配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
【課題】剛性を高めることのできる配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１は、基板１０と、基板１０の第１主面Ｐ１上に形成された絶縁層２０と、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成された複数の配線パターン３０とを有する。また、配線基板１は、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成され、配線パターン３０を被覆するとともに、隣接する配線パターン３０の一部を実装領域ＣＡとして露出する開口部５０Ｘを有する絶縁層５０と、基板１０の開口部５０Ｘの形成された領域よりも外側の領域に形成され、基板１０が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部７０とを有する。
【解決手段】配線基板１は、基板１０と、基板１０の第１主面Ｐ１上に形成された絶縁層２０と、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成された複数の配線パターン３０とを有する。また、配線基板１は、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成され、配線パターン３０を被覆するとともに、隣接する配線パターン３０の一部を実装領域ＣＡとして露出する開口部５０Ｘを有する絶縁層５０と、基板１０の開口部５０Ｘの形成された領域よりも外側の領域に形成され、基板１０が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部７０とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、金属製の基板に形成された絶縁層上に配線パターンを形成し、その配線パターン上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記発光装置では、熱伝導性を向上させるために基板が薄く形成されている。このため、発光装置全体の剛性が小さく、熱収縮などによって反り及び変形が発生し易いという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、前記第１主面上に形成され、前記配線パターンを被覆するとともに、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第１開口部を有する第２絶縁層と、前記基板の前記第１開口部の形成された領域よりも外側の領域に形成され、前記基板が前記第１絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、配線基板の剛性を高めることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す配線基板の一部を拡大した拡大断面図。
【図２】配線パターン及び金属層を示す概略平面図。
【図３】（ａ）は、第１実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ−Ｂ概略断面図。なお、（ａ）では、封止樹脂の図示を省略している。
【図４】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｄ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図９】（ａ）は、第２実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、第２実施形態の配線基板を示す概略平面図。なお、（ｂ）では、最外層の絶縁層の図示を省略している。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図１１】（ａ）は、第３実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＤ−Ｄ概略断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｆ）は、変形例の配線基板を示す概略平面図。なお、（ａ）〜（ｆ）では、最外層の絶縁層の図示を省略している。
【図１４】変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）は、発光装置の実装例を示す概略断面図、（ｂ）は、発光装置の実装例を示す概略平面図。
【図１６】発光装置の実装例を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の絶縁層のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図８に従って説明する。
（配線基板の構造）
図１（ｂ）に示すように、配線基板１は、基板１０と、基板１０の第１主面Ｐ１を覆う絶縁層２０と、絶縁層２０上に形成された配線パターン３０と、配線パターン３０上の一部に形成された金属層４０と、配線パターン３０を覆う絶縁層５０とを有している。この配線基板１は、例えば発光装置に適用される基板である。
【００１０】
基板１０は、例えば平面視して略矩形状の薄板である。基板１０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）や鉄（Ｆｅ）などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。基板１０の厚さは、例えば０．１〜０．４ｍｍ程度とすることができる。
【００１１】
絶縁層２０は、基板１０の第１主面Ｐ１全面を覆うように形成されている。絶縁層２０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層２０の厚さは、例えば１５〜５０μｍ程度とすることができる。
【００１２】
配線パターン３０は、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成されている。この配線パターン３０は、図２に示すように、絶縁層２０の第１主面Ｒ１の中央部を全体的に覆うように形成されている。具体的には、帯状の複数（図２では、５つ）の配線パターン３０が平行に隣接して配置されている。そして、隣接する配線パターン３０間には、下層の絶縁層２０を露出する溝状の開口部３０Ｘが形成されている。この開口部３０Ｘによって、複数の配線パターン３０は互いに分離されている。なお、配線パターン３０の材料としては、例えば銅や銅合金などを用いることができる。配線パターン３０の厚さは、例えば１５〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００１３】
図１（ｂ）に示すように、絶縁層５０は、配線パターン３０の一部を覆うように絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成されている。この絶縁層５０には、配線パターン３０の一部を実装領域ＣＡとして露出させるための開口部５０Ｘと、配線パターン３０の一部を電極端子６０として露出させるための開口部５０Ｙとが形成されている。これら開口部５０Ｘ，５０Ｙから露出する配線パターン３０上には金属層４０が形成されている。金属層４０の例としては、銀（Ａｇ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、金属層４０の例としては、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）なども挙げることができる。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、上記開口部５０Ｘ，５０Ｙの平面形状は、例えば円形状に形成されている。開口部５０Ｘは、絶縁層２０上にマトリクス状（図１（ａ）では４×４）に形成されている。このため、開口部５０Ｘで画定された実装領域ＣＡも同様に、絶縁層２０上にマトリクス状に配列されている。この実装領域ＣＡでは、溝状の開口部３０Ｘによって分離された２つの配線パターン３０上に形成された金属層４０が開口部５０Ｘから露出されている。なお、開口部５０Ｘから露出される金属層４０がパッドとして機能する。
【００１５】
一方、開口部５０Ｙは、開口部５０Ｘ及び実装領域ＣＡよりも外側に形成された配線パターン３０上に形成されている。具体的には、開口部５０Ｙから露出される金属層４０、つまり電極端子６０は、図２に示すように、帯状の５つの配線パターン３０のうち外側に配置された２つの配線パターン３０上に形成されている。さらに、電極端子６０は、それら２つの配線パターン３０上に形成された実装領域ＣＡとなる金属層４０よりも外側に形成されている。そして、この電極端子６０には、外部の電源から給電ケーブル（図示略）等を介して給電される。
【００１６】
図１（ａ）に示した絶縁層５０は、高い反射率を有する。具体的には、絶縁層５０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような絶縁層５０は、白色レジスト層とも呼ばれる。この絶縁層５０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン等のフィラーを混入した樹脂材やＴｉＯ２又はＢａＳＯ４などの白色顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような絶縁層５０（白色レジスト層）により配線基板１の最表面を覆うことにより、配線パターン３０の保護に加えて、当該配線基板１に実装される発光素子からの光の反射率を高め、発光素子の光量ロスを低減させることができる。
【００１７】
また、配線基板１には、最表面に形成された絶縁層５０の上面５０Ａの法線方向に突出する突出部７０が複数形成されている。これら突出部７０は、上記実装領域ＣＡの形成された領域よりも外側の領域である基板１０の外周領域に形成されている。具体的には、基板１０の外形を構成する４辺の各辺に沿って複数の突出部７０が並んで形成されている。この突出部７０の平面形状は、例えば円形状に形成されている。また、各突出部７０は、図１（ｂ）に示すように、基板１０及びその基板１０に積層された絶縁層２０，５０が当該配線基板１の厚さ方向に立ち上がるように形成されている。より具体的には、各突出部７０では、基板１０の所定部分が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がるように形成され、その立ち上がった部分に沿って絶縁層２０，５０も厚さ方向に立ち上がるように形成されている。ここで、各突出部７０のサイズは、基板１０の下面側の頂面Ｔ１の直径φ１を例えば０．６〜０．７ｍｍ程度、突出部７０の底面Ｂ１から上記頂面Ｔ１までの高さＨ１を０．３ｍｍ〜０．４ｍｍ程度とすることができる。このとき、突出部７０の底面Ｂ１と突出部７０の内側壁Ｉ１とがなす角度θ１を６０〜７０度程度とすることができる。
【００１８】
（発光装置の構造）
次に、発光装置２の構造について説明する。
図３（ｂ）に示すように、発光装置２は、上記配線基板１と、その配線基板１に実装された複数（図３（ａ）では１６個）の発光素子８０と、発光素子８０等を封止する封止樹脂８５とを有している。
【００１９】
図３（ａ）に示すように、各発光素子８０は、配線基板１の各実装領域ＣＡに実装されている。具体的には、各発光素子８０は、各実装領域ＣＡに形成された一方の金属層４０上に実装されている。また、各発光素子８０は、一方の電極（図示略）がボンディングワイヤ８１を介して実装領域ＣＡ内の一方の金属層４０に電気的に接続され、他方の電極（図示略）がボンディングワイヤ８１を介して実装領域ＣＡ内の他方の金属層４０に電気的に接続されている。これにより、各発光素子８０の各電極は、ボンディングワイヤ８１及び金属層４０を介して、配線パターン３０（図３（ｂ）参照）と電気的に接続されている。このような接続により、本実施形態の発光装置２では、２つの電極端子６０間に４個の発光素子８０が直列に接続されるとともに、それら直列に接続された発光素子８０群が４つ並列に接続されることになる。そして、これら発光素子８０は、外部の電源（図示略）から電極端子６０や配線パターン３０を介して給電されて発光する。
【００２０】
上記発光素子８０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。ボンディングワイヤ８１としては、例えばＡｕワイヤ、ＡｌワイヤやＣｕワイヤなどを用いることができる。
【００２１】
図３（ｂ）に示すように、封止樹脂８５は、発光素子８０及びボンディングワイヤ８１等を封止するように配線基板１の上面に設けられている。この封止樹脂８５の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子８０上に形成することにより、発光素子８０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００２２】
（作用）
配線基板１の外周領域に、基板１０及びその基板１０に積層された絶縁層２０，５０を厚さ方向に立ち上げて突出部７０を形成するようにした。これにより、基板１０及び絶縁層２０，５０が立ち上がった分だけ配線基板１全体の断面の高さを高くすることができる。したがって、配線基板１の剛性を高めることができる。
【００２３】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法について図４〜図７に従って説明する。なお、図４（ａ）、図５（ｃ）及び図６（ｄ）は、配線基板の製造過程の状態を示した概略平面図である。また、図４（ｂ）、図５（ａ）、（ｂ）、図６（ａ）〜（ｃ）及び図７（ａ）、（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ線位置における配線基板の製造過程の状態を示した概略断面図であり、図７（ｃ）は、図１に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図である。
【００２４】
まず、配線基板１を製造するためには、図４（ａ）に示すように、多数個取り基板（以下、単に「基板」ともいう。）１０Ａを用意する。基板１０Ａは、配線基板１が形成される領域である配線基板形成領域Ｃ１を複数（図４（ａ）では、３つ）有している。なお、この基板１０Ａは、配線基板形成領域Ｃ１に配線基板１に対応する構造体が形成された後、ダイシング位置Ｄ１に沿ってダイシングブレードによって切断される。これにより、配線基板１に対応する構造体が個片化され、複数の配線基板１が製造されることになる。このとき、各配線基板１において、基板１０Ａは図１に示した基板１０となる。このため、基板１０Ａの材料としては、基板１０と同様に、例えば銅、アルミニウムや鉄などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。
