説明

酸化物超電導材料及びその製造方法

【課題】 材料の組織を工夫することにより、臨界電流密度が高く、且つ、材料内における超電導特性のばらつきが小さい、酸化物バルク超電導体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 RE1+xBa2-xCu3y(0≦x≦0.1、6.5≦y≦7.2、REはY、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの群から選ばれた少なくとも一つの元素)結晶中に、RE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d(0≦z≦0.1、−0.5≦d≦0.5)相の粒子が分散しているRE−Ba−Cu−O系酸化物超電導材料において、比較的大きいRE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の粒子を含有する領域(A)と、非常に微細なRE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の粒子を含有する領域(B)とが混在していることを特徴とする酸化物超電導材料。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、フライホイール、磁気軸受け、超電導モータ、磁気分離装置、超電導バルクマグネット、電流リード、限流器等への利用を目的とした、臨界電流密度、捕捉磁場及び磁気浮上力の大きい酸化物超電導材料及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
YBa2Cu3y系に代表されるREBa2Cu3y(REは希土類元素、以下、RE123と記す。)系酸化物超電導材料は、QMG法あるいはMPMG法等の溶融法の開発により、大きな臨界電流密度を有するバルク状の超電導体が得られている(特許文献1、参照)。
【0003】
このようなバルク超電導体は、磁場との相互作用で大きな磁気浮上力を発生することができ、この力を利用したベアリング、フライホイール等への応用研究が盛んとなってきている。また、臨界電流の大きな超電導体では、強磁場を捕捉して強力な永久磁石として機能させることも可能である。
【0004】
バルク超電導体の捕捉磁場は、試料が均一であると仮定した場合、単純には、臨界電流密度と試料の径との積に比例する。従って、このような応用を考えるには、臨界電流密度が大きく、結晶方位が揃った大きな結晶粒の材料の作製が重要である。
【0005】
強磁場を捕捉したバルク超電導磁石は、磁気分離装置やマグネトロンスパッタ装置等、多方面への適用が検討されている。さらに、バルク超電導体を棒状や線状に加工し、電流リードや限流器等へ応用する研究も盛んに行われている。
【0006】
このようなバルク超電導体の製造方法の一例を以下に示す。まず、原料粉として、例えば、RE123及び磁束のピニングセンターとして添加するRE2BaCuO5(以下、RE211と記す)の粉末を所定の割合に混合する。これを所定形状に加圧成形して前駆体とした後、液相とRE211相が共存する温度に加熱し、RE123相を部分溶融させる。
【0007】
その後、超電導相であるRE123相が生成する温度付近まで冷却し、その温度から例えば、0.05〜10℃/hrの速度で徐冷することにより、RE123相を結晶成長させる。さらに、超電導相の酸素量を調整するために、酸素富化雰囲気中、250〜650℃の温度でアニールを行い、バルク超電導体を得る。
【0008】
以上の方法において、結晶方位の揃った大きい結晶粒を有するバルク超電導体を得る手法としては、原料粉を成形した前駆体、あるいは、これを溶融した試料に、配向した種結晶を置くか又は埋め込んで接触させ、これを基点として種結晶と同じ方位になるように結晶成長を行うことが有効である。種結晶としては、分解溶融温度の高いSm123系、Nd123系材料が、通常、選択される(特許文献2、参照)。
【0009】
また、バルク超電導材料を大型化する際には、材料の機械強度を改善し、製造時のクラックの発生を抑制することも重要である。
【0010】
材料の機械強度を向上させる方法としては、Agの添加が非常に有効である(例えば、特許文献3、非特許文献1、参照)。Agを予め原料に添加して結晶成長を行うと、材料の製造時におけるクラックの発生が抑制されて、製造歩留りが向上するとともに、材料の捕捉磁場が改善され、高特性のRE−Ba−Cu−O系バルク超電導体を製造することができる。
【0011】
一方、バルク超電導体の臨界電流密度を高めるには、RE123超電導相中に磁束のピニングセンターとして分散させたRE211(REがNd等の場合はRE4Ba2Cu210、以下RE422と記す。)の粒子を微細化させることが重要であり、その方法として、Pt、Rh、CeO2等の添加がRE211相又はRE422相の微細化に有効であることが報告されている(例えば、非特許文献2、参照)。
【0012】
また、粒径の小さなRE211粉末を原料として使用することにより、結晶成長後の試料中に分散するRE211粒子を小さくすることができ、臨界電流密度を向上できることも報告されている(非特許文献3、参照)。
【0013】
特に、ボールミル粉砕等の方法により作製した超微細なRE211粉末を原料とした場合、結晶成長後のバルク超電導体内に分散するRE211粒子をサブミクロンオーダーにまで微細化することが可能となるため、臨界電流密度を非常に高くできることが知られている(非特許文献4、参照)。
【0014】
