電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージ
【課題】 はんだクラックを防止して電子部品用パッケージと回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージを提供する。
【解決手段】 電子部品素子３を保持する電子部品用パッケージのベース１において、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板４と導電性接合材Ｄを用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には同材質の金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されている。
【解決手段】 電子部品素子３を保持する電子部品用パッケージのベース１において、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板４と導電性接合材Ｄを用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には同材質の金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器等に用いられる電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電振動デバイスが挙げられる。これら各製品では、いずれも水晶振動板の表面に金属薄膜電極が形成され、この金属薄膜電極を外気から保護するために水晶振動板（具体的には金属薄膜電極が気密封止されている。
【０００３】
これら圧電振動デバイスは部品の表面実装化の要求から、セラミック等の絶縁材料からなるパッケージ内に気密的に収納する構成が増加している。例えば、特許文献１には、水晶振動板の搭載部を有するベース（実装基板）と断面が逆凹形の蓋（カバー）とからなり、これらを気密的に封止したセラミック材料からなるパッケージを回路基板に搭載し、はんだなどの導電性接合材を介して接合する構成が開示されている。
【０００４】
この従来の圧電振動デバイスでは、ベースの底面に端子電極が形成され、はんだ（導電性接合材）の這い上がりによる接続状態を確認するために、当該端子電極がベースの側面に形成されたキャスタレーションによりベースの底面から側面に延出している。
【０００５】
ところで、この従来の圧電振動デバイスを搭載する回路基板には、加工の容易性とコスト的なメリットから、網目状のガラス繊維にエポキシ樹脂材を含浸させたいわゆるガラスエポキシ基板が広く使用されている。また、この回路基板の電極パターン上部には、スクリーン印刷などの手法により、はんだペーストが塗布されている。そして、この回路基板の電極パターンに、上記圧電振動デバイスのパッケージの端子電極を重ね合わせた状態で搭載して、溶融炉（加熱炉など）にてはんだペーストを溶融させて回路基板上に圧電振動デバイスをはんだ接合する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−７６８１３号
【特許文献２】特開２００９−１００３５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、パッケージと回路基板との間で熱膨張差により、これらパッケージと回路基板とを接合するはんだに応力が生じ、クラックが発生することがある。特に、パッケージとしてアルミナ等のセラミック材料を用い、回路基板としてガラスエポキシ基板を用いた組み合わせ構成であって、さらに車載用などの耐熱用途向けに使用した場合、高温環境下で当該パッケージと回路基板とを使用するので、パッケージの熱膨張係数に対して回路基板の熱膨張係数が大きくなり、はんだから疲労破壊が生じやすくなる。このように、通常の温度環境ではそれほど問題にならなかったはんだクラックの問題点が高温環境では顕著にあらわれ、さらに当該パッケージと回路基板とに衝撃が加わると、はんだクラック部分から剥離が生じるといった問題点があった。
【０００８】
これに対して上記特許文献２では、ベースの底面の端子電極について一対の二層構造の端子電極とし、これらの一層目の端子電極より上部にある二層目の端子電極を小さく形成することで、接合はんだ内の気泡などを放出することではんだクラックの発生を抑制するものである。しかしながら、上記特許文献２の端子構成のみでは、上述のようなパッケージと回路基板との間で熱膨張差によるパッケージと回路基板とを接合するはんだに対して生じる応力を十分に逃がすことができない。すなわち周囲温度環境が比較的低いとき、あるいは高温環境から常温以下に下がったときには端子電極の外郭付近のはんだ部分に対して応力が集中する。反対に周囲温度環境が比較的高いとき、あるいは常温以下の環境から高温に上がったときには端子電極の内郭付近のはんだ部分に対して応力が集中する。このような温度環境の変化に対してはんだ部分に生じる応力の影響を軽減することができず、結果としてはんだクラックの問題を解決できないものであった。
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、はんだクラックを防止して電子部品用パッケージと回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されている。
【００１１】
上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。
【００１２】
前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの外郭より外側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材（はんだ）がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。
【００１３】
特に、前記バンプの外郭よりベース外側と前記平面視矩形の端子電極の外郭よりベース内側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点から遠い領域ほど導電性接合材（はんだ）が次第に沢山たまるように構成されるので、電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材による接合強度を徐々に高めることができる。結果として、不要に導電接合材の塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差によって生じるベースの外側付近の導電性接合材の内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。
【００１４】
また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００１５】
また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。
【００１６】
また本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されている。
【００１７】
上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。
【００１８】
前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの内郭より内側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材（はんだ）がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。
【００１９】
特に、前記バンプの内郭よりベース内側と前記平面視矩形の端子電極の内郭よりベース外側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材（はんだ）も同様に電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるので、回路基板の収縮時あるいは膨張時に生じるベースの中心付近の導電性接合材の内部に対して生じる応力が徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、導電性接合材による電子部品用パッケージと回路基板との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材による不要な応力の発生をもなくすこともできる。
【００２０】
また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域も、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００２１】
また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。
【００２２】
また本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭と内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して前記バンプの同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部および内郭端部からも隔離した状態で形成されている。
【００２３】
上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。
【００２４】
前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭と内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部および内郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの外郭より外側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分、および前記バンプの内郭より内側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材（はんだ）がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。
【００２５】
特に、前記バンプの外郭よりベース外側と前記平面視矩形の端子電極の外郭よりベース内側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点から遠い領域ほど導電性接合材（はんだ）が次第に沢山たまるように構成されるので、電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材による接合強度を徐々に高めることができる。また、前記バンプの内郭よりベース内側と前記平面視矩形の端子電極の内郭よりベース外側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材（はんだ）も同様に電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成することができる。結果として、不要に導電接合材の塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差によって生じる導電性接合材の内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、ベースの中心付近の導電性接合材による電子部品用パッケージと回路基板との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材による不要な応力の発生をもなくすこともできる。
【００２６】
また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００２７】
また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。
【００２８】
また上述の構成において、前記底面に対してその一角位置に偏位して、１つの端子電極からなる第１端子電極、あるいは２つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第１端子電極群が形成され、前記底面に対して前記一角位置の対角位置にあたる第１の対角位置に偏位して、１つの端子電極からなる第２端子電極、あるいは２つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第２端子電極群が形成され、前記一角位置に対して前記底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置とは、前記端子電極が形成されない無電極領域としたことを特徴とする。
【００２９】
上記構成により、上述の作用効果に加え前記導電性接合材によって回路基板と電気的機械的に接合する際に当該電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）と回路基板との間で熱膨張差が生じても、前記一角位置に対して前記ベースの底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記ベースの底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置（第２の対角対向位置）とは、無電極領域として電極が形成されていないので、電子部品用パッケージ（ベース）の接合時に発生する応力を、端子電極の形成領域から無電極領域に向かって電子部品用パッケージ（ベース）が平面的に回転するように逃がすことができる。結果として、当該電子部品用パッケージと回路基板との間に介在する前記導電性接合材に応力が集中しないので、前記導電性接合材から疲労破壊が生じにくくすることができ、導電性接合材のクラック（例えば、はんだクラック）の悪影響をより一層軽減し防止する事ができる。
