金属構造体及びその製造方法
【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、少ない工程で、特定のパターンの金属膜を形成できるようにする。
【解決手段】 基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、金属膜を形成する部分を、凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、電気めっきによって前記導電体上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。めっき液中には、シアニン色素のように、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を添加することが望ましい。凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することができる。
【解決手段】 基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、金属膜を形成する部分を、凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、電気めっきによって前記導電体上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。めっき液中には、シアニン色素のように、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を添加することが望ましい。凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板上に金属膜を有する金属構造体とその製造方法に関する。本発明は、反射板などの光学部品、金型とするスタンパ、検査用プローブ、熱交換器などに適用するのに適する。
【背景技術】
【0002】
電子機器や光学部品などでは、基板表面に特定のパターンを有する金属膜が形成された金属構造体が使用される。特定のパターンを形成する方法はいくつか知られており、たとえば、フォトレジストを用いる方法、コンタクトプリンティングを用いる方法、インクジェットによる印刷を用いる方法、走査型プローブ顕微鏡を用いる方法などがある。
【0003】
具体的な方法としては、基板上にエッチング速度の異なる凹凸形成層及びレジストパターンを積層し、フォトリソ工程及びエッチングを行い、凹凸形状を有する構造体を形成する方法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。また、対象物の表面上にレジスト物質層を形成し、大面積のスタンプを用いてレジスト物質層の表面上に自己集合単分子層を形成し、レジスト物質層にエッチングをし、対象物の表面にエッチングまたはめっきを行うことで、金属構造体を形成する方法が知られている(たとえば、特許文献2参照)。また、レーザー光を照射することにより、開口部の大きさが5〜100μmの微細凹部を規則的に形成する方法が知られている(たとえば、特許文献3参照)。
【0004】
【特許文献1】特開平7−198918号公報
【特許文献2】特開平10−12545号公報
【特許文献3】特開2000−158157号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
フォトリソグラフィ法では、レジスト膜の形成、露光、現像と多くの工程が必要であり、装置や使用する薬品のコストが高くなる。また、使用する薬品の量が多いため、使用した薬品の廃棄による環境汚染の可能性がある。
【0006】
レジスト膜を用いてエッチングを行う方法では、レジスト膜の使用に伴うコスト増加と使用した薬品の廃棄による環境汚染の可能性がある。
【0007】
レーザー光を照射する方法では、レーザー光の照射面積が限られるため、大面積の構造体では形成に時間がかかる問題がある。
【0008】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、少ない工程で、微細な特定のパターンの金属膜を形成できるようにした金属構造体の製造方法、ならびに金属構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、前記金属膜が形成される部分を、凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、前記導電体の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする金属構造体の製造方法にある。
【0010】
また、基板上に金属膜を有する金属構造体において、前記金属膜を有する部分が導電体で形成され、前記導電体の表面の少なくとも一部に凹凸形状を有し、前記凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜が形成されていることを特徴とする金属構造体にある。
【発明の効果】
【0011】
本発明により、特定の微細なパターンを有する金属膜を少ない工程で形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
本発明者らは、給電層となる導電体膜に凹凸形状を形成した後、適切な添加剤を加えて電気めっきを行うことで、凹凸形状のある部分に優先的にめっきが可能であることを見出した。凹凸形状を有する部分に、特定のパターンで、めっき膜を優先的に成長させるためには、めっき液中に添加剤として、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を加えることが有効である。めっき反応を抑制する特性は、添加剤を加えることで金属の析出過電圧が大きくなることで確認できる。めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う特性は、めっき液の流速が速い程つまり添加剤の導電体表面への供給速度が速い程、金属の析出過電圧が大きくなることで確認できる。添加剤がめっき反応抑制効果を失うときには、添加剤は分解されて別の物質に変化、或いは、還元されて酸化数の異なる物質に変化する場合がある。
【0013】
前記のような添加剤を含むめっき液を用いてめっきを行うと、めっき反応の進行と共に導電体表面では添加剤がその効果を失うために、めっき反応に関与する実効的な添加剤濃度が減少する。凹凸形状がある部分では、凹凸形状がない部分に比べて相対的に表面積が大きく添加剤の減少速度が速いため、導電体表面近傍での添加剤濃度はより低くなる。したがって、導電体上の凹凸形状のある部分ではめっき反応を抑制する添加剤の効果が少なくなり、凹凸形状のない部分に比べてめっき反応は優先的に進行することになる。
【0014】
この現象は添加剤の導電体上への拡散と、導電体表面での反応とのバランスによって実現される。添加剤の導電体上への拡散速度は、めっき液中の添加剤濃度に大きく影響を受け、添加剤の導電体上での反応速度はめっき時の電流密度に大きく影響を受ける。したがって、これらのパラメータを変えることで、添加剤の濃度分布を制御することが可能となり、凹凸形状のある部分にめっき膜を優先的に析出させることが可能となる。
【0015】
本発明の金属構造体製造方法に関する実施態様について記載する。
【0016】
1つの方法では、基板を導電体で形成し、導電体基板上に少なくとも一部に凹凸形状を形成し、この凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する。
【0017】
他の1つの方法では、基板を導電体で形成し、導電体基板上に凹凸形状を形成し、凹凸形状を形成した部分のうち、金属膜を形成しない部分の凹凸を平坦化したのち、前記凹凸形状を有する部分に電気めっきによって金属膜を形成する。
【0018】
他の1つの方法では、基板を絶縁体で形成し、絶縁体基板上の金属膜を形成する部分に凹凸形状を形成し、前記凹凸形状を維持したまま絶縁体基板上に導電体を形成し、前記導電体上の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する。
【0019】
他の1つの方法では、基板を絶縁体で形成し、絶縁体基板上に凹凸形状を形成し、その後、前記凹凸形状を維持したまま絶縁体基板上に導電体を形成し、金属膜を形成しない部分の凹凸を平坦化したのち、電気めっきを行う。
【0020】
他の1つの方法では、電気めっきによって基板上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成した後、前記凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜を除去する。
【0021】
他の1つの方法では、基板を絶縁体で形成し、絶縁体基板上の一部に凹凸形状を形成し、前記凹凸形状を維持したまま絶縁体基板上に導電体を形成し、導電体上に電気めっきによって金属膜を形成し、凹凸形状を有しない部分の金属膜および導電体を除去する。
【0022】
基板上の特定の部分に、電気めっきによって優先的に金属膜を形成するために、金属膜を形成する部分は導電体で形成する必要がある。基板が導電体ではなく絶縁体で形成されているときには、絶縁体基板の上に導電体の層を形成する必要がある。
【0023】
