電子部品の製造方法およびめっき装置
【課題】 被めっき物の表面に、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えたフェライトめっき膜を析出する。
【解決手段】 めっき槽４と、２価の鉄イオン、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオンを含む反応２液と、被めっき物１とを準備する工程と、めっき槽に、純水５および反応液２の少なくとも一方と、被めっき物１とを投入し、被めっき物の表面にフェライトめっき膜（図示せず）を析出させる工程とを備え、被めっき物１の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽４内の液体９の液面と被めっき物１との距離を一定に保つようにした。
【解決手段】 めっき槽４と、２価の鉄イオン、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオンを含む反応２液と、被めっき物１とを準備する工程と、めっき槽に、純水５および反応液２の少なくとも一方と、被めっき物１とを投入し、被めっき物の表面にフェライトめっき膜（図示せず）を析出させる工程とを備え、被めっき物１の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽４内の液体９の液面と被めっき物１との距離を一定に保つようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関し、さらに詳しくは、被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程を備えた電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
また、本発明は、上述した電子部品の製造方法において使用するのに適しためっき装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
フェライトめっきは電磁ノイズ抑制シート、金属磁性粒子表面の絶縁コートなどに使用された例があり、また巻線コイル表面の絶縁処理として使用された例も一部報告されている。
【０００４】
基体（被加工物）の表面に、たとえば電極となる導電被膜を形成する場合には、めっき槽を使用した湿式めっきによる方法が用いられることが多い。大量の基体の表面に一括して導電被膜を形成することができ、生産性が高いからである。
【０００５】
しかしながら、基体の表面にフェライト被膜を形成する場合には、従来のめっき槽を使用した湿式めっきによる方法は適さなかった。フェライト被膜の湿式めっきにおいては、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオン（Ｍ2+）を含む反応液を反応液として使用するが、この反応液を予めめっき槽に入れておくと、酸化して、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）が３価の鉄イオン（Ｆｅ3+）に変わってしまい、めっき析出効率が低下してしまうからである。また、めっき液中の微小異物やめっき槽の内壁にもフェライトめっき被膜が析出してしまいやすく、めっき液に基体を投入する前に、金属イオンが消費されてしまうような場合もあったからである。
【０００６】
この結果、従来のめっき槽を使用した湿式めっきによる方法では、狙った組成比のフェライトめっき膜を形成することができないという問題や、均一な膜厚のフェライトめっき膜を形成することができないという問題があった。
【０００７】
そこで、従来において、基体の表面にフェライト被膜を形成する場合には、特許文献１（特許第４４１０８３８号）に開示されるような、特殊なめっき方法が採用されていた。
【０００８】
図７に、特許文献１に開示された、基体の表面へのフェライト被膜を形成する特殊なめっき方法を示す。この方法においては、回転テーブル１０１の上に、支持部材１０２を介して基体１０３を支持し、回転テーブル１０１を回転させた状態で基体１０３に反応液１０４および酸化液１０５を噴霧する。反応液１０４は、第１鉄イオン（２価の鉄イオン（Ｆｅ2+））を含む。酸化液１０５は、酸化剤を含む。基体１０３には、反応液１０４と酸化液１０５が交互に噴霧されることになり、基体１０３の表面にはフェライトめっき被膜が析出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４４１０８３８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に開示された方法によれば、基体１０３の表面にフェライトめっき被膜を形成することができる。しかしながら、この方法は、回転テーブル１０１の上に支持部材１０２を介して基体１０３を支持し、回転テーブル１０１を回転させた状態で基体１０３に反応液１０４および酸化液１０５を噴霧するものであり、次のような問題があった。
（１）回転テーブル１０１を含む、特殊なめっき装置が必要である。
（２）回転テーブル１０１に支持部材１０２を介して基体１０３を支持させなければならず、作業が煩雑である。
（３）基体１０３が微小な場合には、支持部材１０２に取り付けられない場合がある。
（４）大量生産に適しておらず、生産性が悪い。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明の電子部品の製造方法は、めっき槽と、２価の鉄イオン、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオンを含む反応液と、被めっき物とを準備する工程と、めっき槽に、純水および反応液の少なくとも一方と、被めっき物とを投入し、被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程とを備え、被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽内の液体の液面と被めっき物との距離を一定に保つようにした。
【００１２】
被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽へ、ｐＨ調整液を投入するようにしても良い。
【００１３】
鉄以外の２価の金属イオンとしては、たとえば、２価のニッケルイオン、および、２価の亜鉛イオンの少なくとも１つとすることができる。
【００１４】
めっき槽内の液体の液面と被めっき物との距離を一定に保つ方法としては、たとえば、反応液の継続的な投入によるめっき槽内の液体の液面の上昇に応じて、その液体に浸漬された被めっき物の位置を上昇させる方法を採用することができる。
【００１５】