しかしながら、過度に微細RE211原料を用いた場合、試料内部のRE211粒子の分布が不均一になり、試料の各部分において臨界電流密度の大きなばらつきが生じて、臨界電流密度が低い部分が現れるため、試料の捕捉磁場がかえって低下するという問題を生じている(非特許文献5、参照)。
【0015】
また、材料によっては試料周辺部における核生成により、種結晶からのRE123相の結晶成長が阻害され、大きな結晶粒のバルク超電導体が得られないと言う問題も発生している(非特許文献6、参照)。
【0016】
【特許文献1】特開平2−153803号公報
【特許文献2】特開平5−193938号公報
【特許文献3】特開平11−180765号公報
【非特許文献1】H. Ikuta et al., Superconductor Science and Technology, Vol.11, p.1345 (1998)
【非特許文献2】N. Ogawa et al., Physica C, Vol.177, p.101 (1991)
【非特許文献3】S. Nariki et al., Superconductor Science and Technology, Vol.13, p.778 (2000)
【非特許文献4】S. Nariki et al., Physica C, Vol.357-360, p.811 (2001)
【非特許文献5】S. Nariki et al., Superconductor Science and Technology, Vol.17, p.S30 (2004)
【非特許文献6】S. Nariki et al., Superconductor Science and Technology, Vol.15, p.648 (2002)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0017】
以上説明してきたように、溶融法により作製したRE−Ba−Cu−O系バルク超電導材料を様々な分野に応用するためには、磁気浮上力、捕捉磁場分布をより向上させることが必要であり、そのためには、試料全体に渡って高い臨界電流密度を示す材料を開発する必要がある。
【0018】
前述のように微細なRE211(又はRE422)を原料として用いた場合、結晶成長後の試料中のRE211(又はRE422)相が微細化され、臨界電流密度が向上する。
【0019】
しかしながら、過度に微細なRE211(又はRE422)を原料とした場合には、微細組織及び特性が不均一になるため、局所的には非常に高い臨界電流密度が達成されるものの、同時に臨界電流密度がかえって低くなってしまう部分が生じるため、磁気浮上力や捕捉磁場が低下する問題があり、特性向上には限界がある。
【0020】
本発明の目的は、RE−Ba−Cu−O系バルク超電導材料の臨界電流密度の不均一性を低減し、バルク体全体に渡って高い臨界電流密度を有するバルク超電導材料とその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0021】
本発明者らは、RE123粉末と超微細なRE211粉末とが混合された顆粒状粒子を、RE123粉末と比較的粒径の大きなRE211粉末を含む混合粉と混合し、成形後の前駆体を結晶成長させることにより、微細なRE211粒子を含む領域が均一に導入されたバルク超電導材料の作製を試みた。
【0022】
その結果、臨界電流密度が非常に高く、かつ、試料内の特性のばらつきが小さいバルク超電導材料を製造できることを見出し、本発明に至った。
【0023】
本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、その要旨は以下の通りである。
【0024】
(1) RE1+xBa2-xCu3y(0≦x≦0.1、6.5≦y≦7.2、REはY、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの群から選ばれた少なくとも一つの元素)結晶中に、RE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d(0≦z≦0.1、−0.5≦d≦0.5)相の粒子が分散しているRE−Ba−Cu−O系酸化物超電導材料において、微細組織が異なる複数の領域が混在していることを特徴とする酸化物超電導材料。
【0025】
(2) 前記RE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の平均粒径が0.8μm以上である領域(A)と、0.8μm未満である領域(B)とが混在していることを特徴とする前記(1)に記載の酸化物超電導材料。
【0026】
(3) 前記領域(B)中に分散するRE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の平均粒径が、前記領域(A)中に分散するRE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の平均粒径の1/2以下であることを特徴とする前記(2)に記載の酸化物超電導材料。
【0027】
(4) 前記領域(B)の平均の大きさが10μm〜5mmの範囲にあることを特徴とする前記(2)又は(3)に記載の酸化物超電導材料。
【0028】
(5) 前記RE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の含有量が1〜60モル%の範囲であることを特徴とする前記(1)〜(4)の何れかに記載の酸化物超電導材料。
【0029】