また、導電体上に、電気めっきによって特定のパターンの金属膜を形成するために、パターン形成部分を凹凸面とする必要がある。めっき膜は凹凸面に優先的に形成され、特定パターンに金属膜を形成することが可能となる。凹凸面の粗さの状態には適切な範囲があり、表面粗さが適切であるときには、その部分に優先してめっき膜が形成される。凹凸形状を有する部分は、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが、凹凸形状を有しない部分のRaに比べて大きいことが望ましい。また、凹凸形状を有する部分は、JIS B0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmが、凹凸形状を有しない部分のRSmに比べて小さいことが望ましい。凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される算術平均粗さRaは0.01〜4μmであり、粗さ曲線要素の平均長さRSmは0.005〜8μmであることが望ましい。Raが0.1〜1μmであり、RSmが0.05〜2μmであることが特に望ましい。
【0024】
凹凸面に優先的に金属膜を形成させるために、めっき液の添加剤も重要である。本発明では、めっきする金属の析出過電圧を大きくする物質を、めっき液中に少なくとも1種類添加することが望ましい。特に、めっき液の流速を増加させる前に比べて、流速を増加させた後で、めっきする金属の析出過電圧が大きくなるようにする物質を添加することが望ましい。このような機能を有する物質として、シアニン色素がある。シアニン色素としては、特に次の化学構造式(Xは陰イオンであり、nは0,1,2,3のいずれか)で表される化合物が好ましい。
【0025】
【化1】
【0026】
本発明は、銅または銅合金の電気めっきにおいて、その効果が顕著に認められた。
【0027】
本発明の1つの実施態様では、既に述べたように金属膜を形勢しない部分に設けられた凹凸形状を消去する平坦化処理が施される。この平坦化処理では、凹凸面の表面粗さがJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.01〜4μmであるときには、平坦化処理によってRaが0〜0.005μmになるまで平坦化することが望ましい。また、凹凸面の表面粗さが、粗さ曲線要素の平均長さRSmで0.005〜8μmであるときには、平坦化処理によってRSmが10〜100μmになるまで平坦化することが望ましい。また、凹凸面の表面粗さがJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.1〜1μmであるときには、平坦化処理によってRaを0〜0.05μmにし、粗さ曲線要素の平均長さRSmで0.05〜2μmであるときには、平坦化処理によってRSmを4〜40μmにすることが望ましい。
【0028】
本発明によれば、凹凸形状を有する部分に電気めっきによって形成された金属膜の厚さ(T)に対する、凹凸形状を有しない部分に形成された金属膜の厚さ(t)の比、すなわち(T)/(t)を1以上、更には10以上にすることができ、100以上にすることもできる。
【0029】
導電体上に特定のパターンの金属膜を有し、前述の(T)/(t)の比が1以上、特に10以上である金属構造体は、光学部品の反射板に適用可能である。また、熱交換器に使用可能である。このほかに、検査用のプローブ或いは金型のスタンパ等として使用可能である。
【0030】
以下、具体的実施例について、図面を用いて説明する。なお、実施例及び比較例の結果をまとめたものを表4に示す。
【実施例1】
【0031】
図1(a)に示した、幅50μmにわたって300nm間隔で幅300nm、高さ600nmの溝を有する配線パターンが5μm間隔で形成されたシリコン製の金型4に、図1(b)に示すように無電解めっきによって導電体基板1としてニッケル膜を形成した。めっき後、図1(c)に示すようにニッケル膜をシリコン金型4から剥がした。シリコン金型を剥がしたニッケル膜表面の凹凸形状を観察した結果、ニッケル膜が金型4の凹凸形状を維持していることを確認した。次に、ニッケル膜よりなる導電体基板1を電気めっき用治具に固定して、電気めっきを行い、図1(d)に拡大図を示し、図1(e)に全体図を示すように導電体基板1の表面に特定のパターンの金属膜2を形成した。なお、図1(e)では、導電体基板1の一部が表面に露出しているかのように描かれているが、実際には表面全体が金属膜2で覆われ、凹凸部に形成された金属膜2の厚さが他の部分に比べて厚くなっている。電気めっきは、表1に示す組成のめっき液を用いて行った。添加剤には、2-[3-(1,3-Dihydro-1,3,3-trimethyl-2H-indol-2-ylidene)-1-propenyl]-1,3,3-trimethyl-3H-indolium chlorideを使用した。
【0032】
【表1】
【0033】
めっき時間は20分、電流密度は1.3A/dm2、めっき液の温度は25℃とし、アノードには含リン銅板を用いた。電気めっき後に基板断面を観察したところ、めっき後の金属膜2すなわち銅膜の厚さは、凹凸形状を有する部分では最大で35μm、凹凸形状を有しない部分では0.45μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は78となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例2】
【0034】
図2(a)に示すように、導電体基板1として厚さ1mmの銅箔を用いた。図2(b)に示すように、銅箔表面に粗化処理を行って凹凸形状を形成した。粗化処理にはサンドブラストを用いた。サンドブラストは、100μm角の正方形のマスクパターンを通して、アルミナ微粒子を銅表面に吹き付けることで行った。粗化処理した銅箔表面の凹凸形状の表面粗さを表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaは0.4μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmは1.1μmとなっていた。銅表面を粗化処理した後に電気めっきを行い、図2(c)に示すように銅めっき膜よりなる金属膜2を形成した。電気めっきはめっき時間が25分、電流密度を0.5A/dm2とした以外は実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件で行った。
【0035】
電気めっき後に基板断面を観察したところ、めっき後の銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で15μm、凹凸形状を形成していない部分では0.1μmであり、図12に示す膜厚の比H1HH2は150となった。以上の結果、図2(d)および図2(e)に示すように凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体を製造できた。なお、図2(d)および図2(e)では、導電性基板1の表面の一部にのみ金属膜2が形成されているように描かれているが、実際には図2(c)に示すように全体に金属膜が形成されており、凹凸部の金属膜の厚さが他の部分に比べて厚くなっている。
【実施例3】
【0036】
図3(a)に示すように、表面の凹凸形状がJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.05μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmで0.04μmであり、幅10μmのパターンが形成されたチタン板を金型4として用いた。このチタン板上に、図3(b)に示すように電気めっきによって導電体基板1として銅膜を形成した。めっき後、図3(c)に示すように銅膜を金型4から剥がして導電体基板として用いた。金型4を剥がした銅膜表面の凹凸形状を観察した結果、表面の凹凸形状がJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.05μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmで0.04μmとなっており、銅膜が金型4の表面形状を維持していることがわかった。
【0037】
次に図3(d)に示すように、凹凸形状のパターンが形成されていない部分へ、銅微粒子を分散させた溶液をインクジェット法により印刷し、その後、真空中で300℃、30分間アニールを行って、図3(d)に示すように導電体基板の一部を平坦化した。銅微粒子を吹き付けた部分の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、表面粗さはJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.005μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmで11μmとなり、銅膜表面が平坦化されたことがわかった。次に、電気めっきを行って、図3(e)に示すように金属膜2として銅膜を形成した。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。
【0038】
電気めっき後に基板断面を観察したところ、銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で10μm、凹凸形状を形成していない部分では0.5μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は20となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例4】
【0039】
導電体基板として、図4(a)に示すように厚さ18μmの銅箔を用いた。導電体基板の全面に粗化処理を施して、図4(b)に示すように凹凸形状を形成した。粗化処理は日本マクダーミッド株式会社製マルチボンドを用い、表2に示す工程を用いた。銅粗化液としては、上記の他にメック株式会社のメックエッチボンド、シプレイ・ファーイースト株式会社のサーキュボンド、日本アルファメタルズ株式会社のアルファプレップなどを用いることができる。
【0040】
【表2】
【0041】