また、めっき槽内の液体の液面と被めっき物との距離を一定に保つ別の方法としては、たとえば、反応液の継続的な投入と共に、めっき槽の液体の量が一定になるように、めっき槽から外部に排液する方法を採用することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子部品の製造方法は、上述した構成としたため、被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽に継続的に投入される反応液は、途中で、ほとんど、酸化したり、析出したりすることなく、そのまま被めっき物に到達する。したがって、被めっき物の表面には、新たに投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えた、膜厚の均一なフェライトめっき膜が、高い析出効率で形成される。
【００１７】
また、本発明の電子部品の製造方法は、従来からの一般的な、めっき槽を使用した湿式めっき方法を使用するものであり、特殊なめっき装置は不要で、作業も容易であり、大量生産に適し、生産性が高く、微小な被めっき物へのフェライトめっきも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図２】図２（Ｃ）、（Ｄ）は、図１（Ｂ）の続きである。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）は、第２実施形態にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｃ）は、比較例１にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｃ）は、比較例２にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図７】従来の電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
図１（Ａ）〜図２（Ｄ）に、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す。なお、本実施形態においては、コアに導線が巻回されたインダクタンス素子を被めっき物とし、その表面に、フェライトめっき被膜を形成する場合を例に挙げて説明する。
【００２１】
まず、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３とを準備する。なお、被めっき物１は図１（Ｂ）〜図２（Ｄ）に、反応液２、ｐＨ調整剤３は、図２（Ｃ）に示されている。
【００２２】
本実施形態においては、被めっき物１に、コアに導線が巻回されたインダクタンス素子を用いる。
【００２３】
また、本実施液体においては、反応液２は、純水に、ＦｅＣｌ2、ＺｎＣｌ2を溶解させ、Ｆｅ濃度が１０ｍｍｏｌ／Ｌ、Ｚｎ濃度が２ｍｍｏｌ／Ｌとなるように調整したものを用いる。反応液２には、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）と２価の亜鉛イオン（Ｚｎ2+）が含まれる。鉄と亜鉛との金属イオン濃度比Ｆｅ／Ｚｎは、１０（ｍｏｌ／Ｌ）／２（ｍｏｌ／Ｌ）＝５である。なお、準備した反応液２は、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）が３価の鉄イオン（Ｆｅ3+）に酸化しないように、常にＮ2ガスを通して、バブリングした状態で保存する。
【００２４】
また、本実施形態においては、ｐＨ調整液３は、純水にＣＨ3ＣＯＯＫを溶解させ、ＣＨ3ＣＯＯＫの濃度が５０ｍｍｏｌ／Ｌとなるように調整したものを用いる。
【００２５】
次に、図１（Ａ）に示すように、めっき槽４を準備し、槽内に純水５を投入する。本実施形態においては、めっき槽４として、内底面積が１５０ｃｍ2のものを用いる。また、純水５の投入量は、１５０ｍＬとする。
【００２６】
次に、図１（Ｂ）に示すように、めっき槽４内の純水５に、複数の被めっき物１が収容された網カゴ６を浸漬する。網カゴ６は深さ０．９ｃｍであり、純水５の液面と網カゴ６の外底面との距離Ｄ1は１．０ｃｍとなる。
【００２７】
次に、図２（Ｃ）に示すように、めっき槽４の開口部に反応液ノズル７とｐＨ調整液ノズル８を配置し、反応液ノズル７から反応液２を、ｐＨ調整液ノズル８からｐＨ調整液３をめっき槽４内に継続的に投入するとともに、網カゴ６を揺動する。反応液２の投入スピードは１７．５ｍＬ／分とする。また、ｐＨ調整液３の投入スピードは１７．５ｍＬ／分とする。この結果、めっき槽４内の液体（純水５と反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）９の液面が上昇するが、この液体９の液面の上昇に合せて、矢印Ｇで示すように網カゴ６の位置を上昇させる。そして、網カゴ６の位置を上昇させることにより、液体９の液面と網カゴ６の外底面との距離Ｄ1は１．０ｃｍに保たれる。この結果、継続的に投入された反応液２は、ほとんど、酸化したり、析出したりすることなく、そのまま被めっき物１に到達し、被めっき物１の表面に、フェライトめっき膜（図示せず）が析出される。
【００２８】
なお、液体９の液面の上昇に合せて、網カゴ９の位置を上昇させる方法としては、たとえば、めっき槽４の内壁に、液体９の液面を測定する液面センサ（図示せず）を設置し、その液面センサの計測結果を受けて、電気機械的に網カゴ９の位置を上昇させることによりおこなうことができる。
【００２９】
そして、反応液２、ｐＨ調整液３の投入を６０分間継続した後に、図２（Ｄ）に示すように、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止する。続いて、図示しないが、網カゴ６を液体９から引上げ、網カゴ６から被めっき物１を取り出す。被めっき物１の表面には、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えた、膜厚の均一なフェライトめっき膜が、高い析出効率で析出されている。
【００３０】
以上、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００３１】
たとえば、第１実施形態では、反応液２に、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）と２価の亜鉛イオン（Ｚｎ2+）とが含まれているが、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）のみ、あるいは２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）と２価のニッケルイオン（Ｎｉ2+）とが含まれるようにしても良い。
【００３２】