(6) さらに、Pt、Rh又はCeの内少なくとも一つの元素を0.1〜5.0質量%含むことを特徴とする前記(1)〜(5)の何れかに記載の酸化物超電導材料。
【0030】
(7) さらに、Agを1〜50質量%含むことを特徴とする前記(1)〜(6)の何れかに記載の酸化物超電導材料。
【0031】
(8) 複数の異なるRE−Ba−Cu−O系原料粉を調製し、その内少なくとも一部を顆粒状粒子となるように造粒を行い、混合後、成形して前駆体を作製し、得られた前駆体を部分的に溶融後、冷却して超電導相を成長させることを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。
【0032】
(9) 前記顆粒状粒子の平均粒径が10μm〜5mmの範囲にあることを特徴とする前記(8)に記載の酸化物超電導材料。
【0033】
(10) 前記顆粒状粒子が、平均粒径1μm未満のRE2BaCuO5粉末又はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d粉末の一方又は双方を含有していることを特徴とする前記(8)又は(9)に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0034】
(11) 前記平均粒径1μm未満のRE2BaCuO5粉末又はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d粉末の一方又は双方を含む前記顆粒状粒子を、平均粒径が1μm以上のRE2BaCuO5粉末又はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d粉末の一方又は双方を含むRE−Ba−Cu−O系原料粉と混合後、成形して前記前駆体を作製することを特徴とする前記(10)に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0035】
(12) 前記平均粒径1μm未満のRE2BaCuO5粉末又はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d粉末の一方又は双方を含む前記顆粒状粒子の割合が、前駆体原料全体の20〜80質量%の範囲であることを特徴とする前記(10)又は(11)に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0036】
(13) 前記顆粒状粒子に有機バインダーが20質量%未満含有されていることを特徴とする前記(8)〜(12)の何れかに記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0037】
(14) 前記前駆体に含まれるRE、Ba、Cuの各元素のモル比率がRE:Ba:Cu=a:b:c(1.02≦a≦2.2、2.01≦b≦2.6、3.01≦c≦3.6)の範囲にあることを特徴とする前記(8)〜(13)の何れかに記載の酸化物超電導材料。
【0038】
(15) 前記前駆体中にPt、Pt化合物、Rh又はCe化合物の内少なくとも一つを元素換算で0.1〜5.0質量%含むことを特徴とする前記(8)〜(14)の何れかに記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0039】
(16) 前記前駆体中にAg又はAg化合物の一方又は双方をAg換算で1〜50質量%含むことを特徴とする前記(8)〜(15)の何れかに記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0040】
(17) 前記前駆体を部分溶融させる温度が950〜1200℃の範囲にあることを特徴とする前記(8)〜(16)の何れかに記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0041】
(18) 前記超電導相を結晶成長させる前の前駆体あるいは部分溶融体に、種結晶を置くか又は埋め込んだ後、種結晶を基点として超電導相を優先的に結晶成長させることを特徴とする前記(8)〜(17)の何れかに記載の超電導材料の製造方法。
【0042】
(19) 前記種結晶がRE’−Ba−Cu−O系結晶(RE’はNd又はSmの内の少なくとも一つの元素)であることを特徴とする前記(18)に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0043】
(20) 前記前駆体を部分溶融後、冷却するときの冷却速度が0.05〜10℃/hrの範囲であることを特徴とする前記(8)〜(19)の何れかに記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【0044】
(21) 前記超電導相の成長後、酸素雰囲気において250〜650℃の温度範囲内に加熱、保持することを特徴とする前記(8)〜(20)の何れかに記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【発明の効果】
【0045】
本発明によれば、超微細なRE211粉末が混合されたRE−Ba−Cu−O系原料からなる顆粒状粒子と、比較的粒径の大きなRE211粉末を含むRE−Ba−Cu−O系原料とが混合された前駆体を結晶成長させることにより、微細なRE211粒子を含む領域が均一に導入されたバルク超電導材料を作製できる。
【0046】