【００２５】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、基板１０Ａの第１主面Ｐ１全面を覆うように絶縁層２０Ａを形成するとともに、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１全面を覆うように銅箔３０Ａを形成する。例えば絶縁層２０Ａ（樹脂基板）の片面に銅箔３０Ａが被着された片面銅張り基板を基板１０Ａに接着することにより、基板１０Ａ上に絶縁層２０Ａ及び銅箔３０Ａを形成する。なお、絶縁層２０Ａは、最終的にダイシング位置Ｄ１で切断されることにより図１に示した絶縁層２０となる。
【００２６】
次に、図５（ａ）に示す工程では、銅箔３０Ａの上面に、所定の箇所に開口部９０Ｘを有するレジスト層９０を形成する。このレジスト層９０は、所要の配線パターン３０及びめっき給電用の給電ライン３１，３２（図５（ｃ）参照）に対応する部分の銅箔３０Ａを被覆するように形成される。レジスト層９０の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔３０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９０を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９０を形成することができる。
【００２７】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示したレジスト層９０をエッチングマスクとして銅箔３０Ａをエッチングし、銅箔３０Ａを所定形状にパターニングする。これにより、図５（ｃ）に示すように、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１に、所要の配線パターン３０と、給電ライン３１，３２とが形成される。具体的には、並設された複数の帯状の配線パターン３０と、配線基板形成領域Ｃ１よりも外側の領域に枠状に形成された給電ライン３１と、その給電ライン３１と配線パターン３０とを電気的に接続する給電ライン３２とが形成される。これにより、全ての配線パターン３０が給電ライン３１，３２を介して電気的に接続されることになる。以下の説明では、配線パターン３０、給電ライン３１，３２をまとめて配線層３３とも称する。なお、上記銅箔３０Ａのパターニング終了後に、図５（ａ）に示したレジスト層９０を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００２８】
次に、図６（ａ）に示す工程では、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１上に、所定の箇所に開口部９１Ｘ，９１Ｙを有するレジスト層９１を形成する。この開口部９１Ｘは、実装領域ＣＡ（図１参照）に対応する部分の配線パターン３０及び絶縁層２０Ａを露出するように形成される。また、開口部９１Ｙは、電極端子６０（図１参照）に対応する部分の配線パターン３０を露出するように形成される。レジスト層９１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層２０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９１を形成することができる。
【００２９】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、上記レジスト層９１をめっきマスクとして、配線パターン３０の表面（上面及び側面）に、配線層３３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層９１の開口部９１Ｘから露出された配線パターン３０の上面及び側面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の配線パターン３０を被覆するように金属層４０を形成する。また、レジスト層９１の開口部９１Ｙから露出された配線パターン３０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン３０上に金属層４０を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。なお、例えば金属層４０がＮｉ／Ａｕ層である場合には、電解めっき法により、レジスト層９１の開口部９１Ｘ，９１Ｙから露出された配線パターン３０の表面にＮｉ層とＡｕ層を順に積層する。
【００３０】
次いで、図６（ｃ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したレジスト層９１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次に、図６（ｄ）に示す工程では、図５（ｃ）に示した給電ライン３２を除去する。例えば絶縁層２０Ａ上に給電ライン３２のみを露出するレジスト層を形成し、そのレジスト層をエッチングマスクとして配線層３３をエッチングして、給電ライン３２を除去する。なお、本工程において、給電ライン３２と併せて給電ライン３１を除去するようにしてもよい。
【００３１】
続いて、図７（ａ）に示す工程では、絶縁層２０Ａ上及び配線パターン３０上に、実装領域ＣＡ及び電極端子６０にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する絶縁層５０を形成する。すなわち、絶縁層２０Ａ上及び配線パターン３０上に、実装領域ＣＡに形成された金属層４０及び電極端子６０を露出する絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。また、絶縁層５０の材料として感光性の絶縁樹脂を用いる場合には、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１、配線パターン３０、金属層４０及び給電ライン３１を覆うように絶縁層５０となるレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりレジスト層を露光・現像して上記開口部５０Ｘ，５０Ｙを形成することで、上記絶縁層５０を形成することもできる。
【００３２】
上記絶縁層５０の形成によって、配線パターン３０上に形成された金属層４０が実装領域ＣＡとして開口部５０Ｘから露出される。このため、絶縁層５０の形成後に、コンタクト性を向上させるために配線パターン３０上に電解めっき等を施す必要がない。これにより、上記金属層４０を形成する際に使用されるめっき液の劣化を抑制することができる。詳述すると、絶縁層５０を形成した後に、開口部５０Ｘから露出された配線パターン３０に対してめっき法（電解めっき法又は無電解めっき法）を施す場合には、そのときに使用されるめっき液に対して絶縁層５０に含まれる樹脂材等が溶出する。このため、めっき液の劣化とそれによる液寿命の短縮化を引き起こすという問題がある。これに対し、本実施形態の製造方法によれば、電解めっき法を実施する際には、絶縁層５０が形成されていないため、上述したような問題の発生を未然に防止することができる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、めっき液の劣化を抑制することができるため、めっき液の液寿命の短縮化を抑制することができる。
【００３３】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、各配線基板形成領域Ｃ１内の外周領域に複数の突出部７０を形成する。これら突出部７０は、例えば絞り加工等のプレス加工により形成することができる。例えば絞り加工により突出部７０を形成する場合には、押え部材とダイとの間に図７（ａ）に示した構造体を挿入して、基板１０Ａの所定部分をその基板１０Ａの第２主面Ｐ２側から押圧することにより、基板１０Ａ及びその基板１０Ａ上に形成された絶縁層２０Ａ，５０を立ち上げるようにして上記突出部７０を形成する。
【００３４】
以上の製造工程により、複数の配線基板形成領域Ｃ１に、配線基板１に相当する構造体が形成される。
次に、図７（ｃ）に示す工程では、図７（ｂ）に示した構造体をダイシング位置Ｄ１に沿って切断する。これにより、配線基板１が個片化され、複数の配線基板１が製造される。なお、このときの切断により、図６（ｄ）に示した給電ライン３１が配線基板１から除去される。
【００３５】
（発光装置の製造方法）
次に、発光装置２の製造方法を図８に従って説明する。なお、図８は、図３（ａ）のＢ−Ｂ線位置における発光装置の製造過程の状態を示した概略断面図である。
【００３６】
図８（ａ）に示す工程では、上記配線基板１の各実装領域ＣＡ内に形成された金属層４０上に接着剤（図示略）を介して発光素子８０を搭載する。その後、発光素子８０の電極と金属層４０とをボンディングワイヤ８１により接続し、発光素子８０と配線パターン３０とを電気的に接続する。具体的には、発光素子８０の一方の電極を実装領域ＣＡ内の一方の金属層４０とボンディングワイヤ８１により電気的に接続するとともに、発光素子８０の他方の電極を実装領域ＣＡ内の他方の金属層４０とボンディングワイヤ８１により電気的に接続する。
【００３７】
次に、図８（ｂ）に示す工程では、配線基板１上に実装された複数の発光素子８０及びボンディングワイヤ８１を封止する封止樹脂８５を形成する。例えば封止樹脂８５として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図８（ａ）に示す構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂８５を形成する。なお、封止樹脂８５は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図３に示した発光装置２が製造される。
【００３８】
（効果）
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）配線基板１の外周領域に、基板１０及びその基板１０に積層された絶縁層２０，５０を厚さ方向に立ち上げて突出部７０を形成するようにした。これにより、基板１０及び絶縁層２０，５０が立ち上がった分だけ配線基板１全体の断面の高さを高くすることができるため、配線基板１の剛性を高めることができる。したがって、熱収縮などに伴って配線基板１に反りや変形が発生することを好適に抑制することができる。
【００３９】
（２）基板１０を薄くしても上記突出部７０を形成することにより、配線基板１の剛性を高めることができる。換言すると、配線基板１の剛性を高めつつも、基板１０を薄くすることができる。これにより、薄い基板１０によって高い熱伝導性を得ることができる。ここで、発光素子８０（発光ダイオード）の発光効率は、その温度上昇に伴い減少する傾向にある。このため、基板１０により発光素子８０から発生する熱を効率良く放熱することにより、発光素子８０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００４０】
さらに、薄い基板１０を利用することにより、ロールツーロール製法が可能になる。例えば図４及び図５に示した製造工程においてロールツーロール製法が可能となる。これにより、生産性を向上させることができる。
【００４１】
（３）配線パターン３０上に電解めっき法により金属層４０を形成した後に、その金属層４０を露出させる開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する絶縁層５０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法により金属層４０を形成する際には、絶縁層５０が形成されていないため、その絶縁層５０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。
【００４２】
（４）金属層４０を電解めっき法により形成するようにした。これにより、金属層４０を無電解めっき法により形成する場合よりも製造コストを低減することができる。
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図９及び図１０に従って説明する。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。ここで、図９（ａ）は、本実施形態の配線基板１Ａを示す概略断面図であり、図９（ｂ）は、絶縁層５０を省略した配線基板１Ａの概略平面図である。なお、先の図１〜図８に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００４３】
（配線基板の構造）
図９（ｂ）に示すように、絶縁層２０の第１主面Ｒ１の外周領域には、補強層３４が形成されている。この補強層３４は、基板１０の外形に沿って枠状に形成されている。補強層３４の材料としては、配線パターン３０と同じ材料を用いることができる。すなわち、補強層３４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。なお、補強層３４の厚さは、例えば１５〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００４４】
図９（ａ）に示すように、絶縁層５０は、実装領域ＣＡ及び電極端子６０以外の部分の配線パターン３０、及び補強層３４の上面及び側面を覆うように、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成されている。
【００４５】
配線基板１Ａには、最表面に形成された絶縁層５０の上面５０Ａの法線方向に突出する突出部７１が複数形成されている。これら突出部７１は、基板１０の外周領域に形成されている。具体的には、突出部７１は、上記補強層３４の形成された領域に形成されている。各突出部７１は、基板１０と、その基板１０に積層された絶縁層２０、補強層３４及び絶縁層５０とが当該配線基板１Ａの厚さ方向に立ち上がるように形成されている。より具体的には、各突出部７１では、基板１０の所定部分が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がるように形成され、その立ち上がった部分に沿って絶縁層２０，５０及び補強層３４も厚さ方向に立ち上がるように形成されている。なお、各突出部７１の平面形状及びサイズは、突出部７０と同様に形成することができる。
