電気光学装置の製造方法
【課題】描画不良の発生を低減し、且つ描画タクト時間の大幅な短縮を図ることができるようにする。
【解決手段】複数の基板形成領域２０を有する第１大型基板１２０に対して、少なくとも各基板形成領域２０にシール材５２を描画するシール材描画工程と、第１大型基板１２０に対しシール材５２を介して第２大型基板１１０を貼り合わせる大型基板貼り合わせ工程とを備え、シール材描画工程では、予め設定した描画パターンに従い、互いに隣接して配設されている複数の基板形成領域２０に対し、往路において基板形成領域２０の一部にシール材５２を連続描画し、往路の終端に連続する折り返し点ＲＰを経て復路へ移動し、復路において基板形成領域２０の残部に対してシール材５２を連続描画する。
【解決手段】複数の基板形成領域２０を有する第１大型基板１２０に対して、少なくとも各基板形成領域２０にシール材５２を描画するシール材描画工程と、第１大型基板１２０に対しシール材５２を介して第２大型基板１１０を貼り合わせる大型基板貼り合わせ工程とを備え、シール材描画工程では、予め設定した描画パターンに従い、互いに隣接して配設されている複数の基板形成領域２０に対し、往路において基板形成領域２０の一部にシール材５２を連続描画し、往路の終端に連続する折り返し点ＲＰを経て復路へ移動し、復路において基板形成領域２０の残部に対してシール材５２を連続描画する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板形成領域を有する第１大型基板にシール材を連続描画する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶装置は、対向する一対の基板がそれぞれの基板の周縁部においてシール材を介して貼着され、これら一対の基板とシール材とによって囲まれた空間に液晶が封入された構成を有している。液晶装置を製造する方法としては、２枚の基板をシール材を介して貼り合わせた後、両基板とシール材との間に形成された空隙に、真空注入法などの手法を用いて液晶を注入する液晶注入方式が知られている。又、最近では、少なくとも一方の基板上に液晶を滴下した後、その液晶を挟持するように他方の基板をシール材を介して貼り合わせる液晶滴下注入方式（ＯＤＦ）も採用されている。
【０００３】
液晶滴下方式では、一対の基板を貼り合わせる前に液晶を滴下するので、シール材に液晶注入口を形成する必要がない。従って、大型基板を用いて複数の基板形成領域を一括して製造する前工程においては、大型基板どうしを貼り合わせることができる。
【０００４】
図１１に大型基板に形成される各基板形成領域１２１を１行のみ拡大して示す。シール材１２２は基板形成領域１２１毎に、ディスペンサを用いて枠状に描画され、描画開始点と描画終了点がつなぎ目１２２ａで閉塞される。
【０００５】
このつなぎ目１２２ａは確実に閉塞する必要があり、このつなぎ目１２２ａにシール材の塗布不足が発生すると液晶漏れが発生する。一方、このつなぎ目１２２ａにシール材が過剰に塗布されると、表示領域にシール材が入り込み表示不良を招いてしまう。そのため、シール材を描画する際に、特に描画開始点と描画終了点とのつなぎ目１２２ａにおいては描画速度を調整しながら行う必要があり、煩雑な作業が要求されるばかりでなく、描画タクト時間が増加してしまう問題がある。
【０００６】
又、ディスペンサに貯留されているシール材は、空気等の加圧によりノズルから定量吐出される。ノズルからシール材が連続吐出されている状態では、加圧空気がシール材と共に吐出されるため、シール材は常にほぼ定量的に吐出される。しかし、シール材の吐出が一端遮断されると、ディスペンサ内に空気の気泡が滞留され、シール材の吐出が再開される際に、この気泡がノズル内を閉塞し、一時的に吐出遅れが生じる。
【０００７】
この対策として、例えば特許文献１（特開２００６−１８１４１８号公報）には、大型基板上に形成されている複数の基板形成領域のうち、行或いは列方向に配列されている基板形成領域に対し、シール材の一部となる第１パターンと、このシール材の残部となる第２パターンとを連続して一括形成する技術が開示されている。
【０００８】
この技術によれば、基板形成領域毎にシール材を形成する必要がないので、つなぎ目を基板形成領域毎に形成する必要が無く、描画条件出しに要する段取り時間も簡素化されるので、作業効率が向上する。更に、シール材の連続吐出距離が長くなり、その分シール材の吐出を遮断する回数が削減されるため、吐出不良の発生を低減させることができる。
