配線基板の製造方法及び配線基板
【課題】フライングリードの変形不良を抑制し、また、突き出し距離の安定性及び先端位置の精度を向上させた配線基板を提供する。
【解決手段】基材１上の導体層をパターニングして基材１を貫通するデバイスホール５ｂへ突き出したフライングリード３ｆを含む配線３を形成する、ロールツーロール法による配線基板の製造方法であって、フライングリード３ｆを２工程以上の工程で形成し、そのうちの少なくとも１工程では、前記導体層と前記基材とを貫通させ、デバイスホール５ｂの形成予定領域内にフライングリード３ｆの先端位置を確定する開口５ａを形成する。
【解決手段】基材１上の導体層をパターニングして基材１を貫通するデバイスホール５ｂへ突き出したフライングリード３ｆを含む配線３を形成する、ロールツーロール法による配線基板の製造方法であって、フライングリード３ｆを２工程以上の工程で形成し、そのうちの少なくとも１工程では、前記導体層と前記基材とを貫通させ、デバイスホール５ｂの形成予定領域内にフライングリード３ｆの先端位置を確定する開口５ａを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フライングリードを有する配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板には、柔軟性を有する基材に銅箔等により配線パターンを形成した、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式やＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）方式等の配線基板（以降、これらを代表してＴＡＢと記す）がある。現在、ＴＡＢはＩＣパッケージ等の一部用途で活用され、量産されている。
【０００３】
上述のＴＡＢは、例えば基材を貫通するデバイスホールを有し、基材上の配線はデバイスホールへ突き出したフライングリードを有する。ＴＡＢに搭載するＩＣチップは、フライングリードに接続されてデバイスホール上に実装される。フライングリードを有するＴＡＢの形成方法としては、主に３つの手法が知られている。
【０００４】
第１の手法では、図３（ａ）に示すように、まず、ポリイミド等からなる基材にデバイスホールやスプロケットホール等をパンチングにより形成する（Ｓ５１）。次に、接着剤等を介して基材に銅箔を貼り合わせる（Ｓ５２）。その後、フォトリソエッチング法等により銅箔をパターニングしてフライングリードを含む配線を形成する（Ｓ５３）。最後に、配線の信頼性向上のためめっき処理等を施し、ＴＡＢが製造される（Ｓ５４）。係る手法は、例えば特許文献１や特許文献２に開示されている。
【０００５】
第２の手法では、図３（ｂ）に示すように、デバイスホールやスプロケットホール等をパンチングにより形成（Ｓ６１）した基材に銅箔を貼り合わせ（Ｓ６２）、銅箔をパターニングして配線を形成する（Ｓ６３）。このとき、両端からデバイスホールへと突き出したリードは繋がったままの状態とする。その後、めっき処理等を施した後に（Ｓ６４）、繋がったリードをパンチング等により切断して切り離す（Ｓ６５）。
【０００６】
第３の手法では、図３（ｃ）に示すように、例えばスプロケットホール等をパンチングにより形成する（Ｓ７１）。このとき、デバイスホールの形成は行わない。次に、基材に銅箔を貼り合わせ（Ｓ７２）、銅箔をパターニングしてフライングリードを含む配線を形成する（Ｓ７３）。その後、ウェットエッチング等により一部基材を除去してデバイスホールを形成し（Ｓ７４）、最後にめっき処理等を施す（Ｓ７５）。係る手法は、例えば特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−０２７９０６号公報
【特許文献２】特開平７−１１１２７９号公報
【特許文献３】特開平６−２６０５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記に挙げた３つの手法にはそれぞれ課題がある。第１の手法では、比較的早い段階でフライングリードを形成するため、その後複数の工程を経る中でフライングリードに変形不良が発生する場合があった。また、第２の手法では、フライングリード切断時に押さえとなる部分がないため、切断時にフライングリードが押し下げられて変形したり、安定した切断形状が得られずバリが発生してしまったりする場合があった。加え
て、切断位置の精度を保つことが困難で、デバイスホールへのリードの突き出し距離の安定性や先端位置精度に欠けるという問題もあった。また、第３の手法では、他の手法を組み合わせることがないかぎり、フライングリードの形成を最終工程とすることができず、途中工程での変形不良の懸念がある。さらに、基材表面に形成された配線パターンに合わせて裏面からデバイスホールを形成しなければならず、やはり位置精度の問題が生じうる。
【０００９】
そこで本発明の目的は、フライングリードの変形不良を抑制し、また、突き出し距離の安定性及び先端位置の精度を向上させることが可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様によれば、基材上の導体層をパターニングして前記基材を貫通するデバイスホールへ突き出したフライングリードを含む配線を形成する、ロールツーロール法による配線基板の製造方法であって、前記フライングリードを２工程以上の工程で形成し、そのうちの少なくとも１工程では、前記導体層と前記基材とを貫通させ、前記デバイスホールの形成予定領域内に前記フライングリードの先端位置を確定する開口を形成する配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、前記フライングリードを形成する工程のうちの少なくとも１工程では、前記基材に形成した前記開口を広げ、前記デバイスホールへの前記フライングリードの突き出し距離が所定の長さとなるように前記デバイスホールを形成する第１の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第３の態様によれば、前記デバイスホールは矩形形状であり、少なくともいずれか１辺の長さが０．３ｍｍよりも長い第１の態様又は第２の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、前記デバイスホールの開口面積は、２０ｍｍ２よりも大きい第１の態様から第３の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第５の態様によれば、前記デバイスホールは、レーザ加工、プレス加工、薬液によるエッチング加工のいずれか１つの方法、又はいずれか２つ以上を組み合わせた方法により形成する第１の態様から第４の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第６の態様によれば、前記導体層は、エッチング加工及びめっき加工が可能な金属を含む導体より構成され、前記基材は、電気絶縁性を有する有機樹脂を成分とする第１の態様から第５の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第７の態様によれば、前記基材は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂、のいずれかの樹脂を成分とするフィルムである第１の態様から第６の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の第８の態様によれば、前記導体層は、ラミネート法、プレス法、キャスト法、スパッタ法、蒸着法、湿式めっき法のいずれかの方法で前記基材上に形成する第１の態様から第７の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の第９の態様によれば、前記配線には、少なくとも一部にめっき処理を施す第１の態様から第８の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１９】
