配線基板、デバイス装置及びその製造方法
【課題】封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造可能にした配線基板、デバイス装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１には、その表面から所定高さ突出するように配線パターン２が複数形成されている。配線基板１上には、デバイスチップ３が、機能面領域４及び電極パッドが配線基板１側を向くように、フェイスダウンで搭載されている。機能面４と配線基板１との間に空隙６を形成するため、配線パターン２は、機能面領域４と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することのないように形成され、かつ、少なくともデバイスチップ３のＡｕバンプ５に対応した位置に形成され、配線パターン２の端部によってデバイスチップ３の下部に段部が形成されている。
【解決手段】配線基板１には、その表面から所定高さ突出するように配線パターン２が複数形成されている。配線基板１上には、デバイスチップ３が、機能面領域４及び電極パッドが配線基板１側を向くように、フェイスダウンで搭載されている。機能面４と配線基板１との間に空隙６を形成するため、配線パターン２は、機能面領域４と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することのないように形成され、かつ、少なくともデバイスチップ３のＡｕバンプ５に対応した位置に形成され、配線パターン２の端部によってデバイスチップ３の下部に段部が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に空間を必要とする機能面領域を有するデバイスチップがフェイスダウンで搭載される配線基板、デバイス装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＳＡＷ（Surface acoustic wave）チップ等においては、通常の半導体装置と同様に外界の影響から素子を保護するために封止構造が用いられている。ただし、ＳＡＷチップ等はその特性から素子の機能面領域上方を中空状態に保持しなければならないため、中空状態を保持し得る封止構造を適用する必要がある。このような封止構造としては、従来から適用されているカンタイプのパッケージが知られているが、パッケージの大型化が避けられないことから、近年の小型化要求には到底対応することができない。
【０００３】
このような点に対して、デバイスチップの機能面領域上方が中空状態となるようにデバイスチップの周囲を感光性樹脂で中空封止した構造が知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、機能面領域が中空内に保持されるように高粘度のＮＣＰ（Non Conductive Polymer）樹脂等で封止した構造が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００１−２９８１０２号公報
【特許文献２】特開２００５−１１００１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の封止構造のうち、デバイスチップの外周を感光性樹脂で中空封止した構造では、用いる感光性樹脂の流動性が高く、塗布時に樹脂が半導体チップの機能面領域周辺にまで侵入し素子特性を劣化させ易くするという難点を有していた。一方、高粘度のＮＣＰ樹脂等を適用した構造では、デバイスチップ上に塗布する際の樹脂が１００〜２００Ｐa・ｓという高粘度であるため、塗布出しに時間を要し作業性の悪化を招く傾向にあった。
【０００５】
本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造可能にした配線基板、デバイス装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る配線基板は、表面から突出する凸状の配線パターンが形成されるとともに、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板であって、前記配線パターンが、前記機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することなく形成され、かつ、前記電気的接続部に対応して設けられた前記配線パターンの端部によって前記デバイスチップの下側に位置する段部が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
すなわち、この配線基板では、表面から突出する凸状の配線パターンが、機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することがないようにし、配線パターンの上部を通って、機能面領域の部分に樹脂が急速に進入することを防止する。これとともに、デバイスチップの電気的接続部に対応する配線パターンの端部によって段部を形成することにより、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。
【０００８】
上記の配線基板において、配線パターンは、表面から１０μｍ以上突出する高さとすることが好ましい。これによって、段部における樹脂の進入を遅らせる十分な効果を得ることができる。また、隣接する配線パターンの間隔が広くなる場合は、対向領域の周囲に沿って、配線パターンの間に位置するように、表面から突出する凸状のダミーパターンを形成することが好ましい。これによって、より確実に樹脂の進入状態を制御することができる。このようなダミーパターンは、表面から１０μｍ以上突出し、かつデバイスチップと直接接触しない高さとすることが好ましい。
【０００９】
また、本発明に係る他の配線基板は、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板であって、前記機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、前記デバイスチップの下側に位置する部位に段部が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この配線基板では、機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、デバイスチップの下側に位置する部位に形成された段部により、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせることができる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。このような段部は、表面を凹陥するように形成された凹部によって形成することができる。
【００１１】
本発明に係るデバイス装置は、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップと、前記デバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置され、表面から突出する凸状の配線パターンが形成された配線基板であって、前記配線パターンが、前記機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することなく形成され、かつ、前記電気的接続部に対応して設けられた配線パターンの端部によって前記デバイスチップの下側に位置する段部が形成されている配線基板とを具備し、前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とする。
