酸化物半導体膜の作製方法、半導体装置の作製方法及び半導体装置
【課題】絶縁表面に形成される酸化物半導体膜は、下地界面近傍に非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因の一つと考えられている。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
酸化物半導体及び酸化物半導体をチャネル領域とするトランジスタを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
トランジスタを作製するための材料として、低温形成が可能な非晶質シリコンと、電界効果移動度が高い多結晶シリコンの特徴を兼ね備えているといわれる酸化物半導体が注目されている。例えば、電子キャリア濃度が制御された非晶質酸化物を用いた電界効果型トランジスタ及びこれを用いた画像表示装置に関するものが開示されている(特許文献1)。
【0003】
しかし、室温形成された非晶質酸化物半導体は、トランジスタの特性において電界効果移動度がさほど高くなく、信頼性が悪く、ヒステリシス性が大きいといった問題を有していた。このような問題を解消するための一手段として、酸化物半導体にレーザ光を照射し結晶化させる技術が開示されている(特許文献2及び3参照)。これらの文献には、酸化物半導体膜にレーザ光を照射することにより、非晶質の酸化物半導体の結晶化が可能であることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2006−165528号公報
【特許文献2】特開2008−042088号公報
【特許文献3】特開2010−123758号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
酸化物半導体に限らず半導体を結晶化させる際には、結晶化の対象となる半導体層の下地界面近傍において非晶質領域が残存してしまうことが問題となる。例えば、酸化物半導体膜を用いてトランジスタなどの素子を作製する場合、当該薄膜が形成される下地面はガラス基板または、酸化シリコンなどの絶縁膜が用いられる。このような異種絶縁材料の上に形成された酸化物半導体膜を結晶化しても、下地界面に近い領域は結晶化させることができず、非晶質の領域が残存してしまうことが問題となる。
【0006】
もちろん、酸化物半導体膜を厚くして表層の結晶領域を使用することも考えられるが、寄生容量を低減し、低消費電力でトランジスタを動作させるためには、チャネル領域が完全に空乏化するように、酸化物半導体膜を薄くする必要がある。この場合、従来の技術では、下地界面のごく近傍まで結晶化させることができないことが、トランジスタを微細化する上で問題となる。
【0007】
このため、酸化物半導体膜の上層側をいくら結晶化しても、下地絶縁膜との界面領域には非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因となっていた。
【0008】
かかる問題を解消するために、開示する発明は、酸化物半導体の結晶性を向上させることを課題の一とする。具体的には下地界面若しくはその近傍まで結晶化した領域を有する結晶性の酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、そのような酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体膜を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。
【0010】
酸化物半導体膜の結晶化はエネルギービームの照射により行う。エネルギービームの代表例はレーザ光である。酸化物半導体膜に照射するレーザ光としては、パルスレーザ光が好ましい。酸化物半導体膜が形成された基板に熱的なダメージを与えることなく、かつレーザ光の照射領域を瞬間的に結晶化可能な温度に加熱することが可能となるためである。
【0011】
酸化物半導体膜を加熱するレーザ光の波長は、酸化物半導体のバンドギャップ以上のエネルギーを有する短波長光であることが好ましい。酸化物半導体膜でレーザ光が吸収されるようにするためである。
【0012】
もっとも、酸化物半導体膜が照射されるレーザ光の完全吸収体である必要はない。レーザ光を酸化物半導体膜に照射することで、酸化物半導体膜は高温に加熱される。また酸化物半導体膜で吸収されず下地面又は下地膜にまで透過したレーザ光は、そこで吸収され加熱する可能性もある。いずれにしても、酸化物半導体膜は瞬間的に非常に高温(融点若しくは融点に近い温度)に加熱されることとなる。酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点が、酸化物半導体の加熱される温度よりも高い場合、下地面又は当該膜を構成する材料は溶融せずに済むため、酸化物半導体がそれにより汚染されることを防ぐことができる。
【0013】
酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料は、酸化物半導体を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成することが好ましい。例えば、インジウム及び亜鉛の酸化物を含む酸化物半導体である場合、インジウムと同じ族に属する元素、すなわち13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素でなる絶縁性の金属酸化物を用いることが好ましい。3族元素としてランタン系の元素、例えばセリウムやガドリニウムを用いると良い。金属酸化物として酸化アルミニウム、酸化ガリウムは好適な一例として選択することができる。
【0014】
酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点について検討する。対比の対象となる酸化物半導体を構成する材料として、酸化インジウムの融点は1565℃であり、酸化亜鉛の融点は1975℃である。これに対して、酸化アルミニウムの融点は2020℃であり、酸化インジウムや酸化亜鉛がレーザ光により瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱されたとしても、酸化アルミニウムは溶融することはないため、酸化物半導体膜の下地側からの金属汚染を防ぐことができる。また、その他の金属酸化物として、酸化ガドリニウム(融点:2310℃)、酸化ジルコニウム(融点:2715℃)、イットリア安定化ジルコニア(融点:2700℃)、酸化セリウム(融点:1950℃)などを用いることができる。
【0015】
一方、酸化シリコンの融点は1614℃〜1710℃であるため、酸化インジウムや酸化亜鉛がレーザ光により瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱された場合、同時に溶融してしまうことが予想される。この場合、酸化物半導体の構成元素とは異なる14族元素であるシリコンは、酸化物半導体の結晶化を阻害する要因となる。
【0016】
エネルギービームを照射して作製される酸化物半導体膜、すなわち非単結晶の酸化物半導体膜に含まれる結晶領域はc軸配向していることが好ましい。すなわち、非単結晶の酸化物半導体膜の結晶領域はc軸配向し、かつa−b面、表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸に垂直な方向においては、金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、a−b面(あるいは表面または界面)においては、a軸またはb軸の向きが異なる(c軸を中心に回転した)結晶領域を含むようにすることが好ましい。以下、このような非単結晶の薄膜を「CAAC−OSを含む薄膜」ともいうこととする。なお、CAAC−OSとは、「c Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor」の略である。つまり、CAAC−OSを含む薄膜とは、c軸に対しては結晶化した薄膜であり、a−b面に対しては必ずしも配列していない。
【0017】
CAAC−OSを含む薄膜とは、広義に、非単結晶であって、そのa−b面に垂直な方向から見て、三角形、または、六角形、または正三角形、正六角形の原子配列を有し、且つ、c軸に垂直な方向から見て、金属原子が層状、または、金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む材料をいう。
【0018】
なお、CAAC−OSを含む薄膜は単結晶ではないが、非晶質のみから形成されているものでもない。また、CAAC−OSを含む薄膜は結晶化した部分(結晶部分)を含むが、1つの結晶部分と他の結晶部分の粒界(グレインバウンダリーともいう。)を、透過型電子顕微鏡(TEM:transmission electron microscope)などによって明確に判別できないこともある。
【0019】
また、CAAC−OSに含まれる酸素の一部は窒素で置換されてもよい。また、CAAC−OSを含む薄膜を構成する個々の結晶部分のc軸は一定の方向(例えば、CAAC−OSを含む薄膜を支持する基板面やCAAC−OSを含む薄膜の表面、界面等に垂直な方向)に揃っていてもよい。あるいは、CAAC−OSを含む薄膜を構成する個々の結晶部分のa−b面の法線は一定の方向(例えば、基板面、CAAC−OSを含む薄膜の表面、界面等に垂直な方向)を向いていてもよい。このようなCAAC−OSを含む薄膜の例として、膜状に形成され、膜表面、基板面、または界面に垂直な方向から観察すると三角形、または、六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察すると金属原子、または、金属原子と酸素原子(あるいは窒素原子)の層状配列が認められるものである。
【0020】
酸化物半導体膜にc軸配向した結晶領域を含ませることにより、キャリア輸送特性(例えば移動度)の向上が期待され、また構造安定化をもたらすので、このような酸化物半導体膜を用いた素子の特性向上及び信頼性向上を期待することができる。
【0021】
酸化物半導体膜に結晶領域を含ませるためには、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料を上記の如く適当なものに選択することに加え、酸化物半導体膜自体に含まれる不純物を除去しておくことが好ましい。酸化物半導体膜に含まれる不純物としては、水素、水酸基、水などである。水素、水酸基、水などは、酸化物半導体膜を形成する段階で含まれ得るので、成膜処理室内の残留ガス(水素、水蒸気など)を極力低減することが好ましい。また、酸化物半導体膜に含まれる水素、水酸基、水などは、熱処理により脱水・脱水素化処理をしておくことが好ましい。
【0022】
本発明の一形態は酸化物半導体膜の作製方法に係り、絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、該酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱するというものである。絶縁性の金属酸化膜は、インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜であることが好ましい一態様となる。
【0023】
本発明の一形態は半導体装置の作製方法に係り、絶縁性の金属酸化膜を形成し、該絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、該酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、該結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成するというものである。絶縁性の金属酸化膜は、インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜であることが好ましい一態様となる。絶縁性の金属酸化膜を形成する前又は後に、ゲート電極を形成することが可能である。
【0024】
本発明の一形態は半導体装置に係り、絶縁性の金属酸化膜と、該絶縁性の金属酸化膜に接するインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含みc軸配向した結晶領域を含む酸化物半導体膜を有し、該酸化物半導体膜のc軸配向した結晶領域は、前記絶縁性の金属酸化膜のとの界面近傍においても存在するものである。絶縁性の金属酸化膜は、インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜であることが好ましい一態様となる。
【0025】
本明細書において、ある構成要素が他の構成要素の「上」にある、或いは「下」にあると言及されたときには、その他の構成要素に直接的に形成されている場合もあるが、中間に他の構成要素が存在する場合もあると理解されなければならない。
【0026】
本明細書において、実施形態を説明するために用いられる用語において単数の表現は、文脈上で明白に相違して意味していない限り、複数の表現を含む。「含む」または「有する」などの用語は、明細書中に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、1つまたはそれ以上の他の特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加の可能性をあらかじめ排除しないものであると理解されなければならない。
【0027】
本明細書において、特別に定義されない限り、技術的あるいは科学的な用語を含んで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって一般的に理解され得るものと同じ意味を有している。一般的に用いられる辞書に定義されているものと同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと解釈されなければならず、本出願で明白に定義しない限り、理想的あるいは過度に形式的な意味として解釈されない。
【発明の効果】
【0028】
本発明の一形態によれば、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を、酸化物半導体膜を形成する材料の融点よりも高い融点の材料で形成し、エネルギービームを照射することにより、酸化物半導体膜の結晶性を向上させることができる。すなわち、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍においても、下地側に設けられる絶縁膜との界面近傍においても、酸化物半導体に結晶化領域を含ませることができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の一実施形態に係る酸化物半導体膜を作製する方法を説明する図。
【図2】本発明の一実施形態に係るトップゲート型のトランジスタを作製する方法を説明する図。
【図3】本発明の一実施形態に係るボトムゲート型のトランジスタを作製する方法を説明する図。
【図4】本発明の一実施例に係る試料の断面TEM像。
【図5】本発明の一実施例に係る試料の断面TEM像。
【図6】本発明の一実施例に係る試料の断面TEM像。
【図7】本発明の一実施例に係る試料の断面TEM像。
【図8】本発明の一実施例に係る試料の電子線回折像。
