電子機器
【課題】精度よく接合部の破断を検出する。
【解決手段】実施形態の電子機器は、回路基板と、電子部品とを含む。回路基板上には、第１パッドが形成される。電子部品上には第２パッドが形成される。接合部は、第１パッドと第２パッドとを接合する。検出部は、前記第１パッドおよび前記第２のパッドの少なくとも一方と、前記接合部とを含む接続経路の電気特性に基づいて接合部の破断を検出する。第１パッドおよび第２パッドの少なくとも一方は、接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成されている。
【解決手段】実施形態の電子機器は、回路基板と、電子部品とを含む。回路基板上には、第１パッドが形成される。電子部品上には第２パッドが形成される。接合部は、第１パッドと第２パッドとを接合する。検出部は、前記第１パッドおよび前記第２のパッドの少なくとも一方と、前記接合部とを含む接続経路の電気特性に基づいて接合部の破断を検出する。第１パッドおよび第２パッドの少なくとも一方は、接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
内部に半導体チップが搭載された半導体パッケージ、または、抵抗やキャパシタ等のチップ型受動部品である電子部品などが複数実装されてなる電子機器は、近年、高機能化および多機能化が求められている。この要求により、半導体チップの高集積化、大規模化が進んでいる。これに伴い、半導体パッケージと回路基板とを接続するはんだバンプなどの電気的接合部の数は大幅に増加している。また、各電気的接合部のサイズは小さくなる傾向にある。従って、半導体パッケージに繰り返し生じる温度変動、曲げ、衝撃、および振動などによって、接合部が破断されることが問題になっている。
【０００３】
このような問題に対し、半導体パッケージが有する抵抗値検出部が、検出用接合部の熱疲労破断による抵抗値の上昇を検出することによって、熱疲労破断を未然に防ぐ手法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３２６５１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術では、精度よく接合部の破断を検出できない場合があった。通常、検出用接合部は電子部品の四隅位置に配置され、他の接合部よりも低寿命になるように設計されている。しかし、材料物性や接合部形状のばらつき、検出用接合部と電極パッド界面の大部分が破断しても例えば検出用接合部の中央付近に破断しない部分が残る場合があることなどから、検出用接合部の破断を検出する前に、破断を事前に予測したい接合部が破断する可能性があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の電子機器は、回路基板と、電子部品と、前記回路基板上に形成された第１パッドと、前記電子部品上に形成された第２パッドと、前記第１パッドと前記第２パッドとを接合する接合部と、前記第１パッドおよび前記第２のパッドの少なくとも一方と、前記接合部とを含む接続経路の電気特性を検出する検出部と、を備え、前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、前記接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成され、前記第１パッドと前記接合部との接触領域および前記第２パッドと前記接合部との接触領域の両方に前記絶縁部が形成されている場合は、２つの接触領域のうち一方の直径は他方の直径より小さく、前記第１パッドと前記接合部との接触領域および前記第２パッドと前記接合部との接触領域の一方に前記絶縁部が形成されている場合は、前記絶縁部が形成されている接触領域の直径は、前記絶縁部が形成されていない接触領域の直径より小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態の電子機器を模式的に示す断面図。
【図２】第１の実施形態の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図３】第１の実施形態の検出用バンプ接合部のパッドの形状を示す図。
【図４】接続経路が破断する前後の電気抵抗値の時間的変化の例を示す模式図。
【図５】第１の実施形態の変形例１の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図６】第１の実施形態の変形例１のパッドの形状を示す図。
【図７】第１の実施形態の変形例２の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図８】第１の実施形態の変形例２のパッドの形状を示す図。
【図９】第１の実施形態の変形例３の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図１０】第１の実施形態の変形例３のパッドの形状を示す図。
【図１１】第１の実施形態の変形例４の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図１２】第１の実施形態の変形例４のパッドの形状を示す図。
【図１３】第１の実施形態の変形例５のパッドの形状を示す図。
【図１４】第２の実施形態の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図１５】第２の実施形態の検出用バンプ接合部のパッドの形状を示す図。
【図１６】第２の実施形態の変形例１の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図１７】第２の実施形態の変形例１の電子部品側パッドの形状を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる電子機器の好適な実施形態を詳細に説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の電子機器を模式的に示す断面図である。図２は、第１の実施形態の検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図３は、回路基板上に形成された検出用バンプ接合部のパッドの形状を示す図である。
【００１０】
図１に示すように、第１の実施形態の電子機器は、電子部品１１と、回路基板１４と、バンプ接合部２０と、検出用バンプ接合部２１とを備えている。バンプ接合部２０および検出用バンプ接合部２１は、例えばはんだバンプとすることができる。
【００１１】
電子部品１１は、一方の表面に電子部品側パッド１２、１３が形成されている。電子部品は、例えば、ＢＧＡ型半導体パッケージである。図１では、半導体パッケージのチップ４１を含む電子部品１１の例が示されている。
【００１２】
一方、回路基板１４は、例えばＦＲ−４基板であり、一方の表面にパッド１５、１６が形成されている。電子部品１１と回路基板１４は、電子部品側パッド１２、１３、バンプ接合部２０、検出用バンプ接合部２１、および、パッド１５、１６によって接続されている。
【００１３】