銅粗化処理後の銅表面の凹凸形状を表面粗さ測定装置によって測定した結果、表面粗さは、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.5μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが1.3μmとなっていた。次に図4(c)に示すように、電気めっきで金属膜を形成する部分を除いて、凹凸部を平坦化した。平坦化処理は、銅微粒子を含む溶液をスクリーン印刷により印刷し、その後、真空中で350℃、30分間アニールを行うことによって行った。銅微粒子を印刷した部分の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、表面粗さはJIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.005μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが11μmとなり、銅膜表面が平坦化されたことがわかった。次に、電気めっきを行って銅膜を形成し、図4(d)に示す金属構造体を得た。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。
【0042】
電気めっき後に基板断面を観察したところ、銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で10μm、凹凸形状を形成していない部分では0.4μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は25となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例5】
【0043】
絶縁体基板3としてエポキシ樹脂の板を用い、図5(a)に示すように絶縁体基板3の表面に幅10μmにわたって、250nm間隔で、幅250nm、高さ400nmの凸部を有するシリコン製の金型4を押しつけて凹凸形状を形成した。絶縁体基板をガラス転移温度付近まで加熱した状態で金型を押しつけることで、絶縁体基板3を軟化させて、金型4と同じ形状に変形させることができた。絶縁体基板3と金型4を25℃まで冷却した後、絶縁体基板3を金型4から引き剥がし、図5(b)に示す絶縁体基板を得た。
【0044】
次に、絶縁体基板3の表面に、スパッタ法によりニッケル:クロムの比が1:1のニッケル・クロム膜を10nm厚さに形成し、更に、その上に化学気相成長法により100nmの厚さの銅膜を形成した。絶縁体基板上にニッケル・クロム膜と銅膜を形成した状態を図5(c)に示す。なお、図5(c)では、ニッケル・クロム膜と銅膜をまとめて導電体5として表している。導電体5を形成した後の表面の凹凸形状を観察した結果、絶縁体基板3の凹凸形状を維持していることがわかった。導電体5の形成直後に電気めっきを行い、銅めっき膜を形成した。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。
【0045】
めっき後の銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で10μm、凹凸形状を形成していない部分では0.3μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は33となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例6】
【0046】
厚さ25μmのポリイミド樹脂フィルムを絶縁体基板として用いた。図6(a)に示す絶縁体基板3に表面粗化処理を行い、図6(b)に示すように凹凸形状を形成した。粗化処理は、表3に示す工程を用いた。粗化処理液は、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムとの混合溶液に限定されず、クロム酸と硫酸との混合溶液、クロム酸とホウフッ化水素酸との混合溶液などを用いることができる。
【0047】
【表3】
【0048】
粗化処理後のポリイミドフィルム表面の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが2.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが4.0μmとなっていた。次に、スパッタ法によりマスクを通して、絶縁体基板3の表面の一部に配線幅10μmの導電体5を形成した。導電体1は、厚さ0.01μmのニッケル膜とニッケル膜上に形成した厚さ0.5μmの銅膜の積層膜からなる。導電体5としては、ニッケルと銅の積層膜に限定されず、クロムと銅の積層膜などを用いることができる。絶縁体基板3の表面に導電体5を形成した状態を図6(c)に示す。導電体5を形成後の表面の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが2.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが4.0μmとなっており、絶縁体基板3の凹凸形状を維持していることがわかった。
【0049】
導電体5を形成直後に電気めっきを行い、銅めっき膜を形成した。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。めっき後の銅めっき膜の最大厚さは15μmであり、導電体5を有する部分に選択的に銅めっき膜が形成されていた。図12に示す膜厚の比H1/H2は27となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例7】
【0050】
JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが1.1μmの凹凸形状を有する銅箔に、ポリアミック酸を塗布、加熱してポリイミド膜を形成した。その後、銅箔を硫酸と過酸化水素を含む溶液でエッチングして除去し、図7(a)に示す絶縁体基板3を得た。絶縁体基板3の表面粗さは、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが1.1μmとなっていた。次に、図7(b)に示すように、絶縁体基板3をガラス転移温度付近まで加熱し、この状態を保持しながら、基板の表面に幅10μmの凹部を有するシリコン製の金型4を押しつけた。この時、金型4の凹部は絶縁体基板3に触れないようにした。
【0051】
次に、絶縁体基板3と金型4を25℃まで冷却した後、両者を引き剥がし、図7(c)に示すように、表面の一部が平坦化された絶縁体基板3を得た。平坦化された部分の表面粗さを表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.006μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが9μmとなっていた。次に、絶縁体基板3の表面にスパッタ法によりニッケル:クロムの比が1:1の膜を10nm厚さに形成し、その上に蒸着法により100nmの厚さの銅膜を形成した。図7(d)は、絶縁体基板3の凹凸面にニッケル・クロム膜と銅膜との積層膜よりなる導電体5が形成された状態を示している。凹凸部の表面粗さを測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが1.1μmとなっており、絶縁体基板3の凹凸形状を維持していることがわかった。
【0052】
導電体5の形成直後に電気めっきを行い、銅めっき膜を形成した。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で10μm、凹凸形状を形成していない部分では0.33μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は30となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例8】
【0053】
絶縁体基板3としてポリイミド樹脂を用いた。図8(a)に示すポリイミド樹脂の表面を、クロム酸と硫酸の混合溶液を用いて粗化処理し、図8(b)に示すように凹凸形状を形成した。凹凸形状が形成された部分の表面粗さを測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.2μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが0.8μmとなっていた。次に、図8(c)に示すように、絶縁体基板3の表面の一部に絶縁体6である光硬化性樹脂をスクリーン印刷法によって印刷し硬化させて、凹凸部を埋め込んだ。樹脂を埋め込んで凹凸形状を平坦化した部分の表面粗さを測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.006μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが9μmとなっていた。
【0054】
次に、絶縁体基板3の表面の凹凸形状が形成された部分に、スパッタ法によりニッケルとクロムの比が1:1のニッケル・クロム膜を10nm厚さに形成し、その上に蒸着法により100nm厚さの銅膜を形成して、図8(d)に示すように、ニッケル・クロム膜と銅膜の積層体よりなる導電体5を形成した。導電体5を形成した後の凹凸部の表面粗さを測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.2μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが0.8μmとなっており、導電体5が絶縁体基板3の凹凸形状を維持していることがわかった。
【0055】
