電気めっき装置、及び電気めっき方法

【課題】通電電極を下地電極に接続する際のウエハに対する物理的ストレス軽減するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明によるめっき装置は、半導体基板３１上の下地電極層に密着可能な開口部２２０を有するカバー２２と、下地電極層上の絶縁膜３３を溶解する溶剤をカバー２２によって覆われた領域に供給し、カバー２２によって覆われた下地電極３２上の絶縁膜３３を除去する溶剤供給部４０と、絶縁膜３３が除去されることで露出した下地電極３２に、開口部２２０を介して当接する通電電極２１とを具備する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ上にめっきを施す電気めっき装置、及び電気めっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに対する配線形成プロセスでは、半導体基板表面における下地電極層上に下地電極が形成された後、所定パタンのレジストマスクを形成し、レジスト開口部にメッキを析出させて配線や突起電極の形成が行われる。この際、半導体ウエハを電界液に浸漬し、下地電極と電解液中の対向電極との間に電圧を印加することで、下地電極に所望の金属（めっき）が析出される。
【０００３】
下地電極に電圧を印加する場合、通電電極（通電ピン）を下地電極に接触させる必要がある。下地電極は、絶縁物であるレジストマスクで被覆されれいるため、通常、電極ピンでレジストを突き破って下地電極と接触させている。しかしながら、レジストの厚みや電極ピンの先端磨耗などによって、レジストを貫通できずに導通不良を起こし、メッキ不良となる場合があった。又、このようなめっき不良をなくすために、レジストに対する加重を大きくすると、ウエハ割れを引き起こす確率が増大する。
【０００４】
このような問題を解決するため、予めレジスト（絶縁膜）を除去し、下地電極を露出させた領域を用意することで、レジストを貫通することなく下地電極に通電ピンを接続させる方法がある（従来技術１）。あるいは、通電電極に絶縁膜除去手段を付加することで、位置合わせを行うことなく通電ピンを下地電極に接続することができる（従来技術２、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平２−１５６２２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来技術１では、オリフラ等の基板特徴部を基準に位置合わせしながら、予め露出された下地電極に通電電極を当接しなければならない。このため、位置合わせ作業に手間がかかり作業時間が増大してしまう。又、位置合わせ精度を考慮すると、下地電極を露出させる領域（めっき電極）は、通電電極が当接する領域よりもある程度大きくする必要がある。めっき液に浸漬され、電圧が印加されると、めっき電極にもめっき（金属）が析出する。配線には、金などの高価な貴金属が利用されることがあり、めっき電極が必要以上の大きさである場合、大きな材料ロスが発生してしまう。
【０００６】
従来技術２では、絶縁膜除去手段として、超音波振動による加熱で絶縁膜を融解除去する超音波発振装置が利用される。超音波振動による加熱を利用した場合、基板に機械的ストレスが加わることに加えて、通電電極の先端に絶縁膜が焼き付いて通電電極を汚染してしまう。この汚染のため、通電電極と下地電極（めっき電極）間で導通不良となったり、あるいは、加熱された絶縁膜が変質して後工程で剥離困難になったりする恐れがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は、以下に述べられる手段を採用する。その手段を構成する技術的事項の記述には、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］の記載との対応関係を明らかにするために、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号・符号が付加されている。但し、付加された番号・符号は、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲を限定的に解釈するために用いてはならない。
【０００８】
本発明によるめっき装置は、半導体基板（３１）上の下地電極層に密着可能な開口部（２２０）を有するカバー（２２）と、下地電極層上の絶縁膜（３３）を溶解する溶剤をカバー（２２）によって覆われた領域に供給し、カバー（２２）によって覆われた下地電極（３２）上の絶縁膜（３３）を除去する溶剤供給部（４０）と、絶縁膜（３３）が除去されることで露出した下地電極（３２）に、開口部（２２０）を介して当接する通電電極（２１）とを具備する。
