。図８を参照に、無線部は、アンテナ１０と、アンテナスイッチ１２と、実施例１に係る通信モジュール１４と、パワーアンプ１６と、ローノイズアンプ１８と、フィルタ２０及び２１と、ＲＦＩＣ２２と、を有する。実施例１に係る通信モジュール１４は、第１分波器４０と第２分波器５０とを有する。第１分波器４０は、第１送信フィルタ４２と第１受信フィルタ４４とを有し、第２分波器５０は、第２送信フィルタ５２と第２受信フィルタ５４とを有する。第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とは、例えばラダー型の弾性表面波フィルタであり、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とは、例えばダブルモード結合型の弾性表面波フィルタである。
【００３７】
第１分波器４０の送受信帯域と第２分波器５０の送受信帯域とは互いに重ならずに異なる。即ち、第１送信フィルタ４２の送信帯域と第２送信フィルタ５２の送信帯域とは互いに重ならずに異なり、第１受信フィルタ４４の受信帯域と第２受信フィルタ５４の受信帯域とは互いに重ならずに異なる。例えば、第１分波器４０は、ＷＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）方式におけるバンド５の分波器であり、第２分波器５０は、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド８の分波器である。つまり、第１送信フィルタ４２の送信帯域は８２４〜８４９ＭＨｚで、第１受信フィルタ４４の受信帯域は８６９〜８９４ＭＨｚである。第２送信フィルタ５２の送信帯域は８８０〜９１５ＭＨｚで、第２受信フィルタ５４の受信帯域は９２５〜９６０ＭＨｚである。
【００３８】
第１分波器４０と第２分波器５０とはそれぞれアンテナ端子（Ｂａｎｄ５及びＢａｎｄ８）を介して、アンテナスイッチ１２に接続する。アンテナスイッチ１２は、アンテナ１０に接続している。これにより、アンテナスイッチ１２にて、第１分波器４０と第２分波器５０とのうちアンテナ１０に電気的に接続する分波器を選択できる。
【００３９】
第１送信フィルタ４２及び第２送信フィルタ５２は、パワーアンプ１６とフィルタ２０とを介してＲＦＩＣ２２に接続している。第１送信フィルタ４２に接続するフィルタ２０は、第１送信フィルタ４２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。第２送信フィルタ５２に接続するフィルタ２０は、第２送信フィルタ５２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。
【００４０】
第１受信フィルタ４４及び第２受信フィルタ５４は、ローノイズアンプ１８とフィルタ２１とを介してＲＦＩＣ２２に接続する。第１受信フィルタ４４に接続するフィルタ２１は、第１受信フィルタ４４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。第２受信フィルタ５４に接続するフィルタ２１は、第２受信フィルタ５４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。
【００４１】
ここで、ＷＣＤＭＡの送受信信号の送受信について説明する。ＲＦＩＣ２２は、高周波数の送信信号をフィルタ２０に出力する。フィルタ２０は、送信信号をフィルタリングし、パワーアンプ１６に出力する。パワーアンプ１６は、送信信号を増幅し、第１分波器４０（又は第２分波器５０）に出力する。第１分波器４０（又は第２分波器５０）は、送信信号をフィルタリングし、アンテナスイッチ１２のアンテナ端子に出力する。アンテナスイッチ１２は、アンテナ端子に受信信号を出力する。第１分波器４０（又は第２分波器５０）は、受信信号をフィルタリングし、ローノイズアンプ１８に出力する。ローノイズアンプ１８は、受信信号を増幅し、フィルタ２１に出力する。フィルタ２１は、受信信号をフィルタリングし、ＲＦＩＣ２２に出力する。フィルタ２１は、平衡信号を出力してもよい。このように、第１分波器４０及び第２分波器５０それぞれの送信フィルタは、ＲＦＩＣ２２から出力された送信信号を通過させるが、アンテナ端子に入力された受信信号は通過させない。また、第１分波器４０及び第２分波器５０それぞれの受信フィルタは、アンテナ端子に入力された受信信号を通過させるが、ＲＦＩＣ２２から出力された送信信号は通過させない。
【００４２】
図９は、実施例１に係る通信モジュール１４の断面模式図の例である。図９を参照に、実施例１に係る通信モジュール１４は、プリント基板２４上に、送信パッケージ４６と受信パッケージ５６とが実装されている。送信パッケージ４６は、送信チップ４８が、例えばＡｕからなるバンプ２６を用いて、例えばＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）からなる基板２８上にフリップチップ実装されている。同様に、受信パッケージ５６は、受信チップ５８が、バンプ２６を用いて、基板２８上にフリップチップ実装されている。送信チップ４８と受信チップ５８とは、例えばモールド樹脂からなる封止部３０によって封止されている。なお、基板２８は、ＨＴＣＣ以外の基板を用いても良く、例えばＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）からなる基板やプリント基板を用いてもよい。また、送信チップ４８と受信チップ５８とは、モールド樹脂の代わりに、送信チップ４８と受信チップ５８の上に例えば樹脂からなる天板を設けて封止してもよい。
【００４３】
次に、送信チップ４８と受信チップ５８とについて説明する。図１０（ａ）は、送信チップ４８の断面模式図の例であり、図１０（ｂ）は、受信チップ５８の断面模式図の例である。図１０（ａ）を参照に、送信チップ４８は、例えばＬＴ（タンタル酸リチウム）又はＬＮ（ニオブ酸リチウム）からなる単一の圧電基板３２上に、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４と反射電極３６及び第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４と反射電極３６が設けられている。反射電極３６は、弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極３４の両側に設けられている。ＩＤＴ電極３４及び反射電極３６は、例えば圧電基板３２側からＴｉ、Ａｌ−１％Ｃｕが順に積層された２層構造をしている。ＩＤＴ電極３４及び反射電極３６の膜厚は、例えばＴｉが１６０ｎｍでＡｌ−１％Ｃｕが２１０ｎｍの計３７０ｎｍである。このように、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ層数且つ同じ膜厚で設けられている。
【００４４】
弾性表面波フィルタにおいては、周波数によってＩＤＴ電極の最適な膜厚が異なる。第１送信フィルタ４２の送信帯域は８２４〜８４９Ｍｚであり、第２送信フィルタ５２の送信帯域は８８０〜９１５ＭＨｚであることから、厳密には、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とで、ＩＤＴ電極３４の最適な膜厚は異なる。しかしながら、第１送信フィルタ４２の送信帯域と第２送信フィルタ５２の送信帯域は近接しており、ＩＤＴ電極の最適な膜厚も近いため、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４を同じ膜厚で形成できる。なお、この場合、第１送信フィルタ４２の送信帯域に対するＩＤＴ電極の最適な膜厚と第２送信フィルタ５２の送信帯域に対するＩＤＴ電極の最適な膜厚との平均値を、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４の膜厚とすることが好ましい。
【００４５】
図１０（ｂ）を参照に、受信チップ５８は、例えばＬＴ又はＬＮからなる単一の圧電基板３２上に、第１受信フィルタ４４のＩＤＴ電極３４と反射電極３６及び第２受信フィルタ５４のＩＤＴ電極３４と反射電極３６が設けられている。反射電極３６は、弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極３４の両側に設けられている。ＩＤＴ電極３４及び反射電極３６は、例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層構造をしている。ＩＤＴ電極３４及び反射電極３６の膜厚は、例えばＡｌ−１％Ｃｕが３７２．５ｎｍである。このように、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ層数且つ同じ膜厚で設けられている。
【００４６】
第１受信フィルタ４４の受信帯域（８６９〜８９４ＭＨｚ）と第２受信フィルタ５４の受信帯域（９２５〜９６０ＭＨｚ）とは近接している。このため、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４の最適な膜厚が近く、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４を同じ膜厚で形成できる。なお、この場合、第１受信フィルタ４４の受信帯域に対するＩＤＴ電極の最適な膜厚と第２受信フィルタ５４の受信帯域に対するＩＤＴ電極の最適な膜厚との平均値を、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４の膜厚とすることが好ましい。
【００４７】
次に、送信チップ４８の製造方法について説明する。なお、受信チップ５８についても同様の製造方法により製造できるため、ここでは受信チップ５８の製造方法については説明を省略する。図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、送信チップ４８の第１の製造方法を示す断面模式図の例である。図１１（ａ）を参照に、圧電基板３２上に、例えばスパッタ法を用いて、Ｔｉ膜６０とＡｌ−１％Ｃｕ膜６２とを順に成膜する。
【００４８】
図１１（ｂ）を参照に、Ａｌ−１％Ｃｕ膜６２上にレジスト６４を形成し、レジスト６４のパターニングを行う。このとき、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６と第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６となるべき領域が保護されるように、レジスト６４のパターニングを行う。
【００４９】
図１１（ｃ）を参照に、レジスト６４をマスクとして、Ｔｉ膜６０とＡｌ−１％Ｃｕ膜６２とをエッチングする。これにより、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６と第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６とが、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ層数且つ同じ膜厚で同時に形成される。
【００５０】
図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、送信チップ４８の第２の製造方法を示す断面模式図の例である。図１２（ａ）を参照に、圧電基板３２上にレジスト６４を形成し、レジスト６４のパターニングを行う。このとき、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６と第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６とが形成されるべき領域の圧電基板３２が露出するように、レジスト６４のパターニングを行う。
【００５１】
図１２（ｂ）を参照に、圧電基板３２上及びレジスト６４上に、例えば蒸着法を用いて、Ｔｉ膜６０とＡｌ−１％Ｃｕ膜６２とを順に成膜する。図１２（ｃ）を参照に、リフトオフをすることにより、レジスト６４とレジスト６４上のＴｉ膜６０及びＡｌ−１％Ｃｕ膜６２とを除去する。これにより、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６と第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６とが、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ層数且つ同じ膜厚で同時に形成される。
【００５２】
図９に戻り、プリント基板２４と基板２８とには内部配線３８が設けられていて、送信チップ４８と受信チップ５８とは、バンプ２６を介して内部配線３８に電気的に接続する。プリント基板２４の裏面には、内部配線３８に電気的に接続し、外部回路との接続に使用される接続端子３９が設けられている。外部回路から接続端子３９に送信信号が入力されると、送信信号は内部配線３８を介して送信チップ４８に伝搬される。また、受信チップ５８から受信信号が出力されると、受信信号は、内部配線３８を介して接続端子３９に伝搬される。
【００５３】
以上説明してきたように、実施例１に係る通信モジュール１４によれば、図８のように、送信帯域同士が互いに重ならずに異なり且つ受信帯域同士が互いに重ならずに異なる２つの分波器、第１分波器４０と第２分波器５０とを備える。そして、図１０（ａ）のように、第１分波器４０と第２分波器５０との送信フィルタである第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４が、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている。図１０（ｂ）のように、第１分波器４０と第２分波器５０との受信フィルタである第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４が、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている。
【００５４】
このように、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とを１チップ化して送信チップ４８とし、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とを１チップ化して受信チップ５８とすることで、比較例１の場合と比べて、実装工程を簡略化することができる。また、図１１（ａ）から図１１（ｃ）及び図１２（ａ）から図１２（ｃ）で説明したように、送信チップ４８と受信チップ５８の製造は、図６（ａ）から図７（ｃ）で説明した第１送受信チップ２２６の製造に比べて、少ない製造工数によって製造することができる。これらのことから、実装コスト及び製造コストを抑えることができる。