本発明の第１０の態様によれば、前記基材の厚さは４μｍ以上１２５μｍ以下であり、前記配線の厚さは３μｍ以上３５μｍ以下である第１の態様から第９の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００２０】
本発明の第１１の態様によれば、前記配線はフォトリソグラフィ法によりパターニングし、配線パターンを投影露光するときの１回の露光範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍの範囲、または８０ｍｍ×８０ｍｍよりも広い範囲とする第１の態様から第１０の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００２１】
本発明の第１２の態様によれば、基材と、前記基材を貫通する矩形形状のデバイスホールと、前記デバイスホールへ突き出したフライングリードを含む配線と、を備え、前記デバイスホールは、少なくともいずれか１辺の長さが０．３ｍｍよりも長く、前記デバイスホールの開口面積は、２０ｍｍ２よりも大きい配線基板が提供される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、フライングリードの変形不良を抑制し、また、突き出し距離の安定性及び先端位置の精度を向上させることが可能な配線基板の製造方法及び配線基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を示すフロー図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を示す図であって、（ａ１）〜（ｇ１）は配線基板の断面図であり、（ａ２）〜（ｇ２）は配線基板の一部を示す平面図である。
【図３】従来技術に係る配線基板の製造方法の各工程を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［一実施形態］
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法及び配線基板を説明する。
＜配線基板の製造方法＞
本発明の一実施形態に係る製造方法は、基材を貫通するデバイスホールへ突き出したフライングリードを有するＴＡＢの製造に用いられる。本実施形態に係る製造方法について、以下に図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を示すフロー図である。図２は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を示す図であって、（ａ１）〜（ｇ１）は配線基板の断面図であり、（ａ２）〜（ｇ２）は配線基板の一部を示す平面図である。
【００２５】
本実施形態に係る製造方法は、図２（ａ１）に示す接着剤２が貼り合わせられた基材１に対して行われる。基材１は、例えばポリイミド系フィルムである。具体的には、東レデュポン社製のカプトン（登録商標）や宇部興産製のユーピレックス（登録商標）等がある。基材１としては、例えば幅１００ｍｍ以上、長さ１０ｍ以上のロール状に巻かれたものを使用することができ、少なくとも後述する配線のパターニングが終了するまでは、ロールツーロール法による製造工程を用いることができる。基材１の厚さは、例えば４μｍ以上１２５μｍ以下とすることができ、好ましくは１２μｍ以上７５μｍ以下とする。係る基材１の厚さに応じた一般的な組合せとして、接着剤２の厚さは、例えば８μｍ以上１５μｍ以下とすることができ、例えば東レ製や巴川製紙所製のものを用いる。
【００２６】
（パンチング工程Ｓ１）
まず、上記の基材１及び接着剤２に対して、図１に示すパンチング工程Ｓ１を実施する。具体的には、図２（ｂ１）に示すように、例えばプレス加工によるパンチングを行って、スプロケットホール４や図示しないモジュール用位置決め孔を設ける。スプロケットホール４は、図２（ｂ２）に示すように基材１の端に配列形成される。スプロケットホール４は、基材１の両端に設けてもよい。配線基板の製造工程では、スプロケットホール４を用いて基材１の搬送や位置決めが行われる。これ以降の平面図では、スプロケットホール４は省略する。
【００２７】
（銅箔貼り合わせ工程Ｓ２）
次に、スプロケットホール４等を設けた基材１に対して、図１に示す銅箔貼り合わせ工程Ｓ２を行う。具体的には、図２（ｃ１）に示すように、接着剤２を介して、後述する配線３ｐの材料となる導体層としての銅箔３を基材１表面のほぼ全面に貼り合わせる。なお、これ以降、銅箔３がパターニングされてなる配線３ｐを導体層と呼ぶこともある。すなわち、導体層には、銅箔３及びパターニングされた配線３ｐ等が含まれる。銅箔３には、例えば裏面に腐食防止や粗化等の処理をした圧延銅箔又は電解銅箔を用いることができる。銅箔３の厚さは、例えば３μｍ以上３５μｍ以下とすることができる。銅箔３の貼り合わせは、例えばロールラミネータによるラミネート法を用いて加圧・加熱することにより実施する。その際、接着剤２への熱履歴を一定に保つため、１条掛け・多条掛けに関わらず１工程でラミネートすることが望ましい。銅箔３を貼り合わせた後、接着剤２のキュアを行う。銅箔３の貼り合わせ及び接着剤２のキュアは、使用する接着剤に応じて所定の条件で行う。
【００２８】
（開口形成工程Ｓ３）
続いて、銅箔３を貼り合せた基材１に対して、図１に示す開口形成工程Ｓ３を行う。すなわち、図２（ｄ１）に示すように、例えばプレス加工によるパンチングを行って、銅箔３と基材１とを貫通させて開口５ａを形成する。このとき、後述するデバイスホール５ｂの形成予定領域内に開口５ａが形成されるようにする。具体的には、開口５ａを例えば図２（ｄ２）に示すような矩形とし、図２（ｄ２）の紙面上でみたときに、開口５ａの左右の幅が、後に形成されるデバイスホール５ｂの左右の幅より狭くなるように、デバイスホール５ｂの形成予定領域の内側に開口５ａを形成する。このとき、図２（ｄ２）の紙面上でみたときに、開口５ａの上下の幅が、例えばデバイスホール５ｂの上下の幅と同一になるように形成する。このように開口５ａを形成した場合、デバイスホール５ｂより内側に設けられた開口５ａの左右の両辺（外縁）の位置が、後に形成されるフライングリード３ｆの先端位置となる。つまり、開口５ａを形成することで、フライングリード３ｆの先端位置が確定される。このように、デバイスホールの形成予定領域内への開口５ａの形成は、任意の形状を持つ開口の外縁の少なくとも一部又は全部がデバイスホールの外縁より内側に形成されるように行う。
【００２９】
本実施形態では、銅箔３を基材１とともに貫通させるので、後にフライングリード３ｆとなる部分の銅箔３が切断時に変形するのを抑制することができ、また、一定した断面形状が得られやすい。
【００３０】
（配線パターン形成工程Ｓ４）
次に、図１に示すように、銅箔３に対して配線パターン形成工程Ｓ４を行う。すなわち、図２（ｅ１）、（ｅ２）に示すように、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて銅箔３をパターニングして、配線３ｐを形成する。具体的には、まず、銅箔３の全面に例えばフォトレジストを塗布する。フォトレジストは、ポジ型とネガ型のいずれを用いることも可能である。或いは、フォトレジストの代わりにドライフィルムを用い
ることも可能である。次に、フライングリード３ｆとなる部分を含む配線３ｐのパターンを投影露光して現像し、フォトレジストパターンを得る。このとき、１回の露光範囲を例えば８０ｍｍ×８０ｍｍの範囲又はそれよりも広い範囲とする。次に、フォトレジストパターンの形成された銅箔３に対し、エッチング法により配線３ｐを形成する。具体的には、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）や塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）等のエッチング液を用いて銅箔３にパターン加工を施す。このとき、後にフライングリード３ｆとなる部分も形成される。配線３ｐが形成された後、フォトレジストの除去を行なう。具体的には、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）等のアルカリ溶液を用い、アルカリ溶液のシャワーで物理的な力を加えながら除去したり、アルカリ溶液に溶解させて除去したりする。配線パターン形成工程Ｓ４における一連の工程は、フォトレジスト材メーカーの推奨条件を基準として周辺条件を整えることができる。
