電子部品製造装置
【課題】電子部品製造装置に異常が発生した場合に、基板の加熱が継続されることを抑制すること。
【解決手段】基板１０を上面に搭載するステージ２０と、前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータ２２と、電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構１１と、を具備する電子部品製造装置。
【解決手段】基板１０を上面に搭載するステージ２０と、前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータ２２と、電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構１１と、を具備する電子部品製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品製造装置に関し、例えば、ステージを加熱することにより基板を加熱する電子部品製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置等の電子部品製造装置の製造工程においては、例えば半導体基板等の基板をステージ上に配置し、ステージより基板を加熱する電子部品製造装置が用いられる。例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い基板上に絶縁膜を形成する際は、ステージを加熱することにより、基板を加熱する。一方、電子部品製造装置において、ステージから基板を離間させるためリフトピンを用いる（例えば、特許文献１および２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開平０２−６６９８８号公報
【特許文献２】特開平０６−２５２２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板がステージ上に配置された状態で電子部品製造装置に異常が発生した場合、ステージのヒータの電源が遮断されたとしてもステージの温度が低下するには時間を要する。この間、基板の加熱が継続される。基板の加熱により、基板表面に突起または窪みが形成される、または、基板に形成される製品の品質保証が得られないことが生じうる。
【０００５】
本電子部品製造装置は、電子部品製造装置に異常が発生した場合に、基板の加熱が継続されることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
例えば、基板を上面に搭載するステージと、前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータと、電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構と、を具備することを特徴とする電子部品製造装置を用いる。
【発明の効果】
【０００７】
本電子部品製造装置によれば、電子部品製造装置に異常が発生した場合に、基板の加熱が継続されることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１の模式図である。
【図２】図２は、実施例２に係る半導体製造装置の模式図である。
【図３】図３は、ガス導入部／対向電極の下面図である。
【図４】図４は、半導体製造装置の動作を示すフローチャート（その１）である。
【図５】図５は、半導体製造装置の動作を示すフローチャート（その２）である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構の模式図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構の別の例の模式図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構のさらに別の例の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、図面を参照に実施例について説明する。
【実施例１】
【００１０】
実施例１は、半導体製造装置の例である。図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１の模式図である。図１（ａ）は、ステージ２０上に基板１０が配置された状態、図１（ｂ）は、ステージ２０から基板１０が上方に持ち上げられた状態を示している。図１（ａ）に示すように、半導体製造装置１００は、ステージ２０、ヒータ２２、離間機構１１および電源３０を備えている。基板１０はステージ２０の上面に搭載される。ステージ２０内にはヒータ２２が設けられている。ヒータ２２には電源３０が接続されている。図１（ａ）および図１（ｂ）においては、簡略化のため一部ヒータ２２に電源３０が接続されているように図示されているが、全てのヒータ２２に電源３０が電気的に接続されている。ヒータ２２はステージ２０を加熱することにより基板１０を加熱する。ステージ２０には上下に貫通する孔２１が形成されている。離間機構１１は、リフトピン１２および駆動部１４を備えている。リフトピン１２は、孔２１内に上下に移動可能である。駆動部１４は、リフトピン１２を上下に駆動する。駆動部１４は、半導体製造装置１００に異常がない場合（すなわち正常な場合）、リフトピン１２を下降させる。このように、基板１０がステージ２０の上面に配置され、基板１０が加熱されている状態で、半導体装置の製造工程が行われる。例えば、基板１０上に絶縁膜または金属膜等をＣＶＤ法またはスパッタリング法を用い堆積させる。
【００１１】
図１（ｂ）に示すように、駆動部１４は、半導体製造装置１００に異常が発生すると、リフトピン１２を上昇させる。これにより、基板１０はステージ２０から離間する。このように、離間機構１１は、半導体製造装置１００に異常が発生すると、ステージ２０から基板１０を離間させる。これにより、半導体製造装置１００に異常が発生した場合、基板１０が加熱状態に放置されることを抑制できる。なお、実施例１において、ステージ２０から基板１０を離間させる機構としてリフトピン１２を用いる例を示したが、他の方法を用い、ステージ２０から基板１０を離間させてもよい。
【実施例２】
【００１２】
実施例２は、ＣＶＤ装置の例である。図２は、実施例２に係る半導体製造装置の模式図である。図２に示すように、半導体製造装置１０２は、主に、ステージ２０、ヒータ２２、ヒータ電源２４、離間機構１１、チャンバ４０、ゲートバルブ４２および真空ポンプ４６を備える。さらに、半導体製造装置１０２は、主に、ガス導入部／対向電極５０、ＲＦ（Radio Frequency）電源５２、ガスボックス６４、主電源３０、搬送機構７０および制御部８０を備えている。