【０００９】
このように、本発明では、溶剤によって絶縁膜（３３）を除去することで下地電極を露出し、通電電極（２１）を電気的に接続している。このため、半導体基板（３１）に対し、機械的エネルギーによる大きな負荷を与えることなく通電電極（２１）をめっき電極に接続することができる。又、絶縁膜（３３）を除去する領域を決定するカバー（２２）の開口部（２２０）を介して通電電極（２１）と下地電極（３２）とを当接している。これにより、通電電極（２１）と露出している下地電極（３２）の位置を探すことなく当該下地電極（３２）に接続することができる。
【００１０】
本発明によるめっき方法は、カバー（２２）の開口部（２２０）が半導体基板（３１）上の下地電極層に密着するステップと、下地電極層上の絶縁膜（３３）を溶解する溶剤を、カバー（２２）によって覆われた領域に供給し、カバー（２２）によって覆われた絶縁膜（３３）を除去するステップと、通電電極（２１）が、絶縁膜（３３）が除去されることで露出した下地電極（３２）に、開口部（２２０）を介して当接するステップとを具備する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によるめっき装置、及びめっき方法によれば、通電電極を下地電極に接続する際のウエハに対する物理的ストレスを軽減できる。
【００１２】
又、位置合わせをすることなく通電電極を下地電極に接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。図面において同一、又は類似の参照符号は、同一、類似、又は等価な構成要素を示している。
【００１４】
１．第１の実施の形態
（構成）
図１から図３を参照して、本発明によるめっき装置の構成の詳細を説明する。図１は、本発明によるめっき装置の第１の実施の形態における構成を示す図である。本発明によるめっき装置は、めっき槽１０、ウエハホルダ２０、溶剤供給部４０、ホルダ制御装置６０Ａ、電源７０を具備する。めっき槽１０は、めっき液１００を保持する内槽１１と、内槽１１からオーバーフローしためっき液１００を保持する外槽１２とを備える。内槽１１内の底面には、半導体基板（ウエハ３１）にめっきする金属を有するアノード電極５０と、めっき液１００を内槽１１に送りこむためのめっき液噴流口１３が設けられる。又、内槽１１からオーバーフローしためっき液１００を廃出するために、外槽１４の底面には、めっき液排液口１４が設けられる。
【００１５】
めっき槽１０には、電極支持体２６Ａに支持された通電電極２１が設けられる。通電電極２１は電源７０に接続される。通電電極２１は、カバー２２によって覆われている。カバー２２はウエハ３１と対向する領域が開口している。図２を参照して、カバー２２において開口した領域（以下、開口部２２０と称す）がウエハ３１に当接することで、通電電極２１を覆う密閉空間が形成される。このとき、ウエハホルダ２０がめっき液１００に浸漬されても、通電電極２１はめっき液１００と接触しない。
【００１６】
ウエハホルダ２０は、下地電極層にシード膜３２（下地電極）が成膜されたウエハ３１を保持する。ウエハ３１の下地電極層（シード膜３２）上には、めっきパタンを形成するように、めっきレジスト３３（絶縁膜）が形成されている。めっきレジスト３３が形成されていない領域では、シード膜３２は、ウエハホルダ２０の底面において図面Ｚ軸下向き（液面に対向する向き）に露出する。
【００１７】
ホルダ制御装置６０Ａは、ウエハホルダ２０の昇降を制御する。６０Ａホルダ制御装置６０Ａによってウエハホルダ２０（ウエハ３１）はめっき槽１０内に降下し、めっき液１００に浸漬される。この際、ウエハ３１の外周領域におけるシード膜３２は、通電電極２１と当接し、電気的に接続される。６０Ａこれによりシード膜３２は、通電電極２１を介して電源７０に接続される。
【００１８】
電源７０は、アノード電極５０と通電電極２１（カソード）との間に一定の電圧を印加する。通電電極２１は、ウエハ３１がめっき液１００に浸漬される前にシード膜３２に電気的に接続される。これにより、電源７０からの電圧は、通電電極２１を介してシード膜３２に印加される。又、めっき膜の諸特性を安定させることを目的に、シード膜３２がめっき液１００に着液後、電源７０は定電圧制御から定電流制御に切り替えられる。
【００１９】
溶剤供給部４０とカバー２２は、供給路２４を介して接続される。供給路２４と溶剤供給部４０は、着脱可能に接続されることが好ましい。溶剤供給部４０は、めっきレジスト３３（絶縁膜）を化学的に溶解可能な溶剤を、供給路２４を介してカバー２２内部（カバー２２によって覆われた領域（空間））に供給する。この際、溶剤供給部４０は、溶剤を供給路２４に圧送することが好ましい。
【００２０】
