電子装置製造装置
【課題】耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金部材７４を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材７４の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜７３で覆われ、かつ該陽極酸化膜７３はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜７２で覆われ、前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。
【解決手段】Ａｌ合金部材７４を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材７４の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜７３で覆われ、かつ該陽極酸化膜７３はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜７２で覆われ、前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軽量で機械的強度の優れたＡｌ（アルミニウム）合金部材を用いた電子装置製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、フラットディスプレイパネル、その他の各種電子装置の製造装置は、通常はステンレススチールで構成されているが、例えば大型ディスプレイを製造するために大型の基板（２．８８ｍ×３．０８ｍ）を処理する装置になると、重量が大きくなりすぎるため、軽量の金属例えばＡｌ合金を使うことが検討されている。しかしながら上記のような大型基板用の製造装置では自重によってＡｌ合金が変形してしまい、気密を維持するためのＯリングなどが作用しなくなってしまう。したがって、強度の優れたＡｌ合金が求められている。
【０００３】
一方、各種電子装置の製造装置はその内面が腐食性の薬液や腐食性のガス、プラズマ等にさらされることから、Ａｌ合金で構成したとしてもその内面は強固な不動態保護膜で覆われている必要がある。したがって、強度が優れかつ表面が強固な不動態保護膜で覆われることのできるＡｌ合金が特に求められている。
【０００４】
機械的強度を上げかつ強固な不動態保護膜で表面を覆うことができるＡｌ合金として、例えば特許文献１（特開平９−１７６７７２号公報）に示すものが知られている。しかし、最近の大型製造装置に適用するにはこの特許文献１に開示の材料では強度が不十分であるし、またこの特許文献１に開示されたフッ化不動態膜はガスに対して透過性を有し、各種腐食性ガス・プラズマには不十分である。
【０００５】
ＭｇおよびＺｒを添加したＡｌ合金を用い、その表面を非水溶液にて陽極酸化して不動態保護膜を得ることも本発明者等は提案している（特許文献２:国際公開第ＷＯ２００６／１３４７３７号パンフレット）が、最近の大型製造装置に適用するにはこの特許文献２に開示の材料では強度が不十分であるし、またこの特許文献２に開示された陽極酸化膜は、フッ酸等の腐食性液体にエッチングされてしまい、耐腐食性が不十分である。
【０００６】
特許文献３（特開平１−２７２７３９号公報）には、発色性元素を添加含有した発色用アルミニウム合金が記載されている。しかしながら、特許文献３（特開平１−２７２７３９号公報）には、アルミニウム合金の硬度を高くする元素のみを添加含有させた不可避不純物含有量の極端に小さい高純度Ａｌ合金は開示がなく、該高純度Ａｌ合金でビッカース硬度で３０より大きい高硬度部材を得ることも開示がない。特許文献３（特開平１−２７２７３９号公報）に実施例として示された、第１表の試料Ｎｏ．８のアルミニウム合金は、発色性元素として、Ｃｅ、Ｍｇ、及びＺｒのみならずＺｎを４．９０ｗｔ％含んでいる。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１７６７７２号公報
【特許文献２】国際公開第ＷＯ２００６／１３４７３７号パンフレット
【特許文献３】特開平１−２７２７３９号公報
【特許文献４】特開２００５−２９８９３号公報
【特許文献５】特開２００４−１４９９２７号公報
【特許文献６】国際公開第ＷＯ２００６／１３７３８４号パンフレット
【特許文献７】特開２００７−８８３９８号公報
【特許文献８】特開２００７−２８７８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の目的は、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による電子装置製造装置は、以下のとおりである。
【００１０】
（１） Ａｌ合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われ、前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。
【００１１】
（２） Ａｌ合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で１５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であり、前記Ａｌ合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われていることを特徴とする電子装置製造装置。
【００１２】
（３） 前記Ａｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で１５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であることを特徴とする上記（２）に記載の電子装置製造装置。
【００１３】
（４） 前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする上記（２）又は（３）に記載の電子装置製造装置。
【００１４】
（５） 前記陽極酸化膜の厚さが０．０１μｍ〜０．６μｍであることを特徴とする上記（２）〜（４）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１５】
（６） 前記陽極酸化膜が非晶質のＡｌ２Ｏ３膜であることを特徴とする上記（１）〜（５）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１６】
（７） 前記フロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜の厚さが０.０１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする上記（１）〜（６）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１７】
（８） 前記容器は、ウエットプロセス用の容器であり、該容器は、プロセス実施中に内部空間が大気を遮断するように密閉される構成を有することを特徴とする上記（１）〜（７）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１８】
（９） 前記容器に薬液又は純水を供給するための樹脂配管を更に含み、前記樹脂配管は酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする上記（１）〜（８）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１９】
（１０） 前記樹脂配管の酸素透過係数が２×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする上記（９）に記載の電子装置製造装置。
【００２０】
（１１） 前記樹脂配管は、内面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、外面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、中間にナイロンで形成された層を有することを特徴とする上記（９）に記載の電子装置製造装置。
【００２１】
本願でいう「非水溶媒による陽極酸化」とは、特許文献２に開示された陽極酸化をいい、本願での「非水溶媒による陽極酸化膜」とは、「非水溶媒による陽極酸化」を行って得られた無孔質の陽極酸化膜であって、耐腐食性に優れ使用中に水分放出量の少ない等の特性を有する無孔質の陽極酸化膜である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２４】
本発明の一実施形態による電子装置製造装置（例えば、大気遮断密閉型洗浄装置）の少なくとも一部（容器構造体）に用いられる、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材について説明する。耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材は、非水溶媒を用いた陽極酸化による無孔質のＡｌ２Ｏ３保護膜を有するＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金である。
【００２５】
なお、以下の実施形態では、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材として、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜を有するＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金を説明するが、本発明では、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材は、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜を有するＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金に限定されず、たとえば、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜（例えば、非晶質のＡｌ２Ｏ３膜）を有するＣｅを含まないＡｌ−Ｍｇ−Ｚｒ合金を用いてもよい。耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材として、たとえば、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜（例えば、非晶質のＡｌ２Ｏ３膜）を有する上述のＣｅを含まないＡｌ−Ｍｇ−Ｚｒ合金を用いても、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜を有するＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金を用いた場合と同様の効果が得られる。
【００２６】
図１を参照すると、上記大気遮断密閉型洗浄装置において容器構造体として使用されるＣｅを添加したＡｌ合金(４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ)のビッカース硬度が示されている。Ｍｇ添加量が４．５％である４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルの上方にプロットされた４個のＣｅ添加−４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルは、４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌサンプルに、Ｃｅを質量％で１％、５％、１０％、および１５％添加したサンプルである。これら４個のＣｅ添加−４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルは、Ｍｇ添加量が４．５％である４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルよりもビッカース硬度が向上していることが分かる。