導電体5の形成直後に電気めっきを行い、図8(e)に示すように銅めっき膜を形成した。電気めっきは、実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。銅めっき膜の厚さは、凹凸形状を形成した部分が最大で15μm、凹凸形状を形成していない部分では0.55μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は27となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例9】
【0056】
添加剤として表4に示す物質を使った以外は実施例1と同様の方法で、図9(a)に示す形状の金属構造体を製造した。次いで、銅エッチング液(メック株式会社製メックブライト)を用いて、凹凸形状を形成していない部分の銅めっき膜を除去し、図9(b)に示す断面形状にした。以上の結果、ニッケル膜の上に銅めっき膜を有する金属構造体を製造することができた。
【実施例10】
【0057】
添加剤として表4に示す物質を使った以外は実施例5と同様の方法で金属構造体を製造した。金属構造体の断面図を図10(a)に示すが、図5(d)と同じである。次に、硫酸と過酸化水素を含む水溶液を用いて、凹凸形状を形成していない部分の銅膜を除去し、図10(b)に示すようにした。更に、過マンガン酸カリウムを含む水溶液を用いてニッケル・クロム膜と銅膜よりなる導電体5を除去し、図10(c)に示すようにした。以上の結果、絶縁体基板上の凹凸形状を有する特定の部分に金属構造体を製造することができた。
【実施例11】
【0058】
図11(a)に示すガラス基板よりなる絶縁体基板3の表面に、図11(b)に示すように平均粒径5nmの銀微粒子を分散させた溶液をインクジェット法により印刷して配線幅20μm、厚さ0.2μmの銀膜よりなる導電体5を形成した。その後、絶縁体基板3を300℃の温度で加熱して銀微粒子同士を融着させた。銀微粒子によって形成された銀膜表面の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.01μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが0.02μmとなっていた。
【0059】
銀膜を形成した直後に電気めっきを行い、金属膜2として銅めっき膜を形成した。電気めっきは、実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。電気めっき後に基板断面を観察したところ、めっき膜は凹凸を形成した部分の基板垂直方向にのみ成長しており、基板水平方向へは成長していなかった。以上の結果、凹凸形状を有する特定のパターンにのみ金属膜を有する金属構造体が製造できた。
[比較例1]
粗化処理を行わないこと以外は実施例2と同様の方法で金属構造体を製造した。めっき後に基板断面を観察したところ、めっき膜の優先的な成長は起こらず、図12に示す膜厚の比H1/H2は1.0となった。この比較例では、特定のパターンへの金属構造体の形成はできなかった。
【0060】
【表4】
【産業上の利用可能性】
【0061】
レジストによるマスクなしに、特定の部分に微細な金属膜を形成できることから、光学部品、金型とするスタンパ、検査用プローブ、マイクロマシンなどへの適用が可能である。また、各種部品への適用において、表面に撥水性などの機能を付与したり、外観を変えたりすることができ、その利用可能性は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【0062】
【図1】本発明による金属構造体製造方法を示した断面図及び鳥瞰図である。
【図2】本発明による金属構造体製造方法の他の例を示した断面図、平面図及び鳥瞰図である。
【図3】他の実施例による金属構造体製造方法を示した断面図である。
【図4】他の実施例の金属構造体製造方法を示す断面図である。
【図5】他の実施例による金属構造体製造方法を示す断面図である。
【図6】金属構造体製造法の別の実施例を示した断面図である。
【図7】金属構造体製造方法の更に別の実施例を示した断面図である。
【図8】金属構造体製造法の他の例を示した断面図である。
【図9】金属構造体製造法の他の例を示す断面図である。
【図10】金属構造体製造方法の別の実施例を示した断面図である。
【図11】金属構造体製造方法の他の実施例を示した断面図である。
【図12】金属構造体のめっきした部分における膜厚の評価方法を示した図である。
【符号の説明】
【0063】
1…導電体基板、2…金属膜、3…絶縁体基板、4…金型、5…導電体、6…絶縁体。
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板上に金属膜を有する金属構造体とその製造方法に関する。本発明は、反射板などの光学部品、金型とするスタンパ、検査用プローブ、熱交換器などに適用するのに適する。
【背景技術】
【0002】
電子機器や光学部品などでは、基板表面に特定のパターンを有する金属膜が形成された金属構造体が使用される。特定のパターンを形成する方法はいくつか知られており、たとえば、フォトレジストを用いる方法、コンタクトプリンティングを用いる方法、インクジェットによる印刷を用いる方法、走査型プローブ顕微鏡を用いる方法などがある。
【0003】
具体的な方法としては、基板上にエッチング速度の異なる凹凸形成層及びレジストパターンを積層し、フォトリソ工程及びエッチングを行い、凹凸形状を有する構造体を形成する方法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。また、対象物の表面上にレジスト物質層を形成し、大面積のスタンプを用いてレジスト物質層の表面上に自己集合単分子層を形成し、レジスト物質層にエッチングをし、対象物の表面にエッチングまたはめっきを行うことで、金属構造体を形成する方法が知られている(たとえば、特許文献2参照)。また、レーザー光を照射することにより、開口部の大きさが5〜100μmの微細凹部を規則的に形成する方法が知られている(たとえば、特許文献3参照)。
【0004】
【特許文献1】特開平7−198918号公報
【特許文献2】特開平10−12545号公報
【特許文献3】特開2000−158157号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
フォトリソグラフィ法では、レジスト膜の形成、露光、現像と多くの工程が必要であり、装置や使用する薬品のコストが高くなる。また、使用する薬品の量が多いため、使用した薬品の廃棄による環境汚染の可能性がある。
【0006】
レジスト膜を用いてエッチングを行う方法では、レジスト膜の使用に伴うコスト増加と使用した薬品の廃棄による環境汚染の可能性がある。
【0007】
レーザー光を照射する方法では、レーザー光の照射面積が限られるため、大面積の構造体では形成に時間がかかる問題がある。
【0008】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、少ない工程で、微細な特定のパターンの金属膜を形成できるようにした金属構造体の製造方法、ならびに金属構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、前記金属膜が形成される部分を、凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、前記導電体の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする金属構造体の製造方法にある。
【0010】
また、基板上に金属膜を有する金属構造体において、前記金属膜を有する部分が導電体で形成され、前記導電体の表面の少なくとも一部に凹凸形状を有し、前記凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜が形成されていることを特徴とする金属構造体にある。
【発明の効果】
【0011】
本発明により、特定の微細なパターンを有する金属膜を少ない工程で形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
本発明者らは、給電層となる導電体膜に凹凸形状を形成した後、適切な添加剤を加えて電気めっきを行うことで、凹凸形状のある部分に優先的にめっきが可能であることを見出した。凹凸形状を有する部分に、特定のパターンで、めっき膜を優先的に成長させるためには、めっき液中に添加剤として、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を加えることが有効である。めっき反応を抑制する特性は、添加剤を加えることで金属の析出過電圧が大きくなることで確認できる。めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う特性は、めっき液の流速が速い程つまり添加剤の導電体表面への供給速度が速い程、金属の析出過電圧が大きくなることで確認できる。添加剤がめっき反応抑制効果を失うときには、添加剤は分解されて別の物質に変化、或いは、還元されて酸化数の異なる物質に変化する場合がある。
【0013】
前記のような添加剤を含むめっき液を用いてめっきを行うと、めっき反応の進行と共に導電体表面では添加剤がその効果を失うために、めっき反応に関与する実効的な添加剤濃度が減少する。凹凸形状がある部分では、凹凸形状がない部分に比べて相対的に表面積が大きく添加剤の減少速度が速いため、導電体表面近傍での添加剤濃度はより低くなる。したがって、導電体上の凹凸形状のある部分ではめっき反応を抑制する添加剤の効果が少なくなり、凹凸形状のない部分に比べてめっき反応は優先的に進行することになる。
【0014】
