電子部品パッケージ用封止部材、及び電子部品パッケージ
【課題】電子部品パッケージの内部空間を気密封止するために、電子部品パッケージ用封止部材の他主面に樹脂材を用いる場合であっても、電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下を抑制する。
【解決手段】電子部品パッケージ用封止部材であるベース４を構成する基材の他主面４２には、外部と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、一主面４１に搭載される電子部品素子２を外部端子電極５３，５４に引き回す配線パターン５５と、樹脂材（樹脂パターン６１）とが形成され、他主面４２の基材および配線パターン５５上に樹脂パターン６１が積層され、配線パターン５５および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層されている。
【解決手段】電子部品パッケージ用封止部材であるベース４を構成する基材の他主面４２には、外部と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、一主面４１に搭載される電子部品素子２を外部端子電極５３，５４に引き回す配線パターン５５と、樹脂材（樹脂パターン６１）とが形成され、他主面４２の基材および配線パターン５５上に樹脂パターン６１が積層され、配線パターン５５および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極が封止された電子部品パッケージの第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材、及びこの電子部品パッケージ用封止部材を使用してなる電子部品パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動デバイス等の電子部品のパッケージ（以下、電子部品パッケージという）の内部空間は、この内部空間に搭載した電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防ぐために気密封止される。
【０００３】
この種の電子部品パッケージとしては、ベースと蓋といった２つの封止部材から構成され、その筐体が直方体のパッケージに構成されたものがある。このような電子部品パッケージの内部空間では、圧電振動片等の電子部品素子がベースに保持接合される。そして、ベースと蓋とが接合されることで、電子部品パッケージの内部空間の電子部品素子の電極が気密封止される。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示の水晶部品（本発明でいう電子部品）では、ベースと蓋とからなる電子部品パッケージの内部空間に、水晶片が気密封止されている。このような水晶部品のベースには、当該ベースを構成する基材を貫通する貫通孔が設けられており、この貫通孔の内側面には、Ｃｒ−Ｎｉ−Ａｕ等の多層の金属膜からなる配線用金属が形成されている。さらに、貫通孔には、ＡｕＧｅ等の合金が溶着されており、これにより、電子部品パッケージの内部空間の気密性が確保されている。
【０００５】
このような電子部品では、プリント配線板等の基板への実装に際して熱が加えられるが、この際、次に示す不具合が生じる。特許文献１に開示の水晶部品では、その基板に実装する際に加えられた熱により、貫通孔の内側面に溶着された合金の界面が軟化（拡散）し、貫通孔の内側面と合金との密着性が低下することがあった。そして、このような合金の密着性の低下により、貫通孔の内側面から合金が剥がれ、剥がれた合金が水晶部品の電子部品パッケージの外へ脱落することがあった。このような貫通孔からの合金の脱落は、電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下をもたらす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２８３９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、電子部品パッケージの内部空間に十分な気密性を確保するために、貫通孔に、配線パターンの一部となる導電性材料（金属）を充填するとともに、貫通孔の他主面の側の開口面を樹脂材により塞ぐ技術が本出願人によって発明されたが、樹脂のベースへの密着強度が弱くなる場合があるという問題があった。
【０００８】
具体的には、ベースの裏面（他主面）には金属からなる配線パターン等が形成されており、貫通孔を封止する樹脂材は、ベースの他主面（素面）だけなく、他主面に形成された配線パターン上にも形成されることになる。
【０００９】
樹脂材（特に、高耐熱性を有する高耐熱性樹脂など）は、Ｃｕや貴金属（例えばＡｕ）との密着強度（密着性）が弱いため、樹脂材と導電性材料との接着強度（密着性）が弱く、配線パターンなどの導電性材料から樹脂材が剥がれることがあり、このことが原因となって電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下をもたらす可能性がある。
【００１０】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、電子部品パッケージの内部空間を気密封止するために電子部品パッケージ用封止部材の他主面に樹脂材を用いる場合であっても、電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下を抑制することができる電子部品パッケージ用封止部材、及び電子部品パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材は、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材と対向して配置されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の他主面には、外部と電気的に接続する外部端子電極と、前記一主面に搭載される電子部品素子を前記外部端子電極に電気的に接続するための配線パターンと、樹脂材とが形成され、前記他主面の前記基材および前記配線パターン上に前記樹脂材が積層され、前記配線パターンおよび前記樹脂材上に前記外部端子電極が積層されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、電子部品パッケージの内部空間を気密封止するために前記他主面に前記樹脂材を用いる場合であっても、前記内部空間における気密性の低下を抑制することが可能となる。具体的には、前記他主面の前記基材および前記配線パターン上に前記樹脂材が積層され、前記配線パターンおよび前記樹脂材上に前記外部端子電極が積層されるので、前記配線パターンへの前記樹脂材の接着強度が弱い場合であっても、前記基材への前記樹脂材の接着と、前記配線パターンへの前記外部端子電極の接着とによって、前記基材への前記樹脂材の接着補完を行うことが可能となる。
【００１３】
ところで、電子部品パッケージをプリント基板などに搭載する際に、半田（鉛フリー半田）を用いてプリント基板に当該電子部品パッケージ用封止部材を接合する。ここでいう半田の主成分としてＳｎが用いられている。そのため、電子部品パッケージをプリント基板などに搭載する際に、半田のＳｎが、当該電子部品パッケージ用封止部材の配線パターンや貫通孔を伝って、電子部品パッケージの内部空間に入り込んでくる可能性がある。これに対して、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材によれば、前記基材の他主面に、前記外部端子電極と前記配線パターンと前記樹脂材とが形成され、前記他主面の前記基材および前記配線パターン上に前記樹脂材が積層されるので、前記樹脂材により半田のＳｎが電子部品パッケージの内部空間へ入り込むのを防ぎ、その結果、電子部品パッケージの内部空間の真空状態を保つことが可能となる。
【００１４】
前記構成において、前記外部端子電極が積層された前記樹脂材の積層部位の外周縁に沿った外方において前記配線パターン上に前記外部端子電極が積層されてもよい。
【００１５】
この場合、前記外部端子電極が積層された前記樹脂材の積層部位の外周縁に沿った外方において前記配線パターン上に前記外部端子電極が積層されるので、前記樹脂材上に前記外部端子電極が積層された積層部位を囲むように、前記配線パターンへの前記外部端子電極の積層を行うことが可能となり、前記基材への前記樹脂材の接着に好ましい。また、このような構成によれば、前記配線パターンから前記外部接続端子までの距離を長くすることが可能となり、その結果、上述の半田のＳｎが電子部品パッケージの内部空間へ入り込むのを抑えることが可能となる。
【００１６】
前記構成において、前記基材の両主面間を貫通する貫通孔に、導電性材料が充填され、前記貫通孔の他主面（電子部品素子の搭載面と対向する面）の側の開口面が、前記樹脂材により塞がれてもよい。
【００１７】
この場合、前記両主面を貫通する前記貫通孔の前記他主面の側の開口面が、前記樹脂材により塞がれるので、前記貫通孔に充填された前記導電性材料が前記貫通孔から剥がれ、脱落するのを防止することができる。また、前記他主面から前記貫通孔に充填された前記導電性材料への熱伝導が、前記貫通孔の他主面側の開口面を塞ぐ前記樹脂材により遮断されるので、例えば、電子部品パッケージを基板に実装する際の熱による前記導電性材料と当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材との密着性の低下を防止することが可能となる。その結果、前記内部空間の気密性の低下を抑制することが可能となる。
【００１８】
上記の目的を達成するため、本発明に係る電子部品パッケージは、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材と対向して配置されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージであって、前記第１封止部材が、上記した本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、第１封止部材として、上記した本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材が使用されるので、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材と同様の作用効果を有し、前記第１封止部材の他主面に前記樹脂材を用いる場合であっても、当該電子部品パッケージの前記内部空間における気密性の低下を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の電子部品パッケージ用封止部材及び電子部品パッケージによれば、電子部品パッケージの内部空間を気密封止するために電子部品パッケージ用封止部材の他主面に樹脂材を用いる場合であっても、電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本実施の形態に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図２に示すベースのＡ−Ａ線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係るベースの概略平面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図４】図４は、図１に示すベースの貫通孔部分の概略構成を示す概略断面図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る蓋の概略裏面図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示すベースの概略裏面図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１７】図１７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１８】図１８は、図１８に示すベースの概略裏面図である。
【図１９】図１９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２０】図２０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２１】図２１は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２２】図２２は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２３】図２３は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２４】図２４は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２５】図２５は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２６】図２６は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２７】図２７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２８】図２８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２９】図２９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３０】図３０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３１】図３１は、他の形態に係るベースの概略断面図であって、図４に対応する部分の貫通孔の概略構成を示す概略構成図である。
【図３２】図３２は、他の形態に係るベースの概略断面図であって、図４に対応する部分の貫通孔の概略構成を示す概略構成図である。
【図３３】図３３は、他の形態に係るベースの概略構成を示す概略断面図である。
【図３４】図３４は、他の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。
【図３５】図３５は、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図３６】図３６は、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図３７】図３７は、図１５に示すベースに対応した、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図３８】図３８は、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図３９】図３９は、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片である音叉型水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。
【００２３】
本実施の形態に係る水晶振動子１には、図１に示すように、音叉型水晶片からなる図６に示す水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）と、ベース４と対向するように配置され、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋７（本発明でいう第２封止部材）とが設けられている。
【００２４】
この水晶振動子１では、ベース４と蓋７とがＡｕとＳｎの合金からなる接合材１２と、下記の第１接合層４８と、下記の第２接合層７４とにより接合され、これらの接合により、気密封止された内部空間１１を備える本体筐体が構成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ１３を用いたＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、本実施の形態において、導電性バンプ１３には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００２５】
次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。
【００２６】
ベース４は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１〜３に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。このようなベース４は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして箱状体に成形される。
