電子部品用パッケージおよび圧電振動デバイス
【課題】封止部材の濡れ拡がりが原因となる電子部品素子の動作不良を防止する。
【解決手段】発振器の本体筺体は、封止部材を介して、電子部品素子を搭載するベース５と、導電性材料を含む蓋とが接合されてなり、電極パッド８１，８２と、接地用のＧＮＤ端子が含まれた外部端子と、配線パターン９とが形成されている。また、配線パターン９に、壁部７に形成された壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と、キャビティ５３内におけるベース５の一主面５１に形成された電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２とが含まれ、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２とを連結する連結部９４３が、ベース５の平面視においてキャビティ５３に露出せずに底部６と壁部７との積層間にある。
【解決手段】発振器の本体筺体は、封止部材を介して、電子部品素子を搭載するベース５と、導電性材料を含む蓋とが接合されてなり、電極パッド８１，８２と、接地用のＧＮＤ端子が含まれた外部端子と、配線パターン９とが形成されている。また、配線パターン９に、壁部７に形成された壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と、キャビティ５３内におけるベース５の一主面５１に形成された電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２とが含まれ、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２とを連結する連結部９４３が、ベース５の平面視においてキャビティ５３に露出せずに底部６と壁部７との積層間にある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品素子を気密封止する電子部品用パッケージ、および電子部品素子である圧電素子を気密封止した圧電振動デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品は、その内部空間に搭載した電子部品素子の特性が劣化するのを防ぐために内部空間を気密封止する。この気密封止を必要とする電子部品素子として、例えば、半導体素子や圧電素子などが挙げられる。ここでいう電子部品は、例えば、その本体筐体のパッケージがベースと金属蓋とから構成されたものであり、その内部空間に半導体素子や圧電素子などが搭載されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の電子部品収納用パッケージでは、電子部品素子が搭載される箱形状の絶縁基体（ベース）に金属蓋を接合して電子部品収納用パッケージが構成される。
【０００４】
この特許文献１に示すような従来の技術では、ＥＭＩ対策として金属蓋を接地させるＧＮＤ配線パターンがベースに形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６７８６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ベースに金属蓋を接合する際、封止部材を加熱溶融接合している。封止部材は、ベースの封止箇所だけでなく、ＧＮＤ配線パターン上にも濡れ拡がる。この封止部材の濡れ拡がりに関して、濡れ拡がった封止部材は、ＧＮＤ配線パターン上を伝って本体筺体内に拡がり、電子部品素子（半導体素子など）に接したり、他の用途の配線パターンに接する場合がある。この場合、電子部品素子が動作不良になる。
【０００７】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、封止部材との接触が原因となる電子部品素子の動作不良を防止する電子部品用パッケージ及び圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品用パッケージは、電子部品用パッケージにおいて、電子部品素子を搭載するベースと、封止部材を介して前記ベースに接合して電子部品素子を気密封止する蓋と、が設けられ、前記蓋は、導電性材料を含み、前記ベースに、底部と前記底部から延出した壁部とが設けられ、前記底部と前記壁部とにより前記ベースの一主面に電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、電子部品素子の電極に電気的に接合するための電極パッドと、外部に電気的に接続するための外部端子と、前記電極パッドと前記外部端子とが電気的に接続された配線パターンとが形成され、前記外部端子に、接地用のＧＮＤ端子が含まれ、前記配線パターンには、前記壁部に形成された、前記蓋を前記ＧＮＤ端子に接続するための壁部用ＧＮＤ配線パターンと、前記キャビティ内における前記ベースの一主面に形成された、電子部品素子を前記ＧＮＤ端子に接続するための電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンと、が含まれ、前記電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンと前記壁部用ＧＮＤ配線パターンとを連結する連結部が、前記ベースの平面視において前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあることを特徴とする。また、本発明のより好適な構成として、前記連結部が、前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあってもよい。
【０００９】
本発明によれば、前記ベースと前記蓋とが前記封止部材を介して接合され、前記蓋は導電性材料を含み、前記ベースに前記底部と前記壁部とが設けられ、前記キャビティが形成され、前記電極パッドと前記外部端子と前記配線パターンとが形成され、前記外部端子に前記ＧＮＤ端子が含まれ、前記配線パターンには前記壁部用ＧＮＤ配線パターンと前記電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンとが含まれ、前記連結部が、前記ベースの平面視において前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあるので、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を濡れ拡がった前記封止部材の進行が、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンで止まり、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を濡れ拡がった前記封止部材が、前記キャビティ内において前記壁部用ＧＮＤ配線パターンから電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンに移ることはない。その結果、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材が、他の用途の配線パターンや、電子部品素子に直に接することを防止することが可能となる。また、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材と、電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することが可能となり、前記封止部材との接触が原因となる電子部品素子の動作不良を防止することが可能となる。
【００１０】
また、前記封止部材の配線パターンへの流れ出しを抑制することが可能になるので、前記ベースと前記蓋との接合部位において、前記ベースと前記蓋との接合に必要な量の封止部材を確保することが可能となる。その結果、前記ベースと前記蓋との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００１１】
前記構成において、前記キャビティ内の前記壁部の壁面に凹部が設けられ、前記凹部内に前記壁部用ＧＮＤ配線パターンが形成されてもよい。
【００１２】
当該電子部品パッケージの小型化に伴い、内部空間が低背化される。この構成によれば、前記凹部内に前記壁部用ＧＮＤ配線パターンが形成されるので、ノイズを低減させることが可能となり、その結果、当該電子部品パッケージの小型化に伴うＥＭＩ対策に有効な構成となる。
【００１３】
前記構成において、前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、前記キャビティ内の前記壁部の壁面に沿った形状となり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であってもよい。
【００１４】
この場合、前記底部上に前記壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、前記キャビティ内の前記壁部の壁面に沿った形状となり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であるので、前記壁部用ＧＮＤ電極部の中心点と前記凹部の中心点とを平面視同一位置にし、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外形が正円形となっている形態に比べて、前記壁部用ＧＮＤ電極部の前記キャビティ内に露出した部分を抑えることが可能となる。その結果、前記壁部用ＧＮＤ電極部上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材と、電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することが可能となり、電子部品素子との接触に接することも防止することが可能となる。また、前記壁部用ＧＮＤ電極部上を濡れ拡がって溜まる前記封止部材の溜まり量を抑制することが可能となる。その結果、前記ベースと前記蓋との接合部位に、前記ベースと前記蓋との接合に必要な量の封止部材を確保することが可能となり、前記ベースと前記蓋との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００１５】
前記構成において、前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は楕円であり、前記楕円の一つの短軸の一部が前記キャビティ内に露出してもよい。
【００１６】
この場合、前記底部上に前記壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は楕円であり、前記楕円の一つの短軸の一部が前記キャビティ内に露出するので、前記壁部用ＧＮＤ電極部の中心点と前記凹部の中心点とを平面視同一位置にし、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外形が正円形となっている形態に比べて、前記壁部用ＧＮＤ電極部の前記キャビティ内に露出した部分を抑えることが可能となる。その結果、前記壁部用ＧＮＤ電極部上をある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材と、電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することが可能となり、電子部品素子との接触に接することも防止することが可能となる。また、前記壁部用ＧＮＤ電極部上を濡れ拡がって溜まる前記封止部材の溜まり量を抑制することが可能となり、前記ベースと前記蓋との接合部位に、前記ベースと前記蓋との接合に必要な量の封止部材を確保することが可能となる。その結果、前記ベースと前記蓋との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００１７】
前記構成において、前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、直線であり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であってもよい。
【００１８】
この場合、前記底部上に前記壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、直線であり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であるので、前記壁部用ＧＮＤ電極部の中心点と前記凹部の中心点とを平面視同一位置にし、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外形が正円形となっている形態に比べて、前記壁部用ＧＮＤ電極部の前記キャビティ内に露出した部分を抑えることが可能となる。その結果、前記壁部用ＧＮＤ電極部上をある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材と、電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することが可能となり、電子部品素子との接触に接することも防止することが可能となる。また、前記壁部用ＧＮＤ電極部上を濡れ拡がって溜まる前記封止部材の溜まり量を抑制することが可能となり、前記ベースと前記蓋との接合部位に、前記ベースと前記蓋との接合に必要な量の封止部材を確保することが可能となる。その結果、前記ベースと前記蓋との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００１９】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動デバイスは、本発明にかかる電子部品用パッケージに、電子部品素子である圧電素子が気密封止されたことを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、本発明にかかる電子部品用パッケージに前記圧電素子が気密封止されるので、本発明にかかる電子部品用パッケージの作用効果を有する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、封止部材との接触が原因となる電子部品素子の動作不良を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本実施の形態１にかかる、内部空間を公開した発振器の概略断面図である。