その結果、バルク超電導材料の臨界電流密度を向上できるだけではなく、特性のばらつきの低減が可能となるため、捕捉磁場、磁気浮上力が非常に優れたバルク超電導材料を提供することができ、フライホイール、磁気軸受け、超電導モータ、磁気分離装置、超電導バルクマグネット、電流リード等のバルク超電導材料を利用した産業分野において極めて有益である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0047】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0048】
本発明が対象としているRE−Ba−Cu−O系バルク超電導体は、RE123超電導相に磁束のピンニングセンターとして有効なRE211(又はRE422)粒子が分散した微細組織を有している。
【0049】
本発明の特徴は、一つのバルク超電導体中に微細組織が異なる複数の領域が混在していることである。具体的には、比較的粒径の大きなRE211(又はRE422)粒子を含む領域(以下、領域(A)と記す)と、非常に粒径の小さなRE211(又はRE422)粒子を含む領域(以下、領域(B)と記す)とが混在していることを特徴としている。
【0050】
微細なRE211(又はRE422)粒子を含む領域(B)は、臨界電流密度が非常に高く、この領域をバルク超電導体中に均一に導入することにより、バルク試料内での特性のばらつきが小さく、平均的に高い臨界電流密度を有する超電導材料を提供することができる。
【0051】
なお、本発明で得られるバルク超電導材料中のRE123相の組成はRE1+xBa2-xCu3y(0≦x≦0.1、6.5≦y≦7.2)で示され、希土類元素REの一部がBaサイトを置換していても良い。また、RE422相が分散する場合には、RE422相の組成はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d(0≦z≦0.1、−0.5≦d≦0.5)で示される組成範囲であっても良い。
【0052】
本発明の超電導材料中に分散するRE211(又はRE422)相の粒径は、まず、微細なRE211(又はRE422)相が分散する領域(B)においては、平均粒径(顕微鏡観察等により求めた球相当径)が少なくとも0.8μm未満、より好ましくは0.5μm以下である必要があり、これよりも粒径が大きい場合には、RE211相粒子の微細化による臨界電流密度向上の効果が乏しくなる。
【0053】
また、領域(A)でのRE211(又はRE422)相の平均粒径は0.8μm以上である必要があり、これよりも粒径が小さい場合には、バルク体内部の微細組織や超電導特性が不均一になったり、大きな結晶粒のバルク超電導体を得ることが困難になる。
【0054】
本発明の効果が特に顕著に現れるのは、領域(B)中のRE211(又はRE422)相の平均粒径が0.8μm未満、より好ましくは0.5μm以下であり、且つ、その平均粒径が、領域(A)内のRE211(又はRE422)相の粒径の1/2以下である場合である。この条件を満たしたときには、臨界電流密度が高い領域が均一に分散した高特性のバルク超電導材料を提供することが可能となる。
【0055】
本発明のバルク超電導材料において、微細なRE211(又はRE422)相が分散する領域(B)の大きさの平均値は、10μm〜5mmの範囲にあることが好ましく、領域の大きさがこの範囲よりも小さい場合には、バルク材料全体のRE211(又はRE422)相の分布が不均一になり易くなる。
【0056】
一方、領域(B)の大きさがこの範囲よりも大きい場合には、この領域(B)内においてRE211(又はRE422)相の分布が不均一になり、共に超電導材料としての特性が劣化する。
【0057】
本発明におけるRE211あるいはRE422相の含有量は、バルク全体で1〜60モル%の範囲で分散していることが好ましく、含有量がこの範囲外にある場合は、バルク超電導体としての平均的な臨界電流密度が低下する。
【0058】
本発明においては、RE211相あるいはRE422相の粒成長を抑制する目的から、Pt、Rh又はCeの内の少なくとも一つの元素を0.1〜5.0質量%含むことが必要である。これらの添加剤の量が0.1%未満の場合、領域(B)においても、RE211相あるいはRE422相が粗大化し易くなる。また、添加量が5.0質量%を超える場合には、超電導特性が低下する。
【0059】
さらに、本発明においては、既に公知のように、機械強度を改善する目的から、バルク超電導体中にAgを含有させても良い。特に、大型の試料を作製する場合には、Agの添加は非常に効果的である。なお、Agの含有量が1質量%未満の場合には、機械強度改善の効果が殆ど無く、大型の試料を作製した場合、試料中にクラックが入り易い。
【0060】
一方、Agの含有量が50質量%を超える場合には、超電導相の体積率の低下により臨界電流密度が低下する。したがって、Agの含有量は1〜50質量%の範囲とすることが好ましい。
【0061】
次に、本発明の超電導材料の製造方法について説明する。本発明の超電導材料は、複数の異なるRE−Ba−Cu−O系原料粉を調製し、その内の少なくとも一部を顆粒状粒子となるように造粒を行い、混合後、成形して前駆体を作製し、得られた前駆体を部分的に溶融後、冷却して、超電導相を成長させることにより製造される。
【0062】
ここで、RE−Ba−Cu−O系原料粉は、RE123、RE211、RE422、RE23、BaCO3、BaO2、Ba(NO32、CuO、BaCuO2等のRE系化合物、Ba系化合物、Cu系化合物あるいはこれらの複合化合物を、所定の割合に秤量し、混合することにより調製される。一般的には、RE123粉末とRE211粉末の混合物を用いる場合が多い。