【００１３】
ステージ２０上に基板１０が配置されている。ステージ２０内にはヒータ２２が設けられている。ヒータ２２には、ヒータ電源２４から電力が供給される。図２においては、簡略化のためヒータ２２とヒータ電源２４との接続を省略しているが、全てのヒータ２２はヒータ電源２４と電気的に接続されている。ヒータ制御ユニット２８は、ヒータ電源２４がヒータ２２に供給する電力を制御する。また、ヒータ制御ユニット２８は、ヒータ２２の異常を検出する。ヒータ電源２４およびヒータ制御ユニット２８には主電源３０から電力が供給される。ステージ２０は、例えばアルミニウム合金またはステンレス等の金属により形成されている。図２では、ステージ２０上に１枚の基板１０が配置されているが、ステージ２０上には例えば６枚等複数の基板１０が配置されてもよい。
【００１４】
離間機構１１は、リフトピン１２、駆動部１４、バルブ１６および離間機構制御ユニット１８を含む。離間機構１１の動作は、実施例１と同じである。離間機構１１の詳細は後述する。リフトピン１２は、例えばステンレス等の金属またはセラミック等の絶縁体から形成されている。ヒータ２２は、ステージ２０を例えば３００℃〜４００℃に加熱する。半導体装置の製造工程によっては、これらの温度には限られない。
【００１５】
チャンバ４０は、ステージ２０および基板１０を密閉し、チャンバ４０内を大気に対し減圧状態に維持する。ステージ２０の少なくとも一部（例えば基板１０が配置された部分）が密閉されていればよい。ゲートバルブ４２が開くことにより、チャンバ４０内の気体は真空配管４９を介し真空ポンプ４６により排出される。真空制御ユニット４８は、真空ポンプ４６およびゲートバルブ４２の動作を制御する。真空制御ユニット４８は、真空ポンプ４６およびゲートバルブ４２の異常を検出する。真空制御ユニット４８および真空ポンプ４６には主電源３０から電力が供給される。
【００１６】
ガス導入部／対向電極５０は、基板１０上の例えば酸化シリコン膜等の成膜に用いるガスをチャンバ４０内に導入する。図３は、ガス導入部／対向電極の下面図である。図３のように、ガス導入部／対向電極５０の下面には、ガスを導入する孔５１が複数設けられている。ガス導入部／対向電極５０は、ステージ２０に対しＲＦ電力を印加する。ＲＦ電源５２は、ガス導入部／対向電極５０にＲＦ電力を供給する。パワー制御ユニット５８は、ＲＦ電源５２を制御する。また、パワー制御ユニット５８は、ＲＦ電源５２の異常を検出する。パワー制御ユニット５８およびＲＦ電源５２には主電源３０から電力が供給される。
【００１７】
ガスミキシング部６０は、各ガスをミキシングし、ガス導入部／対抗電極５０にガスを供給する。ガスボックス６４内には、各種ガスの流量を制御するマスフローコントローラ６６およびガスをガスミキシング部６０に供給するためのバルブ６５が設けられている。各種ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）および酸素（Ｏ２）が用いられる。ガス系制御ユニット６８は、マスフローコントローラ６６およびバルブ６５等を制御する。また、ガス制御ユニット６８は、マスフローコントローラ６６およびバルブ６５等の異常を検出する。ガス制御ユニット６８には、主電源３０から電力が供給される。
【００１８】
搬送機構７０は、基板１０をチャンバ４０内のステージ２０上に搬入する。また、搬送機構７０は、基板１０をステージ２０からチャンバ４０の外に搬出する。搬出制御ユニット７８は、搬出機構７０を制御する。また、搬出制御ユニット７８は、搬出機構７０の異常を検出する。搬送機構７０および搬送制御ユニット７８には、主電源３０から電力が供給される。
【００１９】
例えばＭＰＵ（Micro Processing Unit）が、制御部８０として機能する。制御部８０は、離間機構制御ユニット１８、ヒータ制御ユニット２８、真空制御ユニット４８、パワー制御ユニット５８、ガス制御ユニット６８および搬送制御ユニット７８を制御する。また、各ユニットが検出した異常に関する情報を取得する。
【００２０】
次に、半導体製造装置１０２の動作について説明する。図４は、半導体製造装置の動作を示すフローチャートである。まず、制御部８０は、ヒータ制御ユニット２８に、ヒータ電源２４をオンし、ヒータ２２を用いステージ２０を加熱させる。ステージ２０が加熱された状態で、以下のステップが実行される。まず、制御部８０は、搬送制御ユニット７８に基板１０をステージ２０上に搬送させる（ステップＳ１０）。次に、制御部８０は、基板１０が加熱されるまで待機させる（ステップＳ１２）。次に、制御部８０は、ガス制御ユニット６８に、反応ガスをチャンバ４０内に導入させる（ステップＳ１４）。次に、制御部８０は、パワー制御ユニット５８に、ＲＦ電源５２からＲＦ電力をガス導入部／対抗電極５０に印加させる（ステップＳ１６）。これにより、ステージ２０とガス導入部／対向電極５０との間に導入したガスのプラズマが発生する。各種ガスのうち、例えばシランおよび酸素のプラズマが反応し、基板１０上に酸化シリコン膜が堆積する。また、例えばシランおよびアンモニアのプラズマが反応し、基板１０上に窒化シリコン膜が堆積する。制御部８０は、堆積される膜が目標膜厚に達するまでこの状態を維持する（ステップＳ１８）。次に、制御部８０は、ガス制御ユニット６８に反応ガスを遮断させ、パワー制御ユニット５８にＲＦ電力を遮断させる（ステップＳ２０）。次に、制御部８０は、搬送制御ユニット７８に基板１０を搬出させる（ステップＳ２２）。以上により、基板１０上に所望の膜を成膜することができる。
【００２１】
次に、半導体製造装置１０２に異常が発生した場合の動作について説明する。図５は、半導体製造装置の動作を示すフローチャートである。図４のフローの途中において定期的または不定期に図５のフローを行う。まず、制御部８０は、各ユニットのいずれかが異常を検出したかを判断する（ステップＳ３０）。各ユニットの異常としては、例えば、ヒータ制御ユニット２８が、ステージ２０の温度の異常（例えば、ステージ２０の温度が設定温度より低いまたは高い）を検出した場合がある。また、例えば、真空制御ユニット４８が、真空ポンプ４６の停止または異常を検出した場合がある。例えば、パワー制御ユニット５８がＲＦ電源５２の異常（例えばＲＦ電力が所定の値より大きいまたは小さい）を検出した場合がある。例えば、ガス系制御ユニット６８が、ガスの異常（例えば、ガスの流量が所定値より大きいまたは小さい）を検出した場合がある。例えば、搬送制御ユニット７８は搬送機構７０の異常（例えば、所定時間経過しても基板が搬送されない）を検出した場合がある。例えば、主電源３０から電力が供給されない場合がある。
