金属薄膜積層基板の製造方法及び静電容量型タッチパネルの製造方法
【課題】ロール・ツー・ロールで搬送される長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜する場合に、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法を提案する。
【解決手段】長尺のフィルム基板Ｆの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Ｆをロール状に巻き取ることを特徴とする。
【解決手段】長尺のフィルム基板Ｆの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Ｆをロール状に巻き取ることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜の導電層が形成された、金属薄膜積層基板の製造方法及び該基板を用いる静電容量型タッチパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器のモバイル化の進展とともに、各部品の軽量化、フレキシブル化への要求が顕著になっている。素子や配線を形成する基板についても、樹脂フィルムを用いるフレキシブル基板が用いられることが多く、更に高密度化の要求から、両面に素子層、配線層を有する、両面多層の金属薄膜積層基板が必要とされる。
【０００３】
そのような金属薄膜積層基板の一つの適用例として、静電容量型タッチパネルに用いられる透明導電膜付き基板がある。この基板はフィルムの表裏の両面に、透明導電膜、金属薄膜を順に成膜したものであり、金属薄膜はエッチングによるパターニングで配線部を形成し、透明導電膜は同様のパターニングにより、静電容量の変化を検出する電極の組を多数形成する。
【０００４】
この基板を用いた静電容量型タッチパネルの代表的な構造例は、特許文献１の図３に示すとおりである。フィルム基板の一方の面（第１の面）に、透明導電膜により形成された矩形の電極パターンが第１の方向（Ｘ方向とする）に沿って同一ピッチで接続されて配置されている。フィルム基板の他方の面（第２の面）には、同様のパターンが、Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って配置されている（例えば特許文献１参照）。
金属薄膜からなる導電層は、各電極と静電容量検出回路を接続する配線部を構成する。
このような静電容量型タッチパネルにおいて、人間の指等が接触したとき、複数のＸ方向電極、Ｙ方向電極間の静電容量が変化する。この変化量を測定して接触された位置のＸ方向、Ｙ方向の位置を決定することができ、その位置情報を信号として取り出すことができる。
【０００５】
なお、静電容量型タッチパネルは、Ｘ方向、Ｙ方向の電極を同一面に形成する１面型とＸ方向、Ｙ方向の電極を両面に形成する両面型とがある。
１面型では、Ｘ、Ｙ方向の電極の交差部での絶縁を確保しなければならず、一方の電極を跨いで他方の電極を接続させることになる。そのためエッチングとその後の絶縁のための成膜を繰り返す必要があり、成膜は１面のみでよいというメリットはあるものの、エッチング時の位置あわせが難しい等、製造工程が複雑になる。
一方、両面型では、成膜、エッチングを両面で行うことからくる取り扱いにくさがあるが、交差部は存在しない。１面型とするか、両面型とするかは、要求特性、それを実現するための製造工程の複雑さ、装置上の制約等を総合的に評価して選択することになる。
【０００６】
両面型の静電容量型タッチパネル用透明導電膜付き基板の製造は、長尺のフィルムを基板として用い、ロール状フィルムからフィルムを巻き出して成膜した後、同じくロール状に巻き取る成膜装置を用いて行われる。このような装置はロール・ツー・ロール成膜装置と呼ばれる。
主たる機能を発揮する層は透明導電膜層とその上の金属薄膜層の２層であるが、それぞれの密着力を上げるための下地層、透明性を上げるために屈折率を調整する層、等が必要となるため、１面の実際の積層数は４〜６となる。
一度のパスで片面全層を成膜することは難しいため、一般的には、第１の面の透明導電膜、第２の面の透明導電膜、第１の面の金属薄膜、第２の面の金属薄膜、の４工程に分け、それぞれの工程でロールからの巻き出しと巻き取りを繰り返して成膜されることが多い。
１回のパスで多くの成膜室を経由できる場合は、第１の面に透明導電膜、金属薄膜を連続して成膜した後、一旦ロール状に巻き取り、次に第２の面が成膜面となるようにロールを成膜装置に供給し、透明導電膜、金属薄膜を成膜後、再びロール状に巻き取る方法も可能である。最近は、１面成膜後のロール巻き取りをなくし、途中で成膜面を反転させて両面に連続的に成膜する装置、あるいは成膜そのものを両面に同時に行う装置も開発され、それらを用いる製造方法も試みられている。いずれにしても両面の最表面に金属薄膜があり、金属面どうしが接触する状態で巻きとられることには差がない。
【０００７】
ロール・ツー・ロール成膜装置で、フィルム基板の両面に活性な金属薄膜を成膜しそれを巻き取ると、第１の面と第２の面の金属面が接触したときに金属薄膜どうしがくっつく（通称ブロッキングと称される）ことがある。金属薄膜どうしの密着力は往々にして基板との密着力よりも強く、ブロッキングが発生すると、次の工程でロールをほどく際に密着力の弱い方が他方の金属薄膜に引っ張られて、しわになったりあるいは基板から剥がされたりして、致命的な不良品となってしまう。これを防ぐために巻き取り圧を弱めたりするが、完全に防ぐことは難しい。
【０００８】
上記の問題の解決策として、両面に金属薄膜を成膜した後、少なくとも一方の金属薄膜の表面に有機物液体膜を形成し、その後巻き取る方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
また、第１の面に金属薄膜を成膜後、乾式表面処理手段により金属薄膜の表面に酸化膜を形成した後、第２の面に金属薄膜を成膜し、その後巻き取る方法も提案されている（例えば特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−７９７３４号公報
【特許文献２】特開２００９−２４９７０３号公報
【特許文献３】特開２０１０−０５３４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献２の方法では、真空成膜装置内に有機物液体膜塗布機構を組み込まなければならず、装置、製造方法が複雑となることは避けられない。また、蒸気圧に注意して塗布液を選定する必要があるため、使用できる液の種類も限定される。