【００２７】
ベース４の壁部４４の内側面は、テーパー状に成形されている。また、壁部４４の天面は、蓋７との接合面であり、この接合面には、蓋７と接合するための第１接合層４８が設けられている。第１接合層４８は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたスパッタ膜（図１の符号９３参照）と、スパッタ膜の上にメッキ形成されたメッキ膜（図１の符号９５参照）とからなる。スパッタ膜は、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、メッキ膜は、スパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００２８】
また、ベース４の一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形されている。キャビティ４５の底面４５１には、その長手方向の一端部４５２の全体に沿って台座部４６がエッチング成形されている。この台座部４６に、水晶振動片２が搭載される。なお、このキャビティ４５の壁面は、壁部４４の内側面であり、上記のようにテーパー状に成形されている。
【００２９】
また、ベース４には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、電極パッド５１と外部端子電極５４、及び電極パッド５２と外部端子電極５３を電気的に接続させる配線パターン５５とが形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とによりべース４の電極５が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４６の表面に形成されている。また、２つの外部端子電極５３，５４は、ベース４の他主面４３において、長手方向の両端部に形成され、長手方向に沿って離間して並設されている。また、外部端子電極５４の一隅部（外部端子電極５３に対面する側の１つの隅部）には切り欠き部５４１が形成され、この切り欠き部５４１は、当該水晶振動子１の製造工程におけるベースの位置決めや、当該水晶振動子１を外部部品や外部機器へ搭載する際の位置決めを行うサポートの役割を果たす。
【００３０】
電極パッド５１，５２は、ベース４の基板上に形成された第１シード膜（図１の符号９２参照）と、この第１シード膜の上に形成された第２シード膜（図１の符号９３参照）と、この第２シード膜の上に形成された第２メッキ膜（図１の符号９５参照）とにより構成されている。なお、電極パッド５１，５２を構成する第１シード膜９２は、ベース４の一主面４２にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕ膜（図示省略）とからなる。また、第２シード膜９３は、第１シード膜９２の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、第２メッキ膜９５は、第２シード膜９３にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００３１】
配線パターン５５は、電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４とを電気的に接続させるように、ベース４の一主面４２から貫通孔４９（下記参照）の内側面４９１を介してベース４の他主面４３に形成されている。また、配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成された第１シード膜（図１の符号９２参照）で構成されており、ベース４の一主面４２に位置する部分の第１シード膜９２上には、第２シード膜（図１の符号９３参照）と、Ａｕ膜からなる第２メッキ膜（図１の符号９５参照）とが形成されている。配線パターン５５を構成する第１シード膜９２は、ベース４の一主面４２にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕ膜（図示省略）とからなる。また、第２シード膜９３は、第１シード膜９２の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、第２メッキ膜９５は、この第２シード膜９３にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００３２】
また、外部端子電極５３，５４は、樹脂材からなる樹脂パターン６１（下記参照）上、及びベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５（図１の符号９２参照）上に形成された第２シード膜（図１の符号９３参照）と、この第２シード膜９３上に形成された第１メッキ膜（図１の符号９４参照）と、この第１メッキ膜９４上に形成された第２メッキ膜（図１の符号９５参照）とにより構成されている。なお、外部端子電極５３，５４を構成する第１シード膜９３は、樹脂パターン６１上、及びベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５（図１の符号９２参照）上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、第１メッキ膜９４は、第１シード膜９３にメッキ形成されたＮｉ膜からなる。また、第２メッキ膜９５は、第１メッキ膜９４にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００３３】
また、ベース４には、図１〜４に示すように、水晶振動片２の励振電極３１，３２を電極パッド５１，５２を介して配線パターン５５により、キャビティ４５内からキャビティ４５外に導出させるための貫通孔４９が形成されている。
【００３４】
貫通孔４９は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、キャビティ４５の成形と同時に形成され、図１〜図４に示すように、ベース４に２つの貫通孔４９が両主面４２，４３間を貫通して形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。貫通孔４９は、図４に示すように、ベース４の他主面４３の側にある貫通孔４９の他端開口面４９３の径で最大となり、ベース４の一主面４２の側にある貫通孔４９の一端開口面４９２の径で最小となる。このように、本実施の形態では、貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜しており、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度（図４の符号θ参照）は、約４５度とされる。なお、本実施の形態では、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、約４５度とされるが、これに限定されない。例えば、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、４５度より大きく、具体例としては、７０度〜９０度であってもよい。ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度（図４の符号θ参照）を９０度に近づけると、ベース４において、貫通孔４９の占める面積が小さくなり、配線パターン５５の形成箇所の自由度を向上させることができる。
【００３５】
このような貫通孔４９の内側面４９１には、配線パターン５５の一部であるＴｉ及びＣｕからなる第１シード膜（図１の符号９２参照）が形成されている。さらに、貫通孔４９の内部には、Ｃｕから構成される充填材（本発明でいう導電性材料）が第１シード膜９２上に充填されて充填層９８が形成されており、この充填層９８により、貫通孔４９が塞がれている。この充填層９８は、第１シード膜９２の表面に電解メッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されている。なお、充填層９８は、図４に示すように、ベース４の一主面４２の側の一端面９８１が、ベース４の一主面４２上に形成された第１シード膜９２の表面９２１と面一で、他主面４３の側の他端面９８２が貫通孔４９の他端開口面４９３よりも一主面４２の側に位置するように、形成されている。
【００３６】
また、貫通孔４９のベース４の他主面４３の側の他端開口面４９３は、感光性を有する樹脂材で構成された樹脂パターン６１により塞がれている。なお、本実施の形態では、樹脂材として樹脂パターン６１を適用しているが、内部空間１１を気密封止するためにベース４の他主面４３に用いられるものであれば、その形態は樹脂パターン６１に限定されるものではない。
【００３７】
樹脂パターン６１は、図３に示すように、ベース４の他主面４３に平面視矩形状（本実施の形態では長方形状）に形成されている。樹脂パターン６１は、ベース４の他主面４３において、樹脂パターン６１が形成される樹脂パターン形成領域４７は、他主面４３の長手方向に沿う長辺４７１と、他主面４３の短手方向に沿う短辺４７２とからなる略長方形状を呈し、当該樹脂パターン形成領域４７内に貫通孔４９の他端開口面４９３を含むように設けられている。このような樹脂パターン形成領域４７に形成された樹脂パターン６１により、貫通孔４９の他端開口面４９３が塞がれているとともに、貫通孔４９の他端開口面４９３の周縁部５５１に設けられた配線パターン５５が被覆されている。このように、内部に充填層９８が形成された貫通孔４９の他端開口面４９３を樹脂パターン６１により塞ぐことにより、貫通孔４９の封孔強度の向上が図られている。
【００３８】
また、樹脂パターン６１の一部は、図４に示すように、貫通孔４９の内部で充填層９８に接している。具体的には、充填層９８を電解メッキ形成する際のめっき析出において、ベース４の他主面４２側の充填層９８の他端部（充填層９８の他端面９８２側の端部）は、盛り上がって凸状に形成され、貫通孔４９の内側面４９１の他主面４２側の端部に形成したシード膜（図４の符号９２参照）と充填層９８の他端部との間に、図４に示すように、隙間９９が生じる。この隙間９９に樹脂パターン６１を構成する樹脂材が入り込んでアンカー効果が生じる。このようにアンカー効果を発揮することにより、樹脂パターン９９と充填層９８及び貫通孔４９の内側面４９１（第１シード膜９２）との間の密着性が確保されている。このように、樹脂パターン６１の樹脂材が貫通孔４９にくい込んでいる構成により、アンカー効果を得て、樹脂パターン６１の貫通孔４９への密着強度が向上する。
【００３９】
また、ベース４の他主面４３の側の配線パターン５５の一部は、樹脂パターン形成領域４７の長辺４７１の両端部４７３，４７４と、短辺４７２とに沿って、環状に成形されている。なお、環状内には配線パターン５５は形成されていない。このような環状の配線パターン５５の一部は、樹脂パターン６１に被覆されないように、樹脂パターン形成領域４７の長辺４７１の両端部４７３，４７４と、短辺４７２とに沿って、平面視で樹脂パターン形成領域４７の外側の領域５５２に形成されている。
【００４０】
そして、ベース４の他主面４３では、樹脂パターン形成領域４７の平面視外側の領域５５２に形成された配線パターン５５上、および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が形成されている。具体的には、配線パターン５５と外部端子電極５３，５４とが樹脂パターン６１の両端部を間に挟むようにして形成される。このように配線パターン５５と外部端子電極５３，５４と樹脂パターン６１とが形成されることにより、樹脂パターン６１のベース４への接着強度及び樹脂パターン６１の強度向上が図られている。
【００４１】
上記のように、ベース４を構成する基材の他主面４３には、外部端子電極５３，５４と配線パターン５５と樹脂パターン６１とが形成され、他主面４３の基材および配線パターン５５上に樹脂パターン６１が積層され、配線パターン５５および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層されている。これら外部端子電極５３，５４と配線パターン５５と樹脂パターン６１との他主面４３における形成位置に関して、外部端子電極５３，５４が積層された樹脂パターン６１の積層部位の外周縁に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５３，５４が積層されている。さらに詳説すると、本実施の形態では、外部端子電極５３が積層された樹脂パターン６１の積層部位の外周縁（短辺４７２と端部４７３参照）に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５３が積層されている。また、外部端子電極５３が積層された樹脂パターン６１の積層部位の外周縁（短辺４７２と端部４７４参照）に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５４が積層されている。なお、本実施の形態では、樹脂パターン６１の積層部位の外周縁の三辺に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５３，５４が積層されているが、少なくとも積層部位の外周縁の二辺以上の辺に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５３，５４が積層されていることが好ましい。
【００４２】
また、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）が使用されている。なお、樹脂パターン６１を構成する樹脂材は、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）に限定されず、ベース４を構成する材料（例えば、ガラス材料）との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができる。よって、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、ポリイミド、又はフッ素系樹脂からなる樹脂材を使用してもよい。また、本実施の形態で使用した樹脂パターン６１を構成する樹脂材、即ち、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）は、感光性を有する樹脂材であり、フォトリソグラフィ法によるパターン形成が可能な樹脂材である。ここで、本発明でいう感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。
【００４３】
蓋７は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１及び図５に示すように、頂部７１と、蓋７の一主面７２の外周に沿って頂部７１から下方に延出した壁部７３とから構成されている。このような蓋７は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして成形される。
【００４４】
蓋７の壁部７３の両側面（内側面７３１及び外側面７３２）は、テーパー状に成形されている。また、壁部７３には、ベース４と接合するための第２接合層７４が形成されている。
【００４５】
蓋７の第２接合層７４は、図１に示すように、蓋７の壁部７３の天面７３３から外側面７３２にかけて形成されている。この第２接合層７４は、ＴｉからなるＴｉ膜（図示省略）が形成され、Ｔｉ膜の上にＡｕからなるＡｕ膜（図示省略）が形成された複数の積層構造からなり、これらＴｉ膜及びＡｕ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。
【００４６】
上記のベース４と蓋７とを接合させるための接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されている。この接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕとＳｎとの合金からなるＡｕ／Ｓｎ膜（図示省略）がメッキ形成され、このＡｕ／Ｓｎ膜の上にＡｕ膜（図示省略）がメッキ形成された複数の積層構造からなる。なお、Ａｕ膜は、Ａｕストライクメッキ膜がメッキ形成され、Ａｕストライクメッキ膜の上にＡｕメッキ膜がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。このような接合材１２では、Ａｕ／Ｓｎ膜が、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕＳｎ合金膜をメッキ形成することにより構成されたものであってもよい。また、本実施の形態において、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されているが、ベース４の第１接合層４８に積層されていてもよい。
