集積回路装置の作製方法
【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置の作製方法、集積回路装置及び集積回路装置を利用した製品、半
導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁基板上に設けられた薄膜回路を転置する技術開発が進められている。このよう
な技術として、例えば、薄膜回路と基板の間に剥離層を設けて、当該剥離層を、ハロゲン
を含む気体を用いて除去することにより、薄膜回路を支持基板から分離し、その後転置す
る技術がある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２５４６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載の技術は、薄膜トランジスタが下地膜と層間絶縁膜及び窒化珪素膜
などのパッシベーション膜とで挟まれ、パッシベーション膜上に薄膜トランジスタと電気
的に接続された電極が形成されている構造を有する半導体集積回路を基板から剥離して、
表示装置のドライバー回路として用いるものである。つまり外部に接続するための電極を
あらかじめ薄膜トランジスタの上方に形成してある状態で基板から剥離しているため、薄
膜トランジスタの下方に外部と接続するための電極を形成することは行っていない。
【０００５】
そこで本発明は、薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる集積回
路装置の構造及び集積回路装置の作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明の集積回路装置の第１の構成は、第１の絶縁膜と、第１
の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、薄膜回路上に形成された第２の
絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、薄膜回路と電気的に接続された電極と、電極上に
形成された樹脂膜と、第１の絶縁膜の他方の面上に形成され、電極と電気的に接続された
導電膜とを有することを特徴とする。
【０００７】
そして、導電膜は、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、及び前記第２の絶縁膜に
形成された穴を通して前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の集積回路装置は、第１の絶縁膜、薄膜回路を含む層、第２の絶縁膜、電極
、及び樹脂膜に形成された穴を有していてもよい。
この場合、導電膜は、前記穴のうち、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、前記第
２の絶縁膜に形成された部分を通して前記電極と電気的に接続されている。
【０００９】
上記課題を解決するための本発明の集積回路装置の第２の構成は、第１の絶縁膜と、第１
の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、薄膜回路上に形成された第２の
絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、薄膜回路と電気的に接続された電極と、電極上に
形成された第３の絶縁膜と、第１の絶縁膜の他方の面上に形成され、電極と電気的に接続
された導電膜とを有することを特徴とする。
【００１０】
上記課題を解決するための本発明の集積回路装置の第３の構成は、厚さが１００μｍ以下
の基板と、前記基板の一方の面上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形
成された薄膜回路を含む層と、前記薄膜回路上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の
絶縁膜上に形成され、前記薄膜回路と電気的に接続された電極と、前記電極上に形成され
た第３の絶縁膜と、前記基板の他方の面上に形成され、前記電極と電気的に接続された導
電膜とを有することを特徴とする。
【００１１】
そして、導電膜は、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、及び前記第２の絶縁膜に
形成された穴を通して前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の集積回路装置は、第１の絶縁膜、薄膜回路を含む層、第２の絶縁膜、電極
、及び第３の絶縁膜に形成された穴を有していてもよい。
この場合、導電膜は、前記穴のうち、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、前記第
２の絶縁膜に形成された部分を通して前記電極と電気的に接続されている。
【００１３】
そして、上記本発明の集積回路装置の第１及び第２の構成において、薄膜回路を含む層に
形成されている薄膜回路は、薄膜トランジスタ、抵抗、コンデンサ、インダクタのなかか
ら選ばれたひとつまたは複数の素子を有する薄膜回路であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は上記第１の構成を有する集積回路装置の作製方法であって、第１の絶縁膜
と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜回路上に形成された第２の
絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、薄膜回路と電気的に接続された電極と、電極上に
形成された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電
極と重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は上記第２の構成を有する集積回路装置の作製方法であって、第１の絶縁膜
と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜回路上に形成された第２の
絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、薄膜回路と電気的に接続された電極と、電極上に
形成された第３の絶縁膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側
に、電極と重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射することを特徴とする
。
【００１６】
本発明の集積回路装置の作製方法は、厚さが１００μｍ以下の第１の基板と、前記第１の
基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回
路と、前記薄膜回路上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成され、薄
膜回路と電気的に接続された電極と、前記電極上に形成された第３の絶縁膜と、前記第３
の絶縁膜上に形成された第２の基板とを有する積層物を形成し、前記第１の絶縁膜の他方
の面上に、前記電極と重なるように導電膜を形成し、前記導電膜にレーザーを照射するこ
とを特徴とする。
【００１７】
また、上記の本発明の集積回路装置の作製方法において、前記薄膜回路は、薄膜トランジ
スタ、抵抗、コンデンサ、インダクタのなかから選ばれたひとつまたは複数の素子を有す
る回路であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の集積回路装置は、薄膜回路と電気的に接続された電極と重なるように、電極と異
なる層に導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射することによって、電極と電気的に接
続された外部との接続用の導電膜を容易に形成することができる。また、レーザーを照射
して電極と電気的に接続された外部との接続用の導電膜を形成することによって、電極と
接続用の導電膜との電気抵抗を下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態１を説明する図
【図２】実施の形態１を説明する図
【図３】実施の形態１を説明する図
【図４】実施の形態１を説明する図
【図５】実施の形態１を説明する図
【図６】実施の形態２を説明する図
【図７】実施の形態２を説明する図
【図８】実施の形態２を説明する図
【図９】実施の形態２を説明する図
【図１０】実施の形態２を説明する図
【図１１】実施の形態３を説明する図
【図１２】実施の形態３を説明する図
【図１３】実施の形態３を説明する図
【図１４】実施の形態４を説明する図
【図１５】実施の形態４を説明する図
【図１６】実施の形態４を説明する図
【図１７】実施の形態４を説明する図
【図１８】実施の形態５を説明する図
【図１９】実施の形態５を説明する図
【図２０】実施の形態５を説明する図
【図２１】実施の形態５を説明する図
【図２２】実施の形態５を説明する図
【図２３】実施の形態５を説明する図
【図２４】実施の形態１を説明する図
【図２５】実施の形態１を説明する図
【図２６】実施例１を説明する図
【図２７】実施例２を説明する図
【図２８】実施例３を説明する図
【図２９】実施例４を説明する図
【図３０】実施例５を説明する図
【図３１】実施例５を説明する図
【図３２】レーザー照射前における導電膜の上面図
【図３３】レーザー照射後における導電膜の上面図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、薄膜回路として、薄膜トランジスタを有する回路を形成する場合の集
積回路装置の作製方法について説明する。
【００２１】
まず、図１（Ａ）に示すように、基板１００上に剥離層１０１を形成する。剥離層１０１
として、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、
コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウ
ム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓ
ｉ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料から
なる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多
結晶のいずれの場合でもよい。
【００２２】
基板１００としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを用いればよい
。
【００２３】
剥離層１０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、タングステン
とモリブデンの混合物、タングステンの酸化物、タングステンの酸化窒化物、タングステ
ンの窒化酸化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの酸化窒化物、モリブデンの窒化酸化
物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の
酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物のいずれかを含む層を形成
する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデ
ンの合金に相当する。
【００２４】
剥離層１０１が積層構造の場合、好ましくは、１層目として、タングステン、モリブデン
、タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステンの
酸化物、モリブデンの酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステ
ンの酸化窒化物、モリブデンの酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒
化物を形成する。
【００２５】
このように、剥離層１０１を積層構造とする場合、金属膜と金属酸化膜との積層構造とす
ることが好ましい。金属酸化膜の形成方法の一例としては、スパッタ法により直接金属酸
化膜を形成する方法、基板１００上に形成した金属膜の表面を熱処理または酸素雰囲気下
でのプラズマ処理により当該金属膜の表面を酸化して金属酸化膜を形成する方法などが挙
げられるが、好ましくは、金属膜の表面に酸素を含む雰囲気下で高密度プラズマ処理を行
うことによって、金属膜の表面に金属酸化膜を形成するとよい。例えば、金属膜としてス
パッタ法により形成したタングステン膜を設けた場合、タングステン膜に高密度プラズマ
処理を行うことによって、タングステン膜表面にタングステンの酸化物からなる金属酸化
膜を形成することができる。
【００２６】
金属膜としては、前述したタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）以外に、チタン（Ｔ
ｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素
を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を用いることができる。
【００２７】
本明細書において「高密度プラズマ処理」とは、プラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ
−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、プラズマの電子温度が０．５ｅＶ以上１．５
ｅＶ以下であることを特徴としている。プラズマの電子密度が高密度でありながら、基板
上に形成された被処理物（ここでは、「金属膜」に相当する。）付近での電子温度が低い
ため、基板に対するプラズマ損傷を防止することができる。また、プラズマの電子密度が
１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であるため、酸化処理によって形成される酸化物の膜
厚均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成することができる。また、プラズマの電子温度が１
．５ｅＶ以下と低いため、通常のプラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度にて酸化処理
を行うことができる。たとえば、ガラス基板の歪点温度よりも１００度以上低い温度（代
表的には、２５０〜５５０℃）でプラズマ処理を行っても十分にプラズマ酸化処理を行う
ことができる。なお、プラズマを形成するための周波数はマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）
を用いている。また、プラズマの電位は５Ｖ以下と低電位であり、原料分子の過剰解離を
抑制することができる。
【００２８】
酸素を含む雰囲気としては、酸素（Ｏ２）もしくは一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と、希ガスと
の混合ガス、または、酸素（Ｏ２）もしくは一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と、希ガスと、水素
（Ｈ２）との混合ガスを用いることができる。希ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）、キセ
ノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）が挙げられる。また、混合ガス中の各ガスの圧力比は
、適宜決定すればよい。このような条件下で形成される金属酸化膜は、希ガス元素を含む
膜となる。また、プラズマの条件が低電子温度（１．５ｅＶ以下）でかつ高電子密度（１
．０×１０１１ｃｍ−３以上）であるため、プラズマダメージが非常に少ない金属酸化膜
を低温で形成することができる。
【００２９】
なお、剥離層１０１を形成する前に、基板１００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化
珪素膜、窒化酸化珪素膜などの絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に剥離層１０１を形成する
ようにしてもよい。基板１００と剥離層１０１との間にこのような絶縁膜を設けることに
より、基板１００が含む不純物が上層に侵入してしまうことを防止することができる。ま
た、後にレーザーを照射する工程があるが、その工程の際、基板１００がエッチングされ
てしまうことを防止することができる。なお、ここで、酸化窒化珪素膜と、窒化酸化珪素
膜とでは、前者は窒素よりも酸素を多く含み、後者は酸素よりも窒素を多く含むという意
味で使い分けている。
【００３０】
次に、図１（Ｂ）に示すように、剥離層１０１に接するように第１の絶縁膜１０２を形成
する。第１の絶縁膜１０２は下地膜として機能する膜である。第１の絶縁膜１０２として
、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を
含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。
【００３１】
図１（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１０２上に公知の方法で薄膜トランジスタを有す
る回路１０３を含む層１０４を形成する。薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層
１０４として例えば、複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを覆う第２の
絶縁膜１１０と、第２の絶縁膜１１０に接し複数の薄膜トランジスタのソース領域又はド
レイン領域に接続するソース配線またはドレイン配線１１１とを形成する。薄膜トランジ
スタは、島状の半導体膜１０７、ゲート絶縁膜１０８、サイドウォールが形成されたゲー
ト電極１０９などを有する。図１（Ｃ）においては、薄膜トランジスタを有する回路１０
３として、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ１０５及びＰチャネル型の薄膜トランジスタ
１０６とを有する構成の回路を例として示したが、特にこのような回路の構造に限定する
ものではない。また、図１（Ｃ）においては、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ１０５と
して、ゲート電極にサイドウォールが形成され、ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を有す
るトップゲート型の薄膜トランジスタを形成し、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ１０６
として、ゲート電極にサイドウォールが形成されたトップゲート型の薄膜トランジスタを
形成した例を示しているが、薄膜トランジスタの構造はこの構造に限定されるものではな
い。ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を有しない構造の薄膜トランジスタや、ボトムゲー
ト型の薄膜トランジスタ、シリサイド領域を有する薄膜トランジスタなど、公知の薄膜ト
ランジスタの構造を適用することができる。
【００３２】
以下、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４の形成方法についての一例を
詳細に説明する。
【００３３】
まず、第１の絶縁膜１０２上に非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜は、スパッタ
法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法により形成する。続いて、非晶質半導体膜を結晶
化して、結晶質半導体膜を形成する。結晶化の方法としては、レーザー結晶化法、ＲＴＡ
またはファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱
結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザー結晶化法を組み合わ
せた方法等を用いることができる。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパタ
ーニングして、島状の半導体膜１０７を形成する。なお、剥離層１０１、第１の絶縁膜１
０２、及び非晶質半導体膜は、大気に曝さずに連続して形成することもできる。
【００３４】
結晶質半導体膜の作製工程の一例を以下に簡単に説明する。非晶質半導体膜を結晶化する
方法としては、レーザー結晶化法、ＲＴＡまたはファーネスアニール炉を用いる熱結晶化
法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる
熱結晶化法とレーザー結晶化法とを組み合わせた方法等が挙げられる。また、他の結晶化
の方法として、ＤＣバイアスを印加して熱プラズマを発生させ、当該熱プラズマを半導体
膜に作用させることにより結晶化を行ってもよい。
【００３５】
レーザー結晶化法を用いる場合、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービーム）や
パルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる。使用可
能なレーザービームとしては、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシマレーザーなどの気
体レーザー、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌ
Ｏ３、ＧｄＶＯ４、もしくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡ
ｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｔａのうち１種もしくは複数種添加されているものを媒質とするレーザー、ガラスレーザ
ー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、銅蒸気
レーザー、金蒸気レーザーのうち、一種または複数種から発振されるものを用いることが
できる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４
高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、
Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調
波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのエネルギー密度は０．０１
〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そし
て、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【００３６】
なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、
ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３
、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａの
うち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Ａｒイオンレーザー、
Ｔｉ：サファイアレーザーは、それぞれ連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ
動作やモード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさ
せることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、
半導体膜がレーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に
照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜
中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的
に成長した結晶粒を得ることができる。
【００３７】
上述した連続発振レーザーまたは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザービームを用
いて結晶化する場合、結晶化された半導体膜の表面を平坦なものとすることができる。こ
の結果、後に形成するゲート絶縁膜１０８を薄膜化することも可能であり、また、ゲート
絶縁膜１０８の耐圧を向上させることに寄与することができる。
【００３８】
また、媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に
媒質を形成することが可能である。単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、長さ数十ｍ
ｍの円柱状の媒質が用いられているが、セラミックを用いる場合はさらに大きいものを作
ることが可能である。
【００３９】
発光に直接寄与する媒質中のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶
中でも大きく変えることは困難なため、ドーパントの濃度を増加させることによるレーザ
ーの出力向上にはある程度限界がある。しかしながら、セラミックの場合、単結晶と比較
して媒質の大きさを著しく大きくすることができるため大幅な出力向上が期待できる。
【００４０】
さらに、セラミックの場合では、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成するこ
とが可能である。このような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行
させると、発振光路を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発
振させることが可能になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザービーム
は射出時の断面形状が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整
形するのに有利である。このように射出されたレーザービームを、光学系を用いて整形す
ることによって、短辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に
得ることが可能となる。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは
長辺方向にエネルギー分布の均一なものとなる。
【００４１】
この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体膜をより均一にアニールする
ことが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが必要な場合は、その両端にス
リットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫をすればよい。
【００４２】
このようにして得られた強度が均一な線状ビームを用いて半導体膜をアニールし、この半
導体膜を用いて半導体装置を作製すると、その半導体装置の特性を、良好かつ均一なもの
とすることができる。
【００４３】
結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法として、具体的な方法の一例を挙げる。結
晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた後、
非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５０℃、
４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、必要に応じてレーザー光を照射し
、フォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって島状の半導体膜１０７を形成
すればよい。
【００４４】
結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法は、低温且つ短時間で非晶質半導体膜の結
晶化が可能となるうえ、結晶の方向が揃うという利点がある一方、金属元素が結晶質半導
体膜に残存するためにオフ電流が上昇し、特性が安定しないという欠点がある。そこで、
結晶質半導体膜上に、ゲッタリングサイトとして機能する非晶質半導体膜を形成するとよ
い。ゲッタリングサイトとなる非晶質半導体膜には、リンやアルゴンの不純物元素を含有