カバー２２内部に供給される溶剤は、例えば、めっきレジスト３３がノボラック系樹脂のフォトレジストである場合、メチルエチルケトンが好適である。
【００２１】
図２及び図３を参照して本発明によるウエハホルダ２０の第１の実施の形態における構成の詳細を説明する。図２は、カバー２２がウエハ３１に当接した状態におけるウエハ３１及び電極支持体２６をＺ軸方向下側（めっき液側）から見た平面図である。図３は、第１の実施の形態におけるウエハホルダ２０の構成を示すＡ−Ａ’断面図である。図３を参照して、ウエハホルダ２０は、通電電極２１、カバー２２、電源端子２３、供給路２４、排出路２５、ウエハ支持体２７Ａを備える。
【００２２】
ウエハ支持体２７Ａは、ウエハ３１の裏面を吸引することによってウエハ３１を支持する。電極支持体２６Ａとウエハ支持体２７Ａとの相対位置は、ウエハホルダ制御装置６０Ａによって制御される。例えば、ウエハ支持体２７ＡをＺ軸方向下方向に下降させることで、カバー２２又は通電電極２１をウエハ３１（シード膜３２）に当接することができる。あるいは、図示しない制御装置によって電極支持体２６ＡをＺ軸方向に上昇させることでウエハ３１（シード膜３２）をカバー２２又は通電電極２１に当接しても良い。
【００２３】
カバー２２は、ウエハ３１の表面に対向する位置に開口部２２０を有し、通電電極２１を覆う筒状の形状（例えば円筒）である。通電電極２１は、カバー２２によって覆われる領域（空間）に設けられる。又、カバー２２は、電極支持体２６Ａによって支持されることが好ましい。この場合、通電電極２１とウエハ３１との相対位置の変化に連動してカバー２２とウエハ３１との相対位置が変化する。ウエハ３１と通電電極２１とを近づけた際、開口部２２０が通電電極２１より先にウエハ３１（下地電極層）に接触するように、カバー２２の大きさ及び位置が設定されることが好ましい。例えば、電極支持体２６Ａから開口部２２０までの距離は、電極支持体２６Ａから通電電極２１の先端までの距離よりも長いことが好ましい。すなわち、電極支持体２６Ａに対する開口部２２０の位置は、通電電極２１の先端よりも高い位置に設定されることが好ましい。
【００２４】
カバー２２には、供給路２４及び排出路２５が接続される。供給路２４から溶剤がカバー２２内の空間に供給される。又、カバー２２内の溶剤は、任意の時期に排出路２５から排出される。排出路２５との接続位置は、通電電極２１の先端付近（開口部２２０の近傍）が好ましい。レジスト除去及び通電電極取り付け時、供給路２４は、溶剤供給部４０に接続され、排出路２５は、図示しない廃液タンクに接続される。又、めっき処理時において、供給路２４と溶剤供給部４０との接続は切断され、排出路２５は、図示しない廃液タンクとの接続は接続される。この際、供給路２４における溶剤供給部４０との接続端、及び排出路２５における廃液タンクとの接続端は、めっき液１００が浸入しない位置に設置、又は、めっき液１００が浸入しないように閉栓等の処置が施されていることが好ましい。
【００２５】
カバー２２は、めっき液１００や、めっきレジスト３３を溶解する溶剤によって溶解しない（溶解しにくい）材質が好適に利用される。又、カバー２２は、めっきレジスト３３より強度が強い弾性体であることが好ましい。例えば、カバー２２はシリコンゴムによって形成されることが好ましい。強度が強いカバー２２がウエハ３１に押し当てられると、その領域のめっきレジスト３３は排除され、開口部２２０がウエハ３１（下地電極層）に到達する。そして、カバー２２の弾性力によって開口部２２０と、シード膜３２が形成された下地電極層とは密着する。カバー２２の開口部２２０がウエハ３１（下地電極層）に密着することで、カバー２２によって覆われた空間は密閉状態となる。ただし、溶剤供給時には供給路２４との接続部分が開口し、溶剤排出時には排出路２５の接続部分が開口することはいうまでもない。
【００２６】
（動作）
図５から図９を参照して、本発明によるめっき装置における通電電極取り付け処理の第１の実施の形態における動作を説明する。
【００２７】
ウエハ３１がめっきホルダ２０に装着された状態で、ウエハ３１を下降又はカバー２２を上昇、あるいは両方の動作によってウエハ３１とカバー２２の開口部２２０とを接触させる。この際、開口部２２０との接触面にめっきレジスト３３が存在する場合、開口部２２０による押圧により、めっきレジスト３３が押しつぶされ、あるいは割れることで排除される。開口部２２０が、めっきレジスト３３の下層に形成されたシード膜３２に達すると、ウエハ３１の下降又はカバー２２の上昇を停止する。
【００２８】