また、第１実施形態では、電子部品としてインダクタンス素子を製造したが、製造される電子部品の種類は任意であり、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、電磁干渉抑制体などであっても良い。
【００３３】
［第２実施形態］
図３（Ａ）、（Ｂ）に、第２実施形態にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す。
【００３４】
本実施形態は、めっき槽に新たに投入された液体と同量の液体を、めっき槽から外部に排液することを特徴としており、被めっき物１、反応液２、ｐＨ調整剤３については、上述した第１実施形態に用いたものと同じものを用いる。
【００３５】
すなわち、被めっき物１には、コアに導線が巻回されたインダクタンス素子を用いる。また、反応液２は、純水にＦｅＣｌ2、ＺｎＣｌ2を溶解させ、Ｆｅ濃度が１０ｍｍｏｌ／Ｌ、Ｚｎ濃度が２ｍｍｏｌ／Ｌとなるように調整したものを用いる。また、ｐＨ調整液３は、純水にＣＨ3ＣＯＯＫを溶解させ、ＣＨ3ＣＯＯＫの濃度が５０ｍｍｏｌ／Ｌとなるように調整したものを用いる。
【００３６】
そして、図３（Ａ）に示すように、めっき槽１４に、７５０ｍＬの純水１５を投入したうえで、その中に複数の被めっき物１が収納された網カゴ１６を浸漬する。このめっきを開始する初期段階で、めっき槽１４の内底面から純水１５の液面までの距離Ｄ2は５．０ｃｍとなり、純水１５の液面と網カゴ１６の外底面との距離Ｄ3は１．０ｃｍとなるように設定した。
【００３７】
この状態からめっきを開始する。めっき槽１４は、めっき槽１４内の液体（純水１５と後から投入される反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）１９を外部に排液するためのノズル１４ａを備えており、図３（Ｂ）に示すように、めっき槽１４の開口部に配置された反応液ノズル７とｐＨ調整液ノズル８からそれぞれ、反応液２およびｐＨ調整液３をめっき槽１４内に継続的に投入するとともに、ノズル１４ａから、めっき槽１４内の液体１９を外部に排液する。
【００３８】
この時に、反応液２の投入スピードは１７．５ｍＬ／分、ｐＨ調整液３の投入スピードは１７．５ｍＬ／分とし、ノズル１４ａからの廃液スピードは３５．０ｍＬ／分のスピードとした。この際、網カゴ１６は実施形態を揺動してもよい。
【００３９】
この結果、めっき槽１４内の液体１９の液面は変化せず、めっき槽１４の内底面から液体１９の液面までの距離Ｄ2は５．０ｃｍに、液体１９の液面と網カゴ６の外底面との距離Ｄ3は１．０ｃｍに保たれる。この結果、継続的に投入された反応液２は、ほとんど、酸化したり、析出したりすることなく、そのまま被めっき物１に到達し、被めっき物１の表面に、フェライトめっき膜（図示せず）が析出される。
【００４０】
そして、反応液２、ｐＨ調整液３の投入を６０分間継続した後に、図示しないが、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止し、網カゴ１６を液体１９から引上げ、網カゴ１６から被めっき物１を取り出す。被めっき物１の表面には、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えた、膜厚の均一なフェライトめっき膜が、高い析出効率で析出されている。
【実験例】
【００４１】
本発明の有効性を確認するため、以下の実施例、比較例１、比較例２について実験をおこなった。
【００４２】
（実施例）
まず、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３とを準備した。本実施例においても、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３には、上述した実施形態１および２で用いたものと同じ物を用いた。
【００４３】
次に、図４（Ａ）に示すように、めっき槽４に、１５０ｍＬの純水２５を投入し、その純水２５に、複数の被めっき物１を収容した網カゴ２６を浸漬した。この結果、純水２５の液面と網カゴ２６の外底面との距離Ｄ11は１．０ｃｍとなった。
【００４４】
次に、図４（Ｂ）に示すように、めっき槽４に、反応液２を１７．５ｍＬ／分のスピードで、ｐＨ調整剤３を１７．５ｍＬ／分のスピードで投入するとともに、網カゴ２６を揺動した。
【００４５】
この結果、めっき槽４内の液体（純水２５と反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）２９の液面が上昇するが、この液体２９の液面の上昇に合せて、網カゴ２６の位置も上昇させた。
【００４６】
そして、反応液２とｐＨ調整液３との投入を６０分間継続した後に、図４（Ｃ）に示すように、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止した。このとき、めっき槽４の内底面から液体２９の液面までの距離Ｄ12は１５．０ｃｍであった。なお、液体２９の液面の上昇にともなって、網カゴ２６の位置を上昇させたため、液体２９の液面と網カゴ２６の外底面との距離Ｄ11は１．０ｃｍに保たれたままである。
【００４７】
次に、図示しないが、網カゴ２６を液体２９から引上げ、網カゴ２６から被めっき物を取り出した。被めっき物の表面には、フェライトめっき膜が析出されていた。
【００４８】
フェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎを、日本電子社製のＦＥ−ＷＤＸ装置（品番「ＪＸＡ８５３０Ｆ」）で測定したところ４．９であった。
【００４９】
（比較例１）
比較例１においても、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３には、上述した実施形態１および２で用いたものと同じ物を準備した。
【００５０】
次に、図５（Ａ）に示すように、めっき槽４に、１５０ｍＬの純水３５を投入し、その純水３５に、複数の被めっき物１を収容した網カゴ３６を浸漬した。この結果、純水３５の液面と網カゴ３６の外底面との距離Ｄ21は１．０ｃｍとなった。
【００５１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、めっき槽４に、反応液２を１７．５ｍＬ／分のスピードで、ｐＨ調整剤３を１７．５ｍＬ／分のスピードで投入するとともに、網カゴ３６を揺動した。
【００５２】
この結果、めっき槽４内の液体（純水３５と反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）３９の液面が上昇した。しかしながら、比較例１においては、網カゴ３６の位置は上昇させなかった。
【００５３】
