配線基板及び電子部品の実装構造
【課題】導電部材を介して半導体素子等の電子部品が実装される配線基板及び前記電子部品の当該配線基板への実装構造であって、前記電子部品の凸状の外部接続端子と配線基板の導電層との接合安定性（歩留まり）を向上させた信頼性の高い実装構造を実現する配線基板及び電子部品実装構造を提供する。
【解決手段】一方の主面に、電子部品１２の外部接続端子１４が接続される電極端子１６が複数個、列状に配設された配線基板１１は、前記電極端子１６が、それぞれ、第１の直線状部１６−１と、当該第１の直線状部１６−１の端部に於いて当該第１の直線状部１６−１とは異なる方向に延びる第２の直線状部１６−２と、前記第１の直線状部１６−１と前記第２の直線状部１６−２とが連続する部位に於ける屈曲部１６−３とを有することを特徴とする。
【解決手段】一方の主面に、電子部品１２の外部接続端子１４が接続される電極端子１６が複数個、列状に配設された配線基板１１は、前記電極端子１６が、それぞれ、第１の直線状部１６−１と、当該第１の直線状部１６−１の端部に於いて当該第１の直線状部１６−１とは異なる方向に延びる第２の直線状部１６−２と、前記第１の直線状部１６−１と前記第２の直線状部１６−２とが連続する部位に於ける屈曲部１６−３とを有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び電子部品の実装構造に関し、より具体的には、導電部材を介して半導体素子等の電子部品が実装される配線基板及び前記電子部品の配線基板への実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を基材とし、一方の主面に銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設された配線基板を用い、前記導電層に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）の主面に配設された凸状（突起状）の外部接続端子が接続され、一方、前記配線基板の他方の主面には選択的に形成された電極の表面に球状電極端子等の外部接続端子が配設されてなる半導体装置がある。即ち、半導体素子は所謂フリップチップ（フェイスダウン）状態で、配線基板に搭載されている。
【０００３】
このようなフリップチップ実装構造に於いて、ワイヤバンプとも称される凸状外部接続端子は、前記半導体素子の主面の外部接続端子用の電極パッド上にワイヤボンディング技術を用いた所謂ボールボンディング法によって形成される。
【０００４】
かかる凸状外部接続端子は、前記配線基板上の導電層に対して、半田等の導電性部材をもって接続固着される。
【０００５】
このような実装構造においては、半導体素子の配線基板への実装の際、当該半導体素子の凸状外部接続端子と配線基板の導電層との間に、電気的接続の安定性を十分確保する必要があり、そのため、例えば配線基板の導電層に選択的に幅広の部位を設け、当該幅広部に導電部材を厚く配設する方法が提案されている。
【０００６】
即ち、導電層であるパッド上に半田層が配設された回路基板において、前記パッドの幅をその長手方向の一部で広くし、その幅広部に他の部分より半田層の厚さが厚い半田盛り上がり部を形成した構造（特許文献１参照）、或いはパッドの幅をその中間部において広くし、パッド幅広部の長さ方向の中心を部品リードの平坦部の長さの範囲内に位置させ、パッド幅広部の長さを部品リードの平坦部の長さより長くして、パッド幅広部に他の部分より大きな厚さを有するはんだ盛り上がり部を形成した構造（特許文献２参照）が提案されている。
【０００７】
また、配線パターンをソルダーレジストにより選択的に被覆し、露出する配線パターンの領域を電極とした回路パターンにおいて、電極が、左右の長さ方向に沿って最大幅の箇所を１箇所だけ存在するように形成された回路パターン（特許文献３参照）、或いは回路基板上に、半田を介して半導体素子に設けられたバンプがフリップチップ実装される導体パターンを形成してなるフリップチップ実装基板において、導体パターンを配線パターンと、バンプが接合される接続パッドとにより構成し、前記配線パターンの幅寸法に対し、接続パッドの幅寸法を大きくした構造（特許文献４参照）が提案されている。
【０００８】
更に、基板上に複数の配線パターンが列状に配設され、それぞれの配線パターンの第１の直線状部が互いに平行又は非平行に形成され、配線パターンの第２の直線状部が同一直線上に形成された構造（特許文献５参照）も提案されている。かかる構造にあっては、各配線パターンにおいて、第２の直線状部が、第１の直線状部と第２の直線状部とが連続する箇所に位置する各屈曲部がなす各配線パターンの列方向に、第1の直線状部から延在している。
【特許文献１】特開平５−３０８１８４号公報
【特許文献２】特開平６−２１６５０７号公報
【特許文献３】実用新案登録第３１１５０６２号公報
【特許文献４】特開２０００−７７４７１号公報
【特許文献５】特開２００４−４００５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、近年、配線基板に実装される半導体素子は小型化・多端子化しており、また、このような半導体素子の配線基板に対する高密度実装が要求されている。
【００１０】
従って、このような要求に対応するために半導体素子の凸状外部接続端子のピッチを微細化すると、上述の各特許文献中に開示されている態様では、配線基板の、隣接して設けられた電極（導電層）の幅広部間の間隙は狭くなる。
【００１１】
そのため、半導体素子を配線基板に実装する際に、半導体素子の凸状外部接続端子と配線基板の導電層とにより形成され隣接して設けられた接続部の間に於いて、幅広部に設けられた導電部材がはみ出してしまう恐れがある。その結果、当該接続部間に於いて、ショート（短絡）或いは電流リークが発生して、半導体素子の凸状外部接続端子と配線基板の電極（導電層）との電気的接続の信頼生が低下してしまう。
【００１２】
また、特許文献５に示される構造に於いては、隣接する配線パターンのそれぞれの第２の直線状部が、各配線パターンの列方向に同一直線上に配置されているため、配線パターン間のピッチを微細化することは困難である。
【００１３】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、導電部材を介して半導体素子等の電子部品が実装される配線基板及び前記電子部品の当該配線基板への実装構造であって、前記電子部品の凸状外部接続端子と配線基板の導電層との接合安定性（歩留まり）を向上させた信頼性の高い実装構造を実現する配線基板及び電子部品実装構造を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一観点によれば、一方の主面に、電子部品の外部接続端子が接続される電極端子が複数個、列状に配設された配線基板であって、前記電極端子は、それぞれ、第１の直線状部と、当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部と、を有することを特徴とする配線基板が提供される。
【００１５】
本発明の別の観点によれば、電子部品が、導電部材を介して配線基板上の電極端子に実装される電子部品の実装構造であって、一方の主面に、それぞれ、第１の直線状部と、当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部とを具備してなる前記電極端子が、複数個、列状に配設された前記配線基板の、前記電極端子の前記屈曲部に、導電部材を介して、前記電子部品の外部接続端子が接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、導電部材を介して半導体素子等の電子部品が実装される配線基板及び前記電子部品の当該配線基板への実装構造であって、前記電子部品の凸状外部接続端子と配線基板の導電層との接合安定性（歩留まり）を向上させた信頼性の高い実装構造を実現する配線基板及び電子部品実装構造を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
なお、以下では、本発明の実施の形態に係る配線基板に実装される電子部品として、半導体素子を例にして説明するが、当該電子部品は、半導体素子に限定されるものではなく、半導体素子を樹脂封止した半導体装置、或いは受動素子等であってもよい。
【００１９】
本発明の実施の形態に係る配線基板上に、半導体素子が実装された半導体装置の実装構造を、図1に示す。これを半導体装置１０とする。
【００２０】
同図において、当該半導体装置１０にあっては、配線基板１１の一方の主面（上面）上に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）１２がフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載・固着されている。
【００２１】
ここで配線基板１１は、ガラスエポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、或いはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、又はセラミック，ガラス等の無機材料を基材とし、その表面及び／或いは内部に銅（Ｃｕ）等からなる配線層が選択的に配設されている。当該配線基板１１は、インターポーザー又は支持基板と称される場合もある。
【００２２】
当該配線基板１１の一方の主面であって、半導体素子が搭載される主面上には、前記配線層に接続された導電層１３が選択的に配設されている。
【００２３】
そして、当該導電層１３を選択的に覆って、即ち、半導体素子１２の外部接続端子１４が接続される部位及びその周囲を除いて、ソルダーレジスト層（絶縁樹脂膜）１５が選択的に被覆されている。当該ソルダーレジストは、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系等の樹脂又はこれらの混合樹脂等からなる。
【００２４】
この結果、当該ソルダーレジスト層１５に設けられた開口部において、導電層１３の一部が電極端子１６として表出している。ソルダーレジスト層１５は、導電層１３に於ける半導体素子１２との接続領域、即ち電極端子１６の表出部を画定している。
【００２５】
尚、配線基板１１の他方の主面（裏面）にも、選択的に導電層が設けられ、当該導電層には、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子が複数配設されるが、本実施の形態にあっては図示しない。
【００２６】
一方、半導体素子１２にあっては、周知の半導体製造プロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）等の半導体、或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の化合物半導体からなる半導体基板１７の一方の主面に電子回路が形成されている。
【００２７】
ここでは、当該半導体素子１２にあって、半導体基板１７に形成されたトランジスタ等の能動素子及び／或いは容量素子等の受動素子、並びに一方の主面上に形成された多層配線層及び／或いは再配線層を図示することを省略している。
【００２８】
当該半導体基板１７の一方の主面には、電子回路部の周囲に位置して、外部接続用端子パッド１８が列状に配設され、当該外部接続用端子パッド１８それぞれの上には凸状外部接続端子１４が配設されている。
【００２９】
前記外部接続用端子パッド１８は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの合金等をもって形成され、一方、凸状外部接続端子１４は、例えば所謂ボールボンディング法によって金（Ａｕ）ボールが固着・接続されて台座部が形成され、更に当該台座部上に突出する部位からなる凸状部が一体に形成される。尚、凸状外部接続端子１４の頂部は、必要に応じて平坦化処理が施される。
【００３０】
また、外部接続端子パッド１８の露出表面（最上層）には、予め電解めっき法又は蒸着法等により金（Ａｕ）層が形成されてもよい。
【００３１】
そして、凸状外部接続端子１４は、例えば銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）と金（Ａｕ）の合金、又は半田等から構成されてもよい。
【００３２】
かかる半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の少なくとも凸状部と、これに対応する前記配線基板１１上の電極端子１６は、再溶融性を有する導電部材１９によって共通に被覆され、機械的・電気的に接続されている。
【００３３】
当該導電部材１９としては、半田からなる導電部材が効果的である。半田は再溶融性を有するが、導電性樹脂接着剤の如き他の再溶融性を有する導電材料に比べ、加熱溶融時の流動性が高く、導電部材１９の材料として好適である。また、導電部材１９として半田を用いる場合、配線基板１１のプリコート用の半田材料を使用でき、半田プリコート技術を適用できるため便利であり、また、材料コストも安く抑えることができる。
【００３４】
このように、配線基板１１の一方の主面上に、フリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載・固着された半導体素子１２と当該配線基板１１の一方の主面との間には、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等からなる熱硬化性接着剤等の、アンダーフィル材２０が充填されている。
【００３５】
この様な半導体素子の実装形態が採られる半導体装置１０の、前記配線基板１１に於ける、電極端子１６の形態について、図２乃至図４をもって説明する。
【００３６】
ここでは、図１に示した構成に於いて点線により囲まれた部位Ａに於ける、配線基板１１の一方の主面に於ける電極端子の配設形態を図２に示す。尚、同図にあっては、半導体素子１２並びにアンダーフィル材２０の図示を省略している。また、当該図２に示す配線基板１１に於けるＸ−Ｘ断面を、図３に示す。
