配線基板及びその製造方法
【課題】基板上に形成された抵抗体を有するとともに、この抵抗体上に膜状導体部を含む複数の配線層が形成されてなる配線基板を製造する際において、複数の配線層をエッチングして形成する際のひげの発生を抑制してこれら複数の配線層間の短絡を防止するとともに、配線層を構成する膜状導体部のアンダーカットを防止して、これら複数の配線層の基板との密着強度を向上させる。
【解決手段】第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む複数の第１主面側配線層と、第２主面に形成された第２主面側配線層と、基板本体内に形成され第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板であって、第１主面側配線層の上面と側面とを被覆する導電性被覆層を備える。
【解決手段】第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む複数の第１主面側配線層と、第２主面に形成された第２主面側配線層と、基板本体内に形成され第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板であって、第１主面側配線層の上面と側面とを被覆する導電性被覆層を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗体を備えた配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック多層配線基板における信号配線のインピーダンスをマッチングさせるために、セラミック多層配線基板の主面上に例えばスパッタリング法などによって抵抗体を形成し、この抵抗体において信号の反射を抑え、ノイズの発生や信号の劣化を防ぐようにしている。
【０００３】
一方、上記抵抗体上には、例えばセラミック多層配線基板を介して信号を外部に取り出したり、セラミック多層配線基板を介して外部電圧を印加したりするための２以上の膜状導体部を含む配線層が設けられている。また、セラミック多層配線基板の裏面上にも、上記２以上の膜状導体部の少なくとも１つとセラミック多層配線基板を介して電気的に接続されてなる膜状導体部を含む配線層が形成されている。
【０００４】
上記配線層は、一般に銅や金などからなる導電性の膜体、あるいはＣｕ層／Ｎｉ層／Ａｕ層などの膜状の積層体からなる。後者の膜状積層体の場合、中間に位置するＮｉ層は、主として下方に位置するＣｕ層と上方に位置するＡｕ層との密着性を改善するための導電性接着層として機能するものである（特許文献１）。
【０００５】
上述した配線層は、膜体あるいは膜状の積層体を上記抵抗体上に均一に形成した後、それらを厚さ方向にエッチングすることによって形成する。しかしながら、このような厚さ方向のエッチングを行うと、上記膜体あるいは積層体を構成するＣｕ層などの側面に、いわゆる“ひげ”と呼ばれる繊維状の異物が外方に広がるようにして形成され、抵抗体上に形成された隣接する配線層同士が“ひげ”を介して接触してしまい、これら隣接する配線層同士が短絡してしまうなどの問題が生じていた。
【０００６】
また、上記エッチングは、一般に無機酸や有機酸を用いて行うため、特に抵抗体上に形成した隣接する配線層をエッチングして形成する場合においては、エッチングが異方的に行われることになり、特に導体部を上記膜状の積層体から構成する場合においては、膜状積層体の下部のエッチングが過度に進行してアンダーカットが生じてしまい、上記積層体、すなわち導体部の抵抗体との密着強度が低下し、導体部が抵抗体から剥離してしまうなどの問題が生じる場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平４−１０２３８５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、セラミック多層配線などの基板上に形成された抵抗体を有するとともに、この抵抗体上に膜状導体部を含む複数の配線層が形成されてなる配線基板を製造する際において、複数の配線層をエッチングして形成する際のひげの発生を抑制してこれら複数の配線層間の短絡を防止するとともに、配線層を構成する膜状導体部のアンダーカットを防止して、これら複数の配線層の基板との密着強度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明は、
第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、
前記第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む複数の第１主面側配線層と、
前記第２主面に形成された第２主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板であって、
前記第１主面側配線層の上面と側面とを被覆する導電性被覆層を備えることを特徴とする、配線基板に関する。
【００１０】
また、本発明は、
第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、
前記第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む２つの第１主面側配線層と、
前記第２主面に形成された第２主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板の製造方法であって、
前記第１主面上に前記ビアと電気的に接続する前記抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体上に該抵抗体よりも抵抗値の低い金属にて第１下地金属層を形成するともに、前記第２主面上に、前記ビアと電気的に接続する第２下地金属層を形成する工程と、
前記第１下地金属層上に第１マスク層を、前記第２下地金属層上に第２のマスク層を形成した後、前記第１下地金属層上に第１導電層を形成するとともに、前記第２下地金属層上に第２導電層を形成し、第１主面側配線層と第２主面側配線層とを形成する工程と、
前記第１マスク層及び前記第２マスク層を除去した後、前記２つの第１主面側配線層の間の前記第１下地金属層上に第３マスク層を形成する工程と、
前記ビアおよび第１下地金属層を通電経路として用い電解メッキにより、前記第１主面側配線層の上面及び側面を被覆する導電性被覆層を形成する工程と、
前記第３のマスクを除去した後、前記２つの第１主面側配線層の間の前記第１下地金属層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
【００１１】
本発明によれば、基板本体の第１主面上に抵抗体が形成され、さらにこの抵抗体上に２つの膜状導体部、すなわち上記抵抗体よりも低い抵抗値の金属からなる第１下地金属層及びこの第１下地金属層上に形成された第１導電層を含む複数の第１主面側配線層が形成されるとともに、基板本体の第１主面と相対向する第２主面上で、基板本体に形成されたビアを介して複数の第１主面側配線層の１つと電気的に接続されてなる第２主面側配線層を有する配線基板において、第１主面側配線層を画定する以前に、第１主面側配線層の上面及び側面を導電性被覆層で被覆する。その後、隣接する２つの第１主面側配線層間に位置する第１下地金属層の延在部分を厚さ方向にエッチングして分断除去し、上記第１主面側配線層を画定するようにしている。
【００１２】
したがって、第１主面側配線層を画定する際において、第１下地金属層の分断除去すべき箇所を除き、第１主面側配線層を構成する第１下地金属層及び第１導電層が、例えばエッチング液に晒されることがないので、これらの層がエッチングされる際に従来発生していた“ひげ”と呼ばれる繊維状の異物が外方に広がるようにして形成されるのを防止することができる。この結果、抵抗体上に形成された複数の第１主面側配線層が“ひげ”を介して、互いに電気的に接触してしまい短絡してしまうなどの問題を回避することができる。
【００１３】
また、上述のように、第１下地金属層の分断除去すべき箇所を除き、第１主面側配線層がエッチング液に晒されることがないので、エッチング液が滞留した場合においてもエッチングが異方的に行われるのを抑制することができ、第１主面側配線層の下部、すなわち第１下地金属層等の下部のエッチングが過度に進行してアンダーカットが生じるようなことがない。したがって、第１主面側配線層との抵抗体との密着強度が低下し、第１主面側配線層が抵抗体から剥離してしまうなどの問題を回避することができる。
【００１４】
なお、上述した導電性被覆層は、エッチング後も特に除去することなく残存させるので、得られる配線基板において、第１主面側配線層の上面及び側面を被覆するようになる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、セラミック多層配線などの基板上に形成された抵抗体を有するとともに、この抵抗体上に膜状導体部を含む複数の配線層が形成されてなる配線基板を製造する際において、複数の配線層をエッチングして形成する際のひげの発生を抑制してこれら複数の配線層間の短絡を防止するとともに、配線層を構成する膜状導体部のアンダーカットを防止して、これら複数の配線層の基板との密着強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図３】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図４】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図５】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図６】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図７】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図８】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図９】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１０】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１１】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１２】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１３】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１４】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１５】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１６】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１７】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１８】第２の実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図１９】第２の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