そして、反応液２とｐＨ調整液３との投入を６０分間継続した後に、図５（Ｃ）に示すように、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止した。このとき、めっき槽４の内底面から液体３９の液面までの距離Ｄ22は１５．０ｃｍであった。なお、液体３９の液面が上昇しても、網カゴ３６の位置を上昇させなかったため、網カゴ３６の外底面はめっき槽４の内底面に接したままである。
【００５４】
次に、図示しないが、網カゴ３６を液体３９から引上げ、網カゴ３６から被めっき物を取り出した。被めっき物の表面には、フェライトめっき膜が析出されていた。
【００５５】
フェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎを、実施例と同じＦＥ−ＷＤＸ装置で測定したところ１２．３であった。
【００５６】
（比較例２）
比較例２においても、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３には、上述した実施形態１および２で用いたものと同じ物を準備した。
【００５７】
次に、図６（Ａ）に示すように、めっき槽４に、１５０ｍＬの純水４５を投入し、その純水４５に、複数の被めっき物１を収容した網カゴ４６を浸漬した。この結果、純水４５の液面と網カゴ４６の外底面との距離Ｄ31は１．０ｃｍとなった。
【００５８】
次に、図示しないが、めっき槽４に、反応液２を１７．５ｍＬ／分のスピードで、ｐＨ調整剤３を１７．５ｍＬ／分のスピードで投入するとともに、網カゴ４６を揺動した。
【００５９】
この結果、めっき槽４内の液体（純水４５と反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）４９の液面が上昇した。しかしながら、比較例２においては、この時点では、網カゴ４６の外底面はめっき槽４の内底面に接したままに維持した。
【００６０】
そして、反応液２とｐＨ調整液３との投入を３０分間継続した後に、図６（Ｂ）に示すように、めっき槽４の内底面から液体３９の液面までの距離Ｄ32が８．０ｃｍとなったところで、網カゴ４６の位置を、液体３９の液面から網カゴ４６の外底面の距離Ｄ33が１．０ｃｍになるところまで引き上げた。そして、網カゴ４６を、その位置に固定した。
【００６１】
そして、さらに反応液２とｐＨ調整液３との投入を３０分間継続した後に、図６（Ｃ）に示すように、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止した。このとき、めっき槽４の内底面から液体４９の液面までの距離Ｄ34は１５．０ｃｍであった。また、液体４９の液面と網カゴ４６の外底面との距離Ｄ35は８．０ｃｍであった。
【００６２】
次に、図示しないが、網カゴ４６を液体４９から引上げ、網カゴ４６から被めっき物を取り出した。被めっき物の表面には、フェライトめっき膜が析出されていた。
【００６３】
フェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎを、実施例と同じＦＥ−ＷＤＸ装置で測定したところ８．５であった。
【００６４】
（実施例と比較例１、比較例２との比較）
上述のとおり、実施例においては、被めっき物の表面に、組成比Ｆｅ／Ｚｎが４．９のフェライトめっき膜が析出された。投入した反応液２の金属イオン濃度比Ｆｅ／Ｚｎは１０（ｍｏｌ／Ｌ）／２（ｍｏｌ／Ｌ）＝５．０であるため、実施例においては、投入された反応液２は、ほとんど、酸化したり、析出したりすることなく、そのまま被めっき物に到達したものと考えられる。そして、析出効率も高いものと考えられる。このように、本発明の電子部品の製造方法によれば、被めっき物の表面に形成されるフェライトめっき膜は、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えている。
【００６５】
これに対し、比較例１の被めっき物の表面に析出されたフェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎは１２．３であり、比較例２の被めっき物の表面に析出されたフェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎは８．５であり、いずれも、投入された反応液２は、被めっき物に到達する前に、酸化したり、析出してしまったりしたものと考えられる。
【００６６】
以上の実験例からわかるように、本発明の電子部品の製造方法によれば、被めっき物の表面に、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えたフェライトめっき膜を形成することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１：被めっき物
２：反応液
３：ｐＨ調整液
４、１４：めっき槽
１４ａ：バルブ
５、１５、２５、３５、４５：純水
６、１６、２６、３６、４６：網カゴ
７：反応液ノズル
８：ｐＨ調整液ノズル
９、１９、２９、３９、４９：（めっき槽内の）液体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関し、さらに詳しくは、被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程を備えた電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
また、本発明は、上述した電子部品の製造方法において使用するのに適しためっき装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
フェライトめっきは電磁ノイズ抑制シート、金属磁性粒子表面の絶縁コートなどに使用された例があり、また巻線コイル表面の絶縁処理として使用された例も一部報告されている。
【０００４】
基体（被加工物）の表面に、たとえば電極となる導電被膜を形成する場合には、めっき槽を使用した湿式めっきによる方法が用いられることが多い。大量の基体の表面に一括して導電被膜を形成することができ、生産性が高いからである。
【０００５】
しかしながら、基体の表面にフェライト被膜を形成する場合には、従来のめっき槽を使用した湿式めっきによる方法は適さなかった。フェライト被膜の湿式めっきにおいては、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオン（Ｍ2+）を含む反応液を反応液として使用するが、この反応液を予めめっき槽に入れておくと、酸化して、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）が３価の鉄イオン（Ｆｅ3+）に変わってしまい、めっき析出効率が低下してしまうからである。また、めっき液中の微小異物やめっき槽の内壁にもフェライトめっき被膜が析出してしまいやすく、めっき液に基体を投入する前に、金属イオンが消費されてしまうような場合もあったからである。