【図２】図２は、本実施の形態１にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。
【図３】図３は、本実施の形態１にかかるベースの概略平面図である。
【図４】図４は、本実施の形態２にかかる、キャビティを公開した発振器の概略断面図である。
【図５】図５は、本実施の形態２にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。
【図６】図６は、本実施の形態２にかかるベースの概略裏面図である。
【図７】図７は、本実施の形態２の他の形態にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。
【図８】図８は、本実施の形態２の他の形態にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。
【図９】図９は、本実施の形態１，２の他の形態にかかる、壁部用ＧＮＤ電極パッドと凹部との関係を示したベースの一部を拡大した概略平面図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態１，２の他の形態にかかる、壁部用ＧＮＤ電極パッドと凹部との関係を示したベースの一部を拡大した概略平面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態１，２の他の形態にかかる、壁部用ＧＮＤ電極パッドと凹部との関係を示したベースの一部を拡大した概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、電子部品として圧電振動デバイスである発振器に本発明を適用し、さらに電子部品素子としてＡＴカット水晶振動片とＩＣチップに本発明を適用した場合を示す。
【００２４】
＜実施の形態１＞
本実施の形態１にかかる発振器１には、図１〜３に示すように、電子部品素子である圧電素子のＡＴカット水晶振動片２（以下、水晶振動片という）と、水晶振動片２とともに発振回路を構成する１チップ集積回路素子（集積回路素子）であるＩＣチップ３（本発明でいう電子部品素子）と、これら水晶振動片２およびＩＣチップ３を搭載し保持するベース５と、ベース５の一主面５１に保持した水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止するための金属蓋４（本発明でいう蓋であり、以下、蓋という）と、が設けられている。
【００２５】
この発振器１では、ベース５と蓋４とが封止部材１１により加熱溶融接合されて本体筐体１２（本発明でいう電子部品用パッケージ）が構成され、この接合により、気密封止された本体筐体１２の内部空間１３が形成される。
【００２６】
この本体筐体１２の内部空間１３のベース５の一主面５１（ベース５の平面視側の面）に、図１に示すように、導電性接合材１４（導電性樹脂接着剤、金属バンプ、めっきバンプ等）により水晶振動片２が接合されるとともに電気的に接続されている（電気機械的に接合されている）。また、図１に示すように、内部空間１３のベース５の一主面５１上に、ＩＣチップ３が導電性接合材１４（金属バンプ、めっきバンプ等）により接合されるとともに電気的に接続されている（電気機械的に接合されている）。なお、本実施の形態１では、導電性接合材１４に、シリコーン樹脂などの導電性樹脂接着剤や、Ａｕバンプ等の金属バンプやメッキバンプが用いられている。また、封止部材１１に、Ａｇろう、Ｎｉメッキ、ＡｕとＳｎ等の合金等が用いられている。
【００２７】
次に、この発振器１の本体筐体１２の各構成について説明する。
【００２８】
ベース５は、セラミック材料を積層して構成される。具体的に、ベース５は、図１〜３に示すように、底部６と、ベース５の一主面５１の主面外周に沿って底部６から上方に延出した壁部７とから構成される箱状体に成形され、底部６と壁部７とによって囲まれ、ベース５の一主面５１にＩＣチップ３や水晶振動片２を搭載するキャビティ５３が形成されている。底部６には、段部６２が含まれ、底部６は、底面部６１と段部６２との２段の積層体からなる。このベース５は、セラミックの一枚板（底面部６１に対応）上に、複数のセラミックの環状板（段部６２と壁部７に対応）と、電極８の導電材料とを積層して凹状（断面視形状）に一体焼成してなる。
【００２９】
このベース５のキャビティ５３内において、底面部６１上にＩＣチップ３が６点の導電性接合材１４により底面部６１の配線パターン９（下記参照）に電気機械的に接合され、段部６２上に水晶振動片２が片保持して電気機械的に接合される。なお、当該ベース５の長手方向の両端に段部６２が設けられ、一方の段部６２には水晶振動片２を接合する電極パッド８１，８２が形成され、他方の段部６２は水晶振動片２が傾いて保持されるのを防ぐための枕部として機能する。
【００３０】
このように、本実施の形態１では、水晶振動片２とＩＣチップ３とが積層した状態でキャビティ５３内に配されている。
【００３１】
ベース５の壁部７の天面は、蓋４との接合面であり、この接合面には、蓋４と接合するための第１接合層（図示省略）が設けられている。第１接合層は、複数の層の積層構造からなり、ベース５の壁部７の天面に、ＷやＭｏからなるメタライズ層（図示省略）と、ＮｉからなるＮｉ膜と、ＡｕからなるＡｕ膜とが順に積層されてなる。メタライズ層は、メタライズ材料を印刷した後、セラミック焼成時に一体的に形成され、Ｎｉ膜とＡｕ膜はメッキ技術により形成される。
【００３２】
ベース５の筺体裏面（他主面５２）には、その四隅および長辺の中間点に、図２に示すように、キャスタレーション５４がそれぞれ形成されている。これらキャスタレーション５４は、円弧状（半円弧の凹形状）の切り欠きであり、筐体側面５５にＸ方向（図１に示すベース５の高さ方向）に延びている。
【００３３】
また、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に凹部７２が設けられている。凹部７２は、円弧状（半円弧の凹形状）の切り欠きであり、壁部７の天面から底部６（具体的には段部６２）に接する面に至るまでＸ方向に延びて形成されている。そして、この凹部７２内に、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１（下記参照）が形成されている。
【００３４】
また、ベース５の電極８には、図１〜３に示すように、水晶振動片２の励振電極２４，２４それぞれに電気的に接続する水晶振動片２用の一対の電極パッド８１，８２と、ＩＣチップ３の端子（図示省略）に電気的に接続するＩＣチップ３用の電極パッド（図示省略）と、外部の回路基板（図示省略）などの外部機器に半田などの導電性接合材（図示省略）を用いて電気的に接続する外部端子８３と、水晶振動片２の特性を測定・検査する検査端子８４，８５とが形成されている。なお、本実施の形態１では、外部端子８３に、ＩＣチップ３の交流出力端子８３１と、ＩＣチップ３の直流電源端子８３２と、ＩＣチップ３の直流制御端子８３３と、接地用のＧＮＤ端子８３４（グランド端子）とが含まれる。
【００３５】
水晶振動片２用の一対の電極パッド８１，８２は、ベース５の一主面５１であって、キャビティ５３内の段部６２上に形成されている。ＩＣチップ３用の電極パッドは、ベース５の一主面５１であって、キャビティ５３内の底面部６１上に、マトリックス状に形成され、本実施の形態１では、２×３行列（ｍ×ｎ行列）に形成されている。また、外部端子８３（交流出力端子８３１、直流電源端子８３２、直流制御端子８３３、ＧＮＤ端子８３４）は、他主面５２の壁部対応領域（他主面５２の外周）の各キャスタレーション５４に形成されている。また、検査端子８４，８５は、本体筺体１２の側面（キャスタレーション５４の側面）の一部に形成されている。
【００３６】
上記構成からなるベース５の電極８では、電極パッド（８１，８２）、外部端子８３、検査端子８４，８５が、配線パターン９により電気的に接続されている。
【００３７】
配線パターン９には、図１〜３に示すように、ＩＣチップ３の交流出力用の電極パッドをＩＣチップ３の交流出力端子８３１に導通させる出力配線パターン９１と、ＩＣチップ３の直流電源用の電極パッドを直流電源端子８３２に導通させる電源配線パターン９２と、ＩＣチップ３の直流制御用の電極パッドを直流制御端子８３３に導通させる制御配線パターン９３と、ＩＣチップ３の接地用の電極パッドをＧＮＤ端子８３４に導通させるＧＮＤ配線パターン９４と、検査用の電極パッドを検査端子８４および電極パッド８１に導通させる水晶配線パターン９５と、検査用の電極パッドを検査端子８５および電極パッド８２に導通させる水晶配線パターン９６と、が含まれている。
【００３８】
また、ＧＮＤ配線パターン９４には、図３に示すように、壁部７に形成された、蓋４をＧＮＤ端子８３４に接続するための壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と、キャビティ５３の一主面５１に形成された、ＩＣチップ３をＧＮＤ端子８３４に接続するための電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と、が含まれている。これら電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とを連結する連結部９４３が、キャビティ５３に露出せずに、底部６と壁部７との積層間にある。なお、本実施の形態１では、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２は、底面部６１に形成され、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１は底面部６１と段部６２と壁部７とに形成されている。
【００３９】
また、段部６２上（ベース５の一主面５１）に、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１の一部となる壁部用ＧＮＤ電極部９４４が形成され、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の一部は、キャビティ５３内に露出する。このキャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、扇形状からなり、その外端縁９４５は、図２，３に示すように、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った曲線となる。一方、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６の形状は、正円形となる。また、凹部７２の中心点Ｐ１と、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とは、平面視同一位置にある。また、図１〜３に示すように、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１が形成された凹部７２には、ＣｕやＷ、Ｍｏ等から構成される導通部材１５が充填され、この導通部材１５は壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１に含まれる。
【００４０】
ベース５の電極８は、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズ材料を印刷した後にベース５と一体的に焼成して形成される。このうち、電極パッド（８１，８２）と、外部端子８３と、検査端子８４，８５とは、メタライズ上部にＮｉメッキが形成され、その上部にＡｕメッキが形成されて構成される。なお、ここでいうメッキ形成の工法として、電解メッキ法や無電解メッキ法が挙げられる。
【００４１】
蓋４は、図１に示すように、一枚板のコバール母材（導電性材料）からなり、このコバール母材の両主面に図示しないニッケル層が形成され、その一方の主面にさらにＡｕＳｎ合金層が形成されている。また、本実施の形態１にかかるベース５と蓋４との接合に用いる封止部材１１は、蓋４のＡｕＳｎ合金層から構成される。蓋４の外形寸法は、ベース５の外形寸法よりも小さい。なお、必要に応じて、蓋４のニッケル層とコバール母材の間に銅を主成分とする熱緩衝層を形成してもよい。
【００４２】
上記構成からなる発振器１では、図１〜３に示すように、ベース５のキャビティ５３の底面部６１上にＩＣチップ３が配され、ＩＣチップ３が導電性接合材１４を介してＦＣＢ法によりＩＣチップ３用の電極パッドに電気機械的に超音波接合される。その後、ベース５のキャビティ５３の段部６２上に水晶振動片２が配され、水晶振動片２が導電性接合材１４を介して電気機械的に電極パッド８１，８２に接合される。
【００４３】
そして、キャビティ５３にＩＣチップ３と水晶振動片２とが搭載されたベース５に蓋４が配され、その後、加熱溶融接合により、蓋４に形成された封止部材１１とベース５の第１接合層とが接合されて、図１に示すように、水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止した発振器１が製造される。そして、ここで製造された発振器１を、外部の回路基板に半田などの導電性接合材により実装する。なお、本明細書では、便宜上、符号１１を封止部材として示しているが、実際は、符号１１の部材には第１接合層も含まれており、図１では、ベース５と蓋４とを接合した後の第１接合層と封止部材とを符号１１として示す。
【００４４】
水晶振動片２はＡＴカット水晶片の基板２１からなり、水晶振動片２の基板２１は、図２に示すように、一枚板の直方体形状からなる。
また、この基板２１の両主面２２，２２には一対の励振電極２３，２３が対向して形成されている。そして、励振電極２３，２３を外部電極（本実施例では、ベース５の電極パッド８１，８２）と電気機械的に接合するために励振電極２３，２３から引出電極２４，２４が引き出し形成されている。そして、励振電極２３，２３が、引出電極２４，２４から導電性接合材１４（図１参照）を介してベース５の電極パッド８１，８２と電気機械的に接合されている。なお、励振電極２３，２３及び引出電極２４，２４は、真空蒸着法やスパッタリング法などにより形成され、例えば、基板２１に、少なくとも、クロムなどの下地電極と、金や銀などの電極とを順に積層して形成されている。
【００４５】
