配線基板及び配線基板の形成方法
【課題】反りを抑制でき、絶縁膜の縁の必要な膜厚の確保が可能な配線基板を提供する。
【解決手段】膜形成領域上には絶縁材料パターン９Ｂが液滴吐出装置のノズル１１８から第１液滴Ｄ３を吐出して形成される。絶縁材料パターン９Ｂは、紫外域の光を照射されて半硬化状態にされる。次に、下地領域２０上に絶縁材料パターン１１Ｂが液滴吐出装置のノズル１１８から第２液滴Ｄ４を吐出して形成される。絶縁材料パターン１１Ｂは、紫外域の光を照射されて半硬化状態にされる。半硬化状態にある絶縁材料パターン９Ｂ'，１１Ｂ'は、加熱されて硬化する。ビアホールを縁取る第１膜部（絶縁材料パターン９Ｂ'を硬化したもの）を形成する第１液滴Ｄ３は、絶縁材料を含む無溶剤型の液滴であり、該絶縁パターン以外の第２膜部（絶縁材料パターン１１Ｂ'を硬化したもの）を形成する第２液滴Ｄ４は、絶縁材料を含む溶剤型の液滴である。
【解決手段】膜形成領域上には絶縁材料パターン９Ｂが液滴吐出装置のノズル１１８から第１液滴Ｄ３を吐出して形成される。絶縁材料パターン９Ｂは、紫外域の光を照射されて半硬化状態にされる。次に、下地領域２０上に絶縁材料パターン１１Ｂが液滴吐出装置のノズル１１８から第２液滴Ｄ４を吐出して形成される。絶縁材料パターン１１Ｂは、紫外域の光を照射されて半硬化状態にされる。半硬化状態にある絶縁材料パターン９Ｂ'，１１Ｂ'は、加熱されて硬化する。ビアホールを縁取る第１膜部（絶縁材料パターン９Ｂ'を硬化したもの）を形成する第１液滴Ｄ３は、絶縁材料を含む無溶剤型の液滴であり、該絶縁パターン以外の第２膜部（絶縁材料パターン１１Ｂ'を硬化したもの）を形成する第２液滴Ｄ４は、絶縁材料を含む溶剤型の液滴である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁材料を含む液滴を膜形成領域に吐出して該膜形成領域に液状絶縁膜を形成し、該液状絶縁膜を硬化させて前記膜形成領域に絶縁膜を形成した配線基板及び配線基板の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板における絶縁膜を液滴吐出法（インクジェット法）で形成する技術は、例えば特許文献１に開示されている。
ビアホールを備えた絶縁層をインクジェット法で設ける場合には、絶縁材料を含む液滴を下地の上に吐出することによってビアホールを備えた液状の絶縁膜が形成された後、液状の絶縁膜が乾燥硬化される。そして、導電性材料を含む液滴がビアホールの中に吐出されてビアホールを埋めた形のビア配線が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８８００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図７（ａ）に示すように、液状の絶縁膜５０の縁部（つまり、液状絶縁膜５０と大気５１と下地５２との境界）では、下地５２−液状絶縁膜５０間（固体−液体間）の表面張力Ｆ１と、大気５１−液状絶縁膜５０（気体−液体間）の表面張力Ｆ２と、下地５２−大気５１間（固体−気体間）の表面張力Ｆ３とが釣り合う形に液状絶縁膜５０の境界が形成される。液状絶縁膜５０のこうした境界の形状は、下地５２からせり上がる形をなす。
【０００５】
液状絶縁膜５０を乾燥させて硬化させる際には、液状絶縁膜５０の縁部において乾燥速度が高くなると、液状絶縁膜５０の構成材料が該縁部から内部へと拡散することとなり、液状絶縁膜５０の膜厚が前記した境界に近くなるにつれて薄くなる。このような液状絶縁膜５０の縁部における膜厚分布は、液状絶縁膜５０における接触角θ１が小さくなるほど（つまり液滴の粘度が低くなるほど）顕著になる。
【０００６】
溶剤を含む溶剤型の液滴を用いた場合には、溶剤を含まない無溶剤型の液滴に比べて絶縁膜５０の縁部の厚みが薄くなる。図７（ｂ）に鎖線で示す液状絶縁膜５０Ａは、溶剤型の液滴を用いた例を示し、実線で示す絶縁膜５０Ｂは、固化後の絶縁膜の例を示す。図７（ｃ）に鎖線で示す液状絶縁膜５０Ｃは、無溶剤型の液滴を用いた例を示し、実線で示す絶縁膜５０Ｄは、固化後の絶縁膜の例を示す。
【０００７】
溶剤型の液滴を用いて形成された絶縁膜５０Ｂにビア配線５３を形成すると、絶縁膜５０Ｂの縁部の形状に沿う形にビア配線５３が形成されることから、ビア配線５３におけるビア開口径Ｒがビアホール径ｒよりも著しく大きくなってしまう。そうすると、液滴吐出法によって形成されるビア配線のこのような事情に基づいて他の配線や素子の構成の設計がされなければならず、多層基板の微細化や高集積化が極めて困難となる。
【０００８】
無溶剤型の液滴を用いて絶縁膜５０Ｄを形成した場合には、溶液が含まれない分だけ絶縁膜５０Ｄの縁部における接触角θ２が大きくなり、絶縁膜５０Ｄの縁部における膜厚を稼ぐことができる。しかし、無溶剤型の液滴を用いた絶縁膜５０Ｄそのものの圧縮応力Ｆ４が高くなってしまい、このような圧縮応力の作用によって配線基板の反りが誘発されるという問題がある。
【０００９】
本発明は、反りを抑制でき、絶縁膜の縁の必要な膜厚の確保が可能な配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の配線基板は、絶縁材料を含む液滴が膜形成領域に吐出されて該膜形成領域に液状絶縁膜が形成され、該液状絶縁膜が硬化されて前記膜形成領域に硬化絶縁膜が形成される配線基板を対象とし、前記硬化絶縁膜は、前記膜形成領域の縁に形成された第１膜部と、前記縁を除いた前記膜形成領域に形成された第２膜部とを備え、前記第１膜部を形成する第１液滴と前記第２膜部を形成する第２液滴とは、硬化前後における体積変化量に関して異なり、前記第１液滴の体積変化量は、前記第２液滴の体積変化量よりも小さい。
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁材料を含む液滴を膜形成領域に吐出して該膜形成領域に液状絶縁膜を形成し、該液状絶縁膜を硬化して前記膜形成領域に硬化絶縁膜を形成する配線基板の形成方法を対象とし、前記膜形成領域の縁に第１液滴を吐出して第１膜部を形成する工程と、前記縁を除いた前記膜形成領域に第２液滴を吐出して第２膜部を形成する工程とを備え、前記第１膜部を形成する第１液滴と前記第２膜部を形成する第２液滴とは、硬化前後における体積変化量に関して異なり、前記第１液滴の体積変化量は、前記第２液滴の体積変化量よりも小さい。
【００１２】
硬化絶縁膜の縁が体積変化の小さい第１液滴を用いて形成されるため、硬化絶縁膜の縁の膜厚を確保することができる。又、該縁以外の硬化絶縁膜の部分が体積変化の大きい第２液滴を用いて形成されるため、基板の反りが抑制される。
【００１３】
好適な例では、前記第１液滴は、無溶剤型の液滴であり、前記第２液滴は、溶剤型の液滴である。
溶剤型の液滴は、硬化後には溶剤が抜けるため、体積変化が大きく、無溶剤型の液滴は、硬化後の体積変化が溶剤型の液滴に比べて小さい。従って、無溶剤型の液滴は、硬化絶縁膜の縁を形成する第１液滴として好適であり、溶剤型の液滴は、該縁以外の硬化絶縁膜の部分を形成する第２液滴として好適である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の配線基板は、反りを抑制でき、硬化絶縁膜の縁の必要な膜厚を確保できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、本実施形態の液滴吐出装置を示す斜視図。（ｂ）は、液滴吐出装置における制御部の機能ブロック図。
【図２】（ａ）は、液滴吐出装置におけるヘッドを示す斜視図。（ｂ）は、ヘッドの断面図。
【図３】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、配線基板の製造方法を説明する断面図。
【図４】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、配線基板の製造方法を説明する断面図。
【図５】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、配線基板の製造方法を説明する断面図。
【図６】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、配線基板の製造方法を説明する断面図。
【図７】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、液状膜の境界の変化を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図６に基づいて説明する。
図１（ａ）は、インクジェット装置である液滴吐出装置１，２，３，４，５，６を示す。図では１台の液滴吐出装置のみが図示されているが、本実施形態では、複数（本実施形態では６台）の液滴吐出装置１，２，３，４，５，６が使用される。液滴吐出装置１，２，３，４，５，６は、液状材料１１１を吐出するために用いられるが、液滴吐出装置１，２，３，４，５，６は、同じ構成であるので、液滴吐出装置１の構成についてのみ説明する。
【００１７】
液滴吐出装置１は、液状材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、光照射装置１４０と、支持部１０４ａとを備えている。