【００４７】
水晶振動片２は、異方性材料の水晶片である水晶素板（図示省略）から、ウエットエッチング形成された水晶Ｚ板である。
【００４８】
この水晶振動片２は、図６に示すように、振動部である２本の脚部２１，２２と、基部２３と、ベース４の電極パッド５１，５２に接合される接合部２４とから構成されており、基部２３の一端面２３１に２本の脚部２１，２２が突出して設けられ、基部２３の他端面２３２に接合部２４が突出して設けられた圧電振動素板２０からなる。
【００４９】
基部２３は、図６に示すように、平面視左右対称形状とされている。また、基部２３の側面２３３は、一端面２３１の側の部位が一端面２３１と同一幅で、他端面２３２の側の部位が他端面２３２の側にかけて漸次幅狭になるように形成されている。
【００５０】
２本の脚部２１，２２は、図６に示すように、基部２３の一端面２３１から、同一方向に突出して設けられている。これら２本の脚部２１，２２の先端部２１１，２２１は、脚部２１，２２の他の部位と比べて幅広（突出方向に対して直交する方向に幅広）に形成され、さらに、それぞれの先端隅部は曲面形成されている。また、２本の脚部２１，２２の両主面には、ＣＩ値を改善させるために、溝部２５が形成されている。
【００５１】
接合部２４は、図６に示すように、基部２３の他端面２３２の幅方向の中央部から突出して設けられている。この接合部２４は、基部２３の他端面２３２に対して平面視垂直方向に突出した短辺部２４１と、短辺部２４１の先端部と連なり短辺部２４１の先端部において平面視直角に折曲されて基部２３の幅方向に延出する長辺部２４２とから構成され、接合部２４の先端部２４３は基部２３の幅方向に向いている。すなわち、接合部２４は、平面視Ｌ字状に成形されている。また、接合部２４には、ベース４の電極パッド５１，５２と導電性バンプ１３を介して接合される接合箇所２７が設けられている。
【００５２】
上記した構成からなる水晶振動片２には、異電位で構成された第１及び第２の励振電極３１，３２と、これら第１及び第２の励振電極３１，３２をベース４の電極パッド５１，５２に電気的に接合させるために第１及び第２励振電極３１，３２から引き出された引出電極３３，３４とが形成されている。
【００５３】
また、第１及び第２の励振電極３１，３２の一部は、脚部２１，２２の溝部２５の内部に形成されている。このため、水晶振動片２を小型化しても脚部２１，２２の振動損失が抑制され、ＣＩ値を低く抑えることができる。
【００５４】
第１の励振電極３１は、一方の脚部２１の両主面と、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面とに形成されている。同様に、第２の励振電極３２は、他方の脚部２２の両主面と、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成されている。
【００５５】
また、引出電極３３，３４は、基部２３及び接合部２４に形成されており、基部２３に形成された引出電極３３により、一方の脚部２１の両主面に形成された第１の励振電極３１が、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面に形成された第１の励振電極３１に繋げられ、基部２３に形成された引出電極３４により、他方の脚部２２の両主面に形成された第２の励振電極３２が、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成された第２の励振電極３２に繋げられている。
【００５６】
なお、基部２３には、圧電振動素板２０の両主面を貫通する２つの貫通孔２６が形成されており、これら貫通孔２６内には、導電性材料が充填されている。これらの貫通孔２６を介して、引出電極３３，３４が基部２３の両主面間に引回されている。
【００５７】
上記構成からなる水晶振動子１では、図１に示すように、ベース４の一主面４２に形成された台座部４６に水晶振動片２の接合部２４が導電性バンプ１３を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片２の励振電極３１，３２が、引出電極３３，３４と、導電性バンプ１３とを介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合され、ベース４に水晶振動片２が搭載される。そして、水晶振動片２が搭載されたベース４に、蓋７がＦＣＢ法により仮接合され、その後、真空雰囲気下で加熱されることにより、接合材１２と第１接合層４８と第２接合層７４とが溶融し、これにより、ベース４の第１接合層４８に蓋７の第２接合層７４が接合材１２を介して接合されて、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。なお、導電性バンプ１３には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００５８】
次に、この水晶振動子１及びベース４の製造方法について図７〜図３０を用いて説明する。
【００５９】
本実施の形態では、ベース４を多数個形成するガラス材料からなる一枚板のウエハ８を用いる。まず、ウエハ８の両主面８１，８２を、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりエッチングして、図７に示すように、ウエハ８に、台座部４６、キャビティ４５、貫通孔４９を形成したベース４を多数個成形する（ベース成形工程）。図７は、ウエハ８の両主面８１，８２をエッチングして成形されたベース４の１つを示しており、ベース４には、キャビティ４５，台座部４６，貫通孔４９が形成されている。なお、各ベース４の台座部４６、キャビティ４５、貫通孔４９等はドライエッチング法、サンドブラスト法等の機械的加工法を用いて形成してもよい。
【００６０】
ベース成形工程後、ウエハ８（両主面８１，８２や貫通孔４９の内側面４９１など）に、ＴｉからなるＴｉ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。Ｔｉ層の形成後に、Ｔｉ層上に、ＣｕからなるＣｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、図８に示すように、第１メタル層９２を形成する（メタル層形成工程）。ここで形成した第１メタル層９２が、ベース４の電極パッド５１，５２及び配線パターン５５を構成するＴｉ膜及びＣｕ膜からなる第１シード膜９２となる。
【００６１】
メタル層形成工程後、第１メタル層９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（レジスト層形成工程）、その後、ウエハ８の一主面８１側の貫通孔４９の開口端部に形成したポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図９に示すように、貫通孔４９の内側面のパターン形成を行う（パターン形成工程）。
【００６２】
パターン形成工程後、図１０に示すように、貫通孔４９の内側面４９１の露出した第１メタル層９２（シード膜）に対してＣｕ電解メッキを行うことにより、Ｃｕからなる充填層９８をメッキ形成する（充填工程）。
【００６３】
充填工程後、図１１に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（レジスト剥離工程）。
【００６４】
レジスト剥離工程後、第１メタル層９２及び充填層９８上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（第２レジスト層形成工程）、その後、電極パッド５１，５２、及び配線パターン５５を形成する位置以外のポジレジスト層に対して露光および現像を行い、ベース４の電極パッド５１，５２及び配線パターン５５、並びにベース４の外形のパターン形成を行う（図１２に示す第２パターン形成工程）。
【００６５】
第２パターン形成工程後、露出した第１メタル層９２をメタルエッチングして除去する（図１３に示すメタルエッチング工程）。
【００６６】
メタルエッチング工程後、図１４に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（第２レジスト剥離工程）。なお、図１４に示す第２レジスト剥離工程後における各ベース４の他主面４３の平面図（ベース４の裏面図）を図１５に示す。
【００６７】
第２レジスト剥離工程後、図１６に示すように、第１メタル層９２、充填層９８及び露出したウエハ８の両主面８１，８２上に感光性を有する樹脂材をディップコート法により塗布して、樹脂層９６を形成する（樹脂層形成工程）。
【００６８】
樹脂層形成工程後、貫通孔４９の他端開口面４９３の側の開口端部を塞ぐ樹脂パターン６１を形成する位置以外の樹脂層９６に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図１７に示すように、樹脂パターン６１を形成する（樹脂パターン形成工程）。なお、図１７に示す樹脂パターン形成工程後における各ベース４の他主面４３の平面図（ベース４の裏面図）を図１８に示す。
【００６９】
樹脂パターン形成工程後、露出した第１メタル層９２、樹脂層９６、及び露出したウエハ８の両主面８１，８２の上に、ＴｉからなるＴｉ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。Ｔｉ層の形成後、Ｔｉ層上に、図１９に示すように、Ａｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、第２メタル層９３を形成する（第２メタル層形成工程）。ここで形成した第２メタル層９３が、第１接合層４８を構成するＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜、並びに、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を構成するＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２シード膜９２となる。
【００７０】
第２メタル層形成工程後、第２メタル層９３上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（第３レジスト層形成工程）、その後、ベース４の外部端子電極５３，５４を形成する位置上のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光および現像を行い、図２０に示すベース４の外部端子電極５３，５４のパターン形成を行う（第３パターン形成工程）。
【００７１】
第３パターン形成工程後、露出した第２メタル層９３上に、図２１に示すように、Ｎｉからなる第１メッキ層９４をメッキ形成する（第１メッキ形成工程）。ここで、形成した第１メッキ層９４がベース４の外部端子電極５３，５４のＮｉ膜の第１メッキ膜９４となる。
【００７２】
第１メッキ形成工程後、図２２に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（第３レジスト剥離工程）
第３レジスト剥離工程後、露出した第２メタル層９３及び第１メッキ層９４上にレジストをディップコート法により塗布して、図２３に示すように、新たなポジレジスト層９７を形成する（第４レジスト層形成工程）。その後、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を形成する位置上のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図２４に示すように、ベース４の第１接合層、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５のパターン形成を行う（第４パターン形成工程）。
【００７３】
第４パターン形成工程後、露出した第２メタル層９３及び第１メッキ層９４上に、図２５に示すように、Ａｕからなる第２メッキ層９５をメッキ形成する（第２メッキ形成工程）。ここで形成した第２メッキ層９５が、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を構成するＡｕ膜からなる第２メッキ膜９５となる。
【００７４】
第２メッキ形成工程後、図２６に示すように、ポジレジスト層９７を剥離する（第４レジスト剥離工程）。
【００７５】
第４レジスト剥離工程後、露出した第２メタル層９３及び第２メッキ層９５上にレジストをディップコート法により塗布し、図２７に示すように、新たなポジレジスト層９７を形成する（第５レジスト層形成工程）。その後、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターン５５を形成する位置上以外のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図２８に示すように、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターン５５、並びにベース４の外形のパターン形成を行う（第５パターン形成工程）。
【００７６】
第５パターン形成工程後、図２９に示すように、露出した第２メタル層９３をメタルエッチングして除去する（第２メタルエッチング工程）。
【００７７】
第２メタルエッチング工程後、ポジレジスト層９７を剥離除去して、図３０に示すように、ベース４をウエハ８に多数個形成する（第５レジスト剥離工程）。なお、図３０に示す第５レジスト剥離工程後における各ベース４の他主面４３の平面図（ベース４の裏面図）を図３に示す。
【００７８】
第５レジスト剥離工程後、多数個のべース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し（ベース個片化工程）、多数個の図３０に示すベース４を製造する。
【００７９】
そして、図３０に示すベース４に、切り欠き部５４１の位置に基づいて図６に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、図５に示す蓋７の第２接合層７４上に接合材１２を積層する。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋７を配し、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、図１に示す水晶振動子１を製造する。
【００８０】
上記の製造工程のうち、ベース成形工程にて貫通孔４９を形成する工程が、本発明でいう貫通孔形成工程に相当する。また、メタル層形成工程を経て貫通孔４９の内側面４９１に、シード膜である第１メタル層９２を形成する工程が、本発明でいうシード膜形成工程に相当する。また、充填工程で、貫通孔４９の内側面４９１に露出した第１メタル層９２（第１シード膜９２）に対してＣｕ電解メッキを行う工程が、本発明でいうメッキ工程に相当する。また、樹脂層形成工程及び樹脂パターン形成工程を経て、樹脂パターン６１を形成して、この樹脂パターン６１により貫通孔４９の他端開口面４９３の側の開口端部４９３を塞ぐ工程が本発明でいう封孔工程に相当する。
【００８１】
また、上記の製造工程は、本発明を具現化した実施形態の一つであり、これに限定されるものではなく、他の実施形態により水晶振動子１を製造してもよい。
【００８２】
上記のように、本実施の形態にかかる水晶振動子１、および電子部品パッケージによれば、ベース４の他主面４３に樹脂材（樹脂パターン６１）を用いる場合であっても、内部空間１１における気密性の低下を抑制することができる。
【００８３】
具体的には、ベース４の他主面４３の基材および配線パターン５５上に樹脂パターン６１が積層され、配線パターン５５および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層されるので、ベース４の基材への樹脂パターン６１の接着強度が弱い場合であっても、配線パターン５５への樹脂パターン６１の接着と、配線パターン５５への外部端子電極５３，５４の接着とによって、ベース４の基材への樹脂パターン６１の接着補完を行うことができる。
【００８４】
また、外部端子電極５３，５４が積層された樹脂パターン６１の積層部位の外周縁に沿った外方（図４に示す符号５５２参照）において配線パターン５５上に外部端子電極５３，５４が積層されているので、樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層された部位を囲むように、配線パターン５５への外部端子電極５３，５４の積層を行うことができ、ベース４の基材への樹脂パターン６１の接着に好ましい。
【００８５】