【図9】InGaZnO4の単結晶構造を示すモデル図。
【図10】Si置換モデルを示す図。
【図11】単結晶モデルの最終構造を示す図。
【図12】Si置換モデルの最終構造を示す図。
【図13】各モデルの動径分布関数g(r)を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【0030】
本明細書によって開示される発明の一実施態様を図面を参照して説明する。但し、本明細書によって開示される発明は以下の実施形態に限定されず、その発明の趣旨及びその発明の範囲から逸脱することなくその形態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、開示される発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0031】
以下に説明する実施の形態において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。なお、図面において示す構成要素、すなわち層や領域等の厚さ幅、相対的な位置関係等は、実施の形態において説明する上で明確性のために誇張して示される場合がある。
【0032】
図1に本発明の一実施形態に係る酸化物半導体膜の作製方法を示す。図1(A)は基板100上に金属酸化物膜102を設け、その上に酸化物半導体膜104を形成する態様を示している。
【0033】
金属酸化物膜102は酸化物半導体膜104を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成する。例えば、酸化物半導体膜104がインジウム及び亜鉛の酸化物を含む酸化物半導体材料である場合、金属酸化物膜102はインジウムと同じ族に属する元素、すなわち13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素でなる絶縁性の金属酸化物を用いることが好ましい。3族元素としてランタン系の元素、例えばセリウムやガドリニウムを用いると良い。金属酸化物として酸化アルミニウム、酸化ガリウムは好適な一例として選択することができる。
【0034】
金属酸化物膜102を形成する材料の融点は、酸化物半導体膜104を形成する材料の融点よりも高いことが望ましい。酸化物半導体膜104を融点近くまで加熱した場合に、金属酸化物膜102が同時に溶融してしまうと、酸化物半導体膜104の結晶化を阻害する要因となるためである。また、酸化物半導体膜104を加熱したときに金属酸化物膜102が溶融してしまうと、金属酸化物膜102の元素が酸化物半導体膜104に拡散して汚染源となってしまうことも懸念されるからである。金属酸化物膜102を形成する材料の融点が、酸化物半導体膜104の融点よりも高い場合、金属酸化物膜102は溶融せずに済むため、酸化物半導体膜104が不純物元素により汚染されることを防ぐことができる。
【0035】
ここで、酸化物半導体膜104を構成する材料として用いることができる酸化インジウムの融点は1565℃であり、酸化亜鉛の融点は1975℃である。これに対して、金属酸化物膜102として用いることができる酸化アルミニウムの融点は2020℃である。酸化インジウムや酸化亜鉛が瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱されたとしても、酸化アルミニウムは溶融することはないため、酸化物半導体膜104の下地側からの金属汚染を防ぐことができる。また、酸化アルミニウムに代えて、酸化ガドリニウム(融点:2310℃)、酸化ジルコニウム(融点:2715℃)、イットリア安定化ジルコニア(融点:2700℃)、酸化セリウム(融点:1950℃)などを用いても良い。
【0036】
一方、酸化シリコンの融点は1614℃〜1710℃であるため、酸化インジウムや酸化亜鉛がレーザ光により瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱された場合、同時に溶融してしまうことが予想される。この場合、酸化物半導体の構成元素とは異なる14族元素であるシリコンは、酸化物半導体膜104の結晶化を阻害する要因となる。
【0037】
ここでIn(インジウム)原子、Ga(ガリウム)原子、及びZn(亜鉛)原子を含む酸化物半導体、所謂IGZOに、Si(シリコン)原子が混入されるとどのような構造変化が起こるか、古典分子動力学シミュレーションにより調べた結果について説明する。古典分子動力学法では、原子間相互作用を特徴づける経験的ポテンシャルを定義することで、各原子に働く力を評価し、ニュートンの運動方程式を数値的に解くことにより、各原子の運動(時間発展)を決定論的に追跡できる。
【0038】
以下に計算モデルと計算条件を述べる。なお、本計算においては、Born−Mayer−Hugginsポテンシャルを用いた。
【0039】
1680原子のInGaZnO4の単結晶構造(図9参照)と、1680原子のInGaZnO4のIn、Ga、Znのそれぞれ20原子ずつをSi原子で置換した構造(図10参照)を作製した。Si置換モデルにおいて、Siは3.57atom%(2.34重量%)である。また、単結晶モデルの密度は6.36g/cm3、Si置換モデルの密度は6.08g/cm3である。
【0040】
InGaZnO4の単結晶の融点(古典分子動力学シミュレーションによる見積もりでは約2000℃)以下である1727℃において、圧力一定(1atm)で、150psec間(時間刻み幅0.2fsec×75万ステップ)の古典分子動力学シミュレーションにより、構造緩和を行った。これら2つの構造に対して動径分布関数g(r)を求めた。なお、動径分布関数g(r)とは、ある原子から距離r離れた位置において、他の原子が存在する確率密度を表す関数である。原子同士の相関が無くなっていくと、g(r)は1に近づく。
【0041】
上記の2つの計算モデルについて、150psec間の古典分子動力学シミュレーションを行うことにより得られた最終構造をそれぞれ図11、図12に示す。また、それぞれの構造における動径分布関数g(r)を図13に示す。
【0042】
図11に示す単結晶モデルは安定で、最終構造においても結晶構造を保っているが、図12に示すSi置換モデルは不安定で、時間経過とともに結晶構造が崩れていき、アモルファス構造へと変化することが確認できる。図13において、各構造モデルの動径分布関数g(r)を比較すると、単結晶モデルでは、長距離でもピークがあり、長距離秩序があることがわかる。一方、Si置換モデルでは、0.6nm程度でピークが消え、長距離秩序がないことがわかる。
【0043】
これらの計算結果により、IGZOにシリコンが混入した場合、IGZOの結晶化が阻害され、IGZOがアモルファス化するおそれがあることが示唆された。よって、酸化インジウムや酸化亜鉛がレーザ光により瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱され、それと同時に酸化シリコンが溶融した場合、酸化物半導体の構成元素とは異なる14族元素であるシリコンは、酸化物半導体膜104の結晶化を阻害する要因となると考えられる。
【0044】
なお、基板100が上記のようにインジウムと同じ族に属する13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素でなる絶縁性の金属酸化物材料で形成されている場合、金属酸化物膜102を省略することができる。この場合、酸化物半導体膜104の下地面が、それを構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成されることになるためである。
【0045】
酸化物半導体膜104はスパッタリング法やレーザビーム蒸着法などで形成する。酸化物半導体膜104を形成する際には、膜中に水素や水分が含まれないようにするため、成膜前の処理として、成膜処理室内に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。これらの不純物を成膜処理室内から除去するために、吸着型の真空ポンプ(例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプ)を用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。
【0046】
酸化物半導体膜104に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム(In)あるいは亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化物を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウム(Ga)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ(Sn)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、ランタン系の元素(例えば、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd))から選ばれた一種又は複数種が含まれていることが好ましい。
【0047】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属の酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を用いることができる。
【0048】
ここで、In−Ga−Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。
【0049】
また、酸化物半導体として、InMO3(ZnO)m(m>0、且つ、mは整数でない)で表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素、若しくは上記のスタビライザーとしての元素を示す。また、酸化物半導体として、In2SnO5(ZnO)n(n>0、且つ、nは整数)で表記される材料を用いてもよい。
【0050】
例えば、In:Ga:Zn=1:1:1(=1/3:1/3:1/3)あるいはIn:Ga:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5)の原子比のIn−Ga−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:1:1(=1/3:1/3:1/3)、In:Sn:Zn=2:1:3(=1/3:1/6:1/2)あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5(=1/4:1/8:5/8)の原子比のIn−Sn−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【0051】
また、酸化物半導体膜104に、過剰な水素、水酸基、水を除去(脱水化または脱水素化)するための加熱処理を行ってもよい。加熱処理の温度は、300℃以上700℃以下、または基板の歪み点未満とする。加熱処理は減圧下又は窒素雰囲気下などで行うことができる。例えば、加熱処理装置の一つである電気炉に基板100を導入し、酸化物半導体膜104に対して窒素雰囲気下450℃において1時間の加熱処理を行う。
【0052】
酸化物半導体膜104の加熱はエネルギービームを照射して行うことが好ましい。エネルギービームの代表例はレーザ光である。酸化物半導体膜104に照射するレーザ光としては、パルスレーザ光が好ましい。酸化物半導体膜104が形成された基板に熱的なダメージを与えることなく、かつレーザ光の照射領域を瞬間的に結晶化可能な温度に加熱することが可能となるためである。
【0053】
酸化物半導体膜104を加熱するレーザ光の波長は、酸化物半導体のバンドギャップ以上のエネルギーを有する短波長であることが好ましい。酸化物半導体膜104でレーザ光が吸収されるようにするためである。そのような波長を有するレーザ光の光源の一例としては、エキシマレーザを用いることができる。エキシマレーザとして、XeCl(308nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)などを用いることができる。また、YAGレーザなどの第3高調波を用いても良い。
【0054】
もっとも、酸化物半導体膜104が照射されるレーザ光の波長に対して完全吸収体である必要はない。レーザ光を酸化物半導体膜104に照射することで、酸化物半導体膜104は高温に加熱される。また酸化物半導体膜104で吸収されず金属酸化物膜102にまで透過したレーザ光は、そこで吸収され加熱する可能性もある。いずれにしても、酸化物半導体膜104は瞬間的に非常に高温(融点若しくは融点に近い温度)に加熱されることとなる。金属酸化物膜102を構成する材料の融点が、酸化物半導体膜104の加熱される温度よりも高い場合、金属酸化物膜102を構成する材料は溶融せずに済むため、酸化物半導体が下地材料により汚染されることを防ぐことができる。
【0055】
金属酸化物膜102として酸化物半導体膜104よりも高融点の材料を用い、酸化物半導体膜104にエネルギービームを照射して加熱することにより、結晶領域を含む非単結晶の酸化物半導体膜105を得ることができる(図1(B))。酸化物半導体膜105に含まれる結晶領域は、以下の実施例で示すように、金属酸化物膜102の界面から2nm以下の領域においても観測することができる。酸化物半導体膜105で観測される結晶領域は、c軸配向した結晶であり、当該結晶領域が金属酸化物膜102の界面に略密接した酸化物半導体膜105を得ることができる。
【0056】
結晶領域を含む酸化物半導体膜を作製する上で、金属酸化物膜102の表面を平坦化しておくことが好ましい。平坦化処理の方法に限定はないが、研磨処理(例えば、化学的機械研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)法)、ドライエッチング処理、プラズマ処理、若しくはこれらの組み合わせて行うことができる。プラズマ処理としては、例えば、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタリングを行うことができる。逆スパッタリングとは、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。
【0057】
平坦化の程度は、平均面粗さ(Ra)が1nm以下、好ましくは0.3nm以下、より好ましくは0.1nm以下とすることが好ましい。なお、Raとは、JIS B 0601:2001(ISO4287:1997)で定義されている算術平均粗さを曲面に対して適用できるよう三次元に拡張したものであり、「基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値」で表現される。このように金属酸化物膜102の表面(若しくは、下地面)を平坦化しておくことで、酸化物半導体膜105の結晶領域が下地界面若しくはその近傍まで形成されやすくなることが期待される。
【0058】
また、金属酸化物膜102は単一の層である必要はなく、複数の膜が積層された構造を有していても良い。このとき、酸化物半導体膜104に接する層が、上記のような要件(材質、融点、平坦性など)を満たしていれば良い。例えば、酸化シリコン膜と酸化アルミニウム膜の積層構造を金属酸化物膜102として適用することができる。かかる場合、酸化アルミニウム膜が酸化物半導体膜と接するように設けるようにすれば良い。
