電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法
【課題】電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得る。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器は、筐体と、回路基板と、電子部品と、接合部と、封止部と、位置決め部と、を備える。回路基板は、筐体に設けられ、第一面と、この第一面に設けられた第一導体部と、を有する。電子部品は、回路基板の第一面上に位置され、第一面と対向した第二面と、この第二面に設けられた第二導体部と、を有する。接合部は、 第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続する。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止する。位置決め部は、回路基板と電子部品とを位置決めする。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器は、筐体と、回路基板と、電子部品と、接合部と、封止部と、位置決め部と、を備える。回路基板は、筐体に設けられ、第一面と、この第一面に設けられた第一導体部と、を有する。電子部品は、回路基板の第一面上に位置され、第一面と対向した第二面と、この第二面に設けられた第二導体部と、を有する。接合部は、 第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続する。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止する。位置決め部は、回路基板と電子部品とを位置決めする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＢＧＡ（ball grid array）、ＣＳＰ（chip size package）、ＱＦＮ（quad flat non-leaded package）、ＬＧＡ（land grid array）、フリップチップ等の電子部品が回路基板の表面に実装された基板アセンブリが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９７３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の基板アセンブリでは、回路基板に電子部品をより精度良く実装することが望まれていた。
【０００５】
そこで、本発明の実施形態は、電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得ることを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態にかかる電子機器は、筐体と、回路基板と、電子部品と、接合部と、封止部と、位置決め部と、を備える。回路基板は、筐体に設けられ、第一面と、この第一面に設けられた第一導体部と、を有する。電子部品は、回路基板の第一面上に位置され、第一面と対向した第二面と、この第二面に設けられた第二導体部と、を有する。接合部は、第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続する。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止する。位置決め部は、回路基板と電子部品とを位置決めする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態にかかる電子機器としての磁気ディスク装置の一例が示された斜視図である。
【図２】図２は、第１実施形態にかかる基板アセンブリに含まれる電子部品の回路基板に実装される前の状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図３】図３は、一実施形態にかかる基板アセンブリの製造方法の一例が示されたフローチャートである。
【図４】図４は、第１実施形態にかかる基板アセンブリの電子部品が回路基板にセットされた状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図５】図５は、第１実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図６】図６は、第２実施形態にかかる基板アセンブリの電子部品が回路基板にセットされた状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図７】図７は、第２実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図８】図８は、第３実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図９】図９は、第４実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図１０】図１０は、第５実施形態にかかる基板アセンブリの電子部品が回路基板にセットされた状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図１１】図１１は、第５実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図１２】図１２は、第６実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図１３】図１３は、第７実施形態にかかる基板アセンブリの電子部品が回路基板にセットされた状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図１４】図１４は、第８実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（平面図）である。
【図１５】図１５は、第９実施形態にかかる電子機器の一例が示された斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下の複数の実施形態には同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号が付与され、重複する説明が省略される。なお、図２，４〜１３には、一部断面では無い部分（電子部品、おもり等）が含まれている。
【０００９】
＜第１実施形態＞
図１に示されるように、本実施形態にかかる記憶装置（電子機器）の一例である磁気ディスク装置１は、磁気ディスク（図示されず）等の部品を収容する扁平な直方体状の筐体２と、この筐体２にねじ３等の結合具によって取り付けられた回路基板（基板、プリント基板、プリント配線板、配線基板、リジッド基板）４と、筐体２にねじ３Ａ等の結合具によって取り付けられたプレート（補強板、補強部、補強部材）５と、を有している。なお、ねじ３Ａは、回路基板４の筐体２への取り付けとプレート５の筐体２への取り付けに共用されており、回路基板４とプレート５との接続部として機能している。
【００１０】
回路基板４は、筐体２の上壁部（壁部）２ａ上に配置されている。本実施形態では、回路基板４の裏面である面４ａ（図４参照）側に、電子部品（部品、モジュール、素子、チップ、パッケージ、図２，４等参照）６が設けられている。基板アセンブリ１０は、回路基板４と、この回路基板４に設けられた電子部品６とを有する。
【００１１】