【０００６】
この結果、従来のめっき槽を使用した湿式めっきによる方法では、狙った組成比のフェライトめっき膜を形成することができないという問題や、均一な膜厚のフェライトめっき膜を形成することができないという問題があった。
【０００７】
そこで、従来において、基体の表面にフェライト被膜を形成する場合には、特許文献１（特許第４４１０８３８号）に開示されるような、特殊なめっき方法が採用されていた。
【０００８】
図７に、特許文献１に開示された、基体の表面へのフェライト被膜を形成する特殊なめっき方法を示す。この方法においては、回転テーブル１０１の上に、支持部材１０２を介して基体１０３を支持し、回転テーブル１０１を回転させた状態で基体１０３に反応液１０４および酸化液１０５を噴霧する。反応液１０４は、第１鉄イオン（２価の鉄イオン（Ｆｅ2+））を含む。酸化液１０５は、酸化剤を含む。基体１０３には、反応液１０４と酸化液１０５が交互に噴霧されることになり、基体１０３の表面にはフェライトめっき被膜が析出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４４１０８３８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に開示された方法によれば、基体１０３の表面にフェライトめっき被膜を形成することができる。しかしながら、この方法は、回転テーブル１０１の上に支持部材１０２を介して基体１０３を支持し、回転テーブル１０１を回転させた状態で基体１０３に反応液１０４および酸化液１０５を噴霧するものであり、次のような問題があった。
（１）回転テーブル１０１を含む、特殊なめっき装置が必要である。
（２）回転テーブル１０１に支持部材１０２を介して基体１０３を支持させなければならず、作業が煩雑である。
（３）基体１０３が微小な場合には、支持部材１０２に取り付けられない場合がある。
（４）大量生産に適しておらず、生産性が悪い。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明の電子部品の製造方法は、めっき槽と、２価の鉄イオン、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオンを含む反応液と、被めっき物とを準備する工程と、めっき槽に、純水および反応液の少なくとも一方と、被めっき物とを投入し、被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程とを備え、被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽内の液体の液面と被めっき物との距離を一定に保つようにした。
【００１２】
被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽へ、ｐＨ調整液を投入するようにしても良い。
【００１３】
鉄以外の２価の金属イオンとしては、たとえば、２価のニッケルイオン、および、２価の亜鉛イオンの少なくとも１つとすることができる。
【００１４】
めっき槽内の液体の液面と被めっき物との距離を一定に保つ方法としては、たとえば、反応液の継続的な投入によるめっき槽内の液体の液面の上昇に応じて、その液体に浸漬された被めっき物の位置を上昇させる方法を採用することができる。
【００１５】
また、めっき槽内の液体の液面と被めっき物との距離を一定に保つ別の方法としては、たとえば、反応液の継続的な投入と共に、めっき槽の液体の量が一定になるように、めっき槽から外部に排液する方法を採用することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子部品の製造方法は、上述した構成としたため、被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、めっき槽に継続的に投入される反応液は、途中で、ほとんど、酸化したり、析出したりすることなく、そのまま被めっき物に到達する。したがって、被めっき物の表面には、新たに投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えた、膜厚の均一なフェライトめっき膜が、高い析出効率で形成される。
【００１７】
また、本発明の電子部品の製造方法は、従来からの一般的な、めっき槽を使用した湿式めっき方法を使用するものであり、特殊なめっき装置は不要で、作業も容易であり、大量生産に適し、生産性が高く、微小な被めっき物へのフェライトめっきも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図２】図２（Ｃ）、（Ｄ）は、図１（Ｂ）の続きである。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）は、第２実施形態にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｃ）は、比較例１にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｃ）は、比較例２にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【図７】従来の電子部品の製造方法において実施される工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
図１（Ａ）〜図２（Ｄ）に、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す。なお、本実施形態においては、コアに導線が巻回されたインダクタンス素子を被めっき物とし、その表面に、フェライトめっき被膜を形成する場合を例に挙げて説明する。
【００２１】
まず、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３とを準備する。なお、被めっき物１は図１（Ｂ）〜図２（Ｄ）に、反応液２、ｐＨ調整剤３は、図２（Ｃ）に示されている。
【００２２】
本実施形態においては、被めっき物１に、コアに導線が巻回されたインダクタンス素子を用いる。
【００２３】
また、本実施液体においては、反応液２は、純水に、ＦｅＣｌ2、ＺｎＣｌ2を溶解させ、Ｆｅ濃度が１０ｍｍｏｌ／Ｌ、Ｚｎ濃度が２ｍｍｏｌ／Ｌとなるように調整したものを用いる。反応液２には、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）と２価の亜鉛イオン（Ｚｎ2+）が含まれる。鉄と亜鉛との金属イオン濃度比Ｆｅ／Ｚｎは、１０（ｍｏｌ／Ｌ）／２（ｍｏｌ／Ｌ）＝５である。なお、準備した反応液２は、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）が３価の鉄イオン（Ｆｅ3+）に酸化しないように、常にＮ2ガスを通して、バブリングした状態で保存する。