【００３１】
なお、上述した第１の手法や第２の手法等の従来の手法では、予めデバイスホールが形成されているため、配線のパターニング時にはフライングリードとなる部分は裏面（デバイスホール側）が露出した状態となっている。そこで、フライングリードの部分が裏面からエッチングされてしまうのを防ぐため、裏止め樹脂で封止したうえで配線のパターニングを行うのが一般的である。しかし、本実施形態では、配線３のパターニング時にはまだ、フライングリード３ｆとなる部分を含めて配線３ｐ全体が基材１に保持された状態となっているため、裏止め樹脂による封止、エッチング後の裏止め樹脂の除去といった工程を省略することができる。
【００３２】
なおここで、必要に応じて、配線３ｐの保護膜としてソルダーレジストやカバーレイを設ける。
【００３３】
（めっき処理工程Ｓ５）
続いて、図１に示すめっき処理工程Ｓ５を行う。具体的には、図２（ｆ１）に示すように、パターニングされた配線３ｐの表面に金（Ａｕ）や錫（Ｓｎ）等をめっきする。めっきの方法としては、電界めっきや無電界めっき等を用いることができる。めっき処理によってＩＣチップや他の配線基板との配線３の接続信頼性を高めることができる。なお、上述のカバーレイを設けた場合は、フライングリード３ｆや図示しない接続端子等、カバーレイから露出した部分にのみめっき処理を施してもよい。
【００３４】
上述のように、従来の第２の手法では、フライングリードが繋がったままの状態でめっき処理を行っている。このため、後に切断される不要な部分にまでめっき処理が施され、その分の金めっき等が無駄に消費されていた。しかし、本実施形態では、めっきの無駄な消費を抑え、コストを低減することができる。
【００３５】
（デバイスホール形成工程Ｓ６）
次に、図１に示すデバイスホール形成工程Ｓ６を行って、所定形状のデバイスホール５ｂを形成する。すなわち、図２（ｇ１）に示すように、例えば基材１の裏面からのレーザ加工等により、基材１に形成した開口５ａを広げ、デバイスホール５ｂを形成する。具体的には、デバイスホール５ｂを例えば図２（ｇ２）に示すような矩形に形成することとし、デバイスホール５ｂの左右の幅の位置まで開口５ａを左右に広げる。このとき、デバイスホール５ｂの上下幅と同一に形成された開口５ａの上下幅は広げない。基材１上の配線３を残したまま、主に基材１のみを左右に後退させることで、左右の配線３ｐが先端から所定の距離だけデバイスホール５ｂへと突き出ることとなり、結果的に、左右からデバイスホール５ｂへと突き出したフライングリード３ｆが形成される。つまり、目的とする形状のデバイスホール５ｂが形成されることで、デバイスホール５ｂへのフライングリード３ｆの突き出し距離が所定の長さとなる。このように、開口を広げるときは任意の形状を持つ開口の外縁の少なくとも一部又は全部を広げ、係る部分の配線３をデバイスホール５
ｂ内へと突き出させることができる。ここで、突き出し距離とは、例えばデバイスホール５ｂの左右の両辺（外縁）からデバイスホール５ｂへと突き出したフライングリード３ｆの先端までの長さのことである。このとき、形成されるデバイスホール５ｂが矩形である場合、１辺の長さを例えば０．３ｍｍよりも長く形成することができる。また、従来のデバイスホールの開口面積が、例えば６ｍｍ２（０．６ｍｍ×１０ｍｍ）程度であったのに対し、上述のような製造方法によれば、デバイスホール５ｂの開口面積を例えば２０ｍｍ２よりも大きく形成することができる。以上により、本実施形態に係る配線基板が製造される。
【００３６】
このように、デバイスホール５ｂを形成する際、先行して設けた開口５ａを基準位置とすることができるので、フライングリード３ｆの突き出し距離を制御し易く、フライングリード３ｆの先端位置の精度も得られやすい。したがって、フライングリード３ｆの変形不良や先端位置不良を懸念することなく、デバイスホール５ｂを上述のような比較的大きなサイズとすることも可能となる。また、配線基板の製造工程の後半に至るまでデバイスホール５ｂの形成を行わず、配線３ｐ全体が基材１に保持されているので、途中工程での変形不良が発生し難い。
【００３７】
＜一実施形態にかかる効果＞
本実施形態によれば、以下に示す少なくともひとつ以上の効果が得られる。
【００３８】
（ａ）本実施形態によれば、フライングリード３ｆを形成する主要な工程を２工程有している。すなわち、開口形成工程Ｓ３でフライングリード３ｆの先端位置を確定し、デバイスホール形成工程Ｓ６でフライングリード３ｆのデバイスホール５ｂへの突き出し距離を所定の長さとしている。これによって、フライングリード３ｆの突き出し距離の安定性及び先端位置の精度を向上させることができる。
【００３９】
（ｂ）また本実施形態によれば、銅箔３と基材１とを貫通させて開口５ａを形成している。これによって、後にフライングリード３ｆとなる部分の銅箔３が切断時に変形するのを抑制することができ、また、断面形状の安定性を向上させることができる。
【００４０】
上述のように、繋がったリードを最後に切断する従来の第２の手法では、切断時に押さえとなる部分がなく、フライングリードが変形したり、断面部分にバリが発生してしまったりする場合があった。しかし、本実施形態では、基材１とともに銅箔３も貫通させて開口５ａを形成しているので、切断時のフライングリード３ｆの変形やバリを抑制することができる。
【００４１】
（ｃ）また本実施形態によれば、配線基板の製造工程の後半にデバイスホール５ｂの形成を行うので、それまでは配線３ｐ全体が基材１に保持された状態となっている。これによって、途中工程でのフライングリード３ｆの変形不良を抑制することができる。
【００４２】
上述のように、デバイスホールを先に形成する従来の第１の手法では、その後複数の工程を経るうちにハンドリング等によってフライングリードが変形してしまう場合があった。係る変形不良は、ごく薄い銅箔が何の支えもなく複数の工程を経る第２の手法や、フライングリードの形成を最終工程とすることができない第３の手法においても起こり得る。
【００４３】
しかし、本実施形態では、後にフライングリード３ｆとなる部分も含めて配線３ｐ全体が基材１に保持された状態が最終のデバイスホール形成工程Ｓ６まで保たれるため、係る変形不良を抑制することができる。特に、ＩＣチップの小型化を受けて微細化・狭ピッチ化したフライングリードの変形不良が深刻化するなかで、良品収率の向上を図ることが可能である。
【００４４】
（ｄ）また本実施形態によれば、配線３ｐのパターニング時点において配線３ｐ全体が基材１に保持された状態となっているため、裏止め樹脂による封止が必要なく、工程数を削減して簡略化することができる。
【００４５】
（ｅ）また本実施形態によれば、開口５ａを広げ、デバイスホール５ｂを形成している。つまり、デバイスホール５ｂの形成にあたっては、開口５ａを基準位置としている。これによって、所定のフライングリード３ｆの突き出し距離や先端位置を精度よく得ることができる。
【００４６】
上述のように、従来の第３の手法では、基材の上面に形成済みの配線パターンの位置に合わせ、基材の裏面からデバイスホールを形成する必要があるが、裏面には配線パターンの位置を直接的に示す基準点となるものがない。このため、所定のフライングリードの先端位置や突き出し距離を得ることが難しく、配線基板ごとのバラツキも生じやすい。
【００４７】
しかし、本実施形態では、開口形成工程Ｓ３でフライングリード３ｆの先端位置を確定し、この開口５ａを基準位置としてデバイスホール５ｂを形成している。このため、フライングリード３ｆの突き出し距離の制御性や先端位置の精度を向上させることができる。