【００５５】
また、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とを１チップ化し、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とを１チップ化することで、送信フィルタと受信フィルタとでＩＤＴ電極の材料、層数、膜厚等を異ならせることができる。即ち、送信フィルタのＩＤＴ電極を、高耐電力を実現すべく、例えばＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造とし、受信フィルタのＩＤＴ電極を、低電気抵抗を実現すべく、例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層構造とすることができる。このため、送信フィルタの高耐電力と受信フィルタの低通過損失とを実現することができる。
【００５６】
以上のことから、実施例１によれば、コストを増大させることなく、高耐電力且つ低通過損失のアンテナ分波器を有する通信モジュールを得ることができる。
【００５７】
また、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とをまとめて送信チップ４８とし、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とをまとめて受信チップ５８とすることで、送信フィルタと受信フィルタとを分離して配置できる。これにより、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性を改善することができる。
【００５８】
第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極で、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、Ａｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極である場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、送信フィルタとして求められる特性を満たすような材料、層数、膜厚等を有する構造の電極である場合が好ましい。第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、受信フィルタとして求められる特性を満たすような材料、層数、膜厚等を有する構造の電極である場合が好ましい。具体的には、送信フィルタは高耐電力であることが求められ、受信フィルタは送信フィルタほど高耐電力であることは求められず、低通過損失のために低電気抵抗であることが求められる。したがって、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４に比べて耐電力が高いことが好ましい。また、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４に比べて電気抵抗が低いことが好ましい。
【００５９】
第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の他に、例えばＴｉの下層とＡｌを主成分とする上層との２層構造としてもよい。第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、Ａｌ−１％Ｃｕの単層構造の他には、例えばＡｌを主成分とする単層構造としてもよい。
【００６０】
第１分波器４０はＷＣＤＭＡ方式におけるバンド５の分波器で、第２分波器５０はバンド８の分波器である場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。それぞれの送信フィルタの送信帯域が近接している場合であれば、送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で形成できる。それぞれの受信フィルタの受信帯域が近接している場合であれば、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で形成できる。このことから、第１分波器４０の送信帯域と第２分波器５０の送信帯域とが互いに近接し、第１分波器４０の受信帯域と第２分波器５０の受信帯域とが互いに近接している場合が好ましい。
【００６１】
表１に示すＷＣＤＭＡ方式における周波数帯を参照すると、送信帯域同士が互いに近接し且つ受信帯域同士が互いに近接しているバンドは、バンド１からバンド４及びバンド９との組み合わせ、バンド５、バンド６及びバンド８の組み合わせである。したがって、第１分波器４０をバンド１からバンド４及びバンド９のいずれかの分波器とし、第２分波器５０をバンド１からバンド４及びバンド９の他のいずれかの分波器とする場合でもよい。また、第１分波器４０をバンド５、バンド６及びバンド８のいずれかの分波器とし、第２分波器５０をバンド５、バンド６及びバンド８の他のいずれかの分波器とする場合でもよい。
【表１】
【００６２】
しかしながら、送受信帯域が近接している場合であっても、受信帯域の比帯域幅（（受信帯域の帯域幅／受信帯域の中心値）×１００）が大きい場合や、送信帯域と受信帯域との間隔が狭い場合は、単一の圧電基板上にＩＤＴ電極を同じ材料且つ同じ膜厚で設けることが難しい場合がある。この点を考慮すると、第１分波器４０と第２分波器５０とは、バンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせである場合が好ましい。
【００６３】
実施例１では、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４が単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、且つ、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４が単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている場合を例に示した。言い換えると、互いに送信帯域が異なる第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、且つ、互いに受信帯域が異なる第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている場合を例に示した。しかしながら、この場合に限られる訳ではない。第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの送信フィルタのＩＤＴ電極及びそれぞれの受信フィルタのＩＤＴ電極の少なくとも一方が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている場合であればよい。
【００６４】
上述したように、第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの送信フィルタのＩＤＴ電極が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられるには、第１分波器４０と第２分波器５０との送信フィルタの送信帯域が互いに近接している場合が好ましい。したがって、表１を参照すると、第１分波器４０と第２分波器５０との送信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１からバンド４及びバンド９のうちのいずれか２つのバンドの組み合わせ、又はバンド５とバンド６とバンド８のうちのいずれか２つのバンドの組み合わせに係る送信フィルタである場合が好ましい。また、比帯域幅や送信帯域と受信帯域との間隔を考慮すると、第１分波器４０と第２分波器５０との送信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド２とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの送信フィルタである場合が好ましい。
【００６５】
同様に、第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの受信フィルタのＩＤＴ電極が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられるには、第１分波器４０と第２分波器５０との受信フィルタの受信帯域が互いに近接している場合が好ましい。したがって、表１を参照すると、第１分波器４０と第２分波器５０との受信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１からバンド４及びバンド９のうちのいずれか２つのバンドの組み合わせ、又はバンド５とバンド６とバンド８のうちのいずれか２つのバンドの組み合わせに係る受信フィルタである場合が好ましい。また、比帯域幅や送信帯域と受信帯域との間隔を考慮すると、第１分波器４０と第２分波器５０との受信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド１とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの受信フィルタである場合が好ましい。
【００６６】
実施例１では、図９のように、送信チップ４８を有する送信パッケージ４６と受信チップ５８を有する受信パッケージ５６とを、プリント基板２４上に実装する場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。例えば送信チップ４８と受信チップ５８とが直接プリント基板２４上に実装されている場合でもよい。図１３は、実施例１の変形例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。図１３を参照に、送信チップ４８は、バンプ２６を用いて、プリント基板２４上に直接フリップチップ実装されている。同様に、受信チップ５８は、バンプ２６を用いて、プリント基板２４上に直接フリップチップ実装されている。送信チップ４８と受信チップ５８とは、プリント基板２４上に設けられた封止部３０によって封止されている。
【００６７】
実施例１の変形例１によれば、基板２８を用いずに済むため、実施例１に比べてコストを削減することができる。また、実施例１に比べて低背化を実現することができる。
【００６８】
実施例１では、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とはラダー型の弾性表面波フィルタで、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とはダブルモード結合型の弾性表面波フィルタである場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とがダブルモード結合型の弾性表面波フィルタの場合でもよい。第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とがラダー型の弾性表面波フィルタの場合でもよい。また、弾性表面波フィルタの他にも、弾性境界波フィルタやラブ波フィルタ等のようなＩＤＴ電極を有する弾性波フィルタの場合でもよい。
【実施例２】
【００６９】
図１４は、実施例２に係る通信モジュールを用いた無線部の構成を示すブロック図の例である。図１４を参照に、無線部は、アンテナ１０と、アンテナスイッチ１２と、実施例２に係る通信モジュール６６と、パワーアンプ１６と、ローノイズアンプ１８と、フィルタ２０及び２１と、ＲＦＩＣ２２と、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）の８５０ＭＨｚ帯、９００ＭＨｚ帯、１８００ＭＨｚ帯、１９００ＭＨｚ帯の受信フィルタ６８、７０、７２、及び７４と、ローパスフィルタ７６及び７８と、を有する。ローパスフィルタ７６は、ＧＳＭの８５０ＭＨｚ帯と９００ＭＨｚ帯とに共通の送信フィルタの機能を有し、ローパスフィルタ７８は、ＧＳＭの１８００ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯とに共通の送信フィルタの機能を有する。
【００７０】
実施例２に係る通信モジュール６６は、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１の第３分波器８０と、バンド２の第４分波器９０と、バンド５の第５分波器１００と、バンド８の第６分波器１１０と、を有する。第３分波器８０は第３送信フィルタ８２と第３受信フィルタ８４とを有し、第４分波器９０は第４送信フィルタ９２と第４受信フィルタ９４とを有する。第３送信フィルタ８２の送信帯域は１９２０〜１９８０ＭＨｚで、第３受信フィルタ８４の受信帯域は２１１０〜２１７０ＭＨｚである。第４送信フィルタ９２の送信帯域は１８５０〜１９１０ＭＨｚで、第４受信フィルタ９４の受信帯域は１９３０〜１９９０ＭＨｚである。
【００７１】
第５分波器１００は第５送信フィルタ１０２と第５受信フィルタ１０４とを有し、第６分波器１１０は第６送信フィルタ１１２と第６受信フィルタ１１４とを有する。第５送信フィルタ１０２の送信帯域は８２４〜８４９ＭＨｚで、第５受信フィルタ１０４の受信帯域は８６９〜８９４ＭＨｚである。第６送信フィルタ１１２の送信帯域は８８０〜９１５ＭＨｚで、第６受信フィルタ１１４の受信帯域は９２５〜９６０ＭＨｚである。このように、図１４に示す無線部は、ＷＣＤＭＡのバンド１、バンド２、バンド５、及びバンド８並びにＧＳＭの８５０ＭＨｚ帯、９００ＭＨｚ帯、１８００ＭＨｚ帯、及び１９００ＭＨｚ帯の送受信が可能な携帯電話端末用の無線部である。
【００７２】
第３分波器８０、第４分波器９０、第５分波器１００及び第６分波器１１０は、それぞれアンテナ端子（Ｂａｎｄ５、Ｂａｎｄ８、Ｂａｎｄ１、及びＢａｎｄ２）を介してアンテナスイッチ１２に接続する。また、受信フィルタ６８から７４は、それぞれのアンテナ端子（ＧＳＭ ８５０、ＧＳＭ ９００、ＧＳＭ １８００、及びＧＳＭ １９００）を介してアンテナスイッチ１２に接続する。さらに、ローパスフィルタ７６及び７８は、アンテナ端子（ＧＳＭ＿ＬＢ Ｔｘ及びＧＳＭ＿ＨＢ Ｔｘ）を介してアンテナスイッチ１２に接続する。アンテナスイッチ１２は、アンテナ１０に接続している。これにより、アンテナスイッチ１２にて、アンテナ１０に電気的に接続するアンテナ端子を選択することができる。
【００７３】