【００２４】
また、本実施形態においては、ｐＨ調整液３は、純水にＣＨ3ＣＯＯＫを溶解させ、ＣＨ3ＣＯＯＫの濃度が５０ｍｍｏｌ／Ｌとなるように調整したものを用いる。
【００２５】
次に、図１（Ａ）に示すように、めっき槽４を準備し、槽内に純水５を投入する。本実施形態においては、めっき槽４として、内底面積が１５０ｃｍ2のものを用いる。また、純水５の投入量は、１５０ｍＬとする。
【００２６】
次に、図１（Ｂ）に示すように、めっき槽４内の純水５に、複数の被めっき物１が収容された網カゴ６を浸漬する。網カゴ６は深さ０．９ｃｍであり、純水５の液面と網カゴ６の外底面との距離Ｄ1は１．０ｃｍとなる。
【００２７】
次に、図２（Ｃ）に示すように、めっき槽４の開口部に反応液ノズル７とｐＨ調整液ノズル８を配置し、反応液ノズル７から反応液２を、ｐＨ調整液ノズル８からｐＨ調整液３をめっき槽４内に継続的に投入するとともに、網カゴ６を揺動する。反応液２の投入スピードは１７．５ｍＬ／分とする。また、ｐＨ調整液３の投入スピードは１７．５ｍＬ／分とする。この結果、めっき槽４内の液体（純水５と反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）９の液面が上昇するが、この液体９の液面の上昇に合せて、矢印Ｇで示すように網カゴ６の位置を上昇させる。そして、網カゴ６の位置を上昇させることにより、液体９の液面と網カゴ６の外底面との距離Ｄ1は１．０ｃｍに保たれる。この結果、継続的に投入された反応液２は、ほとんど、酸化したり、析出したりすることなく、そのまま被めっき物１に到達し、被めっき物１の表面に、フェライトめっき膜（図示せず）が析出される。
【００２８】
なお、液体９の液面の上昇に合せて、網カゴ９の位置を上昇させる方法としては、たとえば、めっき槽４の内壁に、液体９の液面を測定する液面センサ（図示せず）を設置し、その液面センサの計測結果を受けて、電気機械的に網カゴ９の位置を上昇させることによりおこなうことができる。
【００２９】
そして、反応液２、ｐＨ調整液３の投入を６０分間継続した後に、図２（Ｄ）に示すように、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止する。続いて、図示しないが、網カゴ６を液体９から引上げ、網カゴ６から被めっき物１を取り出す。被めっき物１の表面には、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えた、膜厚の均一なフェライトめっき膜が、高い析出効率で析出されている。
【００３０】
以上、第１実施形態にかかる電子部品の製造方法について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００３１】
たとえば、第１実施形態では、反応液２に、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）と２価の亜鉛イオン（Ｚｎ2+）とが含まれているが、２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）のみ、あるいは２価の鉄イオン（Ｆｅ2+）と２価のニッケルイオン（Ｎｉ2+）とが含まれるようにしても良い。
【００３２】
また、第１実施形態では、電子部品としてインダクタンス素子を製造したが、製造される電子部品の種類は任意であり、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、電磁干渉抑制体などであっても良い。
【００３３】
［第２実施形態］
図３（Ａ）、（Ｂ）に、第２実施形態にかかる電子部品の製造方法において実施される工程を示す。
【００３４】
本実施形態は、めっき槽に新たに投入された液体と同量の液体を、めっき槽から外部に排液することを特徴としており、被めっき物１、反応液２、ｐＨ調整剤３については、上述した第１実施形態に用いたものと同じものを用いる。
【００３５】
すなわち、被めっき物１には、コアに導線が巻回されたインダクタンス素子を用いる。また、反応液２は、純水にＦｅＣｌ2、ＺｎＣｌ2を溶解させ、Ｆｅ濃度が１０ｍｍｏｌ／Ｌ、Ｚｎ濃度が２ｍｍｏｌ／Ｌとなるように調整したものを用いる。また、ｐＨ調整液３は、純水にＣＨ3ＣＯＯＫを溶解させ、ＣＨ3ＣＯＯＫの濃度が５０ｍｍｏｌ／Ｌとなるように調整したものを用いる。
【００３６】
そして、図３（Ａ）に示すように、めっき槽１４に、７５０ｍＬの純水１５を投入したうえで、その中に複数の被めっき物１が収納された網カゴ１６を浸漬する。このめっきを開始する初期段階で、めっき槽１４の内底面から純水１５の液面までの距離Ｄ2は５．０ｃｍとなり、純水１５の液面と網カゴ１６の外底面との距離Ｄ3は１．０ｃｍとなるように設定した。
【００３７】
この状態からめっきを開始する。めっき槽１４は、めっき槽１４内の液体（純水１５と後から投入される反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）１９を外部に排液するためのノズル１４ａを備えており、図３（Ｂ）に示すように、めっき槽１４の開口部に配置された反応液ノズル７とｐＨ調整液ノズル８からそれぞれ、反応液２およびｐＨ調整液３をめっき槽１４内に継続的に投入するとともに、ノズル１４ａから、めっき槽１４内の液体１９を外部に排液する。
【００３８】
この時に、反応液２の投入スピードは１７．５ｍＬ／分、ｐＨ調整液３の投入スピードは１７．５ｍＬ／分とし、ノズル１４ａからの廃液スピードは３５．０ｍＬ／分のスピードとした。この際、網カゴ１６は実施形態を揺動してもよい。
【００３９】
この結果、めっき槽１４内の液体１９の液面は変化せず、めっき槽１４の内底面から液体１９の液面までの距離Ｄ2は５．０ｃｍに、液体１９の液面と網カゴ６の外底面との距離Ｄ3は１．０ｃｍに保たれる。この結果、継続的に投入された反応液２は、ほとんど、酸化したり、析出したりすることなく、そのまま被めっき物１に到達し、被めっき物１の表面に、フェライトめっき膜（図示せず）が析出される。
【００４０】
そして、反応液２、ｐＨ調整液３の投入を６０分間継続した後に、図示しないが、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止し、網カゴ１６を液体１９から引上げ、網カゴ１６から被めっき物１を取り出す。被めっき物１の表面には、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えた、膜厚の均一なフェライトめっき膜が、高い析出効率で析出されている。
【実験例】
【００４１】
本発明の有効性を確認するため、以下の実施例、比較例１、比較例２について実験をおこなった。
【００４２】
（実施例）