この現象は添加剤の導電体上への拡散と、導電体表面での反応とのバランスによって実現される。添加剤の導電体上への拡散速度は、めっき液中の添加剤濃度に大きく影響を受け、添加剤の導電体上での反応速度はめっき時の電流密度に大きく影響を受ける。したがって、これらのパラメータを変えることで、添加剤の濃度分布を制御することが可能となり、凹凸形状のある部分にめっき膜を優先的に析出させることが可能となる。
【0015】
本発明の金属構造体製造方法に関する実施態様について記載する。
【0016】
1つの方法では、基板を導電体で形成し、導電体基板上に少なくとも一部に凹凸形状を形成し、この凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する。
【0017】
他の1つの方法では、基板を導電体で形成し、導電体基板上に凹凸形状を形成し、凹凸形状を形成した部分のうち、金属膜を形成しない部分の凹凸を平坦化したのち、前記凹凸形状を有する部分に電気めっきによって金属膜を形成する。
【0018】
他の1つの方法では、基板を絶縁体で形成し、絶縁体基板上の金属膜を形成する部分に凹凸形状を形成し、前記凹凸形状を維持したまま絶縁体基板上に導電体を形成し、前記導電体上の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する。
【0019】
他の1つの方法では、基板を絶縁体で形成し、絶縁体基板上に凹凸形状を形成し、その後、前記凹凸形状を維持したまま絶縁体基板上に導電体を形成し、金属膜を形成しない部分の凹凸を平坦化したのち、電気めっきを行う。
【0020】
他の1つの方法では、電気めっきによって基板上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成した後、前記凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜を除去する。
【0021】
他の1つの方法では、基板を絶縁体で形成し、絶縁体基板上の一部に凹凸形状を形成し、前記凹凸形状を維持したまま絶縁体基板上に導電体を形成し、導電体上に電気めっきによって金属膜を形成し、凹凸形状を有しない部分の金属膜および導電体を除去する。
【0022】
基板上の特定の部分に、電気めっきによって優先的に金属膜を形成するために、金属膜を形成する部分は導電体で形成する必要がある。基板が導電体ではなく絶縁体で形成されているときには、絶縁体基板の上に導電体の層を形成する必要がある。
【0023】
また、導電体上に、電気めっきによって特定のパターンの金属膜を形成するために、パターン形成部分を凹凸面とする必要がある。めっき膜は凹凸面に優先的に形成され、特定パターンに金属膜を形成することが可能となる。凹凸面の粗さの状態には適切な範囲があり、表面粗さが適切であるときには、その部分に優先してめっき膜が形成される。凹凸形状を有する部分は、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが、凹凸形状を有しない部分のRaに比べて大きいことが望ましい。また、凹凸形状を有する部分は、JIS B0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmが、凹凸形状を有しない部分のRSmに比べて小さいことが望ましい。凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される算術平均粗さRaは0.01〜4μmであり、粗さ曲線要素の平均長さRSmは0.005〜8μmであることが望ましい。Raが0.1〜1μmであり、RSmが0.05〜2μmであることが特に望ましい。
【0024】
凹凸面に優先的に金属膜を形成させるために、めっき液の添加剤も重要である。本発明では、めっきする金属の析出過電圧を大きくする物質を、めっき液中に少なくとも1種類添加することが望ましい。特に、めっき液の流速を増加させる前に比べて、流速を増加させた後で、めっきする金属の析出過電圧が大きくなるようにする物質を添加することが望ましい。このような機能を有する物質として、シアニン色素がある。シアニン色素としては、特に次の化学構造式(Xは陰イオンであり、nは0,1,2,3のいずれか)で表される化合物が好ましい。
【0025】
【化1】
【0026】
本発明は、銅または銅合金の電気めっきにおいて、その効果が顕著に認められた。
【0027】
本発明の1つの実施態様では、既に述べたように金属膜を形勢しない部分に設けられた凹凸形状を消去する平坦化処理が施される。この平坦化処理では、凹凸面の表面粗さがJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.01〜4μmであるときには、平坦化処理によってRaが0〜0.005μmになるまで平坦化することが望ましい。また、凹凸面の表面粗さが、粗さ曲線要素の平均長さRSmで0.005〜8μmであるときには、平坦化処理によってRSmが10〜100μmになるまで平坦化することが望ましい。また、凹凸面の表面粗さがJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.1〜1μmであるときには、平坦化処理によってRaを0〜0.05μmにし、粗さ曲線要素の平均長さRSmで0.05〜2μmであるときには、平坦化処理によってRSmを4〜40μmにすることが望ましい。
【0028】
本発明によれば、凹凸形状を有する部分に電気めっきによって形成された金属膜の厚さ(T)に対する、凹凸形状を有しない部分に形成された金属膜の厚さ(t)の比、すなわち(T)/(t)を1以上、更には10以上にすることができ、100以上にすることもできる。
【0029】
導電体上に特定のパターンの金属膜を有し、前述の(T)/(t)の比が1以上、特に10以上である金属構造体は、光学部品の反射板に適用可能である。また、熱交換器に使用可能である。このほかに、検査用のプローブ或いは金型のスタンパ等として使用可能である。
【0030】
以下、具体的実施例について、図面を用いて説明する。なお、実施例及び比較例の結果をまとめたものを表4に示す。
【実施例1】
【0031】
図1(a)に示した、幅50μmにわたって300nm間隔で幅300nm、高さ600nmの溝を有する配線パターンが5μm間隔で形成されたシリコン製の金型4に、図1(b)に示すように無電解めっきによって導電体基板1としてニッケル膜を形成した。めっき後、図1(c)に示すようにニッケル膜をシリコン金型4から剥がした。シリコン金型を剥がしたニッケル膜表面の凹凸形状を観察した結果、ニッケル膜が金型4の凹凸形状を維持していることを確認した。次に、ニッケル膜よりなる導電体基板1を電気めっき用治具に固定して、電気めっきを行い、図1(d)に拡大図を示し、図1(e)に全体図を示すように導電体基板1の表面に特定のパターンの金属膜2を形成した。なお、図1(e)では、導電体基板1の一部が表面に露出しているかのように描かれているが、実際には表面全体が金属膜2で覆われ、凹凸部に形成された金属膜2の厚さが他の部分に比べて厚くなっている。電気めっきは、表1に示す組成のめっき液を用いて行った。添加剤には、2-[3-(1,3-Dihydro-1,3,3-trimethyl-2H-indol-2-ylidene)-1-propenyl]-1,3,3-trimethyl-3H-indolium chlorideを使用した。
【0032】
【表1】
【0033】
めっき時間は20分、電流密度は1.3A/dm2、めっき液の温度は25℃とし、アノードには含リン銅板を用いた。電気めっき後に基板断面を観察したところ、めっき後の金属膜2すなわち銅膜の厚さは、凹凸形状を有する部分では最大で35μm、凹凸形状を有しない部分では0.45μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は78となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例2】
【0034】
図2(a)に示すように、導電体基板1として厚さ1mmの銅箔を用いた。図2(b)に示すように、銅箔表面に粗化処理を行って凹凸形状を形成した。粗化処理にはサンドブラストを用いた。サンドブラストは、100μm角の正方形のマスクパターンを通して、アルミナ微粒子を銅表面に吹き付けることで行った。粗化処理した銅箔表面の凹凸形状の表面粗さを表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaは0.4μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmは1.1μmとなっていた。銅表面を粗化処理した後に電気めっきを行い、図2(c)に示すように銅めっき膜よりなる金属膜2を形成した。電気めっきはめっき時間が25分、電流密度を0.5A/dm2とした以外は実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件で行った。
【0035】
電気めっき後に基板断面を観察したところ、めっき後の銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で15μm、凹凸形状を形成していない部分では0.1μmであり、図12に示す膜厚の比H1HH2は150となった。以上の結果、図2(d)および図2(e)に示すように凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体を製造できた。なお、図2(d)および図2(e)では、導電性基板1の表面の一部にのみ金属膜2が形成されているように描かれているが、実際には図2(c)に示すように全体に金属膜が形成されており、凹凸部の金属膜の厚さが他の部分に比べて厚くなっている。
【実施例3】
【0036】