【００４６】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１Ａの製造方法を説明する。この配線基板１Ａは、先の図４〜図７で説明した配線基板１の製造方法と略同様の方法により製造することができる。但し、図５（ａ）〜図５（ｃ）で説明した配線層形成工程において形成される配線層のパターンが異なるため、この点について説明する。すなわち、本実施形態では、図５（ａ）〜図５（ｃ）の製造工程の代わりに、以下に説明する図１０（ａ）〜図１０（ｃ）の製造工程が実施される。
【００４７】
図１０（ａ）に示す工程では、銅箔３０Ａの上面に、所定の箇所に開口部９２Ｘを有するレジスト層９２を形成する。このレジスト層９２は、所要の配線パターン３０と、補強層３４と、めっき給電用の給電ライン３１，３２Ａ，３２Ｂ（図１０（ｃ）参照）とに対応する部分の銅箔３０Ａを被覆するように形成される。レジスト層９２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔３０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９２を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９２を形成することができる。
【００４８】
次に、図１０（ｂ）に示す工程では、レジスト層９２をエッチングマスクとして銅箔３０Ａをエッチングし、銅箔３０Ａを所定形状にパターニングする。これにより、図１０（ｃ）に示すように、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１に、所要の配線パターン３０と、補強層３４と、給電ライン３１，３２Ａ，３２Ｂとが形成される。具体的には、複数の配線パターン３０と、配線基板形成領域Ｃ１の外形に沿って形成された補強層３４と、配線基板形成領域Ｃ１よりも外側の領域に枠状に形成された給電ライン３１と、その給電ライン３１と補強層３４とを電気的に接続する給電ライン３２Ａと、補強層３４と配線パターン３０とを電気的に接続する給電ライン３２Ｂとが形成される。これにより、全ての配線パターン３０が補強層３４及び給電ライン３１，３２Ａ，３２Ｂを介して電気的に接続されることになる。なお、上記銅箔３０Ａのパターニング終了後に、図１０（ｃ）に示したレジスト層９２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００４９】
以後、図６〜図７と同様の製造工程により、配線基板１Ａが製造される。但し、図６（ｄ）に示した給電ラインの除去工程においては、上記給電ライン３２Ａ，３２Ｂがエッチングにより除去される。
【００５０】
（効果）
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。
【００５１】
（５）突出部７１の形成される領域に補強層３４を形成するようにした。これにより、配線基板１全体の断面の高さを更に高くすることができるため、配線基板１の剛性を更に高めることができる。したがって、熱収縮などに伴って配線基板１に反りや変形が発生することをより好適に抑制することができる。
【００５２】
（６）配線パターン３０と補強層３４とを同時に形成するようにした。具体的には、図１０（ｂ）に示したエッチング工程により、銅箔３０Ａから配線パターン３０と補強層３４とを同時に形成するようにした。これにより、補強層３４の追加に伴って製造工程数が増加することを好適に抑制することができる。
【００５３】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を図１１及び図１２に従って説明する。以下、第２実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１０に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００５４】
（配線基板の構造）
図１１（ｂ）に示すように、絶縁層２０の第１主面Ｒ１の外周領域には、補強層３４が形成されている。この補強層３４の上面及び側面を覆うように金属層４１が形成されている。この金属層４１は、図１１（ａ）に示すように、基板１０の外形に沿って枠状に形成されている。金属層４１の例としては、Ａｇ層や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。すなわち、金属層４１としては、銀（Ａｇ）などの光の反射率が高い金属又はその金属を含む合金からなる金属層が最外層（最表層）に形成される金属層を用いることができる。さらに、金属層４１の最外層の材料としては、絶縁層５０の反射率と同等かそれ以上の反射率を有する金属又は金属合金であることが好ましい。
【００５５】
ここで、配線パターン３０上に形成される金属層４０の層構成としては、金属層４１と同じ層構成であってもよいし、金属層４１とは異なる層構成であってもよい。本実施形態では、金属層４０及び金属層４１の双方がＡｇ層である。
【００５６】
絶縁層５０は、配線パターン３０の一部を覆うように絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成されている。この絶縁層５０には、開口部５０Ｘ，５０Ｙと併せて、上記金属層４１を露出させるための開口部５０Ｚが形成されている。このため、配線基板１Ｂの最表面には、光の反射率が高い金属層４１が露出されることになる。
【００５７】
配線基板１Ｂには、最表面に形成された絶縁層５０の上面５０Ａよりも突出する突出部７２が複数形成されている。これら突出部７２は、基板１０の外周領域に形成されている。具体的には、突出部７２は、上記補強層３４及び金属層４１の形成された領域に形成されている。各突出部７２は、基板１０と、その基板１０に積層された絶縁層２０、補強層３４及び金属層４１とが当該配線基板１Ｂの厚さ方向に立ち上がるように形成されている。より具体的には、各突出部７２では、基板１０の所定部分が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がるように形成され、その立ち上がった部分に沿って絶縁層２０、補強層３４及び金属層４１も厚さ方向に立ち上がるように形成されている。なお、各突出部７２の平面形状及びサイズは、突出部７０と同様に形成することができる。
【００５８】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１Ｂの製造方法を説明する。先の図１０で説明した製造工程により絶縁層２０Ａ上に配線パターン３０、給電ライン３１，３２Ａ，３２Ｂ及び補強層３４を形成した後に、以下に説明する製造工程を実施する。
【００５９】
図１２（ａ）に示す工程では、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１上に、所定の箇所に開口部９３Ｘ，９３Ｙ，９３Ｚを有するレジスト層９３を形成する。この開口部９３Ｘは、実装領域ＣＡ（図１１参照）に対応する部分の配線パターン３０及び絶縁層２０Ａを露出するように形成される。開口部９３Ｙは、電極端子６０（図１１参照）に対応する部分の配線パターン３０を露出するように形成される。開口部９３Ｚは、補強層３４を露出するように形成される。レジスト層９３の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層２０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９３を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９３を形成することができる。
【００６０】
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、上記レジスト層９３をめっきマスクとして、配線パターン３０及び補強層３４の表面（上面及び側面）に、配線パターン３０及び補強層３４等をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層９３の開口部９３Ｘから露出された配線パターン３０の上面及び側面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の配線パターン３０上に金属層４０（ここでは、Ａｇ層）を形成する。また、レジスト層９３の開口部９３Ｙから露出された配線パターン３０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン３０上に金属層４０（ここでは、Ａｇ層）を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。さらに、レジスト層９３の開口部９３Ｚから露出された補強層３４の上面及び側面に電解めっきを施すことにより、その補強層３４を被覆するように金属層４１（ここでは、Ａｇ層）を形成する。これにより、配線基板形成領域Ｃ１の外形に沿って枠状の金属層４１が形成される。その後、レジスト層９３を例えばアルカリ性の剥離液により除去し、給電ライン３２Ａ，３２Ｂ（図１０（ｃ）参照）をエッチングにより除去する。これにより、配線パターン３０と補強層３４とが電気的に分離されるとともに、各配線パターン３０が電気的に分離される。
【００６１】
続いて、図１２（ｃ）に示す工程では、絶縁層２０Ａ上及び配線パターン３０上に、実装領域ＣＡ及び電極端子６０及び金属層４１にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成する。すなわち、絶縁層２０Ａ上及び配線パターン３０上に、実装領域ＣＡに形成された金属層４０、電極端子６０及び金属層４１を露出する絶縁層５０を形成する。絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。また、絶縁層５０の材料として感光性の絶縁樹脂を用いる場合には、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１、配線パターン３０、金属層４０，４１及び給電ライン３１を覆うように絶縁層５０となるレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりレジスト層を露光・現像して上記開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを形成する。これにより、上記絶縁層５０を形成することもできる。
【００６２】
次に、図１２（ｄ）に示す工程では、各配線基板形成領域Ｃ１内の外周領域に複数の突出部７２を形成する。これら突出部７２は、突出部７０と同様に、例えば絞り加工等のプレス加工により形成することができる。すなわち、例えば絞り加工により突出部７２を形成する場合には、押え部材とダイとの間に図１２（ｃ）に示した構造体を挿入して、基板１０Ａの所定部分をその基板１０Ａの第２主面Ｐ２側から押圧することにより、基板１０Ａを絶縁層２０Ａに向かって厚さ方向に立ち上げるようにして突出部７２を形成する。以上の製造工程により、複数の配線基板形成領域Ｃ１に、配線基板１Ｂに相当する構造体が形成される。
【００６３】
次に、図１２（ｅ）に示す工程では、図１２（ｄ）に示した構造体をダイシング位置Ｄ１に沿って切断する。これにより、配線基板１Ｂが個片化され、複数の配線基板１Ｂが製造される。
【００６４】
（効果）
以上説明した実施形態によれば、第１及び第２実施形態の（１）〜（６）の効果に加えて以下の効果を奏する。
【００６５】
（７）絶縁層５０の形成されていない領域に突出部７２を形成するようにした。これにより、例えば突出部７２を形成する際のプレス加工などによって生じる絶縁層５０の変形に伴って、絶縁層５０が絶縁層２０等から剥離するといった問題の発生を未然に防止することができる。また、金属層４１を露出する開口部５０Ｚを有する絶縁層５０を形成するようにした。このため、配線基板１Ｂの最表面には、光の反射率の高い絶縁層５０と併せて、光の反射率の高い金属層４１が露出される。これにより、当該配線基板１Ｂに実装される発光素子からの光の反射率を高めることができ、発光素子の光量ロスを低減させることができる。
【００６６】
（８）金属層４０と金属層４１とを同一の層構成（同一の材料）とした。これにより、金属層４０と金属層４１とを同時に形成することができる。したがって、金属層４１の追加に伴って製造工程数が増加することを好適に抑制することができる。
【００６７】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第１実施形態では、配線基板１の個片化の前に、配線基板形成領域Ｃ１よりも外側に形成された給電ライン３１と配線パターン３０とを接続する給電ライン３２を除去するようにした。これに限らず、給電ライン３２を除去する工程（図６（ｄ）参照）を省略してもよい。この場合であっても、ダイシング位置Ｄ１に沿って基板１０Ａを切断する工程（図７（ｃ）参照）において、給電ライン３２が給電ライン３１から分離されることになる。このため、図１３（ａ）に示されるように、個片化された配線基板１に給電ライン３２が残っていても、それら給電ライン３２と接続される複数の配線パターン３０が互いに分離される。したがって、給電ライン３２の除去を省略しても、配線基板１の特性上、何ら支障はない。
【００６８】
・同様に、上記第２及び第３実施形態において、給電ライン３１と補強層３４を接続する給電ライン３２Ａの除去を省略してもよい。但し、補強層３４と配線パターン３０を接続する給電ライン３２Ｂについては除去する必要がある。
【００６９】
・上記第２及び第３実施形態では、絶縁層２０の外周領域に枠状の補強層３４を形成するようにしたが、補強層３４の平面形状及び位置は特に限定されない。例えば図１３（ｂ）〜（ｄ）に示されるように、絶縁層２０の外周領域において、基板１０の外形を構成する４辺のうち対向する２辺に、それらの辺に沿って延在される平面視帯状の補強層３４Ａを形成するようにしてもよい。また、図１３（ｅ）に示されるように、絶縁層２０の外周領域において、基板１０の外形を構成する４辺それぞれに、上記帯状の補強層３４Ａを形成するようにしてもよい。
【００７０】
なお、上記補強層３４，３４Ａの形状に合わせて金属層４１の形状も変更するようにしてもよい。
・上記各実施形態における突出部７０，７１，７２の数、位置及び平面形状は特に限定されない。
【００７１】
例えば、上記第２及び第３実施形態では、補強層３４の形成されている領域に突出部７１，７２を形成するようにしたが、図１３（ｂ）に示すように、補強層３４Ａの形成されていない基板１０の外周領域にも突出部７１を形成するようにしてもよい。図示は省略するが、突出部７２についても補強層３４Ａ及び金属層４１の形成されていない基板１０の外周領域に形成するようにしてもよい。
【００７２】