【００１２】
上記構成のデバイス装置では、表面から突出する凸状の配線パターンが、機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することがないようにし、配線パターンの上部を通って、機能面領域の部分に樹脂が急速に進入することを防止する。これとともに、デバイスチップの電気的接続部に対応する配線パターンの端部によって段部を形成することにより、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。
【００１３】
上記のデバイス装置において、配線パターンは、表面から１０μｍ以上突出する高さとすることが好ましい。これによって、樹脂の進入を遅らせる十分な効果を得ることができる。また、隣接する配線パターンの間隔が広くなる場合は、対向領域の周囲に沿って、配線パターンの間に位置するように、表面から突出する凸状のダミーパターンを形成することが好ましい。これによって、より確実に樹脂の進入状態を制御することができる。このようなダミーパターンは、表面から１０μｍ以上突出し、かつデバイスチップと直接接触しない高さとすることが好ましい。また、このようなデバイス装置では、樹脂が、隣接する配線パターン同士、又は隣接する配線パターンとダミーパターンの間で外側方向に向かって凹んだ形状となる。
【００１４】
本発明に係る他のデバイス装置は、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップと、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置され、前記機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、前記デバイスチップの下側に位置する部位に段部が形成されている配線基板を具備し、前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とする。
【００１５】
上記構成のデバイス装置では、機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、デバイスチップの下側に位置する部位に形成された段部により、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせることができる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。このような段部は、表面を凹陥するように形成された凹部によって形成することができる。
【００１６】
本発明に係るさらに他のデバイス装置は、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成され、前記電気的接続部と前記機能面領域との間に前記機能面領域側が凹むように形成された段部を有するデバイスチップと、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板を具備し、前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とする。
【００１７】
上記構成のデバイス装置では、デバイスチップの電気的接続部と機能面領域との間に機能面領域側が凹むように形成された段部により、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせることができる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。
【００１８】
本発明に係るデバイス装置の製造方法は、上記したデバイス装置の製造方法であって、前記デバイスチップの周囲に沿って樹脂を供給し、当該樹脂が前記機能面領域と前記配線基板との間に流入する前に前記デバイスチップの周囲全周に樹脂を供給し、前記デバイスチップと前記配線基板との間を前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止することを特徴とする。
【００１９】
上記構成のデバイス装置の製造方法では、樹脂が機能面領域と配線基板との間に流入する前にデバイスチップの周囲全周に樹脂を供給することにより、空隙部分の内圧で、樹脂の進入を止めることができる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。このような樹脂の供給は、デバイスチップの周囲に沿って、樹脂を供給するためのディスペンサを移動させながら供給する方法、又は、デバイスチップに対応した開口部を有するマスクを介して樹脂を供給する方法等によって行うことができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造可能にした配線基板、デバイス装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の詳細を実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
図１，２は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板の構造を模式的に示すもので、図１は縦断面図であり、図２は上方から見た構成を示す透視図である。これらの図において、１は配線基板を示している。この配線基板１としては、樹脂基板、セラミック基板、Ｓｉ基板等その材質はどのようなものでも良い。
【００２３】
上記配線基板１には、その表面から所定高さ（例えば１０μｍ〜２０μｍ程度）突出するように配線パターン２が複数形成されている。また、配線基板１上には、デバイスチップ３が設けられている。このデバイスチップ３は、中央部に機能面領域４を有し、この機能面領域４の周囲に、電気的接続部としての電極パッド（図示せず。）及びこの電極パッドと接続されたＡｕバンプ５が設けられている。そして、配線パターン２とデバイスチップ３の電極パッドとはＡｕバンプ５を介して電気的及び機械的に接続されている。すなわち、デバイスチップ３は、機能面領域４、電極パッド、Ａｕバンプ５が配線基板１側を向くように、配線基板１にフェイスダウンで搭載されている。
【００２４】
デバイスチップ３の機能面領域４は、その表面に空間を必要とする。すなわち、デバイスチップ３は、例えばＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイスないしＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）等からなり、機能面領域４には櫛歯状電極（図示せず。）等が設けられており、その表面に空間を必要とする構成となっている。このため、機能面４と配線基板１との間には、空隙６が形成されている。
【００２５】
上記の空隙６を形成するため、配線パターン２は、機能面領域４と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することのないように形成され、かつ、少なくともデバイスチップ３のＡｕバンプ５に対応した位置に形成されている。なお、本実施形態では、図１，２に示すように、配線基板１の機能面領域４と対向する対向領域には配線パターン２が形成されていない。しかし、対向領域の外側から対向領域内に延在するものでなく、単に対向領域内に孤立して配置されたもの（島状に配置されたもの）であれば、対向領域内に配線パターン２があっても良い。