【００３０】
また、上述の電子部品用パッケージのベースに対して、当該電子部品素子を気密封止する蓋を有することを特徴とする電子部品用パッケージであってもよい。この構成により上述の作用効果が得られるベースを用いて気密封止された電子部品パッケージが得られるので、安価で回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージを提供することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、導電性接合材のクラック（例えば、はんだクラック）の悪影響をより一層軽減し防止する事ができ、安価で回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージのベースと電子部品用パッケージとを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図２】図１の表面実装型水晶振動子を回路基板に搭載した状態のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図３】第１の実施例の変形例１を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図４】第１の実施例の変形例２を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図５】第１の実施例の変形例３を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図６】第１の実施例の変形例４を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図７】第１の実施例の変形例５を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図８】第１の実施例の変形例６を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図９】図８の表面実装型水晶振動子を回路基板に搭載した状態のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図１０】第２の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図１１】第３の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図１２】第３の実施例の変形例１を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施例では、電子部品として表面実装型の水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。
【実施例１】
【００３４】
実施例１にかかる表面実装型の水晶振動子は、図１、図２に示すように、電子部品素子である水晶振動板３と、上部が開口した凹部を有し水晶振動板３を保持する（収納する）ベース１と、ベース１の開口部に接合してベース１に保持した水晶振動板３を気密封止する蓋２とからなる。
【００３５】
ベース１は、全体として直方体で、アルミナ等のセラミックとタングステンやモリブデン等の導電材料を適宜積層した構成からなる。このベース１は、図２に示すように、断面視凹形の収納部１０と、収納部１０を囲むようにその周囲に設けられた堤部１１を有する。具体的に、ベース１は、矩形（平面視矩形）の平板形状のセラミックのベース基体１ａと、中央部分が大きく穿設されるとともに外形サイズ（平面視外形サイズ）がベース基体１ａとほぼ等しいセラミックの枠体１ｂからなり、ベース基体１ａと枠体１ｂと封止部材１１ａとが一体的に焼成されている。なお、堤部１１（枠体１ｂ）の上面は平坦であり、堤部１１上に封止部材１１ａ（封止材料や金属層等）が形成されている。本実施例１では、例えば封止部材１１ａとしてガラスが形成された構成を示しているが、後述する蓋２が金属蓋である場合、封止部材１１ａとしてタングステンやモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成としたり、さらにこれら各層の上部に金属リングが形成された構成としてもよい。
【００３６】
また、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４あってベース１の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけて上下にキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成され、ベース１の短辺の中央付近の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけて上下にキャスタレーションＣ５，Ｃ６が形成されている。また、キャスタレーションＣ５，Ｃ６の下方に（ベース１の底面から側面の下方一部にかけて）連結電極である側面端子電極１２１，１３１が形成され、側面端子電極１２１，１３１は後述の端子電極１２，１３と電気的につながっている（接続されている）。
【００３７】
ベース１の底面は平面視矩形とされ、このベース１の底面の両端部近傍には、外部の回路基板４（図２参照）に導電性接合材Ｄを用いて接合する平面視矩形の２つの端子電極１２，１３が形成されている。端子電極１２，１３は、後述する水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する機能端子電極であり、キャスタレーションＣ５，Ｃ６を介して側面端子電極１２１，１３１（側面端子電極１３１は図示省略）によりベース１の内部の底面に形成された電極パッド１２２，１３２（電極パッド１３２は図示省略）へと延出して電気的に接続されている。なお、これらの端子電極１２，１３、側面端子電極１２１，１３１、電極パッド１２２，１３２は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。
【００３８】
また、各端子電極１２，１３の上部には、各端子電極１２，１３より若干小さいバンプ１２Ｂ，１３Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、端子電極１２，１３のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ（タングステン、モリブデン等）を積層して一体形成されている。これら端子電極１２，１３とバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。
【００３９】
電極パッド１２２，１３２間には、水晶振動板３（本発明でいう電子部品素子）が搭載されている。水晶振動板３の表裏面には図示しない一対の励振電極と引出電極が形成されている。一対の励振電極と引出電極は、例えば水晶振動板３に接して（水晶振動板３上から）クロム，金の順に、クロム，金，クロムの順に、クロム，銀，クロムの順に、あるいはクロム，銀の順に積層して形成されている。これら各電極（一対の励振電極と引出電極）は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。そして、電極パッド１２２，１３２に対して水晶振動板３の引出電極が導電性接合材（図示せず）により導電接合され、ベース１に水晶振動板３が保持されている。例えば、水晶振動板３の励振電極と、ベース１の電極パッド１２２，１２３との導電接合には、導電性樹脂接着剤や金属バンプ・金属めっきバンプ・ろう材などの導電性接合材を用いることができる。
【００４０】
ベース１を気密封止する蓋２には、板状のアルミナ等のセラミック材料にガラス封止材等の封止部材１１ａが形成されたものが用いられている。蓋２の平面視外形はベース１の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。
【００４１】
このようなベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、蓋２にて被覆して加熱炉による溶融接合などの手法により気密封止を行うことで表面実装型の水晶振動子（電子部品用パッケージ）の完成となる。また、水晶振動子の完成品は、図１に示すように、ガラスエポキシ材からなる回路基板４の電極パターン４１，４２の上部に、例えばはんだ等の導電性接合材Ｄを介して接合される。
【００４２】
本発明ではこのバンプ形状に特徴があるので以下詳細について説明する。図１に示す実施例１では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。また、図２に示すように、端子電極１２，１３の厚みＴ１に対してバンプ１２Ｂ，１３Ｂの厚みＴ２を３倍以上でより厚く形成している。例えば実施例１ではＴ１の厚み８μｍの端子電極の基礎となるメタライズ層に対して、厚さ１５μｍのバンプの基礎となるメタライズ層を２層分（バンプ全体の厚みＴ２として３０μｍ）積層して一体形成している。なお、このように端子電極よりバンプが厚いことで、端子電極のみの領域ではんだたまりが形成され、はんだメニスカス部を厚くすることができ、ベース端部の最大応力発生箇所を回路基板から遠ざけ、はんだ接合部にかかる応力（歪み）を吸収させることが可能となる。
【００４３】
また図３に示す実施例１の変形例１では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外郭端部１２２，１３２のみから隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００４４】
また図４に示す実施例１の変形例２では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００４５】
また図５に示す実施例１の変形例３では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００４６】
また図６に示す実施例１の変形例４では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心楕円Ｒ３に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心楕円Ｒ４に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。なお、ベースの端子電極の形状や回路基板の電極パターンの形状によって応力が最大限に加わる領域が異なることになるが、このように同心楕円状に形成することで、応力が緩和され接合強度の向上される領域の強弱領域を設定することができ、ベースサイズ・ベースの端子の形状・回路基板の電極パターンの形状に合わせて、応力が最大限に加わる領域での更なる接合強度の向上が可能となる。
【００４７】
また図７に示す実施例１の変形例５では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の傾斜部１２１１Ｂと１２１２Ｂ、および点対称の傾斜部１３１１Ｂと１３１２Ｂが形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の２段の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂが形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。なお、ベースの端子電極の形状や回路基板の電極パターンの形状によって応力が最大限に加わる領域が異なることになるが、このように点対称の傾斜部を形成することで、応力が緩和され接合強度の向上される領域の強弱領域を設定することができ、ベースサイズ・ベースの端子の形状・回路基板の電極パターンの形状に合わせて、応力が最大限に加わる領域での更なる接合強度の向上が可能となる。
【００４８】
これらの構成により、平面視矩形のベース１に対して平面視矩形の２つの端子電極１２，１３を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベース１が小型化されても回路基板４の電極パターン４１，４２に対応して接合面積を低下させることがない。
【００４９】
またバンプ１２Ｂ，１３Ｂは端子電極１２，１３と同材質の金属膜としてのメタライズを積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。
【００５０】
また端子電極１２，１３は、ベース１の底面の中心点Ｏに対して点対称に配置しているので、各端子電極の方向性がなくなり、ベース１の底面の中心点（平面視中心点）Ｏから偏りのないより効率的な応力緩和が行え、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）等の発生を飛躍的に抑制することができる。
【００５１】