【００１８】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４〔図２（ａ）参照〕を保持している。ヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状材料１１１の液滴を吐出する。吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、タンク１０１内の液状材料１１１がチューブ１１０を介してヘッド１１４に供給される。
【００１９】
ステージ１０６は、基板１０Ａを固定する機能を有する。基板１０Ａは、ポリイミド製の基板である。
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによってグランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向（本実施形態では鉛直方向）とに沿って移動させる機能を有する。又、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。
【００２０】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向とＺ軸方向とに直交する方向である。
【００２１】
吐出ヘッド部１０３は、第１位置制御装置１０４の作動によってＸ軸方向に移動され、基板１０Ａは、第２位置制御装置１０８の作動によってステージ１０６と共にＹ軸方向に移動される。これらの作動によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、及びノズル１１８〔図２（ａ），（ｂ）参照〕は、基板１０Ａに対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に相対的に移動（相対的に走査）する。
【００２２】
光照射装置１４０は、基板１０Ａに付与された液状材料１１１に紫外光を照射する装置である。
制御部１１２は、液状材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、光源駆動部２０５と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とを備えている。
【００２４】
入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置１の外部に位置する外部情報処理装置（図示略）から、液状材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に出力し、処理部２０４は、吐出データを記憶装置２０２に格納する。
【００２５】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に出力する。走査駆動部２０６は、このデータと、吐出周期とに応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４と第２位置制御装置１０８とに出力する。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に出力する。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から液状材料１１１の液滴Ｄ〔図２（ａ），（ｂ）参照〕が吐出される。
【００２６】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、光照射装置１４０をＯＮ状態及びＯＦＦ状態のどちらかの状態に制御する。つまり、処理部２０４は、ＯＮ状態又はＯＦＦ状態を示すそれぞれの信号を光源駆動部２０５へ出力する。又、液滴吐出装置１は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８を基板１０Ａに対して相対移動させると共に、被吐出部に向けてノズル１１８から液状材料１１１を吐出する。なお、液状材料１１１の液滴が着弾する部分を「被吐出部」とも表記する。
【００２７】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。ヘッド１１４は、振動板１２６と、液溜まり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数の振動子１２４と、ノズルプレート１２８と、供給口１３０と、孔１３１とを備えている。液溜まり１２９は、振動板１２６とノズルプレート１２８との間に位置しており、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状材料１１１が液溜まり１２９に充填される。
【００２８】
複数の隔壁１２２は、振動板１２６とノズルプレート１２８との間に位置している。振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２とによって囲まれた部分は、ノズル１１８に対応して設けられたキャビティ１２０である。キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。液溜まり１２９内の液状材料１１１は、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介してキャビティ１２０に供給される。
【００２９】
ノズルプレート１２８は、複数のノズル１１８のそれぞれの開口量を規定する。
振動子１２４は、キャビティ１２０に対応して振動板１２６上に位置する。振動子１２４は、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂとを含む。制御部１１２は、一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動電圧を与える。これにより、一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂに対応するノズル１１８から液状材料１１１の液滴Ｄが吐出される。
【００３０】
次に、液滴吐出装置１，２，３，４，５，６を用いた配線基板の製造方法を説明する。
まず、図３（ａ）に示す基板１０Ａの１つの表面ＳがＵＶ洗浄される。表面Ｓは、ＵＶ洗浄によって洗浄されるのみならず、液状の絶縁材料７Ａに対して適切な親液性を呈するようになる。ＵＶ洗浄後の表面Ｓは、液滴吐出装置１によって吐出される液状の絶縁材料７Ａを受ける被吐出部になる。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、液滴吐出装置１を用いて表面Ｓの全面に絶縁材料層７Ｂが形成されてゆく。具体的には、基板１０Ａが液滴吐出装置１のステージ１０６上に位置決めされ、液滴吐出装置１は、表面Ｓに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向及びＹ軸方向）に変化させる。そして、液滴吐出装置１は、第１吐出データに応じて、表面Ｓに向けて液状の絶縁材料７Ａの液滴Ｄ１を所定の周期でノズル１１８から吐出する。すると、表面Ｓの全域に亘って所定ピッチで複数の液滴Ｄ１が着弾して濡れ広がる。着弾した複数の液滴Ｄ１が濡れ広がると、表面Ｓを覆う絶縁材料層７Ｂが得られる。
【００３２】
次に、図３（ｂ），（ｃ）に示すように、得られた絶縁材料層７Ｂは、光照射装置１４０から紫外域に属する光を所定時間にわたって照射される。これにより、絶縁材料層７Ｂが硬化して絶縁層７が得られる。
【００３３】
次に、図３（ｄ）に示すように、液滴吐出装置２を用いて絶縁層７上に導電性材料層８Ｂのパターンが形成される。導電性材料層８Ｂのパターン形成は、以下のように行われる。
【００３４】
まず、基板１０Ａが液滴吐出装置２のステージ１０６上に位置決めされる。すると、液滴吐出装置２は、絶縁層７の表面に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置２は、第２吐出データに応じて、導電性材料層８Ｂのパターンに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、絶縁層７の表面に向けて液状の導電性材料８Ａの液滴Ｄ２をノズル１１８から吐出する。これにより、複数の液滴Ｄ２が絶縁層７上に着弾して濡れ広がる。着弾した複数の液滴Ｄ２が濡れ広がると、絶縁層７上に導電性材料層８Ｂのパターンが形成される。
【００３５】
次に、図４（ａ）に示すように、導電性材料層８Ｂのパターンがクリーンヒータ（図示略）を用いて所定温度で所定時間にわたって加熱される。そうすると、図４（ｂ）に示すように、導電性材料層８Ｂにおける銀粒子が燒結又は融着することによって導電層８のパターンが得られる。本実施形態では、導電層８のパターンを配線パターン２５とも表記する。
【００３６】
図４（ｃ）に示すように、配線パターン２５は、配線２５Ａと配線２５Ｂと配線２５Ｃとを含む。配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃは、いずれもストライプ状の形状を有している。配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃは、いわゆる「べた膜」である絶縁層７のほぼ同一のレベルにある表面上に位置している。但し、配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃのうちのどの２つの配線も、絶縁層７の表面上では互いから物理的に分離されている。なお、配線２５Ａと配線２５Ｂとは、互いに電気的に接続されるべき配線である。一方、配線２５Ｃは、配線２５Ａと配線２５Ｂとのどちらからも電気的に絶縁されるべき配線である。
【００３７】