【００２６】
また、上記の配線パターン２は、配線基板１の表面から１０μｍ以上突出していることが好ましい。これは、配線基板１の表面と配線パターン２の段部により、封止用の樹脂７の流れを制御するためである。この配線パターン２の高さとしては、例えば前記した１０μｍ〜２０μｍ程度が好ましい。この場合、配線パターン２の上面とデバイスチップ３との間隔が１０μｍ〜２０μｍ程度となり、配線パターン２以外の配線基板１の上面とデバイスチップ３との間隔が２０μｍ〜４０μｍ程度となる。
【００２７】
また、上記の配線パターン２は、デバイスチップ３の周囲に沿って適宜の間隔で配置されることが好ましく、隣接する配線パターン２の間隔が広く空く場合は、図３に示すようにこれらの配線パターン２の間にダミーパターン８を設けて、隣接するパターン同士の間隔を一定以下とすることが好ましい。なお、このようなダミーパターン８は、配線パターン２と同様に銅、アルミニウム、金等の金属導体、あるいは、絶縁樹脂やガラス等の絶縁性材料等どのようなもので形成してもよい。さらに、配線基板１から突出する構造の配線パターン２を有しない場合は、全てダミーパターン８によって構成することもできる。このようにダミーパターン８を使用した場合、ダミーパターン８とデバイスチップ３とが直接接触しないことが好ましく、ダミーパターン８の高さは、配線パターン２の場合と同様に、１０μｍ〜２０μｍ程度とすることが好ましい。
【００２８】
上記構成の配線基板１では、デバイスチップ３を搭載した後、デバイスチップ３の周囲を樹脂７で封止する。この際に、デバイスチップ３の周囲に沿って樹脂７を供給する。すなわち、例えば図４，５に示すように、樹脂７を供給するディスペンサ２０をデバイスチップ３の周囲に沿って移動させながら樹脂７を供給する。なお、樹脂７の粘度はある程度高いことが好ましく、例えば２０Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。
【００２９】
この時、図６（ａ），（ｂ）に示すように、一般にデバイスチップ３と配線基板１（配線パターン２）との間隔ｄが狭いほど（図６の場合（ｂ）の方）、毛細管現象により樹脂７の内側への進入速度が速い。この進入速度は、デバイスチップ３と配線基板１（配線パターン２）との間隔ｄに反比例して増加する。このため配線基板１上では、配線パターン２上の方が配線パターン２の無い部分よりも樹脂７の進入速度が速くなる。例えば、配線パターン２の配線基板１表面からの突出高さが１０μｍ、配線パターン２上面とデバイスチップ３との距離が１０μｍ、配線基板１上の配線パターン２が無い部分とデバイスチップ３との距離が２０μｍであると、この場合、配線パターン２上の方が２倍速く樹脂７が進入する。このため、本実施形態では、配線パターン２が、機能面領域４と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することのないようにしている。
【００３０】
そして、図７に示すように、樹脂７が配線パターン２の端部（段部）まで到達すると、樹脂７の進入速度が遅くなる。ここで、重力を除いた樹脂７に働くデバイスチップ３の外周方向への力（Ａ）（図７中黒色の矢印で示す。）は、
（１）樹脂の自己凝集力
（２）表面張力（樹脂自体の形状保持）
（３）中空空間による内部圧力
である。また、内部へ進入する方向に働く力（Ｂ）（図７中白抜きの矢印で示す。）は、
（４）樹脂と各材料間の界面張力（濡れ性）
（５）毛細管現象
である。
【００３１】
樹脂７を塗布した直後は、上記の（Ｂ）の合計した力の方が、（Ａ）の合計した力よりも大きいので、樹脂７は、デバイスチップ３の内側に徐々に侵入していく。そして、デバイスチップ３と配線基板１との間隙における樹脂７の量が多くなるにつれて（１）の自己凝集力が大きくなり、樹脂７の進入速度は徐々に遅くなっていく。配線パターン２の先端の段部に樹脂７が到達すると、図８，９に示す樹脂７と配線パターン２との接触角度θが変わるため、図９（ａ）に示す状態から図９（ｂ）に示す状態となるようにその接触角度が変わるまで樹脂７の進入位置が保持される。この間にデバイスチップ３の周囲を樹脂７で覆い中空に閉じ込めてしまえば、（３）の内部圧力によって、樹脂７の進入は止まる。一方、この間に中空に閉じ込めを行わない場合は、配線パターン２上の樹脂７が配線基板１表面にまで到達し、その後はデバイスチップ３と配線基板１との距離とそこまでの樹脂７の進入量に応じて樹脂７が徐々に内側に進入する。
【００３２】
このため、図４，５に示すように、樹脂７を供給するディスペンサ２０をデバイスチップ３の周囲に沿って移動させながら樹脂を供給する場合、樹脂７が配線パターン２の端部で止まっている間に、デバイスチップ３の全周に亘って樹脂７を供給し中空に閉じ込めを行う。なお、この樹脂７の供給開始から終了までの時間は、例えば１ｍｍ角のＳＡＷチップの場合、１秒以下程度とすることが好ましい。これによって、図２，３に示すように、機能面領域４の部分に樹脂７が進入しない状態に確実に樹脂封止を行うことができる。なお、樹脂７の供給方法としては、上記のようなディスペンサ２０を用いた方法に限られず、例えば、図１０に示すように、デバイスチップ３に対応した形状の開口部（図示せず。）を有するマスク３０とスキージ３１等を用いた印刷工程による方法でもよい。このような方法によれば、より短時間でデバイスチップ３の周囲の全周に亘って樹脂７を供給することができ、また、一度に複数のデバイス装置に対して樹脂７を供給できるので工程時間の短縮を図ることができる。さらに、デバイスチップ全体を封止でき、信頼性が増すとともに、形成後の封止樹脂表面が平らになり、取り扱いが容易となる。
【００３３】
上記のようにデバイスチップ３の周囲に樹脂７を供給した後、配線基板１ごと例えばオーブンに投入し、所定温度で所定時間（例えば１５０℃程度で３０分）加熱し、塗布された樹脂７を熱硬化させる。加熱してから熱硬化反応が起こる１００℃になるまでの間に樹脂７が低粘度になり流動化し易くなるが、封止空間の内圧が高くなるため機能面領域４周辺に流れ込む恐れはない。なお、オーブンの代わりにホットステージを用いてもよい。デバイスチップ３が実装された配線基板１をホットステージに載置することで、配線基板１側に直に熱を供給できるため、１５０℃に加熱した場合５分程度で熱硬化させることができる。
【００３４】
以上のように、本実施形態では、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。実際に、１ｍｍ角のＳＡＷチップの場合について、周囲からＳＡＷチップの下に樹脂７が入り込む幅を測定したところ、従来は３００μｍ以上であったのに対して、上記の実施形態によれば１５０μｍ以下とすることができた。なお、上記のようにして樹脂封止を行ったデバイス装置の場合、樹脂７は、図２，３に示すように、隣接する配線パターン２同士又は配線パターン２と隣接するダミーパターン８との間において、外側方向に凹んだ形状となっている。
【００３５】