【特許文献１】特開２００６−１８１４１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述した文献に開示されている技術では、１つの行或いは列を第１パターンと第２パターンとの２つのパターンでシール材の描画を行うため、第１パターンから第２パターンへ切換える際に、シール材の吐出を一端遮断する必要がある。その結果、第２パターンの吐出を開始する際の吐出遅れにより、描画不良発生する。又、第１パターンと第２パターンとを個別に描画するため、描画タクト時間がかかる問題がある。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑み、描画不良の発生を低減し、且つ描画タクト時間の大幅な短縮を図ることのできる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため本発明による第１の電気光学装置の製造方法は、複数の基板形成領域を有する第１大型基板に対して、少なくとも該各基板形成領域にシール材を描画するシール材描画工程と、前記第１大型基板に対し前記シール材を介して第２大型基板を貼り合わせる大型基板貼り合わせ工程とを備え、前記シール材描画工程では、予め設定されている描画パターンに従い、互いに隣接して配設されている複数の前記基板形成領域に対し、往路において前記基板形成領域の一部に前記シール材を連続描画し、該往路の終端に連続する折り返し点を経て復路へ移動し、該復路において該基板形成領域の残部に対してシール材を連続描画することを特徴とする。
【００１２】
このような構成では、複数の基板形成領域を有する第１大型基板に対してシール材の描画を往路と復路とで連続形成するようにしたので、描画不良の発生が低減され、且つ描画タクト時間の大幅な短縮を図ることができる。
【００１３】
第２の電気光学装置の製造方法は、第１の電気光学装置の製造方法において、前記シール材描画工程では、複数の前記基板形成領域の第１の辺に前記シール材の描画開始点と描画終了点とが位置しており、前記折り返し点が、前記第１の辺と対向する第２の辺に位置することを特徴とする。
【００１４】
このような構成では、複数の基板形成領域の第１の辺にシール材の描画開始点と描画終了点とを設定し、折り返し点を第１の辺と対向する第２の辺に位置させるようにしたので、シール材の描画を往路から復路へ容易に連続形成させることができる。
【００１５】
第３の電気光学装置の製造方法は、第１或いは第２のの電気光学装置の製造方法において、前記シール材描画工程では、前記シール材の描画開始点と描画終了点とが近接された位置に設けられていることを特徴とする。
【００１６】
このような構成では、描画開始点と描画終了点とが近接された位置に設けられているので、次の描画への移動が容易となり、描画タクト時間のより一層の短縮化を実現することができる。
【００１７】
第４の電気光学装置の製造方法は、第１〜３の電気光学装置の製造方法において、前記シール描画工程では、コーナ部の描画速度を直線部の描画速度よりも遅く設定されていることを特徴とする。
【００１８】
このような構成では、コーナ部の描画速度を直線部の描画速度よりも遅くしたので、コーナ部でシール材が途切れにくくなり、製品の品質を向上させることができる。
【００１９】
第５の電気光学装置の製造方法は、第１〜４の電気光学装置の製造方法において、前記シール描画工程では、隣接する前記基板形成領域間に対するシール材の間隔が狭く設定されていることを特徴とする。
【００２０】
このような構成では、隣接する前記基板形成領域間に対するシール材の描画間隔を狭く設定したので、２枚の大型基板が貼り合わされてシール材が潰されても、このシール材が基板形成領域に入り込むことがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。
【００２２】
［第１実施形態］
図１〜図７に本発明の第１実施形態を示す。図１は電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２はＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置であって、図１のH-H'断面図である。
【００２３】
先ず、本実施形態で採用する液晶装置の全体構成について説明する。図１、図２に示すように、液晶装置は、ＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを有し、両基板１０，２０の対向面間の画像表示領域１０ａの周囲に設けたシール領域が、シール材の塗布により形成された矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされている。更に、この両基板１０，２０の対向面間とシール材５２とで囲まれた領域内に電気光学物質の一例である液晶５０が封入されている。シール材５２は、上下に対称形状をなすコの字状の上部シール部５３と下部シール部５４とからなり、両シール部５３，５４が接合されて、１つのシール材５２が形成される。
【００２４】
両シール部５３，５４の両端に形成されている連結部５５は枠の外側に向かって突出されている。この両連結部５５は、後述する前工程において１枚の第１大型基板１２０上に上部シール部５３に形成される上部連結部５５ａと下部シール部５４に形成される下部連結部５５ｂとが、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせた際に潰されて形成される。
【００２５】