【００２２】
ステップＳ３０においてＮｏの場合、終了し、図４のフローに戻る。ステップＳ３２においてＹｅｓの場合，制御部８０は、ヒータ制御ユニット２８に、ヒータ２２への電力を遮断させる（ステップＳ３２）。制御部８０は、真空制御ユニット４８にゲートバルブ３４を閉じさせる（ステップＳ３４）。制御部８０は、真空制御ユニット４８に真空ポンプ４６を停止させる（ステップＳ３６）。制御部８０は、パワー制御ユニット５８にＲＦ電力を遮断させる（ステップＳ３８）。制御部８０は、パワー制御ユニット５８にＲＦ電力の供給を遮断させる（ステップＳ３８）。制御部８０は、ガス制御ユニット６８に各ガスの供給を遮断させる（ステップＳ４０）。制御部８０は、離間機構１１を制御するための電気信号を遮断する（ステップＳ４２）。その後終了する。なお、ステップＳ３２からＳ４２の順番は任意である。また、スッテプＳ３２からＳ４２の全部のステップまたは一部のステップを同時に実行してもよい。
【００２３】
図５のように、制御部８０が半導体製造装置１０２の異常を検出した場合、制御部８０は、ステップＳ３２のように、ヒータ２２の電源をオフする。これは、半導体製造装置１０２が発熱することを抑制するためである。また、ステップＳ３４およびＳ３６のように、制御部８０は、チャンバ４０内の減圧を維持する。これは、反応ガスがチャンバ４０外に漏洩すること、およびチャンバ４０が発熱することを抑制するためである。ステップＳ３８およびＳ４０のように、制御部８０は、ＲＦ電力および反応ガスを遮断する。これは、反応ガスの漏洩または半導体製造装置１０２が発熱等を抑制するためである。
【００２４】
実施例２のように、制御部８０は、半導体製造装置１０２に異常が発生すると、チャンバ４０内の減圧を維持する。この状態では、ステージ２０の温度が下がり難くなる。よって、離間機構１１は、基板１０をステージ２０から離間させる。これにより、基板１０の温度を下げることができる。基板１０のステージ２０からの離間距離は、例えば１ｍｍ以上が好ましい。これにより、基板１０とステージ２０とを熱的に遮断することができる。特に、実施例２のように、基板１０とステージ２０とが減圧状態内の場合、基板１０とステージ２０との距離は小さくとも熱的に遮断することができる。
【００２５】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構の模式図である。離間機構１１は、リフトピン１２、駆動部１４、バネ１９、バルブ１６およびガス導入管１７を備えている。駆動部１４は、シリンダ１５およびピストン１３を備えている。シリンダ１５内にはピストン１３が嵌めこまれている。ピストン１３はシリンダ１５には固定されておらず上下に移動自在である。ピストン１３にはリフトピン１２が固定されている。ピストン１３はバネ１９により上方向に付勢されている。シリンダ１５のピストン１３上の空間にはガス導入管１７によりガスが導入される。ガス導入管１７にはバルブ１６が設けられている。バルブ１６はノーマリクローズバルブである。ノ−マリクローズバルブは、電力またはバルブ１６を開けるための電気信号３２が供給されないと閉まり、電力およびバルブ１６を開けるための電気信号３２が供給されると開く。図６（ａ）のように、半導体製造装置１０２が正常に動作している場合、バルブ１６には電力およびバルブ１６を開けるための電気信号３２が供給される。よって、バルブ１６が開き、シリンダ１５のピストン１３上の空間にガス３４が導入される。ガス３４は例えば乾燥空気または窒素である。ガス導入により、ピストン１３には下方向に力が加わる。下方向の力がバネ１９の付勢力より大きくなるように設定しておく。これにより、ピストン１３は下降した状態となる。よって、リフトピン１２も下降した状態となる。このため、基板１０はヒータ２２上面に接している。
【００２６】
図６（ｂ）を参照し、半導体製造装置１０２に異常が発生した場合、図５のステップＳ４２のように、バルブ１６へ電気信号３２の供給が遮断される。または、バルブ１６への電力が遮断される。これにより、バルブ１６が閉じる。このため、シリンダ１５内のピストン１３の上空間にはガスが導入されない。よって、バネ１９の付勢力により、ピストン１３が上昇し、リフトピン１２が上昇する。これにより、基板１０がステージ２０から離間する。
【００２７】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構の別の例の模式図である。図７（ａ）に示すように、シリンダ１５の底面とピストン１３とに磁石１９ａが設けられている．磁石１９ａは互いに反発するように設けられている。これにより、ピストン１３は上方向に付勢されている。バルブ１６に電力およびバルブ１６を開けるための電気信号３２が供給されているため、シリンダ１５のピストン１３より上の空間にガス３４が導入される。よって、図６（ａ）と同様に、リフトピン１２は下降した状態である。図７（ｂ）のように、バルブ１６への電力またはバルブ１６を開けるための電気信号３２が遮断されると、シリンダ１５のピストン１３より上の空間にガスが導入されなくなる。よって、磁石１９ａによる付勢力により、リフトピン１２が上昇し、基板１０がステージ２０から離間する。その他の構成は図６（ａ）および図６（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００２８】
以上のように、半導体製造装置１０２に異常が発生していない場合には、リフトピン１２に下降させる力が加わり、半導体製造装置１０２に異常が発生すると、リフトピン１２に上昇させる力が加わる。これにより、半導体製造装置１０２に異常が発生した場合、基板１０をステージ２０から離間させることができる。
【００２９】
さらに、離間機構１１は、例えば図６（ａ）のバネ１９および図７（ａ）の磁石１９ａのようなリフトピンを上昇させるように付勢する付勢部を備えている。図６（ａ）および図７（ａ）のように、駆動部１４は、ガス３４を供給することにより、付勢部の付勢力より大きな力でリフトピン１２を下降させる。さらに、駆動部１４にガスを供給するノーマリクローズバルブ１６が設けられている。これにより、図６（ａ）および図７（ａ）のように、離間機構１１に電力および電気信号が供給されている場合、リフトピン１２は下降している。図６（ｂ）および図７（ｂ）のように、離間機構１１への電力または電気信号が遮断されると、リフトピン１２が上昇し、基板１０がステージ２０から離間する。