次に、図１１を参照して第２の実施形態について説明する。第２の実施形態にかかる配線基板１ａは、図１１に示すように、デバイスチップ３の機能面領域４と対向する対向領域の周囲を囲むように、デバイスチップ３の下側に位置する部位に段部９ａが形成されている。すなわち、配線基板１ａには、矩形状の機能面領域４より面積の広い矩形状の凹部９が形成されており、この凹部９の縁部によって段部９ａが形成されている。このように構成された第２の実施形態では、前述した配線パターン２の端部の場合と同様に、段部９ａによって樹脂７の進入が抑制されるので、前記した実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００３６】
なお、段部９ａを形成するためには、上記のように全体を凹陥した形状の凹部９に限らず例えば周囲のみを凹陥したロ字状の凹部としても良く、或いは凹陥する代わりに周囲を突出させたと凸部を形成しても良い。また、図１２に示す第３の実施形態のように、配線基板１ｂには段部を設けず、デバイスチップ３側を凹陥して凹部１０を形成し、デバイスチップ３側の電極部分と機能面領域４の間に段部１０ａを設けても良い。
【００３７】
なお、上述した実施形態では、樹脂封止デバイスとしてＳＡＷデバイスを例に挙げて説明しているが、これに限定されるものではなく、素子の機能面上方に封止空間を必要とするＦＢＡＲ、ＭＥＭＳデバイス、光学デバイス等であっても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るデバイス装置の模式的な縦断面図。
【図２】図１のデバイス装置を透視して示す模式的な平面図。
【図３】図１のデバイス装置の変形例の構成を透視して示す模式的な平面図。
【図４】本発明の実施形態に係る製造方法を模式的に示す図。
【図５】図４の縦断面構成を模式的に示す図。
【図６】配線基板とデバイスチップとの間隔と樹脂の進入状態の関係を説明するための図。
【図７】樹脂の進入状態を説明するための図。
【図８】樹脂の接触角度を説明するための図。
【図９】樹脂の接触角度と樹脂の進入状態の関係を説明するための図。
【図１０】樹脂の供給方法の他の例を説明するための図。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るデバイス装置の模式的な縦断面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るデバイス装置の模式的な縦断面図。
【符号の説明】
【００３９】
１……配線基板、２……配線パターン、３……デバイスチップ、４……機能面領域、５……Ａｕバンプ、６……空隙、７……樹脂、８……ダミーパターン、９，１０……凹部、９ａ，１０ａ……段部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に空間を必要とする機能面領域を有するデバイスチップがフェイスダウンで搭載される配線基板、デバイス装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＳＡＷ（Surface acoustic wave）チップ等においては、通常の半導体装置と同様に外界の影響から素子を保護するために封止構造が用いられている。ただし、ＳＡＷチップ等はその特性から素子の機能面領域上方を中空状態に保持しなければならないため、中空状態を保持し得る封止構造を適用する必要がある。このような封止構造としては、従来から適用されているカンタイプのパッケージが知られているが、パッケージの大型化が避けられないことから、近年の小型化要求には到底対応することができない。
【０００３】
このような点に対して、デバイスチップの機能面領域上方が中空状態となるようにデバイスチップの周囲を感光性樹脂で中空封止した構造が知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、機能面領域が中空内に保持されるように高粘度のＮＣＰ（Non Conductive Polymer）樹脂等で封止した構造が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００１−２９８１０２号公報
【特許文献２】特開２００５−１１００１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の封止構造のうち、デバイスチップの外周を感光性樹脂で中空封止した構造では、用いる感光性樹脂の流動性が高く、塗布時に樹脂が半導体チップの機能面領域周辺にまで侵入し素子特性を劣化させ易くするという難点を有していた。一方、高粘度のＮＣＰ樹脂等を適用した構造では、デバイスチップ上に塗布する際の樹脂が１００〜２００Ｐa・ｓという高粘度であるため、塗布出しに時間を要し作業性の悪化を招く傾向にあった。
【０００５】
本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造可能にした配線基板、デバイス装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る配線基板は、表面から突出する凸状の配線パターンが形成されるとともに、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板であって、前記配線パターンが、前記機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することなく形成され、かつ、前記電気的接続部に対応して設けられた前記配線パターンの端部によって前記デバイスチップの下側に位置する段部が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
すなわち、この配線基板では、表面から突出する凸状の配線パターンが、機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することがないようにし、配線パターンの上部を通って、機能面領域の部分に樹脂が急速に進入することを防止する。これとともに、デバイスチップの電気的接続部に対応する配線パターンの端部によって段部を形成することにより、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。
【０００８】
上記の配線基板において、配線パターンは、表面から１０μｍ以上突出する高さとすることが好ましい。これによって、段部における樹脂の進入を遅らせる十分な効果を得ることができる。また、隣接する配線パターンの間隔が広くなる場合は、対向領域の周囲に沿って、配線パターンの間に位置するように、表面から突出する凸状のダミーパターンを形成することが好ましい。これによって、より確実に樹脂の進入状態を制御することができる。このようなダミーパターンは、表面から１０μｍ以上突出し、かつデバイスチップと直接接触しない高さとすることが好ましい。
【０００９】
また、本発明に係る他の配線基板は、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板であって、前記機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、前記デバイスチップの下側に位置する部位に段部が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この配線基板では、機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、デバイスチップの下側に位置する部位に形成された段部により、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせることができる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。このような段部は、表面を凹陥するように形成された凹部によって形成することができる。
