配線板及びその製造方法
【課題】導体層とフィルド導体との間のシーム発生を抑制する。
【解決手段】配線板が、コア絶縁層と、コア絶縁層の第１面側に形成される複数の第１面側導体層及びその層間の第１面側層間絶縁層と、コア絶縁層の第２面側に形成される複数の第２面側導体層及びその層間の第２面側層間絶縁層と、一端が第１面側導体層に接続され、他端が第２面側導体層に接続されるスルーホール導体と、を有する。層間絶縁層の各々には、給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含むビア導体が形成される。また、スルーホール導体は、無電解めっきからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む。そして、スルーホール導体の一端又は他端が接続される導体層下の第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層に形成されたビア導体の給電層はそれぞれ、無電解めっきからなり、それ以外のビア導体の給電層はそれぞれ、無電解めっきとは異なる材料からなる。
【解決手段】配線板が、コア絶縁層と、コア絶縁層の第１面側に形成される複数の第１面側導体層及びその層間の第１面側層間絶縁層と、コア絶縁層の第２面側に形成される複数の第２面側導体層及びその層間の第２面側層間絶縁層と、一端が第１面側導体層に接続され、他端が第２面側導体層に接続されるスルーホール導体と、を有する。層間絶縁層の各々には、給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含むビア導体が形成される。また、スルーホール導体は、無電解めっきからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む。そして、スルーホール導体の一端又は他端が接続される導体層下の第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層に形成されたビア導体の給電層はそれぞれ、無電解めっきからなり、それ以外のビア導体の給電層はそれぞれ、無電解めっきとは異なる材料からなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、層間絶縁層に孔を形成することと、その孔の壁面に無電解銅めっき膜を形成することと、その孔内に電気銅めっきを充填することと、を含む配線板の製造方法（詳しくは、層間接続としてのフィルドビアの形成方法）、及びこの製造方法により製造される配線板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３１９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示される配線板の製造方法においては、下記のような条件で、孔内に電気銅めっきが充填される。すなわち、銅のめっき液として「液組成が硫酸銅１７０〜２４０ｇ／Ｌ，硫酸３０〜８０ｇ／Ｌ，塩素イオン２０〜６０ｍｇ／Ｌであり、更にここに、例えばキューブライトＶＦ−ＩＩ（商品名、荏原ユージライト社製）を添加剤としたもの」（特許文献１の段落「００３５」を参照）を用い、めっき条件として「浴温２０〜３０℃，電流密度２〜５Ａ／ｄｍ２、好ましくは２〜３Ａ／ｄｍ２に設定し、エアー方式または噴流方式でめっき液を攪拌する」（特許文献１の段落「００３６」を参照）。
【０００５】
しかしながら、こうした電解めっきでは、導体層上に形成された小径のビアホール内にめっき金属を充填してフィルド導体を形成する場合に、導体層とフィルド導体との間にシームが発生し易い。また、給電層として良質の無電解銅めっき膜を得るためには、還元剤としてはホルマリン等が、また、触媒としてレアメタルであるパラジウム（Ｐｂ）等が必要になるため、環境負荷又はコストの面で不利になり易い。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、導体層とフィルド導体との間のシーム発生を抑制することを目的とする。また、本発明は、小さな環境負荷又は低コストで良質の給電層を得ることを目的とする。また、本発明は、高い生産性でフィルド導体を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る配線板は、
第１面及びその反対側の第２面を有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面側に形成される複数の第１面側導体層と、
前記コア絶縁層の前記第２面側に形成される複数の第２面側導体層と、
前記第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層と、
前記第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層と、
一端が前記第１面側導体層に接続され、他端が前記第２面側導体層に接続されるスルーホール導体と、
を有する配線板であって、
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々には、給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含むビア導体が形成され、
前記スルーホール導体は、無電解めっきからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含み、
前記スルーホール導体の一端が接続される前記第１面側導体層下の前記第１面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の前記給電層と、前記スルーホール導体の他端が接続される前記第２面側導体層下の前記第２面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の前記給電層とはそれぞれ、無電解めっきからなり、それ以外の前記ビア導体の前記給電層はそれぞれ、無電解めっきとは異なる材料からなる。
【０００８】
前記無電解めっきとは異なる材料は、グラファイトである、ことが好ましい。
【０００９】
前記スルーホール導体は、当該配線板を貫通し、最外層の前記第１面側導体層と最外層の前記第２面側導体層とを互いに電気的に接続する、ことが好ましい。
【００１０】
前記第１面側導体層の層数及び前記第２面側導体層の層数はそれぞれ、５層以上である、ことが好ましい。
【００１１】
前記スルーホールの壁面において、内層の前記第１面側導体層及び内層の前記第２面側導体層の少なくとも一方と、前記スルーホール導体とが、互いに電気的に接続される、ことが好ましい。
【００１２】
前記コア絶縁層には、該コア絶縁層を貫通する孔が形成され、
前記配線板は、前記孔の壁面に、前記コア絶縁層の前記第１面上に形成された前記第１面側導体層と前記コア絶縁層の前記第２面上に形成された前記第２面側導体層とを、互いに電気的に接続する接続導体を有し、
前記接続導体は、グラファイトからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む、
ことが好ましい。
【００１３】
前記コア絶縁層を貫通する前記孔には、前記給電層及び前記電解めっきが充填されている、ことが好ましい。
【００１４】
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に形成された前記ビア導体はそれぞれ、前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に形成されたビアホールに、前記給電層及び前記電解めっきが充填されてなる、ことが好ましい。
【００１５】
前記第１面側導体層及び前記第２面側導体層はそれぞれ、無電解めっき及び金属箔の少なくとも一方からなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む、ことが好ましい。
【００１６】
本発明に係る配線板の製造方法は、
第１面及びその反対側の第２面を有するコア絶縁層を準備することと、
前記コア絶縁層の前記第１面側に形成される複数の第１面側導体層と、該第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層とを形成することと、
前記コア絶縁層の前記第２面側に形成される複数の第２面側導体層と、該第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層とを形成することと、
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に、ビアホールを形成し、該ビアホール内にビア導体を形成することと、
前記コア絶縁層、前記第１面側層間絶縁層、及び前記第２面側層間絶縁層に、スルーホールを形成し、該スルーホール内に、一端が前記第１面側導体層に接続され、他端が前記第２面側導体層に接続されるスルーホール導体を形成することと、
を含む配線板の製造方法であって、
前記スルーホール導体の形成、前記スルーホール導体の一端が接続される前記第１面側導体層下の前記第１面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の形成、及び前記スルーホール導体の他端が接続される前記第２面側導体層下の前記第２面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の形成ではそれぞれ、無電解めっきからなる給電層を形成した後、該給電層に給電しながら電解めっきを行って該給電層の上に電解めっきを形成し、
それ以外の前記ビア導体の形成では、無電解めっきとは異なる材料からなる給電層を形成した後、該給電層に給電しながら電解めっきを行って該給電層の上に電解めっきを形成する。
【００１７】
前記無電解めっきとは異なる材料は、グラファイトである、ことが好ましい。
【００１８】
前記スルーホール導体は、当該配線板を貫通し、最外層の前記第１面側導体層と最外層の前記第２面側導体層とを互いに電気的に接続する、ことが好ましい。
【００１９】
前記スルーホールの形成により、内層の前記第１面側導体層及び内層の前記第２面側導体層の少なくとも一方が削られ、その削られた導体層は前記スルーホールの壁面に露出する、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、導体層とフィルド導体との間のシーム発生を抑制することが可能になる。また、本発明によれば、この効果に加えて又はこの効果に代えて、小さな環境負荷又は低コストで良質の給電層が得られるという効果が奏される場合がある。また、本発明によれば、この効果に加えて又はこの効果に代えて、高い生産性でフィルド導体を形成できるという効果が奏される場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態１に係る配線板を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る配線板のスルーホール及びフィルドスタックの配置を示す図である。
【図３】図１の一部を拡大して示す図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板の最外層のビア導体を示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態１に係る配線板の内層のビア導体を示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態１に係る配線板のコア部の接続導体を示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、コア部を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、有底孔の壁面に、給電層を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図７】図６の工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図８】図６及び図７の工程により形成された給電層の形態の例を示す平面図である。
【図９】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、パルス電源により電解めっきを行うための装置の構成例を模式的に示す図である。
【図１０】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、パルス電源により電解めっきを行う場合の、第１電極と第２電極との間の電圧波形の例を模式的に示す図である。
【図１１】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、電解めっきにより有底孔がめっき金属で充填される様子を示す断面図である。
【図１２】無電解めっき（化学銅）からなる給電層を有する配線板に直流電源により電解めっきを行う例において、第１電極と第２電極との間の電圧を示す図である。
【図１３】図１２の例において、電解めっきにより有底孔がめっき金属で充填される様子を示す断面図である。
【図１４】異なる材料からなる各給電層についての電解めっき特性を示す図である。
【図１５Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、エッチングレジストを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１５Ｂ】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、図１５Ａに示すエッチングレジストを用いてエッチングする工程を説明するための断面図である。
【図１６Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、コア部の両面に内層ビルドアップ部を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａの工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための断面図である。
【図１６Ｄ】図１６Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６Ｄの工程の後の第５の工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７の工程の後の第６の工程を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、当該配線板の最外層及びスルーホール導体を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９の工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０の工程により形成されるスルーホールを拡大して示す断面図である。
【図２２】図２０の工程により削られる導体層の平面形状の一例を示す図である。
【図２３Ａ】図２０の工程の後の第３の工程を説明するための断面図である。
【図２３Ｂ】図２３Ａの工程の後の第４の工程を説明するための断面図である。
【図２４Ａ】最外層の給電層としてグラファイトを用いる配線板の製造方法において、給電層を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ａの工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図２５Ａ】図２３Ｂの工程の後の第５の工程を説明するための断面図である。
【図２５Ｂ】図２５Ａの工程の後の第６の工程を説明するための断面図である。
【図２６】本発明の実施形態１に係る配線板の表面に電子部品を実装した例を示す断面図である。
【図２７】本発明の他の実施形態において、電子部品を内蔵する配線板を示す断面図である。
【図２８Ａ】本発明の実施形態２に係る配線板を示す断面図である。
【図２８Ｂ】図２８Ａの一部を拡大して示す図である。
【図２９Ａ】本発明の実施形態２に係る配線板の第１面側スルーホール絶縁層及び第２面側スルーホール絶縁層に形成されたビア導体を示す断面図である。
【図２９Ｂ】本発明の実施形態２に係る配線板の非スルーホール絶縁層に形成されたビア導体を示す断面図である。
【図３０Ａ】本発明の他の実施形態において、切欠からなるスルーホールが形成された配線板を示す図である。
【図３０Ｂ】本発明の他の実施形態において、切欠からなるスルーホールと孔からなるスルーホールとの両方が形成された配線板を示す図である。
【図３１】本発明の他の実施形態において、切欠からなるスルーホールの形成方法の一例を説明するための図である。
【図３２】本発明の他の実施形態において、コア部の接続導体がスルーホール導体である配線板を示す図である。
【図３３】本発明の実施形態において、最外層の導体層の構造の変形例を示す図である。
【図３４Ａ】本発明の実施形態において、コア部の接続導体、ビルドアップ部のビア導体、及びスルーホール導体の平面形状の第１の変形例を示す図である。
【図３４Ｂ】本発明の実施形態において、コア部の接続導体、ビルドアップ部のビア導体、及びスルーホール導体の平面形状の第２の変形例を示す図である。
【図３４Ｃ】本発明の実施形態において、コア部の接続導体、ビルドアップ部のビア導体、及びスルーホール導体の平面形状の第３の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。積層方向において、配線板のコアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。
【００２３】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。
【００２４】
ビアホールとは、例えば絶縁層の一側に導体層（主に下層側の導体層）がある状態で穴開けを行うことによって形成され、絶縁層の他側からその導体層に至る開口部をいう。ビアホール内に形成される導体（以下、ビア導体という）は、絶縁層の一側に導体層がある状態で形成されるため、ビア導体と絶縁層の少なくとも一側の導体層とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される。一方、スルーホールとは、絶縁層の一側又は両側に導体層がある場合はその導体層も含めて絶縁層を貫通するように形成される開口部をいう。スルーホール内に形成される導体（以下、スルーホール導体という）は、通常、めっき等により、絶縁層の両側の導体層と一緒に形成されるため、スルーホール導体と絶縁層の両側の導体層とは、少なくとも一部で連続している。
【００２５】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。例えばスルーホールには、孔のほか、切欠等も含まれる（後述の図３０Ａ、図３０Ｂ、図３１参照）。
【００２６】
開口部内に形成される導体（ビア導体やスルーホール導体等）のうち、開口部の壁面（側面及び底面）に形成された導体膜をコンフォーマル導体といい、開口部に充填された導体をフィルド導体という。
【００２７】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体層（例えば金属層）をいう。めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００２８】
（実施形態１）
本実施形態に係る配線板１００は、例えば図１に示すような多層プリント配線板である。本実施形態の配線板１００は、両面リジッド配線板である。ただし、本発明に係る配線板は、リジッド配線板には限定されず、例えばフレキシブル配線板又はフレックスリジッド配線板であってもよい。また、本発明に係る配線板は、両面配線板に限定されず、片面配線板であってもよい。また、配線板１００において、導体層及び絶縁層の寸法、層数等は、任意に変更することができる。
【００２９】
配線板１００は、図１に示すように、コア絶縁層１０ａと、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａと、導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、９１と、接続導体１２及びビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２と、を有する。コア絶縁層１０ａは、第１面Ｆ１（Ｚ１側）及びその反対側の第２面Ｆ２（Ｚ２側）を有する。コア絶縁層１０ａ、接続導体１２、及び導体層１１ａ、１１ｂは、コア部に相当する。また、コア部よりも上層の絶縁層２０ａ〜９０ａ等は、ビルドアップ部に相当する。
【００３０】
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側には、５層の導体層１１ａ、２１、４１、６１、８１（それぞれ第１面側導体層）と４層の絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ（それぞれ第１面側層間絶縁層）とが交互に積層されている。図１に示すように、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａはそれぞれ、導体層１１ａ、２１、４１、６１、８１の各層間に形成される。ただしこれに限られず、第１面側導体層の層数は任意である。
【００３１】
コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側には、５層の導体層１１ｂ、３１、５１、７１、９１（それぞれ第２面側導体層）と４層の絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ（それぞれ第２面側層間絶縁層）とが交互に積層されている。図１に示すように、絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａはそれぞれ、導体層１１ｂ、３１、５１、７１、９１の各層間に形成される。ただしこれに限られず、第２面側導体層の層数は任意である。
【００３２】
コア絶縁層１０ａには、コア絶縁層１０ａを貫通する接続孔１２ａ（ビアホール）が形成されている。接続導体１２は、フィルド導体であり、接続孔１２ａに導体が充填されて構成される（後述の図４Ｃ参照）。本実施形態では、接続導体１２がビア導体である。ビア導体はスルーホール導体よりも容易に形成できるため、こうした構造は、コスト低減等に有利である。ただしこれに限られず、接続導体１２は、スルーホール導体であってもよい（例えば後述の図３２参照）。
【００３３】
コア絶縁層１０ａは、例えばエポキシ樹脂からなる。エポキシ樹脂は、例えば樹脂含浸処理により、ガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）やアラミド繊維（例えばアラミド不織布）等の補強材を含んでいることが好ましい。補強材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。ただしこれに限定されず、コア絶縁層１０ａの材料は任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いることができる。また、コア絶縁層１０ａは、補強材を含んでいなくてもよい。
【００３４】
接続導体１２の形状は、例えばコア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１から第２面Ｆ２に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、接続導体１２の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は例えば真円である。しかしこれに限定されず、接続導体１２の形状は任意である（例えば後述の図３４Ａ〜図３４Ｃ参照）。
【００３５】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａには、それぞれビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が形成される。これらビア導体２２等はそれぞれ、フィルド導体であり、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａに導体が充填されて構成される（後述の図４Ａ及び図４Ｂ参照）。ビア導体２２、４２、６２、８２の形状は、例えばコア絶縁層１０ａに向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、ビア導体２２、４２、６２、８２の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は例えば真円である。また、ビア導体３２、５２、７２、９２の形状は、例えばコア絶縁層１０ａに向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、ビア導体３２、５２、７２、９２の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は例えば真円である。しかしこれに限定されず、ビア導体２２等の形状は任意である（例えば後述の図３４Ａ〜図３４Ｃ参照）。
【００３６】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａはそれぞれ、例えばエポキシ樹脂に、補強材を樹脂含浸してなる。補強材としては、例えばガラス繊維又はアラミド繊維等の無機材料を用いることができる。ただしこれに限られず、各層間絶縁層の材料は任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いることができる。また、各層間絶縁層は、補強材を含んでいなくてもよい。