本実施形態では、シール材５２を連続した描画パターンＰＴで形成することで、シール材５２の描画タクト時間の短縮化を実現している。描画パターンＰＴは、上部シール部５３と下部シール部５４とを有し、両シール部５３，５４が上下方向（Ｙ方向）に対向配列されている。更に、この両シール部５３，５４が行方向（Ｘ方向）に連結部５５を介して複数配列されている。大型基板１２０，１１０は互いに貼り合わされた後、連結部５５の中央部で液晶装置単位に分割されるため、切り出された液晶装置には連結部５５が残される。
【００２６】
又、対向基板２０には、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の周辺遮光膜５１が設けられている。又、画像表示領域１０ａの周辺に広がる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側部分に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更に、ＴＦＴ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するための複数の配線１０５が設けられている。尚、走査線駆動回路１０４、及び配線１０５は、シール材５２の内側の周辺遮光膜５１に対向する位置に配設されている。
【００２７】
更に、ＴＦＴ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、最上層部分に配向膜２２が形成されており、これら一対の配向膜１６，２２間で、所定の配向状態が設定される。
【００２８】
次に、液晶装置の製造方法、特に、前工程で実行されるシール材描画工程について説明する。ここでは、液晶装置の製造方法として、大型基板を用いて複数の液晶装置を一括して製造する「多面取り」と称する方法が採用されている。すなわち、前工程において、第２大型基板１１０と第１大型基板１２０とに、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０となる基板形成領域が所定に位置合わせされた状態で、行方向（Ｘ方向）、列方向（Ｙ方向）にマトリクス状に形成される。尚、以下においては、便宜的に、第２大型基板１１０に形成されているＴＦＴ基板１０となるＴＦＴ基板形成領域を符号１０で示し、第１大型基板１２０に形成されている対向基板２０となる対向基板形成領域を符号２０で示す。
【００２９】
そして、シール材描画工程では、複数の対向基板形成領域２０が形成されている第１大型基板１２０上に、ディスペンサ３０を用いてシール材５２を形成する。図４に示すように、第１大型基板１２０に形成されるシール材５２は、行方向（Ｘ方向）に配設されている複数の対向基板形成領域２０に対し、一括して連続的（いわゆる一筆書き状）に描画される。
【００３０】
図５は、図４に示す第１大型基板１２０の最下段の行に形成されている複数の対向基板形成領域２０に対するシール材５２の描画態様が示されている。尚、他の行に形成されている複数の対向基板形成領域２０に対するシール材５２の描画も同じ態様で行われるため説明を省略する。
【００３１】
本実施形態では、第１大型基板１２０の各行方向（Ｘ方向）に形成されている複数の対向基板形成領域２０に形成するシール材５２を連続した描画パターンＰＴで形成する。すなわち、先ず、往路において、各対向基板形成領域２０の上部シール部５３を、上部連結部５５ａを介して連続描画し、次いで、復路において、各対向基板形成領域２０の下部シール部５４を、下部連結部５５ｂを介して連続描画する。
【００３２】
又、第１大型基板１２０の各行方向（Ｘ方向）に形成されている対向基板形成領域２０の内の描画開始点側（本実施形態では左端）に位置する対向基板形成領域２０に形成されるシール材５２の列方向（Ｙ方向）の中央左端に描画開始点ＳＰが設定されている。この描画開始点ＳＰはディスペンサ３０のノズルから吐出されるシール材の吐出遅れを考慮した長さを有している。又、この描画開始点ＳＰと平行に下部シール部５４に連続する描画終了点ＥＰが設定されている。尚、この描画開始点ＳＰと描画終了点ＥＰとに連続する辺（図５の左端の辺）が、本発明の第１の辺に相当する。更に、第１大型基板１２０の各行方向（Ｘ方向）に形成されている対向基板形成領域２０の内の折り返し側（本実施形態では右端）に位置する対向基板形成領域２０の終端側に折り返し点ＲＰが設定されている。尚、この折り返し点ＲＰに連続する辺（図５の右端の辺）が、本発明の、第１の辺に対向する第２の辺に相当する。
【００３３】
そして、ディスペンサ３０のノズルを描画開始点ＳＰに臨ませた後、シール材の描画を開始する。その際、シール材の吐出遅れが発生するが、この吐出遅れは描画開始点ＳＰを通過する際に解消され、対向基板形成領域２０の描画開始点ＳＰ側の上部連結部５５ａに到達したときは、ディスペンサ３０のノズルからシール材が定量吐出されている。
【００３４】
ディスペンサ３０のノズルから吐出されるシール材により、往路において、先ず、最初の対向基板形成領域２０の上部シール部５３を形成する。上部シール部５３の形成に際しては、ディスペンサ３０を行方向（＋Ｘ方向）へ相対移動させ、このディスペンサ３０のノズルから吐出されるシール材により描画開始点ＳＰに連続する上部連結部５５ａを形成する。次いで、ディスペンサ３０を斜め上方へ相対移動させて左側傾斜部５６ａを形成する。その後、ディスペンサ３０を列方向（＋Ｙ方向）へ相対移動させて左側部５７ａを形成する。