【００３７】
図２に示される様に、配線基板１１の一方の主面上に配設された複数配設された導電層１３を選択的に覆ってソルダーレジスト層１５が配設され、当該ソルダーレジスト層１５により被覆されない導電層１３の一部が電極端子１６として表出している。
【００３８】
尚、同図に於いて、配線基板１１上にフリップチップ実装される半導体素子１２の外周縁部を破線Ｂにて示し、当該半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が接続される電極端子１６の接続部位を破線円Ｃにて示している。即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。
【００３９】
即ち、本実施の形態にあっては、配線基板１１の一方の主面にあって、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が接続される導電層１３は、電極端子１６部分に於いて、第１の直線状部１６−１と、当該第１の直線状部１６−１の端部に於いて当該第１の直線状部１６−１とは異なる方向に延びる第２の直線状部１６−２と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部１６−３とを具備している。
【００４０】
また、隣り合う電極端子１６間にあっては、第１の直線状部１６−１相互間のそれぞれ、並びに第２の直線状部１６−２相互間のそれぞれが平行に配設されている。
【００４１】
電極端子１６に於ける、第１の直線状部１６−１と第２の直線状部１６−２が連続する屈曲部１６−３にあっては、第１の直線状部１６−１と第２の直線状部１６−２との間は、所定の角度（本実施の形態にあっては鈍角）をもって、略「くの字」状に屈曲している。
【００４２】
当該屈曲部１６−３に、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が接続される。
【００４３】
そして、各電極端子１６の屈曲部１６−３は、接続される半導体素子１２の外部接続用端子パッド１８の配置に対応して、同一線上に並んで配設されている。
【００４４】
この様な構造を有する電極端子１６に、導電部材１９を被覆した状態を図４に示す。
【００４５】
前述の如く、電極端子１６の表面には、再溶融性を有する導電部材１９が配設され、当該導電部材１９を介して、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が固着・接続される。
【００４６】
本実施の形態の形態にあっては、図４に示されるように、電極端子１６の屈曲部１６−３に被着された導電部材１９の厚さは、第１の直線状部１６−１並びに第２の直線状部１６−２上に被着された導電部材１９の厚さよりも大きい。
【００４７】
この様に、一つの電極端子１６に於いて、導電部材１９の厚さの差異を生ずる理由について、図５を参照して説明する。ここで、図５（ａ）は、電極端子１６の１つを示し、図５（ｂ）は当該電極端子１６の屈曲部１６−３に於ける断面（図５（ａ）の線ａ−ａに於ける断面）を示し、また図５（ｃ）は当該電極端子１６の一方の直線状部１６−２の断面（図５（ａ）の線ｂ−ｂ）を示している。なお、図５（ｃ）では、一方の直線状部１６−２の断面を示しているが、他方の直線状部１６−１も同様の断面構造を有する。
【００４８】
ここで、導電部材１９の表面張力をγ、外気圧力をＰｏとし、電極端子１６の屈曲部１６−３の、図５（ａ）の線ａ−ａに沿う断面に於ける導電部材１９の内部圧力をＰａ、電極端子６の第２の直線状部１６−２の、図５（ａ）の線ｂ−ｂに沿う断面に於ける導電部材１９の内部圧力をＰｂ、電極端子１６の屈曲部１６−３の、図５（ａ）の線ａ−ａに沿う断面に於ける導電部材１９の曲率半径をＲａとし、更に電極端子１６の第２の直線状部１６−２の図５（ａ）の線ｂ−ｂに沿う断面に於ける導電部材１９の曲率半径をＲｂとする。
【００４９】
表面張力に関するラプラス（Ｌａｐｌａｃｅ）の定理より、式（１）及び（２）が成立する。
【００５０】
ΔＰａ＝Ｐｏ−Ｐａ＝２γ／Ｒａ ・・・式（１）
ΔＰｂ＝Ｐｏ−Ｐｂ＝２γ／Ｒｂ ・・・式（２）
前記導電部材１９が溶融し、その表面張力が作用して平衡状態にある時には、電極端子１６の屈曲部１６−３に於ける導電部材１９の内部圧力Ｐａと、電極端子１６の第２の直線状部１６−２に於ける導電部材１９の内部圧力Ｐｂとは等しくなり、式（１）及び式（２）より、式（３）が得られる。
【００５１】
Ｒｂ＝Ｒａ ・・・式（３）
一方、前記屈曲部１６−３に於ける屈曲角θと、当該屈曲部１６−３の幅（最大幅）Ｄａ、及び第２の直線状部１５−２の幅Ｄｂとの間には、次の関係式（４）が成り立つ。
【００５２】
Ｄａ=［１／{ｓｉｎ（０．５θ）}］×Ｄｂ ・・・式（４）
このとき、屈曲部１６−３の屈曲角θは、０度<θ<１８０度であり、この範囲に於いては、式（４）より、次の関係式（５）が得られる。
【００５３】
Ｄａ>Ｄｂ ・・・式（５）
かかる式（３）及び式（５）より、導電部材１９が平衡状態及び溶融状態にあるとき、電極端子１６の屈曲部１６−３に於ける断面（図５（ａ）の線Ａ−Ａに沿う断面）上の導電部材１９の厚さＨａ、及び電極端子１６の第２の直線状部１６−２に於ける断面（図５（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿う断面）上の導電部材１９の厚さＨｂについて、以下の関係式（６）が得られる。
【００５４】
Ｈａ>Ｈｂ ・・・式（６）
この様に、電極端子１６の屈曲部１６−３に於いては、第１の直線状部１６−１並びに第２の直線状部１６−２に比し、大なる高さ（厚さ）をもって導電部材１９が配設される。
【００５５】
尚、電極端子１６が微細になるほど重力の影響は小さくなることから、作用原理の理解を容易にする為、式（１）乃至式（６）の説明に於いては、導電部材１９に作用する重力の影響を無視し、また導電部材１９は電極端子１６の上面部のみに於いて濡れ形成され、曲率半径が一定であるモデルを用いている。
【００５６】
この様に、電極端子１６の実効的な幅が異なることにより、その表面に被着される導電部材１９の厚さ（高さ）が異なる。即ち、前記図４に示すように、電極端子１６上に導電部材１９を被着した後、加熱してその流動性を高めると、液状になった導電部材１９はその表面張力により、屈曲部１６−３においてその厚みが最大となる。
【００５７】
この状態に於いて導電部材１９を、降温又は固化することにより、当該導電部材１９は屈曲部１６−３に於いて、第１の直線状部１６−１並びに第２の直線状部１６−２に比べ大なる厚さをもって形成される。
【００５８】
即ち、電極端子１６上に導電部材１９を被覆形成する際、当該電極端子１６に於いて、半導体素子１３の凸状外部接続端子１４が接続される部位である屈曲部１６−３に於ける導電部材１９の被覆厚さ（高さ）を厚く（高く）形成することができる。
【００５９】
この様に、本実施の形態にあっては、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４を配線基板１１上の電極端子１６へ接続する際、十分な量（厚さ）をもって導電部材１９を配置することができ、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の高さの不均一性及び／或いは配線基板１１の反りを吸収することができる。これにより、配線基板１１上に半導体素子１２をフリップチップ実装する際に、その接続安定性（歩留まり）を高めることができる。
【００６０】
尚、電極端子１６の屈曲部１６−３の屈曲角を鋭角とすることにより、当該電極端子１６に導電部材１９を被覆形成する際に、当該局部的１６−３に於ける被着高さをより大とすることができるが、当該屈曲角は電極端子の幅、相互の間隔などにより適宜選択される。
【００６１】
この様に、導電部材１９は、電極端子１６の屈曲部１６−３に於いて大なる厚さをもって形成される。従って、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４のピッチが微細化され、これに対応して配線基板１１の各電極端子１６の幅が微細化された場合であっても、当該凸状外部接続端子１４を大きな接続強度をもって接続することができる。
【００６２】
また、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の高さのバラツキ、或いは配線基板１１の反りが吸収されて、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と配線基板１１のボンディング電極１５との電気的接続を確実ならしめることができる。
【００６３】
一方、前記複数個の電極端子１６は、第１の直線状部１６−１が互いに並行となる様配設され、一方第２の直線状部１６−２も互いに並行となるよう配設されることから、配線基板１１上に於ける当該電極端子１６の高い配置密度を得ることができる。
【００６４】
また、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の配設ピッチが微細化され、これに対応して配線基板１１上の電極端子１６の幅が微細化される場合にあっても、当該配線基板１１上に半導体素子１２をフリップチップ実装する際、電極端子間の短絡或いは電流リークの発生を抑制することができ、もって高い信頼性を有する実装構造を実現することができる。
【００６５】
次に、図６及び図７を参照して、前記配線基板１１への半導体素子１２の実装工程を説明する。
【００６６】
先ず、ボンディングステージ（図示せず）上に載置・固定された配線基板１１と、吸着用治具２１に吸着・保持された半導体素子１２とを対向せしめる。（図６（ａ）参照）
配線基板１１は、前述の如く、ガラスエポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、或いはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、又はセラミック、ガラス等の無機材料を基材とし、その表面及び／或いは内部に、銅（Ｃｕ）等からなる配線層が選択的に配設されている。
【００６７】
かかる配線基板１１の一方の主面（上面）には、前記配線層に接続された導電層１３が配設されている。当該導電層１３は、ソルダーレジスト層（絶縁樹脂膜）１５により選択的に被覆され、当該ソルダーレジスト層１５の開口部に於いて、複数の電極端子１６が露出している。
【００６８】
当該電極端子１６は、所謂フォトエッチング法、選択メッキ法等により形成され、前記図２に示すところの、本発明思想に従ったパターン形状に形成される。即ち、当該電極端子１６は、第１の直線状部１６−１と第２の直線状部１６−２により構成され、当該第１の直線状部１６−１と第２の直線状部１６−２は、所定の角度を有する屈曲部１６−３を介して連続している。
【００６９】
一方、半導体素子１２は、シリコン（Ｓｉ）半導体基板１６の主面上に配設された外部接続用端子パッド１８上に、凸状外部接続端子１４が配設されている。
【００７０】
外部接続用端子パッド１８は、通常アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）或いはこれらの合金から形成され、また凸状外部接続端子１４は、外部接続用端子パッド１７の表面に、例えば所謂ボールボンディング法によって金（Ａｕ）ボールが固着・接続されて台座部が形成され、更に当該台座部上に突出する部位からなる凸状部をもって一体に形成されている。
【００７１】
尚、当該凸状外部接続端子１４の頂部に対しては、平坦化処理が施されてもよい。
【００７２】
また、当該外部接続用端子パッド１８表面への凸状外部接続端子１４の形成法として、電解めっき法又は無電解めっき法により、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等を被着させる方法を適用してもよい。
【００７３】
更に、当該外部接続用端子パッド１８の露出表面（最上層）には、電解めっき法又は蒸着法等により、金（Ａｕ）層を形成してもよい。
【００７４】
一方、前記配線基板１１の電極端子１６には、予め例えば錫（Ｓｎ）を主体とする半田からなる導電部材１９が、印刷法、メッキ法或いは蒸着・リフロー法等により、被覆・形成されている。
【００７５】
このとき、電極端子１６の屈曲部１６−３に配設された導電部材１９の厚さ（鉛直方向の高さ）は、前述の如く、第１の直線状部１６−１並びに第２の直線状部１６−２上に配設された導電部材１９の厚さよりも厚い。
【００７６】
この様な電極構造を有する半導体素子１２の外部接続端子１４を、配線基板１１の電極端子１６の屈曲部１６−３に位置合わせし、対向させる。
【００７７】
尚、前記吸着用治具２１は、加熱樹段（図示せず）により、前記導電部材１９の融点以上の温度（例えば１８０℃乃至２６０℃）に予め加熱しておく。
【００７８】
かかる状態に於いて、半導体素子１２を吸着保持する吸着用治具２１を降下させ、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４を配線基板１１の電極端子１６の表面を覆う導電部材１９に接触させ、更に吸着用治具２１により加重を付加して導電部材１９を溶融せしめる。
【００７９】
この結果、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４は、少なくともその突出部が導電部材１９により被覆され、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と配線基板１１の電極端子１６は導電部材１９を介して接続される。（図６（ｂ）参照）
尚、前記ボンディングステージを、予め５０℃乃至１００℃程の温度に加熱して、配線基板１１を余熱しておき、導電部材１９をより短時間で昇温させることもできる。
【００８０】