【００３７】
本実施形態の配線板１００は、コア部（コア絶縁層１０ａ）の接続導体１２、及びビルドアップ部（絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ）のビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が同軸（Ｚ軸）上に積重されて構成されるフィルドスタックＳを有する。ただし、これら接続導体１２及びビア導体２２等が、同軸（Ｚ軸）上に積重されることは必須ではない。
【００３８】
フィルドスタックＳでは、隣接するフィルド導体同士が密着（接触）し、互いに導通する。フィルドスタックＳは、配線板１００の両面の導体層、すなわち最外の導体層８１及び９１を相互に電気的に接続する。
【００３９】
本実施形態のフィルドスタックＳは、全層のフィルド導体が積重された構造、いわゆるフルスタック構造になっている。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、配線長の短縮を図ることができる。
【００４０】
本実施形態では、１つのフィルドスタックＳが、例えば図２に示すように、配線板１００の中央に配置される。なお、フィルドスタックＳの配置や数は、任意である。例えばフィルドスタックＳが複数あってもよい。
【００４１】
本実施形態の配線板１００には、図１に示すように、配線板１００の全層を貫通するスルーホール１０２ａが形成される。スルーホール１０２ａは、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する。本実施形態では、スルーホール導体１０２の一端が、最外層の導体層８１（詳しくは、導体層８１に含まれるランド８１ａ）に接続され、スルーホール導体１０２の他端が、最外層の導体層９１（詳しくは、導体層９１に含まれるランド９１ａ）に接続される。
【００４２】
スルーホール１０２ａの形状は、例えば円柱であり、スルーホール１０２ａの開口形状は、例えば図２に示すように、長円である。スルーホール１０２ａの開口形状が長円であることで、Ｘ−Ｙ平面における広い領域の強度を効果的に向上させることができると考えられる。
【００４３】
スルーホール１０２ａは、例えば図２に示すように、配線板１００の周縁部に配置される。ただし、スルーホール１０２ａの数、開口形状、及び配置等は任意である。
【００４４】
図３に、図１の一部（スルーホール近傍）を拡大して示す。
【００４５】
図３に示すように、本実施形態では、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０に、スルーホール導体１０２が形成される。スルーホール導体１０２は、コンフォーマル導体からなる。コンフォーマル導体は、スルーホール１０２ａに導体が充填されるフィルド導体とは異なり、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０のみに導体を有するため、スルーホール１０２ａ内に空洞が形成され、配線板１００の歪みが緩和され易くなる。ただしこれに限定されず、コンフォーマル導体に代えて、フィルド導体を用いてもよい。
【００４６】
本実施形態では、スルーホール導体１０２が、最外層の導体層８１（第１面側導体層）と最外層の導体層９１（第２面側導体層）とを電気的に接続する。また、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、内層の導体層１１ａ（第１面側導体層）及び内層の導体層１１ｂ（第２面側導体層）等と、スルーホール導体１０２とが、互いに接触し、電気的に接続されている。ただし、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、内層の導体層とスルーホール導体１０２とが、互いに接触していることは必須ではない。スルーホール導体１０２は、配線板１００のグランドライン等と電気的に接続されていても、あるいは他の導体の全てと絶縁されて電気的に孤立していてもよい。
【００４７】
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側の最外層の導体層８１（第１面側導体層）は、例えば絶縁層８０ａ（第１面側層間絶縁層）上に、銅箔２０１ａと、例えば銅の無電解めっき膜２０２ａと、例えば銅の電解めっき２０３ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層８１は、銅箔２０１ａ及び無電解めっき膜２０２ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ａと、を含む。
【００４８】
スルーホール導体１０２は、例えばスルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０上に、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｂと、例えば銅の電解めっき２０３ｂとが、この順で積層されて構成される。すなわち、スルーホール導体１０２は、無電解めっき膜２０２ｂからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｂと、を含む。
【００４９】
コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側の最外層の導体層９１（第２面側導体層）は、例えば絶縁層９０ａ（第２面側層間絶縁層）上に、銅箔２０１ｃと、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｃと、例えば銅の電解めっき２０３ｃとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層９１は、銅箔２０１ｃ及び無電解めっき膜２０２ｃからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｃと、を含む。
【００５０】
スルーホール１０２ａは、絶縁層の両面の導体層（例えば銅箔）も含めて絶縁層を貫通するように形成される（後述の図１９〜図２２参照）。また、スルーホール導体１０２は、めっきにより、絶縁層の両側の導体層８１、９１と一緒に形成される（後述の図２３Ａ、図２３Ｂ参照）。このため、スルーホール導体１０２と絶縁層の両側の導体層８１、９１とは、少なくとも一部で連続している。具体的には、図３に示すように、スルーホール導体１０２及びその両端の導体層８１、９１においては、無電解めっき膜２０２ａと、無電解めっき膜２０２ｂと、無電解めっき膜２０２ｃとが、互いに一体的に形成され、また、電解めっき２０３ａと、電解めっき２０３ｂと、電解めっき２０３ｃとが、互いに一体的に形成される。
【００５１】
最外層のビア導体８２、９２はそれぞれ、例えば図４Ａに示すように、ビアホール８２ａ、９２ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｄと、例えば銅の電解めっき２０３ｄと、が充填されて構成される。具体的には、ビアホール８２ａ、９２ａの内面（壁面及び底面）上に、無電解めっき膜２０２ｄが形成され、その内側に、電解めっき２０３ｄが充填される。すなわち、ビア導体８２及び９２はそれぞれ、無電解めっき膜２０２ｄからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｄと、を含む。
【００５２】
内層の導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１はそれぞれ、例えば図４Ｂに示すように、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ上に、銅箔２１１ａと、例えば銅の電解めっき２１２ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１はそれぞれ、銅箔２１１ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２１２ａと、を含む。
【００５３】
内層のビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２はそれぞれ、例えば図４Ｂに示すように、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ内に、グラファイト膜２１０と、例えば銅の電解めっき２１２ｂと、が充填されて構成される。具体的には、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａの内面（詳しくは、壁面）上に、グラファイト膜２１０が形成され、その内側に、電解めっき２１２ｂが充填される。すなわち、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２はそれぞれ、グラファイト膜２１０からなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２１２ｂと、を含む。
【００５４】
コア部の導体層１１ａ、１１ｂはそれぞれ、例えば図４Ｃに示すように、コア絶縁層１０ａ上に、銅箔２２１ａ、２３１ａと、例えば銅の電解めっき２２２ａ、２３２ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層１１ａ、１１ｂはそれぞれ、銅箔２２１ａ、２３１ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２２２ａ、２３２ａと、を含む。
【００５５】
コア部の接続導体１２は、例えば図４Ｃに示すように、接続孔１２ａ内に、グラファイト膜２２０と、例えば銅の電解めっき２２２ｂと、が充填されて構成される。具体的には、接続孔１２ａの内面（詳しくは、壁面）上に、グラファイト膜２２０が形成され、その内側に、電解めっき２２２ｂが充填される。すなわち、接続導体１２は、グラファイト膜２２０からなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２２２ｂと、を含む。
【００５６】
接続孔１２ａ及びビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａはそれぞれ、絶縁層の一側に導体層がある状態で穴開けを行うことによって形成され、絶縁層の他側からその導体層に至る（後述の図５Ｂ、図１６Ｂ、図２０参照）。接続導体１２及びビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２はそれぞれ、絶縁層の一側に導体層がある状態で形成されるため、ビア導体と絶縁層の一側の導体層とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される。具体的には、例えば図４Ａに示すように、ビア導体８２、９２及びその上層側の導体層８１、９１においては、無電解めっき膜２０２ａと、無電解めっき膜２０２ｄとが、互いに一体的に形成され、また、電解めっき２０３ａと、電解めっき２０３ｄとが、互いに一体的に形成される。しかし、ビア導体８２、９２とその下層側の導体層６１、７１とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される（図１及び図４Ａ参照）。また、例えば図４Ｂに示すように、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２及びその上層側の導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１においては、電解めっき２１２ａと、電解めっき２１２ｂとが、互いに一体的に形成される。しかし、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２とその下層側の導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される（図１及び図４Ｂ参照）。また、例えば図４Ｃに示すように、接続導体１２及びその一側の導体層１１ａにおいては、電解めっき２２２ａと、電解めっき２２２ｂとが、互いに一体的に形成される。しかし、接続導体１２と他側の導体層１１ｂとは、非連続になり、両者の間には界面が形成される（図１及び図４Ｃ参照）。
【００５７】
本実施形態では、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ（それぞれ第１面側層間絶縁層）及び絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ（それぞれ第２面側層間絶縁層）の各々に、給電層（無電解めっき膜２０２ｄ、グラファイト膜２１０）と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｄ、２１２ｂと、を含むビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が形成される（図４Ａ及び図４Ｂ参照）。そして、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａの各々において、最外層にあるビア導体８２、９２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）は、無電解めっきからなり、それ以外の層にあるビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の給電層（グラファイト膜２１０）は、グラファイトからなる。
【００５８】
また、本実施形態では、コア絶縁層１０ａに、コア絶縁層１０ａを貫通する孔（接続孔１２ａ）が形成されている。また、本実施形態の配線板１００は、接続孔１２ａの壁面に、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上に形成された導体層１１ａ（第１面側導体層）とコア絶縁層の第２面Ｆ２上に形成された導体層１１ｂ（第２面側導体層）とを、互いに電気的に接続する接続導体１２を有する。そして、接続導体１２は、グラファイトからなる給電層（グラファイト膜２２０）と、その給電層の上に形成される電解めっき２２２ｂと、を含む（図４Ｃ参照）。
【００５９】
これにより、本実施形態の配線板１００のビルドアップ部における電気的接続（特に、層間接続）の信頼性を向上させることが可能になる（詳しくは、後述の製造方法の説明を参照）。
【００６０】
これにより、本実施形態の配線板１００のコア部における電気的接続（特に、コア絶縁層１０ａ両面間の電気的接続）の信頼性を向上させることが可能になる（詳しくは、後述の製造方法の説明を参照）。
【００６１】
本実施形態では、配線板１００に含まれる全ての導体パターン（各導体層の導体パターン）が、単一の金属材料（例えば銅）からなる。しかしこれに限定されず、導体パターンごと（例えば機能などで区別して）異なる導体材料で形成してもよい。
【００６２】
本実施形態では、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側に形成される導体層（第１面側導体層）の層数及びコア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側に形成される導体層（第２面側導体層）の層数がそれぞれ、５層以上である。本実施形態の配線板１００では、上記構造によりビルドアップ部における電気的接続（特に、層間接続）の信頼性が向上するため、こうした多層配線板についても、高い歩留まりで製造することが可能になる。
【００６３】
以下、本実施形態に係る配線板１００の製造方法について説明する。
【００６４】
まず、図５Ａに示すように、出発材料として、例えば積層板１０００（両面銅張積層板）を準備する。積層板１０００は、コア絶縁層１０ａと、金属箔１００１及び１００２（それぞれ例えば銅箔）と、を有する。コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１には金属箔１００１が形成され、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２には金属箔１００２が形成される。コア絶縁層１０ａの材料は、例えば補強材入りのエポキシ樹脂である。金属箔１００１、１００２はそれぞれ、はじめから所定の厚さ（薄い状態）で貼り付けてもよいし、比較的厚い金属箔を絶縁層に貼り付けた後、エッチング等によりその金属箔を薄くして所定の厚さに調整してもよい。
【００６５】
続けて、例えば黒色酸化処理法により、金属箔１００１、１００２の表面（例えば全面）を黒化処理する。これにより、レーザの吸収性が高まり、レーザ工程の処理効率を向上させることができると考えられる。
【００６６】
続けて、図５Ｂに示すように、例えばＣＯ２レーザにより、積層板１０００に接続孔１２ａを形成する。接続孔１２ａは、金属箔１００１及びコア絶縁層１０ａを貫通するが、金属箔１００２までは貫通しない。これにより、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１から金属箔１００２に至る接続孔１２ａが形成される。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００６７】
続けて、図５Ｃに示すように、接続孔１２ａ内に、グラファイトからなる給電層１００３を形成し、図５Ｄに示すように、金属箔１００１、１００２及び給電層１００３を用いて電解めっきを行うことで、電解めっき１００４、１００５を形成する。以下、これら給電層１００３及び電解めっき１００４、１００５を形成する工程について、詳しく説明する。
【００６８】
本実施形態では、図５Ｃに示すように、接続孔１２ａの壁面のみに選択的に給電層１００３を形成する。
【００６９】
具体的には、給電層１００３の形成に先立って、接続孔１２ａが形成された積層板１０００の表面（特に、図６に示す接続孔１２ａの壁面Ｆ２１）のコンディショニングを行う。コンディショニングの好ましい一例では、例えば積層板１０００を所定の時間コンディショナー溶液に浸漬した後、脱イオン水で水洗する。
【００７０】
続けて、図６に示すように、コンディショニングされた積層板１０００に、グラファイト膜１００３ａをコーティングする。コーティングの好ましい一例では、積層板１０００を所定の時間グラファイト分散液に浸漬して、コロイド状のグラファイト（グラファイト膜１００３ａ）を積層板１０００の接続孔１２ａの壁面Ｆ２１、底面Ｆ２２、及び金属箔１００１の上面Ｆ２３に付着させる。その後、積層板１０００を例えば硫酸溶液に浸漬して、グラファイト膜１００３ａを固定する。これにより、接続孔１２ａの壁面Ｆ２１、接続孔１２ａの底面Ｆ２２（金属箔１００２上）、及び金属箔１００１の上面Ｆ２３（金属箔１００１上）に一体的に、グラファイト膜１００３ａが形成される。
【００７１】
続けて、金属箔１００１及び１００２のエッチャント（例えば塩化第二銅又は塩化第二鉄）を用いたエッチング（ソフトエッチング）により、金属箔１００１及び１００２と共に、金属箔１００１及び１００２上のグラファイト膜１００３ａを除去する。エッチャントは、グラファイト膜１００３ａ下に入り込んで、グラファイト膜１００３ａ下の金属箔１００１及び１００２と共に、その上のグラファイト膜１００３ａを除去する。エッチャントは、グラファイト分子の隙間からグラファイト膜１００３ａ下に入り込むと考えられる。これにより、図７及び図８に示すように、接続孔１２ａの壁面Ｆ２１のみにグラファイト膜１００３ａ（給電層１００３）が残る。樹脂からなるコア絶縁層１０ａとグラファイトからなる給電層１００３とは、密着性（接続強度）が高い。本実施形態では、金属箔１００１及び１００２の表面を、約０．２μｍ〜約３．０μｍの範囲でエッチングする。
【００７２】
給電層１００３を厚く（例えば約０．３μｍ以上）形成する場合には、１回で形成せずに、上記コンディショニング、グラファイト膜１００３ａのコーティング（グラファイト膜１００３ａの形成）、並びに金属箔１００１及び１００２のソフトエッチング（グラファイト膜１００３ａの除去）を、２回以上繰り返す（グラファイト膜１００３ａの形成及び除去を交互に２回以上行う）ことで、段階的に形成することが好ましい。こうすることで、良質の（例えば抵抗の小さい）グラファイト膜が得られる。
【００７３】
図８中、給電層１００３の厚みＤ１（最小厚み）は、０．３〜０．６μｍの範囲にあることが好ましい。給電層１００３の厚みＤ１がこうした範囲にあれば、電解めっき時の電気抵抗が下がることによって、製造効率が向上する。
【００７４】
続けて、銅のパネルめっきにより、金属箔１００１、１００２上及び接続孔１２ａ内に、銅の電解めっきを形成する。
【００７５】
具体的には、図９に示すように、給電層１００３が形成された積層板１０００と第１電極２００１とを、容器２００２ａ内の溶液２００２に浸し、電源２００３（パルス電源）の一端に、積層板１０００（詳しくは、金属箔１００１、１００２、及び給電層１００３の各々）を接続し、他端に第１電極２００１を接続する。
【００７６】
第１電極２００１は、例えばめっきする金属（以下、めっき金属という）からなり、溶出極となる。ただしこれに限られず、第１電極２００１は、不溶性極であってもよい。本実施形態では、第１電極２００１が銅からなる。
【００７７】
積層板１０００において、金属箔１００１、１００２、及び給電層１００３はそれぞれ、第１電極２００１と対をなす第２電極となる。第２電極は、被めっき材に相当する。
【００７８】
溶液２００２は、めっき金属のイオンを含む。本実施形態では、溶液２００２が硫酸銅溶液であり、めっき金属が銅であり、めっき金属のイオンがＣｕ２＋である。また、溶液２００２には、必要に応じて、抑制剤又は促進剤等の添加剤が添加される。本実施形態の溶液２００２には、抑制剤としてレベラーが添加され、促進剤としてブライトナーが添加される。
【００７９】
電源２００３は、図９に示すように、第１電極２００１と第２電極（金属箔１００１、１００２、及び給電層１００３）との間の電圧波形をパルス制御して、一定周期で極性を切り替える。電源２００３は、整流器等から構成される。本実施形態では、第１電極２００１と第２電極との間の電圧波形が、図１０に示すような矩形波からなる。ただしこれに限定されず、電圧波形は任意である。
【００８０】
時間Ｔ１では、第２電極において下記のような析出反応Ｒ１が進み、時間Ｔ２では、第２電極において下記のような分解反応Ｒ２が進む。
（析出反応Ｒ１）Ｃｕ２＋ ＋ ２ｅ− → Ｃｕ
（分解反応Ｒ２）Ｃｕ → Ｃｕ２＋ ＋ ２ｅ−
時間Ｔ１においては、第１電極２００１と第２電極との間に析出電圧Ｖ１（＞０Ｖ）が印加され、析出反応Ｒ１が進み、第２電極にめっき金属（例えば銅）が析出する。
【００８１】
時間Ｔ２においては、第１電極２００１と第２電極との間に分離電圧Ｖ２（＜０Ｖ）が印加され、分解反応Ｒ２が進み、第２電極からめっき金属（例えば銅）が分離（離脱）する。
【００８２】
本実施形態では、一定の周期Ｔ３（＝時間Ｔ１＋時間Ｔ２）で、第１電極２００１及び第２電極の極性が入れ替わる。
【００８３】
本実施形態では、図１０に示すように、第１電極２００１（図９）と第２電極との間に析出電圧Ｖ１と分離電圧Ｖ２とを交互に印加しながら、第２電極（金属箔１００１、１００２、及び給電層１００３）の各々にめっき金属１００４ａを析出させていく。これにより、図１１に示すように、接続孔１２ａ（有底孔）がめっき金属１００４ａで充填される。また、接続孔１２ａにめっき金属１００４ａが充填されるのと同時に、金属箔１００１、１００２上にそれぞれ、めっき金属１００４ａが析出する。その結果、図５Ｄに示すように、接続孔１２ａ内に、給電層１００３及び電解めっき１００４が充填され、コア絶縁層１０ａに接続導体１２が形成される。また、図５Ｄに示すように、金属箔１００１、１００２上にそれぞれ、電解めっき１００４、１００５が形成される。接続導体１２において、給電層１００３は、図４Ｃに示すグラファイト膜２２０に相当し、電解めっき１００４は、図４Ｃに示す電解めっき２２２ｂに相当する。接続導体１２の底面は、金属箔１００２に接続される。なお、電解めっき１００５は、電解めっき１００４と同時に形成しても、別途形成してもよい。
【００８４】
電圧印加時の電位分布は、図１１に示すように、接続孔１２ａの壁面Ｆ２１及び底面Ｆ２２が低電位部Ｒ１１となり、金属箔１００１の上面Ｆ２３（表層及び肩）が高電位部Ｒ１２となる。本実施形態では、第１電極２００１（図９）と第２電極との間に析出電圧Ｖ１と分離電圧Ｖ２とを交互に印加しながらめっき金属１００４ａを析出させるため、低電位部Ｒ１１に厚いめっきを形成し、高電位部Ｒ１２に薄いめっきを形成することが可能になる。詳しくは、分解反応時には高析出部分（高電位部Ｒ１２）ほど分解が速く進むことになるため、析出、分解を繰り返すうちに、めっきの付きまわりの部分差が小さくなり、ビア内部でも適正なめっき（めっき金属１００４ａの析出）が可能となる。
【００８５】
図１２及び図１３に、銅の無電解めっき（化学銅）からなる給電層１００３ｂを有する配線板に直流電源により電解めっきを行う例について、第１電極と第２電極との間の電圧（図１２）、及び、電解めっきにより接続孔１２ａ（有底孔）がめっき金属１００４ａで充填される様子（図１３）を示す。
【００８６】
この例では、図１２に示すように、陽極（アノード）と給電層１００３ｂ（陰極：カソード）との間に一定の電圧Ｖ０を印加し、図１３に示すように、電解めっきにより給電層１００３ｂ上にめっき金属１００４ａ（銅）を析出させる。このため、低電位部Ｒ１１に薄いめっき（銅）が形成され、高電位部Ｒ１２に厚いめっき（銅）が形成される。