【００３５】
そして、上端付近でディスペンサ３０を斜め上方（約４５°）へ相対移動させて、面取り部５８ａを形成する。
【００３６】
その後、ディスペンサ３０を行方向（＋Ｘ方向）へ相対移動させて上辺部５９ａを形成する。そして、ディスペンサ３０が右側部６０ａ付近に到達したとき、このディスペンサ３０を斜め下方（約４５°）へ相対移動させて、面取り部６１ａを形成する。次いで、ディスペンサ３０を列方向（−Ｙ方向）へ下降させて、左側部５７ａに対峙する右側部６０ａを形成する。
【００３７】
その後、ディスペンサ３０を斜め下方へ相対移動させて、左側傾斜部５６ａに対峙する右側傾斜部６２ａを形成する。そして、シール材５２の列方向（Ｙ方向）の中央部付近で、ディスペンサ３０を行方向（＋Ｘ方向）へ相対移動させて上部連結部５５ａを形成する。そして、この上部連結部５５ａを介して、ディスペンサ３０を右隣の対向基板形成領域２０へ相対移動させ、この対向基板形成領域２０に、上部シール部５３を、ディスペンサ３０の相対移動により連続形成する（図６(a)参照）。
【００３８】
この動作を繰り返すことで、右隣の対向基板形成領域２０に上部シール部５３を連続形成する。そして、右端の対向基板形成領域２０に対して上部シール部５３の形成が完了すると、図７に示すように、上部連結部５５ａをそのまま延長させて折り返し点ＲＰの上辺部ＲＰ１を形成し、次いで、ディスペンサ３０を列方向（−Ｙ方向）へ下降させて、側部ＲＰ２を形成し、その後、ディスペンサ３０を行方向（−Ｘ方向）へ相対移動させて、下辺部ＲＰ３を形成し、そして、そこからディスペンサ３０を斜め上方へ相対移動させて斜辺部ＲＰ４を形成する。
【００３９】
その後、ディスペンサ３０を行方向（−Ｘ方向）へ相対移動させて、下部シール部５４の下部連結部５５ｂを、右端の対向基板形成領域２０に形成する。この下部連結部５５ｂから復路となる。この復路では、先ず、右端の対向基板形成領域２０の下部連結部５５ｂに続けて、ディスペンサ３０を斜め下方へ相対移動させて右側傾斜部６２ｂを形成する。次いで、ディスペンサ３０を列方向（−Ｙ方向）へ相対移動させて右側部６０ｂを形成する。そして、下端付近でディスペンサ３０を斜め下方（約４５°）へ相対移動させて、面取り部６１ｂを形成する。
【００４０】
その後、ディスペンサ３０を行方向（−Ｘ方向）へ相対移動させて下辺部５９ｂを形成する。そして、ディスペンサ３０が左側部５７ｂ付近に到達したとき、このディスペンサ３０を斜め上方（約４５°）へ相対移動させて、面取り部５８ｂを形成する。次いで、ディスペンサ３０を列方向（＋Ｙ方向）へ上昇させて、右側部６０ｂに対峙する左側部５７ｂを形成する。
【００４１】
次いで、ディスペンサ３０を斜め上方へ相対移動させて、右側傾斜部６２ｂに対峙する左側傾斜部５６ｂを形成する。そして、シール材５２の列方向（Ｙ方向）の中央部付近で、ディスペンサ３０を行方向（−Ｘ方向）へ相対移動させて、上部シール部５３の上部連結部５５ａに近接する位置に下部連結部５５ｂを形成する。
【００４２】
その後、この下部連結部５５ｂを介して、ディスペンサ３０を左隣の対向基板形成領域２０へ相対移動させ、この対向基板形成領域２０に、下部シール部５４を、ディスペンサ３０を上述と同様に動作させて連続形成する（図６(a)参照）。
【００４３】
この動作を繰り返すことで、左隣の対向基板形成領域２０に下部シール部５４を連続形成する。そして、左端の対向基板形成領域２０に対して下部シール部５４の形成が完了すると、下部連結部５５ｂをそのまま延長させて描画終了点ＥＰを形成し、ディスペンサ３０のノズルからのシール材の描画を停止させる。
【００４４】
次いで、第１大型基板１２０の次の行に形成されている複数の対向基板形成領域２０に対して、上述と同様の手順によりシール材５２を、連続した描画パターンＰＴにより形成する。そして、全ての行に形成されている複数の対向基板形成領域２０に対してシール材５２の形成が完了した後、各シール材５２で囲まれた対向基板形成領域２０に液晶５０を滴下し、図３に示すように、減圧状態で第１大型基板１２０と、複数のＴＦＴ基板形成領域１０が形成されている第２大型基板１１０とを貼り合わせる（大型基板貼り合わせ工程）。
【００４５】
大型基板１１０，１２０を貼り合わせると、図６（ｂ）に示すように、描画された描画パターンＰＴが潰されて幅方向に広がり、往路で形成した上部連結部５５ａと復路で形成した下部連結部５５ｂとが接合して、閉口されたシール材５２が形成される。又、このとき、上部連結部５５ａ，５５ｂに連続する領域、すなわち描画方向が反転する狭い描画間隔の領域を傾斜部５６ａ，５６ｂ，６２ａ，６２ｂとしたので、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせた際に、この各傾斜部５６ａ，５６ｂ，６２ａ，６２ｂにより表示領域までの距離を離すことができ、上部連結部５５ａ，５５ｂの両端のコーナ付近にシール材が比較的多く盛りつけられても、シール材の表示領域内への広がりが抑制されて、シール材の表示領域内への進入を防止することができる。更に、最後の対向基板形成領域２０に対するシール材の描画では、往路から復路に切りかわる領域には、対向基板形成領域２０から外方へ延出する折り返し点ＲＰを設けたので、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせた際に、この折り返し点ＲＰのシール材が潰されて広がっても、表示領域内にシール材が入り込むことがない。