このようにして、配線基板１１上の電極端子１６の屈曲部１６−３に、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が接続・固着され、当該配線基板１１に半導体素子１２を搭載した後、当該配線基板１１と半導体素子１２との間に、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等からなる熱硬化性接着剤等のアンダーフィル材２０を充填する。（図７（ｃ）参照）
当該アンダーフィル材２０は、ノズル２２を介して供給される。
【００８１】
このようにして、配線基板１１の一方の主面上に、半導体素子１２がフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載・固着され、当該半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と、これに対応する前記配線基板１１上の電極端子１６とが、導電部材１９を介して機械的・電気的に接続される。（図７（ｄ）参照）
しかる後、配線基板１１の他方の主面（下面）に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子を配設（図示せず）し、半導体装置１０を形成する。
【００８２】
尚、本発明思想によれば、配線基板上の電極端子の形状、並びに半導体素子の外部接続端子の配設構造は、前記図２に示す形態に限られず、以下に示す変形例の如き形態を採ることもできる。
【００８３】
［変形例１］
本発明の実施の形態の変形例１に係る、配線基板の電極端子形状を、図８に示す。同図に於いて、配線基板８１上に搭載される半導体素子の外周端部を破線Ｂにて示し、当該配線基板上の電極端子に半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位を破線円Ｃにて示す。
即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。
【００８４】
本変形例１にあっても、配線基板８１に配設される複数の電極端子８５は、一定の幅を有し互いに繋がっている第１の直線状部８５−１と第２の直線状部８５−２とを具備する。当該第１の直線状部８５−１と第２の直線状部８５−２は、鈍角をなす屈曲部８５−３を介して連続し、且つ互いに異なる方向に延在している。
【００８５】
かかる構成にあって、当該電極端子８５の第１の直線状部８５−１は、比較的短い直線状（短冊状）を有し、前記半導体素子の外周端部に沿う方向に複数個、且つ互いに並行に並べられて配設されている。
【００８６】
一方、第２の直線状部８５−２は、第１の直線状部８５−１の一方の端部に屈曲部８５−３を介して連続して配設されるが、その屈曲部８５−３は複数の第１の直線状部８５−１に於いて交互に選択・配置され、結果として、第２の直線状部８５−２は、第１の直線状部８５−１の一つ置きに、異なる方向（図示される形態では左下方、右上方）に延在される。
【００８７】
即ち、前記半導体素子の外周端部に沿う方向に並ぶ複数の第１の直線状部８５−１に対し、その両端の一方が交互に選択されて、第２の直線状部８５−２が導出されている。
【００８８】
従って、屈曲部８５−３、即ち半導体素子の外部接続端子が接続される部位は、半導体素子の外周端部から異なる距離をもって交互に設定されている。これにより、近接する屈曲部８５−３相互の距離を実質的に大きくすることができ、当該屈曲部８５−３に接続される半導体素子に於ける外部接続端子の、当該半導体素子の外周端部に沿う方向に於ける相互の間隔を、実質的に大きくすることができる。そして、同一方向に延在する第２の直線状部８５−２は、相互に平行となるよう配設されている。
【００８９】
［変形例２］
本発明の実施の形態の変形例２に係る配線基板の電極端子形状を、図９に示す。同図に於いて、配線基板９１上に搭載される半導体素子の外周端部を、破線Ｂにて示す。即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。また、当該配線基板上の電極端子に半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位を破線円にて示す。
【００９０】
本変形例２にあっても、配線基板９１に配設される複数の電極端子９５は、一定の幅を有し互いに繋がっている第１の直線状部９５−１と第２の直線状部９５−２とを具備する。当該第１の直線状部９５−１と第２の直線状部９５−２は、鈍角をなす屈曲部９５−３を介して連続し、且つ互いに異なる方向に延在している。
【００９１】
かかる構成にあって、電極端子９５の第１の直線状部９５−１は、前記変形例１と同様に比較的短い直線状（短冊状）を有する。そして半導体素子の外周端部に沿う方向に、傾斜して２列に配設され、且つ一つの列にあっては、互いに並行に並べられて配設されている。
【００９２】
そして、２列に並ぶ電極端子９５の第１の直線状部９５−１間にあっては、その傾斜方向が異なり、一方の列を構成する電極端子９５の第１の直線状部９５−１の端部が、当該他方の列を構成する電極端子９５の第１の直線状部９５−１の端部に近接して配設されている。
【００９３】
一方、第２の直線状部９５−２は、第１の直線状部９５−１の他方の端部、即ち他方の列から遠い側の端部に、屈曲部９５−３を介して連続して配設される。そして、当該第２の直線状部９５−２は、前記列から遠ざかる方向に延在される。
【００９４】
即ち、前記半導体素子の外周端部に沿う方向に、傾斜して２列に並ぶ複数の第１の直線状部９５−１に対し、その一方の端部（他方の列からは遠い端部）に於いて第２の直線状部９５−２が導出されている。
【００９５】
従って、屈曲部９５−３、即ち半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位は、半導体素子の外周端部から異なる寸法（距離）をもって交互に設定されている。
【００９６】
このため、近接する屈曲部９５−３相互の距離を実質的に大きくすることができ、当該屈曲部９５−３に接続される半導体素子に於ける外部接続端子の、当該半導体素子の外周端部に沿う方向に於ける相互の間隔を、実質的に大きくすることができる。
【００９７】
一方、同一方向に延在する第２の直線状部９５−２は、相互に平行となるよう配設されている。
【００９８】
この様な電極端子の配置構造を有する配線基板（変形例１、変形例２）に対して実装される半導体素子の外部接続用端子パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す。当該図１０（ａ）、図１０（ｂ）にあっては、それぞれ半導体素子の一つの隅部（コーナー部）を例示している。
【００９９】
図１０（ａ）に示す例にあっては、複数個の外部接続用端子パッド１１７が、半導体素子１１０の直線状外周縁部に沿って、且つ当該外周縁部からの距離が異なる状態をもって２列に配設されている。
【０１００】
そして、外部接続用端子パッド１１７のそれぞれには、凸状外部接続端子１１４が配設されている。即ち、当該半導体素子１００に於いては、その外周縁部に沿って、互いに平行な凸状外部接続端子１１４の列が二つ形成されている。
【０１０１】
一方、図１０（ｂ）に示す例にあっては、半導体素子１１０の外周縁部から内側に向かって延びる長方形の外部接続用端子パッド１１７が、当該半導体素子の直線状外周縁部に沿って、列状に配設されている。
【０１０２】
そして、隣接する長方形状の外部接続用端子パッド１１７間に於いては、長方形の長さ方向の異なる端部、即ち前記半導体素子の直線状外周縁部に近い端部、或いは遠い側の端部に、交互に、凸状外部接続端子１２４が配設される。即ち、当該半導体素子１１０にあっても、その外周縁部に沿って、互いに平行な凸状外部接続端子１２４の列が二つ形成されている。
【０１０３】
この様な凸状外部接続端子の配設形態を有する半導体素子を、前記図８或いは図９に示される配線基板（８１、９１）上にフリップチップ実装する際には、当該半導体素子の直線状外周縁部に沿って２列に配設された凸状外部接続端子が、配線基板上に於いて２列に配設された電極端子の屈曲部（８５−３、９５−３）に接続される。
【０１０４】
この時、２列の屈曲部のそれぞれに於いて、凸状外部接続端子は、厚く被着された（多量の）導電部材をもって、屈曲部に対して強固に接続・固着される。また、同時に当該凸状外部接続端子の高さのバラツキ、或いは配線基板の反りが吸収される。これにより、半導体素子と配線基板上の電極端子は、高い接続安定性（歩留り）及び高い接続信頼性をもって接続される。
【０１０５】
尚、前述の如く、配線基板上に列状に配設される電極端子の屈曲部、即ち半導体素子の外部接続端子が接続される部位は、近接する相互間に於いて、半導体素子の外周端部から異なる寸法（距離）をもって交互に設定されている。
【０１０６】
従って、近接する屈曲部相互の距離は実質的に大きく、当該屈曲部に接続される半導体素子に於ける外部接続端子の間隔を実質的に大きくすることができる。これにより、外部接続端子間の絶縁耐圧が確保され、もって、外部接続端子を高密度に備えた半導体素子のフリップチップ実装を行うことができる。
【０１０７】
［変形例３］
本発明の実施の形態の変形例３に係る配線基板の電極端子形状を、図１１に示す。同図に於いて、配線基板１３１上に搭載される半導体素子の外周端部を破線Ｂにて示す。即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。また、当該配線基板上の電極端子に半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位を破線円にて示す。
【０１０８】
本変形例３にあっては、配線基板１３１上に配設される複数の電極端子１３５は、一定の幅を有する第１の直線状部１３５−１と、当該第１の直線状部１３５−１の両端部から延在される第２の直線状部１３５−２Ａ，１３５−２Ｂとを具備する。
【０１０９】
そして、第１の直線状部１３５−１は、半導体素子の外周端部に沿う方向に複数個配設され、二つの第２の直線状部１３５−２Ａ，１３５−２Ｂは、当該第１の直線状部１３５−１の両端部に於いて、鈍角をなす屈曲部１３５−３Ａ，１３５−３Ｂを介して連続し、且つ互いに異なる方向に延在している。かかる構成によれば、一つの電極配線１３５に於いて、２つの屈曲部、即ち半導体素子の凸状外部接続端子の接続部が設定される。
【０１１０】
この時、半導体素子の外周端部に沿って並ぶ第１の直線状部１３５−１は、その長さが互いに等しいことから、２つの屈曲部１３５−３Ａ，１３５−３Ｂはそれぞれ半導体素子の外周端部に沿って並行に位置して配設され、列状を呈する。
【０１１１】
尚、図において、１５はソルダーレジスト層を指す。
【０１１２】
この様な電極端子の配設構造を有する配線基板１３１に対してフリップチップ実装される半導体素子の外部接続用丹治パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を、図１２に示す。当該図１２に於いても、半導体素子の一つの隅部（コーナー部）を例示している。即ち、半導体素子１３２の一つの直線状外周縁部に沿って、当該外周縁部から内側に延びる長方形状の外部接続用端子パッド１３７が複数個、列状に且つ互いに並行に配設されている。
【０１１３】
そして、一つの長方形状の外部接続用端子パッド１３７に於いては、長方形の長手方向に並んで二つの凸状外部接続端子１３４Ａ，１３４Ｂが配設される。即ち、当該半導体素子１３２にあっても、その一つの直線状外周縁部に沿って、互いに平行な凸状外部接続端子１３４が、２列に配設される。
【０１１４】
この様な凸状外部接続端子の配設構造を有する半導体素子１３２を、前記配線基板１３１上にフリップチップ実装した状態を、図１３に示す。
【０１１５】
即ち、配線基板１３１の一方の主面上に、半導体素子１３２がフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載され、当該半導体素子１３２の凸状外部接続端子１３４と、これに対応する前記配線基板１３１上の電極端子１３５とが、導電部材１９を介して機械的・電気的に接続される。
【０１１６】
ここで、半導体素子１３２の電極端子パッド１３７に配設された二つの凸状外部接続端子１３４Ａ、１３４Ｂは、配線基板１３１上の電極端子１３５−１の両端屈曲部１３５−３Ａ，１３５−３Ｂに対して導電部材１９を介して接続される。
【０１１７】
即ち、半導体素子１３２の凸状外部接続端子１３４は、一つの電極端子１３５に対して、２箇所に於いて接続され、且つ二つの凸状外部接続端子１３４Ａ，１３４Ｂはそれぞれ、厚く被着された（多量の）導電部材１９をもって、対応する屈曲部に接続・固着される。
【０１１８】
また、この時、当該凸状外部接続端子１３４の高さのバラツキ、或いは配線基板１３１の反りが吸収され、半導体素子１３２と配線基板上の電極端子１３４は、高い接続安定性（歩留り）及び高い接続信頼性をもって接続される。
【０１１９】
尚、図において、２０はアンダーフィル材を指す。
【０１２０】
［変形例４］
本発明の実施の形態の変形例４に係る配線基板の電極端子形状を、図１４に示す。同図に於いて、配線基板１５１上に搭載される半導体素子の外周端部を破線Ｂにて示す。即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。また、当該配線基板上の電極端子に半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位を破線円にて示す。
【０１２１】
本変形例４にあっては、配線基板１５１上に配設される複数の電極端子１５５は、一定の幅を有する第１の直線状部１５５−１と、当該第１の直線状部１５５−１の両端部から延在される第２の直線状部１５５−２Ａ，１５５−２Ｂとを具備する。
【０１２２】
そして、当該第１の直線状部１５５−１は、搭載される半導体素子の外周端部に沿う方向に対して傾斜し、且つ当該半導体素子の外周端部に沿う方向に、複数個互いに並行に配設される。
【０１２３】