【００８７】
本実施形態では、給電層１００３が、めっき金属１００４ａよりも溶液２００２に溶けにくい材料からなる。溶け易さは、例えば標準電極電位で比較することができる。詳しくは、標準電極電位が大きいほど溶けにくい。本実施形態では、給電層１００３がグラファイトからなり、めっき金属１００４ａが銅からなる。グラファイトの標準電極電位は、銅の標準電極電位よりも大きい。
【００８８】
本実施形態における分離電圧Ｖ２（図１０）は、めっき金属１００４ａが溶液２００２に溶け、且つ、給電層１００３が溶液２００２に溶けない範囲に設定される。これにより、給電層１００３をほとんど溶かすことなく、分解反応Ｒ２が進むことになる。
【００８９】
給電層１００３が溶けて薄くなると、抵抗値が高くなって電解めっきの速度が遅くなったり、めっき金属１００４ａの析出が均一でなくなったりするおそれがある。また、給電層１００３が完全に溶けて無くなると、電解めっきを行うことができなくなる。このため、給電層１００３が溶け易い場合は、分離電圧Ｖ２を高くすること、又はめっき金属１００４ａの離脱時間（時間Ｔ２）を長くすることが難しい。この点、本実施形態では、給電層１００３が、めっき金属１００４ａよりも溶液２００２に溶けにくい材料からなる。これにより、分離電圧Ｖ２を高くすること、又はめっき金属１００４ａの離脱時間（時間Ｔ２）を長くすることが可能になる。その結果、高い生産性でフィルド導体を形成することが可能になる。また、分離電圧Ｖ２を高くすることで、金属箔１００２と接続導体１２との間のシーム発生を抑制することが可能になる。このため、小径のビアホールに電解めっきする場合でも、シームレスになり易くなる。
【００９０】
図１４に、電解めっきの給電層として化学銅を用いた場合の特性と、電解めっきの給電層として銅よりも標準電極電位の大きい各導電性材料を用いた場合の特性と、を対比して示す。
【００９１】
図１４に示されるように、厚さ５０ｎｍの化学銅の抵抗値は０．００８Ωであり、厚さ３００ｎｍのグラファイトの抵抗値は０．０８Ωであり、厚さ５０ｎｍのカーボンブラックの抵抗値は５Ωであり、厚さ約１ｎｍのパラジウムの抵抗値は３Ωであり、厚さ約１ｎｍの導電性ポリマの抵抗値は５０Ωである。
【００９２】
本実施形態では、導体層８１（スルーホール導体１０２の一端が接続される第１面側導体層）下の絶縁層８０ａ（第１面側層間絶縁層）に形成されたビア導体８２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）と、導体層９１（スルーホール導体１０２の他端が接続される第２面側導体層）下の絶縁層９０ａ（第２面側層間絶縁層）に形成されたビア導体９２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）とを構成する材料（化学銅）が、それ以外のビルドアップ部に形成されたビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の給電層（グラファイト膜２１０）を構成する材料（グラファイト）よりも抵抗値が低い。
【００９３】
本実施形態では、図５Ｃ及び図７に示されるように、接続孔１２ａの壁面Ｆ２１のみに選択的に給電層１００３が形成される。このため、給電層１００３を介在させず、金属箔１００２上に直接、めっき金属１００４ａを析出させることが可能になる。これにより、金属箔１００２とめっき金属１００４ａとの結合が金属同士の結合になるため、接合強度が向上する。
【００９４】
しかしながら、金属箔１００２と接続導体１２との間に給電層１００３の材料が残留すると、シームが発生し易くなる。この点、金属箔１００２を構成する材料（銅）と同じ金属である化学銅は、実質的に、金属箔１００２と区別がつかない（又は同一視できる）ため、金属箔１００２上に残留しないと考えられる。また、非金属であるグラファイトは、完全に除去し易いため、金属箔１００２上に残留しにくい。
【００９５】
本実施形態では、給電層１００３がグラファイトからなる。グラファイトは、金属箔１００２上に残留しにくいため、金属箔１００２と接続導体１２との間のシーム発生を抑制するのに適している。また、図１４に示されるように、グラファイトは、カーボンブラック、パラジウム、及び導電性ポリマに比べて、抵抗が小さい。このため、グラファイトからなる給電層１００３は、電解めっきの第２電極（被めっき材）として適している。
【００９６】
また、給電層１００３を化学銅で形成する場合には、良質の無電解銅めっき膜を得るために、還元剤としてはホルマリン等が、また、触媒としてレアメタルであるパラジウム（Ｐｂ）等が必要になる。この点、本実施形態では、給電層１００３をグラファイトで形成するため、ホルマリン及びパラジウムを使用することなく、良質の給電層を得ることができる。その結果、環境負荷の低減（例えば廃液量の低減）又は材料コストの低減が可能になる。
【００９７】
本実施形態では、金属箔１００１及び１００２がそれぞれ、めっき金属１００４ａと同じ金属（銅）からなる。これにより、めっき界面の不整合が抑制され、金属箔１００１及び１００２と接続導体１２との間のシーム発生が抑制される。また、本実施形態では、給電層１００３が、金属箔１００１及び１００２のいずれとも異なる導体材料からなる。具体的には、給電層１００３をグラファイトで形成することで、環境負荷の低減又は材料コストの低減を図っている。
【００９８】
続けて、リソグラフィ技術により、図５Ｄに示されるコア絶縁層１０ａ上の導体層（金属箔１００１、１００２及び電解めっき１００４、１００５）をパターニングする。
【００９９】
具体的には、図１５Ａに示すように、電解めっき１００４上に、開口部１００６ａを有するエッチングレジスト１００６を形成し、電解めっき１００５上に、開口部１００７ａを有するエッチングレジスト１００７を形成する。開口部１００６ａ及び１００７ａはそれぞれ、導体層（金属箔１００１、１００２及び電解めっき１００４、１００５）をエッチングすべき部分に配置される。
【０１００】
続けて、図１５Ｂに示すように、例えば塩化第二銅又は塩化第二鉄により、コア絶縁層１０ａ上の導体層（金属箔１００１、１００２及び電解めっき１００４、１００５）をエッチングする。コア絶縁層１０ａ上の導体層のうち、エッチングレジスト１００６、１００７で覆われている部分は、エッチングされずに残り、開口部１００６ａ、１００７ａから露出する部分は、エッチングにより除去される。これにより、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上に、金属箔１００１（下層）及び電解めっき１００４（上層）から構成される導体層１１ａが形成され、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上に、金属箔１００２（下層）及び電解めっき１００５（上層）から構成される導体層１１ｂが形成される。接続導体１２は、導体層１１ａと導体層１１ｂを相互に電気的に接続する。
【０１０１】
導体層１１ａにおいて、金属箔１００１は、図４Ｃに示す銅箔２２１ａに相当し、電解めっき１００４は、図４Ｃに示す電解めっき２２２ａに相当する。また、導体層１１ｂにおいて、金属箔１００２は、図４Ｃに示す銅箔２３１ａに相当し、電解めっき１００５は、図４Ｃに示す電解めっき２３２ａに相当する。
【０１０２】
導体層１１ａの最小厚みは、１０〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。本実施形態では、前述した析出電圧及び分離電圧の印加により、接続孔１２ａ（有底孔）をめっき金属１００４ａで充填するのと同時に、金属箔１００１上にめっき金属１００４ａを析出させて、コア絶縁層１０ａ上に、最小厚みが１０〜３０μｍの範囲にある導体層１１ａを形成する。導体層１１ａの最小厚みが下限値（１０μｍ）より小さいと、ビアのリセスが解消できずに平坦性を損ね易くなる。
【０１０３】
続けて、例えば図１６Ａに示すように、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上及び導体層１１ａ上に、絶縁層２０ａ及び金属箔１０１１（例えば銅箔）を、この順で積層し、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上及び導体層１１ｂ上に、絶縁層３０ａ及び金属箔１０１２（例えば銅箔）を、この順で積層する。この段階では、絶縁層２０ａ及び３０ａは、例えばプリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。金属箔１０１１、１０１２はそれぞれ、はじめから所定の厚さ（薄い状態）で貼り付けてもよいし、比較的厚い金属箔を絶縁層に貼り付けた後、エッチング等によりその金属箔を薄くして所定の厚さに調整してもよい。
【０１０４】
続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層２０ａ、３０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【０１０５】
続けて、例えば図１６Ｂに示すように、例えばＣＯ２レーザにより、絶縁層２０ａにビアホール２２ａを形成し、絶縁層３０ａにビアホール３２ａを形成する。フィルドスタックＳを形成するためのビアホール２２ａ及び３２ａは、フィルドスタックＳを構成する接続導体１２と同軸（Ｚ軸）上に形成する。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１０６】
続けて、図１６Ｃに示すように、前述した接続導体１２及び導体層１１ａ、１１ｂを形成する方法（図６〜図１１参照）と同様にして、ビアホール２２ａ、３２ａ内にそれぞれ、グラファイトからなる給電層１０１３、１０１４を形成し、給電層１０１３、１０１４を用いて電解めっきを行うことで、電解めっき１０１５、１０１６を形成する。これにより、ビアホール２２ａ、３２ａにはそれぞれ、電解めっき１０１５、１０１６が充填される。その結果、絶縁層２０ａ、３０ａにそれぞれ、ビア導体２２、３２が形成される。フィルドスタックＳを構成するビア導体２２及び３２は、フィルドスタックＳを構成する他の接続導体１２と同軸（Ｚ軸）上に積重される。ビア導体２２、３２において、給電層１０１３、１０１４はそれぞれ、図４Ｂに示すグラファイト膜２１０に相当し、電解めっき１０１５、１０１６はそれぞれ、図４Ｂに示す電解めっき２１２ｂに相当する。
【０１０７】
続けて、図１６Ｄに示すように、例えば導体層１１ａ、１１ｂのパターニング（図１５Ａ及び図１５Ｂ参照）と同様にして、両面の導体層（金属箔１０１１、１０１２及び電解めっき１０１５、１０１６）をパターニングする。これにより、絶縁層２０ａ上に導体層２１が形成され、絶縁層３０ａ上に導体層３１が形成される。導体層２１、３１において、金属箔１０１１、１０１２はそれぞれ、図４Ｂに示す銅箔２１１ａに相当し、電解めっき１０１５、１０１６はそれぞれ、図４Ｂに示す電解めっき２１２ａに相当する。
【０１０８】
続けて、前述したビア導体２２、３２及び導体層２１、３１を形成する方法（図１６Ａ〜図１６Ｄ参照）と同様にして、図１７に示すように、絶縁層４０ａ及び５０ａ、ビアホール４２ａ及び５２ａ、ビア導体４２及び５２、並びに導体層４１及び５１を形成する。フィルドスタックＳを構成するビア導体４２及び５２は、フィルドスタックＳを構成する他の接続導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【０１０９】
続けて、前述したビア導体２２、３２及び導体層２１、３１を形成する方法（図１６Ａ〜図１６Ｄ参照）と同様にして、図１８に示すように、絶縁層６０ａ及び７０ａ、ビアホール６２ａ及び７２ａ、ビア導体６２及び７２、並びに導体層６１及び７１を形成する。フィルドスタックＳを構成するビア導体６２及び７２は、フィルドスタックＳを構成する他の接続導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【０１１０】
続けて、例えば図１９に示すように、絶縁層６０ａ上及び導体層６１上に、絶縁層８０ａ及び金属箔１０２１（例えば銅箔）を、この順で積層し、絶縁層７０ａ上及び導体層７１上に、絶縁層９０ａ及び金属箔１０２２（例えば銅箔）を、この順で積層する。この段階では、絶縁層８０ａ及び９０ａは、例えばプリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。金属箔１０２１、１０２２はそれぞれ、はじめから所定の厚さ（薄い状態）で貼り付けてもよいし、比較的厚い金属箔を絶縁層に貼り付けた後、エッチング等によりその金属箔を薄くして所定の厚さに調整してもよい。
【０１１１】
続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層８０ａ、９０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【０１１２】
続けて、図２０に示すように、例えばＣＯ２レーザにより、絶縁層８０ａを貫通するビアホール８２ａ、絶縁層９０ａを貫通するビアホール９２ａ、及び全層を貫通するスルーホール１０２ａを形成する。フィルドスタックＳを形成するためのビアホール８２ａ及び９２ａは、フィルドスタックＳを構成する接続導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に形成する。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１１３】
レーザの照射においては、例えば遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射する。ただしこれに限られず、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。また、レーザ光の走査中において、ビアホール８２ａ及び９２ａを形成する部位よりも、スルーホール１０２ａを形成する部位に照射するレーザ光の強度（光量）を強めることで、ビアホール８２ａ及び９２ａ、並びにスルーホール１０２ａを、１回の走査で形成することができる。この際、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。スルーホール１０２ａは、配線板の一側のみからレーザ光を照射することによっても、あるいは配線板の両側から同時にレーザ光を照射することによっても、形成することができる。さらに、配線板の一側からレーザ光を照射して有底孔（非貫通孔）を形成した後、他側からレーザ光を照射してその底部を貫通させることにより、スルーホール１０２ａを形成してもよい。また、ビアホール８２ａ、９２ａはレーザで形成し、スルーホール１０２ａは、ビアホール８２ａ、９２ａとは別に、ドリルで形成してもよい。
【０１１４】
本実施形態では、上記スルーホール１０２ａの形成（レーザ又はドリル等）により、内層の導体層１１ａ（第１面側導体層）及び内層の導体層１１ｂ（第２面側導体層）等が削られ、図２１に示すように、その削られた各導体層（詳しくは、その側面Ｆ２０）がスルーホールの壁面Ｆ１０に露出する。ここで削られる導体層１１ａ等は、例えば図２２に示すように、面状の導体パターンからなる。ただしこれに限られず、上記スルーホール１０２ａの形成により、線状の導体パターンが削られてもよい。本実施形態では、スルーホールの壁面Ｆ１０に露出する内層の導体層１１ａ等と、金属箔１０２１及び１０２２とが、同じ金属材料（銅）からなる。
【０１１５】
続けて、図２３Ａに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔１０２１上、ビアホール８２ａ内、金属箔１０２２上、ビアホール９２ａ内、及びスルーホール１０２ａ内にそれぞれ、例えば銅の無電解めっき膜１０２３（給電層）を形成する。無電解めっきは、例えば化学めっき法により行う。無電解めっきのめっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液などを用いることができる。
【０１１６】
続けて、例えば無電解めっき膜１０２３をめっき液に浸して、例えば直流電源（図１２参照）により電解めっきを行い、図２３Ｂに示すように、無電解めっき膜１０２３上に、例えば銅の電解めっき１０２４を形成する。電解めっきのめっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青（シアン）化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。電解めっきの方法は、直流電源による電解めっきに限られず、例えば水平パルスめっき等でもよい。
【０１１７】
これにより、ビアホール８２ａ、９２ａには、それぞれ無電解めっき膜１０２３及び電解めっき１０２４が充填され、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０に、無電解めっき膜１０２３及び電解めっき１０２４が形成される。その結果、ビア導体８２及び９２、並びにスルーホール導体１０２が形成される。ビア導体８２、９２において、無電解めっき膜１０２３は、図４Ａに示す無電解めっき膜２０２ａに相当し、電解めっき１０２４は、図４Ａに示す電解めっき２０３ｄに相当する。また、スルーホール導体１０２において、無電解めっき膜１０２３は、図３に示す無電解めっき膜２０２ｂに相当し、電解めっき１０２４は、図３に示す電解めっき２０３ｂに相当する。
【０１１８】
スルーホールの壁面Ｆ１０に露出していた各導体層（内層の導体層１１ａ及び１１ｂ等）は、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、スルーホール導体１０２と接触し、電気的に接続される。
【０１１９】
フィルドスタックＳを構成するビア導体８２及び９２は、フィルドスタックＳを構成する他の接続導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【０１２０】
本実施形態に係る配線板の製造方法は、第１面Ｆ１及びその反対側の第２面Ｆ２を有するコア絶縁層１０ａを準備することと、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側に形成される複数の第１面側導体層（導体層１１ａ、２１、４１、６１、８１）と、第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層（絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ）とを形成することと、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側に形成される複数の第２面側導体層（導体層１１ｂ、３１、５１、７１、９１）と、第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層（絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ）とを形成することと、第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層の各々に、給電層と、給電層の上に形成される電解めっきと、を含むビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２を形成することと、を含む。そして、本実施形態に係る配線板の製造方法において、第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層の各々において、最外層にあるビア導体８２、９２の給電層は、無電解めっきからなり、それ以外の層にあるビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の給電層は、グラファイトからなる。
【０１２１】
このため、本実施形態に係る配線板の製造方法によれば、配線板１００を貫通するスルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０にスルーホール導体１０２を形成する場合に、良質なスルーホール導体１０２を得やすくなる。
【０１２２】
詳しくは、最外層でも内層と同様にして給電層としてグラファイトを用いる場合は、例えば図２４Ａに示すように、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０、及び金属箔１０２１、１０２２上に、グラファイト膜１０２３ａを形成する。その後、例えば金属箔１０２１及び１０２２のエッチャント（例えば銅のエッチャント）を用いたエッチングにより、金属箔１０２１及び１０２２上のグラファイト膜１０２３ａを除去することで、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０のみにグラファイト膜１０２３ａ（給電層）を残すようにする。しかしこの際、例えば図２４Ｂに示すように、金属箔１０２１及び１０２２上のグラファイト膜１０２３ａだけでなく、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０と面一になる内層の導体層の側面Ｆ２０上に形成されたグラファイト膜１０２３ａもエッチングされてしまい、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０に形成される給電層が不連続になってしまうことが懸念される。そして、こうした不連続の給電層によってスルーホール導体１０２を形成する場合には、電解めっきの析出不良により、スルーホール導体１０２も不連続になり易くなる。配線板が多層になるほど、こうした電解めっきの析出不良が生じ易くなる。
【０１２３】
この点、本実施形態に係る配線板の製造方法では、第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層の各々において、最外層にあるビア導体８２、９２の給電層は、無電解めっきからなり、それ以外の層にあるビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の給電層は、グラファイトからなる。このため、切れ目のないスルーホール導体１０２を得やすくなる。
【０１２４】
本実施形態では、スルーホール１０２ａへのめっきと、最外層のビアホール８２ａ、９２ａへのめっきとが、同時に行われる。このため、工程数の削減、ひいてはコスト削減が図られると考えられる。ただしこれに限定されず、別々に行ってもよい。
【０１２５】
続けて、リソグラフィ技術により、図２３Ｂに示される絶縁層８０ａ、９０ａ上の導体層（金属箔１０２１、１０２２、無電解めっき膜１０２３、及び電解めっき１０２４）をパターニングする。
【０１２６】
具体的には、図２５Ａに示すように、絶縁層８０ａ上の導体層上に、開口部１０３１ａを有するエッチングレジスト１０３１を形成し、絶縁層９０ａ上の導体層上に、開口部１０３２ａを有するエッチングレジスト１０３２を形成する。開口部１０３１ａ及び１０３２ａはそれぞれ、導体層をエッチングすべき部分に配置される。
【０１２７】
続けて、図２５Ｂに示すように、例えば塩化第二銅又は塩化第二鉄により、各導体層をエッチングする。導体層のうち、エッチングレジスト１０３１、１０３２で覆われている部分は、エッチングされずに残り、開口部１０３１ａ、１０３２ａから露出する部分は、エッチングにより除去される。これにより、絶縁層８０ａ上に、金属箔１０２１（下層）、無電解めっき膜１０２３（中間層）、及び電解めっき１０２４（上層）から構成される導体層８１が形成され、絶縁層９０ａ上に、金属箔１０２２（下層）、無電解めっき膜１０２３（中間層）、及び電解めっき１０２４（上層）から構成される導体層９１が形成される。その結果、本実施形態の配線板１００が完成する。導体層８１、９１において、金属箔１０２１、１０２２はそれぞれ、図４Ａに示す銅箔２０１ａに相当し、無電解めっき膜１０２３は、図４Ａに示す無電解めっき膜２０２ａに相当し、電解めっき１０２４は、図４Ａに示す電解めっき２０３ａに相当する。
【０１２８】
その後、例えば最外層に外部接続端子を形成することで、その外部接続端子を通じて、配線板１００を他の配線板と接続したり、配線板１００に電子部品を実装したりすることが可能になる。具体的には、例えば図２６に示すように、配線板１００の表面に、開口部１０３３ａを有するソルダーレジスト１０３３及び開口部１０３４ａを有するソルダーレジスト１０３４を形成して、開口部１０３３ａ、１０３４ａにそれぞれ、例えば半田１０３３ｂ、１０３４ｂにより、電子部品２００を実装してもよい。ソルダーレジスト１０３３及び１０３４はそれぞれ、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により形成することができる。
【０１２９】
図２６の例では配線板１００の両面に電子部品２００が実装されているが、配線板１００の片面のみに複数の電子部品２００が実装されてもよい。また、電子部品の数は任意である。例えば１つの電子部品のみが配線板１００に実装されていてもよい。
【０１３０】
また、例えば図２７に示すように、配線板１００に電子部品２００が内蔵されていてもよい。図２７の例では２つの電子部品２００が内蔵されているが、電子部品の数は任意である。例えば１つの電子部品のみが配線板１００に内蔵されていてもよい。電子部品を内蔵する配線板１００によれば、電子デバイスの高機能化が可能になる。
【０１３１】
（実施形態２）
本発明の実施形態２について、上記実施形態１との相違点を中心に説明する。なおここでは、上記図１等に示した要素と同一の要素には各々同一の符号を付し、既に説明した共通の部分、すなわち説明が重複する部分については、その説明を省略又は簡略化する。