上記構成の本実施の形態１にかかる発振器１およびその本体筐体１２によれば、ベース５と蓋４とが封止部材１１を介して接合され、蓋４は導電性材料を含み、ベース５に底部６と壁部７とが設けられ、キャビティ５３が形成され、電極８（外部端子８３を含む）と配線パターン９とが形成され、外部端子８３にＧＮＤ端子８３４が含まれ、配線パターン９には壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２とが含まれ、連結部９４３が、底部６と壁部７との積層間にあり、キャビティ５３に露出しないので、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１上を濡れ拡がった封止部材１１の進行が、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１で止まり、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１上を濡れ拡がった封止部材１１が、キャビティ５３内において壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１から電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２に移ることはない。その結果、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった封止部材１１が、他の用途の配線パターン（出力配線パターン９１、電源配線パターン９２、制御配線パターン９３、水晶配線パターン９５，９６）や、電子部品素子（水晶振動片２、ＩＣチップ３）に直に接することを防止することができる。また、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった封止部材１１と、水晶振動片２やＩＣチップ３などの電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することができ、封止部材１１との接触が原因となる電子部品素子の動作不良を防止することができる。
【００４６】
また、本実施の形態によれば、封止部材１１の電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２への流れ出しを抑制することができるので、ベース５と蓋４との接合部位において、ベース５と蓋４との接合に必要な量の封止部材１１を確保することができる。その結果、ベース５と蓋４との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することができる。
【００４７】
また、発振器１では、小型化に伴い、内部空間１３が低背化される。本実施の形態によれば、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に凹部７２が設けられ、凹部７２内に壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１が形成されるので、ノイズを低減させることができ、その結果、発振器１の小型化に伴うＥＭＩ対策に有効な構成となる。
【００４８】
また、底部６上に壁部用ＧＮＤ電極部９４４が形成され、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の一部がキャビティ５３内に露出し、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４５は、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った形状となり、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６の形状は、円形であるので、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点と凹部の中心点とを平面視同一位置にし、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外形が正円形となっている形態に比べて、壁部用ＧＮＤ電極部９４４のキャビティ５３内に露出した部分を抑えることができる。その結果、壁部用ＧＮＤ電極部９４４上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった封止部材１１と、水晶振動片２やＩＣチップ３などの電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することができ、これらの電子部品素子との接触に接することも防止することができる。また、壁部用ＧＮＤ電極部９４４上を濡れ拡がって溜まる封止部材１１の溜まり量を抑制することができる。その結果、ベース５と蓋４との接合部位に、ベース５と蓋４との接合に必要な量の封止部材１１を確保することができ、ベース５と蓋４との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態１では、圧電振動デバイスとして水晶発振器を適用しているが、材料は水晶に限定されるものではなく、圧電材料であればよい。また、本実施の形態にかかる水晶発振器に限定されるものではなく、例えば弾性表面波素子を用いた発振器等であってもよい。
【００５０】
また、本実施の形態１では、外部端子８３としてＩＣチップ３の交流出力端子８３１と、直流電源端子８３２と、直流制御端子８３３と、ＧＮＤ端子８３４とが含まれた４端子構成のものとしているが、これに限定されるものではなく、直流制御端子８３３に代えて、電圧制御用端子を形成した４端子構成のものであってもよい。また、直流制御端子８３３に代えて、外部への接続を行う端子として機能しないダミー端子を形成した４端子構成のものであってもよい。また、直流制御端子８３３と電圧制御用端子とダミー端子とのうち少なくとも２つ以上形成した５端子以上の構成のものであってもよい。また、外部端子８３に、他の書き込み端子等を追加端子として含む６端子以上の構成のものであってもよい。
【００５１】
また、本実施の形態１，２では、ベース５と蓋４とを接合する前の蓋４に封止部材１１を形成しているが、これに限定されるものではなく、ベース５に封止部材１１を形成してもよい。
【００５２】
＜実施の形態２＞
次に、本実施の形態２にかかる発振器１を図面を用いて説明する。なお、本実施の形態２にかかる発振器１は、上記した実施の形態１に対して、ベース５の形状が異なる。そのため、実施の形態１にかかる発振器１と同一構成による作用効果及び変形例は、実施の形態１にかかる発振器１と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態２では、上記の実施の形態２と異なるベース５の構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。
【００５３】
本実施の形態２にかかる発振器１では、図４〜６に示すように、水晶振動片２とＩＣチップ３とベース５と蓋４とが設けられている。ベース５と蓋４から構成される電子部品用パッケージである本体筐体１２内に、水晶振動片２が気密封止されている。
【００５４】
次に、本実施の形態２の特徴的な構成であるベース５について、図４〜６を用いて説明する。
【００５５】
ベース５は、アルミナ等のセラミック材料の基材からなり、図４，５に示すように、底部６と、ベース５の一主面５１の主面外周に沿って底部６から上方に延出した壁部７と、から構成された箱状体に成形されている。このベース５は、セラミックの一枚板（底部６に対応）上に、複数のセラミックの環状板（壁部７に対応）と、電極８の導電材料とを積層し、凹状（断面視形状）に一体焼成されている。
【００５６】
ベース５の一主面５１には、底部６と壁部７とによって囲まれ、水晶振動片２やＩＣチップ３を搭載するキャビティ５３が形成され、キャビティ５３の底部６上（ベース５の一主面５１）に、水晶振動片２とＩＣチップ３とが長辺方向を同一方向にして並んで搭載される。
【００５７】
ベース５の壁部７の天面は、蓋４との接合面であり、この接合面には、蓋４と接合するための第１接合層（図示省略）が設けられている。第１接合層は、複数の層の積層構造からなり、ベース５の壁部７の天面に、ＷやＭｏからなるメタライズ層（図示省略）と、ＮｉからなるＮｉ膜と、ＡｕからなるＡｕ膜とが順に積層されてなる。メタライズ層は、メタライズ材料を印刷した後、セラミック焼成時に一体的に形成され、Ｎｉ膜とＡｕ膜はメッキ技術により形成される。
【００５８】
ベース５の筺体裏面（他主面５２）には、その四隅に、図４〜６に示すように、キャスタレーション５４がそれぞれ形成されている。これらキャスタレーション５４は、円弧状（半円弧の凹形状）の切り欠きであり、筐体側面５５にＸ方向（図４に示すベース５の高さ方向）に延びている。
【００５９】
また、ベース５には、図５，６に示すように、水晶振動片２の励振電極２３，２３をキャビティ５３内からキャビティ５３外に導出させるためのビア５６が２つ形成されている。すなわち、ベース５の一主面５１から他主面５２にかけて両主面５１，５２を貫通したビア５６が２つ形成されている。
【００６０】
これらビア５６は、ベース５のいずれの辺に対しても傾斜し、ベースの短辺方向（図６に示す線Ｌ１参照）に対して角度θ（５°〜３０°）傾いた方向（図６に示す線Ｌ２参照）に並んで配されている。また、２つのビア５６は、他主面５２の、一主面５１に成形された壁部７に対応する対応領域（以下、この対応領域を壁部対応領域とする）以外の領域に形成されている。すなわち、２つのビア５６は、一主面５１に形成されたキャビティ５３の底部６上に対応する他主面５２の領域（以下、この対応領域をキャビティ対応領域とする）に形成されている。なお、これらビア５６の内部には、ＣｕやＷ、Ｍｏ等から構成される導通部材（図示省略）が充填されている。
【００６１】
また、前記キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に凹部７２が設けられている。凹部７２は、円弧状（半円弧の凹形状）の切り欠きであり、壁部７の天面から底部６と接する面に至るまでＸ方向に延びて形成されている。そして、この凹部７２内には、ＷやＭｏなどのペーストからなる導通部材１５が充填され、凹部７２に充填された導通部材１５のキャビティ５３に面する表面に壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１（下記参照）が形成されている。
【００６２】
また、ベース５の電極８には、図５に示すように、水晶振動片２の励振電極２３，２３それぞれに電気的に接続する水晶振動片２用の一対の電極パッド８１，８２と、ＩＣチップ３の端子（図示省略）に電気的に接続するＩＣチップ３用の電極パッド（図示省略）と、外部の回路基板（図示省略）などの外部機器に半田などの導電性接合材（図示省略）を用いて電気的に接続する外部端子８３と、水晶振動片２の特性を測定・検査する検査端子８４，８５とが形成されている。なお、本実施の形態では、外部端子８３には、ＩＣチップ３の交流出力端子８３１と、直流電源端子８３２と、直流制御端子８３３と、接地用のＧＮＤ端子８３４（グランド端子）とが含まれる。
【００６３】
水晶振動片２用の電極パッド８１，８２は、図４，５に示すように、ベース５の一主面５１（具体的にはキャビティ５３の底部６上）に形成され、キャビティ５３の底部６上の、出力配線パターン９１（下記参照）およびＧＮＤ配線パターン９４（下記参照）よりも、電源配線パターン９２（下記参照）および制御配線パターン９３（下記参照）の近くに配されている。すなわち、電極パッド８１，８２は、出力配線パターン９１およびＧＮＤ配線パターン９４と離れ、かつ、電源配線パターン９２および制御配線パターン９３の近くに配されている。
【００６４】
また、ＩＣチップ３用の電極パッドは、ベース５の一主面５１のキャビティ５３の底部６上に、マトリックス状に形成され、本実施の形態では、２×３行列（ｍ×ｎ行列）に形成されている。
【００６５】
また、外部端子８３（交流出力端子８３１、直流電源端子８３２、直流制御端子８３３、ＧＮＤ端子８３４）は、他主面５２の壁部対応領域（他主面５２の外周）に形成されている。具体的には、図６に示すように、交流出力端子８３１と、直流電源端子８３２と、直流制御端子８３３と、ＧＮＤ端子８３４とは、他主面５２の各隅部およびキャスタレーション５４に形成されている。
【００６６】
また、検査端子８４，８５は、他主面５２のキャビティ対向位置（他主面５２の外周を除く中央位置）に形成されている。具体的には、検査端子８４，８５は、図６に示すように、他主面５２のキャビティ対応領域（他主面５２の外周を除く中央領域）のみに形成されている。具体的には、検査端子８４，８５は、他主面５２の長辺の中間位置上に、他主面５２の短辺方向に沿って並んで形成されている。また、検査端子８４，８５下にビア５６がそれぞれ形成されている。
【００６７】
上記構成からなるベース５の電極８では、電極パッド（８１，８２）、外部端子８３、検査端子８４，８５が、配線パターン９により電気的に接続されている。
【００６８】
配線パターン９には、図５に示すように、ＩＣチップ３の交流出力用の電極パッドをＩＣチップ３の交流出力端子８３１に導通させる出力配線パターン９１と、ＩＣチップ３の直流電源用の電極パッドを直流電源端子８３２に導通させる電源配線パターン９２と、ＩＣチップ３の直流制御用の電極パッドを直流制御端子８３３に導通させる制御配線パターン９３と、ＩＣチップ３の接地用の電極パッドをＧＮＤ端子８３４に導通させるＧＮＤ配線パターン９４と、検査用の電極パッドを検査端子８４および電極パッド８１に導通させる水晶配線パターン９５と、検査用の電極パッドを検査端子８５および電極パッド８２に導通させる水晶配線パターン９６と、が含まれている。
【００６９】
また、ＧＮＤ配線パターン９４には、図４，５に示すように、壁部７に形成された、蓋４をＧＮＤ端子８３４に接続するための壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と、キャビティ５３の一主面５１に形成された、ＩＣチップ３をＧＮＤ端子８３４に接続するための電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と、が含まれている。これら電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とを連結する連結部９４３が、キャビティ５３に露出せずに、底部６と壁部７との積層間にある。本実施の形態２では、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３内において近接した位置に配されているが、９４３が底部６と壁部７との積層間にあるため、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３では連結しない。