プレート５は、熱伝導性の比較的良好な（少なくとも回路基板４より熱伝導性の高い）材料（例えば、ステンレススチールや、アルミ合金等、銅合金の金属材料など）によって構成されている。また、本実施形態では、プレート５は、厚さが一定の平板状に形成されるとともに、幅が一定の短冊状（帯状）に形成されている。また、プレート５は、回路基板４よりヤング率の高い材料で形成するのが好適である。
【００１２】
筐体２は、矩形板状の壁部としての上壁部２ａと、上壁部２ａの端縁に沿って配置された複数の側壁部（壁部）２ｃと、を有している。また、筐体２は、複数（本実施形態では二つ）の分割体（部品、部分）２Ａ，２Ｂを組み合わせて構成されている。なお、上壁部２ａは、完全に平坦な平板状ではなく、凹凸を有している。また、上壁部２ａには、貫通孔等が設けられている。
【００１３】
また、筐体２は、上壁部２ａの一部分（本実施形態では、図１の右下側の隅部）が上方に膨出した膨出部２ｄを有している。この膨出部２ｄの裏側となる筐体２内には、磁気ヘッド（図示されず）を動作させるためのボイスコイルモータ（図示されず）等が収容されている。また、円盤状の磁気ディスク等（図示されず）は、膨出部２ｄより低い一般部（図示されず）の裏側となる筐体２内に収容されている。磁気ディスクは、図１のＸ方向およびＹ方向に沿ったＸＹ平面に沿う表面および裏面を有する円盤状に形成され、Ｚ方向に沿う回転軸（図示されず）回りに回転する。また、上壁部２ａには、Ｚ方向からの平面視で長方形の長辺となる縁に沿って、一対の突壁部２ｂが設けられている。回路基板４およびプレート５は、突壁部２ｂで囲まれた凹部内に収容されている。
【００１４】
電子部品６としては、例えば、ＢＧＡ（ball grid array）、ＣＳＰ（chip size package）、ＱＦＮ（quad flat non-leaded package）、ＬＧＡ（land grid array）、フリップチップ等の表面実装型の部品が用いられる。このような電子部品６は、図２に示されるように、一例としては、面６ａと、この面６ａの反対側に位置されて面６ａと並行した（平行な）面６ｂと、面６ａと面６ｂとの間に亘って面６ａおよび面６ｂと交叉する方向（本実施形態では一例として直交する方向）に延びた面６ｄと、を有し、扁平な略直方体状の外観を呈している。また、図示されないが、電子部品６は、一例として、平面視（面６ａまたは面６ｂの法線方向、図２の上方また下方からの視線）では、矩形状（例えば、長方形状や正方形状）の外観を呈することができる。また、面６ａには、一つ以上の電極（パッド）６ｃが設けられている。
【００１５】
図２は、電子部品６に、回路基板４に実装される前の処理（前処理）が施された状態を表している。すなわち、本実施形態では、回路基板４に実装される前に、電子部品６の電極６ｃには、はんだボール（導電性バンプ）７が載せられるとともに、面６ａ上に、はんだボール７を取り囲むように封止剤（封止材）８が塗布される。本実施形態では、面６ａが第二面の一例であり、面６ｄが外周面の一例であり、電極６ｃが第二導体部（導電部）の一例である。また、はんだボール７は接合部の一例であり、封止剤８は封止部の一例である。
【００１６】
封止剤８の主成分は、一例としては、絶縁性かつ熱可塑性を有した合成樹脂材料である。本実施形態では、封止剤８は、好適には、加熱する前の温度（一例としては常温）では固化しており、外面（側面や底面等）を形成している。この場合、回路基板４の所定位置に載置しやすい等、取り扱いやすいという利点がある。
【００１７】
図３に示されるように、本実施形態では、図２に例示された前処理が施された電子部品６が回路基板４上にセットされ（ステップＳ１０、電子部品６の載置ステップ、第一のステップ）、リフロー炉に搬入される等して加熱されてはんだボール７および封止剤８が溶融され（ステップＳ１１、加熱ステップ、第二のステップ）、その後、冷却されてはんだボール７および封止剤８が固化される（ステップＳ１３、冷却ステップ、第三のステップ）。また、ステップＳ１１の実施中あるいはステップＳ１１の実施直後等に、電子部品６と回路基板４とを相互に近付く方向に加重（押圧）してもよい（ステップＳ１２、押圧ステップ、第四のステップ）。
【００１８】
回路基板４は、図４に示されるように、面４ａと、この面４ａの反対側に位置されて面４ａと並行した（平行な）面４ｂと、を有する。また、本実施形態では、回路基板４には、一例として、電子部品６を収容可能な凹部４ｃが設けられている。凹部４ｃは、面４ａ側に開口し、平面視（面４ａの法線に沿った方向、図４の上方からの視線）では矩形状（例えば、長方形状や正方形状）に設けられている。凹部４ｃの底部である底面４ｅには、電極４ｆが設けられている。電極４ｆは、所定の位置に設けられた電子部品６の電極６ｃと対向する。また、凹部４ｃの内周面としての側面４ｄと、凹部４ｃ内に収容された（位置された）電子部品６の外周面としての面６ｄとの間には、隙間４ｇが設けられる。すなわち、凹部４ｃの平面視での大きさは、電子部品６の平面視での大きさより、隙間４ｇの分だけ大きい。底面４ｅは、第一面の一例である。また、電極４ｆは、第一導体部（導電部）の一例である。なお、回路基板４は、一例として、多層基板として構成されるが、これには限定されない。
【００１９】
また、封止剤８は、本実施形態では、はんだボール７や、電子部品６の電極６ｃ（一例としては銅）、回路基板４の電極４ｆ（一例としては銅、図４参照）等の金属材料の表面に形成された酸化膜（金属酸化物）を還元する機能を有した添加物を含有している。このような添加物の一例としては、カルボン酸や、ハロゲン化合物等がある。カルボン酸の場合、カルボン酸は酸化膜（金属酸化物）と反応してカルボン酸塩と水が生成され、この反応で酸化膜が除去される。なお、カルボン酸塩は、はんだ等の導体と反応して合金化する。なお、ロジンもカルボン酸と同等に機能する。また、ハロゲン化合物（ハロゲン化アルキル）の場合、加熱によりアルキル基とハロゲン水素化物に分解され、このハロゲン水素化物と酸化膜が反応してハロゲン化金属と水が生成され、この反応で酸化膜が除去される。このような添加物を含有することにより、電極６ｃとはんだボール７との導通、および電極４ｆとはんだボール７との導通をより向上しやすくなる。
【００２０】
しかし、かかる添加物を含有した封止剤８は、加熱の過程（加熱された状態）では変形しやすいため、図２等に示されたようなはんだボール７および封止剤８付きの電子部品６を回路基板４上にただ単に載置しただけでは、電子部品６の所定位置からのずれや、所定姿勢からの傾き等が生じる虞があった。
【００２１】
そこで、本実施形態では、回路基板４、電子部品６、および他の部品（後述）のうち少なくとも一つに、回路基板４と電子部品６とを位置決めする位置決め部（案内する案内部、ガイド部）が設けられている。本実施形態では、一例として、凹部４ｃが位置決め部を含んでいる。具体的には、図４に示されるステップＳ１１で加熱される前のセット状態から、凹部４ｃの側面４ｄと電子部品６の面６ｄとが対向している。よって、電子部品６に慣性力等が作用するなどして、電子部品６が回路基板４の面４ａ，４ｂ，４ｅ等に沿う方向に移動しようとしても、凹部４ｃの側面４ｄと電子部品６の面６ｄとが相互に接触することにより、電子部品６の移動が抑制される。
【００２２】
また、図５に示されるように、ステップＳ１１での加熱によるはんだボール７および封止剤８の溶融により、電子部品６は重力等によって回路基板４の凹部４ｃ内に進入する（下降する）。これにより、はんだボール７は回路基板４の厚さ方向（図５の上下方向）に潰されて、回路基板４の電極４ｆおよび電子部品６の電極６ｃとの接触面積が増大する。この場合、凹部４ｃ内で封止剤８が存在可能な領域（凹部４ｃ内の電子部品６の面６ａと回路基板４の底面４ｅとの間の領域）の容積が減少する。しかし、本実施形態では、この領域の容積の減少に伴い、溶融した状態の封止剤８は、隙間４ｇに進入し、この隙間４ｇを介して当該領域外へ排出されうる。なお、この場合、封止剤８は、ステップＳ１３での冷却後も、この隙間４ｇ内に残存する。よって、隙間４ｇに封止剤８が残存していることは、隙間４ｇが当該領域からの封止剤８の流出部分となったことの証拠の一つとなりうる。