【0059】
次に、図2を参照して非単結晶の酸化物半導体膜105を用いた半導体装置の作製方法について示す。図2では半導体装置の一要素であるトランジスタの作製工程について示している。図2(A)〜(C)に示すトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタの例である。
【0060】
図2(A)は、基板100に金属酸化物膜102、酸化物半導体膜105、ゲート絶縁膜106及びゲート電極108が形成された状態を示している。金属酸化物膜102と酸化物半導体膜105は図1で説明したものと同様である。酸化物半導体膜105は、トランジスタの形状に合わせて所定の形状にエッチングして島状に加工されていても良い。
【0061】
基板100の材質は、ガラス、金属、半導体など各種のものを適用することができる。金属酸化物膜102は絶縁性の金属酸化物で形成される。絶縁性の金属酸化物でなる膜は、スパッタリング法や蒸着法、若しくは気相成長法で作製することができる。金属酸化物膜102としては、13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素の酸化物として、上述のように酸化アルミニウムや酸化ガリウムを用いることが好ましいが、このような金属酸化物において酸素含有量を、その金属酸化物の化学量論的組成比に対して多く含有するように含ませておくことが好ましい。金属酸化物膜102に接して設けられる酸化物半導体膜105へ酸素を供給可能とし、酸化物半導体膜105の酸素欠損の発生を防ぐためである。
【0062】
酸化物半導体膜105の膜厚は、1nm以上200nm以下(好ましくは5nm以上30nm以下)とすれば良い。なお、酸化物半導体膜105は、酸素を多く含む(好ましくは酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている)膜とすることが好ましい。酸化物半導体膜105に酸素欠損が生じ、欠陥が生成されるのを防ぐためである。
【0063】
ゲート絶縁膜106は、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化シリコン膜を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜106は、酸化物半導体膜105と接する部分において酸素を含むことが好ましい。ゲート絶縁膜106は、膜中(バルク中)に少なくとも化学量論比を超える量の酸素が存在することが好ましく、例えば、ゲート絶縁膜106として、酸化シリコン膜を用いる場合には、SiO2+α(ただし、α>0)とする。同様に、酸化アルミニウムを用いる場合にはAl2O3+α(ただし、α>0)とする。
【0064】
また、ゲート絶縁膜106の材料として酸化ハフニウム、酸化イットリウム、ハフニウムシリケート(HfSixOy(x>0、y>0))、窒素が添加されたハフニウムシリケート(HfSiOxNy(x>0、y>0))、ハフニウムアルミネート(HfAlxOy(x>0、y>0))、酸化ランタンなどのhigh−k材料を用いることでゲートリーク電流を低減できる。さらに、ゲート絶縁膜106は、単層構造としても良いし、積層構造としても良い。
【0065】
ゲート絶縁膜106の膜厚は、1nm以上100nm以下とし、スパッタリング法、MBE法、CVD法、パルスレーザ堆積法、ALD法等を適宜用いることができる。また、ゲート絶縁膜106は、スパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行うスパッタ装置を用いて成膜してもよい。
【0066】
ゲート電極108は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン、ニッケルシリサイドなどのシリサイド、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、窒素を含む金属酸化物、具体的には、窒素を含むIn−Ga−Zn−O膜や、窒素を含むIn−Sn−O膜や、窒素を含むIn−Ga−O膜や、窒素を含むIn−Zn−O膜や、窒素を含むSn−O膜や、窒素を含むIn−O膜や、金属窒化膜(InN、SnNなど)を用いることができる。ゲート電極108の材料として、5eV好ましくは5.5eV以上の仕事関数を有した材料を用いると、トランジスタのしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのトランジスタを得ることが可能となる。
【0067】
図2(B)は、ゲート電極108に側壁絶縁膜110、低抵抗化領域112が形成された状態を示す。低抵抗化領域112は、トランジスタのソース領域とドレイン領域を形成するものである。側壁絶縁膜110は絶縁材料で適宜形成すれば良い。
【0068】
低抵抗化領域112は、チャネル形成領域(酸化物半導体膜105がゲート電極108と略重畳する領域)に比べて抵抗が低い領域である。低抵抗化領域112は、ドーパントとして、15族元素(代表的にはリン、砒素、およびアンチモン)、ホウ素、アルミニウム、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、インジウム、フッ素、塩素、チタン、及び亜鉛などから選択される元素を添加することで形成可能である。
【0069】
低抵抗化領域112は、酸化物半導体膜105に上記元素のイオンをイオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法などにより添加することで形成可能である。例えば、イオン注入法でホウ素を酸化物半導体膜105に添加する場合には、加速電圧5〜30kV、ドーズ量を1×1013ions/cm2以上5×1016ions/cm2以下の範囲で添加すれば良い。いずれにしても、低抵抗化領域112に含まれるドーパントの濃度は、5×1018/cm3以上1×1022/cm3以下とすることが好ましい。
【0070】
図2(C)は、パッシベーション膜114、層間絶縁膜116及び配線118が形成された段階を示す。
【0071】
パッシベーション膜114は、金属酸化物膜102と同種の材料で形成することが好ましい。すなわち、パッシベーション膜114は、酸化物半導体膜105を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成することで、耐熱性を保持しつつ、酸化物半導体膜105が異種族元素で汚染されることを防ぐことができる。パッシベーション膜114として、酸化アルミニウムは好適な材料の一種であり、水素や水分のバリア性が高いので好ましい。
【0072】
パッシベーション膜114を形成する前後の段階において、熱処理を行っても良い。熱処理は酸素若しくは乾燥空気(水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下)の雰囲気下で行うことが好ましく、加熱温度は100℃以上700℃以下、好ましくは200℃以上400℃以下とすれば良い。この処理により酸化物半導体膜105と接する絶縁膜(金属酸化物膜102、ゲート絶縁膜106、パッシベーション膜114)から、酸化物半導体膜105に酸素が供給されることが期待され、酸素欠損を低減することが可能となる。
【0073】
層間絶縁膜116は、酸化シリコンなどの無機絶縁材料、またはポリイミドやアクリルなどの有機絶縁材料で形成すれば良い。配線118は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)等を用いることができる。また、アルミニウム、銅などの金属膜の下側又は上側の一方または双方にチタン、モリブデン、タングステンなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成としても良い。
【0074】
このようにして作製されたトランジスタは、特にチャネル形成領域の酸化物半導体膜105の結晶性が良いため、高い電界効果移動度を得ることが可能となる。すなわち、金属酸化物膜に密接するようにc軸配向した結晶領域が存在することになるので、界面準位が低減し、電界効果移動度の向上が期待できるばかりでなく、しきい値電圧の変動も抑制されることが期待できる。トップゲート型のトランジスタは、シリコン集積回路と同様にプレーナプロセス(同一平面上に素子と、素子の端子用電極を形成するプロセス)で作製できるため、トランジスタの微細化に有利である。そのため、表示パネルの画素マトリクスに組み込まれるトランジスタのみでなく、このトランジスタを使ってメモリや論理回路を構成することもできる。
【0075】
次に、図3を参照して、非単結晶の酸化物半導体膜105を用いた半導体装置の作製方法について、図2とは異なる態様のものを示す。図3(A)、(B)に示すトランジスタは、ボトムゲート型のトランジスタの例である。
【0076】
図3(A)に示すように、ボトムゲート型のトランジスタは基板100にゲート電極108、ゲート絶縁膜106、酸化物半導体膜105の順に設けられている。ゲート絶縁膜106と酸化物半導体膜105の間には金属酸化物膜102に相当するものが設けられている。この金属酸化物膜102の作用効果は図2を参照して説明したものと同様である。金属酸化物膜102は絶縁性の金属酸化物で形成されるものであるため、実質的にはゲート絶縁膜として機能するものである。したがって、ゲート絶縁膜106を、酸化物半導体膜105を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成すれば、図3(A)で示す金属酸化物膜102を省略することもできる。
【0077】
図3(B)は結晶領域を含む酸化物半導体膜105に接して一対の配線118を設けた状態を示す。また、図3(B)で示すように、酸化物半導体膜105がゲート電極108と重なる領域(チャネル形成領域)に略重畳するように、チャネル保護膜として機能する絶縁層120が設けられていても良い。絶縁層120は酸化物半導体膜105と接する層であるため、金属酸化物膜102と同種の絶縁材料で設けられていることが好ましい。
【0078】
配線118の上層から酸化物半導体膜105を被覆するように設けられるパッシベーション膜114は、酸化物半導体膜105を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成することで、耐熱性を保持しつつ、酸化物半導体膜105が異種族元素で汚染されることを防ぐことができる。パッシベーション膜114として、酸化アルミニウムは好適な材料の一種であり、水素や水分のバリア性が高いので好ましい。また、パッシベーション膜114を形成する前後の段階において、酸素若しくは乾燥空気(水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下)の雰囲気下で熱処理を行っても良い。
【0079】
このようにして作製されたトランジスタは、特にチャネル形成領域の酸化物半導体膜105の結晶性が良いため、高い電界効果移動度を得ることが可能となる。すなわち、金属酸化物膜に密接するようにc軸配向した結晶領域が存在することになるので、界面準位が低減し、電界効果移動度の向上が期待できるばかりでなく、しきい値電圧の変動も抑制されることが期待できる。
【実施例1】
【0080】
本実施例においては、本発明の一態様に係る酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を、透過型電子顕微鏡(TEM:transmission electron microscope)を用いて観察した結果について説明する。
【0081】
本実施例では、ガラス基板(旭硝子社製AN100)上に酸化シリコン膜(膜厚300nm)を成膜し、当該酸化シリコン膜上に酸化アルミニウム膜(膜厚20nm)を成膜し、当該酸化アルミニウム膜上に酸化物半導体膜としてIGZO膜(膜厚30nm)を成膜したサンプルAを作製した。また、比較例として、ガラス基板(旭硝子社製AN100)上に酸化シリコン膜(膜厚300nm)を成膜し、当該酸化シリコン膜上に酸化物半導体膜としてIGZO膜(膜厚30nm)を成膜したサンプルBを作製した。
【0082】
つまり、サンプルAでは、酸化アルミニウム膜がIGZO膜の下地絶縁膜として機能し、サンプルBにおいては、酸化シリコン膜がIGZO膜の下地絶縁膜として機能する。
【0083】
以下、サンプルAおよびサンプルBの作製工程について説明する。
【0084】
まず、サンプルAおよびサンプルBにおいて、ガラス基板上に膜厚300nmを狙って酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜はスパッタリング法を用いて成膜し、成膜条件は、ターゲットを酸化シリコン(SiO2)とし、成膜ガス流量をAr:25sccm、O2:25sccm、圧力0.4Pa、基板温度100℃、高周波(RF)電源電力2kWとして成膜した。
【0085】
さらに、サンプルAにおいては、酸化シリコン膜上に膜厚20nmを狙って酸化アルミニウム膜を形成した。酸化アルミニウム膜はスパッタリング法を用いて成膜し、成膜条件は、ターゲットを酸化アルミニウム(Al2O3)とし、成膜ガス流量をAr:25sccm、O2:25sccm、圧力0.4Pa、基板温度250℃、高周波(RF)電源電力1.5kWとして成膜した。このようにして酸化アルミニウム膜がサンプルAのIGZO膜の下地絶縁膜となる。
【0086】
また、サンプルBにおいては、酸化シリコン膜表面に化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)処理を施した。当該CMP処理は、ポリウレタン系研磨布とシリカ系スラリーを用いて酸化シリコン膜表面の平均面粗さ(Ra)0.2nmを狙って行い、処理温度を室温、研磨圧を0.001MPa、スピンドル回転数を56rpm、テーブル回転数を60rpm、とした。また当該CMP処理の後、オゾン水に30秒浸漬して洗浄を行った。このようにして表面を平坦化した酸化シリコン膜がサンプルBのIGZO膜の下地絶縁膜となる。
【0087】
それから、サンプルAおよびサンプルBにおいて、それぞれの下地絶縁膜上に膜厚30nmを狙ってIn−Ga−Zn−O系の酸化物半導体膜(IGZO膜)を成膜した。IGZO膜は、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。当該スパッタリング法の成膜条件は、圧力0.4Pa、基板温度300℃、高周波(RF)電源電力0.5kWとした。なお、成膜ガス流量については、サンプルAではAr:30sccm、O2:15sccmとし、サンプルBではO2:45sccmとした。
【0088】
このようにサンプルAおよびサンプルBに成膜したIGZO膜に対して、レーザ照射を行った。レーザ発振器は、XeClエキシマレーザ(波長:308nm)を用いた。また、ビームショット数を約10ショットとした。レーザ光の照射は、室温大気雰囲気において、照射面に酸素ガスを吹き付けながら行った。なお、レーザ照射のエネルギー密度は、サンプルAでは349mJ/cm2とし、サンプルBでは325mJ/cm2とした。
【0089】
以上のサンプルAおよびサンプルBについて、TEMを用いて撮影した断面TEM像を図4および図5に示す。図4は、サンプルAの倍率4000000倍の断面TEM像であり、図5は、サンプルBの倍率4000000倍の断面TEM像である。なお本実施例において断面TEM像は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製H−9000NARを用い、加速電圧を300kVとして撮影した。