配線２５Ａ上にはポスト形成領域１８Ａが設定されており、配線２５Ｂ上にはポスト形成領域１８Ｂが設定されている。ポスト形成領域１８Ａ、１８Ｂとは、後に導電ポストが設けられる領域のことである。膜形成領域となる下地領域１９Ａは、ポスト形成領域１８Ａを囲むように位置しており、膜形成領域となる下地領域１９Ｂは、ポスト形成領域１８Ｂを囲むように位置している。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示すように、液滴吐出装置３を用いて下地領域１９Ａ，１９Ｂ上に絶縁材料パターン９Ｂが設けられる。絶縁材料パターン９Ｂの形成は、以下のように行われる。
【００３９】
まず、基板１０Ａが液滴吐出装置３のステージ１０６上に位置決めされる。そうすると、液滴吐出装置３は、基板１０Ａと基板１０Ａ上の一つ以上の層とからなる基体１０Ｂの表面に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置３は、第３吐出データに応じて、下地領域１９Ａ，１９Ｂの縁１９１Ａ，１９１Ｂに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、下地領域１９Ａ，１９Ｂの縁１９１Ａ，１９１Ｂに向けて液状の絶縁材料９Ａの第１液滴Ｄ３をノズル１１８から吐出する。そうすると、下地領域１９Ａ，１９Ｂの縁１９１Ａ，１９１Ｂ上に複数の第１液滴Ｄ３が着弾して濡れ広がる。着弾した複数の第１液滴Ｄ３が濡れ広がると、下地領域１９Ａ，１９Ｂの縁１９１Ａ，１９１Ｂ上に絶縁材料パターン９Ｂが形成される。
【００４０】
本実施形態では、第１液滴Ｄ３は、アクリル系の紫外線硬化性樹脂製の無溶剤型液滴である。
次に、図５（ｂ），（ｃ）に示すように、得られた絶縁材料パターン９Ｂが半硬化されて絶縁材料パターン９Ｂ'が形成される。絶縁材料パターン９Ｂ'の形成は、以下のように行われる。
【００４１】
まず、光照射装置１４０から紫外域の波長を有する光が所定時間だけ絶縁材料パターン９Ｂに照射される。これにより、半硬化状態にある絶縁材料パターン９Ｂ'が得られる。２つの絶縁材料パターン９Ｂ'の内側は、それぞれビアホール４０Ａ，４０Ｂとなる。つまり、２つの絶縁材料パターン９Ｂ'は、ビアホール４０Ａ，４０Ｂをそれぞれ縁取っている。
【００４２】
「絶縁材料パターン」又は「絶縁材料」が半硬化するとは、「絶縁材料パターン」又は「絶縁材料」に含まれる光硬化性材料の状態が、吐出時の状態と、光照射による実質的な硬化状態との間の状態になることを意味する。吐出時の状態とは、光硬化性材料がノズル１１８から吐出され得る粘性を有している状態である。
【００４３】
次に、下地領域２０が親液化される。ここで、下地領域２０とは、下地領域１９Ａ，１９Ｂに接すると共に、下地領域１９Ａ，１９Ｂを囲んでいる領域である。下地領域２０の親液化は、所定波長の光を所定時間だけ下地領域２０の表面に均一に照射することによって行われる。そうすると、下地領域２０の一部である絶縁層７の表面は、後述する液状の絶縁材料１１Ａ〔図５（ｃ）参照〕に対して親液性を呈するようになる。
【００４４】
絶縁層７の表面を親液化する理由は次の通りである。絶縁層７を得るための硬化工程、又は配線パターン２５を得るための焼成（加熱）工程を経ると、絶縁層７の表面は、液状の絶縁材料１１Ａに対して撥液性を呈するようになる。物体表面が撥液性を呈する場合には、広い面積に亘って均一な層を形成することが困難になる。本実施形態では、焼成工程の後で絶縁層７の表面が親液化されるので、絶縁材料１１Ａの液滴が濡れ広がる程度（親液性の程度）が絶縁層７の表面に亘って再び大きくなる。このため、表面が平坦な硬化絶縁膜３０を絶縁層７上に亘って絶縁層７上に形成することが可能である。
【００４５】
次に、液滴吐出装置４を用いて、下地領域２０上に絶縁材料パターン１１Ｂが形成される。絶縁材料パターン１１Ｂの形成は、以下のように行われる。
まず、図５（ｃ）に示すように、基板１０Ａが液滴吐出装置４のステージ１０６上に位置決めされる。そうすると、液滴吐出装置４は、下地領域２０に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置４は、第４吐出データに応じて、絶縁材料パターン１１Ｂに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、絶縁層７の表面または配線パターン２５の表面へ液状の絶縁材料１１Ａの第２液滴Ｄ４がノズル１１８から吐出される。すると、下地領域２０上に複数の第２液滴Ｄ４が着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の第２液滴Ｄ４が濡れ広がると、絶縁層７上及び配線パターン２５上に絶縁材料パターン１１Ｂが形成される。
【００４６】
本実施形態では、第２液滴Ｄ４は、ポリイミド系樹脂を有機溶剤に分散させた溶剤型の液滴である。
絶縁材料パターン９Ｂ及び絶縁材料パターン１１Ｂは、液状絶縁膜である。
【００４７】
絶縁層７の表面は、先の親液化工程によって、液状の絶縁材料１１Ａに対して親液性を呈する。このため、絶縁層７の表面に着弾した絶縁材料１１Ａの第２液滴Ｄ４は、これらの表面上で均一に濡れ広がる。
【００４８】
次に、図５（ｄ）に示すように、得られた絶縁材料パターン１１Ｂが半硬化されて絶縁材料パターン１１Ｂ'が形成される。具体的には、光照射装置１４０から紫外域の波長を有する光が所定時間だけ絶縁材料パターン１１Ｂに照射されて半硬化状態にある絶縁材料パターン１１Ｂ'が得られる。
【００４９】
半硬化状態にある絶縁材料パターン１１Ｂ'が得られた後、基体１０Ｂが加熱され、絶縁材料パターンにおける樹脂がほぼ完全に硬化する。この結果、図６（ａ）に示すように、半硬化状態の絶縁材料パターン９Ｂ'が硬化した硬化絶縁膜３０を構成する第１膜部９となり、半硬化状態の絶縁材料パターン１１Ｂ'が硬化した硬化絶縁膜３０を構成する第２膜部１１となる。
【００５０】
第１液滴Ｄ３の吐出による絶縁材料パターン９Ｂの形成、絶縁材料パターン９Ｂを半硬化して絶縁材料パターン９Ｂ'を形成する工程、基体１０Ｂの加熱によって絶縁材料パターン９Ｂ'を硬化して第１膜部９を形成する工程からなる一連の工程は、膜形成領域の縁に第１液滴Ｄ３を吐出して第１膜部９を形成する工程である。
【００５１】
第２液滴Ｄ４の吐出による絶縁材料パターン１１Ｂの形成、絶縁材料パターン１１Ｂを半硬化して絶縁材料パターン１１Ｂ'を形成する工程、基体１０Ｂの加熱によって絶縁材料パターン１１Ｂ'を硬化して第２膜部１１を形成する工程からなる一連の工程は、膜形成領域の縁以外の部分に第２液滴Ｄ４を吐出して第２膜部１１を形成する工程である。
【００５２】
硬化絶縁膜３０が形成された後、図６（ａ）に示すように、液滴吐出装置５を用いて第１膜部９に縁取られたビアホール４０Ａ，４０Ｂが導電性材料１５Ａで充填される。導電性材料１５Ａの充填は、以下のように行われる。
【００５３】
まず、液滴吐出装置５は、基体１０Ｂに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、液滴吐出装置５は、ノズル１１８から導電性材料１５Ａの液滴Ｄ５を吐出する。吐出された導電性材料１５Ａの液滴Ｄ５は、ビアホール４０Ａ，４０Ｂによって露出した導電層８のパターン（配線パターン２５）に着弾する。そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂ内を満たすのに充分な数の液滴Ｄ５がビアホール４０Ａ，４０Ｂ内に着弾することによって、図６（ａ）に示すように、ビアホール４０Ａ，４０Ｂが導電性材料１５Ａで満たされる。
【００５４】
次に、液滴吐出装置５を用いて導電性材料１５Ａの液滴Ｄ５が吐出され、図６（ｂ）に示すように、２つのビアホール４０Ａ，４０Ｂを結ぶ導電性材料パターン１５Ｂが第１膜部９及び第２膜部１１上に形成される。そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂ内の導電性材料１５Ａと導電性材料パターン１５Ｂとが加熱されて活性化され、導電性材料１５Ａにおける銀の微粒子が燒結又は融着される。このような活性化の結果、図６（ｃ）に示すように、２つのビアホール４０Ａ，４０Ｂ内に位置する導電ポスト４１Ａ，４１Ｂと、導電ポスト４１Ａ，４１Ｂに連結された配線パターン１５とが得られる。
【００５５】
配線パターン２５の一部である配線２５Ａと配線２５Ｃとは、導電ポスト４１Ａ，４１Ｂと配線パターン１５とによって、互いに電気的に連結される。一方、配線パターン２５の一部である配線２５Ｂは、配線２５Ａに対しても配線２５Ｃに対しても電気的絶縁を保たれる。
【００５６】
次に、第１膜部９及び第２膜部１１の表面と配線パターン１５の表面とが親液化される。その後、図６（ｃ）に示すように液滴吐出装置６による液状の絶縁材料１７Ａ（液滴Ｄ６）の吐出工程によって、第１膜部９及び第２膜部１１と、配線パターン１５とを覆う絶縁材料層１７Ｂが形成される。そして、図６（ｄ）に示すように、絶縁材料層１７Ｂが硬化されて絶縁層１７が形成される。
【００５７】
その後、クリーンオーブンで基体１０Ｂが加熱されて絶縁層１７におけるポリマーの重合反応が完全に進行される。以上の工程を経て、基体１０Ｂから図６（ｃ）に示す配線基板１０が得られる。
【００５８】
本実施形態では以下の効果が得られる。
（１）硬化絶縁膜３０の縁（つまり、絶縁材料パターン９Ｂ’）が硬化前後での体積変化の小さい第１液滴Ｄ３を用いて形成されるため、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）の膜厚を確保することができる。