させる必要があるため、好適には、アルゴンを高濃度に含有させることが可能なスパッタ
法で形成するとよい。その後、加熱処理（ＲＴＡ法やファーネスアニール炉を用いた熱ア
ニール等）を行って、非晶質半導体膜中に金属元素を拡散させ、続いて、当該金属元素を
含む非晶質半導体膜を除去する。このようなゲッタリングプロセスを行うことにより、結
晶質半導体膜中の金属元素の含有量を低減または除去することができる。
【００４５】
次に、島状の半導体膜１０７を覆うゲート絶縁膜１０８を形成する。ゲート絶縁膜１０８
は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法により、珪素の酸化物または珪素の
窒化物を含む膜を、単層または積層して形成する。具体的には、酸化珪素を含む膜、酸化
窒化珪素を含む膜、窒化酸化珪素を含む膜を、単層構造として形成するか、当該これらの
膜を適宜積層して形成する。また、島状の半導体膜１０７に対して、酸素、窒素、または
酸素及び窒素を含む雰囲気中で、上述した高密度プラズマ処理を行うことにより、島状の
半導体膜１０７の表面を酸化または窒化して、ゲート絶縁膜を形成してもよい。高密度プ
ラズマ処理により形成されたゲート絶縁膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成された
膜と比較して膜厚や膜質などの均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成することができる。酸
素を含む雰囲気としては、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（ＮＯ２）、もしくは一酸化二窒素
（Ｎ２Ｏ）と、希ガスとの混合ガス、または、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（ＮＯ２）もし
くは一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と、希ガスと、水素（Ｈ２）との混合ガスを用いることがで
きる。また、窒素を含む雰囲気としては、窒素（Ｎ２）もしくはアンモニア（ＮＨ３）と
、希ガスとの混合ガス、または、窒素（Ｎ２）もしくはアンモニア（ＮＨ３）と、希ガス
と、水素（Ｈ２）との混合ガスを用いることができる。高密度プラズマにより生成された
酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場
合もある）によって、島状の半導体膜１０７の表面を酸化又は窒化することができる。
【００４６】
高密度プラズマ処理を行ってゲート絶縁膜１０８を形成する場合、１〜２０ｎｍ、代表的
には５〜１０ｎｍの絶縁膜が島状の半導体膜１０７に形成される。この場合の反応は固相
反応であるため、当該絶縁膜と島状の半導体膜１０７との界面準位密度をきわめて低くす
ることができる。また、島状の半導体膜１０７を直接酸化または窒化するため、形成され
るゲート絶縁膜１０８の厚さを、理想的にはばらつきをきわめて小さくすることができる
。さらに、結晶性シリコンの結晶粒界でも強い酸化がおこらないため、非常に好ましい状
態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の表面を固相酸化するこ
とにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、且つ、均一性が良く、界
面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
【００４７】
なお、ゲート絶縁膜１０８は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用い
てもよいし、それに加えてプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法により酸化珪素、酸素を
含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素などの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。なお、図
１（Ｃ）においては、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜に加えて、ＣＶＤ法
により絶縁膜を積層した構成としている。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶
縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつき
を小さくすることができる。
【００４８】
また、非晶質半導体膜に対し、連続発振レーザーまたは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振す
るレーザービームを照射しながら一方向に走査して結晶化した結晶質半導体膜は、そのビ
ームの走査方向に結晶が成長する特性がある。したがって、走査方向をチャネル長方向（
チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせてトランジスタを
配置し、高密度プラズマ処理によって形成されたゲート絶縁膜１０８を組み合わせること
で、特性ばらつきがより小さく、しかも電界効果移動度が高いトランジスタを得ることが
できる。
【００４９】
次に、ゲート絶縁膜１０８上にゲート電極１０９を形成する。ゲート電極１０９は、スパ
ッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法により形成すればよい。また、ゲート電極１
０９は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）
、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択され
た元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いて形成する
ことができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導
体材料により形成することもできる。
【００５０】
次に、島状の半導体膜１０７に対し、イオンドープ法またはイオン注入法により不純物元
素を選択的に添加して、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ１０５及びＰチャネル型の薄膜
トランジスタ１０６を形成する。なお、図１（Ｃ）においては、Ｎチャネル型の薄膜トラ
ンジスタ１０５は、ゲート電極１０９の側面に接する絶縁膜（サイドウォール）を用いて
ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を形成している。また、Ｎチャネル型の薄膜トランジス
タ１０５を形成する際に用いる、Ｎ型を付与する不純物元素は、１５族に属する元素を用
いればよく、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）を用いる。また、Ｐチャネル型の薄膜トラ
ンジスタ１０６を形成する際に用いる、Ｐ型を付与する不純物元素は、１３族に属する元
素を用いればよく、例えばボロン（Ｂ）を用いる。
【００５１】
上記工程を経て、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ１０５及びＰチャネル型の薄膜トラン
ジスタ１０６を完成させた後、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加された不純物元
素の活性化を目的とする加熱処理を行ってもよい。また、好ましくは加熱処理を行った後
、露出されているゲート絶縁膜１０８に対して水素を含む雰囲気中で高密度プラズマ処理
を行うことにより、当該ゲート絶縁膜１０８の表面に水素を含有させるようにしてもよい
。これは、後の半導体膜の水素化の工程を行う際に、この水素を利用することができるた
めである。または、基板に対して３５０〜４５０℃の加熱をしながら水素を含む雰囲気中
で高密度プラズマ処理を行うことで、半導体膜の水素化を行うことができる。なお、水素
を含む雰囲気としては、水素（Ｈ２）またはアンモニア（ＮＨ３）と、希ガス（例えば、
アルゴン（Ａｒ））とを混合したガスを用いることができる。水素を含む雰囲気として、
アンモニア（ＮＨ３）と希ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ））との混合ガスを用いた場合
、ゲート絶縁膜１０８表面の水素化と同時に表面を窒化することもできる。
【００５２】
次に、複数の薄膜トランジスタを覆うように、第２の絶縁膜１１０を形成する。第２の絶
縁膜１１０は、ＳＯＧ法、液滴吐出法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材
料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料、
シロキサン等を用いて、単層または積層で形成する。なお、本明細書においてシロキサン
とは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基として、少
なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。また、
置換基として、フルオロ基を用いてもよいし、少なくとも水素を含む有機基及びフルオロ
基を用いてもよい。例えば、第２の絶縁膜１１０が３層構造の場合、１層目の絶縁膜とし
て酸化珪素を主成分とする膜を形成し、２層目の絶縁膜として樹脂を主成分とする膜を形
成し、３層目の絶縁膜として窒化珪素を主成分とする膜を形成するとよい。また、第２の
絶縁膜１１０を単層構造にする場合、窒化珪素膜または酸素を含む窒化珪素膜を形成する
とよい。このとき、好ましくは窒化珪素膜または酸素を含む窒化珪素膜に対して水素を含
む雰囲気中で高密度プラズマ処理を行うことにより、当該窒化珪素膜または当該酸素を含
む窒化珪素膜の表面に水素を含有させるようにする。これは、島状の半導体膜１０７の水
素化の工程を後に行う際に、この水素を利用することができるためである。または、基板
に対して３５０〜４５０℃の加熱をしながら水素を含む雰囲気中で高密度プラズマ処理を
行うことで、半導体膜の水素化を行うことができる。なお、水素を含む雰囲気としては、
水素（Ｈ２）またはアンモニア（ＮＨ３）と、希ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ））とを
混合したガスを用いることができる。水素を含む雰囲気として、アンモニア（ＮＨ３）と
希ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ））との混合ガスを用いた場合、ゲート絶縁膜１０８表
面の水素化と同時に表面を窒化することもできる。
【００５３】
なお、第２の絶縁膜１１０を形成する前に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加さ
れた不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処
理には、熱アニール、レーザーアニール法、またはＲＴＡ法などを適用するとよい。例え
ば、不純物元素の活性化を目的とする場合、５００℃以上の熱アニールを行えばよい。ま
た、半導体膜の水素化を目的とする場合、３５０〜４５０℃の熱アニールを行えばよい。
【００５４】
次に、フォトリソグラフィ法により第２の絶縁膜１１０およびゲート絶縁膜１０８をエッ
チングして、島状の半導体膜１０７を露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、
コンタクトホールを充填するように、導電膜を形成し、当該導電膜をパターン加工して、
ソース配線またはドレイン配線１１１を形成する。
【００５５】
ソース配線またはドレイン配線１１１は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ
法により、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電膜を用いて形成する。アルミニウム
を主成分とする導電膜とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、ま
たは、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方または両方を含む合金
材料に相当する。アルミニウムを主成分とする導電膜は、一般に耐熱性に難点があるため
、アルミニウムを主成分とする導電膜の上下をバリア膜で挟み込む構成とすることが好ま
しい。バリア膜とは、アルミニウムを主成分とする導電膜のヒロック抑制や、耐熱性を高
める機能を有するものを指し、このような機能を有する材料としては、クロム、タンタル
、タングステン、モリブデン、チタン、シリコン、ニッケルまたはこれらの窒化物からな
るものが挙げられる。ソース配線またはドレイン配線１１１の構造の一例として、基板側
から順にチタン膜、アルミニウム膜、チタン膜を順に積層する構造が挙げられる。チタン
膜は、還元性の高い元素であるため、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたと
しても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができ
る。また、結晶質半導体膜とアルミニウム膜との間に形成されるチタン膜に対して、窒素
を含む雰囲気中で高密度プラズマ処理を行い、表面を窒化することが好ましい。高密度プ
ラズマ処理の条件として、プラズマの電子密度は１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３
ｃｍ−３以下であり、プラズマの電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下である。また
、窒素を含む雰囲気としては、Ｎ２もしくはＮＨ３と、希ガスとの混合ガス、または、Ｎ
２もしくはＮＨ３と、希ガスと、Ｈ２との混合ガスを用いればよい。チタン膜の表面を窒
化することにより、後の加熱処理の工程などでチタンとアルミニウムが合金化することを
防ぎ、チタン膜を突き破って結晶質半導体膜中にアルミニウムが拡散することを防止する
ことができる。なお、ここではアルミニウム膜をチタン膜で挟み込む例について説明した
が、チタン膜に変えてクロム膜、タングステン膜などを用いた場合にも同じことが言える
。さらに好ましくは、マルチチャンバー装置を用いて、チタン膜の成膜、チタン膜表面の
窒化処理、アルミニウム膜の成膜、チタン膜の成膜を大気に曝すことなく連続して行う。
【００５６】
以上の工程により、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４が形成される。
【００５７】
次に、図２（Ａ）に示すように、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４上
に第３の絶縁膜１１２を形成し、第３の絶縁膜１１２上に薄膜トランジスタを有する回路
１０３の有する配線と電気的に接続された電極１１３を金属膜などを用いて形成する。こ
こでは電極１１３として、ＴｉＮ膜をスパッタ法で形成する。
【００５８】
第３の絶縁膜１１２は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリ
ル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【００５９】
また、図２（Ａ）においては、薄膜トランジスタのソース配線又はドレイン配線と接続す
るように電極１１３を形成しているが、この場合に特に限定されるものではない。薄膜回
路のなかで、外部回路と電気的に接続したい箇所に電極を形成すればよい。
【００６０】
電極１１３を形成した後、図２（Ｂ）に示すように、電極１１３上に樹脂膜１１４を２０
〜３０μｍの膜厚で形成する。ここでは、樹脂膜として、熱硬化型樹脂、ＵＶ（紫外線）
硬化型樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂材料をスクリーン印刷を用いて電極１１３上に塗布し
た後、焼成することにより形成する。
【００６１】
次に、図２（Ｃ）に示すように波長が紫外領域のレーザー（以下においては、ＵＶレーザ
ーという）を照射して、図３（Ａ）に示すように開口部１１５、１１６を形成する。この
ように、開口部１１５、１１６を形成することにより、剥離層１０１が一部除去されるこ
とがきっかけとなり、基板１００から、第１の絶縁膜１０２、薄膜トランジスタを有する
回路１０３を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、樹脂膜１１４を有する積
層体１１８を簡単に分離することができる。この分離は、剥離層１０１の内部、又は剥離
層１０１と第１の絶縁膜１０２の間を境界として行われる。
【００６２】
また、本実施の形態ではＵＶレーザーを用いたが、本発明に用いるレーザーの種類は、開
口部１１５を形成できるものであれば特に制約はない。レーザーは、レーザー媒質、励起
源、共振器により構成されている。レーザーは、媒質により分類すると、気体レーザー、
液体レーザー、固体レーザーがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レーザー、
半導体レーザー、Ｘ線レーザーがあるが、本発明では、いずれのレーザーを用いてもよい
。なお、好ましくは、気体レーザー又は固体レーザーを用いるとよく、さらに好ましくは
固体レーザーを用いるとよい。
【００６３】
気体レーザーは、ヘリウムネオンレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、アル
ゴンイオンレーザーがある。エキシマレーザーは、希ガスエキシマレーザー、希ガスハラ
イドエキシマレーザーがある。希ガスエキシマレーザーは、アルゴン、クリプトン、キセ
ノンの３種類の励起分子による発振がある。アルゴンイオンレーザーは、希ガスイオンレ
ーザー、金属蒸気イオンレーザーがある。
【００６４】
液体レーザーは、無機液体レーザー、有機キレートレーザー、色素レーザーがある。無機
液体レーザーと有機キレートレーザーは、固体レーザーに利用されているネオジムなどの
希土類イオンをレーザー媒質として利用する。
【００６５】
固体レーザーが用いるレーザー媒質は、固体の母体に、レーザー作用をする活性種がドー
プされたものである。固体の母体とは、結晶又はガラスである。結晶とは、ＹＡＧ（イッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット結晶）、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、サファイ
ア、ルビー、アレキサンドライドである。また、レーザー作用をする活性種とは、例えば
、３価のイオン（Ｃｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｙｂ３＋、Ｔｍ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｉ
３＋）である。
【００６６】
なお、媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に
媒質を形成することが可能である。媒質として単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、
長さ数十ｍｍの円柱状のものが用いられているが、媒質としてセラミック（多結晶）を用
いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。また、発光に直接寄与する媒質中
のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられな
いため、濃度を増加させることによるレーザーの出力向上にはある程度限界がある。しか
しながら、媒質としてセラミックを用いると、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大
きくすることができるため大幅な出力向上が期待できる。さらに、媒質としてセラミック
を用いると、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。こ
のような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路
を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能
になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザービームは射出時の断面形状
が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利であ
る。このように射出されたレーザービームを、光学系を用いて整形することによって、短
辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に得ることが可能とな
る。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺方向にエネルギ
ー分布の均一なものとなる。この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体
膜の全面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニ
ールが必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなど
の工夫が必要となる。
【００６７】
なお、本発明に用いるレーザーには、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービーム
）やパルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる。な
お、レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロフ
ァイル等は、第１の絶縁膜１０２、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４
、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、樹脂膜１１４の厚さやその材料等を考慮して適宜制
御する。
【００６８】
なお、基板１００から、第１の絶縁膜１０２、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含
む層１０４、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、樹脂膜１１４を有する積層体１１８を分
離する際には、図３（Ｂ）に示すように、樹脂膜１１４の表面を、第１のフィルム１１７
に接着させて、白抜き矢印の方向に第１のフィルム１１７を引っ張ることによって、基板
１００から、第１の絶縁膜１０２、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４
、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、樹脂膜１１４を有する積層体１１８を分離する。こ
の際、剥離層１０１の内部又は剥離層１０１と第１の絶縁膜１０２の境界において、基板
１００と積層体１１８とが分離する。基板１００から分離した後の積層体１１８は、第１
の絶縁膜１０２が最表面となる。樹脂膜１１４は、第１のフィルム１１７を引っ張ること
によって基板１００と積層体１１８とを分離する際に強度を確保するための膜である。樹
脂膜１１４を有することによって、この工程において、積層体１１８が破れてしまうのを
防ぐことができる。
【００６９】
第１のフィルム１１７は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【００７０】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【００７１】
そして、図３（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１０２（薄膜回路の裏面側）の表面、つ
まり第１の絶縁膜１０２の薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４が形成さ
れていない側の面に、電極１１３と重なる位置で、導電膜１１９を１μｍ〜数十μｍの膜
厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜１１９は、例えばスクリーン印
刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストな
どの導電性材料やハンダなどを用いて形成すればよい。この導電膜１１９の膜厚が０．１
μｍ以下となると膜厚が薄すぎて、後の工程において電極１１３との電気的接続がうまく
とれなくなってしまう。
【００７２】
そして、図４（Ａ）に示すように、導電膜１１９にレーザーを照射する。この際、導電膜
１１９が電極１１３の深さまで打ち込まれ、電極１１３で止まるようにレーザーの出力を
調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用いて、波長を２６６ｎｍ（第４
高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗとしてレーザー照射を行った。この
条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に特に限定されるものではない。こ
のレーザー照射により、導電膜１１９と電極１１３が電気的に接続され、図４（Ｂ）に示
すような状態となる。図４（Ｂ）において、１２０は電極１１３と電気的に接続された導
電膜を示す。
【００７３】
図４（Ｂ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、薄膜トランジスタを有す
る回路１０３を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２に穴が形成され、その穴の側壁部分に
沿って電極１１３の内部まで導電膜１１９を構成する材料が移動して電極１１３と電気的
に接続している。
【００７４】
ここで、導電膜１１９と電極１１３を電気的に接続するためのレーザー照射前における
導電膜１１９の上面からの光学顕微鏡写真を図３２に示し、導電膜１１９と電極１１３を
電気的に接続するためのレーザー照射後における導電膜１１９の上面からの光学顕微鏡写
真を図３３に示す。図３２、３３は共に５０倍の倍率で撮影したものである。図３３には
、円形の穴が形成されているのがわかる。この穴を通して電極１１３と電気的に接続され
ている。なお、図３３では、導電膜１１９と電極１１３を電気的に接続するための穴の形
状が円形であるが、この穴の形状は円形に限定されるものではない。また、図３３では、
ひびのように見える部分が存在するが、これは抵抗値を測定する際に測定用の電極が接触
した部分であり、この測定用の電極が接触した部分において導電膜１１９の表面が擦れて
金属光沢がでているものである。
【００７５】
なお、ここでは、導電膜１１９が電極１１３の深さまで打ち込まれ、電極１１３で止まる
ようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、樹脂膜１１４及び第１の第１のフィ
ルム１１７を貫通するような穴が形成されるようにレーザーの出力を調節してもよい。
【００７６】
そして、図４（Ｃ）に示すように、隣り合って形成された薄膜トランジスタを有する回路
１０３と薄膜トランジスタを有する回路１０３との間の部分にレーザーを照射することで
、図５に示すように薄膜トランジスタを有する回路１０３をひとつずつ有する１２１、１
２２、１２３の３つの部分にそれぞれ分割する。分割した後の１２１、１２２、１２３が
それぞれ集積回路装置となる。
【００７７】
なお、本実施の形態においては、例として基板上に３つの薄膜トランジスタを有する回路
１０３を形成する場合について説明したが、基板上に形成する薄膜トランジスタを有する
回路１０３の数はこれに限定されるものではない。薄膜トランジスタを有する回路１０３
の数は、ひとつでも、ふたつでも、３つ以上でも良いことはいうまでもない。
【００７８】
以上のようにして、本発明の集積回路装置が形成される。
以下においては、以上のようにして得られた本発明の集積回路装置をアンテナが形成され
た基板上に実装して半導体装置を形成する工程について説明する。
【００７９】
図２４（Ａ）に示すように、基板７２２上には、アンテナの機能を有する導電膜７２３が
形成されている。この基板７２２上に導電性粒子７２５を含む樹脂７２４を用いて集積回
路装置７２６を接着する。導電性粒子７２５を含む樹脂７２４を用いて接着することによ
り、アンテナの機能を有する導電膜７２３のなかの接続部と集積回路装置７２６の有する
裏面の接続用導電膜とが導電性粒子７２５を介して電気的に接続される。