このとき、図３及び図４に示すように、カバー２２の開口部２２０は縮み、その復元力によってウエハ表面（下地電極層）とカバー２２とは密着する。この際、ウエハ３１（下地電極層）と開口部２２０が接触しても通電電極２１がめっきレジスト３３に接触しない、あるいは、めっきレジスト３３と通電電極２１が接触してもめっきレジスト３３を破壊するほど大きな圧力が加わらないことが好ましい。この状態において、供給路２４から溶剤が供給され、カバー２２で覆われためっきレジスト３３が除去される。例えば、図５に示すように、カバー２２内部への溶剤の充填、及び排出路２５からの溶剤の排出が繰り返され、めっきレジスト３３が除去される。
【００２９】
めっきレジスト３３が除去されると、カバー２２に覆われたウエハ３１上のシード膜３２が露出する。図６を参照して、カバー２２内部（カバー２２及びシード膜３２で形成される空間）の溶剤を全て排出する。そして、ウエハ３１を下降又は通電電極２１を上昇させて、通電電極２１を露出したシード膜３２（めっき電極）に当接する。すなわち、通電電極２１は、開口部２２０を介してシード膜３２（めっき電極）に当接する。通電電極２１は、めっきレジスタ３３を除去する領域を決定するカバー２２の開口部２２０を介してシード膜３２と当接している。このため、露出しているシード膜３２を探すことなく、当該シード膜３２と通電電極２１とを電気的に接続することができる。
【００３０】
図９に示すように、通電電極２１とシード膜３２が電気的に接続されると、めっき液１００にウエハ３１が浸漬され、電源７０から電圧印加によってめっき処理が行われる。これにより、シード膜３２にめっきが施される。通電電極２１がシード膜３２に当接する際、電極支持体２６Ａがウエハ３１に近接するため、カバー２２はめっきレジスト３３を除去する時よりも縮まり、その反発力により下地電極層との密着度が高まる。このため、ウエハ３１がめっき液１００に浸漬されても、カバー２２内にめっき液１００が浸入せず、通電電極２１がめっきされることを防ぐことができる。
【００３１】
以上のように、本発明によるめっき装置では、ウエハ３１の任意位置にカバー２２の開口部２２０を当接させて絶縁膜を化学的に溶解除去する。そしてカバー２２の内部に設けられた通電電極２１を開口部２２０を介して露出したシード膜３２（めっき電極）に当接することで、シード膜３２と電源７０とを電気的に接続することができる。このため、めっき通電するための通電電極２１をシード膜３２に接続する際、オリフラなどによる方向合わせや通電電極に対する位置合わせ作業が不要となる。又、開口部２２０の内側の領域の絶縁膜だけを除去するため、通電のために露出されるめっき電極は小面積となる。又、加熱による溶融除去でないため、通電電極先端への絶縁膜の焼き付きや絶縁膜の加熱変質の心配がない。
【００３２】
本実施の形態では、カバー２２内部への溶剤の循環量を増減することで、めっきレジスト３３の除去時間を制御できる。
【００３３】
本発明による通電電極２１の変形例を図７に示す。図７を参照して、本変形例のめっき装置は、溶剤が供給される供給路２４として供給路２４Ａ、２４Ｂを備える。本変形例の通電電極２１は、溶剤が通過する供給路２４Ａを備える。供給路２４Ｂは、溶剤供給部４０と通電電極２１内の供給路２４Ａとを接続する。溶剤供給部４０から供給された溶剤は供給路２４Ｂ及び供給路２４Ａを介して通電電極２１の先端に設けらたノズル孔（吐出口）から噴出する。これにより、通電電極２１の先端付近に存在するめっきレジスト３３を溶解、除去することができる。本例によるめっき装置では、通電電極２１の先端付近の絶縁膜を効率良く除去することができる。又、本変形例ではノズル孔からの噴射圧を増減することで絶縁膜除去の時間を制御できる。
【００３４】
本発明による通電電極２１の他の変形例を図８に示す。図８を参照して、本変形例の通電電極２１と電極支持体２６Ａとの間に図３におけるＺ軸方向に伸縮可能な弾性体２８（例えばバネ）が設けられる。この場合、通電電極２１の先端のＺ軸方向の高さは、開口部２２０よりも高い位置に設定される。これにより、カバー２２内のめっきレジスト３３が存在する間、弾性体２８は、当該めっきレジスト３３に接触して収縮し、溶解すると、弾性体２８は復元力により伸張し、通電電極２１と露出したシード膜３２（めっき電極）とが当接する。本例では、弾性体の弾性力を調節することで、ウエハ３１に大きな物理的負荷を与えることなく、確実に通電電極２１とめっき電極を接続するさせることができる。
【００３５】
以上のように、本発明によるめっき装置は、通電電極２１とめっき電極（シード膜３２）を接続するための位置決め作業を不要とする。又、通電電極２１やウエハ３１に機械的ストレスを付加することなく通電電極２１を接続するめっき電極を露出することができる。更に、通電電極２１の先端を汚染したり、めっきレジスト３３（絶縁膜）を加熱変質させたりする心配がない。
【００３６】
２．第２の実施の形態