第３送信フィルタ８２、第４送信フィルタ９２、第５送信フィルタ１０２及び第６送信フィルタ１１２は、パワーアンプ１６とフィルタ２０とを介してＲＦＩＣ２２に接続している。第３送信フィルタ８２に接続するフィルタ２０は、第３送信フィルタ８２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタであり、第４送信フィルタ９２に接続するフィルタ２０は、第４送信フィルタ９２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。同様に、第５送信フィルタ１０２に接続するフィルタ２０は、第５送信フィルタ１０２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタであり、第６送信フィルタ１１２に接続するフィルタ２０は、第６送信フィルタ１１２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。
【００７４】
第４受信フィルタ９４、第５受信フィルタ１０４及び第６受信フィルタ１１４は、ローノイズアンプ１８とフィルタ２１とを介してＲＦＩＣ２２に接続している。第４受信フィルタ９４に接続するフィルタ２１は、第４受信フィルタ９４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタであり、第５受信フィルタ１０４に接続するフィルタ２１は、第５受信フィルタ１０４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。同様に、第６受信フィルタ１１４に接続するフィルタ２１は、第６受信フィルタ１１４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。なお、第３受信フィルタ８４に関してはローノイズアンプ１８及びフィルタ２１とを接続させなくてもよい。
【００７５】
ＷＣＤＭＡの送受信信号の送受信については、実施例１で説明した送受信と同様であるため、ここでは詳しい説明を省略する。ここで、ＧＳＭの送受信信号の送受信について説明する。ＲＦＩＣ２２は、高周波数の送信信号をパワーアンプ１６に出力する。パワーアンプ１６は、送信信号を増幅し、ローパスフィルタ７６又は７８に出力する。ローパスフィルタ７６又は７８は、送信信号をフィルタリングし、アンテナスイッチ１２のアンテナ端子（ＧＳＭ＿ＬＢ Ｔｘ又はＧＳＭ＿ＨＢ Ｔｘ）に出力する。８５０ＭＨｚ帯と９００ＭＨｚ帯との送信信号は、同じアンテナ端子ＧＳＭ＿ＬＢ Ｔｘに出力され、１８００ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯との送信信号は、同じアンテナ端子ＧＳＭ＿ＨＢ Ｔｘに出力される。アンテナスイッチ１２は、アンテナ端子（ＧＳＭ ８５０、ＧＳＭ ９００、ＧＳＭ １８００又はＧＳＭ１９００）に受信信号を出力する。受信フィルタ６８から７４は、受信信号をフィルタリングし、ＲＦＩＣ２２に出力する。受信フィルタ６８から７４は、平衡信号を出力してもよい。ＲＦＩＣ２２はローノイズアンプ１８を有している。ローノイズアンプ１８は、受信信号を増幅する。
【００７６】
図１５は、実施例２に係る通信モジュールのブロック図の例である。図１５を参照に、バンド１の送受信帯域とバンド２の送受信帯域とは近接している（実施例１の表１参照）。したがって、第３送信フィルタ８２と第４送信フィルタ９２とのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料（例えばＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの積層）且つ同じ膜厚で設けることができる（図１０（ａ）の構造を参照）。つまり、第３送信フィルタ８２と第４送信フィルタ９２とを１チップ化することができる。１チップ化された送信チップを搭載した送信パッケージをバンド１／２送信パッケージ８６と称し、バンド１／２送信パッケージ８６はプリント基板２４上に実装されている。また、第３受信フィルタ８４と第４受信フィルタ９４とのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料（例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層）且つ同じ膜厚で設けることができる（図１０（ｂ）の構造を参照）。つまり、第３受信フィルタ８４と第４受信フィルタ９４とを１チップ化することができる。１チップ化された受信チップを搭載した受信パッケージをバンド１／２受信パッケージ８８と称し、バンド１／２受信パッケージ８８はプリント基板２４上に実装されている。
【００７７】
同様に、バンド５の送受信帯域とバンド８の送受信帯域とは近接している（実施例１の表１参照）。したがって、第５送信フィルタ１０２と第６送信フィルタ１１２とのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料（例えばＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの積層）且つ同じ膜厚で設けることができる（図１０（ａ）を参照）。つまり、第５送信フィルタ１０２と第６送信フィルタ１１２とを１チップ化することができる。１チップ化された送信チップを搭載した送信パッケージをバンド５／８送信パッケージ９６と称し、バンド５／８送信パッケージ９６はプリント基板２４上に実装されている。また、第５受信フィルタ１０４と第６受信フィルタ１１４とのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料（例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層）且つ同じ膜厚で設けることができる（図１０（ｂ）を参照）。つまり、第５受信フィルタ１０４と第６受信フィルタ１１４とを１チップ化することができる。１チップ化された受信チップを搭載した受信パッケージをバンド５／８受信パッケージ９８と称し、バンド５／８受信パッケージ９８はプリント基板２４上に実装されている。
【００７８】
また、プリント基板２４上には、バンド１／２送信パッケージ８６とバンド１／２受信パッケージ８８とバンド５／８送信パッケージ９６とバンド５／８受信パッケージ９８の周囲に、コンダクタやインダクタ等のチップ部品１０６が実装されている。
【００７９】
このように、実施例２に係る通信モジュール６６によれば、図１４のように、送信帯域同士が互いに異なり且つ受信帯域同士が互いに異なる４つの分波器、第３分波器８０と第４分波器９０と第５分波器１００と第６分波器１１０とを備える。そして、図１５のように、４つの分波器のうちの２つの分波器、第３分波器８０と第４分波器９０との送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、第３分波器８０と第４分波器９０との受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている。また、４つの分波器のうちの２つの分波器、第５分波器１００と第６分波器１１０との送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、第５分波器１００と第６分波器１１０との受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている。これにより、実施例１と同様に、実装工程・製造工程の製造工数を削減でき、コストを低減できる。また、送信フィルタのＩＤＴ電極を高耐電力を実現できる膜構成とし、且つ受信フィルタのＩＤＴ電極を低電気抵抗を実現できる膜構成とすることができる。よって、実施例２によっても、コストを増大させることなく、高耐電力且つ低通過損失のアンテナ分波器を有する通信モジュールを得ることができる。
【００８０】
また、４つの分波器、第３分波器８０と第４分波器９０と第５分波器１００と第６分波器１１０の中で、少なくとも送信帯域が最も近い２つの分波器、第５分波器１００と第６分波器１１０との送信フィルタのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることが好ましい。同様に、少なくとも受信帯域が最も近い２つの分波器、第５分波器１００と第６分波器１１０との受信フィルタのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることが好ましい。
【００８１】
図１４に示すように、無線部は、ＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯の受信フィルタ７２を備える。受信フィルタ７２の受信帯域は、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２の分波器である第３分波器８０と第４分波器９０との受信フィルタの受信帯域と重ならずに異なるが、近接する。このため、第３分波器８０と第４分波器９０それぞれの受信フィルタのＩＤＴ電極と受信フィルタ７２のＩＤＴ電極とを、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で形成することができる。図１６は、第３分波器８０と第４分波器９０それぞれの受信フィルタと受信フィルタ７２とを１チップ化した受信チップの断面模式図の例である。図１６を参照に、第３分波器８０の第３受信フィルタ８４のＩＤＴ電極３４と、第４分波器９０の第４受信フィルタ９４のＩＤＴ電極３４と、受信フィルタ７２のＩＤＴ電極３４とが、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で形成されている。このように、分波器の受信フィルタの受信帯域とは異なる受信帯域を有する受信フィルタを備えている場合、この受信フィルタのＩＤＴ電極と、分波器の受信フィルタのＩＤＴ電極とを、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けてもよい。
【００８２】
実施例１に係る通信モジュール１４では２つの分波器を備え、実施例２に係る通信モジュール６６では４つの分波器を備えている場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。２つ、３つ、４つ、５つ等、複数の分波器を備えている場合であればよい。また、実施例１及び実施例２では、互いに送信帯域が異なる２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、且つ互いに受信帯域が異なる２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けた場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。通信モジュールに備わる複数の分波器のうちの３つの分波器、４つの分波器など、互いに送信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、且つ互いに受信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設ける場合でもよい。また、少なくとも２つの分波器に含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極は、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、且つ少なくとも２つの分波器に含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極は、別々の圧電基板上に設ける場合でもよい。反対に、少なくとも２つの分波器に含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極は、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、且つ少なくとも２つの分波器に含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極は、別々の圧電基板上に設ける場合でもよい。
【００８３】
図１７（ａ）から図１７（ｃ）は、複数の分波器を備えた通信モジュールのブロック図の例である。図１７（ａ）を参照に、通信モジュールは、バンド１、バンド２、バンド５及びバンド８の複数の分波器１２０を備える。バンド１とバンド２の送受信帯域は近接している。このため、バンド１とバンド２とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。また、バンド５とバンド８の送受信帯域は近接している。このため、バンド５とバンド８とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。
【００８４】
図１７（ｂ）を参照に、通信モジュールは、バンド３、バンド１、バンド２、バンド５及びバンド８の複数の分波器１２０を備える。バンド１からバンド３の送受信帯域は近接する。このため、バンド１とバンド２とバンド３とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。また、バンド５とバンド８の送受信帯域は近接している。このため、バンド５とバンド８とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。
【００８５】
図１７（ｃ）を参照に、通信モジュールは、バンド４、バンド１、バンド２、バンド５及びバンド８の複数の分波器１２０とＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯の受信フィルタ１２２とを備える。バンド１とバンド２とバンド４の送信帯域は近接する。このため、バンド１とバンド２とバンド４とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。また、バンド１とバンド２とバンド４とＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯との受信帯域は近接する。このため、バンド１とバンド２とバンド４とのそれぞれの分波器１２０の受信フィルタのＩＤＴ電極とＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯の受信フィルタ１２２のＩＤＴ電極とを単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。さらに、バンド５とバンド８の送受信帯域は近接している。このため、バンド５とバンド８とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。なお、図１７（ａ）から図１７（ｃ）では、各分波器の受信フィルタ及びＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯の受信フィルタにマッチング回路１２４が接続されている場合を示している。