【0090】
図4に示すように、サンプルAにおいては、酸化アルミニウム膜上に形成されたIGZO膜は、IGZO膜表面から酸化アルミニウム膜とIGZO膜の界面まで格子模様が見られ、結晶性を有していることが見て取れる。特に、酸化アルミニウム膜とIGZO膜の界面から2nm以下の領域においても、IGZO膜の格子模様が見られる。また、結晶性を有するIGZO膜には層状の格子模様も見られ、IGZO膜表面に概略垂直なc軸を有する結晶も含まれていることが分かる。
【0091】
それに対して、図5に示すサンプルBにおいては、酸化シリコン膜上に形成されたIGZO膜は、IGZO膜表面から酸化シリコン膜とIGZO膜の界面より浅い領域までは格子模様が見られ、結晶性を有していることが見て取れる。また、サンプルAと同様に、結晶性を有するIGZO膜には層状の格子模様も見られ、IGZO膜表面に概略垂直なc軸を有する結晶も含まれていることが分かる。しかし、酸化シリコン膜とIGZO膜の界面近傍、特に酸化シリコン膜とIGZO膜の界面から2nm以下の領域においては、IGZO膜に格子模様が見られず、アモルファス化してしまっている。
【0092】
ここで、サンプルAおよびサンプルBに用いた、IGZO膜の各成分(In2O3,Ga2O3,ZnO)、酸化アルミニウム膜(Al2O3)および酸化シリコン膜(SiO2)について文献より抜粋した融点を表1に示す。なお、融点aは、「新版 真空ハンドブック:アルバック、日本真空技術編集(オーム社)」から抜粋した数値であり、融点bは、「岩波 理化学事典 第4版:久保亮五、長倉三郎、井口洋夫、江沢洋編集(岩波書店)」から抜粋した数値である。
【0093】
【表1】
【0094】
表1より、サンプルAにおいて、下地絶縁膜として用いられる酸化アルミニウム膜の融点は、IGZO膜の各成分の金属酸化物の融点より高いことが分かる。一方、サンプルBにおいて、下地絶縁膜として用いられる酸化シリコン膜の融点は、一部を除いてIGZO膜の各成分の金属酸化物の融点より低いことが分かる。
【0095】
これにより、レーザ照射によりIGZO膜を溶融させる際に、サンプルBではIGZO膜の各成分より融点の低い酸化シリコン膜も一緒に溶融していることが推測される。そして、IGZO膜が再結晶化する際にIGZO膜と酸化シリコン膜の界面において、IGZO膜にシリコン原子が混入してIGZO膜の再結晶化を阻害している恐れがある。
【0096】
それに対して、サンプルAにおいては、下地絶縁膜として機能する酸化アルミニウム膜はIGZO膜の各成分より融点が高いので、レーザ照射でIGZO膜を溶融させる際にも酸化アルミニウム膜は溶融しないと推測される。よって、酸化アルミニウム膜はIGZOの再結晶化を阻害しないので、IGZO膜と酸化アルミニウム膜の界面近傍においてもIGZO膜は規則正しく配列して結晶化するものと考えられる。
【0097】
以上より、酸化アルミニウム膜上にIGZO膜を成膜して、当該IGZO膜をレーザ照射で溶融して再結晶化することにより、良好な結晶性を有するIGZO膜が形成されることが示された。
【実施例2】
【0098】
本実施例においては、本発明の一態様に係る酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜をTEMを用いて観察した結果および当該酸化物半導体膜を電子線回折測定で分析した結果について説明する。
【0099】
本実施例では、ガラス基板(旭硝子社製AN100)上に酸化シリコン膜(膜厚300nm)を成膜し、当該酸化シリコン膜上にイットリア安定化ジルコニア(YSZ)膜(膜厚10nm)を成膜し、当該YSZ膜上に酸化物半導体膜としてIGZO膜(膜厚20nm)を成膜したサンプルCを作製した。
【0100】
つまり、サンプルCでは、YSZ膜がIGZO膜の下地絶縁膜として機能する。
【0101】
以下、サンプルCの作製工程について説明する。
【0102】
まず、ガラス基板上に膜厚300nmを狙って酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜はスパッタリング法を用いて成膜し、成膜条件は、ターゲットを酸化シリコン(SiO2)とし、成膜ガス流量をAr:25sccm、O2:25sccm、圧力0.4Pa、基板温度100℃、高周波(RF)電源電力2kWとして成膜した。
【0103】
そして、成膜した酸化シリコン膜表面にCMP処理を施した。当該CMP処理は、ポリウレタン系研磨布とシリカ系スラリーを用いて酸化シリコン膜表面の平均面粗さ(Ra)0.15nmを狙って行い、処理温度を室温、研磨圧を0.001MPa、スピンドル回転数を56rpm、テーブル回転数を60rpm、とした。また当該CMP処理の後、オゾン水に30秒浸漬して洗浄を行った。
【0104】
次に、酸化シリコン膜上に膜厚10nmを狙ってYSZ膜を形成した。YSZ膜はZrO2:Y2O3=92:8[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いて、スパッタリング法で成膜した。成膜条件は、成膜ガス流量をAr:20sccm、O2:20sccm、圧力0.4Pa、基板温度は室温、高周波(RF)電源電力0.5kWとして成膜した。このようにして成膜されたYSZ膜がサンプルCのIGZO膜の下地絶縁膜となる。
【0105】
それから、YSZ膜上に膜厚20nmを狙ってIn−Ga−Zn−O系の酸化物半導体膜(IGZO膜)を成膜した。IGZO膜は、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。当該スパッタリング法の成膜条件は、成膜ガス流量をO2:45sccm、圧力0.4Pa、基板温度300℃、高周波(RF)電源電力0.5kWとした。
【0106】
このように成膜したIGZO膜に対して、レーザ照射を行った。レーザ発振器は、XeClエキシマレーザ(波長:308nm)を用いた。また、ビームショット数を約10ショットとした。レーザ光の照射は、室温大気雰囲気において、照射面に酸素ガスを吹き付けながら行った。なお、レーザ照射のエネルギー密度は、580mJ/cm2とした。
【0107】
以上のサンプルCについて、TEMを用いて撮影した断面TEM像を図6に示す。図6は、サンプルCの倍率4000000倍の断面TEM像である。なお、本実施例において断面TEM像は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製H−9000NARを用い、加速電圧を300kVとして撮影した。
【0108】
図6に示すように、サンプルCにおいてもサンプルAと同様に、YSZ膜上に形成されたIGZO膜は、IGZO膜表面からYSZ膜とIGZO膜の界面まで格子模様が見られ、結晶性を有していることが見て取れる。特に、YSZ膜とIGZO膜の界面から2nm以下の領域においても、IGZO膜の格子模様が見られる。また、結晶性を有するIGZO膜には層状の格子模様も見られ、IGZO膜表面に概略垂直なc軸を有する結晶も含まれていることが分かる。
【0109】
また、サンプルCにおいて、YSZ膜中にも格子模様が見られ、YSZ膜も結晶性を有していることが見て取れる。ただし、IGZO膜中の層状の格子模様の配列と異なり、YSZ膜中の格子模様の配列はYSZ膜中の場所によって違っている。このことからYSZ膜は多結晶構造を取っていることが推測される。
【0110】
また、サンプルCについて、TEMを用いて電子線回折像の撮影を行った。なお、本実施例において、電子線回折像は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製HF−2000を用い、加速電圧を200kVとして撮影した。
【0111】
電子線回折像の撮影は、図7の断面TEM像に示す、ポイントA(IGZO膜上部)、ポイントB(IGZO膜とYSZ膜の界面近傍のIGZO膜側)、ポイントC(IGZO膜とYSZ膜の界面近傍のYSZ膜側)、ポイントD(YSZ膜中央部)、の4カ所で行った。
【0112】
図8(A)および図8(B)に示すように、IGZO膜の電子線回折像にはスポット状のパターンが現れており、IGZO膜が高い結晶性を有していることが分かる。IGZO膜上部のポイントAと、IGZO膜とYSZ膜の界面近傍のポイントBとでほぼ同じのスポットパターンを示しているので、この2点でほぼ同様の結晶構造を有していることが推測される。
【0113】
また、図8(C)および図8(D)に示すように、YSZ膜の電子線回折像にもスポット状のパターンが現れており、YSZ膜も高い結晶性を有していることが分かる。
【0114】
ここで、先の実施の形態で述べたように、サンプルCの下地絶縁膜として用いたYSZ膜は融点が2700℃であり、IGZO膜の各成分より融点が高い。よって実施例1で示した酸化アルミニウム膜と同様に、レーザ照射でIGZO膜を溶融させる際にもYSZ膜は溶融しないと推測される。これにより、YSZ膜はIGZOの再結晶化を阻害しないので、IGZO膜とYSZ膜の界面近傍においてもIGZO膜は規則正しく配列して結晶化するものと考えられる。
【0115】
以上より、YSZ膜上にIGZO膜を成膜して、当該IGZO膜をレーザ照射で溶融して再結晶化することにより、良好な結晶性を有するIGZO膜が形成されることが示された。
【符号の説明】
【0116】
100 基板
102 金属酸化物膜
104 酸化物半導体膜
105 酸化物半導体膜
106 ゲート絶縁膜
108 ゲート電極
110 側壁絶縁膜
112 低抵抗化領域
114 パッシベーション膜
116 層間絶縁膜
118 配線
120 絶縁層
【技術分野】
【0001】
酸化物半導体及び酸化物半導体をチャネル領域とするトランジスタを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
トランジスタを作製するための材料として、低温形成が可能な非晶質シリコンと、電界効果移動度が高い多結晶シリコンの特徴を兼ね備えているといわれる酸化物半導体が注目されている。例えば、電子キャリア濃度が制御された非晶質酸化物を用いた電界効果型トランジスタ及びこれを用いた画像表示装置に関するものが開示されている(特許文献1)。
【0003】
しかし、室温形成された非晶質酸化物半導体は、トランジスタの特性において電界効果移動度がさほど高くなく、信頼性が悪く、ヒステリシス性が大きいといった問題を有していた。このような問題を解消するための一手段として、酸化物半導体にレーザ光を照射し結晶化させる技術が開示されている(特許文献2及び3参照)。これらの文献には、酸化物半導体膜にレーザ光を照射することにより、非晶質の酸化物半導体の結晶化が可能であることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2006−165528号公報
【特許文献2】特開2008−042088号公報
【特許文献3】特開2010−123758号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
酸化物半導体に限らず半導体を結晶化させる際には、結晶化の対象となる半導体層の下地界面近傍において非晶質領域が残存してしまうことが問題となる。例えば、酸化物半導体膜を用いてトランジスタなどの素子を作製する場合、当該薄膜が形成される下地面はガラス基板または、酸化シリコンなどの絶縁膜が用いられる。このような異種絶縁材料の上に形成された酸化物半導体膜を結晶化しても、下地界面に近い領域は結晶化させることができず、非晶質の領域が残存してしまうことが問題となる。
【0006】
もちろん、酸化物半導体膜を厚くして表層の結晶領域を使用することも考えられるが、寄生容量を低減し、低消費電力でトランジスタを動作させるためには、チャネル領域が完全に空乏化するように、酸化物半導体膜を薄くする必要がある。この場合、従来の技術では、下地界面のごく近傍まで結晶化させることができないことが、トランジスタを微細化する上で問題となる。
【0007】
このため、酸化物半導体膜の上層側をいくら結晶化しても、下地絶縁膜との界面領域には非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因となっていた。
【0008】
かかる問題を解消するために、開示する発明は、酸化物半導体の結晶性を向上させることを課題の一とする。具体的には下地界面若しくはその近傍まで結晶化した領域を有する結晶性の酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、そのような酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体膜を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。
【0010】
酸化物半導体膜の結晶化はエネルギービームの照射により行う。エネルギービームの代表例はレーザ光である。酸化物半導体膜に照射するレーザ光としては、パルスレーザ光が好ましい。酸化物半導体膜が形成された基板に熱的なダメージを与えることなく、かつレーザ光の照射領域を瞬間的に結晶化可能な温度に加熱することが可能となるためである。
【0011】
酸化物半導体膜を加熱するレーザ光の波長は、酸化物半導体のバンドギャップ以上のエネルギーを有する短波長光であることが好ましい。酸化物半導体膜でレーザ光が吸収されるようにするためである。
【0012】
もっとも、酸化物半導体膜が照射されるレーザ光の完全吸収体である必要はない。レーザ光を酸化物半導体膜に照射することで、酸化物半導体膜は高温に加熱される。また酸化物半導体膜で吸収されず下地面又は下地膜にまで透過したレーザ光は、そこで吸収され加熱する可能性もある。いずれにしても、酸化物半導体膜は瞬間的に非常に高温(融点若しくは融点に近い温度)に加熱されることとなる。酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点が、酸化物半導体の加熱される温度よりも高い場合、下地面又は当該膜を構成する材料は溶融せずに済むため、酸化物半導体がそれにより汚染されることを防ぐことができる。
【0013】
酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料は、酸化物半導体を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成することが好ましい。例えば、インジウム及び亜鉛の酸化物を含む酸化物半導体である場合、インジウムと同じ族に属する元素、すなわち13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素でなる絶縁性の金属酸化物を用いることが好ましい。3族元素としてランタン系の元素、例えばセリウムやガドリニウムを用いると良い。金属酸化物として酸化アルミニウム、酸化ガリウムは好適な一例として選択することができる。
【0014】
酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点について検討する。対比の対象となる酸化物半導体を構成する材料として、酸化インジウムの融点は1565℃であり、酸化亜鉛の融点は1975℃である。これに対して、酸化アルミニウムの融点は2020℃であり、酸化インジウムや酸化亜鉛がレーザ光により瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱されたとしても、酸化アルミニウムは溶融することはないため、酸化物半導体膜の下地側からの金属汚染を防ぐことができる。また、その他の金属酸化物として、酸化ガドリニウム(融点:2310℃)、酸化ジルコニウム(融点:2715℃)、イットリア安定化ジルコニア(融点:2700℃)、酸化セリウム(融点:1950℃)などを用いることができる。