図3(a)に示すように、表面の凹凸形状がJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.05μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmで0.04μmであり、幅10μmのパターンが形成されたチタン板を金型4として用いた。このチタン板上に、図3(b)に示すように電気めっきによって導電体基板1として銅膜を形成した。めっき後、図3(c)に示すように銅膜を金型4から剥がして導電体基板として用いた。金型4を剥がした銅膜表面の凹凸形状を観察した結果、表面の凹凸形状がJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.05μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmで0.04μmとなっており、銅膜が金型4の表面形状を維持していることがわかった。
【0037】
次に図3(d)に示すように、凹凸形状のパターンが形成されていない部分へ、銅微粒子を分散させた溶液をインクジェット法により印刷し、その後、真空中で300℃、30分間アニールを行って、図3(d)に示すように導電体基板の一部を平坦化した。銅微粒子を吹き付けた部分の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、表面粗さはJIS B0601で規定される算術平均粗さRaで0.005μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmで11μmとなり、銅膜表面が平坦化されたことがわかった。次に、電気めっきを行って、図3(e)に示すように金属膜2として銅膜を形成した。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。
【0038】
電気めっき後に基板断面を観察したところ、銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で10μm、凹凸形状を形成していない部分では0.5μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は20となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例4】
【0039】
導電体基板として、図4(a)に示すように厚さ18μmの銅箔を用いた。導電体基板の全面に粗化処理を施して、図4(b)に示すように凹凸形状を形成した。粗化処理は日本マクダーミッド株式会社製マルチボンドを用い、表2に示す工程を用いた。銅粗化液としては、上記の他にメック株式会社のメックエッチボンド、シプレイ・ファーイースト株式会社のサーキュボンド、日本アルファメタルズ株式会社のアルファプレップなどを用いることができる。
【0040】
【表2】
【0041】
銅粗化処理後の銅表面の凹凸形状を表面粗さ測定装置によって測定した結果、表面粗さは、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.5μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが1.3μmとなっていた。次に図4(c)に示すように、電気めっきで金属膜を形成する部分を除いて、凹凸部を平坦化した。平坦化処理は、銅微粒子を含む溶液をスクリーン印刷により印刷し、その後、真空中で350℃、30分間アニールを行うことによって行った。銅微粒子を印刷した部分の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、表面粗さはJIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.005μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが11μmとなり、銅膜表面が平坦化されたことがわかった。次に、電気めっきを行って銅膜を形成し、図4(d)に示す金属構造体を得た。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。
【0042】
電気めっき後に基板断面を観察したところ、銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で10μm、凹凸形状を形成していない部分では0.4μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は25となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例5】
【0043】
絶縁体基板3としてエポキシ樹脂の板を用い、図5(a)に示すように絶縁体基板3の表面に幅10μmにわたって、250nm間隔で、幅250nm、高さ400nmの凸部を有するシリコン製の金型4を押しつけて凹凸形状を形成した。絶縁体基板をガラス転移温度付近まで加熱した状態で金型を押しつけることで、絶縁体基板3を軟化させて、金型4と同じ形状に変形させることができた。絶縁体基板3と金型4を25℃まで冷却した後、絶縁体基板3を金型4から引き剥がし、図5(b)に示す絶縁体基板を得た。
【0044】
次に、絶縁体基板3の表面に、スパッタ法によりニッケル:クロムの比が1:1のニッケル・クロム膜を10nm厚さに形成し、更に、その上に化学気相成長法により100nmの厚さの銅膜を形成した。絶縁体基板上にニッケル・クロム膜と銅膜を形成した状態を図5(c)に示す。なお、図5(c)では、ニッケル・クロム膜と銅膜をまとめて導電体5として表している。導電体5を形成した後の表面の凹凸形状を観察した結果、絶縁体基板3の凹凸形状を維持していることがわかった。導電体5の形成直後に電気めっきを行い、銅めっき膜を形成した。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。
【0045】
めっき後の銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で10μm、凹凸形状を形成していない部分では0.3μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は33となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例6】
【0046】
厚さ25μmのポリイミド樹脂フィルムを絶縁体基板として用いた。図6(a)に示す絶縁体基板3に表面粗化処理を行い、図6(b)に示すように凹凸形状を形成した。粗化処理は、表3に示す工程を用いた。粗化処理液は、過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムとの混合溶液に限定されず、クロム酸と硫酸との混合溶液、クロム酸とホウフッ化水素酸との混合溶液などを用いることができる。
【0047】
【表3】
【0048】
粗化処理後のポリイミドフィルム表面の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが2.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが4.0μmとなっていた。次に、スパッタ法によりマスクを通して、絶縁体基板3の表面の一部に配線幅10μmの導電体5を形成した。導電体1は、厚さ0.01μmのニッケル膜とニッケル膜上に形成した厚さ0.5μmの銅膜の積層膜からなる。導電体5としては、ニッケルと銅の積層膜に限定されず、クロムと銅の積層膜などを用いることができる。絶縁体基板3の表面に導電体5を形成した状態を図6(c)に示す。導電体5を形成後の表面の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが2.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが4.0μmとなっており、絶縁体基板3の凹凸形状を維持していることがわかった。
【0049】
導電体5を形成直後に電気めっきを行い、銅めっき膜を形成した。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。めっき後の銅めっき膜の最大厚さは15μmであり、導電体5を有する部分に選択的に銅めっき膜が形成されていた。図12に示す膜厚の比H1/H2は27となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例7】
【0050】
JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが1.1μmの凹凸形状を有する銅箔に、ポリアミック酸を塗布、加熱してポリイミド膜を形成した。その後、銅箔を硫酸と過酸化水素を含む溶液でエッチングして除去し、図7(a)に示す絶縁体基板3を得た。絶縁体基板3の表面粗さは、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが1.1μmとなっていた。次に、図7(b)に示すように、絶縁体基板3をガラス転移温度付近まで加熱し、この状態を保持しながら、基板の表面に幅10μmの凹部を有するシリコン製の金型4を押しつけた。この時、金型4の凹部は絶縁体基板3に触れないようにした。
【0051】
次に、絶縁体基板3と金型4を25℃まで冷却した後、両者を引き剥がし、図7(c)に示すように、表面の一部が平坦化された絶縁体基板3を得た。平坦化された部分の表面粗さを表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.006μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが9μmとなっていた。次に、絶縁体基板3の表面にスパッタ法によりニッケル:クロムの比が1:1の膜を10nm厚さに形成し、その上に蒸着法により100nmの厚さの銅膜を形成した。図7(d)は、絶縁体基板3の凹凸面にニッケル・クロム膜と銅膜との積層膜よりなる導電体5が形成された状態を示している。凹凸部の表面粗さを測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.0μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが1.1μmとなっており、絶縁体基板3の凹凸形状を維持していることがわかった。