【００５９】
（２）高分子材料からなる絶縁膜においては、膜の緻密性が高くなるほど、膜の圧縮応力が高くなり、膜の緻密性が低くなるほど、膜の圧縮応力が低くなる傾向がある。溶剤型の絶縁材料からなる膜では、溶剤が蒸発することによって膜が形成されるため、膜の緻密性が低くなり、反りの生じにくい絶縁膜が形成される。しかし、無溶剤型の絶縁材料からなる膜では、硬化後には緻密性が高い絶縁膜が形成されるため、基板が反り易くなる。
【００６０】
硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）以外の硬化絶縁膜３０の部分（つまり、絶縁材料パターン１１Ｂ）が硬化前後での体積変化の大きい第２液滴Ｄ４を用いて形成されるため、基板１０Ａの反りが抑制される。
【００６１】
（３）溶剤型の液滴は、硬化後には溶剤が抜けるため、硬化前後での体積変化が大きく、無溶剤型の液滴は、硬化前後での体積変化が溶剤型の液滴に比べて小さい。従って、無溶剤型の液滴は、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）を形成する第１液滴Ｄ３として好適であり、溶剤型の液滴は、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）以外の硬化絶縁膜３０の部分（絶縁材料パターン１１Ｂ）を形成する第２液滴Ｄ４として好適である。
【００６２】
なお、絶縁材料としては、形成時には液滴として吐出可能な液状であり、その後に固形化可能なものであれば特に限定されるものではない。このような材料としては、樹脂を溶媒に溶解した溶液を塗布した後、溶剤を除去するようにしたもの、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、樹脂溶液、微粒子分散液等種々の樹脂や微粒子を挙げることができる。
【００６３】
絶縁材料としては、一般的に、ポリイミド、アクリル樹脂、ノボラック系樹脂等の有機材料が使用される。上記の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、メチルメタクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を採用することができる。
【００６４】
絶縁材料は、接触させる樹脂や溶液に溶解あるいは反応してはいけないため、吐出後に光又は熱により硬化する硬化性樹脂であることが好ましい。
このような光硬化性樹脂は、通常少なくとも１個以上の官能基を有し、光重合開始剤に光を照射することにより発生するイオン又はラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、分子量を増加させ必要であれば架橋構造の形成を行うモノマーやオリゴマーと、光重合開始剤とを少なくとも有する樹脂組成物を硬化させたものである。ここでいう官能基とは、ビニル基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、エポキシ基などの反応の原因となる原子団もしくは結合様式をいう。
【００６５】
又、熱硬化性樹脂は、通常少なくとも１個以上の官能基を有し、熱重合開始剤に熱を加えることにより発生するイオン又はラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、分子量を増加させ必要であれば架橋構造の形成を行うモノマーやオリゴマーと、熱重合開始剤とを少なくとも有する樹脂組成物を硬化させたものである。ここでいう官能基とは、ビニル基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、エポキシ基などの反応の原因となる原子団もしくは結合様式をいう。
【００６６】
又、ワニスのように樹脂の溶液では、ポリイミドのようにあらかじめ耐熱性の優れたポリマーを溶解させておき、乾燥により析出させることで、光や熱で硬化させることなく、採用することができる。
【００６７】
又、耐熱性と優れた光透過性を獲得できるという点で、微粒子分散液を採用することもできる。微粒子としては、シリカ、アルミナ、チタニア、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、アクリル樹脂、有機シリコーン樹脂、ポリスチレン、尿素樹脂、ホルムアルデヒド縮合物などの微粒子が挙げられ、これらのうちの一種が用いられ、あるいは複数種が混合されて用いられる。微粒子を採用した場合は、乾燥により堆積することで凝集させ、絶縁層として使用することができる。また、粒子間および基板粒子間で密着性を向上させるため、粒子表面に感光性あるいは感熱性の表面処理を施してもよい。
【００６８】
上記絶縁材料の液滴は、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節材を微量添加することができる。これらの表面張力調節材は、塗布対象物への濡れ性の制御を可能とし、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
【００６９】
このようにして調製した絶縁材料の液滴の粘度は、１〜５０ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。液滴吐出装置にて溶液を塗布する場合、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が液滴の流出により汚染され易く、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。より好ましくは５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。
【００７０】
さらに、このようにして調製した絶縁材料の液滴の表面張力は、０．０２〜０．０７Ｎ／ｍの範囲に入ることが望ましい。液滴吐出装置にて溶液を塗布する場合、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液滴のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲がりが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため液滴の吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。
【００７１】
（４）ビアのデザインルールは、ビアホールの開口径によって規定されるが、本実施形態では、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）を形成する第１液滴Ｄ３の硬化前後での体積変化が小さいため、縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）の接触角が硬化後に小さくならない。つまり、硬化におけるビアホールの開口径が大きくならない。従って、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）のみを無溶剤型の第１液滴Ｄ３で形成する構成は、ビアのデザインルールの大きさの抑制に寄与する。
【００７２】
本発明では以下のような実施形態も可能である。
○液状の絶縁材料パターン９Ｂを形成した後に、液状の絶縁材料パターン１１Ｂを形成、絶縁材料パターン９Ｂ，１１Ｂを同時に硬化させてもよい。
【００７３】
○１つの液滴吐出装置（例えば液滴吐出装置１）が、互いに異なる２つ以上の液状材料を吐出してもよい。この場合、これら２つ以上の液状の材料は、液滴吐出装置１における別々のノズル１１８から吐出されてもよいし、液滴吐出装置１における１つのノズル１１８から吐出されてもよい。
【００７４】
○基板１０Ａとして、セラミック基板、ガラス基板、エポキシ基板、ガラスエポキシ基板あるいはシリコン基板などを用いてもよい。
前記した実施形態から把握できる技術思想について以下に記載する。
【００７５】
〔１〕前記絶縁膜は、ビアホールを備えており、前記縁は、前記ビアホールを縁取る絶縁材料パターンである請求項１及び請求項２のいずれか１項に記載の配線基板。
【符号の説明】
【００７６】
１，２，３，４，５，６…液滴吐出装置。９…第１膜部。１０…配線基板。１１…第２膜部。９Ａ，１１Ａ…絶縁材料。９Ｂ，１１Ｂ…液状絶縁膜を構成する絶縁材料パターン。１９Ａ，１９Ｂ…膜形成領域としての下地領域。１９１Ａ，１９１Ｂ…縁。３０…硬化絶縁膜。Ｄ３…第１液滴。Ｄ４…第２液滴。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁材料を含む液滴を膜形成領域に吐出して該膜形成領域に液状絶縁膜を形成し、該液状絶縁膜を硬化させて前記膜形成領域に絶縁膜を形成した配線基板及び配線基板の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板における絶縁膜を液滴吐出法（インクジェット法）で形成する技術は、例えば特許文献１に開示されている。