【0015】
一方、酸化シリコンの融点は1614℃〜1710℃であるため、酸化インジウムや酸化亜鉛がレーザ光により瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱された場合、同時に溶融してしまうことが予想される。この場合、酸化物半導体の構成元素とは異なる14族元素であるシリコンは、酸化物半導体の結晶化を阻害する要因となる。
【0016】
エネルギービームを照射して作製される酸化物半導体膜、すなわち非単結晶の酸化物半導体膜に含まれる結晶領域はc軸配向していることが好ましい。すなわち、非単結晶の酸化物半導体膜の結晶領域はc軸配向し、かつa−b面、表面または界面の方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸に垂直な方向においては、金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、a−b面(あるいは表面または界面)においては、a軸またはb軸の向きが異なる(c軸を中心に回転した)結晶領域を含むようにすることが好ましい。以下、このような非単結晶の薄膜を「CAAC−OSを含む薄膜」ともいうこととする。なお、CAAC−OSとは、「c Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor」の略である。つまり、CAAC−OSを含む薄膜とは、c軸に対しては結晶化した薄膜であり、a−b面に対しては必ずしも配列していない。
【0017】
CAAC−OSを含む薄膜とは、広義に、非単結晶であって、そのa−b面に垂直な方向から見て、三角形、または、六角形、または正三角形、正六角形の原子配列を有し、且つ、c軸に垂直な方向から見て、金属原子が層状、または、金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む材料をいう。
【0018】
なお、CAAC−OSを含む薄膜は単結晶ではないが、非晶質のみから形成されているものでもない。また、CAAC−OSを含む薄膜は結晶化した部分(結晶部分)を含むが、1つの結晶部分と他の結晶部分の粒界(グレインバウンダリーともいう。)を、透過型電子顕微鏡(TEM:transmission electron microscope)などによって明確に判別できないこともある。
【0019】
また、CAAC−OSに含まれる酸素の一部は窒素で置換されてもよい。また、CAAC−OSを含む薄膜を構成する個々の結晶部分のc軸は一定の方向(例えば、CAAC−OSを含む薄膜を支持する基板面やCAAC−OSを含む薄膜の表面、界面等に垂直な方向)に揃っていてもよい。あるいは、CAAC−OSを含む薄膜を構成する個々の結晶部分のa−b面の法線は一定の方向(例えば、基板面、CAAC−OSを含む薄膜の表面、界面等に垂直な方向)を向いていてもよい。このようなCAAC−OSを含む薄膜の例として、膜状に形成され、膜表面、基板面、または界面に垂直な方向から観察すると三角形、または、六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察すると金属原子、または、金属原子と酸素原子(あるいは窒素原子)の層状配列が認められるものである。
【0020】
酸化物半導体膜にc軸配向した結晶領域を含ませることにより、キャリア輸送特性(例えば移動度)の向上が期待され、また構造安定化をもたらすので、このような酸化物半導体膜を用いた素子の特性向上及び信頼性向上を期待することができる。
【0021】
酸化物半導体膜に結晶領域を含ませるためには、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料を上記の如く適当なものに選択することに加え、酸化物半導体膜自体に含まれる不純物を除去しておくことが好ましい。酸化物半導体膜に含まれる不純物としては、水素、水酸基、水などである。水素、水酸基、水などは、酸化物半導体膜を形成する段階で含まれ得るので、成膜処理室内の残留ガス(水素、水蒸気など)を極力低減することが好ましい。また、酸化物半導体膜に含まれる水素、水酸基、水などは、熱処理により脱水・脱水素化処理をしておくことが好ましい。
【0022】
本発明の一形態は酸化物半導体膜の作製方法に係り、絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、該酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱するというものである。絶縁性の金属酸化膜は、インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜であることが好ましい一態様となる。
【0023】
本発明の一形態は半導体装置の作製方法に係り、絶縁性の金属酸化膜を形成し、該絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、該酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、該結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成するというものである。絶縁性の金属酸化膜は、インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜であることが好ましい一態様となる。絶縁性の金属酸化膜を形成する前又は後に、ゲート電極を形成することが可能である。
【0024】
本発明の一形態は半導体装置に係り、絶縁性の金属酸化膜と、該絶縁性の金属酸化膜に接するインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含みc軸配向した結晶領域を含む酸化物半導体膜を有し、該酸化物半導体膜のc軸配向した結晶領域は、前記絶縁性の金属酸化膜のとの界面近傍においても存在するものである。絶縁性の金属酸化膜は、インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜であることが好ましい一態様となる。
【0025】
本明細書において、ある構成要素が他の構成要素の「上」にある、或いは「下」にあると言及されたときには、その他の構成要素に直接的に形成されている場合もあるが、中間に他の構成要素が存在する場合もあると理解されなければならない。
【0026】
本明細書において、実施形態を説明するために用いられる用語において単数の表現は、文脈上で明白に相違して意味していない限り、複数の表現を含む。「含む」または「有する」などの用語は、明細書中に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、1つまたはそれ以上の他の特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加の可能性をあらかじめ排除しないものであると理解されなければならない。
【0027】
本明細書において、特別に定義されない限り、技術的あるいは科学的な用語を含んで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって一般的に理解され得るものと同じ意味を有している。一般的に用いられる辞書に定義されているものと同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと解釈されなければならず、本出願で明白に定義しない限り、理想的あるいは過度に形式的な意味として解釈されない。
【発明の効果】
【0028】
本発明の一形態によれば、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を、酸化物半導体膜を形成する材料の融点よりも高い融点の材料で形成し、エネルギービームを照射することにより、酸化物半導体膜の結晶性を向上させることができる。すなわち、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍においても、下地側に設けられる絶縁膜との界面近傍においても、酸化物半導体に結晶化領域を含ませることができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の一実施形態に係る酸化物半導体膜を作製する方法を説明する図。
【図2】本発明の一実施形態に係るトップゲート型のトランジスタを作製する方法を説明する図。
【図3】本発明の一実施形態に係るボトムゲート型のトランジスタを作製する方法を説明する図。
【図4】本発明の一実施例に係る試料の断面TEM像。
【図5】本発明の一実施例に係る試料の断面TEM像。
【図6】本発明の一実施例に係る試料の断面TEM像。
【図7】本発明の一実施例に係る試料の断面TEM像。
【図8】本発明の一実施例に係る試料の電子線回折像。
【図9】InGaZnO4の単結晶構造を示すモデル図。
【図10】Si置換モデルを示す図。
【図11】単結晶モデルの最終構造を示す図。
【図12】Si置換モデルの最終構造を示す図。
【図13】各モデルの動径分布関数g(r)を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【0030】
本明細書によって開示される発明の一実施態様を図面を参照して説明する。但し、本明細書によって開示される発明は以下の実施形態に限定されず、その発明の趣旨及びその発明の範囲から逸脱することなくその形態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、開示される発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0031】
以下に説明する実施の形態において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。なお、図面において示す構成要素、すなわち層や領域等の厚さ幅、相対的な位置関係等は、実施の形態において説明する上で明確性のために誇張して示される場合がある。
【0032】
図1に本発明の一実施形態に係る酸化物半導体膜の作製方法を示す。図1(A)は基板100上に金属酸化物膜102を設け、その上に酸化物半導体膜104を形成する態様を示している。
【0033】
金属酸化物膜102は酸化物半導体膜104を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成する。例えば、酸化物半導体膜104がインジウム及び亜鉛の酸化物を含む酸化物半導体材料である場合、金属酸化物膜102はインジウムと同じ族に属する元素、すなわち13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素でなる絶縁性の金属酸化物を用いることが好ましい。3族元素としてランタン系の元素、例えばセリウムやガドリニウムを用いると良い。金属酸化物として酸化アルミニウム、酸化ガリウムは好適な一例として選択することができる。
【0034】
金属酸化物膜102を形成する材料の融点は、酸化物半導体膜104を形成する材料の融点よりも高いことが望ましい。酸化物半導体膜104を融点近くまで加熱した場合に、金属酸化物膜102が同時に溶融してしまうと、酸化物半導体膜104の結晶化を阻害する要因となるためである。また、酸化物半導体膜104を加熱したときに金属酸化物膜102が溶融してしまうと、金属酸化物膜102の元素が酸化物半導体膜104に拡散して汚染源となってしまうことも懸念されるからである。金属酸化物膜102を形成する材料の融点が、酸化物半導体膜104の融点よりも高い場合、金属酸化物膜102は溶融せずに済むため、酸化物半導体膜104が不純物元素により汚染されることを防ぐことができる。
【0035】
ここで、酸化物半導体膜104を構成する材料として用いることができる酸化インジウムの融点は1565℃であり、酸化亜鉛の融点は1975℃である。これに対して、金属酸化物膜102として用いることができる酸化アルミニウムの融点は2020℃である。酸化インジウムや酸化亜鉛が瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱されたとしても、酸化アルミニウムは溶融することはないため、酸化物半導体膜104の下地側からの金属汚染を防ぐことができる。また、酸化アルミニウムに代えて、酸化ガドリニウム(融点:2310℃)、酸化ジルコニウム(融点:2715℃)、イットリア安定化ジルコニア(融点:2700℃)、酸化セリウム(融点:1950℃)などを用いても良い。
【0036】
一方、酸化シリコンの融点は1614℃〜1710℃であるため、酸化インジウムや酸化亜鉛がレーザ光により瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱された場合、同時に溶融してしまうことが予想される。この場合、酸化物半導体の構成元素とは異なる14族元素であるシリコンは、酸化物半導体膜104の結晶化を阻害する要因となる。
【0037】
ここでIn(インジウム)原子、Ga(ガリウム)原子、及びZn(亜鉛)原子を含む酸化物半導体、所謂IGZOに、Si(シリコン)原子が混入されるとどのような構造変化が起こるか、古典分子動力学シミュレーションにより調べた結果について説明する。古典分子動力学法では、原子間相互作用を特徴づける経験的ポテンシャルを定義することで、各原子に働く力を評価し、ニュートンの運動方程式を数値的に解くことにより、各原子の運動(時間発展)を決定論的に追跡できる。
【0038】
以下に計算モデルと計算条件を述べる。なお、本計算においては、Born−Mayer−Hugginsポテンシャルを用いた。
【0039】
1680原子のInGaZnO4の単結晶構造(図9参照)と、1680原子のInGaZnO4のIn、Ga、Znのそれぞれ20原子ずつをSi原子で置換した構造(図10参照)を作製した。Si置換モデルにおいて、Siは3.57atom%(2.34重量%)である。また、単結晶モデルの密度は6.36g/cm3、Si置換モデルの密度は6.08g/cm3である。
【0040】
InGaZnO4の単結晶の融点(古典分子動力学シミュレーションによる見積もりでは約2000℃)以下である1727℃において、圧力一定(1atm)で、150psec間(時間刻み幅0.2fsec×75万ステップ)の古典分子動力学シミュレーションにより、構造緩和を行った。これら2つの構造に対して動径分布関数g(r)を求めた。なお、動径分布関数g(r)とは、ある原子から距離r離れた位置において、他の原子が存在する確率密度を表す関数である。原子同士の相関が無くなっていくと、g(r)は1に近づく。
【0041】
上記の2つの計算モデルについて、150psec間の古典分子動力学シミュレーションを行うことにより得られた最終構造をそれぞれ図11、図12に示す。また、それぞれの構造における動径分布関数g(r)を図13に示す。
【0042】