【０１３２】
本実施形態の配線板１００ａは、図２８Ａに示すように、スルーホール導体１０２が、配線板１００ａ全体を貫通しない。すなわち、配線板１００ａは、内層にスルーホール導体１０２を有する。
【０１３３】
以下、スルーホール導体１０２の一端が接続される第１面側導体層を、第１面側スルーホール導体層といい、スルーホール導体１０２の他端が接続される第２面側導体層を、第２面側スルーホール導体層という。また、第１面側スルーホール導体層下の第１面側層間絶縁層を、第１面側スルーホール絶縁層といい、第２面側スルーホール導体層下の第２面側層間絶縁層を、第２面側スルーホール絶縁層という。また、第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層のうち、第１面側スルーホール絶縁層及び第２面側スルーホール絶縁層以外のものを、非スルーホール絶縁層という。本実施形態では、導体層２１が、第１面側スルーホール導体層に相当し、導体層３１が、第２面側スルーホール導体層に相当し、絶縁層２０ａが、第１面側スルーホール絶縁層に相当し、絶縁層３０ａが、第２面側スルーホール絶縁層に相当し、絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａが、非スルーホール絶縁層に相当する。
【０１３４】
図２８Ｂに、図２８Ａの一部（スルーホール近傍）を拡大して示す。
【０１３５】
図２８Ｂに示すように、本実施形態では、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０に、スルーホール導体１０２が形成される。スルーホール導体１０２は、コンフォーマル導体からなる。ただしこれに限定されず、コンフォーマル導体に代えて、フィルド導体を用いてもよい。
【０１３６】
本実施形態では、スルーホール導体１０２の一端が、内層の導体層２１（詳しくは、導体層２１に含まれるランド２１ａ）に接続され、スルーホール導体１０２の他端が、内層の導体層３１（詳しくは、導体層３１に含まれるランド３１ａ）に接続される。スルーホール導体１０２は、導体層２１（第１面側スルーホール導体層）と導体層３１（第２面側スルーホール導体層）とを電気的に接続する。また、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、導体層２１（第１面側スルーホール導体層）よりも下層に位置する導体層１１ａ（第１面側導体層）、及び導体層３１（第２面側スルーホール導体層）よりも下層に位置する導体層１１ｂ（第２面側導体層）等と、スルーホール導体１０２とが、互いに接触し、電気的に接続されている。ただし、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、スルーホール導体１０２の側方（第１面側スルーホール導体層又は第２面側スルーホール導体層よりも下層）に位置する導体層とスルーホール導体１０２とが、互いに接触していることは必須ではない。
【０１３７】
導体層２１（第１面側スルーホール導体層）は、絶縁層２０ａ（第１面側スルーホール絶縁層）上に、銅箔２０１ａと、例えば銅の無電解めっき膜２０２ａと、例えば銅の電解めっき２０３ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層２１は、銅箔２０１ａ及び無電解めっき膜２０２ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ａと、を含む。
【０１３８】
スルーホール導体１０２は、例えばスルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０上に、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｂと、例えば銅の電解めっき２０３ｂとが、この順で積層されて構成される。すなわち、スルーホール導体１０２は、無電解めっき膜２０２ｂからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｂと、を含む。
【０１３９】
導体層３１（第２面側スルーホール導体層）は、絶縁層３０ａ（第２面側スルーホール絶縁層）上に、銅箔２０１ｃと、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｃと、例えば銅の電解めっき２０３ｃとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層３１は、銅箔２０１ｃ及び無電解めっき膜２０２ｃからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｃと、を含む。
【０１４０】
絶縁層２０ａ（第１面側スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体２２、及び絶縁層３０ａ（第２面側スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体３２はそれぞれ、例えば図２９Ａに示すように、ビアホール２２ａ、３２ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｄと、例えば銅の電解めっき２０３ｄと、が充填されて構成される。具体的には、ビアホール２２ａ、３２ａの内面（壁面及び底面）上に、無電解めっき膜２０２ｄが形成され、その内側に、電解めっき２０３ｄが充填される。すなわち、ビア導体２２及び３２はそれぞれ、無電解めっき膜２０２ｄからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｄと、を含む。
【０１４１】
絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ（それぞれ非スルーホール絶縁層）上に形成された導体層４１、５１、６１、７１、８１、９１はそれぞれ、例えば図２９Ｂに示すように、各絶縁層上に、銅箔２１１ａと、例えば銅の電解めっき２１２ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層４１、５１、６１、７１、８１、９１はそれぞれ、銅箔２１１ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２１２ａと、を含む。
【０１４２】
絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ（非スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２はそれぞれ、例えば図２９Ｂに示すように、ビアホール４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａ内に、グラファイト膜２１０と、例えば銅の電解めっき２１２ｂと、が充填されて構成される。具体的には、ビアホール４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａの内面（詳しくは、壁面）上に、グラファイト膜２１０が形成され、その内側に、電解めっき２１２ｂが充填される。すなわち、ビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２はそれぞれ、グラファイト膜２１０からなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２１２ｂと、を含む。
【０１４３】
コア部の構成は、例えば実施形態１と同じである（図４Ｃ参照）。
【０１４４】
本実施形態では、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ（それぞれ第１面側層間絶縁層）及び絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ（それぞれ第２面側層間絶縁層）の各々に、給電層（無電解めっき膜２０２ｄ、グラファイト膜２１０）と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｄ、２１２ｂと、を含むビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が形成される（図２９Ａ及び図２９Ｂ参照）。そして、スルーホール導体１０２は、無電解めっきからなる給電層（無電解めっき膜２０２ｂ）と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｂと、を含み、絶縁層２０ａ（第１面側スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体２２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）と、絶縁層３０ａ（第２面側スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体３２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）とはそれぞれ、無電解めっきからなり、絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ（それぞれ非スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２の給電層（グラファイト膜２１０）はそれぞれ、無電解めっき（特に、銅の無電解めっき）とは異なる材料（例えばグラファイト）からなる。
【０１４５】
これにより、本実施形態の配線板１００ａのビルドアップ部における電気的接続（特に、層間接続）の信頼性を向上させることが可能になる（詳しくは、実施形態１の製造方法の説明を参照）。
【０１４６】
なお、本実施形態のスルーホール導体１０２は、一端が導体層２１に接続され、他端が導体層３１に接続されているが、これに限定されない。一端が第１面側導体層（例えば導体層２１、４１、６１、８１のいずれか）に接続され、他端が第２面側導体層（例えば導体層３１、５１、７１、９１のいずれか）に接続されるスルーホール導体であれば、上記効果に準ずる効果は得られる。
【０１４７】
本実施形態の配線板１００ａは、実施形態１の製造方法に準ずる方法によって、製造することができる。
【０１４８】
すなわち、グラファイト膜２１０は、例えば図６及び図７に示される方法に準ずる方法で形成することができる。また、ビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２は、例えばグラファイト膜２１０に給電しながら電解めっきを行うことで、形成することができる（例えば図９〜図１１参照）。また、導体層４１、５１、６１、７１、８１、９１は、例えば上記電解めっきによりビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２と一緒に形成された両面の導体層をエッチングでパターニングすることにより、形成することができる（例えば図１５Ａ及び図１５Ｂ参照）。
【０１４９】
また、無電解めっき膜２０２ｂ及び２０２ｄは、例えば図２３Ａに示される方法に準ずる方法で形成することができる。また、スルーホール導体１０２及びビア導体２２、３２は、例えば無電解めっき膜２０２ｂ及び２０２ｄの各々に給電しながら電解めっきを行うことで、形成することができる（例えば図２３Ｂ参照）。また、導体層２１、３１は、例えば上記電解めっきによりスルーホール導体１０２及びビア導体２２、３２と一緒に形成された両面の導体層をエッチングでパターニングすることにより、形成することができる（例えば図２５Ａ及び図２５Ｂ参照）。なお、本実施形態では、スルーホール導体１０２を内層に形成した後、続けてその上層の形成を行い、ビルドアップ部を最外層まで形成する。
【０１５０】
実施形態１と同様の構成及び処理については、本実施形態でも、前述した実施形態１の効果に準ずる効果が得られる。
【０１５１】
（他の実施形態）
上記実施形態において、第１面側スルーホール絶縁層又は第２面側スルーホール絶縁層に形成されたビア導体の給電層の材料としては、グラファイト以外の、無電解めっきとは異なる材料を採用することができる。例えばこれらの給電層の材料が、めっき金属よりも溶液２００２に溶けにくい材料であれば、分離電圧Ｖ２を高くすること、又はめっき金属の離脱時間（時間Ｔ２）を長くすることが可能になる。また、これらの給電層の材料が、非金属の導電性材料であれば、金属からなる導体層上に残留しがちな不要な給電層の材料を完全に除去し易くなる。また、これらの給電層の材料が、グラファイト又はカーボンブラックなど、炭素を含む非金属の導電性材料であれば、高い導電性を付与し易くなり、樹脂からなる層間絶縁層との間で高い密着性が得られ易い。また、これらの給電層の材料として、銅の無電解めっきとは異なる材料を採用し、ホルマリンやパラジウム等を用いずに給電層を形成すれば、環境負荷又はコストの面で有利になる。また、これらの給電層の材料は、非スルーホール絶縁層に形成されたビア導体の給電層の材料よりも抵抗値が高い材料であることが好ましい。
【０１５２】
上記実施形態の配線板１００（図１）で用いた孔からなるスルーホール１０２ａに代えて、図３０Ａに示すように、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する切欠からなるスルーホール１０２ｂを用いてもよい。スルーホール１０２ｂは、例えば配線板の側面に形成される。この場合も、上記実施形態と同様、スルーホール１０２ｂの壁面には、スルーホール導体が形成される。また、図３０Ｂに示すように、孔からなるスルーホール１０２ａと切欠からなるスルーホール１０２ｂとを併用してもよい。切欠からなるスルーホール１０２ｂは、例えば図３１に示すように、孔からなるスルーホール１０２ａを形成した後、線Ｌ１０で、スルーホール１０２ａを分割（切断）することによって形成することができる。
【０１５３】
接続導体１２は、ビア導体に限定されず、例えば図３２に示すように、スルーホール導体であってもよい。この場合、接続導体１２は、導体層１１ａ、１１ｂと少なくとも一部（例えばめっき層）で連続する。接続導体１２は、例えばスルーホール導体１０２の製造方法に準ずる方法で製造することができる。
【０１５４】
スルーホール導体１０２の形状は、円柱に限られず任意であり、例えば両端から内側（例えばコア絶縁層１０ａ）に向かって細くなる鼓状（砂時計状）であっても、一端から他端に向かって細くなるテーパ状（円錐台又は角錐台等）であってもよい。鼓状のスルーホール導体１０２は、例えば絶縁層の両側からレーザ光を照射することによって、形成することができる。また、テーパ状のスルーホール導体１０２は、例えば絶縁層の片側からレーザ光を照射することによって、形成することができる。
【０１５５】
その他の点についても、上記実施形態の配線板１００の構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１５６】
例えば図３３（図４Ａに対応する図）に示すように、導体層８１、９１は、銅箔を有さず、無電解めっき膜２０２ａ及び電解めっき２０３ａから構成されていてもよい。
【０１５７】
上記実施形態１又は２において、接続導体１２の給電層を、無電解めっきで形成してもよい。
【０１５８】
接続導体１２、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、スルーホール導体１０２、及びそれらの開口部（孔）の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は、円（真円又は楕円等）に限られず任意である。これらの平面形状は、例えば図３４Ａに示されるように、略正方形であってもよい。また、略正六角形、略正八角形など、略正方形以外の略正多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば略直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。ただし、熱応力の集中を防止する上では、角が丸みを帯びていた方が好ましい。
【０１５９】
さらに、上記平面形状の各々は、略長方形又は略三角形等であってもよいし、図３４Ｂに示す略十字形又は図３４Ｃに示す略正多角星形など、中心から放射状に直線を引いた形（複数の羽根を放射状に配置した形）であってもよい。
【０１６０】
また、各導体（接続導体１２等）の側面（又は各開口部の壁面）は、テーパしていても。テーパしていなくてもよい。
【０１６１】
本発明に係る配線板の製造方法は、実施形態で示した順序及び内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１６２】
上記実施形態及び変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。
【０１６３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
本発明に係る配線板は、携帯電話などの回路基板に適している。本発明に係る配線板の製造方法は、そうした配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１６５】
１０ａ コア絶縁層
１１ａ、１１ｂ 導体層
１２ 接続導体
１２ａ 接続孔
２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ 絶縁層
２１、４１、６１、８１ 導体層
２２、４２、６２、８２ ビア導体
２２ａ、４２ａ、６２ａ、８２ａ ビアホール
３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ 絶縁層
３１、５１、７１、９１ 導体層
３２、５２、７２、９２ ビア導体
３２ａ、５２ａ、７２ａ、９２ａ ビアホール
１００、１００ａ 配線板
１０２ スルーホール導体
１０２ａ スルーホール
１０２ｂ スルーホール
２００ 電子部品
２０１ａ、２０１ｃ 銅箔
２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ 無電解めっき膜
２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、２０３ｄ 電解めっき
２１０ グラファイト膜
２１１ａ 銅箔
２１２ａ、２１２ｂ 電解めっき
２２０ グラファイト膜
２２１ａ、２３１ａ 銅箔
２２２ａ、２２２ｂ、２３２ａ 電解めっき
１０００ 積層板
１００１、１００２ 金属箔
１００３ 給電層
１００３ａ グラファイト膜
１００３ｂ 給電層
１００４ａ 金属
１００６、１００７ エッチングレジスト
１００６ａ、１００７ａ 開口部
１０１１、１０１２ 金属箔
１０１３、１０１４ 給電層
１０２１、１０２２ 金属箔
１０２３ 無電解めっき膜
１０２３ａ グラファイト膜
１０３１、１０３２ エッチングレジスト
１０３１ａ、１０３２ａ 開口部
１０３３、１０３４ ソルダーレジスト
１０３３ａ、１０３４ａ 開口部
１０３３ｂ、１０３４ｂ 半田
２００１ 第１電極
２００２ 溶液
２００２ａ 容器
２００３ 電源
Ｆ１ 第１面
Ｆ２ 第２面
Ｆ１０ 壁面
Ｆ２０ 側面
Ｆ２１ 壁面
Ｆ２２ 底面
Ｆ２３ 上面
Ｒ１１ 低電位部
Ｒ１２ 高電位部
Ｓ フィルドスタック
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、層間絶縁層に孔を形成することと、その孔の壁面に無電解銅めっき膜を形成することと、その孔内に電気銅めっきを充填することと、を含む配線板の製造方法（詳しくは、層間接続としてのフィルドビアの形成方法）、及びこの製造方法により製造される配線板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３１９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示される配線板の製造方法においては、下記のような条件で、孔内に電気銅めっきが充填される。すなわち、銅のめっき液として「液組成が硫酸銅１７０〜２４０ｇ／Ｌ，硫酸３０〜８０ｇ／Ｌ，塩素イオン２０〜６０ｍｇ／Ｌであり、更にここに、例えばキューブライトＶＦ−ＩＩ（商品名、荏原ユージライト社製）を添加剤としたもの」（特許文献１の段落「００３５」を参照）を用い、めっき条件として「浴温２０〜３０℃，電流密度２〜５Ａ／ｄｍ２、好ましくは２〜３Ａ／ｄｍ２に設定し、エアー方式または噴流方式でめっき液を攪拌する」（特許文献１の段落「００３６」を参照）。
【０００５】
しかしながら、こうした電解めっきでは、導体層上に形成された小径のビアホール内にめっき金属を充填してフィルド導体を形成する場合に、導体層とフィルド導体との間にシームが発生し易い。また、給電層として良質の無電解銅めっき膜を得るためには、還元剤としてはホルマリン等が、また、触媒としてレアメタルであるパラジウム（Ｐｂ）等が必要になるため、環境負荷又はコストの面で不利になり易い。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、導体層とフィルド導体との間のシーム発生を抑制することを目的とする。また、本発明は、小さな環境負荷又は低コストで良質の給電層を得ることを目的とする。また、本発明は、高い生産性でフィルド導体を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る配線板は、
第１面及びその反対側の第２面を有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面側に形成される複数の第１面側導体層と、
前記コア絶縁層の前記第２面側に形成される複数の第２面側導体層と、
前記第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層と、
前記第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層と、
一端が前記第１面側導体層に接続され、他端が前記第２面側導体層に接続されるスルーホール導体と、
を有する配線板であって、
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々には、給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含むビア導体が形成され、
前記スルーホール導体は、無電解めっきからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含み、
前記スルーホール導体の一端が接続される前記第１面側導体層下の前記第１面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の前記給電層と、前記スルーホール導体の他端が接続される前記第２面側導体層下の前記第２面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の前記給電層とはそれぞれ、無電解めっきからなり、それ以外の前記ビア導体の前記給電層はそれぞれ、無電解めっきとは異なる材料からなる。
【０００８】
前記無電解めっきとは異なる材料は、グラファイトである、ことが好ましい。
【０００９】
前記スルーホール導体は、当該配線板を貫通し、最外層の前記第１面側導体層と最外層の前記第２面側導体層とを互いに電気的に接続する、ことが好ましい。
【００１０】
前記第１面側導体層の層数及び前記第２面側導体層の層数はそれぞれ、５層以上である、ことが好ましい。
【００１１】
前記スルーホールの壁面において、内層の前記第１面側導体層及び内層の前記第２面側導体層の少なくとも一方と、前記スルーホール導体とが、互いに電気的に接続される、ことが好ましい。
【００１２】
前記コア絶縁層には、該コア絶縁層を貫通する孔が形成され、
前記配線板は、前記孔の壁面に、前記コア絶縁層の前記第１面上に形成された前記第１面側導体層と前記コア絶縁層の前記第２面上に形成された前記第２面側導体層とを、互いに電気的に接続する接続導体を有し、
前記接続導体は、グラファイトからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む、
ことが好ましい。
【００１３】
前記コア絶縁層を貫通する前記孔には、前記給電層及び前記電解めっきが充填されている、ことが好ましい。
【００１４】
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に形成された前記ビア導体はそれぞれ、前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に形成されたビアホールに、前記給電層及び前記電解めっきが充填されてなる、ことが好ましい。
【００１５】
前記第１面側導体層及び前記第２面側導体層はそれぞれ、無電解めっき及び金属箔の少なくとも一方からなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む、ことが好ましい。
【００１６】
本発明に係る配線板の製造方法は、
第１面及びその反対側の第２面を有するコア絶縁層を準備することと、
前記コア絶縁層の前記第１面側に形成される複数の第１面側導体層と、該第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層とを形成することと、
前記コア絶縁層の前記第２面側に形成される複数の第２面側導体層と、該第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層とを形成することと、