【００８０】
そして、この導電性粒子７２５を含む樹脂７２４を硬化させるために加熱処理を施す。第
１のフィルム１１７として熱剥離フィルムを用いた場合には、この加熱処理によって第１
のフィルム１１７を樹脂膜１１４から剥離することができる。第１のフィルム１１７を樹
脂膜１１４から剥離した後の状態を図２４（Ｂ）に示す。
【００８１】
以上のようにして本発明の集積回路装置をアンテナが形成された基板上に実装することが
できる。なお、ここでは、導電性粒子を含む樹脂を用いて、アンテナの機能を有する導電
膜と集積回路装置とを電気的に接続する場合について説明したが、アンテナの機能を有す
る導電膜と集積回路装置とを電気的に接続する手段としては、導電性粒子を含む樹脂以外
にも、はんだなどの公知の方法を用いれば良い。
【００８２】
なお、アンテナの機能を有する導電膜と集積回路装置とを電気的に接続する手段としては
んだを用いる場合にも、はんだを溶かすために加熱を行う。よって、第１のフィルム１１
７として熱剥離フィルムを用いた場合には、この加熱によって第１のフィルム１１７を樹
脂膜１１４から剥離することができる。
【００８３】
本発明の集積回路装置をアンテナが形成された基板上に実装した後で、封止を行うのが好
ましい。封止は、少なくともアンテナが形成された基板７２２のアンテナの機能を有する
導電膜７２３が形成されている側において行われていればよい。アンテナが形成された基
板７２２のアンテナの機能を有する導電膜７２３が形成されている側においてのみ封止を
行った場合について図２５（Ａ）に示す。封止を行う際には、ベースフィルム上に接着層
を有する構造の第２のフィルム７２９によって封止を行う。第２のフィルム７２９として
は例えばホットメルトフィルムが挙げられる。ホットメルトフィルムはベースフィルム上
にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂からなる接着層が形成された構成となっている
。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等があげられる。また、接着層として
使用される材料は、ポリエチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテー
ト）等が挙げられる。
【００８４】
また、図２５（Ｂ）に示すようにアンテナが形成された基板７２２の両側から２枚のフィ
ルム（第２のフィルム７２７、第３のフィルム７２８）によって封止を行うようにしても
良い。図２５（Ｂ）の第２のフィルム７２７、第３のフィルム７２８としては、ベースフ
ィルム上に接着層を有する構造のフィルムを用いれば良い。
【００８５】
なお、図２４、図２５においては、第１のフィルム１１７を加熱処理の際に剥離して封止
を行う場合について説明したが、第１のフィルム１１７を剥離せず、樹脂膜１１４上に接
着したままの状態で封止を行うことも可能である。その場合には、第１のフィルム１１７
として、熱剥離フィルム以外のフィルム（ホットメルトフィルムなど）を用いることがで
きる。
【００８６】
本実施例で形成した集積回路装置は、薄膜トランジスタを有する回路の上方に樹脂膜を有
し、薄膜トランジスタを有する回路の裏面側に外部との電気的接続をとるための電極を有
する点が特徴である。つまり樹脂膜が形成されていない側の面に薄膜トランジスタを有す
る回路と電気的に接続する導電膜を有する点が特徴である。第１の絶縁膜の膜厚と薄膜ト
ランジスタを有する回路を含む層との膜厚との合計は１０μｍ程度、もしくはそれ以下で
あり、樹脂膜の膜厚は２０〜３０μｍ程度であるため、樹脂膜が形成されていない側の面
に薄膜トランジスタを有する回路と電気的に接続する導電膜を形成することによって、樹
脂膜側に形成する場合と比較して容易に薄膜トランジスタを有する回路と電気的に接続す
る導電膜を形成することができる。
【００８７】
（実施の形態２）
実施の形態１においては、薄膜回路として、薄膜トランジスタを有する回路を形成した場
合について説明した。本実施の形態においては、薄膜回路として、抵抗を有する回路を形
成する場合について説明する。
なお、実施の形態１においては、薄膜回路として薄膜トランジスタを有する回路を形成し
ており、本実施の形態においては、薄膜回路として抵抗を形成しているが、薄膜トランジ
スタ、抵抗、インダクタ、コンデンサのなかの複数種類の素子を有する場合についても実
施することができる。
【００８８】
まず図６（Ａ）に示すように、基板２００上に剥離層２０１を形成し、剥離層２０１上に
第１の絶縁膜２０２を形成する。基板２００に用いる材料や、剥離層２０１の材料や形成
方法は実施の形態１と同様にして行えばよい。
【００８９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜２０２上に抵抗体２０４を形成する。抵抗
体２０４は、例えばＴａ２Ｎを用いて形成すればよい。
この抵抗体２０４の上面から見た形状の例を図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、以下に
おいては、抵抗体２０４として図１０（Ａ）の形状の抵抗体を形成する場合について説明
する。
【００９０】
抵抗体２０４を形成した後に、図６（Ｃ）に示すように、抵抗体２０４上に第２の絶縁膜
２０５を形成する。
そして、図６（Ｄ）に示すように、第２の絶縁膜２０５に開口２０６を形成する。この開
口２０６は、後に形成する電極と抵抗体２０４とのコンタクトをとるための穴である。
この開口２０６は、図１０（Ａ）の２１６、２１７の領域上に形成するようにする。なお
、図１０（Ｂ）の形状の抵抗体を形成する場合には、図１０（Ｂ）の２１９、２２０の領
域上に開口２０６を形成するようにすればよい。
【００９１】
開口２０６を形成した後、図７（Ａ）に示すように、抵抗体２０４と電気的に接続する電
極２０７を第２の絶縁膜２０５上に形成する。この電極２０７は、図１０（Ａ）の２１６
、２１７の部分とそれぞれ電気的に接続するように形成される。
【００９２】
電極２０７を形成した後に、図７（Ｂ）に示すように電極２０７上に樹脂膜２０８を形成
する。そして、その後、図７（Ｃ）に示すようにレーザーを照射する。レーザーの照射に
よって、図７（Ｄ）に示すように、剥離層２０１、第１の絶縁膜２０２、第２の絶縁膜２
０５、樹脂膜２０８に開口２０９が形成される。このように、開口２０９を形成すること
により、剥離層２０１が一部除去されることがきっかけとなり、基板２００から、第１の
絶縁膜２０２、抵抗体２０４、第２の絶縁膜２０５、電極２０７が積層されてなる、抵抗
を有する回路を含む層２１０と、樹脂膜２０８とを有する積層体２１１を簡単に分離する
ことができる。この分離は、剥離層２０１の内部、又は剥離層２０１と第１の絶縁膜２０
２の間を境界として行われる。
【００９３】
なお、レーザーの種類は、実施の形態１と同様にどのような種類のレーザーを用いてもよ
い。レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロフ
ァイル等は、抵抗を有する回路を含む層２１０、樹脂膜２０８の厚さやその材料等を考慮
して適宜制御する。
【００９４】
なお、基板２００から、抵抗を有する回路を含む層２１０と、樹脂膜２０８とを有する積
層体２１１を分離する際には、図８（Ａ）に示すように、樹脂膜２０８の表面を、第１の
フィルム２１２に接着させて、図８（Ｂ）に示すように、白抜き矢印の方向に第１のフィ
ルム２１２を引っ張ることによって、基板２００から、抵抗を有する回路を含む層２１０
と、樹脂膜２０８とを有する積層体２１１を分離する。この際、剥離層２０１の内部又は
剥離層２０１と第１の絶縁膜２０２の境界において、基板２００と積層体２１１とが分離
する。基板２００から分離した後の積層体２１１は、第１の絶縁膜２０２が最表面となる
。樹脂膜２０８は、第１のフィルム２１２を引っ張ることによって基板２００と積層体２
１１とを分離する際に強度を確保するための膜である。樹脂膜２０８を有することによっ
て、この工程において、積層体２１１が破れてしまうのを防ぐことができる。
【００９５】
第１のフィルム２１２は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【００９６】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【００９７】
第１のフィルム２１２としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の
後でＵＶ（紫外線）を照射することによって第１のフィルム２１２を剥離することもでき
る。
【００９８】
また、第１のフィルム２１２として熱剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の後で加
熱することによって第１のフィルム２１２を剥離することもできる。
【００９９】
そして、図８（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜２０２（薄膜回路の裏面側）の表面、つ
まり第１の絶縁膜２０２の抵抗を有する回路を含む層２１０が形成されていない側の面に
、電極２０７と重なる位置で、導電膜２１３を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０
〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜２１３は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペー
スト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハ
ンダなどを用いて形成すればよい。この導電膜２１３の膜厚が０．１μｍ以下となると膜
厚が薄すぎて、後の工程において電極２０７との電気的接続がうまくとれなくなってしま
う。
【０１００】
そして、図８（Ｄ）に示すように、導電膜２１３にレーザーを照射する。この際、導電膜
２１３が電極２０７の深さまで打ち込まれ、電極２０７で止まるようにレーザーの出力を
調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用いて、波長を２６６ｎｍ（第４
高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗとしてレーザー照射を行った。この
条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に特に限定されるものではない。こ
のレーザー照射により、導電膜２１３と電極２０７が電気的に接続され、図９に示すよう
な状態となる。
図９において、２１４、２１５は電極２０７と電気的に接続された導電膜を示す。
【０１０１】
図９に示すように、レーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜２０２、第２の絶
縁膜２０５に穴が形成され、その穴の側壁部分に沿って電極２０７の内部まで導電膜２１
３を構成する材料が移動して電極２０７と電気的に接続している。
【０１０２】
なお、ここでは、導電膜２１３が電極２０７の深さまで打ち込まれ、電極２０７で止まる
ようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、樹脂膜２０８及び第１のフィルム２
１２を貫通するようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０１０３】
（実施の形態３）
本実施の形態においては、薄膜回路としてインダクタを有する回路を形成する場合につい
て説明する。本実施の形態においては、一種類の素子を有する回路を形成する場合につい
て説明するが、薄膜トランジスタ、抵抗、インダクタ、コンデンサのなかの複数種類の素
子を有する場合についても実施することができる。
【０１０４】
以下において、インダクタが形成されている部分に注目した断面図を用いてインダクタを
有する集積回路装置の作製工程について説明する。
【０１０５】
まず図１１（Ａ）に示すように、基板３００上に剥離層３０１を形成し、剥離層３０１上
に第１の絶縁膜３０２を形成する。基板３００に用いる材料や、剥離層３０１の材料、形
成方法は実施の形態１と同様にして行えばよい。
【０１０６】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜３０２上にコイル状の第１の導電膜３０
３を形成する。図１１（Ｂ）の上側の図は断面図であり、図１１（Ｂ）の下側の図は上面
図を示す。
図１１（Ｂ）の上面図において、３０４、３０５は後で形成する電極とコンタクトをとる
ための領域である。
【０１０７】
第１の導電膜３０３を形成した後に、図１１（Ｃ）に示すように、第１の導電膜３０３上
に樹脂膜３０６を形成する。そして、図１２（Ａ）に示すように、樹脂膜３０６にレーザ
ーを照射する。レーザーの照射によって、図１２（Ｂ）に示すように、剥離層３０１、第
１の絶縁膜３０２、樹脂膜３０６に開口３０７が形成される。このように、開口３０７を
形成することにより、剥離層３０１が一部除去されることがきっかけとなり、基板３００
から、第１の絶縁膜３０２、第１の導電膜３０３が積層されてなる、インダクタを有する
回路を含む層３０８と、樹脂膜３０６とを有する積層体３０９を簡単に分離することがで
きる。この分離は、剥離層３０１の内部、又は剥離層３０１と第１の絶縁膜３０２の間を
境界として行われる。
【０１０８】
なお、レーザーの種類は、実施の形態１と同様にどのような種類のレーザーを用いてもよ
い。レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロフ
ァイル等は、インダクタを有する回路を含む層３０８、樹脂膜３０６の厚さやその材料等
を考慮して適宜制御する。
【０１０９】
なお、基板３００から、インダクタを有する回路を含む層３０８と、樹脂膜３０６とを有
する積層体３０９を分離する際には、図１２（Ｃ）に示すように、樹脂膜３０６の表面を
、第１のフィルム３１０に接着させて、図１２（Ｄ）に示すように、白抜き矢印の方向に
第１のフィルム３１０を引っ張ることによって、基板３００から、インダクタを有する回
路を含む層３０８と、樹脂膜３０６とを有する積層体３０９を分離する。基板３００から
分離した後の積層体３０９及び第１のフィルム３１０の様子を図１３（Ａ）に示す。積層
体３０９を基板から分離する際、剥離層３０１の内部又は剥離層３０１と第１の絶縁膜３
０２の境界において、基板３００と積層体３０９とが分離する。基板３００から分離した
後の積層体３０９は、第１の絶縁膜３０２が最表面となる。樹脂膜３０６は、第１のフィ
ルム３１０を引っ張ることによって基板３００と積層体３０９とを分離する際に強度を確
保するための膜である。樹脂膜３０６を有することによって、この工程において、積層体
３０９が破れてしまうのを防ぐことができる。
【０１１０】
第１のフィルム３１０は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【０１１１】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【０１１２】
第１のフィルム３１０としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の
後でＵＶ（紫外線）を照射することによって第１のフィルム３１０を剥離することもでき
る。
【０１１３】
また、第１のフィルム３１０として熱剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の後で加
熱することによって第１のフィルム３１０を剥離することもできる。
【０１１４】
そして、図１３（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜３０２（薄膜回路の裏面側）の表面、
つまり第１の絶縁膜３０２のインダクタを有する回路を含む層３０８が形成されていない
側の面に、第１の導電膜３０３の３０４、３０５の領域とそれぞれ重なる位置で、第２の
導電膜３１１を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成する。
第２の導電膜３１１は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃ
ｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成す
ればよい。この第２の導電膜３１１の膜厚が０．１μｍ以下となると膜厚が薄すぎて、後
の工程において第１の導電膜３０３との電気的接続がうまくとれなくなってしまう。
【０１１５】
図１３（Ｂ）は上面図のＡ―Ａ’における断面図であるため、図１３（Ｂ）においては、
図１１（Ｂ）の第１の導電膜３０３の有する領域３０５に重なる位置で形成された第２の
導電膜３１１しか図示されていないが、第１の導電膜３０３の有する領域３０４に重なる
位置でも導電膜は形成されている。
【０１１６】
そして、図１３（Ｃ）に示すように、第２の導電膜３１１にレーザーを照射する。この際
、第２の導電膜３１１が第１の導電膜３０３の深さまで打ち込まれ、第１の導電膜３０３
で止まるようにレーザーの出力を調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを
用いて、波長を２６６ｎｍ（第４高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗと
してレーザー照射を行った。この条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に
特に限定されるものではない。このレーザー照射により、第２の導電膜３１１と第１の導
電膜３０３が電気的に接続され、図１３（Ｄ）に示すような状態となる。図１３（Ｄ）に
おいて、３１２は第１の導電膜３０３と電気的に接続された第２の導電膜を示す。
【０１１７】
図１３（Ｄ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜３０２に
穴が形成され、その穴の側壁部分に沿って第１の導電膜３０３の内部まで第２の導電膜３
１１を構成する材料が移動して、第１の導電膜３０３と電気的に接続している。
【０１１８】
なお、ここでは、第２の導電膜３１１が第１の導電膜３０３の深さまで打ち込まれ、第１
の導電膜３０３で止まるようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、樹脂膜３０
６及び第１のフィルム３１０を貫通するようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０１１９】
（実施の形態４）
本実施の形態においては、薄膜回路としてコンデンサを有する場合の集積回路装置の作成
方法について説明する。
本実施の形態においては、一種類の素子を有する回路を形成する場合について説明するが
、薄膜トランジスタ、抵抗、インダクタ、コンデンサのなかの複数種類の素子を有する場
合についても実施することができる。
【０１２０】
まず図１４（Ａ）に示すように、基板４００上に剥離層４０１を形成し、剥離層４０１上
に第１の絶縁膜４０２を形成する。基板４００に用いる材料や、剥離層４０１の材料や形
成方法は実施の形態１と同様にして行えばよい。
【０１２１】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜４０２上にコンデンサの第１電極４０３
を形成する。コンデンサの第１電極４０３としては、例えば金属膜などを形成すればよい
。
次に図１４（Ｃ）に示すように第２の絶縁膜４０４を形成する。第２の絶縁膜４０４とし
ては、例えばＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＴｉＯ３、ＳｉＯ２等の誘電体によって形成す
ればよい。
【０１２２】
そして、図１４（Ｄ）に示すように、コンデンサの第２電極４０５を形成する。コンデン
サの第２電極４０５もコンデンサの第１電極と同様に金属膜などを形成すればよい。
ここまでで、第１の電極、絶縁膜、第２の電極から構成されるコンデンサが形成される。
【０１２３】
そして、このように形成されたコンデンサ上に図１５（Ａ）に示すように樹脂膜４０６を
形成する。この樹脂膜４０６は、薄膜回路の強度を確保するために設ける。樹脂膜４０６
を形成したら、図１５（Ｂ）に示すようにレーザーを照射する。レーザーの照射によって
、図１５（Ｃ）に示すように、剥離層４０１、第１の絶縁膜４０２、第２の絶縁膜４０４
、樹脂膜４０６に開口４０７が形成される。このように、開口４０７を形成することによ
り、剥離層４０１が一部除去されることがきっかけとなり、第１の絶縁膜４０２、第１電
極４０３、第２の絶縁膜４０４、第２電極４０５が積層されてなる、コンデンサを有する
回路を含む層４０８と、樹脂膜４０６とを有する積層体４０９を基板４００から簡単に分
離することができる。この分離は、剥離層４０１の内部、又は剥離層４０１と第１の絶縁
膜４０２の間を境界として行われる。
【０１２４】
なお、レーザーの種類は、実施の形態１と同様にどのような種類のレーザーを用いてもよ
い。レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロフ
ァイル等は、コンデンサを有する回路を含む層４０８、樹脂膜４０６の厚さやその材料等
を考慮して適宜制御する。
【０１２５】
なお、基板４００から、コンデンサを有する回路を含む層４０８と、樹脂膜４０６とを有
する積層体４０９を分離する際には、図１５（Ｄ）に示すように、樹脂膜４０６の表面を
、第１のフィルム４１０に接着させて、図１６（Ａ）に示すように、白抜き矢印の方向に
第１のフィルム４１０を引っ張ることによって、基板４００から、コンデンサを有する回
路を含む層４０８と、樹脂膜４０６とを有する積層体４０９を分離する。基板４００から
分離した後の積層体４０９及び第１のフィルム４１０の様子を図１６（Ｂ）に示す。積層
体４０９を基板から分離する際、剥離層４０１の内部又は剥離層４０１と第１の絶縁膜４
０２の境界において、基板４００と積層体４０９とが分離する。基板４００から分離した
後の積層体４０９は、第１の絶縁膜４０２が最表面となる。樹脂膜４０６は、第１のフィ
ルム４１０を引っ張ることによって基板４００と積層体４０９とを分離する際に強度を確
保するための膜である。樹脂膜４０６を有することによって、この工程において、積層体
４０９が破れてしまうのを防ぐことができる。
【０１２６】
第１のフィルム４１０は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【０１２７】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【０１２８】
第１のフィルム４１０としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の
後でＵＶ（紫外線）を照射することによって第１のフィルム４１０を剥離することもでき
る。
【０１２９】
また、第１のフィルム４１０として熱剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の後で加
熱することによって第１のフィルム４１０を剥離することもできる。
【０１３０】
そして、図１６（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜４０２（薄膜回路の裏面側）の表面、
つまり第１の絶縁膜４０２のコンデンサを有する回路を含む層４０８が形成されていない
側の面において、第１電極４０３の一部と重なる位置と、第２電極４０５の一部と重なる
位置に、それぞれ導電膜４１１、４１２を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２
０μｍの膜厚で形成する。導電膜４１１、４１２は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕ
ペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料
やハンダなどを用いて形成すればよい。この導電膜４１１、４１２の膜厚が０．１μｍ以
下となると膜厚が薄すぎて、後の工程において第１電極４０３や第２電極４０５との電気
的接続がうまくとれなくなってしまう。
【０１３１】
そして、図１６（Ｄ）に示すように、導電膜４１１、４１２にレーザーを照射する。導電
膜４１１に照射するレーザーは、導電膜４１１が第１電極４０３の深さまで打ち込まれ、
第１電極４０３で止まるようにレーザーの出力を調節する。また、導電膜４１２に照射す
るレーザーは、導電膜４１２が第２電極４０５の深さまで打ち込まれ、第２電極４０５で
止まるようにレーザーの出力を調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用
いて、波長を２６６ｎｍ（第４高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗ等と
してレーザー照射を行った。この条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に
特に限定されるものではない。このレーザー照射により、導電膜４１１と第１電極４０３
が電気的に接続され、導電膜４１２と第２電極４０５が電気的に接続され、図１７に示す
ような状態となる。図１７において、４１３は第１電極４０３と電気的に接続された導電
膜を示し、４１４は第２電極４０５と電気的に接続された導電膜を示す。
【０１３２】
図１７に示すように、第１電極４０３と電気的に接続された導電膜４１３を形成するため
にレーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜４０２に穴が形成され、その穴の側
壁部分に沿って第１電極４０３の内部まで導電膜４１３を構成する材料が移動して、第１
電極４０３と電気的に接続している。また、第２電極と電気的に接続された導電膜４１４
を形成するためにレーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜４０２、第２の絶縁
膜４０４に穴が形成され、その穴の側壁部分に沿って第２電極４０５の内部まで導電膜４
１４を構成する材料が移動して、第２電極４０５と電気的に接続している。
【０１３３】
なお、ここでは、第１電極４０３と電気的に接続された導電膜４１３を形成する際に、導
電膜４１１が第１電極４０３の深さまで打ち込まれ、第１電極４０３で止まるようにレー
ザーの出力を調節し、第２電極と電気的に接続された導電膜４１４を形成する際に、導電
膜４１２が第２電極４０５の深さまで打ち込まれ、第２電極４０５で止まるようにレーザ
ーの出力を調節した例を示しているが、第１電極と電気的に接続された導電膜４１３を形
成する際のレーザーの照射も、第２電極と電気的に接続された導電膜４１４を形成する際
のレーザーの照射も樹脂膜４０６及び第１のフィルム４１０まで貫通するようにレーザー
の出力を調節してもよい。
【０１３４】
（実施の形態５）
実施の形態１においては、基板から薄膜トランジスタを有する回路を含む層などを有する
積層体を剥離して、可撓性を有する集積回路装置を形成する場合について説明したが、本
実施の形態においては、基板を研削研磨などして薄膜化することによって、可撓性を有す
る集積回路装置を形成する場合について説明する。
なお、本実施の形態においては、薄膜回路として薄膜トランジスタを形成した場合につい
て説明しているが、薄膜トランジスタ、抵抗、インダクタ、コンデンサのなかから選ばれ
た１種類または複数種類の素子を有する場合についても実施することができる。
【０１３５】
まず、図１８（Ａ）に示すように、第１の基板５００上に第１の絶縁膜５０１を形成する
。この第１の絶縁膜は下地膜として機能する膜である。第１の絶縁膜５０１として、プラ
ズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む珪
素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。
【０１３６】
なお、第１の基板５００としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを
用いればよい。
【０１３７】
図１８（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜５０１上に公知の方法で薄膜トランジスタを有
する回路５０３を含む層５０４を形成する。薄膜トランジスタを有する回路５０３を含む
層５０４として例えば、複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを覆う第２
の絶縁膜５１０と、第２の絶縁膜５１０に接し複数の薄膜トランジスタのソース領域又は
ドレイン領域に接続するソース配線またはドレイン配線５１１とを形成する。薄膜トラン
ジスタは、島状の半導体膜５０７、ゲート絶縁膜５０８、サイドウォールが形成されたゲ
ート電極５０９などを有する。図１８（Ｂ）においては、薄膜トランジスタを有する回路
５０３として、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ５０５及びＰチャネル型の薄膜トランジ