図11に示す単結晶モデルは安定で、最終構造においても結晶構造を保っているが、図12に示すSi置換モデルは不安定で、時間経過とともに結晶構造が崩れていき、アモルファス構造へと変化することが確認できる。図13において、各構造モデルの動径分布関数g(r)を比較すると、単結晶モデルでは、長距離でもピークがあり、長距離秩序があることがわかる。一方、Si置換モデルでは、0.6nm程度でピークが消え、長距離秩序がないことがわかる。
【0043】
これらの計算結果により、IGZOにシリコンが混入した場合、IGZOの結晶化が阻害され、IGZOがアモルファス化するおそれがあることが示唆された。よって、酸化インジウムや酸化亜鉛がレーザ光により瞬間的に溶融する程度の温度にまで加熱され、それと同時に酸化シリコンが溶融した場合、酸化物半導体の構成元素とは異なる14族元素であるシリコンは、酸化物半導体膜104の結晶化を阻害する要因となると考えられる。
【0044】
なお、基板100が上記のようにインジウムと同じ族に属する13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素でなる絶縁性の金属酸化物材料で形成されている場合、金属酸化物膜102を省略することができる。この場合、酸化物半導体膜104の下地面が、それを構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成されることになるためである。
【0045】
酸化物半導体膜104はスパッタリング法やレーザビーム蒸着法などで形成する。酸化物半導体膜104を形成する際には、膜中に水素や水分が含まれないようにするため、成膜前の処理として、成膜処理室内に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。これらの不純物を成膜処理室内から除去するために、吸着型の真空ポンプ(例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプ)を用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。
【0046】
酸化物半導体膜104に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム(In)あるいは亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化物を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウム(Ga)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ(Sn)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、ランタン系の元素(例えば、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd))から選ばれた一種又は複数種が含まれていることが好ましい。
【0047】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn−Zn系酸化物、Sn−Zn系酸化物、Al−Zn系酸化物、Zn−Mg系酸化物、Sn−Mg系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属の酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、Sn−Ga−Zn系酸化物、Al−Ga−Zn系酸化物、Sn−Al−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を用いることができる。
【0048】
ここで、In−Ga−Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。
【0049】
また、酸化物半導体として、InMO3(ZnO)m(m>0、且つ、mは整数でない)で表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素、若しくは上記のスタビライザーとしての元素を示す。また、酸化物半導体として、In2SnO5(ZnO)n(n>0、且つ、nは整数)で表記される材料を用いてもよい。
【0050】
例えば、In:Ga:Zn=1:1:1(=1/3:1/3:1/3)あるいはIn:Ga:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5)の原子比のIn−Ga−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:1:1(=1/3:1/3:1/3)、In:Sn:Zn=2:1:3(=1/3:1/6:1/2)あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5(=1/4:1/8:5/8)の原子比のIn−Sn−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【0051】
また、酸化物半導体膜104に、過剰な水素、水酸基、水を除去(脱水化または脱水素化)するための加熱処理を行ってもよい。加熱処理の温度は、300℃以上700℃以下、または基板の歪み点未満とする。加熱処理は減圧下又は窒素雰囲気下などで行うことができる。例えば、加熱処理装置の一つである電気炉に基板100を導入し、酸化物半導体膜104に対して窒素雰囲気下450℃において1時間の加熱処理を行う。
【0052】
酸化物半導体膜104の加熱はエネルギービームを照射して行うことが好ましい。エネルギービームの代表例はレーザ光である。酸化物半導体膜104に照射するレーザ光としては、パルスレーザ光が好ましい。酸化物半導体膜104が形成された基板に熱的なダメージを与えることなく、かつレーザ光の照射領域を瞬間的に結晶化可能な温度に加熱することが可能となるためである。
【0053】
酸化物半導体膜104を加熱するレーザ光の波長は、酸化物半導体のバンドギャップ以上のエネルギーを有する短波長であることが好ましい。酸化物半導体膜104でレーザ光が吸収されるようにするためである。そのような波長を有するレーザ光の光源の一例としては、エキシマレーザを用いることができる。エキシマレーザとして、XeCl(308nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)などを用いることができる。また、YAGレーザなどの第3高調波を用いても良い。
【0054】
もっとも、酸化物半導体膜104が照射されるレーザ光の波長に対して完全吸収体である必要はない。レーザ光を酸化物半導体膜104に照射することで、酸化物半導体膜104は高温に加熱される。また酸化物半導体膜104で吸収されず金属酸化物膜102にまで透過したレーザ光は、そこで吸収され加熱する可能性もある。いずれにしても、酸化物半導体膜104は瞬間的に非常に高温(融点若しくは融点に近い温度)に加熱されることとなる。金属酸化物膜102を構成する材料の融点が、酸化物半導体膜104の加熱される温度よりも高い場合、金属酸化物膜102を構成する材料は溶融せずに済むため、酸化物半導体が下地材料により汚染されることを防ぐことができる。
【0055】
金属酸化物膜102として酸化物半導体膜104よりも高融点の材料を用い、酸化物半導体膜104にエネルギービームを照射して加熱することにより、結晶領域を含む非単結晶の酸化物半導体膜105を得ることができる(図1(B))。酸化物半導体膜105に含まれる結晶領域は、以下の実施例で示すように、金属酸化物膜102の界面から2nm以下の領域においても観測することができる。酸化物半導体膜105で観測される結晶領域は、c軸配向した結晶であり、当該結晶領域が金属酸化物膜102の界面に略密接した酸化物半導体膜105を得ることができる。
【0056】
結晶領域を含む酸化物半導体膜を作製する上で、金属酸化物膜102の表面を平坦化しておくことが好ましい。平坦化処理の方法に限定はないが、研磨処理(例えば、化学的機械研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)法)、ドライエッチング処理、プラズマ処理、若しくはこれらの組み合わせて行うことができる。プラズマ処理としては、例えば、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタリングを行うことができる。逆スパッタリングとは、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。
【0057】
平坦化の程度は、平均面粗さ(Ra)が1nm以下、好ましくは0.3nm以下、より好ましくは0.1nm以下とすることが好ましい。なお、Raとは、JIS B 0601:2001(ISO4287:1997)で定義されている算術平均粗さを曲面に対して適用できるよう三次元に拡張したものであり、「基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値」で表現される。このように金属酸化物膜102の表面(若しくは、下地面)を平坦化しておくことで、酸化物半導体膜105の結晶領域が下地界面若しくはその近傍まで形成されやすくなることが期待される。
【0058】
また、金属酸化物膜102は単一の層である必要はなく、複数の膜が積層された構造を有していても良い。このとき、酸化物半導体膜104に接する層が、上記のような要件(材質、融点、平坦性など)を満たしていれば良い。例えば、酸化シリコン膜と酸化アルミニウム膜の積層構造を金属酸化物膜102として適用することができる。かかる場合、酸化アルミニウム膜が酸化物半導体膜と接するように設けるようにすれば良い。
【0059】
次に、図2を参照して非単結晶の酸化物半導体膜105を用いた半導体装置の作製方法について示す。図2では半導体装置の一要素であるトランジスタの作製工程について示している。図2(A)〜(C)に示すトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタの例である。
【0060】
図2(A)は、基板100に金属酸化物膜102、酸化物半導体膜105、ゲート絶縁膜106及びゲート電極108が形成された状態を示している。金属酸化物膜102と酸化物半導体膜105は図1で説明したものと同様である。酸化物半導体膜105は、トランジスタの形状に合わせて所定の形状にエッチングして島状に加工されていても良い。
【0061】
基板100の材質は、ガラス、金属、半導体など各種のものを適用することができる。金属酸化物膜102は絶縁性の金属酸化物で形成される。絶縁性の金属酸化物でなる膜は、スパッタリング法や蒸着法、若しくは気相成長法で作製することができる。金属酸化物膜102としては、13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素の酸化物として、上述のように酸化アルミニウムや酸化ガリウムを用いることが好ましいが、このような金属酸化物において酸素含有量を、その金属酸化物の化学量論的組成比に対して多く含有するように含ませておくことが好ましい。金属酸化物膜102に接して設けられる酸化物半導体膜105へ酸素を供給可能とし、酸化物半導体膜105の酸素欠損の発生を防ぐためである。
【0062】
酸化物半導体膜105の膜厚は、1nm以上200nm以下(好ましくは5nm以上30nm以下)とすれば良い。なお、酸化物半導体膜105は、酸素を多く含む(好ましくは酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている)膜とすることが好ましい。酸化物半導体膜105に酸素欠損が生じ、欠陥が生成されるのを防ぐためである。
【0063】
ゲート絶縁膜106は、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化シリコン膜を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜106は、酸化物半導体膜105と接する部分において酸素を含むことが好ましい。ゲート絶縁膜106は、膜中(バルク中)に少なくとも化学量論比を超える量の酸素が存在することが好ましく、例えば、ゲート絶縁膜106として、酸化シリコン膜を用いる場合には、SiO2+α(ただし、α>0)とする。同様に、酸化アルミニウムを用いる場合にはAl2O3+α(ただし、α>0)とする。
【0064】
また、ゲート絶縁膜106の材料として酸化ハフニウム、酸化イットリウム、ハフニウムシリケート(HfSixOy(x>0、y>0))、窒素が添加されたハフニウムシリケート(HfSiOxNy(x>0、y>0))、ハフニウムアルミネート(HfAlxOy(x>0、y>0))、酸化ランタンなどのhigh−k材料を用いることでゲートリーク電流を低減できる。さらに、ゲート絶縁膜106は、単層構造としても良いし、積層構造としても良い。
【0065】
ゲート絶縁膜106の膜厚は、1nm以上100nm以下とし、スパッタリング法、MBE法、CVD法、パルスレーザ堆積法、ALD法等を適宜用いることができる。また、ゲート絶縁膜106は、スパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行うスパッタ装置を用いて成膜してもよい。
【0066】
ゲート電極108は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン、ニッケルシリサイドなどのシリサイド、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、窒素を含む金属酸化物、具体的には、窒素を含むIn−Ga−Zn−O膜や、窒素を含むIn−Sn−O膜や、窒素を含むIn−Ga−O膜や、窒素を含むIn−Zn−O膜や、窒素を含むSn−O膜や、窒素を含むIn−O膜や、金属窒化膜(InN、SnNなど)を用いることができる。ゲート電極108の材料として、5eV好ましくは5.5eV以上の仕事関数を有した材料を用いると、トランジスタのしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのトランジスタを得ることが可能となる。
【0067】
図2(B)は、ゲート電極108に側壁絶縁膜110、低抵抗化領域112が形成された状態を示す。低抵抗化領域112は、トランジスタのソース領域とドレイン領域を形成するものである。側壁絶縁膜110は絶縁材料で適宜形成すれば良い。
【0068】
低抵抗化領域112は、チャネル形成領域(酸化物半導体膜105がゲート電極108と略重畳する領域)に比べて抵抗が低い領域である。低抵抗化領域112は、ドーパントとして、15族元素(代表的にはリン、砒素、およびアンチモン)、ホウ素、アルミニウム、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、インジウム、フッ素、塩素、チタン、及び亜鉛などから選択される元素を添加することで形成可能である。
【0069】
低抵抗化領域112は、酸化物半導体膜105に上記元素のイオンをイオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法などにより添加することで形成可能である。例えば、イオン注入法でホウ素を酸化物半導体膜105に添加する場合には、加速電圧5〜30kV、ドーズ量を1×1013ions/cm2以上5×1016ions/cm2以下の範囲で添加すれば良い。いずれにしても、低抵抗化領域112に含まれるドーパントの濃度は、5×1018/cm3以上1×1022/cm3以下とすることが好ましい。