図２に示すように、電子部品１１の四隅位置では、電子部品側パッド１３と検出用バンプ接合部２１とパッド１６とが、電子部品１１と回路基板１４とを機械的に接続している。図２および図３に示すように、パッド１６は、その外周に形成された電極部１７と電極部１８と、電極部１７と電極部１８とを絶縁する絶縁部１９とで構成される。絶縁部１９は、例えばソルダーレジストで被覆される絶縁体から形成される。例えば、電極部１７と電極部１８と絶縁部１９と検出用バンプ接合部２１は以下のようにして形成することができる。
【００１４】
回路基板１４の製造工程において、エッチングで、回路基板上に電極部１７および電極部１８を含むパターンを形成した後、ソルダーレジストを、パッド等の部分を除いて回路基板１４に塗布する。その際、ソルダーレジストを電極部１７と電極部１８間に塗布し、絶縁部１９を形成する。例えば、絶縁部１９の幅は、パッド１６の直径の５０％以下である。バンプ接合部２０と検出用バンプ接合部２１が形成されている電子部品１１を、検出用バンプ２１がパッド１６上に、バンプ接合部２０がそれぞれ対応するパッド上に位置するように、回路基板１４上に搭載し、リフロー工程ではんだが熱によって溶融することではんだ付けされ、検出用バンプ２１と回路基板１４は、電極部１７と電極部１８で電気的および物理的に接続される。
【００１５】
電極部１７と電極部１８は、絶縁部１９を挟んで、互いに離間しており、それぞれが回路基板１４上に形成された電気特性値を測定するための配線２２に電気的に接続されている。配線２２、電極部１７、検出用バンプ接合部２１、および電極部１８の順に導電する接続経路には、検出部４２が接続される。検出部４２は、この接続経路の電気特性値を測定し、測定した電気特性値に基づいて検出用バンプ接合部２１の破断を検出する。検出部４２は、電気特性値として例えば電気抵抗値を測定する。そして、検出部４２は、例えば測定した電気抵抗値が所定レベルを超えたときに、検出用バンプ接合部２１が破断したことを示す信号を出力する。図４は、接続経路が破断する前後の電気抵抗値の時間的変化を模式的に示したものであり、縦軸は電気抵抗値、横軸は時間を示している。この図４では、時刻ｔ＝ｔ０において接続経路が破断し、急激に電気抵抗値が上昇したことを模式的に示している。
【００１６】
電気特性値は電気抵抗値に限られず、値の変化から検出用バンプ接合部２１の破断を検出可能なものであれば、電流値、電圧値などのあらゆる特性値を適用できる。また、図２では、回路基板１４が検出部４２を含むように記載しているが、回路基板１４の外部に検出部４２を備えるように構成してもよい。
【００１７】
配線２２は、回路基板１４上に形成されているため、電子部品１１の従来の回路設計を変更することなく、本実施形態の適用が可能である。
【００１８】
例えば電源オン／オフによる温度変動に伴い、検出用バンプ接合部２１に繰返し熱応力が生じ、検出用バンプ接合部２１が破断し、電極部１７または電極部１８と検出用バンプ接合部２１の接続が破断する。これにより電気抵抗値を測定するための接続経路が破断すると、検出部４２で測定される電気抵抗値は上昇する。このため、検出部４２での電気抵抗値の測定により、検出用バンプ接合部２１の破断が検出される。
【００１９】
一般的に、バンプ接合部で繰返し熱応力によって生じる熱疲労き裂は、電極と接合部の界面近傍の外縁部から発生し、中央に向かって進展する。本実施形態における検出用バンプ接合部２１では、中央部分に絶縁部１９が形成されているため、き裂が中央に達しなくても電気的に破断する。すなわち、検出用バンプ接合部２１の破断および破断の検出が早まることになる。
【００２０】
また、電子部品１１のコーナー直下で回路基板１４の曲率が特徴的に変化するため、電子部品１１のコーナー直下に近い四隅位置に配置された検出用バンプ接合部２１への負荷は、それより内側に配置されているバンプ接合部２０に比べ大きく、低寿命になる。なお、検出用バンプ接合部２１を配置する部分は、電子部品１１の角部（コーナー）に近い四隅に限られるものではなく、電子部品１１の周縁部の少なくとも一部に検出用バンプ接合部２１を配置すればよい。検出用バンプ接合部２１をバンプ接合部２０より低寿命にする設計手法としては、他にも多様な方法を適用できる。例えば電子部品１１が半導体パッケージの場合には、チップコーナー直下付近（図１の例ではチップ４１のコーナー直下付近）に検出用バンプ接合部２１を配置してもよい。
【００２１】
絶縁部１９を形成している絶縁体の熱膨張係数を、検出用バンプ接合部２１の熱膨張係数より大きくなるように構成してもよい。例えば、絶縁部１９をソルダーレジストとし、検出用バンプ接合部２１をはんだバンプとすることにより、絶縁部１９の熱膨張係数を、検出用バンプ接合部２１の熱膨張係数より大きくすることができる。この場合、高温時に、絶縁部１９と検出用バンプ接合部２１の熱膨張差により、検出用バンプ接合部２１が上方向に押し上げられる。
【００２２】
これにより、検出用バンプ接合部２１の破断を加速させ、検出用バンプ接合部２１の破断が生じた後に、電極部１７または電極部１８と検出用バンプ接合部２１の間の電気的な導通を完全に切断し、検出用バンプ接合部２１の破断面同士の接触によって電気的に導通することを防止する効果が得られる。すなわち、破断が生じた後に接触が残ることにより、破断を適切に検出できないことを回避可能となる。
【００２３】
このような設計では、検出用バンプ接合部２１は、バンプ接合部２０に比べ低寿命となり、バンプ接合部２０が破断する前に検出用バンプ接合部２１の破断が検出される。すなわち、検出部４２が電気抵抗値の測定によって検出用バンプ接合部２１の破断を検出することにより、バンプ接合部２０の破断を事前に予測することができる。
【００２４】
電極部１７と検出用バンプ接合部２１との間と、電極部１８と検出用バンプ接合部２１との間の接続面積によって、破断検出の時期を調節することが可能である。両者の面積は等しくてもよいし異なっていてもよい。両者の面積が異なる場合には、面積が小さい方で破断が生じやすくなる。この場合、電極部１７と電極部１８のうち、いずれか一方と検出用バンプ接合部２１との接続が破断すれば、もう一方は接続が破断していなくても破断が検出される。このため、電子部品１１と検出用バンプ接合部２１と回路基板１４が機械的には接続された状態で、破断を検出することができる。
【００２５】
（第１の実施形態の変形例１）
次に、第１の実施形態の変形例１について説明する。図５は、第１の実施形態の変形例１の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図６は、第１の実施形態の変形例１のパッド１６−２の形状を示す図である。なお、本変形例の説明では、第１の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００２６】
図５と図６に示すように、本変形例の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、絶縁部１９の形状が異なる。本変形例では、絶縁部１９は、電極部１７と電極部１８の間のライン状の絶縁部１９ａと、電極部１７および電極部１８と絶縁部１９ａの上の中央に円形状に形成された絶縁部１９ｂとから構成される。