（配線基板）
図１は、本実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の配線基板１０は、基板本体１１と、基板本体１１の第１主面１１Ａ上において、基板本体１１内に形成されている内部配線層（例えばビア）と電気的に接続するようにして形成されてなる、例えばＴａ２Ｎからなる膜状の抵抗体１２とを備えている。基板本体１１は、例えばセラミック多層配線基板から構成することができる。
【００１９】
抵抗体１２上には、例えばＴｉからなる０．２μｍの厚みを有する第１下地金属層の第１部分１３Ａ、例えばＣｕからなる０．５μｍの厚みを有する第１下地金属層の第１部分１４Ａ、例えばＣｕからなる第１導電層の第１部分１５Ａ、例えばＮｉからなる第１導電性接着層の第１部分１６Ａが順次に形成されて第１主面側配線層１９Ａを構成している。本実施例では第１下地金属層が２層から構成されているが、例えばＣｕからなる層のどちらか１層で形成されていてもよい。
【００２０】
同様に、抵抗体１２上には、例えばＴｉからなる０．２μｍの厚みを有する第１下地金属層の第２部分１３Ｂ、例えばＣｕからなる０．５μｍの厚みを有する第１下地金属層の第２部分１４Ｂ、例えばＣｕからなる第１導電層の第２部分１５Ｂ、例えばＮｉからなる第１導電性接着層の第２部分１６Ｂが順次に形成されて、第１主面側配線層１９Ａと隣接する第１主面側配線層１９Ｂを構成している。本実施例では第１下地金属層が２層から構成されているが、例えばＣｕからなる層のどちらか１層で形成されていてもよい。
【００２１】
第１主面側配線層１９Ａは、その上面及び側面を覆うようにして例えばＮｉ層および／またはＡｕ層からなる導電性被覆層１８Ａで被覆されている。具体的には、第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側面を除く、これら部分の側面、並びに第１導電層の第１部分１５Ａの側面、及び導電性接着層の第１部分１６Ａの側面、上面が、導電性被覆層１８Ａで被覆されている。なお、導電性被覆層１８Ａの厚みは、例えば１〜３μｍである。
【００２２】
なお、導電性被覆層１８Ａは、Ｎｉ層を含むことにより、第１主面側配線層１９Ａとの密着性を高めることができ、Ａｕ層を含むことにより、導電性被覆層１８Ａの導電性、すなわち配線基板１０の導電性を高めることができる。但し、導電性被覆層１８Ａは必ずしも上述したような２層構造を取る必要はなく、Ｎｉ層あるいはＡｕ層の単層であってもよい。
【００２３】
同様に、第１主面側配線層１９Ｂは、その上面及び側面を覆うようにして導電性被覆層１８Ｂで被覆されている。具体的には、第１下地金属層の第２部分１３Ｂ及び第１下地金属層の第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側面を除く、これら部分の側面、並びに第１導電層の第２部分１５Ｂの側面、及び導電性接着層の第１部分１６Ｂの側面、上面が、導電性被覆層１８Ｂで被覆されている。なお、導電性被覆層１８Ａの厚みは、例えば１〜３μｍである。
【００２４】
なお、導電性被覆層１８Ｂは、Ｎｉ層を含むことにより、第１主面側配線層１９Ｂとの密着性を高めることができ、Ａｕ層を含むことにより、導電性被覆層１８Ｂの導電性、すなわち配線基板１０の導電性を高めることができる。但し、導電性被覆層１８Ｂは必ずしも上述したような２層構造を取る必要はなく、Ｎｉ層あるいはＡｕ層の単層であってもよい。
【００２５】
また、基板本体１１の、第１主面１１Ａと相対向する第２主面１１Ｂ上には、第１主面側配線層１９Ａと相対向するようにして、すなわちその直下において、例えばＴｉ層および／またはＣｕ層からなる第２下地金属層２３、例えばＣｕからなる第２導電層２５、例えばＮｉからなる第２導電性接着層２６、及び例えばＡｕからなる第３導電層２７が順次に形成されて、第２主面側配線層２９を構成している。
【００２６】
基板本体１１内には、図示しない複数の内部配線層がその第１主面１１Ａ及び第２主面１１Ｂと平行になるようにして形成されているともに、複数の内部配線層間、並びに基板本体１１の第１主面１１Ａ上に形成された第１主面側配線層１９Ａ及び基板本体１１の第２主面１１Ｂ上に形成された第２主面側配線層２９間を、これら主面１１Ａ及び１１Ｂ上に形成された電極パッドを介して電気的に接続するためのビア導体などの層間接続体が形成されている。
【００２７】
本実施形態の配線基板１０は、基板本体１１の第１主面１１Ａ上において抵抗体１２を有しているので、この抵抗体１２において、基板本体１１における内部配線層の内の信号配線層のインピーダンスをマッチングさせたり、信号の反射を抑えたりして、ノイズの発生や信号の劣化を防ぐことができる。
【００２８】
一方、抵抗体１２上には、第１主面側配線層１９Ａ及び第１主面側配線層１９Ｂが形成されているとともに、基板本体１１の第２主面１１Ｂ上には、第１主面側配線層１９Ａの直下において、この第１主面側配線層１９Ａと電気的に接続するようにして第２主面側配線層２９とが形成されている。したがって、例えば基板本体１１を介して信号を外部に取り出したり、基板本体１１を介して外部電圧を印加したりすることができる。
【００２９】
また、上述したように、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの上面及び側面を、それぞれ導電性被覆層１８Ａ及１８Ｂで被覆するようにしているので、以下に説明するように、これら第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを、例えばエッチングによって形状を画定して形成する際の、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを構成する第１導電層のひげの発生やアンダーカットの生成を抑制することができる。したがって、別途隣接する第１主面側配線層と電気的に接触してしまい短絡してしまうなどの問題を回避することができ、抵抗体１２との密着強度が低下し、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂが抵抗体１２から剥離してしまうなどの問題を回避することができる。
【００３０】
なお、本実施形態では、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂは、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂ間の相対向する側面、すなわち第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層である第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側の側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの第１下地金属層である第２部分１３Ｂ及び第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側の側面には形成されていない。
【００３１】
しかしながら、上述のような、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂで被覆されていない部分は微小（１μｍ以下）であり、第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層である第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向していない側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの、第１下地金属層である第２部分１３Ｂ及び第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向していない側面は、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂによって被覆されている。
【００３２】
したがって、上述したように、第１主面側配線層１８Ａ及び第２主面側配線層１８Ｂによって被覆されない微小領域が存在するとしても、これら被覆層１８Ａ及び１８Ｂによるエッチング時のひげの発生の抑制やアンダーカット生成の抑制等の上述した作用効果が損なわれることはない。
【００３３】
なお、第１下地金属層の形成領域を適宜制御し、例えば、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ等と同様の面積を有するように第１下地金属層、すなわち第１下地金属層の第１部分１３Ａ，１４Ａ及び第２部分１３Ｂ，１４Ｂを形成することにより、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの全側面を覆うようにすることもできる。この場合、上述した作用効果がより顕著に奏されることになる。
【００３４】
（配線基板の製造方法）
次に、図１に示す配線基板の製造方法について説明する。図２〜図１７は、本実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【００３５】
最初に、図２に示すように、基板本体１１を準備するとともに、この基板本体１１の第１主面１１Ａ上に、例えばスパッタリング法にて膜状の抵抗体１２を形成した後、この抵抗体１２上に同じくスパッタリング法にて第１下地金属層１３及び１４を形成する。同様に、セラミック多層配線基板１１の第２主面１１Ｂ上に、例えばスパッタリング法にて第２下地金属層２３を形成する。本実施例では、抵抗体１２はＴａ２Ｎであり、第１下地金属層１３はＴｉであり、第１下地金属層１４はＣｕである。
【００３６】