【００３０】
以上のように、離間機構１１は、離間機構１１を駆動させる電力が遮断されると、ステージ２０から基板１０を離間させる。これにより、例えば半導体製造装置１０２の主電源３０に異常が発生した場合など、離間機構１１に供給される電力が遮断された場合、離間機構１１は、基板１０をステージ２０から離間させることができる。
【００３１】
また、離間機構１１は、離間機構１１を制御する信号が遮断されると、ステージ２０から基板１０を離間させる。これにより、制御部８０が離間機構１１への信号を遮断した場合に加え、制御部８０に異常が発生した場合または制御部８０と離間機構１１との間の信号伝送路に異常が発生した場合においても基板１０の加熱を抑制できる。
【００３２】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構のさらに別の例の模式図である。駆動部１４は、シリンダ１５とピストン１３とを備えている。ピストン１３より上部の空間にはガス導入管１７ａからガス３４ａが導入され、ピストン１３より下部の空間にはガス導入管１７ｂからガス３４ｂが導入される。ガス導入管１７ａにはノーマリクローズバルブ１６ａが接続されている。ガス導入管１７ｂにはノーマリオープンバルブ１６ｂが接続されている。ノ−マリオープンバルブは、電力またはバルブを閉めるための電気信号３２が供給されないと開き、電力およびバルブを閉めるための電気信号３２が供給されると閉じる。図８（ａ）のように、離間機構１１に電力および電気信号３２が供給されると、バルブ１６ａは開き、バルブ１６ｂは閉じる。よって、ピストン１３より上部の空間にガス３４ａが導入され、ピストン１３より下部の空間にはガスが導入されない。これにより、ピストン１３は下降する。よって、リフトピン１２は下降する。図８（ｂ）のように、離間機構１１への電力または電気信号３２が遮断されると、バルブ１６ａは閉じ、バルブ１６ｂは開く。よって、ピストン１３より下部の空間にガス３４ｂが導入され、ピストン１３より上部の空間にはガスが導入されない。これにより、ピストン１３は上昇する。よって、リフトピン１２は上昇する。
【００３３】
このように、駆動部１４は、ノーマリクローズバルブ１６ａからガス３４ａが供給されることにより、リフトピン１２を下降させる。また、駆動部１４は、ノーマリオープンバルブ１６ｂからガス３４ｂが供給されることにより、リフトピン１２を上昇させる。駆動部１４は上記構造でもよい。
【００３４】
実施例１および２のリフトピン１２は、ウエハ等をステージ２０に搬送する際に用いるリフトピンを兼ねてもよい。また、実施例１および２においては、電子部品製造装置の例として、半導体装置を製造する半導体製造装置を例に説明したが、その他の電子部品を製造する電子部品製造装置でもよい。
【００３５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００３６】
実施例１および２を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
付記１：
基板を上面に搭載するステージと、前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータと、電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構と、を具備することを特徴とする電子部品製造装置。
付記２：
前記ステージの少なくとも一部および前記基板を密閉し内部を減圧するチャンバと、前記電子部品製造装置に異常が発生した場合にも前記チャンバ内の減圧を維持する制御部と、を具備することを特徴とする付記１記載の電子部品製造装置。
付記３：
前記離間機構は、前記電子部品製造装置の異常により記離間機構を駆動させる電力が遮断されると、前記ステージから前記基板を離間させることを特徴とする付記１または２記載の電子部品製造装置。
付記４：
前記離間機構は、前記電子部品製造装置の異常により前記離間機構を制御する信号が遮断されると、前記ステージから前記基板を離間させることを特徴とする付記１または２記載の電子部品製造装置。
付記５：
前記離間機構は、前記基板を前記ステージから上昇させるリフトピンを含むことを特徴とする付記１から３のいずれか一項記載の電子部品製造装置。
付記６：
前記離間機構は、前記リフトピンを上昇させるように付勢する付勢部と、ガスが供給されることにより、前記付勢部の付勢力より大きな力で前記リフトピンを下降させる駆動部と、前記駆動部に前記ガスを供給するノーマリクローズバルブと、を具備する付記５記載の電子部品製造装置。
付記７：
前記離間機構は、ノーマリクローズバルブと、ノーマリオープンバルブと、前記ノーマリクローズバルブからガスが供給されることにより、前記リフトピンを下降させ、前記ノーマリオープンバルブからガスが供給されることにより、前記リフトピンを上昇させる駆動部と、を含むことを特徴とする付記５記載の電子部品製造装置。
【符号の説明】
【００３７】
１０ 基板
１１ 離間機構
1２ リフトピン
１４ 駆動部
１６ バルブ
２０ ステージ
２２ ヒータ
４０ チャンバ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品製造装置に関し、例えば、ステージを加熱することにより基板を加熱する電子部品製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置等の電子部品製造装置の製造工程においては、例えば半導体基板等の基板をステージ上に配置し、ステージより基板を加熱する電子部品製造装置が用いられる。例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い基板上に絶縁膜を形成する際は、ステージを加熱することにより、基板を加熱する。一方、電子部品製造装置において、ステージから基板を離間させるためリフトピンを用いる（例えば、特許文献１および２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実開平０２−６６９８８号公報
【特許文献２】特開平０６−２５２２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板がステージ上に配置された状態で電子部品製造装置に異常が発生した場合、ステージのヒータの電源が遮断されたとしてもステージの温度が低下するには時間を要する。この間、基板の加熱が継続される。基板の加熱により、基板表面に突起または窪みが形成される、または、基板に形成される製品の品質保証が得られないことが生じうる。