【００２３】
また、封止剤８が溶融した状態で隙間４ｇ内に進入することで、電子部品６は凹部４ｃの中央に位置決めされやすくなる。さらに、この隙間４ｇの大きさを、封止剤８の粘度等に応じて適宜に設定することで、この隙間４ｇにおける毛細管現象を利用して、封止剤８をより排出しやすくすることができる。
【００２４】
以上説明したように、本実施形態では、封止剤８に酸化膜を還元する還元剤が含まれた。よって、一例としては、電極４ｆ、はんだボール７、および電極６ｃの酸化膜を減らしてこれらの接触部分における通電抵抗を減らすことができる。また、本実施形態では、回路基板４に、位置決め部（ガイド部）の少なくとも一部を構成する凹部４ｃが設けられた。よって、一例としては、電子部品６の回路基板４に対するずれや傾きを抑制しやすくなる。
【００２５】
また、本実施形態では、電子部品６の外周面の一例である面６ｄと凹部４ｃの内周面の一例である側面４ｄとの間に、隙間４ｇが設けられた。よって、一例としては、封止剤８をより流動しやすくすることができ、一例としては、封止剤８が流出しにくいことによって不都合（一例としては、電子部品６の傾きや浮き、はんだボール７の潰れ不足等）が生じるのを抑制することができる。また、一例としては、電子部品６の周囲を取り囲む隙間４ｇ、あるいは電子部品６の両側に配置された隙間４ｇにより、電子部品６を凹部４ｃの中央に位置させやすくなる。
【００２６】
＜第２実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ａ（図７）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、図６に示されるように、凹部４ｃの深さが、上記第１実施形態の凹部４ｃに比べて浅い。すなわち、図６，７の状態で、面６ａが凹部４ｃの外に位置されている。よって、図６に示されるように、はんだボール７および封止剤８付きの電子部品６を回路基板４Ａ上に載置した場合、電子部品６と回路基板４Ａの凹部４ｃとの間では位置決め部（ガイド部）は構成されない。しかし、本実施形態では、ステップＳ１１で加熱される前に常温で固化されている封止剤８の側面８ａと凹部４ｃの側面４ｄとが対向するため、本実施形態でも、凹部４ｃが位置決め部の少なくとも一部として機能することができる。よって、本実施形態でも、一例としては、電子部品６の回転基板４Ａに対するずれや傾きを抑制しやすくなる。また、一例としては、凹部４ｃによって封止剤８は所定の領域に留まりやすくなるため、これにより、一例としては、電子部品６の位置ずれが抑制されやすくなる。
【００２７】
さらに、本実施形態では、図７に示されるように、電子部品６の外周部に、溶融して凹部４ｃから流出した封止剤８によりフィレット８ｂが形成される。よって、一例としては、電子部品６と回路基板４Ａとの接続剛性および接続強度がより高くなりやすい。
【００２８】
＜第３実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｂ（図８）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、回路基板４Ｂに設けられた凹部４ｃに、底面４ｅに開口した凹部４ｈが設けられている。凹部４ｈは、凹部４ｃの外周に沿って環状に形成されることができるし、複数の凹部４ｈが設けられることもできる。この凹部４ｈは、封止剤８の流出部分となりうる。よって、本実施形態でも、一例としては、封止剤８をより流動しやすくすることができ、一例としては、封止剤８が流出しにくいことによって不都合（一例としては、電子部品６の傾きや浮き、はんだボール７の潰れ不足等）が生じるのを抑制しやすくなる。凹部４ｈは、第二凹部の一例である。
【００２９】
＜第４実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｃ（図９）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、回路基板４Ｃに設けられた凹部４ｃに、底面４ｅに開口して、底面４ｅと面４ｂとの間で回路基板４Ｃを貫通する貫通孔４ｉが設けられている。貫通孔４ｉは、封止剤８の流出部分となりうる。よって、本実施形態でも、一例としては、封止剤８をより流動しやすくすることができ、一例としては、封止剤８が流出しにくいことによって不都合（一例としては、電子部品６の傾きや浮き、はんだボール７の潰れ不足等）が生じるのを抑制することができる。貫通孔４ｉは、貫通部、または第二凹部の一例である。
【００３０】
＜第５実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｄ（図１１）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態でも、図１０に示されるように、ステップＳ１１で加熱する前のはんだボール７および封止剤８付きの電子部品６は、回路基板４Ｄに設けられた凹部４ｃ内に収容される。ただし、本実施形態では、図１０，１１に示されるように、電子部品６の上におもり９が載せられている。このおもり９は、ステップＳ１１で加熱されて封止剤８およびはんだボール７が柔らかくなった際に、電子部品６を、その（おもり９の）重力によって、回路基板４Ｄ側に加重（押圧）する。ここで、おもり９の面９ａは、回路基板４Ｄの面９ａに当接する。よって、本実施形態によれば、一例としては、封止剤８をより流動しやすくすることができ、一例としては、封止剤８が流出しにくいことによって不都合（一例としては、電子部品６の傾きや浮き、はんだボール７の潰れ不足等）が生じるのを抑制することができる。また、おもり９により、一例としては、はんだボール７をより確実に潰すことができ、一例としては、電極４ｆ、はんだボール７、および電極６ｃの接触部分における通電抵抗をより一層減らすことができる。おもり９は、押圧部材、加重部材、補助部材、部材の一例である。なお、おもり９は、撤去してもよいし、おもり９を電子部品６上にそのまま残して放熱部材として用いてもよい。
【００３１】
＜第６実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｅ（図１２）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態でも、図１２に示されるように、ステップＳ１１で加熱する前のはんだボール７および封止剤８付きの電子部品６は、回路基板４Ｅに設けられた凹部４ｃ内に収容される。そして、上記第５実施形態と同様に、おもり９が用いられる。ただし、本実施形態では、回路基板４Ｅ上のおもり９に対向した位置に、スペーサ１１が位置されている。すなわち、スペーサ１１は、回路基板４Ｅとおもり９との間に介在する。本実施形態でも、上記第５実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態では、スペーサ１１により、一例としては、はんだボール７の形状をより適切に設定しやすくなる。スペーサ１１は、治具、部品、部材の一例である。
【００３２】
＜第７実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｆ（ただし、加熱および冷却前の状態、図１３）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、回路基板４Ｆの面４ａ上に、位置決め部（ガイド部）として、突起（突出部）４ｊが設けられている。この突起４ｊが、電子部品６の面６ｄまたは封止剤８の側面をガイドする。よって、本実施形態によっても、一例としては、電子部品６の回路基板４に対するずれや傾きを抑制しやすくなる。