【0063】
さらに、添加物として、Pt、Pt化合物、Rh又はCeO2等のCe化合物の内の少なくとも一つを元素換算で0.1〜5.0質量%、必要によりAg又はAg2O、AgNO3等のAg化合物の一方又は双方をAg換算で1〜50質量%添加する。
【0064】
従来のバルク超電導材料を製造する場合、一種類の均一なRE−Ba−Cu−O系原料粉を用いて材料が作製されるのが一般的である。これに対して、本発明のバルク超電導材料は、複数の異なるRE−Ba−Cu−O系原料粉を用いることによって、初めて製造することが可能である。
【0065】
さらに、本発明の超電導材料の製造方法における大きな特徴は、原料粉の一部として顆粒状の原料を用いることである。これは、結晶成長後の材料内に、粒径が0.8μm未満の微細なRE211(又はRE422)粒子を含む前記領域(B)を形成する上で必須の操作である。
【0066】
この領域を形成する目的で用いられる顆粒状粒子は、平均粒径が1μm未満の微細なRE211粉末(又はRE422)を含有しているRE−Ba−Cu−O系原料混合粉からなっている。
【0067】
即ち、顆粒状粒子は、このRE−Ba−Cu−O系原料混合粉を造粒することにより製造される。造粒方法は、溶媒と混練した原料をふるいに通す方法や、スプレードライ造粒、転動造粒、流動造粒等、種々の造粒機を用いた方法が選択される。
【0068】
なお、前記領域(A)を形成するための、粒径が比較的大きなRE211(又はRE422)粉末を含むRE−Ba−Cu−O系原料粉は、必ずしも顆粒状である必要はなく、出発原料を混合した粉末状であって良い。
【0069】
微細なRE211粉末を含むRE−Ba−Cu−O系顆粒状粒子の平均粒径は10μm〜5mmの範囲にあることが好ましい。顆粒の大きさがこの範囲よりも小さい場合には、バルク材料全体のRE211(又はRE422)相の分布が不均一になり易くなり、一方、顆粒の大きさがこの範囲よりも大きい場合には、結晶成長後の前記領域(B)内においてRE211(又はRE422)相の分布が不均一になり、共にバルク材料としての特性が劣化する。
【0070】
また、微細なRE211粉末を含むRE−Ba−Cu−O系顆粒状粒子の割合は、前駆体原料全体の20〜80質量%の範囲であることが望ましい。これは、微細なRE211粉末を含む顆粒の割合が20%未満の場合には、結晶成長後のバルク体に分散する微細なRE211粒子が少なくなり、臨界電流密度があまり向上しないためであり、一方、割合が80%を超える場合には、微細組織及び特性が不均一になり、本発明の効果が失われる恐れが高い。
【0071】
さらに、顆粒状粒子を他の原料と混合する際には、混合操作中に顆粒が破壊されるのを防ぐため、ポリビニルアルコールやアクリル系バインダー等の有機バインダーを添加して、顆粒の強度を高くしておくことが望ましい。
【0072】
この際、有機バインダーの含有量を20質量%以上とした場合には、顆粒の強度が高すぎて、加圧成形の際に顆粒が潰れなかったり、脱脂が不十分になる等の問題が発生するため、有機バインダーの量は20質量%未満とすることが好ましい。
【0073】
次の工程は、出発原料の混合粉を成形して前駆体とする工程である。これは通常、金型に原料混合粉を充填し、加圧成形する方法が一般的であり、必要により静水圧加圧(CIP)成形も用いられる。なお、場合によっては、成形体を焼成したものを前駆体として用いても構わない。
【0074】
次いで、前駆体を電気炉内に設置する。有機バインダーを含む前駆体の場合は、500〜700℃程度の温度までは、ゆっくり昇温を行い、バインダーを脱脂する。その後、950〜1200℃に加熱して、試料を部分溶融させる。部分溶融後の試料を徐冷して、超電導相を結晶成長させて、バルク超電導体を得る。
【0075】
通常、大きな結晶粒を得るための徐冷速度は、0.05〜10℃/hrの範囲である。徐冷工程における雰囲気は、通常、大気中で行われるが、希土類元素REがLa、Nd、Sm、Eu、Gdである場合には、超電導相内のRE/Ba置換による超電導転移温度の低下を抑える目的から、低酸素分圧とすることが望ましい。
【0076】
本発明で単一粒からなる大型のバルク体を得るためには、超電導相を結晶成長させる前の前駆体あるいは部分溶融体に、1個又は複数個の種結晶を置くか又は埋め込んだ後、種結晶を基点として超電導相を優先的に結晶成長させることが有効である。
【0077】
この際に用いられる種結晶は、前駆体よりも分解溶融温度が高い必要があり、RE123化合物の中で分解溶融温度が比較的高いNd−Ba−Cu−O系結晶、Sm−Ba−Cu−O系結晶あるいはこれらの固溶体を用いることが好ましい。
【0078】
最後に、結晶成長後のバルク体は、通常、酸素量が不足しており、酸素を付加するため、酸素雰囲気において250〜650℃の温度範囲内に加熱、保持することが必要である。この工程を経て、初めて高特性のバルク体が得ることが可能となる。
【実施例】
【0079】
以下、本発明の実施例を比較例と共に説明する。
【0080】
(実施例1)
23、BaO2及びCuOを1:1:1のモル比になるように混合し、870℃で4hr仮焼して、Y2BaCuO5(Y211)粉末とした。さらに、この仮焼粉をZrO2−Y23ボールを媒体としたボールミルを用いて、2hr粉砕を行い、Y211超微粉末(平均粒径0.1μm)を作製した。
【0081】
このY211超微粉末を、Y123粉末に対して、40モル%添加し、さらに、Ptを0.5質量%添加して混合した。得られた混合粉に、アクリル系バインダーを固形分換算で1質量%加えて、混練を行い、ふるいを通して、粒径0.3〜2mm(平均粒径約1mm)の造粒粉を作製した。