ビアホールを備えた絶縁層をインクジェット法で設ける場合には、絶縁材料を含む液滴を下地の上に吐出することによってビアホールを備えた液状の絶縁膜が形成された後、液状の絶縁膜が乾燥硬化される。そして、導電性材料を含む液滴がビアホールの中に吐出されてビアホールを埋めた形のビア配線が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８８００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図７（ａ）に示すように、液状の絶縁膜５０の縁部（つまり、液状絶縁膜５０と大気５１と下地５２との境界）では、下地５２−液状絶縁膜５０間（固体−液体間）の表面張力Ｆ１と、大気５１−液状絶縁膜５０（気体−液体間）の表面張力Ｆ２と、下地５２−大気５１間（固体−気体間）の表面張力Ｆ３とが釣り合う形に液状絶縁膜５０の境界が形成される。液状絶縁膜５０のこうした境界の形状は、下地５２からせり上がる形をなす。
【０００５】
液状絶縁膜５０を乾燥させて硬化させる際には、液状絶縁膜５０の縁部において乾燥速度が高くなると、液状絶縁膜５０の構成材料が該縁部から内部へと拡散することとなり、液状絶縁膜５０の膜厚が前記した境界に近くなるにつれて薄くなる。このような液状絶縁膜５０の縁部における膜厚分布は、液状絶縁膜５０における接触角θ１が小さくなるほど（つまり液滴の粘度が低くなるほど）顕著になる。
【０００６】
溶剤を含む溶剤型の液滴を用いた場合には、溶剤を含まない無溶剤型の液滴に比べて絶縁膜５０の縁部の厚みが薄くなる。図７（ｂ）に鎖線で示す液状絶縁膜５０Ａは、溶剤型の液滴を用いた例を示し、実線で示す絶縁膜５０Ｂは、固化後の絶縁膜の例を示す。図７（ｃ）に鎖線で示す液状絶縁膜５０Ｃは、無溶剤型の液滴を用いた例を示し、実線で示す絶縁膜５０Ｄは、固化後の絶縁膜の例を示す。
【０００７】
溶剤型の液滴を用いて形成された絶縁膜５０Ｂにビア配線５３を形成すると、絶縁膜５０Ｂの縁部の形状に沿う形にビア配線５３が形成されることから、ビア配線５３におけるビア開口径Ｒがビアホール径ｒよりも著しく大きくなってしまう。そうすると、液滴吐出法によって形成されるビア配線のこのような事情に基づいて他の配線や素子の構成の設計がされなければならず、多層基板の微細化や高集積化が極めて困難となる。
【０００８】
無溶剤型の液滴を用いて絶縁膜５０Ｄを形成した場合には、溶液が含まれない分だけ絶縁膜５０Ｄの縁部における接触角θ２が大きくなり、絶縁膜５０Ｄの縁部における膜厚を稼ぐことができる。しかし、無溶剤型の液滴を用いた絶縁膜５０Ｄそのものの圧縮応力Ｆ４が高くなってしまい、このような圧縮応力の作用によって配線基板の反りが誘発されるという問題がある。
【０００９】
本発明は、反りを抑制でき、絶縁膜の縁の必要な膜厚の確保が可能な配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の配線基板は、絶縁材料を含む液滴が膜形成領域に吐出されて該膜形成領域に液状絶縁膜が形成され、該液状絶縁膜が硬化されて前記膜形成領域に硬化絶縁膜が形成される配線基板を対象とし、前記硬化絶縁膜は、前記膜形成領域の縁に形成された第１膜部と、前記縁を除いた前記膜形成領域に形成された第２膜部とを備え、前記第１膜部を形成する第１液滴と前記第２膜部を形成する第２液滴とは、硬化前後における体積変化量に関して異なり、前記第１液滴の体積変化量は、前記第２液滴の体積変化量よりも小さい。
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁材料を含む液滴を膜形成領域に吐出して該膜形成領域に液状絶縁膜を形成し、該液状絶縁膜を硬化して前記膜形成領域に硬化絶縁膜を形成する配線基板の形成方法を対象とし、前記膜形成領域の縁に第１液滴を吐出して第１膜部を形成する工程と、前記縁を除いた前記膜形成領域に第２液滴を吐出して第２膜部を形成する工程とを備え、前記第１膜部を形成する第１液滴と前記第２膜部を形成する第２液滴とは、硬化前後における体積変化量に関して異なり、前記第１液滴の体積変化量は、前記第２液滴の体積変化量よりも小さい。
【００１２】
硬化絶縁膜の縁が体積変化の小さい第１液滴を用いて形成されるため、硬化絶縁膜の縁の膜厚を確保することができる。又、該縁以外の硬化絶縁膜の部分が体積変化の大きい第２液滴を用いて形成されるため、基板の反りが抑制される。
【００１３】
好適な例では、前記第１液滴は、無溶剤型の液滴であり、前記第２液滴は、溶剤型の液滴である。
溶剤型の液滴は、硬化後には溶剤が抜けるため、体積変化が大きく、無溶剤型の液滴は、硬化後の体積変化が溶剤型の液滴に比べて小さい。従って、無溶剤型の液滴は、硬化絶縁膜の縁を形成する第１液滴として好適であり、溶剤型の液滴は、該縁以外の硬化絶縁膜の部分を形成する第２液滴として好適である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の配線基板は、反りを抑制でき、硬化絶縁膜の縁の必要な膜厚を確保できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、本実施形態の液滴吐出装置を示す斜視図。（ｂ）は、液滴吐出装置における制御部の機能ブロック図。
【図２】（ａ）は、液滴吐出装置におけるヘッドを示す斜視図。（ｂ）は、ヘッドの断面図。
【図３】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、配線基板の製造方法を説明する断面図。
【図４】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、配線基板の製造方法を説明する断面図。
【図５】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、配線基板の製造方法を説明する断面図。
【図６】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、配線基板の製造方法を説明する断面図。
【図７】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、液状膜の境界の変化を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図６に基づいて説明する。
図１（ａ）は、インクジェット装置である液滴吐出装置１，２，３，４，５，６を示す。図では１台の液滴吐出装置のみが図示されているが、本実施形態では、複数（本実施形態では６台）の液滴吐出装置１，２，３，４，５，６が使用される。液滴吐出装置１，２，３，４，５，６は、液状材料１１１を吐出するために用いられるが、液滴吐出装置１，２，３，４，５，６は、同じ構成であるので、液滴吐出装置１の構成についてのみ説明する。
【００１７】
液滴吐出装置１は、液状材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、光照射装置１４０と、支持部１０４ａとを備えている。
【００１８】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４〔図２（ａ）参照〕を保持している。ヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状材料１１１の液滴を吐出する。吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、タンク１０１内の液状材料１１１がチューブ１１０を介してヘッド１１４に供給される。
【００１９】
ステージ１０６は、基板１０Ａを固定する機能を有する。基板１０Ａは、ポリイミド製の基板である。
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによってグランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向（本実施形態では鉛直方向）とに沿って移動させる機能を有する。又、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。
【００２０】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向とＺ軸方向とに直交する方向である。
【００２１】
吐出ヘッド部１０３は、第１位置制御装置１０４の作動によってＸ軸方向に移動され、基板１０Ａは、第２位置制御装置１０８の作動によってステージ１０６と共にＹ軸方向に移動される。これらの作動によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、及びノズル１１８〔図２（ａ），（ｂ）参照〕は、基板１０Ａに対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に相対的に移動（相対的に走査）する。
【００２２】
光照射装置１４０は、基板１０Ａに付与された液状材料１１１に紫外光を照射する装置である。
制御部１１２は、液状材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、光源駆動部２０５と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とを備えている。
【００２４】
入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置１の外部に位置する外部情報処理装置（図示略）から、液状材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に出力し、処理部２０４は、吐出データを記憶装置２０２に格納する。