【００３３】
＜第８実施形態＞
本実施形態にかかる基板センブリ１０Ｇ（図１４）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、回路基板４Ｇの面４ａ上に、位置決め部として、六角柱状のスタッド１２が設けられている。さらに、本実施形態では、電子部品６Ｇの角部６ｅに、切欠（凹部）６ｆが設けられている。この切欠６ｆには、スタッド１２の角部１２ａが嵌合される（挿入される、対応する）。すなわち、本実施形態では、電子部品６Ｇに、位置決め部としての凹部が設けられている。本実施形態によっても、一例としては、電子部品６の回路基板４に対するずれや傾きを抑制しやすくなる。スタッド１２は、突出部の一例である。
【００３４】
＜第９実施形態＞
また、上述した基板アセンブリ１０，１０Ａ〜１０Ｇは、図１５に示されるような電子機器１００に設けることができる。電子機器１００は、所謂ノート型のパーソナルコンピュータとして構成されており、矩形状の扁平な第一の本体部１０２と、矩形状の扁平な第二の本体部１０３と、を備えている。これら第一の本体部１０２および第二の本体部１０３は、ヒンジ部１０４を介して、例えば回動軸Ａｘ回りに、図１５に示される展開状態と図示されない折り畳み状態との間で相対回動可能に、接続されている。
【００３５】
第一の本体部１０２には、筐体（第一筐体）１０２ａの外面としての表面１０２ｂ側に露出する状態で、入力受付部としてのキーボード１０５や、ポインティングデバイス１０７、クリックボタン１０８等が設けられている。一方、第二の本体部１０３には、筐体（第二筐体）１０３ａの外面としての表面１０３ｂに設けられた開口部１０３ｃから露出する状態で、部品としてのＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の表示装置としてのディスプレイ１０６が設けられている。図１５に示されるような展開状態では、キーボード１０５や、ディスプレイ１０６、ポインティングデバイス１０７、クリックボタン１０８等が露出して、ユーザが使用可能な状態となる。一方、折り畳み状態（図示されず）では、表面１０２ｂ，１０３ｂ同士が相互に近接した状態で対向して、キーボード１０５や、ディスプレイ１０６、ポインティングデバイス１０７、クリックボタン１０８等が、筐体１０２ａ，１０３ａによって隠された状態となる。
【００３６】
また、第一の本体部１０２の筐体１０２ａの内部には、回路基板４に、電子部品６や、ＣＰＵ（central processing unit）、ＲＯＭ（read only memory）、ＲＡＭ（random access memory）、その他の部品が実装された基板アセンブリ１０や、ハードディスク、冷却ファン等の部品（いずれも図示されず）が収容されている。本実施形態の電子機器１００でも、基板アセンブリ１０（あるいは基板アセンブリ１０Ａ〜１０Ｇ）を有することにより上記実施形態によって得られる効果と同様の効果が得られる。
【００３７】
また、第一の本体部１０２の筐体１０２ａ内に、上記第１実施形態で例示した磁気ディスク装置１（図１５には図示されず）を収容することができる。その場合、具体的には、例えば、筐体１０２ａの裏面（図示されず）に、磁気ディスク装置１の収容部（図示されず）としての凹部が設けられ、その凹部に磁気ディスク装置１が収容され、磁気ディスク装置１とこの磁気ディスク装置１の回路基板４とがコネクタ（図示されず）を介して電気的に接続される。また、筐体１０２ａの裏面には、磁気ディスク装置１が収容された状態で凹部を覆う蓋（図示されず）が取り付けられる。
【００３８】
また、磁気ディスク装置１の筐体２を除く内部構成が、電子機器１００の筐体１０２ａ内に収容された構成とすることもできる。その場合、電子機器１００の筐体１０２ａが、磁気ディスク装置１の筐体も兼ねることになる。なお、磁気ディスク装置１は、第二の本体部１０３の筐体１０３ａ内に設けることができるし、複数の磁気ディスク装置１を、電子機器１００の筐体１０２ａ（または筐体１０３ａ）の内部に、設けることもできる。
【００３９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、各実施形態や実施例の構成を部分的に組み合わせて構成することができる。また、電子機器、記憶装置、磁気ディスク装置、筐体、基板アセンブリ、回路基板、第一面、第一導体部、電子部品、第二面、第二導体部、接合部、封止部、位置決め部、凹部、第二凹部、貫通部、突出部等のスペック（構造や、方向、形状、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）、ならびに各ステップの方法は、適宜に変更して実施することができる。
【００４０】
本発明の実施形態によれば、一例としては、電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、部品、および基板アセンブリの製造方法を得ることができる。
【符号の説明】
【００４１】
１…磁気ディスク装置（電子機器）、２…筐体、４，４Ａ〜４Ｇ…回路基板、４ｃ…凹部（位置決め部）、４ｄ…側面（内周面）、４ｅ…底面（第一面）、４ｇ…隙間、４ｈ…凹部（第二凹部）、４ｉ…貫通孔（第二凹部、貫通部）、４ｊ…突出部、６，６Ｇ…電子部品、６ａ…面（第二面）、６ｄ…面（外周面）、７…はんだボール（接合部）、８…封止剤（封止部）、１０，１０Ａ〜１０Ｇ…基板アセンブリ、１２…スタッド（突出部、位置決め部）、１００…電子機器、１０２ａ，１０３ａ…筐体。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＢＧＡ（ball grid array）、ＣＳＰ（chip size package）、ＱＦＮ（quad flat non-leaded package）、ＬＧＡ（land grid array）、フリップチップ等の電子部品が回路基板の表面に実装された基板アセンブリが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９７３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の基板アセンブリでは、回路基板に電子部品をより精度良く実装することが望まれていた。
【０００５】
そこで、本発明の実施形態は、電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得ることを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態にかかる電子機器は、筐体と、回路基板と、電子部品と、接合部と、封止部と、位置決め部と、を備える。回路基板は、筐体に設けられ、第一面と、この第一面に設けられた第一導体部と、を有する。電子部品は、回路基板の第一面上に位置され、第一面と対向した第二面と、この第二面に設けられた第二導体部と、を有する。接合部は、第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続する。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止する。位置決め部は、回路基板と電子部品とを位置決めする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態にかかる電子機器としての磁気ディスク装置の一例が示された斜視図である。