なお、基板本体１１の第１主面１１Ａ上に形成された抵抗体１２、第１下地金属層１３及び１４は、基板本体１１内の図示しないビア導体及び内部配線層と電気的に接続され、基板本体１１の第２主面１１Ｂ上に形成された第２下地金属層２３も、同じく基板本体１１内の図示しないビア導体及び内部配線層と電気的に接続されている。本実施例では、第２下地金属層２３はＴｉ層とＣｕ層の２層で構成されている。
【００３７】
したがって、抵抗体１２、第１下地金属層１３及び１４と、第２下地金属層２３とは、セラミック多層配線基板１１（内の層間接続体）を介して互いに電気的に接続されることになり、その後において、第１下地金属層１４上に形成される第１導電層及び第２下地金属層２３上に形成される第２導電層も基板本体１１を介して互いに電気的に接続されるようになる。
【００３８】
この結果、最終的に得る配線基板において、基板本体１１の第１主面１１Ａ上に形成される第１主面側配線層と、基板本体１１の第２主面１１Ｂ上に形成される第２主面側配線層とは電気的に接続されることになり、抵抗体１２上において当該第１主面側配線層と隣接するようにして形成される別の第１主面側配線層は、上記第１主面側配線層及び第２主面側配線層と抵抗体１２を介して電気的に接続されることになる。
【００３９】
次いで、図２のようにして形成した積層体の上下両面、具体的には第１下地金属層１４及び第２下地金属層２３上に、図３に示すようにしてレジスト３１を塗布し、図示しないマスクを介して露光処理及び続いて現像処理を施し、図４に示すような開口部３２Ａ及び３２Ｂ、並びに３２Ｃが形成されてなるレジストマスク３２（第１のマスク層及び第２のマスク層）を形成する。なお、開口部３２Ｃは開口部３２Ａと相対向する位置に形成する。
【００４０】
次いで、図５に示すように、例えば電解メッキ法にて、第１導電層をレジストマスク３２の開口部３２Ａ及び３２Ｂ内にそれぞれ形成し、これら開口部内に第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂを形成する。次いで、第２導電層２５を、例えば電解メッキ法にてレジストマスク３２の開口部３２Ｃ内に形成する。本実施例では第１導電層および第２導電層２５はＣｕで構成されている。
【００４１】
次いで、図６に示すように、例えば電解メッキ法にて、第１導電性接着層をレジストマスク３２の開口部３２Ａ及び３２Ｂ内にそれぞれ形成し、これら開口部内に第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂを、それぞれ第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ上に形成する。次いで、第２導電性接着層２６を、例えば電解メッキ法にてレジストマスク３２の開口部３２Ｃ内において、第２導電層２５上に形成する。本実施例では第１導電性接着層および第２導電性接着層２６はＮｉで構成されている。
【００４２】
その後、図７に示すように、図６で得た積層体の上面にマスク部材３３を形成してマスキングした後、図８に示すように、レジストマスク３２の開口部３２Ｃ内において、例えば電解メッキ法により、第２導電性接着層２６上に第３導電層２７を形成する。本実施例では第３導電層２７はＡｕで構成されている。
【００４３】
次いで、図９に示すように、図７に示す工程で形成したマスク部材３３を同様にして除去する。次いで、図１０に示すように、図９で得た構造体を覆うようにして再度レジスト３４を形成した後、図１１に示すように、図示しないマスク部材を介して露光処理及び続いて現像処理を行い、レジストマスク３５を形成する。なお、上述した露光現像処理は、レジストマスク３５の側端面が第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂの側端面と一致し、第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び１６Ｂの側端面と一致するようにして行う。
【００４４】
次いで、図１２に示すように、レジストマスク３５を介して、例えば無機酸若しくは有機酸を用いたエッチング処理を行い、抵抗体１２及び第１下地金属層１３及び１４の、レジストマスク３５の外方、すなわち第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂの外方に露出した部分をエッチング除去し、さらにレジスト３４を除去することにより、図１３に示すように、抵抗体１２及び第１下地金属層１３及び１４の側端面を、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂの側端面、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂの側端面とほぼ一致させる。
【００４５】
なお、図１３に示す構造体において、上述したように、第１導電層の第１部分１５Ａと第３導電層２７とは基板本体１１（内に形成されているビア導体等）を介して電気的に接続されており、第１導電層の第２部分１５Ｂと第２下地金属層２３とは、基板本体１１、並びに抵抗体１２、第１下地金属層１３及び１４を介して電気的に接続されている。
【００４６】
次いで、図１４に示すように、図１３で得た構造体を覆うようにして再度レジスト３７を形成し、その後、図１５に示すように、図示しないマスク部材を介して露光処理及び続いて現像処理を行い、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ間、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂ間に、板状のレジストマスク３８（第３のマスク）を立設するようにして形成する。なお、図１５では明示していないが、板状のレジストマスク３８は、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂの紙面に垂直な方向における幅、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂの紙面に垂直な方向における幅の全体に亘って形成されている。
【００４７】
次いで、図１６に示すように、基板本体１１の第２主面１１Ｂ側に形成された第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７を通電経路として電解メッキを行い、基板本体１１の第１主面１１Ａ側に形成された、抵抗体１２の側面、第１下地金属層の第１部分および第２部分１３の側面、第１下地金属層の第１部分１４Ａ及び第２部分１４Ｂの側面、第１導電層の第１部分１５Ａ及び１５Ｂの側面、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び１６Ｂの上面及び側面を覆うようにして、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂを形成する。
【００４８】
なお、上述したように、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂは、第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７を通電経路とした電解メッキによって形成するが、上述したように、第１導電層の第１部分１５Ａと第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７とは基板本体１１を介して電気的に接続されており、第１導電層の第２部分１５Ｂと第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７とは、基板本体１１、並びに抵抗体１２、第１下地金属層１３及び１４を介して電気的に接続されている。
【００４９】
したがって、第２下地金属層２３若しくは第２導電層２７に印加した電流は、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂを形成すべき第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂに効率的に印加されるようになる。このため、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂは、これらを形成すべき第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂに対して迅速かつ均一に形成することができる。
【００５０】
なお、図１６（図１３）に示す構成と異なり、第１導電層の第１部分１６Ａと第１導電層の第２部分１６Ｂとの間に第１下地金属層１３及び１４がなく、抵抗体１２のみが存在する場合は、第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７に印加した電流は第１導電層の第１部分１５Ａには効率的に付加されるが、抵抗体１２を介して接続されているため第１導電層の第２部分１５Ｂには効率的に付加されない場合がある。したがって、この場合においては、第１導電層の第２部分１５Ｂに対して導電性被覆層１８Ｂが均一に形成されない場合がある。
【００５１】
次いで、図１７に示すように、マスク部材３８を除去した後、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂ間の第１下地金属層１３及び１４を、無機酸や有機酸を用いてエッチングすることにより分断し、図１に示すようなそれぞれ第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び第２部分１３Ｂ、並びに第１導電性下地層の第１部分１４Ａ及び第２部分１４Ｂとする。そして、第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａ、第１導電層の第１部分１５Ａ、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａが順次に形成されてなる図１に示すような第１主面側配線層１９Ａを構成する。同様に、第１下地金属層の第２部分１３Ｂ及び第２部分１４Ｂ、第１導電層の第２部分１５Ｂ、並びに第１導電性接着層の第２部分１６Ｂが順次に形成されてなる図１に示すような第１主面側配線層１９Ｂを構成する。
【００５２】
なお、上記第１下地金属層１３及び１４を、無機酸や有機酸を用いてエッチングするに際しては、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂが保護部材として機能し、これらが第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの上面及び側面を保護している。