図１０から図１３を参照して、本発明によるめっき装置の第２の実施の形態について説明する。図１０は、第２の実施の形態におけるめっき装置の構成を示す図である。第２の実施の形態におけるめっき装置は、通電電極２２を支持する電極支持体２６Ａがウエハホルダ２０に設けられ、ウエハホルダ制御装置６０Ａ及びウエハ支持体２７Ａに替えてウエハホルダ制御装置６０Ｂ及びウエハ支持体２７Ｂを備える他は、第１の実施の形態と同様である。以下、第１の実施の形態と異なる構成及び動作について説明する。
【００３７】
第２実施の形態におけるホルダ制御装置６０Ｂは、ウエハホルダ２０を傾斜及び回転させながらめっき槽１０内に移動させ、めっき液１００に浸漬する。シード膜３２の全てがめっき液１００に浸漬されると、ホルダ制御装置６０Ｂは、ウエハ３１が液面（アノード電極５０）と平行になるようにウエハホルダ２０を制御する。
【００３８】
図１０から図１２を参照して本発明によるウエハホルダ２０の実施の形態における構成の詳細を説明する。図１１は、ウエハ３１を保持したウエハホルダ２０をＺ軸方向下側（めっき液側）から見た平面図である。図１２は、ウエハホルダ２０の構成を示すＢ−Ｂ’断面図である。図１２を参照して、ウエハホルダ２０は、通電電極２１、カバー２２、電源端子２３、供給路２４、排出路２５、電極支持体２６Ｂ、ウエハ支持体２７Ｂを備える。
【００３９】
通電電極２１は、電極支持体２６Ｂによって支持され、電源端子２３に電気的に接続される。図１１を参照して、電極支持体２６Ｂ及び通電電極２１は、ウエハ３１の周辺領域に複数設けられることが好ましい。ウエハ支持体２７Ｂは、ウエハ３１の周囲を支持する支持爪、又は、ウエハ３１の裏面を吸引することによってウエハ３１を支持する。電極支持体２６Ｂとウエハ支持体２７Ｂとの相対位置は、ウエハホルダ制御装置６０Ｂによって制御される。例えば、電極支持体２６Ｂの位置を変えずにウエハ支持体２７ＢをＺ軸方向に下降させることで、通電電極２１をウエハ３１（シード膜３２）に当接することができる。あるいは、電極支持体２６ＢをＺ軸方向に上昇させることでウエハ３１（シード膜３２）を通電電極２１に当接しても良い。
【００４０】
図１３に示すように、ホルダ制御装置６０Ｂは、ウエハ３１が液面（アノード電極５０）と平行になるようにウエハホルダ２０を制御する。この際、Ａ軸周りにウエハ３１を回転させても良い。ホルダ制御装置６０Ｂによって、通電電極２２と露出したシード膜３２が当接する。この際、カバー２２は、ウエハ３１に密着しているため、通電電極２２とめっき液１００とは接触しない。
【００４１】
以上、本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成は上記実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の変更があっても本発明に含まれる。上述の変形例や実施の形態は、技術的に矛盾のない範囲で組み合せることができる。又、実施の形態では、圧力によってめっきレジスト３３を貫通させてカバー２２とシード膜３２とを当接していたが、これに限らない。例えば、カバー２２とウエハ３１との間に圧力をかけながら（カバー２２が縮んだ状態を保持し）、溶剤を供給してカバー内部のめっきレジスト３３を除去することで、カバー２２とシード膜３２とを当接しても良い。この場合、開口部２２０は、めっきレジスト３３を物理的に破壊せずに、シード膜３２に到達することができる。カバー２２とウエハ３１との間の圧力を所定の大きさに保つことで、カバー２２は縮んだ状態を維持し、開口部２２０とめっきレジスト３３との間、溶解後は下地電極層との間が密着する。このため、めっきレジストが溶解しても、溶剤がカバー２２外部に漏れ出ることはない。このように機械的エネルギーによる大きな負荷をウエハ３１に与えることなく、通電電極２１をめっき電極に接続することができる。
【００４２】
更に、本実施の形態では、カバー２２と通電電極２１とは一体となってウエハ３１に接近していたが、これに限らない。例えば、カバー２２と通電電極２１を独立に制御する機構を設けることで、カバー２２とウエハ３１との当接と、通電電極２１とめっき電極との当接を別々に制御することができる。
【００４３】
更に、本実施の形態では、被めっき面となるシード膜をカソード、めっき液１００中の対向電極をアノードとしたが、めっきする金属に応じて正負逆の電圧を印加しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、本発明によるめっき装置の第１の実施の形態における構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態におけるウエハ及び電極支持体の底面構造の一例を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明によるウエハホルダの第１の実施の形態における構成を示す図である。