一方、第２の直線状部１５５−２Ａ及び１５５−２Ｂは、前記第１の直線状部１５５−１の両端部に於いて、ほぼ直角をなす屈曲部１５５−３Ａ，１５５−３Ｂを介して連続し、且つ互いに反対方向に延在している。そして、当該第２の直線状部１５５−２Ａ、第２の直線状部１５５−２Ｂもそれぞれ、半導体素子の外周端部に沿う方向に、複数個互いに並行に配設される。
【０１２４】
かかる構成に於いても、一つの電極端子１５５に於いて、２つの屈曲部、即ち半導体素子の凸状外部接続端子の接続部が設定される。この時、半導体素子の外周端部に沿って隣接する第１の直線状部１５５−１は、その長さが互いに等しいことから、２つの屈曲部１５５−３Ａ，１５５−３Ｂはそれぞれ半導体素子の外周端部に沿って並行に位置して配設され、列状を呈する。
【０１２５】
尚、図において、１５はソルダーレジスト層を指す。
【０１２６】
この様な電極端子の配設構造を有する配線基板１５１にフリップチップ実装される半導体素子１５２の外部接続用丹治パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を、図１５に示す。当該図１５に於いても、半導体素子の一つの隅部（コーナー部）を例示している。
【０１２７】
即ち、半導体素子１５２の直線状外周縁部に沿って、矩形形状を有する外部接続用端子パッド１５７が、列状に配設されている。そして、当該外部接続用端子パッド１５７に於いては、矩形形状の対角線にほぼ沿って、凸状外部接続端子１５４Ａ，１５４Ｂが並び配設されている。即ち、当該半導体素子１５２にあっても、その一つの外周縁部に沿って、凸状外部接続端子１５４が２列に、ほぼ平行に配設される。
【０１２８】
この様な凸状外部接続端子の配設形態を有する半導体素子１５２を、前記配線基板１３１上にフリップチップ実装した状態を、図１６に示す。
【０１２９】
即ち、配線基板１５１の一方の主面上に、半導体素子１５２がフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載され、当該半導体素子１５２の凸状外部接続端子１５４と、これに対応する前記配線基板１５１上の電極端子１５４とが、導電部材１９を介して機械的・電気的に接続される。ここで、半導体素子１５２の凸状外部接続端子１５４Ａ、１５４Ｂは、対応する電極端子１５５−１の屈曲部１５５−３Ａ，１５５−３Ｂに於いて、導電部材１９を介して接続される。
【０１３０】
即ち、半導体素子１５２の一つの凸状外部接続用端子パッド１５７は、配線基板上の一つの電極端子１５５に対して、２箇所に於いて接続され、且つ二つの凸状外部接続端子１５４Ａ，１５４Ｂはそれぞれ、厚く被着された（多量の）導電部材１９をもって、対応する屈曲部位に於いて電極端子１５５に接続・固着される。
【０１３１】
また、この時、当該凸状外部接続端子１５４の高さのバラツキ、或いは配線基板１５１の反りが吸収され、半導体素子１５２と配線基板上の電極端子１５５は、高い接続安定性（歩留り）及び高い接続信頼性をもって接続される。
【０１３２】
尚、図において、２０はアンダーフィル材を指す。
【０１３３】
以上、本発明の実施の形態及びその変形例について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０１３４】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
一方の主面に、電子部品の外部接続端子が接続される電極端子が複数個、列状に配設された配線基板であって、
前記電極端子は、それぞれ、
第１の直線状部と、
当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、
前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部と
を有することを特徴とする配線基板。
（付記２）
付記１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記第１の直線状部が互いに並行となる様配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記３）
付記１又は２記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記第２の直線状部が互いに並行となるよう配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記４）
付記１乃至３記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記屈曲部が列状に配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記５）
付記４記載の配線基板であって、
前記主面において、複数の前記電極端子から構成される列が、互いに平行に複数形成されており、
一の列を構成する電極端子の屈曲部と、他の列を構成する電極端子の屈曲部とは、前記列の形成方向においてずれて位置していることを特徴とする配線基板。
（付記６）
付記１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記屈曲部が複数の列状に配設され、当該複数の列は互いに並行であることを特徴とする配線基板。
（付記７）
付記１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、それぞれ前記第１の直線状部の両端部に前記屈曲部が配設されてなること特徴とする配線基板。
（付記８）
付記７記載の配線基板であって、
前記第１の直線状部の一の端部に配設された屈曲部と、前記第１の直線状部の他の端部に配設された屈曲部は、前記電極端子の配列方向と略垂直の方向に並んで配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記９）
付記７記載の配線基板であって、
前記第１の直線状部の一の端部に配設された屈曲部と、前記第１の直線状部の他の端部に配設された屈曲部は、前記電極端子の配列方向においてずれて配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記１０）
付記１乃至９いずれか一項記載の配線基板であって、
前記第２の直線状部は、前記第１の直線状部の端部に於いて前記第１の直線状部に対して鋭角を為して延びていることを特徴とする配線基板。
（付記１１）
電子部品が、導電部材を介して配線基板上の電極端子に実装される電子部品の実装構造であって、
一方の主面に、それぞれ、第１の直線状部と、当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部とを具備してなる前記電極端子が、複数個、列状に配設された前記配線基板の、前記電極端子の前記屈曲部に、導電部材を介して、前記電子部品の外部接続端子が接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記１２）
付記１１記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の前記外部接続端子は、凸状を有することを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記１３）
付記１１記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の前記外部接続端子は、互いに並行する複数の列状をもって、前記配線基板上の前記電極端子に接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記１４）
付記１１記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の電極パッドに於ける前記外部接続端子の形態に対応して、前記配線基板上の前記電極端子の前記屈曲部が配設され、前記電子部品の前記外部接続端子と前記電極端子の前記屈曲部は、前記導電部材を介して接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記１５）
付記１１乃至１４いずれか一項記載の電子部品の実装構造であって、
前記導電部材は、半田を含む材料から構成されることを特徴とする電子部品の実装構造。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】本発明の実施の形態に係る配線基板上への半導体素子の実装構造の要部を示す図である。
【図２】図１に示す配線基板に於いて、点線Aで囲んだ部分の平面形状を示す平面図である。
【図３】図２に示す配線基板に於ける線Ｘ−Ｘ断面を示す図である。
【図４】図３に示す配線基板に於いて電極端子上に導電部材を被覆した状態を示す断面図である。
【図５】配線基板上の電極端子の屈曲部に設けられた導電部材の厚みと、第１の直線状部と第２の直線状部に設けられた導電部材の厚みとを説明するための図である。
【図６】図１に示す配線基板への半導体素子の実装工程を説明するための断面図（その１）である。
【図７】図１に示す配線基板への半導体素子の実装工程を説明するための断面図（その２）である。
【図８】本発明の実施の形態の変形例１に係る配線基板の電極端子を示す部分平面図である。
【図９】本発明の実施の形態の変形例２に係る配線基板の電極端子を示す部分平面図である。
【図１０】図８又は図９に示す配線基板に実装される半導体素子の外部接続用端子パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を示す部分平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態の変形例３に係る配線基板の電極端子を示す部分平面図である。
【図１２】図１１に示す配線基板に実装される半導体素子の、外部接続用端子パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を示す部分平面図である。
【図１３】図１１に示す配線基板上に図１２に示す半導体素子を実装した構造を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態の変形例4に係る配線基板の電極端子を示す部分平面図である。
【図１５】図１４に示す配線基板に実装される半導体素子の、外部接続用端子パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を示す部分平面図である。
【図１６】図１４に示す配線基板上に図１５に示す半導体素子を実装した構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３６】
１０、１３０、１５０ 半導体装置
１１、８１、９１、１３１、１５１ 配線基板
１２、１００、１１０、１３２、１５２ 半導体素子
１４、１１４、１２４、１３４、１５４ 凸状外部接続端子
１６、８５、９５、１３５、１５５ 電極端子
１６−１、８５−１、９５−１、１３５−１、１５５−１ 第１の直線状部
１６−２、８５−２、９５−２、１３５−２、１５５−２ 第２の直線状部
１６−３、８５−３、９５−３、１３５−３、１５５−３ 屈曲部
１８、１１７、１２７、１３７、１５７ 外部接続用端子パッド
１９ 導電部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び電子部品の実装構造に関し、より具体的には、導電部材を介して半導体素子等の電子部品が実装される配線基板及び前記電子部品の配線基板への実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を基材とし、一方の主面に銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設された配線基板を用い、前記導電層に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）の主面に配設された凸状（突起状）の外部接続端子が接続され、一方、前記配線基板の他方の主面には選択的に形成された電極の表面に球状電極端子等の外部接続端子が配設されてなる半導体装置がある。即ち、半導体素子は所謂フリップチップ（フェイスダウン）状態で、配線基板に搭載されている。
【０００３】
このようなフリップチップ実装構造に於いて、ワイヤバンプとも称される凸状外部接続端子は、前記半導体素子の主面の外部接続端子用の電極パッド上にワイヤボンディング技術を用いた所謂ボールボンディング法によって形成される。
【０００４】
かかる凸状外部接続端子は、前記配線基板上の導電層に対して、半田等の導電性部材をもって接続固着される。
【０００５】
このような実装構造においては、半導体素子の配線基板への実装の際、当該半導体素子の凸状外部接続端子と配線基板の導電層との間に、電気的接続の安定性を十分確保する必要があり、そのため、例えば配線基板の導電層に選択的に幅広の部位を設け、当該幅広部に導電部材を厚く配設する方法が提案されている。
【０００６】
即ち、導電層であるパッド上に半田層が配設された回路基板において、前記パッドの幅をその長手方向の一部で広くし、その幅広部に他の部分より半田層の厚さが厚い半田盛り上がり部を形成した構造（特許文献１参照）、或いはパッドの幅をその中間部において広くし、パッド幅広部の長さ方向の中心を部品リードの平坦部の長さの範囲内に位置させ、パッド幅広部の長さを部品リードの平坦部の長さより長くして、パッド幅広部に他の部分より大きな厚さを有するはんだ盛り上がり部を形成した構造（特許文献２参照）が提案されている。
【０００７】
また、配線パターンをソルダーレジストにより選択的に被覆し、露出する配線パターンの領域を電極とした回路パターンにおいて、電極が、左右の長さ方向に沿って最大幅の箇所を１箇所だけ存在するように形成された回路パターン（特許文献３参照）、或いは回路基板上に、半田を介して半導体素子に設けられたバンプがフリップチップ実装される導体パターンを形成してなるフリップチップ実装基板において、導体パターンを配線パターンと、バンプが接合される接続パッドとにより構成し、前記配線パターンの幅寸法に対し、接続パッドの幅寸法を大きくした構造（特許文献４参照）が提案されている。