【００１１】
本発明に係るデバイス装置は、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップと、前記デバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置され、表面から突出する凸状の配線パターンが形成された配線基板であって、前記配線パターンが、前記機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することなく形成され、かつ、前記電気的接続部に対応して設けられた配線パターンの端部によって前記デバイスチップの下側に位置する段部が形成されている配線基板とを具備し、前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とする。
【００１２】
上記構成のデバイス装置では、表面から突出する凸状の配線パターンが、機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することがないようにし、配線パターンの上部を通って、機能面領域の部分に樹脂が急速に進入することを防止する。これとともに、デバイスチップの電気的接続部に対応する配線パターンの端部によって段部を形成することにより、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。
【００１３】
上記のデバイス装置において、配線パターンは、表面から１０μｍ以上突出する高さとすることが好ましい。これによって、樹脂の進入を遅らせる十分な効果を得ることができる。また、隣接する配線パターンの間隔が広くなる場合は、対向領域の周囲に沿って、配線パターンの間に位置するように、表面から突出する凸状のダミーパターンを形成することが好ましい。これによって、より確実に樹脂の進入状態を制御することができる。このようなダミーパターンは、表面から１０μｍ以上突出し、かつデバイスチップと直接接触しない高さとすることが好ましい。また、このようなデバイス装置では、樹脂が、隣接する配線パターン同士、又は隣接する配線パターンとダミーパターンの間で外側方向に向かって凹んだ形状となる。
【００１４】
本発明に係る他のデバイス装置は、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップと、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置され、前記機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、前記デバイスチップの下側に位置する部位に段部が形成されている配線基板を具備し、前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とする。
【００１５】
上記構成のデバイス装置では、機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、デバイスチップの下側に位置する部位に形成された段部により、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせることができる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。このような段部は、表面を凹陥するように形成された凹部によって形成することができる。
【００１６】
本発明に係るさらに他のデバイス装置は、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成され、前記電気的接続部と前記機能面領域との間に前記機能面領域側が凹むように形成された段部を有するデバイスチップと、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板を具備し、前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とする。
【００１７】
上記構成のデバイス装置では、デバイスチップの電気的接続部と機能面領域との間に機能面領域側が凹むように形成された段部により、樹脂の進入を一時的にこの部分で遅らせることができる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。
【００１８】
本発明に係るデバイス装置の製造方法は、上記したデバイス装置の製造方法であって、前記デバイスチップの周囲に沿って樹脂を供給し、当該樹脂が前記機能面領域と前記配線基板との間に流入する前に前記デバイスチップの周囲全周に樹脂を供給し、前記デバイスチップと前記配線基板との間を前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止することを特徴とする。
【００１９】
上記構成のデバイス装置の製造方法では、樹脂が機能面領域と配線基板との間に流入する前にデバイスチップの周囲全周に樹脂を供給することにより、空隙部分の内圧で、樹脂の進入を止めることができる。これによって、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。このような樹脂の供給は、デバイスチップの周囲に沿って、樹脂を供給するためのディスペンサを移動させながら供給する方法、又は、デバイスチップに対応した開口部を有するマスクを介して樹脂を供給する方法等によって行うことができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造可能にした配線基板、デバイス装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の詳細を実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
図１，２は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板の構造を模式的に示すもので、図１は縦断面図であり、図２は上方から見た構成を示す透視図である。これらの図において、１は配線基板を示している。この配線基板１としては、樹脂基板、セラミック基板、Ｓｉ基板等その材質はどのようなものでも良い。
【００２３】
上記配線基板１には、その表面から所定高さ（例えば１０μｍ〜２０μｍ程度）突出するように配線パターン２が複数形成されている。また、配線基板１上には、デバイスチップ３が設けられている。このデバイスチップ３は、中央部に機能面領域４を有し、この機能面領域４の周囲に、電気的接続部としての電極パッド（図示せず。）及びこの電極パッドと接続されたＡｕバンプ５が設けられている。そして、配線パターン２とデバイスチップ３の電極パッドとはＡｕバンプ５を介して電気的及び機械的に接続されている。すなわち、デバイスチップ３は、機能面領域４、電極パッド、Ａｕバンプ５が配線基板１側を向くように、配線基板１にフェイスダウンで搭載されている。
【００２４】