【００２７】
図２を参照すると、４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルに対して添加したＣｅ濃度（質量％）とビッカース硬度との関係と、４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルに対して添加したＣｅ濃度（質量％）とビッカース硬度の増加率（％）との関係とが示されている。図２から明らかなように、Ｃｅ元素を１５．０％程度まで添加することで、ビッカース硬度は６８を超え、１０５程度まで向上することが分かる。Ｃｅを添加していない４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金と比較して、例えば５％のＣｅを添加した５％Ｃｅ−４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金は３０％強の硬度増加が認められる。洗浄装置の容器構造体を製作する場合、容器肉厚を３０％ほど薄くすることが可能となり、軽量化を図ることが可能となる。
【００２８】
Ｚｒを０．１５％程度以下添加することにより、３５０℃程度の熱処理を行っても粒成長が抑えられ機械的強度が保たれる効果がある。陽極酸化処理後の熱処理を、例えば２０％Ｏ２／Ｎ２雰囲気下にて３００℃，１時間で行うアニールプロセスにおいても容器構造体の強度低下を抑制することが可能となる。
【００２９】
図３を参照すると、Ｃｅを１％、３％、５％添加した４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金を非水溶媒による陽極酸化処理したサンプルを１００％Ｃｌ２，０．３ＭＰａの圧力にて封入して２００℃で６時間曝露した後の重量減少率が示されている。Ｃｅを５％以下添加し非水溶媒による陽極酸化処理することにより、Ｃｌ２ガスに対する耐食性が劇的に向上することが確認された。
【００３０】
ここで、上記大気遮断密閉型洗浄装置において容器構造体として使用されるＣｅを添加したＡｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で１５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であるＡｌ−Ｍｇ−Ｚｒ−Ｃｅ合金であればよい。
【００３１】
Ａｌ合金部材は、好ましくは、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であればよい。
【００３２】
Ｃｅを１５．０％以下、好ましくは、５．０％以下添加した上記Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｒ−Ｃｅ合金に、非水溶媒による陽極酸化処理することにより、Ｃｌ２ガスに対する耐食性が図３に示された例と同様に劇的に向上する。
【００３３】
本発明では、容器構造体である上記Ａｌ合金部材の内表面にはフッ素樹脂コーティング処理を施すが、この際、上記Ａｌ合金部材の内表面に、直接、フッ素樹脂コーティング処理を施すと以下の問題が生じる。フッ素樹脂はガス透過性があることで知られている。例えばＨＣｌ蒸気やＨＦ蒸気が洗浄薬液から発生した場合に、フッ素樹脂コーティング膜を透過してＡｌ合金部材の内表面に到達することになる。
【００３４】
そこで、本発明では、Ａｌ合金部材の内表面にフッ素樹脂コーティング処理を施す前に、Ａｌ合金部材の内表面に上述の非水溶媒による陽極酸化膜を施すことにより、このようなガス透過によるＡｌ合金表面の腐食や、腐食により発生するガス成分がフッ素樹脂コートを剥離させてしまうことを抑制する効果がある。容器構造体内表面からの金属汚染やパーティクル汚染を低減する。
【００３５】
具体的には、非水溶媒による陽極酸化膜は、以下のように形成する。上述のようにして得たＣｅ添加Ａｌ合金部材の表面に、非水溶媒(non-aqueous solvent)を用いた陽極酸化により、陽極酸化皮膜として非晶質のＡｌ２Ｏ３膜を０．０１μｍ〜０．６μｍ程度設ける。用いた非水溶液は、エチレングリコール又はジエチレングリコールを非水溶媒として含み、純水及びアジピン酸を溶質として含むものである。陽極酸化皮膜の厚さが０．０１μｍ未満では効果が少なく、０．６μｍを超えても顕著な効果が得られず経済的に不利となる。
【００３６】
次にフッ素樹脂コーティング膜としてフロロカーボン被膜を形成する方法を説明する。
【００３７】
まず第１のフロロカーボン被膜形成方法を説明する。
【００３８】
この第１のフロロカーボン被膜形成方法は、基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）表面に有機物を付着させた後、フッ化ガスを流して基材表面にフロロカーボン被膜を形成するものである。
【００３９】
図４を参照してこの方法を説明するが、本発明において用いるフロロカーボン被膜形成法は、この手法に限定されない。なお、この方法は、特開２００５−２９８９３号公報（特許文献４）に記載のフロロカーボン被膜形成法を、非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金に対して応用したものである。
【００４０】
付着させる有機モノマーとしてエチルヘキシルメタクリレート(以下、ＨＥＭＡと略す)を、開始剤として2,2-アゾビスイソブチロニトリル(以下、ＡＩＢＮと略す)を用いて、図４に示す装置を用いてフロロカーボン被膜を形成した。ステンレス配管である反応容器６の中には、非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金7を配置した。
【００４１】
配管１ａより１２０℃に加熱した充填容器２ａ内の有機モノマー(ＨＥＭＡ)３ａ内に窒素ガスを通す。また同時に配管１ｂより７０℃に加熱した充填容器２ｂ内の開始剤(ＡＩＢＮ)３ｂに窒素ガスを通す。窒素ガスは、有機モノマー３ａのガスを含んで反応容器６内に導入されると同時に、開始剤３ｂのガスを含んで反応容器６内に導入される。このようにして有機モノマーガスと、開始剤ガスを同時に反応容器６内のＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金７に３０℃で６時間付着させた。その後、反応容器６を密閉状態にし、９０℃に加熱して１６８時間重合をおこなった。１６８時間経過後、反応容器６を室温まで冷却させ、反応容器６に大気を導入し、重合を停止させた。さらにその後、反応容器６内を窒素ガスで置換し、配管５から反応容器６に２０％Ｆ２を２００ｍｌ／ｍｉｎで供給し、１０℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温して４５分反応させた。
【００４２】
上記のようにして、ＡｌＭｇＣｅＺｒ合金７のＡｌ２Ｏ３膜上に重合フロロカーボン被膜を形成した後、ＡｌＭｇＣｅＺｒ合金７を取り出しＸ線光電子分析装置（ＸＰＳ）により分析を行った。結果を図５に示す。
【００４３】
図５に示すように、分析の結果、Ｃ原子に関して、Ｃ−Ｆ２およびＣ−Ｆ３結合が確認できることから重合フロロカーボン被膜が形成されていることが確認された。
【００４４】
さらに、得られた重合フロロカーボン被膜の薬品耐性を確認するために５ｗｔ％フッ酸−過酸化水素水混合液に２４時間浸漬した。浸漬前後のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）像を図６に示す。浸漬前後でＳＥＭ像に変化が見られないことから、フッ酸−過酸化水素水混合液に対しても耐食性があることが確認できた。
【００４５】
次に、第２のフロロカーボン被膜形成方法を説明する。
【００４６】
この第２のフロロカーボン被膜形成方法は、基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）のＡｌ２Ｏ３膜上にまずカーボン層を形成し、その上にフロロカーボン層を形成するものである。なお、この第２のフロロカーボン被膜形成方法は、特開２００４−１４９９２７号公報（特許文献５）に記載のフロロカーボン被膜形成法を、非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金に対して応用したものである。即ち、基材のＡｌ２Ｏ３膜上に直接カーボン層が形成されており、そしてその上にフロロカーボン層が形成されているため、十分な耐食性を有していると同時に、安易に形成しうる利点がある。即ち、カーボン層を形成する工程に於いてフッ化ニッケル膜をＡｌ２Ｏ３膜上に残存させる必要がないという特徴が生ずる。この際のフロロカーボン層の厚みは０．０１μｍ〜１０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜０．２μｍである。又カーボン層は０．００１μｍ〜１μｍ、好ましくは０．１μｍ〜０．５μｍの厚みを有する。
【００４７】
次に、第３のフロロカーボン被膜形成方法を説明する。
【００４８】
この第３のフロロカーボン被膜形成方法は、基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）のＡｌ２Ｏ３膜上に、フロロカーボン被膜としてＣＦｘ膜をＣ５Ｆ８ガスをアルゴン（Ａｒ）プラズマによって分解してＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)形成している。
【００４９】
さらに、ＣＦｘ膜の成膜後又はＣＦｘ膜のアニール後、ＡｒガスによるプラズマにＮ２ガスを導入して生成した窒素ラジカルによってＣＦｘ膜の表面をチッ化して、ＣＦｘ膜からの脱ガスを低減している。これによって、膜剥がれをなくし、誘電率を１．７〜２．２の範囲で制御可能としている。
【００５０】
なお、この第３のフロロカーボン被膜形成方法は、国際公開第ＷＯ２００６／１３７３８４号パンフレット（特許文献６）に記載のフロロカーボン被膜形成法を、非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金に対して応用したものである。
【００５１】
図７はフロロカーボン被膜の形成に用いるプラズマ処理装置を示す概略断面図である。図８は図７のプラズマ処理装置におけるＡｒプラズマ、Ｋｒプラズマ、Ｘｅプラズマのシャワープレートと電極との間の距離（ｚ）と、電子密度（ｅｖ）との関係を示す図である。
【００５２】
図７を参照すると、マイクロ波は、プラズマ処理装置１０２の上部に絶縁体板を介して設置されたラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）２１からその下の絶縁体板とシャワープレート２３とを透過して、プラズマ発生領域に放射される。ＸｅガスまたはＡｒガスをガス導入管１３を介して上段シャワープレート２３からプラズマ発生領域に均一に吹き出させ、そこに放射されるマイクロ波によってプラズマが励起される。
【００５３】
マイクロ波励起プラズマ処理装置の拡散プラズマ領域に下段シャワープレート２２が設置されている。
【００５４】
ここで、上段シャワープレート２３からＫｒ、Ｘｅ、またはＡｒガスを、下段シャワープレート２２からＣｘＦｙ（Ｃ５Ｆ８，Ｃ４Ｆ８等）ガスを流せば、基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）１４のＡｌ２Ｏ３膜上に、フロロカーボン膜の形成ができる。
【００５５】
酸化または窒化処理のためには、酸素ガスまたはＮ２／Ｈ２またはＮＨ３ガスを、酸窒化プロセスの場合はＯ２／ＮＨ３またはＯ２／Ｎ２Ｏ、Ｏ２／ＮＯガス等の酸化性ガスと窒化性ガスの混合ガスを上段シャワープレート２３から流せばよい。
【００５６】
被処理物の基材１４は処理室２４内でプラズマが拡散されて直接照射する場所に設置され、プラズマにより励起された酸素ラジカル等により酸化される。このとき被処理物は、処理室２４内でもプラズマが励起される空間ではなくプラズマが拡散されている空間に設置されることが望ましい。
【００５７】