【００２５】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に出力する。走査駆動部２０６は、このデータと、吐出周期とに応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４と第２位置制御装置１０８とに出力する。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に出力する。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から液状材料１１１の液滴Ｄ〔図２（ａ），（ｂ）参照〕が吐出される。
【００２６】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、光照射装置１４０をＯＮ状態及びＯＦＦ状態のどちらかの状態に制御する。つまり、処理部２０４は、ＯＮ状態又はＯＦＦ状態を示すそれぞれの信号を光源駆動部２０５へ出力する。又、液滴吐出装置１は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８を基板１０Ａに対して相対移動させると共に、被吐出部に向けてノズル１１８から液状材料１１１を吐出する。なお、液状材料１１１の液滴が着弾する部分を「被吐出部」とも表記する。
【００２７】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。ヘッド１１４は、振動板１２６と、液溜まり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数の振動子１２４と、ノズルプレート１２８と、供給口１３０と、孔１３１とを備えている。液溜まり１２９は、振動板１２６とノズルプレート１２８との間に位置しており、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状材料１１１が液溜まり１２９に充填される。
【００２８】
複数の隔壁１２２は、振動板１２６とノズルプレート１２８との間に位置している。振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２とによって囲まれた部分は、ノズル１１８に対応して設けられたキャビティ１２０である。キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。液溜まり１２９内の液状材料１１１は、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介してキャビティ１２０に供給される。
【００２９】
ノズルプレート１２８は、複数のノズル１１８のそれぞれの開口量を規定する。
振動子１２４は、キャビティ１２０に対応して振動板１２６上に位置する。振動子１２４は、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂとを含む。制御部１１２は、一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動電圧を与える。これにより、一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂに対応するノズル１１８から液状材料１１１の液滴Ｄが吐出される。
【００３０】
次に、液滴吐出装置１，２，３，４，５，６を用いた配線基板の製造方法を説明する。
まず、図３（ａ）に示す基板１０Ａの１つの表面ＳがＵＶ洗浄される。表面Ｓは、ＵＶ洗浄によって洗浄されるのみならず、液状の絶縁材料７Ａに対して適切な親液性を呈するようになる。ＵＶ洗浄後の表面Ｓは、液滴吐出装置１によって吐出される液状の絶縁材料７Ａを受ける被吐出部になる。
【００３１】
次に、図３（ａ）に示すように、液滴吐出装置１を用いて表面Ｓの全面に絶縁材料層７Ｂが形成されてゆく。具体的には、基板１０Ａが液滴吐出装置１のステージ１０６上に位置決めされ、液滴吐出装置１は、表面Ｓに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向及びＹ軸方向）に変化させる。そして、液滴吐出装置１は、第１吐出データに応じて、表面Ｓに向けて液状の絶縁材料７Ａの液滴Ｄ１を所定の周期でノズル１１８から吐出する。すると、表面Ｓの全域に亘って所定ピッチで複数の液滴Ｄ１が着弾して濡れ広がる。着弾した複数の液滴Ｄ１が濡れ広がると、表面Ｓを覆う絶縁材料層７Ｂが得られる。
【００３２】
次に、図３（ｂ），（ｃ）に示すように、得られた絶縁材料層７Ｂは、光照射装置１４０から紫外域に属する光を所定時間にわたって照射される。これにより、絶縁材料層７Ｂが硬化して絶縁層７が得られる。
【００３３】
次に、図３（ｄ）に示すように、液滴吐出装置２を用いて絶縁層７上に導電性材料層８Ｂのパターンが形成される。導電性材料層８Ｂのパターン形成は、以下のように行われる。
【００３４】
まず、基板１０Ａが液滴吐出装置２のステージ１０６上に位置決めされる。すると、液滴吐出装置２は、絶縁層７の表面に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置２は、第２吐出データに応じて、導電性材料層８Ｂのパターンに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、絶縁層７の表面に向けて液状の導電性材料８Ａの液滴Ｄ２をノズル１１８から吐出する。これにより、複数の液滴Ｄ２が絶縁層７上に着弾して濡れ広がる。着弾した複数の液滴Ｄ２が濡れ広がると、絶縁層７上に導電性材料層８Ｂのパターンが形成される。
【００３５】
次に、図４（ａ）に示すように、導電性材料層８Ｂのパターンがクリーンヒータ（図示略）を用いて所定温度で所定時間にわたって加熱される。そうすると、図４（ｂ）に示すように、導電性材料層８Ｂにおける銀粒子が燒結又は融着することによって導電層８のパターンが得られる。本実施形態では、導電層８のパターンを配線パターン２５とも表記する。
【００３６】
図４（ｃ）に示すように、配線パターン２５は、配線２５Ａと配線２５Ｂと配線２５Ｃとを含む。配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃは、いずれもストライプ状の形状を有している。配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃは、いわゆる「べた膜」である絶縁層７のほぼ同一のレベルにある表面上に位置している。但し、配線２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃのうちのどの２つの配線も、絶縁層７の表面上では互いから物理的に分離されている。なお、配線２５Ａと配線２５Ｂとは、互いに電気的に接続されるべき配線である。一方、配線２５Ｃは、配線２５Ａと配線２５Ｂとのどちらからも電気的に絶縁されるべき配線である。
【００３７】
配線２５Ａ上にはポスト形成領域１８Ａが設定されており、配線２５Ｂ上にはポスト形成領域１８Ｂが設定されている。ポスト形成領域１８Ａ、１８Ｂとは、後に導電ポストが設けられる領域のことである。膜形成領域となる下地領域１９Ａは、ポスト形成領域１８Ａを囲むように位置しており、膜形成領域となる下地領域１９Ｂは、ポスト形成領域１８Ｂを囲むように位置している。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示すように、液滴吐出装置３を用いて下地領域１９Ａ，１９Ｂ上に絶縁材料パターン９Ｂが設けられる。絶縁材料パターン９Ｂの形成は、以下のように行われる。
【００３９】
まず、基板１０Ａが液滴吐出装置３のステージ１０６上に位置決めされる。そうすると、液滴吐出装置３は、基板１０Ａと基板１０Ａ上の一つ以上の層とからなる基体１０Ｂの表面に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置３は、第３吐出データに応じて、下地領域１９Ａ，１９Ｂの縁１９１Ａ，１９１Ｂに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、下地領域１９Ａ，１９Ｂの縁１９１Ａ，１９１Ｂに向けて液状の絶縁材料９Ａの第１液滴Ｄ３をノズル１１８から吐出する。そうすると、下地領域１９Ａ，１９Ｂの縁１９１Ａ，１９１Ｂ上に複数の第１液滴Ｄ３が着弾して濡れ広がる。着弾した複数の第１液滴Ｄ３が濡れ広がると、下地領域１９Ａ，１９Ｂの縁１９１Ａ，１９１Ｂ上に絶縁材料パターン９Ｂが形成される。
【００４０】
本実施形態では、第１液滴Ｄ３は、アクリル系の紫外線硬化性樹脂製の無溶剤型液滴である。
次に、図５（ｂ），（ｃ）に示すように、得られた絶縁材料パターン９Ｂが半硬化されて絶縁材料パターン９Ｂ'が形成される。絶縁材料パターン９Ｂ'の形成は、以下のように行われる。
【００４１】
まず、光照射装置１４０から紫外域の波長を有する光が所定時間だけ絶縁材料パターン９Ｂに照射される。これにより、半硬化状態にある絶縁材料パターン９Ｂ'が得られる。２つの絶縁材料パターン９Ｂ'の内側は、それぞれビアホール４０Ａ，４０Ｂとなる。つまり、２つの絶縁材料パターン９Ｂ'は、ビアホール４０Ａ，４０Ｂをそれぞれ縁取っている。
【００４２】
「絶縁材料パターン」又は「絶縁材料」が半硬化するとは、「絶縁材料パターン」又は「絶縁材料」に含まれる光硬化性材料の状態が、吐出時の状態と、光照射による実質的な硬化状態との間の状態になることを意味する。吐出時の状態とは、光硬化性材料がノズル１１８から吐出され得る粘性を有している状態である。