【００２７】
本変形例では、絶縁部１９ｂを形成したことで、いずれの方向でも検出用バンプ接合部２１の外縁から絶縁部１９ｂまでの距離が短くなる。このため、パッド１６−２の配置方向に関わらず、破断の検出を早める効果がある。
【００２８】
（第１の実施形態の変形例２）
次に、第１の実施形態の変形例２について説明する。図７は、第１の実施形態の変形例２の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図８は、第１の実施形態の変形例２のパッド１６−３の形状を示す図である。なお、この変形例の説明では、第１の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００２９】
図７と図８に示すように、本変形例の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、回路基板１４上の電極部１７−３、１８−３と絶縁部１９−３の形状が異なる。本変形例では、電極部１７−３と電極部１８−３が、同心円を２つに分割した形状になっている。電極部１７−３および電極部１８−３は、例えば１つの電極からライン状切欠部とその中央に円形状の切欠部を設けることで形成することができる。本変形例では、電極部１７−３と電極部１８−３との間に、円形から電極の外縁までラインが延びた形状の絶縁部１９−３が形成される。
【００３０】
本変形例では、電極部１７−３および電極部１８−３の中央部に円形状の絶縁部１９−３を形成したことで、第１の実施形態の変形例１と同様にいずれの方向でも検出用バンプ接合部２１の外縁から絶縁部１９−３までの距離が短くなる。このため、パッド１６−３の配置方向に関わらず、破断の検出を早める効果がある。また、第１の実施形態の変形例１に比べ、パッド１６−３の凹凸が小さいため、検出用バンプ接合部２１が形成されやすくなる。
【００３１】
（第１の実施形態の変形例３）
次に、第１の実施形態の変形例３について説明する。図９は、第１の実施形態の変形例３の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図１０は、第１の実施形態の変形例３のパッド１６−４の形状を示す図である。なお、この変形例の説明では、第１の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００３２】
図９と図１０に示すように、本変形例の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、検出用バンプ接合部２１と接続している回路基板１４上の電極部と絶縁部の形状が異なる。本変形例のパッド１６−４は、電極部１７−４、１８−４、２３、２４、２５、２６と、各電極部間に形成された絶縁部１９−４とから形成されている。
【００３３】
本変形例では、６つの電極部が形成され、それぞれ配線２２ａ、２２ｂ、２２ｃのいずれかに接続されているため、電気特性値を測定するための３つの接続経路を形成することができる。したがって、検出用バンプ接合部２１について３段階の破断検出が可能になり、より精度よくバンプ接合部２０の破断を事前に検出できる。なお、配線２２ａ、２２ｂ、２２ｃはすべて備える必要はなく、少なくとも１つの配線２２を備えていればよい。また、配線２２は、隣接する電極部間を接続する必要はなく、任意の２つの電極部間を接続するように構成してもよい。
【００３４】
（第１の実施形態の変形例４）
次に、第１の実施形態の変形例４について説明する。図１１は、第１の実施形態の変形例４の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図１２は、第１の実施形態の変形例４のパッド１６−５の形状を示す図である。なお、この変形例の説明では、第１の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００３５】
図１１と図１２に示すように、本変形例の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、電子部品側パッド１３と回路基板１４上のパッド１６−５の大きさが工夫されている。本変形例では、回路基板１４上のパッド１６−５と検出用バンプ接合部２１が接続する部分の直径が、電子部品側パッド１３と検出用バンプ接合部２１の接続する部分の直径より小さい。すなわち、パッド１６−５と検出用バンプ接合部２１との接合面積が、電子部品側パッド１３と検出用バンプ接合部２１との接合面積より小さい。
【００３６】
このような設計では、回路基板１４上のパッド１６−５および検出用バンプ接合部２１の界面近傍の方が、電子部品側パッド１３および検出用バンプ接合部２１の界面近傍より、応力が厳しくなる。このため、回路基板１４上のパッド１６−５および検出用バンプ接合部２１の界面近傍で検出用バンプ接合部２１が破断する。
【００３７】
電子部品側パッド１３と検出用バンプ接合部２１の接続が破断した場合は、回路基板１４上の電極部１７、１８と検出用バンプ接合部２１とが電気的に接続する。このため、検出部４２によって検出用バンプ接合部２１の破断が検出されなくなる。しかし、本変形例ではこのような場合を回避することができるため、より精度よくバンプ接合部２０の破断を事前に検出できる。
【００３８】
（第１の実施形態の変形例５）
これまでは、検出用バンプ接合部２１と接触する領域（接触領域）のうち、接触領域の中心を含む領域に絶縁部が形成される例を説明したが、絶縁部は、接触領域の中心を含む領域に形成される必要はない。図１３は、第１の実施形態の変形例５のパッド１６−６の形状を示す図である。
【００３９】
図１３に示すように、本変形例の電子機器は、電極部１７と電極部１８とを絶縁する絶縁部１９が、接触領域の中心を含まない領域に形成されている。このような構成では、電極部１７の面積が電極部１８の面積より小さいため、電極部１７で破断が生じやすくなる。これにより、電子部品１１と検出用バンプ接合部２１と回路基板１４とが機械的に接続された状態であっても、破断を検出することができる。
【００４０】
なお、絶縁部が形成されたパッド（パッド１６、１６−２、１６−３、１６−４、１６−５）の形状は一例であり、複数の電極（例えば電極部１７、１８）、および、複数の電極を互いに絶縁する絶縁部が形成されるものであればあらゆる形状を適用できる。このような形状により、き裂が中央に達しなくても電気的に破断し、検出用バンプ接合部２１の破断をより早期に検出可能となる。すなわち、第１の実施形態にかかる電子機器では、回路基板と電子部品との接合部の破断を精度よく事前に検出することができる。
【００４１】
また、これまでは絶縁部を形成したパッドを回路基板１４上に形成する例を説明した。絶縁部を形成するパッドを電子部品１１上に形成してもよいし、絶縁部を形成するパッドを回路基板１４および電子部品１１の両方に形成してもよい。
【００４２】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図１４は、第２の実施形態の電子機器における電子部品の検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図１５は、検出用バンプ接合部のパッドの形状を示す図である。