まず、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３とを準備した。本実施例においても、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３には、上述した実施形態１および２で用いたものと同じ物を用いた。
【００４３】
次に、図４（Ａ）に示すように、めっき槽４に、１５０ｍＬの純水２５を投入し、その純水２５に、複数の被めっき物１を収容した網カゴ２６を浸漬した。この結果、純水２５の液面と網カゴ２６の外底面との距離Ｄ11は１．０ｃｍとなった。
【００４４】
次に、図４（Ｂ）に示すように、めっき槽４に、反応液２を１７．５ｍＬ／分のスピードで、ｐＨ調整剤３を１７．５ｍＬ／分のスピードで投入するとともに、網カゴ２６を揺動した。
【００４５】
この結果、めっき槽４内の液体（純水２５と反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）２９の液面が上昇するが、この液体２９の液面の上昇に合せて、網カゴ２６の位置も上昇させた。
【００４６】
そして、反応液２とｐＨ調整液３との投入を６０分間継続した後に、図４（Ｃ）に示すように、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止した。このとき、めっき槽４の内底面から液体２９の液面までの距離Ｄ12は１５．０ｃｍであった。なお、液体２９の液面の上昇にともなって、網カゴ２６の位置を上昇させたため、液体２９の液面と網カゴ２６の外底面との距離Ｄ11は１．０ｃｍに保たれたままである。
【００４７】
次に、図示しないが、網カゴ２６を液体２９から引上げ、網カゴ２６から被めっき物を取り出した。被めっき物の表面には、フェライトめっき膜が析出されていた。
【００４８】
フェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎを、日本電子社製のＦＥ−ＷＤＸ装置（品番「ＪＸＡ８５３０Ｆ」）で測定したところ４．９であった。
【００４９】
（比較例１）
比較例１においても、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３には、上述した実施形態１および２で用いたものと同じ物を準備した。
【００５０】
次に、図５（Ａ）に示すように、めっき槽４に、１５０ｍＬの純水３５を投入し、その純水３５に、複数の被めっき物１を収容した網カゴ３６を浸漬した。この結果、純水３５の液面と網カゴ３６の外底面との距離Ｄ21は１．０ｃｍとなった。
【００５１】
次に、図５（Ｂ）に示すように、めっき槽４に、反応液２を１７．５ｍＬ／分のスピードで、ｐＨ調整剤３を１７．５ｍＬ／分のスピードで投入するとともに、網カゴ３６を揺動した。
【００５２】
この結果、めっき槽４内の液体（純水３５と反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）３９の液面が上昇した。しかしながら、比較例１においては、網カゴ３６の位置は上昇させなかった。
【００５３】
そして、反応液２とｐＨ調整液３との投入を６０分間継続した後に、図５（Ｃ）に示すように、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止した。このとき、めっき槽４の内底面から液体３９の液面までの距離Ｄ22は１５．０ｃｍであった。なお、液体３９の液面が上昇しても、網カゴ３６の位置を上昇させなかったため、網カゴ３６の外底面はめっき槽４の内底面に接したままである。
【００５４】
次に、図示しないが、網カゴ３６を液体３９から引上げ、網カゴ３６から被めっき物を取り出した。被めっき物の表面には、フェライトめっき膜が析出されていた。
【００５５】
フェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎを、実施例と同じＦＥ−ＷＤＸ装置で測定したところ１２．３であった。
【００５６】
（比較例２）
比較例２においても、被めっき物１と、反応液２と、ｐＨ調整剤３には、上述した実施形態１および２で用いたものと同じ物を準備した。
【００５７】
次に、図６（Ａ）に示すように、めっき槽４に、１５０ｍＬの純水４５を投入し、その純水４５に、複数の被めっき物１を収容した網カゴ４６を浸漬した。この結果、純水４５の液面と網カゴ４６の外底面との距離Ｄ31は１．０ｃｍとなった。
【００５８】
次に、図示しないが、めっき槽４に、反応液２を１７．５ｍＬ／分のスピードで、ｐＨ調整剤３を１７．５ｍＬ／分のスピードで投入するとともに、網カゴ４６を揺動した。
【００５９】
この結果、めっき槽４内の液体（純水４５と反応液２とｐＨ調整液３が合わさった液体）４９の液面が上昇した。しかしながら、比較例２においては、この時点では、網カゴ４６の外底面はめっき槽４の内底面に接したままに維持した。
【００６０】
そして、反応液２とｐＨ調整液３との投入を３０分間継続した後に、図６（Ｂ）に示すように、めっき槽４の内底面から液体３９の液面までの距離Ｄ32が８．０ｃｍとなったところで、網カゴ４６の位置を、液体３９の液面から網カゴ４６の外底面の距離Ｄ33が１．０ｃｍになるところまで引き上げた。そして、網カゴ４６を、その位置に固定した。
【００６１】
そして、さらに反応液２とｐＨ調整液３との投入を３０分間継続した後に、図６（Ｃ）に示すように、反応液２とｐＨ調整液３との投入を停止した。このとき、めっき槽４の内底面から液体４９の液面までの距離Ｄ34は１５．０ｃｍであった。また、液体４９の液面と網カゴ４６の外底面との距離Ｄ35は８．０ｃｍであった。
【００６２】
次に、図示しないが、網カゴ４６を液体４９から引上げ、網カゴ４６から被めっき物を取り出した。被めっき物の表面には、フェライトめっき膜が析出されていた。
【００６３】
フェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎを、実施例と同じＦＥ−ＷＤＸ装置で測定したところ８．５であった。
【００６４】
（実施例と比較例１、比較例２との比較）
上述のとおり、実施例においては、被めっき物の表面に、組成比Ｆｅ／Ｚｎが４．９のフェライトめっき膜が析出された。投入した反応液２の金属イオン濃度比Ｆｅ／Ｚｎは１０（ｍｏｌ／Ｌ）／２（ｍｏｌ／Ｌ）＝５．０であるため、実施例においては、投入された反応液２は、ほとんど、酸化したり、析出したりすることなく、そのまま被めっき物に到達したものと考えられる。そして、析出効率も高いものと考えられる。このように、本発明の電子部品の製造方法によれば、被めっき物の表面に形成されるフェライトめっき膜は、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えている。
【００６５】