【００４８】
（ｆ）また本実施形態によれば、デバイスホール５ｂを、１辺の長さが０．３ｍｍよりも長く、開口面積が２０ｍｍ２よりも大きい矩形形状としている。本発明を適用することで、このように比較的大きいサイズのデバイスホール５ｂを採用することが可能となる。
【００４９】
従来において、フライングリードの変形不良や位置精度の問題は、大きなサイズのデバイスホールで特に生じやすかった。しかし、本実施形態においては、大きなサイズのデバイスホール５ｂであっても、係る問題の発生を抑制することができる。
【００５０】
（ｇ）また本実施形態によれば、めっき処理工程Ｓ５において、配線３ｐの必要部分にのみめっき処理を施している。これによって、不要部分にもめっき処理を施す第２の手法と比べ、めっきの消費量やコストを低減することができる。
【００５１】
［他の実施の形態］
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５２】
例えば、上述の実施形態においては、開口形成工程Ｓ３の後に配線パターン形成工程Ｓ４を行うこととしたが、係る工程順は逆でもよく、配線３ｐをパターニングした後に開口５ａを形成してもよい。この場合、デバイスホール５ｂの形成予定領域内に配線３ｐが途切れることなく繋がった状態でパターニングし、その後、導体層としての配線３ｐと基材１とを貫通させて、配線３ｐを交差するように開口５ａを形成する。
【００５３】
また、上述の実施形態においては、デバイスホール形成工程Ｓ６の前にめっき処理工程Ｓ５を行うこととしたが、係る工程順は逆でもよく、デバイスホール５ｂを形成した後にめっき処理を施してもよい。この場合、フライングリード３ｆの裏面（デバイスホール５ｂ側）にもめっき処理が施されることとなり、配線３ｐの接続信頼性をより向上させることができる。
【００５４】
また、上述の実施形態においては、デバイスホール５ｂの左右両端からフライングリード３ｆが突き出した配線３ｐを示したが、フライングリード３ｆや配線３ｐのパターンはこれに限られず、例えばフライングリード３ｆが片側のみから突き出した形や、上下左右
のいずれか、あるいは上下左右の任意の複数方向から突き出した形とすることができる。
【００５５】
また、上述の実施形態においては、開口５ａ及びデバイスホール５ｂは矩形としたが、これに限られない。特にデバイスホール５ｂ等が複雑な形状をとるときは、デバイスホール形成工程Ｓ６を複数回に分けて行うことで、所定のデバイスホール５ｂを形成してもよい。
【００５６】
また、上述の実施形態においては、デバイスホール５ｂはレーザ加工により形成するものとしたが、ポリイミドエッチング液のような薬液を用いたエッチング加工や、プレス加工によるパンチング、ピナクル刃（トムソン刃、彫刻刃を含む）による押し切り法等により形成することも可能である。または、これらいくつかの方法を組み合わせてもよい。パンチング工程Ｓ１におけるスプロケットホール４等の形成や、開口形成工程Ｓ３における開口５ａの形成についても、プレス加工のみならず、上記いずれかの手法、あるいはその組合せによって形成することができる。
【００５７】
また、上述の実施形態においては、銅箔３はロールラミネータによるラミネート法により貼り合わせるものとしたが、ロールラミネータは減圧式であってもよい。また、ダブルベルトプレスや減圧プレスによるプレス法、キャスト法、スパッタ法、蒸着法、湿式めっき法等の手法を用いることも可能である。
【００５８】
また、上述の実施形態においては、配線３ｐのパターニングに使用するフォトレジストを投影露光により露光するものとしたが、プロキシミティ露光や密着露光を用いることもできる。また、フォトレジストの代わりに専用の感光性膜を形成し、レーザ光によって直接描画を行うこともできる。
【００５９】
また、上述の実施形態においては、配線３ｐの材料として銅箔３を用いることとしたが、エッチング加工やめっき加工が可能な金属を含む導体より構成される導体層であれば他の材料を用いることも可能である。
【００６０】
また、上述の実施形態においては、基材１はポリイミド系フィルムとしたが、ポリイミド（ＰＩ）以外にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂を成分とする材料を使用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１ 基材
２ 接着剤
３ 銅箔
３ｐ 配線
３ｆ フライングリード
４ スプロケットホール
５ａ 開口
５ｂ デバイスホール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フライングリードを有する配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板には、柔軟性を有する基材に銅箔等により配線パターンを形成した、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式やＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）方式等の配線基板（以降、これらを代表してＴＡＢと記す）がある。現在、ＴＡＢはＩＣパッケージ等の一部用途で活用され、量産されている。
【０００３】
上述のＴＡＢは、例えば基材を貫通するデバイスホールを有し、基材上の配線はデバイスホールへ突き出したフライングリードを有する。ＴＡＢに搭載するＩＣチップは、フライングリードに接続されてデバイスホール上に実装される。フライングリードを有するＴＡＢの形成方法としては、主に３つの手法が知られている。
【０００４】
第１の手法では、図３（ａ）に示すように、まず、ポリイミド等からなる基材にデバイスホールやスプロケットホール等をパンチングにより形成する（Ｓ５１）。次に、接着剤等を介して基材に銅箔を貼り合わせる（Ｓ５２）。その後、フォトリソエッチング法等により銅箔をパターニングしてフライングリードを含む配線を形成する（Ｓ５３）。最後に、配線の信頼性向上のためめっき処理等を施し、ＴＡＢが製造される（Ｓ５４）。係る手法は、例えば特許文献１や特許文献２に開示されている。
【０００５】
第２の手法では、図３（ｂ）に示すように、デバイスホールやスプロケットホール等をパンチングにより形成（Ｓ６１）した基材に銅箔を貼り合わせ（Ｓ６２）、銅箔をパターニングして配線を形成する（Ｓ６３）。このとき、両端からデバイスホールへと突き出したリードは繋がったままの状態とする。その後、めっき処理等を施した後に（Ｓ６４）、繋がったリードをパンチング等により切断して切り離す（Ｓ６５）。
【０００６】
第３の手法では、図３（ｃ）に示すように、例えばスプロケットホール等をパンチングにより形成する（Ｓ７１）。このとき、デバイスホールの形成は行わない。次に、基材に銅箔を貼り合わせ（Ｓ７２）、銅箔をパターニングしてフライングリードを含む配線を形成する（Ｓ７３）。その後、ウェットエッチング等により一部基材を除去してデバイスホールを形成し（Ｓ７４）、最後にめっき処理等を施す（Ｓ７５）。係る手法は、例えば特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−０２７９０６号公報
【特許文献２】特開平７−１１１２７９号公報
【特許文献３】特開平６−２６０５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記に挙げた３つの手法にはそれぞれ課題がある。第１の手法では、比較的早い段階でフライングリードを形成するため、その後複数の工程を経る中でフライングリードに変形不良が発生する場合があった。また、第２の手法では、フライングリード切断時に押さえとなる部分がないため、切断時にフライングリードが押し下げられて変形したり、安定した切断形状が得られずバリが発生してしまったりする場合があった。加え