スタ５０６とを有する構成の回路を例として示したが、特にこのような回路の構造に限定
するものではない。また、図１８（Ｂ）においては、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ５
０５として、ゲート電極にサイドウォールが形成され、ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）
を有するトップゲート型の薄膜トランジスタを形成し、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ
５０６として、ゲート電極にサイドウォールが形成されたトップゲート型の薄膜トランジ
スタを形成した例を示しているが、薄膜トランジスタの構造はこの構造に限定されるもの
ではない。ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を有しない構造の薄膜トランジスタや、ボト
ムゲート型の薄膜トランジスタなど、公知の薄膜トランジスタの構造を適用することがで
きる。
【０１３８】
なお、薄膜トランジスタを有する回路５０３までの作製方法については、実施の形態１に
おいて説明した作製方法を用いて使用することができる。
【０１３９】
そして、図１８（Ｃ）に示すように、薄膜トランジスタを有する回路５０３を含む層５０
４上に第３の絶縁膜５１２を形成し、第３の絶縁膜５１２上に薄膜トランジスタを有する
回路５０３の有する配線と電気的に接続された電極５１３を形成する。
【０１４０】
第３の絶縁膜５１２は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリ
ル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０１４１】
また、図１８（Ｃ）においては、薄膜トランジスタのソース配線又はドレイン配線と接続
するように電極５１３を形成しているが、この場合に特に限定されるものではない。薄膜
回路のなかで、外部回路と電気的に接続したい箇所に電極を形成すればよい。
【０１４２】
次に、図１９（Ａ）に示すように、電極５１３上に第４の絶縁膜５１４を形成する。第４
の絶縁膜５１４は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化
酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、
エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０１４３】
そして、図１９（Ｂ）に示すように、第４の絶縁膜５１４上に第２の基板５１５を接着材
を用いて接着する。第２の基板５１５としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金
属基板、樹脂基板などを用いることができる。接着材として熱をかけることにより粘着力
が弱くなる接着材を用いることが好ましい。また、第２の基板としては他にホットメルト
フィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィルム、熱剥離フィルムなど、ベースフィルム上に接着
層が設けられている構造を有するフィルムを用いても良い。
【０１４４】
ここで、第２の基板５１５を接着しない場合、後ほど行う第１の基板５００の厚さを薄く
する工程において、第１の基板５００の厚さが薄くなるにつれて、薄膜トランジスタを有
する回路を含む層５０４と第３の絶縁膜５１２と電極５１３と第４の絶縁膜５１４とから
なる積層体がカールしてしまう。しかし、第２の基板５１５を接着することによって、後
ほど行う第１の基板５００の厚さを薄くする工程において、薄膜トランジスタを有する回
路を含む層５０４と第３の絶縁膜５１２と電極５１３と第４の絶縁膜５１４とからなる積
層体がカールしてしまうのを防ぐことができる。
【０１４５】
第４の絶縁膜５１４上に第２の基板を接着したら、第１の基板５００の厚さを薄くする処
理を行う。この処理によって第１の基板５００の厚さを１００μｍ以下、好ましくは２０
〜５０μｍとする。ここでは、図１９（Ｃ）に示すように、研削手段または研磨手段５１
６を用いて第１の基板５００の厚さを薄くする。この際、研削手段のみによって基板の研
削を行って第１の基板５００の厚さを薄くしても良いし、研磨手段のみによって基板の研
磨を行って第１の基板５００の厚さを薄くしても良いが、研削手段によって基板の研削を
行った後、研磨手段によって基板の研磨を行うのが好ましい。
【０１４６】
また、ここでは第１の基板５００の厚さを薄くする手段として研削手段または研磨手段を
用いたが、これに限定されるものではない。
第１の基板５００の厚さを薄くする手段としてウエットエッチングを用いても良い。
この場合、第１の基板５００と第１の絶縁膜５０１との間に、第１の基板５００のエッチ
ングを行うエッチング液に対して耐性を有する膜を形成すれば、第１の絶縁膜５０１まで
エッチングされてしまうことがない。
【０１４７】
第１の基板５００の厚さを薄くする処理を行って、第１の基板５００の厚さが薄くなった
状態を図２０（Ａ）に示す。図２０（Ａ）においては、第１の基板５００が残っている状
態を示しているが、第１の基板５００が完全に除去された状態であっても良いし、第１の
基板５００の一部のみが第１の絶縁膜５０１の表面に残っている状態であってもよい。
【０１４８】
そして、図２０（Ｂ）に示すように、第１の基板５００の第１の絶縁膜５０１が形成され
ていない側の面、つまり薄膜回路の裏面側に、電極５１３と重なる位置で、導電膜５１７
を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜５１７
は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペ
ースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成すればよい。この導電
膜５１７の膜厚が０．１μｍ以下となると膜厚が薄すぎて、後の工程において電極５１３
との電気的接続がうまくとれなくなってしまう。
【０１４９】
そして、図２０（Ｃ）に示すように、導電膜５１７にレーザーを照射する。この際、導電
膜５１７が電極５１３の深さまで打ち込まれ、電極５１３で止まるようにレーザーの出力
を調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用いて、波長を２６６ｎｍ（第
４高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗとしてレーザー照射を行った。こ
の条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に特に限定されるものではない。
このレーザー照射により、導電膜５１７と電極５１３が電気的に接続され、図２１（Ａ）
に示すような状態となる。図２１（Ａ）において、５１８は電極５１３と電気的に接続さ
れた導電膜を示す。
【０１５０】
図２１（Ａ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、第１の基板５００、薄
膜トランジスタを有する回路５０３を含む層５０４、第３の絶縁膜５１２に穴が形成され
、その穴の側壁部分に沿って電極５１３の内部まで導電膜５１７を構成する材料が移動し
て、電極５１３と電気的に接続している。
【０１５１】
なお、ここでは、導電膜５１７が電極５１３の深さまで打ち込まれ、電極５１３で止まる
ようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、第４の絶縁膜５１４及び第２の基板
５１５を貫通するような穴が形成されるようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０１５２】
そして、図２１（Ｂ）に示すように、隣り合って形成された薄膜トランジスタを有する回
路５０３と薄膜トランジスタを有する回路５０３との間の部分にレーザーを照射すること
で、図２１（Ｃ）に示すように薄膜トランジスタを有する回路５０３をひとつずつ有する
５１９、５２０、５２１の３つの部分にそれぞれ分割する。分割した後の５１９、５２０
、５２１がそれぞれ集積回路装置となる。
【０１５３】
なお、本実施の形態においては、例として基板上に３つの薄膜トランジスタを有する回路
５０３を形成する場合について説明したが、基板上に形成する薄膜トランジスタを有する
回路５０３の数はこれに限定されるものではない。薄膜トランジスタを有する回路５０３
の数は、ひとつでも、ふたつでも、３つ以上でも良いことはいうまでもない。
【０１５４】
以上のようにして、本発明の集積回路装置が形成される。
以下においては、以上のようにして得られた本発明の集積回路装置をアンテナが形成され
た基板上に実装して半導体装置を形成する工程について説明する。
【０１５５】
図２２（Ａ）に示すように、基板５２２上には、アンテナの機能を有する導電膜５２３が
形成されている。この基板５２２上に導電性粒子５２５を含む樹脂５２４を用いて集積回
路装置５２６を接着する。導電性粒子５２５を含む樹脂５２４を用いて接着することによ
り、アンテナの機能を有する導電膜５２３のなかの接続部と集積回路装置５２６の有する
裏面の接続用導電膜とが導電性粒子５２５を介して電気的に接続される。
【０１５６】
そして、この導電性粒子５２５を含む樹脂５２４を硬化させるために加熱処理を施す。第
２の基板５１５を第４の絶縁膜５１４に接着する際に、熱をかけることによって粘着力が
弱まる接着材で第２の基板５１５を接着した場合、または第２の基板５１５として熱剥離
フィルムを用いた場合には、この加熱処理によって第２の基板５１５を第４の絶縁膜５１
４から剥離することができる。第２の基板５１５を第４の絶縁膜５１４から剥離した後の
状態を図２２（Ｂ）に示す。
【０１５７】
以上のようにして本発明の集積回路装置をアンテナが形成された基板上に実装することが
できる。なお、ここでは、導電性粒子を含む樹脂を用いて、アンテナの機能を有する導電
膜と集積回路装置とを電気的に接続する場合について説明したが、アンテナの機能を有す
る導電膜と集積回路装置とを電気的に接続する手段としては、導電性粒子を含む樹脂以外
にも、はんだなどの公知の方法を用いれば良い。
【０１５８】
なお、アンテナの機能を有する導電膜と集積回路装置とを電気的に接続する手段としては
んだを用いる場合にも、はんだを溶かすために加熱を行う。よって、第２の基板５１５を
第４の絶縁膜５１４に接着する際に、熱をかけることによって粘着力が弱まる接着材で第
２の基板５１５を接着した場合、または第２の基板５１５として熱剥離フィルムを用いた
場合には、この加熱によって第２の基板５１５を第４の絶縁膜５１４から剥離することが
できる。
【０１５９】
本発明の集積回路装置をアンテナが形成された基板上に実装した後で、封止を行うのが好
ましい。封止は、少なくともアンテナが形成された基板５２２のアンテナの機能を有する
導電膜５２３が形成されている側において行われていればよい。アンテナが形成された基
板５２２のアンテナの機能を有する導電膜５２３が形成されている側においてのみ封止を
行った場合について図２３（Ａ）に示す。封止を行う際には、ベースフィルム上に接着層
を有する構造のフィルム５２９によって封止を行う。フィルム５２９としては例えばホッ
トメルトフィルムが挙げられる。ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィ
ルムよりも軟化点の低い樹脂からなる接着層が形成された構成となっている。ベースフィ
ルムとして使用される材料は、ポリエステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）や
ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等があげられる。また、接着層として使用される材
料は、ポリエチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げ
られる。
【０１６０】
また、図２３（Ｂ）に示すようにアンテナが形成された基板５２２の両側から２枚のフィ
ルム５２７、５２８によって封止を行うようにしても良い。図２３（Ｂ）のフィルム５２
７、５２８としては、べースフィルム上に接着層を有する構造のフィルムを用いれば良い
。
【０１６１】
なお、図２２、図２３においては、第２の基板５１５を加熱処理の際に剥離して封止を行
う場合について説明したが、第２の基板５１５を剥離せず、第４の絶縁膜５１４上に接着
したままの状態で封止を行うことも可能である。その場合には、第２の基板５１５を第４
の絶縁膜５１４に接着する際に用いる接着材は特に限定されず、加熱することによって粘
着力が弱まる粘着材を用いる必要はない。もしくは、第２の基板として、熱剥離フィルム
以外のフィルム（ホットメルトフィルムなど）を用いることができる。
【実施例１】
【０１６２】
本実施例においては、本発明の集積回路装置を複数の配線が形成された基板上に実装した
例について図２６を用いて説明する。
【０１６３】
図２６（Ａ）において、複数の配線６０５が設けられた基板６００上には、本発明の集積
回路装置６０１〜６０４が接着されている。集積回路装置６０１〜６０４のそれぞれにお
いて、点線で四角形で囲っている部分は薄膜回路と基板６００上に形成された配線との接
続部分である。
【０１６４】
この接続部分のなかの１つである接続部分６０６の断面の拡大図を図２６（Ｂ）に示す。
図２６（Ｂ）に示すように、基板６００上の配線６０７と、集積回路装置６０４の有する
裏面の接続用導電膜とが導電性粒子６０８を含む樹脂６０９により接着されている。この
集積回路装置の裏面の接続用導電膜は、集積回路装置の有する回路に電気的に接続されて
いるため、基板上の配線と集積回路装置の有する回路とを電気的に接続することができる
。
【０１６５】
他の接続部分においても同様に、集積回路装置６０１〜６０４の各々が有する裏面の接続
用導電膜と、基板上に形成されている配線とが導電性粒子６０８を含む樹脂６０９により
接着されている。
【０１６６】
集積回路装置６０１〜６０４の各々は、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐ
ｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、メモリ、ネットワーク処理回路、ディスク処理回路、
画像処理回路、音声処理回路、電源回路、温度センサ、湿度センサ、赤外線センサ等から
選択された１つ又は複数として機能する。
【実施例２】
【０１６７】
本実施例においては、本発明の集積回路装置を表示装置の駆動回路部分に適用した例につ
いて図２７を用いて説明する。なお、図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）のＡ−Ｂにおける断
面を示す図であり、図２７（Ａ）中のＡ−Ｂは図２７（Ｂ）中のＡ−Ｂに対応している。
【０１６８】
基板６２０上には、集積回路装置６２４、６２５が接着され、接続フィルム６２６、６２
７上には集積回路装置６２８、６２９が接着されている。表示部６２３と集積回路装置６
２４とは、基板６２０上の導電膜６３１を介して接続する。集積回路装置６２４と集積回
路装置６２８とは、基板６２０上の導電膜６３４と接続フィルム６２７上の導電膜６３５
を介して接続する。これらの導電膜の接続には、導電性粒子１５５を含む樹脂１５４を用
いている。基板６２０と対向基板６２１は、シール材６３０により接着されている。
【０１６９】
なお、本実施例では、基板６２０上と接続フィルム６２６、６２７にそれぞれ本発明の集
積回路装置を実装している場合の例を示したが、この構成に限定されるものではない。基
板６２０上にのみ、本発明の集積回路装置を駆動回路として実装しても良いし、接続フィ
ルムにのみ、本発明の集積回路装置を実装しても良い。
【０１７０】
本発明の集積回路装置は、可撓性を有するため、接続フィルム上に形成する場合に適して
いる。本発明の集積回路装置を接続フィルム上接続フィルムを曲げて使用する場合に、本
発明の集積回路装置も一緒に曲げることができる。
【０１７１】
また、基板６２０としては、ガラス基板、半導体基板、石英基板、樹脂基板など、公知の
基板材料を使用することができる。特に、可撓性を有する基板を使用する場合には、本発
明の集積回路装置が可撓性を有するため、基板と一緒に曲げることができるという効果が
得られる。可撓性を有する基板としては、樹脂基板、ガラス基板や半導体基板を研削研磨
などして基板の厚さを薄くしたもの等が挙げられる。
【実施例３】
【０１７２】
本実施例においては、本発明の集積回路装置を有するＩＣカードについて図２８を用いて
説明する。
【０１７３】
図２８（Ａ）に示すように、カード型の基板６４０上には、アンテナの機能を有する導電
膜６４２が形成されている。このカード型の基板６４０上に本発明の集積回路装置６４１
が接着されており、集積回路装置６４１とアンテナの機能を有する導電膜６４２とが電気
的に接続されている。集積回路装置６４１とアンテナの機能を有する導電膜６４２との接
続部分６４３における断面の拡大図を図２８（Ｂ）に示す。
【０１７４】
図２８（Ｂ）に示すように、カード型の基板６４０上のアンテナの機能を有する導電膜６
４２と、集積回路装置６４１の有する裏面の接続用導電膜とが導電性粒子６４４を含む樹
脂６４５により接着されている。この集積回路装置の裏面の接続用導電膜は、集積回路装
置の有する回路に電気的に接続されているため、カード型の基板６４０上のアンテナの機
能を有する導電膜６４２と集積回路装置６４１の有する回路とを電気的に接続することが
できる。
【０１７５】
カード型の基板６４０として、可撓性を有する基板（例えば、プラスチック基板）を用い
ている。そして、本発明の集積回路装置は可撓性を有しているため、可撓性を有する基板
上に本発明の集積回路装置を実装して使用する場合、図２８（Ｃ）に示すようにカード型
の基板６４０と一緒に曲げることができるという効果が得られる。
【実施例４】
【０１７６】
本実施例においては、本発明の集積回路装置を有するＩＣカードについて実施例３とは異
なる例を図２９を用いて説明する。
【０１７７】
図２９（Ａ）に示すように、カード型の基板６６０上には、アンテナの機能を有する導電
膜６６１が形成されている。このカード型の基板６６０上に本発明の集積回路装置６６２
〜６６５が接着されており、集積回路装置６６４とアンテナの機能を有する導電膜６６１
とが電気的に接続されている。集積回路装置６６４とアンテナの機能を有する導電膜６６
１との接続部分６６６における断面の拡大図を図２９（Ｂ）に示す。
【０１７８】
図２９（Ｂ）に示すように、カード型の基板６６０上のアンテナの機能を有する導電膜６
６１と、集積回路装置６６４の有する裏面の接続用導電膜とが導電性粒子６６７を含む樹
脂６６８により接着されている。この集積回路装置６６４の裏面の接続用導電膜は、集積
回路装置６６４の有する回路に電気的に接続されているため、カード型の基板６６０上の
アンテナの機能を有する導電膜６６１と集積回路装置６６４の有する回路とを電気的に接
続することができる。
【０１７９】
集積回路装置６６２〜６６５は、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、メモリ、ネットワーク処理回路、ディスク処理回路、画像処
理回路、音声処理回路、電源回路、温度センサ、湿度センサ、赤外線センサ等から選択さ
れた１つ又は複数として機能する。
【０１８０】
上記構成を有する本発明の集積回路装置を有するＩＣカードは、複数の集積回路装置６６
２〜６６５を有する。従って、暗号処理などの複雑な処理を可能とし、高機能化を実現し
たＩＣカードを提供することができる。
【０１８１】
なお、図２９（Ａ）においては、集積回路装置６６２〜６６５の各集積回路装置間におけ
る電気的接続の仕方については特に記載されていないが、隣あって設けられている集積回
路装置同士は電気的に接続されている。
【０１８２】
また、図２９（Ａ）に示す構成では、集積回路装置６６２〜６６５の周囲にアンテナの機
能を有する導電膜６６１を設けているが、この形態に制約されない。図２９（Ｃ）や（Ｄ
）に示すように、アンテナの機能を有する導電膜６６１と重なるように、集積回路装置６
６２〜６６５を設けてもよい。アンテナの機能を有する導電膜６６１と重なるように、集
積回路装置６６２〜６６５を設けることによって、図２９（Ａ）の場合と比較して、カー
ド型の基板６６０の面積を削減できるため、小型、薄型、軽量を実現した半導体装置を提
供することができる。このような小型化を実現した無線チップにおいて、例えば、集積回
路装置６６２〜６６５のいずれか１つに温度センサを適用し、人体の皮膚（好ましくは額
の皮膚）上に貼り付ければ、検温を行うことができる。
【実施例５】
【０１８３】
本発明の集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置の用途は広範にわたるものである
が、以下には用途の具体例について説明する。本発明の半導体装置８１０は、例えば、紙
幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図３０（Ａ）参
照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図３０（Ｂ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフト
やビデオテープ等、図３０（Ｃ）参照）、乗物類（自転車等、図３０（Ｄ）参照）、身の
回り品（鞄や眼鏡等、図３０（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等の物
品に設けて活用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビ
ジョン装置（単にテレビと呼んだり、テレビ受像機やテレビジョン受像機とも呼んだりす
る）、携帯電話等を指す。
【０１８４】
本発明の集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８１０は、表面に貼ったり、埋め
込んだりして、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなる
パッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本発明の半導体
装置は、小型・薄型・軽量を実現するため、物品に半導体装置を固定した後も、その物品
自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、
証書類等に本発明の半導体装置を設けることにより、認証機能を設けることができ、この
認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、
身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本発明の半導体装置を設けること
により、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【０１８５】
次に、本発明の半導体装置を活用したシステムの例について説明する。まず、表示部８９
４を含む携帯端末の側面にリーダライタ８９５を設けて、物品８９７の側面に本発明の集
積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８９６を設けておく（図３１（Ａ）参照）。
また、あらかじめ、本発明の集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８９６に物品
８９７の原材料や原産地、流通過程の履歴等の情報を記憶させておく。そして、本発明の
集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８９６をリーダライタ８９５にかざすと同
時に、本発明の集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８９６が含む情報が表示部
８９４に表示されるようにすれば、利便性が優れたシステムを提供することができるまた
、別の例として、ベルトコンベアの脇にリーダライタ８９５を設けておく（図３１（Ｂ）
参照）。そうすれば、物品８９７の検品を極めて簡単に行うことが可能なシステムを提供
することができる。このように、本発明の半導体装置を物品の管理や流通のシステムに活
用することで、システムの高機能化を図り、利便性を向上させることができる。
【符号の説明】
【０１８６】
１００ 基板
１０１ 剥離層
１０２ 第１の絶縁膜
１０３ 薄膜トランジスタを有する回路
１０４ １０３を含む層
１０５ Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ
１０６ Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ
１０７ 島状の半導体膜
１０８ ゲート絶縁膜
１０９ ゲート電極
１１０ 第２の絶縁膜
１１１ ソース配線またはドレイン配線
１１２ 第３の絶縁膜
１１３ 電極
１１４ 樹脂膜
１１５ 開口部
１１６ 開口部
１１７ 第１のフィルム
１１８ 積層体
１１９ 導電膜
１２０ 導電膜
１２１ １０３をひとつずつ有する部分
１２２ １０３をひとつずつ有する部分
１２３ １０３をひとつずつ有する部分
１５４ 樹脂
１５５ 導電性粒子
２００ 基板
２０１ 剥離層
２０２ 第１の絶縁膜
２０４ 抵抗体
２０５ 第２の絶縁膜
２０６ 開口
２０７ 電極
２０８ 樹脂膜
２０９ 開口
２１０ 抵抗を有する回路を含む層
２１１ 積層体
２１２ 第１のフィルム
２１３ 導電膜
２１４ 導電膜
２１５ 導電膜
３００ 基板
３０１ 剥離層
３０２ 第１の絶縁膜
３０３ 第１の導電膜
３０４ 領域
３０５ 領域
３０６ 樹脂膜
３０７ 開口
３０８ インダクタを有する回路を含む層
３０９ 積層体
３１０ 第１のフィルム
３１１ 第２の導電膜
３１２ 第２の導電膜
４００ 基板
４０１ 剥離層
４０２ 第１の絶縁膜
４０３ 第１電極
４０４ 第２の絶縁膜
４０５ 第２電極
４０６ 樹脂膜
４０７ 開口
４０８ コンデンサを有する回路を含む層
４０９ 積層体
４１０ 第１のフィルム
４１１ 導電膜
４１２ 導電膜
４１３ 導電膜
４１４ 導電膜
５００ 第１の基板
５０１ 第１の絶縁膜
５０３ 薄膜トランジスタを有する回路
５０４ 薄膜トランジスタを有する回路を含む層
５０５ Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ
５０６ Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ
５０７ 島状の半導体膜
５０８ ゲート絶縁膜
５０９ サイドウォールが形成されたゲート電極
５１０ 第２の絶縁膜
５１１ ソース配線またはドレイン配線
５１２ 第３の絶縁膜
５１３ 電極
５１４ 第４の絶縁膜
５１５ 第２の基板
５１６ 研磨手段
５１７ 導電膜
５１８ 導電膜
５１９ １０３をひとつずつ有する部分
５２０ １０３をひとつずつ有する部分
５２１ １０３をひとつずつ有する部分
５２２ 基板
５２３ アンテナの機能を有する導電膜
５２４ 樹脂
５２５ 導電性粒子
５２６ 集積回路装置
５２７ フィルム
５２８ フィルム
５２９ フィルム
６００ 基板
６０１ 集積回路装置
６０２ 集積回路装置
６０３ 集積回路装置
６０４ 集積回路装置
６０５ 配線
６０６ 接続部分
６０７ 配線
６０８ 導電性粒子
６０９ 樹脂
６２０ 基板
６２１ 対向基板
６２３ 表示部
６２４ 集積回路装置
６２５ 集積回路装置
６２６ 接続フィルム
６２７ 接続フィルム
６２８ 集積回路装置
６２９ 集積回路装置
６３０ シール材
６３１ 導電膜
６３４ 導電膜
６３５ 導電膜
６４０ カード型の基板
６４１ 集積回路装置
６４２ アンテナの機能を有する導電膜
６４３ 接続部分
６４４ 導電性粒子
６４５ 樹脂
６６０ カード型の基板
６６１ アンテナの機能を有する導電膜
６６２ 集積回路装置
６６３ 集積回路装置
６６４ 集積回路装置
６６５ 集積回路装置
６６６ 接続部分
６６７ 導電性粒子
６６８ 樹脂
７２２ 基板
７２３ アンテナの機能を有する導電膜
７２４ 樹脂
７２５ 導電性粒子
７２６ 集積回路装置
７２７ 第２のフィルム
７２８ 第３のフィルム
７２９ 第２のフィルム
８１０ 半導体装置
８９４ 表示部
８９５ リーダライタ
８９６ 半導体装置
８９７ 物品
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路装置の作製方法、集積回路装置及び集積回路装置を利用した製品、半
導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁基板上に設けられた薄膜回路を転置する技術開発が進められている。このよう
な技術として、例えば、薄膜回路と基板の間に剥離層を設けて、当該剥離層を、ハロゲン
を含む気体を用いて除去することにより、薄膜回路を支持基板から分離し、その後転置す
る技術がある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２５４６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載の技術は、薄膜トランジスタが下地膜と層間絶縁膜及び窒化珪素膜