【００８６】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１０ アンテナ
１２ アンテナスイッチ
１４ 通信モジュール
１６ パワーアンプ
１８ ローノイズアンプ
２０、２１ フィルタ
２４ プリント基板
２８ 基板
３２ 圧電基板
３４ ＩＤＴ電極
３６ 反射電極
３８ 内部配線
４０ 第１分波器
４２ 第１送信フィルタ
４４ 第１受信フィルタ
４６ 送信パッケージ
４８ 送信チップ
５０ 第２分波器
５２ 第２送信フィルタ
５４ 第２受信フィルタ
５６ 受信パッケージ
５８ 受信チップ
６６ 通信モジュール
６８、７０、７２、７４ 受信フィルタ
７６、７８ ローパスフィルタ
８０ 第３分波器
８２ 第３送信フィルタ
８４ 第３受信フィルタ
８６ バンド１／２送信パッケージ
８８ バンド１／２受信パッケージ
９０ 第４分波器
９２ 第４送信フィルタ
９４ 第４受信フィルタ
９６ バンド５／８送信パッケージ
９８ バンド５／８受信パッケージ
１００ 第５分波器
１０２ 第５送信フィルタ
１０４ 第５受信フィルタ
１１０ 第６分波器
１１２ 第６送信フィルタ
１１４ 第６受信フィルタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信システムの発展に伴って、携帯電話端末等が急速に普及している。また、携帯電話端末に代表される無線通信機器のマルチバンド化及びシステム化が進み、１台の無線通信機器に複数の通信装置が搭載されるようになっている。例えば複数の周波数帯をカバーする携帯電話端末が知られており、この携帯電話端末には、複数の周波数帯をカバーするために、複数のアンテナ分波器が搭載されている。
【０００３】
アンテナ分波器は、周波数の異なる送信信号と受信信号を分離するために用いられ、送信フィルタと受信フィルタとを有する。最近では、これら送信フィルタや受信フィルタに、小型化に適した弾性波フィルタが使用されるようになっている。
【０００４】
アンテナ分波器は通常、別々のチップで形成した送信フィルタと受信フィルタとを基板上に実装した構成をしている。近年では、実装の簡略化を考慮し、送信フィルタと受信フィルタとを１チップ化したものも製造されている。また、２以上のアンテナ分波器が１つのパッケージに収納される構成において、アンテナ分波器の送信フィルタ同士を１チップ化し、受信フィルタ同士を１チップ化した構成も提案されている（例えば特許文献１、２）。また、膜厚や材料の異なるＩＤＴ電極を有する複数の弾性波フィルタを１チップ化する技術も提案されている（例えば特許文献３〜５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３４９５８６号公報
【特許文献２】特開２００７−１３４７９５号公報
【特許文献３】特開２０１１−９８８２号公報
【特許文献４】特開２００１−２６７８６８号公報
【特許文献５】特開平１０−１９０３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実装の簡略化を考慮すると、アンテナ分波器の送信フィルタと受信フィルタとを１チップ化した構成とすることが望ましい。送信フィルタと受信フィルタとを１チップ化した場合、一般的に送信フィルタと受信フィルタとは同時に形成されるようになり、それぞれのＩＤＴ電極は、同じ材料且つ同じ膜厚となる。
【０００７】
送信フィルタは高耐電力であることが求められるため、高耐電力の実現が可能な材料を用いてＩＤＴ電極が形成される結果、受信フィルタのＩＤＴ電極も高耐電力の実現が可能な材料を用いて形成されることとなる。しかしながら、受信フィルタは送信フィルタほど高耐電力であることは求められておらず、受信フィルタのＩＤＴ電極を高耐電力の実現が可能な材料を用いて形成すると、電気抵抗が増加し通過損失が悪化してしまうことがある。
【０００８】
例えば、特許文献３に記載された方法を用いて送信フィルタと受信フィルタとを１チップ化すれば、送信フィルタの高耐電力と受信フィルタの低通過損失を両立できるが、製造工程が複雑になるため、コストの増大は避けられない。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、コストを増大させることなく、高耐電力と低通過損失の両立が可能なアンテナ分波器を備える通信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、複数の分波器を備え、前記複数の分波器のうち、互いに送信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極および互いに受信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極の少なくとも一方が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられていることを特徴とする通信モジュールである。本発明によれば、コストを増大させることなく、高耐電力且つ低通過損失のアンテナ分波器を有する通信モジュールを得ることができる。
【００１１】
上記構成において、前記送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、且つ、前記受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記送信フィルタのＩＤＴ電極は、前記受信フィルタのＩＤＴ電極に比べて耐電力が高い構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記受信フィルタのＩＤＴ電極は、前記送信フィルタのＩＤＴ電極に比べて電気抵抗が低い構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記複数の分波器それぞれに含まれる受信フィルタとは異なる受信帯域を有する受信フィルタを備え、該受信フィルタのＩＤＴ電極と前記少なくとも２つの分波器に含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極とが、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタは、ＷＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド２とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの送信フィルタを含む構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド１とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの受信フィルタを含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、コストを増大させることなく、高耐電力且つ低通過損失のアンテナ分波器を有する通信モジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、比較例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、比較例１に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送信フィルタと受信フィルタの断面模式図の例である。
【図３】図３は、比較例２に係る通信モジュールの断面模式図の例である。
【図４】図４は、比較例２に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送受信チップの断面模式図の例である。
【図５】図５は、比較例３に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送受信チップの断面模式図の例である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、第１送受信チップの製造方法を示す断面模式図の例（その１）である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、第１送受信チップの製造方法を示す断面模式図の例（その２）である。
【図８】図８は、実施例１に係る通信モジュールを用いた無線部の構成を示すブロック図である。
【図９】図９は、実施例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。
【図１０】図１０（ａ）は、送信チップの断面模式図の例であり、図１０（ｂ）は、受信チップの断面模式図の例である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、送信チップの第１の製造方法を示す断面模式図の例である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、送信チップの第２の製造方法を示す断面模式図の例である。
【図１３】図１３は、実施例１の変形例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。
【図１４】図１４は、実施例２に係る通信モジュールを用いた無線部の構成を示すブロック図の例である。
【図１５】図１５は、実施例２に係る通信モジュールのブロック図の例である。
【図１６】図１６は、第３分波器と第４分波器の受信フィルタとＧＳＭの受信フィルタとを１チップ化した受信チップの断面模式図の例である。
【図１７】図１７（ａ）から図１７（ｃ）は、複数の分波器を備えた通信モジュールのブロック図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
まず、比較例１に係る通信モジュールについて説明する。図１は、比較例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。図２（ａ）は、比較例１に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送信フィルタの断面模式図の例であり、図２（ｂ）は、第１分波器の受信フィルタの断面模式図の例である。図１を参照に、比較例１に係る通信モジュールは、プリント基板２００上に実装された２つの分波器、第１分波器２２０と第２分波器２３０とを有する。第１分波器２２０の送受信帯域と第２分波器２３０の送受信帯域とは互いに異なる。
【００２０】
第１分波器２２０は、基板２０２上に実装された第１送信フィルタ２２２と第１受信フィルタ２２４とを有する。第１送信フィルタ２２２と第１受信フィルタ２２４とは別々のチップで設けられ、封止部２０４により封止されている。第１送信フィルタ２２２と第１受信フィルタ２２４とは、例えば弾性表面波フィルタである。図２（ａ）を参照に、第１送信フィルタ２２２は、圧電基板２０６上にＩＤＴ電極２０８とその両側に反射電極２１０とが設けられている。第１送信フィルタ２２２のＩＤＴ電極２０８と反射電極２１０とは、例えば圧電基板２０６側からＴｉ、Ａｌ−１％Ｃｕが順に積層された２層構造の電極である。図２（ｂ）を参照に、第１受信フィルタ２２４も同様に、圧電基板２０６上にＩＤＴ電極２０８と反射電極２１０とが設けられている。第１受信フィルタ２２４のＩＤＴ電極２０８と反射電極２１０とは、例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極である。なお、Ａｌ−１％Ｃｕとは、ＡｌにＣｕが１重量％混合した合金をいう。
【００２１】
第２分波器２３０は、基板２０２上に実装された第２送信フィルタ２３２と第２受信フィルタ２３４とを有する。第２送信フィルタ２３２と第２受信フィルタ２３４とは別々のチップで設けられ、封止部２０４により封止されている。第２送信フィルタ２３２と第２受信フィルタ２３４とは、例えば弾性表面波フィルタである。第２送信フィルタ２３２及び第２受信フィルタ２３４の断面模式図は、第１送信フィルタ２２２及び第１受信フィルタ２２４と同様であり、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示しているため、ここでは説明を省略する。
【００２２】
送信フィルタは高耐電力であることが求められる。このため、第１送信フィルタ２２２と第２送信フィルタ２３２とのＩＤＴ電極は、高耐電力を実現可能とすべく、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極を採用する。一方、受信フィルタは送信フィルタほど高耐電力を求められていない。このため、第１受信フィルタ２２４と第２受信フィルタ２３４とのＩＤＴ電極は、低損失となるよう電気抵抗を低くすべく、Ａｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極を採用する。
【００２３】
比較例１に係る通信モジュールによれば、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタは高耐電力を実現でき、受信フィルタは低電気抵抗による低通過損失を実現できる。また、弾性表面波フィルタは、周波数帯によってＩＤＴ電極の最適な膜厚が異なるが、第１分波器２２０と第２分波器２３０とで送信フィルタ及び受信フィルタをそれぞれ別チップで設けているため、ＩＤＴ電極を最適な厚さにできる。しかしながら、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタと受信フィルタとを別々に製造し、且つ別々に実装するため、製造・実装工程が増え、コストが増大してしまう。
【００２４】
次に、比較例２に係る通信モジュールについて説明する。図３は、比較例２に係る通信モジュールの断面模式図の例である。図４は、比較例２に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送受信チップの断面模式図の例である。図３を参照に、比較例２に係る通信モジュールは、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタと受信フィルタとが１チップ化されている（以下において、送信フィルタと受信フィルタとが１チップ化されたものを送受信チップと称す）点で、比較例１に係る通信モジュールと異なる。第１分波器２２０の送受信チップを第１送受信チップ２２６と称し、第２分波器２３０の送受信チップを第２送受信チップ２３６と称す。