また、処理室２４内の排ガスは、図示しない排気ポートを介して、排気ダクト内を通り、小型ポンプへのいずれかの流入口から、小型ポンプへと夫々導かれる。
【００５８】
図８に示すように、シャワープレートと電極間の距離（ｚ）が３０ｍｍ以上になると電子密度は略一定となり、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅの順で電子密度が低くなる。
【００５９】
以上、いずれの場合も、Ａｒに比べＫｒ、Ｘｅガスは電子密度が低いところで電子との衝突断面積か小さくイオン化エネルギーも小さいため、Ｘｅ（またはＫｒ）ガスにマイクロ波が照射されるとプラズマの電子密度が低くなり、成膜中での形成された各種膜へのダメージを抑制できるし、Ｃ５Ｆ８ガスのエッチング作用を抑制することができる。
【００６０】
図９を参照すると、脱ガス測定システム１０３は、脱ガス測定装置３０と、光イオン測定装置とを備えている。
【００６１】
光イオン測定装置の加熱炉４０の内部にサンプル(非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金のＡｌ２Ｏ３膜上にＣＦｘ膜を形成したもの)４６が配置されている。加熱炉４０には、キャリアーガスとしてＡｒが矢印４５に示すように、マスフローコントローラー４４によって１００ｓｃｃｍの流量に調整されて導入配管４７を介して、加熱炉４０に導入される。
【００６２】
加熱炉４０には、加熱用ヒータ４１と、光イオン検出器４２が設けられている。サンプル４６から遊離したガスは、バルブ５３が設けられた配管４８を介して脱ガス測定装置３０の内部に導入される。なお、配管４８には、排気のためにバルブ５１を設けた排気管５２が分岐している。
【００６３】
脱ガス測定装置３０には、放電電極３２に設けられている。また、脱ガス測定装置３０内部のガスは、真空ポンプ３７ａ，３７ｂが夫々設けられた配管３６ａ，３６ｂに接続されており、この配管３６ａ，３６ｂは合流して排気管３８となり、矢印３９に示されるように、排気される。一方、脱ガス測定装置３０内部及びこれに隣接した放電電極３２が設けられた部分には、それぞれ配管３４及び３５が設けられ、配管３４は、可変容量制御弁６１及びマスフローメータ６２ａを介して、矢印６３に示すように、流量６００ｓｃｃｍで排気されている。一方、配管３５はマスフローメータ６２ｂを介して、矢印６４に示すように流量５５０ｓｃｃｍで排気され、２つの配管３４，３５は合流して配管６５となり、矢印６６に示すように、排気される。
【００６４】
脱ガス測定装置３０の配管３４とは長さ方向に同じ部位の異なる外周の位置にＡｒガスを矢印５９で示すように、１ＳＬＭで導入するためのマスフローコントローラ５８が設けられた配管３３が接続されている。また、配管４８の排気用配管５２よりもさらに下流側にバルブ５３が設けられ、さらに下流側に希釈のためのＡｒガスを５００ｓｃｃｍで導入するためにマスフローコントローラ５７が設けられた配管５６がバルブ５４を介して接続されている。配管４８は、脱ガス測定装置３０の排気用の配管３５が設けられた部位と長さ方向の同じ位置で、外周方向の異なる位置に接続されている。
【００６５】
次に、図７に示す装置を用いたＣＦｘ膜の成膜プロセスについて補足説明する。
【００６６】
非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金のＡｌ２Ｏ３膜上に、反応ガスとしてフルオロカーボンガスを用いたＡｒプラズマによって、厚さ０．０１μｍ〜１０μｍのＣＦｘ膜を成膜する。
【００６７】
ここで、反応ガスのフルオロカーボンガスとしては、一般式ＣｎＦ２ｎ（但し、ｎは２〜８の整数）もしくは、ＣｎＦ２ｎ−２（ｎは２〜８の整数）で示される不飽和脂肪族フッ化物を用いることができるが、オクタフルオロペンチン、オクタフルオロベンタジエン、オクタフルオロシクロペンテン、オクタフルオロメチルブタジエン、オクタフルオロメチルブチン、フルオロシクロプロペンもしくはフルオロシクロプロパンを含むフッ化炭素、フルオロシクロブテンもしくはフルオロシクロブタンを含むフッ化炭素等の一般式Ｃ５Ｈ８で示されるフルオロカーボンが好ましい。
【００６８】
Ａｒガスのプラズマによって成膜するとＣＦｘ膜の誘電率が低くなるので、これによって、ＣＦｘ膜の誘電率を１．７〜２．２という低さにすることを可能にしている。
【００６９】
ＣＦｘ膜を成膜した後、チャンバー内において水素と酸素の混合ガスでプラズマを発生させ、前記チャンバー内壁のクリーニングを行うことができる。
【００７０】
さらに、成膜後あるいはアニール後に、Ａｒ／Ｎ２プラズマによって、ＣＦｘ膜の表面窒化を行う。これによって、ＣＦｘ膜からの脱ガスを低減可能である。
【００７１】
好ましくは、成膜後にアニールを行う。アニールは基板を大気に晒すことなく、そのままプラズマチャンバー内でおこなってもよく、別のアニール処理装置で行っても良い。いずれの場合も、雰囲気は不活性ガス雰囲気とし、圧力は大気圧でもよいが、好ましくは１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度の減圧下で行う。また、アニールの前または後で、ＣＦｘ膜をＡｒプラズマで照射するのがよい。
【００７２】
本発明は、ＡｌＭｇＺｒ合金あるいはＡｌＭｇＣｅＺｒ合金表面に、非水溶媒による陽極酸化によりＡｌ２Ｏ３膜を形成し、さらにそのＡｌ２Ｏ３膜表面にフロロカーボン被膜でコーティングした材料およびそれを用いた工業材料又は工業製品並びに、その工業材料を用いた電子装置製造装置に関するものである。本発明の一実施形態による電子装置製造装置として、大気遮断型枚葉装置を以下に説明する。
【００７３】
大気遮断型枚葉装置においてウルトラクリーンかつ完全に制御された基板処理を実現するためには、雰囲気制御のための密閉性を有する大気遮断密閉型基板処理装置が必要である。この大気遮断密閉型基板処理装置には、洗浄プロセスで使用する薬液、或いはプロセス中に発生するガスに対する耐性を有し、さらに大型基板プロセスにおいては装置の大型化に伴う装置部材の軽量化、高強度化が求められる。本発明に係る材料は、このような大気遮断密閉型基板処理装置に対する要求を十分に満たすものである。
【００７４】
大気遮断密閉型基板処理装置の一例として大気遮断密閉型洗浄装置の断面構成を図１０に示す。なお、この大気遮断密閉型洗浄装置は、本発明を特開２００７−８８３９８号公報（特許文献７）に記載の洗浄装置に応用したものである。
【００７５】
この大気遮断密閉型洗浄装置においては、装置外壁には、本発明に係る３層構造を有する図１１に示すフロロカーボン-合金複合材料を用いる。装置外壁の断面を図１１に示す。図１１において、７１は装置内部、７２はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜、７３は非水溶溶媒による陽極酸化による無孔質の陽極酸化膜（例えば、非晶質のＡl２Ｏ３保護膜）、７４は上述のＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金（或いは上述のＣｅを含まないＡｌ−Ｍｇ−Ｚｒ合金）、７５は装置外部である。なお、大気遮断密閉型洗浄装置においては、装置外壁のうち、少なくとも、内部の腐食性の液体に触れることになる部分に、図１１に示すフロロカーボン-合金複合材料を用いればよい。
【００７６】
図１０に戻って、大気遮断密閉型洗浄装置の上記以外の構成を説明する。
【００７７】
被洗浄基板７６を配置した容器７７は、外気から遮断され、容器内雰囲気は雰囲気成分計測器７８と雰囲気を制御するためのガス供給部７９およびガス排出部８０により制御されている。容器７７はウエットプロセス用の容器であり、容器７７はプロセス実施中に内部空間が大気を遮断するように密閉される構成を有する。
【００７８】
容器７７内の雰囲気制御パラメータとしては、温度、圧力、濃度など任意であるが、ウォーターマークや自然酸化膜形成抑制やシリコン表面の平坦性維持のためには酸化種である酸素の濃度制御が好適であり、雰囲気成分計測器７８としては酸素濃度計が最適である。
【００７９】
ガス供給部７９は、バルブで供給ガス量をコントロールし容器７７内に供給する手法をとる。ガスは窒素やアルゴンといった不活性ガスが好ましいが、被洗浄基板７６の種類、洗浄目的に応じてガス種は任意に選択可能である。さらに必ずしも単一ガス種である必要はなく、必要であれば混合ガスを使用してもよい。容器７７に供給されるガスは被洗浄基板７６と対向して配置したシャワープレート８１から均一、かつ層流で被洗浄基板７６表面に供給される。
【００８０】
ガス排気部８０は真空ポンプを用いる真空排気および一般排気を行うガス排気のいずれも選択できる。ただし、いずれの排気においても効率的なガス置換を行うために、ガス滞留部を削減することが好ましい。具体的な対策としては後述する回転保持機構部（８３〜８７）に空気や不活性ガスを供給する手法があるが、滞留部削減法はこれに限定されるものではない。また、流体の均一な流れを実現するために、排気口は同心円に沿って配置されることが好ましい。このような対策を取ることで、シャワープレート８１から均一、かつ層流で被洗浄基板７６表面に供給されたガスは均一な流れで薬液蒸気等をスムースに排気することが可能になる。
【００８１】
雰囲気成分計測器７８により容器７７内の雰囲気を計測し、圧力計測器８２により容器７７内の圧力を計測・監視する。
【００８２】
容器７７のほぼ中央下方から固定軸８３が挿入され、その周囲に流体軸受け８４、回転支持部材８５、駆動モータ８６が配置されている。駆動モータ８６により回転支持部材８５が回転し、それに伴い回転支持部材８５に連結したテーブル８７が回転することで被洗浄基板７６が回転する構造になっている。８３〜８７を含む部分を回転保持機構部という。その回転の際、固定軸８３と回転支持部材８５の動作を安定に、かつ円滑にするのが流体軸受け８４の役割であり、ベアリングのような流体軸受けが使用されるのが一般的である。しかしベアリングの場合、ベアリングの機械的摩擦によるパーティクルや外気の混入を防ぐことは困難であるため、流体軸受け８４としては真空装置のシールユニットに採用されている磁性流体と強力マグネットの組合せを採用した。本方式を採用すると無発塵かつシール性の高い流体軸受けが実現でき、前記の問題を克服することができる。さらにこの回転保持機構部（８３〜８７）にガス供給部７９’を介して不活性ガスを供給することで磁性流体を介した気体の拡散防止、ガス滞留部の削減に寄与することができる。
【００８３】
次に、図１０の大気遮断密閉型洗浄装置における排液分別機構について説明する。
【００８４】
洗浄プロセスでは酸/アルカリ/有機系排水あるいは濃厚/希薄排水など多様な排水が排出される。それらを分別排水できれば、排水処理量の低減や薬剤の回収利用がし易いといった効果が期待できる。
【００８５】
この大気遮断密閉型洗浄装置ではそれぞれの排水口へ所望の洗浄排水を誘導させるために、同心円状に配された複数のカップ状の誘導壁８８〜９０が配置されている。各誘導壁８８〜９０間の容器７７下部には所定の排水系に導かれた排水口が配置されている。排水口設置部には高低差をつけて排気口９１も設置されている。
【００８６】
誘導壁８８〜９０の下部には、誘導壁８８〜９０を上下運動させる駆動モーター９２〜９４がベローズ（図示せず）を介して設置されており、駆動モーターを上下させてベローズを伸縮させ、誘導壁８８〜９０を上下すれば、それぞれ所望の洗浄排水（排液）を所望の排水系に誘導できるようになっている。
【００８７】
図１０の大気遮断密閉型洗浄装置への洗浄液の供給方法についても極めて重要である。大気遮断密閉型洗浄装置へ供給される超純水や薬液、機能水といった洗浄液は洗浄装置外部の超純水・薬液供給装置（後に図示）より供給配管９５を通して大気遮断密閉型洗浄装置に供給され、その後洗浄液噴射アーム（図示せず）に沿って配置された供給配管９６を通ってノズル９７まで導かれ、被洗浄基板７６表面に供給され、洗浄に利用される。
【００８８】
大気遮断密閉型洗浄装置の雰囲気制御対策について説明してきたが、いくら洗浄装置の雰囲気の制御をしてもその洗浄装置に供給される超純水、薬液の濃度、成分、温度などの制御が不十分であれば大気遮断密閉型洗浄装置はその能力を発揮することができない。そこで、図１０の大気遮断密閉型洗浄装置の供給配管９５及び９６として、以下に説明するガス不透過配管を用いる。