【００５３】
具体的には、第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａの、第２主面側配線層１９Ｂと対向する側面を除く、これら部分の側面、並びに第１導電層の第１部分１５Ａの側面、及び導電性接着層の第１部分１６Ａの側面、上面が、導電性被覆層１８Ａで保護されている。同様に、第１下地金属層の第２部分１３Ｂ及び第１下地金属層の第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側面を除く、これら部分の側面、並びに第１導電層の第２部分１５Ｂの側面、及び導電性接着層の第２部分１６Ｂの側面、上面が、導電性被覆層１８Ｂで保護されている。
【００５４】
したがって、上記エッチング時における、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを構成する第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ、さらには第１下地金属層の第１部分１４Ａ及第２部分１４Ｂにおけるひげの発生や、アンダーカットの生成を抑制することができる。この結果、別途隣接する第１主面側配線層と電気的に接触してしまい短絡してしまうなどの問題を回避することができ、抵抗体１２との密着強度が低下し、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂが抵抗体１２から剥離してしまうなどの問題を回避することができる。
【００５５】
なお、上述したように、第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの第１下地金属層の第２部分１３Ｂ及び第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側面は、それぞれ導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂによって被覆されていない。しかしながら、このような被覆されていない部分は微小であり、上述したその他の部分は導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂによって被覆されているので、上述した作用効果が損なわれることはない。
【００５６】
また、基板本体１１の第２主面１１Ｂ上に形成された第２下地金属層２３及び第２導電層２５も、その上方に位置する第３導電層２７等の両側に露出した部分を、図示しないマスク部材を介してエッチング除去し、第２下地金属層２３の側端面と第３導電層２７等の側端面とが一致するようにする。この結果、図１に示すような配線基板１０を得ることができる。
【００５７】
（第２の実施形態）
（配線基板）
図１８は、本実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、図１に示す配線基板１０の構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同じ参照数字を用いている。
【００５８】
本実施形態の配線基板１０’は、基板本体１１の第１主面１１Ａ上において、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂ間の相対向する側面、すなわち第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層である第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側の側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの第１下地金属層である第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側の側面に、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂが形成されている点で、第１の実施形態の配線基板１０と構成を異にする。
【００５９】
しかしながら、上述のような、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂで被覆されていない部分は微小（１μｍ以下）であって、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの上面及び側面の大部分を、それぞれ導電性被覆層１８Ａ及１８Ｂで被覆するようにしているので、第１の実施形態と同様に、これら第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを、例えばエッチングによって形状を画定して形成する際の、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを構成する第１導電層のひげの発生やアンダーカットの生成を抑制することができる。
【００６０】
（配線基板の製造方法）
次に、図１８に示す配線基板１０’の製造方法について説明する。
図１９は、本実施形態の配線基板１０’の製造方法における工程図である。最初に、第１の実施形態の図２〜図８に示す工程に従って、図９に示すような構造体を得る。その後、図１９に示すように、第１下地金属層１４の、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び１６Ｂから露出する部分を無機酸あるいは有機酸によってエッチング除去する。
【００６１】
その後、第１の実施形態の、図１０〜１７と同様の工程を施すことによって、図１８に示すような配線基板１０’を得ることができる。
【００６２】
また、上述のように、第１下地金属層１４の、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び１６Ｂから露出する部分を無機酸あるいは有機酸によってエッチング除去しているので、第１の実施形態の場合と異なり、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを形成する側において、図１０及び図１１に示す工程では、レジスト３４は第１下地金属層１３上に形成され、図１４及び図１５に示す工程では、レジスト３７及び板状のレジストマスク３８（第３のマスク）は第１下地金属層１３上に形成される。
【００６３】
そして、図１６及び図１７に示す工程では、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂが抵抗体１２の側面に形成され、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂ間の相対向する側面、すなわち第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層である第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側の側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの第１下地金属層である第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側の側面を被覆するように形成する。この結果、図１８に示すような配線基板１０’を得ることができる。
【００６４】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１０ 配線基板
１１ セラミック多層配線基板
１２ 抵抗体
１３Ａ、１４Ａ 第１下地金属層の第１部分
１３Ｂ、１４Ｂ 第１下地金属層の第２部分
１５Ａ 第１導電層の第１部分
１５Ｂ 第１導電層の第２部分
１６Ａ 第１導電性接着層の第１部分
１６Ｂ 第１導電性接着層の第２部分
１８Ａ、１８Ｂ 導電性被覆層
１９Ａ、１９Ｂ 第１主面側配線層
２３ 第２下地金属層
２５ 第２導電層
２６ 第２導電性接着層
２７ 第３導電層
２９ 第２主面側配線層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗体を備えた配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック多層配線基板における信号配線のインピーダンスをマッチングさせるために、セラミック多層配線基板の主面上に例えばスパッタリング法などによって抵抗体を形成し、この抵抗体において信号の反射を抑え、ノイズの発生や信号の劣化を防ぐようにしている。
【０００３】
一方、上記抵抗体上には、例えばセラミック多層配線基板を介して信号を外部に取り出したり、セラミック多層配線基板を介して外部電圧を印加したりするための２以上の膜状導体部を含む配線層が設けられている。また、セラミック多層配線基板の裏面上にも、上記２以上の膜状導体部の少なくとも１つとセラミック多層配線基板を介して電気的に接続されてなる膜状導体部を含む配線層が形成されている。
【０００４】
上記配線層は、一般に銅や金などからなる導電性の膜体、あるいはＣｕ層／Ｎｉ層／Ａｕ層などの膜状の積層体からなる。後者の膜状積層体の場合、中間に位置するＮｉ層は、主として下方に位置するＣｕ層と上方に位置するＡｕ層との密着性を改善するための導電性接着層として機能するものである（特許文献１）。
【０００５】
上述した配線層は、膜体あるいは膜状の積層体を上記抵抗体上に均一に形成した後、それらを厚さ方向にエッチングすることによって形成する。しかしながら、このような厚さ方向のエッチングを行うと、上記膜体あるいは積層体を構成するＣｕ層などの側面に、いわゆる“ひげ”と呼ばれる繊維状の異物が外方に広がるようにして形成され、抵抗体上に形成された隣接する配線層同士が“ひげ”を介して接触してしまい、これら隣接する配線層同士が短絡してしまうなどの問題が生じていた。
【０００６】
また、上記エッチングは、一般に無機酸や有機酸を用いて行うため、特に抵抗体上に形成した隣接する配線層をエッチングして形成する場合においては、エッチングが異方的に行われることになり、特に導体部を上記膜状の積層体から構成する場合においては、膜状積層体の下部のエッチングが過度に進行してアンダーカットが生じてしまい、上記積層体、すなわち導体部の抵抗体との密着強度が低下し、導体部が抵抗体から剥離してしまうなどの問題が生じる場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平４−１０２３８５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、セラミック多層配線などの基板上に形成された抵抗体を有するとともに、この抵抗体上に膜状導体部を含む複数の配線層が形成されてなる配線基板を製造する際において、複数の配線層をエッチングして形成する際のひげの発生を抑制してこれら複数の配線層間の短絡を防止するとともに、配線層を構成する膜状導体部のアンダーカットを防止して、これら複数の配線層の基板との密着強度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、本発明は、