て、切断位置の精度を保つことが困難で、デバイスホールへのリードの突き出し距離の安定性や先端位置精度に欠けるという問題もあった。また、第３の手法では、他の手法を組み合わせることがないかぎり、フライングリードの形成を最終工程とすることができず、途中工程での変形不良の懸念がある。さらに、基材表面に形成された配線パターンに合わせて裏面からデバイスホールを形成しなければならず、やはり位置精度の問題が生じうる。
【０００９】
そこで本発明の目的は、フライングリードの変形不良を抑制し、また、突き出し距離の安定性及び先端位置の精度を向上させることが可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様によれば、基材上の導体層をパターニングして前記基材を貫通するデバイスホールへ突き出したフライングリードを含む配線を形成する、ロールツーロール法による配線基板の製造方法であって、前記フライングリードを２工程以上の工程で形成し、そのうちの少なくとも１工程では、前記導体層と前記基材とを貫通させ、前記デバイスホールの形成予定領域内に前記フライングリードの先端位置を確定する開口を形成する配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、前記フライングリードを形成する工程のうちの少なくとも１工程では、前記基材に形成した前記開口を広げ、前記デバイスホールへの前記フライングリードの突き出し距離が所定の長さとなるように前記デバイスホールを形成する第１の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第３の態様によれば、前記デバイスホールは矩形形状であり、少なくともいずれか１辺の長さが０．３ｍｍよりも長い第１の態様又は第２の態様に記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、前記デバイスホールの開口面積は、２０ｍｍ２よりも大きい第１の態様から第３の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第５の態様によれば、前記デバイスホールは、レーザ加工、プレス加工、薬液によるエッチング加工のいずれか１つの方法、又はいずれか２つ以上を組み合わせた方法により形成する第１の態様から第４の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第６の態様によれば、前記導体層は、エッチング加工及びめっき加工が可能な金属を含む導体より構成され、前記基材は、電気絶縁性を有する有機樹脂を成分とする第１の態様から第５の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第７の態様によれば、前記基材は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂、のいずれかの樹脂を成分とするフィルムである第１の態様から第６の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の第８の態様によれば、前記導体層は、ラミネート法、プレス法、キャスト法、スパッタ法、蒸着法、湿式めっき法のいずれかの方法で前記基材上に形成する第１の態様から第７の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の第９の態様によれば、前記配線には、少なくとも一部にめっき処理を施す第１の態様から第８の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００１９】
本発明の第１０の態様によれば、前記基材の厚さは４μｍ以上１２５μｍ以下であり、前記配線の厚さは３μｍ以上３５μｍ以下である第１の態様から第９の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００２０】
本発明の第１１の態様によれば、前記配線はフォトリソグラフィ法によりパターニングし、配線パターンを投影露光するときの１回の露光範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍの範囲、または８０ｍｍ×８０ｍｍよりも広い範囲とする第１の態様から第１０の態様のいずれかに記載の配線基板の製造方法が提供される。
【００２１】
本発明の第１２の態様によれば、基材と、前記基材を貫通する矩形形状のデバイスホールと、前記デバイスホールへ突き出したフライングリードを含む配線と、を備え、前記デバイスホールは、少なくともいずれか１辺の長さが０．３ｍｍよりも長く、前記デバイスホールの開口面積は、２０ｍｍ２よりも大きい配線基板が提供される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、フライングリードの変形不良を抑制し、また、突き出し距離の安定性及び先端位置の精度を向上させることが可能な配線基板の製造方法及び配線基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を示すフロー図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を示す図であって、（ａ１）〜（ｇ１）は配線基板の断面図であり、（ａ２）〜（ｇ２）は配線基板の一部を示す平面図である。
【図３】従来技術に係る配線基板の製造方法の各工程を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［一実施形態］
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法及び配線基板を説明する。
＜配線基板の製造方法＞
本発明の一実施形態に係る製造方法は、基材を貫通するデバイスホールへ突き出したフライングリードを有するＴＡＢの製造に用いられる。本実施形態に係る製造方法について、以下に図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を示すフロー図である。図２は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を示す図であって、（ａ１）〜（ｇ１）は配線基板の断面図であり、（ａ２）〜（ｇ２）は配線基板の一部を示す平面図である。
【００２５】
本実施形態に係る製造方法は、図２（ａ１）に示す接着剤２が貼り合わせられた基材１に対して行われる。基材１は、例えばポリイミド系フィルムである。具体的には、東レデュポン社製のカプトン（登録商標）や宇部興産製のユーピレックス（登録商標）等がある。基材１としては、例えば幅１００ｍｍ以上、長さ１０ｍ以上のロール状に巻かれたものを使用することができ、少なくとも後述する配線のパターニングが終了するまでは、ロールツーロール法による製造工程を用いることができる。基材１の厚さは、例えば４μｍ以上１２５μｍ以下とすることができ、好ましくは１２μｍ以上７５μｍ以下とする。係る基材１の厚さに応じた一般的な組合せとして、接着剤２の厚さは、例えば８μｍ以上１５μｍ以下とすることができ、例えば東レ製や巴川製紙所製のものを用いる。
【００２６】
（パンチング工程Ｓ１）
まず、上記の基材１及び接着剤２に対して、図１に示すパンチング工程Ｓ１を実施する。具体的には、図２（ｂ１）に示すように、例えばプレス加工によるパンチングを行って、スプロケットホール４や図示しないモジュール用位置決め孔を設ける。スプロケットホール４は、図２（ｂ２）に示すように基材１の端に配列形成される。スプロケットホール４は、基材１の両端に設けてもよい。配線基板の製造工程では、スプロケットホール４を用いて基材１の搬送や位置決めが行われる。これ以降の平面図では、スプロケットホール４は省略する。
【００２７】
（銅箔貼り合わせ工程Ｓ２）