また、基板１０の外形を構成する４辺のうち対向する２辺にのみ突出部７０，７１，７２を形成するようにしてもよい。このとき、図１３（ｃ）に示すように、基板１０の４辺のうち２辺のみに補強層３４Ａが形成されている場合には、その補強層３４の形成されている２辺に突出部７１（又は突出部７２）を形成することが好ましい。
【００７３】
また、図１３（ｄ）、（ｅ）に示すように、基板１０の外周領域に、基板１０の辺に沿って延在される平面視帯状の突出部７１Ａを形成するようにしてもよい。この突出部７１Ａは、例えば図１３（ｄ）に示すように基板１０の４辺のうち対向する２辺に形成するようにしてもよく、図１３（ｅ）に示すように基板１０の４辺それぞれに形成するようにしてもよい。図示は省略するが、突出部７０，７２についても、平面形状を帯状に変更してもよい。
【００７４】
また、図１３（ｆ）に示すように、基板１０の外周領域に、その基板１０の外形に沿って平面視枠状の突出部７０Ａを形成するようにしてもよい。図示は省略するが、突出部７１，７２についても、平面形状を枠状に変更してもよい。
【００７５】
なお、以上説明した突出部７１，７１Ａ，７２は、様々な形状の補強層３４，３４Ａ（及び金属層４１）と組み合わせて形成することができる。
・上記第２及び第３実施形態では、配線パターン３０と補強層３４とを同じ材料（ここでは、銅）で形成するようにした。これに限らず、配線パターン３０と補強層３４とを異なる材料で形成するようにしてもよい。この場合には、例えば銅箔３０Ａのエッチングにより配線パターン３０を形成した後に、セミアディティブ法などにより補強層３４を形成する。
【００７６】
・上記第３実施形態では、金属層４０と金属層４１とを同じ材料（ここでは、Ａｇ）で形成するようにした。これに限らず、金属層４０と金属層４１とを異なる材料で形成するようにしてもよい。また、金属層４０と金属層４１とを異なる層構成で形成するようにしてもよい。例えば金属層４０をＮｉ／Ａｕ層とし、金属層４１をＡｇ層としてもよい。このように金属層４０，４１が異なる材料からなる場合には、例えば実装領域ＣＡ及び電極端子６０となる配線パターン３０のみを露出するレジスト層を形成し、そのレジスト層をめっきマスクとして、配線パターン３０の表面に電解めっき法を施す。これにより、配線パターン３０上に金属層４０を形成する。続いて、レジスト層を除去した後に、補強層３４のみを露出する別のレジスト層を形成し、そのレジスト層をめっきマスクとして、補強層３４の表面に電解めっき法を施す。これにより、補強層３４上に金属層４１を形成する。
【００７７】
・上記実施形態では、配線基板１を個片化した後に、その配線基板１の金属層４０上に発光素子８０を実装するようにした。これに限らず、例えば配線基板１の個片化の前に、つまり図７（ｂ）に示した状態で金属層４０上に発光素子８０を実装し、その発光素子８０を封止樹脂８５で封止した後に、ダイシング位置Ｄ１に沿って切断して個々の発光装置２を得るようにしてもよい。
【００７８】
・上記各実施形態では、絶縁層５０の開口部５０Ｘから露出される配線パターン３０を覆うように形成された金属層４０上に発光素子８０をワイヤボンディング実装するようにした。これに限らず、例えば図１４に示すように、上記金属層４０上に発光素子８２をフリップチップ実装するようにしてもよい。この場合、発光素子８２は、実装領域ＣＡに形成された開口部３０Ｘを跨るように、その開口部３０Ｘの両側に形成された金属層４０上に実装される。具体的には、発光素子８２の回路形成面（図１４では下面）に形成された一方のバンプ８３が実装領域ＣＡ内の一方の金属層４０にフリップチップ接続され、他方のバンプ８３が実装領域ＣＡ内の他方の金属層４０にフリップチップ接続される。
【００７９】
・上記各実施形態において、配線パターン３０の全面を覆うように金属層４０を形成するようにしてもよい。
・上記第１及び第２実施形態では、金属層４０を形成した後に絶縁層５０を形成するようにした。これに限らず、例えば開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する絶縁層５０を形成した後に、開口部５０Ｘ，５０Ｙから露出する配線パターン３０に電解めっき法を施して上記金属層４０を形成するようにしてもよい。なお、この場合に、突出部７０，７１の形成は、金属層４０を形成する前に行ってもよいし、金属層４０を形成した後に行ってもよい。
【００８０】
・上記第３実施形態では、金属層４０，４１を形成した後に絶縁層５０を形成するようにした。これに限らず、例えば開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成した後に金属層４０，４１を形成するようにしてもよい。具体的には、絶縁層５０を形成した後に、開口部５０Ｘ，５０Ｙから露出する配線パターン３０に電解めっき法を施して上記金属層４０を形成するとともに、開口部５０Ｚから露出する補強層３４に電解めっき法を施して上記金属層４１を形成する。
【００８１】
・あるいは、上記各実施形態において金属層４０を省略してもよい。
・上記各実施形態における開口部５０Ｘ，５０Ｙの平面形状は、円形状に限らず、例えば矩形状や五角形、六角形等の多角形状であってもよく、楕円形状であってもよい。
【００８２】
・上記各実施形態では、発光装置用の配線基板に具体化した。これに限らず、例えば上記第１及び第２実施形態における配線基板１，１Ａを、発光素子以外の部品が実装される配線基板に具体化してもよい。
【００８３】
（発光装置の実装例１）
図１５（ａ）は、上記第１実施形態の配線基板１に発光素子８０を実装してなる発光装置２の適用例を示したものであり、発光装置２を実装基板１００に実装した場合の断面構造を示している。また、図１５（ｂ）は、実装基板１００に実装される発光装置２の平面構造の一例を示したものである。なお、図１５（ｂ）では、発光素子８０、ボンディングワイヤ８１及び封止樹脂８５の図示を省略している。
【００８４】
実装基板１００は、金属層１０１と、金属層１０１の上面に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上面に形成された配線パターン１０３とを有している。絶縁層１０２には、金属層１０１の一部を発光装置２の搭載領域として露出する開口部１０２Ｘが形成されている。そして、この搭載領域、つまり開口部１０２Ｘから露出された金属層１０１上に発光装置２が搭載されている。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された基板１０が上記金属層１０１上に接着剤又はねじ止めにより固定されている。
【００８５】
なお、発光装置２がねじ止めされる場合には、図１５（ｂ）に示すように、発光装置２にねじ止め用の貫通穴７５が設けられる。本例の発光装置２では、基板１０の対角線上に２つの貫通穴７５が設けられている。この貫通穴７５は、図示は省略するが、図３（ｂ）に示した基板１０及び絶縁層２０，５０を貫通するように形成されている。そして、この場合には、図１５（ａ）に示した実装基板１００にも対応するねじ穴（図示略）が設けられる。
【００８６】
また、実装基板１００に搭載された発光装置２の電極端子６０は、ばね状の接続端子１０４（図１５（ａ）では、リードピン）を介して実装基板１００の配線パターン１０３と電気的に接続されている。
【００８７】
このような構造によれば、発光装置２の放熱板として機能する基板１０が実装基板１００の金属層１０１上に固定されているため、発光装置２から発生した熱を金属層１０１に放熱することができる。このとき、突出部７０の形成によって配線基板１の剛性が高められたことにより、発光装置２の反り及び変形の発生が抑制されているため、基板１０と金属層１０１との間で良好な密着性を得ることができる。これにより、発光装置２から発生した熱を金属層１０１に効率良く放熱することができる。
【００８８】
（発光装置の実装例２）
図１６は、発光装置２を実装基板１１０に実装した場合の断面構造を示している。
実装基板１１０は、金属層１１１と、金属層１１１の上面に形成された絶縁層１１２と、絶縁層１１２の上面に形成された配線パターン１１３とを有している。
【００８９】
本実装例では、絶縁層１１２に金属層１１１を露出させるための開口部を設けずに、その絶縁層１１２上に発光装置２を搭載している。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された基板１０が上記絶縁層１１２上に接着剤又はねじ止めにより固定されている。このような構造であっても、絶縁層１１２が薄い場合には、発光装置２から発生した熱を、絶縁層１１２を介して金属層１１１に放熱することができる。
【００９０】
また、本実装例では、実装基板１１０に搭載された発光装置２の電極端子６０と、実装基板１１０の配線パターン１１３とを、ボンディングワイヤ１１４により電気的に接続するようにしている。
【符号の説明】
【００９１】
１，１Ａ，１Ｂ 配線基板
２ 発光装置
１０ 基板
２０ 絶縁層（第１絶縁層）
３０ 配線パターン
３１，３２，３２Ａ，３２Ｂ 給電ライン
３３ 配線層
３４ 補強層
４０ 金属層（第２金属層）
４１ 金属層（第１金属層）
５０ 絶縁層（第２絶縁層）
５０Ｘ 開口部（第１開口部）
５０Ｚ 開口部（第２開口部）
７０，７０Ａ，７１，７１Ａ，７２ 突出部
８０，８２ 発光素子
８５ 封止樹脂
９０，９２ レジスト層
９０Ｘ，９２Ｘ 開口部
ＣＡ 実装領域（パッド）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、金属製の基板に形成された絶縁層上に配線パターンを形成し、その配線パターン上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記発光装置では、熱伝導性を向上させるために基板が薄く形成されている。このため、発光装置全体の剛性が小さく、熱収縮などによって反り及び変形が発生し易いという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、前記第１主面上に形成され、前記配線パターンを被覆するとともに、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第１開口部を有する第２絶縁層と、前記基板の前記第１開口部の形成された領域よりも外側の領域に形成され、前記基板が前記第１絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、配線基板の剛性を高めることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す配線基板の一部を拡大した拡大断面図。
【図２】配線パターン及び金属層を示す概略平面図。
【図３】（ａ）は、第１実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ−Ｂ概略断面図。なお、（ａ）では、封止樹脂の図示を省略している。
【図４】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｄ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図９】（ａ）は、第２実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、第２実施形態の配線基板を示す概略平面図。なお、（ｂ）では、最外層の絶縁層の図示を省略している。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図１１】（ａ）は、第３実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＤ−Ｄ概略断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｆ）は、変形例の配線基板を示す概略平面図。なお、（ａ）〜（ｆ）では、最外層の絶縁層の図示を省略している。
【図１４】変形例の配線基板を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）は、発光装置の実装例を示す概略断面図、（ｂ）は、発光装置の実装例を示す概略平面図。
【図１６】発光装置の実装例を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の絶縁層のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図８に従って説明する。
（配線基板の構造）
図１（ｂ）に示すように、配線基板１は、基板１０と、基板１０の第１主面Ｐ１を覆う絶縁層２０と、絶縁層２０上に形成された配線パターン３０と、配線パターン３０上の一部に形成された金属層４０と、配線パターン３０を覆う絶縁層５０とを有している。この配線基板１は、例えば発光装置に適用される基板である。
【００１０】
基板１０は、例えば平面視して略矩形状の薄板である。基板１０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）や鉄（Ｆｅ）などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。基板１０の厚さは、例えば０．１〜０．４ｍｍ程度とすることができる。
【００１１】
絶縁層２０は、基板１０の第１主面Ｐ１全面を覆うように形成されている。絶縁層２０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層２０の厚さは、例えば１５〜５０μｍ程度とすることができる。
【００１２】
配線パターン３０は、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成されている。この配線パターン３０は、図２に示すように、絶縁層２０の第１主面Ｒ１の中央部を全体的に覆うように形成されている。具体的には、帯状の複数（図２では、５つ）の配線パターン３０が平行に隣接して配置されている。そして、隣接する配線パターン３０間には、下層の絶縁層２０を露出する溝状の開口部３０Ｘが形成されている。この開口部３０Ｘによって、複数の配線パターン３０は互いに分離されている。なお、配線パターン３０の材料としては、例えば銅や銅合金などを用いることができる。配線パターン３０の厚さは、例えば１５〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００１３】