【0082】
一方、Dy23、BaO2及びCuOを1:1:1のモル比になるように混合し、1100℃で8hr仮焼して、平均粒径2μmのDy211仮焼粉を作製した。このDy211粉末を、Dy123粉末に対し、40モル%添加し、さらにPtを0.5質量%添加後、混合粉した。
【0083】
次に、Dy−Ba−Cu−O系混合粉中に、Y211超微粉末を含むY−Ba−Cu−O系顆粒状原料を混合した。ここで、Dy−Ba−Cu−O系混合粉とY−Ba−Cu−O系顆粒状原料との比率は質量比で2:1とした。混合物を一軸プレス成形し、直径20mm、高さ約15mmの前駆体とした。
【0084】
この前駆体の上面に、大きさ2mm程度のNd123系種結晶を設置後、大気中、1040℃で1hr加熱し、前駆体を部分溶融させた。その後、1020℃〜980℃の範囲を0.5℃/hrの速度で徐冷し、RE123相を結晶成長させた。
【0085】
図1は、本実施例のバルク超電導体の製造方法をまとめたフローチャートである。得られた試料は、c軸配向した単一結晶粒からなっていた。
【0086】
試料のc軸に平行な断面を切断、研磨後、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて微細組織を観察した。図2に、本発明で得られたバルク超電導材料の組織を示す。本実施例のバルク超電導体の組織は、RE211の粒径が異なる二つの領域からなっており、微細なRE211を含む領域の大きさは平均1mm程度であった。
【0087】
図3に、試料断面のSEM写真を示す。この図は、微細なRE211粒子を含む領域と、比較的大きいRE211粒子を含む領域との界面付近の様子を示している。RE211粒子が結晶成長中に相互に拡散している様子は見られない。
【0088】
次いで、バルク体を450℃で100hr、酸素気流中でアニールを行ない、123結晶中に酸素を付加した。酸素アニール後の試料の種々の箇所から大きさ約2.5×2.5×1.5mm3程度の試験片を切り出し、超電導量子干渉型磁束計(SQUID)を用いて、77Kにおけるヒステリシスループを測定し、臨界電流密度の磁場依存性を求めた。
【0089】
図4に、バルク体内部において、臨界電流密度を測定した代表的な箇所を示し、図5に、それらの各箇所での臨界電流密度の磁場依存性を示す。何れの箇所から切り出した試験片においても、自己磁場下における臨界電流密度が80000〜100000A/cm2の非常に高い値を有する、良好な特性が得られている。
【0090】
(比較例1)
実施例1と同じ方法で作製したY211超微粉末を、Y123粉末に対し40モル%過剰に添加し、さらにPtを0.5質量%添加後、混合した。混合粉を一軸プレス成形し、直径20mm、高さ約15mmの前駆体とした。
【0091】
この前駆体の上面に、大きさ2mm程度のNd123系種結晶を設置し、実施例1と同様の方法で、RE123相を結晶成長させた。試料のc軸に平行な断面を切断、研磨後、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて微細組織を観察した。
【0092】
図6に、本比較例のバルク超電導材料の微細組織の代表的な観察箇所を、模式的に示す。また、図6に示された種結晶付近及び試料側面部のSEM写真を、図7に示す。
【0093】
試料側面部では多くのRE211粒子が分散しているのに対し、種結晶付近ではRE211粒子が殆ど見られず、材料の組織が著しく不均一となっていることが分かる。
【0094】
次いで、本比較例のバルク超電導体を450℃で100hr、酸素気流中でアニールを行なった後、各箇所から切り出した試験片の臨界電流密度の磁場依存性を測定した。図8に、図6に示された種結晶付近及び試料側面部での、臨界電流密度の磁場依存性を示す。
【0095】
試料側面部では高い臨界電流密度が得られているが、種結晶付近ではRE211粒子が殆ど無いことにより、低磁場領域での臨界電流密度が低下しており、材料の微細組織の不均一性を反映して、臨界電流密度特性も大きくばらついていることが分かる。
【0096】
(実施例2)
Dy23、BaO2及びCuOを1:1:1のモル比になるように混合し、900℃で4hr仮焼して、Dy211粉末とした。さらに、この仮焼粉を4hrボールミル粉砕して、Dy211超微粉末(平均粒径0.1μm)を作製した。
【0097】
このDy211超微粉末を、Dy123粉末に対し40モル%添加し、さらに、Ptを0.5質量%、Ag粉末を8質量%添加後、混合した。得られた混合粉にアクリル系バインダーを固形分換算で1質量%加えて混練を行い、ふるいを通して、平均粒径0.8mmの造粒粉を作製した。
【0098】
これとは別に、Dy23、BaO2及びCuOを1:1:1の混合粉を1100℃で8hr仮焼して、平均粒径2μmのDy211仮焼粉とした。Dy211仮焼粉を、Dy123に対し40モル%添加し、さらにPtを0.5質量%、Ag粉末を8質量%添加した混合粉を作製した。
【0099】
Dy211超微粉末を含むDy−Ba−Cu−O系顆粒状原料と、平均粒径2μmのDy211仮焼粉を含むDy−Ba−Cu−O系混合粉とを1:1の比で混合した。直径40mmの金型に、混合粉約110gを充填し、予備的に一軸加圧成形を行った。次いで、1.96×104N/cm2の圧力で静水圧加圧(CIP)成形を行って、前駆体を作製した。
【0100】