などのパッシベーション膜とで挟まれ、パッシベーション膜上に薄膜トランジスタと電気
的に接続された電極が形成されている構造を有する半導体集積回路を基板から剥離して、
表示装置のドライバー回路として用いるものである。つまり外部に接続するための電極を
あらかじめ薄膜トランジスタの上方に形成してある状態で基板から剥離しているため、薄
膜トランジスタの下方に外部と接続するための電極を形成することは行っていない。
【０００５】
そこで本発明は、薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる集積回
路装置の構造及び集積回路装置の作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明の集積回路装置の第１の構成は、第１の絶縁膜と、第１
の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、薄膜回路上に形成された第２の
絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、薄膜回路と電気的に接続された電極と、電極上に
形成された樹脂膜と、第１の絶縁膜の他方の面上に形成され、電極と電気的に接続された
導電膜とを有することを特徴とする。
【０００７】
そして、導電膜は、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、及び前記第２の絶縁膜に
形成された穴を通して前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の集積回路装置は、第１の絶縁膜、薄膜回路を含む層、第２の絶縁膜、電極
、及び樹脂膜に形成された穴を有していてもよい。
この場合、導電膜は、前記穴のうち、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、前記第
２の絶縁膜に形成された部分を通して前記電極と電気的に接続されている。
【０００９】
上記課題を解決するための本発明の集積回路装置の第２の構成は、第１の絶縁膜と、第１
の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、薄膜回路上に形成された第２の
絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、薄膜回路と電気的に接続された電極と、電極上に
形成された第３の絶縁膜と、第１の絶縁膜の他方の面上に形成され、電極と電気的に接続
された導電膜とを有することを特徴とする。
【００１０】
上記課題を解決するための本発明の集積回路装置の第３の構成は、厚さが１００μｍ以下
の基板と、前記基板の一方の面上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形
成された薄膜回路を含む層と、前記薄膜回路上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の
絶縁膜上に形成され、前記薄膜回路と電気的に接続された電極と、前記電極上に形成され
た第３の絶縁膜と、前記基板の他方の面上に形成され、前記電極と電気的に接続された導
電膜とを有することを特徴とする。
【００１１】
そして、導電膜は、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、及び前記第２の絶縁膜に
形成された穴を通して前記電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の集積回路装置は、第１の絶縁膜、薄膜回路を含む層、第２の絶縁膜、電極
、及び第３の絶縁膜に形成された穴を有していてもよい。
この場合、導電膜は、前記穴のうち、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、前記第
２の絶縁膜に形成された部分を通して前記電極と電気的に接続されている。
【００１３】
そして、上記本発明の集積回路装置の第１及び第２の構成において、薄膜回路を含む層に
形成されている薄膜回路は、薄膜トランジスタ、抵抗、コンデンサ、インダクタのなかか
ら選ばれたひとつまたは複数の素子を有する薄膜回路であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は上記第１の構成を有する集積回路装置の作製方法であって、第１の絶縁膜
と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜回路上に形成された第２の
絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、薄膜回路と電気的に接続された電極と、電極上に
形成された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電
極と重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は上記第２の構成を有する集積回路装置の作製方法であって、第１の絶縁膜
と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜回路上に形成された第２の
絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成され、薄膜回路と電気的に接続された電極と、電極上に
形成された第３の絶縁膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側
に、電極と重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射することを特徴とする
。
【００１６】
本発明の集積回路装置の作製方法は、厚さが１００μｍ以下の第１の基板と、前記第１の
基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回
路と、前記薄膜回路上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成され、薄
膜回路と電気的に接続された電極と、前記電極上に形成された第３の絶縁膜と、前記第３
の絶縁膜上に形成された第２の基板とを有する積層物を形成し、前記第１の絶縁膜の他方
の面上に、前記電極と重なるように導電膜を形成し、前記導電膜にレーザーを照射するこ
とを特徴とする。
【００１７】
また、上記の本発明の集積回路装置の作製方法において、前記薄膜回路は、薄膜トランジ
スタ、抵抗、コンデンサ、インダクタのなかから選ばれたひとつまたは複数の素子を有す
る回路であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の集積回路装置は、薄膜回路と電気的に接続された電極と重なるように、電極と異
なる層に導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射することによって、電極と電気的に接
続された外部との接続用の導電膜を容易に形成することができる。また、レーザーを照射
して電極と電気的に接続された外部との接続用の導電膜を形成することによって、電極と
接続用の導電膜との電気抵抗を下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態１を説明する図
【図２】実施の形態１を説明する図
【図３】実施の形態１を説明する図
【図４】実施の形態１を説明する図
【図５】実施の形態１を説明する図
【図６】実施の形態２を説明する図
【図７】実施の形態２を説明する図
【図８】実施の形態２を説明する図
【図９】実施の形態２を説明する図
【図１０】実施の形態２を説明する図
【図１１】実施の形態３を説明する図
【図１２】実施の形態３を説明する図
【図１３】実施の形態３を説明する図
【図１４】実施の形態４を説明する図
【図１５】実施の形態４を説明する図
【図１６】実施の形態４を説明する図
【図１７】実施の形態４を説明する図
【図１８】実施の形態５を説明する図
【図１９】実施の形態５を説明する図
【図２０】実施の形態５を説明する図
【図２１】実施の形態５を説明する図
【図２２】実施の形態５を説明する図
【図２３】実施の形態５を説明する図
【図２４】実施の形態１を説明する図
【図２５】実施の形態１を説明する図
【図２６】実施例１を説明する図
【図２７】実施例２を説明する図
【図２８】実施例３を説明する図
【図２９】実施例４を説明する図
【図３０】実施例５を説明する図
【図３１】実施例５を説明する図
【図３２】レーザー照射前における導電膜の上面図
【図３３】レーザー照射後における導電膜の上面図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、薄膜回路として、薄膜トランジスタを有する回路を形成する場合の集
積回路装置の作製方法について説明する。
【００２１】
まず、図１（Ａ）に示すように、基板１００上に剥離層１０１を形成する。剥離層１０１
として、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、
コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウ
ム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓ
ｉ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料から
なる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多
結晶のいずれの場合でもよい。
【００２２】
基板１００としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを用いればよい
。
【００２３】
剥離層１０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、タングステン
とモリブデンの混合物、タングステンの酸化物、タングステンの酸化窒化物、タングステ
ンの窒化酸化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの酸化窒化物、モリブデンの窒化酸化
物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の
酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物のいずれかを含む層を形成
する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデ
ンの合金に相当する。
【００２４】
剥離層１０１が積層構造の場合、好ましくは、１層目として、タングステン、モリブデン
、タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステンの
酸化物、モリブデンの酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステ
ンの酸化窒化物、モリブデンの酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒
化物を形成する。
【００２５】
このように、剥離層１０１を積層構造とする場合、金属膜と金属酸化膜との積層構造とす
ることが好ましい。金属酸化膜の形成方法の一例としては、スパッタ法により直接金属酸
化膜を形成する方法、基板１００上に形成した金属膜の表面を熱処理または酸素雰囲気下
でのプラズマ処理により当該金属膜の表面を酸化して金属酸化膜を形成する方法などが挙
げられるが、好ましくは、金属膜の表面に酸素を含む雰囲気下で高密度プラズマ処理を行
うことによって、金属膜の表面に金属酸化膜を形成するとよい。例えば、金属膜としてス
パッタ法により形成したタングステン膜を設けた場合、タングステン膜に高密度プラズマ
処理を行うことによって、タングステン膜表面にタングステンの酸化物からなる金属酸化
膜を形成することができる。
【００２６】
金属膜としては、前述したタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）以外に、チタン（Ｔ
ｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素
を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を用いることができる。
【００２７】
本明細書において「高密度プラズマ処理」とは、プラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ
−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、プラズマの電子温度が０．５ｅＶ以上１．５
ｅＶ以下であることを特徴としている。プラズマの電子密度が高密度でありながら、基板
上に形成された被処理物（ここでは、「金属膜」に相当する。）付近での電子温度が低い
ため、基板に対するプラズマ損傷を防止することができる。また、プラズマの電子密度が
１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であるため、酸化処理によって形成される酸化物の膜
厚均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成することができる。また、プラズマの電子温度が１
．５ｅＶ以下と低いため、通常のプラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度にて酸化処理
を行うことができる。たとえば、ガラス基板の歪点温度よりも１００度以上低い温度（代
表的には、２５０〜５５０℃）でプラズマ処理を行っても十分にプラズマ酸化処理を行う
ことができる。なお、プラズマを形成するための周波数はマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）
を用いている。また、プラズマの電位は５Ｖ以下と低電位であり、原料分子の過剰解離を
抑制することができる。
【００２８】
酸素を含む雰囲気としては、酸素（Ｏ２）もしくは一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と、希ガスと
の混合ガス、または、酸素（Ｏ２）もしくは一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と、希ガスと、水素
（Ｈ２）との混合ガスを用いることができる。希ガスとしては、アルゴン（Ａｒ）、キセ
ノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）が挙げられる。また、混合ガス中の各ガスの圧力比は
、適宜決定すればよい。このような条件下で形成される金属酸化膜は、希ガス元素を含む
膜となる。また、プラズマの条件が低電子温度（１．５ｅＶ以下）でかつ高電子密度（１
．０×１０１１ｃｍ−３以上）であるため、プラズマダメージが非常に少ない金属酸化膜
を低温で形成することができる。
【００２９】
なお、剥離層１０１を形成する前に、基板１００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化
珪素膜、窒化酸化珪素膜などの絶縁膜を形成し、当該絶縁膜上に剥離層１０１を形成する
ようにしてもよい。基板１００と剥離層１０１との間にこのような絶縁膜を設けることに
より、基板１００が含む不純物が上層に侵入してしまうことを防止することができる。ま
た、後にレーザーを照射する工程があるが、その工程の際、基板１００がエッチングされ
てしまうことを防止することができる。なお、ここで、酸化窒化珪素膜と、窒化酸化珪素
膜とでは、前者は窒素よりも酸素を多く含み、後者は酸素よりも窒素を多く含むという意
味で使い分けている。
【００３０】
次に、図１（Ｂ）に示すように、剥離層１０１に接するように第１の絶縁膜１０２を形成
する。第１の絶縁膜１０２は下地膜として機能する膜である。第１の絶縁膜１０２として
、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を
含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。
【００３１】
図１（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１０２上に公知の方法で薄膜トランジスタを有す
る回路１０３を含む層１０４を形成する。薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層
１０４として例えば、複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを覆う第２の
絶縁膜１１０と、第２の絶縁膜１１０に接し複数の薄膜トランジスタのソース領域又はド
レイン領域に接続するソース配線またはドレイン配線１１１とを形成する。薄膜トランジ
スタは、島状の半導体膜１０７、ゲート絶縁膜１０８、サイドウォールが形成されたゲー
ト電極１０９などを有する。図１（Ｃ）においては、薄膜トランジスタを有する回路１０
３として、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ１０５及びＰチャネル型の薄膜トランジスタ
１０６とを有する構成の回路を例として示したが、特にこのような回路の構造に限定する
ものではない。また、図１（Ｃ）においては、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ１０５と
して、ゲート電極にサイドウォールが形成され、ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を有す
るトップゲート型の薄膜トランジスタを形成し、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ１０６
として、ゲート電極にサイドウォールが形成されたトップゲート型の薄膜トランジスタを
形成した例を示しているが、薄膜トランジスタの構造はこの構造に限定されるものではな
い。ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を有しない構造の薄膜トランジスタや、ボトムゲー
ト型の薄膜トランジスタ、シリサイド領域を有する薄膜トランジスタなど、公知の薄膜ト
ランジスタの構造を適用することができる。
【００３２】
以下、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４の形成方法についての一例を
詳細に説明する。
【００３３】
まず、第１の絶縁膜１０２上に非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜は、スパッタ
法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法により形成する。続いて、非晶質半導体膜を結晶
化して、結晶質半導体膜を形成する。結晶化の方法としては、レーザー結晶化法、ＲＴＡ
またはファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱
結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザー結晶化法を組み合わ
せた方法等を用いることができる。その後、得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパタ
ーニングして、島状の半導体膜１０７を形成する。なお、剥離層１０１、第１の絶縁膜１
０２、及び非晶質半導体膜は、大気に曝さずに連続して形成することもできる。
【００３４】
結晶質半導体膜の作製工程の一例を以下に簡単に説明する。非晶質半導体膜を結晶化する
方法としては、レーザー結晶化法、ＲＴＡまたはファーネスアニール炉を用いる熱結晶化
法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる
熱結晶化法とレーザー結晶化法とを組み合わせた方法等が挙げられる。また、他の結晶化
の方法として、ＤＣバイアスを印加して熱プラズマを発生させ、当該熱プラズマを半導体
膜に作用させることにより結晶化を行ってもよい。
【００３５】
レーザー結晶化法を用いる場合、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービーム）や
パルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる。使用可
能なレーザービームとしては、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシマレーザーなどの気
体レーザー、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌ
Ｏ３、ＧｄＶＯ４、もしくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡ
ｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｔａのうち１種もしくは複数種添加されているものを媒質とするレーザー、ガラスレーザ
ー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、銅蒸気
レーザー、金蒸気レーザーのうち、一種または複数種から発振されるものを用いることが
できる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４
高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、
Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調
波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのエネルギー密度は０．０１
〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そし
て、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【００３６】
なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、
ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３
、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａの
うち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Ａｒイオンレーザー、
Ｔｉ：サファイアレーザーは、それぞれ連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ
動作やモード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさ
せることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、
半導体膜がレーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に
照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜
中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的
に成長した結晶粒を得ることができる。
【００３７】
上述した連続発振レーザーまたは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザービームを用
いて結晶化する場合、結晶化された半導体膜の表面を平坦なものとすることができる。こ
の結果、後に形成するゲート絶縁膜１０８を薄膜化することも可能であり、また、ゲート
絶縁膜１０８の耐圧を向上させることに寄与することができる。
【００３８】
また、媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に
媒質を形成することが可能である。単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、長さ数十ｍ
ｍの円柱状の媒質が用いられているが、セラミックを用いる場合はさらに大きいものを作
ることが可能である。
【００３９】
発光に直接寄与する媒質中のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶
中でも大きく変えることは困難なため、ドーパントの濃度を増加させることによるレーザ
ーの出力向上にはある程度限界がある。しかしながら、セラミックの場合、単結晶と比較
して媒質の大きさを著しく大きくすることができるため大幅な出力向上が期待できる。
【００４０】
さらに、セラミックの場合では、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成するこ
とが可能である。このような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行
させると、発振光路を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発
振させることが可能になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザービーム
は射出時の断面形状が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整
形するのに有利である。このように射出されたレーザービームを、光学系を用いて整形す
ることによって、短辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に
得ることが可能となる。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは
長辺方向にエネルギー分布の均一なものとなる。
【００４１】
この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体膜をより均一にアニールする
ことが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが必要な場合は、その両端にス
リットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫をすればよい。
【００４２】
このようにして得られた強度が均一な線状ビームを用いて半導体膜をアニールし、この半
導体膜を用いて半導体装置を作製すると、その半導体装置の特性を、良好かつ均一なもの
とすることができる。
【００４３】
結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法として、具体的な方法の一例を挙げる。結
晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた後、
非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５０℃、
４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、必要に応じてレーザー光を照射し
、フォトリソグラフィ法を用いたパターニング処理によって島状の半導体膜１０７を形成
すればよい。
【００４４】
結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法は、低温且つ短時間で非晶質半導体膜の結
晶化が可能となるうえ、結晶の方向が揃うという利点がある一方、金属元素が結晶質半導
体膜に残存するためにオフ電流が上昇し、特性が安定しないという欠点がある。そこで、
結晶質半導体膜上に、ゲッタリングサイトとして機能する非晶質半導体膜を形成するとよ
い。ゲッタリングサイトとなる非晶質半導体膜には、リンやアルゴンの不純物元素を含有
させる必要があるため、好適には、アルゴンを高濃度に含有させることが可能なスパッタ
法で形成するとよい。その後、加熱処理（ＲＴＡ法やファーネスアニール炉を用いた熱ア
ニール等）を行って、非晶質半導体膜中に金属元素を拡散させ、続いて、当該金属元素を
含む非晶質半導体膜を除去する。このようなゲッタリングプロセスを行うことにより、結
晶質半導体膜中の金属元素の含有量を低減または除去することができる。
【００４５】
次に、島状の半導体膜１０７を覆うゲート絶縁膜１０８を形成する。ゲート絶縁膜１０８
は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法により、珪素の酸化物または珪素の
窒化物を含む膜を、単層または積層して形成する。具体的には、酸化珪素を含む膜、酸化
窒化珪素を含む膜、窒化酸化珪素を含む膜を、単層構造として形成するか、当該これらの
膜を適宜積層して形成する。また、島状の半導体膜１０７に対して、酸素、窒素、または
酸素及び窒素を含む雰囲気中で、上述した高密度プラズマ処理を行うことにより、島状の