【図４】図４は、本発明によるカバーがウエハに当接した状態を示す図である。
【図５】図５は、本発明によるめっきレジスト除去処理の一例を示す図である。
【図６】図６は、本発明による通電電極がめっき電極に当接した状態を示す図である。
【図７】図７は、本発明によるめっきレジスト除去処理の一例を示す図である。
【図８】図８は、本発明による通電電極の変形例を示す図である。
【図９】図９は、本発明によるめっき装置の第１の実施の形態におけるめっき処理中状態を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明によるめっき装置の第２の実施の形態における構成を示す図である。
【図１１】図１１は、第２の実施の形態におけるウエハホルダの底面構造の一例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、本発明によるウエハホルダの第２の実施の形態における構成を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明によるめっき装置の第２の実施の形態におけるめっき処理中状態を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０：めっき槽
２０：ウエハホルダ
２１：通電電極
２２：カバー
２４、２４Ａ、２４Ｂ：供給路
２５：排出路
２６Ａ：電極支持体
２７Ａ：ウエハ支持体
２８：弾性体
３１：ウエハ
３２：シード膜（下地電極）
３３：めっきレジスト（絶縁膜）
４０：溶剤供給部
５０：アノード電極
６０：ウエハホルダ制御装置
１００：めっき液

【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の下地電極層に密着可能な開口部を有するカバーと、
前記下地電極上の絶縁膜を溶解する溶剤を前記カバーによって覆われた領域に供給し、前記カバーによって覆われた前記下地電極層上の絶縁膜を除去する溶剤供給部と、
前記絶縁膜が除去されることで露出した下地電極に、前記開口部を介して当接する通電電極と、
を具備する
めっき装置。
【請求項２】
請求項１に記載のめっき装置において、
前記開口部は、弾性力によって前記半導体基板に密着する
めっき装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のめっき装置において、
前記カバーによって覆われた領域から前記溶剤を排除する排出路を更に具備するめっき装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のめっき装置において、
前記溶剤供給部は、前記通電電極において前記下地電極と当接する領域に設けられる吐出口と、前記吐出口に前記溶剤を供給する供給路とを備える
めっき装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のめっき装置において、
前記通電電極は、前記カバーによって覆われた領域に設けられる
めっき装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のめっき装置において、
前記絶縁膜は、ノボラック系樹脂のレジストであり、
前記溶剤は、メチルエチルケトンである
めっき装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載のめっき装置において、
前記通電電極に接続される弾性体を更に具備し、
前記通電電極は、前記弾性体の復元力によって前記下地電極に当接する
めっき装置。
【請求項８】
カバーの開口部が半導体基板上の下地電極層に密着するステップと、
前記下地電極層上の絶縁膜を溶解する溶剤を、前記カバーによって覆われた領域に供給し、前記カバーによって覆われた絶縁膜を除去するステップと、
通電電極が、前記絶縁膜が除去されることで露出した下地電極に、前記開口部を介して当接するステップと、
を具備する
めっき方法。
【請求項９】
請求項８に記載のめっき方法において、
前記開口部が密着するステップは、前記カバーの弾性力によって前記半導体基板に密着するステップを備える
めっき方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載のめっき方法において、
前記カバーのによって覆われた領域から前記溶剤を排除するステップを更に具備する
めっき方法。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれか１項に記載のめっき方法において、
前記絶縁膜を除去するステップは、前記通電電極に設けられた吐出口から、前記絶縁膜に前記溶剤を吐出するステップを備える
めっき方法。

【図１】