【０００８】
更に、基板上に複数の配線パターンが列状に配設され、それぞれの配線パターンの第１の直線状部が互いに平行又は非平行に形成され、配線パターンの第２の直線状部が同一直線上に形成された構造（特許文献５参照）も提案されている。かかる構造にあっては、各配線パターンにおいて、第２の直線状部が、第１の直線状部と第２の直線状部とが連続する箇所に位置する各屈曲部がなす各配線パターンの列方向に、第1の直線状部から延在している。
【特許文献１】特開平５−３０８１８４号公報
【特許文献２】特開平６−２１６５０７号公報
【特許文献３】実用新案登録第３１１５０６２号公報
【特許文献４】特開２０００−７７４７１号公報
【特許文献５】特開２００４−４００５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、近年、配線基板に実装される半導体素子は小型化・多端子化しており、また、このような半導体素子の配線基板に対する高密度実装が要求されている。
【００１０】
従って、このような要求に対応するために半導体素子の凸状外部接続端子のピッチを微細化すると、上述の各特許文献中に開示されている態様では、配線基板の、隣接して設けられた電極（導電層）の幅広部間の間隙は狭くなる。
【００１１】
そのため、半導体素子を配線基板に実装する際に、半導体素子の凸状外部接続端子と配線基板の導電層とにより形成され隣接して設けられた接続部の間に於いて、幅広部に設けられた導電部材がはみ出してしまう恐れがある。その結果、当該接続部間に於いて、ショート（短絡）或いは電流リークが発生して、半導体素子の凸状外部接続端子と配線基板の電極（導電層）との電気的接続の信頼生が低下してしまう。
【００１２】
また、特許文献５に示される構造に於いては、隣接する配線パターンのそれぞれの第２の直線状部が、各配線パターンの列方向に同一直線上に配置されているため、配線パターン間のピッチを微細化することは困難である。
【００１３】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、導電部材を介して半導体素子等の電子部品が実装される配線基板及び前記電子部品の当該配線基板への実装構造であって、前記電子部品の凸状外部接続端子と配線基板の導電層との接合安定性（歩留まり）を向上させた信頼性の高い実装構造を実現する配線基板及び電子部品実装構造を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一観点によれば、一方の主面に、電子部品の外部接続端子が接続される電極端子が複数個、列状に配設された配線基板であって、前記電極端子は、それぞれ、第１の直線状部と、当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部と、を有することを特徴とする配線基板が提供される。
【００１５】
本発明の別の観点によれば、電子部品が、導電部材を介して配線基板上の電極端子に実装される電子部品の実装構造であって、一方の主面に、それぞれ、第１の直線状部と、当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部とを具備してなる前記電極端子が、複数個、列状に配設された前記配線基板の、前記電極端子の前記屈曲部に、導電部材を介して、前記電子部品の外部接続端子が接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、導電部材を介して半導体素子等の電子部品が実装される配線基板及び前記電子部品の当該配線基板への実装構造であって、前記電子部品の凸状外部接続端子と配線基板の導電層との接合安定性（歩留まり）を向上させた信頼性の高い実装構造を実現する配線基板及び電子部品実装構造を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
なお、以下では、本発明の実施の形態に係る配線基板に実装される電子部品として、半導体素子を例にして説明するが、当該電子部品は、半導体素子に限定されるものではなく、半導体素子を樹脂封止した半導体装置、或いは受動素子等であってもよい。
【００１９】
本発明の実施の形態に係る配線基板上に、半導体素子が実装された半導体装置の実装構造を、図1に示す。これを半導体装置１０とする。
【００２０】
同図において、当該半導体装置１０にあっては、配線基板１１の一方の主面（上面）上に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）１２がフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載・固着されている。
【００２１】
ここで配線基板１１は、ガラスエポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、或いはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、又はセラミック，ガラス等の無機材料を基材とし、その表面及び／或いは内部に銅（Ｃｕ）等からなる配線層が選択的に配設されている。当該配線基板１１は、インターポーザー又は支持基板と称される場合もある。
【００２２】
当該配線基板１１の一方の主面であって、半導体素子が搭載される主面上には、前記配線層に接続された導電層１３が選択的に配設されている。
【００２３】
そして、当該導電層１３を選択的に覆って、即ち、半導体素子１２の外部接続端子１４が接続される部位及びその周囲を除いて、ソルダーレジスト層（絶縁樹脂膜）１５が選択的に被覆されている。当該ソルダーレジストは、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系等の樹脂又はこれらの混合樹脂等からなる。
【００２４】
この結果、当該ソルダーレジスト層１５に設けられた開口部において、導電層１３の一部が電極端子１６として表出している。ソルダーレジスト層１５は、導電層１３に於ける半導体素子１２との接続領域、即ち電極端子１６の表出部を画定している。
【００２５】
尚、配線基板１１の他方の主面（裏面）にも、選択的に導電層が設けられ、当該導電層には、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子が複数配設されるが、本実施の形態にあっては図示しない。
【００２６】
一方、半導体素子１２にあっては、周知の半導体製造プロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）等の半導体、或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の化合物半導体からなる半導体基板１７の一方の主面に電子回路が形成されている。
【００２７】
ここでは、当該半導体素子１２にあって、半導体基板１７に形成されたトランジスタ等の能動素子及び／或いは容量素子等の受動素子、並びに一方の主面上に形成された多層配線層及び／或いは再配線層を図示することを省略している。
【００２８】
当該半導体基板１７の一方の主面には、電子回路部の周囲に位置して、外部接続用端子パッド１８が列状に配設され、当該外部接続用端子パッド１８それぞれの上には凸状外部接続端子１４が配設されている。
【００２９】
前記外部接続用端子パッド１８は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの合金等をもって形成され、一方、凸状外部接続端子１４は、例えば所謂ボールボンディング法によって金（Ａｕ）ボールが固着・接続されて台座部が形成され、更に当該台座部上に突出する部位からなる凸状部が一体に形成される。尚、凸状外部接続端子１４の頂部は、必要に応じて平坦化処理が施される。
【００３０】
また、外部接続端子パッド１８の露出表面（最上層）には、予め電解めっき法又は蒸着法等により金（Ａｕ）層が形成されてもよい。
【００３１】
そして、凸状外部接続端子１４は、例えば銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）と金（Ａｕ）の合金、又は半田等から構成されてもよい。
【００３２】
かかる半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の少なくとも凸状部と、これに対応する前記配線基板１１上の電極端子１６は、再溶融性を有する導電部材１９によって共通に被覆され、機械的・電気的に接続されている。
【００３３】
当該導電部材１９としては、半田からなる導電部材が効果的である。半田は再溶融性を有するが、導電性樹脂接着剤の如き他の再溶融性を有する導電材料に比べ、加熱溶融時の流動性が高く、導電部材１９の材料として好適である。また、導電部材１９として半田を用いる場合、配線基板１１のプリコート用の半田材料を使用でき、半田プリコート技術を適用できるため便利であり、また、材料コストも安く抑えることができる。
【００３４】
このように、配線基板１１の一方の主面上に、フリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載・固着された半導体素子１２と当該配線基板１１の一方の主面との間には、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等からなる熱硬化性接着剤等の、アンダーフィル材２０が充填されている。
【００３５】
この様な半導体素子の実装形態が採られる半導体装置１０の、前記配線基板１１に於ける、電極端子１６の形態について、図２乃至図４をもって説明する。
【００３６】
ここでは、図１に示した構成に於いて点線により囲まれた部位Ａに於ける、配線基板１１の一方の主面に於ける電極端子の配設形態を図２に示す。尚、同図にあっては、半導体素子１２並びにアンダーフィル材２０の図示を省略している。また、当該図２に示す配線基板１１に於けるＸ−Ｘ断面を、図３に示す。
【００３７】
図２に示される様に、配線基板１１の一方の主面上に配設された複数配設された導電層１３を選択的に覆ってソルダーレジスト層１５が配設され、当該ソルダーレジスト層１５により被覆されない導電層１３の一部が電極端子１６として表出している。
【００３８】
尚、同図に於いて、配線基板１１上にフリップチップ実装される半導体素子１２の外周縁部を破線Ｂにて示し、当該半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が接続される電極端子１６の接続部位を破線円Ｃにて示している。即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。
【００３９】
即ち、本実施の形態にあっては、配線基板１１の一方の主面にあって、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が接続される導電層１３は、電極端子１６部分に於いて、第１の直線状部１６−１と、当該第１の直線状部１６−１の端部に於いて当該第１の直線状部１６−１とは異なる方向に延びる第２の直線状部１６−２と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部１６−３とを具備している。
【００４０】
また、隣り合う電極端子１６間にあっては、第１の直線状部１６−１相互間のそれぞれ、並びに第２の直線状部１６−２相互間のそれぞれが平行に配設されている。
【００４１】
電極端子１６に於ける、第１の直線状部１６−１と第２の直線状部１６−２が連続する屈曲部１６−３にあっては、第１の直線状部１６−１と第２の直線状部１６−２との間は、所定の角度（本実施の形態にあっては鈍角）をもって、略「くの字」状に屈曲している。
【００４２】
当該屈曲部１６−３に、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が接続される。
【００４３】
そして、各電極端子１６の屈曲部１６−３は、接続される半導体素子１２の外部接続用端子パッド１８の配置に対応して、同一線上に並んで配設されている。
【００４４】
この様な構造を有する電極端子１６に、導電部材１９を被覆した状態を図４に示す。
【００４５】
前述の如く、電極端子１６の表面には、再溶融性を有する導電部材１９が配設され、当該導電部材１９を介して、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が固着・接続される。
【００４６】
本実施の形態の形態にあっては、図４に示されるように、電極端子１６の屈曲部１６−３に被着された導電部材１９の厚さは、第１の直線状部１６−１並びに第２の直線状部１６−２上に被着された導電部材１９の厚さよりも大きい。
【００４７】
この様に、一つの電極端子１６に於いて、導電部材１９の厚さの差異を生ずる理由について、図５を参照して説明する。ここで、図５（ａ）は、電極端子１６の１つを示し、図５（ｂ）は当該電極端子１６の屈曲部１６−３に於ける断面（図５（ａ）の線ａ−ａに於ける断面）を示し、また図５（ｃ）は当該電極端子１６の一方の直線状部１６−２の断面（図５（ａ）の線ｂ−ｂ）を示している。なお、図５（ｃ）では、一方の直線状部１６−２の断面を示しているが、他方の直線状部１６−１も同様の断面構造を有する。
【００４８】
ここで、導電部材１９の表面張力をγ、外気圧力をＰｏとし、電極端子１６の屈曲部１６−３の、図５（ａ）の線ａ−ａに沿う断面に於ける導電部材１９の内部圧力をＰａ、電極端子６の第２の直線状部１６−２の、図５（ａ）の線ｂ−ｂに沿う断面に於ける導電部材１９の内部圧力をＰｂ、電極端子１６の屈曲部１６−３の、図５（ａ）の線ａ−ａに沿う断面に於ける導電部材１９の曲率半径をＲａとし、更に電極端子１６の第２の直線状部１６−２の図５（ａ）の線ｂ−ｂに沿う断面に於ける導電部材１９の曲率半径をＲｂとする。
【００４９】