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に、ビアホールを形成し、該ビアホール内にビア導体を形成することと、
前記コア絶縁層、前記第１面側層間絶縁層、及び前記第２面側層間絶縁層に、スルーホールを形成し、該スルーホール内に、一端が前記第１面側導体層に接続され、他端が前記第２面側導体層に接続されるスルーホール導体を形成することと、
を含む配線板の製造方法であって、
前記スルーホール導体の形成、前記スルーホール導体の一端が接続される前記第１面側導体層下の前記第１面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の形成、及び前記スルーホール導体の他端が接続される前記第２面側導体層下の前記第２面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の形成ではそれぞれ、無電解めっきからなる給電層を形成した後、該給電層に給電しながら電解めっきを行って該給電層の上に電解めっきを形成し、
それ以外の前記ビア導体の形成では、無電解めっきとは異なる材料からなる給電層を形成した後、該給電層に給電しながら電解めっきを行って該給電層の上に電解めっきを形成する。
【００１７】
前記無電解めっきとは異なる材料は、グラファイトである、ことが好ましい。
【００１８】
前記スルーホール導体は、当該配線板を貫通し、最外層の前記第１面側導体層と最外層の前記第２面側導体層とを互いに電気的に接続する、ことが好ましい。
【００１９】
前記スルーホールの形成により、内層の前記第１面側導体層及び内層の前記第２面側導体層の少なくとも一方が削られ、その削られた導体層は前記スルーホールの壁面に露出する、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、導体層とフィルド導体との間のシーム発生を抑制することが可能になる。また、本発明によれば、この効果に加えて又はこの効果に代えて、小さな環境負荷又は低コストで良質の給電層が得られるという効果が奏される場合がある。また、本発明によれば、この効果に加えて又はこの効果に代えて、高い生産性でフィルド導体を形成できるという効果が奏される場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態１に係る配線板を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る配線板のスルーホール及びフィルドスタックの配置を示す図である。
【図３】図１の一部を拡大して示す図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板の最外層のビア導体を示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態１に係る配線板の内層のビア導体を示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態１に係る配線板のコア部の接続導体を示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、コア部を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、有底孔の壁面に、給電層を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図７】図６の工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図８】図６及び図７の工程により形成された給電層の形態の例を示す平面図である。
【図９】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、パルス電源により電解めっきを行うための装置の構成例を模式的に示す図である。
【図１０】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、パルス電源により電解めっきを行う場合の、第１電極と第２電極との間の電圧波形の例を模式的に示す図である。
【図１１】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、電解めっきにより有底孔がめっき金属で充填される様子を示す断面図である。
【図１２】無電解めっき（化学銅）からなる給電層を有する配線板に直流電源により電解めっきを行う例において、第１電極と第２電極との間の電圧を示す図である。
【図１３】図１２の例において、電解めっきにより有底孔がめっき金属で充填される様子を示す断面図である。
【図１４】異なる材料からなる各給電層についての電解めっき特性を示す図である。
【図１５Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、エッチングレジストを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１５Ｂ】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、図１５Ａに示すエッチングレジストを用いてエッチングする工程を説明するための断面図である。
【図１６Ａ】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、コア部の両面に内層ビルドアップ部を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａの工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための断面図である。
【図１６Ｄ】図１６Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６Ｄの工程の後の第５の工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７の工程の後の第６の工程を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法において、当該配線板の最外層及びスルーホール導体を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９の工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０の工程により形成されるスルーホールを拡大して示す断面図である。
【図２２】図２０の工程により削られる導体層の平面形状の一例を示す図である。
【図２３Ａ】図２０の工程の後の第３の工程を説明するための断面図である。
【図２３Ｂ】図２３Ａの工程の後の第４の工程を説明するための断面図である。
【図２４Ａ】最外層の給電層としてグラファイトを用いる配線板の製造方法において、給電層を形成する第１の工程を説明するための断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ａの工程の後の第２の工程を説明するための断面図である。
【図２５Ａ】図２３Ｂの工程の後の第５の工程を説明するための断面図である。
【図２５Ｂ】図２５Ａの工程の後の第６の工程を説明するための断面図である。
【図２６】本発明の実施形態１に係る配線板の表面に電子部品を実装した例を示す断面図である。
【図２７】本発明の他の実施形態において、電子部品を内蔵する配線板を示す断面図である。
【図２８Ａ】本発明の実施形態２に係る配線板を示す断面図である。
【図２８Ｂ】図２８Ａの一部を拡大して示す図である。
【図２９Ａ】本発明の実施形態２に係る配線板の第１面側スルーホール絶縁層及び第２面側スルーホール絶縁層に形成されたビア導体を示す断面図である。
【図２９Ｂ】本発明の実施形態２に係る配線板の非スルーホール絶縁層に形成されたビア導体を示す断面図である。
【図３０Ａ】本発明の他の実施形態において、切欠からなるスルーホールが形成された配線板を示す図である。
【図３０Ｂ】本発明の他の実施形態において、切欠からなるスルーホールと孔からなるスルーホールとの両方が形成された配線板を示す図である。
【図３１】本発明の他の実施形態において、切欠からなるスルーホールの形成方法の一例を説明するための図である。
【図３２】本発明の他の実施形態において、コア部の接続導体がスルーホール導体である配線板を示す図である。
【図３３】本発明の実施形態において、最外層の導体層の構造の変形例を示す図である。
【図３４Ａ】本発明の実施形態において、コア部の接続導体、ビルドアップ部のビア導体、及びスルーホール導体の平面形状の第１の変形例を示す図である。
【図３４Ｂ】本発明の実施形態において、コア部の接続導体、ビルドアップ部のビア導体、及びスルーホール導体の平面形状の第２の変形例を示す図である。
【図３４Ｃ】本発明の実施形態において、コア部の接続導体、ビルドアップ部のビア導体、及びスルーホール導体の平面形状の第３の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。積層方向において、配線板のコアに近い側を下層（又は内層側）、コアから遠い側を上層（又は外層側）という。
【００２３】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。
【００２４】
ビアホールとは、例えば絶縁層の一側に導体層（主に下層側の導体層）がある状態で穴開けを行うことによって形成され、絶縁層の他側からその導体層に至る開口部をいう。ビアホール内に形成される導体（以下、ビア導体という）は、絶縁層の一側に導体層がある状態で形成されるため、ビア導体と絶縁層の少なくとも一側の導体層とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される。一方、スルーホールとは、絶縁層の一側又は両側に導体層がある場合はその導体層も含めて絶縁層を貫通するように形成される開口部をいう。スルーホール内に形成される導体（以下、スルーホール導体という）は、通常、めっき等により、絶縁層の両側の導体層と一緒に形成されるため、スルーホール導体と絶縁層の両側の導体層とは、少なくとも一部で連続している。
【００２５】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。例えばスルーホールには、孔のほか、切欠等も含まれる（後述の図３０Ａ、図３０Ｂ、図３１参照）。
【００２６】
開口部内に形成される導体（ビア導体やスルーホール導体等）のうち、開口部の壁面（側面及び底面）に形成された導体膜をコンフォーマル導体といい、開口部に充填された導体をフィルド導体という。
【００２７】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体層（例えば金属層）をいう。めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００２８】
（実施形態１）
本実施形態に係る配線板１００は、例えば図１に示すような多層プリント配線板である。本実施形態の配線板１００は、両面リジッド配線板である。ただし、本発明に係る配線板は、リジッド配線板には限定されず、例えばフレキシブル配線板又はフレックスリジッド配線板であってもよい。また、本発明に係る配線板は、両面配線板に限定されず、片面配線板であってもよい。また、配線板１００において、導体層及び絶縁層の寸法、層数等は、任意に変更することができる。
【００２９】
配線板１００は、図１に示すように、コア絶縁層１０ａと、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａと、導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、９１と、接続導体１２及びビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２と、を有する。コア絶縁層１０ａは、第１面Ｆ１（Ｚ１側）及びその反対側の第２面Ｆ２（Ｚ２側）を有する。コア絶縁層１０ａ、接続導体１２、及び導体層１１ａ、１１ｂは、コア部に相当する。また、コア部よりも上層の絶縁層２０ａ〜９０ａ等は、ビルドアップ部に相当する。
【００３０】
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側には、５層の導体層１１ａ、２１、４１、６１、８１（それぞれ第１面側導体層）と４層の絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ（それぞれ第１面側層間絶縁層）とが交互に積層されている。図１に示すように、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａはそれぞれ、導体層１１ａ、２１、４１、６１、８１の各層間に形成される。ただしこれに限られず、第１面側導体層の層数は任意である。
【００３１】
コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側には、５層の導体層１１ｂ、３１、５１、７１、９１（それぞれ第２面側導体層）と４層の絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ（それぞれ第２面側層間絶縁層）とが交互に積層されている。図１に示すように、絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａはそれぞれ、導体層１１ｂ、３１、５１、７１、９１の各層間に形成される。ただしこれに限られず、第２面側導体層の層数は任意である。
【００３２】
コア絶縁層１０ａには、コア絶縁層１０ａを貫通する接続孔１２ａ（ビアホール）が形成されている。接続導体１２は、フィルド導体であり、接続孔１２ａに導体が充填されて構成される（後述の図４Ｃ参照）。本実施形態では、接続導体１２がビア導体である。ビア導体はスルーホール導体よりも容易に形成できるため、こうした構造は、コスト低減等に有利である。ただしこれに限られず、接続導体１２は、スルーホール導体であってもよい（例えば後述の図３２参照）。
【００３３】
コア絶縁層１０ａは、例えばエポキシ樹脂からなる。エポキシ樹脂は、例えば樹脂含浸処理により、ガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）やアラミド繊維（例えばアラミド不織布）等の補強材を含んでいることが好ましい。補強材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。ただしこれに限定されず、コア絶縁層１０ａの材料は任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いることができる。また、コア絶縁層１０ａは、補強材を含んでいなくてもよい。
【００３４】
接続導体１２の形状は、例えばコア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１から第２面Ｆ２に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、接続導体１２の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は例えば真円である。しかしこれに限定されず、接続導体１２の形状は任意である（例えば後述の図３４Ａ〜図３４Ｃ参照）。
【００３５】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａには、それぞれビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が形成される。これらビア導体２２等はそれぞれ、フィルド導体であり、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａに導体が充填されて構成される（後述の図４Ａ及び図４Ｂ参照）。ビア導体２２、４２、６２、８２の形状は、例えばコア絶縁層１０ａに向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、ビア導体２２、４２、６２、８２の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は例えば真円である。また、ビア導体３２、５２、７２、９２の形状は、例えばコア絶縁層１０ａに向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、ビア導体３２、５２、７２、９２の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は例えば真円である。しかしこれに限定されず、ビア導体２２等の形状は任意である（例えば後述の図３４Ａ〜図３４Ｃ参照）。
【００３６】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａはそれぞれ、例えばエポキシ樹脂に、補強材を樹脂含浸してなる。補強材としては、例えばガラス繊維又はアラミド繊維等の無機材料を用いることができる。ただしこれに限られず、各層間絶縁層の材料は任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いることができる。また、各層間絶縁層は、補強材を含んでいなくてもよい。
【００３７】
本実施形態の配線板１００は、コア部（コア絶縁層１０ａ）の接続導体１２、及びビルドアップ部（絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ）のビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が同軸（Ｚ軸）上に積重されて構成されるフィルドスタックＳを有する。ただし、これら接続導体１２及びビア導体２２等が、同軸（Ｚ軸）上に積重されることは必須ではない。
【００３８】
フィルドスタックＳでは、隣接するフィルド導体同士が密着（接触）し、互いに導通する。フィルドスタックＳは、配線板１００の両面の導体層、すなわち最外の導体層８１及び９１を相互に電気的に接続する。
【００３９】
本実施形態のフィルドスタックＳは、全層のフィルド導体が積重された構造、いわゆるフルスタック構造になっている。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、配線長の短縮を図ることができる。
【００４０】
本実施形態では、１つのフィルドスタックＳが、例えば図２に示すように、配線板１００の中央に配置される。なお、フィルドスタックＳの配置や数は、任意である。例えばフィルドスタックＳが複数あってもよい。
【００４１】
本実施形態の配線板１００には、図１に示すように、配線板１００の全層を貫通するスルーホール１０２ａが形成される。スルーホール１０２ａは、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する。本実施形態では、スルーホール導体１０２の一端が、最外層の導体層８１（詳しくは、導体層８１に含まれるランド８１ａ）に接続され、スルーホール導体１０２の他端が、最外層の導体層９１（詳しくは、導体層９１に含まれるランド９１ａ）に接続される。
【００４２】
スルーホール１０２ａの形状は、例えば円柱であり、スルーホール１０２ａの開口形状は、例えば図２に示すように、長円である。スルーホール１０２ａの開口形状が長円であることで、Ｘ−Ｙ平面における広い領域の強度を効果的に向上させることができると考えられる。
【００４３】
スルーホール１０２ａは、例えば図２に示すように、配線板１００の周縁部に配置される。ただし、スルーホール１０２ａの数、開口形状、及び配置等は任意である。
【００４４】
図３に、図１の一部（スルーホール近傍）を拡大して示す。
【００４５】
図３に示すように、本実施形態では、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０に、スルーホール導体１０２が形成される。スルーホール導体１０２は、コンフォーマル導体からなる。コンフォーマル導体は、スルーホール１０２ａに導体が充填されるフィルド導体とは異なり、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０のみに導体を有するため、スルーホール１０２ａ内に空洞が形成され、配線板１００の歪みが緩和され易くなる。ただしこれに限定されず、コンフォーマル導体に代えて、フィルド導体を用いてもよい。
【００４６】
本実施形態では、スルーホール導体１０２が、最外層の導体層８１（第１面側導体層）と最外層の導体層９１（第２面側導体層）とを電気的に接続する。また、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、内層の導体層１１ａ（第１面側導体層）及び内層の導体層１１ｂ（第２面側導体層）等と、スルーホール導体１０２とが、互いに接触し、電気的に接続されている。ただし、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、内層の導体層とスルーホール導体１０２とが、互いに接触していることは必須ではない。スルーホール導体１０２は、配線板１００のグランドライン等と電気的に接続されていても、あるいは他の導体の全てと絶縁されて電気的に孤立していてもよい。
【００４７】
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側の最外層の導体層８１（第１面側導体層）は、例えば絶縁層８０ａ（第１面側層間絶縁層）上に、銅箔２０１ａと、例えば銅の無電解めっき膜２０２ａと、例えば銅の電解めっき２０３ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層８１は、銅箔２０１ａ及び無電解めっき膜２０２ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ａと、を含む。
【００４８】
スルーホール導体１０２は、例えばスルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０上に、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｂと、例えば銅の電解めっき２０３ｂとが、この順で積層されて構成される。すなわち、スルーホール導体１０２は、無電解めっき膜２０２ｂからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｂと、を含む。
【００４９】
コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側の最外層の導体層９１（第２面側導体層）は、例えば絶縁層９０ａ（第２面側層間絶縁層）上に、銅箔２０１ｃと、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｃと、例えば銅の電解めっき２０３ｃとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層９１は、銅箔２０１ｃ及び無電解めっき膜２０２ｃからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｃと、を含む。
【００５０】
スルーホール１０２ａは、絶縁層の両面の導体層（例えば銅箔）も含めて絶縁層を貫通するように形成される（後述の図１９〜図２２参照）。また、スルーホール導体１０２は、めっきにより、絶縁層の両側の導体層８１、９１と一緒に形成される（後述の図２３Ａ、図２３Ｂ参照）。このため、スルーホール導体１０２と絶縁層の両側の導体層８１、９１とは、少なくとも一部で連続している。具体的には、図３に示すように、スルーホール導体１０２及びその両端の導体層８１、９１においては、無電解めっき膜２０２ａと、無電解めっき膜２０２ｂと、無電解めっき膜２０２ｃとが、互いに一体的に形成され、また、電解めっき２０３ａと、電解めっき２０３ｂと、電解めっき２０３ｃとが、互いに一体的に形成される。
【００５１】
最外層のビア導体８２、９２はそれぞれ、例えば図４Ａに示すように、ビアホール８２ａ、９２ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｄと、例えば銅の電解めっき２０３ｄと、が充填されて構成される。具体的には、ビアホール８２ａ、９２ａの内面（壁面及び底面）上に、無電解めっき膜２０２ｄが形成され、その内側に、電解めっき２０３ｄが充填される。すなわち、ビア導体８２及び９２はそれぞれ、無電解めっき膜２０２ｄからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｄと、を含む。
【００５２】
内層の導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１はそれぞれ、例えば図４Ｂに示すように、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ上に、銅箔２１１ａと、例えば銅の電解めっき２１２ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１はそれぞれ、銅箔２１１ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２１２ａと、を含む。
【００５３】