第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、
前記第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む複数の第１主面側配線層と、
前記第２主面に形成された第２主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板であって、
前記第１主面側配線層の上面と側面とを被覆する導電性被覆層を備えることを特徴とする、配線基板に関する。
【００１０】
また、本発明は、
第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、
前記第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む２つの第１主面側配線層と、
前記第２主面に形成された第２主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板の製造方法であって、
前記第１主面上に前記ビアと電気的に接続する前記抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体上に該抵抗体よりも抵抗値の低い金属にて第１下地金属層を形成するともに、前記第２主面上に、前記ビアと電気的に接続する第２下地金属層を形成する工程と、
前記第１下地金属層上に第１マスク層を、前記第２下地金属層上に第２のマスク層を形成した後、前記第１下地金属層上に第１導電層を形成するとともに、前記第２下地金属層上に第２導電層を形成し、第１主面側配線層と第２主面側配線層とを形成する工程と、
前記第１マスク層及び前記第２マスク層を除去した後、前記２つの第１主面側配線層の間の前記第１下地金属層上に第３マスク層を形成する工程と、
前記ビアおよび第１下地金属層を通電経路として用い電解メッキにより、前記第１主面側配線層の上面及び側面を被覆する導電性被覆層を形成する工程と、
前記第３のマスクを除去した後、前記２つの第１主面側配線層の間の前記第１下地金属層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法に関する。
【００１１】
本発明によれば、基板本体の第１主面上に抵抗体が形成され、さらにこの抵抗体上に２つの膜状導体部、すなわち上記抵抗体よりも低い抵抗値の金属からなる第１下地金属層及びこの第１下地金属層上に形成された第１導電層を含む複数の第１主面側配線層が形成されるとともに、基板本体の第１主面と相対向する第２主面上で、基板本体に形成されたビアを介して複数の第１主面側配線層の１つと電気的に接続されてなる第２主面側配線層を有する配線基板において、第１主面側配線層を画定する以前に、第１主面側配線層の上面及び側面を導電性被覆層で被覆する。その後、隣接する２つの第１主面側配線層間に位置する第１下地金属層の延在部分を厚さ方向にエッチングして分断除去し、上記第１主面側配線層を画定するようにしている。
【００１２】
したがって、第１主面側配線層を画定する際において、第１下地金属層の分断除去すべき箇所を除き、第１主面側配線層を構成する第１下地金属層及び第１導電層が、例えばエッチング液に晒されることがないので、これらの層がエッチングされる際に従来発生していた“ひげ”と呼ばれる繊維状の異物が外方に広がるようにして形成されるのを防止することができる。この結果、抵抗体上に形成された複数の第１主面側配線層が“ひげ”を介して、互いに電気的に接触してしまい短絡してしまうなどの問題を回避することができる。
【００１３】
また、上述のように、第１下地金属層の分断除去すべき箇所を除き、第１主面側配線層がエッチング液に晒されることがないので、エッチング液が滞留した場合においてもエッチングが異方的に行われるのを抑制することができ、第１主面側配線層の下部、すなわち第１下地金属層等の下部のエッチングが過度に進行してアンダーカットが生じるようなことがない。したがって、第１主面側配線層との抵抗体との密着強度が低下し、第１主面側配線層が抵抗体から剥離してしまうなどの問題を回避することができる。
【００１４】
なお、上述した導電性被覆層は、エッチング後も特に除去することなく残存させるので、得られる配線基板において、第１主面側配線層の上面及び側面を被覆するようになる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、セラミック多層配線などの基板上に形成された抵抗体を有するとともに、この抵抗体上に膜状導体部を含む複数の配線層が形成されてなる配線基板を製造する際において、複数の配線層をエッチングして形成する際のひげの発生を抑制してこれら複数の配線層間の短絡を防止するとともに、配線層を構成する膜状導体部のアンダーカットを防止して、これら複数の配線層の基板との密着強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図３】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図４】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図５】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図６】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図７】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図８】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図９】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１０】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１１】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１２】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１３】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１４】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１５】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１６】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１７】同じく、第１の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【図１８】第２の実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図１９】第２の実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
（配線基板）
図１は、本実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の配線基板１０は、基板本体１１と、基板本体１１の第１主面１１Ａ上において、基板本体１１内に形成されている内部配線層（例えばビア）と電気的に接続するようにして形成されてなる、例えばＴａ２Ｎからなる膜状の抵抗体１２とを備えている。基板本体１１は、例えばセラミック多層配線基板から構成することができる。
【００１９】
抵抗体１２上には、例えばＴｉからなる０．２μｍの厚みを有する第１下地金属層の第１部分１３Ａ、例えばＣｕからなる０．５μｍの厚みを有する第１下地金属層の第１部分１４Ａ、例えばＣｕからなる第１導電層の第１部分１５Ａ、例えばＮｉからなる第１導電性接着層の第１部分１６Ａが順次に形成されて第１主面側配線層１９Ａを構成している。本実施例では第１下地金属層が２層から構成されているが、例えばＣｕからなる層のどちらか１層で形成されていてもよい。
【００２０】
同様に、抵抗体１２上には、例えばＴｉからなる０．２μｍの厚みを有する第１下地金属層の第２部分１３Ｂ、例えばＣｕからなる０．５μｍの厚みを有する第１下地金属層の第２部分１４Ｂ、例えばＣｕからなる第１導電層の第２部分１５Ｂ、例えばＮｉからなる第１導電性接着層の第２部分１６Ｂが順次に形成されて、第１主面側配線層１９Ａと隣接する第１主面側配線層１９Ｂを構成している。本実施例では第１下地金属層が２層から構成されているが、例えばＣｕからなる層のどちらか１層で形成されていてもよい。
【００２１】
第１主面側配線層１９Ａは、その上面及び側面を覆うようにして例えばＮｉ層および／またはＡｕ層からなる導電性被覆層１８Ａで被覆されている。具体的には、第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側面を除く、これら部分の側面、並びに第１導電層の第１部分１５Ａの側面、及び導電性接着層の第１部分１６Ａの側面、上面が、導電性被覆層１８Ａで被覆されている。なお、導電性被覆層１８Ａの厚みは、例えば１〜３μｍである。
【００２２】
なお、導電性被覆層１８Ａは、Ｎｉ層を含むことにより、第１主面側配線層１９Ａとの密着性を高めることができ、Ａｕ層を含むことにより、導電性被覆層１８Ａの導電性、すなわち配線基板１０の導電性を高めることができる。但し、導電性被覆層１８Ａは必ずしも上述したような２層構造を取る必要はなく、Ｎｉ層あるいはＡｕ層の単層であってもよい。
【００２３】
同様に、第１主面側配線層１９Ｂは、その上面及び側面を覆うようにして導電性被覆層１８Ｂで被覆されている。具体的には、第１下地金属層の第２部分１３Ｂ及び第１下地金属層の第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側面を除く、これら部分の側面、並びに第１導電層の第２部分１５Ｂの側面、及び導電性接着層の第１部分１６Ｂの側面、上面が、導電性被覆層１８Ｂで被覆されている。なお、導電性被覆層１８Ａの厚みは、例えば１〜３μｍである。