【００７０】
また、底部６上（ベース５の一主面５１）に、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１の一部となる壁部用ＧＮＤ電極部９４４が形成され、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の一部は、キャビティ５３内に露出する。このキャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、扇形状からなり、その外端縁９４５は、図５に示すように、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った曲線となる。一方、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６の形状は、正円形となる。また、凹部７２の中心点Ｐ１と、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とは、平面視同一位置にある。
【００７１】
本実施の形態２では、水晶振動片２に形成された一対の励振電極２３，２３と、交流出力端子８３１、直流電源端子８３２、直流制御端子８３３、ＧＮＤ端子８３４、出力配線パターン９１、電源配線パターン９２、制御配線パターン９３、およびＧＮＤ配線パターン９４は、対応関係になく対向していない非対向状態として配されている。
【００７２】
ベース５の電極８は、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズ材料を印刷した後にベース５と一体的に焼成して形成される。このうち、電極パッド（８１，８２）と、外部端子８３と、検査端子８４，８５とは、メタライズ上部にＮｉメッキが形成され、その上部にＡｕメッキが形成されて構成される。なお、ここでいうメッキ形成の工法として、電解メッキ法や無電解メッキ法が挙げられる。
【００７３】
上記構成からなる発振器１では、図５に示すように、ベース５のキャビティ５３の底部６上にＩＣチップ３が配され、ＩＣチップ３が導電性接合材１４を介してＦＣＢ法によりＩＣチップ３用の電極パッドに電気機械的に超音波接合される。また、ベース５のキャビティ５３の底部６上にＩＣチップ３に並べた状態で水晶振動片２が配され、水晶振動片２が導電性接合材１４を介して電気機械的に電極パッド８１，８２に接合される。
【００７４】
そして、同一平面のキャビティ５３の底部６上にＩＣチップ３と水晶振動片２とが搭載されたベース５に蓋４が配され、その後、加熱溶融接合により、蓋４に形成された封止部材１１とベース５の第１接合層とが接合されて、図４に示すように、水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止した発振器１が製造される。ここで製造された発振器１を、外部の回路基板に半田などの導電性接合材により実装する。
【００７５】
なお、上記の実施の形態２では、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３内において近接した位置に配されているが、これに限定されるものではなく、図７に示すように、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３内において離間した位置に配されてもよい。この図７に示す配線パターン９であっても、９４３が底部６と壁部７との積層間にある。このため、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３内では連結しない。
【００７６】
また、図７に示す形態、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とを連結する連結部９４３が、ベース５の平面視（図７参照）においてキャビティ５３に露出せずに底部６と壁部７との積層間にある。なお、この連結部９４３は、キャビティ５３の壁面の一部として表れているが、キャビティ５３の底部６上（ベース５の一主面５１）には形成されていない。しかしながら、製造誤差によって、若干ではあるが、壁部７だけではなく、キャビティ５３の底部６上（ベース５の一主面５１）にも形成される場合もある。この場合であっても、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１上を濡れ拡がった封止部材１１の進行を、壁部用ＧＮＤ配線部９４４で止める効果がある。
【００７７】
また、上記の実施の形態２では、キャビティ５３の底部６上（ベース５の一主面５１）に、水晶振動片２とＩＣチップ３とが長手方向を同一方向にして並んで搭載されているが、これに限定されるものではなく、図８に示すように、水晶振動片２の長辺方向とＩＣチップ３の短辺方向とを同一方向にして、水晶振動片２とＩＣチップ３とが並んで搭載されてもよい。
【００７８】
また、上記の実施の形態１，２では、このキャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、扇形状からなり、その外端縁の形状がキャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った曲線となっているが、これに限定されるものではなく好適な例であり、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁の形状が、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿っていれば他の形態であってもよい。具体的には、図９に示すように、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、Ｌ字形状からなり、その外端縁９４５がキャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った屈曲点を有する２つの直線からなってもよい。
【００７９】
また、上記の実施の形態１，２では、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４５は、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った曲線となり、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６の形状は、正円形となっているが、これに限定されるものではなく、図１０に示す楕円形や、図１１に示す正円形であってもよい。
【００８０】
なお、図１０に示す壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、凹部７２の中心点Ｐ１と壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とを平面視同一位置にあり、楕円の長軸が壁部７内にあり、楕円の一つの短軸の一部がキャビティ５３内に露出する。そのため、楕円の一つの短軸の一部がキャビティ５３に露出することになり、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４５，９４６が楕円の長軸を半径とする正円のものに比べて、壁部用ＧＮＤ電極部９４４のキャビティ５３内に露出した部分を抑えることができる。
【００８１】
また、図１１に示す形態では、凹部７２の中心点Ｐ１と、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とは平面視同一位置になく、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２が凹部７２の中心点Ｐ１に対して、キャビティ５３の外方に位置する。この図１１に示す形態では、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４５は、直線であり、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６は、円形である。
【００８２】
このように、図１０，１１に示す壁部用ＧＮＤ電極部９４４によれば、凹部７２の中心点Ｐ１と壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とを平面視同一位置にし、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外形が正円形となっている形態に比べて、壁部用ＧＮＤ電極部９４４のキャビティ５３内に露出した部分を抑えることができる。その結果、壁部用ＧＮＤ電極部９４４上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった封止部材１１と、水晶振動片２やＩＣチップ３との内部クリアランスを確保し、壁部用ＧＮＤ電極部９４４と他の用途の配線パターン（出力配線パターン９１、電源配線パターン９２、制御配線パターン９３、水晶配線パターン９５，９６）や電子部品素子（水晶振動片２やＩＣチップ３）とを離すことができ、その結果、封止部材１１が水晶振動片２やＩＣチップ３に接触することも防止することができる。
【００８３】
また、上記の実施の形態１，２では、１つのキャビティ５３内に、水晶振動片２とＩＣチップ３とを配しているが、これに限定されるものではなく、２つのキャビティを形成して、水晶振動片２とＩＣチップ３とをそれぞれ別のキャビティに配してもよい。
【００８４】
また、上記の実施の形態１，２では、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に凹部７２が設けられ、凹部７２内に、導通部材１５を含む壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１が形成されているが、これに限定されるものではなく、壁部７に凹部７２を設けずに壁面７１に壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１が形成されてもよい。
【００８５】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、蓋に金属材料などを用いた水晶発振器などの圧電振動デバイスに好適である。
【符号の説明】
【００８７】
１ 発振器
１１ 封止部材
１２ 本体筐体
１３ 内部空間
１４ 導電性接合材
１５ 導通部材
２ ＡＴカット水晶振動片
２１ 基板
２２ 両主面
２３ 励振電極
２４ 引出電極
３ ＩＣチップ
４ 金属蓋
５ ベース
５１ 一主面
５２ 他主面
５３ キャビティ
５４ キャスタレーション
５５ 筐体側面
５６ ビア
６ 底部
６１ 底面部
６２ 段部
７ 壁部
７１ 壁面
７２ 凹部
８ 電極
８１，８２電極パッド
８３ 外部端子
８３１ 交流出力端子
８３２ 直流電源端子
８３３ 直流制御端子
８３４ ＧＮＤ端子
８４，８５ 検査端子
９ 配線パターン
９１ 出力配線パターン
９２ 電源配線パターン
９３ 制御配線パターン
９４ ＧＮＤ配線パターン
９４１ 壁部用ＧＮＤ配線パターン
９４２ 電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン
９４３ 連結部
９４４ 壁部用ＧＮＤ電極部
９４５，９４６ 壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁
９５，９６ 検査配線パターン
Ｐ１ 凹部の中心点
Ｐ２ 壁部用ＧＮＤ電極部の中心点
Ｐ３ ベースの他主面の中心点
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品素子を気密封止する電子部品用パッケージ、および電子部品素子である圧電素子を気密封止した圧電振動デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品は、その内部空間に搭載した電子部品素子の特性が劣化するのを防ぐために内部空間を気密封止する。この気密封止を必要とする電子部品素子として、例えば、半導体素子や圧電素子などが挙げられる。ここでいう電子部品は、例えば、その本体筐体のパッケージがベースと金属蓋とから構成されたものであり、その内部空間に半導体素子や圧電素子などが搭載されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の電子部品収納用パッケージでは、電子部品素子が搭載される箱形状の絶縁基体（ベース）に金属蓋を接合して電子部品収納用パッケージが構成される。
【０００４】
この特許文献１に示すような従来の技術では、ＥＭＩ対策として金属蓋を接地させるＧＮＤ配線パターンがベースに形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６７８６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ベースに金属蓋を接合する際、封止部材を加熱溶融接合している。封止部材は、ベースの封止箇所だけでなく、ＧＮＤ配線パターン上にも濡れ拡がる。この封止部材の濡れ拡がりに関して、濡れ拡がった封止部材は、ＧＮＤ配線パターン上を伝って本体筺体内に拡がり、電子部品素子（半導体素子など）に接したり、他の用途の配線パターンに接する場合がある。この場合、電子部品素子が動作不良になる。