特許文献３の方法は、銅のような酸化膜を形成しやすい金属では有効であるが、金属膜そのものを変質させるため、所望の導電率などを満足させるためには膜を厚くしなければならず、更に酸化膜の正確なコントロールが難しい。加えて金属薄膜が銀を主成分とする場合、膜そのものを酸化させることが難しい、等の問題点がある。
【００１１】
本発明の目的は、上記の従来技術の課題を解決し、ロール・ツー・ロールで搬送される樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜しても、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法及び該基板を用いる静電容量型タッチパネルの製造方法を提案することにある。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜からなる導電層を有する金属薄膜積層基板の製造方法であって、前記樹脂フィルムの第１の面及び第２の面に、１面ずつ、又は同時に前記導電層を形成する工程と、前記第１の面又は前記第２の面のうち、少なくとも一方の面の前記導電層上に更に金属酸化物薄膜を形成する工程と、前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程と、を有することを特徴とする、金属薄膜積層基板の製造方法である。
この方法により、樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程の際に、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面との間に金属酸化物薄膜が介在し、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とが直接接触しない。したがって、ブロッキングによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができる。
【００１３】
本発明は、前記金属酸化物はインジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物の内の一つである、ことが好ましい。
インジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物は、透明導電膜として用いられる材料であり、透明導電膜の層を必要とする積層基板の場合には同一のターゲットを用いて成膜することができる。
【００１４】
本発明は、前記金属薄膜は銀を主材料とし、前記金属酸化物は、錫添加インジウム酸化物（ＩＴＯ）又は亜鉛添加インジウム酸化物（ＩＺＯ）である、とすることができる。
銀系薄膜とＩＴＯ、ＩＺＯは同一エッチング液でエッチングによるパターニングが可能である。即ち、銀系薄膜のパターンの保護膜としてそのままＩＴＯ、ＩＺＯを残すことができる。
【００１５】
本発明は、前記金属薄膜は銀を主材料とし、前記金属酸化物は亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウム添加亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム添加亜鉛酸化物（ＧＺＯ）の内の一つである、とすることもできる。
銀系薄膜の上に何も残したくない場合は、上記の金属酸化物とすることで、エッチングレートの違いを利用して銀系薄膜に影響を与えずに剥離することができる。
【００１６】
本発明は少なくとも一方の面に金属酸化物薄膜が形成されていれば効果を奏するが、前記金属酸化物薄膜を前記樹脂フィルムの両面に形成した後に、前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程を有する製造方法とすれば、両面を同一条件でエッチングできるという操作上の利点がある。
【００１７】
本発明の方法により、長尺の樹脂フィルムの両面に、１面ずつあるいは同時に、透明導電膜と金属薄膜を順次成膜する工程と、少なくとも一方の面の前記金属薄膜上に更に金属酸化物薄膜を形成する工程と、前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程と、前記樹脂フィルムを巻き出し、両面にエッチングにより電極パターンを形成する工程と、を有して静電容量型タッチパネルを製造することができる。
基板の成膜工程における欠陥の発生が抑えられ、歩留まりの良い、生産効率の高い静電容量型タッチパネルの製造方法となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ロール・ツー・ロールで搬送される樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜しても、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、巻き出し時のしわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法及び、基板の成膜工程における欠陥の発生が抑えられ、歩留まりの良い、生産効率の高い該基板を用いる静電容量型タッチパネルの製造方法となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態における真空成膜装置を模式的に示す側面図。
【図２】他の例の真空成膜装置を模式的に示す側面図。
【図３】両面型の静電容量型タッチパネルの構造図。
【図４】タッチパネルの製造工程フロー図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
静電容量型タッチパネルに用いられる金属薄膜積層基板は、長尺の樹脂フィルムとして、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの両面に、静電容量を検知する電極部となるＩＴＯ薄膜と、該ＩＴＯ薄膜上に配線部となる金属薄膜（主に銀合金薄膜）を順に成膜したものである。
従来の金属薄膜積層基板の製造方法では、第１の面の金属薄膜までの工程が終了した時点で、一旦ロール状に巻き取った後、第２の面に同様に金属薄膜（場合によってはＩＴＯ薄膜と金属薄膜の２層）を成膜する方法で製造される。両面への成膜工程の終了後、１０−１Ｐａ程度の減圧下で巻取りを行うことになるが、両面に成膜された金属薄膜どうしが接触して巻き取られることになる。このとき金属薄膜の表面どうしが接触してブロッキングが発生し、次に巻き出すときに、しわになったり、ＰＥＴフィルムから剥がれたりという現象がおこり、致命的な不良となることがあった。
【００２１】
そこで、本発明の金属薄膜積層基板の製造方法においては、かかる不良を防止するために、長尺の樹脂フィルムの第１の面に金属薄膜を真空成膜して、さらに第２の面に金属薄膜を真空成膜した後、該金属薄膜積層基板を巻き取る前に、金属薄膜のうち少なくとも一方の表面に金属酸化物膜を形成して、樹脂フィルムの表裏の金属薄膜表面どうしが接触してブロッキングが発生することを防ぐのである。