図１（ｂ）に示すように、絶縁層５０は、配線パターン３０の一部を覆うように絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成されている。この絶縁層５０には、配線パターン３０の一部を実装領域ＣＡとして露出させるための開口部５０Ｘと、配線パターン３０の一部を電極端子６０として露出させるための開口部５０Ｙとが形成されている。これら開口部５０Ｘ，５０Ｙから露出する配線パターン３０上には金属層４０が形成されている。金属層４０の例としては、銀（Ａｇ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、金属層４０の例としては、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）なども挙げることができる。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、上記開口部５０Ｘ，５０Ｙの平面形状は、例えば円形状に形成されている。開口部５０Ｘは、絶縁層２０上にマトリクス状（図１（ａ）では４×４）に形成されている。このため、開口部５０Ｘで画定された実装領域ＣＡも同様に、絶縁層２０上にマトリクス状に配列されている。この実装領域ＣＡでは、溝状の開口部３０Ｘによって分離された２つの配線パターン３０上に形成された金属層４０が開口部５０Ｘから露出されている。なお、開口部５０Ｘから露出される金属層４０がパッドとして機能する。
【００１５】
一方、開口部５０Ｙは、開口部５０Ｘ及び実装領域ＣＡよりも外側に形成された配線パターン３０上に形成されている。具体的には、開口部５０Ｙから露出される金属層４０、つまり電極端子６０は、図２に示すように、帯状の５つの配線パターン３０のうち外側に配置された２つの配線パターン３０上に形成されている。さらに、電極端子６０は、それら２つの配線パターン３０上に形成された実装領域ＣＡとなる金属層４０よりも外側に形成されている。そして、この電極端子６０には、外部の電源から給電ケーブル（図示略）等を介して給電される。
【００１６】
図１（ａ）に示した絶縁層５０は、高い反射率を有する。具体的には、絶縁層５０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような絶縁層５０は、白色レジスト層とも呼ばれる。この絶縁層５０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン等のフィラーを混入した樹脂材やＴｉＯ２又はＢａＳＯ４などの白色顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような絶縁層５０（白色レジスト層）により配線基板１の最表面を覆うことにより、配線パターン３０の保護に加えて、当該配線基板１に実装される発光素子からの光の反射率を高め、発光素子の光量ロスを低減させることができる。
【００１７】
また、配線基板１には、最表面に形成された絶縁層５０の上面５０Ａの法線方向に突出する突出部７０が複数形成されている。これら突出部７０は、上記実装領域ＣＡの形成された領域よりも外側の領域である基板１０の外周領域に形成されている。具体的には、基板１０の外形を構成する４辺の各辺に沿って複数の突出部７０が並んで形成されている。この突出部７０の平面形状は、例えば円形状に形成されている。また、各突出部７０は、図１（ｂ）に示すように、基板１０及びその基板１０に積層された絶縁層２０，５０が当該配線基板１の厚さ方向に立ち上がるように形成されている。より具体的には、各突出部７０では、基板１０の所定部分が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がるように形成され、その立ち上がった部分に沿って絶縁層２０，５０も厚さ方向に立ち上がるように形成されている。ここで、各突出部７０のサイズは、基板１０の下面側の頂面Ｔ１の直径φ１を例えば０．６〜０．７ｍｍ程度、突出部７０の底面Ｂ１から上記頂面Ｔ１までの高さＨ１を０．３ｍｍ〜０．４ｍｍ程度とすることができる。このとき、突出部７０の底面Ｂ１と突出部７０の内側壁Ｉ１とがなす角度θ１を６０〜７０度程度とすることができる。
【００１８】
（発光装置の構造）
次に、発光装置２の構造について説明する。
図３（ｂ）に示すように、発光装置２は、上記配線基板１と、その配線基板１に実装された複数（図３（ａ）では１６個）の発光素子８０と、発光素子８０等を封止する封止樹脂８５とを有している。
【００１９】
図３（ａ）に示すように、各発光素子８０は、配線基板１の各実装領域ＣＡに実装されている。具体的には、各発光素子８０は、各実装領域ＣＡに形成された一方の金属層４０上に実装されている。また、各発光素子８０は、一方の電極（図示略）がボンディングワイヤ８１を介して実装領域ＣＡ内の一方の金属層４０に電気的に接続され、他方の電極（図示略）がボンディングワイヤ８１を介して実装領域ＣＡ内の他方の金属層４０に電気的に接続されている。これにより、各発光素子８０の各電極は、ボンディングワイヤ８１及び金属層４０を介して、配線パターン３０（図３（ｂ）参照）と電気的に接続されている。このような接続により、本実施形態の発光装置２では、２つの電極端子６０間に４個の発光素子８０が直列に接続されるとともに、それら直列に接続された発光素子８０群が４つ並列に接続されることになる。そして、これら発光素子８０は、外部の電源（図示略）から電極端子６０や配線パターン３０を介して給電されて発光する。
【００２０】
上記発光素子８０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。ボンディングワイヤ８１としては、例えばＡｕワイヤ、ＡｌワイヤやＣｕワイヤなどを用いることができる。
【００２１】
図３（ｂ）に示すように、封止樹脂８５は、発光素子８０及びボンディングワイヤ８１等を封止するように配線基板１の上面に設けられている。この封止樹脂８５の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子８０上に形成することにより、発光素子８０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００２２】
（作用）
配線基板１の外周領域に、基板１０及びその基板１０に積層された絶縁層２０，５０を厚さ方向に立ち上げて突出部７０を形成するようにした。これにより、基板１０及び絶縁層２０，５０が立ち上がった分だけ配線基板１全体の断面の高さを高くすることができる。したがって、配線基板１の剛性を高めることができる。
【００２３】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法について図４〜図７に従って説明する。なお、図４（ａ）、図５（ｃ）及び図６（ｄ）は、配線基板の製造過程の状態を示した概略平面図である。また、図４（ｂ）、図５（ａ）、（ｂ）、図６（ａ）〜（ｃ）及び図７（ａ）、（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ線位置における配線基板の製造過程の状態を示した概略断面図であり、図７（ｃ）は、図１に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図である。
【００２４】
まず、配線基板１を製造するためには、図４（ａ）に示すように、多数個取り基板（以下、単に「基板」ともいう。）１０Ａを用意する。基板１０Ａは、配線基板１が形成される領域である配線基板形成領域Ｃ１を複数（図４（ａ）では、３つ）有している。なお、この基板１０Ａは、配線基板形成領域Ｃ１に配線基板１に対応する構造体が形成された後、ダイシング位置Ｄ１に沿ってダイシングブレードによって切断される。これにより、配線基板１に対応する構造体が個片化され、複数の配線基板１が製造されることになる。このとき、各配線基板１において、基板１０Ａは図１に示した基板１０となる。このため、基板１０Ａの材料としては、基板１０と同様に、例えば銅、アルミニウムや鉄などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。
【００２５】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、基板１０Ａの第１主面Ｐ１全面を覆うように絶縁層２０Ａを形成するとともに、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１全面を覆うように銅箔３０Ａを形成する。例えば絶縁層２０Ａ（樹脂基板）の片面に銅箔３０Ａが被着された片面銅張り基板を基板１０Ａに接着することにより、基板１０Ａ上に絶縁層２０Ａ及び銅箔３０Ａを形成する。なお、絶縁層２０Ａは、最終的にダイシング位置Ｄ１で切断されることにより図１に示した絶縁層２０となる。
【００２６】
次に、図５（ａ）に示す工程では、銅箔３０Ａの上面に、所定の箇所に開口部９０Ｘを有するレジスト層９０を形成する。このレジスト層９０は、所要の配線パターン３０及びめっき給電用の給電ライン３１，３２（図５（ｃ）参照）に対応する部分の銅箔３０Ａを被覆するように形成される。レジスト層９０の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔３０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９０を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９０を形成することができる。
【００２７】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示したレジスト層９０をエッチングマスクとして銅箔３０Ａをエッチングし、銅箔３０Ａを所定形状にパターニングする。これにより、図５（ｃ）に示すように、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１に、所要の配線パターン３０と、給電ライン３１，３２とが形成される。具体的には、並設された複数の帯状の配線パターン３０と、配線基板形成領域Ｃ１よりも外側の領域に枠状に形成された給電ライン３１と、その給電ライン３１と配線パターン３０とを電気的に接続する給電ライン３２とが形成される。これにより、全ての配線パターン３０が給電ライン３１，３２を介して電気的に接続されることになる。以下の説明では、配線パターン３０、給電ライン３１，３２をまとめて配線層３３とも称する。なお、上記銅箔３０Ａのパターニング終了後に、図５（ａ）に示したレジスト層９０を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００２８】
次に、図６（ａ）に示す工程では、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１上に、所定の箇所に開口部９１Ｘ，９１Ｙを有するレジスト層９１を形成する。この開口部９１Ｘは、実装領域ＣＡ（図１参照）に対応する部分の配線パターン３０及び絶縁層２０Ａを露出するように形成される。また、開口部９１Ｙは、電極端子６０（図１参照）に対応する部分の配線パターン３０を露出するように形成される。レジスト層９１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層２０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９１を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９１を形成することができる。
【００２９】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、上記レジスト層９１をめっきマスクとして、配線パターン３０の表面（上面及び側面）に、配線層３３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層９１の開口部９１Ｘから露出された配線パターン３０の上面及び側面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の配線パターン３０を被覆するように金属層４０を形成する。また、レジスト層９１の開口部９１Ｙから露出された配線パターン３０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン３０上に金属層４０を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。なお、例えば金属層４０がＮｉ／Ａｕ層である場合には、電解めっき法により、レジスト層９１の開口部９１Ｘ，９１Ｙから露出された配線パターン３０の表面にＮｉ層とＡｕ層を順に積層する。
【００３０】
次いで、図６（ｃ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したレジスト層９１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次に、図６（ｄ）に示す工程では、図５（ｃ）に示した給電ライン３２を除去する。例えば絶縁層２０Ａ上に給電ライン３２のみを露出するレジスト層を形成し、そのレジスト層をエッチングマスクとして配線層３３をエッチングして、給電ライン３２を除去する。なお、本工程において、給電ライン３２と併せて給電ライン３１を除去するようにしてもよい。
【００３１】
続いて、図７（ａ）に示す工程では、絶縁層２０Ａ上及び配線パターン３０上に、実装領域ＣＡ及び電極端子６０にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する絶縁層５０を形成する。すなわち、絶縁層２０Ａ上及び配線パターン３０上に、実装領域ＣＡに形成された金属層４０及び電極端子６０を露出する絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。また、絶縁層５０の材料として感光性の絶縁樹脂を用いる場合には、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１、配線パターン３０、金属層４０及び給電ライン３１を覆うように絶縁層５０となるレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりレジスト層を露光・現像して上記開口部５０Ｘ，５０Ｙを形成することで、上記絶縁層５０を形成することもできる。
【００３２】
上記絶縁層５０の形成によって、配線パターン３０上に形成された金属層４０が実装領域ＣＡとして開口部５０Ｘから露出される。このため、絶縁層５０の形成後に、コンタクト性を向上させるために配線パターン３０上に電解めっき等を施す必要がない。これにより、上記金属層４０を形成する際に使用されるめっき液の劣化を抑制することができる。詳述すると、絶縁層５０を形成した後に、開口部５０Ｘから露出された配線パターン３０に対してめっき法（電解めっき法又は無電解めっき法）を施す場合には、そのときに使用されるめっき液に対して絶縁層５０に含まれる樹脂材等が溶出する。このため、めっき液の劣化とそれによる液寿命の短縮化を引き起こすという問題がある。これに対し、本実施形態の製造方法によれば、電解めっき法を実施する際には、絶縁層５０が形成されていないため、上述したような問題の発生を未然に防止することができる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、めっき液の劣化を抑制することができるため、めっき液の液寿命の短縮化を抑制することができる。