表面張力に関するラプラス（Ｌａｐｌａｃｅ）の定理より、式（１）及び（２）が成立する。
【００５０】
ΔＰａ＝Ｐｏ−Ｐａ＝２γ／Ｒａ ・・・式（１）
ΔＰｂ＝Ｐｏ−Ｐｂ＝２γ／Ｒｂ ・・・式（２）
前記導電部材１９が溶融し、その表面張力が作用して平衡状態にある時には、電極端子１６の屈曲部１６−３に於ける導電部材１９の内部圧力Ｐａと、電極端子１６の第２の直線状部１６−２に於ける導電部材１９の内部圧力Ｐｂとは等しくなり、式（１）及び式（２）より、式（３）が得られる。
【００５１】
Ｒｂ＝Ｒａ ・・・式（３）
一方、前記屈曲部１６−３に於ける屈曲角θと、当該屈曲部１６−３の幅（最大幅）Ｄａ、及び第２の直線状部１５−２の幅Ｄｂとの間には、次の関係式（４）が成り立つ。
【００５２】
Ｄａ=［１／{ｓｉｎ（０．５θ）}］×Ｄｂ ・・・式（４）
このとき、屈曲部１６−３の屈曲角θは、０度<θ<１８０度であり、この範囲に於いては、式（４）より、次の関係式（５）が得られる。
【００５３】
Ｄａ>Ｄｂ ・・・式（５）
かかる式（３）及び式（５）より、導電部材１９が平衡状態及び溶融状態にあるとき、電極端子１６の屈曲部１６−３に於ける断面（図５（ａ）の線Ａ−Ａに沿う断面）上の導電部材１９の厚さＨａ、及び電極端子１６の第２の直線状部１６−２に於ける断面（図５（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿う断面）上の導電部材１９の厚さＨｂについて、以下の関係式（６）が得られる。
【００５４】
Ｈａ>Ｈｂ ・・・式（６）
この様に、電極端子１６の屈曲部１６−３に於いては、第１の直線状部１６−１並びに第２の直線状部１６−２に比し、大なる高さ（厚さ）をもって導電部材１９が配設される。
【００５５】
尚、電極端子１６が微細になるほど重力の影響は小さくなることから、作用原理の理解を容易にする為、式（１）乃至式（６）の説明に於いては、導電部材１９に作用する重力の影響を無視し、また導電部材１９は電極端子１６の上面部のみに於いて濡れ形成され、曲率半径が一定であるモデルを用いている。
【００５６】
この様に、電極端子１６の実効的な幅が異なることにより、その表面に被着される導電部材１９の厚さ（高さ）が異なる。即ち、前記図４に示すように、電極端子１６上に導電部材１９を被着した後、加熱してその流動性を高めると、液状になった導電部材１９はその表面張力により、屈曲部１６−３においてその厚みが最大となる。
【００５７】
この状態に於いて導電部材１９を、降温又は固化することにより、当該導電部材１９は屈曲部１６−３に於いて、第１の直線状部１６−１並びに第２の直線状部１６−２に比べ大なる厚さをもって形成される。
【００５８】
即ち、電極端子１６上に導電部材１９を被覆形成する際、当該電極端子１６に於いて、半導体素子１３の凸状外部接続端子１４が接続される部位である屈曲部１６−３に於ける導電部材１９の被覆厚さ（高さ）を厚く（高く）形成することができる。
【００５９】
この様に、本実施の形態にあっては、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４を配線基板１１上の電極端子１６へ接続する際、十分な量（厚さ）をもって導電部材１９を配置することができ、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の高さの不均一性及び／或いは配線基板１１の反りを吸収することができる。これにより、配線基板１１上に半導体素子１２をフリップチップ実装する際に、その接続安定性（歩留まり）を高めることができる。
【００６０】
尚、電極端子１６の屈曲部１６−３の屈曲角を鋭角とすることにより、当該電極端子１６に導電部材１９を被覆形成する際に、当該局部的１６−３に於ける被着高さをより大とすることができるが、当該屈曲角は電極端子の幅、相互の間隔などにより適宜選択される。
【００６１】
この様に、導電部材１９は、電極端子１６の屈曲部１６−３に於いて大なる厚さをもって形成される。従って、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４のピッチが微細化され、これに対応して配線基板１１の各電極端子１６の幅が微細化された場合であっても、当該凸状外部接続端子１４を大きな接続強度をもって接続することができる。
【００６２】
また、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の高さのバラツキ、或いは配線基板１１の反りが吸収されて、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と配線基板１１のボンディング電極１５との電気的接続を確実ならしめることができる。
【００６３】
一方、前記複数個の電極端子１６は、第１の直線状部１６−１が互いに並行となる様配設され、一方第２の直線状部１６−２も互いに並行となるよう配設されることから、配線基板１１上に於ける当該電極端子１６の高い配置密度を得ることができる。
【００６４】
また、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の配設ピッチが微細化され、これに対応して配線基板１１上の電極端子１６の幅が微細化される場合にあっても、当該配線基板１１上に半導体素子１２をフリップチップ実装する際、電極端子間の短絡或いは電流リークの発生を抑制することができ、もって高い信頼性を有する実装構造を実現することができる。
【００６５】
次に、図６及び図７を参照して、前記配線基板１１への半導体素子１２の実装工程を説明する。
【００６６】
先ず、ボンディングステージ（図示せず）上に載置・固定された配線基板１１と、吸着用治具２１に吸着・保持された半導体素子１２とを対向せしめる。（図６（ａ）参照）
配線基板１１は、前述の如く、ガラスエポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、或いはポリイミド等の有機材絶縁性樹脂、又はセラミック、ガラス等の無機材料を基材とし、その表面及び／或いは内部に、銅（Ｃｕ）等からなる配線層が選択的に配設されている。
【００６７】
かかる配線基板１１の一方の主面（上面）には、前記配線層に接続された導電層１３が配設されている。当該導電層１３は、ソルダーレジスト層（絶縁樹脂膜）１５により選択的に被覆され、当該ソルダーレジスト層１５の開口部に於いて、複数の電極端子１６が露出している。
【００６８】
当該電極端子１６は、所謂フォトエッチング法、選択メッキ法等により形成され、前記図２に示すところの、本発明思想に従ったパターン形状に形成される。即ち、当該電極端子１６は、第１の直線状部１６−１と第２の直線状部１６−２により構成され、当該第１の直線状部１６−１と第２の直線状部１６−２は、所定の角度を有する屈曲部１６−３を介して連続している。
【００６９】
一方、半導体素子１２は、シリコン（Ｓｉ）半導体基板１６の主面上に配設された外部接続用端子パッド１８上に、凸状外部接続端子１４が配設されている。
【００７０】
外部接続用端子パッド１８は、通常アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）或いはこれらの合金から形成され、また凸状外部接続端子１４は、外部接続用端子パッド１７の表面に、例えば所謂ボールボンディング法によって金（Ａｕ）ボールが固着・接続されて台座部が形成され、更に当該台座部上に突出する部位からなる凸状部をもって一体に形成されている。
【００７１】
尚、当該凸状外部接続端子１４の頂部に対しては、平坦化処理が施されてもよい。
【００７２】
また、当該外部接続用端子パッド１８表面への凸状外部接続端子１４の形成法として、電解めっき法又は無電解めっき法により、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等を被着させる方法を適用してもよい。
【００７３】
更に、当該外部接続用端子パッド１８の露出表面（最上層）には、電解めっき法又は蒸着法等により、金（Ａｕ）層を形成してもよい。
【００７４】
一方、前記配線基板１１の電極端子１６には、予め例えば錫（Ｓｎ）を主体とする半田からなる導電部材１９が、印刷法、メッキ法或いは蒸着・リフロー法等により、被覆・形成されている。
【００７５】
このとき、電極端子１６の屈曲部１６−３に配設された導電部材１９の厚さ（鉛直方向の高さ）は、前述の如く、第１の直線状部１６−１並びに第２の直線状部１６−２上に配設された導電部材１９の厚さよりも厚い。
【００７６】
この様な電極構造を有する半導体素子１２の外部接続端子１４を、配線基板１１の電極端子１６の屈曲部１６−３に位置合わせし、対向させる。
【００７７】
尚、前記吸着用治具２１は、加熱樹段（図示せず）により、前記導電部材１９の融点以上の温度（例えば１８０℃乃至２６０℃）に予め加熱しておく。
【００７８】
かかる状態に於いて、半導体素子１２を吸着保持する吸着用治具２１を降下させ、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４を配線基板１１の電極端子１６の表面を覆う導電部材１９に接触させ、更に吸着用治具２１により加重を付加して導電部材１９を溶融せしめる。
【００７９】
この結果、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４は、少なくともその突出部が導電部材１９により被覆され、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と配線基板１１の電極端子１６は導電部材１９を介して接続される。（図６（ｂ）参照）
尚、前記ボンディングステージを、予め５０℃乃至１００℃程の温度に加熱して、配線基板１１を余熱しておき、導電部材１９をより短時間で昇温させることもできる。
【００８０】
このようにして、配線基板１１上の電極端子１６の屈曲部１６−３に、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４が接続・固着され、当該配線基板１１に半導体素子１２を搭載した後、当該配線基板１１と半導体素子１２との間に、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等からなる熱硬化性接着剤等のアンダーフィル材２０を充填する。（図７（ｃ）参照）
当該アンダーフィル材２０は、ノズル２２を介して供給される。
【００８１】
このようにして、配線基板１１の一方の主面上に、半導体素子１２がフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載・固着され、当該半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と、これに対応する前記配線基板１１上の電極端子１６とが、導電部材１９を介して機械的・電気的に接続される。（図７（ｄ）参照）
しかる後、配線基板１１の他方の主面（下面）に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子を配設（図示せず）し、半導体装置１０を形成する。
【００８２】
尚、本発明思想によれば、配線基板上の電極端子の形状、並びに半導体素子の外部接続端子の配設構造は、前記図２に示す形態に限られず、以下に示す変形例の如き形態を採ることもできる。
【００８３】
［変形例１］
本発明の実施の形態の変形例１に係る、配線基板の電極端子形状を、図８に示す。同図に於いて、配線基板８１上に搭載される半導体素子の外周端部を破線Ｂにて示し、当該配線基板上の電極端子に半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位を破線円Ｃにて示す。
即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。
【００８４】
本変形例１にあっても、配線基板８１に配設される複数の電極端子８５は、一定の幅を有し互いに繋がっている第１の直線状部８５−１と第２の直線状部８５−２とを具備する。当該第１の直線状部８５−１と第２の直線状部８５−２は、鈍角をなす屈曲部８５−３を介して連続し、且つ互いに異なる方向に延在している。
【００８５】
かかる構成にあって、当該電極端子８５の第１の直線状部８５−１は、比較的短い直線状（短冊状）を有し、前記半導体素子の外周端部に沿う方向に複数個、且つ互いに並行に並べられて配設されている。
【００８６】
一方、第２の直線状部８５−２は、第１の直線状部８５−１の一方の端部に屈曲部８５−３を介して連続して配設されるが、その屈曲部８５−３は複数の第１の直線状部８５−１に於いて交互に選択・配置され、結果として、第２の直線状部８５−２は、第１の直線状部８５−１の一つ置きに、異なる方向（図示される形態では左下方、右上方）に延在される。
【００８７】
即ち、前記半導体素子の外周端部に沿う方向に並ぶ複数の第１の直線状部８５−１に対し、その両端の一方が交互に選択されて、第２の直線状部８５−２が導出されている。
【００８８】
従って、屈曲部８５−３、即ち半導体素子の外部接続端子が接続される部位は、半導体素子の外周端部から異なる距離をもって交互に設定されている。これにより、近接する屈曲部８５−３相互の距離を実質的に大きくすることができ、当該屈曲部８５−３に接続される半導体素子に於ける外部接続端子の、当該半導体素子の外周端部に沿う方向に於ける相互の間隔を、実質的に大きくすることができる。そして、同一方向に延在する第２の直線状部８５−２は、相互に平行となるよう配設されている。
【００８９】
［変形例２］
本発明の実施の形態の変形例２に係る配線基板の電極端子形状を、図９に示す。同図に於いて、配線基板９１上に搭載される半導体素子の外周端部を、破線Ｂにて示す。即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。また、当該配線基板上の電極端子に半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位を破線円にて示す。