内層のビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２はそれぞれ、例えば図４Ｂに示すように、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ内に、グラファイト膜２１０と、例えば銅の電解めっき２１２ｂと、が充填されて構成される。具体的には、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａの内面（詳しくは、壁面）上に、グラファイト膜２１０が形成され、その内側に、電解めっき２１２ｂが充填される。すなわち、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２はそれぞれ、グラファイト膜２１０からなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２１２ｂと、を含む。
【００５４】
コア部の導体層１１ａ、１１ｂはそれぞれ、例えば図４Ｃに示すように、コア絶縁層１０ａ上に、銅箔２２１ａ、２３１ａと、例えば銅の電解めっき２２２ａ、２３２ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層１１ａ、１１ｂはそれぞれ、銅箔２２１ａ、２３１ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２２２ａ、２３２ａと、を含む。
【００５５】
コア部の接続導体１２は、例えば図４Ｃに示すように、接続孔１２ａ内に、グラファイト膜２２０と、例えば銅の電解めっき２２２ｂと、が充填されて構成される。具体的には、接続孔１２ａの内面（詳しくは、壁面）上に、グラファイト膜２２０が形成され、その内側に、電解めっき２２２ｂが充填される。すなわち、接続導体１２は、グラファイト膜２２０からなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２２２ｂと、を含む。
【００５６】
接続孔１２ａ及びビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａはそれぞれ、絶縁層の一側に導体層がある状態で穴開けを行うことによって形成され、絶縁層の他側からその導体層に至る（後述の図５Ｂ、図１６Ｂ、図２０参照）。接続導体１２及びビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２はそれぞれ、絶縁層の一側に導体層がある状態で形成されるため、ビア導体と絶縁層の一側の導体層とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される。具体的には、例えば図４Ａに示すように、ビア導体８２、９２及びその上層側の導体層８１、９１においては、無電解めっき膜２０２ａと、無電解めっき膜２０２ｄとが、互いに一体的に形成され、また、電解めっき２０３ａと、電解めっき２０３ｄとが、互いに一体的に形成される。しかし、ビア導体８２、９２とその下層側の導体層６１、７１とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される（図１及び図４Ａ参照）。また、例えば図４Ｂに示すように、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２及びその上層側の導体層２１、３１、４１、５１、６１、７１においては、電解めっき２１２ａと、電解めっき２１２ｂとが、互いに一体的に形成される。しかし、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２とその下層側の導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される（図１及び図４Ｂ参照）。また、例えば図４Ｃに示すように、接続導体１２及びその一側の導体層１１ａにおいては、電解めっき２２２ａと、電解めっき２２２ｂとが、互いに一体的に形成される。しかし、接続導体１２と他側の導体層１１ｂとは、非連続になり、両者の間には界面が形成される（図１及び図４Ｃ参照）。
【００５７】
本実施形態では、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ（それぞれ第１面側層間絶縁層）及び絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ（それぞれ第２面側層間絶縁層）の各々に、給電層（無電解めっき膜２０２ｄ、グラファイト膜２１０）と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｄ、２１２ｂと、を含むビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が形成される（図４Ａ及び図４Ｂ参照）。そして、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａの各々において、最外層にあるビア導体８２、９２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）は、無電解めっきからなり、それ以外の層にあるビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の給電層（グラファイト膜２１０）は、グラファイトからなる。
【００５８】
また、本実施形態では、コア絶縁層１０ａに、コア絶縁層１０ａを貫通する孔（接続孔１２ａ）が形成されている。また、本実施形態の配線板１００は、接続孔１２ａの壁面に、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上に形成された導体層１１ａ（第１面側導体層）とコア絶縁層の第２面Ｆ２上に形成された導体層１１ｂ（第２面側導体層）とを、互いに電気的に接続する接続導体１２を有する。そして、接続導体１２は、グラファイトからなる給電層（グラファイト膜２２０）と、その給電層の上に形成される電解めっき２２２ｂと、を含む（図４Ｃ参照）。
【００５９】
これにより、本実施形態の配線板１００のビルドアップ部における電気的接続（特に、層間接続）の信頼性を向上させることが可能になる（詳しくは、後述の製造方法の説明を参照）。
【００６０】
これにより、本実施形態の配線板１００のコア部における電気的接続（特に、コア絶縁層１０ａ両面間の電気的接続）の信頼性を向上させることが可能になる（詳しくは、後述の製造方法の説明を参照）。
【００６１】
本実施形態では、配線板１００に含まれる全ての導体パターン（各導体層の導体パターン）が、単一の金属材料（例えば銅）からなる。しかしこれに限定されず、導体パターンごと（例えば機能などで区別して）異なる導体材料で形成してもよい。
【００６２】
本実施形態では、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側に形成される導体層（第１面側導体層）の層数及びコア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側に形成される導体層（第２面側導体層）の層数がそれぞれ、５層以上である。本実施形態の配線板１００では、上記構造によりビルドアップ部における電気的接続（特に、層間接続）の信頼性が向上するため、こうした多層配線板についても、高い歩留まりで製造することが可能になる。
【００６３】
以下、本実施形態に係る配線板１００の製造方法について説明する。
【００６４】
まず、図５Ａに示すように、出発材料として、例えば積層板１０００（両面銅張積層板）を準備する。積層板１０００は、コア絶縁層１０ａと、金属箔１００１及び１００２（それぞれ例えば銅箔）と、を有する。コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１には金属箔１００１が形成され、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２には金属箔１００２が形成される。コア絶縁層１０ａの材料は、例えば補強材入りのエポキシ樹脂である。金属箔１００１、１００２はそれぞれ、はじめから所定の厚さ（薄い状態）で貼り付けてもよいし、比較的厚い金属箔を絶縁層に貼り付けた後、エッチング等によりその金属箔を薄くして所定の厚さに調整してもよい。
【００６５】
続けて、例えば黒色酸化処理法により、金属箔１００１、１００２の表面（例えば全面）を黒化処理する。これにより、レーザの吸収性が高まり、レーザ工程の処理効率を向上させることができると考えられる。
【００６６】
続けて、図５Ｂに示すように、例えばＣＯ２レーザにより、積層板１０００に接続孔１２ａを形成する。接続孔１２ａは、金属箔１００１及びコア絶縁層１０ａを貫通するが、金属箔１００２までは貫通しない。これにより、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１から金属箔１００２に至る接続孔１２ａが形成される。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【００６７】
続けて、図５Ｃに示すように、接続孔１２ａ内に、グラファイトからなる給電層１００３を形成し、図５Ｄに示すように、金属箔１００１、１００２及び給電層１００３を用いて電解めっきを行うことで、電解めっき１００４、１００５を形成する。以下、これら給電層１００３及び電解めっき１００４、１００５を形成する工程について、詳しく説明する。
【００６８】
本実施形態では、図５Ｃに示すように、接続孔１２ａの壁面のみに選択的に給電層１００３を形成する。
【００６９】
具体的には、給電層１００３の形成に先立って、接続孔１２ａが形成された積層板１０００の表面（特に、図６に示す接続孔１２ａの壁面Ｆ２１）のコンディショニングを行う。コンディショニングの好ましい一例では、例えば積層板１０００を所定の時間コンディショナー溶液に浸漬した後、脱イオン水で水洗する。
【００７０】
続けて、図６に示すように、コンディショニングされた積層板１０００に、グラファイト膜１００３ａをコーティングする。コーティングの好ましい一例では、積層板１０００を所定の時間グラファイト分散液に浸漬して、コロイド状のグラファイト（グラファイト膜１００３ａ）を積層板１０００の接続孔１２ａの壁面Ｆ２１、底面Ｆ２２、及び金属箔１００１の上面Ｆ２３に付着させる。その後、積層板１０００を例えば硫酸溶液に浸漬して、グラファイト膜１００３ａを固定する。これにより、接続孔１２ａの壁面Ｆ２１、接続孔１２ａの底面Ｆ２２（金属箔１００２上）、及び金属箔１００１の上面Ｆ２３（金属箔１００１上）に一体的に、グラファイト膜１００３ａが形成される。
【００７１】
続けて、金属箔１００１及び１００２のエッチャント（例えば塩化第二銅又は塩化第二鉄）を用いたエッチング（ソフトエッチング）により、金属箔１００１及び１００２と共に、金属箔１００１及び１００２上のグラファイト膜１００３ａを除去する。エッチャントは、グラファイト膜１００３ａ下に入り込んで、グラファイト膜１００３ａ下の金属箔１００１及び１００２と共に、その上のグラファイト膜１００３ａを除去する。エッチャントは、グラファイト分子の隙間からグラファイト膜１００３ａ下に入り込むと考えられる。これにより、図７及び図８に示すように、接続孔１２ａの壁面Ｆ２１のみにグラファイト膜１００３ａ（給電層１００３）が残る。樹脂からなるコア絶縁層１０ａとグラファイトからなる給電層１００３とは、密着性（接続強度）が高い。本実施形態では、金属箔１００１及び１００２の表面を、約０．２μｍ〜約３．０μｍの範囲でエッチングする。
【００７２】
給電層１００３を厚く（例えば約０．３μｍ以上）形成する場合には、１回で形成せずに、上記コンディショニング、グラファイト膜１００３ａのコーティング（グラファイト膜１００３ａの形成）、並びに金属箔１００１及び１００２のソフトエッチング（グラファイト膜１００３ａの除去）を、２回以上繰り返す（グラファイト膜１００３ａの形成及び除去を交互に２回以上行う）ことで、段階的に形成することが好ましい。こうすることで、良質の（例えば抵抗の小さい）グラファイト膜が得られる。
【００７３】
図８中、給電層１００３の厚みＤ１（最小厚み）は、０．３〜０．６μｍの範囲にあることが好ましい。給電層１００３の厚みＤ１がこうした範囲にあれば、電解めっき時の電気抵抗が下がることによって、製造効率が向上する。
【００７４】
続けて、銅のパネルめっきにより、金属箔１００１、１００２上及び接続孔１２ａ内に、銅の電解めっきを形成する。
【００７５】
具体的には、図９に示すように、給電層１００３が形成された積層板１０００と第１電極２００１とを、容器２００２ａ内の溶液２００２に浸し、電源２００３（パルス電源）の一端に、積層板１０００（詳しくは、金属箔１００１、１００２、及び給電層１００３の各々）を接続し、他端に第１電極２００１を接続する。
【００７６】
第１電極２００１は、例えばめっきする金属（以下、めっき金属という）からなり、溶出極となる。ただしこれに限られず、第１電極２００１は、不溶性極であってもよい。本実施形態では、第１電極２００１が銅からなる。
【００７７】
積層板１０００において、金属箔１００１、１００２、及び給電層１００３はそれぞれ、第１電極２００１と対をなす第２電極となる。第２電極は、被めっき材に相当する。
【００７８】
溶液２００２は、めっき金属のイオンを含む。本実施形態では、溶液２００２が硫酸銅溶液であり、めっき金属が銅であり、めっき金属のイオンがＣｕ２＋である。また、溶液２００２には、必要に応じて、抑制剤又は促進剤等の添加剤が添加される。本実施形態の溶液２００２には、抑制剤としてレベラーが添加され、促進剤としてブライトナーが添加される。
【００７９】
電源２００３は、図９に示すように、第１電極２００１と第２電極（金属箔１００１、１００２、及び給電層１００３）との間の電圧波形をパルス制御して、一定周期で極性を切り替える。電源２００３は、整流器等から構成される。本実施形態では、第１電極２００１と第２電極との間の電圧波形が、図１０に示すような矩形波からなる。ただしこれに限定されず、電圧波形は任意である。
【００８０】
時間Ｔ１では、第２電極において下記のような析出反応Ｒ１が進み、時間Ｔ２では、第２電極において下記のような分解反応Ｒ２が進む。
（析出反応Ｒ１）Ｃｕ２＋ ＋ ２ｅ− → Ｃｕ
（分解反応Ｒ２）Ｃｕ → Ｃｕ２＋ ＋ ２ｅ−
時間Ｔ１においては、第１電極２００１と第２電極との間に析出電圧Ｖ１（＞０Ｖ）が印加され、析出反応Ｒ１が進み、第２電極にめっき金属（例えば銅）が析出する。
【００８１】
時間Ｔ２においては、第１電極２００１と第２電極との間に分離電圧Ｖ２（＜０Ｖ）が印加され、分解反応Ｒ２が進み、第２電極からめっき金属（例えば銅）が分離（離脱）する。
【００８２】
本実施形態では、一定の周期Ｔ３（＝時間Ｔ１＋時間Ｔ２）で、第１電極２００１及び第２電極の極性が入れ替わる。
【００８３】
本実施形態では、図１０に示すように、第１電極２００１（図９）と第２電極との間に析出電圧Ｖ１と分離電圧Ｖ２とを交互に印加しながら、第２電極（金属箔１００１、１００２、及び給電層１００３）の各々にめっき金属１００４ａを析出させていく。これにより、図１１に示すように、接続孔１２ａ（有底孔）がめっき金属１００４ａで充填される。また、接続孔１２ａにめっき金属１００４ａが充填されるのと同時に、金属箔１００１、１００２上にそれぞれ、めっき金属１００４ａが析出する。その結果、図５Ｄに示すように、接続孔１２ａ内に、給電層１００３及び電解めっき１００４が充填され、コア絶縁層１０ａに接続導体１２が形成される。また、図５Ｄに示すように、金属箔１００１、１００２上にそれぞれ、電解めっき１００４、１００５が形成される。接続導体１２において、給電層１００３は、図４Ｃに示すグラファイト膜２２０に相当し、電解めっき１００４は、図４Ｃに示す電解めっき２２２ｂに相当する。接続導体１２の底面は、金属箔１００２に接続される。なお、電解めっき１００５は、電解めっき１００４と同時に形成しても、別途形成してもよい。
【００８４】
電圧印加時の電位分布は、図１１に示すように、接続孔１２ａの壁面Ｆ２１及び底面Ｆ２２が低電位部Ｒ１１となり、金属箔１００１の上面Ｆ２３（表層及び肩）が高電位部Ｒ１２となる。本実施形態では、第１電極２００１（図９）と第２電極との間に析出電圧Ｖ１と分離電圧Ｖ２とを交互に印加しながらめっき金属１００４ａを析出させるため、低電位部Ｒ１１に厚いめっきを形成し、高電位部Ｒ１２に薄いめっきを形成することが可能になる。詳しくは、分解反応時には高析出部分（高電位部Ｒ１２）ほど分解が速く進むことになるため、析出、分解を繰り返すうちに、めっきの付きまわりの部分差が小さくなり、ビア内部でも適正なめっき（めっき金属１００４ａの析出）が可能となる。
【００８５】
図１２及び図１３に、銅の無電解めっき（化学銅）からなる給電層１００３ｂを有する配線板に直流電源により電解めっきを行う例について、第１電極と第２電極との間の電圧（図１２）、及び、電解めっきにより接続孔１２ａ（有底孔）がめっき金属１００４ａで充填される様子（図１３）を示す。
【００８６】
この例では、図１２に示すように、陽極（アノード）と給電層１００３ｂ（陰極：カソード）との間に一定の電圧Ｖ０を印加し、図１３に示すように、電解めっきにより給電層１００３ｂ上にめっき金属１００４ａ（銅）を析出させる。このため、低電位部Ｒ１１に薄いめっき（銅）が形成され、高電位部Ｒ１２に厚いめっき（銅）が形成される。
【００８７】
本実施形態では、給電層１００３が、めっき金属１００４ａよりも溶液２００２に溶けにくい材料からなる。溶け易さは、例えば標準電極電位で比較することができる。詳しくは、標準電極電位が大きいほど溶けにくい。本実施形態では、給電層１００３がグラファイトからなり、めっき金属１００４ａが銅からなる。グラファイトの標準電極電位は、銅の標準電極電位よりも大きい。
【００８８】
本実施形態における分離電圧Ｖ２（図１０）は、めっき金属１００４ａが溶液２００２に溶け、且つ、給電層１００３が溶液２００２に溶けない範囲に設定される。これにより、給電層１００３をほとんど溶かすことなく、分解反応Ｒ２が進むことになる。
【００８９】
給電層１００３が溶けて薄くなると、抵抗値が高くなって電解めっきの速度が遅くなったり、めっき金属１００４ａの析出が均一でなくなったりするおそれがある。また、給電層１００３が完全に溶けて無くなると、電解めっきを行うことができなくなる。このため、給電層１００３が溶け易い場合は、分離電圧Ｖ２を高くすること、又はめっき金属１００４ａの離脱時間（時間Ｔ２）を長くすることが難しい。この点、本実施形態では、給電層１００３が、めっき金属１００４ａよりも溶液２００２に溶けにくい材料からなる。これにより、分離電圧Ｖ２を高くすること、又はめっき金属１００４ａの離脱時間（時間Ｔ２）を長くすることが可能になる。その結果、高い生産性でフィルド導体を形成することが可能になる。また、分離電圧Ｖ２を高くすることで、金属箔１００２と接続導体１２との間のシーム発生を抑制することが可能になる。このため、小径のビアホールに電解めっきする場合でも、シームレスになり易くなる。
【００９０】
図１４に、電解めっきの給電層として化学銅を用いた場合の特性と、電解めっきの給電層として銅よりも標準電極電位の大きい各導電性材料を用いた場合の特性と、を対比して示す。
【００９１】
図１４に示されるように、厚さ５０ｎｍの化学銅の抵抗値は０．００８Ωであり、厚さ３００ｎｍのグラファイトの抵抗値は０．０８Ωであり、厚さ５０ｎｍのカーボンブラックの抵抗値は５Ωであり、厚さ約１ｎｍのパラジウムの抵抗値は３Ωであり、厚さ約１ｎｍの導電性ポリマの抵抗値は５０Ωである。
【００９２】
本実施形態では、導体層８１（スルーホール導体１０２の一端が接続される第１面側導体層）下の絶縁層８０ａ（第１面側層間絶縁層）に形成されたビア導体８２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）と、導体層９１（スルーホール導体１０２の他端が接続される第２面側導体層）下の絶縁層９０ａ（第２面側層間絶縁層）に形成されたビア導体９２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）とを構成する材料（化学銅）が、それ以外のビルドアップ部に形成されたビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の給電層（グラファイト膜２１０）を構成する材料（グラファイト）よりも抵抗値が低い。
【００９３】
本実施形態では、図５Ｃ及び図７に示されるように、接続孔１２ａの壁面Ｆ２１のみに選択的に給電層１００３が形成される。このため、給電層１００３を介在させず、金属箔１００２上に直接、めっき金属１００４ａを析出させることが可能になる。これにより、金属箔１００２とめっき金属１００４ａとの結合が金属同士の結合になるため、接合強度が向上する。
【００９４】
しかしながら、金属箔１００２と接続導体１２との間に給電層１００３の材料が残留すると、シームが発生し易くなる。この点、金属箔１００２を構成する材料（銅）と同じ金属である化学銅は、実質的に、金属箔１００２と区別がつかない（又は同一視できる）ため、金属箔１００２上に残留しないと考えられる。また、非金属であるグラファイトは、完全に除去し易いため、金属箔１００２上に残留しにくい。
【００９５】
本実施形態では、給電層１００３がグラファイトからなる。グラファイトは、金属箔１００２上に残留しにくいため、金属箔１００２と接続導体１２との間のシーム発生を抑制するのに適している。また、図１４に示されるように、グラファイトは、カーボンブラック、パラジウム、及び導電性ポリマに比べて、抵抗が小さい。このため、グラファイトからなる給電層１００３は、電解めっきの第２電極（被めっき材）として適している。
【００９６】
また、給電層１００３を化学銅で形成する場合には、良質の無電解銅めっき膜を得るために、還元剤としてはホルマリン等が、また、触媒としてレアメタルであるパラジウム（Ｐｂ）等が必要になる。この点、本実施形態では、給電層１００３をグラファイトで形成するため、ホルマリン及びパラジウムを使用することなく、良質の給電層を得ることができる。その結果、環境負荷の低減（例えば廃液量の低減）又は材料コストの低減が可能になる。
【００９７】
本実施形態では、金属箔１００１及び１００２がそれぞれ、めっき金属１００４ａと同じ金属（銅）からなる。これにより、めっき界面の不整合が抑制され、金属箔１００１及び１００２と接続導体１２との間のシーム発生が抑制される。また、本実施形態では、給電層１００３が、金属箔１００１及び１００２のいずれとも異なる導体材料からなる。具体的には、給電層１００３をグラファイトで形成することで、環境負荷の低減又は材料コストの低減を図っている。
【００９８】
続けて、リソグラフィ技術により、図５Ｄに示されるコア絶縁層１０ａ上の導体層（金属箔１００１、１００２及び電解めっき１００４、１００５）をパターニングする。
【００９９】
具体的には、図１５Ａに示すように、電解めっき１００４上に、開口部１００６ａを有するエッチングレジスト１００６を形成し、電解めっき１００５上に、開口部１００７ａを有するエッチングレジスト１００７を形成する。開口部１００６ａ及び１００７ａはそれぞれ、導体層（金属箔１００１、１００２及び電解めっき１００４、１００５）をエッチングすべき部分に配置される。
【０１００】
続けて、図１５Ｂに示すように、例えば塩化第二銅又は塩化第二鉄により、コア絶縁層１０ａ上の導体層（金属箔１００１、１００２及び電解めっき１００４、１００５）をエッチングする。コア絶縁層１０ａ上の導体層のうち、エッチングレジスト１００６、１００７で覆われている部分は、エッチングされずに残り、開口部１００６ａ、１００７ａから露出する部分は、エッチングにより除去される。これにより、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上に、金属箔１００１（下層）及び電解めっき１００４（上層）から構成される導体層１１ａが形成され、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上に、金属箔１００２（下層）及び電解めっき１００５（上層）から構成される導体層１１ｂが形成される。接続導体１２は、導体層１１ａと導体層１１ｂを相互に電気的に接続する。
【０１０１】
導体層１１ａにおいて、金属箔１００１は、図４Ｃに示す銅箔２２１ａに相当し、電解めっき１００４は、図４Ｃに示す電解めっき２２２ａに相当する。また、導体層１１ｂにおいて、金属箔１００２は、図４Ｃに示す銅箔２３１ａに相当し、電解めっき１００５は、図４Ｃに示す電解めっき２３２ａに相当する。
【０１０２】
導体層１１ａの最小厚みは、１０〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。本実施形態では、前述した析出電圧及び分離電圧の印加により、接続孔１２ａ（有底孔）をめっき金属１００４ａで充填するのと同時に、金属箔１００１上にめっき金属１００４ａを析出させて、コア絶縁層１０ａ上に、最小厚みが１０〜３０μｍの範囲にある導体層１１ａを形成する。導体層１１ａの最小厚みが下限値（１０μｍ）より小さいと、ビアのリセスが解消できずに平坦性を損ね易くなる。
【０１０３】
続けて、例えば図１６Ａに示すように、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上及び導体層１１ａ上に、絶縁層２０ａ及び金属箔１０１１（例えば銅箔）を、この順で積層し、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上及び導体層１１ｂ上に、絶縁層３０ａ及び金属箔１０１２（例えば銅箔）を、この順で積層する。この段階では、絶縁層２０ａ及び３０ａは、例えばプリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。金属箔１０１１、１０１２はそれぞれ、はじめから所定の厚さ（薄い状態）で貼り付けてもよいし、比較的厚い金属箔を絶縁層に貼り付けた後、エッチング等によりその金属箔を薄くして所定の厚さに調整してもよい。