【0070】
図2(C)は、パッシベーション膜114、層間絶縁膜116及び配線118が形成された段階を示す。
【0071】
パッシベーション膜114は、金属酸化物膜102と同種の材料で形成することが好ましい。すなわち、パッシベーション膜114は、酸化物半導体膜105を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成することで、耐熱性を保持しつつ、酸化物半導体膜105が異種族元素で汚染されることを防ぐことができる。パッシベーション膜114として、酸化アルミニウムは好適な材料の一種であり、水素や水分のバリア性が高いので好ましい。
【0072】
パッシベーション膜114を形成する前後の段階において、熱処理を行っても良い。熱処理は酸素若しくは乾燥空気(水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下)の雰囲気下で行うことが好ましく、加熱温度は100℃以上700℃以下、好ましくは200℃以上400℃以下とすれば良い。この処理により酸化物半導体膜105と接する絶縁膜(金属酸化物膜102、ゲート絶縁膜106、パッシベーション膜114)から、酸化物半導体膜105に酸素が供給されることが期待され、酸素欠損を低減することが可能となる。
【0073】
層間絶縁膜116は、酸化シリコンなどの無機絶縁材料、またはポリイミドやアクリルなどの有機絶縁材料で形成すれば良い。配線118は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)等を用いることができる。また、アルミニウム、銅などの金属膜の下側又は上側の一方または双方にチタン、モリブデン、タングステンなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成としても良い。
【0074】
このようにして作製されたトランジスタは、特にチャネル形成領域の酸化物半導体膜105の結晶性が良いため、高い電界効果移動度を得ることが可能となる。すなわち、金属酸化物膜に密接するようにc軸配向した結晶領域が存在することになるので、界面準位が低減し、電界効果移動度の向上が期待できるばかりでなく、しきい値電圧の変動も抑制されることが期待できる。トップゲート型のトランジスタは、シリコン集積回路と同様にプレーナプロセス(同一平面上に素子と、素子の端子用電極を形成するプロセス)で作製できるため、トランジスタの微細化に有利である。そのため、表示パネルの画素マトリクスに組み込まれるトランジスタのみでなく、このトランジスタを使ってメモリや論理回路を構成することもできる。
【0075】
次に、図3を参照して、非単結晶の酸化物半導体膜105を用いた半導体装置の作製方法について、図2とは異なる態様のものを示す。図3(A)、(B)に示すトランジスタは、ボトムゲート型のトランジスタの例である。
【0076】
図3(A)に示すように、ボトムゲート型のトランジスタは基板100にゲート電極108、ゲート絶縁膜106、酸化物半導体膜105の順に設けられている。ゲート絶縁膜106と酸化物半導体膜105の間には金属酸化物膜102に相当するものが設けられている。この金属酸化物膜102の作用効果は図2を参照して説明したものと同様である。金属酸化物膜102は絶縁性の金属酸化物で形成されるものであるため、実質的にはゲート絶縁膜として機能するものである。したがって、ゲート絶縁膜106を、酸化物半導体膜105を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成すれば、図3(A)で示す金属酸化物膜102を省略することもできる。
【0077】
図3(B)は結晶領域を含む酸化物半導体膜105に接して一対の配線118を設けた状態を示す。また、図3(B)で示すように、酸化物半導体膜105がゲート電極108と重なる領域(チャネル形成領域)に略重畳するように、チャネル保護膜として機能する絶縁層120が設けられていても良い。絶縁層120は酸化物半導体膜105と接する層であるため、金属酸化物膜102と同種の絶縁材料で設けられていることが好ましい。
【0078】
配線118の上層から酸化物半導体膜105を被覆するように設けられるパッシベーション膜114は、酸化物半導体膜105を構成する元素の一つと同族の13族元素、若しくは13族元素と同様の性質を示す3族元素を含む材料で形成することで、耐熱性を保持しつつ、酸化物半導体膜105が異種族元素で汚染されることを防ぐことができる。パッシベーション膜114として、酸化アルミニウムは好適な材料の一種であり、水素や水分のバリア性が高いので好ましい。また、パッシベーション膜114を形成する前後の段階において、酸素若しくは乾燥空気(水の含有量が20ppm以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下)の雰囲気下で熱処理を行っても良い。
【0079】
このようにして作製されたトランジスタは、特にチャネル形成領域の酸化物半導体膜105の結晶性が良いため、高い電界効果移動度を得ることが可能となる。すなわち、金属酸化物膜に密接するようにc軸配向した結晶領域が存在することになるので、界面準位が低減し、電界効果移動度の向上が期待できるばかりでなく、しきい値電圧の変動も抑制されることが期待できる。
【実施例1】
【0080】
本実施例においては、本発明の一態様に係る酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜を、透過型電子顕微鏡(TEM:transmission electron microscope)を用いて観察した結果について説明する。
【0081】
本実施例では、ガラス基板(旭硝子社製AN100)上に酸化シリコン膜(膜厚300nm)を成膜し、当該酸化シリコン膜上に酸化アルミニウム膜(膜厚20nm)を成膜し、当該酸化アルミニウム膜上に酸化物半導体膜としてIGZO膜(膜厚30nm)を成膜したサンプルAを作製した。また、比較例として、ガラス基板(旭硝子社製AN100)上に酸化シリコン膜(膜厚300nm)を成膜し、当該酸化シリコン膜上に酸化物半導体膜としてIGZO膜(膜厚30nm)を成膜したサンプルBを作製した。
【0082】
つまり、サンプルAでは、酸化アルミニウム膜がIGZO膜の下地絶縁膜として機能し、サンプルBにおいては、酸化シリコン膜がIGZO膜の下地絶縁膜として機能する。
【0083】
以下、サンプルAおよびサンプルBの作製工程について説明する。
【0084】
まず、サンプルAおよびサンプルBにおいて、ガラス基板上に膜厚300nmを狙って酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜はスパッタリング法を用いて成膜し、成膜条件は、ターゲットを酸化シリコン(SiO2)とし、成膜ガス流量をAr:25sccm、O2:25sccm、圧力0.4Pa、基板温度100℃、高周波(RF)電源電力2kWとして成膜した。
【0085】
さらに、サンプルAにおいては、酸化シリコン膜上に膜厚20nmを狙って酸化アルミニウム膜を形成した。酸化アルミニウム膜はスパッタリング法を用いて成膜し、成膜条件は、ターゲットを酸化アルミニウム(Al2O3)とし、成膜ガス流量をAr:25sccm、O2:25sccm、圧力0.4Pa、基板温度250℃、高周波(RF)電源電力1.5kWとして成膜した。このようにして酸化アルミニウム膜がサンプルAのIGZO膜の下地絶縁膜となる。
【0086】
また、サンプルBにおいては、酸化シリコン膜表面に化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)処理を施した。当該CMP処理は、ポリウレタン系研磨布とシリカ系スラリーを用いて酸化シリコン膜表面の平均面粗さ(Ra)0.2nmを狙って行い、処理温度を室温、研磨圧を0.001MPa、スピンドル回転数を56rpm、テーブル回転数を60rpm、とした。また当該CMP処理の後、オゾン水に30秒浸漬して洗浄を行った。このようにして表面を平坦化した酸化シリコン膜がサンプルBのIGZO膜の下地絶縁膜となる。
【0087】
それから、サンプルAおよびサンプルBにおいて、それぞれの下地絶縁膜上に膜厚30nmを狙ってIn−Ga−Zn−O系の酸化物半導体膜(IGZO膜)を成膜した。IGZO膜は、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。当該スパッタリング法の成膜条件は、圧力0.4Pa、基板温度300℃、高周波(RF)電源電力0.5kWとした。なお、成膜ガス流量については、サンプルAではAr:30sccm、O2:15sccmとし、サンプルBではO2:45sccmとした。
【0088】
このようにサンプルAおよびサンプルBに成膜したIGZO膜に対して、レーザ照射を行った。レーザ発振器は、XeClエキシマレーザ(波長:308nm)を用いた。また、ビームショット数を約10ショットとした。レーザ光の照射は、室温大気雰囲気において、照射面に酸素ガスを吹き付けながら行った。なお、レーザ照射のエネルギー密度は、サンプルAでは349mJ/cm2とし、サンプルBでは325mJ/cm2とした。
【0089】
以上のサンプルAおよびサンプルBについて、TEMを用いて撮影した断面TEM像を図4および図5に示す。図4は、サンプルAの倍率4000000倍の断面TEM像であり、図5は、サンプルBの倍率4000000倍の断面TEM像である。なお本実施例において断面TEM像は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製H−9000NARを用い、加速電圧を300kVとして撮影した。
【0090】
図4に示すように、サンプルAにおいては、酸化アルミニウム膜上に形成されたIGZO膜は、IGZO膜表面から酸化アルミニウム膜とIGZO膜の界面まで格子模様が見られ、結晶性を有していることが見て取れる。特に、酸化アルミニウム膜とIGZO膜の界面から2nm以下の領域においても、IGZO膜の格子模様が見られる。また、結晶性を有するIGZO膜には層状の格子模様も見られ、IGZO膜表面に概略垂直なc軸を有する結晶も含まれていることが分かる。
【0091】
それに対して、図5に示すサンプルBにおいては、酸化シリコン膜上に形成されたIGZO膜は、IGZO膜表面から酸化シリコン膜とIGZO膜の界面より浅い領域までは格子模様が見られ、結晶性を有していることが見て取れる。また、サンプルAと同様に、結晶性を有するIGZO膜には層状の格子模様も見られ、IGZO膜表面に概略垂直なc軸を有する結晶も含まれていることが分かる。しかし、酸化シリコン膜とIGZO膜の界面近傍、特に酸化シリコン膜とIGZO膜の界面から2nm以下の領域においては、IGZO膜に格子模様が見られず、アモルファス化してしまっている。
【0092】
ここで、サンプルAおよびサンプルBに用いた、IGZO膜の各成分(In2O3,Ga2O3,ZnO)、酸化アルミニウム膜(Al2O3)および酸化シリコン膜(SiO2)について文献より抜粋した融点を表1に示す。なお、融点aは、「新版 真空ハンドブック:アルバック、日本真空技術編集(オーム社)」から抜粋した数値であり、融点bは、「岩波 理化学事典 第4版:久保亮五、長倉三郎、井口洋夫、江沢洋編集(岩波書店)」から抜粋した数値である。
【0093】
【表1】
【0094】
表1より、サンプルAにおいて、下地絶縁膜として用いられる酸化アルミニウム膜の融点は、IGZO膜の各成分の金属酸化物の融点より高いことが分かる。一方、サンプルBにおいて、下地絶縁膜として用いられる酸化シリコン膜の融点は、一部を除いてIGZO膜の各成分の金属酸化物の融点より低いことが分かる。
【0095】
これにより、レーザ照射によりIGZO膜を溶融させる際に、サンプルBではIGZO膜の各成分より融点の低い酸化シリコン膜も一緒に溶融していることが推測される。そして、IGZO膜が再結晶化する際にIGZO膜と酸化シリコン膜の界面において、IGZO膜にシリコン原子が混入してIGZO膜の再結晶化を阻害している恐れがある。
【0096】
それに対して、サンプルAにおいては、下地絶縁膜として機能する酸化アルミニウム膜はIGZO膜の各成分より融点が高いので、レーザ照射でIGZO膜を溶融させる際にも酸化アルミニウム膜は溶融しないと推測される。よって、酸化アルミニウム膜はIGZOの再結晶化を阻害しないので、IGZO膜と酸化アルミニウム膜の界面近傍においてもIGZO膜は規則正しく配列して結晶化するものと考えられる。
【0097】
以上より、酸化アルミニウム膜上にIGZO膜を成膜して、当該IGZO膜をレーザ照射で溶融して再結晶化することにより、良好な結晶性を有するIGZO膜が形成されることが示された。
【実施例2】
【0098】
本実施例においては、本発明の一態様に係る酸化物半導体膜を成膜し、当該酸化物半導体膜をTEMを用いて観察した結果および当該酸化物半導体膜を電子線回折測定で分析した結果について説明する。
【0099】
本実施例では、ガラス基板(旭硝子社製AN100)上に酸化シリコン膜(膜厚300nm)を成膜し、当該酸化シリコン膜上にイットリア安定化ジルコニア(YSZ)膜(膜厚10nm)を成膜し、当該YSZ膜上に酸化物半導体膜としてIGZO膜(膜厚20nm)を成膜したサンプルCを作製した。
【0100】
つまり、サンプルCでは、YSZ膜がIGZO膜の下地絶縁膜として機能する。
【0101】
以下、サンプルCの作製工程について説明する。
【0102】
まず、ガラス基板上に膜厚300nmを狙って酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜はスパッタリング法を用いて成膜し、成膜条件は、ターゲットを酸化シリコン(SiO2)とし、成膜ガス流量をAr:25sccm、O2:25sccm、圧力0.4Pa、基板温度100℃、高周波(RF)電源電力2kWとして成膜した。
【0103】
そして、成膜した酸化シリコン膜表面にCMP処理を施した。当該CMP処理は、ポリウレタン系研磨布とシリカ系スラリーを用いて酸化シリコン膜表面の平均面粗さ(Ra)0.15nmを狙って行い、処理温度を室温、研磨圧を0.001MPa、スピンドル回転数を56rpm、テーブル回転数を60rpm、とした。また当該CMP処理の後、オゾン水に30秒浸漬して洗浄を行った。
【0104】
次に、酸化シリコン膜上に膜厚10nmを狙ってYSZ膜を形成した。YSZ膜はZrO2:Y2O3=92:8[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いて、スパッタリング法で成膜した。成膜条件は、成膜ガス流量をAr:20sccm、O2:20sccm、圧力0.4Pa、基板温度は室温、高周波(RF)電源電力0.5kWとして成膜した。このようにして成膜されたYSZ膜がサンプルCのIGZO膜の下地絶縁膜となる。
【0105】
それから、YSZ膜上に膜厚20nmを狙ってIn−Ga−Zn−O系の酸化物半導体膜(IGZO膜)を成膜した。IGZO膜は、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。当該スパッタリング法の成膜条件は、成膜ガス流量をO2:45sccm、圧力0.4Pa、基板温度300℃、高周波(RF)電源電力0.5kWとした。
【0106】