【００９０】
本変形例２にあっても、配線基板９１に配設される複数の電極端子９５は、一定の幅を有し互いに繋がっている第１の直線状部９５−１と第２の直線状部９５−２とを具備する。当該第１の直線状部９５−１と第２の直線状部９５−２は、鈍角をなす屈曲部９５−３を介して連続し、且つ互いに異なる方向に延在している。
【００９１】
かかる構成にあって、電極端子９５の第１の直線状部９５−１は、前記変形例１と同様に比較的短い直線状（短冊状）を有する。そして半導体素子の外周端部に沿う方向に、傾斜して２列に配設され、且つ一つの列にあっては、互いに並行に並べられて配設されている。
【００９２】
そして、２列に並ぶ電極端子９５の第１の直線状部９５−１間にあっては、その傾斜方向が異なり、一方の列を構成する電極端子９５の第１の直線状部９５−１の端部が、当該他方の列を構成する電極端子９５の第１の直線状部９５−１の端部に近接して配設されている。
【００９３】
一方、第２の直線状部９５−２は、第１の直線状部９５−１の他方の端部、即ち他方の列から遠い側の端部に、屈曲部９５−３を介して連続して配設される。そして、当該第２の直線状部９５−２は、前記列から遠ざかる方向に延在される。
【００９４】
即ち、前記半導体素子の外周端部に沿う方向に、傾斜して２列に並ぶ複数の第１の直線状部９５−１に対し、その一方の端部（他方の列からは遠い端部）に於いて第２の直線状部９５−２が導出されている。
【００９５】
従って、屈曲部９５−３、即ち半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位は、半導体素子の外周端部から異なる寸法（距離）をもって交互に設定されている。
【００９６】
このため、近接する屈曲部９５−３相互の距離を実質的に大きくすることができ、当該屈曲部９５−３に接続される半導体素子に於ける外部接続端子の、当該半導体素子の外周端部に沿う方向に於ける相互の間隔を、実質的に大きくすることができる。
【００９７】
一方、同一方向に延在する第２の直線状部９５−２は、相互に平行となるよう配設されている。
【００９８】
この様な電極端子の配置構造を有する配線基板（変形例１、変形例２）に対して実装される半導体素子の外部接続用端子パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す。当該図１０（ａ）、図１０（ｂ）にあっては、それぞれ半導体素子の一つの隅部（コーナー部）を例示している。
【００９９】
図１０（ａ）に示す例にあっては、複数個の外部接続用端子パッド１１７が、半導体素子１１０の直線状外周縁部に沿って、且つ当該外周縁部からの距離が異なる状態をもって２列に配設されている。
【０１００】
そして、外部接続用端子パッド１１７のそれぞれには、凸状外部接続端子１１４が配設されている。即ち、当該半導体素子１００に於いては、その外周縁部に沿って、互いに平行な凸状外部接続端子１１４の列が二つ形成されている。
【０１０１】
一方、図１０（ｂ）に示す例にあっては、半導体素子１１０の外周縁部から内側に向かって延びる長方形の外部接続用端子パッド１１７が、当該半導体素子の直線状外周縁部に沿って、列状に配設されている。
【０１０２】
そして、隣接する長方形状の外部接続用端子パッド１１７間に於いては、長方形の長さ方向の異なる端部、即ち前記半導体素子の直線状外周縁部に近い端部、或いは遠い側の端部に、交互に、凸状外部接続端子１２４が配設される。即ち、当該半導体素子１１０にあっても、その外周縁部に沿って、互いに平行な凸状外部接続端子１２４の列が二つ形成されている。
【０１０３】
この様な凸状外部接続端子の配設形態を有する半導体素子を、前記図８或いは図９に示される配線基板（８１、９１）上にフリップチップ実装する際には、当該半導体素子の直線状外周縁部に沿って２列に配設された凸状外部接続端子が、配線基板上に於いて２列に配設された電極端子の屈曲部（８５−３、９５−３）に接続される。
【０１０４】
この時、２列の屈曲部のそれぞれに於いて、凸状外部接続端子は、厚く被着された（多量の）導電部材をもって、屈曲部に対して強固に接続・固着される。また、同時に当該凸状外部接続端子の高さのバラツキ、或いは配線基板の反りが吸収される。これにより、半導体素子と配線基板上の電極端子は、高い接続安定性（歩留り）及び高い接続信頼性をもって接続される。
【０１０５】
尚、前述の如く、配線基板上に列状に配設される電極端子の屈曲部、即ち半導体素子の外部接続端子が接続される部位は、近接する相互間に於いて、半導体素子の外周端部から異なる寸法（距離）をもって交互に設定されている。
【０１０６】
従って、近接する屈曲部相互の距離は実質的に大きく、当該屈曲部に接続される半導体素子に於ける外部接続端子の間隔を実質的に大きくすることができる。これにより、外部接続端子間の絶縁耐圧が確保され、もって、外部接続端子を高密度に備えた半導体素子のフリップチップ実装を行うことができる。
【０１０７】
［変形例３］
本発明の実施の形態の変形例３に係る配線基板の電極端子形状を、図１１に示す。同図に於いて、配線基板１３１上に搭載される半導体素子の外周端部を破線Ｂにて示す。即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。また、当該配線基板上の電極端子に半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位を破線円にて示す。
【０１０８】
本変形例３にあっては、配線基板１３１上に配設される複数の電極端子１３５は、一定の幅を有する第１の直線状部１３５−１と、当該第１の直線状部１３５−１の両端部から延在される第２の直線状部１３５−２Ａ，１３５−２Ｂとを具備する。
【０１０９】
そして、第１の直線状部１３５−１は、半導体素子の外周端部に沿う方向に複数個配設され、二つの第２の直線状部１３５−２Ａ，１３５−２Ｂは、当該第１の直線状部１３５−１の両端部に於いて、鈍角をなす屈曲部１３５−３Ａ，１３５−３Ｂを介して連続し、且つ互いに異なる方向に延在している。かかる構成によれば、一つの電極配線１３５に於いて、２つの屈曲部、即ち半導体素子の凸状外部接続端子の接続部が設定される。
【０１１０】
この時、半導体素子の外周端部に沿って並ぶ第１の直線状部１３５−１は、その長さが互いに等しいことから、２つの屈曲部１３５−３Ａ，１３５−３Ｂはそれぞれ半導体素子の外周端部に沿って並行に位置して配設され、列状を呈する。
【０１１１】
尚、図において、１５はソルダーレジスト層を指す。
【０１１２】
この様な電極端子の配設構造を有する配線基板１３１に対してフリップチップ実装される半導体素子の外部接続用丹治パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を、図１２に示す。当該図１２に於いても、半導体素子の一つの隅部（コーナー部）を例示している。即ち、半導体素子１３２の一つの直線状外周縁部に沿って、当該外周縁部から内側に延びる長方形状の外部接続用端子パッド１３７が複数個、列状に且つ互いに並行に配設されている。
【０１１３】
そして、一つの長方形状の外部接続用端子パッド１３７に於いては、長方形の長手方向に並んで二つの凸状外部接続端子１３４Ａ，１３４Ｂが配設される。即ち、当該半導体素子１３２にあっても、その一つの直線状外周縁部に沿って、互いに平行な凸状外部接続端子１３４が、２列に配設される。
【０１１４】
この様な凸状外部接続端子の配設構造を有する半導体素子１３２を、前記配線基板１３１上にフリップチップ実装した状態を、図１３に示す。
【０１１５】
即ち、配線基板１３１の一方の主面上に、半導体素子１３２がフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載され、当該半導体素子１３２の凸状外部接続端子１３４と、これに対応する前記配線基板１３１上の電極端子１３５とが、導電部材１９を介して機械的・電気的に接続される。
【０１１６】
ここで、半導体素子１３２の電極端子パッド１３７に配設された二つの凸状外部接続端子１３４Ａ、１３４Ｂは、配線基板１３１上の電極端子１３５−１の両端屈曲部１３５−３Ａ，１３５−３Ｂに対して導電部材１９を介して接続される。
【０１１７】
即ち、半導体素子１３２の凸状外部接続端子１３４は、一つの電極端子１３５に対して、２箇所に於いて接続され、且つ二つの凸状外部接続端子１３４Ａ，１３４Ｂはそれぞれ、厚く被着された（多量の）導電部材１９をもって、対応する屈曲部に接続・固着される。
【０１１８】
また、この時、当該凸状外部接続端子１３４の高さのバラツキ、或いは配線基板１３１の反りが吸収され、半導体素子１３２と配線基板上の電極端子１３４は、高い接続安定性（歩留り）及び高い接続信頼性をもって接続される。
【０１１９】
尚、図において、２０はアンダーフィル材を指す。
【０１２０】
［変形例４］
本発明の実施の形態の変形例４に係る配線基板の電極端子形状を、図１４に示す。同図に於いて、配線基板１５１上に搭載される半導体素子の外周端部を破線Ｂにて示す。即ち、破線Ｂより右側に半導体素子が位置する。また、当該配線基板上の電極端子に半導体素子の凸状外部接続端子が接続される部位を破線円にて示す。
【０１２１】
本変形例４にあっては、配線基板１５１上に配設される複数の電極端子１５５は、一定の幅を有する第１の直線状部１５５−１と、当該第１の直線状部１５５−１の両端部から延在される第２の直線状部１５５−２Ａ，１５５−２Ｂとを具備する。
【０１２２】
そして、当該第１の直線状部１５５−１は、搭載される半導体素子の外周端部に沿う方向に対して傾斜し、且つ当該半導体素子の外周端部に沿う方向に、複数個互いに並行に配設される。
【０１２３】
一方、第２の直線状部１５５−２Ａ及び１５５−２Ｂは、前記第１の直線状部１５５−１の両端部に於いて、ほぼ直角をなす屈曲部１５５−３Ａ，１５５−３Ｂを介して連続し、且つ互いに反対方向に延在している。そして、当該第２の直線状部１５５−２Ａ、第２の直線状部１５５−２Ｂもそれぞれ、半導体素子の外周端部に沿う方向に、複数個互いに並行に配設される。
【０１２４】
かかる構成に於いても、一つの電極端子１５５に於いて、２つの屈曲部、即ち半導体素子の凸状外部接続端子の接続部が設定される。この時、半導体素子の外周端部に沿って隣接する第１の直線状部１５５−１は、その長さが互いに等しいことから、２つの屈曲部１５５−３Ａ，１５５−３Ｂはそれぞれ半導体素子の外周端部に沿って並行に位置して配設され、列状を呈する。
【０１２５】
尚、図において、１５はソルダーレジスト層を指す。
【０１２６】
この様な電極端子の配設構造を有する配線基板１５１にフリップチップ実装される半導体素子１５２の外部接続用丹治パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を、図１５に示す。当該図１５に於いても、半導体素子の一つの隅部（コーナー部）を例示している。
【０１２７】
即ち、半導体素子１５２の直線状外周縁部に沿って、矩形形状を有する外部接続用端子パッド１５７が、列状に配設されている。そして、当該外部接続用端子パッド１５７に於いては、矩形形状の対角線にほぼ沿って、凸状外部接続端子１５４Ａ，１５４Ｂが並び配設されている。即ち、当該半導体素子１５２にあっても、その一つの外周縁部に沿って、凸状外部接続端子１５４が２列に、ほぼ平行に配設される。
【０１２８】
この様な凸状外部接続端子の配設形態を有する半導体素子１５２を、前記配線基板１３１上にフリップチップ実装した状態を、図１６に示す。
【０１２９】
即ち、配線基板１５１の一方の主面上に、半導体素子１５２がフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載され、当該半導体素子１５２の凸状外部接続端子１５４と、これに対応する前記配線基板１５１上の電極端子１５４とが、導電部材１９を介して機械的・電気的に接続される。ここで、半導体素子１５２の凸状外部接続端子１５４Ａ、１５４Ｂは、対応する電極端子１５５−１の屈曲部１５５−３Ａ，１５５−３Ｂに於いて、導電部材１９を介して接続される。
【０１３０】
即ち、半導体素子１５２の一つの凸状外部接続用端子パッド１５７は、配線基板上の一つの電極端子１５５に対して、２箇所に於いて接続され、且つ二つの凸状外部接続端子１５４Ａ，１５４Ｂはそれぞれ、厚く被着された（多量の）導電部材１９をもって、対応する屈曲部位に於いて電極端子１５５に接続・固着される。
【０１３１】
また、この時、当該凸状外部接続端子１５４の高さのバラツキ、或いは配線基板１５１の反りが吸収され、半導体素子１５２と配線基板上の電極端子１５５は、高い接続安定性（歩留り）及び高い接続信頼性をもって接続される。
【０１３２】
尚、図において、２０はアンダーフィル材を指す。
【０１３３】
以上、本発明の実施の形態及びその変形例について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０１３４】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
一方の主面に、電子部品の外部接続端子が接続される電極端子が複数個、列状に配設された配線基板であって、
前記電極端子は、それぞれ、
第１の直線状部と、
当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、
前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部と
を有することを特徴とする配線基板。
（付記２）
付記１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記第１の直線状部が互いに並行となる様配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記３）
付記１又は２記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記第２の直線状部が互いに並行となるよう配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記４）