【０１０４】
続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層２０ａ、３０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【０１０５】
続けて、例えば図１６Ｂに示すように、例えばＣＯ２レーザにより、絶縁層２０ａにビアホール２２ａを形成し、絶縁層３０ａにビアホール３２ａを形成する。フィルドスタックＳを形成するためのビアホール２２ａ及び３２ａは、フィルドスタックＳを構成する接続導体１２と同軸（Ｚ軸）上に形成する。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１０６】
続けて、図１６Ｃに示すように、前述した接続導体１２及び導体層１１ａ、１１ｂを形成する方法（図６〜図１１参照）と同様にして、ビアホール２２ａ、３２ａ内にそれぞれ、グラファイトからなる給電層１０１３、１０１４を形成し、給電層１０１３、１０１４を用いて電解めっきを行うことで、電解めっき１０１５、１０１６を形成する。これにより、ビアホール２２ａ、３２ａにはそれぞれ、電解めっき１０１５、１０１６が充填される。その結果、絶縁層２０ａ、３０ａにそれぞれ、ビア導体２２、３２が形成される。フィルドスタックＳを構成するビア導体２２及び３２は、フィルドスタックＳを構成する他の接続導体１２と同軸（Ｚ軸）上に積重される。ビア導体２２、３２において、給電層１０１３、１０１４はそれぞれ、図４Ｂに示すグラファイト膜２１０に相当し、電解めっき１０１５、１０１６はそれぞれ、図４Ｂに示す電解めっき２１２ｂに相当する。
【０１０７】
続けて、図１６Ｄに示すように、例えば導体層１１ａ、１１ｂのパターニング（図１５Ａ及び図１５Ｂ参照）と同様にして、両面の導体層（金属箔１０１１、１０１２及び電解めっき１０１５、１０１６）をパターニングする。これにより、絶縁層２０ａ上に導体層２１が形成され、絶縁層３０ａ上に導体層３１が形成される。導体層２１、３１において、金属箔１０１１、１０１２はそれぞれ、図４Ｂに示す銅箔２１１ａに相当し、電解めっき１０１５、１０１６はそれぞれ、図４Ｂに示す電解めっき２１２ａに相当する。
【０１０８】
続けて、前述したビア導体２２、３２及び導体層２１、３１を形成する方法（図１６Ａ〜図１６Ｄ参照）と同様にして、図１７に示すように、絶縁層４０ａ及び５０ａ、ビアホール４２ａ及び５２ａ、ビア導体４２及び５２、並びに導体層４１及び５１を形成する。フィルドスタックＳを構成するビア導体４２及び５２は、フィルドスタックＳを構成する他の接続導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【０１０９】
続けて、前述したビア導体２２、３２及び導体層２１、３１を形成する方法（図１６Ａ〜図１６Ｄ参照）と同様にして、図１８に示すように、絶縁層６０ａ及び７０ａ、ビアホール６２ａ及び７２ａ、ビア導体６２及び７２、並びに導体層６１及び７１を形成する。フィルドスタックＳを構成するビア導体６２及び７２は、フィルドスタックＳを構成する他の接続導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【０１１０】
続けて、例えば図１９に示すように、絶縁層６０ａ上及び導体層６１上に、絶縁層８０ａ及び金属箔１０２１（例えば銅箔）を、この順で積層し、絶縁層７０ａ上及び導体層７１上に、絶縁層９０ａ及び金属箔１０２２（例えば銅箔）を、この順で積層する。この段階では、絶縁層８０ａ及び９０ａは、例えばプリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。金属箔１０２１、１０２２はそれぞれ、はじめから所定の厚さ（薄い状態）で貼り付けてもよいし、比較的厚い金属箔を絶縁層に貼り付けた後、エッチング等によりその金属箔を薄くして所定の厚さに調整してもよい。
【０１１１】
続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層８０ａ、９０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【０１１２】
続けて、図２０に示すように、例えばＣＯ２レーザにより、絶縁層８０ａを貫通するビアホール８２ａ、絶縁層９０ａを貫通するビアホール９２ａ、及び全層を貫通するスルーホール１０２ａを形成する。フィルドスタックＳを形成するためのビアホール８２ａ及び９２ａは、フィルドスタックＳを構成する接続導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に形成する。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１１３】
レーザの照射においては、例えば遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射する。ただしこれに限られず、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。また、レーザ光の走査中において、ビアホール８２ａ及び９２ａを形成する部位よりも、スルーホール１０２ａを形成する部位に照射するレーザ光の強度（光量）を強めることで、ビアホール８２ａ及び９２ａ、並びにスルーホール１０２ａを、１回の走査で形成することができる。この際、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。スルーホール１０２ａは、配線板の一側のみからレーザ光を照射することによっても、あるいは配線板の両側から同時にレーザ光を照射することによっても、形成することができる。さらに、配線板の一側からレーザ光を照射して有底孔（非貫通孔）を形成した後、他側からレーザ光を照射してその底部を貫通させることにより、スルーホール１０２ａを形成してもよい。また、ビアホール８２ａ、９２ａはレーザで形成し、スルーホール１０２ａは、ビアホール８２ａ、９２ａとは別に、ドリルで形成してもよい。
【０１１４】
本実施形態では、上記スルーホール１０２ａの形成（レーザ又はドリル等）により、内層の導体層１１ａ（第１面側導体層）及び内層の導体層１１ｂ（第２面側導体層）等が削られ、図２１に示すように、その削られた各導体層（詳しくは、その側面Ｆ２０）がスルーホールの壁面Ｆ１０に露出する。ここで削られる導体層１１ａ等は、例えば図２２に示すように、面状の導体パターンからなる。ただしこれに限られず、上記スルーホール１０２ａの形成により、線状の導体パターンが削られてもよい。本実施形態では、スルーホールの壁面Ｆ１０に露出する内層の導体層１１ａ等と、金属箔１０２１及び１０２２とが、同じ金属材料（銅）からなる。
【０１１５】
続けて、図２３Ａに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔１０２１上、ビアホール８２ａ内、金属箔１０２２上、ビアホール９２ａ内、及びスルーホール１０２ａ内にそれぞれ、例えば銅の無電解めっき膜１０２３（給電層）を形成する。無電解めっきは、例えば化学めっき法により行う。無電解めっきのめっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液などを用いることができる。
【０１１６】
続けて、例えば無電解めっき膜１０２３をめっき液に浸して、例えば直流電源（図１２参照）により電解めっきを行い、図２３Ｂに示すように、無電解めっき膜１０２３上に、例えば銅の電解めっき１０２４を形成する。電解めっきのめっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青（シアン）化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。電解めっきの方法は、直流電源による電解めっきに限られず、例えば水平パルスめっき等でもよい。
【０１１７】
これにより、ビアホール８２ａ、９２ａには、それぞれ無電解めっき膜１０２３及び電解めっき１０２４が充填され、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０に、無電解めっき膜１０２３及び電解めっき１０２４が形成される。その結果、ビア導体８２及び９２、並びにスルーホール導体１０２が形成される。ビア導体８２、９２において、無電解めっき膜１０２３は、図４Ａに示す無電解めっき膜２０２ａに相当し、電解めっき１０２４は、図４Ａに示す電解めっき２０３ｄに相当する。また、スルーホール導体１０２において、無電解めっき膜１０２３は、図３に示す無電解めっき膜２０２ｂに相当し、電解めっき１０２４は、図３に示す電解めっき２０３ｂに相当する。
【０１１８】
スルーホールの壁面Ｆ１０に露出していた各導体層（内層の導体層１１ａ及び１１ｂ等）は、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、スルーホール導体１０２と接触し、電気的に接続される。
【０１１９】
フィルドスタックＳを構成するビア導体８２及び９２は、フィルドスタックＳを構成する他の接続導体１２等と同軸（Ｚ軸）上に積重される。
【０１２０】
本実施形態に係る配線板の製造方法は、第１面Ｆ１及びその反対側の第２面Ｆ２を有するコア絶縁層１０ａを準備することと、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側に形成される複数の第１面側導体層（導体層１１ａ、２１、４１、６１、８１）と、第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層（絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ）とを形成することと、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側に形成される複数の第２面側導体層（導体層１１ｂ、３１、５１、７１、９１）と、第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層（絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ）とを形成することと、第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層の各々に、給電層と、給電層の上に形成される電解めっきと、を含むビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２を形成することと、を含む。そして、本実施形態に係る配線板の製造方法において、第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層の各々において、最外層にあるビア導体８２、９２の給電層は、無電解めっきからなり、それ以外の層にあるビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の給電層は、グラファイトからなる。
【０１２１】
このため、本実施形態に係る配線板の製造方法によれば、配線板１００を貫通するスルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０にスルーホール導体１０２を形成する場合に、良質なスルーホール導体１０２を得やすくなる。
【０１２２】
詳しくは、最外層でも内層と同様にして給電層としてグラファイトを用いる場合は、例えば図２４Ａに示すように、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０、及び金属箔１０２１、１０２２上に、グラファイト膜１０２３ａを形成する。その後、例えば金属箔１０２１及び１０２２のエッチャント（例えば銅のエッチャント）を用いたエッチングにより、金属箔１０２１及び１０２２上のグラファイト膜１０２３ａを除去することで、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０のみにグラファイト膜１０２３ａ（給電層）を残すようにする。しかしこの際、例えば図２４Ｂに示すように、金属箔１０２１及び１０２２上のグラファイト膜１０２３ａだけでなく、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０と面一になる内層の導体層の側面Ｆ２０上に形成されたグラファイト膜１０２３ａもエッチングされてしまい、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０に形成される給電層が不連続になってしまうことが懸念される。そして、こうした不連続の給電層によってスルーホール導体１０２を形成する場合には、電解めっきの析出不良により、スルーホール導体１０２も不連続になり易くなる。配線板が多層になるほど、こうした電解めっきの析出不良が生じ易くなる。
【０１２３】
この点、本実施形態に係る配線板の製造方法では、第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層の各々において、最外層にあるビア導体８２、９２の給電層は、無電解めっきからなり、それ以外の層にあるビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２の給電層は、グラファイトからなる。このため、切れ目のないスルーホール導体１０２を得やすくなる。
【０１２４】
本実施形態では、スルーホール１０２ａへのめっきと、最外層のビアホール８２ａ、９２ａへのめっきとが、同時に行われる。このため、工程数の削減、ひいてはコスト削減が図られると考えられる。ただしこれに限定されず、別々に行ってもよい。
【０１２５】
続けて、リソグラフィ技術により、図２３Ｂに示される絶縁層８０ａ、９０ａ上の導体層（金属箔１０２１、１０２２、無電解めっき膜１０２３、及び電解めっき１０２４）をパターニングする。
【０１２６】
具体的には、図２５Ａに示すように、絶縁層８０ａ上の導体層上に、開口部１０３１ａを有するエッチングレジスト１０３１を形成し、絶縁層９０ａ上の導体層上に、開口部１０３２ａを有するエッチングレジスト１０３２を形成する。開口部１０３１ａ及び１０３２ａはそれぞれ、導体層をエッチングすべき部分に配置される。
【０１２７】
続けて、図２５Ｂに示すように、例えば塩化第二銅又は塩化第二鉄により、各導体層をエッチングする。導体層のうち、エッチングレジスト１０３１、１０３２で覆われている部分は、エッチングされずに残り、開口部１０３１ａ、１０３２ａから露出する部分は、エッチングにより除去される。これにより、絶縁層８０ａ上に、金属箔１０２１（下層）、無電解めっき膜１０２３（中間層）、及び電解めっき１０２４（上層）から構成される導体層８１が形成され、絶縁層９０ａ上に、金属箔１０２２（下層）、無電解めっき膜１０２３（中間層）、及び電解めっき１０２４（上層）から構成される導体層９１が形成される。その結果、本実施形態の配線板１００が完成する。導体層８１、９１において、金属箔１０２１、１０２２はそれぞれ、図４Ａに示す銅箔２０１ａに相当し、無電解めっき膜１０２３は、図４Ａに示す無電解めっき膜２０２ａに相当し、電解めっき１０２４は、図４Ａに示す電解めっき２０３ａに相当する。
【０１２８】
その後、例えば最外層に外部接続端子を形成することで、その外部接続端子を通じて、配線板１００を他の配線板と接続したり、配線板１００に電子部品を実装したりすることが可能になる。具体的には、例えば図２６に示すように、配線板１００の表面に、開口部１０３３ａを有するソルダーレジスト１０３３及び開口部１０３４ａを有するソルダーレジスト１０３４を形成して、開口部１０３３ａ、１０３４ａにそれぞれ、例えば半田１０３３ｂ、１０３４ｂにより、電子部品２００を実装してもよい。ソルダーレジスト１０３３及び１０３４はそれぞれ、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により形成することができる。
【０１２９】
図２６の例では配線板１００の両面に電子部品２００が実装されているが、配線板１００の片面のみに複数の電子部品２００が実装されてもよい。また、電子部品の数は任意である。例えば１つの電子部品のみが配線板１００に実装されていてもよい。
【０１３０】
また、例えば図２７に示すように、配線板１００に電子部品２００が内蔵されていてもよい。図２７の例では２つの電子部品２００が内蔵されているが、電子部品の数は任意である。例えば１つの電子部品のみが配線板１００に内蔵されていてもよい。電子部品を内蔵する配線板１００によれば、電子デバイスの高機能化が可能になる。
【０１３１】
（実施形態２）
本発明の実施形態２について、上記実施形態１との相違点を中心に説明する。なおここでは、上記図１等に示した要素と同一の要素には各々同一の符号を付し、既に説明した共通の部分、すなわち説明が重複する部分については、その説明を省略又は簡略化する。
【０１３２】
本実施形態の配線板１００ａは、図２８Ａに示すように、スルーホール導体１０２が、配線板１００ａ全体を貫通しない。すなわち、配線板１００ａは、内層にスルーホール導体１０２を有する。
【０１３３】
以下、スルーホール導体１０２の一端が接続される第１面側導体層を、第１面側スルーホール導体層といい、スルーホール導体１０２の他端が接続される第２面側導体層を、第２面側スルーホール導体層という。また、第１面側スルーホール導体層下の第１面側層間絶縁層を、第１面側スルーホール絶縁層といい、第２面側スルーホール導体層下の第２面側層間絶縁層を、第２面側スルーホール絶縁層という。また、第１面側層間絶縁層及び第２面側層間絶縁層のうち、第１面側スルーホール絶縁層及び第２面側スルーホール絶縁層以外のものを、非スルーホール絶縁層という。本実施形態では、導体層２１が、第１面側スルーホール導体層に相当し、導体層３１が、第２面側スルーホール導体層に相当し、絶縁層２０ａが、第１面側スルーホール絶縁層に相当し、絶縁層３０ａが、第２面側スルーホール絶縁層に相当し、絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａが、非スルーホール絶縁層に相当する。
【０１３４】
図２８Ｂに、図２８Ａの一部（スルーホール近傍）を拡大して示す。
【０１３５】
図２８Ｂに示すように、本実施形態では、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０に、スルーホール導体１０２が形成される。スルーホール導体１０２は、コンフォーマル導体からなる。ただしこれに限定されず、コンフォーマル導体に代えて、フィルド導体を用いてもよい。
【０１３６】
本実施形態では、スルーホール導体１０２の一端が、内層の導体層２１（詳しくは、導体層２１に含まれるランド２１ａ）に接続され、スルーホール導体１０２の他端が、内層の導体層３１（詳しくは、導体層３１に含まれるランド３１ａ）に接続される。スルーホール導体１０２は、導体層２１（第１面側スルーホール導体層）と導体層３１（第２面側スルーホール導体層）とを電気的に接続する。また、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、導体層２１（第１面側スルーホール導体層）よりも下層に位置する導体層１１ａ（第１面側導体層）、及び導体層３１（第２面側スルーホール導体層）よりも下層に位置する導体層１１ｂ（第２面側導体層）等と、スルーホール導体１０２とが、互いに接触し、電気的に接続されている。ただし、スルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０において、スルーホール導体１０２の側方（第１面側スルーホール導体層又は第２面側スルーホール導体層よりも下層）に位置する導体層とスルーホール導体１０２とが、互いに接触していることは必須ではない。
【０１３７】
導体層２１（第１面側スルーホール導体層）は、絶縁層２０ａ（第１面側スルーホール絶縁層）上に、銅箔２０１ａと、例えば銅の無電解めっき膜２０２ａと、例えば銅の電解めっき２０３ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層２１は、銅箔２０１ａ及び無電解めっき膜２０２ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ａと、を含む。
【０１３８】
スルーホール導体１０２は、例えばスルーホール１０２ａの壁面Ｆ１０上に、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｂと、例えば銅の電解めっき２０３ｂとが、この順で積層されて構成される。すなわち、スルーホール導体１０２は、無電解めっき膜２０２ｂからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｂと、を含む。
【０１３９】
導体層３１（第２面側スルーホール導体層）は、絶縁層３０ａ（第２面側スルーホール絶縁層）上に、銅箔２０１ｃと、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｃと、例えば銅の電解めっき２０３ｃとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層３１は、銅箔２０１ｃ及び無電解めっき膜２０２ｃからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｃと、を含む。
【０１４０】
絶縁層２０ａ（第１面側スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体２２、及び絶縁層３０ａ（第２面側スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体３２はそれぞれ、例えば図２９Ａに示すように、ビアホール２２ａ、３２ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜２０２ｄと、例えば銅の電解めっき２０３ｄと、が充填されて構成される。具体的には、ビアホール２２ａ、３２ａの内面（壁面及び底面）上に、無電解めっき膜２０２ｄが形成され、その内側に、電解めっき２０３ｄが充填される。すなわち、ビア導体２２及び３２はそれぞれ、無電解めっき膜２０２ｄからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｄと、を含む。
【０１４１】
絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ（それぞれ非スルーホール絶縁層）上に形成された導体層４１、５１、６１、７１、８１、９１はそれぞれ、例えば図２９Ｂに示すように、各絶縁層上に、銅箔２１１ａと、例えば銅の電解めっき２１２ａとが、この順で積層されて構成される。すなわち、導体層４１、５１、６１、７１、８１、９１はそれぞれ、銅箔２１１ａからなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２１２ａと、を含む。
【０１４２】
絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ（非スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２はそれぞれ、例えば図２９Ｂに示すように、ビアホール４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａ内に、グラファイト膜２１０と、例えば銅の電解めっき２１２ｂと、が充填されて構成される。具体的には、ビアホール４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａの内面（詳しくは、壁面）上に、グラファイト膜２１０が形成され、その内側に、電解めっき２１２ｂが充填される。すなわち、ビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２はそれぞれ、グラファイト膜２１０からなる給電層と、その給電層の上に形成される電解めっき２１２ｂと、を含む。
【０１４３】
コア部の構成は、例えば実施形態１と同じである（図４Ｃ参照）。
【０１４４】
本実施形態では、絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ（それぞれ第１面側層間絶縁層）及び絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ（それぞれ第２面側層間絶縁層）の各々に、給電層（無電解めっき膜２０２ｄ、グラファイト膜２１０）と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｄ、２１２ｂと、を含むビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が形成される（図２９Ａ及び図２９Ｂ参照）。そして、スルーホール導体１０２は、無電解めっきからなる給電層（無電解めっき膜２０２ｂ）と、その給電層の上に形成される電解めっき２０３ｂと、を含み、絶縁層２０ａ（第１面側スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体２２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）と、絶縁層３０ａ（第２面側スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体３２の給電層（無電解めっき膜２０２ｄ）とはそれぞれ、無電解めっきからなり、絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ（それぞれ非スルーホール絶縁層）に形成されたビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２の給電層（グラファイト膜２１０）はそれぞれ、無電解めっき（特に、銅の無電解めっき）とは異なる材料（例えばグラファイト）からなる。