半導体膜１０７の表面を酸化または窒化して、ゲート絶縁膜を形成してもよい。高密度プ
ラズマ処理により形成されたゲート絶縁膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成された
膜と比較して膜厚や膜質などの均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成することができる。酸
素を含む雰囲気としては、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（ＮＯ２）、もしくは一酸化二窒素
（Ｎ２Ｏ）と、希ガスとの混合ガス、または、酸素（Ｏ２）、二酸化窒素（ＮＯ２）もし
くは一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と、希ガスと、水素（Ｈ２）との混合ガスを用いることがで
きる。また、窒素を含む雰囲気としては、窒素（Ｎ２）もしくはアンモニア（ＮＨ３）と
、希ガスとの混合ガス、または、窒素（Ｎ２）もしくはアンモニア（ＮＨ３）と、希ガス
と、水素（Ｈ２）との混合ガスを用いることができる。高密度プラズマにより生成された
酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場
合もある）によって、島状の半導体膜１０７の表面を酸化又は窒化することができる。
【００４６】
高密度プラズマ処理を行ってゲート絶縁膜１０８を形成する場合、１〜２０ｎｍ、代表的
には５〜１０ｎｍの絶縁膜が島状の半導体膜１０７に形成される。この場合の反応は固相
反応であるため、当該絶縁膜と島状の半導体膜１０７との界面準位密度をきわめて低くす
ることができる。また、島状の半導体膜１０７を直接酸化または窒化するため、形成され
るゲート絶縁膜１０８の厚さを、理想的にはばらつきをきわめて小さくすることができる
。さらに、結晶性シリコンの結晶粒界でも強い酸化がおこらないため、非常に好ましい状
態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の表面を固相酸化するこ
とにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、且つ、均一性が良く、界
面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
【００４７】
なお、ゲート絶縁膜１０８は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用い
てもよいし、それに加えてプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法により酸化珪素、酸素を
含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素などの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。なお、図
１（Ｃ）においては、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜に加えて、ＣＶＤ法
により絶縁膜を積層した構成としている。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶
縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつき
を小さくすることができる。
【００４８】
また、非晶質半導体膜に対し、連続発振レーザーまたは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振す
るレーザービームを照射しながら一方向に走査して結晶化した結晶質半導体膜は、そのビ
ームの走査方向に結晶が成長する特性がある。したがって、走査方向をチャネル長方向（
チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせてトランジスタを
配置し、高密度プラズマ処理によって形成されたゲート絶縁膜１０８を組み合わせること
で、特性ばらつきがより小さく、しかも電界効果移動度が高いトランジスタを得ることが
できる。
【００４９】
次に、ゲート絶縁膜１０８上にゲート電極１０９を形成する。ゲート電極１０９は、スパ
ッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法により形成すればよい。また、ゲート電極１
０９は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）
、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択され
た元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いて形成する
ことができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導
体材料により形成することもできる。
【００５０】
次に、島状の半導体膜１０７に対し、イオンドープ法またはイオン注入法により不純物元
素を選択的に添加して、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ１０５及びＰチャネル型の薄膜
トランジスタ１０６を形成する。なお、図１（Ｃ）においては、Ｎチャネル型の薄膜トラ
ンジスタ１０５は、ゲート電極１０９の側面に接する絶縁膜（サイドウォール）を用いて
ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を形成している。また、Ｎチャネル型の薄膜トランジス
タ１０５を形成する際に用いる、Ｎ型を付与する不純物元素は、１５族に属する元素を用
いればよく、例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）を用いる。また、Ｐチャネル型の薄膜トラ
ンジスタ１０６を形成する際に用いる、Ｐ型を付与する不純物元素は、１３族に属する元
素を用いればよく、例えばボロン（Ｂ）を用いる。
【００５１】
上記工程を経て、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ１０５及びＰチャネル型の薄膜トラン
ジスタ１０６を完成させた後、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加された不純物元
素の活性化を目的とする加熱処理を行ってもよい。また、好ましくは加熱処理を行った後
、露出されているゲート絶縁膜１０８に対して水素を含む雰囲気中で高密度プラズマ処理
を行うことにより、当該ゲート絶縁膜１０８の表面に水素を含有させるようにしてもよい
。これは、後の半導体膜の水素化の工程を行う際に、この水素を利用することができるた
めである。または、基板に対して３５０〜４５０℃の加熱をしながら水素を含む雰囲気中
で高密度プラズマ処理を行うことで、半導体膜の水素化を行うことができる。なお、水素
を含む雰囲気としては、水素（Ｈ２）またはアンモニア（ＮＨ３）と、希ガス（例えば、
アルゴン（Ａｒ））とを混合したガスを用いることができる。水素を含む雰囲気として、
アンモニア（ＮＨ３）と希ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ））との混合ガスを用いた場合
、ゲート絶縁膜１０８表面の水素化と同時に表面を窒化することもできる。
【００５２】
次に、複数の薄膜トランジスタを覆うように、第２の絶縁膜１１０を形成する。第２の絶
縁膜１１０は、ＳＯＧ法、液滴吐出法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材
料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料、
シロキサン等を用いて、単層または積層で形成する。なお、本明細書においてシロキサン
とは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基として、少
なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。また、
置換基として、フルオロ基を用いてもよいし、少なくとも水素を含む有機基及びフルオロ
基を用いてもよい。例えば、第２の絶縁膜１１０が３層構造の場合、１層目の絶縁膜とし
て酸化珪素を主成分とする膜を形成し、２層目の絶縁膜として樹脂を主成分とする膜を形
成し、３層目の絶縁膜として窒化珪素を主成分とする膜を形成するとよい。また、第２の
絶縁膜１１０を単層構造にする場合、窒化珪素膜または酸素を含む窒化珪素膜を形成する
とよい。このとき、好ましくは窒化珪素膜または酸素を含む窒化珪素膜に対して水素を含
む雰囲気中で高密度プラズマ処理を行うことにより、当該窒化珪素膜または当該酸素を含
む窒化珪素膜の表面に水素を含有させるようにする。これは、島状の半導体膜１０７の水
素化の工程を後に行う際に、この水素を利用することができるためである。または、基板
に対して３５０〜４５０℃の加熱をしながら水素を含む雰囲気中で高密度プラズマ処理を
行うことで、半導体膜の水素化を行うことができる。なお、水素を含む雰囲気としては、
水素（Ｈ２）またはアンモニア（ＮＨ３）と、希ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ））とを
混合したガスを用いることができる。水素を含む雰囲気として、アンモニア（ＮＨ３）と
希ガス（例えば、アルゴン（Ａｒ））との混合ガスを用いた場合、ゲート絶縁膜１０８表
面の水素化と同時に表面を窒化することもできる。
【００５３】
なお、第２の絶縁膜１１０を形成する前に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加さ
れた不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処
理には、熱アニール、レーザーアニール法、またはＲＴＡ法などを適用するとよい。例え
ば、不純物元素の活性化を目的とする場合、５００℃以上の熱アニールを行えばよい。ま
た、半導体膜の水素化を目的とする場合、３５０〜４５０℃の熱アニールを行えばよい。
【００５４】
次に、フォトリソグラフィ法により第２の絶縁膜１１０およびゲート絶縁膜１０８をエッ
チングして、島状の半導体膜１０７を露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、
コンタクトホールを充填するように、導電膜を形成し、当該導電膜をパターン加工して、
ソース配線またはドレイン配線１１１を形成する。
【００５５】
ソース配線またはドレイン配線１１１は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ
法により、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする導電膜を用いて形成する。アルミニウム
を主成分とする導電膜とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、ま
たは、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方または両方を含む合金
材料に相当する。アルミニウムを主成分とする導電膜は、一般に耐熱性に難点があるため
、アルミニウムを主成分とする導電膜の上下をバリア膜で挟み込む構成とすることが好ま
しい。バリア膜とは、アルミニウムを主成分とする導電膜のヒロック抑制や、耐熱性を高
める機能を有するものを指し、このような機能を有する材料としては、クロム、タンタル
、タングステン、モリブデン、チタン、シリコン、ニッケルまたはこれらの窒化物からな
るものが挙げられる。ソース配線またはドレイン配線１１１の構造の一例として、基板側
から順にチタン膜、アルミニウム膜、チタン膜を順に積層する構造が挙げられる。チタン
膜は、還元性の高い元素であるため、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたと
しても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができ
る。また、結晶質半導体膜とアルミニウム膜との間に形成されるチタン膜に対して、窒素
を含む雰囲気中で高密度プラズマ処理を行い、表面を窒化することが好ましい。高密度プ
ラズマ処理の条件として、プラズマの電子密度は１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３
ｃｍ−３以下であり、プラズマの電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下である。また
、窒素を含む雰囲気としては、Ｎ２もしくはＮＨ３と、希ガスとの混合ガス、または、Ｎ
２もしくはＮＨ３と、希ガスと、Ｈ２との混合ガスを用いればよい。チタン膜の表面を窒
化することにより、後の加熱処理の工程などでチタンとアルミニウムが合金化することを
防ぎ、チタン膜を突き破って結晶質半導体膜中にアルミニウムが拡散することを防止する
ことができる。なお、ここではアルミニウム膜をチタン膜で挟み込む例について説明した
が、チタン膜に変えてクロム膜、タングステン膜などを用いた場合にも同じことが言える
。さらに好ましくは、マルチチャンバー装置を用いて、チタン膜の成膜、チタン膜表面の
窒化処理、アルミニウム膜の成膜、チタン膜の成膜を大気に曝すことなく連続して行う。
【００５６】
以上の工程により、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４が形成される。
【００５７】
次に、図２（Ａ）に示すように、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４上
に第３の絶縁膜１１２を形成し、第３の絶縁膜１１２上に薄膜トランジスタを有する回路
１０３の有する配線と電気的に接続された電極１１３を金属膜などを用いて形成する。こ
こでは電極１１３として、ＴｉＮ膜をスパッタ法で形成する。
【００５８】
第３の絶縁膜１１２は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリ
ル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【００５９】
また、図２（Ａ）においては、薄膜トランジスタのソース配線又はドレイン配線と接続す
るように電極１１３を形成しているが、この場合に特に限定されるものではない。薄膜回
路のなかで、外部回路と電気的に接続したい箇所に電極を形成すればよい。
【００６０】
電極１１３を形成した後、図２（Ｂ）に示すように、電極１１３上に樹脂膜１１４を２０
〜３０μｍの膜厚で形成する。ここでは、樹脂膜として、熱硬化型樹脂、ＵＶ（紫外線）
硬化型樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂材料をスクリーン印刷を用いて電極１１３上に塗布し
た後、焼成することにより形成する。
【００６１】
次に、図２（Ｃ）に示すように波長が紫外領域のレーザー（以下においては、ＵＶレーザ
ーという）を照射して、図３（Ａ）に示すように開口部１１５、１１６を形成する。この
ように、開口部１１５、１１６を形成することにより、剥離層１０１が一部除去されるこ
とがきっかけとなり、基板１００から、第１の絶縁膜１０２、薄膜トランジスタを有する
回路１０３を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、樹脂膜１１４を有する積
層体１１８を簡単に分離することができる。この分離は、剥離層１０１の内部、又は剥離
層１０１と第１の絶縁膜１０２の間を境界として行われる。
【００６２】
また、本実施の形態ではＵＶレーザーを用いたが、本発明に用いるレーザーの種類は、開
口部１１５を形成できるものであれば特に制約はない。レーザーは、レーザー媒質、励起
源、共振器により構成されている。レーザーは、媒質により分類すると、気体レーザー、
液体レーザー、固体レーザーがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レーザー、
半導体レーザー、Ｘ線レーザーがあるが、本発明では、いずれのレーザーを用いてもよい
。なお、好ましくは、気体レーザー又は固体レーザーを用いるとよく、さらに好ましくは
固体レーザーを用いるとよい。
【００６３】
気体レーザーは、ヘリウムネオンレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、アル
ゴンイオンレーザーがある。エキシマレーザーは、希ガスエキシマレーザー、希ガスハラ
イドエキシマレーザーがある。希ガスエキシマレーザーは、アルゴン、クリプトン、キセ
ノンの３種類の励起分子による発振がある。アルゴンイオンレーザーは、希ガスイオンレ
ーザー、金属蒸気イオンレーザーがある。
【００６４】
液体レーザーは、無機液体レーザー、有機キレートレーザー、色素レーザーがある。無機
液体レーザーと有機キレートレーザーは、固体レーザーに利用されているネオジムなどの
希土類イオンをレーザー媒質として利用する。
【００６５】
固体レーザーが用いるレーザー媒質は、固体の母体に、レーザー作用をする活性種がドー
プされたものである。固体の母体とは、結晶又はガラスである。結晶とは、ＹＡＧ（イッ
トリウム・アルミニウム・ガーネット結晶）、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、サファイ
ア、ルビー、アレキサンドライドである。また、レーザー作用をする活性種とは、例えば
、３価のイオン（Ｃｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｙｂ３＋、Ｔｍ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｉ
３＋）である。
【００６６】
なお、媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に
媒質を形成することが可能である。媒質として単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、
長さ数十ｍｍの円柱状のものが用いられているが、媒質としてセラミック（多結晶）を用
いる場合はさらに大きいものを作ることが可能である。また、発光に直接寄与する媒質中
のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結晶中でも大きくは変えられな
いため、濃度を増加させることによるレーザーの出力向上にはある程度限界がある。しか
しながら、媒質としてセラミックを用いると、単結晶と比較して媒質の大きさを著しく大
きくすることができるため大幅な出力向上が期待できる。さらに、媒質としてセラミック
を用いると、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成することが可能である。こ
のような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行させると、発振光路
を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発振させることが可能
になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザービームは射出時の断面形状
が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形するのに有利であ
る。このように射出されたレーザービームを、光学系を用いて整形することによって、短
辺の長さ１ｍｍ以下、長辺の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易に得ることが可能とな
る。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺方向にエネルギ
ー分布の均一なものとなる。この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体
膜の全面をより均一にアニールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニ
ールが必要な場合は、その両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなど
の工夫が必要となる。
【００６７】
なお、本発明に用いるレーザーには、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービーム
）やパルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる。な
お、レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロフ
ァイル等は、第１の絶縁膜１０２、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４
、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、樹脂膜１１４の厚さやその材料等を考慮して適宜制
御する。
【００６８】
なお、基板１００から、第１の絶縁膜１０２、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含
む層１０４、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、樹脂膜１１４を有する積層体１１８を分
離する際には、図３（Ｂ）に示すように、樹脂膜１１４の表面を、第１のフィルム１１７
に接着させて、白抜き矢印の方向に第１のフィルム１１７を引っ張ることによって、基板
１００から、第１の絶縁膜１０２、薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４
、第３の絶縁膜１１２、電極１１３、樹脂膜１１４を有する積層体１１８を分離する。こ
の際、剥離層１０１の内部又は剥離層１０１と第１の絶縁膜１０２の境界において、基板
１００と積層体１１８とが分離する。基板１００から分離した後の積層体１１８は、第１
の絶縁膜１０２が最表面となる。樹脂膜１１４は、第１のフィルム１１７を引っ張ること
によって基板１００と積層体１１８とを分離する際に強度を確保するための膜である。樹
脂膜１１４を有することによって、この工程において、積層体１１８が破れてしまうのを
防ぐことができる。
【００６９】
第１のフィルム１１７は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【００７０】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【００７１】
そして、図３（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜１０２（薄膜回路の裏面側）の表面、つ
まり第１の絶縁膜１０２の薄膜トランジスタを有する回路１０３を含む層１０４が形成さ
れていない側の面に、電極１１３と重なる位置で、導電膜１１９を１μｍ〜数十μｍの膜
厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜１１９は、例えばスクリーン印
刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストな
どの導電性材料やハンダなどを用いて形成すればよい。この導電膜１１９の膜厚が０．１
μｍ以下となると膜厚が薄すぎて、後の工程において電極１１３との電気的接続がうまく
とれなくなってしまう。
【００７２】
そして、図４（Ａ）に示すように、導電膜１１９にレーザーを照射する。この際、導電膜
１１９が電極１１３の深さまで打ち込まれ、電極１１３で止まるようにレーザーの出力を
調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用いて、波長を２６６ｎｍ（第４
高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗとしてレーザー照射を行った。この
条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に特に限定されるものではない。こ
のレーザー照射により、導電膜１１９と電極１１３が電気的に接続され、図４（Ｂ）に示
すような状態となる。図４（Ｂ）において、１２０は電極１１３と電気的に接続された導
電膜を示す。
【００７３】
図４（Ｂ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、薄膜トランジスタを有す
る回路１０３を含む層１０４、第３の絶縁膜１１２に穴が形成され、その穴の側壁部分に
沿って電極１１３の内部まで導電膜１１９を構成する材料が移動して電極１１３と電気的
に接続している。
【００７４】
ここで、導電膜１１９と電極１１３を電気的に接続するためのレーザー照射前における
導電膜１１９の上面からの光学顕微鏡写真を図３２に示し、導電膜１１９と電極１１３を
電気的に接続するためのレーザー照射後における導電膜１１９の上面からの光学顕微鏡写
真を図３３に示す。図３２、３３は共に５０倍の倍率で撮影したものである。図３３には
、円形の穴が形成されているのがわかる。この穴を通して電極１１３と電気的に接続され
ている。なお、図３３では、導電膜１１９と電極１１３を電気的に接続するための穴の形
状が円形であるが、この穴の形状は円形に限定されるものではない。また、図３３では、
ひびのように見える部分が存在するが、これは抵抗値を測定する際に測定用の電極が接触
した部分であり、この測定用の電極が接触した部分において導電膜１１９の表面が擦れて
金属光沢がでているものである。
【００７５】
なお、ここでは、導電膜１１９が電極１１３の深さまで打ち込まれ、電極１１３で止まる
ようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、樹脂膜１１４及び第１の第１のフィ
ルム１１７を貫通するような穴が形成されるようにレーザーの出力を調節してもよい。
【００７６】
そして、図４（Ｃ）に示すように、隣り合って形成された薄膜トランジスタを有する回路
１０３と薄膜トランジスタを有する回路１０３との間の部分にレーザーを照射することで
、図５に示すように薄膜トランジスタを有する回路１０３をひとつずつ有する１２１、１
２２、１２３の３つの部分にそれぞれ分割する。分割した後の１２１、１２２、１２３が
それぞれ集積回路装置となる。
【００７７】
なお、本実施の形態においては、例として基板上に３つの薄膜トランジスタを有する回路
１０３を形成する場合について説明したが、基板上に形成する薄膜トランジスタを有する
回路１０３の数はこれに限定されるものではない。薄膜トランジスタを有する回路１０３
の数は、ひとつでも、ふたつでも、３つ以上でも良いことはいうまでもない。
【００７８】
以上のようにして、本発明の集積回路装置が形成される。
以下においては、以上のようにして得られた本発明の集積回路装置をアンテナが形成され
た基板上に実装して半導体装置を形成する工程について説明する。
【００７９】
図２４（Ａ）に示すように、基板７２２上には、アンテナの機能を有する導電膜７２３が
形成されている。この基板７２２上に導電性粒子７２５を含む樹脂７２４を用いて集積回
路装置７２６を接着する。導電性粒子７２５を含む樹脂７２４を用いて接着することによ
り、アンテナの機能を有する導電膜７２３のなかの接続部と集積回路装置７２６の有する
裏面の接続用導電膜とが導電性粒子７２５を介して電気的に接続される。
【００８０】
そして、この導電性粒子７２５を含む樹脂７２４を硬化させるために加熱処理を施す。第
１のフィルム１１７として熱剥離フィルムを用いた場合には、この加熱処理によって第１
のフィルム１１７を樹脂膜１１４から剥離することができる。第１のフィルム１１７を樹
脂膜１１４から剥離した後の状態を図２４（Ｂ）に示す。
【００８１】
以上のようにして本発明の集積回路装置をアンテナが形成された基板上に実装することが
できる。なお、ここでは、導電性粒子を含む樹脂を用いて、アンテナの機能を有する導電
膜と集積回路装置とを電気的に接続する場合について説明したが、アンテナの機能を有す
る導電膜と集積回路装置とを電気的に接続する手段としては、導電性粒子を含む樹脂以外
にも、はんだなどの公知の方法を用いれば良い。
【００８２】
なお、アンテナの機能を有する導電膜と集積回路装置とを電気的に接続する手段としては
んだを用いる場合にも、はんだを溶かすために加熱を行う。よって、第１のフィルム１１
７として熱剥離フィルムを用いた場合には、この加熱によって第１のフィルム１１７を樹
脂膜１１４から剥離することができる。
【００８３】
本発明の集積回路装置をアンテナが形成された基板上に実装した後で、封止を行うのが好
ましい。封止は、少なくともアンテナが形成された基板７２２のアンテナの機能を有する
導電膜７２３が形成されている側において行われていればよい。アンテナが形成された基
板７２２のアンテナの機能を有する導電膜７２３が形成されている側においてのみ封止を