【００４６】
又、描画パターンＰＴが往路から復路に掛けて連続形成されるので、この描画パターンＰＴの描画に際して、描画タクト時間の短縮が実現でき、描画条件出しに要する段取り時間もほぼ一定となり、作業効率の大幅な向上を実現することができる。又、一つの行の描画パターンＰＴの描画では、描画開始点ＳＰと描画終了点ＥＰとが一カ所のみとなるためシール材に混入する気泡等の影響によるシール材の吐出不良が発生し難くなり、描画不良が低減されて、製品の歩留まり率が向上する。
【００４７】
そして、両大型基板１１０，１２０を所定に貼り合わせた後、シール材５２を硬化させる。その後、貼り合わされている大型基板１１０，１２０を、液晶装置単位毎に切り出す（基板切断工程）。
【００４８】
尚、本実施形態では、複数の対向基板形成領域２０が形成されている第１大型基板１２０側に描画パターンＰＴを描画したが、複数のＴＦＴ基板形成領域１０が形成されている第２大型基板１１０側に描画パターンＰＴを描画するようにしても良い。
【００４９】
［第２実施形態］
図８に本発明の第２実施形態による描画パターンの要部拡大図を示す。本実施形態では、描画パターンＰＴの描画に際し、領域毎に相対移動速度を可変させるようにしたものである。ディスペンサ３０のノズルからはシール材が定量吐出されているが、特にコーナ部では、直線部と同様の相対移動速度で描画を行うとシール材の断面積が減少して、シール切れが生じやすくなる。
【００５０】
従って、本実施形態では、シール材の途切れやすい領域の相対移動速度を遅く、途切れにくい領域の相対移動速度を速くすることで、描画パターンＰＴ全体の塗布量をほぼ均一となるようにしたものである。
【００５１】
図８に示すように、描画の相対移動速度をＡ＞Ｂ＞Ｃ＞Ｄとし、上部シール部５３の描画パターンＰＴでは、上辺部５９ａを面取り部６１ａにさしかかる手前まで、最も速い速度Ａで描画し、そこから面取り部５８ｂが終了するまで速度Ｂで描画し、右側部６０ａを再び速度Ａで右側傾斜部６２ａにさしかかる手前まで描画する。そして、そこから右側傾斜部６２ａを速度Ｂで描画し、上部連結部５５ａにさしかかるコーナ部を、最も遅い速度Ｄで描画する。
【００５２】
次いで、上部連結部５５ａを速度Ｂで描画し、右隣の対向基板形成領域２０の傾斜部５６ａに連続するコーナ部を最も遅い速度Ｄで描画し、次いで傾斜部５６ａから左側部５７ａの途中までを速度Ｃで描画し、そこから左側部５７ａの面取り部５８ａにさしかかる手前までを、最も速い速度Ａで描画し、そこから面取り部５８ａを速度Ｂで描画し、上辺部５９ａを最速の速度Ａで描画する。
【００５３】
一方、下部シール部５４の描画パターンＰＴでは、下辺部５９ｂを面取り部５８ｂにさしかかる手前まで、最も速い速度Ａで描画し、そこから面取り部５８ｂが終了するまで速度Ｂで描画し、左側部５７ｂを再び速度Ａで傾斜部５６ｂにさしかかる手前まで描画する。そして、そこから傾斜部５６ｂを速度Ｂで描画し、下部連結部５５ｂにさしかかるコーナ部を、最も遅い速度Ｄで描画する。
【００５４】
次いで、下部連結部５５ｂを速度Ｂで描画し、左隣の対向基板形成領域２０の傾斜部６２ｂに連続するコーナ部を最も遅い速度Ｄで描画し、次いで傾斜部６２ｂから右側部６０ｂの途中までを速度Ｃで描画し、そこから右側部６０ｂの面取り部６１ｂにさしかかる手前までを、最も速い速度Ａで描画し、そこから面取り部６１ｂを速度Ｂで描画し、下辺部５９ｂを最速の速度Ａで描画する。
【００５５】
このように、本実施形態では、各領域の相対移動速度を、シール材の塗布状況に応じて可変させるようにしたので、シール材の塗布量が均一となり、安定した描画を行うことができる。
【００５６】
［第３実施形態］
図９、図１０に本発明の第３実施形態を示す。図９に示すように、ディスペンサ３０を第１大型基板１２０に沿って移動させるに際しては、レーザ等を用いた非接触式変位計３１で第１大型基板１２０とディスペンサ３０のノズル端との距離を計測し、この距離を一定に保持するように制御しながら相対移動させている。
【００５７】
しかし、相対移動方向が急激に変化する領域では、進行方向が切換えられる都度に振動が発生する。この振動により非接触式変位計３１の計測値の誤差が大きくなり、計測精度が低下する。
【００５８】