【００４３】
本実施形態は、図１に示す第１の実施形態の電子機器と同様の構造を具備している。第２の実施形態では、第１の実施形態と異なる箇所について説明する。
【００４４】
図１４と図１５に示すように、第２の実施形態の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、検出用バンプ接合部２１と接続している回路基板１４上のパッド２１６の形状が異なる。本実施形態では、図１４と図１５に示すように、パッド２１６は、円形状に形成された電極部２７と、電極部２７上の中央部に形成された、電極部２７より直径が小さい円形状の絶縁部２１９とから形成されている。なお、絶縁部２１９は、電極部２７の中央部（中心を含む領域）に形成される必要はなく、破断せずに残ると予想される部分に形成されていればよい。
【００４５】
本実施形態では、パッド１５と電極部２７が、回路基板１４に形成された配線２２２に電気的に接続され、電子部品側パッド１２、１３が、電子部品１１に形成された配線２８に電気的に接続されている。本実施形態では、パッド１５、バンプ接合部２０、電子部品側パッド１２、配線２８、電子部品側パッド１３、検出用バンプ接合部２１、電極部２７、配線２２２の順に導電する接続経路に、検出部４２が接続される。
【００４６】
本実施形態では、回路基板１４と電子部品１１の両方で電気特性値を測定するための配線を形成することが可能であれば、電極部２７が複数の電極部から形成されている必要がないため、従来の部品の形状を変更することなく適用でき、実装が容易である。また、電子部品側パッド１３近傍で、検出用バンプ接合部２１が破断した場合にも、検出部４２により破断を検出することができるため、より精度が向上する。
【００４７】
（第２の実施形態の変形例１）
次に、第２の実施形態の変形例１について説明する。図１６は、第２の実施形態の変形例１の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図１７は、第２の実施形態の変形例１の電子部品側パッドの形状を示す図である。なお、この変形例の説明では、第２の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００４８】
図１６および図１７に示すように、本変形例では、第２の実施形態の電子機器と比較して、検出用バンプ接合部２１の電子部品側パッド２１３は、電極部２９と、電極部２９上の中央部に形成された、電極部２９の直径より小さい円形状の絶縁部３０とから形成されている。
【００４９】
本変形例では、回路基板１４上および電子部品１１上の両方のパッドに絶縁部が形成されていることになる。したがって、電子部品側パッド２１３近傍と回路基板１４上のパッド２１６近傍のいずれでき裂が発生した場合でも、検出用バンプ接合部２１の破断検出を早める効果があり、バンプ接合部２０の破断を事前に予測することができる。
【００５０】
以上説明したとおり、第１から第２の実施形態によれば、回路基板と電子部品との接合部の破断を精度よく事前に検出することができる。
【００５１】
なお、本実施形態は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成することができる。例えば、実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。
【符号の説明】
【００５２】
１１ 電子部品
１２、１３ 電子部品側パッド
１４ 回路基板
１５、１６ パッド
１７、１８ 電極部
１９ 絶縁部
２０ バンプ接合部
２１ 検出用バンプ接合部
２２ 配線
４１ チップ
４２ 検出部
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
内部に半導体チップが搭載された半導体パッケージ、または、抵抗やキャパシタ等のチップ型受動部品である電子部品などが複数実装されてなる電子機器は、近年、高機能化および多機能化が求められている。この要求により、半導体チップの高集積化、大規模化が進んでいる。これに伴い、半導体パッケージと回路基板とを接続するはんだバンプなどの電気的接合部の数は大幅に増加している。また、各電気的接合部のサイズは小さくなる傾向にある。従って、半導体パッケージに繰り返し生じる温度変動、曲げ、衝撃、および振動などによって、接合部が破断されることが問題になっている。
【０００３】
このような問題に対し、半導体パッケージが有する抵抗値検出部が、検出用接合部の熱疲労破断による抵抗値の上昇を検出することによって、熱疲労破断を未然に防ぐ手法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３２６５１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術では、精度よく接合部の破断を検出できない場合があった。通常、検出用接合部は電子部品の四隅位置に配置され、他の接合部よりも低寿命になるように設計されている。しかし、材料物性や接合部形状のばらつき、検出用接合部と電極パッド界面の大部分が破断しても例えば検出用接合部の中央付近に破断しない部分が残る場合があることなどから、検出用接合部の破断を検出する前に、破断を事前に予測したい接合部が破断する可能性があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の電子機器は、回路基板と、電子部品と、前記回路基板上に形成された第１パッドと、前記電子部品上に形成された第２パッドと、前記第１パッドと前記第２パッドとを接合する接合部と、前記第１パッドおよび前記第２のパッドの少なくとも一方と、前記接合部とを含む接続経路の電気特性を検出する検出部と、を備え、前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、前記接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成され、前記第１パッドと前記接合部との接触領域および前記第２パッドと前記接合部との接触領域の両方に前記絶縁部が形成されている場合は、２つの接触領域のうち一方の直径は他方の直径より小さく、前記第１パッドと前記接合部との接触領域および前記第２パッドと前記接合部との接触領域の一方に前記絶縁部が形成されている場合は、前記絶縁部が形成されている接触領域の直径は、前記絶縁部が形成されていない接触領域の直径より小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態の電子機器を模式的に示す断面図。
【図２】第１の実施形態の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図３】第１の実施形態の検出用バンプ接合部のパッドの形状を示す図。
【図４】接続経路が破断する前後の電気抵抗値の時間的変化の例を示す模式図。
【図５】第１の実施形態の変形例１の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図６】第１の実施形態の変形例１のパッドの形状を示す図。