【００８９】
図１２を参照して、本発明の一実施形態による上記大気遮断密閉型洗浄装置に適用される、ガス不透過配管を用いた超純水および薬液の供給方法について説明する。ここでのガス不透過配管とは、図１３に示すように、フッ素樹脂（ETFE、PTFE、FEP、PFAのいずれか）或いはPVDC（ポリ塩化ビニリデン）によって形成された内層３０１と、当該内層３０１上にナイロンによって形成された中間層３０２と、当該中間層３０２上にさらにフッ素樹脂（ETFE、PTFE、FEP、PFAのいずれか）或いはPVDCによって形成された最外層３０３とを有する配管である。
【００９０】
図１２は、半導体基板またはFPD(Flat Panel Display)基板等の基板を洗浄処理する場合の基板処理システム２００であり、この基板処理システム２００は基板処理装置として図１０の大気遮断密閉型洗浄装置に相当する洗浄室２０１を含んでいる。すなわち、この洗浄室２０１が図１０の大気遮断密閉型洗浄装置として作用する。なお、この基板処理システム２００の基本構成は、特開２００７−２８７８７６号公報（特許文献８）に記載のものと同様である。
【００９１】
基板処理装置２０１の基本構成は、処理液供給源に接続される処理液入力ポート２０２、２０３、および２０４を備え、２０２は超純水導入用の入力ポート、２０３は薬液導入用の入力ポート、２０４は機能水用の入力ポートである。それぞれのポートには、酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）２０５、２０６、及び２０７がそれぞれ接続され、樹脂配管２０５、２０６、及び２０７の各々はノズル２０８に接続される。ノズル２０８からは、樹脂配管２０５、２０６、及び２０７で輸送された超純水、薬液、及び機能水の少なくとも一つが、回転台２１０に保持された被処理基板２０９に吐出され、基板２０９表面の洗浄処理が行われる。
【００９２】
薬液・機能水・超純水供給装置２１１は、脱気装置２１２、バルブ２１５-１〜２１５-６、酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）２１７-１〜２１７-３、２１８-１〜２１８-３、２１９-１〜２１９-２を備えている。超純水は樹脂配管２１７-１から導入され、脱気装置２１２で脱気されて樹脂配管２１７-２、バルブ２１５-１を経て樹脂配管２１７-３から導出されるとともに、バルブ２１５-２を経て薬液との混合にも使われ得る。必要種類分の薬液は樹脂配管２１８-１から脱気装置２１２で脱気されてバルブ２１５-３あるいは２１５-４および樹脂配管２１８-２を経て超純水と調合される。脱気・調合された薬液はバルブ２１５-５を経て樹脂配管２１８-３から導出される。機能水は樹脂配管２１９-１、バルブ２１５-６、樹脂配管２１９-２をへて２１９-２から導出される。薬液・機能水・超純水供給装置２１１から導出された超純水、薬液、あるいは機能水は、酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）２２０、２３０、および２４０を介して、基板処理装置２０１の処理液入力ポート２０２、２０３、および２０４にそれぞれ入力され、基板処理装置２０１に超純水、薬液、機能水がそれぞれ供給される。
【００９３】
図の例において、装置２１１および２０１間の配管（装置間配管）である樹脂配管２２０、２３０、および２４０はクリーンルームエアーに曝されるが、これら装置間配管２２０、２３０、および２４０は、5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）を用いているため、脱気された超純水および／または薬液および／または機能水への酸素混入を防止し、処理装置２０１での基板処理における酸素の悪影響を極限まで防ぐことができる。
【００９４】
一方、基板処理装置２０１及び供給装置２１１は通常はクリーンルームエアーをHEPA などのフイルターを通して取り込んでいるが、その内部の樹脂配管２０５、２０６、２０７、２１７-１〜２１７-３、２１８-１〜２１８-３、２１９-１〜２１９-２も、酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）を用いているため、脱気された超純水および／または薬液および／または機能水への酸素混入を防止することができる。なお、基板処理装置２０１および供給装置２１１の片方または両方を密閉構造として窒素ガスを導入する場合には、その内部の樹脂配管は従来のものでも使用可能ではあるが、上記ガス不透過配管である樹脂配管を用いることが次の理由でより好ましい。
【００９５】
即ち、配管周りの溶解させたくない気体ガス種を減らすこと、及び、気体透過がしにくい配管を用いることで、配管を通して気体が拡散し液体内に溶解するという速度そのものが低下し、溶解量を更に低減することができる。即ち、配管がガスを溶かす速度を抑制し、さらに窒素ガス導入による雰囲気置換によって溶解するガスの存在量を減らすことによって、効果がさらに大きくなる。また、上記ガス不透過配管である樹脂配管を用いてガスの溶解速度を下げることによって、装置内雰囲気を置換するのに使用するガス量を減らし、装置の密閉度を高めなくて済み、雰囲気の管理濃度も楽にすることができる。更に、同様の観点から、装置間配管２２０、２３０、２４０を密閉体に収容して窒素ガス等を導入すれば、酸素の溶存量をさらに減らすことが出来る。
【００９６】
また、仮に配管がフッ酸等の洗浄薬液等に曝される過酷な雰囲気にあったとしても最表面にフッ素樹脂或いはPVDCを採用した上記ガス不透過配管である樹脂配管であれば最外層が薬液によって浸食されることはない。
【００９７】
また、図に示した基板処理装置２０１或いは供給装置２１１は、全ての配管を上記ガス不透過配管である樹脂配管によって形成したが、配管の一部だけを上記ガス不透過配管である樹脂配管によって形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の一実施形態による電子装置製造装置の容器構造体として用いられるＣｅを添加したＡｌ合金(４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ)及びＣｅを添加していないＡｌ合金(４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ)のビッカース硬度を示す図である。
【図２】４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルに対して添加したＣｅ濃度（質量％）とビッカース硬度との関係と、４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルに対して添加したＣｅ濃度（質量％）とビッカース硬度の増加率（％）との関係とを示す図である。
【図３】Ｃｅ添加した４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金を陽極酸化処理したサンプルを１００％Ｃｌ２，０．３ＭＰａの圧力にて封入して２００℃で６時間曝露した後の重量減少率を示す図である。
【図４】基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）表面にフロロカーボン被膜を形成する方法を説明するための図である。
【図５】上記方法にてＡｌＭｇＣｅＺｒ合金のＡｌ２Ｏ３膜上に形成された重合フロロカーボン被膜をＸ線光電子分析装置により分析した結果を示す図である。
【図６】上記重合フロロカーボン被膜の５ｗｔ％フッ酸−過酸化水素水混合液への２４時間浸漬の前後の走査型電子顕微鏡像を示す図である。
【図７】フロロカーボン被膜の別の形成方法を行うのに使用するプラズマ処理装置を示す概略断面図である。
【図８】図７のプラズマ処理装置におけるＡｒプラズマ、Ｋｒプラズマ、Ｘｅプラズマのシャワープレートと電極との間の距離（ｚ）と、電子密度（ｅｖ）との関係を示す図である。
【図９】非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金のＡｌ２Ｏ３膜上にＣＦｘ膜を形成したサンプル４６が配置されている脱ガス測定システムを示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態による電子装置製造装置の説明に用いる断面図である。
【図１１】図１０に示した装置の装置外壁の断面図である。
【図１２】本発明において用いる、ガス不透過配管を用いた超純水および薬液の供給方法を説明するための図である。
【図１３】図１２におけるガス不透過配管を説明するための図である。
【符号の説明】
【００９９】
７１ 装置内部
７２ フロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜
７３ 陽極酸化膜
７４ ＡｌＭｇＣｅＺｒ合金
７５ 装置外部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軽量で機械的強度の優れたＡｌ（アルミニウム）合金部材を用いた電子装置製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、フラットディスプレイパネル、その他の各種電子装置の製造装置は、通常はステンレススチールで構成されているが、例えば大型ディスプレイを製造するために大型の基板（２．８８ｍ×３．０８ｍ）を処理する装置になると、重量が大きくなりすぎるため、軽量の金属例えばＡｌ合金を使うことが検討されている。しかしながら上記のような大型基板用の製造装置では自重によってＡｌ合金が変形してしまい、気密を維持するためのＯリングなどが作用しなくなってしまう。したがって、強度の優れたＡｌ合金が求められている。
【０００３】
一方、各種電子装置の製造装置はその内面が腐食性の薬液や腐食性のガス、プラズマ等にさらされることから、Ａｌ合金で構成したとしてもその内面は強固な不動態保護膜で覆われている必要がある。したがって、強度が優れかつ表面が強固な不動態保護膜で覆われることのできるＡｌ合金が特に求められている。
【０００４】
機械的強度を上げかつ強固な不動態保護膜で表面を覆うことができるＡｌ合金として、例えば特許文献１（特開平９−１７６７７２号公報）に示すものが知られている。しかし、最近の大型製造装置に適用するにはこの特許文献１に開示の材料では強度が不十分であるし、またこの特許文献１に開示されたフッ化不動態膜はガスに対して透過性を有し、各種腐食性ガス・プラズマには不十分である。
【０００５】
ＭｇおよびＺｒを添加したＡｌ合金を用い、その表面を非水溶液にて陽極酸化して不動態保護膜を得ることも本発明者等は提案している（特許文献２:国際公開第ＷＯ２００６／１３４７３７号パンフレット）が、最近の大型製造装置に適用するにはこの特許文献２に開示の材料では強度が不十分であるし、またこの特許文献２に開示された陽極酸化膜は、フッ酸等の腐食性液体にエッチングされてしまい、耐腐食性が不十分である。
【０００６】
特許文献３（特開平１−２７２７３９号公報）には、発色性元素を添加含有した発色用アルミニウム合金が記載されている。しかしながら、特許文献３（特開平１−２７２７３９号公報）には、アルミニウム合金の硬度を高くする元素のみを添加含有させた不可避不純物含有量の極端に小さい高純度Ａｌ合金は開示がなく、該高純度Ａｌ合金でビッカース硬度で３０より大きい高硬度部材を得ることも開示がない。特許文献３（特開平１−２７２７３９号公報）に実施例として示された、第１表の試料Ｎｏ．８のアルミニウム合金は、発色性元素として、Ｃｅ、Ｍｇ、及びＺｒのみならずＺｎを４．９０ｗｔ％含んでいる。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１７６７７２号公報
【特許文献２】国際公開第ＷＯ２００６／１３４７３７号パンフレット
【特許文献３】特開平１−２７２７３９号公報
【特許文献４】特開２００５−２９８９３号公報
【特許文献５】特開２００４−１４９９２７号公報
【特許文献６】国際公開第ＷＯ２００６／１３７３８４号パンフレット