【００２２】
本発明の実施形態における金属薄膜積層基板の製造方法について、図面を用いて説明する。図１は、実施形態に用いる真空成膜装置１を模式的に示す側面図である。図２は、他の例の真空成膜装置２を模式的に示す側面図である。図３は、実施形態の製造方法による金属薄膜積層基板を用いて静電容量型タッチパネルを構成したときの構造図である。図４は静電容量型タッチパネルの製造工程図である。
【００２３】
真空成膜装置１は、その構成部品のほとんどが収納された直方体状の筐体１０を備えている。筐体は円筒状でも良く、その形状は問わないが、１０−４Ｐａ〜１Ｐａ
の範囲に減圧された状態を保持できれば良い。
筐体は三つの成膜室５０、６０、７０と巻き出し室８０、巻き取り室９０の５ブロックに分かれ、キャンロール２０上の長尺の樹脂フィルムＦに対して、１パスで各成膜室での成膜が可能な構造となっている。
巻き出し室８０にはフィルムの巻き出しロール１１、ガイドロール１２ａ及び１５ａ、テンションロール１４ａが配置され、巻き取り室には巻きとりロール１６、ガイドロール１２ｂおよび１５ｂ、テンションロール１４ｂが配置されている。各成膜室では、マグネトロンカソード式のスパッタリングカソード１３ａ、１３ｂ、１３ｃがキャンロール２０に対向している。
【００２４】
スパッタリングカソード１３ａ、１３ｂ、１３ｃの幅方向（紙面に垂直な方向）の寸法は、樹脂フィルムＦの巾より広ければよい。例えば５００ｍｍの樹脂フィルムFであれば、スパッタリングカソードの幅向の寸法は６００ｍｍあればよい。
【００２５】
キャンロール２０の直径は４００Φ以上あれば、複数のスパッタリングカソードを対向させることができる。キャンロール２０内部には水や有機溶媒、オイルなどの熱媒が循環し、スパッタリングの際の長尺の樹脂フィルムＦの冷却もしくは過熱を行う。キャンロール２０の表面は、硬質クロムめっきされている。
【００２６】
真空成膜装置１では長尺の樹脂フィルムＦは、巻き出しロール１１から巻き出され、テンションロール１４ａ、ガイドロール１５ａ、１２ａを経てキャンロール２０へ送られる。巻き取り側では、ガイドロール１２ｂ、１５ｂ、テンションロール１４ｂを経て緩まないように搬送され巻き取りロール１６で巻き取られる。また、長尺の樹脂フィルムＦは、キャンロール２０の表面に接触しかつキャンロール２０の表面に沿って搬送されるものである。
なお、真空成膜装置１は、３個のスパッタリングカソードで成膜が可能な一つのキャンロール２０を備えるタイプであり、長尺の樹脂フィルムＦの両面に成膜するには、長尺の樹脂フィルムＦの第１の面での成膜が終了後、巻き取りロール１６を取り出し、１回目とは逆に長尺の樹脂フィルムＦの成膜されていない第２の面が成膜面となるように巻き出しロール１１としてセッティングする事になる。
【００２７】
長尺の樹脂フィルムＦの両面に連続して成膜可能な真空成膜装置２の場合について、図２により説明する。第２のキャンロール２１と、キャンロール２１に対する成膜室となる成膜室７１、７２を備えている。真空成膜装置２では長尺の樹脂フィルムＦは、巻き出しロール１１から巻き出され、テンションロール１４ａ、ガイドロール１５ａ、１２ａを経て第１のキャンロール２０に供給される。その後第２のキャンロール２１に送られ、ガイドロール１２ｂ、１５ｂ、テンションロール１４ｂを経て緩まないように搬送され巻き取りロール１６で巻き取られる。また、長尺の樹脂フィルムＦは、キャンロール２０、キャンロール２１の表面に接触しかつキャンロール２０、キャンロール２１の表面に沿って搬送されるものである。
長尺の樹脂フィルムＦは、キャンロール２０の外側に設置されたスパッタリングカソード１３ａ、１３ｂ、１３ｃにより第１の面に、キャンロール２１の外側に設置されたスパッタリングカソード１３ｄ、１３ｅにより第２の面に、透明導電膜、あるいは金属薄膜等が成膜される。これによって、真空成膜装置１のように第１の面に成膜後、巻き取られたフィルムを取り外し再び取り付けることなく両面に金属薄膜を積層した金属薄膜積層基板Ｓを製造することができる。
【００２８】
真空成膜装置１及び２では成膜機構にスパッタリングを用いている。スパッタリング法で成膜する場合、真空成膜装置内を１０−４Ｐａから１０−３Ｐａまでの範囲内の圧力でいずれか高いほうまで減圧される。該減圧の圧力を到達圧力という。到達圧力まで減圧された後に、スパッタリングガス（例えばアルゴン）導入させて、１０−１Ｐａ〜約１Ｐａまでの範囲内の圧力でスパッタリングを行う。なお、成膜機構はスパッタリングに限定されず、蒸着など公知の真空成膜方法を用いることができる。
【００２９】
図３に、前述の金属薄膜積層基板Ｓを用いて製作した両面型の静電容量型タッチパネル１００の構成図を示す。
第１の面の透明導電膜をエッチングによりパターニングして第１の電極パターン１０１を形成し、同様に第２の面の透明導電膜をパターニングして第２の電極パターン１０３を形成する。第１、第２の電極パターン１０１、１０３がそれぞれＸ方向、Ｙ方向の電極を構成しており、金属配線１０２、１０４により外部回路と接続されている。Ｘ電極、Ｙ電極間の静電容量の変化により、人間の指等が接触した箇所を検出することができる。
【００３０】
透明導電膜にＩＴＯ又はＩＺＯ、配線に銀合金を用いた場合の、静電容量型タッチパネル１００は図４に示す工程により製作される。
４ａにおいて、金属薄膜積層基板Ｓを用意する。金属薄膜積層基板Ｓは、真空成膜装置１又は真空成膜装置２を用いて、長尺の樹脂フィルムＦの第１の面に、透明導電膜１１０、金属薄膜１２０を、第２の面に、透明導電膜１３０、金属薄膜１４０を形成し、さらに金属薄膜１２０上に金属酸化膜１５０を形成することによって得られる。
金属薄膜積層基板Ｓの両面に第１エッチングレジスト１０６，１０７により透明導電膜のパターンを描画する（４ｂ）。パターンを描画する方法としてはフォトリソグラフィーやスクリーン印刷などによることができる。
エッチングパターンを描画した金属薄膜積層基板Ｓを銀合金と透明導電膜の両方を溶解するエッチング液によりエッチングして第１の電極パターン１０１、第２の電極パターン１０３を形成する（４ｃ）。次に第１エッチングレジスト１０６，１０７をアルカリ溶液などにより剥離する（４ｄ）。
次に第２エッチングレジスト１０８，１０９により銀合金による配線パターンを描画する（４ｅ）。銀合金のみを溶解するエッチング液によりエッチングして金属配線１０２、１０４を形成する（４ｆ）。最後に第２エッチングレジスト１０８，１０９をアルカリ溶液などにより剥離する（４ｇ）。
【実施例】
【００３１】
（実施例１）