【図７】第１の実施形態の変形例２の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図８】第１の実施形態の変形例２のパッドの形状を示す図。
【図９】第１の実施形態の変形例３の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図１０】第１の実施形態の変形例３のパッドの形状を示す図。
【図１１】第１の実施形態の変形例４の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図１２】第１の実施形態の変形例４のパッドの形状を示す図。
【図１３】第１の実施形態の変形例５のパッドの形状を示す図。
【図１４】第２の実施形態の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図１５】第２の実施形態の検出用バンプ接合部のパッドの形状を示す図。
【図１６】第２の実施形態の変形例１の検出用バンプ接合部周辺の断面図。
【図１７】第２の実施形態の変形例１の電子部品側パッドの形状を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる電子機器の好適な実施形態を詳細に説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の電子機器を模式的に示す断面図である。図２は、第１の実施形態の検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図３は、回路基板上に形成された検出用バンプ接合部のパッドの形状を示す図である。
【００１０】
図１に示すように、第１の実施形態の電子機器は、電子部品１１と、回路基板１４と、バンプ接合部２０と、検出用バンプ接合部２１とを備えている。バンプ接合部２０および検出用バンプ接合部２１は、例えばはんだバンプとすることができる。
【００１１】
電子部品１１は、一方の表面に電子部品側パッド１２、１３が形成されている。電子部品は、例えば、ＢＧＡ型半導体パッケージである。図１では、半導体パッケージのチップ４１を含む電子部品１１の例が示されている。
【００１２】
一方、回路基板１４は、例えばＦＲ−４基板であり、一方の表面にパッド１５、１６が形成されている。電子部品１１と回路基板１４は、電子部品側パッド１２、１３、バンプ接合部２０、検出用バンプ接合部２１、および、パッド１５、１６によって接続されている。
【００１３】
図２に示すように、電子部品１１の四隅位置では、電子部品側パッド１３と検出用バンプ接合部２１とパッド１６とが、電子部品１１と回路基板１４とを機械的に接続している。図２および図３に示すように、パッド１６は、その外周に形成された電極部１７と電極部１８と、電極部１７と電極部１８とを絶縁する絶縁部１９とで構成される。絶縁部１９は、例えばソルダーレジストで被覆される絶縁体から形成される。例えば、電極部１７と電極部１８と絶縁部１９と検出用バンプ接合部２１は以下のようにして形成することができる。
【００１４】
回路基板１４の製造工程において、エッチングで、回路基板上に電極部１７および電極部１８を含むパターンを形成した後、ソルダーレジストを、パッド等の部分を除いて回路基板１４に塗布する。その際、ソルダーレジストを電極部１７と電極部１８間に塗布し、絶縁部１９を形成する。例えば、絶縁部１９の幅は、パッド１６の直径の５０％以下である。バンプ接合部２０と検出用バンプ接合部２１が形成されている電子部品１１を、検出用バンプ２１がパッド１６上に、バンプ接合部２０がそれぞれ対応するパッド上に位置するように、回路基板１４上に搭載し、リフロー工程ではんだが熱によって溶融することではんだ付けされ、検出用バンプ２１と回路基板１４は、電極部１７と電極部１８で電気的および物理的に接続される。
【００１５】
電極部１７と電極部１８は、絶縁部１９を挟んで、互いに離間しており、それぞれが回路基板１４上に形成された電気特性値を測定するための配線２２に電気的に接続されている。配線２２、電極部１７、検出用バンプ接合部２１、および電極部１８の順に導電する接続経路には、検出部４２が接続される。検出部４２は、この接続経路の電気特性値を測定し、測定した電気特性値に基づいて検出用バンプ接合部２１の破断を検出する。検出部４２は、電気特性値として例えば電気抵抗値を測定する。そして、検出部４２は、例えば測定した電気抵抗値が所定レベルを超えたときに、検出用バンプ接合部２１が破断したことを示す信号を出力する。図４は、接続経路が破断する前後の電気抵抗値の時間的変化を模式的に示したものであり、縦軸は電気抵抗値、横軸は時間を示している。この図４では、時刻ｔ＝ｔ０において接続経路が破断し、急激に電気抵抗値が上昇したことを模式的に示している。
【００１６】
電気特性値は電気抵抗値に限られず、値の変化から検出用バンプ接合部２１の破断を検出可能なものであれば、電流値、電圧値などのあらゆる特性値を適用できる。また、図２では、回路基板１４が検出部４２を含むように記載しているが、回路基板１４の外部に検出部４２を備えるように構成してもよい。
【００１７】
配線２２は、回路基板１４上に形成されているため、電子部品１１の従来の回路設計を変更することなく、本実施形態の適用が可能である。
【００１８】
例えば電源オン／オフによる温度変動に伴い、検出用バンプ接合部２１に繰返し熱応力が生じ、検出用バンプ接合部２１が破断し、電極部１７または電極部１８と検出用バンプ接合部２１の接続が破断する。これにより電気抵抗値を測定するための接続経路が破断すると、検出部４２で測定される電気抵抗値は上昇する。このため、検出部４２での電気抵抗値の測定により、検出用バンプ接合部２１の破断が検出される。
【００１９】
一般的に、バンプ接合部で繰返し熱応力によって生じる熱疲労き裂は、電極と接合部の界面近傍の外縁部から発生し、中央に向かって進展する。本実施形態における検出用バンプ接合部２１では、中央部分に絶縁部１９が形成されているため、き裂が中央に達しなくても電気的に破断する。すなわち、検出用バンプ接合部２１の破断および破断の検出が早まることになる。
【００２０】
また、電子部品１１のコーナー直下で回路基板１４の曲率が特徴的に変化するため、電子部品１１のコーナー直下に近い四隅位置に配置された検出用バンプ接合部２１への負荷は、それより内側に配置されているバンプ接合部２０に比べ大きく、低寿命になる。なお、検出用バンプ接合部２１を配置する部分は、電子部品１１の角部（コーナー）に近い四隅に限られるものではなく、電子部品１１の周縁部の少なくとも一部に検出用バンプ接合部２１を配置すればよい。検出用バンプ接合部２１をバンプ接合部２０より低寿命にする設計手法としては、他にも多様な方法を適用できる。例えば電子部品１１が半導体パッケージの場合には、チップコーナー直下付近（図１の例ではチップ４１のコーナー直下付近）に検出用バンプ接合部２１を配置してもよい。
【００２１】