また、ベース４の両主面４２，４３を貫通する貫通孔４９の他端開口面４９３が、樹脂パターン６１により塞がれるので、貫通孔４９に充填された導電性材料（充填層９８参照）が貫通孔４９から剥がれ、脱落するのを防止することができる。また、ベース４の他主面４３から貫通孔４９に充填された充填層９８への熱伝導が、貫通孔４９の他端開口面４９３を塞ぐ樹脂パターン６１により遮断されるので、例えば、水晶振動子１を基板に実装する際の熱による充填層９８とベース４を構成する基材との密着性の低下を防止することができる。よって、内部空間１１の気密性の低下を抑制することができる。
【００８６】
なお、本実施の形態に係る水晶振動子１において、充填層９８は、貫通孔４９の内側面のシード膜（図１の符号９２参照）にメッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されているが、充填層９８は、貫通孔４９に導電性材料を充填して構成されるものであれば、これに限定されるものではない。つまり、充填層９８は、貫通孔４９に金属ペースト（導電性フィラーの添加されたペースト状樹脂材）を充填することにより構成されてもよい。
【００８７】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１において、充填層９８は、図４に示すように、ベース４の一主面４２の側の一端面９８１が、ベース４の一主面４２と面一に形成されているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではない。つまり、充填層９８は、貫通孔４９を塞ぐものであればよく、図３１に示すように、充填層９８の一端面９８１は、ベース４の一主面４２よりも下方に位置していてもよい。あるいは、充填層９８の一端面９８１は、図３２に示すように、ベース４の一主面４２よりも上方に位置していてもよい。つまり、図３２に示す構成において、充填層９８の突出部（ベース４の一主面４２から突出した部分）の厚みＴは、充填層９８上に形成された配線パターン５５を構成するメッキ膜（図４の第２メッキ膜９５参照）が水晶振動片２に接触することのないように、２μｍ以下とされていることが好ましい。
【００８８】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１においては、貫通孔４９の他端開口面４９３を塞ぐ樹脂パターン６１が、他主面４１の外周部を除くほぼ全面に形成されているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではない。つまり、例えば、図３３に示すように、貫通孔４９の他端開口面４９３のみに樹脂パターンを形成しても、貫通孔４９の内部に充填された導電性材料（充填層９８の構成材料）の落下防止効果を得ることはできる。なお、図３３に示す構成では、外部端子電極５３，５４は、ベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５（図１の第１シード膜９２参照）上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２シード膜９３（図１９３参照）と、この第２シード膜９３上に形成されたＡｕ膜からなる第２メッキ膜９５（図３３参照）とで構成されている。
【００８９】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１において、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成されたＴｉ膜及びＣｕ膜からなる第１シード膜９２と、この第１シード膜９２の上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２シード膜９３と、この第２シード膜９３の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなる第２メッキ膜９５とで構成されているが、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の電極構成は、これに限定されず、ベース４の基板上にＴｉ膜及びＣｕ膜からなるシード膜を介さず、直接、Ｔｉ膜及びＡｕ膜からなるシード膜が形成され、このシード膜の上に、Ａｕ膜がメッキ形成された構成であってもよい。つまり、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のシード膜が、Ｔｉ膜及びＡｕ膜からなる構成であってもよい。このように、貫通孔４９の内側面４９１のシード膜をＴｉ膜とＡｕ膜とで構成する場合には、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のシード膜上にメッキ形成する充填層９８をＡｕＳｎメッキ層とすると、内側面４９１の配線パターン５５のシード膜と充填層９８との接着強度を向上させることができる。
【００９０】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１のベース４において、第１接合層４８は、上記した通り、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜（図１の符号９３参照）と、このスパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなるメッキ膜（図１の符号９５参照）とから構成されているが、この構成に限定されるものではない。例えば、第１接合層４８は、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜と、このスパッタ膜の上にメッキ形成されたＮｉメッキ膜と、Ｎｉメッキ膜の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜とから構成されたものであってもよい。このように、スパッタ膜とＡｕメッキ膜との間にＮｉメッキ膜を介在させると、接合材１２（ろう材）によるスパッタ膜（Ａｕ膜）の侵食を防止することができ、ベース４と蓋７との接合の強度を向上させることができる。
【００９１】
また、本実施の形成に係る水晶振動子１のベース４において、外部端子電極５３，５４は、上記した通り、ベース４の他主面４３の配線パターン５５の第１シード膜９２上及び樹脂パターン６１上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２シード膜９３と、この第２シード膜９３の上にメッキ形成されたＮｉからなる第１メッキ膜９４と、この第１メッキ膜９４の上にメッキ形成されたＡｕからなる第２メッキ膜９５とから構成されているが、この構成に限定されるものではなく、例えば、第２シード膜９３の上に直接（Ｎｉからなる第１メッキ膜９４を介さず）Ａｕからなる第２メッキ膜９５が形成されたものであってもよい。
【００９２】
また、本実施の形態では、ベース４及び蓋７の材料としてガラスを用いているが、ベース４及び蓋７は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、例えば、水晶を用いて構成されたものであってもよい。
【００９３】
また、本実施の形態では、接合材１２として、主にＡｕＳｎを用いているが、接合材１２は、ベース４と蓋７とを接合させることができるものであれば特に限定されず、例えば、ＣｕＳｎ等のＳｎ合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。
【００９４】
また、上記した実施の形態に係る水晶振動子１では、水晶振動片として、図６に示す音叉型水晶振動片２を使用したが、図３４に示すＡＴカット水晶振動片２を使用してもよい。ＡＴカット水晶振動片２を使用した水晶振動子１では、ＡＴカット水晶振動片２に合わせてベース４に電極が形成されているが、本発明に係る構成については、本実施の形態と同一であり、本実施の形態と同様の効果を奏する。
【００９５】
また、本実施の形態に係るベース４に、水晶振動片２に加えて、ＩＣチップを搭載し、発振器を構成してもよい。ベース４にＩＣチップを搭載する場合には、ＩＣチップの電極構成に合わせた電極がベース４に形成される。
【００９６】
また、本実施の形態に係るベース４の外部端子電極５３，５４の形状は、図３に示す形状に限定されるものではなく、図３５に示す外部端子電極５３，５４の形状であってもよい。この図３５に示す形態では、対向する外部端子電極５３，５４からベース４の長手方向に沿って、電極部位（伸長部５３２（５４２））が、それぞれ対向する相手側の外部端子電極５３（５４）に向けて延出される。また、伸長部５３２，５４２は、外部端子電極５３，５４がそれぞれ対面する２つの隅部から延出され、これら伸長部５３２，５４２により、外部端子電極５３，５４のベース４の基材への接着面積を広げる。さらに、伸長部５３２，５４２が、接着しにくい外部端子電極５３，５４と樹脂パターン６１との接合部位近傍（領域５５２）にあり、外部端子電極５３，５４と樹脂パターン６１の接着補完に好適である。なお、図３５に示す伸長部５３２，５４２は、ベース４の長手方向に沿って延出して形成されているが、これに限定されるものではなく、外部端子電極５３，５４の上記２つの隅部からベース４の短手方向に沿って延出して形成されてもよく、またベース４の長手方向および短手方向に沿って外部端子電極５３，５４の上記２つの隅部から延出して形成されてもよい。
【００９７】
また、本実施の形態では、樹脂パターン６１は、平面視矩形状に成形されているが、これに限定されるものではなく、図３６に示すように、樹脂パターン６１の内方に切り欠いた凹部６１１が形成されてもよい。なお、図３６では、凹部６１１を明らかにするために、外部端子電極５３，５４に覆われた部分もドット表示している。なお、図３６に示す形態では、樹脂パターン６１に、テーパー部６１２を有する凹部６１１が形成されているだけでなく、さらに、配線パターン５５も樹脂パターン６１の形状に対応させて、配線パターン５５には、凹部６１１のテーパー部６１２と同一形状のテーパー部５５３が形成されている。このように、樹脂パターン６１のテーパー部６１２と配線パターン５５のテーパー部５５３とが同一形状であるので、配線パターン５５と外部端子電極５３，５４との接続の信頼性を向上させることができる。なお、図３６に示す配線パターン５５のうち環状に成形された一部は、テーパー部５５３以外は本実施の形態と同様の構成からなる。
【００９８】
また、本実施の形態では、ベース４の他主面４３の側の配線パターン５５の一部が樹脂パターン形成領域４７の長辺４７１の両端部４７３，４７４と、短辺４７２とに沿って、環状に成形され、環状内には配線パターン５５が形成されていないが、これに限定されるものではなく、図３７に示すように、環状内に格子状（図３７では十字形状）の格子配線パターン部５５４が形成されてもよい。この場合、配線パターン５５における電気抵抗を向上させることができる。その結果、配線パターン５５の一部や外部端子電極５３，５４の一部が断線した場合であっても、抵抗値が悪化するのを抑えることができる。
【００９９】
また、本実施の形態では、図３に示すように、外部端子電極５３，５４の幅方向（ベース４の短手方向）の寸法が、樹脂パターン６１の幅方向（ベース４の短手方向）の寸法よりも長く設定されているが、これに限定されるものではなく、図３８に示すように、外部端子電極５３，５４の幅方向の寸法と樹脂パターン６１の幅方向の寸法とが同一であってもよい。なお、図３８に示す形態では、ベース４を三分割した中央部分４３１において、外部端子電極５３，５４がそれぞれ樹脂パターン６１を覆う。この場合、外部端子電極５３，５４が、ベース４を三分割した中央部分４３１において露出する樹脂パターン６１の対向部分の一部６１３のみを覆っている。そのため、２つの外部端子電極５３，５４により、ベース４の基材への樹脂パターン６１の接着補完を行うことができる。なお、図３８に示す外部端子電極５４には、切り欠き部５４１（図３参照）を形成していないが、これは単なる設計事項の変更である。
【０１００】
また、本実施の形態では、２端子の水晶振動子１を用いているが、これに限定されるものではなく、図３９に示すように、４端子の水晶振動子１にも適用できる。
【０１０１】
図３９に示す４端子の水晶振動子１では、ベース４に４つの外部端子電極５６が形成されている。これら４つの外部端子電極５６は、複数の電極膜の積層構造からなり、図３９に示す実施の形態では、平面視面積が異なる２つの層（面積が小さい層５６１と面積が大きい層５６２）からなり、４つの外部端子電極５６はそれぞれ段差を有する凸状に形成されている。また、貫通孔４９の開口端が、多角形（図３９に示す形態では八角形）に成形されている。
【０１０２】
図３９に示す実施の形態によれば、４つの外部端子電極５６が、面積が小さい層５６１と面積が大きい層５６２との２層構成から構成され、その結果、４つの外部端子電極５６に凸状の段差部がそれぞれ形成される。そのため、水晶振動子１を外部部品や外部機器（具体的には、プリント配線基板）に鉛フリー半田等で導電接合する際にアンカー効果が生じ、接合の信頼性を向上させることができる。
【０１０３】
また、外部部品や外部機器と接続する接続部位は、ベース４の他主面４３から配線パターン５５、樹脂パターン６１、および外部端子電極５３，５４の順に積層さあれた積層構成からなる。そのため、プリント配線基板と接続する接続部位は、全体としてベース４の他主面４３と、外部端子電極５３，５４との間の距離を大きくすることができる。すなわち、プリント配線基板と接続する接続部位を厚くすることができる。このような構成とすることで、水晶振動子１とプリント配線基板との間で生じる応力を緩衝させることができる。特に、樹脂パターン６１を配線パターン５５と外部端子電極５３，５４との間に介在させる構成とすることにより、緩衝効果をより発揮させることができ、その結果、プリント配線基板と接続する接続部位における接合における信頼性を向上させることができる。
【０１０４】
なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【符号の説明】
【０１０５】
１ 水晶振動子
１１ 内部空間
１２ 接合材
１３ 導電性バンプ
２ 水晶振動片（電子部品素子）
２０ 圧電振動素板
２１，２２ 脚部
２１１，２２１ 先端部
２３ 基部
２３１ 一端面
２３２ 他端面
２３３ 側面
２４ 接合部
２４１ 短辺部
２４２ 長辺部
２４３ 先端部
２５ 溝部
２６ 貫通孔
２７ 接合箇所
３１，３２ 励振電極
３３，３４ 引出電極
４ ベース（第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）
４１ 底部
４２ 一主面
４３ 他主面
４４ 壁部
４５ キャビティ
４５２ 一端部
４６ 台座部
４７ 樹脂パターン形成領域
４７１ 長辺
４７２ 短辺
４７３，４７４ 端部
４８ 第１接合層
４９ 貫通孔
４９１ 内側面
４９２ 一端開口面
４９３ 他端開口面
５１，５２ 電極パッド
５３，５４ 外部端子電極
５４１ 切り欠き部
５３２，５４２ 伸長部
５５ 配線パターン
５５１ 周縁部
５５２ 領域
５５３ テーパー部
５５４ 格子配線パターン部
６１ 樹脂パターン
６１１ 凹部
６１２ テーパー部
６１３ 一部
７ 蓋（第２封止部材）
７１ 頂部
７２ 一主面
７３ 壁部
７３１ 内側面
７３２ 外側面
７３３ 天面
７４ 第２接合層
８ ウエハ
８１，８２ 主面
９２ 第１シード膜（第１メタル層）
９３ 第２シード膜（第２メタル層）
９４ 第１メッキ膜（第１メッキ層）
９５ 第２メッキ膜（第２メッキ層）
９６ 樹脂層
９７ ポジレジスト層
９８ 充填層
９８１ 一端面
９８２ 他端面
９９ 隙間
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向して配置された第１封止部材及び第２封止部材により電子部品素子の電極が封止された電子部品パッケージの第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材、及びこの電子部品パッケージ用封止部材を使用してなる電子部品パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動デバイス等の電子部品のパッケージ（以下、電子部品パッケージという）の内部空間は、この内部空間に搭載した電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防ぐために気密封止される。
【０００３】
この種の電子部品パッケージとしては、ベースと蓋といった２つの封止部材から構成され、その筐体が直方体のパッケージに構成されたものがある。このような電子部品パッケージの内部空間では、圧電振動片等の電子部品素子がベースに保持接合される。そして、ベースと蓋とが接合されることで、電子部品パッケージの内部空間の電子部品素子の電極が気密封止される。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示の水晶部品（本発明でいう電子部品）では、ベースと蓋とからなる電子部品パッケージの内部空間に、水晶片が気密封止されている。このような水晶部品のベースには、当該ベースを構成する基材を貫通する貫通孔が設けられており、この貫通孔の内側面には、Ｃｒ−Ｎｉ−Ａｕ等の多層の金属膜からなる配線用金属が形成されている。さらに、貫通孔には、ＡｕＧｅ等の合金が溶着されており、これにより、電子部品パッケージの内部空間の気密性が確保されている。