【特許文献７】特開２００７−８８３９８号公報
【特許文献８】特開２００７−２８７８７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の目的は、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による電子装置製造装置は、以下のとおりである。
【００１０】
（１） Ａｌ合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われ、前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。
【００１１】
（２） Ａｌ合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で１５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であり、前記Ａｌ合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われていることを特徴とする電子装置製造装置。
【００１２】
（３） 前記Ａｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で１５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であることを特徴とする上記（２）に記載の電子装置製造装置。
【００１３】
（４） 前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする上記（２）又は（３）に記載の電子装置製造装置。
【００１４】
（５） 前記陽極酸化膜の厚さが０．０１μｍ〜０．６μｍであることを特徴とする上記（２）〜（４）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１５】
（６） 前記陽極酸化膜が非晶質のＡｌ２Ｏ３膜であることを特徴とする上記（１）〜（５）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１６】
（７） 前記フロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜の厚さが０.０１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする上記（１）〜（６）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１７】
（８） 前記容器は、ウエットプロセス用の容器であり、該容器は、プロセス実施中に内部空間が大気を遮断するように密閉される構成を有することを特徴とする上記（１）〜（７）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１８】
（９） 前記容器に薬液又は純水を供給するための樹脂配管を更に含み、前記樹脂配管は酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする上記（１）〜（８）の一つに記載の電子装置製造装置。
【００１９】
（１０） 前記樹脂配管の酸素透過係数が２×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする上記（９）に記載の電子装置製造装置。
【００２０】
（１１） 前記樹脂配管は、内面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、外面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、中間にナイロンで形成された層を有することを特徴とする上記（９）に記載の電子装置製造装置。
【００２１】
本願でいう「非水溶媒による陽極酸化」とは、特許文献２に開示された陽極酸化をいい、本願での「非水溶媒による陽極酸化膜」とは、「非水溶媒による陽極酸化」を行って得られた無孔質の陽極酸化膜であって、耐腐食性に優れ使用中に水分放出量の少ない等の特性を有する無孔質の陽極酸化膜である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２４】
本発明の一実施形態による電子装置製造装置（例えば、大気遮断密閉型洗浄装置）の少なくとも一部（容器構造体）に用いられる、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材について説明する。耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材は、非水溶媒を用いた陽極酸化による無孔質のＡｌ２Ｏ３保護膜を有するＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金である。
【００２５】
なお、以下の実施形態では、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材として、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜を有するＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金を説明するが、本発明では、耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材は、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜を有するＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金に限定されず、たとえば、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜（例えば、非晶質のＡｌ２Ｏ３膜）を有するＣｅを含まないＡｌ−Ｍｇ−Ｚｒ合金を用いてもよい。耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材として、たとえば、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜（例えば、非晶質のＡｌ２Ｏ３膜）を有する上述のＣｅを含まないＡｌ−Ｍｇ−Ｚｒ合金を用いても、非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜を有するＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金を用いた場合と同様の効果が得られる。
【００２６】
図１を参照すると、上記大気遮断密閉型洗浄装置において容器構造体として使用されるＣｅを添加したＡｌ合金(４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ)のビッカース硬度が示されている。Ｍｇ添加量が４．５％である４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルの上方にプロットされた４個のＣｅ添加−４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルは、４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌサンプルに、Ｃｅを質量％で１％、５％、１０％、および１５％添加したサンプルである。これら４個のＣｅ添加−４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルは、Ｍｇ添加量が４．５％である４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルよりもビッカース硬度が向上していることが分かる。
【００２７】
図２を参照すると、４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルに対して添加したＣｅ濃度（質量％）とビッカース硬度との関係と、４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルに対して添加したＣｅ濃度（質量％）とビッカース硬度の増加率（％）との関係とが示されている。図２から明らかなように、Ｃｅ元素を１５．０％程度まで添加することで、ビッカース硬度は６８を超え、１０５程度まで向上することが分かる。Ｃｅを添加していない４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金と比較して、例えば５％のＣｅを添加した５％Ｃｅ−４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金は３０％強の硬度増加が認められる。洗浄装置の容器構造体を製作する場合、容器肉厚を３０％ほど薄くすることが可能となり、軽量化を図ることが可能となる。
【００２８】
Ｚｒを０．１５％程度以下添加することにより、３５０℃程度の熱処理を行っても粒成長が抑えられ機械的強度が保たれる効果がある。陽極酸化処理後の熱処理を、例えば２０％Ｏ２／Ｎ２雰囲気下にて３００℃，１時間で行うアニールプロセスにおいても容器構造体の強度低下を抑制することが可能となる。
【００２９】
図３を参照すると、Ｃｅを１％、３％、５％添加した４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金を非水溶媒による陽極酸化処理したサンプルを１００％Ｃｌ２，０．３ＭＰａの圧力にて封入して２００℃で６時間曝露した後の重量減少率が示されている。Ｃｅを５％以下添加し非水溶媒による陽極酸化処理することにより、Ｃｌ２ガスに対する耐食性が劇的に向上することが確認された。
【００３０】
ここで、上記大気遮断密閉型洗浄装置において容器構造体として使用されるＣｅを添加したＡｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で１５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であるＡｌ−Ｍｇ−Ｚｒ−Ｃｅ合金であればよい。
【００３１】
Ａｌ合金部材は、好ましくは、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であればよい。
【００３２】
Ｃｅを１５．０％以下、好ましくは、５．０％以下添加した上記Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｒ−Ｃｅ合金に、非水溶媒による陽極酸化処理することにより、Ｃｌ２ガスに対する耐食性が図３に示された例と同様に劇的に向上する。
【００３３】
本発明では、容器構造体である上記Ａｌ合金部材の内表面にはフッ素樹脂コーティング処理を施すが、この際、上記Ａｌ合金部材の内表面に、直接、フッ素樹脂コーティング処理を施すと以下の問題が生じる。フッ素樹脂はガス透過性があることで知られている。例えばＨＣｌ蒸気やＨＦ蒸気が洗浄薬液から発生した場合に、フッ素樹脂コーティング膜を透過してＡｌ合金部材の内表面に到達することになる。
【００３４】
そこで、本発明では、Ａｌ合金部材の内表面にフッ素樹脂コーティング処理を施す前に、Ａｌ合金部材の内表面に上述の非水溶媒による陽極酸化膜を施すことにより、このようなガス透過によるＡｌ合金表面の腐食や、腐食により発生するガス成分がフッ素樹脂コートを剥離させてしまうことを抑制する効果がある。容器構造体内表面からの金属汚染やパーティクル汚染を低減する。
【００３５】
具体的には、非水溶媒による陽極酸化膜は、以下のように形成する。上述のようにして得たＣｅ添加Ａｌ合金部材の表面に、非水溶媒(non-aqueous solvent)を用いた陽極酸化により、陽極酸化皮膜として非晶質のＡｌ２Ｏ３膜を０．０１μｍ〜０．６μｍ程度設ける。用いた非水溶液は、エチレングリコール又はジエチレングリコールを非水溶媒として含み、純水及びアジピン酸を溶質として含むものである。陽極酸化皮膜の厚さが０．０１μｍ未満では効果が少なく、０．６μｍを超えても顕著な効果が得られず経済的に不利となる。