【図２】図２は、第１実施形態にかかる基板アセンブリに含まれる電子部品の回路基板に実装される前の状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図３】図３は、一実施形態にかかる基板アセンブリの製造方法の一例が示されたフローチャートである。
【図４】図４は、第１実施形態にかかる基板アセンブリの電子部品が回路基板にセットされた状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図５】図５は、第１実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図６】図６は、第２実施形態にかかる基板アセンブリの電子部品が回路基板にセットされた状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図７】図７は、第２実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図８】図８は、第３実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図９】図９は、第４実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図１０】図１０は、第５実施形態にかかる基板アセンブリの電子部品が回路基板にセットされた状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図１１】図１１は、第５実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図１２】図１２は、第６実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（断面図）である。
【図１３】図１３は、第７実施形態にかかる基板アセンブリの電子部品が回路基板にセットされた状態の一例が示された概略図（断面図）である。
【図１４】図１４は、第８実施形態にかかる基板アセンブリの一例が示された概略図（平面図）である。
【図１５】図１５は、第９実施形態にかかる電子機器の一例が示された斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下の複数の実施形態には同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号が付与され、重複する説明が省略される。なお、図２，４〜１３には、一部断面では無い部分（電子部品、おもり等）が含まれている。
【０００９】
＜第１実施形態＞
図１に示されるように、本実施形態にかかる記憶装置（電子機器）の一例である磁気ディスク装置１は、磁気ディスク（図示されず）等の部品を収容する扁平な直方体状の筐体２と、この筐体２にねじ３等の結合具によって取り付けられた回路基板（基板、プリント基板、プリント配線板、配線基板、リジッド基板）４と、筐体２にねじ３Ａ等の結合具によって取り付けられたプレート（補強板、補強部、補強部材）５と、を有している。なお、ねじ３Ａは、回路基板４の筐体２への取り付けとプレート５の筐体２への取り付けに共用されており、回路基板４とプレート５との接続部として機能している。
【００１０】
回路基板４は、筐体２の上壁部（壁部）２ａ上に配置されている。本実施形態では、回路基板４の裏面である面４ａ（図４参照）側に、電子部品（部品、モジュール、素子、チップ、パッケージ、図２，４等参照）６が設けられている。基板アセンブリ１０は、回路基板４と、この回路基板４に設けられた電子部品６とを有する。
【００１１】
プレート５は、熱伝導性の比較的良好な（少なくとも回路基板４より熱伝導性の高い）材料（例えば、ステンレススチールや、アルミ合金等、銅合金の金属材料など）によって構成されている。また、本実施形態では、プレート５は、厚さが一定の平板状に形成されるとともに、幅が一定の短冊状（帯状）に形成されている。また、プレート５は、回路基板４よりヤング率の高い材料で形成するのが好適である。
【００１２】
筐体２は、矩形板状の壁部としての上壁部２ａと、上壁部２ａの端縁に沿って配置された複数の側壁部（壁部）２ｃと、を有している。また、筐体２は、複数（本実施形態では二つ）の分割体（部品、部分）２Ａ，２Ｂを組み合わせて構成されている。なお、上壁部２ａは、完全に平坦な平板状ではなく、凹凸を有している。また、上壁部２ａには、貫通孔等が設けられている。
【００１３】
また、筐体２は、上壁部２ａの一部分（本実施形態では、図１の右下側の隅部）が上方に膨出した膨出部２ｄを有している。この膨出部２ｄの裏側となる筐体２内には、磁気ヘッド（図示されず）を動作させるためのボイスコイルモータ（図示されず）等が収容されている。また、円盤状の磁気ディスク等（図示されず）は、膨出部２ｄより低い一般部（図示されず）の裏側となる筐体２内に収容されている。磁気ディスクは、図１のＸ方向およびＹ方向に沿ったＸＹ平面に沿う表面および裏面を有する円盤状に形成され、Ｚ方向に沿う回転軸（図示されず）回りに回転する。また、上壁部２ａには、Ｚ方向からの平面視で長方形の長辺となる縁に沿って、一対の突壁部２ｂが設けられている。回路基板４およびプレート５は、突壁部２ｂで囲まれた凹部内に収容されている。
【００１４】
電子部品６としては、例えば、ＢＧＡ（ball grid array）、ＣＳＰ（chip size package）、ＱＦＮ（quad flat non-leaded package）、ＬＧＡ（land grid array）、フリップチップ等の表面実装型の部品が用いられる。このような電子部品６は、図２に示されるように、一例としては、面６ａと、この面６ａの反対側に位置されて面６ａと並行した（平行な）面６ｂと、面６ａと面６ｂとの間に亘って面６ａおよび面６ｂと交叉する方向（本実施形態では一例として直交する方向）に延びた面６ｄと、を有し、扁平な略直方体状の外観を呈している。また、図示されないが、電子部品６は、一例として、平面視（面６ａまたは面６ｂの法線方向、図２の上方また下方からの視線）では、矩形状（例えば、長方形状や正方形状）の外観を呈することができる。また、面６ａには、一つ以上の電極（パッド）６ｃが設けられている。
【００１５】
図２は、電子部品６に、回路基板４に実装される前の処理（前処理）が施された状態を表している。すなわち、本実施形態では、回路基板４に実装される前に、電子部品６の電極６ｃには、はんだボール（導電性バンプ）７が載せられるとともに、面６ａ上に、はんだボール７を取り囲むように封止剤（封止材）８が塗布される。本実施形態では、面６ａが第二面の一例であり、面６ｄが外周面の一例であり、電極６ｃが第二導体部（導電部）の一例である。また、はんだボール７は接合部の一例であり、封止剤８は封止部の一例である。
【００１６】
封止剤８の主成分は、一例としては、絶縁性かつ熱可塑性を有した合成樹脂材料である。本実施形態では、封止剤８は、好適には、加熱する前の温度（一例としては常温）では固化しており、外面（側面や底面等）を形成している。この場合、回路基板４の所定位置に載置しやすい等、取り扱いやすいという利点がある。
【００１７】
図３に示されるように、本実施形態では、図２に例示された前処理が施された電子部品６が回路基板４上にセットされ（ステップＳ１０、電子部品６の載置ステップ、第一のステップ）、リフロー炉に搬入される等して加熱されてはんだボール７および封止剤８が溶融され（ステップＳ１１、加熱ステップ、第二のステップ）、その後、冷却されてはんだボール７および封止剤８が固化される（ステップＳ１３、冷却ステップ、第三のステップ）。また、ステップＳ１１の実施中あるいはステップＳ１１の実施直後等に、電子部品６と回路基板４とを相互に近付く方向に加重（押圧）してもよい（ステップＳ１２、押圧ステップ、第四のステップ）。