【０００５】
本電子部品製造装置は、電子部品製造装置に異常が発生した場合に、基板の加熱が継続されることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
例えば、基板を上面に搭載するステージと、前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータと、電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構と、を具備することを特徴とする電子部品製造装置を用いる。
【発明の効果】
【０００７】
本電子部品製造装置によれば、電子部品製造装置に異常が発生した場合に、基板の加熱が継続されることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１の模式図である。
【図２】図２は、実施例２に係る半導体製造装置の模式図である。
【図３】図３は、ガス導入部／対向電極の下面図である。
【図４】図４は、半導体製造装置の動作を示すフローチャート（その１）である。
【図５】図５は、半導体製造装置の動作を示すフローチャート（その２）である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構の模式図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構の別の例の模式図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構のさらに別の例の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、図面を参照に実施例について説明する。
【実施例１】
【００１０】
実施例１は、半導体製造装置の例である。図１（ａ）および図１（ｂ）は、実施例１の模式図である。図１（ａ）は、ステージ２０上に基板１０が配置された状態、図１（ｂ）は、ステージ２０から基板１０が上方に持ち上げられた状態を示している。図１（ａ）に示すように、半導体製造装置１００は、ステージ２０、ヒータ２２、離間機構１１および電源３０を備えている。基板１０はステージ２０の上面に搭載される。ステージ２０内にはヒータ２２が設けられている。ヒータ２２には電源３０が接続されている。図１（ａ）および図１（ｂ）においては、簡略化のため一部ヒータ２２に電源３０が接続されているように図示されているが、全てのヒータ２２に電源３０が電気的に接続されている。ヒータ２２はステージ２０を加熱することにより基板１０を加熱する。ステージ２０には上下に貫通する孔２１が形成されている。離間機構１１は、リフトピン１２および駆動部１４を備えている。リフトピン１２は、孔２１内に上下に移動可能である。駆動部１４は、リフトピン１２を上下に駆動する。駆動部１４は、半導体製造装置１００に異常がない場合（すなわち正常な場合）、リフトピン１２を下降させる。このように、基板１０がステージ２０の上面に配置され、基板１０が加熱されている状態で、半導体装置の製造工程が行われる。例えば、基板１０上に絶縁膜または金属膜等をＣＶＤ法またはスパッタリング法を用い堆積させる。
【００１１】
図１（ｂ）に示すように、駆動部１４は、半導体製造装置１００に異常が発生すると、リフトピン１２を上昇させる。これにより、基板１０はステージ２０から離間する。このように、離間機構１１は、半導体製造装置１００に異常が発生すると、ステージ２０から基板１０を離間させる。これにより、半導体製造装置１００に異常が発生した場合、基板１０が加熱状態に放置されることを抑制できる。なお、実施例１において、ステージ２０から基板１０を離間させる機構としてリフトピン１２を用いる例を示したが、他の方法を用い、ステージ２０から基板１０を離間させてもよい。
【実施例２】
【００１２】
実施例２は、ＣＶＤ装置の例である。図２は、実施例２に係る半導体製造装置の模式図である。図２に示すように、半導体製造装置１０２は、主に、ステージ２０、ヒータ２２、ヒータ電源２４、離間機構１１、チャンバ４０、ゲートバルブ４２および真空ポンプ４６を備える。さらに、半導体製造装置１０２は、主に、ガス導入部／対向電極５０、ＲＦ（Radio Frequency）電源５２、ガスボックス６４、主電源３０、搬送機構７０および制御部８０を備えている。
【００１３】
ステージ２０上に基板１０が配置されている。ステージ２０内にはヒータ２２が設けられている。ヒータ２２には、ヒータ電源２４から電力が供給される。図２においては、簡略化のためヒータ２２とヒータ電源２４との接続を省略しているが、全てのヒータ２２はヒータ電源２４と電気的に接続されている。ヒータ制御ユニット２８は、ヒータ電源２４がヒータ２２に供給する電力を制御する。また、ヒータ制御ユニット２８は、ヒータ２２の異常を検出する。ヒータ電源２４およびヒータ制御ユニット２８には主電源３０から電力が供給される。ステージ２０は、例えばアルミニウム合金またはステンレス等の金属により形成されている。図２では、ステージ２０上に１枚の基板１０が配置されているが、ステージ２０上には例えば６枚等複数の基板１０が配置されてもよい。
【００１４】
離間機構１１は、リフトピン１２、駆動部１４、バルブ１６および離間機構制御ユニット１８を含む。離間機構１１の動作は、実施例１と同じである。離間機構１１の詳細は後述する。リフトピン１２は、例えばステンレス等の金属またはセラミック等の絶縁体から形成されている。ヒータ２２は、ステージ２０を例えば３００℃〜４００℃に加熱する。半導体装置の製造工程によっては、これらの温度には限られない。
【００１５】
チャンバ４０は、ステージ２０および基板１０を密閉し、チャンバ４０内を大気に対し減圧状態に維持する。ステージ２０の少なくとも一部（例えば基板１０が配置された部分）が密閉されていればよい。ゲートバルブ４２が開くことにより、チャンバ４０内の気体は真空配管４９を介し真空ポンプ４６により排出される。真空制御ユニット４８は、真空ポンプ４６およびゲートバルブ４２の動作を制御する。真空制御ユニット４８は、真空ポンプ４６およびゲートバルブ４２の異常を検出する。真空制御ユニット４８および真空ポンプ４６には主電源３０から電力が供給される。
【００１６】