絶縁部１９を形成している絶縁体の熱膨張係数を、検出用バンプ接合部２１の熱膨張係数より大きくなるように構成してもよい。例えば、絶縁部１９をソルダーレジストとし、検出用バンプ接合部２１をはんだバンプとすることにより、絶縁部１９の熱膨張係数を、検出用バンプ接合部２１の熱膨張係数より大きくすることができる。この場合、高温時に、絶縁部１９と検出用バンプ接合部２１の熱膨張差により、検出用バンプ接合部２１が上方向に押し上げられる。
【００２２】
これにより、検出用バンプ接合部２１の破断を加速させ、検出用バンプ接合部２１の破断が生じた後に、電極部１７または電極部１８と検出用バンプ接合部２１の間の電気的な導通を完全に切断し、検出用バンプ接合部２１の破断面同士の接触によって電気的に導通することを防止する効果が得られる。すなわち、破断が生じた後に接触が残ることにより、破断を適切に検出できないことを回避可能となる。
【００２３】
このような設計では、検出用バンプ接合部２１は、バンプ接合部２０に比べ低寿命となり、バンプ接合部２０が破断する前に検出用バンプ接合部２１の破断が検出される。すなわち、検出部４２が電気抵抗値の測定によって検出用バンプ接合部２１の破断を検出することにより、バンプ接合部２０の破断を事前に予測することができる。
【００２４】
電極部１７と検出用バンプ接合部２１との間と、電極部１８と検出用バンプ接合部２１との間の接続面積によって、破断検出の時期を調節することが可能である。両者の面積は等しくてもよいし異なっていてもよい。両者の面積が異なる場合には、面積が小さい方で破断が生じやすくなる。この場合、電極部１７と電極部１８のうち、いずれか一方と検出用バンプ接合部２１との接続が破断すれば、もう一方は接続が破断していなくても破断が検出される。このため、電子部品１１と検出用バンプ接合部２１と回路基板１４が機械的には接続された状態で、破断を検出することができる。
【００２５】
（第１の実施形態の変形例１）
次に、第１の実施形態の変形例１について説明する。図５は、第１の実施形態の変形例１の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図６は、第１の実施形態の変形例１のパッド１６−２の形状を示す図である。なお、本変形例の説明では、第１の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００２６】
図５と図６に示すように、本変形例の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、絶縁部１９の形状が異なる。本変形例では、絶縁部１９は、電極部１７と電極部１８の間のライン状の絶縁部１９ａと、電極部１７および電極部１８と絶縁部１９ａの上の中央に円形状に形成された絶縁部１９ｂとから構成される。
【００２７】
本変形例では、絶縁部１９ｂを形成したことで、いずれの方向でも検出用バンプ接合部２１の外縁から絶縁部１９ｂまでの距離が短くなる。このため、パッド１６−２の配置方向に関わらず、破断の検出を早める効果がある。
【００２８】
（第１の実施形態の変形例２）
次に、第１の実施形態の変形例２について説明する。図７は、第１の実施形態の変形例２の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図８は、第１の実施形態の変形例２のパッド１６−３の形状を示す図である。なお、この変形例の説明では、第１の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００２９】
図７と図８に示すように、本変形例の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、回路基板１４上の電極部１７−３、１８−３と絶縁部１９−３の形状が異なる。本変形例では、電極部１７−３と電極部１８−３が、同心円を２つに分割した形状になっている。電極部１７−３および電極部１８−３は、例えば１つの電極からライン状切欠部とその中央に円形状の切欠部を設けることで形成することができる。本変形例では、電極部１７−３と電極部１８−３との間に、円形から電極の外縁までラインが延びた形状の絶縁部１９−３が形成される。
【００３０】
本変形例では、電極部１７−３および電極部１８−３の中央部に円形状の絶縁部１９−３を形成したことで、第１の実施形態の変形例１と同様にいずれの方向でも検出用バンプ接合部２１の外縁から絶縁部１９−３までの距離が短くなる。このため、パッド１６−３の配置方向に関わらず、破断の検出を早める効果がある。また、第１の実施形態の変形例１に比べ、パッド１６−３の凹凸が小さいため、検出用バンプ接合部２１が形成されやすくなる。
【００３１】
（第１の実施形態の変形例３）
次に、第１の実施形態の変形例３について説明する。図９は、第１の実施形態の変形例３の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図１０は、第１の実施形態の変形例３のパッド１６−４の形状を示す図である。なお、この変形例の説明では、第１の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００３２】
図９と図１０に示すように、本変形例の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、検出用バンプ接合部２１と接続している回路基板１４上の電極部と絶縁部の形状が異なる。本変形例のパッド１６−４は、電極部１７−４、１８−４、２３、２４、２５、２６と、各電極部間に形成された絶縁部１９−４とから形成されている。
【００３３】
本変形例では、６つの電極部が形成され、それぞれ配線２２ａ、２２ｂ、２２ｃのいずれかに接続されているため、電気特性値を測定するための３つの接続経路を形成することができる。したがって、検出用バンプ接合部２１について３段階の破断検出が可能になり、より精度よくバンプ接合部２０の破断を事前に検出できる。なお、配線２２ａ、２２ｂ、２２ｃはすべて備える必要はなく、少なくとも１つの配線２２を備えていればよい。また、配線２２は、隣接する電極部間を接続する必要はなく、任意の２つの電極部間を接続するように構成してもよい。
【００３４】
（第１の実施形態の変形例４）
次に、第１の実施形態の変形例４について説明する。図１１は、第１の実施形態の変形例４の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図１２は、第１の実施形態の変形例４のパッド１６−５の形状を示す図である。なお、この変形例の説明では、第１の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００３５】
図１１と図１２に示すように、本変形例の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、電子部品側パッド１３と回路基板１４上のパッド１６−５の大きさが工夫されている。本変形例では、回路基板１４上のパッド１６−５と検出用バンプ接合部２１が接続する部分の直径が、電子部品側パッド１３と検出用バンプ接合部２１の接続する部分の直径より小さい。すなわち、パッド１６−５と検出用バンプ接合部２１との接合面積が、電子部品側パッド１３と検出用バンプ接合部２１との接合面積より小さい。
【００３６】