【００３６】
次にフッ素樹脂コーティング膜としてフロロカーボン被膜を形成する方法を説明する。
【００３７】
まず第１のフロロカーボン被膜形成方法を説明する。
【００３８】
この第１のフロロカーボン被膜形成方法は、基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）表面に有機物を付着させた後、フッ化ガスを流して基材表面にフロロカーボン被膜を形成するものである。
【００３９】
図４を参照してこの方法を説明するが、本発明において用いるフロロカーボン被膜形成法は、この手法に限定されない。なお、この方法は、特開２００５−２９８９３号公報（特許文献４）に記載のフロロカーボン被膜形成法を、非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金に対して応用したものである。
【００４０】
付着させる有機モノマーとしてエチルヘキシルメタクリレート(以下、ＨＥＭＡと略す)を、開始剤として2,2-アゾビスイソブチロニトリル(以下、ＡＩＢＮと略す)を用いて、図４に示す装置を用いてフロロカーボン被膜を形成した。ステンレス配管である反応容器６の中には、非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金7を配置した。
【００４１】
配管１ａより１２０℃に加熱した充填容器２ａ内の有機モノマー(ＨＥＭＡ)３ａ内に窒素ガスを通す。また同時に配管１ｂより７０℃に加熱した充填容器２ｂ内の開始剤(ＡＩＢＮ)３ｂに窒素ガスを通す。窒素ガスは、有機モノマー３ａのガスを含んで反応容器６内に導入されると同時に、開始剤３ｂのガスを含んで反応容器６内に導入される。このようにして有機モノマーガスと、開始剤ガスを同時に反応容器６内のＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金７に３０℃で６時間付着させた。その後、反応容器６を密閉状態にし、９０℃に加熱して１６８時間重合をおこなった。１６８時間経過後、反応容器６を室温まで冷却させ、反応容器６に大気を導入し、重合を停止させた。さらにその後、反応容器６内を窒素ガスで置換し、配管５から反応容器６に２０％Ｆ２を２００ｍｌ／ｍｉｎで供給し、１０℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温して４５分反応させた。
【００４２】
上記のようにして、ＡｌＭｇＣｅＺｒ合金７のＡｌ２Ｏ３膜上に重合フロロカーボン被膜を形成した後、ＡｌＭｇＣｅＺｒ合金７を取り出しＸ線光電子分析装置（ＸＰＳ）により分析を行った。結果を図５に示す。
【００４３】
図５に示すように、分析の結果、Ｃ原子に関して、Ｃ−Ｆ２およびＣ−Ｆ３結合が確認できることから重合フロロカーボン被膜が形成されていることが確認された。
【００４４】
さらに、得られた重合フロロカーボン被膜の薬品耐性を確認するために５ｗｔ％フッ酸−過酸化水素水混合液に２４時間浸漬した。浸漬前後のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）像を図６に示す。浸漬前後でＳＥＭ像に変化が見られないことから、フッ酸−過酸化水素水混合液に対しても耐食性があることが確認できた。
【００４５】
次に、第２のフロロカーボン被膜形成方法を説明する。
【００４６】
この第２のフロロカーボン被膜形成方法は、基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）のＡｌ２Ｏ３膜上にまずカーボン層を形成し、その上にフロロカーボン層を形成するものである。なお、この第２のフロロカーボン被膜形成方法は、特開２００４−１４９９２７号公報（特許文献５）に記載のフロロカーボン被膜形成法を、非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金に対して応用したものである。即ち、基材のＡｌ２Ｏ３膜上に直接カーボン層が形成されており、そしてその上にフロロカーボン層が形成されているため、十分な耐食性を有していると同時に、安易に形成しうる利点がある。即ち、カーボン層を形成する工程に於いてフッ化ニッケル膜をＡｌ２Ｏ３膜上に残存させる必要がないという特徴が生ずる。この際のフロロカーボン層の厚みは０．０１μｍ〜１０μｍ、好ましくは０．１μｍ〜０．２μｍである。又カーボン層は０．００１μｍ〜１μｍ、好ましくは０．１μｍ〜０．５μｍの厚みを有する。
【００４７】
次に、第３のフロロカーボン被膜形成方法を説明する。
【００４８】
この第３のフロロカーボン被膜形成方法は、基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）のＡｌ２Ｏ３膜上に、フロロカーボン被膜としてＣＦｘ膜をＣ５Ｆ８ガスをアルゴン（Ａｒ）プラズマによって分解してＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)形成している。
【００４９】
さらに、ＣＦｘ膜の成膜後又はＣＦｘ膜のアニール後、ＡｒガスによるプラズマにＮ２ガスを導入して生成した窒素ラジカルによってＣＦｘ膜の表面をチッ化して、ＣＦｘ膜からの脱ガスを低減している。これによって、膜剥がれをなくし、誘電率を１．７〜２．２の範囲で制御可能としている。
【００５０】
なお、この第３のフロロカーボン被膜形成方法は、国際公開第ＷＯ２００６／１３７３８４号パンフレット（特許文献６）に記載のフロロカーボン被膜形成法を、非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金に対して応用したものである。
【００５１】
図７はフロロカーボン被膜の形成に用いるプラズマ処理装置を示す概略断面図である。図８は図７のプラズマ処理装置におけるＡｒプラズマ、Ｋｒプラズマ、Ｘｅプラズマのシャワープレートと電極との間の距離（ｚ）と、電子密度（ｅｖ）との関係を示す図である。
【００５２】
図７を参照すると、マイクロ波は、プラズマ処理装置１０２の上部に絶縁体板を介して設置されたラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）２１からその下の絶縁体板とシャワープレート２３とを透過して、プラズマ発生領域に放射される。ＸｅガスまたはＡｒガスをガス導入管１３を介して上段シャワープレート２３からプラズマ発生領域に均一に吹き出させ、そこに放射されるマイクロ波によってプラズマが励起される。
【００５３】
マイクロ波励起プラズマ処理装置の拡散プラズマ領域に下段シャワープレート２２が設置されている。
【００５４】
ここで、上段シャワープレート２３からＫｒ、Ｘｅ、またはＡｒガスを、下段シャワープレート２２からＣｘＦｙ（Ｃ５Ｆ８，Ｃ４Ｆ８等）ガスを流せば、基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）１４のＡｌ２Ｏ３膜上に、フロロカーボン膜の形成ができる。
【００５５】
酸化または窒化処理のためには、酸素ガスまたはＮ２／Ｈ２またはＮＨ３ガスを、酸窒化プロセスの場合はＯ２／ＮＨ３またはＯ２／Ｎ２Ｏ、Ｏ２／ＮＯガス等の酸化性ガスと窒化性ガスの混合ガスを上段シャワープレート２３から流せばよい。
【００５６】
被処理物の基材１４は処理室２４内でプラズマが拡散されて直接照射する場所に設置され、プラズマにより励起された酸素ラジカル等により酸化される。このとき被処理物は、処理室２４内でもプラズマが励起される空間ではなくプラズマが拡散されている空間に設置されることが望ましい。
【００５７】
また、処理室２４内の排ガスは、図示しない排気ポートを介して、排気ダクト内を通り、小型ポンプへのいずれかの流入口から、小型ポンプへと夫々導かれる。
【００５８】
図８に示すように、シャワープレートと電極間の距離（ｚ）が３０ｍｍ以上になると電子密度は略一定となり、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅの順で電子密度が低くなる。
【００５９】
以上、いずれの場合も、Ａｒに比べＫｒ、Ｘｅガスは電子密度が低いところで電子との衝突断面積か小さくイオン化エネルギーも小さいため、Ｘｅ（またはＫｒ）ガスにマイクロ波が照射されるとプラズマの電子密度が低くなり、成膜中での形成された各種膜へのダメージを抑制できるし、Ｃ５Ｆ８ガスのエッチング作用を抑制することができる。
【００６０】
図９を参照すると、脱ガス測定システム１０３は、脱ガス測定装置３０と、光イオン測定装置とを備えている。
【００６１】
光イオン測定装置の加熱炉４０の内部にサンプル(非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金のＡｌ２Ｏ３膜上にＣＦｘ膜を形成したもの)４６が配置されている。加熱炉４０には、キャリアーガスとしてＡｒが矢印４５に示すように、マスフローコントローラー４４によって１００ｓｃｃｍの流量に調整されて導入配管４７を介して、加熱炉４０に導入される。
【００６２】
加熱炉４０には、加熱用ヒータ４１と、光イオン検出器４２が設けられている。サンプル４６から遊離したガスは、バルブ５３が設けられた配管４８を介して脱ガス測定装置３０の内部に導入される。なお、配管４８には、排気のためにバルブ５１を設けた排気管５２が分岐している。
【００６３】
脱ガス測定装置３０には、放電電極３２に設けられている。また、脱ガス測定装置３０内部のガスは、真空ポンプ３７ａ，３７ｂが夫々設けられた配管３６ａ，３６ｂに接続されており、この配管３６ａ，３６ｂは合流して排気管３８となり、矢印３９に示されるように、排気される。一方、脱ガス測定装置３０内部及びこれに隣接した放電電極３２が設けられた部分には、それぞれ配管３４及び３５が設けられ、配管３４は、可変容量制御弁６１及びマスフローメータ６２ａを介して、矢印６３に示すように、流量６００ｓｃｃｍで排気されている。一方、配管３５はマスフローメータ６２ｂを介して、矢印６４に示すように流量５５０ｓｃｃｍで排気され、２つの配管３４，３５は合流して配管６５となり、矢印６６に示すように、排気される。
【００６４】
脱ガス測定装置３０の配管３４とは長さ方向に同じ部位の異なる外周の位置にＡｒガスを矢印５９で示すように、１ＳＬＭで導入するためのマスフローコントローラ５８が設けられた配管３３が接続されている。また、配管４８の排気用配管５２よりもさらに下流側にバルブ５３が設けられ、さらに下流側に希釈のためのＡｒガスを５００ｓｃｃｍで導入するためにマスフローコントローラ５７が設けられた配管５６がバルブ５４を介して接続されている。配管４８は、脱ガス測定装置３０の排気用の配管３５が設けられた部位と長さ方向の同じ位置で、外周方向の異なる位置に接続されている。
【００６５】
次に、図７に示す装置を用いたＣＦｘ膜の成膜プロセスについて補足説明する。
【００６６】
非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金のＡｌ２Ｏ３膜上に、反応ガスとしてフルオロカーボンガスを用いたＡｒプラズマによって、厚さ０．０１μｍ〜１０μｍのＣＦｘ膜を成膜する。
【００６７】
ここで、反応ガスのフルオロカーボンガスとしては、一般式ＣｎＦ２ｎ（但し、ｎは２〜８の整数）もしくは、ＣｎＦ２ｎ−２（ｎは２〜８の整数）で示される不飽和脂肪族フッ化物を用いることができるが、オクタフルオロペンチン、オクタフルオロベンタジエン、オクタフルオロシクロペンテン、オクタフルオロメチルブタジエン、オクタフルオロメチルブチン、フルオロシクロプロペンもしくはフルオロシクロプロパンを含むフッ化炭素、フルオロシクロブテンもしくはフルオロシクロブタンを含むフッ化炭素等の一般式Ｃ５Ｈ８で示されるフルオロカーボンが好ましい。
【００６８】
Ａｒガスのプラズマによって成膜するとＣＦｘ膜の誘電率が低くなるので、これによって、ＣＦｘ膜の誘電率を１．７〜２．２という低さにすることを可能にしている。
【００６９】
ＣＦｘ膜を成膜した後、チャンバー内において水素と酸素の混合ガスでプラズマを発生させ、前記チャンバー内壁のクリーニングを行うことができる。
【００７０】