図１に示す３個のイオン源を持ち１回の成膜作業により２以上種類の無機物の成膜が可能な真空成膜装置１としてのロール・ツー・ロール式マグネトロンスパッタリング装置を用いて、ロール状に巻き取られた長尺の樹脂フィルムＦの両面に、ＩＴＯと銀合金を積層した金属薄膜積層基板Ｓを製作した。
使用した長尺の樹脂フィルムＦは、幅５２０ｍｍ、厚さ０．１８８ｍｍ、長さ２００ｍのＰＥＴフィルムで両面にアクリル樹脂によるハードコート層が形成されているものである。
ＩＴＯと銀合金の積層膜を形成する場合、各層の密着力を調整するための下地層等が必要になることから、実際の積層数は４ないし６となるため、カソードが３個あっても１回のパスで片面の積層全てを完成させることは難しい。従って、長尺の樹脂フィルムＦの第１の面に下地層を含んでＩＴＯまで成膜した後、第２の面に同様にＩＴＯまで成膜して中間段階の基板として取り出し、その後、第１、第２の面に、これも下地層を含めて銀合金膜を成膜する工程とした。
以下には、両面にＩＴＯ膜が成膜されている段階の長尺の樹脂フィルムＦの基板を前提として、それ以降の工程の詳細を記す。
図１の成膜室、５０、６０、７０でそれぞれ下地膜、銀合金膜、ＩＴＯ膜を順に成膜する。このＩＴＯ膜が金属膜どうしのくっつきを防止する膜となる。スパッタリングカソード１３ａ、１３ｂ、１３ｃには、それぞれ、Ｎｂ（あるいはＭｏ）、銀合金、ＩＴＯのターゲットを装着する。ＩＴＯターゲットはスズが６％添加されたインジウムターゲットである。
【００３２】
筐体内を１０-４Ｐａまで減圧し、成膜室５０にアルゴンガスを導入し０．４Ｐａに調整し、Ｎｂを１００Åの厚さで下地膜として成膜した。成膜室６０にアルゴンガスを導入し０．４Ｐａに調整し、銀合金膜を１２００Åの厚さで成膜した。同時に成膜室７０にはアルゴンと酸素を１００:１導入し０．６Ｐａに調整し５０ÅのＩＴＯ膜を積層成膜した。全長にわたり上記成膜が完了し巻き取りロール１６巻き取り軸から取り外し、巻き出し室８０に装着し、第１の面と同様に第２の面に銀合金膜を１２００Åの厚さで成膜した。このとき、第２の面では成膜室７０のプラズマを停止しＩＴＯ膜は積層せず巻き取った。
両面に成膜が終わったロールを取り出し、巻き替え装置により巻きをほどいたが金属面同士のくっつきは見られず、しわ、剥がれ等の不良は発生していなかった。
【００３３】
（実施例２）
実施例１と同一の、長尺の樹脂フィルムＦの両面にＩＴＯ膜が成膜されている基板を用いて、第１の面へ下地膜、銀合金膜、ＩＴＯ膜を順に成膜した。成膜条件は実施例１と同様である。全長にわたり上記成膜が完了し巻き取りロール１６巻き取り軸から取り外し、巻き出し室８０に装着し、第１の面と同様に第２の面に下地膜、銀合金膜、ＩＴＯ膜を順に成膜した。銀合金膜は１２００Åの厚さとした。このとき、第１の面と同様に成膜室７０にはアルゴンと酸素を１００:１導入し０．６Ｐａに調整し５０ÅのＩＴＯ膜を積層成膜した。
両面に成膜が終わった樹脂基板を取り出し、巻き替え装置により巻をほどいたが金属面同士のくっつきは見られず、しわ、剥がれ等の不良は発生していなかった。
【００３４】
（比較例）
実施例１と同条件で両面に銀合金を成膜するが、第１、第２の面とも、銀合金膜の表面にＩＴＯ膜を成膜しないものは、巻き替え機でフィルムをほどくと、銀合金膜どうしのくっつき（ブロッキング）が発生した。巻の内側になるに従ってブロッキングの発生頻度が増し、しわ、膜剥がれ等が多数観察された。
【符号の説明】
【００３５】
Ｆ 樹脂フィルム
１、２ 真空成膜装置
１０ 筐体
１１ 巻き出し側ロール
１６ 巻き取り側ロール
１４ａ 巻き出しテンションロール
１４ｂ 巻き取りテンションロール
１２ａ，１５ａ 巻き出しガイドロール
１２ｂ、１５ｂ 巻き取りガイドロール
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ スパッタリングカソード
２０，２１ キャンロール
５０、６０、７０、７１、７２ 成膜室
８０ 巻き出し室
９０ 巻き取り室
１０１ 第１の電極パターン
１０３ 第２の電極パターン
１０２、１０４ 金属配線
１１０、１３０ 透明導電膜
１２０、１４０ 金属薄膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜の導電層が形成された、金属薄膜積層基板の製造方法及び該基板を用いる静電容量型タッチパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器のモバイル化の進展とともに、各部品の軽量化、フレキシブル化への要求が顕著になっている。素子や配線を形成する基板についても、樹脂フィルムを用いるフレキシブル基板が用いられることが多く、更に高密度化の要求から、両面に素子層、配線層を有する、両面多層の金属薄膜積層基板が必要とされる。
【０００３】
そのような金属薄膜積層基板の一つの適用例として、静電容量型タッチパネルに用いられる透明導電膜付き基板がある。この基板はフィルムの表裏の両面に、透明導電膜、金属薄膜を順に成膜したものであり、金属薄膜はエッチングによるパターニングで配線部を形成し、透明導電膜は同様のパターニングにより、静電容量の変化を検出する電極の組を多数形成する。
【０００４】
この基板を用いた静電容量型タッチパネルの代表的な構造例は、特許文献１の図３に示すとおりである。フィルム基板の一方の面（第１の面）に、透明導電膜により形成された矩形の電極パターンが第１の方向（Ｘ方向とする）に沿って同一ピッチで接続されて配置されている。フィルム基板の他方の面（第２の面）には、同様のパターンが、Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って配置されている（例えば特許文献１参照）。
金属薄膜からなる導電層は、各電極と静電容量検出回路を接続する配線部を構成する。
このような静電容量型タッチパネルにおいて、人間の指等が接触したとき、複数のＸ方向電極、Ｙ方向電極間の静電容量が変化する。この変化量を測定して接触された位置のＸ方向、Ｙ方向の位置を決定することができ、その位置情報を信号として取り出すことができる。
【０００５】
なお、静電容量型タッチパネルは、Ｘ方向、Ｙ方向の電極を同一面に形成する１面型とＸ方向、Ｙ方向の電極を両面に形成する両面型とがある。
１面型では、Ｘ、Ｙ方向の電極の交差部での絶縁を確保しなければならず、一方の電極を跨いで他方の電極を接続させることになる。そのためエッチングとその後の絶縁のための成膜を繰り返す必要があり、成膜は１面のみでよいというメリットはあるものの、エッチング時の位置あわせが難しい等、製造工程が複雑になる。
一方、両面型では、成膜、エッチングを両面で行うことからくる取り扱いにくさがあるが、交差部は存在しない。１面型とするか、両面型とするかは、要求特性、それを実現するための製造工程の複雑さ、装置上の制約等を総合的に評価して選択することになる。