【０００５】
このような電子部品では、プリント配線板等の基板への実装に際して熱が加えられるが、この際、次に示す不具合が生じる。特許文献１に開示の水晶部品では、その基板に実装する際に加えられた熱により、貫通孔の内側面に溶着された合金の界面が軟化（拡散）し、貫通孔の内側面と合金との密着性が低下することがあった。そして、このような合金の密着性の低下により、貫通孔の内側面から合金が剥がれ、剥がれた合金が水晶部品の電子部品パッケージの外へ脱落することがあった。このような貫通孔からの合金の脱落は、電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下をもたらす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２８３９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、電子部品パッケージの内部空間に十分な気密性を確保するために、貫通孔に、配線パターンの一部となる導電性材料（金属）を充填するとともに、貫通孔の他主面の側の開口面を樹脂材により塞ぐ技術が本出願人によって発明されたが、樹脂のベースへの密着強度が弱くなる場合があるという問題があった。
【０００８】
具体的には、ベースの裏面（他主面）には金属からなる配線パターン等が形成されており、貫通孔を封止する樹脂材は、ベースの他主面（素面）だけなく、他主面に形成された配線パターン上にも形成されることになる。
【０００９】
樹脂材（特に、高耐熱性を有する高耐熱性樹脂など）は、Ｃｕや貴金属（例えばＡｕ）との密着強度（密着性）が弱いため、樹脂材と導電性材料との接着強度（密着性）が弱く、配線パターンなどの導電性材料から樹脂材が剥がれることがあり、このことが原因となって電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下をもたらす可能性がある。
【００１０】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、電子部品パッケージの内部空間を気密封止するために電子部品パッケージ用封止部材の他主面に樹脂材を用いる場合であっても、電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下を抑制することができる電子部品パッケージ用封止部材、及び電子部品パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材は、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材と対向して配置されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の他主面には、外部と電気的に接続する外部端子電極と、前記一主面に搭載される電子部品素子を前記外部端子電極に電気的に接続するための配線パターンと、樹脂材とが形成され、前記他主面の前記基材および前記配線パターン上に前記樹脂材が積層され、前記配線パターンおよび前記樹脂材上に前記外部端子電極が積層されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、電子部品パッケージの内部空間を気密封止するために前記他主面に前記樹脂材を用いる場合であっても、前記内部空間における気密性の低下を抑制することが可能となる。具体的には、前記他主面の前記基材および前記配線パターン上に前記樹脂材が積層され、前記配線パターンおよび前記樹脂材上に前記外部端子電極が積層されるので、前記配線パターンへの前記樹脂材の接着強度が弱い場合であっても、前記基材への前記樹脂材の接着と、前記配線パターンへの前記外部端子電極の接着とによって、前記基材への前記樹脂材の接着補完を行うことが可能となる。
【００１３】
ところで、電子部品パッケージをプリント基板などに搭載する際に、半田（鉛フリー半田）を用いてプリント基板に当該電子部品パッケージ用封止部材を接合する。ここでいう半田の主成分としてＳｎが用いられている。そのため、電子部品パッケージをプリント基板などに搭載する際に、半田のＳｎが、当該電子部品パッケージ用封止部材の配線パターンや貫通孔を伝って、電子部品パッケージの内部空間に入り込んでくる可能性がある。これに対して、本発明にかかる電子部品パッケージ用封止部材によれば、前記基材の他主面に、前記外部端子電極と前記配線パターンと前記樹脂材とが形成され、前記他主面の前記基材および前記配線パターン上に前記樹脂材が積層されるので、前記樹脂材により半田のＳｎが電子部品パッケージの内部空間へ入り込むのを防ぎ、その結果、電子部品パッケージの内部空間の真空状態を保つことが可能となる。
【００１４】
前記構成において、前記外部端子電極が積層された前記樹脂材の積層部位の外周縁に沿った外方において前記配線パターン上に前記外部端子電極が積層されてもよい。
【００１５】
この場合、前記外部端子電極が積層された前記樹脂材の積層部位の外周縁に沿った外方において前記配線パターン上に前記外部端子電極が積層されるので、前記樹脂材上に前記外部端子電極が積層された積層部位を囲むように、前記配線パターンへの前記外部端子電極の積層を行うことが可能となり、前記基材への前記樹脂材の接着に好ましい。また、このような構成によれば、前記配線パターンから前記外部接続端子までの距離を長くすることが可能となり、その結果、上述の半田のＳｎが電子部品パッケージの内部空間へ入り込むのを抑えることが可能となる。
【００１６】
前記構成において、前記基材の両主面間を貫通する貫通孔に、導電性材料が充填され、前記貫通孔の他主面（電子部品素子の搭載面と対向する面）の側の開口面が、前記樹脂材により塞がれてもよい。
【００１７】
この場合、前記両主面を貫通する前記貫通孔の前記他主面の側の開口面が、前記樹脂材により塞がれるので、前記貫通孔に充填された前記導電性材料が前記貫通孔から剥がれ、脱落するのを防止することができる。また、前記他主面から前記貫通孔に充填された前記導電性材料への熱伝導が、前記貫通孔の他主面側の開口面を塞ぐ前記樹脂材により遮断されるので、例えば、電子部品パッケージを基板に実装する際の熱による前記導電性材料と当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材との密着性の低下を防止することが可能となる。その結果、前記内部空間の気密性の低下を抑制することが可能となる。
【００１８】
上記の目的を達成するため、本発明に係る電子部品パッケージは、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材と対向して配置されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージであって、前記第１封止部材が、上記した本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、第１封止部材として、上記した本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材が使用されるので、本発明に係る電子部品パッケージ用封止部材と同様の作用効果を有し、前記第１封止部材の他主面に前記樹脂材を用いる場合であっても、当該電子部品パッケージの前記内部空間における気密性の低下を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の電子部品パッケージ用封止部材及び電子部品パッケージによれば、電子部品パッケージの内部空間を気密封止するために電子部品パッケージ用封止部材の他主面に樹脂材を用いる場合であっても、電子部品パッケージの内部空間における気密性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本実施の形態に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図２に示すベースのＡ−Ａ線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係るベースの概略平面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図４】図４は、図１に示すベースの貫通孔部分の概略構成を示す概略断面図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る蓋の概略裏面図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示すベースの概略裏面図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１７】図１７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１８】図１８は、図１８に示すベースの概略裏面図である。
【図１９】図１９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２０】図２０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２１】図２１は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２２】図２２は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２３】図２３は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２４】図２４は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２５】図２５は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２６】図２６は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２７】図２７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２８】図２８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２９】図２９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３０】図３０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３１】図３１は、他の形態に係るベースの概略断面図であって、図４に対応する部分の貫通孔の概略構成を示す概略構成図である。
【図３２】図３２は、他の形態に係るベースの概略断面図であって、図４に対応する部分の貫通孔の概略構成を示す概略構成図である。
【図３３】図３３は、他の形態に係るベースの概略構成を示す概略断面図である。
【図３４】図３４は、他の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。
【図３５】図３５は、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図３６】図３６は、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図３７】図３７は、図１５に示すベースに対応した、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図３８】図３８は、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図３９】図３９は、他の形態に係るベースの概略裏面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片である音叉型水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。
【００２３】
本実施の形態に係る水晶振動子１には、図１に示すように、音叉型水晶片からなる図６に示す水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）と、ベース４と対向するように配置され、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋７（本発明でいう第２封止部材）とが設けられている。
【００２４】
この水晶振動子１では、ベース４と蓋７とがＡｕとＳｎの合金からなる接合材１２と、下記の第１接合層４８と、下記の第２接合層７４とにより接合され、これらの接合により、気密封止された内部空間１１を備える本体筐体が構成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ１３を用いたＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、本実施の形態において、導電性バンプ１３には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００２５】
次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。
【００２６】
ベース４は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１〜３に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。このようなベース４は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして箱状体に成形される。
【００２７】
ベース４の壁部４４の内側面は、テーパー状に成形されている。また、壁部４４の天面は、蓋７との接合面であり、この接合面には、蓋７と接合するための第１接合層４８が設けられている。第１接合層４８は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたスパッタ膜（図１の符号９３参照）と、スパッタ膜の上にメッキ形成されたメッキ膜（図１の符号９５参照）とからなる。スパッタ膜は、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、メッキ膜は、スパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００２８】
また、ベース４の一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形されている。キャビティ４５の底面４５１には、その長手方向の一端部４５２の全体に沿って台座部４６がエッチング成形されている。この台座部４６に、水晶振動片２が搭載される。なお、このキャビティ４５の壁面は、壁部４４の内側面であり、上記のようにテーパー状に成形されている。
【００２９】
また、ベース４には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、電極パッド５１と外部端子電極５４、及び電極パッド５２と外部端子電極５３を電気的に接続させる配線パターン５５とが形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とによりべース４の電極５が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４６の表面に形成されている。また、２つの外部端子電極５３，５４は、ベース４の他主面４３において、長手方向の両端部に形成され、長手方向に沿って離間して並設されている。また、外部端子電極５４の一隅部（外部端子電極５３に対面する側の１つの隅部）には切り欠き部５４１が形成され、この切り欠き部５４１は、当該水晶振動子１の製造工程におけるベースの位置決めや、当該水晶振動子１を外部部品や外部機器へ搭載する際の位置決めを行うサポートの役割を果たす。
【００３０】
電極パッド５１，５２は、ベース４の基板上に形成された第１シード膜（図１の符号９２参照）と、この第１シード膜の上に形成された第２シード膜（図１の符号９３参照）と、この第２シード膜の上に形成された第２メッキ膜（図１の符号９５参照）とにより構成されている。なお、電極パッド５１，５２を構成する第１シード膜９２は、ベース４の一主面４２にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕ膜（図示省略）とからなる。また、第２シード膜９３は、第１シード膜９２の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、第２メッキ膜９５は、第２シード膜９３にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００３１】