【００２５】
図４を参照に、第１送受信チップ２２６は、単一の圧電基板２０６上に、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと反射電極２１０Ａ及び受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂと反射電極２１０Ｂが設けられている。この場合、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂとは一般的に同時に形成されることから、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂとは、同じ材料且つ同じ膜厚となる。なお、第２送受信チップ２３６についても、第１送受信チップ２２６と同様の断面模式図であり、図４に示しているため、ここでは説明を省略する。
【００２６】
送信フィルタは高耐電力であることが求められ、これはアンテナ分波器にとって必須の要件である。したがって、第１送受信チップ２２６と第２送受信チップ２３６とにおいて、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａは、高耐電力を実現可能とすべく、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極を採用する。また、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂは送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと同時に形成されることから、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂも、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極となる。
【００２７】
比較例２に係る通信モジュールによれば、送信フィルタと受信フィルタとが１チップ化され、且つ送信フィルタと受信フィルタとのＩＤＴ電極が同時に形成されるため、製造・実装工程を簡略化することができる。また、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタは高耐電力を実現できる。しかしながら、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８ＢもＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極となるため、比較例１のように受信フィルタのＩＤＴ電極をＡｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極とした場合に比べて、電気抵抗が高くなり、通過損失が悪化してしまう。
【００２８】
次に、比較例３に係る通信モジュールについて説明する。比較例３に係る通信モジュールの断面模式図は、比較例２に係る通信モジュールの断面模式図と同じであり、図３で説明しているので、ここでは説明を省略する。図５は、比較例３に係る通信モジュールに備わる第１分波器の送受信チップの断面模式図の例である。なお、第２分波器の送受信チップについても、第１分波器の送受信チップと同様の断面模式図であるため、ここでは説明を省略する。
【００２９】
図５を参照に、第１送受信チップ２２６は、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａ及び反射電極２１０Ａが、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極であり、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂ及び反射電極２１０Ｂが、Ａｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極である点で、比較例２に係る通信モジュールと異なる。
【００３０】
図６（ａ）から図７（ｃ）は、第１送受信チップ２２６の製造方法を示す断面模式図の例である。図６（ａ）を参照に、圧電基板２０６上に、例えばスパッタ法を用いて、Ｔｉ膜２１２とＡｌ−１％Ｃｕ膜２１４とを順に成膜する。図６（ｂ）を参照に、Ａｌ−１％Ｃｕ膜２１４上にレジスト２１６を形成し、レジスト２１６のパターニングを行う。このとき、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａ及び反射電極２１０Ａとなるべき領域が保護されるように、レジスト２１６のパターニングを行う。
【００３１】
図６（ｃ）を参照に、レジスト２１６をマスクとして、Ｔｉ膜２１２とＡｌ−１％Ｃｕ膜２１４とに対してエッチングを行う。これにより、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと反射電極２１０Ａとが形成される。また、受信フィルタの領域においては、Ｔｉ膜２１２とＡｌ−１％Ｃｕ膜２１４とが全て除去されて、圧電基板２０６の表面が露出する。
【００３２】
図７（ａ）を参照に、圧電基板２０６、ＩＤＴ電極２０８Ａ、及び反射電極２１０Ａの上にレジスト２１６を形成し、レジスト２１６のパターニングを行う。このとき、圧電基板２０６上であって受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂと反射電極２１０Ｂとが形成されるべき領域が露出するように、レジスト２１６のパターニングを行う。
【００３３】
図７（ｂ）を参照に、圧電基板２０６上及びレジスト２１６上に、例えば蒸着法を用いて、Ａｌ−１％Ｃｕ膜２１４を成膜する。図７（ｃ）を参照に、リフトオフをすることにより、レジスト２１６及びレジスト２１６上のＡｌ−１％Ｃｕ膜２１４を除去する。これにより、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂと反射電極２１０Ｂとが形成される。以上により、第１送受信チップ２２６が製造される。なお、受信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ｂと反射電極２１０Ｂとをエッチング法によって形成してもよく、また、送信フィルタのＩＤＴ電極２０８Ａと反射電極２１０Ａとをリフトオフ法によって形成してもよい。
【００３４】
比較例３に係る通信モジュールによれば、送信フィルタと受信フィルタとが１チップ化されているため、実装工程を簡略化することができる。また、第１分波器２２０と第２分波器２３０とにおいて、送信フィルタは高耐電力を実現でき、受信フィルタは低電気抵抗による低通過損失を実現できる。しかしながら、図６（ａ）から図７（ｃ）で説明したような製造工程を経るため、製造工数が多くなりコストが増大してしまう。
【００３５】
そこで、上記事情を鑑みて、コストを増大させることなく、送信フィルタの高耐電力と受信フィルタの低通過損失とを実現することが可能なアンテナ分波器を備える通信モジュールについて説明する。
【実施例１】
【００３６】
図８は、実施例１に係る通信モジュールを用いた無線部の構成を示すブロック図の例である。図８を参照に、無線部は、アンテナ１０と、アンテナスイッチ１２と、実施例１に係る通信モジュール１４と、パワーアンプ１６と、ローノイズアンプ１８と、フィルタ２０及び２１と、ＲＦＩＣ２２と、を有する。実施例１に係る通信モジュール１４は、第１分波器４０と第２分波器５０とを有する。第１分波器４０は、第１送信フィルタ４２と第１受信フィルタ４４とを有し、第２分波器５０は、第２送信フィルタ５２と第２受信フィルタ５４とを有する。第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とは、例えばラダー型の弾性表面波フィルタであり、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とは、例えばダブルモード結合型の弾性表面波フィルタである。
【００３７】
第１分波器４０の送受信帯域と第２分波器５０の送受信帯域とは互いに重ならずに異なる。即ち、第１送信フィルタ４２の送信帯域と第２送信フィルタ５２の送信帯域とは互いに重ならずに異なり、第１受信フィルタ４４の受信帯域と第２受信フィルタ５４の受信帯域とは互いに重ならずに異なる。例えば、第１分波器４０は、ＷＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）方式におけるバンド５の分波器であり、第２分波器５０は、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド８の分波器である。つまり、第１送信フィルタ４２の送信帯域は８２４〜８４９ＭＨｚで、第１受信フィルタ４４の受信帯域は８６９〜８９４ＭＨｚである。第２送信フィルタ５２の送信帯域は８８０〜９１５ＭＨｚで、第２受信フィルタ５４の受信帯域は９２５〜９６０ＭＨｚである。
【００３８】
第１分波器４０と第２分波器５０とはそれぞれアンテナ端子（Ｂａｎｄ５及びＢａｎｄ８）を介して、アンテナスイッチ１２に接続する。アンテナスイッチ１２は、アンテナ１０に接続している。これにより、アンテナスイッチ１２にて、第１分波器４０と第２分波器５０とのうちアンテナ１０に電気的に接続する分波器を選択できる。
【００３９】
第１送信フィルタ４２及び第２送信フィルタ５２は、パワーアンプ１６とフィルタ２０とを介してＲＦＩＣ２２に接続している。第１送信フィルタ４２に接続するフィルタ２０は、第１送信フィルタ４２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。第２送信フィルタ５２に接続するフィルタ２０は、第２送信フィルタ５２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。
【００４０】
第１受信フィルタ４４及び第２受信フィルタ５４は、ローノイズアンプ１８とフィルタ２１とを介してＲＦＩＣ２２に接続する。第１受信フィルタ４４に接続するフィルタ２１は、第１受信フィルタ４４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。第２受信フィルタ５４に接続するフィルタ２１は、第２受信フィルタ５４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。
【００４１】
ここで、ＷＣＤＭＡの送受信信号の送受信について説明する。ＲＦＩＣ２２は、高周波数の送信信号をフィルタ２０に出力する。フィルタ２０は、送信信号をフィルタリングし、パワーアンプ１６に出力する。パワーアンプ１６は、送信信号を増幅し、第１分波器４０（又は第２分波器５０）に出力する。第１分波器４０（又は第２分波器５０）は、送信信号をフィルタリングし、アンテナスイッチ１２のアンテナ端子に出力する。アンテナスイッチ１２は、アンテナ端子に受信信号を出力する。第１分波器４０（又は第２分波器５０）は、受信信号をフィルタリングし、ローノイズアンプ１８に出力する。ローノイズアンプ１８は、受信信号を増幅し、フィルタ２１に出力する。フィルタ２１は、受信信号をフィルタリングし、ＲＦＩＣ２２に出力する。フィルタ２１は、平衡信号を出力してもよい。このように、第１分波器４０及び第２分波器５０それぞれの送信フィルタは、ＲＦＩＣ２２から出力された送信信号を通過させるが、アンテナ端子に入力された受信信号は通過させない。また、第１分波器４０及び第２分波器５０それぞれの受信フィルタは、アンテナ端子に入力された受信信号を通過させるが、ＲＦＩＣ２２から出力された送信信号は通過させない。
【００４２】
図９は、実施例１に係る通信モジュール１４の断面模式図の例である。図９を参照に、実施例１に係る通信モジュール１４は、プリント基板２４上に、送信パッケージ４６と受信パッケージ５６とが実装されている。送信パッケージ４６は、送信チップ４８が、例えばＡｕからなるバンプ２６を用いて、例えばＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）からなる基板２８上にフリップチップ実装されている。同様に、受信パッケージ５６は、受信チップ５８が、バンプ２６を用いて、基板２８上にフリップチップ実装されている。送信チップ４８と受信チップ５８とは、例えばモールド樹脂からなる封止部３０によって封止されている。なお、基板２８は、ＨＴＣＣ以外の基板を用いても良く、例えばＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）からなる基板やプリント基板を用いてもよい。また、送信チップ４８と受信チップ５８とは、モールド樹脂の代わりに、送信チップ４８と受信チップ５８の上に例えば樹脂からなる天板を設けて封止してもよい。
【００４３】
次に、送信チップ４８と受信チップ５８とについて説明する。図１０（ａ）は、送信チップ４８の断面模式図の例であり、図１０（ｂ）は、受信チップ５８の断面模式図の例である。図１０（ａ）を参照に、送信チップ４８は、例えばＬＴ（タンタル酸リチウム）又はＬＮ（ニオブ酸リチウム）からなる単一の圧電基板３２上に、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４と反射電極３６及び第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４と反射電極３６が設けられている。反射電極３６は、弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極３４の両側に設けられている。ＩＤＴ電極３４及び反射電極３６は、例えば圧電基板３２側からＴｉ、Ａｌ−１％Ｃｕが順に積層された２層構造をしている。ＩＤＴ電極３４及び反射電極３６の膜厚は、例えばＴｉが１６０ｎｍでＡｌ−１％Ｃｕが２１０ｎｍの計３７０ｎｍである。このように、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ層数且つ同じ膜厚で設けられている。
【００４４】
弾性表面波フィルタにおいては、周波数によってＩＤＴ電極の最適な膜厚が異なる。第１送信フィルタ４２の送信帯域は８２４〜８４９Ｍｚであり、第２送信フィルタ５２の送信帯域は８８０〜９１５ＭＨｚであることから、厳密には、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とで、ＩＤＴ電極３４の最適な膜厚は異なる。しかしながら、第１送信フィルタ４２の送信帯域と第２送信フィルタ５２の送信帯域は近接しており、ＩＤＴ電極の最適な膜厚も近いため、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４を同じ膜厚で形成できる。なお、この場合、第１送信フィルタ４２の送信帯域に対するＩＤＴ電極の最適な膜厚と第２送信フィルタ５２の送信帯域に対するＩＤＴ電極の最適な膜厚との平均値を、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４の膜厚とすることが好ましい。