【００３３】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、各配線基板形成領域Ｃ１内の外周領域に複数の突出部７０を形成する。これら突出部７０は、例えば絞り加工等のプレス加工により形成することができる。例えば絞り加工により突出部７０を形成する場合には、押え部材とダイとの間に図７（ａ）に示した構造体を挿入して、基板１０Ａの所定部分をその基板１０Ａの第２主面Ｐ２側から押圧することにより、基板１０Ａ及びその基板１０Ａ上に形成された絶縁層２０Ａ，５０を立ち上げるようにして上記突出部７０を形成する。
【００３４】
以上の製造工程により、複数の配線基板形成領域Ｃ１に、配線基板１に相当する構造体が形成される。
次に、図７（ｃ）に示す工程では、図７（ｂ）に示した構造体をダイシング位置Ｄ１に沿って切断する。これにより、配線基板１が個片化され、複数の配線基板１が製造される。なお、このときの切断により、図６（ｄ）に示した給電ライン３１が配線基板１から除去される。
【００３５】
（発光装置の製造方法）
次に、発光装置２の製造方法を図８に従って説明する。なお、図８は、図３（ａ）のＢ−Ｂ線位置における発光装置の製造過程の状態を示した概略断面図である。
【００３６】
図８（ａ）に示す工程では、上記配線基板１の各実装領域ＣＡ内に形成された金属層４０上に接着剤（図示略）を介して発光素子８０を搭載する。その後、発光素子８０の電極と金属層４０とをボンディングワイヤ８１により接続し、発光素子８０と配線パターン３０とを電気的に接続する。具体的には、発光素子８０の一方の電極を実装領域ＣＡ内の一方の金属層４０とボンディングワイヤ８１により電気的に接続するとともに、発光素子８０の他方の電極を実装領域ＣＡ内の他方の金属層４０とボンディングワイヤ８１により電気的に接続する。
【００３７】
次に、図８（ｂ）に示す工程では、配線基板１上に実装された複数の発光素子８０及びボンディングワイヤ８１を封止する封止樹脂８５を形成する。例えば封止樹脂８５として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図８（ａ）に示す構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂８５を形成する。なお、封止樹脂８５は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図３に示した発光装置２が製造される。
【００３８】
（効果）
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）配線基板１の外周領域に、基板１０及びその基板１０に積層された絶縁層２０，５０を厚さ方向に立ち上げて突出部７０を形成するようにした。これにより、基板１０及び絶縁層２０，５０が立ち上がった分だけ配線基板１全体の断面の高さを高くすることができるため、配線基板１の剛性を高めることができる。したがって、熱収縮などに伴って配線基板１に反りや変形が発生することを好適に抑制することができる。
【００３９】
（２）基板１０を薄くしても上記突出部７０を形成することにより、配線基板１の剛性を高めることができる。換言すると、配線基板１の剛性を高めつつも、基板１０を薄くすることができる。これにより、薄い基板１０によって高い熱伝導性を得ることができる。ここで、発光素子８０（発光ダイオード）の発光効率は、その温度上昇に伴い減少する傾向にある。このため、基板１０により発光素子８０から発生する熱を効率良く放熱することにより、発光素子８０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００４０】
さらに、薄い基板１０を利用することにより、ロールツーロール製法が可能になる。例えば図４及び図５に示した製造工程においてロールツーロール製法が可能となる。これにより、生産性を向上させることができる。
【００４１】
（３）配線パターン３０上に電解めっき法により金属層４０を形成した後に、その金属層４０を露出させる開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する絶縁層５０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法により金属層４０を形成する際には、絶縁層５０が形成されていないため、その絶縁層５０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。
【００４２】
（４）金属層４０を電解めっき法により形成するようにした。これにより、金属層４０を無電解めっき法により形成する場合よりも製造コストを低減することができる。
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図９及び図１０に従って説明する。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。ここで、図９（ａ）は、本実施形態の配線基板１Ａを示す概略断面図であり、図９（ｂ）は、絶縁層５０を省略した配線基板１Ａの概略平面図である。なお、先の図１〜図８に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００４３】
（配線基板の構造）
図９（ｂ）に示すように、絶縁層２０の第１主面Ｒ１の外周領域には、補強層３４が形成されている。この補強層３４は、基板１０の外形に沿って枠状に形成されている。補強層３４の材料としては、配線パターン３０と同じ材料を用いることができる。すなわち、補強層３４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。なお、補強層３４の厚さは、例えば１５〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００４４】
図９（ａ）に示すように、絶縁層５０は、実装領域ＣＡ及び電極端子６０以外の部分の配線パターン３０、及び補強層３４の上面及び側面を覆うように、絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成されている。
【００４５】
配線基板１Ａには、最表面に形成された絶縁層５０の上面５０Ａの法線方向に突出する突出部７１が複数形成されている。これら突出部７１は、基板１０の外周領域に形成されている。具体的には、突出部７１は、上記補強層３４の形成された領域に形成されている。各突出部７１は、基板１０と、その基板１０に積層された絶縁層２０、補強層３４及び絶縁層５０とが当該配線基板１Ａの厚さ方向に立ち上がるように形成されている。より具体的には、各突出部７１では、基板１０の所定部分が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がるように形成され、その立ち上がった部分に沿って絶縁層２０，５０及び補強層３４も厚さ方向に立ち上がるように形成されている。なお、各突出部７１の平面形状及びサイズは、突出部７０と同様に形成することができる。
【００４６】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１Ａの製造方法を説明する。この配線基板１Ａは、先の図４〜図７で説明した配線基板１の製造方法と略同様の方法により製造することができる。但し、図５（ａ）〜図５（ｃ）で説明した配線層形成工程において形成される配線層のパターンが異なるため、この点について説明する。すなわち、本実施形態では、図５（ａ）〜図５（ｃ）の製造工程の代わりに、以下に説明する図１０（ａ）〜図１０（ｃ）の製造工程が実施される。
【００４７】
図１０（ａ）に示す工程では、銅箔３０Ａの上面に、所定の箇所に開口部９２Ｘを有するレジスト層９２を形成する。このレジスト層９２は、所要の配線パターン３０と、補強層３４と、めっき給電用の給電ライン３１，３２Ａ，３２Ｂ（図１０（ｃ）参照）とに対応する部分の銅箔３０Ａを被覆するように形成される。レジスト層９２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔３０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９２を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９２を形成することができる。
【００４８】
次に、図１０（ｂ）に示す工程では、レジスト層９２をエッチングマスクとして銅箔３０Ａをエッチングし、銅箔３０Ａを所定形状にパターニングする。これにより、図１０（ｃ）に示すように、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１に、所要の配線パターン３０と、補強層３４と、給電ライン３１，３２Ａ，３２Ｂとが形成される。具体的には、複数の配線パターン３０と、配線基板形成領域Ｃ１の外形に沿って形成された補強層３４と、配線基板形成領域Ｃ１よりも外側の領域に枠状に形成された給電ライン３１と、その給電ライン３１と補強層３４とを電気的に接続する給電ライン３２Ａと、補強層３４と配線パターン３０とを電気的に接続する給電ライン３２Ｂとが形成される。これにより、全ての配線パターン３０が補強層３４及び給電ライン３１，３２Ａ，３２Ｂを介して電気的に接続されることになる。なお、上記銅箔３０Ａのパターニング終了後に、図１０（ｃ）に示したレジスト層９２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００４９】
以後、図６〜図７と同様の製造工程により、配線基板１Ａが製造される。但し、図６（ｄ）に示した給電ラインの除去工程においては、上記給電ライン３２Ａ，３２Ｂがエッチングにより除去される。
【００５０】
（効果）
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。
【００５１】
（５）突出部７１の形成される領域に補強層３４を形成するようにした。これにより、配線基板１全体の断面の高さを更に高くすることができるため、配線基板１の剛性を更に高めることができる。したがって、熱収縮などに伴って配線基板１に反りや変形が発生することをより好適に抑制することができる。
【００５２】
（６）配線パターン３０と補強層３４とを同時に形成するようにした。具体的には、図１０（ｂ）に示したエッチング工程により、銅箔３０Ａから配線パターン３０と補強層３４とを同時に形成するようにした。これにより、補強層３４の追加に伴って製造工程数が増加することを好適に抑制することができる。
【００５３】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を図１１及び図１２に従って説明する。以下、第２実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１０に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００５４】
（配線基板の構造）
図１１（ｂ）に示すように、絶縁層２０の第１主面Ｒ１の外周領域には、補強層３４が形成されている。この補強層３４の上面及び側面を覆うように金属層４１が形成されている。この金属層４１は、図１１（ａ）に示すように、基板１０の外形に沿って枠状に形成されている。金属層４１の例としては、Ａｇ層や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。すなわち、金属層４１としては、銀（Ａｇ）などの光の反射率が高い金属又はその金属を含む合金からなる金属層が最外層（最表層）に形成される金属層を用いることができる。さらに、金属層４１の最外層の材料としては、絶縁層５０の反射率と同等かそれ以上の反射率を有する金属又は金属合金であることが好ましい。
【００５５】
ここで、配線パターン３０上に形成される金属層４０の層構成としては、金属層４１と同じ層構成であってもよいし、金属層４１とは異なる層構成であってもよい。本実施形態では、金属層４０及び金属層４１の双方がＡｇ層である。
【００５６】
絶縁層５０は、配線パターン３０の一部を覆うように絶縁層２０の第１主面Ｒ１上に形成されている。この絶縁層５０には、開口部５０Ｘ，５０Ｙと併せて、上記金属層４１を露出させるための開口部５０Ｚが形成されている。このため、配線基板１Ｂの最表面には、光の反射率が高い金属層４１が露出されることになる。
【００５７】
配線基板１Ｂには、最表面に形成された絶縁層５０の上面５０Ａよりも突出する突出部７２が複数形成されている。これら突出部７２は、基板１０の外周領域に形成されている。具体的には、突出部７２は、上記補強層３４及び金属層４１の形成された領域に形成されている。各突出部７２は、基板１０と、その基板１０に積層された絶縁層２０、補強層３４及び金属層４１とが当該配線基板１Ｂの厚さ方向に立ち上がるように形成されている。より具体的には、各突出部７２では、基板１０の所定部分が絶縁層２０に向かって厚さ方向に立ち上がるように形成され、その立ち上がった部分に沿って絶縁層２０、補強層３４及び金属層４１も厚さ方向に立ち上がるように形成されている。なお、各突出部７２の平面形状及びサイズは、突出部７０と同様に形成することができる。
【００５８】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１Ｂの製造方法を説明する。先の図１０で説明した製造工程により絶縁層２０Ａ上に配線パターン３０、給電ライン３１，３２Ａ，３２Ｂ及び補強層３４を形成した後に、以下に説明する製造工程を実施する。
【００５９】
図１２（ａ）に示す工程では、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１上に、所定の箇所に開口部９３Ｘ，９３Ｙ，９３Ｚを有するレジスト層９３を形成する。この開口部９３Ｘは、実装領域ＣＡ（図１１参照）に対応する部分の配線パターン３０及び絶縁層２０Ａを露出するように形成される。開口部９３Ｙは、電極端子６０（図１１参照）に対応する部分の配線パターン３０を露出するように形成される。開口部９３Ｚは、補強層３４を露出するように形成される。レジスト層９３の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、絶縁層２０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９３を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９３を形成することができる。