ガス導入部／対向電極５０は、基板１０上の例えば酸化シリコン膜等の成膜に用いるガスをチャンバ４０内に導入する。図３は、ガス導入部／対向電極の下面図である。図３のように、ガス導入部／対向電極５０の下面には、ガスを導入する孔５１が複数設けられている。ガス導入部／対向電極５０は、ステージ２０に対しＲＦ電力を印加する。ＲＦ電源５２は、ガス導入部／対向電極５０にＲＦ電力を供給する。パワー制御ユニット５８は、ＲＦ電源５２を制御する。また、パワー制御ユニット５８は、ＲＦ電源５２の異常を検出する。パワー制御ユニット５８およびＲＦ電源５２には主電源３０から電力が供給される。
【００１７】
ガスミキシング部６０は、各ガスをミキシングし、ガス導入部／対抗電極５０にガスを供給する。ガスボックス６４内には、各種ガスの流量を制御するマスフローコントローラ６６およびガスをガスミキシング部６０に供給するためのバルブ６５が設けられている。各種ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化窒素（Ｎ２Ｏ）および酸素（Ｏ２）が用いられる。ガス系制御ユニット６８は、マスフローコントローラ６６およびバルブ６５等を制御する。また、ガス制御ユニット６８は、マスフローコントローラ６６およびバルブ６５等の異常を検出する。ガス制御ユニット６８には、主電源３０から電力が供給される。
【００１８】
搬送機構７０は、基板１０をチャンバ４０内のステージ２０上に搬入する。また、搬送機構７０は、基板１０をステージ２０からチャンバ４０の外に搬出する。搬出制御ユニット７８は、搬出機構７０を制御する。また、搬出制御ユニット７８は、搬出機構７０の異常を検出する。搬送機構７０および搬送制御ユニット７８には、主電源３０から電力が供給される。
【００１９】
例えばＭＰＵ（Micro Processing Unit）が、制御部８０として機能する。制御部８０は、離間機構制御ユニット１８、ヒータ制御ユニット２８、真空制御ユニット４８、パワー制御ユニット５８、ガス制御ユニット６８および搬送制御ユニット７８を制御する。また、各ユニットが検出した異常に関する情報を取得する。
【００２０】
次に、半導体製造装置１０２の動作について説明する。図４は、半導体製造装置の動作を示すフローチャートである。まず、制御部８０は、ヒータ制御ユニット２８に、ヒータ電源２４をオンし、ヒータ２２を用いステージ２０を加熱させる。ステージ２０が加熱された状態で、以下のステップが実行される。まず、制御部８０は、搬送制御ユニット７８に基板１０をステージ２０上に搬送させる（ステップＳ１０）。次に、制御部８０は、基板１０が加熱されるまで待機させる（ステップＳ１２）。次に、制御部８０は、ガス制御ユニット６８に、反応ガスをチャンバ４０内に導入させる（ステップＳ１４）。次に、制御部８０は、パワー制御ユニット５８に、ＲＦ電源５２からＲＦ電力をガス導入部／対抗電極５０に印加させる（ステップＳ１６）。これにより、ステージ２０とガス導入部／対向電極５０との間に導入したガスのプラズマが発生する。各種ガスのうち、例えばシランおよび酸素のプラズマが反応し、基板１０上に酸化シリコン膜が堆積する。また、例えばシランおよびアンモニアのプラズマが反応し、基板１０上に窒化シリコン膜が堆積する。制御部８０は、堆積される膜が目標膜厚に達するまでこの状態を維持する（ステップＳ１８）。次に、制御部８０は、ガス制御ユニット６８に反応ガスを遮断させ、パワー制御ユニット５８にＲＦ電力を遮断させる（ステップＳ２０）。次に、制御部８０は、搬送制御ユニット７８に基板１０を搬出させる（ステップＳ２２）。以上により、基板１０上に所望の膜を成膜することができる。
【００２１】
次に、半導体製造装置１０２に異常が発生した場合の動作について説明する。図５は、半導体製造装置の動作を示すフローチャートである。図４のフローの途中において定期的または不定期に図５のフローを行う。まず、制御部８０は、各ユニットのいずれかが異常を検出したかを判断する（ステップＳ３０）。各ユニットの異常としては、例えば、ヒータ制御ユニット２８が、ステージ２０の温度の異常（例えば、ステージ２０の温度が設定温度より低いまたは高い）を検出した場合がある。また、例えば、真空制御ユニット４８が、真空ポンプ４６の停止または異常を検出した場合がある。例えば、パワー制御ユニット５８がＲＦ電源５２の異常（例えばＲＦ電力が所定の値より大きいまたは小さい）を検出した場合がある。例えば、ガス系制御ユニット６８が、ガスの異常（例えば、ガスの流量が所定値より大きいまたは小さい）を検出した場合がある。例えば、搬送制御ユニット７８は搬送機構７０の異常（例えば、所定時間経過しても基板が搬送されない）を検出した場合がある。例えば、主電源３０から電力が供給されない場合がある。
【００２２】
ステップＳ３０においてＮｏの場合、終了し、図４のフローに戻る。ステップＳ３２においてＹｅｓの場合，制御部８０は、ヒータ制御ユニット２８に、ヒータ２２への電力を遮断させる（ステップＳ３２）。制御部８０は、真空制御ユニット４８にゲートバルブ３４を閉じさせる（ステップＳ３４）。制御部８０は、真空制御ユニット４８に真空ポンプ４６を停止させる（ステップＳ３６）。制御部８０は、パワー制御ユニット５８にＲＦ電力を遮断させる（ステップＳ３８）。制御部８０は、パワー制御ユニット５８にＲＦ電力の供給を遮断させる（ステップＳ３８）。制御部８０は、ガス制御ユニット６８に各ガスの供給を遮断させる（ステップＳ４０）。制御部８０は、離間機構１１を制御するための電気信号を遮断する（ステップＳ４２）。その後終了する。なお、ステップＳ３２からＳ４２の順番は任意である。また、スッテプＳ３２からＳ４２の全部のステップまたは一部のステップを同時に実行してもよい。
【００２３】
図５のように、制御部８０が半導体製造装置１０２の異常を検出した場合、制御部８０は、ステップＳ３２のように、ヒータ２２の電源をオフする。これは、半導体製造装置１０２が発熱することを抑制するためである。また、ステップＳ３４およびＳ３６のように、制御部８０は、チャンバ４０内の減圧を維持する。これは、反応ガスがチャンバ４０外に漏洩すること、およびチャンバ４０が発熱することを抑制するためである。ステップＳ３８およびＳ４０のように、制御部８０は、ＲＦ電力および反応ガスを遮断する。これは、反応ガスの漏洩または半導体製造装置１０２が発熱等を抑制するためである。
【００２４】