このような設計では、回路基板１４上のパッド１６−５および検出用バンプ接合部２１の界面近傍の方が、電子部品側パッド１３および検出用バンプ接合部２１の界面近傍より、応力が厳しくなる。このため、回路基板１４上のパッド１６−５および検出用バンプ接合部２１の界面近傍で検出用バンプ接合部２１が破断する。
【００３７】
電子部品側パッド１３と検出用バンプ接合部２１の接続が破断した場合は、回路基板１４上の電極部１７、１８と検出用バンプ接合部２１とが電気的に接続する。このため、検出部４２によって検出用バンプ接合部２１の破断が検出されなくなる。しかし、本変形例ではこのような場合を回避することができるため、より精度よくバンプ接合部２０の破断を事前に検出できる。
【００３８】
（第１の実施形態の変形例５）
これまでは、検出用バンプ接合部２１と接触する領域（接触領域）のうち、接触領域の中心を含む領域に絶縁部が形成される例を説明したが、絶縁部は、接触領域の中心を含む領域に形成される必要はない。図１３は、第１の実施形態の変形例５のパッド１６−６の形状を示す図である。
【００３９】
図１３に示すように、本変形例の電子機器は、電極部１７と電極部１８とを絶縁する絶縁部１９が、接触領域の中心を含まない領域に形成されている。このような構成では、電極部１７の面積が電極部１８の面積より小さいため、電極部１７で破断が生じやすくなる。これにより、電子部品１１と検出用バンプ接合部２１と回路基板１４とが機械的に接続された状態であっても、破断を検出することができる。
【００４０】
なお、絶縁部が形成されたパッド（パッド１６、１６−２、１６−３、１６−４、１６−５）の形状は一例であり、複数の電極（例えば電極部１７、１８）、および、複数の電極を互いに絶縁する絶縁部が形成されるものであればあらゆる形状を適用できる。このような形状により、き裂が中央に達しなくても電気的に破断し、検出用バンプ接合部２１の破断をより早期に検出可能となる。すなわち、第１の実施形態にかかる電子機器では、回路基板と電子部品との接合部の破断を精度よく事前に検出することができる。
【００４１】
また、これまでは絶縁部を形成したパッドを回路基板１４上に形成する例を説明した。絶縁部を形成するパッドを電子部品１１上に形成してもよいし、絶縁部を形成するパッドを回路基板１４および電子部品１１の両方に形成してもよい。
【００４２】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図１４は、第２の実施形態の電子機器における電子部品の検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図１５は、検出用バンプ接合部のパッドの形状を示す図である。
【００４３】
本実施形態は、図１に示す第１の実施形態の電子機器と同様の構造を具備している。第２の実施形態では、第１の実施形態と異なる箇所について説明する。
【００４４】
図１４と図１５に示すように、第２の実施形態の電子機器は、第１の実施形態の電子機器と比較して、検出用バンプ接合部２１と接続している回路基板１４上のパッド２１６の形状が異なる。本実施形態では、図１４と図１５に示すように、パッド２１６は、円形状に形成された電極部２７と、電極部２７上の中央部に形成された、電極部２７より直径が小さい円形状の絶縁部２１９とから形成されている。なお、絶縁部２１９は、電極部２７の中央部（中心を含む領域）に形成される必要はなく、破断せずに残ると予想される部分に形成されていればよい。
【００４５】
本実施形態では、パッド１５と電極部２７が、回路基板１４に形成された配線２２２に電気的に接続され、電子部品側パッド１２、１３が、電子部品１１に形成された配線２８に電気的に接続されている。本実施形態では、パッド１５、バンプ接合部２０、電子部品側パッド１２、配線２８、電子部品側パッド１３、検出用バンプ接合部２１、電極部２７、配線２２２の順に導電する接続経路に、検出部４２が接続される。
【００４６】
本実施形態では、回路基板１４と電子部品１１の両方で電気特性値を測定するための配線を形成することが可能であれば、電極部２７が複数の電極部から形成されている必要がないため、従来の部品の形状を変更することなく適用でき、実装が容易である。また、電子部品側パッド１３近傍で、検出用バンプ接合部２１が破断した場合にも、検出部４２により破断を検出することができるため、より精度が向上する。
【００４７】
（第２の実施形態の変形例１）
次に、第２の実施形態の変形例１について説明する。図１６は、第２の実施形態の変形例１の電子機器における検出用バンプ接合部周辺の断面図である。図１７は、第２の実施形態の変形例１の電子部品側パッドの形状を示す図である。なお、この変形例の説明では、第２の実施形態の電子機器と異なる箇所について説明する。
【００４８】
図１６および図１７に示すように、本変形例では、第２の実施形態の電子機器と比較して、検出用バンプ接合部２１の電子部品側パッド２１３は、電極部２９と、電極部２９上の中央部に形成された、電極部２９の直径より小さい円形状の絶縁部３０とから形成されている。
【００４９】
本変形例では、回路基板１４上および電子部品１１上の両方のパッドに絶縁部が形成されていることになる。したがって、電子部品側パッド２１３近傍と回路基板１４上のパッド２１６近傍のいずれでき裂が発生した場合でも、検出用バンプ接合部２１の破断検出を早める効果があり、バンプ接合部２０の破断を事前に予測することができる。
【００５０】
以上説明したとおり、第１から第２の実施形態によれば、回路基板と電子部品との接合部の破断を精度よく事前に検出することができる。
【００５１】
なお、本実施形態は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成することができる。例えば、実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。
【符号の説明】
【００５２】
１１ 電子部品
１２、１３ 電子部品側パッド
１４ 回路基板
１５、１６ パッド
１７、１８ 電極部
１９ 絶縁部
２０ バンプ接合部
２１ 検出用バンプ接合部
２２ 配線
４１ チップ
４２ 検出部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
電子部品と、
前記回路基板上に形成された第１パッドと、
前記電子部品上に形成された第２パッドと、
前記第１パッドと前記第２パッドとを接合する接合部と、
前記第１パッドおよび前記第２のパッドの少なくとも一方と、前記接合部とを含む接続経路の電気特性を検出する検出部と、を備え、
前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、前記接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成され、
前記第１パッドと前記接合部との接触領域および前記第２パッドと前記接合部との接触領域の両方に前記絶縁部が形成されている場合は、２つの接触領域のうち一方の直径は他方の直径より小さく、
前記第１パッドと前記接合部との接触領域および前記第２パッドと前記接合部との接触領域の一方に前記絶縁部が形成されている場合は、前記絶縁部が形成されている接触領域の直径は、前記絶縁部が形成されていない接触領域の直径より小さいこと、