さらに、成膜後あるいはアニール後に、Ａｒ／Ｎ２プラズマによって、ＣＦｘ膜の表面窒化を行う。これによって、ＣＦｘ膜からの脱ガスを低減可能である。
【００７１】
好ましくは、成膜後にアニールを行う。アニールは基板を大気に晒すことなく、そのままプラズマチャンバー内でおこなってもよく、別のアニール処理装置で行っても良い。いずれの場合も、雰囲気は不活性ガス雰囲気とし、圧力は大気圧でもよいが、好ましくは１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度の減圧下で行う。また、アニールの前または後で、ＣＦｘ膜をＡｒプラズマで照射するのがよい。
【００７２】
本発明は、ＡｌＭｇＺｒ合金あるいはＡｌＭｇＣｅＺｒ合金表面に、非水溶媒による陽極酸化によりＡｌ２Ｏ３膜を形成し、さらにそのＡｌ２Ｏ３膜表面にフロロカーボン被膜でコーティングした材料およびそれを用いた工業材料又は工業製品並びに、その工業材料を用いた電子装置製造装置に関するものである。本発明の一実施形態による電子装置製造装置として、大気遮断型枚葉装置を以下に説明する。
【００７３】
大気遮断型枚葉装置においてウルトラクリーンかつ完全に制御された基板処理を実現するためには、雰囲気制御のための密閉性を有する大気遮断密閉型基板処理装置が必要である。この大気遮断密閉型基板処理装置には、洗浄プロセスで使用する薬液、或いはプロセス中に発生するガスに対する耐性を有し、さらに大型基板プロセスにおいては装置の大型化に伴う装置部材の軽量化、高強度化が求められる。本発明に係る材料は、このような大気遮断密閉型基板処理装置に対する要求を十分に満たすものである。
【００７４】
大気遮断密閉型基板処理装置の一例として大気遮断密閉型洗浄装置の断面構成を図１０に示す。なお、この大気遮断密閉型洗浄装置は、本発明を特開２００７−８８３９８号公報（特許文献７）に記載の洗浄装置に応用したものである。
【００７５】
この大気遮断密閉型洗浄装置においては、装置外壁には、本発明に係る３層構造を有する図１１に示すフロロカーボン-合金複合材料を用いる。装置外壁の断面を図１１に示す。図１１において、７１は装置内部、７２はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜、７３は非水溶溶媒による陽極酸化による無孔質の陽極酸化膜（例えば、非晶質のＡl２Ｏ３保護膜）、７４は上述のＡｌ−Ｍｇ−Ｃｅ−Ｚｒ合金（或いは上述のＣｅを含まないＡｌ−Ｍｇ−Ｚｒ合金）、７５は装置外部である。なお、大気遮断密閉型洗浄装置においては、装置外壁のうち、少なくとも、内部の腐食性の液体に触れることになる部分に、図１１に示すフロロカーボン-合金複合材料を用いればよい。
【００７６】
図１０に戻って、大気遮断密閉型洗浄装置の上記以外の構成を説明する。
【００７７】
被洗浄基板７６を配置した容器７７は、外気から遮断され、容器内雰囲気は雰囲気成分計測器７８と雰囲気を制御するためのガス供給部７９およびガス排出部８０により制御されている。容器７７はウエットプロセス用の容器であり、容器７７はプロセス実施中に内部空間が大気を遮断するように密閉される構成を有する。
【００７８】
容器７７内の雰囲気制御パラメータとしては、温度、圧力、濃度など任意であるが、ウォーターマークや自然酸化膜形成抑制やシリコン表面の平坦性維持のためには酸化種である酸素の濃度制御が好適であり、雰囲気成分計測器７８としては酸素濃度計が最適である。
【００７９】
ガス供給部７９は、バルブで供給ガス量をコントロールし容器７７内に供給する手法をとる。ガスは窒素やアルゴンといった不活性ガスが好ましいが、被洗浄基板７６の種類、洗浄目的に応じてガス種は任意に選択可能である。さらに必ずしも単一ガス種である必要はなく、必要であれば混合ガスを使用してもよい。容器７７に供給されるガスは被洗浄基板７６と対向して配置したシャワープレート８１から均一、かつ層流で被洗浄基板７６表面に供給される。
【００８０】
ガス排気部８０は真空ポンプを用いる真空排気および一般排気を行うガス排気のいずれも選択できる。ただし、いずれの排気においても効率的なガス置換を行うために、ガス滞留部を削減することが好ましい。具体的な対策としては後述する回転保持機構部（８３〜８７）に空気や不活性ガスを供給する手法があるが、滞留部削減法はこれに限定されるものではない。また、流体の均一な流れを実現するために、排気口は同心円に沿って配置されることが好ましい。このような対策を取ることで、シャワープレート８１から均一、かつ層流で被洗浄基板７６表面に供給されたガスは均一な流れで薬液蒸気等をスムースに排気することが可能になる。
【００８１】
雰囲気成分計測器７８により容器７７内の雰囲気を計測し、圧力計測器８２により容器７７内の圧力を計測・監視する。
【００８２】
容器７７のほぼ中央下方から固定軸８３が挿入され、その周囲に流体軸受け８４、回転支持部材８５、駆動モータ８６が配置されている。駆動モータ８６により回転支持部材８５が回転し、それに伴い回転支持部材８５に連結したテーブル８７が回転することで被洗浄基板７６が回転する構造になっている。８３〜８７を含む部分を回転保持機構部という。その回転の際、固定軸８３と回転支持部材８５の動作を安定に、かつ円滑にするのが流体軸受け８４の役割であり、ベアリングのような流体軸受けが使用されるのが一般的である。しかしベアリングの場合、ベアリングの機械的摩擦によるパーティクルや外気の混入を防ぐことは困難であるため、流体軸受け８４としては真空装置のシールユニットに採用されている磁性流体と強力マグネットの組合せを採用した。本方式を採用すると無発塵かつシール性の高い流体軸受けが実現でき、前記の問題を克服することができる。さらにこの回転保持機構部（８３〜８７）にガス供給部７９’を介して不活性ガスを供給することで磁性流体を介した気体の拡散防止、ガス滞留部の削減に寄与することができる。
【００８３】
次に、図１０の大気遮断密閉型洗浄装置における排液分別機構について説明する。
【００８４】
洗浄プロセスでは酸/アルカリ/有機系排水あるいは濃厚/希薄排水など多様な排水が排出される。それらを分別排水できれば、排水処理量の低減や薬剤の回収利用がし易いといった効果が期待できる。
【００８５】
この大気遮断密閉型洗浄装置ではそれぞれの排水口へ所望の洗浄排水を誘導させるために、同心円状に配された複数のカップ状の誘導壁８８〜９０が配置されている。各誘導壁８８〜９０間の容器７７下部には所定の排水系に導かれた排水口が配置されている。排水口設置部には高低差をつけて排気口９１も設置されている。
【００８６】
誘導壁８８〜９０の下部には、誘導壁８８〜９０を上下運動させる駆動モーター９２〜９４がベローズ（図示せず）を介して設置されており、駆動モーターを上下させてベローズを伸縮させ、誘導壁８８〜９０を上下すれば、それぞれ所望の洗浄排水（排液）を所望の排水系に誘導できるようになっている。
【００８７】
図１０の大気遮断密閉型洗浄装置への洗浄液の供給方法についても極めて重要である。大気遮断密閉型洗浄装置へ供給される超純水や薬液、機能水といった洗浄液は洗浄装置外部の超純水・薬液供給装置（後に図示）より供給配管９５を通して大気遮断密閉型洗浄装置に供給され、その後洗浄液噴射アーム（図示せず）に沿って配置された供給配管９６を通ってノズル９７まで導かれ、被洗浄基板７６表面に供給され、洗浄に利用される。
【００８８】
大気遮断密閉型洗浄装置の雰囲気制御対策について説明してきたが、いくら洗浄装置の雰囲気の制御をしてもその洗浄装置に供給される超純水、薬液の濃度、成分、温度などの制御が不十分であれば大気遮断密閉型洗浄装置はその能力を発揮することができない。そこで、図１０の大気遮断密閉型洗浄装置の供給配管９５及び９６として、以下に説明するガス不透過配管を用いる。
【００８９】
図１２を参照して、本発明の一実施形態による上記大気遮断密閉型洗浄装置に適用される、ガス不透過配管を用いた超純水および薬液の供給方法について説明する。ここでのガス不透過配管とは、図１３に示すように、フッ素樹脂（ETFE、PTFE、FEP、PFAのいずれか）或いはPVDC（ポリ塩化ビニリデン）によって形成された内層３０１と、当該内層３０１上にナイロンによって形成された中間層３０２と、当該中間層３０２上にさらにフッ素樹脂（ETFE、PTFE、FEP、PFAのいずれか）或いはPVDCによって形成された最外層３０３とを有する配管である。
【００９０】
図１２は、半導体基板またはFPD(Flat Panel Display)基板等の基板を洗浄処理する場合の基板処理システム２００であり、この基板処理システム２００は基板処理装置として図１０の大気遮断密閉型洗浄装置に相当する洗浄室２０１を含んでいる。すなわち、この洗浄室２０１が図１０の大気遮断密閉型洗浄装置として作用する。なお、この基板処理システム２００の基本構成は、特開２００７−２８７８７６号公報（特許文献８）に記載のものと同様である。
【００９１】
基板処理装置２０１の基本構成は、処理液供給源に接続される処理液入力ポート２０２、２０３、および２０４を備え、２０２は超純水導入用の入力ポート、２０３は薬液導入用の入力ポート、２０４は機能水用の入力ポートである。それぞれのポートには、酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）２０５、２０６、及び２０７がそれぞれ接続され、樹脂配管２０５、２０６、及び２０７の各々はノズル２０８に接続される。ノズル２０８からは、樹脂配管２０５、２０６、及び２０７で輸送された超純水、薬液、及び機能水の少なくとも一つが、回転台２１０に保持された被処理基板２０９に吐出され、基板２０９表面の洗浄処理が行われる。
【００９２】
薬液・機能水・超純水供給装置２１１は、脱気装置２１２、バルブ２１５-１〜２１５-６、酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）２１７-１〜２１７-３、２１８-１〜２１８-３、２１９-１〜２１９-２を備えている。超純水は樹脂配管２１７-１から導入され、脱気装置２１２で脱気されて樹脂配管２１７-２、バルブ２１５-１を経て樹脂配管２１７-３から導出されるとともに、バルブ２１５-２を経て薬液との混合にも使われ得る。必要種類分の薬液は樹脂配管２１８-１から脱気装置２１２で脱気されてバルブ２１５-３あるいは２１５-４および樹脂配管２１８-２を経て超純水と調合される。脱気・調合された薬液はバルブ２１５-５を経て樹脂配管２１８-３から導出される。機能水は樹脂配管２１９-１、バルブ２１５-６、樹脂配管２１９-２をへて２１９-２から導出される。薬液・機能水・超純水供給装置２１１から導出された超純水、薬液、あるいは機能水は、酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）２２０、２３０、および２４０を介して、基板処理装置２０１の処理液入力ポート２０２、２０３、および２０４にそれぞれ入力され、基板処理装置２０１に超純水、薬液、機能水がそれぞれ供給される。
【００９３】
図の例において、装置２１１および２０１間の配管（装置間配管）である樹脂配管２２０、２３０、および２４０はクリーンルームエアーに曝されるが、これら装置間配管２２０、２３０、および２４０は、5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）を用いているため、脱気された超純水および／または薬液および／または機能水への酸素混入を防止し、処理装置２０１での基板処理における酸素の悪影響を極限まで防ぐことができる。
【００９４】
一方、基板処理装置２０１及び供給装置２１１は通常はクリーンルームエアーをHEPA などのフイルターを通して取り込んでいるが、その内部の樹脂配管２０５、２０６、２０７、２１７-１〜２１７-３、２１８-１〜２１８-３、２１９-１〜２１９-２も、酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下、好ましくは2×106[個・cm/(cm2secPa)]以下である樹脂配管（ガス不透過配管）を用いているため、脱気された超純水および／または薬液および／または機能水への酸素混入を防止することができる。なお、基板処理装置２０１および供給装置２１１の片方または両方を密閉構造として窒素ガスを導入する場合には、その内部の樹脂配管は従来のものでも使用可能ではあるが、上記ガス不透過配管である樹脂配管を用いることが次の理由でより好ましい。