【００２４】
なお、導電性被覆層１８Ｂは、Ｎｉ層を含むことにより、第１主面側配線層１９Ｂとの密着性を高めることができ、Ａｕ層を含むことにより、導電性被覆層１８Ｂの導電性、すなわち配線基板１０の導電性を高めることができる。但し、導電性被覆層１８Ｂは必ずしも上述したような２層構造を取る必要はなく、Ｎｉ層あるいはＡｕ層の単層であってもよい。
【００２５】
また、基板本体１１の、第１主面１１Ａと相対向する第２主面１１Ｂ上には、第１主面側配線層１９Ａと相対向するようにして、すなわちその直下において、例えばＴｉ層および／またはＣｕ層からなる第２下地金属層２３、例えばＣｕからなる第２導電層２５、例えばＮｉからなる第２導電性接着層２６、及び例えばＡｕからなる第３導電層２７が順次に形成されて、第２主面側配線層２９を構成している。
【００２６】
基板本体１１内には、図示しない複数の内部配線層がその第１主面１１Ａ及び第２主面１１Ｂと平行になるようにして形成されているともに、複数の内部配線層間、並びに基板本体１１の第１主面１１Ａ上に形成された第１主面側配線層１９Ａ及び基板本体１１の第２主面１１Ｂ上に形成された第２主面側配線層２９間を、これら主面１１Ａ及び１１Ｂ上に形成された電極パッドを介して電気的に接続するためのビア導体などの層間接続体が形成されている。
【００２７】
本実施形態の配線基板１０は、基板本体１１の第１主面１１Ａ上において抵抗体１２を有しているので、この抵抗体１２において、基板本体１１における内部配線層の内の信号配線層のインピーダンスをマッチングさせたり、信号の反射を抑えたりして、ノイズの発生や信号の劣化を防ぐことができる。
【００２８】
一方、抵抗体１２上には、第１主面側配線層１９Ａ及び第１主面側配線層１９Ｂが形成されているとともに、基板本体１１の第２主面１１Ｂ上には、第１主面側配線層１９Ａの直下において、この第１主面側配線層１９Ａと電気的に接続するようにして第２主面側配線層２９とが形成されている。したがって、例えば基板本体１１を介して信号を外部に取り出したり、基板本体１１を介して外部電圧を印加したりすることができる。
【００２９】
また、上述したように、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの上面及び側面を、それぞれ導電性被覆層１８Ａ及１８Ｂで被覆するようにしているので、以下に説明するように、これら第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを、例えばエッチングによって形状を画定して形成する際の、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを構成する第１導電層のひげの発生やアンダーカットの生成を抑制することができる。したがって、別途隣接する第１主面側配線層と電気的に接触してしまい短絡してしまうなどの問題を回避することができ、抵抗体１２との密着強度が低下し、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂが抵抗体１２から剥離してしまうなどの問題を回避することができる。
【００３０】
なお、本実施形態では、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂは、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂ間の相対向する側面、すなわち第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層である第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側の側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの第１下地金属層である第２部分１３Ｂ及び第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側の側面には形成されていない。
【００３１】
しかしながら、上述のような、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂで被覆されていない部分は微小（１μｍ以下）であり、第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層である第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向していない側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの、第１下地金属層である第２部分１３Ｂ及び第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向していない側面は、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂによって被覆されている。
【００３２】
したがって、上述したように、第１主面側配線層１８Ａ及び第２主面側配線層１８Ｂによって被覆されない微小領域が存在するとしても、これら被覆層１８Ａ及び１８Ｂによるエッチング時のひげの発生の抑制やアンダーカット生成の抑制等の上述した作用効果が損なわれることはない。
【００３３】
なお、第１下地金属層の形成領域を適宜制御し、例えば、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ等と同様の面積を有するように第１下地金属層、すなわち第１下地金属層の第１部分１３Ａ，１４Ａ及び第２部分１３Ｂ，１４Ｂを形成することにより、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの全側面を覆うようにすることもできる。この場合、上述した作用効果がより顕著に奏されることになる。
【００３４】
（配線基板の製造方法）
次に、図１に示す配線基板の製造方法について説明する。図２〜図１７は、本実施形態における配線基板の製造方法における工程図である。
【００３５】
最初に、図２に示すように、基板本体１１を準備するとともに、この基板本体１１の第１主面１１Ａ上に、例えばスパッタリング法にて膜状の抵抗体１２を形成した後、この抵抗体１２上に同じくスパッタリング法にて第１下地金属層１３及び１４を形成する。同様に、セラミック多層配線基板１１の第２主面１１Ｂ上に、例えばスパッタリング法にて第２下地金属層２３を形成する。本実施例では、抵抗体１２はＴａ２Ｎであり、第１下地金属層１３はＴｉであり、第１下地金属層１４はＣｕである。
【００３６】
なお、基板本体１１の第１主面１１Ａ上に形成された抵抗体１２、第１下地金属層１３及び１４は、基板本体１１内の図示しないビア導体及び内部配線層と電気的に接続され、基板本体１１の第２主面１１Ｂ上に形成された第２下地金属層２３も、同じく基板本体１１内の図示しないビア導体及び内部配線層と電気的に接続されている。本実施例では、第２下地金属層２３はＴｉ層とＣｕ層の２層で構成されている。
【００３７】
したがって、抵抗体１２、第１下地金属層１３及び１４と、第２下地金属層２３とは、セラミック多層配線基板１１（内の層間接続体）を介して互いに電気的に接続されることになり、その後において、第１下地金属層１４上に形成される第１導電層及び第２下地金属層２３上に形成される第２導電層も基板本体１１を介して互いに電気的に接続されるようになる。
【００３８】
この結果、最終的に得る配線基板において、基板本体１１の第１主面１１Ａ上に形成される第１主面側配線層と、基板本体１１の第２主面１１Ｂ上に形成される第２主面側配線層とは電気的に接続されることになり、抵抗体１２上において当該第１主面側配線層と隣接するようにして形成される別の第１主面側配線層は、上記第１主面側配線層及び第２主面側配線層と抵抗体１２を介して電気的に接続されることになる。
【００３９】
次いで、図２のようにして形成した積層体の上下両面、具体的には第１下地金属層１４及び第２下地金属層２３上に、図３に示すようにしてレジスト３１を塗布し、図示しないマスクを介して露光処理及び続いて現像処理を施し、図４に示すような開口部３２Ａ及び３２Ｂ、並びに３２Ｃが形成されてなるレジストマスク３２（第１のマスク層及び第２のマスク層）を形成する。なお、開口部３２Ｃは開口部３２Ａと相対向する位置に形成する。
【００４０】
次いで、図５に示すように、例えば電解メッキ法にて、第１導電層をレジストマスク３２の開口部３２Ａ及び３２Ｂ内にそれぞれ形成し、これら開口部内に第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂを形成する。次いで、第２導電層２５を、例えば電解メッキ法にてレジストマスク３２の開口部３２Ｃ内に形成する。本実施例では第１導電層および第２導電層２５はＣｕで構成されている。
【００４１】
次いで、図６に示すように、例えば電解メッキ法にて、第１導電性接着層をレジストマスク３２の開口部３２Ａ及び３２Ｂ内にそれぞれ形成し、これら開口部内に第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂを、それぞれ第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ上に形成する。次いで、第２導電性接着層２６を、例えば電解メッキ法にてレジストマスク３２の開口部３２Ｃ内において、第２導電層２５上に形成する。本実施例では第１導電性接着層および第２導電性接着層２６はＮｉで構成されている。
【００４２】
その後、図７に示すように、図６で得た積層体の上面にマスク部材３３を形成してマスキングした後、図８に示すように、レジストマスク３２の開口部３２Ｃ内において、例えば電解メッキ法により、第２導電性接着層２６上に第３導電層２７を形成する。本実施例では第３導電層２７はＡｕで構成されている。
【００４３】
次いで、図９に示すように、図７に示す工程で形成したマスク部材３３を同様にして除去する。次いで、図１０に示すように、図９で得た構造体を覆うようにして再度レジスト３４を形成した後、図１１に示すように、図示しないマスク部材を介して露光処理及び続いて現像処理を行い、レジストマスク３５を形成する。なお、上述した露光現像処理は、レジストマスク３５の側端面が第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂの側端面と一致し、第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び１６Ｂの側端面と一致するようにして行う。