このように成膜したIGZO膜に対して、レーザ照射を行った。レーザ発振器は、XeClエキシマレーザ(波長:308nm)を用いた。また、ビームショット数を約10ショットとした。レーザ光の照射は、室温大気雰囲気において、照射面に酸素ガスを吹き付けながら行った。なお、レーザ照射のエネルギー密度は、580mJ/cm2とした。
【0107】
以上のサンプルCについて、TEMを用いて撮影した断面TEM像を図6に示す。図6は、サンプルCの倍率4000000倍の断面TEM像である。なお、本実施例において断面TEM像は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製H−9000NARを用い、加速電圧を300kVとして撮影した。
【0108】
図6に示すように、サンプルCにおいてもサンプルAと同様に、YSZ膜上に形成されたIGZO膜は、IGZO膜表面からYSZ膜とIGZO膜の界面まで格子模様が見られ、結晶性を有していることが見て取れる。特に、YSZ膜とIGZO膜の界面から2nm以下の領域においても、IGZO膜の格子模様が見られる。また、結晶性を有するIGZO膜には層状の格子模様も見られ、IGZO膜表面に概略垂直なc軸を有する結晶も含まれていることが分かる。
【0109】
また、サンプルCにおいて、YSZ膜中にも格子模様が見られ、YSZ膜も結晶性を有していることが見て取れる。ただし、IGZO膜中の層状の格子模様の配列と異なり、YSZ膜中の格子模様の配列はYSZ膜中の場所によって違っている。このことからYSZ膜は多結晶構造を取っていることが推測される。
【0110】
また、サンプルCについて、TEMを用いて電子線回折像の撮影を行った。なお、本実施例において、電子線回折像は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製HF−2000を用い、加速電圧を200kVとして撮影した。
【0111】
電子線回折像の撮影は、図7の断面TEM像に示す、ポイントA(IGZO膜上部)、ポイントB(IGZO膜とYSZ膜の界面近傍のIGZO膜側)、ポイントC(IGZO膜とYSZ膜の界面近傍のYSZ膜側)、ポイントD(YSZ膜中央部)、の4カ所で行った。
【0112】
図8(A)および図8(B)に示すように、IGZO膜の電子線回折像にはスポット状のパターンが現れており、IGZO膜が高い結晶性を有していることが分かる。IGZO膜上部のポイントAと、IGZO膜とYSZ膜の界面近傍のポイントBとでほぼ同じのスポットパターンを示しているので、この2点でほぼ同様の結晶構造を有していることが推測される。
【0113】
また、図8(C)および図8(D)に示すように、YSZ膜の電子線回折像にもスポット状のパターンが現れており、YSZ膜も高い結晶性を有していることが分かる。
【0114】
ここで、先の実施の形態で述べたように、サンプルCの下地絶縁膜として用いたYSZ膜は融点が2700℃であり、IGZO膜の各成分より融点が高い。よって実施例1で示した酸化アルミニウム膜と同様に、レーザ照射でIGZO膜を溶融させる際にもYSZ膜は溶融しないと推測される。これにより、YSZ膜はIGZOの再結晶化を阻害しないので、IGZO膜とYSZ膜の界面近傍においてもIGZO膜は規則正しく配列して結晶化するものと考えられる。
【0115】
以上より、YSZ膜上にIGZO膜を成膜して、当該IGZO膜をレーザ照射で溶融して再結晶化することにより、良好な結晶性を有するIGZO膜が形成されることが示された。
【符号の説明】
【0116】
100 基板
102 金属酸化物膜
104 酸化物半導体膜
105 酸化物半導体膜
106 ゲート絶縁膜
108 ゲート電極
110 側壁絶縁膜
112 低抵抗化領域
114 パッシベーション膜
116 層間絶縁膜
118 配線
120 絶縁層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱すること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項2】
インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱すること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項3】
請求項1又は2において、前記絶縁性の金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜を形成すること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項4】
請求項1又は2において、前記絶縁性の金属酸化膜として、イットリア安定化ジルコニア膜を形成すること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項5】
請求項1乃至4のいずれか一項において、前記エネルギービームは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光であること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項6】
請求項1乃至5のいずれか一項において、前記エネルギービームの照射により、前記酸化物半導体膜にc軸配向した結晶領域を含ませること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項7】
絶縁性の金属酸化膜を形成し、
前記絶縁性の金属酸化膜に接して、インジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項8】
インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜を形成し、
前記絶縁性の金属酸化膜に接して、インジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項9】
請求項7又は8において、前記絶縁性の金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項10】
請求項7又は8において、前記絶縁性の金属酸化膜として、イットリア安定化ジルコニア膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項11】
請求項7乃至10のいずれか一項において、前記エネルギービームは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光であること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項12】
請求項7乃至11のいずれか一項において、前記エネルギービームの照射により、前記酸化物半導体膜にc軸配向した結晶領域を含ませること半導体装置の作製方法。
【請求項13】
請求項7乃至12のいずれか一項において、前記絶縁性の金属酸化膜を形成する前に、ゲート電極を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項14】
請求項7乃至12のいずれか一項において、前記結晶領域を含む酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項15】
絶縁性の金属酸化膜と、前記絶縁性の金属酸化膜に接するインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含みc軸配向した結晶領域を含む酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜のc軸配向した結晶領域は、前記絶縁性の金属酸化膜のとの界面近傍においても存在すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項16】
インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜と、前記絶縁性の金属酸化膜に接するインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含みc軸配向した結晶領域を含む酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜のc軸配向した結晶領域は、前記絶縁性の金属酸化膜のとの界面近傍においても存在すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項17】
請求項15又は16において、前記絶縁性の金属酸化膜は酸化アルミニウム膜であること
を特徴とする半導体装置。
【請求項18】
請求項15又は16において、前記絶縁性の金属酸化膜はイットリア安定化ジルコニア膜であること
を特徴とする半導体装置。
【請求項19】
請求項15乃至18のいずれか一項において、前記酸化物半導体膜は、インジウム及び亜鉛に加えて、ガリウム、ジルコニウム、スズ、ガドリニウム、セリウムから選ばれた一種を含むこと
を特徴とする半導体装置。
【請求項1】
絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱すること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項2】
インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱すること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項3】
請求項1又は2において、前記絶縁性の金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜を形成すること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項4】
請求項1又は2において、前記絶縁性の金属酸化膜として、イットリア安定化ジルコニア膜を形成すること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項5】
請求項1乃至4のいずれか一項において、前記エネルギービームは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光であること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項6】
請求項1乃至5のいずれか一項において、前記エネルギービームの照射により、前記酸化物半導体膜にc軸配向した結晶領域を含ませること
を特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項7】
絶縁性の金属酸化膜を形成し、
前記絶縁性の金属酸化膜に接して、インジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項8】
インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜を形成し、
前記絶縁性の金属酸化膜に接して、インジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項9】
請求項7又は8において、前記絶縁性の金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項10】
請求項7又は8において、前記絶縁性の金属酸化膜として、イットリア安定化ジルコニア膜を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項11】
請求項7乃至10のいずれか一項において、前記エネルギービームは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光であること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項12】
請求項7乃至11のいずれか一項において、前記エネルギービームの照射により、前記酸化物半導体膜にc軸配向した結晶領域を含ませること半導体装置の作製方法。
【請求項13】
請求項7乃至12のいずれか一項において、前記絶縁性の金属酸化膜を形成する前に、ゲート電極を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項14】
請求項7乃至12のいずれか一項において、前記結晶領域を含む酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成すること
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項15】
絶縁性の金属酸化膜と、前記絶縁性の金属酸化膜に接するインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含みc軸配向した結晶領域を含む酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜のc軸配向した結晶領域は、前記絶縁性の金属酸化膜のとの界面近傍においても存在すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項16】
インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜と、前記絶縁性の金属酸化膜に接するインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含みc軸配向した結晶領域を含む酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜のc軸配向した結晶領域は、前記絶縁性の金属酸化膜のとの界面近傍においても存在すること
を特徴とする半導体装置。
【請求項17】
請求項15又は16において、前記絶縁性の金属酸化膜は酸化アルミニウム膜であること
を特徴とする半導体装置。
【請求項18】
請求項15又は16において、前記絶縁性の金属酸化膜はイットリア安定化ジルコニア膜であること
を特徴とする半導体装置。
【請求項19】
請求項15乃至18のいずれか一項において、前記酸化物半導体膜は、インジウム及び亜鉛に加えて、ガリウム、ジルコニウム、スズ、ガドリニウム、セリウムから選ばれた一種を含むこと
を特徴とする半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図13】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図13】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2013−110380(P2013−110380A)
【公開日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−149428(P2012−149428)
【出願日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年7月3日(2012.7.3)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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