【００１８】
回路基板４は、図４に示されるように、面４ａと、この面４ａの反対側に位置されて面４ａと並行した（平行な）面４ｂと、を有する。また、本実施形態では、回路基板４には、一例として、電子部品６を収容可能な凹部４ｃが設けられている。凹部４ｃは、面４ａ側に開口し、平面視（面４ａの法線に沿った方向、図４の上方からの視線）では矩形状（例えば、長方形状や正方形状）に設けられている。凹部４ｃの底部である底面４ｅには、電極４ｆが設けられている。電極４ｆは、所定の位置に設けられた電子部品６の電極６ｃと対向する。また、凹部４ｃの内周面としての側面４ｄと、凹部４ｃ内に収容された（位置された）電子部品６の外周面としての面６ｄとの間には、隙間４ｇが設けられる。すなわち、凹部４ｃの平面視での大きさは、電子部品６の平面視での大きさより、隙間４ｇの分だけ大きい。底面４ｅは、第一面の一例である。また、電極４ｆは、第一導体部（導電部）の一例である。なお、回路基板４は、一例として、多層基板として構成されるが、これには限定されない。
【００１９】
また、封止剤８は、本実施形態では、はんだボール７や、電子部品６の電極６ｃ（一例としては銅）、回路基板４の電極４ｆ（一例としては銅、図４参照）等の金属材料の表面に形成された酸化膜（金属酸化物）を還元する機能を有した添加物を含有している。このような添加物の一例としては、カルボン酸や、ハロゲン化合物等がある。カルボン酸の場合、カルボン酸は酸化膜（金属酸化物）と反応してカルボン酸塩と水が生成され、この反応で酸化膜が除去される。なお、カルボン酸塩は、はんだ等の導体と反応して合金化する。なお、ロジンもカルボン酸と同等に機能する。また、ハロゲン化合物（ハロゲン化アルキル）の場合、加熱によりアルキル基とハロゲン水素化物に分解され、このハロゲン水素化物と酸化膜が反応してハロゲン化金属と水が生成され、この反応で酸化膜が除去される。このような添加物を含有することにより、電極６ｃとはんだボール７との導通、および電極４ｆとはんだボール７との導通をより向上しやすくなる。
【００２０】
しかし、かかる添加物を含有した封止剤８は、加熱の過程（加熱された状態）では変形しやすいため、図２等に示されたようなはんだボール７および封止剤８付きの電子部品６を回路基板４上にただ単に載置しただけでは、電子部品６の所定位置からのずれや、所定姿勢からの傾き等が生じる虞があった。
【００２１】
そこで、本実施形態では、回路基板４、電子部品６、および他の部品（後述）のうち少なくとも一つに、回路基板４と電子部品６とを位置決めする位置決め部（案内する案内部、ガイド部）が設けられている。本実施形態では、一例として、凹部４ｃが位置決め部を含んでいる。具体的には、図４に示されるステップＳ１１で加熱される前のセット状態から、凹部４ｃの側面４ｄと電子部品６の面６ｄとが対向している。よって、電子部品６に慣性力等が作用するなどして、電子部品６が回路基板４の面４ａ，４ｂ，４ｅ等に沿う方向に移動しようとしても、凹部４ｃの側面４ｄと電子部品６の面６ｄとが相互に接触することにより、電子部品６の移動が抑制される。
【００２２】
また、図５に示されるように、ステップＳ１１での加熱によるはんだボール７および封止剤８の溶融により、電子部品６は重力等によって回路基板４の凹部４ｃ内に進入する（下降する）。これにより、はんだボール７は回路基板４の厚さ方向（図５の上下方向）に潰されて、回路基板４の電極４ｆおよび電子部品６の電極６ｃとの接触面積が増大する。この場合、凹部４ｃ内で封止剤８が存在可能な領域（凹部４ｃ内の電子部品６の面６ａと回路基板４の底面４ｅとの間の領域）の容積が減少する。しかし、本実施形態では、この領域の容積の減少に伴い、溶融した状態の封止剤８は、隙間４ｇに進入し、この隙間４ｇを介して当該領域外へ排出されうる。なお、この場合、封止剤８は、ステップＳ１３での冷却後も、この隙間４ｇ内に残存する。よって、隙間４ｇに封止剤８が残存していることは、隙間４ｇが当該領域からの封止剤８の流出部分となったことの証拠の一つとなりうる。
【００２３】
また、封止剤８が溶融した状態で隙間４ｇ内に進入することで、電子部品６は凹部４ｃの中央に位置決めされやすくなる。さらに、この隙間４ｇの大きさを、封止剤８の粘度等に応じて適宜に設定することで、この隙間４ｇにおける毛細管現象を利用して、封止剤８をより排出しやすくすることができる。
【００２４】
以上説明したように、本実施形態では、封止剤８に酸化膜を還元する還元剤が含まれた。よって、一例としては、電極４ｆ、はんだボール７、および電極６ｃの酸化膜を減らしてこれらの接触部分における通電抵抗を減らすことができる。また、本実施形態では、回路基板４に、位置決め部（ガイド部）の少なくとも一部を構成する凹部４ｃが設けられた。よって、一例としては、電子部品６の回路基板４に対するずれや傾きを抑制しやすくなる。
【００２５】
また、本実施形態では、電子部品６の外周面の一例である面６ｄと凹部４ｃの内周面の一例である側面４ｄとの間に、隙間４ｇが設けられた。よって、一例としては、封止剤８をより流動しやすくすることができ、一例としては、封止剤８が流出しにくいことによって不都合（一例としては、電子部品６の傾きや浮き、はんだボール７の潰れ不足等）が生じるのを抑制することができる。また、一例としては、電子部品６の周囲を取り囲む隙間４ｇ、あるいは電子部品６の両側に配置された隙間４ｇにより、電子部品６を凹部４ｃの中央に位置させやすくなる。
【００２６】
＜第２実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ａ（図７）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、図６に示されるように、凹部４ｃの深さが、上記第１実施形態の凹部４ｃに比べて浅い。すなわち、図６，７の状態で、面６ａが凹部４ｃの外に位置されている。よって、図６に示されるように、はんだボール７および封止剤８付きの電子部品６を回路基板４Ａ上に載置した場合、電子部品６と回路基板４Ａの凹部４ｃとの間では位置決め部（ガイド部）は構成されない。しかし、本実施形態では、ステップＳ１１で加熱される前に常温で固化されている封止剤８の側面８ａと凹部４ｃの側面４ｄとが対向するため、本実施形態でも、凹部４ｃが位置決め部の少なくとも一部として機能することができる。よって、本実施形態でも、一例としては、電子部品６の回転基板４Ａに対するずれや傾きを抑制しやすくなる。また、一例としては、凹部４ｃによって封止剤８は所定の領域に留まりやすくなるため、これにより、一例としては、電子部品６の位置ずれが抑制されやすくなる。
【００２７】
さらに、本実施形態では、図７に示されるように、電子部品６の外周部に、溶融して凹部４ｃから流出した封止剤８によりフィレット８ｂが形成される。よって、一例としては、電子部品６と回路基板４Ａとの接続剛性および接続強度がより高くなりやすい。
【００２８】
＜第３実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｂ（図８）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、回路基板４Ｂに設けられた凹部４ｃに、底面４ｅに開口した凹部４ｈが設けられている。凹部４ｈは、凹部４ｃの外周に沿って環状に形成されることができるし、複数の凹部４ｈが設けられることもできる。この凹部４ｈは、封止剤８の流出部分となりうる。よって、本実施形態でも、一例としては、封止剤８をより流動しやすくすることができ、一例としては、封止剤８が流出しにくいことによって不都合（一例としては、電子部品６の傾きや浮き、はんだボール７の潰れ不足等）が生じるのを抑制しやすくなる。凹部４ｈは、第二凹部の一例である。