【００４３】
次に、下地領域２０が親液化される。ここで、下地領域２０とは、下地領域１９Ａ，１９Ｂに接すると共に、下地領域１９Ａ，１９Ｂを囲んでいる領域である。下地領域２０の親液化は、所定波長の光を所定時間だけ下地領域２０の表面に均一に照射することによって行われる。そうすると、下地領域２０の一部である絶縁層７の表面は、後述する液状の絶縁材料１１Ａ〔図５（ｃ）参照〕に対して親液性を呈するようになる。
【００４４】
絶縁層７の表面を親液化する理由は次の通りである。絶縁層７を得るための硬化工程、又は配線パターン２５を得るための焼成（加熱）工程を経ると、絶縁層７の表面は、液状の絶縁材料１１Ａに対して撥液性を呈するようになる。物体表面が撥液性を呈する場合には、広い面積に亘って均一な層を形成することが困難になる。本実施形態では、焼成工程の後で絶縁層７の表面が親液化されるので、絶縁材料１１Ａの液滴が濡れ広がる程度（親液性の程度）が絶縁層７の表面に亘って再び大きくなる。このため、表面が平坦な硬化絶縁膜３０を絶縁層７上に亘って絶縁層７上に形成することが可能である。
【００４５】
次に、液滴吐出装置４を用いて、下地領域２０上に絶縁材料パターン１１Ｂが形成される。絶縁材料パターン１１Ｂの形成は、以下のように行われる。
まず、図５（ｃ）に示すように、基板１０Ａが液滴吐出装置４のステージ１０６上に位置決めされる。そうすると、液滴吐出装置４は、下地領域２０に対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、液滴吐出装置４は、第４吐出データに応じて、絶縁材料パターン１１Ｂに対応する位置にノズル１１８が達する毎に、絶縁層７の表面または配線パターン２５の表面へ液状の絶縁材料１１Ａの第２液滴Ｄ４がノズル１１８から吐出される。すると、下地領域２０上に複数の第２液滴Ｄ４が着弾して濡れ広がる。そして、着弾した複数の第２液滴Ｄ４が濡れ広がると、絶縁層７上及び配線パターン２５上に絶縁材料パターン１１Ｂが形成される。
【００４６】
本実施形態では、第２液滴Ｄ４は、ポリイミド系樹脂を有機溶剤に分散させた溶剤型の液滴である。
絶縁材料パターン９Ｂ及び絶縁材料パターン１１Ｂは、液状絶縁膜である。
【００４７】
絶縁層７の表面は、先の親液化工程によって、液状の絶縁材料１１Ａに対して親液性を呈する。このため、絶縁層７の表面に着弾した絶縁材料１１Ａの第２液滴Ｄ４は、これらの表面上で均一に濡れ広がる。
【００４８】
次に、図５（ｄ）に示すように、得られた絶縁材料パターン１１Ｂが半硬化されて絶縁材料パターン１１Ｂ'が形成される。具体的には、光照射装置１４０から紫外域の波長を有する光が所定時間だけ絶縁材料パターン１１Ｂに照射されて半硬化状態にある絶縁材料パターン１１Ｂ'が得られる。
【００４９】
半硬化状態にある絶縁材料パターン１１Ｂ'が得られた後、基体１０Ｂが加熱され、絶縁材料パターンにおける樹脂がほぼ完全に硬化する。この結果、図６（ａ）に示すように、半硬化状態の絶縁材料パターン９Ｂ'が硬化した硬化絶縁膜３０を構成する第１膜部９となり、半硬化状態の絶縁材料パターン１１Ｂ'が硬化した硬化絶縁膜３０を構成する第２膜部１１となる。
【００５０】
第１液滴Ｄ３の吐出による絶縁材料パターン９Ｂの形成、絶縁材料パターン９Ｂを半硬化して絶縁材料パターン９Ｂ'を形成する工程、基体１０Ｂの加熱によって絶縁材料パターン９Ｂ'を硬化して第１膜部９を形成する工程からなる一連の工程は、膜形成領域の縁に第１液滴Ｄ３を吐出して第１膜部９を形成する工程である。
【００５１】
第２液滴Ｄ４の吐出による絶縁材料パターン１１Ｂの形成、絶縁材料パターン１１Ｂを半硬化して絶縁材料パターン１１Ｂ'を形成する工程、基体１０Ｂの加熱によって絶縁材料パターン１１Ｂ'を硬化して第２膜部１１を形成する工程からなる一連の工程は、膜形成領域の縁以外の部分に第２液滴Ｄ４を吐出して第２膜部１１を形成する工程である。
【００５２】
硬化絶縁膜３０が形成された後、図６（ａ）に示すように、液滴吐出装置５を用いて第１膜部９に縁取られたビアホール４０Ａ，４０Ｂが導電性材料１５Ａで充填される。導電性材料１５Ａの充填は、以下のように行われる。
【００５３】
まず、液滴吐出装置５は、基体１０Ｂに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、液滴吐出装置５は、ノズル１１８から導電性材料１５Ａの液滴Ｄ５を吐出する。吐出された導電性材料１５Ａの液滴Ｄ５は、ビアホール４０Ａ，４０Ｂによって露出した導電層８のパターン（配線パターン２５）に着弾する。そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂ内を満たすのに充分な数の液滴Ｄ５がビアホール４０Ａ，４０Ｂ内に着弾することによって、図６（ａ）に示すように、ビアホール４０Ａ，４０Ｂが導電性材料１５Ａで満たされる。
【００５４】
次に、液滴吐出装置５を用いて導電性材料１５Ａの液滴Ｄ５が吐出され、図６（ｂ）に示すように、２つのビアホール４０Ａ，４０Ｂを結ぶ導電性材料パターン１５Ｂが第１膜部９及び第２膜部１１上に形成される。そして、ビアホール４０Ａ，４０Ｂ内の導電性材料１５Ａと導電性材料パターン１５Ｂとが加熱されて活性化され、導電性材料１５Ａにおける銀の微粒子が燒結又は融着される。このような活性化の結果、図６（ｃ）に示すように、２つのビアホール４０Ａ，４０Ｂ内に位置する導電ポスト４１Ａ，４１Ｂと、導電ポスト４１Ａ，４１Ｂに連結された配線パターン１５とが得られる。
【００５５】
配線パターン２５の一部である配線２５Ａと配線２５Ｃとは、導電ポスト４１Ａ，４１Ｂと配線パターン１５とによって、互いに電気的に連結される。一方、配線パターン２５の一部である配線２５Ｂは、配線２５Ａに対しても配線２５Ｃに対しても電気的絶縁を保たれる。
【００５６】
次に、第１膜部９及び第２膜部１１の表面と配線パターン１５の表面とが親液化される。その後、図６（ｃ）に示すように液滴吐出装置６による液状の絶縁材料１７Ａ（液滴Ｄ６）の吐出工程によって、第１膜部９及び第２膜部１１と、配線パターン１５とを覆う絶縁材料層１７Ｂが形成される。そして、図６（ｄ）に示すように、絶縁材料層１７Ｂが硬化されて絶縁層１７が形成される。
【００５７】
その後、クリーンオーブンで基体１０Ｂが加熱されて絶縁層１７におけるポリマーの重合反応が完全に進行される。以上の工程を経て、基体１０Ｂから図６（ｃ）に示す配線基板１０が得られる。
【００５８】
本実施形態では以下の効果が得られる。
（１）硬化絶縁膜３０の縁（つまり、絶縁材料パターン９Ｂ’）が硬化前後での体積変化の小さい第１液滴Ｄ３を用いて形成されるため、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）の膜厚を確保することができる。
【００５９】
（２）高分子材料からなる絶縁膜においては、膜の緻密性が高くなるほど、膜の圧縮応力が高くなり、膜の緻密性が低くなるほど、膜の圧縮応力が低くなる傾向がある。溶剤型の絶縁材料からなる膜では、溶剤が蒸発することによって膜が形成されるため、膜の緻密性が低くなり、反りの生じにくい絶縁膜が形成される。しかし、無溶剤型の絶縁材料からなる膜では、硬化後には緻密性が高い絶縁膜が形成されるため、基板が反り易くなる。
【００６０】
硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）以外の硬化絶縁膜３０の部分（つまり、絶縁材料パターン１１Ｂ）が硬化前後での体積変化の大きい第２液滴Ｄ４を用いて形成されるため、基板１０Ａの反りが抑制される。
【００６１】
（３）溶剤型の液滴は、硬化後には溶剤が抜けるため、硬化前後での体積変化が大きく、無溶剤型の液滴は、硬化前後での体積変化が溶剤型の液滴に比べて小さい。従って、無溶剤型の液滴は、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）を形成する第１液滴Ｄ３として好適であり、溶剤型の液滴は、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）以外の硬化絶縁膜３０の部分（絶縁材料パターン１１Ｂ）を形成する第２液滴Ｄ４として好適である。
【００６２】
なお、絶縁材料としては、形成時には液滴として吐出可能な液状であり、その後に固形化可能なものであれば特に限定されるものではない。このような材料としては、樹脂を溶媒に溶解した溶液を塗布した後、溶剤を除去するようにしたもの、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、樹脂溶液、微粒子分散液等種々の樹脂や微粒子を挙げることができる。
【００６３】
絶縁材料としては、一般的に、ポリイミド、アクリル樹脂、ノボラック系樹脂等の有機材料が使用される。上記の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、メチルメタクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を採用することができる。
【００６４】
絶縁材料は、接触させる樹脂や溶液に溶解あるいは反応してはいけないため、吐出後に光又は熱により硬化する硬化性樹脂であることが好ましい。