【０００６】
両面型の静電容量型タッチパネル用透明導電膜付き基板の製造は、長尺のフィルムを基板として用い、ロール状フィルムからフィルムを巻き出して成膜した後、同じくロール状に巻き取る成膜装置を用いて行われる。このような装置はロール・ツー・ロール成膜装置と呼ばれる。
主たる機能を発揮する層は透明導電膜層とその上の金属薄膜層の２層であるが、それぞれの密着力を上げるための下地層、透明性を上げるために屈折率を調整する層、等が必要となるため、１面の実際の積層数は４〜６となる。
一度のパスで片面全層を成膜することは難しいため、一般的には、第１の面の透明導電膜、第２の面の透明導電膜、第１の面の金属薄膜、第２の面の金属薄膜、の４工程に分け、それぞれの工程でロールからの巻き出しと巻き取りを繰り返して成膜されることが多い。
１回のパスで多くの成膜室を経由できる場合は、第１の面に透明導電膜、金属薄膜を連続して成膜した後、一旦ロール状に巻き取り、次に第２の面が成膜面となるようにロールを成膜装置に供給し、透明導電膜、金属薄膜を成膜後、再びロール状に巻き取る方法も可能である。最近は、１面成膜後のロール巻き取りをなくし、途中で成膜面を反転させて両面に連続的に成膜する装置、あるいは成膜そのものを両面に同時に行う装置も開発され、それらを用いる製造方法も試みられている。いずれにしても両面の最表面に金属薄膜があり、金属面どうしが接触する状態で巻きとられることには差がない。
【０００７】
ロール・ツー・ロール成膜装置で、フィルム基板の両面に活性な金属薄膜を成膜しそれを巻き取ると、第１の面と第２の面の金属面が接触したときに金属薄膜どうしがくっつく（通称ブロッキングと称される）ことがある。金属薄膜どうしの密着力は往々にして基板との密着力よりも強く、ブロッキングが発生すると、次の工程でロールをほどく際に密着力の弱い方が他方の金属薄膜に引っ張られて、しわになったりあるいは基板から剥がされたりして、致命的な不良品となってしまう。これを防ぐために巻き取り圧を弱めたりするが、完全に防ぐことは難しい。
【０００８】
上記の問題の解決策として、両面に金属薄膜を成膜した後、少なくとも一方の金属薄膜の表面に有機物液体膜を形成し、その後巻き取る方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
また、第１の面に金属薄膜を成膜後、乾式表面処理手段により金属薄膜の表面に酸化膜を形成した後、第２の面に金属薄膜を成膜し、その後巻き取る方法も提案されている（例えば特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−７９７３４号公報
【特許文献２】特開２００９−２４９７０３号公報
【特許文献３】特開２０１０−０５３４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献２の方法では、真空成膜装置内に有機物液体膜塗布機構を組み込まなければならず、装置、製造方法が複雑となることは避けられない。また、蒸気圧に注意して塗布液を選定する必要があるため、使用できる液の種類も限定される。
特許文献３の方法は、銅のような酸化膜を形成しやすい金属では有効であるが、金属膜そのものを変質させるため、所望の導電率などを満足させるためには膜を厚くしなければならず、更に酸化膜の正確なコントロールが難しい。加えて金属薄膜が銀を主成分とする場合、膜そのものを酸化させることが難しい、等の問題点がある。
【００１１】
本発明の目的は、上記の従来技術の課題を解決し、ロール・ツー・ロールで搬送される樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜しても、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法及び該基板を用いる静電容量型タッチパネルの製造方法を提案することにある。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜からなる導電層を有する金属薄膜積層基板の製造方法であって、前記樹脂フィルムの第１の面及び第２の面に、１面ずつ、又は同時に前記導電層を形成する工程と、前記第１の面又は前記第２の面のうち、少なくとも一方の面の前記導電層上に更に金属酸化物薄膜を形成する工程と、前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程と、を有することを特徴とする、金属薄膜積層基板の製造方法である。
この方法により、樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程の際に、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面との間に金属酸化物薄膜が介在し、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とが直接接触しない。したがって、ブロッキングによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができる。
【００１３】
本発明は、前記金属酸化物はインジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物の内の一つである、ことが好ましい。
インジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物は、透明導電膜として用いられる材料であり、透明導電膜の層を必要とする積層基板の場合には同一のターゲットを用いて成膜することができる。
【００１４】
本発明は、前記金属薄膜は銀を主材料とし、前記金属酸化物は、錫添加インジウム酸化物（ＩＴＯ）又は亜鉛添加インジウム酸化物（ＩＺＯ）である、とすることができる。
銀系薄膜とＩＴＯ、ＩＺＯは同一エッチング液でエッチングによるパターニングが可能である。即ち、銀系薄膜のパターンの保護膜としてそのままＩＴＯ、ＩＺＯを残すことができる。
【００１５】
本発明は、前記金属薄膜は銀を主材料とし、前記金属酸化物は亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウム添加亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム添加亜鉛酸化物（ＧＺＯ）の内の一つである、とすることもできる。
銀系薄膜の上に何も残したくない場合は、上記の金属酸化物とすることで、エッチングレートの違いを利用して銀系薄膜に影響を与えずに剥離することができる。
【００１６】