実施例１（図１）、変形例１（図３）、変形例３（図５）、変形例４（図６）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、前記端子電極１２，１３より小さく、バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂがベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１あるいは同心楕円Ｒ３に沿って形成され、かつ端子電極１２，１３の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。また変形例５（図７）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、前記端子電極１２，１３より小さく、バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂがベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の傾斜部１２１１Ｂと１２１２Ｂ、および点対称の傾斜部１３１１Ｂと１３１２Ｂが形成され、かつ端子電極１２，１３の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。このため、前記バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂより外側で浮き上がった端子電極１２，１３と回路基板４の電極パターン４１，４２の隙間部分に導電性接合材（はんだ）Ｄがたまり、この隙間部分での導電性接合材Ｄの厚さを厚くできるので、端子電極１２，１３と回路基板の電極パターン４１，４２との接合強度を高めることができる。
【００５２】
特に、バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂよりベース１の外側と端子電極１２，１３の外郭１２２，１３２よりベース１の内側の間に生じる回路基板４の電極パターン４１，４２との隙間部分は、ベース１の中心点Ｏから遠い領域ほど導電性接合材（はんだ）Ｄが次第に沢山たまるように構成されるので、水晶振動子（電子部品用パッケージ）と回路基板４との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材Ｄによる接合強度を徐々に高めることができる。結果として、不要に導電接合材Ｄの塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また水晶振動子（電子部品用パッケージ）と回路基板４との熱膨張差によって生じるベース１の外側付近の導電性接合材Ｄの内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材Ｄがはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。
【００５３】
またバンプ１２Ｂ，１３Ｂによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材Ｄとバンプ１２Ｂ，１３Ｂの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材Ｄとの境界領域は、ベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１あるいは同心楕円Ｒ３に沿って形成されるか、ベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の傾斜部１２１１Ｂと１２１２Ｂ、および点対称の傾斜部１３１１Ｂと１３１２Ｂに沿って形成されるため、これらの境界部の導電性接合材Ｄに加わる回路基板４の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００５４】
変形例２（図４）、変形例３（図５）、変形例４（図６）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、前記端子電極１２，１３より小さく、バンプの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂがベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２あるいは同心楕円Ｒ４に沿って形成され、かつ端子電極１２，１３の内郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。また変形例５（図７）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、前記端子電極１２，１３より小さく、バンプの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂがベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の２段の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂが形成され、かつ端子電極１２，１３の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。このため、バンプの内郭１２２Ｂ、１３２Ｂより内側で浮き上がった端子電極１２，１３と回路基板４の電極パターン４１，４２の隙間部分に導電性接合材（はんだ）Ｄがたまり、この隙間部分での導電性接合材Ｄの厚さを厚くできるので、端子電極１２，１３と回路基板４の電極パターン４１，４２との接合強度を高めることができる。
【００５５】
特に、バンプの内郭１２２Ｂ、１３２Ｂよりベース１の内側と端子電極１２，１３の内郭１２３，１３３よりベース１の外側の間に生じる回路基板４の電極パターン４１，４２との隙間部分は、ベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２あるいは同心楕円Ｒ４に沿って形成されるか、ベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂに沿って形成されるため、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材（はんだ）Ｄも同様にベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２あるいは同心楕円Ｒ４に沿って形成されるか、ベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂに沿って形成されるので、回路基板４の収縮時あるいは膨張時に生じるベース１の中心点Ｏ付近の導電性接合材Ｄの内部に対して生じる応力が徐々に緩和することができる。導電性接合材Ｄがはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、導電性接合材Ｄによる水晶振動子（電子部品用パッケージ）と回路基板４との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材Ｄによる不要な応力の発生をもなくすこともできる。
【００５６】
またバンプ１２Ｂ、１３Ｂによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材Ｄとバンプ１２Ｂ、１３Ｂの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材Ｄとの境界領域も、ベース中心点Ｏに対して同心円Ｒ２あるいは同心楕円Ｒ４に沿って形成されるか、ベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂに沿って形成されるため、これらの境界部の導電性接合材Ｄに加わる回路基板４の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００５７】
変形例３（図５）、変形例４（図６）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、バンプの外郭１２１Ｂ、１３１Ｂと内郭１２２Ｂ、１３２Ｂがベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１とＲ２あるいは同心楕円Ｒ３とＲ４に沿って形成されている。また変形例５（図７）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂと内郭１２２Ｂ、１３２Ｂがベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の傾斜部１２１１Ｂと１２１２Ｂ、および点対称の傾斜部１３１１Ｂと１３１２Ｂが形成され、かつ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の２段の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂが形成されているので、上述の２つの作用効果を相乗的に兼ね備えることができるより好ましいものである。
【００５８】
また図８，９に示す実施例１の変形例６では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂについて例えばメタライズ層を２層積層して一体形成しており、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの下層側のもの１２Ｂ−１，１３Ｂ−１の外郭１２１Ｂ−１，１３１Ｂ−１はベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの上層側のもの１２Ｂ−２，１３Ｂ−２の外郭１２１Ｂ−２，１３１Ｂ−２はベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外郭端部１２２，１３２から隔離する（ベース１の中心点Ｏに近づく）にしたがってバンプの厚みが増大するように階段状に形成されている。
【００５９】
変形例６（図８，９）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂでは、上述の作用効果に加えて、ベース１の中心点Ｏから遠いベースの端部領域ほど導電性接合材（はんだ）Ｄが次第にたまるように構成され、この隙間部分での導電性接合材Ｄの厚さを次第に厚くできるので、電子部品パッケージと回路基板４との熱膨張差の最大部分であるベースの端部に近づくほど、端子電極１２，１３と回路基板の電極パターン４１，４２との接合強度を徐々に高めることができる。結果として不要に導電性接合材Ｄの塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度向上が可能となる。電子部品パッケージと回路基板４との熱膨張差の最大部分であるベースの端部に存在する導電性接合材Ｄの内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。
【実施例２】
【００６０】
次に、本発明による実施例２にかかる表面実装型の水晶振動子を、図１０を用いて説明する。なお、実施例１と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。
【００６１】
実施例２にかかる水晶振動子では、図１０に示すように、平面視矩形のベース１の底面に対してその４角近傍には、外部の回路基板４（図２参照）に導電性接合材Ｄを用いて接合する平面視矩形の４つの端子電極１２，１３，１４，１５が形成されている。より詳しくはベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１の位置に、水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極１２が形成され、ベース１の底面に対してその角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３の位置に、水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極１３が形成されている。本形態の端子電極１２，１３は、図１０に示すように、平面視矩形状に形成され、側面端子電極１２１，１３１を介して角Ｋ１および角Ｋ３から少し離間した状態で形成されている。また、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置に、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能する端子電極１４が形成され、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置に、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能する端子電極１５が形成されている。本形態の端子電極１４，１５とは、図１０に示すように、平面視矩形状に形成され、側面端子電極１４１，１５１を介して角Ｋ２および角Ｋ４から少し離間した状態で形成されている。端子電極１２，１３，１４，１５は同一形状からなる。なお、これらの端子電極１２，１３，１４，１５、側面端子電極１２１，１３１，１４１，１５１は、上記実施例１と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。なお実施例２について、端子電極１４，１５のうちいずれか一方のみをグランド外部接続端子として機能させてもよいし、グランド外部接続端子として接続させる必要がない場合、端子電極１４，１５の両方を無機能端子としてもよい。
【００６２】
また、各端子電極１２，１３，１４，１５の上部には、各端子電極１２，１３，１４，１５より若干小さいバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ、１５Ｂは、端子電極１２，１３，１４，１５のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ（タングステン、モリブデン等）を積層して一体形成されている。これら端子電極１２，１３，１４，１５とバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。
【００６３】