行った場合について図２５（Ａ）に示す。封止を行う際には、ベースフィルム上に接着層
を有する構造の第２のフィルム７２９によって封止を行う。第２のフィルム７２９として
は例えばホットメルトフィルムが挙げられる。ホットメルトフィルムはベースフィルム上
にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂からなる接着層が形成された構成となっている
。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等があげられる。また、接着層として
使用される材料は、ポリエチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテー
ト）等が挙げられる。
【００８４】
また、図２５（Ｂ）に示すようにアンテナが形成された基板７２２の両側から２枚のフィ
ルム（第２のフィルム７２７、第３のフィルム７２８）によって封止を行うようにしても
良い。図２５（Ｂ）の第２のフィルム７２７、第３のフィルム７２８としては、ベースフ
ィルム上に接着層を有する構造のフィルムを用いれば良い。
【００８５】
なお、図２４、図２５においては、第１のフィルム１１７を加熱処理の際に剥離して封止
を行う場合について説明したが、第１のフィルム１１７を剥離せず、樹脂膜１１４上に接
着したままの状態で封止を行うことも可能である。その場合には、第１のフィルム１１７
として、熱剥離フィルム以外のフィルム（ホットメルトフィルムなど）を用いることがで
きる。
【００８６】
本実施例で形成した集積回路装置は、薄膜トランジスタを有する回路の上方に樹脂膜を有
し、薄膜トランジスタを有する回路の裏面側に外部との電気的接続をとるための電極を有
する点が特徴である。つまり樹脂膜が形成されていない側の面に薄膜トランジスタを有す
る回路と電気的に接続する導電膜を有する点が特徴である。第１の絶縁膜の膜厚と薄膜ト
ランジスタを有する回路を含む層との膜厚との合計は１０μｍ程度、もしくはそれ以下で
あり、樹脂膜の膜厚は２０〜３０μｍ程度であるため、樹脂膜が形成されていない側の面
に薄膜トランジスタを有する回路と電気的に接続する導電膜を形成することによって、樹
脂膜側に形成する場合と比較して容易に薄膜トランジスタを有する回路と電気的に接続す
る導電膜を形成することができる。
【００８７】
（実施の形態２）
実施の形態１においては、薄膜回路として、薄膜トランジスタを有する回路を形成した場
合について説明した。本実施の形態においては、薄膜回路として、抵抗を有する回路を形
成する場合について説明する。
なお、実施の形態１においては、薄膜回路として薄膜トランジスタを有する回路を形成し
ており、本実施の形態においては、薄膜回路として抵抗を形成しているが、薄膜トランジ
スタ、抵抗、インダクタ、コンデンサのなかの複数種類の素子を有する場合についても実
施することができる。
【００８８】
まず図６（Ａ）に示すように、基板２００上に剥離層２０１を形成し、剥離層２０１上に
第１の絶縁膜２０２を形成する。基板２００に用いる材料や、剥離層２０１の材料や形成
方法は実施の形態１と同様にして行えばよい。
【００８９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜２０２上に抵抗体２０４を形成する。抵抗
体２０４は、例えばＴａ２Ｎを用いて形成すればよい。
この抵抗体２０４の上面から見た形状の例を図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、以下に
おいては、抵抗体２０４として図１０（Ａ）の形状の抵抗体を形成する場合について説明
する。
【００９０】
抵抗体２０４を形成した後に、図６（Ｃ）に示すように、抵抗体２０４上に第２の絶縁膜
２０５を形成する。
そして、図６（Ｄ）に示すように、第２の絶縁膜２０５に開口２０６を形成する。この開
口２０６は、後に形成する電極と抵抗体２０４とのコンタクトをとるための穴である。
この開口２０６は、図１０（Ａ）の２１６、２１７の領域上に形成するようにする。なお
、図１０（Ｂ）の形状の抵抗体を形成する場合には、図１０（Ｂ）の２１９、２２０の領
域上に開口２０６を形成するようにすればよい。
【００９１】
開口２０６を形成した後、図７（Ａ）に示すように、抵抗体２０４と電気的に接続する電
極２０７を第２の絶縁膜２０５上に形成する。この電極２０７は、図１０（Ａ）の２１６
、２１７の部分とそれぞれ電気的に接続するように形成される。
【００９２】
電極２０７を形成した後に、図７（Ｂ）に示すように電極２０７上に樹脂膜２０８を形成
する。そして、その後、図７（Ｃ）に示すようにレーザーを照射する。レーザーの照射に
よって、図７（Ｄ）に示すように、剥離層２０１、第１の絶縁膜２０２、第２の絶縁膜２
０５、樹脂膜２０８に開口２０９が形成される。このように、開口２０９を形成すること
により、剥離層２０１が一部除去されることがきっかけとなり、基板２００から、第１の
絶縁膜２０２、抵抗体２０４、第２の絶縁膜２０５、電極２０７が積層されてなる、抵抗
を有する回路を含む層２１０と、樹脂膜２０８とを有する積層体２１１を簡単に分離する
ことができる。この分離は、剥離層２０１の内部、又は剥離層２０１と第１の絶縁膜２０
２の間を境界として行われる。
【００９３】
なお、レーザーの種類は、実施の形態１と同様にどのような種類のレーザーを用いてもよ
い。レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロフ
ァイル等は、抵抗を有する回路を含む層２１０、樹脂膜２０８の厚さやその材料等を考慮
して適宜制御する。
【００９４】
なお、基板２００から、抵抗を有する回路を含む層２１０と、樹脂膜２０８とを有する積
層体２１１を分離する際には、図８（Ａ）に示すように、樹脂膜２０８の表面を、第１の
フィルム２１２に接着させて、図８（Ｂ）に示すように、白抜き矢印の方向に第１のフィ
ルム２１２を引っ張ることによって、基板２００から、抵抗を有する回路を含む層２１０
と、樹脂膜２０８とを有する積層体２１１を分離する。この際、剥離層２０１の内部又は
剥離層２０１と第１の絶縁膜２０２の境界において、基板２００と積層体２１１とが分離
する。基板２００から分離した後の積層体２１１は、第１の絶縁膜２０２が最表面となる
。樹脂膜２０８は、第１のフィルム２１２を引っ張ることによって基板２００と積層体２
１１とを分離する際に強度を確保するための膜である。樹脂膜２０８を有することによっ
て、この工程において、積層体２１１が破れてしまうのを防ぐことができる。
【００９５】
第１のフィルム２１２は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【００９６】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【００９７】
第１のフィルム２１２としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の
後でＵＶ（紫外線）を照射することによって第１のフィルム２１２を剥離することもでき
る。
【００９８】
また、第１のフィルム２１２として熱剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の後で加
熱することによって第１のフィルム２１２を剥離することもできる。
【００９９】
そして、図８（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜２０２（薄膜回路の裏面側）の表面、つ
まり第１の絶縁膜２０２の抵抗を有する回路を含む層２１０が形成されていない側の面に
、電極２０７と重なる位置で、導電膜２１３を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０
〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜２１３は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペー
スト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハ
ンダなどを用いて形成すればよい。この導電膜２１３の膜厚が０．１μｍ以下となると膜
厚が薄すぎて、後の工程において電極２０７との電気的接続がうまくとれなくなってしま
う。
【０１００】
そして、図８（Ｄ）に示すように、導電膜２１３にレーザーを照射する。この際、導電膜
２１３が電極２０７の深さまで打ち込まれ、電極２０７で止まるようにレーザーの出力を
調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用いて、波長を２６６ｎｍ（第４
高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗとしてレーザー照射を行った。この
条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に特に限定されるものではない。こ
のレーザー照射により、導電膜２１３と電極２０７が電気的に接続され、図９に示すよう
な状態となる。
図９において、２１４、２１５は電極２０７と電気的に接続された導電膜を示す。
【０１０１】
図９に示すように、レーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜２０２、第２の絶
縁膜２０５に穴が形成され、その穴の側壁部分に沿って電極２０７の内部まで導電膜２１
３を構成する材料が移動して電極２０７と電気的に接続している。
【０１０２】
なお、ここでは、導電膜２１３が電極２０７の深さまで打ち込まれ、電極２０７で止まる
ようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、樹脂膜２０８及び第１のフィルム２
１２を貫通するようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０１０３】
（実施の形態３）
本実施の形態においては、薄膜回路としてインダクタを有する回路を形成する場合につい
て説明する。本実施の形態においては、一種類の素子を有する回路を形成する場合につい
て説明するが、薄膜トランジスタ、抵抗、インダクタ、コンデンサのなかの複数種類の素
子を有する場合についても実施することができる。
【０１０４】
以下において、インダクタが形成されている部分に注目した断面図を用いてインダクタを
有する集積回路装置の作製工程について説明する。
【０１０５】
まず図１１（Ａ）に示すように、基板３００上に剥離層３０１を形成し、剥離層３０１上
に第１の絶縁膜３０２を形成する。基板３００に用いる材料や、剥離層３０１の材料、形
成方法は実施の形態１と同様にして行えばよい。
【０１０６】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜３０２上にコイル状の第１の導電膜３０
３を形成する。図１１（Ｂ）の上側の図は断面図であり、図１１（Ｂ）の下側の図は上面
図を示す。
図１１（Ｂ）の上面図において、３０４、３０５は後で形成する電極とコンタクトをとる
ための領域である。
【０１０７】
第１の導電膜３０３を形成した後に、図１１（Ｃ）に示すように、第１の導電膜３０３上
に樹脂膜３０６を形成する。そして、図１２（Ａ）に示すように、樹脂膜３０６にレーザ
ーを照射する。レーザーの照射によって、図１２（Ｂ）に示すように、剥離層３０１、第
１の絶縁膜３０２、樹脂膜３０６に開口３０７が形成される。このように、開口３０７を
形成することにより、剥離層３０１が一部除去されることがきっかけとなり、基板３００
から、第１の絶縁膜３０２、第１の導電膜３０３が積層されてなる、インダクタを有する
回路を含む層３０８と、樹脂膜３０６とを有する積層体３０９を簡単に分離することがで
きる。この分離は、剥離層３０１の内部、又は剥離層３０１と第１の絶縁膜３０２の間を
境界として行われる。
【０１０８】
なお、レーザーの種類は、実施の形態１と同様にどのような種類のレーザーを用いてもよ
い。レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロフ
ァイル等は、インダクタを有する回路を含む層３０８、樹脂膜３０６の厚さやその材料等
を考慮して適宜制御する。
【０１０９】
なお、基板３００から、インダクタを有する回路を含む層３０８と、樹脂膜３０６とを有
する積層体３０９を分離する際には、図１２（Ｃ）に示すように、樹脂膜３０６の表面を
、第１のフィルム３１０に接着させて、図１２（Ｄ）に示すように、白抜き矢印の方向に
第１のフィルム３１０を引っ張ることによって、基板３００から、インダクタを有する回
路を含む層３０８と、樹脂膜３０６とを有する積層体３０９を分離する。基板３００から
分離した後の積層体３０９及び第１のフィルム３１０の様子を図１３（Ａ）に示す。積層
体３０９を基板から分離する際、剥離層３０１の内部又は剥離層３０１と第１の絶縁膜３
０２の境界において、基板３００と積層体３０９とが分離する。基板３００から分離した
後の積層体３０９は、第１の絶縁膜３０２が最表面となる。樹脂膜３０６は、第１のフィ
ルム３１０を引っ張ることによって基板３００と積層体３０９とを分離する際に強度を確
保するための膜である。樹脂膜３０６を有することによって、この工程において、積層体
３０９が破れてしまうのを防ぐことができる。
【０１１０】
第１のフィルム３１０は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【０１１１】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【０１１２】
第１のフィルム３１０としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の
後でＵＶ（紫外線）を照射することによって第１のフィルム３１０を剥離することもでき
る。
【０１１３】
また、第１のフィルム３１０として熱剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の後で加
熱することによって第１のフィルム３１０を剥離することもできる。
【０１１４】
そして、図１３（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜３０２（薄膜回路の裏面側）の表面、
つまり第１の絶縁膜３０２のインダクタを有する回路を含む層３０８が形成されていない
側の面に、第１の導電膜３０３の３０４、３０５の領域とそれぞれ重なる位置で、第２の
導電膜３１１を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成する。
第２の導電膜３１１は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃ
ｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成す
ればよい。この第２の導電膜３１１の膜厚が０．１μｍ以下となると膜厚が薄すぎて、後
の工程において第１の導電膜３０３との電気的接続がうまくとれなくなってしまう。
【０１１５】
図１３（Ｂ）は上面図のＡ―Ａ’における断面図であるため、図１３（Ｂ）においては、
図１１（Ｂ）の第１の導電膜３０３の有する領域３０５に重なる位置で形成された第２の
導電膜３１１しか図示されていないが、第１の導電膜３０３の有する領域３０４に重なる
位置でも導電膜は形成されている。
【０１１６】
そして、図１３（Ｃ）に示すように、第２の導電膜３１１にレーザーを照射する。この際
、第２の導電膜３１１が第１の導電膜３０３の深さまで打ち込まれ、第１の導電膜３０３
で止まるようにレーザーの出力を調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを
用いて、波長を２６６ｎｍ（第４高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗと
してレーザー照射を行った。この条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に
特に限定されるものではない。このレーザー照射により、第２の導電膜３１１と第１の導
電膜３０３が電気的に接続され、図１３（Ｄ）に示すような状態となる。図１３（Ｄ）に
おいて、３１２は第１の導電膜３０３と電気的に接続された第２の導電膜を示す。
【０１１７】
図１３（Ｄ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜３０２に
穴が形成され、その穴の側壁部分に沿って第１の導電膜３０３の内部まで第２の導電膜３
１１を構成する材料が移動して、第１の導電膜３０３と電気的に接続している。
【０１１８】
なお、ここでは、第２の導電膜３１１が第１の導電膜３０３の深さまで打ち込まれ、第１
の導電膜３０３で止まるようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、樹脂膜３０
６及び第１のフィルム３１０を貫通するようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０１１９】
（実施の形態４）
本実施の形態においては、薄膜回路としてコンデンサを有する場合の集積回路装置の作成
方法について説明する。
本実施の形態においては、一種類の素子を有する回路を形成する場合について説明するが
、薄膜トランジスタ、抵抗、インダクタ、コンデンサのなかの複数種類の素子を有する場
合についても実施することができる。
【０１２０】
まず図１４（Ａ）に示すように、基板４００上に剥離層４０１を形成し、剥離層４０１上
に第１の絶縁膜４０２を形成する。基板４００に用いる材料や、剥離層４０１の材料や形
成方法は実施の形態１と同様にして行えばよい。
【０１２１】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜４０２上にコンデンサの第１電極４０３
を形成する。コンデンサの第１電極４０３としては、例えば金属膜などを形成すればよい
。
次に図１４（Ｃ）に示すように第２の絶縁膜４０４を形成する。第２の絶縁膜４０４とし
ては、例えばＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＴｉＯ３、ＳｉＯ２等の誘電体によって形成す
ればよい。
【０１２２】
そして、図１４（Ｄ）に示すように、コンデンサの第２電極４０５を形成する。コンデン
サの第２電極４０５もコンデンサの第１電極と同様に金属膜などを形成すればよい。
ここまでで、第１の電極、絶縁膜、第２の電極から構成されるコンデンサが形成される。
【０１２３】
そして、このように形成されたコンデンサ上に図１５（Ａ）に示すように樹脂膜４０６を
形成する。この樹脂膜４０６は、薄膜回路の強度を確保するために設ける。樹脂膜４０６
を形成したら、図１５（Ｂ）に示すようにレーザーを照射する。レーザーの照射によって
、図１５（Ｃ）に示すように、剥離層４０１、第１の絶縁膜４０２、第２の絶縁膜４０４
、樹脂膜４０６に開口４０７が形成される。このように、開口４０７を形成することによ
り、剥離層４０１が一部除去されることがきっかけとなり、第１の絶縁膜４０２、第１電
極４０３、第２の絶縁膜４０４、第２電極４０５が積層されてなる、コンデンサを有する
回路を含む層４０８と、樹脂膜４０６とを有する積層体４０９を基板４００から簡単に分
離することができる。この分離は、剥離層４０１の内部、又は剥離層４０１と第１の絶縁
膜４０２の間を境界として行われる。
【０１２４】
なお、レーザーの種類は、実施の形態１と同様にどのような種類のレーザーを用いてもよ
い。レーザーの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロフ
ァイル等は、コンデンサを有する回路を含む層４０８、樹脂膜４０６の厚さやその材料等
を考慮して適宜制御する。
【０１２５】
なお、基板４００から、コンデンサを有する回路を含む層４０８と、樹脂膜４０６とを有
する積層体４０９を分離する際には、図１５（Ｄ）に示すように、樹脂膜４０６の表面を
、第１のフィルム４１０に接着させて、図１６（Ａ）に示すように、白抜き矢印の方向に
第１のフィルム４１０を引っ張ることによって、基板４００から、コンデンサを有する回
路を含む層４０８と、樹脂膜４０６とを有する積層体４０９を分離する。基板４００から
分離した後の積層体４０９及び第１のフィルム４１０の様子を図１６（Ｂ）に示す。積層
体４０９を基板から分離する際、剥離層４０１の内部又は剥離層４０１と第１の絶縁膜４
０２の境界において、基板４００と積層体４０９とが分離する。基板４００から分離した
後の積層体４０９は、第１の絶縁膜４０２が最表面となる。樹脂膜４０６は、第１のフィ
ルム４１０を引っ張ることによって基板４００と積層体４０９とを分離する際に強度を確
保するための膜である。樹脂膜４０６を有することによって、この工程において、積層体
４０９が破れてしまうのを防ぐことができる。
【０１２６】
第１のフィルム４１０は、樹脂材料でなるベースフィルム上に接着層が設けられている構
造を有するフィルムであり、例えば、ホットメルトフィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィル
ム、熱剥離フィルムなどが挙げられる。ベースフィルムとして使用される材料は、ポリエ
ステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等があげられる。
【０１２７】
ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂から
なる接着層が形成された構成となっている。また、接着層として使用される材料は、ポリ
エチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げられる。ま
た、ＵＶ（紫外線）剥離フィルムは、ベースフィルム上にＵＶ（紫外線）を照射すること
によって粘着力が弱くなる樹脂材料からなる接着層が形成された構成となっている。また
、熱剥離フィルムは、ベースフィルム上に加熱することによって粘着力が弱くなる樹脂材
料からなる接着層が形成された構成となっている。
【０１２８】
第１のフィルム４１０としてＵＶ（紫外線）剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の
後でＵＶ（紫外線）を照射することによって第１のフィルム４１０を剥離することもでき
る。
【０１２９】
また、第１のフィルム４１０として熱剥離フィルムを用いた場合には、剥離工程の後で加
熱することによって第１のフィルム４１０を剥離することもできる。
【０１３０】
そして、図１６（Ｃ）に示すように、第１の絶縁膜４０２（薄膜回路の裏面側）の表面、
つまり第１の絶縁膜４０２のコンデンサを有する回路を含む層４０８が形成されていない
側の面において、第１電極４０３の一部と重なる位置と、第２電極４０５の一部と重なる
位置に、それぞれ導電膜４１１、４１２を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２
０μｍの膜厚で形成する。導電膜４１１、４１２は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕ
ペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペースト、Ａｌペーストなどの導電性材料
やハンダなどを用いて形成すればよい。この導電膜４１１、４１２の膜厚が０．１μｍ以
下となると膜厚が薄すぎて、後の工程において第１電極４０３や第２電極４０５との電気
的接続がうまくとれなくなってしまう。
【０１３１】
そして、図１６（Ｄ）に示すように、導電膜４１１、４１２にレーザーを照射する。導電
膜４１１に照射するレーザーは、導電膜４１１が第１電極４０３の深さまで打ち込まれ、
第１電極４０３で止まるようにレーザーの出力を調節する。また、導電膜４１２に照射す
るレーザーは、導電膜４１２が第２電極４０５の深さまで打ち込まれ、第２電極４０５で
止まるようにレーザーの出力を調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用
いて、波長を２６６ｎｍ（第４高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗ等と
してレーザー照射を行った。この条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に
特に限定されるものではない。このレーザー照射により、導電膜４１１と第１電極４０３
が電気的に接続され、導電膜４１２と第２電極４０５が電気的に接続され、図１７に示す
ような状態となる。図１７において、４１３は第１電極４０３と電気的に接続された導電
膜を示し、４１４は第２電極４０５と電気的に接続された導電膜を示す。
【０１３２】
図１７に示すように、第１電極４０３と電気的に接続された導電膜４１３を形成するため
にレーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜４０２に穴が形成され、その穴の側
壁部分に沿って第１電極４０３の内部まで導電膜４１３を構成する材料が移動して、第１
電極４０３と電気的に接続している。また、第２電極と電気的に接続された導電膜４１４
を形成するためにレーザーが照射された箇所において、第１の絶縁膜４０２、第２の絶縁
膜４０４に穴が形成され、その穴の側壁部分に沿って第２電極４０５の内部まで導電膜４
１４を構成する材料が移動して、第２電極４０５と電気的に接続している。
【０１３３】
なお、ここでは、第１電極４０３と電気的に接続された導電膜４１３を形成する際に、導
電膜４１１が第１電極４０３の深さまで打ち込まれ、第１電極４０３で止まるようにレー
ザーの出力を調節し、第２電極と電気的に接続された導電膜４１４を形成する際に、導電
膜４１２が第２電極４０５の深さまで打ち込まれ、第２電極４０５で止まるようにレーザ
ーの出力を調節した例を示しているが、第１電極と電気的に接続された導電膜４１３を形
成する際のレーザーの照射も、第２電極と電気的に接続された導電膜４１４を形成する際
のレーザーの照射も樹脂膜４０６及び第１のフィルム４１０まで貫通するようにレーザー
の出力を調節してもよい。
【０１３４】
（実施の形態５）
実施の形態１においては、基板から薄膜トランジスタを有する回路を含む層などを有する
積層体を剥離して、可撓性を有する集積回路装置を形成する場合について説明したが、本
実施の形態においては、基板を研削研磨などして薄膜化することによって、可撓性を有す
る集積回路装置を形成する場合について説明する。
なお、本実施の形態においては、薄膜回路として薄膜トランジスタを形成した場合につい
て説明しているが、薄膜トランジスタ、抵抗、インダクタ、コンデンサのなかから選ばれ
た１種類または複数種類の素子を有する場合についても実施することができる。
【０１３５】
まず、図１８（Ａ）に示すように、第１の基板５００上に第１の絶縁膜５０１を形成する
。この第１の絶縁膜は下地膜として機能する膜である。第１の絶縁膜５０１として、プラ
ズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む珪
素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。
【０１３６】
なお、第１の基板５００としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを
用いればよい。
【０１３７】
図１８（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜５０１上に公知の方法で薄膜トランジスタを有
する回路５０３を含む層５０４を形成する。薄膜トランジスタを有する回路５０３を含む
層５０４として例えば、複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを覆う第２
の絶縁膜５１０と、第２の絶縁膜５１０に接し複数の薄膜トランジスタのソース領域又は
ドレイン領域に接続するソース配線またはドレイン配線５１１とを形成する。薄膜トラン
ジスタは、島状の半導体膜５０７、ゲート絶縁膜５０８、サイドウォールが形成されたゲ
ート電極５０９などを有する。図１８（Ｂ）においては、薄膜トランジスタを有する回路
５０３として、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ５０５及びＰチャネル型の薄膜トランジ
スタ５０６とを有する構成の回路を例として示したが、特にこのような回路の構造に限定
するものではない。また、図１８（Ｂ）においては、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ５
０５として、ゲート電極にサイドウォールが形成され、ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）
を有するトップゲート型の薄膜トランジスタを形成し、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ
５０６として、ゲート電極にサイドウォールが形成されたトップゲート型の薄膜トランジ
スタを形成した例を示しているが、薄膜トランジスタの構造はこの構造に限定されるもの