【０００７】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、封止部材との接触が原因となる電子部品素子の動作不良を防止する電子部品用パッケージ及び圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品用パッケージは、電子部品用パッケージにおいて、電子部品素子を搭載するベースと、封止部材を介して前記ベースに接合して電子部品素子を気密封止する蓋と、が設けられ、前記蓋は、導電性材料を含み、前記ベースに、底部と前記底部から延出した壁部とが設けられ、前記底部と前記壁部とにより前記ベースの一主面に電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、電子部品素子の電極に電気的に接合するための電極パッドと、外部に電気的に接続するための外部端子と、前記電極パッドと前記外部端子とが電気的に接続された配線パターンとが形成され、前記外部端子に、接地用のＧＮＤ端子が含まれ、前記配線パターンには、前記壁部に形成された、前記蓋を前記ＧＮＤ端子に接続するための壁部用ＧＮＤ配線パターンと、前記キャビティ内における前記ベースの一主面に形成された、電子部品素子を前記ＧＮＤ端子に接続するための電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンと、が含まれ、前記電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンと前記壁部用ＧＮＤ配線パターンとを連結する連結部が、前記ベースの平面視において前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあることを特徴とする。また、本発明のより好適な構成として、前記連結部が、前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあってもよい。
【０００９】
本発明によれば、前記ベースと前記蓋とが前記封止部材を介して接合され、前記蓋は導電性材料を含み、前記ベースに前記底部と前記壁部とが設けられ、前記キャビティが形成され、前記電極パッドと前記外部端子と前記配線パターンとが形成され、前記外部端子に前記ＧＮＤ端子が含まれ、前記配線パターンには前記壁部用ＧＮＤ配線パターンと前記電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンとが含まれ、前記連結部が、前記ベースの平面視において前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあるので、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を濡れ拡がった前記封止部材の進行が、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンで止まり、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を濡れ拡がった前記封止部材が、前記キャビティ内において前記壁部用ＧＮＤ配線パターンから電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンに移ることはない。その結果、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材が、他の用途の配線パターンや、電子部品素子に直に接することを防止することが可能となる。また、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材と、電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することが可能となり、前記封止部材との接触が原因となる電子部品素子の動作不良を防止することが可能となる。
【００１０】
また、前記封止部材の配線パターンへの流れ出しを抑制することが可能になるので、前記ベースと前記蓋との接合部位において、前記ベースと前記蓋との接合に必要な量の封止部材を確保することが可能となる。その結果、前記ベースと前記蓋との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００１１】
前記構成において、前記キャビティ内の前記壁部の壁面に凹部が設けられ、前記凹部内に前記壁部用ＧＮＤ配線パターンが形成されてもよい。
【００１２】
当該電子部品パッケージの小型化に伴い、内部空間が低背化される。この構成によれば、前記凹部内に前記壁部用ＧＮＤ配線パターンが形成されるので、ノイズを低減させることが可能となり、その結果、当該電子部品パッケージの小型化に伴うＥＭＩ対策に有効な構成となる。
【００１３】
前記構成において、前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、前記キャビティ内の前記壁部の壁面に沿った形状となり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であってもよい。
【００１４】
この場合、前記底部上に前記壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、前記キャビティ内の前記壁部の壁面に沿った形状となり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であるので、前記壁部用ＧＮＤ電極部の中心点と前記凹部の中心点とを平面視同一位置にし、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外形が正円形となっている形態に比べて、前記壁部用ＧＮＤ電極部の前記キャビティ内に露出した部分を抑えることが可能となる。その結果、前記壁部用ＧＮＤ電極部上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材と、電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することが可能となり、電子部品素子との接触に接することも防止することが可能となる。また、前記壁部用ＧＮＤ電極部上を濡れ拡がって溜まる前記封止部材の溜まり量を抑制することが可能となる。その結果、前記ベースと前記蓋との接合部位に、前記ベースと前記蓋との接合に必要な量の封止部材を確保することが可能となり、前記ベースと前記蓋との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００１５】
前記構成において、前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は楕円であり、前記楕円の一つの短軸の一部が前記キャビティ内に露出してもよい。
【００１６】
この場合、前記底部上に前記壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は楕円であり、前記楕円の一つの短軸の一部が前記キャビティ内に露出するので、前記壁部用ＧＮＤ電極部の中心点と前記凹部の中心点とを平面視同一位置にし、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外形が正円形となっている形態に比べて、前記壁部用ＧＮＤ電極部の前記キャビティ内に露出した部分を抑えることが可能となる。その結果、前記壁部用ＧＮＤ電極部上をある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材と、電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することが可能となり、電子部品素子との接触に接することも防止することが可能となる。また、前記壁部用ＧＮＤ電極部上を濡れ拡がって溜まる前記封止部材の溜まり量を抑制することが可能となり、前記ベースと前記蓋との接合部位に、前記ベースと前記蓋との接合に必要な量の封止部材を確保することが可能となる。その結果、前記ベースと前記蓋との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００１７】
前記構成において、前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、直線であり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であってもよい。
【００１８】
この場合、前記底部上に前記壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、直線であり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であるので、前記壁部用ＧＮＤ電極部の中心点と前記凹部の中心点とを平面視同一位置にし、前記壁部用ＧＮＤ電極部の外形が正円形となっている形態に比べて、前記壁部用ＧＮＤ電極部の前記キャビティ内に露出した部分を抑えることが可能となる。その結果、前記壁部用ＧＮＤ電極部上をある一定の厚みで濡れ拡がった前記封止部材と、電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することが可能となり、電子部品素子との接触に接することも防止することが可能となる。また、前記壁部用ＧＮＤ電極部上を濡れ拡がって溜まる前記封止部材の溜まり量を抑制することが可能となり、前記ベースと前記蓋との接合部位に、前記ベースと前記蓋との接合に必要な量の封止部材を確保することが可能となる。その結果、前記ベースと前記蓋との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することが可能となる。
【００１９】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動デバイスは、本発明にかかる電子部品用パッケージに、電子部品素子である圧電素子が気密封止されたことを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、本発明にかかる電子部品用パッケージに前記圧電素子が気密封止されるので、本発明にかかる電子部品用パッケージの作用効果を有する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、封止部材との接触が原因となる電子部品素子の動作不良を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本実施の形態１にかかる、内部空間を公開した発振器の概略断面図である。
【図２】図２は、本実施の形態１にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。
【図３】図３は、本実施の形態１にかかるベースの概略平面図である。
【図４】図４は、本実施の形態２にかかる、キャビティを公開した発振器の概略断面図である。
【図５】図５は、本実施の形態２にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。
【図６】図６は、本実施の形態２にかかるベースの概略裏面図である。
【図７】図７は、本実施の形態２の他の形態にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。
【図８】図８は、本実施の形態２の他の形態にかかる、水晶振動片とＩＣチップを搭載した状態のベースの概略平面図である。
【図９】図９は、本実施の形態１，２の他の形態にかかる、壁部用ＧＮＤ電極パッドと凹部との関係を示したベースの一部を拡大した概略平面図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態１，２の他の形態にかかる、壁部用ＧＮＤ電極パッドと凹部との関係を示したベースの一部を拡大した概略平面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態１，２の他の形態にかかる、壁部用ＧＮＤ電極パッドと凹部との関係を示したベースの一部を拡大した概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、電子部品として圧電振動デバイスである発振器に本発明を適用し、さらに電子部品素子としてＡＴカット水晶振動片とＩＣチップに本発明を適用した場合を示す。
【００２４】
＜実施の形態１＞
本実施の形態１にかかる発振器１には、図１〜３に示すように、電子部品素子である圧電素子のＡＴカット水晶振動片２（以下、水晶振動片という）と、水晶振動片２とともに発振回路を構成する１チップ集積回路素子（集積回路素子）であるＩＣチップ３（本発明でいう電子部品素子）と、これら水晶振動片２およびＩＣチップ３を搭載し保持するベース５と、ベース５の一主面５１に保持した水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止するための金属蓋４（本発明でいう蓋であり、以下、蓋という）と、が設けられている。
【００２５】
この発振器１では、ベース５と蓋４とが封止部材１１により加熱溶融接合されて本体筐体１２（本発明でいう電子部品用パッケージ）が構成され、この接合により、気密封止された本体筐体１２の内部空間１３が形成される。
【００２６】
この本体筐体１２の内部空間１３のベース５の一主面５１（ベース５の平面視側の面）に、図１に示すように、導電性接合材１４（導電性樹脂接着剤、金属バンプ、めっきバンプ等）により水晶振動片２が接合されるとともに電気的に接続されている（電気機械的に接合されている）。また、図１に示すように、内部空間１３のベース５の一主面５１上に、ＩＣチップ３が導電性接合材１４（金属バンプ、めっきバンプ等）により接合されるとともに電気的に接続されている（電気機械的に接合されている）。なお、本実施の形態１では、導電性接合材１４に、シリコーン樹脂などの導電性樹脂接着剤や、Ａｕバンプ等の金属バンプやメッキバンプが用いられている。また、封止部材１１に、Ａｇろう、Ｎｉメッキ、ＡｕとＳｎ等の合金等が用いられている。
【００２７】
次に、この発振器１の本体筐体１２の各構成について説明する。
【００２８】
ベース５は、セラミック材料を積層して構成される。具体的に、ベース５は、図１〜３に示すように、底部６と、ベース５の一主面５１の主面外周に沿って底部６から上方に延出した壁部７とから構成される箱状体に成形され、底部６と壁部７とによって囲まれ、ベース５の一主面５１にＩＣチップ３や水晶振動片２を搭載するキャビティ５３が形成されている。底部６には、段部６２が含まれ、底部６は、底面部６１と段部６２との２段の積層体からなる。このベース５は、セラミックの一枚板（底面部６１に対応）上に、複数のセラミックの環状板（段部６２と壁部７に対応）と、電極８の導電材料とを積層して凹状（断面視形状）に一体焼成してなる。
【００２９】