【００９５】
即ち、配管周りの溶解させたくない気体ガス種を減らすこと、及び、気体透過がしにくい配管を用いることで、配管を通して気体が拡散し液体内に溶解するという速度そのものが低下し、溶解量を更に低減することができる。即ち、配管がガスを溶かす速度を抑制し、さらに窒素ガス導入による雰囲気置換によって溶解するガスの存在量を減らすことによって、効果がさらに大きくなる。また、上記ガス不透過配管である樹脂配管を用いてガスの溶解速度を下げることによって、装置内雰囲気を置換するのに使用するガス量を減らし、装置の密閉度を高めなくて済み、雰囲気の管理濃度も楽にすることができる。更に、同様の観点から、装置間配管２２０、２３０、２４０を密閉体に収容して窒素ガス等を導入すれば、酸素の溶存量をさらに減らすことが出来る。
【００９６】
また、仮に配管がフッ酸等の洗浄薬液等に曝される過酷な雰囲気にあったとしても最表面にフッ素樹脂或いはPVDCを採用した上記ガス不透過配管である樹脂配管であれば最外層が薬液によって浸食されることはない。
【００９７】
また、図に示した基板処理装置２０１或いは供給装置２１１は、全ての配管を上記ガス不透過配管である樹脂配管によって形成したが、配管の一部だけを上記ガス不透過配管である樹脂配管によって形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の一実施形態による電子装置製造装置の容器構造体として用いられるＣｅを添加したＡｌ合金(４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ)及びＣｅを添加していないＡｌ合金(４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ)のビッカース硬度を示す図である。
【図２】４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルに対して添加したＣｅ濃度（質量％）とビッカース硬度との関係と、４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金サンプルに対して添加したＣｅ濃度（質量％）とビッカース硬度の増加率（％）との関係とを示す図である。
【図３】Ｃｅ添加した４．５％Ｍｇ−０．１％Ｚｒ−Ａｌ合金を陽極酸化処理したサンプルを１００％Ｃｌ２，０．３ＭＰａの圧力にて封入して２００℃で６時間曝露した後の重量減少率を示す図である。
【図４】基材（非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金）表面にフロロカーボン被膜を形成する方法を説明するための図である。
【図５】上記方法にてＡｌＭｇＣｅＺｒ合金のＡｌ２Ｏ３膜上に形成された重合フロロカーボン被膜をＸ線光電子分析装置により分析した結果を示す図である。
【図６】上記重合フロロカーボン被膜の５ｗｔ％フッ酸−過酸化水素水混合液への２４時間浸漬の前後の走査型電子顕微鏡像を示す図である。
【図７】フロロカーボン被膜の別の形成方法を行うのに使用するプラズマ処理装置を示す概略断面図である。
【図８】図７のプラズマ処理装置におけるＡｒプラズマ、Ｋｒプラズマ、Ｘｅプラズマのシャワープレートと電極との間の距離（ｚ）と、電子密度（ｅｖ）との関係を示す図である。
【図９】非水溶媒による陽極酸化膜としてＡｌ２Ｏ３膜を有するＡｌＭｇＣｅＺｒ合金のＡｌ２Ｏ３膜上にＣＦｘ膜を形成したサンプル４６が配置されている脱ガス測定システムを示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態による電子装置製造装置の説明に用いる断面図である。
【図１１】図１０に示した装置の装置外壁の断面図である。
【図１２】本発明において用いる、ガス不透過配管を用いた超純水および薬液の供給方法を説明するための図である。
【図１３】図１２におけるガス不透過配管を説明するための図である。
【符号の説明】
【００９９】
７１ 装置内部
７２ フロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜
７３ 陽極酸化膜
７４ ＡｌＭｇＣｅＺｒ合金
７５ 装置外部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われ、前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。
【請求項２】
Ａｌ合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で１５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であり、前記Ａｌ合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われていることを特徴とする電子装置製造装置。
【請求項３】
前記Ａｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であることを特徴とする請求項２に記載の電子装置製造装置。
【請求項４】
前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする請求項２又は３に記載の電子装置製造装置。
【請求項５】
前記陽極酸化膜の厚さが０．０１μｍ〜０．６μｍであることを特徴とする請求項２〜４の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項６】
前記陽極酸化膜が非晶質のＡｌ２Ｏ３膜であることを特徴とする請求項１〜５の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項７】
前記フロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜の厚さが０.０１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜６の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項８】
前記容器は、ウエットプロセス用の容器であり、該容器は、プロセス実施中に内部空間が大気を遮断するように密閉される構成を有することを特徴とする請求項１〜７の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項９】
前記容器に薬液又は純水を供給するための樹脂配管を更に含み、前記樹脂配管は酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする請求項１〜８の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項１０】
前記樹脂配管の酸素透過係数が２×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする請求項９に記載の電子装置製造装置。
【請求項１１】
前記樹脂配管は、内面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、外面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、中間にナイロンで形成された層を有することを特徴とする請求項９に記載の電子装置製造装置。
【請求項１】
Ａｌ合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われ、前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。
【請求項２】
Ａｌ合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で１５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であり、前記Ａｌ合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われていることを特徴とする電子装置製造装置。
【請求項３】
前記Ａｌ合金部材は、Ｍｇ、ＺｒおよびＣｅを、質量％で、Ｍｇ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｃｅ濃度が０．０１％超で５．０％以下、Ｚｒ濃度が０．０１％超で０．１５％以下、それぞれ含み、残部がＡｌおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ０．０１％以下であることを特徴とする請求項２に記載の電子装置製造装置。
【請求項４】
前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする請求項２又は３に記載の電子装置製造装置。
【請求項５】
前記陽極酸化膜の厚さが０．０１μｍ〜０．６μｍであることを特徴とする請求項２〜４の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項６】
前記陽極酸化膜が非晶質のＡｌ２Ｏ３膜であることを特徴とする請求項１〜５の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項７】
前記フロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜の厚さが０.０１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜６の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項８】
前記容器は、ウエットプロセス用の容器であり、該容器は、プロセス実施中に内部空間が大気を遮断するように密閉される構成を有することを特徴とする請求項１〜７の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項９】
前記容器に薬液又は純水を供給するための樹脂配管を更に含み、前記樹脂配管は酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする請求項１〜８の一つに記載の電子装置製造装置。
【請求項１０】
前記樹脂配管の酸素透過係数が２×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする請求項９に記載の電子装置製造装置。
【請求項１１】
前記樹脂配管は、内面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、外面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、中間にナイロンで形成された層を有することを特徴とする請求項９に記載の電子装置製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図６】
【公開番号】特開２０１０−１５３４２４（Ｐ２０１０−１５３４２４Ａ）
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２７０１８（Ｐ２００８−３２７０１８）
【出願日】平成２０年１２月２４日（２００８．１２．２４）
【出願人】（５０４１５７０２４）国立大学法人東北大学 (2,297)
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月８日（２０１０．７．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月２４日（２００８．１２．２４）
【出願人】（５０４１５７０２４）国立大学法人東北大学 (2,297)
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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