【００４５】
図１０（ｂ）を参照に、受信チップ５８は、例えばＬＴ又はＬＮからなる単一の圧電基板３２上に、第１受信フィルタ４４のＩＤＴ電極３４と反射電極３６及び第２受信フィルタ５４のＩＤＴ電極３４と反射電極３６が設けられている。反射電極３６は、弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極３４の両側に設けられている。ＩＤＴ電極３４及び反射電極３６は、例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層構造をしている。ＩＤＴ電極３４及び反射電極３６の膜厚は、例えばＡｌ−１％Ｃｕが３７２．５ｎｍである。このように、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ層数且つ同じ膜厚で設けられている。
【００４６】
第１受信フィルタ４４の受信帯域（８６９〜８９４ＭＨｚ）と第２受信フィルタ５４の受信帯域（９２５〜９６０ＭＨｚ）とは近接している。このため、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４の最適な膜厚が近く、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４を同じ膜厚で形成できる。なお、この場合、第１受信フィルタ４４の受信帯域に対するＩＤＴ電極の最適な膜厚と第２受信フィルタ５４の受信帯域に対するＩＤＴ電極の最適な膜厚との平均値を、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４の膜厚とすることが好ましい。
【００４７】
次に、送信チップ４８の製造方法について説明する。なお、受信チップ５８についても同様の製造方法により製造できるため、ここでは受信チップ５８の製造方法については説明を省略する。図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、送信チップ４８の第１の製造方法を示す断面模式図の例である。図１１（ａ）を参照に、圧電基板３２上に、例えばスパッタ法を用いて、Ｔｉ膜６０とＡｌ−１％Ｃｕ膜６２とを順に成膜する。
【００４８】
図１１（ｂ）を参照に、Ａｌ−１％Ｃｕ膜６２上にレジスト６４を形成し、レジスト６４のパターニングを行う。このとき、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６と第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６となるべき領域が保護されるように、レジスト６４のパターニングを行う。
【００４９】
図１１（ｃ）を参照に、レジスト６４をマスクとして、Ｔｉ膜６０とＡｌ−１％Ｃｕ膜６２とをエッチングする。これにより、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６と第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６とが、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ層数且つ同じ膜厚で同時に形成される。
【００５０】
図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、送信チップ４８の第２の製造方法を示す断面模式図の例である。図１２（ａ）を参照に、圧電基板３２上にレジスト６４を形成し、レジスト６４のパターニングを行う。このとき、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６と第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６とが形成されるべき領域の圧電基板３２が露出するように、レジスト６４のパターニングを行う。
【００５１】
図１２（ｂ）を参照に、圧電基板３２上及びレジスト６４上に、例えば蒸着法を用いて、Ｔｉ膜６０とＡｌ−１％Ｃｕ膜６２とを順に成膜する。図１２（ｃ）を参照に、リフトオフをすることにより、レジスト６４とレジスト６４上のＴｉ膜６０及びＡｌ−１％Ｃｕ膜６２とを除去する。これにより、第１送信フィルタ４２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６と第２送信フィルタ５２のＩＤＴ電極３４及び反射電極３６とが、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ層数且つ同じ膜厚で同時に形成される。
【００５２】
図９に戻り、プリント基板２４と基板２８とには内部配線３８が設けられていて、送信チップ４８と受信チップ５８とは、バンプ２６を介して内部配線３８に電気的に接続する。プリント基板２４の裏面には、内部配線３８に電気的に接続し、外部回路との接続に使用される接続端子３９が設けられている。外部回路から接続端子３９に送信信号が入力されると、送信信号は内部配線３８を介して送信チップ４８に伝搬される。また、受信チップ５８から受信信号が出力されると、受信信号は、内部配線３８を介して接続端子３９に伝搬される。
【００５３】
以上説明してきたように、実施例１に係る通信モジュール１４によれば、図８のように、送信帯域同士が互いに重ならずに異なり且つ受信帯域同士が互いに重ならずに異なる２つの分波器、第１分波器４０と第２分波器５０とを備える。そして、図１０（ａ）のように、第１分波器４０と第２分波器５０との送信フィルタである第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４が、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている。図１０（ｂ）のように、第１分波器４０と第２分波器５０との受信フィルタである第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４が、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている。
【００５４】
このように、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とを１チップ化して送信チップ４８とし、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とを１チップ化して受信チップ５８とすることで、比較例１の場合と比べて、実装工程を簡略化することができる。また、図１１（ａ）から図１１（ｃ）及び図１２（ａ）から図１２（ｃ）で説明したように、送信チップ４８と受信チップ５８の製造は、図６（ａ）から図７（ｃ）で説明した第１送受信チップ２２６の製造に比べて、少ない製造工数によって製造することができる。これらのことから、実装コスト及び製造コストを抑えることができる。
【００５５】
また、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とを１チップ化し、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とを１チップ化することで、送信フィルタと受信フィルタとでＩＤＴ電極の材料、層数、膜厚等を異ならせることができる。即ち、送信フィルタのＩＤＴ電極を、高耐電力を実現すべく、例えばＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造とし、受信フィルタのＩＤＴ電極を、低電気抵抗を実現すべく、例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層構造とすることができる。このため、送信フィルタの高耐電力と受信フィルタの低通過損失とを実現することができる。
【００５６】
以上のことから、実施例１によれば、コストを増大させることなく、高耐電力且つ低通過損失のアンテナ分波器を有する通信モジュールを得ることができる。
【００５７】
また、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とをまとめて送信チップ４８とし、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とをまとめて受信チップ５８とすることで、送信フィルタと受信フィルタとを分離して配置できる。これにより、送信フィルタと受信フィルタとの間のアイソレーション特性を改善することができる。
【００５８】
第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の電極で、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、Ａｌ−１％Ｃｕの単層構造の電極である場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、送信フィルタとして求められる特性を満たすような材料、層数、膜厚等を有する構造の電極である場合が好ましい。第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、受信フィルタとして求められる特性を満たすような材料、層数、膜厚等を有する構造の電極である場合が好ましい。具体的には、送信フィルタは高耐電力であることが求められ、受信フィルタは送信フィルタほど高耐電力であることは求められず、低通過損失のために低電気抵抗であることが求められる。したがって、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４に比べて耐電力が高いことが好ましい。また、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４に比べて電気抵抗が低いことが好ましい。
【００５９】
第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４は、ＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの２層構造の他に、例えばＴｉの下層とＡｌを主成分とする上層との２層構造としてもよい。第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４は、Ａｌ−１％Ｃｕの単層構造の他には、例えばＡｌを主成分とする単層構造としてもよい。
【００６０】
第１分波器４０はＷＣＤＭＡ方式におけるバンド５の分波器で、第２分波器５０はバンド８の分波器である場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。それぞれの送信フィルタの送信帯域が近接している場合であれば、送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で形成できる。それぞれの受信フィルタの受信帯域が近接している場合であれば、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で形成できる。このことから、第１分波器４０の送信帯域と第２分波器５０の送信帯域とが互いに近接し、第１分波器４０の受信帯域と第２分波器５０の受信帯域とが互いに近接している場合が好ましい。
【００６１】
表１に示すＷＣＤＭＡ方式における周波数帯を参照すると、送信帯域同士が互いに近接し且つ受信帯域同士が互いに近接しているバンドは、バンド１からバンド４及びバンド９との組み合わせ、バンド５、バンド６及びバンド８の組み合わせである。したがって、第１分波器４０をバンド１からバンド４及びバンド９のいずれかの分波器とし、第２分波器５０をバンド１からバンド４及びバンド９の他のいずれかの分波器とする場合でもよい。また、第１分波器４０をバンド５、バンド６及びバンド８のいずれかの分波器とし、第２分波器５０をバンド５、バンド６及びバンド８の他のいずれかの分波器とする場合でもよい。
【表１】
【００６２】
しかしながら、送受信帯域が近接している場合であっても、受信帯域の比帯域幅（（受信帯域の帯域幅／受信帯域の中心値）×１００）が大きい場合や、送信帯域と受信帯域との間隔が狭い場合は、単一の圧電基板上にＩＤＴ電極を同じ材料且つ同じ膜厚で設けることが難しい場合がある。この点を考慮すると、第１分波器４０と第２分波器５０とは、バンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせである場合が好ましい。
【００６３】
実施例１では、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とのＩＤＴ電極３４が単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、且つ、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とのＩＤＴ電極３４が単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている場合を例に示した。言い換えると、互いに送信帯域が異なる第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、且つ、互いに受信帯域が異なる第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている場合を例に示した。しかしながら、この場合に限られる訳ではない。第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの送信フィルタのＩＤＴ電極及びそれぞれの受信フィルタのＩＤＴ電極の少なくとも一方が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている場合であればよい。
【００６４】