デバイスチップ３の機能面領域４は、その表面に空間を必要とする。すなわち、デバイスチップ３は、例えばＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイスないしＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）等からなり、機能面領域４には櫛歯状電極（図示せず。）等が設けられており、その表面に空間を必要とする構成となっている。このため、機能面４と配線基板１との間には、空隙６が形成されている。
【００２５】
上記の空隙６を形成するため、配線パターン２は、機能面領域４と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することのないように形成され、かつ、少なくともデバイスチップ３のＡｕバンプ５に対応した位置に形成されている。なお、本実施形態では、図１，２に示すように、配線基板１の機能面領域４と対向する対向領域には配線パターン２が形成されていない。しかし、対向領域の外側から対向領域内に延在するものでなく、単に対向領域内に孤立して配置されたもの（島状に配置されたもの）であれば、対向領域内に配線パターン２があっても良い。
【００２６】
また、上記の配線パターン２は、配線基板１の表面から１０μｍ以上突出していることが好ましい。これは、配線基板１の表面と配線パターン２の段部により、封止用の樹脂７の流れを制御するためである。この配線パターン２の高さとしては、例えば前記した１０μｍ〜２０μｍ程度が好ましい。この場合、配線パターン２の上面とデバイスチップ３との間隔が１０μｍ〜２０μｍ程度となり、配線パターン２以外の配線基板１の上面とデバイスチップ３との間隔が２０μｍ〜４０μｍ程度となる。
【００２７】
また、上記の配線パターン２は、デバイスチップ３の周囲に沿って適宜の間隔で配置されることが好ましく、隣接する配線パターン２の間隔が広く空く場合は、図３に示すようにこれらの配線パターン２の間にダミーパターン８を設けて、隣接するパターン同士の間隔を一定以下とすることが好ましい。なお、このようなダミーパターン８は、配線パターン２と同様に銅、アルミニウム、金等の金属導体、あるいは、絶縁樹脂やガラス等の絶縁性材料等どのようなもので形成してもよい。さらに、配線基板１から突出する構造の配線パターン２を有しない場合は、全てダミーパターン８によって構成することもできる。このようにダミーパターン８を使用した場合、ダミーパターン８とデバイスチップ３とが直接接触しないことが好ましく、ダミーパターン８の高さは、配線パターン２の場合と同様に、１０μｍ〜２０μｍ程度とすることが好ましい。
【００２８】
上記構成の配線基板１では、デバイスチップ３を搭載した後、デバイスチップ３の周囲を樹脂７で封止する。この際に、デバイスチップ３の周囲に沿って樹脂７を供給する。すなわち、例えば図４，５に示すように、樹脂７を供給するディスペンサ２０をデバイスチップ３の周囲に沿って移動させながら樹脂７を供給する。なお、樹脂７の粘度はある程度高いことが好ましく、例えば２０Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。
【００２９】
この時、図６（ａ），（ｂ）に示すように、一般にデバイスチップ３と配線基板１（配線パターン２）との間隔ｄが狭いほど（図６の場合（ｂ）の方）、毛細管現象により樹脂７の内側への進入速度が速い。この進入速度は、デバイスチップ３と配線基板１（配線パターン２）との間隔ｄに反比例して増加する。このため配線基板１上では、配線パターン２上の方が配線パターン２の無い部分よりも樹脂７の進入速度が速くなる。例えば、配線パターン２の配線基板１表面からの突出高さが１０μｍ、配線パターン２上面とデバイスチップ３との距離が１０μｍ、配線基板１上の配線パターン２が無い部分とデバイスチップ３との距離が２０μｍであると、この場合、配線パターン２上の方が２倍速く樹脂７が進入する。このため、本実施形態では、配線パターン２が、機能面領域４と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することのないようにしている。
【００３０】
そして、図７に示すように、樹脂７が配線パターン２の端部（段部）まで到達すると、樹脂７の進入速度が遅くなる。ここで、重力を除いた樹脂７に働くデバイスチップ３の外周方向への力（Ａ）（図７中黒色の矢印で示す。）は、
（１）樹脂の自己凝集力
（２）表面張力（樹脂自体の形状保持）
（３）中空空間による内部圧力
である。また、内部へ進入する方向に働く力（Ｂ）（図７中白抜きの矢印で示す。）は、
（４）樹脂と各材料間の界面張力（濡れ性）
（５）毛細管現象
である。
【００３１】
樹脂７を塗布した直後は、上記の（Ｂ）の合計した力の方が、（Ａ）の合計した力よりも大きいので、樹脂７は、デバイスチップ３の内側に徐々に侵入していく。そして、デバイスチップ３と配線基板１との間隙における樹脂７の量が多くなるにつれて（１）の自己凝集力が大きくなり、樹脂７の進入速度は徐々に遅くなっていく。配線パターン２の先端の段部に樹脂７が到達すると、図８，９に示す樹脂７と配線パターン２との接触角度θが変わるため、図９（ａ）に示す状態から図９（ｂ）に示す状態となるようにその接触角度が変わるまで樹脂７の進入位置が保持される。この間にデバイスチップ３の周囲を樹脂７で覆い中空に閉じ込めてしまえば、（３）の内部圧力によって、樹脂７の進入は止まる。一方、この間に中空に閉じ込めを行わない場合は、配線パターン２上の樹脂７が配線基板１表面にまで到達し、その後はデバイスチップ３と配線基板１との距離とそこまでの樹脂７の進入量に応じて樹脂７が徐々に内側に進入する。
【００３２】
このため、図４，５に示すように、樹脂７を供給するディスペンサ２０をデバイスチップ３の周囲に沿って移動させながら樹脂を供給する場合、樹脂７が配線パターン２の端部で止まっている間に、デバイスチップ３の全周に亘って樹脂７を供給し中空に閉じ込めを行う。なお、この樹脂７の供給開始から終了までの時間は、例えば１ｍｍ角のＳＡＷチップの場合、１秒以下程度とすることが好ましい。これによって、図２，３に示すように、機能面領域４の部分に樹脂７が進入しない状態に確実に樹脂封止を行うことができる。なお、樹脂７の供給方法としては、上記のようなディスペンサ２０を用いた方法に限られず、例えば、図１０に示すように、デバイスチップ３に対応した形状の開口部（図示せず。）を有するマスク３０とスキージ３１等を用いた印刷工程による方法でもよい。このような方法によれば、より短時間でデバイスチップ３の周囲の全周に亘って樹脂７を供給することができ、また、一度に複数のデバイス装置に対して樹脂７を供給できるので工程時間の短縮を図ることができる。さらに、デバイスチップ全体を封止でき、信頼性が増すとともに、形成後の封止樹脂表面が平らになり、取り扱いが容易となる。
【００３３】
上記のようにデバイスチップ３の周囲に樹脂７を供給した後、配線基板１ごと例えばオーブンに投入し、所定温度で所定時間（例えば１５０℃程度で３０分）加熱し、塗布された樹脂７を熱硬化させる。加熱してから熱硬化反応が起こる１００℃になるまでの間に樹脂７が低粘度になり流動化し易くなるが、封止空間の内圧が高くなるため機能面領域４周辺に流れ込む恐れはない。なお、オーブンの代わりにホットステージを用いてもよい。デバイスチップ３が実装された配線基板１をホットステージに載置することで、配線基板１側に直に熱を供給できるため、１５０℃に加熱した場合５分程度で熱硬化させることができる。
【００３４】