大気中、1080℃で前駆体を部分溶融後、1020℃で大きさ3mm程度のNd123系種結晶を種付けし、995℃から0.2℃/hrの速度で徐冷することにより、結晶成長を行った。この際、前駆体の上下に5℃の温度勾配を与えながら、徐冷を行った。得られたバルク体は、直径32mmのc軸配向した単一ドメインのバルク体であった。
【0101】
次に、得られたバルク体の捕捉磁場を測定した。即ち、450℃で300hr、酸素アニール処理を施したバルク体を、液体窒素中、5Tで磁場中冷却後、外部磁場を0Tに戻し、バルク体上面から1.2mmの位置でホール素子を走査して磁場分布を測定した。バルク体の最大捕捉磁場は1.7Tの高い値を示した。
【0102】
(比較例2)
Dy23、BaO2及びCuOを1:1:1の混合粉を1100℃で8hr仮焼して、平均粒径2μmのDy211粉末を作製した。このDy211粉末を、Dy123粉末に対し40モル%添加し、さらに、Ptを0.5質量%、Ag粉末を8質量%添加後、混合した。
【0103】
この原料を用いて、実施例2と同じ操作により、直径32mmの単一ドメインのバルク体を作製した。酸素アニール後のバルク体の捕捉磁場を測定したところ、バルク体の捕捉磁場は、77Kで0.75Tであった。
【0104】
(比較例3)
Dy23、BaO2及びCuOを1:1:1のモル比になるように混合し、900℃で4hr仮焼して、Dy211仮焼粉を得た。さらに、この仮焼粉を4hrボールミル粉砕して、Dy211超微粉末(平均粒径0.1μm)を作製した。
【0105】
このDy211超微粉末を、Dy123粉末に対して40モル%添加し、さらに、Ptを0.5質量%、Ag粉末を8質量%添加した後、混合した。この原料を用いて、実施例2と同じ操作により、直径32mmのバルク体を作製した。
【0106】
得られたバルク体は、試料側面付近からの核生成によって、単一粒の大きさは約24mm程度に止まった。酸素アニール後のバルク体の捕捉磁場を測定したところ、バルク体の捕捉磁場は77Kで0.23Tの低い値であった。
【図面の簡単な説明】
【0107】
【図1】実施例1の超電導材料の製造方法のフローチャートを示す図である。
【図2】実施例1のバルク超電導材料の組織を模式的に示す図である。
【図3】実施例1のバルク超電導材料の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した組織写真を示す図である。
【図4】実施例1のバルク超電導材料において、臨界電流密度を測定した箇所を模式的に示す図である。
【図5】実施例1のバルク超電導材料において、図4で示された各箇所から切り出した試験片の77Kでの臨界電流密度の磁場依存性を示す図である。
【図6】比較例1のバルク超電導材料内において、微細組織及び臨界電流密度を測定した箇所を模式的に示す図である。
【図7】比較例1のバルク超電導材料において、図6で示された箇所を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察した組織写真を示す図である。ここで、上図は図6のAの箇所(種結晶付近)、下図は図6のBの箇所(試料側面部分)の組織写真を示す。
【図8】比較例1のバルク超電導材料において、図6で示された各箇所から切り出した試験片の77Kでの臨界電流密度の磁場依存性を示す図である。
【符号の説明】
【0108】
1 種結晶
2 粒径が大きなRE211粒子を含む領域
3 微小なRE211粒子を含む領域

【特許請求の範囲】
【請求項1】
RE1+xBa2-xCu3y(0≦x≦0.1、6.5≦y≦7.2、REはY、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの群から選ばれた少なくとも一つの元素)結晶中に、RE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d(0≦z≦0.1、−0.5≦d≦0.5)相の粒子が分散しているRE−Ba−Cu−O系酸化物超電導材料において、微細組織が異なる複数の領域が混在していることを特徴とする酸化物超電導材料。
【請求項2】
前記RE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の平均粒径が0.8μm以上である領域(A)と、0.8μm未満である領域(B)とが混在していることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導材料。
【請求項3】
前記領域(B)中に分散するRE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の平均粒径が、前記領域(A)中に分散するRE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の平均粒径の1/2以下であることを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導材料。
【請求項4】
前記領域(B)の平均の大きさが10μm〜5mmの範囲にあることを特徴とする請求項2又は3に記載の酸化物超電導材料。
【請求項5】
前記RE2BaCuO5相あるいはRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d相の含有量が1〜60モル%の範囲であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の酸化物超電導材料。
【請求項6】