配線パターン５５は、電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４とを電気的に接続させるように、ベース４の一主面４２から貫通孔４９（下記参照）の内側面４９１を介してベース４の他主面４３に形成されている。また、配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成された第１シード膜（図１の符号９２参照）で構成されており、ベース４の一主面４２に位置する部分の第１シード膜９２上には、第２シード膜（図１の符号９３参照）と、Ａｕ膜からなる第２メッキ膜（図１の符号９５参照）とが形成されている。配線パターン５５を構成する第１シード膜９２は、ベース４の一主面４２にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕ膜（図示省略）とからなる。また、第２シード膜９３は、第１シード膜９２の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、第２メッキ膜９５は、この第２シード膜９３にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００３２】
また、外部端子電極５３，５４は、樹脂材からなる樹脂パターン６１（下記参照）上、及びベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５（図１の符号９２参照）上に形成された第２シード膜（図１の符号９３参照）と、この第２シード膜９３上に形成された第１メッキ膜（図１の符号９４参照）と、この第１メッキ膜９４上に形成された第２メッキ膜（図１の符号９５参照）とにより構成されている。なお、外部端子電極５３，５４を構成する第１シード膜９３は、樹脂パターン６１上、及びベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５（図１の符号９２参照）上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図示省略）と、Ｔｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図示省略）とからなる。また、第１メッキ膜９４は、第１シード膜９３にメッキ形成されたＮｉ膜からなる。また、第２メッキ膜９５は、第１メッキ膜９４にメッキ形成されたＡｕ膜からなる。
【００３３】
また、ベース４には、図１〜４に示すように、水晶振動片２の励振電極３１，３２を電極パッド５１，５２を介して配線パターン５５により、キャビティ４５内からキャビティ４５外に導出させるための貫通孔４９が形成されている。
【００３４】
貫通孔４９は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、キャビティ４５の成形と同時に形成され、図１〜図４に示すように、ベース４に２つの貫通孔４９が両主面４２，４３間を貫通して形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。貫通孔４９は、図４に示すように、ベース４の他主面４３の側にある貫通孔４９の他端開口面４９３の径で最大となり、ベース４の一主面４２の側にある貫通孔４９の一端開口面４９２の径で最小となる。このように、本実施の形態では、貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜しており、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度（図４の符号θ参照）は、約４５度とされる。なお、本実施の形態では、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、約４５度とされるが、これに限定されない。例えば、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度θは、４５度より大きく、具体例としては、７０度〜９０度であってもよい。ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度（図４の符号θ参照）を９０度に近づけると、ベース４において、貫通孔４９の占める面積が小さくなり、配線パターン５５の形成箇所の自由度を向上させることができる。
【００３５】
このような貫通孔４９の内側面４９１には、配線パターン５５の一部であるＴｉ及びＣｕからなる第１シード膜（図１の符号９２参照）が形成されている。さらに、貫通孔４９の内部には、Ｃｕから構成される充填材（本発明でいう導電性材料）が第１シード膜９２上に充填されて充填層９８が形成されており、この充填層９８により、貫通孔４９が塞がれている。この充填層９８は、第１シード膜９２の表面に電解メッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されている。なお、充填層９８は、図４に示すように、ベース４の一主面４２の側の一端面９８１が、ベース４の一主面４２上に形成された第１シード膜９２の表面９２１と面一で、他主面４３の側の他端面９８２が貫通孔４９の他端開口面４９３よりも一主面４２の側に位置するように、形成されている。
【００３６】
また、貫通孔４９のベース４の他主面４３の側の他端開口面４９３は、感光性を有する樹脂材で構成された樹脂パターン６１により塞がれている。なお、本実施の形態では、樹脂材として樹脂パターン６１を適用しているが、内部空間１１を気密封止するためにベース４の他主面４３に用いられるものであれば、その形態は樹脂パターン６１に限定されるものではない。
【００３７】
樹脂パターン６１は、図３に示すように、ベース４の他主面４３に平面視矩形状（本実施の形態では長方形状）に形成されている。樹脂パターン６１は、ベース４の他主面４３において、樹脂パターン６１が形成される樹脂パターン形成領域４７は、他主面４３の長手方向に沿う長辺４７１と、他主面４３の短手方向に沿う短辺４７２とからなる略長方形状を呈し、当該樹脂パターン形成領域４７内に貫通孔４９の他端開口面４９３を含むように設けられている。このような樹脂パターン形成領域４７に形成された樹脂パターン６１により、貫通孔４９の他端開口面４９３が塞がれているとともに、貫通孔４９の他端開口面４９３の周縁部５５１に設けられた配線パターン５５が被覆されている。このように、内部に充填層９８が形成された貫通孔４９の他端開口面４９３を樹脂パターン６１により塞ぐことにより、貫通孔４９の封孔強度の向上が図られている。
【００３８】
また、樹脂パターン６１の一部は、図４に示すように、貫通孔４９の内部で充填層９８に接している。具体的には、充填層９８を電解メッキ形成する際のめっき析出において、ベース４の他主面４２側の充填層９８の他端部（充填層９８の他端面９８２側の端部）は、盛り上がって凸状に形成され、貫通孔４９の内側面４９１の他主面４２側の端部に形成したシード膜（図４の符号９２参照）と充填層９８の他端部との間に、図４に示すように、隙間９９が生じる。この隙間９９に樹脂パターン６１を構成する樹脂材が入り込んでアンカー効果が生じる。このようにアンカー効果を発揮することにより、樹脂パターン９９と充填層９８及び貫通孔４９の内側面４９１（第１シード膜９２）との間の密着性が確保されている。このように、樹脂パターン６１の樹脂材が貫通孔４９にくい込んでいる構成により、アンカー効果を得て、樹脂パターン６１の貫通孔４９への密着強度が向上する。
【００３９】
また、ベース４の他主面４３の側の配線パターン５５の一部は、樹脂パターン形成領域４７の長辺４７１の両端部４７３，４７４と、短辺４７２とに沿って、環状に成形されている。なお、環状内には配線パターン５５は形成されていない。このような環状の配線パターン５５の一部は、樹脂パターン６１に被覆されないように、樹脂パターン形成領域４７の長辺４７１の両端部４７３，４７４と、短辺４７２とに沿って、平面視で樹脂パターン形成領域４７の外側の領域５５２に形成されている。
【００４０】
そして、ベース４の他主面４３では、樹脂パターン形成領域４７の平面視外側の領域５５２に形成された配線パターン５５上、および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が形成されている。具体的には、配線パターン５５と外部端子電極５３，５４とが樹脂パターン６１の両端部を間に挟むようにして形成される。このように配線パターン５５と外部端子電極５３，５４と樹脂パターン６１とが形成されることにより、樹脂パターン６１のベース４への接着強度及び樹脂パターン６１の強度向上が図られている。
【００４１】
上記のように、ベース４を構成する基材の他主面４３には、外部端子電極５３，５４と配線パターン５５と樹脂パターン６１とが形成され、他主面４３の基材および配線パターン５５上に樹脂パターン６１が積層され、配線パターン５５および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層されている。これら外部端子電極５３，５４と配線パターン５５と樹脂パターン６１との他主面４３における形成位置に関して、外部端子電極５３，５４が積層された樹脂パターン６１の積層部位の外周縁に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５３，５４が積層されている。さらに詳説すると、本実施の形態では、外部端子電極５３が積層された樹脂パターン６１の積層部位の外周縁（短辺４７２と端部４７３参照）に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５３が積層されている。また、外部端子電極５３が積層された樹脂パターン６１の積層部位の外周縁（短辺４７２と端部４７４参照）に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５４が積層されている。なお、本実施の形態では、樹脂パターン６１の積層部位の外周縁の三辺に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５３，５４が積層されているが、少なくとも積層部位の外周縁の二辺以上の辺に沿った外方において配線パターン５５上に外部端子電極５３，５４が積層されていることが好ましい。
【００４２】
また、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）が使用されている。なお、樹脂パターン６１を構成する樹脂材は、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）に限定されず、ベース４を構成する材料（例えば、ガラス材料）との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができる。よって、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、ポリイミド、又はフッ素系樹脂からなる樹脂材を使用してもよい。また、本実施の形態で使用した樹脂パターン６１を構成する樹脂材、即ち、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）は、感光性を有する樹脂材であり、フォトリソグラフィ法によるパターン形成が可能な樹脂材である。ここで、本発明でいう感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。
【００４３】
蓋７は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１及び図５に示すように、頂部７１と、蓋７の一主面７２の外周に沿って頂部７１から下方に延出した壁部７３とから構成されている。このような蓋７は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして成形される。
【００４４】
蓋７の壁部７３の両側面（内側面７３１及び外側面７３２）は、テーパー状に成形されている。また、壁部７３には、ベース４と接合するための第２接合層７４が形成されている。
【００４５】
蓋７の第２接合層７４は、図１に示すように、蓋７の壁部７３の天面７３３から外側面７３２にかけて形成されている。この第２接合層７４は、ＴｉからなるＴｉ膜（図示省略）が形成され、Ｔｉ膜の上にＡｕからなるＡｕ膜（図示省略）が形成された複数の積層構造からなり、これらＴｉ膜及びＡｕ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。
【００４６】
上記のベース４と蓋７とを接合させるための接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されている。この接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕとＳｎとの合金からなるＡｕ／Ｓｎ膜（図示省略）がメッキ形成され、このＡｕ／Ｓｎ膜の上にＡｕ膜（図示省略）がメッキ形成された複数の積層構造からなる。なお、Ａｕ膜は、Ａｕストライクメッキ膜がメッキ形成され、Ａｕストライクメッキ膜の上にＡｕメッキ膜がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。このような接合材１２では、Ａｕ／Ｓｎ膜が、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕＳｎ合金膜をメッキ形成することにより構成されたものであってもよい。また、本実施の形態において、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されているが、ベース４の第１接合層４８に積層されていてもよい。
【００４７】
水晶振動片２は、異方性材料の水晶片である水晶素板（図示省略）から、ウエットエッチング形成された水晶Ｚ板である。
【００４８】
この水晶振動片２は、図６に示すように、振動部である２本の脚部２１，２２と、基部２３と、ベース４の電極パッド５１，５２に接合される接合部２４とから構成されており、基部２３の一端面２３１に２本の脚部２１，２２が突出して設けられ、基部２３の他端面２３２に接合部２４が突出して設けられた圧電振動素板２０からなる。
【００４９】
基部２３は、図６に示すように、平面視左右対称形状とされている。また、基部２３の側面２３３は、一端面２３１の側の部位が一端面２３１と同一幅で、他端面２３２の側の部位が他端面２３２の側にかけて漸次幅狭になるように形成されている。
【００５０】
２本の脚部２１，２２は、図６に示すように、基部２３の一端面２３１から、同一方向に突出して設けられている。これら２本の脚部２１，２２の先端部２１１，２２１は、脚部２１，２２の他の部位と比べて幅広（突出方向に対して直交する方向に幅広）に形成され、さらに、それぞれの先端隅部は曲面形成されている。また、２本の脚部２１，２２の両主面には、ＣＩ値を改善させるために、溝部２５が形成されている。
【００５１】
接合部２４は、図６に示すように、基部２３の他端面２３２の幅方向の中央部から突出して設けられている。この接合部２４は、基部２３の他端面２３２に対して平面視垂直方向に突出した短辺部２４１と、短辺部２４１の先端部と連なり短辺部２４１の先端部において平面視直角に折曲されて基部２３の幅方向に延出する長辺部２４２とから構成され、接合部２４の先端部２４３は基部２３の幅方向に向いている。すなわち、接合部２４は、平面視Ｌ字状に成形されている。また、接合部２４には、ベース４の電極パッド５１，５２と導電性バンプ１３を介して接合される接合箇所２７が設けられている。
【００５２】
上記した構成からなる水晶振動片２には、異電位で構成された第１及び第２の励振電極３１，３２と、これら第１及び第２の励振電極３１，３２をベース４の電極パッド５１，５２に電気的に接合させるために第１及び第２励振電極３１，３２から引き出された引出電極３３，３４とが形成されている。
【００５３】
また、第１及び第２の励振電極３１，３２の一部は、脚部２１，２２の溝部２５の内部に形成されている。このため、水晶振動片２を小型化しても脚部２１，２２の振動損失が抑制され、ＣＩ値を低く抑えることができる。
【００５４】
第１の励振電極３１は、一方の脚部２１の両主面と、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面とに形成されている。同様に、第２の励振電極３２は、他方の脚部２２の両主面と、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成されている。