【００２９】
＜第４実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｃ（図９）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、回路基板４Ｃに設けられた凹部４ｃに、底面４ｅに開口して、底面４ｅと面４ｂとの間で回路基板４Ｃを貫通する貫通孔４ｉが設けられている。貫通孔４ｉは、封止剤８の流出部分となりうる。よって、本実施形態でも、一例としては、封止剤８をより流動しやすくすることができ、一例としては、封止剤８が流出しにくいことによって不都合（一例としては、電子部品６の傾きや浮き、はんだボール７の潰れ不足等）が生じるのを抑制することができる。貫通孔４ｉは、貫通部、または第二凹部の一例である。
【００３０】
＜第５実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｄ（図１１）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態でも、図１０に示されるように、ステップＳ１１で加熱する前のはんだボール７および封止剤８付きの電子部品６は、回路基板４Ｄに設けられた凹部４ｃ内に収容される。ただし、本実施形態では、図１０，１１に示されるように、電子部品６の上におもり９が載せられている。このおもり９は、ステップＳ１１で加熱されて封止剤８およびはんだボール７が柔らかくなった際に、電子部品６を、その（おもり９の）重力によって、回路基板４Ｄ側に加重（押圧）する。ここで、おもり９の面９ａは、回路基板４Ｄの面９ａに当接する。よって、本実施形態によれば、一例としては、封止剤８をより流動しやすくすることができ、一例としては、封止剤８が流出しにくいことによって不都合（一例としては、電子部品６の傾きや浮き、はんだボール７の潰れ不足等）が生じるのを抑制することができる。また、おもり９により、一例としては、はんだボール７をより確実に潰すことができ、一例としては、電極４ｆ、はんだボール７、および電極６ｃの接触部分における通電抵抗をより一層減らすことができる。おもり９は、押圧部材、加重部材、補助部材、部材の一例である。なお、おもり９は、撤去してもよいし、おもり９を電子部品６上にそのまま残して放熱部材として用いてもよい。
【００３１】
＜第６実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｅ（図１２）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態でも、図１２に示されるように、ステップＳ１１で加熱する前のはんだボール７および封止剤８付きの電子部品６は、回路基板４Ｅに設けられた凹部４ｃ内に収容される。そして、上記第５実施形態と同様に、おもり９が用いられる。ただし、本実施形態では、回路基板４Ｅ上のおもり９に対向した位置に、スペーサ１１が位置されている。すなわち、スペーサ１１は、回路基板４Ｅとおもり９との間に介在する。本実施形態でも、上記第５実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態では、スペーサ１１により、一例としては、はんだボール７の形状をより適切に設定しやすくなる。スペーサ１１は、治具、部品、部材の一例である。
【００３２】
＜第７実施形態＞
本実施形態にかかる基板アセンブリ１０Ｆ（ただし、加熱および冷却前の状態、図１３）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、回路基板４Ｆの面４ａ上に、位置決め部（ガイド部）として、突起（突出部）４ｊが設けられている。この突起４ｊが、電子部品６の面６ｄまたは封止剤８の側面をガイドする。よって、本実施形態によっても、一例としては、電子部品６の回路基板４に対するずれや傾きを抑制しやすくなる。
【００３３】
＜第８実施形態＞
本実施形態にかかる基板センブリ１０Ｇ（図１４）は、第１実施形態にかかる基板アセンブリ１０に替えて用いることができる。また、図３に示された製造方法で製造することができる。本実施形態では、回路基板４Ｇの面４ａ上に、位置決め部として、六角柱状のスタッド１２が設けられている。さらに、本実施形態では、電子部品６Ｇの角部６ｅに、切欠（凹部）６ｆが設けられている。この切欠６ｆには、スタッド１２の角部１２ａが嵌合される（挿入される、対応する）。すなわち、本実施形態では、電子部品６Ｇに、位置決め部としての凹部が設けられている。本実施形態によっても、一例としては、電子部品６の回路基板４に対するずれや傾きを抑制しやすくなる。スタッド１２は、突出部の一例である。
【００３４】
＜第９実施形態＞
また、上述した基板アセンブリ１０，１０Ａ〜１０Ｇは、図１５に示されるような電子機器１００に設けることができる。電子機器１００は、所謂ノート型のパーソナルコンピュータとして構成されており、矩形状の扁平な第一の本体部１０２と、矩形状の扁平な第二の本体部１０３と、を備えている。これら第一の本体部１０２および第二の本体部１０３は、ヒンジ部１０４を介して、例えば回動軸Ａｘ回りに、図１５に示される展開状態と図示されない折り畳み状態との間で相対回動可能に、接続されている。
【００３５】
第一の本体部１０２には、筐体（第一筐体）１０２ａの外面としての表面１０２ｂ側に露出する状態で、入力受付部としてのキーボード１０５や、ポインティングデバイス１０７、クリックボタン１０８等が設けられている。一方、第二の本体部１０３には、筐体（第二筐体）１０３ａの外面としての表面１０３ｂに設けられた開口部１０３ｃから露出する状態で、部品としてのＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の表示装置としてのディスプレイ１０６が設けられている。図１５に示されるような展開状態では、キーボード１０５や、ディスプレイ１０６、ポインティングデバイス１０７、クリックボタン１０８等が露出して、ユーザが使用可能な状態となる。一方、折り畳み状態（図示されず）では、表面１０２ｂ，１０３ｂ同士が相互に近接した状態で対向して、キーボード１０５や、ディスプレイ１０６、ポインティングデバイス１０７、クリックボタン１０８等が、筐体１０２ａ，１０３ａによって隠された状態となる。
【００３６】
また、第一の本体部１０２の筐体１０２ａの内部には、回路基板４に、電子部品６や、ＣＰＵ（central processing unit）、ＲＯＭ（read only memory）、ＲＡＭ（random access memory）、その他の部品が実装された基板アセンブリ１０や、ハードディスク、冷却ファン等の部品（いずれも図示されず）が収容されている。本実施形態の電子機器１００でも、基板アセンブリ１０（あるいは基板アセンブリ１０Ａ〜１０Ｇ）を有することにより上記実施形態によって得られる効果と同様の効果が得られる。
【００３７】
また、第一の本体部１０２の筐体１０２ａ内に、上記第１実施形態で例示した磁気ディスク装置１（図１５には図示されず）を収容することができる。その場合、具体的には、例えば、筐体１０２ａの裏面（図示されず）に、磁気ディスク装置１の収容部（図示されず）としての凹部が設けられ、その凹部に磁気ディスク装置１が収容され、磁気ディスク装置１とこの磁気ディスク装置１の回路基板４とがコネクタ（図示されず）を介して電気的に接続される。また、筐体１０２ａの裏面には、磁気ディスク装置１が収容された状態で凹部を覆う蓋（図示されず）が取り付けられる。
【００３８】