さらに、Pt、Rh又はCeの内少なくとも一つの元素を0.1〜5.0質量%含むことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の酸化物超電導材料。
【請求項7】
さらに、Agを1〜50質量%含むことを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の酸化物超電導材料。
【請求項8】
複数の異なるRE−Ba−Cu−O系原料粉を調製し、その内少なくとも一部を顆粒状粒子となるように造粒を行い、混合後、成形して前駆体を作製し、得られた前駆体を部分的に溶融後、冷却して超電導相を成長させることを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項9】
前記顆粒状粒子の平均粒径が10μm〜5mmの範囲にあることを特徴とする請求項8に記載の酸化物超電導材料。
【請求項10】
前記顆粒状粒子が、平均粒径1μm未満のRE2BaCuO5粉末又はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d粉末の一方又は双方を含有していることを特徴とする請求項8又は9に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項11】
前記平均粒径1μm未満のRE2BaCuO5粉末又はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d粉末の一方又は双方を含む前記顆粒状粒子を、平均粒径が1μm以上のRE2BaCuO5粉末又はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d粉末の一方又は双方を含むRE−Ba−Cu−O系原料粉と混合後、成形して前記前駆体を作製することを特徴とする請求項10に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項12】
前記平均粒径1μm未満のRE2BaCuO5粉末又はRE4-2zBa2+2zCu2-z10-d粉末の一方又は双方を含む前記顆粒状粒子の割合が、前駆体原料全体の20〜80質量%の範囲であることを特徴とする請求項10又は11に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項13】
前記顆粒状粒子に有機バインダーが20質量%未満含有されていることを特徴とする請求項8〜12の何れか1項に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項14】
前記前駆体に含まれるRE、Ba、Cuの各元素のモル比率がRE:Ba:Cu=a:b:c(1.02≦a≦2.2、2.01≦b≦2.6、3.01≦c≦3.6)の範囲にあることを特徴とする請求項8〜13の何れか1項に記載の酸化物超電導材料。
【請求項15】
前記前駆体中にPt、Pt化合物、Rh又はCe化合物の内少なくとも一つを元素換算で0.1〜5.0質量%含むことを特徴とする請求項8〜14の何れか1項に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項16】
前記前駆体中にAg又はAg化合物の一方又は双方をAg換算で1〜50質量%含むことを特徴とする請求項8〜15の何れか1項に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項17】
前記前駆体を部分溶融させる温度が950〜1200℃の範囲にあることを特徴とする請求項8〜16の何れか1項に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項18】
前記超電導相を結晶成長させる前の前駆体あるいは部分溶融体に、種結晶を置くか又は埋め込んだ後、種結晶を基点として超電導相を優先的に結晶成長させることを特徴とする請求項8〜17の何れか1項に記載の超電導材料の製造方法。
【請求項19】
前記種結晶がRE’−Ba−Cu−O系結晶(RE’はNd又はSmの内少なくとも一つの元素)であることを特徴とする請求項18に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項20】
前記前駆体を部分溶融後、冷却するときの冷却速度が0.05〜10℃/hrの範囲であることを特徴とする請求項8〜19の何れか1項に記載の酸化物超電導材料の製造方法。
【請求項21】
前記超電導相の成長後、酸素雰囲気において250〜650℃の温度範囲内に加熱、保持することを特徴とする請求項8〜20の何れか1項に記載の酸化物超電導材料の製造方法。

【図1】
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【図5】
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【図8】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2006−62897(P2006−62897A)
【公開日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−245677(P2004−245677)
【出願日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【出願人】(000006655)新日本製鐵株式会社 (6,474)
【出願人】(391004481)財団法人国際超電導産業技術研究センター (144)
【Fターム(参考)】