以上のように、本実施形態では、封止信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく中空に樹脂封止したデバイス装置を製造することができる。実際に、１ｍｍ角のＳＡＷチップの場合について、周囲からＳＡＷチップの下に樹脂７が入り込む幅を測定したところ、従来は３００μｍ以上であったのに対して、上記の実施形態によれば１５０μｍ以下とすることができた。なお、上記のようにして樹脂封止を行ったデバイス装置の場合、樹脂７は、図２，３に示すように、隣接する配線パターン２同士又は配線パターン２と隣接するダミーパターン８との間において、外側方向に凹んだ形状となっている。
【００３５】
次に、図１１を参照して第２の実施形態について説明する。第２の実施形態にかかる配線基板１ａは、図１１に示すように、デバイスチップ３の機能面領域４と対向する対向領域の周囲を囲むように、デバイスチップ３の下側に位置する部位に段部９ａが形成されている。すなわち、配線基板１ａには、矩形状の機能面領域４より面積の広い矩形状の凹部９が形成されており、この凹部９の縁部によって段部９ａが形成されている。このように構成された第２の実施形態では、前述した配線パターン２の端部の場合と同様に、段部９ａによって樹脂７の進入が抑制されるので、前記した実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００３６】
なお、段部９ａを形成するためには、上記のように全体を凹陥した形状の凹部９に限らず例えば周囲のみを凹陥したロ字状の凹部としても良く、或いは凹陥する代わりに周囲を突出させたと凸部を形成しても良い。また、図１２に示す第３の実施形態のように、配線基板１ｂには段部を設けず、デバイスチップ３側を凹陥して凹部１０を形成し、デバイスチップ３側の電極部分と機能面領域４の間に段部１０ａを設けても良い。
【００３７】
なお、上述した実施形態では、樹脂封止デバイスとしてＳＡＷデバイスを例に挙げて説明しているが、これに限定されるものではなく、素子の機能面上方に封止空間を必要とするＦＢＡＲ、ＭＥＭＳデバイス、光学デバイス等であっても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るデバイス装置の模式的な縦断面図。
【図２】図１のデバイス装置を透視して示す模式的な平面図。
【図３】図１のデバイス装置の変形例の構成を透視して示す模式的な平面図。
【図４】本発明の実施形態に係る製造方法を模式的に示す図。
【図５】図４の縦断面構成を模式的に示す図。
【図６】配線基板とデバイスチップとの間隔と樹脂の進入状態の関係を説明するための図。
【図７】樹脂の進入状態を説明するための図。
【図８】樹脂の接触角度を説明するための図。
【図９】樹脂の接触角度と樹脂の進入状態の関係を説明するための図。
【図１０】樹脂の供給方法の他の例を説明するための図。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るデバイス装置の模式的な縦断面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るデバイス装置の模式的な縦断面図。
【符号の説明】
【００３９】
１……配線基板、２……配線パターン、３……デバイスチップ、４……機能面領域、５……Ａｕバンプ、６……空隙、７……樹脂、８……ダミーパターン、９，１０……凹部、９ａ，１０ａ……段部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面から突出する凸状の配線パターンが形成されるとともに、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板であって、
前記配線パターンが、前記機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することなく形成され、
かつ、前記電気的接続部に対応して設けられた前記配線パターンの端部によって前記デバイスチップの下側に位置する段部が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線パターンが、表面から１０μｍ以上突出するように設けられていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記対向領域の周囲に沿って、前記配線パターンの間に位置するように、表面から突出する凸状のダミーパターンが形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記ダミーパターンが、表面から１０μｍ以上突出し、かつ前記デバイスチップと直接接触しない高さとされていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板であって、
前記機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、前記デバイスチップの下側に位置する部位に段部が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記段部が、表面を凹陥するように形成された凹部によって形成されていることを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップと、
前記デバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置され、表面から突出する凸状の配線パターンが形成された配線基板であって、前記配線パターンが、前記機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することなく形成され、かつ、前記電気的接続部に対応して設けられた配線パターンの端部によって前記デバイスチップの下側に位置する段部が形成されている配線基板とを具備し、
前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とするデバイス装置。
【請求項８】
前記配線パターンが、表面から１０μｍ以上突出するように設けられていることを特徴とする請求項７記載のデバイス装置。
【請求項９】
前記対向領域の周囲に沿って、前記配線パターンの間に位置するように、表面から突出する凸状のダミーパターンが形成されていることを特徴とする請求項７又は８記載のデバイス装置。
【請求項１０】
前記ダミーパターンが、表面から１０μｍ以上突出し、かつ前記デバイスチップと直接接触しない高さとされていることを特徴とする請求項９記載のデバイス装置。
【請求項１１】
前記樹脂が、隣接する前記配線パターン同士、又は隣接する前記配線パターンと前記ダミーパターンの間で外側方向に向かって凹んだ形状とされていることを特徴とする請求項７乃至１０いずれか１項記載のデバイス装置。
【請求項１２】
表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップと、
前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置され、前記機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、前記デバイスチップの下側に位置する部位に段部が形成されている配線基板を具備し、
前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とするデバイス装置。
【請求項１３】
前記段部が、表面を凹陥するように形成された凹部によって形成されていることを特徴とする請求項１２記載のデバイス装置。