図１０に示す実施例２では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂ，１４１Ｂ，１５１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ５に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３，１４，１５の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３，１４，１５、バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００６４】
ベース１を気密封止する図示しない金属製の蓋は、金属母材に金属ろう材等の封止材が形成された金属部材が用いられる。この金属製の蓋は、例えば、上面からニッケルメッキ層、コバール母材、銅中間層、銀ろう層の順に積層された多層構成であり、銀ろう層がベース１の金属層と接合される。金属製の蓋の平面視外形はベース１の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。なお、封止部材として銀ろうを用いることに限らず他の封止用ろう材を用いてもよく、また金や金錫などのメッキ層で封止部材を構成してもよい。
【００６５】
このようなベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、図示しない金属製の蓋にて被覆してシーム溶接やビーム照射による溶接、あるいは加熱炉によるろう接などの手法により気密封止を行うことで実施例２の表面実装型の水晶振動子の完成となる。
【００６６】
本発明では、実施例１に示した端子電極が２端子のものに限らず、実施例２に示した端子電極が４端子のものにも適用できるものである。加えて、実施例２では上述の実施例１の同様の作用効果が得られるだけでなく、一部の端子にグランド外部接続端子として機能させることができるので、外部の回路基板の回路で発生した電磁ノイズを金属蓋でとらえ、電磁ノイズを端子電極１４，１５により取り除くことができる。結果として、水晶振動子（電子部品パッケージ）内部の水晶振動板（電子部品素子）に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができ、ＥＭＳ対策が可能な構成とできる。また実施例２のバンプに対して実施例１で開示した同心楕円状の構成や点対称の傾斜部の構成を実施することもできる。バンプの外郭だけでなくバンプの内郭のみあるいはバンプの外郭と内郭に形成する構成を実施してもよい。
【実施例３】
【００６７】
次に、本発明による実施例３にかかる表面実装型の水晶振動子を、図１１、図１２を用いて説明する。なお、実施例１や実施例２と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。
【００６８】
実施例３にかかる水晶振動子では、図１１に示すように、平面視矩形のベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１に偏位して、平面視矩形の端子電極１２が形成され、ベース１の底面に対して角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３に偏位して、平面視矩形の端子電極１３が形成されるとともに、角Ｋ１の位置に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角位置である角Ｋ２と、ベース１の底面に対して角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４とは、前記端子電極が形成されない無電極領域１６，１７として構成されている。またベース１の短辺の中央付近の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけて上下にキャスタレーションＣ５，Ｃ６が形成され、このキャスタレーションＣ５，Ｃ６の下方に（ベース１の底面から側面の下方一部にかけて）連結電極である側面端子電極１２１，１３１が形成され、側面端子電極１２１，１３１は端子電極１２，１３と電気的につながっている（接続されている）。なお、これらの端子電極１２，１３、側面端子電極１２１，１３１は、上記実施例１，２と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。
【００６９】
また、各端子電極１２，１３の上部には、各端子電極１２，１３より若干小さいバンプ１２Ｂ，１３Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、端子電極１２，１３のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ（タングステン、モリブデン等）を積層して一体形成されている。これら端子電極１２，１３とバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。
【００７０】
図１１に示す実施例３では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ６に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ７に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００７１】
また実施例３の変形例１にかかる水晶振動子では、図１２に示すように、平面視矩形のベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１に偏位して、２つの平面視矩形の端子電極１２，１４が並列に形成されて構成される第１端子電極群が形成され、ベース１の底面に対して角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３に偏位して、２つの平面視矩形の端子電極１３，１５が並列に形成されて構成される第２端子電極群が形成されるとともに、角Ｋ１の位置に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角位置である角Ｋ２と、ベース１の底面に対して角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４とは、前記端子電極が形成されない無電極領域１６，１７として構成されている。このうち端子電極１２，１３は、水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能するもので、側面端子電極１２１，１３１を介して角Ｋ１および角Ｋ３から少し離間した状態で形成されている。端子電極１４，１５は、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能するもので、側面端子電極１４１，１５１を介してキャスタレーションＣ５およびキャスタレーションＣ６から少し離間した状態で形成されている。なお、これらの端子電極１２，１３，１４，１５、側面端子電極１２１，１３１，１４１，１５１は、上記実施例１，２と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。
【００７２】
また、各端子電極１２，１３，１４，１５の上部には、各端子電極１２，１３，１４，１５より若干小さいバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、端子電極１２，１３，１４，１５のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ（タングステン、モリブデン等）を積層して一体形成されている。これら端子電極１２，１３，１４，１５とバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。
【００７３】
図１２に示す実施例３の変形例では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂ，１４１Ｂ，１５１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ８に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの中央付近にはベース１の中心点Ｏに対して外郭が同心円Ｒ９に沿い、内郭が同心円Ｒ１０に沿って形成された無バンプ領域１２３Ｂ，１３３Ｂ，１４３Ｂ，１５３Ｂが形成されており、かつ端子電極１２，１３，１４，１５の外郭端部１２２，１３２，１４２，１５２のみから隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３，１４，１５、バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００７４】
以上のように構成されたベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、図示しない蓋にて被覆して気密封止を行うことで実施例３の表面実装型の水晶振動子（電子部品用パッケージ）の完成となる。
【００７５】
本発明では、実施例１，実施例２に限らず実施例３に示した端子電極の構造にも適用できるものである。加えて、実施例３では上述の実施例１，２の同様の作用効果が得られるだけでなく、導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に表面実装型の水晶振動子（具体的にベース１）と回路基板４との間で熱膨張差が生じても、他角位置Ｋ２と、他角位置Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置Ｋ４とは、無電極領域１６，１７として電極が形成されていないので、表面実装型の水晶振動子（具体的にベース１）の接合時に発生する応力を、端子電極の形成領域から無電極領域に向かって表面実装型の水晶振動子（具体的にベース１）が平面的に回転するように逃がすことができる。結果として、表面実装型の水晶振動子（具体的にベース１）と回路基板４との間に介在する導電性接合材Ｄに応力が集中しないので、導電性接合材Ｄから疲労破壊が生じにくくすることができ、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）の悪影響をより一層軽減し防止することができる。また実施例３のバンプに対して実施例１で開示した同心楕円状の構成や点対称の傾斜部の構成を実施することもできる。バンプの外郭のみやバンプの内郭のみに形成する構成を実施してもよい。
【００７６】
上記実施形態では、表面実装型水晶振動子を例にしているが、水晶フィルタ、水晶発振器など電子機器等に用いられる他の表面実装型の電子部品用パッケージにも適用できる。また絶縁性のパッケージ（ベース）として、セラミック材料を開示しているがガラス材料であってもよい。端子電極の金属膜としてメタライズを開示しているが、めっき材料であってもよい。
【００７７】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施できるので、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求範囲によって示すものであって、明細書本文に拘束されるものではない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、水晶振動子等の電子部品用パッケージ、電子部品用パッケージのベースに適用できる。
【符号の説明】
【００７９】
１ ベース
２ 蓋
３ 水晶振動板（電子部品素子）
４ 回路基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器等に用いられる電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電振動デバイスが挙げられる。これら各製品では、いずれも水晶振動板の表面に金属薄膜電極が形成され、この金属薄膜電極を外気から保護するために水晶振動板（具体的には金属薄膜電極が気密封止されている。
【０００３】
これら圧電振動デバイスは部品の表面実装化の要求から、セラミック等の絶縁材料からなるパッケージ内に気密的に収納する構成が増加している。例えば、特許文献１には、水晶振動板の搭載部を有するベース（実装基板）と断面が逆凹形の蓋（カバー）とからなり、これらを気密的に封止したセラミック材料からなるパッケージを回路基板に搭載し、はんだなどの導電性接合材を介して接合する構成が開示されている。
【０００４】
この従来の圧電振動デバイスでは、ベースの底面に端子電極が形成され、はんだ（導電性接合材）の這い上がりによる接続状態を確認するために、当該端子電極がベースの側面に形成されたキャスタレーションによりベースの底面から側面に延出している。
【０００５】
ところで、この従来の圧電振動デバイスを搭載する回路基板には、加工の容易性とコスト的なメリットから、網目状のガラス繊維にエポキシ樹脂材を含浸させたいわゆるガラスエポキシ基板が広く使用されている。また、この回路基板の電極パターン上部には、スクリーン印刷などの手法により、はんだペーストが塗布されている。そして、この回路基板の電極パターンに、上記圧電振動デバイスのパッケージの端子電極を重ね合わせた状態で搭載して、溶融炉（加熱炉など）にてはんだペーストを溶融させて回路基板上に圧電振動デバイスをはんだ接合する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−７６８１３号