次に、スプロケットホール４等を設けた基材１に対して、図１に示す銅箔貼り合わせ工程Ｓ２を行う。具体的には、図２（ｃ１）に示すように、接着剤２を介して、後述する配線３ｐの材料となる導体層としての銅箔３を基材１表面のほぼ全面に貼り合わせる。なお、これ以降、銅箔３がパターニングされてなる配線３ｐを導体層と呼ぶこともある。すなわち、導体層には、銅箔３及びパターニングされた配線３ｐ等が含まれる。銅箔３には、例えば裏面に腐食防止や粗化等の処理をした圧延銅箔又は電解銅箔を用いることができる。銅箔３の厚さは、例えば３μｍ以上３５μｍ以下とすることができる。銅箔３の貼り合わせは、例えばロールラミネータによるラミネート法を用いて加圧・加熱することにより実施する。その際、接着剤２への熱履歴を一定に保つため、１条掛け・多条掛けに関わらず１工程でラミネートすることが望ましい。銅箔３を貼り合わせた後、接着剤２のキュアを行う。銅箔３の貼り合わせ及び接着剤２のキュアは、使用する接着剤に応じて所定の条件で行う。
【００２８】
（開口形成工程Ｓ３）
続いて、銅箔３を貼り合せた基材１に対して、図１に示す開口形成工程Ｓ３を行う。すなわち、図２（ｄ１）に示すように、例えばプレス加工によるパンチングを行って、銅箔３と基材１とを貫通させて開口５ａを形成する。このとき、後述するデバイスホール５ｂの形成予定領域内に開口５ａが形成されるようにする。具体的には、開口５ａを例えば図２（ｄ２）に示すような矩形とし、図２（ｄ２）の紙面上でみたときに、開口５ａの左右の幅が、後に形成されるデバイスホール５ｂの左右の幅より狭くなるように、デバイスホール５ｂの形成予定領域の内側に開口５ａを形成する。このとき、図２（ｄ２）の紙面上でみたときに、開口５ａの上下の幅が、例えばデバイスホール５ｂの上下の幅と同一になるように形成する。このように開口５ａを形成した場合、デバイスホール５ｂより内側に設けられた開口５ａの左右の両辺（外縁）の位置が、後に形成されるフライングリード３ｆの先端位置となる。つまり、開口５ａを形成することで、フライングリード３ｆの先端位置が確定される。このように、デバイスホールの形成予定領域内への開口５ａの形成は、任意の形状を持つ開口の外縁の少なくとも一部又は全部がデバイスホールの外縁より内側に形成されるように行う。
【００２９】
本実施形態では、銅箔３を基材１とともに貫通させるので、後にフライングリード３ｆとなる部分の銅箔３が切断時に変形するのを抑制することができ、また、一定した断面形状が得られやすい。
【００３０】
（配線パターン形成工程Ｓ４）
次に、図１に示すように、銅箔３に対して配線パターン形成工程Ｓ４を行う。すなわち、図２（ｅ１）、（ｅ２）に示すように、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて銅箔３をパターニングして、配線３ｐを形成する。具体的には、まず、銅箔３の全面に例えばフォトレジストを塗布する。フォトレジストは、ポジ型とネガ型のいずれを用いることも可能である。或いは、フォトレジストの代わりにドライフィルムを用い
ることも可能である。次に、フライングリード３ｆとなる部分を含む配線３ｐのパターンを投影露光して現像し、フォトレジストパターンを得る。このとき、１回の露光範囲を例えば８０ｍｍ×８０ｍｍの範囲又はそれよりも広い範囲とする。次に、フォトレジストパターンの形成された銅箔３に対し、エッチング法により配線３ｐを形成する。具体的には、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）や塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）等のエッチング液を用いて銅箔３にパターン加工を施す。このとき、後にフライングリード３ｆとなる部分も形成される。配線３ｐが形成された後、フォトレジストの除去を行なう。具体的には、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）等のアルカリ溶液を用い、アルカリ溶液のシャワーで物理的な力を加えながら除去したり、アルカリ溶液に溶解させて除去したりする。配線パターン形成工程Ｓ４における一連の工程は、フォトレジスト材メーカーの推奨条件を基準として周辺条件を整えることができる。
【００３１】
なお、上述した第１の手法や第２の手法等の従来の手法では、予めデバイスホールが形成されているため、配線のパターニング時にはフライングリードとなる部分は裏面（デバイスホール側）が露出した状態となっている。そこで、フライングリードの部分が裏面からエッチングされてしまうのを防ぐため、裏止め樹脂で封止したうえで配線のパターニングを行うのが一般的である。しかし、本実施形態では、配線３のパターニング時にはまだ、フライングリード３ｆとなる部分を含めて配線３ｐ全体が基材１に保持された状態となっているため、裏止め樹脂による封止、エッチング後の裏止め樹脂の除去といった工程を省略することができる。
【００３２】
なおここで、必要に応じて、配線３ｐの保護膜としてソルダーレジストやカバーレイを設ける。
【００３３】
（めっき処理工程Ｓ５）
続いて、図１に示すめっき処理工程Ｓ５を行う。具体的には、図２（ｆ１）に示すように、パターニングされた配線３ｐの表面に金（Ａｕ）や錫（Ｓｎ）等をめっきする。めっきの方法としては、電界めっきや無電界めっき等を用いることができる。めっき処理によってＩＣチップや他の配線基板との配線３の接続信頼性を高めることができる。なお、上述のカバーレイを設けた場合は、フライングリード３ｆや図示しない接続端子等、カバーレイから露出した部分にのみめっき処理を施してもよい。
【００３４】
上述のように、従来の第２の手法では、フライングリードが繋がったままの状態でめっき処理を行っている。このため、後に切断される不要な部分にまでめっき処理が施され、その分の金めっき等が無駄に消費されていた。しかし、本実施形態では、めっきの無駄な消費を抑え、コストを低減することができる。
【００３５】
（デバイスホール形成工程Ｓ６）
次に、図１に示すデバイスホール形成工程Ｓ６を行って、所定形状のデバイスホール５ｂを形成する。すなわち、図２（ｇ１）に示すように、例えば基材１の裏面からのレーザ加工等により、基材１に形成した開口５ａを広げ、デバイスホール５ｂを形成する。具体的には、デバイスホール５ｂを例えば図２（ｇ２）に示すような矩形に形成することとし、デバイスホール５ｂの左右の幅の位置まで開口５ａを左右に広げる。このとき、デバイスホール５ｂの上下幅と同一に形成された開口５ａの上下幅は広げない。基材１上の配線３を残したまま、主に基材１のみを左右に後退させることで、左右の配線３ｐが先端から所定の距離だけデバイスホール５ｂへと突き出ることとなり、結果的に、左右からデバイスホール５ｂへと突き出したフライングリード３ｆが形成される。つまり、目的とする形状のデバイスホール５ｂが形成されることで、デバイスホール５ｂへのフライングリード３ｆの突き出し距離が所定の長さとなる。このように、開口を広げるときは任意の形状を持つ開口の外縁の少なくとも一部又は全部を広げ、係る部分の配線３をデバイスホール５
ｂ内へと突き出させることができる。ここで、突き出し距離とは、例えばデバイスホール５ｂの左右の両辺（外縁）からデバイスホール５ｂへと突き出したフライングリード３ｆの先端までの長さのことである。このとき、形成されるデバイスホール５ｂが矩形である場合、１辺の長さを例えば０．３ｍｍよりも長く形成することができる。また、従来のデバイスホールの開口面積が、例えば６ｍｍ２（０．６ｍｍ×１０ｍｍ）程度であったのに対し、上述のような製造方法によれば、デバイスホール５ｂの開口面積を例えば２０ｍｍ２よりも大きく形成することができる。以上により、本実施形態に係る配線基板が製造される。
【００３６】
このように、デバイスホール５ｂを形成する際、先行して設けた開口５ａを基準位置とすることができるので、フライングリード３ｆの突き出し距離を制御し易く、フライングリード３ｆの先端位置の精度も得られやすい。したがって、フライングリード３ｆの変形不良や先端位置不良を懸念することなく、デバイスホール５ｂを上述のような比較的大きなサイズとすることも可能となる。また、配線基板の製造工程の後半に至るまでデバイスホール５ｂの形成を行わず、配線３ｐ全体が基材１に保持されているので、途中工程での変形不良が発生し難い。