このような光硬化性樹脂は、通常少なくとも１個以上の官能基を有し、光重合開始剤に光を照射することにより発生するイオン又はラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、分子量を増加させ必要であれば架橋構造の形成を行うモノマーやオリゴマーと、光重合開始剤とを少なくとも有する樹脂組成物を硬化させたものである。ここでいう官能基とは、ビニル基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、エポキシ基などの反応の原因となる原子団もしくは結合様式をいう。
【００６５】
又、熱硬化性樹脂は、通常少なくとも１個以上の官能基を有し、熱重合開始剤に熱を加えることにより発生するイオン又はラジカルによりイオン重合、ラジカル重合を行い、分子量を増加させ必要であれば架橋構造の形成を行うモノマーやオリゴマーと、熱重合開始剤とを少なくとも有する樹脂組成物を硬化させたものである。ここでいう官能基とは、ビニル基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、エポキシ基などの反応の原因となる原子団もしくは結合様式をいう。
【００６６】
又、ワニスのように樹脂の溶液では、ポリイミドのようにあらかじめ耐熱性の優れたポリマーを溶解させておき、乾燥により析出させることで、光や熱で硬化させることなく、採用することができる。
【００６７】
又、耐熱性と優れた光透過性を獲得できるという点で、微粒子分散液を採用することもできる。微粒子としては、シリカ、アルミナ、チタニア、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、アクリル樹脂、有機シリコーン樹脂、ポリスチレン、尿素樹脂、ホルムアルデヒド縮合物などの微粒子が挙げられ、これらのうちの一種が用いられ、あるいは複数種が混合されて用いられる。微粒子を採用した場合は、乾燥により堆積することで凝集させ、絶縁層として使用することができる。また、粒子間および基板粒子間で密着性を向上させるため、粒子表面に感光性あるいは感熱性の表面処理を施してもよい。
【００６８】
上記絶縁材料の液滴は、目的の機能を損なわない範囲で必要に応じてフッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節材を微量添加することができる。これらの表面張力調節材は、塗布対象物への濡れ性の制御を可能とし、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
【００６９】
このようにして調製した絶縁材料の液滴の粘度は、１〜５０ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。液滴吐出装置にて溶液を塗布する場合、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が液滴の流出により汚染され易く、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。より好ましくは５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。
【００７０】
さらに、このようにして調製した絶縁材料の液滴の表面張力は、０．０２〜０．０７Ｎ／ｍの範囲に入ることが望ましい。液滴吐出装置にて溶液を塗布する場合、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液滴のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲がりが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため液滴の吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。
【００７１】
（４）ビアのデザインルールは、ビアホールの開口径によって規定されるが、本実施形態では、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）を形成する第１液滴Ｄ３の硬化前後での体積変化が小さいため、縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）の接触角が硬化後に小さくならない。つまり、硬化におけるビアホールの開口径が大きくならない。従って、硬化絶縁膜３０の縁（絶縁材料パターン９Ｂ’）のみを無溶剤型の第１液滴Ｄ３で形成する構成は、ビアのデザインルールの大きさの抑制に寄与する。
【００７２】
本発明では以下のような実施形態も可能である。
○液状の絶縁材料パターン９Ｂを形成した後に、液状の絶縁材料パターン１１Ｂを形成、絶縁材料パターン９Ｂ，１１Ｂを同時に硬化させてもよい。
【００７３】
○１つの液滴吐出装置（例えば液滴吐出装置１）が、互いに異なる２つ以上の液状材料を吐出してもよい。この場合、これら２つ以上の液状の材料は、液滴吐出装置１における別々のノズル１１８から吐出されてもよいし、液滴吐出装置１における１つのノズル１１８から吐出されてもよい。
【００７４】
○基板１０Ａとして、セラミック基板、ガラス基板、エポキシ基板、ガラスエポキシ基板あるいはシリコン基板などを用いてもよい。
前記した実施形態から把握できる技術思想について以下に記載する。
【００７５】
〔１〕前記絶縁膜は、ビアホールを備えており、前記縁は、前記ビアホールを縁取る絶縁材料パターンである請求項１及び請求項２のいずれか１項に記載の配線基板。
【符号の説明】
【００７６】
１，２，３，４，５，６…液滴吐出装置。９…第１膜部。１０…配線基板。１１…第２膜部。９Ａ，１１Ａ…絶縁材料。９Ｂ，１１Ｂ…液状絶縁膜を構成する絶縁材料パターン。１９Ａ，１９Ｂ…膜形成領域としての下地領域。１９１Ａ，１９１Ｂ…縁。３０…硬化絶縁膜。Ｄ３…第１液滴。Ｄ４…第２液滴。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料を含む液滴が膜形成領域に吐出されて該膜形成領域に液状絶縁膜が形成され、該液状絶縁膜が硬化されて前記膜形成領域に絶縁膜が形成される配線基板において、
前記絶縁膜は、前記膜形成領域の縁に形成された第１膜部と、前記縁を除いた前記膜形成領域に形成された第２膜部とを備え、
前記第１膜部を形成する第１液滴と前記第２膜部を形成する第２液滴とは、硬化前後における体積変化量に関して異なり、
前記第１液滴の体積変化量は、前記第２液滴の体積変化量よりも小さい配線基板。
【請求項２】
前記第１液滴は、無溶剤型の液滴であり、前記第２液滴は、溶剤型の液滴である請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁材料を含む液滴を膜形成領域に吐出して該膜形成領域に液状絶縁膜を形成し、該液状絶縁膜を硬化して前記膜形成領域に絶縁膜を形成する配線基板の製造方法において、
前記膜形成領域の縁に第１液滴を吐出して第１膜部を形成する工程と、
前記縁を除いた前記膜形成領域に第２液滴を吐出して第２膜部を形成する工程とを備え、
前記第１膜部を形成する第１液滴と前記第２膜部を形成する第２液滴とは、硬化前後における体積変化量に関して異なり、
前記第１液滴の体積変化量は、前記第２液滴の体積変化量よりも小さい配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１液滴は、無溶剤型の液滴であり、前記第２液滴は、溶剤型の液滴である請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
絶縁材料を含む液滴が膜形成領域に吐出されて該膜形成領域に液状絶縁膜が形成され、該液状絶縁膜が硬化されて前記膜形成領域に絶縁膜が形成される配線基板において、
前記絶縁膜は、前記膜形成領域の縁に形成された第１膜部と、前記縁を除いた前記膜形成領域に形成された第２膜部とを備え、
前記第１膜部を形成する第１液滴と前記第２膜部を形成する第２液滴とは、硬化前後における体積変化量に関して異なり、
前記第１液滴の体積変化量は、前記第２液滴の体積変化量よりも小さい配線基板。
【請求項２】
前記第１液滴は、無溶剤型の液滴であり、前記第２液滴は、溶剤型の液滴である請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
絶縁材料を含む液滴を膜形成領域に吐出して該膜形成領域に液状絶縁膜を形成し、該液状絶縁膜を硬化して前記膜形成領域に絶縁膜を形成する配線基板の製造方法において、
前記膜形成領域の縁に第１液滴を吐出して第１膜部を形成する工程と、
前記縁を除いた前記膜形成領域に第２液滴を吐出して第２膜部を形成する工程とを備え、
前記第１膜部を形成する第１液滴と前記第２膜部を形成する第２液滴とは、硬化前後における体積変化量に関して異なり、
前記第１液滴の体積変化量は、前記第２液滴の体積変化量よりも小さい配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１液滴は、無溶剤型の液滴であり、前記第２液滴は、溶剤型の液滴である請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２４５４４５（Ｐ２０１０−２４５４４５Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９５１８７（Ｐ２００９−９５１８７）
【出願日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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