【特許文献２】特開２００９−１００３５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、パッケージと回路基板との間で熱膨張差により、これらパッケージと回路基板とを接合するはんだに応力が生じ、クラックが発生することがある。特に、パッケージとしてアルミナ等のセラミック材料を用い、回路基板としてガラスエポキシ基板を用いた組み合わせ構成であって、さらに車載用などの耐熱用途向けに使用した場合、高温環境下で当該パッケージと回路基板とを使用するので、パッケージの熱膨張係数に対して回路基板の熱膨張係数が大きくなり、はんだから疲労破壊が生じやすくなる。このように、通常の温度環境ではそれほど問題にならなかったはんだクラックの問題点が高温環境では顕著にあらわれ、さらに当該パッケージと回路基板とに衝撃が加わると、はんだクラック部分から剥離が生じるといった問題点があった。
【０００８】
これに対して上記特許文献２では、ベースの底面の端子電極について一対の二層構造の端子電極とし、これらの一層目の端子電極より上部にある二層目の端子電極を小さく形成することで、接合はんだ内の気泡などを放出することではんだクラックの発生を抑制するものである。しかしながら、上記特許文献２の端子構成のみでは、上述のようなパッケージと回路基板との間で熱膨張差によるパッケージと回路基板とを接合するはんだに対して生じる応力を十分に逃がすことができない。すなわち周囲温度環境が比較的低いとき、あるいは高温環境から常温以下に下がったときには端子電極の外郭付近のはんだ部分に対して応力が集中する。反対に周囲温度環境が比較的高いとき、あるいは常温以下の環境から高温に上がったときには端子電極の内郭付近のはんだ部分に対して応力が集中する。このような温度環境の変化に対してはんだ部分に生じる応力の影響を軽減することができず、結果としてはんだクラックの問題を解決できないものであった。
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、はんだクラックを防止して電子部品用パッケージと回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージのベース、電子部品用パッケージを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されている。
【００１１】
上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。
【００１２】
前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの外郭より外側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材（はんだ）がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。
【００１３】
特に、前記バンプの外郭よりベース外側と前記平面視矩形の端子電極の外郭よりベース内側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点から遠い領域ほど導電性接合材（はんだ）が次第に沢山たまるように構成されるので、電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材による接合強度を徐々に高めることができる。結果として、不要に導電接合材の塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差によって生じるベースの外側付近の導電性接合材の内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。
【００１４】
また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００１５】
また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。
【００１６】
また本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されている。
【００１７】
上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。
【００１８】
前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの内郭より内側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材（はんだ）がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。
【００１９】
特に、前記バンプの内郭よりベース内側と前記平面視矩形の端子電極の内郭よりベース外側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材（はんだ）も同様に電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるので、回路基板の収縮時あるいは膨張時に生じるベースの中心付近の導電性接合材の内部に対して生じる応力が徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、導電性接合材による電子部品用パッケージと回路基板との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材による不要な応力の発生をもなくすこともできる。
【００２０】
また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域も、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００２１】
また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。
【００２２】
また本発明では、電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭と内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して前記バンプの同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部および内郭端部からも隔離した状態で形成されている。
【００２３】
上記構成により、平面視矩形のベースに対して平面視矩形の端子電極を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベースが小型化されても回路基板の電極パターンに対応して接合面積を低下させることがない。
【００２４】
前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭と内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部および内郭端部からも隔離した状態で形成されているので、前記バンプの外郭より外側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分、および前記バンプの内郭より内側で浮き上がった端子電極と回路基板の電極パターンの隙間部分に導電性接合材（はんだ）がたまり、この隙間部分での導電性接合材の厚さを厚くできるので、端子電極と回路基板の電極パターンとの接合強度を高めることができる。
【００２５】
特に、前記バンプの外郭よりベース外側と前記平面視矩形の端子電極の外郭よりベース内側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点から遠い領域ほど導電性接合材（はんだ）が次第に沢山たまるように構成されるので、電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材による接合強度を徐々に高めることができる。また、前記バンプの内郭よりベース内側と前記平面視矩形の端子電極の内郭よりベース外側の間に生じる回路基板の電極パターンとの隙間部分は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材（はんだ）も同様に電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成することができる。結果として、不要に導電接合材の塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また電子部品用パッケージと回路基板との熱膨張差によって生じる導電性接合材の内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材がはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、ベースの中心付近の導電性接合材による電子部品用パッケージと回路基板との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材による不要な応力の発生をもなくすこともできる。
【００２６】
また前記バンプによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材とバンプの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材との境界領域は、電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成されるため、これらの境界部の導電性接合材に加わる回路基板の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００２７】
また前記バンプは端子電極と金属膜を積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。
【００２８】
また上述の構成において、前記底面に対してその一角位置に偏位して、１つの端子電極からなる第１端子電極、あるいは２つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第１端子電極群が形成され、前記底面に対して前記一角位置の対角位置にあたる第１の対角位置に偏位して、１つの端子電極からなる第２端子電極、あるいは２つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第２端子電極群が形成され、前記一角位置に対して前記底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置とは、前記端子電極が形成されない無電極領域としたことを特徴とする。
【００２９】
上記構成により、上述の作用効果に加え前記導電性接合材によって回路基板と電気的機械的に接合する際に当該電子部品用パッケージ（具体的に前記ベース）と回路基板との間で熱膨張差が生じても、前記一角位置に対して前記ベースの底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記ベースの底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置（第２の対角対向位置）とは、無電極領域として電極が形成されていないので、電子部品用パッケージ（ベース）の接合時に発生する応力を、端子電極の形成領域から無電極領域に向かって電子部品用パッケージ（ベース）が平面的に回転するように逃がすことができる。結果として、当該電子部品用パッケージと回路基板との間に介在する前記導電性接合材に応力が集中しないので、前記導電性接合材から疲労破壊が生じにくくすることができ、導電性接合材のクラック（例えば、はんだクラック）の悪影響をより一層軽減し防止する事ができる。
【００３０】
また、上述の電子部品用パッケージのベースに対して、当該電子部品素子を気密封止する蓋を有することを特徴とする電子部品用パッケージであってもよい。この構成により上述の作用効果が得られるベースを用いて気密封止された電子部品パッケージが得られるので、安価で回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージを提供することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、導電性接合材のクラック（例えば、はんだクラック）の悪影響をより一層軽減し防止する事ができ、安価で回路基板の搭載接合の信頼性を向上させる電子部品用パッケージのベースと電子部品用パッケージとを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図２】図１の表面実装型水晶振動子を回路基板に搭載した状態のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図３】第１の実施例の変形例１を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図４】第１の実施例の変形例２を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図５】第１の実施例の変形例３を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図６】第１の実施例の変形例４を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図７】第１の実施例の変形例５を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図８】第１の実施例の変形例６を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図９】図８の表面実装型水晶振動子を回路基板に搭載した状態のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図１０】第２の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図１１】第３の実施例を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【図１２】第３の実施例の変形例１を示す表面実装型水晶振動子の底面図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施例では、電子部品として表面実装型の水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。