【００３７】
＜一実施形態にかかる効果＞
本実施形態によれば、以下に示す少なくともひとつ以上の効果が得られる。
【００３８】
（ａ）本実施形態によれば、フライングリード３ｆを形成する主要な工程を２工程有している。すなわち、開口形成工程Ｓ３でフライングリード３ｆの先端位置を確定し、デバイスホール形成工程Ｓ６でフライングリード３ｆのデバイスホール５ｂへの突き出し距離を所定の長さとしている。これによって、フライングリード３ｆの突き出し距離の安定性及び先端位置の精度を向上させることができる。
【００３９】
（ｂ）また本実施形態によれば、銅箔３と基材１とを貫通させて開口５ａを形成している。これによって、後にフライングリード３ｆとなる部分の銅箔３が切断時に変形するのを抑制することができ、また、断面形状の安定性を向上させることができる。
【００４０】
上述のように、繋がったリードを最後に切断する従来の第２の手法では、切断時に押さえとなる部分がなく、フライングリードが変形したり、断面部分にバリが発生してしまったりする場合があった。しかし、本実施形態では、基材１とともに銅箔３も貫通させて開口５ａを形成しているので、切断時のフライングリード３ｆの変形やバリを抑制することができる。
【００４１】
（ｃ）また本実施形態によれば、配線基板の製造工程の後半にデバイスホール５ｂの形成を行うので、それまでは配線３ｐ全体が基材１に保持された状態となっている。これによって、途中工程でのフライングリード３ｆの変形不良を抑制することができる。
【００４２】
上述のように、デバイスホールを先に形成する従来の第１の手法では、その後複数の工程を経るうちにハンドリング等によってフライングリードが変形してしまう場合があった。係る変形不良は、ごく薄い銅箔が何の支えもなく複数の工程を経る第２の手法や、フライングリードの形成を最終工程とすることができない第３の手法においても起こり得る。
【００４３】
しかし、本実施形態では、後にフライングリード３ｆとなる部分も含めて配線３ｐ全体が基材１に保持された状態が最終のデバイスホール形成工程Ｓ６まで保たれるため、係る変形不良を抑制することができる。特に、ＩＣチップの小型化を受けて微細化・狭ピッチ化したフライングリードの変形不良が深刻化するなかで、良品収率の向上を図ることが可能である。
【００４４】
（ｄ）また本実施形態によれば、配線３ｐのパターニング時点において配線３ｐ全体が基材１に保持された状態となっているため、裏止め樹脂による封止が必要なく、工程数を削減して簡略化することができる。
【００４５】
（ｅ）また本実施形態によれば、開口５ａを広げ、デバイスホール５ｂを形成している。つまり、デバイスホール５ｂの形成にあたっては、開口５ａを基準位置としている。これによって、所定のフライングリード３ｆの突き出し距離や先端位置を精度よく得ることができる。
【００４６】
上述のように、従来の第３の手法では、基材の上面に形成済みの配線パターンの位置に合わせ、基材の裏面からデバイスホールを形成する必要があるが、裏面には配線パターンの位置を直接的に示す基準点となるものがない。このため、所定のフライングリードの先端位置や突き出し距離を得ることが難しく、配線基板ごとのバラツキも生じやすい。
【００４７】
しかし、本実施形態では、開口形成工程Ｓ３でフライングリード３ｆの先端位置を確定し、この開口５ａを基準位置としてデバイスホール５ｂを形成している。このため、フライングリード３ｆの突き出し距離の制御性や先端位置の精度を向上させることができる。
【００４８】
（ｆ）また本実施形態によれば、デバイスホール５ｂを、１辺の長さが０．３ｍｍよりも長く、開口面積が２０ｍｍ２よりも大きい矩形形状としている。本発明を適用することで、このように比較的大きいサイズのデバイスホール５ｂを採用することが可能となる。
【００４９】
従来において、フライングリードの変形不良や位置精度の問題は、大きなサイズのデバイスホールで特に生じやすかった。しかし、本実施形態においては、大きなサイズのデバイスホール５ｂであっても、係る問題の発生を抑制することができる。
【００５０】
（ｇ）また本実施形態によれば、めっき処理工程Ｓ５において、配線３ｐの必要部分にのみめっき処理を施している。これによって、不要部分にもめっき処理を施す第２の手法と比べ、めっきの消費量やコストを低減することができる。
【００５１】
［他の実施の形態］
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５２】
例えば、上述の実施形態においては、開口形成工程Ｓ３の後に配線パターン形成工程Ｓ４を行うこととしたが、係る工程順は逆でもよく、配線３ｐをパターニングした後に開口５ａを形成してもよい。この場合、デバイスホール５ｂの形成予定領域内に配線３ｐが途切れることなく繋がった状態でパターニングし、その後、導体層としての配線３ｐと基材１とを貫通させて、配線３ｐを交差するように開口５ａを形成する。
【００５３】
また、上述の実施形態においては、デバイスホール形成工程Ｓ６の前にめっき処理工程Ｓ５を行うこととしたが、係る工程順は逆でもよく、デバイスホール５ｂを形成した後にめっき処理を施してもよい。この場合、フライングリード３ｆの裏面（デバイスホール５ｂ側）にもめっき処理が施されることとなり、配線３ｐの接続信頼性をより向上させることができる。
【００５４】
また、上述の実施形態においては、デバイスホール５ｂの左右両端からフライングリード３ｆが突き出した配線３ｐを示したが、フライングリード３ｆや配線３ｐのパターンはこれに限られず、例えばフライングリード３ｆが片側のみから突き出した形や、上下左右
のいずれか、あるいは上下左右の任意の複数方向から突き出した形とすることができる。
【００５５】
また、上述の実施形態においては、開口５ａ及びデバイスホール５ｂは矩形としたが、これに限られない。特にデバイスホール５ｂ等が複雑な形状をとるときは、デバイスホール形成工程Ｓ６を複数回に分けて行うことで、所定のデバイスホール５ｂを形成してもよい。
【００５６】
また、上述の実施形態においては、デバイスホール５ｂはレーザ加工により形成するものとしたが、ポリイミドエッチング液のような薬液を用いたエッチング加工や、プレス加工によるパンチング、ピナクル刃（トムソン刃、彫刻刃を含む）による押し切り法等により形成することも可能である。または、これらいくつかの方法を組み合わせてもよい。パンチング工程Ｓ１におけるスプロケットホール４等の形成や、開口形成工程Ｓ３における開口５ａの形成についても、プレス加工のみならず、上記いずれかの手法、あるいはその組合せによって形成することができる。
【００５７】
また、上述の実施形態においては、銅箔３はロールラミネータによるラミネート法により貼り合わせるものとしたが、ロールラミネータは減圧式であってもよい。また、ダブルベルトプレスや減圧プレスによるプレス法、キャスト法、スパッタ法、蒸着法、湿式めっき法等の手法を用いることも可能である。
【００５８】
また、上述の実施形態においては、配線３ｐのパターニングに使用するフォトレジストを投影露光により露光するものとしたが、プロキシミティ露光や密着露光を用いることもできる。また、フォトレジストの代わりに専用の感光性膜を形成し、レーザ光によって直接描画を行うこともできる。
【００５９】
また、上述の実施形態においては、配線３ｐの材料として銅箔３を用いることとしたが、エッチング加工やめっき加工が可能な金属を含む導体より構成される導体層であれば他の材料を用いることも可能である。
【００６０】
また、上述の実施形態においては、基材１はポリイミド系フィルムとしたが、ポリイミド（ＰＩ）以外にも、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂を成分とする材料を使用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１ 基材