このベース５のキャビティ５３内において、底面部６１上にＩＣチップ３が６点の導電性接合材１４により底面部６１の配線パターン９（下記参照）に電気機械的に接合され、段部６２上に水晶振動片２が片保持して電気機械的に接合される。なお、当該ベース５の長手方向の両端に段部６２が設けられ、一方の段部６２には水晶振動片２を接合する電極パッド８１，８２が形成され、他方の段部６２は水晶振動片２が傾いて保持されるのを防ぐための枕部として機能する。
【００３０】
このように、本実施の形態１では、水晶振動片２とＩＣチップ３とが積層した状態でキャビティ５３内に配されている。
【００３１】
ベース５の壁部７の天面は、蓋４との接合面であり、この接合面には、蓋４と接合するための第１接合層（図示省略）が設けられている。第１接合層は、複数の層の積層構造からなり、ベース５の壁部７の天面に、ＷやＭｏからなるメタライズ層（図示省略）と、ＮｉからなるＮｉ膜と、ＡｕからなるＡｕ膜とが順に積層されてなる。メタライズ層は、メタライズ材料を印刷した後、セラミック焼成時に一体的に形成され、Ｎｉ膜とＡｕ膜はメッキ技術により形成される。
【００３２】
ベース５の筺体裏面（他主面５２）には、その四隅および長辺の中間点に、図２に示すように、キャスタレーション５４がそれぞれ形成されている。これらキャスタレーション５４は、円弧状（半円弧の凹形状）の切り欠きであり、筐体側面５５にＸ方向（図１に示すベース５の高さ方向）に延びている。
【００３３】
また、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に凹部７２が設けられている。凹部７２は、円弧状（半円弧の凹形状）の切り欠きであり、壁部７の天面から底部６（具体的には段部６２）に接する面に至るまでＸ方向に延びて形成されている。そして、この凹部７２内に、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１（下記参照）が形成されている。
【００３４】
また、ベース５の電極８には、図１〜３に示すように、水晶振動片２の励振電極２４，２４それぞれに電気的に接続する水晶振動片２用の一対の電極パッド８１，８２と、ＩＣチップ３の端子（図示省略）に電気的に接続するＩＣチップ３用の電極パッド（図示省略）と、外部の回路基板（図示省略）などの外部機器に半田などの導電性接合材（図示省略）を用いて電気的に接続する外部端子８３と、水晶振動片２の特性を測定・検査する検査端子８４，８５とが形成されている。なお、本実施の形態１では、外部端子８３に、ＩＣチップ３の交流出力端子８３１と、ＩＣチップ３の直流電源端子８３２と、ＩＣチップ３の直流制御端子８３３と、接地用のＧＮＤ端子８３４（グランド端子）とが含まれる。
【００３５】
水晶振動片２用の一対の電極パッド８１，８２は、ベース５の一主面５１であって、キャビティ５３内の段部６２上に形成されている。ＩＣチップ３用の電極パッドは、ベース５の一主面５１であって、キャビティ５３内の底面部６１上に、マトリックス状に形成され、本実施の形態１では、２×３行列（ｍ×ｎ行列）に形成されている。また、外部端子８３（交流出力端子８３１、直流電源端子８３２、直流制御端子８３３、ＧＮＤ端子８３４）は、他主面５２の壁部対応領域（他主面５２の外周）の各キャスタレーション５４に形成されている。また、検査端子８４，８５は、本体筺体１２の側面（キャスタレーション５４の側面）の一部に形成されている。
【００３６】
上記構成からなるベース５の電極８では、電極パッド（８１，８２）、外部端子８３、検査端子８４，８５が、配線パターン９により電気的に接続されている。
【００３７】
配線パターン９には、図１〜３に示すように、ＩＣチップ３の交流出力用の電極パッドをＩＣチップ３の交流出力端子８３１に導通させる出力配線パターン９１と、ＩＣチップ３の直流電源用の電極パッドを直流電源端子８３２に導通させる電源配線パターン９２と、ＩＣチップ３の直流制御用の電極パッドを直流制御端子８３３に導通させる制御配線パターン９３と、ＩＣチップ３の接地用の電極パッドをＧＮＤ端子８３４に導通させるＧＮＤ配線パターン９４と、検査用の電極パッドを検査端子８４および電極パッド８１に導通させる水晶配線パターン９５と、検査用の電極パッドを検査端子８５および電極パッド８２に導通させる水晶配線パターン９６と、が含まれている。
【００３８】
また、ＧＮＤ配線パターン９４には、図３に示すように、壁部７に形成された、蓋４をＧＮＤ端子８３４に接続するための壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と、キャビティ５３の一主面５１に形成された、ＩＣチップ３をＧＮＤ端子８３４に接続するための電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と、が含まれている。これら電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とを連結する連結部９４３が、キャビティ５３に露出せずに、底部６と壁部７との積層間にある。なお、本実施の形態１では、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２は、底面部６１に形成され、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１は底面部６１と段部６２と壁部７とに形成されている。
【００３９】
また、段部６２上（ベース５の一主面５１）に、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１の一部となる壁部用ＧＮＤ電極部９４４が形成され、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の一部は、キャビティ５３内に露出する。このキャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、扇形状からなり、その外端縁９４５は、図２，３に示すように、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った曲線となる。一方、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６の形状は、正円形となる。また、凹部７２の中心点Ｐ１と、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とは、平面視同一位置にある。また、図１〜３に示すように、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１が形成された凹部７２には、ＣｕやＷ、Ｍｏ等から構成される導通部材１５が充填され、この導通部材１５は壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１に含まれる。
【００４０】
ベース５の電極８は、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズ材料を印刷した後にベース５と一体的に焼成して形成される。このうち、電極パッド（８１，８２）と、外部端子８３と、検査端子８４，８５とは、メタライズ上部にＮｉメッキが形成され、その上部にＡｕメッキが形成されて構成される。なお、ここでいうメッキ形成の工法として、電解メッキ法や無電解メッキ法が挙げられる。
【００４１】
蓋４は、図１に示すように、一枚板のコバール母材（導電性材料）からなり、このコバール母材の両主面に図示しないニッケル層が形成され、その一方の主面にさらにＡｕＳｎ合金層が形成されている。また、本実施の形態１にかかるベース５と蓋４との接合に用いる封止部材１１は、蓋４のＡｕＳｎ合金層から構成される。蓋４の外形寸法は、ベース５の外形寸法よりも小さい。なお、必要に応じて、蓋４のニッケル層とコバール母材の間に銅を主成分とする熱緩衝層を形成してもよい。
【００４２】
上記構成からなる発振器１では、図１〜３に示すように、ベース５のキャビティ５３の底面部６１上にＩＣチップ３が配され、ＩＣチップ３が導電性接合材１４を介してＦＣＢ法によりＩＣチップ３用の電極パッドに電気機械的に超音波接合される。その後、ベース５のキャビティ５３の段部６２上に水晶振動片２が配され、水晶振動片２が導電性接合材１４を介して電気機械的に電極パッド８１，８２に接合される。
【００４３】
そして、キャビティ５３にＩＣチップ３と水晶振動片２とが搭載されたベース５に蓋４が配され、その後、加熱溶融接合により、蓋４に形成された封止部材１１とベース５の第１接合層とが接合されて、図１に示すように、水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止した発振器１が製造される。そして、ここで製造された発振器１を、外部の回路基板に半田などの導電性接合材により実装する。なお、本明細書では、便宜上、符号１１を封止部材として示しているが、実際は、符号１１の部材には第１接合層も含まれており、図１では、ベース５と蓋４とを接合した後の第１接合層と封止部材とを符号１１として示す。
【００４４】
水晶振動片２はＡＴカット水晶片の基板２１からなり、水晶振動片２の基板２１は、図２に示すように、一枚板の直方体形状からなる。
また、この基板２１の両主面２２，２２には一対の励振電極２３，２３が対向して形成されている。そして、励振電極２３，２３を外部電極（本実施例では、ベース５の電極パッド８１，８２）と電気機械的に接合するために励振電極２３，２３から引出電極２４，２４が引き出し形成されている。そして、励振電極２３，２３が、引出電極２４，２４から導電性接合材１４（図１参照）を介してベース５の電極パッド８１，８２と電気機械的に接合されている。なお、励振電極２３，２３及び引出電極２４，２４は、真空蒸着法やスパッタリング法などにより形成され、例えば、基板２１に、少なくとも、クロムなどの下地電極と、金や銀などの電極とを順に積層して形成されている。
【００４５】
上記構成の本実施の形態１にかかる発振器１およびその本体筐体１２によれば、ベース５と蓋４とが封止部材１１を介して接合され、蓋４は導電性材料を含み、ベース５に底部６と壁部７とが設けられ、キャビティ５３が形成され、電極８（外部端子８３を含む）と配線パターン９とが形成され、外部端子８３にＧＮＤ端子８３４が含まれ、配線パターン９には壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２とが含まれ、連結部９４３が、底部６と壁部７との積層間にあり、キャビティ５３に露出しないので、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１上を濡れ拡がった封止部材１１の進行が、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１で止まり、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１上を濡れ拡がった封止部材１１が、キャビティ５３内において壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１から電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２に移ることはない。その結果、前記壁部用ＧＮＤ配線パターン上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった封止部材１１が、他の用途の配線パターン（出力配線パターン９１、電源配線パターン９２、制御配線パターン９３、水晶配線パターン９５，９６）や、電子部品素子（水晶振動片２、ＩＣチップ３）に直に接することを防止することができる。また、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった封止部材１１と、水晶振動片２やＩＣチップ３などの電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することができ、封止部材１１との接触が原因となる電子部品素子の動作不良を防止することができる。
【００４６】
また、本実施の形態によれば、封止部材１１の電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２への流れ出しを抑制することができるので、ベース５と蓋４との接合部位において、ベース５と蓋４との接合に必要な量の封止部材１１を確保することができる。その結果、ベース５と蓋４との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することができる。
【００４７】
また、発振器１では、小型化に伴い、内部空間１３が低背化される。本実施の形態によれば、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に凹部７２が設けられ、凹部７２内に壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１が形成されるので、ノイズを低減させることができ、その結果、発振器１の小型化に伴うＥＭＩ対策に有効な構成となる。
【００４８】
また、底部６上に壁部用ＧＮＤ電極部９４４が形成され、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の一部がキャビティ５３内に露出し、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４５は、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った形状となり、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６の形状は、円形であるので、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点と凹部の中心点とを平面視同一位置にし、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外形が正円形となっている形態に比べて、壁部用ＧＮＤ電極部９４４のキャビティ５３内に露出した部分を抑えることができる。その結果、壁部用ＧＮＤ電極部９４４上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった封止部材１１と、水晶振動片２やＩＣチップ３などの電子部品素子との内部クリアランスも同時に確保することができ、これらの電子部品素子との接触に接することも防止することができる。また、壁部用ＧＮＤ電極部９４４上を濡れ拡がって溜まる封止部材１１の溜まり量を抑制することができる。その結果、ベース５と蓋４との接合部位に、ベース５と蓋４との接合に必要な量の封止部材１１を確保することができ、ベース５と蓋４との接合強度が低下したり、気密不良が生じるのを防止することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態１では、圧電振動デバイスとして水晶発振器を適用しているが、材料は水晶に限定されるものではなく、圧電材料であればよい。また、本実施の形態にかかる水晶発振器に限定されるものではなく、例えば弾性表面波素子を用いた発振器等であってもよい。