従って、本実施形態では、図１０に示すように、上辺部５９ａと下辺部５９ｂ以外の、進行方向が大きく切りかわる領域では、非接触式変位計３１から信号を読込まず、第１大型基板１２０とディスペンサ３０のノズル端と間の距離を固定した状態で描画を行うようにしたものである。その結果、進行方向が急激に切りかわる領域において振動が発生しても、安定した描画を行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明における電気光学装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置以外に、パッシブマトリックス型の液晶装置、ＴＦＤ（薄型ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶装置であっても良く、更に、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display、及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）、更には、ＤＬＰ（Digital Light Processing）やＤＭＤ（Digital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１実施形態による電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図
【図２】同、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置であって、図１のH-H'断面図
【図３】同、大型基板どうしを貼り合わせる状態を示す斜視図
【図４】同、大型基板の平面図
【図５】同、図４の部分拡大図
【図６】同、（ａ）は貼り合わせ前の描画パターンを示す平面図、（ｂ）は貼り合わせ後の描画パターンの状態を示す平面図
【図７】同、図５のVII部拡大図
【図８】第２実施形態による描画パターンの要部拡大図
【図９】第３実施形態による大型基板にシール材を描画する状態の説明図
【図１０】同、描画パターンの説明図
【図１１】従来の描画パターンの説明図
【符号の説明】
【００６１】
１０…ＴＦＴ基板（基板形成領域）、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板（対向基板形成領域）、３０…ディスペンサ、３１…非接触式変位計、５２…シール材、５３…上部シール部、５４…下部シール部、５５…連結部、５５ａ…上部連結部、５５ｂ…下部連結部、５６ａ，…５６ｂ…左側傾斜部、５７ａ，５７ｂ…左側部、５８ａ，５８ｂ，６１ａ，６１ｂ…面取り部、５９ａ…上辺部、５９ｂ…下辺部、６０ａ，６０ｂ…右側部、６２ａ，６２ｂ…右側傾斜部、１１０…第２大型基板、１２０…第１大型基板、１２１…基板形成領域、Ａ〜Ｄ…描画速度、ＥＰ…描画終了点、ＲＰ…折り返し点、ＰＴ…描画パターン、ＳＰ…描画開始点
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板形成領域を有する第１大型基板にシール材を連続描画する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶装置は、対向する一対の基板がそれぞれの基板の周縁部においてシール材を介して貼着され、これら一対の基板とシール材とによって囲まれた空間に液晶が封入された構成を有している。液晶装置を製造する方法としては、２枚の基板をシール材を介して貼り合わせた後、両基板とシール材との間に形成された空隙に、真空注入法などの手法を用いて液晶を注入する液晶注入方式が知られている。又、最近では、少なくとも一方の基板上に液晶を滴下した後、その液晶を挟持するように他方の基板をシール材を介して貼り合わせる液晶滴下注入方式（ＯＤＦ）も採用されている。
【０００３】
液晶滴下方式では、一対の基板を貼り合わせる前に液晶を滴下するので、シール材に液晶注入口を形成する必要がない。従って、大型基板を用いて複数の基板形成領域を一括して製造する前工程においては、大型基板どうしを貼り合わせることができる。
【０００４】
図１１に大型基板に形成される各基板形成領域１２１を１行のみ拡大して示す。シール材１２２は基板形成領域１２１毎に、ディスペンサを用いて枠状に描画され、描画開始点と描画終了点がつなぎ目１２２ａで閉塞される。
【０００５】
このつなぎ目１２２ａは確実に閉塞する必要があり、このつなぎ目１２２ａにシール材の塗布不足が発生すると液晶漏れが発生する。一方、このつなぎ目１２２ａにシール材が過剰に塗布されると、表示領域にシール材が入り込み表示不良を招いてしまう。そのため、シール材を描画する際に、特に描画開始点と描画終了点とのつなぎ目１２２ａにおいては描画速度を調整しながら行う必要があり、煩雑な作業が要求されるばかりでなく、描画タクト時間が増加してしまう問題がある。
【０００６】
又、ディスペンサに貯留されているシール材は、空気等の加圧によりノズルから定量吐出される。ノズルからシール材が連続吐出されている状態では、加圧空気がシール材と共に吐出されるため、シール材は常にほぼ定量的に吐出される。しかし、シール材の吐出が一端遮断されると、ディスペンサ内に空気の気泡が滞留され、シール材の吐出が再開される際に、この気泡がノズル内を閉塞し、一時的に吐出遅れが生じる。
【０００７】
この対策として、例えば特許文献１（特開２００６−１８１４１８号公報）には、大型基板上に形成されている複数の基板形成領域のうち、行或いは列方向に配列されている基板形成領域に対し、シール材の一部となる第１パターンと、このシール材の残部となる第２パターンとを連続して一括形成する技術が開示されている。