実施例２のように、制御部８０は、半導体製造装置１０２に異常が発生すると、チャンバ４０内の減圧を維持する。この状態では、ステージ２０の温度が下がり難くなる。よって、離間機構１１は、基板１０をステージ２０から離間させる。これにより、基板１０の温度を下げることができる。基板１０のステージ２０からの離間距離は、例えば１ｍｍ以上が好ましい。これにより、基板１０とステージ２０とを熱的に遮断することができる。特に、実施例２のように、基板１０とステージ２０とが減圧状態内の場合、基板１０とステージ２０との距離は小さくとも熱的に遮断することができる。
【００２５】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構の模式図である。離間機構１１は、リフトピン１２、駆動部１４、バネ１９、バルブ１６およびガス導入管１７を備えている。駆動部１４は、シリンダ１５およびピストン１３を備えている。シリンダ１５内にはピストン１３が嵌めこまれている。ピストン１３はシリンダ１５には固定されておらず上下に移動自在である。ピストン１３にはリフトピン１２が固定されている。ピストン１３はバネ１９により上方向に付勢されている。シリンダ１５のピストン１３上の空間にはガス導入管１７によりガスが導入される。ガス導入管１７にはバルブ１６が設けられている。バルブ１６はノーマリクローズバルブである。ノ−マリクローズバルブは、電力またはバルブ１６を開けるための電気信号３２が供給されないと閉まり、電力およびバルブ１６を開けるための電気信号３２が供給されると開く。図６（ａ）のように、半導体製造装置１０２が正常に動作している場合、バルブ１６には電力およびバルブ１６を開けるための電気信号３２が供給される。よって、バルブ１６が開き、シリンダ１５のピストン１３上の空間にガス３４が導入される。ガス３４は例えば乾燥空気または窒素である。ガス導入により、ピストン１３には下方向に力が加わる。下方向の力がバネ１９の付勢力より大きくなるように設定しておく。これにより、ピストン１３は下降した状態となる。よって、リフトピン１２も下降した状態となる。このため、基板１０はヒータ２２上面に接している。
【００２６】
図６（ｂ）を参照し、半導体製造装置１０２に異常が発生した場合、図５のステップＳ４２のように、バルブ１６へ電気信号３２の供給が遮断される。または、バルブ１６への電力が遮断される。これにより、バルブ１６が閉じる。このため、シリンダ１５内のピストン１３の上空間にはガスが導入されない。よって、バネ１９の付勢力により、ピストン１３が上昇し、リフトピン１２が上昇する。これにより、基板１０がステージ２０から離間する。
【００２７】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構の別の例の模式図である。図７（ａ）に示すように、シリンダ１５の底面とピストン１３とに磁石１９ａが設けられている．磁石１９ａは互いに反発するように設けられている。これにより、ピストン１３は上方向に付勢されている。バルブ１６に電力およびバルブ１６を開けるための電気信号３２が供給されているため、シリンダ１５のピストン１３より上の空間にガス３４が導入される。よって、図６（ａ）と同様に、リフトピン１２は下降した状態である。図７（ｂ）のように、バルブ１６への電力またはバルブ１６を開けるための電気信号３２が遮断されると、シリンダ１５のピストン１３より上の空間にガスが導入されなくなる。よって、磁石１９ａによる付勢力により、リフトピン１２が上昇し、基板１０がステージ２０から離間する。その他の構成は図６（ａ）および図６（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００２８】
以上のように、半導体製造装置１０２に異常が発生していない場合には、リフトピン１２に下降させる力が加わり、半導体製造装置１０２に異常が発生すると、リフトピン１２に上昇させる力が加わる。これにより、半導体製造装置１０２に異常が発生した場合、基板１０をステージ２０から離間させることができる。
【００２９】
さらに、離間機構１１は、例えば図６（ａ）のバネ１９および図７（ａ）の磁石１９ａのようなリフトピンを上昇させるように付勢する付勢部を備えている。図６（ａ）および図７（ａ）のように、駆動部１４は、ガス３４を供給することにより、付勢部の付勢力より大きな力でリフトピン１２を下降させる。さらに、駆動部１４にガスを供給するノーマリクローズバルブ１６が設けられている。これにより、図６（ａ）および図７（ａ）のように、離間機構１１に電力および電気信号が供給されている場合、リフトピン１２は下降している。図６（ｂ）および図７（ｂ）のように、離間機構１１への電力または電気信号が遮断されると、リフトピン１２が上昇し、基板１０がステージ２０から離間する。
【００３０】
以上のように、離間機構１１は、離間機構１１を駆動させる電力が遮断されると、ステージ２０から基板１０を離間させる。これにより、例えば半導体製造装置１０２の主電源３０に異常が発生した場合など、離間機構１１に供給される電力が遮断された場合、離間機構１１は、基板１０をステージ２０から離間させることができる。
【００３１】
また、離間機構１１は、離間機構１１を制御する信号が遮断されると、ステージ２０から基板１０を離間させる。これにより、制御部８０が離間機構１１への信号を遮断した場合に加え、制御部８０に異常が発生した場合または制御部８０と離間機構１１との間の信号伝送路に異常が発生した場合においても基板１０の加熱を抑制できる。
【００３２】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ通常時および異常時の離間機構のさらに別の例の模式図である。駆動部１４は、シリンダ１５とピストン１３とを備えている。ピストン１３より上部の空間にはガス導入管１７ａからガス３４ａが導入され、ピストン１３より下部の空間にはガス導入管１７ｂからガス３４ｂが導入される。ガス導入管１７ａにはノーマリクローズバルブ１６ａが接続されている。ガス導入管１７ｂにはノーマリオープンバルブ１６ｂが接続されている。ノ−マリオープンバルブは、電力またはバルブを閉めるための電気信号３２が供給されないと開き、電力およびバルブを閉めるための電気信号３２が供給されると閉じる。図８（ａ）のように、離間機構１１に電力および電気信号３２が供給されると、バルブ１６ａは開き、バルブ１６ｂは閉じる。よって、ピストン１３より上部の空間にガス３４ａが導入され、ピストン１３より下部の空間にはガスが導入されない。これにより、ピストン１３は下降する。よって、リフトピン１２は下降する。図８（ｂ）のように、離間機構１１への電力または電気信号３２が遮断されると、バルブ１６ａは閉じ、バルブ１６ｂは開く。よって、ピストン１３より下部の空間にガス３４ｂが導入され、ピストン１３より上部の空間にはガスが導入されない。これにより、ピストン１３は上昇する。よって、リフトピン１２は上昇する。