【００５０】
また、本実施の形態１では、外部端子８３としてＩＣチップ３の交流出力端子８３１と、直流電源端子８３２と、直流制御端子８３３と、ＧＮＤ端子８３４とが含まれた４端子構成のものとしているが、これに限定されるものではなく、直流制御端子８３３に代えて、電圧制御用端子を形成した４端子構成のものであってもよい。また、直流制御端子８３３に代えて、外部への接続を行う端子として機能しないダミー端子を形成した４端子構成のものであってもよい。また、直流制御端子８３３と電圧制御用端子とダミー端子とのうち少なくとも２つ以上形成した５端子以上の構成のものであってもよい。また、外部端子８３に、他の書き込み端子等を追加端子として含む６端子以上の構成のものであってもよい。
【００５１】
また、本実施の形態１，２では、ベース５と蓋４とを接合する前の蓋４に封止部材１１を形成しているが、これに限定されるものではなく、ベース５に封止部材１１を形成してもよい。
【００５２】
＜実施の形態２＞
次に、本実施の形態２にかかる発振器１を図面を用いて説明する。なお、本実施の形態２にかかる発振器１は、上記した実施の形態１に対して、ベース５の形状が異なる。そのため、実施の形態１にかかる発振器１と同一構成による作用効果及び変形例は、実施の形態１にかかる発振器１と同様の作用効果及び変形例を有する。そこで、本実施の形態２では、上記の実施の形態２と異なるベース５の構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。
【００５３】
本実施の形態２にかかる発振器１では、図４〜６に示すように、水晶振動片２とＩＣチップ３とベース５と蓋４とが設けられている。ベース５と蓋４から構成される電子部品用パッケージである本体筐体１２内に、水晶振動片２が気密封止されている。
【００５４】
次に、本実施の形態２の特徴的な構成であるベース５について、図４〜６を用いて説明する。
【００５５】
ベース５は、アルミナ等のセラミック材料の基材からなり、図４，５に示すように、底部６と、ベース５の一主面５１の主面外周に沿って底部６から上方に延出した壁部７と、から構成された箱状体に成形されている。このベース５は、セラミックの一枚板（底部６に対応）上に、複数のセラミックの環状板（壁部７に対応）と、電極８の導電材料とを積層し、凹状（断面視形状）に一体焼成されている。
【００５６】
ベース５の一主面５１には、底部６と壁部７とによって囲まれ、水晶振動片２やＩＣチップ３を搭載するキャビティ５３が形成され、キャビティ５３の底部６上（ベース５の一主面５１）に、水晶振動片２とＩＣチップ３とが長辺方向を同一方向にして並んで搭載される。
【００５７】
ベース５の壁部７の天面は、蓋４との接合面であり、この接合面には、蓋４と接合するための第１接合層（図示省略）が設けられている。第１接合層は、複数の層の積層構造からなり、ベース５の壁部７の天面に、ＷやＭｏからなるメタライズ層（図示省略）と、ＮｉからなるＮｉ膜と、ＡｕからなるＡｕ膜とが順に積層されてなる。メタライズ層は、メタライズ材料を印刷した後、セラミック焼成時に一体的に形成され、Ｎｉ膜とＡｕ膜はメッキ技術により形成される。
【００５８】
ベース５の筺体裏面（他主面５２）には、その四隅に、図４〜６に示すように、キャスタレーション５４がそれぞれ形成されている。これらキャスタレーション５４は、円弧状（半円弧の凹形状）の切り欠きであり、筐体側面５５にＸ方向（図４に示すベース５の高さ方向）に延びている。
【００５９】
また、ベース５には、図５，６に示すように、水晶振動片２の励振電極２３，２３をキャビティ５３内からキャビティ５３外に導出させるためのビア５６が２つ形成されている。すなわち、ベース５の一主面５１から他主面５２にかけて両主面５１，５２を貫通したビア５６が２つ形成されている。
【００６０】
これらビア５６は、ベース５のいずれの辺に対しても傾斜し、ベースの短辺方向（図６に示す線Ｌ１参照）に対して角度θ（５°〜３０°）傾いた方向（図６に示す線Ｌ２参照）に並んで配されている。また、２つのビア５６は、他主面５２の、一主面５１に成形された壁部７に対応する対応領域（以下、この対応領域を壁部対応領域とする）以外の領域に形成されている。すなわち、２つのビア５６は、一主面５１に形成されたキャビティ５３の底部６上に対応する他主面５２の領域（以下、この対応領域をキャビティ対応領域とする）に形成されている。なお、これらビア５６の内部には、ＣｕやＷ、Ｍｏ等から構成される導通部材（図示省略）が充填されている。
【００６１】
また、前記キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に凹部７２が設けられている。凹部７２は、円弧状（半円弧の凹形状）の切り欠きであり、壁部７の天面から底部６と接する面に至るまでＸ方向に延びて形成されている。そして、この凹部７２内には、ＷやＭｏなどのペーストからなる導通部材１５が充填され、凹部７２に充填された導通部材１５のキャビティ５３に面する表面に壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１（下記参照）が形成されている。
【００６２】
また、ベース５の電極８には、図５に示すように、水晶振動片２の励振電極２３，２３それぞれに電気的に接続する水晶振動片２用の一対の電極パッド８１，８２と、ＩＣチップ３の端子（図示省略）に電気的に接続するＩＣチップ３用の電極パッド（図示省略）と、外部の回路基板（図示省略）などの外部機器に半田などの導電性接合材（図示省略）を用いて電気的に接続する外部端子８３と、水晶振動片２の特性を測定・検査する検査端子８４，８５とが形成されている。なお、本実施の形態では、外部端子８３には、ＩＣチップ３の交流出力端子８３１と、直流電源端子８３２と、直流制御端子８３３と、接地用のＧＮＤ端子８３４（グランド端子）とが含まれる。
【００６３】
水晶振動片２用の電極パッド８１，８２は、図４，５に示すように、ベース５の一主面５１（具体的にはキャビティ５３の底部６上）に形成され、キャビティ５３の底部６上の、出力配線パターン９１（下記参照）およびＧＮＤ配線パターン９４（下記参照）よりも、電源配線パターン９２（下記参照）および制御配線パターン９３（下記参照）の近くに配されている。すなわち、電極パッド８１，８２は、出力配線パターン９１およびＧＮＤ配線パターン９４と離れ、かつ、電源配線パターン９２および制御配線パターン９３の近くに配されている。
【００６４】
また、ＩＣチップ３用の電極パッドは、ベース５の一主面５１のキャビティ５３の底部６上に、マトリックス状に形成され、本実施の形態では、２×３行列（ｍ×ｎ行列）に形成されている。
【００６５】
また、外部端子８３（交流出力端子８３１、直流電源端子８３２、直流制御端子８３３、ＧＮＤ端子８３４）は、他主面５２の壁部対応領域（他主面５２の外周）に形成されている。具体的には、図６に示すように、交流出力端子８３１と、直流電源端子８３２と、直流制御端子８３３と、ＧＮＤ端子８３４とは、他主面５２の各隅部およびキャスタレーション５４に形成されている。
【００６６】
また、検査端子８４，８５は、他主面５２のキャビティ対向位置（他主面５２の外周を除く中央位置）に形成されている。具体的には、検査端子８４，８５は、図６に示すように、他主面５２のキャビティ対応領域（他主面５２の外周を除く中央領域）のみに形成されている。具体的には、検査端子８４，８５は、他主面５２の長辺の中間位置上に、他主面５２の短辺方向に沿って並んで形成されている。また、検査端子８４，８５下にビア５６がそれぞれ形成されている。
【００６７】
上記構成からなるベース５の電極８では、電極パッド（８１，８２）、外部端子８３、検査端子８４，８５が、配線パターン９により電気的に接続されている。
【００６８】
配線パターン９には、図５に示すように、ＩＣチップ３の交流出力用の電極パッドをＩＣチップ３の交流出力端子８３１に導通させる出力配線パターン９１と、ＩＣチップ３の直流電源用の電極パッドを直流電源端子８３２に導通させる電源配線パターン９２と、ＩＣチップ３の直流制御用の電極パッドを直流制御端子８３３に導通させる制御配線パターン９３と、ＩＣチップ３の接地用の電極パッドをＧＮＤ端子８３４に導通させるＧＮＤ配線パターン９４と、検査用の電極パッドを検査端子８４および電極パッド８１に導通させる水晶配線パターン９５と、検査用の電極パッドを検査端子８５および電極パッド８２に導通させる水晶配線パターン９６と、が含まれている。
【００６９】
また、ＧＮＤ配線パターン９４には、図４，５に示すように、壁部７に形成された、蓋４をＧＮＤ端子８３４に接続するための壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１と、キャビティ５３の一主面５１に形成された、ＩＣチップ３をＧＮＤ端子８３４に接続するための電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と、が含まれている。これら電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とを連結する連結部９４３が、キャビティ５３に露出せずに、底部６と壁部７との積層間にある。本実施の形態２では、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３内において近接した位置に配されているが、９４３が底部６と壁部７との積層間にあるため、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３では連結しない。
【００７０】
また、底部６上（ベース５の一主面５１）に、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１の一部となる壁部用ＧＮＤ電極部９４４が形成され、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の一部は、キャビティ５３内に露出する。このキャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、扇形状からなり、その外端縁９４５は、図５に示すように、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った曲線となる。一方、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６の形状は、正円形となる。また、凹部７２の中心点Ｐ１と、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とは、平面視同一位置にある。
【００７１】
本実施の形態２では、水晶振動片２に形成された一対の励振電極２３，２３と、交流出力端子８３１、直流電源端子８３２、直流制御端子８３３、ＧＮＤ端子８３４、出力配線パターン９１、電源配線パターン９２、制御配線パターン９３、およびＧＮＤ配線パターン９４は、対応関係になく対向していない非対向状態として配されている。
【００７２】
ベース５の電極８は、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズ材料を印刷した後にベース５と一体的に焼成して形成される。このうち、電極パッド（８１，８２）と、外部端子８３と、検査端子８４，８５とは、メタライズ上部にＮｉメッキが形成され、その上部にＡｕメッキが形成されて構成される。なお、ここでいうメッキ形成の工法として、電解メッキ法や無電解メッキ法が挙げられる。
【００７３】
上記構成からなる発振器１では、図５に示すように、ベース５のキャビティ５３の底部６上にＩＣチップ３が配され、ＩＣチップ３が導電性接合材１４を介してＦＣＢ法によりＩＣチップ３用の電極パッドに電気機械的に超音波接合される。また、ベース５のキャビティ５３の底部６上にＩＣチップ３に並べた状態で水晶振動片２が配され、水晶振動片２が導電性接合材１４を介して電気機械的に電極パッド８１，８２に接合される。
【００７４】
そして、同一平面のキャビティ５３の底部６上にＩＣチップ３と水晶振動片２とが搭載されたベース５に蓋４が配され、その後、加熱溶融接合により、蓋４に形成された封止部材１１とベース５の第１接合層とが接合されて、図４に示すように、水晶振動片２およびＩＣチップ３を気密封止した発振器１が製造される。ここで製造された発振器１を、外部の回路基板に半田などの導電性接合材により実装する。
【００７５】
なお、上記の実施の形態２では、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３内において近接した位置に配されているが、これに限定されるものではなく、図７に示すように、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３内において離間した位置に配されてもよい。この図７に示す配線パターン９であっても、９４３が底部６と壁部７との積層間にある。このため、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とはキャビティ５３内では連結しない。
【００７６】
また、図７に示す形態、電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン９４２と壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１とを連結する連結部９４３が、ベース５の平面視（図７参照）においてキャビティ５３に露出せずに底部６と壁部７との積層間にある。なお、この連結部９４３は、キャビティ５３の壁面の一部として表れているが、キャビティ５３の底部６上（ベース５の一主面５１）には形成されていない。しかしながら、製造誤差によって、若干ではあるが、壁部７だけではなく、キャビティ５３の底部６上（ベース５の一主面５１）にも形成される場合もある。この場合であっても、壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１上を濡れ拡がった封止部材１１の進行を、壁部用ＧＮＤ配線部９４４で止める効果がある。