本発明は少なくとも一方の面に金属酸化物薄膜が形成されていれば効果を奏するが、前記金属酸化物薄膜を前記樹脂フィルムの両面に形成した後に、前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程を有する製造方法とすれば、両面を同一条件でエッチングできるという操作上の利点がある。
【００１７】
本発明の方法により、長尺の樹脂フィルムの両面に、１面ずつあるいは同時に、透明導電膜と金属薄膜を順次成膜する工程と、少なくとも一方の面の前記金属薄膜上に更に金属酸化物薄膜を形成する工程と、前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程と、前記樹脂フィルムを巻き出し、両面にエッチングにより電極パターンを形成する工程と、を有して静電容量型タッチパネルを製造することができる。
基板の成膜工程における欠陥の発生が抑えられ、歩留まりの良い、生産効率の高い静電容量型タッチパネルの製造方法となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ロール・ツー・ロールで搬送される樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜しても、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、巻き出し時のしわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法及び、基板の成膜工程における欠陥の発生が抑えられ、歩留まりの良い、生産効率の高い該基板を用いる静電容量型タッチパネルの製造方法となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態における真空成膜装置を模式的に示す側面図。
【図２】他の例の真空成膜装置を模式的に示す側面図。
【図３】両面型の静電容量型タッチパネルの構造図。
【図４】タッチパネルの製造工程フロー図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
静電容量型タッチパネルに用いられる金属薄膜積層基板は、長尺の樹脂フィルムとして、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの両面に、静電容量を検知する電極部となるＩＴＯ薄膜と、該ＩＴＯ薄膜上に配線部となる金属薄膜（主に銀合金薄膜）を順に成膜したものである。
従来の金属薄膜積層基板の製造方法では、第１の面の金属薄膜までの工程が終了した時点で、一旦ロール状に巻き取った後、第２の面に同様に金属薄膜（場合によってはＩＴＯ薄膜と金属薄膜の２層）を成膜する方法で製造される。両面への成膜工程の終了後、１０−１Ｐａ程度の減圧下で巻取りを行うことになるが、両面に成膜された金属薄膜どうしが接触して巻き取られることになる。このとき金属薄膜の表面どうしが接触してブロッキングが発生し、次に巻き出すときに、しわになったり、ＰＥＴフィルムから剥がれたりという現象がおこり、致命的な不良となることがあった。
【００２１】
そこで、本発明の金属薄膜積層基板の製造方法においては、かかる不良を防止するために、長尺の樹脂フィルムの第１の面に金属薄膜を真空成膜して、さらに第２の面に金属薄膜を真空成膜した後、該金属薄膜積層基板を巻き取る前に、金属薄膜のうち少なくとも一方の表面に金属酸化物膜を形成して、樹脂フィルムの表裏の金属薄膜表面どうしが接触してブロッキングが発生することを防ぐのである。
【００２２】
本発明の実施形態における金属薄膜積層基板の製造方法について、図面を用いて説明する。図１は、実施形態に用いる真空成膜装置１を模式的に示す側面図である。図２は、他の例の真空成膜装置２を模式的に示す側面図である。図３は、実施形態の製造方法による金属薄膜積層基板を用いて静電容量型タッチパネルを構成したときの構造図である。図４は静電容量型タッチパネルの製造工程図である。
【００２３】
真空成膜装置１は、その構成部品のほとんどが収納された直方体状の筐体１０を備えている。筐体は円筒状でも良く、その形状は問わないが、１０−４Ｐａ〜１Ｐａ
の範囲に減圧された状態を保持できれば良い。
筐体は三つの成膜室５０、６０、７０と巻き出し室８０、巻き取り室９０の５ブロックに分かれ、キャンロール２０上の長尺の樹脂フィルムＦに対して、１パスで各成膜室での成膜が可能な構造となっている。
巻き出し室８０にはフィルムの巻き出しロール１１、ガイドロール１２ａ及び１５ａ、テンションロール１４ａが配置され、巻き取り室には巻きとりロール１６、ガイドロール１２ｂおよび１５ｂ、テンションロール１４ｂが配置されている。各成膜室では、マグネトロンカソード式のスパッタリングカソード１３ａ、１３ｂ、１３ｃがキャンロール２０に対向している。
【００２４】
スパッタリングカソード１３ａ、１３ｂ、１３ｃの幅方向（紙面に垂直な方向）の寸法は、樹脂フィルムＦの巾より広ければよい。例えば５００ｍｍの樹脂フィルムFであれば、スパッタリングカソードの幅向の寸法は６００ｍｍあればよい。
【００２５】
キャンロール２０の直径は４００Φ以上あれば、複数のスパッタリングカソードを対向させることができる。キャンロール２０内部には水や有機溶媒、オイルなどの熱媒が循環し、スパッタリングの際の長尺の樹脂フィルムＦの冷却もしくは過熱を行う。キャンロール２０の表面は、硬質クロムめっきされている。
【００２６】
真空成膜装置１では長尺の樹脂フィルムＦは、巻き出しロール１１から巻き出され、テンションロール１４ａ、ガイドロール１５ａ、１２ａを経てキャンロール２０へ送られる。巻き取り側では、ガイドロール１２ｂ、１５ｂ、テンションロール１４ｂを経て緩まないように搬送され巻き取りロール１６で巻き取られる。また、長尺の樹脂フィルムＦは、キャンロール２０の表面に接触しかつキャンロール２０の表面に沿って搬送されるものである。
なお、真空成膜装置１は、３個のスパッタリングカソードで成膜が可能な一つのキャンロール２０を備えるタイプであり、長尺の樹脂フィルムＦの両面に成膜するには、長尺の樹脂フィルムＦの第１の面での成膜が終了後、巻き取りロール１６を取り出し、１回目とは逆に長尺の樹脂フィルムＦの成膜されていない第２の面が成膜面となるように巻き出しロール１１としてセッティングする事になる。
【００２７】
長尺の樹脂フィルムＦの両面に連続して成膜可能な真空成膜装置２の場合について、図２により説明する。第２のキャンロール２１と、キャンロール２１に対する成膜室となる成膜室７１、７２を備えている。真空成膜装置２では長尺の樹脂フィルムＦは、巻き出しロール１１から巻き出され、テンションロール１４ａ、ガイドロール１５ａ、１２ａを経て第１のキャンロール２０に供給される。その後第２のキャンロール２１に送られ、ガイドロール１２ｂ、１５ｂ、テンションロール１４ｂを経て緩まないように搬送され巻き取りロール１６で巻き取られる。また、長尺の樹脂フィルムＦは、キャンロール２０、キャンロール２１の表面に接触しかつキャンロール２０、キャンロール２１の表面に沿って搬送されるものである。