【0052】
導電体5の形成直後に電気めっきを行い、銅めっき膜を形成した。電気めっきは実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。銅めっき膜厚は、凹凸形状を形成した部分では最大で10μm、凹凸形状を形成していない部分では0.33μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は30となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例8】
【0053】
絶縁体基板3としてポリイミド樹脂を用いた。図8(a)に示すポリイミド樹脂の表面を、クロム酸と硫酸の混合溶液を用いて粗化処理し、図8(b)に示すように凹凸形状を形成した。凹凸形状が形成された部分の表面粗さを測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.2μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが0.8μmとなっていた。次に、図8(c)に示すように、絶縁体基板3の表面の一部に絶縁体6である光硬化性樹脂をスクリーン印刷法によって印刷し硬化させて、凹凸部を埋め込んだ。樹脂を埋め込んで凹凸形状を平坦化した部分の表面粗さを測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.006μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが9μmとなっていた。
【0054】
次に、絶縁体基板3の表面の凹凸形状が形成された部分に、スパッタ法によりニッケルとクロムの比が1:1のニッケル・クロム膜を10nm厚さに形成し、その上に蒸着法により100nm厚さの銅膜を形成して、図8(d)に示すように、ニッケル・クロム膜と銅膜の積層体よりなる導電体5を形成した。導電体5を形成した後の凹凸部の表面粗さを測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが1.2μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが0.8μmとなっており、導電体5が絶縁体基板3の凹凸形状を維持していることがわかった。
【0055】
導電体5の形成直後に電気めっきを行い、図8(e)に示すように銅めっき膜を形成した。電気めっきは、実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。銅めっき膜の厚さは、凹凸形状を形成した部分が最大で15μm、凹凸形状を形成していない部分では0.55μmであり、図12に示す膜厚の比H1/H2は27となった。以上の結果、凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を有する金属構造体が製造できた。
【実施例9】
【0056】
添加剤として表4に示す物質を使った以外は実施例1と同様の方法で、図9(a)に示す形状の金属構造体を製造した。次いで、銅エッチング液(メック株式会社製メックブライト)を用いて、凹凸形状を形成していない部分の銅めっき膜を除去し、図9(b)に示す断面形状にした。以上の結果、ニッケル膜の上に銅めっき膜を有する金属構造体を製造することができた。
【実施例10】
【0057】
添加剤として表4に示す物質を使った以外は実施例5と同様の方法で金属構造体を製造した。金属構造体の断面図を図10(a)に示すが、図5(d)と同じである。次に、硫酸と過酸化水素を含む水溶液を用いて、凹凸形状を形成していない部分の銅膜を除去し、図10(b)に示すようにした。更に、過マンガン酸カリウムを含む水溶液を用いてニッケル・クロム膜と銅膜よりなる導電体5を除去し、図10(c)に示すようにした。以上の結果、絶縁体基板上の凹凸形状を有する特定の部分に金属構造体を製造することができた。
【実施例11】
【0058】
図11(a)に示すガラス基板よりなる絶縁体基板3の表面に、図11(b)に示すように平均粒径5nmの銀微粒子を分散させた溶液をインクジェット法により印刷して配線幅20μm、厚さ0.2μmの銀膜よりなる導電体5を形成した。その後、絶縁体基板3を300℃の温度で加熱して銀微粒子同士を融着させた。銀微粒子によって形成された銀膜表面の凹凸を表面粗さ測定装置によって測定した結果、JIS B0601で規定される算術平均粗さRaが0.01μm、粗さ曲線要素の平均長さRSmが0.02μmとなっていた。
【0059】
銀膜を形成した直後に電気めっきを行い、金属膜2として銅めっき膜を形成した。電気めっきは、実施例1と同様のめっき液組成及びめっき条件を用いて行った。電気めっき後に基板断面を観察したところ、めっき膜は凹凸を形成した部分の基板垂直方向にのみ成長しており、基板水平方向へは成長していなかった。以上の結果、凹凸形状を有する特定のパターンにのみ金属膜を有する金属構造体が製造できた。
[比較例1]
粗化処理を行わないこと以外は実施例2と同様の方法で金属構造体を製造した。めっき後に基板断面を観察したところ、めっき膜の優先的な成長は起こらず、図12に示す膜厚の比H1/H2は1.0となった。この比較例では、特定のパターンへの金属構造体の形成はできなかった。
【0060】
【表4】
【産業上の利用可能性】
【0061】
レジストによるマスクなしに、特定の部分に微細な金属膜を形成できることから、光学部品、金型とするスタンパ、検査用プローブ、マイクロマシンなどへの適用が可能である。また、各種部品への適用において、表面に撥水性などの機能を付与したり、外観を変えたりすることができ、その利用可能性は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【0062】
【図1】本発明による金属構造体製造方法を示した断面図及び鳥瞰図である。
【図2】本発明による金属構造体製造方法の他の例を示した断面図、平面図及び鳥瞰図である。
【図3】他の実施例による金属構造体製造方法を示した断面図である。
【図4】他の実施例の金属構造体製造方法を示す断面図である。
【図5】他の実施例による金属構造体製造方法を示す断面図である。
【図6】金属構造体製造法の別の実施例を示した断面図である。
【図7】金属構造体製造方法の更に別の実施例を示した断面図である。
【図8】金属構造体製造法の他の例を示した断面図である。
【図9】金属構造体製造法の他の例を示す断面図である。
【図10】金属構造体製造方法の別の実施例を示した断面図である。
【図11】金属構造体製造方法の他の実施例を示した断面図である。
【図12】金属構造体のめっきした部分における膜厚の評価方法を示した図である。
【符号の説明】
【0063】
1…導電体基板、2…金属膜、3…絶縁体基板、4…金型、5…導電体、6…絶縁体。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、前記金属膜が形成される部分を凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、前記導電体の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項2】
請求項1において、前記基板を導電体で形成し、前記基板上の金属膜を形成する部分に凹凸形状を形成することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項3】
請求項1において、前記基板を絶縁体で形成し、前記基板上の前記金属膜が形成される部分に凹凸形状を形成し、前記凹凸形状を維持したまま前記基板上に導電体を形成し、前記導電体上の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項4】
請求項1において、前記基板を導電体で形成し、前記基板上に凹凸形状を形成した後、金属膜を形成する部分以外の凹凸を平坦化することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項5】
請求項3において、前記金属膜を形成する部分以外の前記基板および前記導電体の表面を平坦化することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項6】
請求項1において、電気めっきによって前記基板上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成した後、前記凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜を除去することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項7】
請求項3において、凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜を除去した後、凹凸形状を有する部分以外に形成された前記導電体を除去することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項8】
請求項1において、凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜の厚さに対する、凹凸形状を有する部分に形成された金属膜の厚さの比が1より大きいことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項9】