付記１乃至３記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記屈曲部が列状に配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記５）
付記４記載の配線基板であって、
前記主面において、複数の前記電極端子から構成される列が、互いに平行に複数形成されており、
一の列を構成する電極端子の屈曲部と、他の列を構成する電極端子の屈曲部とは、前記列の形成方向においてずれて位置していることを特徴とする配線基板。
（付記６）
付記１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記屈曲部が複数の列状に配設され、当該複数の列は互いに並行であることを特徴とする配線基板。
（付記７）
付記１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、それぞれ前記第１の直線状部の両端部に前記屈曲部が配設されてなること特徴とする配線基板。
（付記８）
付記７記載の配線基板であって、
前記第１の直線状部の一の端部に配設された屈曲部と、前記第１の直線状部の他の端部に配設された屈曲部は、前記電極端子の配列方向と略垂直の方向に並んで配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記９）
付記７記載の配線基板であって、
前記第１の直線状部の一の端部に配設された屈曲部と、前記第１の直線状部の他の端部に配設された屈曲部は、前記電極端子の配列方向においてずれて配設されてなることを特徴とする配線基板。
（付記１０）
付記１乃至９いずれか一項記載の配線基板であって、
前記第２の直線状部は、前記第１の直線状部の端部に於いて前記第１の直線状部に対して鋭角を為して延びていることを特徴とする配線基板。
（付記１１）
電子部品が、導電部材を介して配線基板上の電極端子に実装される電子部品の実装構造であって、
一方の主面に、それぞれ、第１の直線状部と、当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部とを具備してなる前記電極端子が、複数個、列状に配設された前記配線基板の、前記電極端子の前記屈曲部に、導電部材を介して、前記電子部品の外部接続端子が接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記１２）
付記１１記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の前記外部接続端子は、凸状を有することを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記１３）
付記１１記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の前記外部接続端子は、互いに並行する複数の列状をもって、前記配線基板上の前記電極端子に接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記１４）
付記１１記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の電極パッドに於ける前記外部接続端子の形態に対応して、前記配線基板上の前記電極端子の前記屈曲部が配設され、前記電子部品の前記外部接続端子と前記電極端子の前記屈曲部は、前記導電部材を介して接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
（付記１５）
付記１１乃至１４いずれか一項記載の電子部品の実装構造であって、
前記導電部材は、半田を含む材料から構成されることを特徴とする電子部品の実装構造。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】本発明の実施の形態に係る配線基板上への半導体素子の実装構造の要部を示す図である。
【図２】図１に示す配線基板に於いて、点線Aで囲んだ部分の平面形状を示す平面図である。
【図３】図２に示す配線基板に於ける線Ｘ−Ｘ断面を示す図である。
【図４】図３に示す配線基板に於いて電極端子上に導電部材を被覆した状態を示す断面図である。
【図５】配線基板上の電極端子の屈曲部に設けられた導電部材の厚みと、第１の直線状部と第２の直線状部に設けられた導電部材の厚みとを説明するための図である。
【図６】図１に示す配線基板への半導体素子の実装工程を説明するための断面図（その１）である。
【図７】図１に示す配線基板への半導体素子の実装工程を説明するための断面図（その２）である。
【図８】本発明の実施の形態の変形例１に係る配線基板の電極端子を示す部分平面図である。
【図９】本発明の実施の形態の変形例２に係る配線基板の電極端子を示す部分平面図である。
【図１０】図８又は図９に示す配線基板に実装される半導体素子の外部接続用端子パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を示す部分平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態の変形例３に係る配線基板の電極端子を示す部分平面図である。
【図１２】図１１に示す配線基板に実装される半導体素子の、外部接続用端子パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を示す部分平面図である。
【図１３】図１１に示す配線基板上に図１２に示す半導体素子を実装した構造を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態の変形例4に係る配線基板の電極端子を示す部分平面図である。
【図１５】図１４に示す配線基板に実装される半導体素子の、外部接続用端子パッド及び凸状外部接続端子の配設構造を示す部分平面図である。
【図１６】図１４に示す配線基板上に図１５に示す半導体素子を実装した構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３６】
１０、１３０、１５０ 半導体装置
１１、８１、９１、１３１、１５１ 配線基板
１２、１００、１１０、１３２、１５２ 半導体素子
１４、１１４、１２４、１３４、１５４ 凸状外部接続端子
１６、８５、９５、１３５、１５５ 電極端子
１６−１、８５−１、９５−１、１３５−１、１５５−１ 第１の直線状部
１６−２、８５−２、９５−２、１３５−２、１５５−２ 第２の直線状部
１６−３、８５−３、９５−３、１３５−３、１５５−３ 屈曲部
１８、１１７、１２７、１３７、１５７ 外部接続用端子パッド
１９ 導電部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に、電子部品の外部接続端子が接続される電極端子が複数個、列状に配設された配線基板であって、
前記電極端子は、それぞれ、
第１の直線状部と、
当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、
前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部と
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記第１の直線状部が互いに並行となる様配設されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記第２の直線状部が互いに並行となるよう配設されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記屈曲部が列状に配設されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記屈曲部が複数の列状に配設され、当該複数の列は互いに並行であることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、それぞれ前記第１の直線状部の両端部に前記屈曲部が配設されてなること特徴とする配線基板。
【請求項７】
電子部品が、導電部材を介して配線基板上の電極端子に実装される電子部品の実装構造であって、
一方の主面に、それぞれ、第１の直線状部と、当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部とを具備してなる前記電極端子が、複数個、列状に配設された前記配線基板の、前記電極端子の前記屈曲部に、導電部材を介して、前記電子部品の外部接続端子が接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項８】
請求項７記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の前記外部接続端子は、凸状を有することを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項９】
請求項７記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の前記外部接続端子は、互いに並行する複数の列状をもって、前記配線基板上の前記電極端子に接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項１０】
請求項７記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の電極パッドに於ける前記外部接続端子の形態に対応して、前記配線基板上の前記電極端子の前記屈曲部が配設され、前記電子部品の前記外部接続端子と前記電極端子の前記屈曲部は、前記導電部材を介して接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項１】
一方の主面に、電子部品の外部接続端子が接続される電極端子が複数個、列状に配設された配線基板であって、
前記電極端子は、それぞれ、
第１の直線状部と、
当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、
前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部と
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記第１の直線状部が互いに並行となる様配設されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記第２の直線状部が互いに並行となるよう配設されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記屈曲部が列状に配設されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、前記屈曲部が複数の列状に配設され、当該複数の列は互いに並行であることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板であって、
前記複数個の電極端子は、それぞれ前記第１の直線状部の両端部に前記屈曲部が配設されてなること特徴とする配線基板。
【請求項７】
電子部品が、導電部材を介して配線基板上の電極端子に実装される電子部品の実装構造であって、
一方の主面に、それぞれ、第１の直線状部と、当該第１の直線状部の端部に於いて当該第１の直線状部とは異なる方向に延びる第２の直線状部と、前記第１の直線状部と前記第２の直線状部とが連続する部位に於ける屈曲部とを具備してなる前記電極端子が、複数個、列状に配設された前記配線基板の、前記電極端子の前記屈曲部に、導電部材を介して、前記電子部品の外部接続端子が接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項８】
請求項７記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の前記外部接続端子は、凸状を有することを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項９】
請求項７記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の前記外部接続端子は、互いに並行する複数の列状をもって、前記配線基板上の前記電極端子に接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項１０】
請求項７記載の電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の電極パッドに於ける前記外部接続端子の形態に対応して、前記配線基板上の前記電極端子の前記屈曲部が配設され、前記電子部品の前記外部接続端子と前記電極端子の前記屈曲部は、前記導電部材を介して接続されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００８−２２７０５０（Ｐ２００８−２２７０５０Ａ）
【公開日】平成２０年９月２５日（２００８．９．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−６１５３１（Ｐ２００７−６１５３１）
【出願日】平成１９年３月１２日（２００７．３．１２）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月２５日（２００８．９．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月１２日（２００７．３．１２）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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