２ 接着剤
３ 銅箔
３ｐ 配線
３ｆ フライングリード
４ スプロケットホール
５ａ 開口
５ｂ デバイスホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上の導体層をパターニングして前記基材を貫通するデバイスホールへ突き出したフライングリードを含む配線を形成する、ロールツーロール法による配線基板の製造方法であって、
前記フライングリードを２工程以上の工程で形成し、そのうちの少なくとも１工程では、
前記導体層と前記基材とを貫通させ、前記デバイスホールの形成予定領域内に前記フライングリードの先端位置を確定する開口を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記フライングリードを形成する工程のうちの少なくとも１工程では、
前記基材に形成した前記開口を広げ、前記デバイスホールへの前記フライングリードの突き出し距離が所定の長さとなるように前記デバイスホールを形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記デバイスホールは矩形形状であり、少なくともいずれか１辺の長さが０．３ｍｍよりも長い
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記デバイスホールの開口面積は、２０ｍｍ２よりも大きい
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記デバイスホールは、
レーザ加工、プレス加工、薬液によるエッチング加工のいずれか１つの方法、又はいずれか２つ以上を組み合わせた方法により形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体層は、エッチング加工及びめっき加工が可能な金属を含む導体より構成され、
前記基材は、電気絶縁性を有する有機樹脂を成分とする
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記基材は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂、のいずれかの樹脂を成分とするフィルムである
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記導体層は、
ラミネート法、プレス法、キャスト法、スパッタ法、蒸着法、湿式めっき法のいずれかの方法で前記基材上に形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線には、少なくとも一部にめっき処理を施す
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基材の厚さは４μｍ以上１２５μｍ以下であり、前記配線の厚さは３μｍ以上３５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記配線はフォトリソグラフィ法によりパターニングし、
配線パターンを投影露光するときの１回の露光範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍの範囲、または８０ｍｍ×８０ｍｍよりも広い範囲とする
ことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
基材と、
前記基材を貫通する矩形形状のデバイスホールと、
前記デバイスホールへ突き出したフライングリードを含む配線と、を備え、
前記デバイスホールは、少なくともいずれか１辺の長さが０．３ｍｍよりも長く、
前記デバイスホールの開口面積は、２０ｍｍ２よりも大きい
ことを特徴とする記載の配線基板。
【請求項１】
基材上の導体層をパターニングして前記基材を貫通するデバイスホールへ突き出したフライングリードを含む配線を形成する、ロールツーロール法による配線基板の製造方法であって、
前記フライングリードを２工程以上の工程で形成し、そのうちの少なくとも１工程では、
前記導体層と前記基材とを貫通させ、前記デバイスホールの形成予定領域内に前記フライングリードの先端位置を確定する開口を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記フライングリードを形成する工程のうちの少なくとも１工程では、
前記基材に形成した前記開口を広げ、前記デバイスホールへの前記フライングリードの突き出し距離が所定の長さとなるように前記デバイスホールを形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記デバイスホールは矩形形状であり、少なくともいずれか１辺の長さが０．３ｍｍよりも長い
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記デバイスホールの開口面積は、２０ｍｍ２よりも大きい
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記デバイスホールは、
レーザ加工、プレス加工、薬液によるエッチング加工のいずれか１つの方法、又はいずれか２つ以上を組み合わせた方法により形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体層は、エッチング加工及びめっき加工が可能な金属を含む導体より構成され、
前記基材は、電気絶縁性を有する有機樹脂を成分とする
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記基材は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂、のいずれかの樹脂を成分とするフィルムである
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記導体層は、
ラミネート法、プレス法、キャスト法、スパッタ法、蒸着法、湿式めっき法のいずれかの方法で前記基材上に形成する
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線には、少なくとも一部にめっき処理を施す
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基材の厚さは４μｍ以上１２５μｍ以下であり、前記配線の厚さは３μｍ以上３５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記配線はフォトリソグラフィ法によりパターニングし、
配線パターンを投影露光するときの１回の露光範囲を８０ｍｍ×８０ｍｍの範囲、または８０ｍｍ×８０ｍｍよりも広い範囲とする
ことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
基材と、
前記基材を貫通する矩形形状のデバイスホールと、
前記デバイスホールへ突き出したフライングリードを含む配線と、を備え、
前記デバイスホールは、少なくともいずれか１辺の長さが０．３ｍｍよりも長く、
前記デバイスホールの開口面積は、２０ｍｍ２よりも大きい
ことを特徴とする記載の配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−５９９８０（Ｐ２０１２−５９９８０Ａ）
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０２６９６（Ｐ２０１０−２０２６９６）
【出願日】平成２２年９月１０日（２０１０．９．１０）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１０日（２０１０．９．１０）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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