【００５５】
また、引出電極３３，３４は、基部２３及び接合部２４に形成されており、基部２３に形成された引出電極３３により、一方の脚部２１の両主面に形成された第１の励振電極３１が、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面に形成された第１の励振電極３１に繋げられ、基部２３に形成された引出電極３４により、他方の脚部２２の両主面に形成された第２の励振電極３２が、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成された第２の励振電極３２に繋げられている。
【００５６】
なお、基部２３には、圧電振動素板２０の両主面を貫通する２つの貫通孔２６が形成されており、これら貫通孔２６内には、導電性材料が充填されている。これらの貫通孔２６を介して、引出電極３３，３４が基部２３の両主面間に引回されている。
【００５７】
上記構成からなる水晶振動子１では、図１に示すように、ベース４の一主面４２に形成された台座部４６に水晶振動片２の接合部２４が導電性バンプ１３を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片２の励振電極３１，３２が、引出電極３３，３４と、導電性バンプ１３とを介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合され、ベース４に水晶振動片２が搭載される。そして、水晶振動片２が搭載されたベース４に、蓋７がＦＣＢ法により仮接合され、その後、真空雰囲気下で加熱されることにより、接合材１２と第１接合層４８と第２接合層７４とが溶融し、これにより、ベース４の第１接合層４８に蓋７の第２接合層７４が接合材１２を介して接合されて、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。なお、導電性バンプ１３には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００５８】
次に、この水晶振動子１及びベース４の製造方法について図７〜図３０を用いて説明する。
【００５９】
本実施の形態では、ベース４を多数個形成するガラス材料からなる一枚板のウエハ８を用いる。まず、ウエハ８の両主面８１，８２を、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法によりエッチングして、図７に示すように、ウエハ８に、台座部４６、キャビティ４５、貫通孔４９を形成したベース４を多数個成形する（ベース成形工程）。図７は、ウエハ８の両主面８１，８２をエッチングして成形されたベース４の１つを示しており、ベース４には、キャビティ４５，台座部４６，貫通孔４９が形成されている。なお、各ベース４の台座部４６、キャビティ４５、貫通孔４９等はドライエッチング法、サンドブラスト法等の機械的加工法を用いて形成してもよい。
【００６０】
ベース成形工程後、ウエハ８（両主面８１，８２や貫通孔４９の内側面４９１など）に、ＴｉからなるＴｉ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。Ｔｉ層の形成後に、Ｔｉ層上に、ＣｕからなるＣｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、図８に示すように、第１メタル層９２を形成する（メタル層形成工程）。ここで形成した第１メタル層９２が、ベース４の電極パッド５１，５２及び配線パターン５５を構成するＴｉ膜及びＣｕ膜からなる第１シード膜９２となる。
【００６１】
メタル層形成工程後、第１メタル層９２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（レジスト層形成工程）、その後、ウエハ８の一主面８１側の貫通孔４９の開口端部に形成したポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図９に示すように、貫通孔４９の内側面のパターン形成を行う（パターン形成工程）。
【００６２】
パターン形成工程後、図１０に示すように、貫通孔４９の内側面４９１の露出した第１メタル層９２（シード膜）に対してＣｕ電解メッキを行うことにより、Ｃｕからなる充填層９８をメッキ形成する（充填工程）。
【００６３】
充填工程後、図１１に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（レジスト剥離工程）。
【００６４】
レジスト剥離工程後、第１メタル層９２及び充填層９８上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（第２レジスト層形成工程）、その後、電極パッド５１，５２、及び配線パターン５５を形成する位置以外のポジレジスト層に対して露光および現像を行い、ベース４の電極パッド５１，５２及び配線パターン５５、並びにベース４の外形のパターン形成を行う（図１２に示す第２パターン形成工程）。
【００６５】
第２パターン形成工程後、露出した第１メタル層９２をメタルエッチングして除去する（図１３に示すメタルエッチング工程）。
【００６６】
メタルエッチング工程後、図１４に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（第２レジスト剥離工程）。なお、図１４に示す第２レジスト剥離工程後における各ベース４の他主面４３の平面図（ベース４の裏面図）を図１５に示す。
【００６７】
第２レジスト剥離工程後、図１６に示すように、第１メタル層９２、充填層９８及び露出したウエハ８の両主面８１，８２上に感光性を有する樹脂材をディップコート法により塗布して、樹脂層９６を形成する（樹脂層形成工程）。
【００６８】
樹脂層形成工程後、貫通孔４９の他端開口面４９３の側の開口端部を塞ぐ樹脂パターン６１を形成する位置以外の樹脂層９６に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図１７に示すように、樹脂パターン６１を形成する（樹脂パターン形成工程）。なお、図１７に示す樹脂パターン形成工程後における各ベース４の他主面４３の平面図（ベース４の裏面図）を図１８に示す。
【００６９】
樹脂パターン形成工程後、露出した第１メタル層９２、樹脂層９６、及び露出したウエハ８の両主面８１，８２の上に、ＴｉからなるＴｉ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成する。Ｔｉ層の形成後、Ｔｉ層上に、図１９に示すように、Ａｕ層をスパッタリング法によりスパッタリング形成して積層し、第２メタル層９３を形成する（第２メタル層形成工程）。ここで形成した第２メタル層９３が、第１接合層４８を構成するＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜、並びに、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を構成するＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２シード膜９２となる。
【００７０】
第２メタル層形成工程後、第２メタル層９３上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（第３レジスト層形成工程）、その後、ベース４の外部端子電極５３，５４を形成する位置上のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光および現像を行い、図２０に示すベース４の外部端子電極５３，５４のパターン形成を行う（第３パターン形成工程）。
【００７１】
第３パターン形成工程後、露出した第２メタル層９３上に、図２１に示すように、Ｎｉからなる第１メッキ層９４をメッキ形成する（第１メッキ形成工程）。ここで、形成した第１メッキ層９４がベース４の外部端子電極５３，５４のＮｉ膜の第１メッキ膜９４となる。
【００７２】
第１メッキ形成工程後、図２２に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（第３レジスト剥離工程）
第３レジスト剥離工程後、露出した第２メタル層９３及び第１メッキ層９４上にレジストをディップコート法により塗布して、図２３に示すように、新たなポジレジスト層９７を形成する（第４レジスト層形成工程）。その後、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を形成する位置上のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図２４に示すように、ベース４の第１接合層、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５のパターン形成を行う（第４パターン形成工程）。
【００７３】
第４パターン形成工程後、露出した第２メタル層９３及び第１メッキ層９４上に、図２５に示すように、Ａｕからなる第２メッキ層９５をメッキ形成する（第２メッキ形成工程）。ここで形成した第２メッキ層９５が、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を構成するＡｕ膜からなる第２メッキ膜９５となる。
【００７４】
第２メッキ形成工程後、図２６に示すように、ポジレジスト層９７を剥離する（第４レジスト剥離工程）。
【００７５】
第４レジスト剥離工程後、露出した第２メタル層９３及び第２メッキ層９５上にレジストをディップコート法により塗布し、図２７に示すように、新たなポジレジスト層９７を形成する（第５レジスト層形成工程）。その後、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターン５５を形成する位置上以外のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図２８に示すように、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターン５５、並びにベース４の外形のパターン形成を行う（第５パターン形成工程）。
【００７６】
第５パターン形成工程後、図２９に示すように、露出した第２メタル層９３をメタルエッチングして除去する（第２メタルエッチング工程）。
【００７７】
第２メタルエッチング工程後、ポジレジスト層９７を剥離除去して、図３０に示すように、ベース４をウエハ８に多数個形成する（第５レジスト剥離工程）。なお、図３０に示す第５レジスト剥離工程後における各ベース４の他主面４３の平面図（ベース４の裏面図）を図３に示す。
【００７８】
第５レジスト剥離工程後、多数個のべース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し（ベース個片化工程）、多数個の図３０に示すベース４を製造する。
【００７９】
そして、図３０に示すベース４に、切り欠き部５４１の位置に基づいて図６に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する。また、別工程で、図５に示す蓋７の第２接合層７４上に接合材１２を積層する。その後、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋７を配し、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、図１に示す水晶振動子１を製造する。
【００８０】
上記の製造工程のうち、ベース成形工程にて貫通孔４９を形成する工程が、本発明でいう貫通孔形成工程に相当する。また、メタル層形成工程を経て貫通孔４９の内側面４９１に、シード膜である第１メタル層９２を形成する工程が、本発明でいうシード膜形成工程に相当する。また、充填工程で、貫通孔４９の内側面４９１に露出した第１メタル層９２（第１シード膜９２）に対してＣｕ電解メッキを行う工程が、本発明でいうメッキ工程に相当する。また、樹脂層形成工程及び樹脂パターン形成工程を経て、樹脂パターン６１を形成して、この樹脂パターン６１により貫通孔４９の他端開口面４９３の側の開口端部４９３を塞ぐ工程が本発明でいう封孔工程に相当する。
【００８１】
また、上記の製造工程は、本発明を具現化した実施形態の一つであり、これに限定されるものではなく、他の実施形態により水晶振動子１を製造してもよい。
【００８２】
上記のように、本実施の形態にかかる水晶振動子１、および電子部品パッケージによれば、ベース４の他主面４３に樹脂材（樹脂パターン６１）を用いる場合であっても、内部空間１１における気密性の低下を抑制することができる。
【００８３】
具体的には、ベース４の他主面４３の基材および配線パターン５５上に樹脂パターン６１が積層され、配線パターン５５および樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層されるので、ベース４の基材への樹脂パターン６１の接着強度が弱い場合であっても、配線パターン５５への樹脂パターン６１の接着と、配線パターン５５への外部端子電極５３，５４の接着とによって、ベース４の基材への樹脂パターン６１の接着補完を行うことができる。
【００８４】
また、外部端子電極５３，５４が積層された樹脂パターン６１の積層部位の外周縁に沿った外方（図４に示す符号５５２参照）において配線パターン５５上に外部端子電極５３，５４が積層されているので、樹脂パターン６１上に外部端子電極５３，５４が積層された部位を囲むように、配線パターン５５への外部端子電極５３，５４の積層を行うことができ、ベース４の基材への樹脂パターン６１の接着に好ましい。
【００８５】
また、ベース４の両主面４２，４３を貫通する貫通孔４９の他端開口面４９３が、樹脂パターン６１により塞がれるので、貫通孔４９に充填された導電性材料（充填層９８参照）が貫通孔４９から剥がれ、脱落するのを防止することができる。また、ベース４の他主面４３から貫通孔４９に充填された充填層９８への熱伝導が、貫通孔４９の他端開口面４９３を塞ぐ樹脂パターン６１により遮断されるので、例えば、水晶振動子１を基板に実装する際の熱による充填層９８とベース４を構成する基材との密着性の低下を防止することができる。よって、内部空間１１の気密性の低下を抑制することができる。
【００８６】
なお、本実施の形態に係る水晶振動子１において、充填層９８は、貫通孔４９の内側面のシード膜（図１の符号９２参照）にメッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されているが、充填層９８は、貫通孔４９に導電性材料を充填して構成されるものであれば、これに限定されるものではない。つまり、充填層９８は、貫通孔４９に金属ペースト（導電性フィラーの添加されたペースト状樹脂材）を充填することにより構成されてもよい。
【００８７】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１において、充填層９８は、図４に示すように、ベース４の一主面４２の側の一端面９８１が、ベース４の一主面４２と面一に形成されているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではない。つまり、充填層９８は、貫通孔４９を塞ぐものであればよく、図３１に示すように、充填層９８の一端面９８１は、ベース４の一主面４２よりも下方に位置していてもよい。あるいは、充填層９８の一端面９８１は、図３２に示すように、ベース４の一主面４２よりも上方に位置していてもよい。つまり、図３２に示す構成において、充填層９８の突出部（ベース４の一主面４２から突出した部分）の厚みＴは、充填層９８上に形成された配線パターン５５を構成するメッキ膜（図４の第２メッキ膜９５参照）が水晶振動片２に接触することのないように、２μｍ以下とされていることが好ましい。
【００８８】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１においては、貫通孔４９の他端開口面４９３を塞ぐ樹脂パターン６１が、他主面４１の外周部を除くほぼ全面に形成されているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではない。つまり、例えば、図３３に示すように、貫通孔４９の他端開口面４９３のみに樹脂パターンを形成しても、貫通孔４９の内部に充填された導電性材料（充填層９８の構成材料）の落下防止効果を得ることはできる。なお、図３３に示す構成では、外部端子電極５３，５４は、ベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５（図１の第１シード膜９２参照）上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２シード膜９３（図１９３参照）と、この第２シード膜９３上に形成されたＡｕ膜からなる第２メッキ膜９５（図３３参照）とで構成されている。