【００６０】
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、上記レジスト層９３をめっきマスクとして、配線パターン３０及び補強層３４の表面（上面及び側面）に、配線パターン３０及び補強層３４等をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層９３の開口部９３Ｘから露出された配線パターン３０の上面及び側面に電解めっきを施すことにより、実装領域ＣＡに対応する部分の配線パターン３０上に金属層４０（ここでは、Ａｇ層）を形成する。また、レジスト層９３の開口部９３Ｙから露出された配線パターン３０の上面に電解めっきを施すことにより、その配線パターン３０上に金属層４０（ここでは、Ａｇ層）を形成する。これにより、電極端子６０が形成される。さらに、レジスト層９３の開口部９３Ｚから露出された補強層３４の上面及び側面に電解めっきを施すことにより、その補強層３４を被覆するように金属層４１（ここでは、Ａｇ層）を形成する。これにより、配線基板形成領域Ｃ１の外形に沿って枠状の金属層４１が形成される。その後、レジスト層９３を例えばアルカリ性の剥離液により除去し、給電ライン３２Ａ，３２Ｂ（図１０（ｃ）参照）をエッチングにより除去する。これにより、配線パターン３０と補強層３４とが電気的に分離されるとともに、各配線パターン３０が電気的に分離される。
【００６１】
続いて、図１２（ｃ）に示す工程では、絶縁層２０Ａ上及び配線パターン３０上に、実装領域ＣＡ及び電極端子６０及び金属層４１にそれぞれ対応する開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成する。すなわち、絶縁層２０Ａ上及び配線パターン３０上に、実装領域ＣＡに形成された金属層４０、電極端子６０及び金属層４１を露出する絶縁層５０を形成する。絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。また、絶縁層５０の材料として感光性の絶縁樹脂を用いる場合には、絶縁層２０Ａの第１主面Ｒ１、配線パターン３０、金属層４０，４１及び給電ライン３１を覆うように絶縁層５０となるレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりレジスト層を露光・現像して上記開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを形成する。これにより、上記絶縁層５０を形成することもできる。
【００６２】
次に、図１２（ｄ）に示す工程では、各配線基板形成領域Ｃ１内の外周領域に複数の突出部７２を形成する。これら突出部７２は、突出部７０と同様に、例えば絞り加工等のプレス加工により形成することができる。すなわち、例えば絞り加工により突出部７２を形成する場合には、押え部材とダイとの間に図１２（ｃ）に示した構造体を挿入して、基板１０Ａの所定部分をその基板１０Ａの第２主面Ｐ２側から押圧することにより、基板１０Ａを絶縁層２０Ａに向かって厚さ方向に立ち上げるようにして突出部７２を形成する。以上の製造工程により、複数の配線基板形成領域Ｃ１に、配線基板１Ｂに相当する構造体が形成される。
【００６３】
次に、図１２（ｅ）に示す工程では、図１２（ｄ）に示した構造体をダイシング位置Ｄ１に沿って切断する。これにより、配線基板１Ｂが個片化され、複数の配線基板１Ｂが製造される。
【００６４】
（効果）
以上説明した実施形態によれば、第１及び第２実施形態の（１）〜（６）の効果に加えて以下の効果を奏する。
【００６５】
（７）絶縁層５０の形成されていない領域に突出部７２を形成するようにした。これにより、例えば突出部７２を形成する際のプレス加工などによって生じる絶縁層５０の変形に伴って、絶縁層５０が絶縁層２０等から剥離するといった問題の発生を未然に防止することができる。また、金属層４１を露出する開口部５０Ｚを有する絶縁層５０を形成するようにした。このため、配線基板１Ｂの最表面には、光の反射率の高い絶縁層５０と併せて、光の反射率の高い金属層４１が露出される。これにより、当該配線基板１Ｂに実装される発光素子からの光の反射率を高めることができ、発光素子の光量ロスを低減させることができる。
【００６６】
（８）金属層４０と金属層４１とを同一の層構成（同一の材料）とした。これにより、金属層４０と金属層４１とを同時に形成することができる。したがって、金属層４１の追加に伴って製造工程数が増加することを好適に抑制することができる。
【００６７】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第１実施形態では、配線基板１の個片化の前に、配線基板形成領域Ｃ１よりも外側に形成された給電ライン３１と配線パターン３０とを接続する給電ライン３２を除去するようにした。これに限らず、給電ライン３２を除去する工程（図６（ｄ）参照）を省略してもよい。この場合であっても、ダイシング位置Ｄ１に沿って基板１０Ａを切断する工程（図７（ｃ）参照）において、給電ライン３２が給電ライン３１から分離されることになる。このため、図１３（ａ）に示されるように、個片化された配線基板１に給電ライン３２が残っていても、それら給電ライン３２と接続される複数の配線パターン３０が互いに分離される。したがって、給電ライン３２の除去を省略しても、配線基板１の特性上、何ら支障はない。
【００６８】
・同様に、上記第２及び第３実施形態において、給電ライン３１と補強層３４を接続する給電ライン３２Ａの除去を省略してもよい。但し、補強層３４と配線パターン３０を接続する給電ライン３２Ｂについては除去する必要がある。
【００６９】
・上記第２及び第３実施形態では、絶縁層２０の外周領域に枠状の補強層３４を形成するようにしたが、補強層３４の平面形状及び位置は特に限定されない。例えば図１３（ｂ）〜（ｄ）に示されるように、絶縁層２０の外周領域において、基板１０の外形を構成する４辺のうち対向する２辺に、それらの辺に沿って延在される平面視帯状の補強層３４Ａを形成するようにしてもよい。また、図１３（ｅ）に示されるように、絶縁層２０の外周領域において、基板１０の外形を構成する４辺それぞれに、上記帯状の補強層３４Ａを形成するようにしてもよい。
【００７０】
なお、上記補強層３４，３４Ａの形状に合わせて金属層４１の形状も変更するようにしてもよい。
・上記各実施形態における突出部７０，７１，７２の数、位置及び平面形状は特に限定されない。
【００７１】
例えば、上記第２及び第３実施形態では、補強層３４の形成されている領域に突出部７１，７２を形成するようにしたが、図１３（ｂ）に示すように、補強層３４Ａの形成されていない基板１０の外周領域にも突出部７１を形成するようにしてもよい。図示は省略するが、突出部７２についても補強層３４Ａ及び金属層４１の形成されていない基板１０の外周領域に形成するようにしてもよい。
【００７２】
また、基板１０の外形を構成する４辺のうち対向する２辺にのみ突出部７０，７１，７２を形成するようにしてもよい。このとき、図１３（ｃ）に示すように、基板１０の４辺のうち２辺のみに補強層３４Ａが形成されている場合には、その補強層３４の形成されている２辺に突出部７１（又は突出部７２）を形成することが好ましい。
【００７３】
また、図１３（ｄ）、（ｅ）に示すように、基板１０の外周領域に、基板１０の辺に沿って延在される平面視帯状の突出部７１Ａを形成するようにしてもよい。この突出部７１Ａは、例えば図１３（ｄ）に示すように基板１０の４辺のうち対向する２辺に形成するようにしてもよく、図１３（ｅ）に示すように基板１０の４辺それぞれに形成するようにしてもよい。図示は省略するが、突出部７０，７２についても、平面形状を帯状に変更してもよい。
【００７４】
また、図１３（ｆ）に示すように、基板１０の外周領域に、その基板１０の外形に沿って平面視枠状の突出部７０Ａを形成するようにしてもよい。図示は省略するが、突出部７１，７２についても、平面形状を枠状に変更してもよい。
【００７５】
なお、以上説明した突出部７１，７１Ａ，７２は、様々な形状の補強層３４，３４Ａ（及び金属層４１）と組み合わせて形成することができる。
・上記第２及び第３実施形態では、配線パターン３０と補強層３４とを同じ材料（ここでは、銅）で形成するようにした。これに限らず、配線パターン３０と補強層３４とを異なる材料で形成するようにしてもよい。この場合には、例えば銅箔３０Ａのエッチングにより配線パターン３０を形成した後に、セミアディティブ法などにより補強層３４を形成する。
【００７６】
・上記第３実施形態では、金属層４０と金属層４１とを同じ材料（ここでは、Ａｇ）で形成するようにした。これに限らず、金属層４０と金属層４１とを異なる材料で形成するようにしてもよい。また、金属層４０と金属層４１とを異なる層構成で形成するようにしてもよい。例えば金属層４０をＮｉ／Ａｕ層とし、金属層４１をＡｇ層としてもよい。このように金属層４０，４１が異なる材料からなる場合には、例えば実装領域ＣＡ及び電極端子６０となる配線パターン３０のみを露出するレジスト層を形成し、そのレジスト層をめっきマスクとして、配線パターン３０の表面に電解めっき法を施す。これにより、配線パターン３０上に金属層４０を形成する。続いて、レジスト層を除去した後に、補強層３４のみを露出する別のレジスト層を形成し、そのレジスト層をめっきマスクとして、補強層３４の表面に電解めっき法を施す。これにより、補強層３４上に金属層４１を形成する。
【００７７】
・上記実施形態では、配線基板１を個片化した後に、その配線基板１の金属層４０上に発光素子８０を実装するようにした。これに限らず、例えば配線基板１の個片化の前に、つまり図７（ｂ）に示した状態で金属層４０上に発光素子８０を実装し、その発光素子８０を封止樹脂８５で封止した後に、ダイシング位置Ｄ１に沿って切断して個々の発光装置２を得るようにしてもよい。
【００７８】
・上記各実施形態では、絶縁層５０の開口部５０Ｘから露出される配線パターン３０を覆うように形成された金属層４０上に発光素子８０をワイヤボンディング実装するようにした。これに限らず、例えば図１４に示すように、上記金属層４０上に発光素子８２をフリップチップ実装するようにしてもよい。この場合、発光素子８２は、実装領域ＣＡに形成された開口部３０Ｘを跨るように、その開口部３０Ｘの両側に形成された金属層４０上に実装される。具体的には、発光素子８２の回路形成面（図１４では下面）に形成された一方のバンプ８３が実装領域ＣＡ内の一方の金属層４０にフリップチップ接続され、他方のバンプ８３が実装領域ＣＡ内の他方の金属層４０にフリップチップ接続される。
【００７９】
・上記各実施形態において、配線パターン３０の全面を覆うように金属層４０を形成するようにしてもよい。
・上記第１及び第２実施形態では、金属層４０を形成した後に絶縁層５０を形成するようにした。これに限らず、例えば開口部５０Ｘ，５０Ｙを有する絶縁層５０を形成した後に、開口部５０Ｘ，５０Ｙから露出する配線パターン３０に電解めっき法を施して上記金属層４０を形成するようにしてもよい。なお、この場合に、突出部７０，７１の形成は、金属層４０を形成する前に行ってもよいし、金属層４０を形成した後に行ってもよい。
【００８０】
・上記第３実施形態では、金属層４０，４１を形成した後に絶縁層５０を形成するようにした。これに限らず、例えば開口部５０Ｘ，５０Ｙ，５０Ｚを有する絶縁層５０を形成した後に金属層４０，４１を形成するようにしてもよい。具体的には、絶縁層５０を形成した後に、開口部５０Ｘ，５０Ｙから露出する配線パターン３０に電解めっき法を施して上記金属層４０を形成するとともに、開口部５０Ｚから露出する補強層３４に電解めっき法を施して上記金属層４１を形成する。
【００８１】
・あるいは、上記各実施形態において金属層４０を省略してもよい。
・上記各実施形態における開口部５０Ｘ，５０Ｙの平面形状は、円形状に限らず、例えば矩形状や五角形、六角形等の多角形状であってもよく、楕円形状であってもよい。
【００８２】
・上記各実施形態では、発光装置用の配線基板に具体化した。これに限らず、例えば上記第１及び第２実施形態における配線基板１，１Ａを、発光素子以外の部品が実装される配線基板に具体化してもよい。
【００８３】
（発光装置の実装例１）
図１５（ａ）は、上記第１実施形態の配線基板１に発光素子８０を実装してなる発光装置２の適用例を示したものであり、発光装置２を実装基板１００に実装した場合の断面構造を示している。また、図１５（ｂ）は、実装基板１００に実装される発光装置２の平面構造の一例を示したものである。なお、図１５（ｂ）では、発光素子８０、ボンディングワイヤ８１及び封止樹脂８５の図示を省略している。
【００８４】
実装基板１００は、金属層１０１と、金属層１０１の上面に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上面に形成された配線パターン１０３とを有している。絶縁層１０２には、金属層１０１の一部を発光装置２の搭載領域として露出する開口部１０２Ｘが形成されている。そして、この搭載領域、つまり開口部１０２Ｘから露出された金属層１０１上に発光装置２が搭載されている。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された基板１０が上記金属層１０１上に接着剤又はねじ止めにより固定されている。
【００８５】
なお、発光装置２がねじ止めされる場合には、図１５（ｂ）に示すように、発光装置２にねじ止め用の貫通穴７５が設けられる。本例の発光装置２では、基板１０の対角線上に２つの貫通穴７５が設けられている。この貫通穴７５は、図示は省略するが、図３（ｂ）に示した基板１０及び絶縁層２０，５０を貫通するように形成されている。そして、この場合には、図１５（ａ）に示した実装基板１００にも対応するねじ穴（図示略）が設けられる。
【００８６】
また、実装基板１００に搭載された発光装置２の電極端子６０は、ばね状の接続端子１０４（図１５（ａ）では、リードピン）を介して実装基板１００の配線パターン１０３と電気的に接続されている。
【００８７】
このような構造によれば、発光装置２の放熱板として機能する基板１０が実装基板１００の金属層１０１上に固定されているため、発光装置２から発生した熱を金属層１０１に放熱することができる。このとき、突出部７０の形成によって配線基板１の剛性が高められたことにより、発光装置２の反り及び変形の発生が抑制されているため、基板１０と金属層１０１との間で良好な密着性を得ることができる。これにより、発光装置２から発生した熱を金属層１０１に効率良く放熱することができる。
【００８８】
（発光装置の実装例２）
図１６は、発光装置２を実装基板１１０に実装した場合の断面構造を示している。