【００４４】
次いで、図１２に示すように、レジストマスク３５を介して、例えば無機酸若しくは有機酸を用いたエッチング処理を行い、抵抗体１２及び第１下地金属層１３及び１４の、レジストマスク３５の外方、すなわち第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂの外方に露出した部分をエッチング除去し、さらにレジスト３４を除去することにより、図１３に示すように、抵抗体１２及び第１下地金属層１３及び１４の側端面を、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂの側端面、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂの側端面とほぼ一致させる。
【００４５】
なお、図１３に示す構造体において、上述したように、第１導電層の第１部分１５Ａと第３導電層２７とは基板本体１１（内に形成されているビア導体等）を介して電気的に接続されており、第１導電層の第２部分１５Ｂと第２下地金属層２３とは、基板本体１１、並びに抵抗体１２、第１下地金属層１３及び１４を介して電気的に接続されている。
【００４６】
次いで、図１４に示すように、図１３で得た構造体を覆うようにして再度レジスト３７を形成し、その後、図１５に示すように、図示しないマスク部材を介して露光処理及び続いて現像処理を行い、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ間、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂ間に、板状のレジストマスク３８（第３のマスク）を立設するようにして形成する。なお、図１５では明示していないが、板状のレジストマスク３８は、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂの紙面に垂直な方向における幅、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び第２部分１６Ｂの紙面に垂直な方向における幅の全体に亘って形成されている。
【００４７】
次いで、図１６に示すように、基板本体１１の第２主面１１Ｂ側に形成された第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７を通電経路として電解メッキを行い、基板本体１１の第１主面１１Ａ側に形成された、抵抗体１２の側面、第１下地金属層の第１部分および第２部分１３の側面、第１下地金属層の第１部分１４Ａ及び第２部分１４Ｂの側面、第１導電層の第１部分１５Ａ及び１５Ｂの側面、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び１６Ｂの上面及び側面を覆うようにして、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂを形成する。
【００４８】
なお、上述したように、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂは、第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７を通電経路とした電解メッキによって形成するが、上述したように、第１導電層の第１部分１５Ａと第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７とは基板本体１１を介して電気的に接続されており、第１導電層の第２部分１５Ｂと第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７とは、基板本体１１、並びに抵抗体１２、第１下地金属層１３及び１４を介して電気的に接続されている。
【００４９】
したがって、第２下地金属層２３若しくは第２導電層２７に印加した電流は、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂを形成すべき第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂに効率的に印加されるようになる。このため、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂは、これらを形成すべき第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂに対して迅速かつ均一に形成することができる。
【００５０】
なお、図１６（図１３）に示す構成と異なり、第１導電層の第１部分１６Ａと第１導電層の第２部分１６Ｂとの間に第１下地金属層１３及び１４がなく、抵抗体１２のみが存在する場合は、第２下地金属層２３若しくは第３導電層２７に印加した電流は第１導電層の第１部分１５Ａには効率的に付加されるが、抵抗体１２を介して接続されているため第１導電層の第２部分１５Ｂには効率的に付加されない場合がある。したがって、この場合においては、第１導電層の第２部分１５Ｂに対して導電性被覆層１８Ｂが均一に形成されない場合がある。
【００５１】
次いで、図１７に示すように、マスク部材３８を除去した後、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂ間の第１下地金属層１３及び１４を、無機酸や有機酸を用いてエッチングすることにより分断し、図１に示すようなそれぞれ第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び第２部分１３Ｂ、並びに第１導電性下地層の第１部分１４Ａ及び第２部分１４Ｂとする。そして、第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａ、第１導電層の第１部分１５Ａ、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａが順次に形成されてなる図１に示すような第１主面側配線層１９Ａを構成する。同様に、第１下地金属層の第２部分１３Ｂ及び第２部分１４Ｂ、第１導電層の第２部分１５Ｂ、並びに第１導電性接着層の第２部分１６Ｂが順次に形成されてなる図１に示すような第１主面側配線層１９Ｂを構成する。
【００５２】
なお、上記第１下地金属層１３及び１４を、無機酸や有機酸を用いてエッチングするに際しては、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂが保護部材として機能し、これらが第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの上面及び側面を保護している。
【００５３】
具体的には、第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａの、第２主面側配線層１９Ｂと対向する側面を除く、これら部分の側面、並びに第１導電層の第１部分１５Ａの側面、及び導電性接着層の第１部分１６Ａの側面、上面が、導電性被覆層１８Ａで保護されている。同様に、第１下地金属層の第２部分１３Ｂ及び第１下地金属層の第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側面を除く、これら部分の側面、並びに第１導電層の第２部分１５Ｂの側面、及び導電性接着層の第２部分１６Ｂの側面、上面が、導電性被覆層１８Ｂで保護されている。
【００５４】
したがって、上記エッチング時における、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを構成する第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ、さらには第１下地金属層の第１部分１４Ａ及第２部分１４Ｂにおけるひげの発生や、アンダーカットの生成を抑制することができる。この結果、別途隣接する第１主面側配線層と電気的に接触してしまい短絡してしまうなどの問題を回避することができ、抵抗体１２との密着強度が低下し、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂが抵抗体１２から剥離してしまうなどの問題を回避することができる。
【００５５】
なお、上述したように、第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層の第１部分１３Ａ及び第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの第１下地金属層の第２部分１３Ｂ及び第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側面は、それぞれ導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂによって被覆されていない。しかしながら、このような被覆されていない部分は微小であり、上述したその他の部分は導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂによって被覆されているので、上述した作用効果が損なわれることはない。
【００５６】
また、基板本体１１の第２主面１１Ｂ上に形成された第２下地金属層２３及び第２導電層２５も、その上方に位置する第３導電層２７等の両側に露出した部分を、図示しないマスク部材を介してエッチング除去し、第２下地金属層２３の側端面と第３導電層２７等の側端面とが一致するようにする。この結果、図１に示すような配線基板１０を得ることができる。
【００５７】
（第２の実施形態）
（配線基板）
図１８は、本実施形態における配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、図１に示す配線基板１０の構成要素と類似あるいは同一の構成要素については同じ参照数字を用いている。
【００５８】
本実施形態の配線基板１０’は、基板本体１１の第１主面１１Ａ上において、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂ間の相対向する側面、すなわち第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層である第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側の側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの第１下地金属層である第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側の側面に、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂが形成されている点で、第１の実施形態の配線基板１０と構成を異にする。