【実施例１】
【００３４】
実施例１にかかる表面実装型の水晶振動子は、図１、図２に示すように、電子部品素子である水晶振動板３と、上部が開口した凹部を有し水晶振動板３を保持する（収納する）ベース１と、ベース１の開口部に接合してベース１に保持した水晶振動板３を気密封止する蓋２とからなる。
【００３５】
ベース１は、全体として直方体で、アルミナ等のセラミックとタングステンやモリブデン等の導電材料を適宜積層した構成からなる。このベース１は、図２に示すように、断面視凹形の収納部１０と、収納部１０を囲むようにその周囲に設けられた堤部１１を有する。具体的に、ベース１は、矩形（平面視矩形）の平板形状のセラミックのベース基体１ａと、中央部分が大きく穿設されるとともに外形サイズ（平面視外形サイズ）がベース基体１ａとほぼ等しいセラミックの枠体１ｂからなり、ベース基体１ａと枠体１ｂと封止部材１１ａとが一体的に焼成されている。なお、堤部１１（枠体１ｂ）の上面は平坦であり、堤部１１上に封止部材１１ａ（封止材料や金属層等）が形成されている。本実施例１では、例えば封止部材１１ａとしてガラスが形成された構成を示しているが、後述する蓋２が金属蓋である場合、封止部材１１ａとしてタングステンやモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成としたり、さらにこれら各層の上部に金属リングが形成された構成としてもよい。
【００３６】
また、ベース１の外周（平面視外周縁）の４つの角Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４あってベース１の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけて上下にキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成され、ベース１の短辺の中央付近の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけて上下にキャスタレーションＣ５，Ｃ６が形成されている。また、キャスタレーションＣ５，Ｃ６の下方に（ベース１の底面から側面の下方一部にかけて）連結電極である側面端子電極１２１，１３１が形成され、側面端子電極１２１，１３１は後述の端子電極１２，１３と電気的につながっている（接続されている）。
【００３７】
ベース１の底面は平面視矩形とされ、このベース１の底面の両端部近傍には、外部の回路基板４（図２参照）に導電性接合材Ｄを用いて接合する平面視矩形の２つの端子電極１２，１３が形成されている。端子電極１２，１３は、後述する水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する機能端子電極であり、キャスタレーションＣ５，Ｃ６を介して側面端子電極１２１，１３１（側面端子電極１３１は図示省略）によりベース１の内部の底面に形成された電極パッド１２２，１３２（電極パッド１３２は図示省略）へと延出して電気的に接続されている。なお、これらの端子電極１２，１３、側面端子電極１２１，１３１、電極パッド１２２，１３２は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。
【００３８】
また、各端子電極１２，１３の上部には、各端子電極１２，１３より若干小さいバンプ１２Ｂ，１３Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、端子電極１２，１３のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ（タングステン、モリブデン等）を積層して一体形成されている。これら端子電極１２，１３とバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。
【００３９】
電極パッド１２２，１３２間には、水晶振動板３（本発明でいう電子部品素子）が搭載されている。水晶振動板３の表裏面には図示しない一対の励振電極と引出電極が形成されている。一対の励振電極と引出電極は、例えば水晶振動板３に接して（水晶振動板３上から）クロム，金の順に、クロム，金，クロムの順に、クロム，銀，クロムの順に、あるいはクロム，銀の順に積層して形成されている。これら各電極（一対の励振電極と引出電極）は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。そして、電極パッド１２２，１３２に対して水晶振動板３の引出電極が導電性接合材（図示せず）により導電接合され、ベース１に水晶振動板３が保持されている。例えば、水晶振動板３の励振電極と、ベース１の電極パッド１２２，１２３との導電接合には、導電性樹脂接着剤や金属バンプ・金属めっきバンプ・ろう材などの導電性接合材を用いることができる。
【００４０】
ベース１を気密封止する蓋２には、板状のアルミナ等のセラミック材料にガラス封止材等の封止部材１１ａが形成されたものが用いられている。蓋２の平面視外形はベース１の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。
【００４１】
このようなベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、蓋２にて被覆して加熱炉による溶融接合などの手法により気密封止を行うことで表面実装型の水晶振動子（電子部品用パッケージ）の完成となる。また、水晶振動子の完成品は、図１に示すように、ガラスエポキシ材からなる回路基板４の電極パターン４１，４２の上部に、例えばはんだ等の導電性接合材Ｄを介して接合される。
【００４２】
本発明ではこのバンプ形状に特徴があるので以下詳細について説明する。図１に示す実施例１では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。また、図２に示すように、端子電極１２，１３の厚みＴ１に対してバンプ１２Ｂ，１３Ｂの厚みＴ２を３倍以上でより厚く形成している。例えば実施例１ではＴ１の厚み８μｍの端子電極の基礎となるメタライズ層に対して、厚さ１５μｍのバンプの基礎となるメタライズ層を２層分（バンプ全体の厚みＴ２として３０μｍ）積層して一体形成している。なお、このように端子電極よりバンプが厚いことで、端子電極のみの領域ではんだたまりが形成され、はんだメニスカス部を厚くすることができ、ベース端部の最大応力発生箇所を回路基板から遠ざけ、はんだ接合部にかかる応力（歪み）を吸収させることが可能となる。
【００４３】
また図３に示す実施例１の変形例１では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外郭端部１２２，１３２のみから隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００４４】
また図４に示す実施例１の変形例２では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００４５】
また図５に示す実施例１の変形例３では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００４６】
また図６に示す実施例１の変形例４では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心楕円Ｒ３に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心楕円Ｒ４に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。なお、ベースの端子電極の形状や回路基板の電極パターンの形状によって応力が最大限に加わる領域が異なることになるが、このように同心楕円状に形成することで、応力が緩和され接合強度の向上される領域の強弱領域を設定することができ、ベースサイズ・ベースの端子の形状・回路基板の電極パターンの形状に合わせて、応力が最大限に加わる領域での更なる接合強度の向上が可能となる。
【００４７】
また図７に示す実施例１の変形例５では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の傾斜部１２１１Ｂと１２１２Ｂ、および点対称の傾斜部１３１１Ｂと１３１２Ｂが形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の２段の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂが形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。なお、ベースの端子電極の形状や回路基板の電極パターンの形状によって応力が最大限に加わる領域が異なることになるが、このように点対称の傾斜部を形成することで、応力が緩和され接合強度の向上される領域の強弱領域を設定することができ、ベースサイズ・ベースの端子の形状・回路基板の電極パターンの形状に合わせて、応力が最大限に加わる領域での更なる接合強度の向上が可能となる。
【００４８】
これらの構成により、平面視矩形のベース１に対して平面視矩形の２つの端子電極１２，１３を形成することで形成面積を必要最大限に形成することができるので、ベース１が小型化されても回路基板４の電極パターン４１，４２に対応して接合面積を低下させることがない。
【００４９】
またバンプ１２Ｂ，１３Ｂは端子電極１２，１３と同材質の金属膜としてのメタライズを積層一体化しているので極めて容易かつ安価に前記バンプを形成することができる。
【００５０】
また端子電極１２，１３は、ベース１の底面の中心点Ｏに対して点対称に配置しているので、各端子電極の方向性がなくなり、ベース１の底面の中心点（平面視中心点）Ｏから偏りのないより効率的な応力緩和が行え、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）等の発生を飛躍的に抑制することができる。
【００５１】
実施例１（図１）、変形例１（図３）、変形例３（図５）、変形例４（図６）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、前記端子電極１２，１３より小さく、バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂがベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１あるいは同心楕円Ｒ３に沿って形成され、かつ端子電極１２，１３の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。また変形例５（図７）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、前記端子電極１２，１３より小さく、バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂがベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の傾斜部１２１１Ｂと１２１２Ｂ、および点対称の傾斜部１３１１Ｂと１３１２Ｂが形成され、かつ端子電極１２，１３の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。このため、前記バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂより外側で浮き上がった端子電極１２，１３と回路基板４の電極パターン４１，４２の隙間部分に導電性接合材（はんだ）Ｄがたまり、この隙間部分での導電性接合材Ｄの厚さを厚くできるので、端子電極１２，１３と回路基板の電極パターン４１，４２との接合強度を高めることができる。
【００５２】
特に、バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂよりベース１の外側と端子電極１２，１３の外郭１２２，１３２よりベース１の内側の間に生じる回路基板４の電極パターン４１，４２との隙間部分は、ベース１の中心点Ｏから遠い領域ほど導電性接合材（はんだ）Ｄが次第に沢山たまるように構成されるので、水晶振動子（電子部品用パッケージ）と回路基板４との熱膨張差の最大部分に近づくほど導電性接合材Ｄによる接合強度を徐々に高めることができる。結果として、不要に導電接合材Ｄの塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度の向上が行える。また水晶振動子（電子部品用パッケージ）と回路基板４との熱膨張差によって生じるベース１の外側付近の導電性接合材Ｄの内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。導電性接合材Ｄがはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。
【００５３】