【００８９】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１において、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成されたＴｉ膜及びＣｕ膜からなる第１シード膜９２と、この第１シード膜９２の上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２シード膜９３と、この第２シード膜９３の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなる第２メッキ膜９５とで構成されているが、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の電極構成は、これに限定されず、ベース４の基板上にＴｉ膜及びＣｕ膜からなるシード膜を介さず、直接、Ｔｉ膜及びＡｕ膜からなるシード膜が形成され、このシード膜の上に、Ａｕ膜がメッキ形成された構成であってもよい。つまり、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のシード膜が、Ｔｉ膜及びＡｕ膜からなる構成であってもよい。このように、貫通孔４９の内側面４９１のシード膜をＴｉ膜とＡｕ膜とで構成する場合には、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のシード膜上にメッキ形成する充填層９８をＡｕＳｎメッキ層とすると、内側面４９１の配線パターン５５のシード膜と充填層９８との接着強度を向上させることができる。
【００９０】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１のベース４において、第１接合層４８は、上記した通り、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜（図１の符号９３参照）と、このスパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなるメッキ膜（図１の符号９５参照）とから構成されているが、この構成に限定されるものではない。例えば、第１接合層４８は、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなるスパッタ膜と、このスパッタ膜の上にメッキ形成されたＮｉメッキ膜と、Ｎｉメッキ膜の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜とから構成されたものであってもよい。このように、スパッタ膜とＡｕメッキ膜との間にＮｉメッキ膜を介在させると、接合材１２（ろう材）によるスパッタ膜（Ａｕ膜）の侵食を防止することができ、ベース４と蓋７との接合の強度を向上させることができる。
【００９１】
また、本実施の形成に係る水晶振動子１のベース４において、外部端子電極５３，５４は、上記した通り、ベース４の他主面４３の配線パターン５５の第１シード膜９２上及び樹脂パターン６１上に形成されたＴｉ膜及びＡｕ膜からなる第２シード膜９３と、この第２シード膜９３の上にメッキ形成されたＮｉからなる第１メッキ膜９４と、この第１メッキ膜９４の上にメッキ形成されたＡｕからなる第２メッキ膜９５とから構成されているが、この構成に限定されるものではなく、例えば、第２シード膜９３の上に直接（Ｎｉからなる第１メッキ膜９４を介さず）Ａｕからなる第２メッキ膜９５が形成されたものであってもよい。
【００９２】
また、本実施の形態では、ベース４及び蓋７の材料としてガラスを用いているが、ベース４及び蓋７は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、例えば、水晶を用いて構成されたものであってもよい。
【００９３】
また、本実施の形態では、接合材１２として、主にＡｕＳｎを用いているが、接合材１２は、ベース４と蓋７とを接合させることができるものであれば特に限定されず、例えば、ＣｕＳｎ等のＳｎ合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。
【００９４】
また、上記した実施の形態に係る水晶振動子１では、水晶振動片として、図６に示す音叉型水晶振動片２を使用したが、図３４に示すＡＴカット水晶振動片２を使用してもよい。ＡＴカット水晶振動片２を使用した水晶振動子１では、ＡＴカット水晶振動片２に合わせてベース４に電極が形成されているが、本発明に係る構成については、本実施の形態と同一であり、本実施の形態と同様の効果を奏する。
【００９５】
また、本実施の形態に係るベース４に、水晶振動片２に加えて、ＩＣチップを搭載し、発振器を構成してもよい。ベース４にＩＣチップを搭載する場合には、ＩＣチップの電極構成に合わせた電極がベース４に形成される。
【００９６】
また、本実施の形態に係るベース４の外部端子電極５３，５４の形状は、図３に示す形状に限定されるものではなく、図３５に示す外部端子電極５３，５４の形状であってもよい。この図３５に示す形態では、対向する外部端子電極５３，５４からベース４の長手方向に沿って、電極部位（伸長部５３２（５４２））が、それぞれ対向する相手側の外部端子電極５３（５４）に向けて延出される。また、伸長部５３２，５４２は、外部端子電極５３，５４がそれぞれ対面する２つの隅部から延出され、これら伸長部５３２，５４２により、外部端子電極５３，５４のベース４の基材への接着面積を広げる。さらに、伸長部５３２，５４２が、接着しにくい外部端子電極５３，５４と樹脂パターン６１との接合部位近傍（領域５５２）にあり、外部端子電極５３，５４と樹脂パターン６１の接着補完に好適である。なお、図３５に示す伸長部５３２，５４２は、ベース４の長手方向に沿って延出して形成されているが、これに限定されるものではなく、外部端子電極５３，５４の上記２つの隅部からベース４の短手方向に沿って延出して形成されてもよく、またベース４の長手方向および短手方向に沿って外部端子電極５３，５４の上記２つの隅部から延出して形成されてもよい。
【００９７】
また、本実施の形態では、樹脂パターン６１は、平面視矩形状に成形されているが、これに限定されるものではなく、図３６に示すように、樹脂パターン６１の内方に切り欠いた凹部６１１が形成されてもよい。なお、図３６では、凹部６１１を明らかにするために、外部端子電極５３，５４に覆われた部分もドット表示している。なお、図３６に示す形態では、樹脂パターン６１に、テーパー部６１２を有する凹部６１１が形成されているだけでなく、さらに、配線パターン５５も樹脂パターン６１の形状に対応させて、配線パターン５５には、凹部６１１のテーパー部６１２と同一形状のテーパー部５５３が形成されている。このように、樹脂パターン６１のテーパー部６１２と配線パターン５５のテーパー部５５３とが同一形状であるので、配線パターン５５と外部端子電極５３，５４との接続の信頼性を向上させることができる。なお、図３６に示す配線パターン５５のうち環状に成形された一部は、テーパー部５５３以外は本実施の形態と同様の構成からなる。
【００９８】
また、本実施の形態では、ベース４の他主面４３の側の配線パターン５５の一部が樹脂パターン形成領域４７の長辺４７１の両端部４７３，４７４と、短辺４７２とに沿って、環状に成形され、環状内には配線パターン５５が形成されていないが、これに限定されるものではなく、図３７に示すように、環状内に格子状（図３７では十字形状）の格子配線パターン部５５４が形成されてもよい。この場合、配線パターン５５における電気抵抗を向上させることができる。その結果、配線パターン５５の一部や外部端子電極５３，５４の一部が断線した場合であっても、抵抗値が悪化するのを抑えることができる。
【００９９】
また、本実施の形態では、図３に示すように、外部端子電極５３，５４の幅方向（ベース４の短手方向）の寸法が、樹脂パターン６１の幅方向（ベース４の短手方向）の寸法よりも長く設定されているが、これに限定されるものではなく、図３８に示すように、外部端子電極５３，５４の幅方向の寸法と樹脂パターン６１の幅方向の寸法とが同一であってもよい。なお、図３８に示す形態では、ベース４を三分割した中央部分４３１において、外部端子電極５３，５４がそれぞれ樹脂パターン６１を覆う。この場合、外部端子電極５３，５４が、ベース４を三分割した中央部分４３１において露出する樹脂パターン６１の対向部分の一部６１３のみを覆っている。そのため、２つの外部端子電極５３，５４により、ベース４の基材への樹脂パターン６１の接着補完を行うことができる。なお、図３８に示す外部端子電極５４には、切り欠き部５４１（図３参照）を形成していないが、これは単なる設計事項の変更である。
【０１００】
また、本実施の形態では、２端子の水晶振動子１を用いているが、これに限定されるものではなく、図３９に示すように、４端子の水晶振動子１にも適用できる。
【０１０１】
図３９に示す４端子の水晶振動子１では、ベース４に４つの外部端子電極５６が形成されている。これら４つの外部端子電極５６は、複数の電極膜の積層構造からなり、図３９に示す実施の形態では、平面視面積が異なる２つの層（面積が小さい層５６１と面積が大きい層５６２）からなり、４つの外部端子電極５６はそれぞれ段差を有する凸状に形成されている。また、貫通孔４９の開口端が、多角形（図３９に示す形態では八角形）に成形されている。
【０１０２】
図３９に示す実施の形態によれば、４つの外部端子電極５６が、面積が小さい層５６１と面積が大きい層５６２との２層構成から構成され、その結果、４つの外部端子電極５６に凸状の段差部がそれぞれ形成される。そのため、水晶振動子１を外部部品や外部機器（具体的には、プリント配線基板）に鉛フリー半田等で導電接合する際にアンカー効果が生じ、接合の信頼性を向上させることができる。
【０１０３】
また、外部部品や外部機器と接続する接続部位は、ベース４の他主面４３から配線パターン５５、樹脂パターン６１、および外部端子電極５３，５４の順に積層さあれた積層構成からなる。そのため、プリント配線基板と接続する接続部位は、全体としてベース４の他主面４３と、外部端子電極５３，５４との間の距離を大きくすることができる。すなわち、プリント配線基板と接続する接続部位を厚くすることができる。このような構成とすることで、水晶振動子１とプリント配線基板との間で生じる応力を緩衝させることができる。特に、樹脂パターン６１を配線パターン５５と外部端子電極５３，５４との間に介在させる構成とすることにより、緩衝効果をより発揮させることができ、その結果、プリント配線基板と接続する接続部位における接合における信頼性を向上させることができる。
【０１０４】
なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【符号の説明】
【０１０５】
１ 水晶振動子
１１ 内部空間
１２ 接合材
１３ 導電性バンプ
２ 水晶振動片（電子部品素子）
２０ 圧電振動素板
２１，２２ 脚部
２１１，２２１ 先端部
２３ 基部
２３１ 一端面
２３２ 他端面
２３３ 側面
２４ 接合部
２４１ 短辺部
２４２ 長辺部
２４３ 先端部
２５ 溝部
２６ 貫通孔
２７ 接合箇所
３１，３２ 励振電極
３３，３４ 引出電極
４ ベース（第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）
４１ 底部
４２ 一主面
４３ 他主面
４４ 壁部
４５ キャビティ
４５２ 一端部
４６ 台座部
４７ 樹脂パターン形成領域
４７１ 長辺
４７２ 短辺
４７３，４７４ 端部
４８ 第１接合層
４９ 貫通孔
４９１ 内側面
４９２ 一端開口面
４９３ 他端開口面
５１，５２ 電極パッド
５３，５４ 外部端子電極
５４１ 切り欠き部
５３２，５４２ 伸長部
５５ 配線パターン
５５１ 周縁部
５５２ 領域
５５３ テーパー部
５５４ 格子配線パターン部
６１ 樹脂パターン
６１１ 凹部
６１２ テーパー部
６１３ 一部
７ 蓋（第２封止部材）
７１ 頂部
７２ 一主面
７３ 壁部
７３１ 内側面
７３２ 外側面
７３３ 天面
７４ 第２接合層
８ ウエハ
８１，８２ 主面
９２ 第１シード膜（第１メタル層）
９３ 第２シード膜（第２メタル層）
９４ 第１メッキ膜（第１メッキ層）
９５ 第２メッキ膜（第２メッキ層）
９６ 樹脂層
９７ ポジレジスト層
９８ 充填層
９８１ 一端面
９８２ 他端面
９９ 隙間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材と対向して配置されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、
当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の他主面には、外部と電気的に接続する外部端子電極と、前記一主面に搭載される電子部品素子を前記外部端子電極に電気的に接続するための配線パターンと、樹脂材とが形成され、
前記他主面の前記基材および前記配線パターン上に前記樹脂材が積層され、前記配線パターンおよび前記樹脂材上に前記外部端子電極が積層されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記外部端子電極が積層された前記樹脂材の積層部位の外周縁に沿った外方において、前記配線パターン上に前記外部端子電極が積層されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記基材の両主面間を貫通する貫通孔に、導電性材料が充填され、
前記貫通孔の他主面の側の開口面が、前記樹脂材により塞がれたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項４】
一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材と対向して配置されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージであって、
前記第１封止部材が、請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項１】
一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材と対向して配置されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージの前記第１封止部材として使用される電子部品パッケージ用封止部材において、
当該電子部品パッケージ用封止部材を構成する基材の他主面には、外部と電気的に接続する外部端子電極と、前記一主面に搭載される電子部品素子を前記外部端子電極に電気的に接続するための配線パターンと、樹脂材とが形成され、
前記他主面の前記基材および前記配線パターン上に前記樹脂材が積層され、前記配線パターンおよび前記樹脂材上に前記外部端子電極が積層されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記外部端子電極が積層された前記樹脂材の積層部位の外周縁に沿った外方において、前記配線パターン上に前記外部端子電極が積層されたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品パッケージ用封止部材であって、
前記基材の両主面間を貫通する貫通孔に、導電性材料が充填され、
前記貫通孔の他主面の側の開口面が、前記樹脂材により塞がれたことを特徴とする電子部品パッケージ用封止部材。
【請求項４】
一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、前記第１封止部材と対向して配置されて前記電子部品素子の電極を気密封止する第２封止部材とを備える電子部品パッケージであって、
前記第１封止部材が、請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の電子部品パッケージ用封止部材であることを特徴とする電子部品パッケージ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【公開番号】特開２０１２−６９５８２（Ｐ２０１２−６９５８２Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１１０４５（Ｐ２０１０−２１１０４５）
【出願日】平成２２年９月２１日（２０１０．９．２１）
【出願人】（０００１４９７３４）株式会社大真空 (312)
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２１日（２０１０．９．２１）
【出願人】（０００１４９７３４）株式会社大真空 (312)
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