実装基板１１０は、金属層１１１と、金属層１１１の上面に形成された絶縁層１１２と、絶縁層１１２の上面に形成された配線パターン１１３とを有している。
【００８９】
本実装例では、絶縁層１１２に金属層１１１を露出させるための開口部を設けずに、その絶縁層１１２上に発光装置２を搭載している。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された基板１０が上記絶縁層１１２上に接着剤又はねじ止めにより固定されている。このような構造であっても、絶縁層１１２が薄い場合には、発光装置２から発生した熱を、絶縁層１１２を介して金属層１１１に放熱することができる。
【００９０】
また、本実装例では、実装基板１１０に搭載された発光装置２の電極端子６０と、実装基板１１０の配線パターン１１３とを、ボンディングワイヤ１１４により電気的に接続するようにしている。
【符号の説明】
【００９１】
１，１Ａ，１Ｂ 配線基板
２ 発光装置
１０ 基板
２０ 絶縁層（第１絶縁層）
３０ 配線パターン
３１，３２，３２Ａ，３２Ｂ 給電ライン
３３ 配線層
３４ 補強層
４０ 金属層（第２金属層）
４１ 金属層（第１金属層）
５０ 絶縁層（第２絶縁層）
５０Ｘ 開口部（第１開口部）
５０Ｚ 開口部（第２開口部）
７０，７０Ａ，７１，７１Ａ，７２ 突出部
８０，８２ 発光素子
８５ 封止樹脂
９０，９２ レジスト層
９０Ｘ，９２Ｘ 開口部
ＣＡ 実装領域（パッド）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第１主面上に形成され、前記配線パターンを被覆するとともに、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第１開口部を有する第２絶縁層と、
前記基板の前記第１開口部の形成された領域よりも外側の領域に形成され、前記基板が前記第１絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部と、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記外側の領域に形成され、金属又は金属合金からなる補強層を有し、
前記突出部は、前記補強層の形成された領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記補強層を被覆する第１金属層を有し、
前記第２絶縁層には、前記第１金属層を露出する第２開口部が形成され、
前記第１金属層の最外層は、前記補強層よりも反射率の高い金属又は金属合金からなることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１開口部から露出された配線パターンを被覆する第２金属層を有し、
前記第１金属層と前記第２金属層とが、同一の材料からなることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１金属層の最外層は、銀又は銀合金からなる金属層であることを特徴とする請求項３又は４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記配線パターンと前記補強層とが、同一の材料からなることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項７】
前記突出部は、平面視して円形状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項８】
前記突出部は、平面視して帯状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項９】
前記突出部は、平面視して枠状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項１０】
前記基板は、平面視して矩形状であり、
前記突出部は、前記基板の辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項１１】
前記基板は、金属からなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第１主面上に形成され、前記配線パターンを被覆するとともに、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第１開口部を有する第２絶縁層と、
前記基板の前記第１開口部の形成された領域よりも外側の領域に形成され、前記基板が前記第１絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部と、
前記パッド上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、
を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
基板上に形成された第１絶縁層の第１主面上に配線パターンを含む配線層を形成する工程と、
前記配線パターン上に、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第１開口部を有する第２絶縁層を形成する工程と、
前記基板の前記第１開口部の形成された領域よりも外側の領域に、前記基板を前記第１絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上げて突出部を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記配線層を形成する工程は、
前記第１主面上に形成された金属箔上に、所定の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属箔をエッチングすることにより、前記配線パターンと、前記外側の領域に形成された補強層と、電解めっき用の給電ラインとを含む前記配線層を形成する工程と、を有し、
前記突出部を形成する工程では、前記補強層の形成された領域に前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第２絶縁層を形成する工程の前に、
前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記補強層上に、該補強層よりも反射率の高い金属又は金属合金からなる第１金属層を形成するとともに、前記パッドとなる配線パターン上に、前記第１金属層と同一の材料からなる第２金属層を形成する工程を有し、
前記第２絶縁層を形成する工程では、前記第１開口部と、前記第１金属層を露出する第２開口部とを有する前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項１４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記突出部を形成する工程では、平面視して円形の前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記突出部を形成する工程では、平面視して帯状の前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記突出部を形成する工程では、平面視して枠状の前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】
前記基板は、平面視して矩形状であり、
前記突出部を形成する工程では、前記基板の辺に沿って前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３〜１８のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項２０】
前記基板は、金属からなることを特徴とする請求項１３〜１９のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第１主面上に形成され、前記配線パターンを被覆するとともに、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第１開口部を有する第２絶縁層と、
前記基板の前記第１開口部の形成された領域よりも外側の領域に形成され、前記基板が前記第１絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部と、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記外側の領域に形成され、金属又は金属合金からなる補強層を有し、
前記突出部は、前記補強層の形成された領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記補強層を被覆する第１金属層を有し、
前記第２絶縁層には、前記第１金属層を露出する第２開口部が形成され、
前記第１金属層の最外層は、前記補強層よりも反射率の高い金属又は金属合金からなることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１開口部から露出された配線パターンを被覆する第２金属層を有し、
前記第１金属層と前記第２金属層とが、同一の材料からなることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１金属層の最外層は、銀又は銀合金からなる金属層であることを特徴とする請求項３又は４に記載の配線基板。
【請求項６】
前記配線パターンと前記補強層とが、同一の材料からなることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項７】
前記突出部は、平面視して円形状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項８】
前記突出部は、平面視して帯状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項９】
前記突出部は、平面視して枠状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項１０】
前記基板は、平面視して矩形状であり、
前記突出部は、前記基板の辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項１１】
前記基板は、金属からなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の第１主面上に形成された複数の配線パターンと、
前記第１主面上に形成され、前記配線パターンを被覆するとともに、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第１開口部を有する第２絶縁層と、
前記基板の前記第１開口部の形成された領域よりも外側の領域に形成され、前記基板が前記第１絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上がって形成された突出部と、
前記パッド上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、
を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
基板上に形成された第１絶縁層の第１主面上に配線パターンを含む配線層を形成する工程と、
前記配線パターン上に、隣接する前記配線パターンの一部をパッドとして露出する第１開口部を有する第２絶縁層を形成する工程と、
前記基板の前記第１開口部の形成された領域よりも外側の領域に、前記基板を前記第１絶縁層に向かって厚さ方向に立ち上げて突出部を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記配線層を形成する工程は、
前記第１主面上に形成された金属箔上に、所定の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属箔をエッチングすることにより、前記配線パターンと、前記外側の領域に形成された補強層と、電解めっき用の給電ラインとを含む前記配線層を形成する工程と、を有し、
前記突出部を形成する工程では、前記補強層の形成された領域に前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第２絶縁層を形成する工程の前に、
前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記補強層上に、該補強層よりも反射率の高い金属又は金属合金からなる第１金属層を形成するとともに、前記パッドとなる配線パターン上に、前記第１金属層と同一の材料からなる第２金属層を形成する工程を有し、
前記第２絶縁層を形成する工程では、前記第１開口部と、前記第１金属層を露出する第２開口部とを有する前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項１４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記突出部を形成する工程では、平面視して円形の前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記突出部を形成する工程では、平面視して帯状の前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記突出部を形成する工程では、平面視して枠状の前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】
前記基板は、平面視して矩形状であり、
前記突出部を形成する工程では、前記基板の辺に沿って前記突出部を形成することを特徴とする請求項１３〜１８のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項２０】
前記基板は、金属からなることを特徴とする請求項１３〜１９のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−９３３８６（Ｐ２０１３−９３３８６Ａ）
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３３２８８（Ｐ２０１１−２３３２８８）
【出願日】平成２３年１０月２４日（２０１１．１０．２４）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月２４日（２０１１．１０．２４）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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