上述したように、第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの送信フィルタのＩＤＴ電極が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられるには、第１分波器４０と第２分波器５０との送信フィルタの送信帯域が互いに近接している場合が好ましい。したがって、表１を参照すると、第１分波器４０と第２分波器５０との送信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１からバンド４及びバンド９のうちのいずれか２つのバンドの組み合わせ、又はバンド５とバンド６とバンド８のうちのいずれか２つのバンドの組み合わせに係る送信フィルタである場合が好ましい。また、比帯域幅や送信帯域と受信帯域との間隔を考慮すると、第１分波器４０と第２分波器５０との送信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド２とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの送信フィルタである場合が好ましい。
【００６５】
同様に、第１分波器４０と第２分波器５０それぞれの受信フィルタのＩＤＴ電極が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられるには、第１分波器４０と第２分波器５０との受信フィルタの受信帯域が互いに近接している場合が好ましい。したがって、表１を参照すると、第１分波器４０と第２分波器５０との受信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１からバンド４及びバンド９のうちのいずれか２つのバンドの組み合わせ、又はバンド５とバンド６とバンド８のうちのいずれか２つのバンドの組み合わせに係る受信フィルタである場合が好ましい。また、比帯域幅や送信帯域と受信帯域との間隔を考慮すると、第１分波器４０と第２分波器５０との受信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド１とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの受信フィルタである場合が好ましい。
【００６６】
実施例１では、図９のように、送信チップ４８を有する送信パッケージ４６と受信チップ５８を有する受信パッケージ５６とを、プリント基板２４上に実装する場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。例えば送信チップ４８と受信チップ５８とが直接プリント基板２４上に実装されている場合でもよい。図１３は、実施例１の変形例１に係る通信モジュールの断面模式図の例である。図１３を参照に、送信チップ４８は、バンプ２６を用いて、プリント基板２４上に直接フリップチップ実装されている。同様に、受信チップ５８は、バンプ２６を用いて、プリント基板２４上に直接フリップチップ実装されている。送信チップ４８と受信チップ５８とは、プリント基板２４上に設けられた封止部３０によって封止されている。
【００６７】
実施例１の変形例１によれば、基板２８を用いずに済むため、実施例１に比べてコストを削減することができる。また、実施例１に比べて低背化を実現することができる。
【００６８】
実施例１では、第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とはラダー型の弾性表面波フィルタで、第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とはダブルモード結合型の弾性表面波フィルタである場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。第１送信フィルタ４２と第２送信フィルタ５２とがダブルモード結合型の弾性表面波フィルタの場合でもよい。第１受信フィルタ４４と第２受信フィルタ５４とがラダー型の弾性表面波フィルタの場合でもよい。また、弾性表面波フィルタの他にも、弾性境界波フィルタやラブ波フィルタ等のようなＩＤＴ電極を有する弾性波フィルタの場合でもよい。
【実施例２】
【００６９】
図１４は、実施例２に係る通信モジュールを用いた無線部の構成を示すブロック図の例である。図１４を参照に、無線部は、アンテナ１０と、アンテナスイッチ１２と、実施例２に係る通信モジュール６６と、パワーアンプ１６と、ローノイズアンプ１８と、フィルタ２０及び２１と、ＲＦＩＣ２２と、ＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）の８５０ＭＨｚ帯、９００ＭＨｚ帯、１８００ＭＨｚ帯、１９００ＭＨｚ帯の受信フィルタ６８、７０、７２、及び７４と、ローパスフィルタ７６及び７８と、を有する。ローパスフィルタ７６は、ＧＳＭの８５０ＭＨｚ帯と９００ＭＨｚ帯とに共通の送信フィルタの機能を有し、ローパスフィルタ７８は、ＧＳＭの１８００ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯とに共通の送信フィルタの機能を有する。
【００７０】
実施例２に係る通信モジュール６６は、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１の第３分波器８０と、バンド２の第４分波器９０と、バンド５の第５分波器１００と、バンド８の第６分波器１１０と、を有する。第３分波器８０は第３送信フィルタ８２と第３受信フィルタ８４とを有し、第４分波器９０は第４送信フィルタ９２と第４受信フィルタ９４とを有する。第３送信フィルタ８２の送信帯域は１９２０〜１９８０ＭＨｚで、第３受信フィルタ８４の受信帯域は２１１０〜２１７０ＭＨｚである。第４送信フィルタ９２の送信帯域は１８５０〜１９１０ＭＨｚで、第４受信フィルタ９４の受信帯域は１９３０〜１９９０ＭＨｚである。
【００７１】
第５分波器１００は第５送信フィルタ１０２と第５受信フィルタ１０４とを有し、第６分波器１１０は第６送信フィルタ１１２と第６受信フィルタ１１４とを有する。第５送信フィルタ１０２の送信帯域は８２４〜８４９ＭＨｚで、第５受信フィルタ１０４の受信帯域は８６９〜８９４ＭＨｚである。第６送信フィルタ１１２の送信帯域は８８０〜９１５ＭＨｚで、第６受信フィルタ１１４の受信帯域は９２５〜９６０ＭＨｚである。このように、図１４に示す無線部は、ＷＣＤＭＡのバンド１、バンド２、バンド５、及びバンド８並びにＧＳＭの８５０ＭＨｚ帯、９００ＭＨｚ帯、１８００ＭＨｚ帯、及び１９００ＭＨｚ帯の送受信が可能な携帯電話端末用の無線部である。
【００７２】
第３分波器８０、第４分波器９０、第５分波器１００及び第６分波器１１０は、それぞれアンテナ端子（Ｂａｎｄ５、Ｂａｎｄ８、Ｂａｎｄ１、及びＢａｎｄ２）を介してアンテナスイッチ１２に接続する。また、受信フィルタ６８から７４は、それぞれのアンテナ端子（ＧＳＭ ８５０、ＧＳＭ ９００、ＧＳＭ １８００、及びＧＳＭ １９００）を介してアンテナスイッチ１２に接続する。さらに、ローパスフィルタ７６及び７８は、アンテナ端子（ＧＳＭ＿ＬＢ Ｔｘ及びＧＳＭ＿ＨＢ Ｔｘ）を介してアンテナスイッチ１２に接続する。アンテナスイッチ１２は、アンテナ１０に接続している。これにより、アンテナスイッチ１２にて、アンテナ１０に電気的に接続するアンテナ端子を選択することができる。
【００７３】
第３送信フィルタ８２、第４送信フィルタ９２、第５送信フィルタ１０２及び第６送信フィルタ１１２は、パワーアンプ１６とフィルタ２０とを介してＲＦＩＣ２２に接続している。第３送信フィルタ８２に接続するフィルタ２０は、第３送信フィルタ８２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタであり、第４送信フィルタ９２に接続するフィルタ２０は、第４送信フィルタ９２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。同様に、第５送信フィルタ１０２に接続するフィルタ２０は、第５送信フィルタ１０２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタであり、第６送信フィルタ１１２に接続するフィルタ２０は、第６送信フィルタ１１２の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。
【００７４】
第４受信フィルタ９４、第５受信フィルタ１０４及び第６受信フィルタ１１４は、ローノイズアンプ１８とフィルタ２１とを介してＲＦＩＣ２２に接続している。第４受信フィルタ９４に接続するフィルタ２１は、第４受信フィルタ９４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタであり、第５受信フィルタ１０４に接続するフィルタ２１は、第５受信フィルタ１０４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。同様に、第６受信フィルタ１１４に接続するフィルタ２１は、第６受信フィルタ１１４の通過帯域と同じ帯域を選択的に通過させるバンドパスフィルタである。なお、第３受信フィルタ８４に関してはローノイズアンプ１８及びフィルタ２１とを接続させなくてもよい。
【００７５】
ＷＣＤＭＡの送受信信号の送受信については、実施例１で説明した送受信と同様であるため、ここでは詳しい説明を省略する。ここで、ＧＳＭの送受信信号の送受信について説明する。ＲＦＩＣ２２は、高周波数の送信信号をパワーアンプ１６に出力する。パワーアンプ１６は、送信信号を増幅し、ローパスフィルタ７６又は７８に出力する。ローパスフィルタ７６又は７８は、送信信号をフィルタリングし、アンテナスイッチ１２のアンテナ端子（ＧＳＭ＿ＬＢ Ｔｘ又はＧＳＭ＿ＨＢ Ｔｘ）に出力する。８５０ＭＨｚ帯と９００ＭＨｚ帯との送信信号は、同じアンテナ端子ＧＳＭ＿ＬＢ Ｔｘに出力され、１８００ＭＨｚ帯と１９００ＭＨｚ帯との送信信号は、同じアンテナ端子ＧＳＭ＿ＨＢ Ｔｘに出力される。アンテナスイッチ１２は、アンテナ端子（ＧＳＭ ８５０、ＧＳＭ ９００、ＧＳＭ １８００又はＧＳＭ１９００）に受信信号を出力する。受信フィルタ６８から７４は、受信信号をフィルタリングし、ＲＦＩＣ２２に出力する。受信フィルタ６８から７４は、平衡信号を出力してもよい。ＲＦＩＣ２２はローノイズアンプ１８を有している。ローノイズアンプ１８は、受信信号を増幅する。
【００７６】
図１５は、実施例２に係る通信モジュールのブロック図の例である。図１５を参照に、バンド１の送受信帯域とバンド２の送受信帯域とは近接している（実施例１の表１参照）。したがって、第３送信フィルタ８２と第４送信フィルタ９２とのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料（例えばＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの積層）且つ同じ膜厚で設けることができる（図１０（ａ）の構造を参照）。つまり、第３送信フィルタ８２と第４送信フィルタ９２とを１チップ化することができる。１チップ化された送信チップを搭載した送信パッケージをバンド１／２送信パッケージ８６と称し、バンド１／２送信パッケージ８６はプリント基板２４上に実装されている。また、第３受信フィルタ８４と第４受信フィルタ９４とのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料（例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層）且つ同じ膜厚で設けることができる（図１０（ｂ）の構造を参照）。つまり、第３受信フィルタ８４と第４受信フィルタ９４とを１チップ化することができる。１チップ化された受信チップを搭載した受信パッケージをバンド１／２受信パッケージ８８と称し、バンド１／２受信パッケージ８８はプリント基板２４上に実装されている。
【００７７】
同様に、バンド５の送受信帯域とバンド８の送受信帯域とは近接している（実施例１の表１参照）。したがって、第５送信フィルタ１０２と第６送信フィルタ１１２とのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料（例えばＴｉとＡｌ−１％Ｃｕとの積層）且つ同じ膜厚で設けることができる（図１０（ａ）を参照）。つまり、第５送信フィルタ１０２と第６送信フィルタ１１２とを１チップ化することができる。１チップ化された送信チップを搭載した送信パッケージをバンド５／８送信パッケージ９６と称し、バンド５／８送信パッケージ９６はプリント基板２４上に実装されている。また、第５受信フィルタ１０４と第６受信フィルタ１１４とのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料（例えばＡｌ−１％Ｃｕの単層）且つ同じ膜厚で設けることができる（図１０（ｂ）を参照）。つまり、第５受信フィルタ１０４と第６受信フィルタ１１４とを１チップ化することができる。１チップ化された受信チップを搭載した受信パッケージをバンド５／８受信パッケージ９８と称し、バンド５／８受信パッケージ９８はプリント基板２４上に実装されている。
【００７８】
また、プリント基板２４上には、バンド１／２送信パッケージ８６とバンド１／２受信パッケージ８８とバンド５／８送信パッケージ９６とバンド５／８受信パッケージ９８の周囲に、コンダクタやインダクタ等のチップ部品１０６が実装されている。
【００７９】
このように、実施例２に係る通信モジュール６６によれば、図１４のように、送信帯域同士が互いに異なり且つ受信帯域同士が互いに異なる４つの分波器、第３分波器８０と第４分波器９０と第５分波器１００と第６分波器１１０とを備える。そして、図１５のように、４つの分波器のうちの２つの分波器、第３分波器８０と第４分波器９０との送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、第３分波器８０と第４分波器９０との受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている。また、４つの分波器のうちの２つの分波器、第５分波器１００と第６分波器１１０との送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、第５分波器１００と第６分波器１１０との受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられている。これにより、実施例１と同様に、実装工程・製造工程の製造工数を削減でき、コストを低減できる。また、送信フィルタのＩＤＴ電極を高耐電力を実現できる膜構成とし、且つ受信フィルタのＩＤＴ電極を低電気抵抗を実現できる膜構成とすることができる。よって、実施例２によっても、コストを増大させることなく、高耐電力且つ低通過損失のアンテナ分波器を有する通信モジュールを得ることができる。
【００８０】