長尺の樹脂フィルムＦは、キャンロール２０の外側に設置されたスパッタリングカソード１３ａ、１３ｂ、１３ｃにより第１の面に、キャンロール２１の外側に設置されたスパッタリングカソード１３ｄ、１３ｅにより第２の面に、透明導電膜、あるいは金属薄膜等が成膜される。これによって、真空成膜装置１のように第１の面に成膜後、巻き取られたフィルムを取り外し再び取り付けることなく両面に金属薄膜を積層した金属薄膜積層基板Ｓを製造することができる。
【００２８】
真空成膜装置１及び２では成膜機構にスパッタリングを用いている。スパッタリング法で成膜する場合、真空成膜装置内を１０−４Ｐａから１０−３Ｐａまでの範囲内の圧力でいずれか高いほうまで減圧される。該減圧の圧力を到達圧力という。到達圧力まで減圧された後に、スパッタリングガス（例えばアルゴン）導入させて、１０−１Ｐａ〜約１Ｐａまでの範囲内の圧力でスパッタリングを行う。なお、成膜機構はスパッタリングに限定されず、蒸着など公知の真空成膜方法を用いることができる。
【００２９】
図３に、前述の金属薄膜積層基板Ｓを用いて製作した両面型の静電容量型タッチパネル１００の構成図を示す。
第１の面の透明導電膜をエッチングによりパターニングして第１の電極パターン１０１を形成し、同様に第２の面の透明導電膜をパターニングして第２の電極パターン１０３を形成する。第１、第２の電極パターン１０１、１０３がそれぞれＸ方向、Ｙ方向の電極を構成しており、金属配線１０２、１０４により外部回路と接続されている。Ｘ電極、Ｙ電極間の静電容量の変化により、人間の指等が接触した箇所を検出することができる。
【００３０】
透明導電膜にＩＴＯ又はＩＺＯ、配線に銀合金を用いた場合の、静電容量型タッチパネル１００は図４に示す工程により製作される。
４ａにおいて、金属薄膜積層基板Ｓを用意する。金属薄膜積層基板Ｓは、真空成膜装置１又は真空成膜装置２を用いて、長尺の樹脂フィルムＦの第１の面に、透明導電膜１１０、金属薄膜１２０を、第２の面に、透明導電膜１３０、金属薄膜１４０を形成し、さらに金属薄膜１２０上に金属酸化膜１５０を形成することによって得られる。
金属薄膜積層基板Ｓの両面に第１エッチングレジスト１０６，１０７により透明導電膜のパターンを描画する（４ｂ）。パターンを描画する方法としてはフォトリソグラフィーやスクリーン印刷などによることができる。
エッチングパターンを描画した金属薄膜積層基板Ｓを銀合金と透明導電膜の両方を溶解するエッチング液によりエッチングして第１の電極パターン１０１、第２の電極パターン１０３を形成する（４ｃ）。次に第１エッチングレジスト１０６，１０７をアルカリ溶液などにより剥離する（４ｄ）。
次に第２エッチングレジスト１０８，１０９により銀合金による配線パターンを描画する（４ｅ）。銀合金のみを溶解するエッチング液によりエッチングして金属配線１０２、１０４を形成する（４ｆ）。最後に第２エッチングレジスト１０８，１０９をアルカリ溶液などにより剥離する（４ｇ）。
【実施例】
【００３１】
（実施例１）
図１に示す３個のイオン源を持ち１回の成膜作業により２以上種類の無機物の成膜が可能な真空成膜装置１としてのロール・ツー・ロール式マグネトロンスパッタリング装置を用いて、ロール状に巻き取られた長尺の樹脂フィルムＦの両面に、ＩＴＯと銀合金を積層した金属薄膜積層基板Ｓを製作した。
使用した長尺の樹脂フィルムＦは、幅５２０ｍｍ、厚さ０．１８８ｍｍ、長さ２００ｍのＰＥＴフィルムで両面にアクリル樹脂によるハードコート層が形成されているものである。
ＩＴＯと銀合金の積層膜を形成する場合、各層の密着力を調整するための下地層等が必要になることから、実際の積層数は４ないし６となるため、カソードが３個あっても１回のパスで片面の積層全てを完成させることは難しい。従って、長尺の樹脂フィルムＦの第１の面に下地層を含んでＩＴＯまで成膜した後、第２の面に同様にＩＴＯまで成膜して中間段階の基板として取り出し、その後、第１、第２の面に、これも下地層を含めて銀合金膜を成膜する工程とした。
以下には、両面にＩＴＯ膜が成膜されている段階の長尺の樹脂フィルムＦの基板を前提として、それ以降の工程の詳細を記す。
図１の成膜室、５０、６０、７０でそれぞれ下地膜、銀合金膜、ＩＴＯ膜を順に成膜する。このＩＴＯ膜が金属膜どうしのくっつきを防止する膜となる。スパッタリングカソード１３ａ、１３ｂ、１３ｃには、それぞれ、Ｎｂ（あるいはＭｏ）、銀合金、ＩＴＯのターゲットを装着する。ＩＴＯターゲットはスズが６％添加されたインジウムターゲットである。
【００３２】
筐体内を１０-４Ｐａまで減圧し、成膜室５０にアルゴンガスを導入し０．４Ｐａに調整し、Ｎｂを１００Åの厚さで下地膜として成膜した。成膜室６０にアルゴンガスを導入し０．４Ｐａに調整し、銀合金膜を１２００Åの厚さで成膜した。同時に成膜室７０にはアルゴンと酸素を１００:１導入し０．６Ｐａに調整し５０ÅのＩＴＯ膜を積層成膜した。全長にわたり上記成膜が完了し巻き取りロール１６巻き取り軸から取り外し、巻き出し室８０に装着し、第１の面と同様に第２の面に銀合金膜を１２００Åの厚さで成膜した。このとき、第２の面では成膜室７０のプラズマを停止しＩＴＯ膜は積層せず巻き取った。
両面に成膜が終わったロールを取り出し、巻き替え装置により巻きをほどいたが金属面同士のくっつきは見られず、しわ、剥がれ等の不良は発生していなかった。
【００３３】
（実施例２）
実施例１と同一の、長尺の樹脂フィルムＦの両面にＩＴＯ膜が成膜されている基板を用いて、第１の面へ下地膜、銀合金膜、ＩＴＯ膜を順に成膜した。成膜条件は実施例１と同様である。全長にわたり上記成膜が完了し巻き取りロール１６巻き取り軸から取り外し、巻き出し室８０に装着し、第１の面と同様に第２の面に下地膜、銀合金膜、ＩＴＯ膜を順に成膜した。銀合金膜は１２００Åの厚さとした。このとき、第１の面と同様に成膜室７０にはアルゴンと酸素を１００:１導入し０．６Ｐａに調整し５０ÅのＩＴＯ膜を積層成膜した。
両面に成膜が終わった樹脂基板を取り出し、巻き替え装置により巻をほどいたが金属面同士のくっつきは見られず、しわ、剥がれ等の不良は発生していなかった。
【００３４】
（比較例）
実施例１と同条件で両面に銀合金を成膜するが、第１、第２の面とも、銀合金膜の表面にＩＴＯ膜を成膜しないものは、巻き替え機でフィルムをほどくと、銀合金膜どうしのくっつき（ブロッキング）が発生した。巻の内側になるに従ってブロッキングの発生頻度が増し、しわ、膜剥がれ等が多数観察された。
【符号の説明】
【００３５】
Ｆ 樹脂フィルム
１、２ 真空成膜装置
１０ 筐体
１１ 巻き出し側ロール
１６ 巻き取り側ロール