【００５９】
しかしながら、上述のような、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂで被覆されていない部分は微小（１μｍ以下）であって、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂの上面及び側面の大部分を、それぞれ導電性被覆層１８Ａ及１８Ｂで被覆するようにしているので、第１の実施形態と同様に、これら第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを、例えばエッチングによって形状を画定して形成する際の、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを構成する第１導電層のひげの発生やアンダーカットの生成を抑制することができる。
【００６０】
（配線基板の製造方法）
次に、図１８に示す配線基板１０’の製造方法について説明する。
図１９は、本実施形態の配線基板１０’の製造方法における工程図である。最初に、第１の実施形態の図２〜図８に示す工程に従って、図９に示すような構造体を得る。その後、図１９に示すように、第１下地金属層１４の、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び１６Ｂから露出する部分を無機酸あるいは有機酸によってエッチング除去する。
【００６１】
その後、第１の実施形態の、図１０〜１７と同様の工程を施すことによって、図１８に示すような配線基板１０’を得ることができる。
【００６２】
また、上述のように、第１下地金属層１４の、第１導電層の第１部分１５Ａ及び第２部分１５Ｂ、並びに第１導電性接着層の第１部分１６Ａ及び１６Ｂから露出する部分を無機酸あるいは有機酸によってエッチング除去しているので、第１の実施形態の場合と異なり、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂを形成する側において、図１０及び図１１に示す工程では、レジスト３４は第１下地金属層１３上に形成され、図１４及び図１５に示す工程では、レジスト３７及び板状のレジストマスク３８（第３のマスク）は第１下地金属層１３上に形成される。
【００６３】
そして、図１６及び図１７に示す工程では、導電性被覆層１８Ａ及び１８Ｂが抵抗体１２の側面に形成され、第１主面側配線層１９Ａ及び１９Ｂ間の相対向する側面、すなわち第１主面側配線層１９Ａの第１下地金属層である第１部分１４Ａの、第１主面側配線層１９Ｂと対向する側の側面、並びに第１主面側配線層１９Ｂの第１下地金属層である第２部分１４Ｂの、第１主面側配線層１９Ａと対向する側の側面を被覆するように形成する。この結果、図１８に示すような配線基板１０’を得ることができる。
【００６４】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１０ 配線基板
１１ セラミック多層配線基板
１２ 抵抗体
１３Ａ、１４Ａ 第１下地金属層の第１部分
１３Ｂ、１４Ｂ 第１下地金属層の第２部分
１５Ａ 第１導電層の第１部分
１５Ｂ 第１導電層の第２部分
１６Ａ 第１導電性接着層の第１部分
１６Ｂ 第１導電性接着層の第２部分
１８Ａ、１８Ｂ 導電性被覆層
１９Ａ、１９Ｂ 第１主面側配線層
２３ 第２下地金属層
２５ 第２導電層
２６ 第２導電性接着層
２７ 第３導電層
２９ 第２主面側配線層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、
前記第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む複数の第１主面側配線層と、
前記第２主面に形成された第２主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板であって、
前記第１主面側配線層の上面と側面とを被覆する導電性被覆層を備えることを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
前記導電性被覆層は、前記第１主面側配線層の全側面を被覆するように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記導電性被覆層は、前記第１主面側配線層同士が相対しない側面を被覆するように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記下地金属層はＣｕもしくはＣｕとＴｉとで構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
前記導電層はＣｕ、Ｎｉの少なくとも１つの金属で構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項６】
前記導電性被覆層はＮｉ、Ａｕの少なくとも１つの金属で構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項７】
第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、
前記第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む２つの第１主面側配線層と、
前記第２主面に形成された第２主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板の製造方法であって、
前記第１主面上に前記ビアと電気的に接続する前記抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体上に該抵抗体よりも抵抗値の低い金属にて第１下地金属層を形成するともに、前記第２主面上に、前記ビアと電気的に接続する第２下地金属層を形成する工程と、
前記第１下地金属層上に第１マスク層を、前記第２下地金属層上に第２のマスク層を形成した後、前記第１下地金属層上に第１導電層を形成するとともに、前記第２下地金属層上に第２導電層を形成し、第１主面側配線層と第２主面側配線層とを形成する工程と、
前記第１マスク層及び前記第２マスク層を除去した後、前記２つの第１主面側配線層の間の前記第１下地金属層上に第３マスク層を形成する工程と、
前記ビアおよび第１下地金属層を通電経路として用い電解メッキにより、前記第１主面側配線層の上面及び側面を被覆する導電性被覆層を形成する工程と、
前記第３のマスクを除去した後、前記２つの第１主面側配線層の間の前記第１下地金属層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項１】
第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、
前記第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む複数の第１主面側配線層と、
前記第２主面に形成された第２主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板であって、
前記第１主面側配線層の上面と側面とを被覆する導電性被覆層を備えることを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
前記導電性被覆層は、前記第１主面側配線層の全側面を被覆するように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記導電性被覆層は、前記第１主面側配線層同士が相対しない側面を被覆するように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記下地金属層はＣｕもしくはＣｕとＴｉとで構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
前記導電層はＣｕ、Ｎｉの少なくとも１つの金属で構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項６】
前記導電性被覆層はＮｉ、Ａｕの少なくとも１つの金属で構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項７】
第１主面と該第１主面に対向する第２主面を有する基板本体と、
前記第１主面上に形成された抵抗体と該抵抗体上に形成され前記抵抗体よりも抵抗値の低い金属からなる下地金属層と該下地金属層上に形成された導電層を含む２つの第１主面側配線層と、
前記第２主面に形成された第２主面側配線層と、
前記基板本体内に形成され前記第１主面側配線層と第２主面側配線層との間を電気的に導通するビアとを有する配線基板の製造方法であって、
前記第１主面上に前記ビアと電気的に接続する前記抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体上に該抵抗体よりも抵抗値の低い金属にて第１下地金属層を形成するともに、前記第２主面上に、前記ビアと電気的に接続する第２下地金属層を形成する工程と、
前記第１下地金属層上に第１マスク層を、前記第２下地金属層上に第２のマスク層を形成した後、前記第１下地金属層上に第１導電層を形成するとともに、前記第２下地金属層上に第２導電層を形成し、第１主面側配線層と第２主面側配線層とを形成する工程と、
前記第１マスク層及び前記第２マスク層を除去した後、前記２つの第１主面側配線層の間の前記第１下地金属層上に第３マスク層を形成する工程と、
前記ビアおよび第１下地金属層を通電経路として用い電解メッキにより、前記第１主面側配線層の上面及び側面を被覆する導電性被覆層を形成する工程と、
前記第３のマスクを除去した後、前記２つの第１主面側配線層の間の前記第１下地金属層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１３−６９８７６（Ｐ２０１３−６９８７６Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０７４７８（Ｐ２０１１−２０７４７８）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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