これに対し、比較例１の被めっき物の表面に析出されたフェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎは１２．３であり、比較例２の被めっき物の表面に析出されたフェライトめっき膜の組成比Ｆｅ／Ｚｎは８．５であり、いずれも、投入された反応液２は、被めっき物に到達する前に、酸化したり、析出してしまったりしたものと考えられる。
【００６６】
以上の実験例からわかるように、本発明の電子部品の製造方法によれば、被めっき物の表面に、投入した反応液中の金属イオン濃度比からずれていない組成比を備えたフェライトめっき膜を形成することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１：被めっき物
２：反応液
３：ｐＨ調整液
４、１４：めっき槽
１４ａ：バルブ
５、１５、２５、３５、４５：純水
６、１６、２６、３６、４６：網カゴ
７：反応液ノズル
８：ｐＨ調整液ノズル
９、１９、２９、３９、４９：（めっき槽内の）液体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき槽と、２価の鉄イオン、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオンを含む反応液と、被めっき物とを準備する工程と、
前記めっき槽に、純水および前記反応液の少なくとも一方と、前記被めっき物とを投入し、前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程と、を備えてなる電子部品の製造方法であって、
前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、前記めっき槽内の液体の液面と前記被めっき物との距離が一定に保たれることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、前記めっき槽へ、ｐＨ調整液が投入されることを特徴とする、請求項１に記載された電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記鉄以外の２価の金属イオンが、２価のニッケルイオン、および、２価の亜鉛イオンの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１または２に記載された電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、前記反応液を継続的に投入し、前記めっき槽内の液体の液面の上昇に応じて、当該液体に浸漬された前記被めっき物の位置を上昇させることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、前記反応液を継続的に投入すると共に、前記めっき槽の液体の量が一定になるように前記めっき槽から外部に排液することを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項６】
めっき槽と、
被めっき物が収容され、前記めっき槽に投入された液体に浸漬される容器と、
反応液を継続的に投入する手段と、
めっき槽内の液体の液面と前記被めっき物との距離を一定に保つように、前記めっき槽に投入された液体の液面の変動にともなって、前記容器の位置を調整する容器位置調整手段と、を備えたことを特徴とするめっき装置。
【請求項７】
めっき槽と、
被めっき物が収容され、前記めっき槽に投入された液体に浸漬される容器と、
反応液を継続的に投入する手段と、
めっき槽内の液体の液面と前記被めっき物との距離を一定に保つように廃液量を制御して、めっき槽の外部に廃液する液排液手段と、を備えたことを特徴とするめっき装置。
【請求項１】
めっき槽と、２価の鉄イオン、または、２価の鉄イオンと鉄以外の２価の金属イオンを含む反応液と、被めっき物とを準備する工程と、
前記めっき槽に、純水および前記反応液の少なくとも一方と、前記被めっき物とを投入し、前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程と、を備えてなる電子部品の製造方法であって、
前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、前記めっき槽内の液体の液面と前記被めっき物との距離が一定に保たれることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、前記めっき槽へ、ｐＨ調整液が投入されることを特徴とする、請求項１に記載された電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記鉄以外の２価の金属イオンが、２価のニッケルイオン、および、２価の亜鉛イオンの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１または２に記載された電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、前記反応液を継続的に投入し、前記めっき槽内の液体の液面の上昇に応じて、当該液体に浸漬された前記被めっき物の位置を上昇させることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記被めっき物の表面にフェライトめっき膜を析出させる工程において、前記反応液を継続的に投入すると共に、前記めっき槽の液体の量が一定になるように前記めっき槽から外部に排液することを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された電子部品の製造方法。
【請求項６】
めっき槽と、
被めっき物が収容され、前記めっき槽に投入された液体に浸漬される容器と、
反応液を継続的に投入する手段と、
めっき槽内の液体の液面と前記被めっき物との距離を一定に保つように、前記めっき槽に投入された液体の液面の変動にともなって、前記容器の位置を調整する容器位置調整手段と、を備えたことを特徴とするめっき装置。
【請求項７】
めっき槽と、
被めっき物が収容され、前記めっき槽に投入された液体に浸漬される容器と、
反応液を継続的に投入する手段と、
めっき槽内の液体の液面と前記被めっき物との距離を一定に保つように廃液量を制御して、めっき槽の外部に廃液する液排液手段と、を備えたことを特徴とするめっき装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−４４０３１（Ｐ２０１３−４４０３１Ａ）
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８３５７９（Ｐ２０１１−１８３５７９）
【出願日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]