【００３３】
このように、駆動部１４は、ノーマリクローズバルブ１６ａからガス３４ａが供給されることにより、リフトピン１２を下降させる。また、駆動部１４は、ノーマリオープンバルブ１６ｂからガス３４ｂが供給されることにより、リフトピン１２を上昇させる。駆動部１４は上記構造でもよい。
【００３４】
実施例１および２のリフトピン１２は、ウエハ等をステージ２０に搬送する際に用いるリフトピンを兼ねてもよい。また、実施例１および２においては、電子部品製造装置の例として、半導体装置を製造する半導体製造装置を例に説明したが、その他の電子部品を製造する電子部品製造装置でもよい。
【００３５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００３６】
実施例１および２を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
付記１：
基板を上面に搭載するステージと、前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータと、電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構と、を具備することを特徴とする電子部品製造装置。
付記２：
前記ステージの少なくとも一部および前記基板を密閉し内部を減圧するチャンバと、前記電子部品製造装置に異常が発生した場合にも前記チャンバ内の減圧を維持する制御部と、を具備することを特徴とする付記１記載の電子部品製造装置。
付記３：
前記離間機構は、前記電子部品製造装置の異常により記離間機構を駆動させる電力が遮断されると、前記ステージから前記基板を離間させることを特徴とする付記１または２記載の電子部品製造装置。
付記４：
前記離間機構は、前記電子部品製造装置の異常により前記離間機構を制御する信号が遮断されると、前記ステージから前記基板を離間させることを特徴とする付記１または２記載の電子部品製造装置。
付記５：
前記離間機構は、前記基板を前記ステージから上昇させるリフトピンを含むことを特徴とする付記１から３のいずれか一項記載の電子部品製造装置。
付記６：
前記離間機構は、前記リフトピンを上昇させるように付勢する付勢部と、ガスが供給されることにより、前記付勢部の付勢力より大きな力で前記リフトピンを下降させる駆動部と、前記駆動部に前記ガスを供給するノーマリクローズバルブと、を具備する付記５記載の電子部品製造装置。
付記７：
前記離間機構は、ノーマリクローズバルブと、ノーマリオープンバルブと、前記ノーマリクローズバルブからガスが供給されることにより、前記リフトピンを下降させ、前記ノーマリオープンバルブからガスが供給されることにより、前記リフトピンを上昇させる駆動部と、を含むことを特徴とする付記５記載の電子部品製造装置。
【符号の説明】
【００３７】
１０ 基板
１１ 離間機構
1２ リフトピン
１４ 駆動部
１６ バルブ
２０ ステージ
２２ ヒータ
４０ チャンバ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を上面に搭載するステージと、
前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータと、
電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構と、
を具備することを特徴とする電子部品製造装置。
【請求項２】
前記ステージの少なくとも一部および前記基板を密閉し内部を減圧するチャンバと、
前記電子部品製造装置に異常が発生した場合にも前記チャンバ内の減圧を維持する制御部と、
を具備することを特徴とする請求項１記載の電子部品製造装置。
【請求項３】
前記離間機構は、前記電子部品製造装置の異常により前記離間機構を駆動させる電力が遮断されると、前記ステージから前記基板を離間させることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品製造装置。
【請求項４】
前記離間機構は、前記電子部品製造装置の異常により前記離間機構を制御する信号が遮断されると、前記ステージから前記基板を離間させることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品製造装置。
【請求項５】
前記離間機構は、前記基板を前記ステージから上昇させるリフトピンを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品製造装置。
【請求項１】
基板を上面に搭載するステージと、
前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータと、
電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構と、
を具備することを特徴とする電子部品製造装置。
【請求項２】
前記ステージの少なくとも一部および前記基板を密閉し内部を減圧するチャンバと、
前記電子部品製造装置に異常が発生した場合にも前記チャンバ内の減圧を維持する制御部と、
を具備することを特徴とする請求項１記載の電子部品製造装置。
【請求項３】
前記離間機構は、前記電子部品製造装置の異常により前記離間機構を駆動させる電力が遮断されると、前記ステージから前記基板を離間させることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品製造装置。
【請求項４】
前記離間機構は、前記電子部品製造装置の異常により前記離間機構を制御する信号が遮断されると、前記ステージから前記基板を離間させることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品製造装置。
【請求項５】
前記離間機構は、前記基板を前記ステージから上昇させるリフトピンを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１３−６２３０１（Ｐ２０１３−６２３０１Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９８３３４（Ｐ２０１１−１９８３３４）
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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