【００７７】
また、上記の実施の形態２では、キャビティ５３の底部６上（ベース５の一主面５１）に、水晶振動片２とＩＣチップ３とが長手方向を同一方向にして並んで搭載されているが、これに限定されるものではなく、図８に示すように、水晶振動片２の長辺方向とＩＣチップ３の短辺方向とを同一方向にして、水晶振動片２とＩＣチップ３とが並んで搭載されてもよい。
【００７８】
また、上記の実施の形態１，２では、このキャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、扇形状からなり、その外端縁の形状がキャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った曲線となっているが、これに限定されるものではなく好適な例であり、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁の形状が、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿っていれば他の形態であってもよい。具体的には、図９に示すように、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、Ｌ字形状からなり、その外端縁９４５がキャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った屈曲点を有する２つの直線からなってもよい。
【００７９】
また、上記の実施の形態１，２では、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４５は、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に沿った曲線となり、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６の形状は、正円形となっているが、これに限定されるものではなく、図１０に示す楕円形や、図１１に示す正円形であってもよい。
【００８０】
なお、図１０に示す壁部用ＧＮＤ電極部９４４は、凹部７２の中心点Ｐ１と壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とを平面視同一位置にあり、楕円の長軸が壁部７内にあり、楕円の一つの短軸の一部がキャビティ５３内に露出する。そのため、楕円の一つの短軸の一部がキャビティ５３に露出することになり、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４５，９４６が楕円の長軸を半径とする正円のものに比べて、壁部用ＧＮＤ電極部９４４のキャビティ５３内に露出した部分を抑えることができる。
【００８１】
また、図１１に示す形態では、凹部７２の中心点Ｐ１と、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とは平面視同一位置になく、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２が凹部７２の中心点Ｐ１に対して、キャビティ５３の外方に位置する。この図１１に示す形態では、キャビティ５３内に露出した壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４５は、直線であり、キャビティ５３内に露出しない壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外端縁９４６は、円形である。
【００８２】
このように、図１０，１１に示す壁部用ＧＮＤ電極部９４４によれば、凹部７２の中心点Ｐ１と壁部用ＧＮＤ電極部９４４の中心点Ｐ２とを平面視同一位置にし、壁部用ＧＮＤ電極部９４４の外形が正円形となっている形態に比べて、壁部用ＧＮＤ電極部９４４のキャビティ５３内に露出した部分を抑えることができる。その結果、壁部用ＧＮＤ電極部９４４上を、ある一定の厚みで濡れ拡がった封止部材１１と、水晶振動片２やＩＣチップ３との内部クリアランスを確保し、壁部用ＧＮＤ電極部９４４と他の用途の配線パターン（出力配線パターン９１、電源配線パターン９２、制御配線パターン９３、水晶配線パターン９５，９６）や電子部品素子（水晶振動片２やＩＣチップ３）とを離すことができ、その結果、封止部材１１が水晶振動片２やＩＣチップ３に接触することも防止することができる。
【００８３】
また、上記の実施の形態１，２では、１つのキャビティ５３内に、水晶振動片２とＩＣチップ３とを配しているが、これに限定されるものではなく、２つのキャビティを形成して、水晶振動片２とＩＣチップ３とをそれぞれ別のキャビティに配してもよい。
【００８４】
また、上記の実施の形態１，２では、キャビティ５３内の壁部７の壁面７１に凹部７２が設けられ、凹部７２内に、導通部材１５を含む壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１が形成されているが、これに限定されるものではなく、壁部７に凹部７２を設けずに壁面７１に壁部用ＧＮＤ配線パターン９４１が形成されてもよい。
【００８５】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、蓋に金属材料などを用いた水晶発振器などの圧電振動デバイスに好適である。
【符号の説明】
【００８７】
１ 発振器
１１ 封止部材
１２ 本体筐体
１３ 内部空間
１４ 導電性接合材
１５ 導通部材
２ ＡＴカット水晶振動片
２１ 基板
２２ 両主面
２３ 励振電極
２４ 引出電極
３ ＩＣチップ
４ 金属蓋
５ ベース
５１ 一主面
５２ 他主面
５３ キャビティ
５４ キャスタレーション
５５ 筐体側面
５６ ビア
６ 底部
６１ 底面部
６２ 段部
７ 壁部
７１ 壁面
７２ 凹部
８ 電極
８１，８２電極パッド
８３ 外部端子
８３１ 交流出力端子
８３２ 直流電源端子
８３３ 直流制御端子
８３４ ＧＮＤ端子
８４，８５ 検査端子
９ 配線パターン
９１ 出力配線パターン
９２ 電源配線パターン
９３ 制御配線パターン
９４ ＧＮＤ配線パターン
９４１ 壁部用ＧＮＤ配線パターン
９４２ 電子部品素子用ＧＮＤ配線パターン
９４３ 連結部
９４４ 壁部用ＧＮＤ電極部
９４５，９４６ 壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁
９５，９６ 検査配線パターン
Ｐ１ 凹部の中心点
Ｐ２ 壁部用ＧＮＤ電極部の中心点
Ｐ３ ベースの他主面の中心点
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品用パッケージにおいて、
電子部品素子を搭載するベースと、封止部材を介して前記ベースに接合し電子部品素子を気密封止する蓋と、が設けられ、
前記蓋は、導電性材料を含み、
前記ベースに、底部と前記底部から延出した壁部とが設けられ、前記底部と前記壁部とにより前記ベースの一主面に電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、電子部品素子の電極に電気的に接合するための電極パッドと、外部に電気的に接続するための外部端子と、前記電極パッドと前記外部端子とが電気的に接続された配線パターンとが形成され、
前記外部端子に、接地用のＧＮＤ端子が含まれ、
前記配線パターンには、前記壁部に形成された、前記蓋を前記ＧＮＤ端子に接続するための壁部用ＧＮＤ配線パターンと、前記キャビティ内における前記ベースの一主面に形成された、電子部品素子を前記ＧＮＤ端子に接続するための電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンと、が含まれ、
前記電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンと前記壁部用ＧＮＤ配線パターンとを連結する連結部が、前記ベースの平面視において前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記連結部が、前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記キャビティ内の前記壁部の壁面に凹部が設けられ、前記凹部内に前記壁部用ＧＮＤ配線パターンが形成されたことを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項４】
請求項３に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、
前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、前記キャビティ内の前記壁部の壁面に沿った形状となり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項５】
請求項３に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、
前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は楕円であり、前記楕円の一つの短軸の一部が前記キャビティ内に露出することを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項６】
請求項３に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、
前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、直線であり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項７】
圧電振動デバイスにおいて、
請求項１乃至６のうちいずれか１つに記載の電子部品用パッケージに、電子部品素子である圧電素子が気密封止されたことを特徴とする圧電振動デバイス。
【請求項１】
電子部品用パッケージにおいて、
電子部品素子を搭載するベースと、封止部材を介して前記ベースに接合し電子部品素子を気密封止する蓋と、が設けられ、
前記蓋は、導電性材料を含み、
前記ベースに、底部と前記底部から延出した壁部とが設けられ、前記底部と前記壁部とにより前記ベースの一主面に電子部品素子を搭載するキャビティが形成され、電子部品素子の電極に電気的に接合するための電極パッドと、外部に電気的に接続するための外部端子と、前記電極パッドと前記外部端子とが電気的に接続された配線パターンとが形成され、
前記外部端子に、接地用のＧＮＤ端子が含まれ、
前記配線パターンには、前記壁部に形成された、前記蓋を前記ＧＮＤ端子に接続するための壁部用ＧＮＤ配線パターンと、前記キャビティ内における前記ベースの一主面に形成された、電子部品素子を前記ＧＮＤ端子に接続するための電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンと、が含まれ、
前記電子部品素子用ＧＮＤ配線パターンと前記壁部用ＧＮＤ配線パターンとを連結する連結部が、前記ベースの平面視において前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記連結部が、前記キャビティに露出せずに前記底部と前記壁部との積層間にあることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記キャビティ内の前記壁部の壁面に凹部が設けられ、前記凹部内に前記壁部用ＧＮＤ配線パターンが形成されたことを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項４】
請求項３に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、
前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、前記キャビティ内の前記壁部の壁面に沿った形状となり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項５】
請求項３に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、
前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は楕円であり、前記楕円の一つの短軸の一部が前記キャビティ内に露出することを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項６】
請求項３に記載の電子部品用パッケージにおいて、
前記底部上に、前記壁部用ＧＮＤ配線パターンの一部となる壁部用ＧＮＤ電極部が形成され、
前記壁部用ＧＮＤ電極部の一部が前記キャビティ内に露出し、前記キャビティ内に露出した前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、直線であり、前記キャビティ内に露出しない前記壁部用ＧＮＤ電極部の外端縁は、円形であることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項７】
圧電振動デバイスにおいて、
請求項１乃至６のうちいずれか１つに記載の電子部品用パッケージに、電子部品素子である圧電素子が気密封止されたことを特徴とする圧電振動デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−４６９３（Ｐ２０１３−４６９３Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３３６０２（Ｐ２０１１−１３３６０２）
【出願日】平成２３年６月１５日（２０１１．６．１５）
【出願人】（０００１４９７３４）株式会社大真空 (312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１５日（２０１１．６．１５）
【出願人】（０００１４９７３４）株式会社大真空 (312)
【Ｆターム（参考）】
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