またバンプ１２Ｂ，１３Ｂによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材Ｄとバンプ１２Ｂ，１３Ｂの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材Ｄとの境界領域は、ベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１あるいは同心楕円Ｒ３に沿って形成されるか、ベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の傾斜部１２１１Ｂと１２１２Ｂ、および点対称の傾斜部１３１１Ｂと１３１２Ｂに沿って形成されるため、これらの境界部の導電性接合材Ｄに加わる回路基板４の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００５４】
変形例２（図４）、変形例３（図５）、変形例４（図６）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、前記端子電極１２，１３より小さく、バンプの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂがベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２あるいは同心楕円Ｒ４に沿って形成され、かつ端子電極１２，１３の内郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。また変形例５（図７）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、前記端子電極１２，１３より小さく、バンプの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂがベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の２段の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂが形成され、かつ端子電極１２，１３の外郭端部あるいは外周端部からも隔離した状態で形成されている。このため、バンプの内郭１２２Ｂ、１３２Ｂより内側で浮き上がった端子電極１２，１３と回路基板４の電極パターン４１，４２の隙間部分に導電性接合材（はんだ）Ｄがたまり、この隙間部分での導電性接合材Ｄの厚さを厚くできるので、端子電極１２，１３と回路基板４の電極パターン４１，４２との接合強度を高めることができる。
【００５５】
特に、バンプの内郭１２２Ｂ、１３２Ｂよりベース１の内側と端子電極１２，１３の内郭１２３，１３３よりベース１の外側の間に生じる回路基板４の電極パターン４１，４２との隙間部分は、ベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２あるいは同心楕円Ｒ４に沿って形成されるか、ベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂに沿って形成されるため、この隙間領域にたまる厚さの厚い導電性接合材（はんだ）Ｄも同様にベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２あるいは同心楕円Ｒ４に沿って形成されるか、ベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂに沿って形成されるので、回路基板４の収縮時あるいは膨張時に生じるベース１の中心点Ｏ付近の導電性接合材Ｄの内部に対して生じる応力が徐々に緩和することができる。導電性接合材Ｄがはんだ等の金属ろう材の場合では、はんだ内の金属すべりを吸収できる。また、導電性接合材Ｄによる水晶振動子（電子部品用パッケージ）と回路基板４との接合強度にもばらつきが生じにくくなり、導電性接合材Ｄによる不要な応力の発生をもなくすこともできる。
【００５６】
またバンプ１２Ｂ、１３Ｂによって浮き上がった隙間領域に形成される厚みの厚い導電性接合材Ｄとバンプ１２Ｂ、１３Ｂの存在する隙間領域に形成される厚みの薄い導電性接合材Ｄとの境界領域も、ベース中心点Ｏに対して同心円Ｒ２あるいは同心楕円Ｒ４に沿って形成されるか、ベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂに沿って形成されるため、これらの境界部の導電性接合材Ｄに加わる回路基板４の収縮時あるいは膨張時の応力も緩和され、当該境界部を基点とするクラックの影響も生じにくい。
【００５７】
変形例３（図５）、変形例４（図６）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、バンプの外郭１２１Ｂ、１３１Ｂと内郭１２２Ｂ、１３２Ｂがベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１とＲ２あるいは同心楕円Ｒ３とＲ４に沿って形成されている。また変形例５（図７）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、バンプの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂと内郭１２２Ｂ、１３２Ｂがベース１の中心点Ｏに対してそれぞれ点対称の傾斜部１２１１Ｂと１２１２Ｂ、および点対称の傾斜部１３１１Ｂと１３１２Ｂが形成され、かつ点対称の２段の傾斜部１２２１Ｂと１２２２Ｂ、および点対称の２段の傾斜部１３２１Ｂと１３２２Ｂが形成されているので、上述の２つの作用効果を相乗的に兼ね備えることができるより好ましいものである。
【００５８】
また図８，９に示す実施例１の変形例６では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂについて例えばメタライズ層を２層積層して一体形成しており、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの下層側のもの１２Ｂ−１，１３Ｂ−１の外郭１２１Ｂ−１，１３１Ｂ−１はベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ１に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの上層側のもの１２Ｂ−２，１３Ｂ−２の外郭１２１Ｂ−２，１３１Ｂ−２はベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ２に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外郭端部１２２，１３２から隔離する（ベース１の中心点Ｏに近づく）にしたがってバンプの厚みが増大するように階段状に形成されている。
【００５９】
変形例６（図８，９）に開示しているバンプ１２Ｂ，１３Ｂでは、上述の作用効果に加えて、ベース１の中心点Ｏから遠いベースの端部領域ほど導電性接合材（はんだ）Ｄが次第にたまるように構成され、この隙間部分での導電性接合材Ｄの厚さを次第に厚くできるので、電子部品パッケージと回路基板４との熱膨張差の最大部分であるベースの端部に近づくほど、端子電極１２，１３と回路基板の電極パターン４１，４２との接合強度を徐々に高めることができる。結果として不要に導電性接合材Ｄの塗布量を増やすことなく応力が最大限に加わる領域でのさらなる接合強度向上が可能となる。電子部品パッケージと回路基板４との熱膨張差の最大部分であるベースの端部に存在する導電性接合材Ｄの内部に対して生じる応力も徐々に緩和することができる。
【実施例２】
【００６０】
次に、本発明による実施例２にかかる表面実装型の水晶振動子を、図１０を用いて説明する。なお、実施例１と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。
【００６１】
実施例２にかかる水晶振動子では、図１０に示すように、平面視矩形のベース１の底面に対してその４角近傍には、外部の回路基板４（図２参照）に導電性接合材Ｄを用いて接合する平面視矩形の４つの端子電極１２，１３，１４，１５が形成されている。より詳しくはベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１の位置に、水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極１２が形成され、ベース１の底面に対してその角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３の位置に、水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能する端子電極１３が形成されている。本形態の端子電極１２，１３は、図１０に示すように、平面視矩形状に形成され、側面端子電極１２１，１３１を介して角Ｋ１および角Ｋ３から少し離間した状態で形成されている。また、角Ｋ１に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角である角Ｋ２の位置に、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能する端子電極１４が形成され、ベース１の底面に対して他角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４の位置に、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能する端子電極１５が形成されている。本形態の端子電極１４，１５とは、図１０に示すように、平面視矩形状に形成され、側面端子電極１４１，１５１を介して角Ｋ２および角Ｋ４から少し離間した状態で形成されている。端子電極１２，１３，１４，１５は同一形状からなる。なお、これらの端子電極１２，１３，１４，１５、側面端子電極１２１，１３１，１４１，１５１は、上記実施例１と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。なお実施例２について、端子電極１４，１５のうちいずれか一方のみをグランド外部接続端子として機能させてもよいし、グランド外部接続端子として接続させる必要がない場合、端子電極１４，１５の両方を無機能端子としてもよい。
【００６２】
また、各端子電極１２，１３，１４，１５の上部には、各端子電極１２，１３，１４，１５より若干小さいバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ、１５Ｂは、端子電極１２，１３，１４，１５のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ（タングステン、モリブデン等）を積層して一体形成されている。これら端子電極１２，１３，１４，１５とバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。
【００６３】
図１０に示す実施例２では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂ，１４１Ｂ，１５１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ５に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３，１４，１５の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３，１４，１５、バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００６４】
ベース１を気密封止する図示しない金属製の蓋は、金属母材に金属ろう材等の封止材が形成された金属部材が用いられる。この金属製の蓋は、例えば、上面からニッケルメッキ層、コバール母材、銅中間層、銀ろう層の順に積層された多層構成であり、銀ろう層がベース１の金属層と接合される。金属製の蓋の平面視外形はベース１の当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。なお、封止部材として銀ろうを用いることに限らず他の封止用ろう材を用いてもよく、また金や金錫などのメッキ層で封止部材を構成してもよい。
【００６５】
このようなベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、図示しない金属製の蓋にて被覆してシーム溶接やビーム照射による溶接、あるいは加熱炉によるろう接などの手法により気密封止を行うことで実施例２の表面実装型の水晶振動子の完成となる。
【００６６】
本発明では、実施例１に示した端子電極が２端子のものに限らず、実施例２に示した端子電極が４端子のものにも適用できるものである。加えて、実施例２では上述の実施例１の同様の作用効果が得られるだけでなく、一部の端子にグランド外部接続端子として機能させることができるので、外部の回路基板の回路で発生した電磁ノイズを金属蓋でとらえ、電磁ノイズを端子電極１４，１５により取り除くことができる。結果として、水晶振動子（電子部品パッケージ）内部の水晶振動板（電子部品素子）に対して電磁ノイズの悪影響を排除することができ、ＥＭＳ対策が可能な構成とできる。また実施例２のバンプに対して実施例１で開示した同心楕円状の構成や点対称の傾斜部の構成を実施することもできる。バンプの外郭だけでなくバンプの内郭のみあるいはバンプの外郭と内郭に形成する構成を実施してもよい。
【実施例３】
【００６７】
次に、本発明による実施例３にかかる表面実装型の水晶振動子を、図１１、図１２を用いて説明する。なお、実施例１や実施例２と同様の部分は同番号を付すとともに、説明の一部を割愛する。
【００６８】