【請求項１４】
表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成され、前記電気的接続部と前記機能面領域との間に前記機能面領域側が凹むように形成された段部を有するデバイスチップと、
前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板を具備し、
前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とするデバイス装置。
【請求項１５】
請求項７乃至１４のいずれか１項記載のデバイス装置の製造方法であって、
前記デバイスチップの周囲に沿って樹脂を供給し、当該樹脂が前記機能面領域と前記配線基板との間に流入する前に前記デバイスチップの周囲全周に樹脂を供給し、前記デバイスチップと前記配線基板との間を前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止することを特徴とするデバイス装置の製造方法。
【請求項１６】
前記デバイスチップの周囲に沿って、前記樹脂を供給するためのディスペンサを移動させながら前記樹脂を供給することを特徴とする請求項１５記載のデバイス装置の製造方法。
【請求項１７】
前記デバイスチップに対応した開口部を有するマスクを介して前記樹脂を供給することを特徴とする請求項１５記載のデバイス装置の製造方法。
【請求項１】
表面から突出する凸状の配線パターンが形成されるとともに、表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板であって、
前記配線パターンが、前記機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することなく形成され、
かつ、前記電気的接続部に対応して設けられた前記配線パターンの端部によって前記デバイスチップの下側に位置する段部が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線パターンが、表面から１０μｍ以上突出するように設けられていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記対向領域の周囲に沿って、前記配線パターンの間に位置するように、表面から突出する凸状のダミーパターンが形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記ダミーパターンが、表面から１０μｍ以上突出し、かつ前記デバイスチップと直接接触しない高さとされていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板であって、
前記機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、前記デバイスチップの下側に位置する部位に段部が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記段部が、表面を凹陥するように形成された凹部によって形成されていることを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップと、
前記デバイスチップが、前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置され、表面から突出する凸状の配線パターンが形成された配線基板であって、前記配線パターンが、前記機能面領域と対向する対向領域の外側から、当該対向領域に延在することなく形成され、かつ、前記電気的接続部に対応して設けられた配線パターンの端部によって前記デバイスチップの下側に位置する段部が形成されている配線基板とを具備し、
前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とするデバイス装置。
【請求項８】
前記配線パターンが、表面から１０μｍ以上突出するように設けられていることを特徴とする請求項７記載のデバイス装置。
【請求項９】
前記対向領域の周囲に沿って、前記配線パターンの間に位置するように、表面から突出する凸状のダミーパターンが形成されていることを特徴とする請求項７又は８記載のデバイス装置。
【請求項１０】
前記ダミーパターンが、表面から１０μｍ以上突出し、かつ前記デバイスチップと直接接触しない高さとされていることを特徴とする請求項９記載のデバイス装置。
【請求項１１】
前記樹脂が、隣接する前記配線パターン同士、又は隣接する前記配線パターンと前記ダミーパターンの間で外側方向に向かって凹んだ形状とされていることを特徴とする請求項７乃至１０いずれか１項記載のデバイス装置。
【請求項１２】
表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成されたデバイスチップと、
前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置され、前記機能面領域と対向する対向領域の周囲を囲むように、前記デバイスチップの下側に位置する部位に段部が形成されている配線基板を具備し、
前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とするデバイス装置。
【請求項１３】
前記段部が、表面を凹陥するように形成された凹部によって形成されていることを特徴とする請求項１２記載のデバイス装置。
【請求項１４】
表面に空間を必要とする機能面領域の周囲に複数の電気的接続部が形成され、前記電気的接続部と前記機能面領域との間に前記機能面領域側が凹むように形成された段部を有するデバイスチップと、
前記機能面領域及び前記電気的接続部が配線基板側に向くように配置される配線基板を具備し、
前記デバイスチップと前記配線基板との間が、前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止されていることを特徴とするデバイス装置。
【請求項１５】
請求項７乃至１４のいずれか１項記載のデバイス装置の製造方法であって、
前記デバイスチップの周囲に沿って樹脂を供給し、当該樹脂が前記機能面領域と前記配線基板との間に流入する前に前記デバイスチップの周囲全周に樹脂を供給し、前記デバイスチップと前記配線基板との間を前記機能面領域との間に空間が形成されるように樹脂により封止することを特徴とするデバイス装置の製造方法。
【請求項１６】
前記デバイスチップの周囲に沿って、前記樹脂を供給するためのディスペンサを移動させながら前記樹脂を供給することを特徴とする請求項１５記載のデバイス装置の製造方法。
【請求項１７】
前記デバイスチップに対応した開口部を有するマスクを介して前記樹脂を供給することを特徴とする請求項１５記載のデバイス装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００８−４１８５７（Ｐ２００８−４１８５７Ａ）
【公開日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２１２９０３（Ｐ２００６−２１２９０３）
【出願日】平成１８年８月４日（２００６．８．４）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年８月４日（２００６．８．４）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]