請求項1において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される算術平均粗さRaが、凹凸形状を有する部分以外のRaに比べて大きいことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項10】
請求項1において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmが、凹凸形状を有する部分以外におけるRSmに比べて小さいことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項11】
請求項1において、前記電気めっきを、めっき液中にめっきする金属の析出過電圧を大きくする物質の少なくとも1種を添加して行うことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項12】
請求項11において、前記電気めっきが銅または銅合金の電気めっきであることを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項13】
請求項11において、前記物質として、シアニン色素の少なくとも1種を添加することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項14】
請求項13において、前記シアニン色素が下記の化学構造式(Xは陰イオンであり、nは0,1,2,3のいずれか)で表される化合物よりなることを特徴とする金属構造体の製造方法。
【化1】
【請求項15】
基板上に金属膜を有する金属構造体において、前記金属膜を有する部分が導電体で形成され、前記導電体の表面の少なくとも一部に凹凸形状を有し、前記凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜が形成されていることを特徴とする金属構造体。
【請求項16】
請求項15において、前記凹凸形状を有する部分に形成された金属膜の厚さが、前記凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜の厚さより大きいことを特徴とする金属構造体。
【請求項17】
請求項15において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される算術平均粗さRaが、凹凸形状を有しない部分のRaに比べて大きいことを特徴とする金属構造体。
【請求項18】
請求項15において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmが、凹凸形状を有しない部分のRSmに比べて小さいことを特徴とする金属構造体。
【請求項19】
請求項15において、前記基板が導電体で形成され、前記導電体に凹凸形状が形成されていることを特徴とする金属構造体。
【請求項20】
請求項15において、前記基板が絶縁体であり、前記基板の上に前記導電体を有することを特徴とする金属構造体。
【請求項1】
基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、前記金属膜が形成される部分を凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、前記導電体の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成する工程とを含むことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項2】
請求項1において、前記基板を導電体で形成し、前記基板上の金属膜を形成する部分に凹凸形状を形成することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項3】
請求項1において、前記基板を絶縁体で形成し、前記基板上の前記金属膜が形成される部分に凹凸形状を形成し、前記凹凸形状を維持したまま前記基板上に導電体を形成し、前記導電体上の凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項4】
請求項1において、前記基板を導電体で形成し、前記基板上に凹凸形状を形成した後、金属膜を形成する部分以外の凹凸を平坦化することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項5】
請求項3において、前記金属膜を形成する部分以外の前記基板および前記導電体の表面を平坦化することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項6】
請求項1において、電気めっきによって前記基板上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成した後、前記凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜を除去することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項7】
請求項3において、凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜を除去した後、凹凸形状を有する部分以外に形成された前記導電体を除去することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項8】
請求項1において、凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜の厚さに対する、凹凸形状を有する部分に形成された金属膜の厚さの比が1より大きいことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項9】
請求項1において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される算術平均粗さRaが、凹凸形状を有する部分以外のRaに比べて大きいことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項10】
請求項1において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmが、凹凸形状を有する部分以外におけるRSmに比べて小さいことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項11】
請求項1において、前記電気めっきを、めっき液中にめっきする金属の析出過電圧を大きくする物質の少なくとも1種を添加して行うことを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項12】
請求項11において、前記電気めっきが銅または銅合金の電気めっきであることを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項13】
請求項11において、前記物質として、シアニン色素の少なくとも1種を添加することを特徴とする金属構造体の製造方法。
【請求項14】
請求項13において、前記シアニン色素が下記の化学構造式(Xは陰イオンであり、nは0,1,2,3のいずれか)で表される化合物よりなることを特徴とする金属構造体の製造方法。
【化1】
【請求項15】
基板上に金属膜を有する金属構造体において、前記金属膜を有する部分が導電体で形成され、前記導電体の表面の少なくとも一部に凹凸形状を有し、前記凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜が形成されていることを特徴とする金属構造体。
【請求項16】
請求項15において、前記凹凸形状を有する部分に形成された金属膜の厚さが、前記凹凸形状を有する部分以外に形成された金属膜の厚さより大きいことを特徴とする金属構造体。
【請求項17】
請求項15において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される算術平均粗さRaが、凹凸形状を有しない部分のRaに比べて大きいことを特徴とする金属構造体。
【請求項18】
請求項15において、前記凹凸形状を有する部分のJIS B0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmが、凹凸形状を有しない部分のRSmに比べて小さいことを特徴とする金属構造体。
【請求項19】
請求項15において、前記基板が導電体で形成され、前記導電体に凹凸形状が形成されていることを特徴とする金属構造体。
【請求項20】
請求項15において、前記基板が絶縁体であり、前記基板の上に前記導電体を有することを特徴とする金属構造体。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2006−206950(P2006−206950A)
【公開日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−19395(P2005−19395)
【出願日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【出願人】(000005108)株式会社日立製作所 (27,607)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【出願人】(000005108)株式会社日立製作所 (27,607)
【Fターム(参考)】
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