また、磁気ディスク装置１の筐体２を除く内部構成が、電子機器１００の筐体１０２ａ内に収容された構成とすることもできる。その場合、電子機器１００の筐体１０２ａが、磁気ディスク装置１の筐体も兼ねることになる。なお、磁気ディスク装置１は、第二の本体部１０３の筐体１０３ａ内に設けることができるし、複数の磁気ディスク装置１を、電子機器１００の筐体１０２ａ（または筐体１０３ａ）の内部に、設けることもできる。
【００３９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、各実施形態や実施例の構成を部分的に組み合わせて構成することができる。また、電子機器、記憶装置、磁気ディスク装置、筐体、基板アセンブリ、回路基板、第一面、第一導体部、電子部品、第二面、第二導体部、接合部、封止部、位置決め部、凹部、第二凹部、貫通部、突出部等のスペック（構造や、方向、形状、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）、ならびに各ステップの方法は、適宜に変更して実施することができる。
【００４０】
本発明の実施形態によれば、一例としては、電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、部品、および基板アセンブリの製造方法を得ることができる。
【符号の説明】
【００４１】
１…磁気ディスク装置（電子機器）、２…筐体、４，４Ａ〜４Ｇ…回路基板、４ｃ…凹部（位置決め部）、４ｄ…側面（内周面）、４ｅ…底面（第一面）、４ｇ…隙間、４ｈ…凹部（第二凹部）、４ｉ…貫通孔（第二凹部、貫通部）、４ｊ…突出部、６，６Ｇ…電子部品、６ａ…面（第二面）、６ｄ…面（外周面）、７…はんだボール（接合部）、８…封止剤（封止部）、１０，１０Ａ〜１０Ｇ…基板アセンブリ、１２…スタッド（突出部、位置決め部）、１００…電子機器、１０２ａ，１０３ａ…筐体。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体に設けられ、第一面と、この第一面に設けられた第一導体部と、を有した回路基板と、
前記回路基板の前記第一面上に位置され、前記第一面と対向した第二面と、この第二面に設けられた第二導体部と、を有した電子部品と、
前記第一導体部と前記第二導体部との間に介在し、前記第一導体部と前記第二導体部とを電気的に接続した接合部と、
少なくとも前記第一面と前記第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、前記接合部を封止した封止部と、
前記回路基板と前記電子部品とを位置決めする位置決め部と、
を備えた、電子機器。
【請求項２】
前記回路基板には凹部が設けられ、
前記第一面は前記凹部の底部に位置され、
前記位置決め部は、前記凹部の少なくとも一部を含む、請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記電子部品の外周面と前記凹部の内周面との間に、前記封止部が入った隙間が設けられた、請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第二面が前記凹部の外側に位置された、請求項２に記載の電子機器。
【請求項５】
前記回路基板に、前記第一面側に開口し、前記封止部が入った第二凹部が設けられた、請求項１〜４のうちいずれか一つに記載の電子機器。
【請求項６】
前記第二凹部は前記回路基板を貫通した貫通部である、請求項１〜５のうちいずれか一つに記載の電子機器。
【請求項７】
前記位置決め部は、前記回路基板の前記第一面に設けられた突出部を含む、請求項１〜６のうちいずれか一つに記載の電子機器。
【請求項８】
請求項１〜７の電子機器で用いられ、前記第二面と、前記第二導体部と、前記位置決め部と、を有した電子部品。
【請求項９】
導体部を有し、この導体部に接合部が接合され、かつ前記接合部の周囲に酸化膜を還元する還元剤を含んだ封止剤が塗布された電子部品が、回路基板上に、前記接合部が前記回路基板側に位置された姿勢で、位置決めされながら載置される、第一のステップと、
前記第一のステップで前記電子部品が載置された前記回路基板が加熱される第二のステップと、
前記第二のステップで加熱された前記電子部品が載置された回路基板が冷却される第三のステップと、
を有した基板アセンブリの製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記電子部品を前記回路基板へ押し付ける第四のステップを有した、請求項９に記載の基板アセンブリの製造方法。
【請求項１】
筐体と、
前記筐体に設けられ、第一面と、この第一面に設けられた第一導体部と、を有した回路基板と、
前記回路基板の前記第一面上に位置され、前記第一面と対向した第二面と、この第二面に設けられた第二導体部と、を有した電子部品と、
前記第一導体部と前記第二導体部との間に介在し、前記第一導体部と前記第二導体部とを電気的に接続した接合部と、
少なくとも前記第一面と前記第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、前記接合部を封止した封止部と、
前記回路基板と前記電子部品とを位置決めする位置決め部と、
を備えた、電子機器。
【請求項２】
前記回路基板には凹部が設けられ、
前記第一面は前記凹部の底部に位置され、
前記位置決め部は、前記凹部の少なくとも一部を含む、請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記電子部品の外周面と前記凹部の内周面との間に、前記封止部が入った隙間が設けられた、請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第二面が前記凹部の外側に位置された、請求項２に記載の電子機器。
【請求項５】
前記回路基板に、前記第一面側に開口し、前記封止部が入った第二凹部が設けられた、請求項１〜４のうちいずれか一つに記載の電子機器。
【請求項６】
前記第二凹部は前記回路基板を貫通した貫通部である、請求項１〜５のうちいずれか一つに記載の電子機器。
【請求項７】
前記位置決め部は、前記回路基板の前記第一面に設けられた突出部を含む、請求項１〜６のうちいずれか一つに記載の電子機器。
【請求項８】
請求項１〜７の電子機器で用いられ、前記第二面と、前記第二導体部と、前記位置決め部と、を有した電子部品。
【請求項９】
導体部を有し、この導体部に接合部が接合され、かつ前記接合部の周囲に酸化膜を還元する還元剤を含んだ封止剤が塗布された電子部品が、回路基板上に、前記接合部が前記回路基板側に位置された姿勢で、位置決めされながら載置される、第一のステップと、
前記第一のステップで前記電子部品が載置された前記回路基板が加熱される第二のステップと、
前記第二のステップで加熱された前記電子部品が載置された回路基板が冷却される第三のステップと、
を有した基板アセンブリの製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記電子部品を前記回路基板へ押し付ける第四のステップを有した、請求項９に記載の基板アセンブリの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−２１６６７１（Ｐ２０１２−２１６６７１Ａ）
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８０６７３（Ｐ２０１１−８０６７３）
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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