ではない。ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を有しない構造の薄膜トランジスタや、ボト
ムゲート型の薄膜トランジスタなど、公知の薄膜トランジスタの構造を適用することがで
きる。
【０１３８】
なお、薄膜トランジスタを有する回路５０３までの作製方法については、実施の形態１に
おいて説明した作製方法を用いて使用することができる。
【０１３９】
そして、図１８（Ｃ）に示すように、薄膜トランジスタを有する回路５０３を含む層５０
４上に第３の絶縁膜５１２を形成し、第３の絶縁膜５１２上に薄膜トランジスタを有する
回路５０３の有する配線と電気的に接続された電極５１３を形成する。
【０１４０】
第３の絶縁膜５１２は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、
窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリ
ル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０１４１】
また、図１８（Ｃ）においては、薄膜トランジスタのソース配線又はドレイン配線と接続
するように電極５１３を形成しているが、この場合に特に限定されるものではない。薄膜
回路のなかで、外部回路と電気的に接続したい箇所に電極を形成すればよい。
【０１４２】
次に、図１９（Ａ）に示すように、電極５１３上に第４の絶縁膜５１４を形成する。第４
の絶縁膜５１４は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化
酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、
エポキシなどの有機材料、シロキサンなどにより、単層または積層で形成する。
【０１４３】
そして、図１９（Ｂ）に示すように、第４の絶縁膜５１４上に第２の基板５１５を接着材
を用いて接着する。第２の基板５１５としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金
属基板、樹脂基板などを用いることができる。接着材として熱をかけることにより粘着力
が弱くなる接着材を用いることが好ましい。また、第２の基板としては他にホットメルト
フィルム、ＵＶ（紫外線）剥離フィルム、熱剥離フィルムなど、ベースフィルム上に接着
層が設けられている構造を有するフィルムを用いても良い。
【０１４４】
ここで、第２の基板５１５を接着しない場合、後ほど行う第１の基板５００の厚さを薄く
する工程において、第１の基板５００の厚さが薄くなるにつれて、薄膜トランジスタを有
する回路を含む層５０４と第３の絶縁膜５１２と電極５１３と第４の絶縁膜５１４とから
なる積層体がカールしてしまう。しかし、第２の基板５１５を接着することによって、後
ほど行う第１の基板５００の厚さを薄くする工程において、薄膜トランジスタを有する回
路を含む層５０４と第３の絶縁膜５１２と電極５１３と第４の絶縁膜５１４とからなる積
層体がカールしてしまうのを防ぐことができる。
【０１４５】
第４の絶縁膜５１４上に第２の基板を接着したら、第１の基板５００の厚さを薄くする処
理を行う。この処理によって第１の基板５００の厚さを１００μｍ以下、好ましくは２０
〜５０μｍとする。ここでは、図１９（Ｃ）に示すように、研削手段または研磨手段５１
６を用いて第１の基板５００の厚さを薄くする。この際、研削手段のみによって基板の研
削を行って第１の基板５００の厚さを薄くしても良いし、研磨手段のみによって基板の研
磨を行って第１の基板５００の厚さを薄くしても良いが、研削手段によって基板の研削を
行った後、研磨手段によって基板の研磨を行うのが好ましい。
【０１４６】
また、ここでは第１の基板５００の厚さを薄くする手段として研削手段または研磨手段を
用いたが、これに限定されるものではない。
第１の基板５００の厚さを薄くする手段としてウエットエッチングを用いても良い。
この場合、第１の基板５００と第１の絶縁膜５０１との間に、第１の基板５００のエッチ
ングを行うエッチング液に対して耐性を有する膜を形成すれば、第１の絶縁膜５０１まで
エッチングされてしまうことがない。
【０１４７】
第１の基板５００の厚さを薄くする処理を行って、第１の基板５００の厚さが薄くなった
状態を図２０（Ａ）に示す。図２０（Ａ）においては、第１の基板５００が残っている状
態を示しているが、第１の基板５００が完全に除去された状態であっても良いし、第１の
基板５００の一部のみが第１の絶縁膜５０１の表面に残っている状態であってもよい。
【０１４８】
そして、図２０（Ｂ）に示すように、第１の基板５００の第１の絶縁膜５０１が形成され
ていない側の面、つまり薄膜回路の裏面側に、電極５１３と重なる位置で、導電膜５１７
を１μｍ〜数十μｍの膜厚、好ましくは１０〜２０μｍの膜厚で形成する。導電膜５１７
は、例えばスクリーン印刷により、Ａｕペースト、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ｎｉペ
ースト、Ａｌペーストなどの導電性材料やハンダなどを用いて形成すればよい。この導電
膜５１７の膜厚が０．１μｍ以下となると膜厚が薄すぎて、後の工程において電極５１３
との電気的接続がうまくとれなくなってしまう。
【０１４９】
そして、図２０（Ｃ）に示すように、導電膜５１７にレーザーを照射する。この際、導電
膜５１７が電極５１３の深さまで打ち込まれ、電極５１３で止まるようにレーザーの出力
を調節する。ここでは、Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用いて、波長を２６６ｎｍ（第
４高調波）、発振周波数を１５ｋＨｚ、平均出力を３Ｗとしてレーザー照射を行った。こ
の条件は代表的な条件を例示しただけであり、この条件に特に限定されるものではない。
このレーザー照射により、導電膜５１７と電極５１３が電気的に接続され、図２１（Ａ）
に示すような状態となる。図２１（Ａ）において、５１８は電極５１３と電気的に接続さ
れた導電膜を示す。
【０１５０】
図２１（Ａ）に示すように、レーザーが照射された箇所において、第１の基板５００、薄
膜トランジスタを有する回路５０３を含む層５０４、第３の絶縁膜５１２に穴が形成され
、その穴の側壁部分に沿って電極５１３の内部まで導電膜５１７を構成する材料が移動し
て、電極５１３と電気的に接続している。
【０１５１】
なお、ここでは、導電膜５１７が電極５１３の深さまで打ち込まれ、電極５１３で止まる
ようにレーザーの出力を調節した例を示しているが、第４の絶縁膜５１４及び第２の基板
５１５を貫通するような穴が形成されるようにレーザーの出力を調節してもよい。
【０１５２】
そして、図２１（Ｂ）に示すように、隣り合って形成された薄膜トランジスタを有する回
路５０３と薄膜トランジスタを有する回路５０３との間の部分にレーザーを照射すること
で、図２１（Ｃ）に示すように薄膜トランジスタを有する回路５０３をひとつずつ有する
５１９、５２０、５２１の３つの部分にそれぞれ分割する。分割した後の５１９、５２０
、５２１がそれぞれ集積回路装置となる。
【０１５３】
なお、本実施の形態においては、例として基板上に３つの薄膜トランジスタを有する回路
５０３を形成する場合について説明したが、基板上に形成する薄膜トランジスタを有する
回路５０３の数はこれに限定されるものではない。薄膜トランジスタを有する回路５０３
の数は、ひとつでも、ふたつでも、３つ以上でも良いことはいうまでもない。
【０１５４】
以上のようにして、本発明の集積回路装置が形成される。
以下においては、以上のようにして得られた本発明の集積回路装置をアンテナが形成され
た基板上に実装して半導体装置を形成する工程について説明する。
【０１５５】
図２２（Ａ）に示すように、基板５２２上には、アンテナの機能を有する導電膜５２３が
形成されている。この基板５２２上に導電性粒子５２５を含む樹脂５２４を用いて集積回
路装置５２６を接着する。導電性粒子５２５を含む樹脂５２４を用いて接着することによ
り、アンテナの機能を有する導電膜５２３のなかの接続部と集積回路装置５２６の有する
裏面の接続用導電膜とが導電性粒子５２５を介して電気的に接続される。
【０１５６】
そして、この導電性粒子５２５を含む樹脂５２４を硬化させるために加熱処理を施す。第
２の基板５１５を第４の絶縁膜５１４に接着する際に、熱をかけることによって粘着力が
弱まる接着材で第２の基板５１５を接着した場合、または第２の基板５１５として熱剥離
フィルムを用いた場合には、この加熱処理によって第２の基板５１５を第４の絶縁膜５１
４から剥離することができる。第２の基板５１５を第４の絶縁膜５１４から剥離した後の
状態を図２２（Ｂ）に示す。
【０１５７】
以上のようにして本発明の集積回路装置をアンテナが形成された基板上に実装することが
できる。なお、ここでは、導電性粒子を含む樹脂を用いて、アンテナの機能を有する導電
膜と集積回路装置とを電気的に接続する場合について説明したが、アンテナの機能を有す
る導電膜と集積回路装置とを電気的に接続する手段としては、導電性粒子を含む樹脂以外
にも、はんだなどの公知の方法を用いれば良い。
【０１５８】
なお、アンテナの機能を有する導電膜と集積回路装置とを電気的に接続する手段としては
んだを用いる場合にも、はんだを溶かすために加熱を行う。よって、第２の基板５１５を
第４の絶縁膜５１４に接着する際に、熱をかけることによって粘着力が弱まる接着材で第
２の基板５１５を接着した場合、または第２の基板５１５として熱剥離フィルムを用いた
場合には、この加熱によって第２の基板５１５を第４の絶縁膜５１４から剥離することが
できる。
【０１５９】
本発明の集積回路装置をアンテナが形成された基板上に実装した後で、封止を行うのが好
ましい。封止は、少なくともアンテナが形成された基板５２２のアンテナの機能を有する
導電膜５２３が形成されている側において行われていればよい。アンテナが形成された基
板５２２のアンテナの機能を有する導電膜５２３が形成されている側においてのみ封止を
行った場合について図２３（Ａ）に示す。封止を行う際には、ベースフィルム上に接着層
を有する構造のフィルム５２９によって封止を行う。フィルム５２９としては例えばホッ
トメルトフィルムが挙げられる。ホットメルトフィルムはベースフィルム上にベースフィ
ルムよりも軟化点の低い樹脂からなる接着層が形成された構成となっている。ベースフィ
ルムとして使用される材料は、ポリエステル、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）や
ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等があげられる。また、接着層として使用される材
料は、ポリエチレン樹脂、ポリエステル、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）等が挙げ
られる。
【０１６０】
また、図２３（Ｂ）に示すようにアンテナが形成された基板５２２の両側から２枚のフィ
ルム５２７、５２８によって封止を行うようにしても良い。図２３（Ｂ）のフィルム５２
７、５２８としては、べースフィルム上に接着層を有する構造のフィルムを用いれば良い
。
【０１６１】
なお、図２２、図２３においては、第２の基板５１５を加熱処理の際に剥離して封止を行
う場合について説明したが、第２の基板５１５を剥離せず、第４の絶縁膜５１４上に接着
したままの状態で封止を行うことも可能である。その場合には、第２の基板５１５を第４
の絶縁膜５１４に接着する際に用いる接着材は特に限定されず、加熱することによって粘
着力が弱まる粘着材を用いる必要はない。もしくは、第２の基板として、熱剥離フィルム
以外のフィルム（ホットメルトフィルムなど）を用いることができる。
【実施例１】
【０１６２】
本実施例においては、本発明の集積回路装置を複数の配線が形成された基板上に実装した
例について図２６を用いて説明する。
【０１６３】
図２６（Ａ）において、複数の配線６０５が設けられた基板６００上には、本発明の集積
回路装置６０１〜６０４が接着されている。集積回路装置６０１〜６０４のそれぞれにお
いて、点線で四角形で囲っている部分は薄膜回路と基板６００上に形成された配線との接
続部分である。
【０１６４】
この接続部分のなかの１つである接続部分６０６の断面の拡大図を図２６（Ｂ）に示す。
図２６（Ｂ）に示すように、基板６００上の配線６０７と、集積回路装置６０４の有する
裏面の接続用導電膜とが導電性粒子６０８を含む樹脂６０９により接着されている。この
集積回路装置の裏面の接続用導電膜は、集積回路装置の有する回路に電気的に接続されて
いるため、基板上の配線と集積回路装置の有する回路とを電気的に接続することができる
。
【０１６５】
他の接続部分においても同様に、集積回路装置６０１〜６０４の各々が有する裏面の接続
用導電膜と、基板上に形成されている配線とが導電性粒子６０８を含む樹脂６０９により
接着されている。
【０１６６】
集積回路装置６０１〜６０４の各々は、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐ
ｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、メモリ、ネットワーク処理回路、ディスク処理回路、
画像処理回路、音声処理回路、電源回路、温度センサ、湿度センサ、赤外線センサ等から
選択された１つ又は複数として機能する。
【実施例２】
【０１６７】
本実施例においては、本発明の集積回路装置を表示装置の駆動回路部分に適用した例につ
いて図２７を用いて説明する。なお、図２７（Ｂ）は、図２７（Ａ）のＡ−Ｂにおける断
面を示す図であり、図２７（Ａ）中のＡ−Ｂは図２７（Ｂ）中のＡ−Ｂに対応している。
【０１６８】
基板６２０上には、集積回路装置６２４、６２５が接着され、接続フィルム６２６、６２
７上には集積回路装置６２８、６２９が接着されている。表示部６２３と集積回路装置６
２４とは、基板６２０上の導電膜６３１を介して接続する。集積回路装置６２４と集積回
路装置６２８とは、基板６２０上の導電膜６３４と接続フィルム６２７上の導電膜６３５
を介して接続する。これらの導電膜の接続には、導電性粒子１５５を含む樹脂１５４を用
いている。基板６２０と対向基板６２１は、シール材６３０により接着されている。
【０１６９】
なお、本実施例では、基板６２０上と接続フィルム６２６、６２７にそれぞれ本発明の集
積回路装置を実装している場合の例を示したが、この構成に限定されるものではない。基
板６２０上にのみ、本発明の集積回路装置を駆動回路として実装しても良いし、接続フィ
ルムにのみ、本発明の集積回路装置を実装しても良い。
【０１７０】
本発明の集積回路装置は、可撓性を有するため、接続フィルム上に形成する場合に適して
いる。本発明の集積回路装置を接続フィルム上接続フィルムを曲げて使用する場合に、本
発明の集積回路装置も一緒に曲げることができる。
【０１７１】
また、基板６２０としては、ガラス基板、半導体基板、石英基板、樹脂基板など、公知の
基板材料を使用することができる。特に、可撓性を有する基板を使用する場合には、本発
明の集積回路装置が可撓性を有するため、基板と一緒に曲げることができるという効果が
得られる。可撓性を有する基板としては、樹脂基板、ガラス基板や半導体基板を研削研磨
などして基板の厚さを薄くしたもの等が挙げられる。
【実施例３】
【０１７２】
本実施例においては、本発明の集積回路装置を有するＩＣカードについて図２８を用いて
説明する。
【０１７３】
図２８（Ａ）に示すように、カード型の基板６４０上には、アンテナの機能を有する導電
膜６４２が形成されている。このカード型の基板６４０上に本発明の集積回路装置６４１
が接着されており、集積回路装置６４１とアンテナの機能を有する導電膜６４２とが電気
的に接続されている。集積回路装置６４１とアンテナの機能を有する導電膜６４２との接
続部分６４３における断面の拡大図を図２８（Ｂ）に示す。
【０１７４】
図２８（Ｂ）に示すように、カード型の基板６４０上のアンテナの機能を有する導電膜６
４２と、集積回路装置６４１の有する裏面の接続用導電膜とが導電性粒子６４４を含む樹
脂６４５により接着されている。この集積回路装置の裏面の接続用導電膜は、集積回路装
置の有する回路に電気的に接続されているため、カード型の基板６４０上のアンテナの機
能を有する導電膜６４２と集積回路装置６４１の有する回路とを電気的に接続することが
できる。
【０１７５】
カード型の基板６４０として、可撓性を有する基板（例えば、プラスチック基板）を用い
ている。そして、本発明の集積回路装置は可撓性を有しているため、可撓性を有する基板
上に本発明の集積回路装置を実装して使用する場合、図２８（Ｃ）に示すようにカード型
の基板６４０と一緒に曲げることができるという効果が得られる。
【実施例４】
【０１７６】
本実施例においては、本発明の集積回路装置を有するＩＣカードについて実施例３とは異
なる例を図２９を用いて説明する。
【０１７７】
図２９（Ａ）に示すように、カード型の基板６６０上には、アンテナの機能を有する導電
膜６６１が形成されている。このカード型の基板６６０上に本発明の集積回路装置６６２
〜６６５が接着されており、集積回路装置６６４とアンテナの機能を有する導電膜６６１
とが電気的に接続されている。集積回路装置６６４とアンテナの機能を有する導電膜６６
１との接続部分６６６における断面の拡大図を図２９（Ｂ）に示す。
【０１７８】
図２９（Ｂ）に示すように、カード型の基板６６０上のアンテナの機能を有する導電膜６
６１と、集積回路装置６６４の有する裏面の接続用導電膜とが導電性粒子６６７を含む樹
脂６６８により接着されている。この集積回路装置６６４の裏面の接続用導電膜は、集積
回路装置６６４の有する回路に電気的に接続されているため、カード型の基板６６０上の
アンテナの機能を有する導電膜６６１と集積回路装置６６４の有する回路とを電気的に接
続することができる。
【０１７９】
集積回路装置６６２〜６６５は、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、メモリ、ネットワーク処理回路、ディスク処理回路、画像処
理回路、音声処理回路、電源回路、温度センサ、湿度センサ、赤外線センサ等から選択さ
れた１つ又は複数として機能する。
【０１８０】
上記構成を有する本発明の集積回路装置を有するＩＣカードは、複数の集積回路装置６６
２〜６６５を有する。従って、暗号処理などの複雑な処理を可能とし、高機能化を実現し
たＩＣカードを提供することができる。
【０１８１】
なお、図２９（Ａ）においては、集積回路装置６６２〜６６５の各集積回路装置間におけ
る電気的接続の仕方については特に記載されていないが、隣あって設けられている集積回
路装置同士は電気的に接続されている。
【０１８２】
また、図２９（Ａ）に示す構成では、集積回路装置６６２〜６６５の周囲にアンテナの機
能を有する導電膜６６１を設けているが、この形態に制約されない。図２９（Ｃ）や（Ｄ
）に示すように、アンテナの機能を有する導電膜６６１と重なるように、集積回路装置６
６２〜６６５を設けてもよい。アンテナの機能を有する導電膜６６１と重なるように、集
積回路装置６６２〜６６５を設けることによって、図２９（Ａ）の場合と比較して、カー
ド型の基板６６０の面積を削減できるため、小型、薄型、軽量を実現した半導体装置を提
供することができる。このような小型化を実現した無線チップにおいて、例えば、集積回
路装置６６２〜６６５のいずれか１つに温度センサを適用し、人体の皮膚（好ましくは額
の皮膚）上に貼り付ければ、検温を行うことができる。
【実施例５】
【０１８３】
本発明の集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置の用途は広範にわたるものである
が、以下には用途の具体例について説明する。本発明の半導体装置８１０は、例えば、紙
幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図３０（Ａ）参
照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図３０（Ｂ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフト
やビデオテープ等、図３０（Ｃ）参照）、乗物類（自転車等、図３０（Ｄ）参照）、身の
回り品（鞄や眼鏡等、図３０（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等の物
品に設けて活用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビ
ジョン装置（単にテレビと呼んだり、テレビ受像機やテレビジョン受像機とも呼んだりす
る）、携帯電話等を指す。
【０１８４】
本発明の集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８１０は、表面に貼ったり、埋め
込んだりして、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなる
パッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本発明の半導体
装置は、小型・薄型・軽量を実現するため、物品に半導体装置を固定した後も、その物品
自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、
証書類等に本発明の半導体装置を設けることにより、認証機能を設けることができ、この
認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、
身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本発明の半導体装置を設けること
により、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【０１８５】
次に、本発明の半導体装置を活用したシステムの例について説明する。まず、表示部８９
４を含む携帯端末の側面にリーダライタ８９５を設けて、物品８９７の側面に本発明の集
積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８９６を設けておく（図３１（Ａ）参照）。
また、あらかじめ、本発明の集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８９６に物品
８９７の原材料や原産地、流通過程の履歴等の情報を記憶させておく。そして、本発明の
集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８９６をリーダライタ８９５にかざすと同
時に、本発明の集積回路装置とアンテナとを有する半導体装置８９６が含む情報が表示部
８９４に表示されるようにすれば、利便性が優れたシステムを提供することができるまた
、別の例として、ベルトコンベアの脇にリーダライタ８９５を設けておく（図３１（Ｂ）
参照）。そうすれば、物品８９７の検品を極めて簡単に行うことが可能なシステムを提供
することができる。このように、本発明の半導体装置を物品の管理や流通のシステムに活
用することで、システムの高機能化を図り、利便性を向上させることができる。
【符号の説明】
【０１８６】
１００ 基板
１０１ 剥離層
１０２ 第１の絶縁膜
１０３ 薄膜トランジスタを有する回路
１０４ １０３を含む層
１０５ Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ
１０６ Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ
１０７ 島状の半導体膜
１０８ ゲート絶縁膜
１０９ ゲート電極
１１０ 第２の絶縁膜
１１１ ソース配線またはドレイン配線
１１２ 第３の絶縁膜
１１３ 電極
１１４ 樹脂膜
１１５ 開口部
１１６ 開口部
１１７ 第１のフィルム
１１８ 積層体
１１９ 導電膜
１２０ 導電膜
１２１ １０３をひとつずつ有する部分
１２２ １０３をひとつずつ有する部分
１２３ １０３をひとつずつ有する部分
１５４ 樹脂
１５５ 導電性粒子
２００ 基板
２０１ 剥離層
２０２ 第１の絶縁膜
２０４ 抵抗体
２０５ 第２の絶縁膜
２０６ 開口
２０７ 電極
２０８ 樹脂膜
２０９ 開口
２１０ 抵抗を有する回路を含む層
２１１ 積層体
２１２ 第１のフィルム
２１３ 導電膜
２１４ 導電膜
２１５ 導電膜
３００ 基板
３０１ 剥離層
３０２ 第１の絶縁膜
３０３ 第１の導電膜
３０４ 領域
３０５ 領域
３０６ 樹脂膜
３０７ 開口
３０８ インダクタを有する回路を含む層
３０９ 積層体
３１０ 第１のフィルム
３１１ 第２の導電膜
３１２ 第２の導電膜
４００ 基板
４０１ 剥離層
４０２ 第１の絶縁膜
４０３ 第１電極
４０４ 第２の絶縁膜
４０５ 第２電極
４０６ 樹脂膜
４０７ 開口
４０８ コンデンサを有する回路を含む層
４０９ 積層体
４１０ 第１のフィルム
４１１ 導電膜
４１２ 導電膜
４１３ 導電膜
４１４ 導電膜
５００ 第１の基板
５０１ 第１の絶縁膜
５０３ 薄膜トランジスタを有する回路
５０４ 薄膜トランジスタを有する回路を含む層
５０５ Ｎチャネル型の薄膜トランジスタ
５０６ Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ
５０７ 島状の半導体膜
５０８ ゲート絶縁膜
５０９ サイドウォールが形成されたゲート電極
５１０ 第２の絶縁膜
５１１ ソース配線またはドレイン配線
５１２ 第３の絶縁膜
５１３ 電極
５１４ 第４の絶縁膜
５１５ 第２の基板
５１６ 研磨手段
５１７ 導電膜
５１８ 導電膜
５１９ １０３をひとつずつ有する部分
５２０ １０３をひとつずつ有する部分
５２１ １０３をひとつずつ有する部分
５２２ 基板
５２３ アンテナの機能を有する導電膜
５２４ 樹脂
５２５ 導電性粒子
５２６ 集積回路装置
５２７ フィルム
５２８ フィルム
５２９ フィルム
６００ 基板
６０１ 集積回路装置
６０２ 集積回路装置
６０３ 集積回路装置
６０４ 集積回路装置
６０５ 配線
６０６ 接続部分
６０７ 配線
６０８ 導電性粒子
６０９ 樹脂
６２０ 基板
６２１ 対向基板
６２３ 表示部
６２４ 集積回路装置
６２５ 集積回路装置
６２６ 接続フィルム
６２７ 接続フィルム
６２８ 集積回路装置
６２９ 集積回路装置
６３０ シール材
６３１ 導電膜
６３４ 導電膜
６３５ 導電膜
６４０ カード型の基板
６４１ 集積回路装置
６４２ アンテナの機能を有する導電膜
６４３ 接続部分
６４４ 導電性粒子
６４５ 樹脂
６６０ カード型の基板
６６１ アンテナの機能を有する導電膜
６６２ 集積回路装置
６６３ 集積回路装置
６６４ 集積回路装置
６６５ 集積回路装置
６６６ 接続部分
６６７ 導電性粒子
６６８ 樹脂
７２２ 基板
７２３ アンテナの機能を有する導電膜
７２４ 樹脂
７２５ 導電性粒子
７２６ 集積回路装置
７２７ 第２のフィルム
７２８ 第３のフィルム
７２９ 第２のフィルム
８１０ 半導体装置
８９４ 表示部
８９５ リーダライタ
８９６ 半導体装置
８９７ 物品
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、前記薄膜回路上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された電極と、前記電極上に形成された樹脂膜を有する積層物を形成し、
前記第１の絶縁膜の他方の面上に、前記電極と重なるように導電膜を形成し、
前記導電膜にレーザーを照射することによって、前記電極と前記導電膜を電気的に接続することを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項１】
第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、前記薄膜回路上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された電極と、前記電極上に形成された樹脂膜を有する積層物を形成し、
前記第１の絶縁膜の他方の面上に、前記電極と重なるように導電膜を形成し、
前記導電膜にレーザーを照射することによって、前記電極と前記導電膜を電気的に接続することを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【公開番号】特開２０１３−４２１８０（Ｐ２０１３−４２１８０Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２５４３５８（Ｐ２０１２−２５４３５８）
【出願日】平成２４年１１月２０日（２０１２．１１．２０）
【分割の表示】特願２００６−１５０４７６（Ｐ２００６−１５０４７６）の分割
【原出願日】平成１８年５月３０日（２００６．５．３０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１１月２０日（２０１２．１１．２０）
【分割の表示】特願２００６−１５０４７６（Ｐ２００６−１５０４７６）の分割
【原出願日】平成１８年５月３０日（２００６．５．３０）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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