【０００８】
この技術によれば、基板形成領域毎にシール材を形成する必要がないので、つなぎ目を基板形成領域毎に形成する必要が無く、描画条件出しに要する段取り時間も簡素化されるので、作業効率が向上する。更に、シール材の連続吐出距離が長くなり、その分シール材の吐出を遮断する回数が削減されるため、吐出不良の発生を低減させることができる。
【特許文献１】特開２００６−１８１４１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述した文献に開示されている技術では、１つの行或いは列を第１パターンと第２パターンとの２つのパターンでシール材の描画を行うため、第１パターンから第２パターンへ切換える際に、シール材の吐出を一端遮断する必要がある。その結果、第２パターンの吐出を開始する際の吐出遅れにより、描画不良発生する。又、第１パターンと第２パターンとを個別に描画するため、描画タクト時間がかかる問題がある。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑み、描画不良の発生を低減し、且つ描画タクト時間の大幅な短縮を図ることのできる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため本発明による第１の電気光学装置の製造方法は、複数の基板形成領域を有する第１大型基板に対して、少なくとも該各基板形成領域にシール材を描画するシール材描画工程と、前記第１大型基板に対し前記シール材を介して第２大型基板を貼り合わせる大型基板貼り合わせ工程とを備え、前記シール材描画工程では、予め設定されている描画パターンに従い、互いに隣接して配設されている複数の前記基板形成領域に対し、往路において前記基板形成領域の一部に前記シール材を連続描画し、該往路の終端に連続する折り返し点を経て復路へ移動し、該復路において該基板形成領域の残部に対してシール材を連続描画することを特徴とする。
【００１２】
このような構成では、複数の基板形成領域を有する第１大型基板に対してシール材の描画を往路と復路とで連続形成するようにしたので、描画不良の発生が低減され、且つ描画タクト時間の大幅な短縮を図ることができる。
【００１３】
第２の電気光学装置の製造方法は、第１の電気光学装置の製造方法において、前記シール材描画工程では、複数の前記基板形成領域の第１の辺に前記シール材の描画開始点と描画終了点とが位置しており、前記折り返し点が、前記第１の辺と対向する第２の辺に位置することを特徴とする。
【００１４】
このような構成では、複数の基板形成領域の第１の辺にシール材の描画開始点と描画終了点とを設定し、折り返し点を第１の辺と対向する第２の辺に位置させるようにしたので、シール材の描画を往路から復路へ容易に連続形成させることができる。
【００１５】
第３の電気光学装置の製造方法は、第１或いは第２のの電気光学装置の製造方法において、前記シール材描画工程では、前記シール材の描画開始点と描画終了点とが近接された位置に設けられていることを特徴とする。
【００１６】
このような構成では、描画開始点と描画終了点とが近接された位置に設けられているので、次の描画への移動が容易となり、描画タクト時間のより一層の短縮化を実現することができる。
【００１７】
第４の電気光学装置の製造方法は、第１〜３の電気光学装置の製造方法において、前記シール描画工程では、コーナ部の描画速度を直線部の描画速度よりも遅く設定されていることを特徴とする。
【００１８】
このような構成では、コーナ部の描画速度を直線部の描画速度よりも遅くしたので、コーナ部でシール材が途切れにくくなり、製品の品質を向上させることができる。
【００１９】
第５の電気光学装置の製造方法は、第１〜４の電気光学装置の製造方法において、前記シール描画工程では、隣接する前記基板形成領域間に対するシール材の間隔が狭く設定されていることを特徴とする。
【００２０】
このような構成では、隣接する前記基板形成領域間に対するシール材の描画間隔を狭く設定したので、２枚の大型基板が貼り合わされてシール材が潰されても、このシール材が基板形成領域に入り込むことがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。
【００２２】
［第１実施形態］
図１〜図７に本発明の第１実施形態を示す。図１は電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２はＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置であって、図１のH-H'断面図である。
【００２３】