また、４つの分波器、第３分波器８０と第４分波器９０と第５分波器１００と第６分波器１１０の中で、少なくとも送信帯域が最も近い２つの分波器、第５分波器１００と第６分波器１１０との送信フィルタのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることが好ましい。同様に、少なくとも受信帯域が最も近い２つの分波器、第５分波器１００と第６分波器１１０との受信フィルタのＩＤＴ電極を、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることが好ましい。
【００８１】
図１４に示すように、無線部は、ＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯の受信フィルタ７２を備える。受信フィルタ７２の受信帯域は、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２の分波器である第３分波器８０と第４分波器９０との受信フィルタの受信帯域と重ならずに異なるが、近接する。このため、第３分波器８０と第４分波器９０それぞれの受信フィルタのＩＤＴ電極と受信フィルタ７２のＩＤＴ電極とを、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で形成することができる。図１６は、第３分波器８０と第４分波器９０それぞれの受信フィルタと受信フィルタ７２とを１チップ化した受信チップの断面模式図の例である。図１６を参照に、第３分波器８０の第３受信フィルタ８４のＩＤＴ電極３４と、第４分波器９０の第４受信フィルタ９４のＩＤＴ電極３４と、受信フィルタ７２のＩＤＴ電極３４とが、単一の圧電基板３２上に同じ材料且つ同じ膜厚で形成されている。このように、分波器の受信フィルタの受信帯域とは異なる受信帯域を有する受信フィルタを備えている場合、この受信フィルタのＩＤＴ電極と、分波器の受信フィルタのＩＤＴ電極とを、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けてもよい。
【００８２】
実施例１に係る通信モジュール１４では２つの分波器を備え、実施例２に係る通信モジュール６６では４つの分波器を備えている場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。２つ、３つ、４つ、５つ等、複数の分波器を備えている場合であればよい。また、実施例１及び実施例２では、互いに送信帯域が異なる２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、且つ互いに受信帯域が異なる２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けた場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。通信モジュールに備わる複数の分波器のうちの３つの分波器、４つの分波器など、互いに送信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、且つ互いに受信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設ける場合でもよい。また、少なくとも２つの分波器に含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極は、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、且つ少なくとも２つの分波器に含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極は、別々の圧電基板上に設ける場合でもよい。反対に、少なくとも２つの分波器に含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極は、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、且つ少なくとも２つの分波器に含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極は、別々の圧電基板上に設ける場合でもよい。
【００８３】
図１７（ａ）から図１７（ｃ）は、複数の分波器を備えた通信モジュールのブロック図の例である。図１７（ａ）を参照に、通信モジュールは、バンド１、バンド２、バンド５及びバンド８の複数の分波器１２０を備える。バンド１とバンド２の送受信帯域は近接している。このため、バンド１とバンド２とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。また、バンド５とバンド８の送受信帯域は近接している。このため、バンド５とバンド８とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。
【００８４】
図１７（ｂ）を参照に、通信モジュールは、バンド３、バンド１、バンド２、バンド５及びバンド８の複数の分波器１２０を備える。バンド１からバンド３の送受信帯域は近接する。このため、バンド１とバンド２とバンド３とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。また、バンド５とバンド８の送受信帯域は近接している。このため、バンド５とバンド８とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。
【００８５】
図１７（ｃ）を参照に、通信モジュールは、バンド４、バンド１、バンド２、バンド５及びバンド８の複数の分波器１２０とＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯の受信フィルタ１２２とを備える。バンド１とバンド２とバンド４の送信帯域は近接する。このため、バンド１とバンド２とバンド４とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。また、バンド１とバンド２とバンド４とＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯との受信帯域は近接する。このため、バンド１とバンド２とバンド４とのそれぞれの分波器１２０の受信フィルタのＩＤＴ電極とＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯の受信フィルタ１２２のＩＤＴ電極とを単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。さらに、バンド５とバンド８の送受信帯域は近接している。このため、バンド５とバンド８とのそれぞれの分波器１２０の送信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設け、受信フィルタのＩＤＴ電極を単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けることができる。なお、図１７（ａ）から図１７（ｃ）では、各分波器の受信フィルタ及びＧＳＭ １８００ＭＨｚ帯の受信フィルタにマッチング回路１２４が接続されている場合を示している。
【００８６】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１０ アンテナ
１２ アンテナスイッチ
１４ 通信モジュール
１６ パワーアンプ
１８ ローノイズアンプ
２０、２１ フィルタ
２４ プリント基板
２８ 基板
３２ 圧電基板
３４ ＩＤＴ電極
３６ 反射電極
３８ 内部配線
４０ 第１分波器
４２ 第１送信フィルタ
４４ 第１受信フィルタ
４６ 送信パッケージ
４８ 送信チップ
５０ 第２分波器
５２ 第２送信フィルタ
５４ 第２受信フィルタ
５６ 受信パッケージ
５８ 受信チップ
６６ 通信モジュール
６８、７０、７２、７４ 受信フィルタ
７６、７８ ローパスフィルタ
８０ 第３分波器
８２ 第３送信フィルタ
８４ 第３受信フィルタ
８６ バンド１／２送信パッケージ
８８ バンド１／２受信パッケージ
９０ 第４分波器
９２ 第４送信フィルタ
９４ 第４受信フィルタ
９６ バンド５／８送信パッケージ
９８ バンド５／８受信パッケージ
１００ 第５分波器
１０２ 第５送信フィルタ
１０４ 第５受信フィルタ
１１０ 第６分波器
１１２ 第６送信フィルタ
１１４ 第６受信フィルタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分波器を備え、
前記複数の分波器のうち、互いに送信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極および互いに受信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極の少なくとも一方が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられていることを特徴とする通信モジュール。
【請求項２】
前記送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、且つ、前記受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられていることを特徴とする請求項１記載の通信モジュール。
【請求項３】
前記送信フィルタのＩＤＴ電極は、前記受信フィルタのＩＤＴ電極に比べて耐電力が高いことを特徴とする請求項１または２記載の通信モジュール。
【請求項４】
前記受信フィルタのＩＤＴ電極は、前記送信フィルタのＩＤＴ電極に比べて電気抵抗が低いことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の通信モジュール。
【請求項５】
前記複数の分波器それぞれに含まれる受信フィルタとは異なる受信帯域を有する受信フィルタを備え、
該受信フィルタのＩＤＴ電極と前記少なくとも２つの分波器に含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極とが、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の通信モジュール。
【請求項６】
前記少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド２とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの送信フィルタを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の通信モジュール。
【請求項７】
前記少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド１とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの受信フィルタを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の通信モジュール。
【請求項１】
複数の分波器を備え、
前記複数の分波器のうち、互いに送信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタのＩＤＴ電極および互いに受信帯域が異なる少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極の少なくとも一方が、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられていることを特徴とする通信モジュール。
【請求項２】
前記送信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられ、且つ、前記受信フィルタのＩＤＴ電極が単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられていることを特徴とする請求項１記載の通信モジュール。
【請求項３】
前記送信フィルタのＩＤＴ電極は、前記受信フィルタのＩＤＴ電極に比べて耐電力が高いことを特徴とする請求項１または２記載の通信モジュール。
【請求項４】
前記受信フィルタのＩＤＴ電極は、前記送信フィルタのＩＤＴ電極に比べて電気抵抗が低いことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の通信モジュール。
【請求項５】
前記複数の分波器それぞれに含まれる受信フィルタとは異なる受信帯域を有する受信フィルタを備え、
該受信フィルタのＩＤＴ電極と前記少なくとも２つの分波器に含まれる受信フィルタのＩＤＴ電極とが、単一の圧電基板上に同じ材料且つ同じ膜厚で設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の通信モジュール。
【請求項６】
前記少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる送信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド２とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの送信フィルタを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の通信モジュール。
【請求項７】
前記少なくとも２つの分波器それぞれに含まれる受信フィルタは、ＷＣＤＭＡ方式におけるバンド１とバンド２、バンド２とバンド３、バンド１とバンド４、バンド５とバンド８、のいずれかの組み合わせの受信フィルタを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の通信モジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−４６１０６（Ｐ２０１３−４６１０６Ａ）
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８０７８８（Ｐ２０１１−１８０７８８）
【出願日】平成２３年８月２２日（２０１１．８．２２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＧＳＭ
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月２２日（２０１１．８．２２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＧＳＭ
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
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