１４ａ 巻き出しテンションロール
１４ｂ 巻き取りテンションロール
１２ａ，１５ａ 巻き出しガイドロール
１２ｂ、１５ｂ 巻き取りガイドロール
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ スパッタリングカソード
２０，２１ キャンロール
５０、６０、７０、７１、７２ 成膜室
８０ 巻き出し室
９０ 巻き取り室
１０１ 第１の電極パターン
１０３ 第２の電極パターン
１０２、１０４ 金属配線
１１０、１３０ 透明導電膜
１２０、１４０ 金属薄膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜からなる導電層を有する金属薄膜積層基板の製造方法であって、
前記樹脂フィルムの第１の面及び第２の面に、１面ずつ、又は同時に前記導電層を形成する工程と、
前記第１の面又は前記第２の面のうち、少なくとも一方の面の前記導電層上に更に金属酸化物薄膜を形成する工程と、
前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程と、
を有することを特徴とする金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化物はインジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物の内の一つである
請求項１記載の金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属薄膜は銀を主材料とし、
前記金属酸化物は、錫添加インジウム酸化物（ＩＴＯ）又は亜鉛添加インジウム酸化物（ＩＺＯ）である
請求項２記載の金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属薄膜は銀を主材料とし、
前記金属酸化物は亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウム添加亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム添加亜鉛酸化物（ＧＺＯ）の内の一つである
請求項２記載の金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属酸化物薄膜を前記樹脂フィルムの両面に形成した後に、
前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程を有する、
請求項１〜４の金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項６】
長尺の樹脂フィルムの両面に、１面ずつあるいは同時に、透明導電膜と金属薄膜を順次成膜する工程と、
少なくとも一方の面の前記金属薄膜上に更に金属酸化物薄膜を形成する工程と、
前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程と、
前記樹脂フィルムを巻き出し、両面にエッチングにより電極パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする、
静電容量型タッチパネルの製造方法。
【請求項１】
長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜からなる導電層を有する金属薄膜積層基板の製造方法であって、
前記樹脂フィルムの第１の面及び第２の面に、１面ずつ、又は同時に前記導電層を形成する工程と、
前記第１の面又は前記第２の面のうち、少なくとも一方の面の前記導電層上に更に金属酸化物薄膜を形成する工程と、
前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程と、
を有することを特徴とする金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化物はインジウム酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物の内の一つである
請求項１記載の金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属薄膜は銀を主材料とし、
前記金属酸化物は、錫添加インジウム酸化物（ＩＴＯ）又は亜鉛添加インジウム酸化物（ＩＺＯ）である
請求項２記載の金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属薄膜は銀を主材料とし、
前記金属酸化物は亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、アルミニウム添加亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム添加亜鉛酸化物（ＧＺＯ）の内の一つである
請求項２記載の金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属酸化物薄膜を前記樹脂フィルムの両面に形成した後に、
前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程を有する、
請求項１〜４の金属薄膜積層基板の製造方法。
【請求項６】
長尺の樹脂フィルムの両面に、１面ずつあるいは同時に、透明導電膜と金属薄膜を順次成膜する工程と、
少なくとも一方の面の前記金属薄膜上に更に金属酸化物薄膜を形成する工程と、
前記樹脂フィルムをロール状に巻き取る工程と、
前記樹脂フィルムを巻き出し、両面にエッチングにより電極パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする、
静電容量型タッチパネルの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−２４６５１１（Ｐ２０１２−２４６５１１Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１７０７９（Ｐ２０１１−１１７０７９）
【出願日】平成２３年５月２５日（２０１１．５．２５）
【出願人】（５９１１２４７６５）ジオマテック株式会社 (35)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月１３日（２０１２．１２．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月２５日（２０１１．５．２５）
【出願人】（５９１１２４７６５）ジオマテック株式会社 (35)
【Ｆターム（参考）】
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