実施例３にかかる水晶振動子では、図１１に示すように、平面視矩形のベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１に偏位して、平面視矩形の端子電極１２が形成され、ベース１の底面に対して角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３に偏位して、平面視矩形の端子電極１３が形成されるとともに、角Ｋ１の位置に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角位置である角Ｋ２と、ベース１の底面に対して角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４とは、前記端子電極が形成されない無電極領域１６，１７として構成されている。またベース１の短辺の中央付近の側面には、ベース１の底面から天面（上面）にかけて上下にキャスタレーションＣ５，Ｃ６が形成され、このキャスタレーションＣ５，Ｃ６の下方に（ベース１の底面から側面の下方一部にかけて）連結電極である側面端子電極１２１，１３１が形成され、側面端子電極１２１，１３１は端子電極１２，１３と電気的につながっている（接続されている）。なお、これらの端子電極１２，１３、側面端子電極１２１，１３１は、上記実施例１，２と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。
【００６９】
また、各端子電極１２，１３の上部には、各端子電極１２，１３より若干小さいバンプ１２Ｂ，１３Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、端子電極１２，１３のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ（タングステン、モリブデン等）を積層して一体形成されている。これら端子電極１２，１３とバンプ１２Ｂ，１３Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。
【００７０】
図１１に示す実施例３では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ６に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂの内郭１２２Ｂ，１３２Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ７に沿って形成されており、かつ端子電極１２，１３の外周端部から隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３、バンプ１２Ｂ，１３Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００７１】
また実施例３の変形例１にかかる水晶振動子では、図１２に示すように、平面視矩形のベース１の底面に対してその一角位置である角Ｋ１に偏位して、２つの平面視矩形の端子電極１２，１４が並列に形成されて構成される第１端子電極群が形成され、ベース１の底面に対して角Ｋ１の対角位置にあたる第１の対角位置である角Ｋ３に偏位して、２つの平面視矩形の端子電極１３，１５が並列に形成されて構成される第２端子電極群が形成されるとともに、角Ｋ１の位置に対してベース１の底面の短辺方向に対向する他角位置である角Ｋ２と、ベース１の底面に対して角Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置である角Ｋ４とは、前記端子電極が形成されない無電極領域１６，１７として構成されている。このうち端子電極１２，１３は、水晶振動板３の入出力外部接続端子として機能するもので、側面端子電極１２１，１３１を介して角Ｋ１および角Ｋ３から少し離間した状態で形成されている。端子電極１４，１５は、図示しない金属製の蓋と電気的に接続されたグランド外部接続端子として機能するもので、側面端子電極１４１，１５１を介してキャスタレーションＣ５およびキャスタレーションＣ６から少し離間した状態で形成されている。なお、これらの端子電極１２，１３，１４，１５、側面端子電極１２１，１３１，１４１，１５１は、上記実施例１，２と同様に、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料をベース１と一体的に焼成してメタライズを形成し、その上部にニッケルメッキを形成し、その上部に金メッキを形成して構成されている。
【００７２】
また、各端子電極１２，１３，１４，１５の上部には、各端子電極１２，１３，１４，１５より若干小さいバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂがそれぞれ形成されている。これらバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、端子電極１２，１３，１４，１５のメタライズ上部に同材質の金属膜としてのメタライズ（タングステン、モリブデン等）を積層して一体形成されている。これら端子電極１２，１３，１４，１５とバンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、これらのメタライズ材料がベース１と一体的に焼成され、当該メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成されている。
【００７３】
図１２に示す実施例３の変形例では、前記バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの外郭１２１Ｂ，１３１Ｂ，１４１Ｂ，１５１Ｂはベース１の中心点Ｏに対して同心円Ｒ８に沿って形成され、バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの中央付近にはベース１の中心点Ｏに対して外郭が同心円Ｒ９に沿い、内郭が同心円Ｒ１０に沿って形成された無バンプ領域１２３Ｂ，１３３Ｂ，１４３Ｂ，１５３Ｂが形成されており、かつ端子電極１２，１３，１４，１５の外郭端部１２２，１３２，１４２，１５２のみから隔離した状態で形成されている。各端子電極１２，１３，１４，１５、バンプ１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂは、ベース１の底面の中心点Ｏを中心にしてベース１の底面において点対称に配されている。
【００７４】
以上のように構成されたベース１の収納部１０に水晶振動板３を格納し、図示しない蓋にて被覆して気密封止を行うことで実施例３の表面実装型の水晶振動子（電子部品用パッケージ）の完成となる。
【００７５】
本発明では、実施例１，実施例２に限らず実施例３に示した端子電極の構造にも適用できるものである。加えて、実施例３では上述の実施例１，２の同様の作用効果が得られるだけでなく、導電性接合材Ｄによって回路基板４と電気的機械的に接合する際に表面実装型の水晶振動子（具体的にベース１）と回路基板４との間で熱膨張差が生じても、他角位置Ｋ２と、他角位置Ｋ２の対角位置にあたる第２の対角位置Ｋ４とは、無電極領域１６，１７として電極が形成されていないので、表面実装型の水晶振動子（具体的にベース１）の接合時に発生する応力を、端子電極の形成領域から無電極領域に向かって表面実装型の水晶振動子（具体的にベース１）が平面的に回転するように逃がすことができる。結果として、表面実装型の水晶振動子（具体的にベース１）と回路基板４との間に介在する導電性接合材Ｄに応力が集中しないので、導電性接合材Ｄから疲労破壊が生じにくくすることができ、導電性接合材Ｄのクラック（例えば、はんだクラック）の悪影響をより一層軽減し防止することができる。また実施例３のバンプに対して実施例１で開示した同心楕円状の構成や点対称の傾斜部の構成を実施することもできる。バンプの外郭のみやバンプの内郭のみに形成する構成を実施してもよい。
【００７６】
上記実施形態では、表面実装型水晶振動子を例にしているが、水晶フィルタ、水晶発振器など電子機器等に用いられる他の表面実装型の電子部品用パッケージにも適用できる。また絶縁性のパッケージ（ベース）として、セラミック材料を開示しているがガラス材料であってもよい。端子電極の金属膜としてメタライズを開示しているが、めっき材料であってもよい。
【００７７】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施できるので、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求範囲によって示すものであって、明細書本文に拘束されるものではない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、水晶振動子等の電子部品用パッケージ、電子部品用パッケージのベースに適用できる。
【符号の説明】
【００７９】
１ ベース
２ 蓋
３ 水晶振動板（電子部品素子）
４ 回路基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、
前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されてなることを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
【請求項２】
電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、
前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されてなることを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
【請求項３】
請求項１、または請求項２に記載の電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記底面に対してその一角位置に偏位して、１つの端子電極からなる第１端子電極、あるいは２つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第１端子電極群が形成され、
前記底面に対して前記一角位置の対角位置にあたる第１の対角位置に偏位して、１つの端子電極からなる第２端子電極、あるいは２つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第２端子電極群が形成され、
前記一角位置に対して前記底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置とは、前記端子電極が形成されない無電極領域としたことを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の電子部品用パッケージのベースと、当該電子部品素子を気密封止する蓋とを有することを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項１】
電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、
前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの外郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の外郭端部からも隔離した状態で形成されてなることを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
【請求項２】
電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記ベースの底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する平面視矩形の複数の端子電極が形成されており、
前記端子電極の上面には金属膜からなるバンプが積層一体形成されており、前記バンプは前記端子電極より小さく、当該バンプの内郭は電子部品用パッケージのベース中心点に対して同心円状あるいは同心楕円状に形成されるか、または点対称の傾斜部が形成され、かつ端子電極の内郭端部からも隔離した状態で形成されてなることを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
【請求項３】
請求項１、または請求項２に記載の電子部品用パッケージのベースにおいて、
前記底面に対してその一角位置に偏位して、１つの端子電極からなる第１端子電極、あるいは２つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第１端子電極群が形成され、
前記底面に対して前記一角位置の対角位置にあたる第１の対角位置に偏位して、１つの端子電極からなる第２端子電極、あるいは２つ以上の端子電極が並列に形成されて構成される第２端子電極群が形成され、
前記一角位置に対して前記底面の短辺方向に対向する他角位置と、前記底面に対して前記他角位置の対角位置にあたる第２の対角位置とは、前記端子電極が形成されない無電極領域としたことを特徴とする電子部品用パッケージのベース。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか１つに記載の電子部品用パッケージのベースと、当該電子部品素子を気密封止する蓋とを有することを特徴とする電子部品用パッケージ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−１２９７２６（Ｐ２０１１−１２９７２６Ａ）
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８７１１６（Ｐ２００９−２８７１１６）
【出願日】平成２１年１２月１８日（２００９．１２．１８）
【出願人】（０００１４９７３４）株式会社大真空 (312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１８日（２００９．１２．１８）
【出願人】（０００１４９７３４）株式会社大真空 (312)
【Ｆターム（参考）】
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