を特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、前記接触領域の一部に絶縁部が形成され、前記絶縁部により互いに絶縁される複数の電極を備え、
前記検出部は、複数の前記電極のうち、少なくとも２つの電極を含む前記接続経路の電気特性に基づいて前記接合部の破断を検出すること、
を特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、１の電極を備え、前記電極の前記接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記検出部は、前記電気特性に基づいて前記接合部の破断を検出すること、
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項５】
前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、前記接触領域のうち、前記接触領域の中心を含む領域に前記絶縁部が形成されていること、
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項６】
前記絶縁部の熱膨張係数は、前記接合部の熱膨張係数と異なること、
を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項７】
前記接合部は、はんだバンプであること、
を特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項８】
前記第１パッドは、前記回路基板上に複数形成され、
複数の前記第１パッドのうち、前記電子部品の周縁部に対向する前記第１パッドの少なくとも一部は、前記接触領域の一部に絶縁部が形成されていること、
を特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項９】
前記第２パッドは、前記電子部品上に複数形成され、
複数の前記第２パッドのうち、前記電子部品の周縁部に形成された前記第２パッドの少なくとも一部は、前記接触領域の一部に絶縁部が形成されていること、
を特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項１０】
前記絶縁部は、ソルダーレジストにより被覆されていること、
を特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項１】
回路基板と、
電子部品と、
前記回路基板上に形成された第１パッドと、
前記電子部品上に形成された第２パッドと、
前記第１パッドと前記第２パッドとを接合する接合部と、
前記第１パッドおよび前記第２のパッドの少なくとも一方と、前記接合部とを含む接続経路の電気特性を検出する検出部と、を備え、
前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、前記接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成され、
前記第１パッドと前記接合部との接触領域および前記第２パッドと前記接合部との接触領域の両方に前記絶縁部が形成されている場合は、２つの接触領域のうち一方の直径は他方の直径より小さく、
前記第１パッドと前記接合部との接触領域および前記第２パッドと前記接合部との接触領域の一方に前記絶縁部が形成されている場合は、前記絶縁部が形成されている接触領域の直径は、前記絶縁部が形成されていない接触領域の直径より小さいこと、
を特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、前記接触領域の一部に絶縁部が形成され、前記絶縁部により互いに絶縁される複数の電極を備え、
前記検出部は、複数の前記電極のうち、少なくとも２つの電極を含む前記接続経路の電気特性に基づいて前記接合部の破断を検出すること、
を特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、１の電極を備え、前記電極の前記接合部との接触領域の一部に絶縁部が形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記検出部は、前記電気特性に基づいて前記接合部の破断を検出すること、
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項５】
前記第１パッドおよび前記第２パッドの少なくとも一方は、前記接触領域のうち、前記接触領域の中心を含む領域に前記絶縁部が形成されていること、
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項６】
前記絶縁部の熱膨張係数は、前記接合部の熱膨張係数と異なること、
を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項７】
前記接合部は、はんだバンプであること、
を特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項８】
前記第１パッドは、前記回路基板上に複数形成され、
複数の前記第１パッドのうち、前記電子部品の周縁部に対向する前記第１パッドの少なくとも一部は、前記接触領域の一部に絶縁部が形成されていること、
を特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項９】
前記第２パッドは、前記電子部品上に複数形成され、
複数の前記第２パッドのうち、前記電子部品の周縁部に形成された前記第２パッドの少なくとも一部は、前記接触領域の一部に絶縁部が形成されていること、
を特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の電子機器。
【請求項１０】
前記絶縁部は、ソルダーレジストにより被覆されていること、
を特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−１０２２３１（Ｐ２０１３−１０２２３１Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１３−３１０１７（Ｐ２０１３−３１０１７）
【出願日】平成２５年２月２０日（２０１３．２．２０）
【分割の表示】特願２０１０−１９１７６６（Ｐ２０１０−１９１７６６）の分割
【原出願日】平成２２年８月３０日（２０１０．８．３０）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２５年２月２０日（２０１３．２．２０）
【分割の表示】特願２０１０−１９１７６６（Ｐ２０１０−１９１７６６）の分割
【原出願日】平成２２年８月３０日（２０１０．８．３０）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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