【０１４５】
これにより、本実施形態の配線板１００ａのビルドアップ部における電気的接続（特に、層間接続）の信頼性を向上させることが可能になる（詳しくは、実施形態１の製造方法の説明を参照）。
【０１４６】
なお、本実施形態のスルーホール導体１０２は、一端が導体層２１に接続され、他端が導体層３１に接続されているが、これに限定されない。一端が第１面側導体層（例えば導体層２１、４１、６１、８１のいずれか）に接続され、他端が第２面側導体層（例えば導体層３１、５１、７１、９１のいずれか）に接続されるスルーホール導体であれば、上記効果に準ずる効果は得られる。
【０１４７】
本実施形態の配線板１００ａは、実施形態１の製造方法に準ずる方法によって、製造することができる。
【０１４８】
すなわち、グラファイト膜２１０は、例えば図６及び図７に示される方法に準ずる方法で形成することができる。また、ビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２は、例えばグラファイト膜２１０に給電しながら電解めっきを行うことで、形成することができる（例えば図９〜図１１参照）。また、導体層４１、５１、６１、７１、８１、９１は、例えば上記電解めっきによりビア導体４２、５２、６２、７２、８２、９２と一緒に形成された両面の導体層をエッチングでパターニングすることにより、形成することができる（例えば図１５Ａ及び図１５Ｂ参照）。
【０１４９】
また、無電解めっき膜２０２ｂ及び２０２ｄは、例えば図２３Ａに示される方法に準ずる方法で形成することができる。また、スルーホール導体１０２及びビア導体２２、３２は、例えば無電解めっき膜２０２ｂ及び２０２ｄの各々に給電しながら電解めっきを行うことで、形成することができる（例えば図２３Ｂ参照）。また、導体層２１、３１は、例えば上記電解めっきによりスルーホール導体１０２及びビア導体２２、３２と一緒に形成された両面の導体層をエッチングでパターニングすることにより、形成することができる（例えば図２５Ａ及び図２５Ｂ参照）。なお、本実施形態では、スルーホール導体１０２を内層に形成した後、続けてその上層の形成を行い、ビルドアップ部を最外層まで形成する。
【０１５０】
実施形態１と同様の構成及び処理については、本実施形態でも、前述した実施形態１の効果に準ずる効果が得られる。
【０１５１】
（他の実施形態）
上記実施形態において、第１面側スルーホール絶縁層又は第２面側スルーホール絶縁層に形成されたビア導体の給電層の材料としては、グラファイト以外の、無電解めっきとは異なる材料を採用することができる。例えばこれらの給電層の材料が、めっき金属よりも溶液２００２に溶けにくい材料であれば、分離電圧Ｖ２を高くすること、又はめっき金属の離脱時間（時間Ｔ２）を長くすることが可能になる。また、これらの給電層の材料が、非金属の導電性材料であれば、金属からなる導体層上に残留しがちな不要な給電層の材料を完全に除去し易くなる。また、これらの給電層の材料が、グラファイト又はカーボンブラックなど、炭素を含む非金属の導電性材料であれば、高い導電性を付与し易くなり、樹脂からなる層間絶縁層との間で高い密着性が得られ易い。また、これらの給電層の材料として、銅の無電解めっきとは異なる材料を採用し、ホルマリンやパラジウム等を用いずに給電層を形成すれば、環境負荷又はコストの面で有利になる。また、これらの給電層の材料は、非スルーホール絶縁層に形成されたビア導体の給電層の材料よりも抵抗値が高い材料であることが好ましい。
【０１５２】
上記実施形態の配線板１００（図１）で用いた孔からなるスルーホール１０２ａに代えて、図３０Ａに示すように、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する切欠からなるスルーホール１０２ｂを用いてもよい。スルーホール１０２ｂは、例えば配線板の側面に形成される。この場合も、上記実施形態と同様、スルーホール１０２ｂの壁面には、スルーホール導体が形成される。また、図３０Ｂに示すように、孔からなるスルーホール１０２ａと切欠からなるスルーホール１０２ｂとを併用してもよい。切欠からなるスルーホール１０２ｂは、例えば図３１に示すように、孔からなるスルーホール１０２ａを形成した後、線Ｌ１０で、スルーホール１０２ａを分割（切断）することによって形成することができる。
【０１５３】
接続導体１２は、ビア導体に限定されず、例えば図３２に示すように、スルーホール導体であってもよい。この場合、接続導体１２は、導体層１１ａ、１１ｂと少なくとも一部（例えばめっき層）で連続する。接続導体１２は、例えばスルーホール導体１０２の製造方法に準ずる方法で製造することができる。
【０１５４】
スルーホール導体１０２の形状は、円柱に限られず任意であり、例えば両端から内側（例えばコア絶縁層１０ａ）に向かって細くなる鼓状（砂時計状）であっても、一端から他端に向かって細くなるテーパ状（円錐台又は角錐台等）であってもよい。鼓状のスルーホール導体１０２は、例えば絶縁層の両側からレーザ光を照射することによって、形成することができる。また、テーパ状のスルーホール導体１０２は、例えば絶縁層の片側からレーザ光を照射することによって、形成することができる。
【０１５５】
その他の点についても、上記実施形態の配線板１００の構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１５６】
例えば図３３（図４Ａに対応する図）に示すように、導体層８１、９１は、銅箔を有さず、無電解めっき膜２０２ａ及び電解めっき２０３ａから構成されていてもよい。
【０１５７】
上記実施形態１又は２において、接続導体１２の給電層を、無電解めっきで形成してもよい。
【０１５８】
接続導体１２、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、スルーホール導体１０２、及びそれらの開口部（孔）の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は、円（真円又は楕円等）に限られず任意である。これらの平面形状は、例えば図３４Ａに示されるように、略正方形であってもよい。また、略正六角形、略正八角形など、略正方形以外の略正多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば略直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。ただし、熱応力の集中を防止する上では、角が丸みを帯びていた方が好ましい。
【０１５９】
さらに、上記平面形状の各々は、略長方形又は略三角形等であってもよいし、図３４Ｂに示す略十字形又は図３４Ｃに示す略正多角星形など、中心から放射状に直線を引いた形（複数の羽根を放射状に配置した形）であってもよい。
【０１６０】
また、各導体（接続導体１２等）の側面（又は各開口部の壁面）は、テーパしていても。テーパしていなくてもよい。
【０１６１】
本発明に係る配線板の製造方法は、実施形態で示した順序及び内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１６２】
上記実施形態及び変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。
【０１６３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
本発明に係る配線板は、携帯電話などの回路基板に適している。本発明に係る配線板の製造方法は、そうした配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１６５】
１０ａ コア絶縁層
１１ａ、１１ｂ 導体層
１２ 接続導体
１２ａ 接続孔
２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ 絶縁層
２１、４１、６１、８１ 導体層
２２、４２、６２、８２ ビア導体
２２ａ、４２ａ、６２ａ、８２ａ ビアホール
３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ 絶縁層
３１、５１、７１、９１ 導体層
３２、５２、７２、９２ ビア導体
３２ａ、５２ａ、７２ａ、９２ａ ビアホール
１００、１００ａ 配線板
１０２ スルーホール導体
１０２ａ スルーホール
１０２ｂ スルーホール
２００ 電子部品
２０１ａ、２０１ｃ 銅箔
２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ 無電解めっき膜
２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、２０３ｄ 電解めっき
２１０ グラファイト膜
２１１ａ 銅箔
２１２ａ、２１２ｂ 電解めっき
２２０ グラファイト膜
２２１ａ、２３１ａ 銅箔
２２２ａ、２２２ｂ、２３２ａ 電解めっき
１０００ 積層板
１００１、１００２ 金属箔
１００３ 給電層
１００３ａ グラファイト膜
１００３ｂ 給電層
１００４ａ 金属
１００６、１００７ エッチングレジスト
１００６ａ、１００７ａ 開口部
１０１１、１０１２ 金属箔
１０１３、１０１４ 給電層
１０２１、１０２２ 金属箔
１０２３ 無電解めっき膜
１０２３ａ グラファイト膜
１０３１、１０３２ エッチングレジスト
１０３１ａ、１０３２ａ 開口部
１０３３、１０３４ ソルダーレジスト
１０３３ａ、１０３４ａ 開口部
１０３３ｂ、１０３４ｂ 半田
２００１ 第１電極
２００２ 溶液
２００２ａ 容器
２００３ 電源
Ｆ１ 第１面
Ｆ２ 第２面
Ｆ１０ 壁面
Ｆ２０ 側面
Ｆ２１ 壁面
Ｆ２２ 底面
Ｆ２３ 上面
Ｒ１１ 低電位部
Ｒ１２ 高電位部
Ｓ フィルドスタック
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及びその反対側の第２面を有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面側に形成される複数の第１面側導体層と、
前記コア絶縁層の前記第２面側に形成される複数の第２面側導体層と、
前記第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層と、
前記第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層と、
一端が前記第１面側導体層に接続され、他端が前記第２面側導体層に接続されるスルーホール導体と、
を有する配線板であって、
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々には、給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含むビア導体が形成され、
前記スルーホール導体は、無電解めっきからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含み、
前記スルーホール導体の一端が接続される前記第１面側導体層下の前記第１面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の前記給電層と、前記スルーホール導体の他端が接続される前記第２面側導体層下の前記第２面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の前記給電層とはそれぞれ、無電解めっきからなり、それ以外の前記ビア導体の前記給電層はそれぞれ、無電解めっきとは異なる材料からなる、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記無電解めっきとは異なる材料は、グラファイトである、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記スルーホール導体は、当該配線板を貫通し、最外層の前記第１面側導体層と最外層の前記第２面側導体層とを互いに電気的に接続する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記第１面側導体層の層数及び前記第２面側導体層の層数はそれぞれ、５層以上である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項５】
前記スルーホールの壁面において、内層の前記第１面側導体層及び内層の前記第２面側導体層の少なくとも一方と、前記スルーホール導体とが、互いに電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記コア絶縁層には、該コア絶縁層を貫通する孔が形成され、
前記孔の壁面に、前記コア絶縁層の前記第１面上に形成された前記第１面側導体層と前記コア絶縁層の前記第２面上に形成された前記第２面側導体層とを、互いに電気的に接続する接続導体を有し、
前記接続導体は、グラファイトからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
前記コア絶縁層を貫通する前記孔には、前記給電層及び前記電解めっきが充填されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の配線板。
【請求項８】
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に形成された前記ビア導体はそれぞれ、前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に形成されたビアホールに、前記給電層及び前記電解めっきが充填されてなる、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記第１面側導体層及び前記第２面側導体層はそれぞれ、無電解めっき及び金属箔の少なくとも一方からなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１０】
第１面及びその反対側の第２面を有するコア絶縁層を準備することと、
前記コア絶縁層の前記第１面側に形成される複数の第１面側導体層と、該第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層とを形成することと、
前記コア絶縁層の前記第２面側に形成される複数の第２面側導体層と、該第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層とを形成することと、
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に、ビアホールを形成し、該ビアホール内にビア導体を形成することと、
前記コア絶縁層、前記第１面側層間絶縁層、及び前記第２面側層間絶縁層に、スルーホールを形成し、該スルーホール内に、一端が前記第１面側導体層に接続され、他端が前記第２面側導体層に接続されるスルーホール導体を形成することと、
を含む配線板の製造方法であって、
前記スルーホール導体の形成、前記スルーホール導体の一端が接続される前記第１面側導体層下の前記第１面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の形成、及び前記スルーホール導体の他端が接続される前記第２面側導体層下の前記第２面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の形成ではそれぞれ、無電解めっきからなる給電層を形成した後、該給電層に給電しながら電解めっきを行って該給電層の上に電解めっきを形成し、
それ以外の前記ビア導体の形成では、無電解めっきとは異なる材料からなる給電層を形成した後、該給電層に給電しながら電解めっきを行って該給電層の上に電解めっきを形成する、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記無電解めっきとは異なる材料は、グラファイトである、
ことを特徴とする請求項１０に記載の配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記スルーホール導体は、当該配線板を貫通し、最外層の前記第１面側導体層と最外層の前記第２面側導体層とを互いに電気的に接続する、
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記スルーホールの形成により、内層の前記第１面側導体層及び内層の前記第２面側導体層の少なくとも一方が削られ、その削られた導体層は前記スルーホールの壁面に露出する、
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１】
第１面及びその反対側の第２面を有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の前記第１面側に形成される複数の第１面側導体層と、
前記コア絶縁層の前記第２面側に形成される複数の第２面側導体層と、
前記第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層と、
前記第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層と、
一端が前記第１面側導体層に接続され、他端が前記第２面側導体層に接続されるスルーホール導体と、
を有する配線板であって、
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々には、給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含むビア導体が形成され、
前記スルーホール導体は、無電解めっきからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含み、
前記スルーホール導体の一端が接続される前記第１面側導体層下の前記第１面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の前記給電層と、前記スルーホール導体の他端が接続される前記第２面側導体層下の前記第２面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の前記給電層とはそれぞれ、無電解めっきからなり、それ以外の前記ビア導体の前記給電層はそれぞれ、無電解めっきとは異なる材料からなる、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記無電解めっきとは異なる材料は、グラファイトである、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記スルーホール導体は、当該配線板を貫通し、最外層の前記第１面側導体層と最外層の前記第２面側導体層とを互いに電気的に接続する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記第１面側導体層の層数及び前記第２面側導体層の層数はそれぞれ、５層以上である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項５】
前記スルーホールの壁面において、内層の前記第１面側導体層及び内層の前記第２面側導体層の少なくとも一方と、前記スルーホール導体とが、互いに電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記コア絶縁層には、該コア絶縁層を貫通する孔が形成され、
前記孔の壁面に、前記コア絶縁層の前記第１面上に形成された前記第１面側導体層と前記コア絶縁層の前記第２面上に形成された前記第２面側導体層とを、互いに電気的に接続する接続導体を有し、
前記接続導体は、グラファイトからなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
前記コア絶縁層を貫通する前記孔には、前記給電層及び前記電解めっきが充填されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の配線板。
【請求項８】
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に形成された前記ビア導体はそれぞれ、前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に形成されたビアホールに、前記給電層及び前記電解めっきが充填されてなる、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記第１面側導体層及び前記第２面側導体層はそれぞれ、無電解めっき及び金属箔の少なくとも一方からなる給電層と、該給電層の上に形成される電解めっきと、を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１０】
第１面及びその反対側の第２面を有するコア絶縁層を準備することと、
前記コア絶縁層の前記第１面側に形成される複数の第１面側導体層と、該第１面側導体層同士の層間に形成される第１面側層間絶縁層とを形成することと、
前記コア絶縁層の前記第２面側に形成される複数の第２面側導体層と、該第２面側導体層同士の層間に形成される第２面側層間絶縁層とを形成することと、
前記第１面側層間絶縁層及び前記第２面側層間絶縁層の各々に、ビアホールを形成し、該ビアホール内にビア導体を形成することと、
前記コア絶縁層、前記第１面側層間絶縁層、及び前記第２面側層間絶縁層に、スルーホールを形成し、該スルーホール内に、一端が前記第１面側導体層に接続され、他端が前記第２面側導体層に接続されるスルーホール導体を形成することと、
を含む配線板の製造方法であって、
前記スルーホール導体の形成、前記スルーホール導体の一端が接続される前記第１面側導体層下の前記第１面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の形成、及び前記スルーホール導体の他端が接続される前記第２面側導体層下の前記第２面側層間絶縁層に形成された前記ビア導体の形成ではそれぞれ、無電解めっきからなる給電層を形成した後、該給電層に給電しながら電解めっきを行って該給電層の上に電解めっきを形成し、
それ以外の前記ビア導体の形成では、無電解めっきとは異なる材料からなる給電層を形成した後、該給電層に給電しながら電解めっきを行って該給電層の上に電解めっきを形成する、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記無電解めっきとは異なる材料は、グラファイトである、
ことを特徴とする請求項１０に記載の配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記スルーホール導体は、当該配線板を貫通し、最外層の前記第１面側導体層と最外層の前記第２面側導体層とを互いに電気的に接続する、
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記スルーホールの形成により、内層の前記第１面側導体層及び内層の前記第２面側導体層の少なくとも一方が削られ、その削られた導体層は前記スルーホールの壁面に露出する、
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１６Ｃ】
【図１６Ｄ】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３Ａ】
【図２３Ｂ】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２５Ａ】
【図２５Ｂ】
【図２６】
【図２７】
【図２８Ａ】
【図２８Ｂ】
【図２９Ａ】
【図２９Ｂ】
【図３０Ａ】
【図３０Ｂ】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４Ａ】
【図３４Ｂ】
【図３４Ｃ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１６Ｃ】
【図１６Ｄ】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３Ａ】
【図２３Ｂ】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２５Ａ】
【図２５Ｂ】
【図２６】
【図２７】
【図２８Ａ】
【図２８Ｂ】
【図２９Ａ】
【図２９Ｂ】
【図３０Ａ】
【図３０Ｂ】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４Ａ】
【図３４Ｂ】
【図３４Ｃ】
【公開番号】特開２０１３−８９７８０（Ｐ２０１３−８９７８０Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２９２０８（Ｐ２０１１−２２９２０８）
【出願日】平成２３年１０月１８日（２０１１．１０．１８）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１８日（２０１１．１０．１８）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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