先ず、本実施形態で採用する液晶装置の全体構成について説明する。図１、図２に示すように、液晶装置は、ＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを有し、両基板１０，２０の対向面間の画像表示領域１０ａの周囲に設けたシール領域が、シール材の塗布により形成された矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされている。更に、この両基板１０，２０の対向面間とシール材５２とで囲まれた領域内に電気光学物質の一例である液晶５０が封入されている。シール材５２は、上下に対称形状をなすコの字状の上部シール部５３と下部シール部５４とからなり、両シール部５３，５４が接合されて、１つのシール材５２が形成される。
【００２４】
両シール部５３，５４の両端に形成されている連結部５５は枠の外側に向かって突出されている。この両連結部５５は、後述する前工程において１枚の第１大型基板１２０上に上部シール部５３に形成される上部連結部５５ａと下部シール部５４に形成される下部連結部５５ｂとが、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせた際に潰されて形成される。
【００２５】
本実施形態では、シール材５２を連続した描画パターンＰＴで形成することで、シール材５２の描画タクト時間の短縮化を実現している。描画パターンＰＴは、上部シール部５３と下部シール部５４とを有し、両シール部５３，５４が上下方向（Ｙ方向）に対向配列されている。更に、この両シール部５３，５４が行方向（Ｘ方向）に連結部５５を介して複数配列されている。大型基板１２０，１１０は互いに貼り合わされた後、連結部５５の中央部で液晶装置単位に分割されるため、切り出された液晶装置には連結部５５が残される。
【００２６】
又、対向基板２０には、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の周辺遮光膜５１が設けられている。又、画像表示領域１０ａの周辺に広がる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側部分に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更に、ＴＦＴ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するための複数の配線１０５が設けられている。尚、走査線駆動回路１０４、及び配線１０５は、シール材５２の内側の周辺遮光膜５１に対向する位置に配設されている。
【００２７】
更に、ＴＦＴ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、最上層部分に配向膜２２が形成されており、これら一対の配向膜１６，２２間で、所定の配向状態が設定される。
【００２８】
次に、液晶装置の製造方法、特に、前工程で実行されるシール材描画工程について説明する。ここでは、液晶装置の製造方法として、大型基板を用いて複数の液晶装置を一括して製造する「多面取り」と称する方法が採用されている。すなわち、前工程において、第２大型基板１１０と第１大型基板１２０とに、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０となる基板形成領域が所定に位置合わせされた状態で、行方向（Ｘ方向）、列方向（Ｙ方向）にマトリクス状に形成される。尚、以下においては、便宜的に、第２大型基板１１０に形成されているＴＦＴ基板１０となるＴＦＴ基板形成領域を符号１０で示し、第１大型基板１２０に形成されている対向基板２０となる対向基板形成領域を符号２０で示す。
【００２９】
そして、シール材描画工程では、複数の対向基板形成領域２０が形成されている第１大型基板１２０上に、ディスペンサ３０を用いてシール材５２を形成する。図４に示すように、第１大型基板１２０に形成されるシール材５２は、行方向（Ｘ方向）に配設されている複数の対向基板形成領域２０に対し、一括して連続的（いわゆる一筆書き状）に描画される。
【００３０】
図５は、図４に示す第１大型基板１２０の最下段の行に形成されている複数の対向基板形成領域２０に対するシール材５２の描画態様が示されている。尚、他の行に形成されている複数の対向基板形成領域２０に対するシール材５２の描画も同じ態様で行われるため説明を省略する。
【００３１】
本実施形態では、第１大型基板１２０の各行方向（Ｘ方向）に形成されている複数の対向基板形成領域２０に形成するシール材５２を連続した描画パターンＰＴで形成する。すなわち、先ず、往路において、各対向基板形成領域２０の上部シール部５３を、上部連結部５５ａを介して連続描画し、次いで、復路において、各対向基板形成領域２０の下部シール部５４を、下部連結部５５ｂを介して連続描画する。
【００３２】
又、第１大型基板１２０の各行方向（Ｘ方向）に形成されている対向基板形成領域２０の内の描画開始点側（本実施形態では左端）に位置する対向基板形成領域２０に形成されるシール材５２の列方向（Ｙ方向）の中央左端に描画開始点ＳＰが設定されている。この描画開始点ＳＰはディスペンサ３０のノズルから吐出されるシール材の吐出遅れを考慮した長さを有している。又、この描画開始点ＳＰと平行に下部シール部５４に連続する描画終了点ＥＰが設定されている。尚、この描画開始点ＳＰと描画終了点ＥＰとに連続する辺（図５の左端の辺）が、本発明の第１の辺に相当する。更に、第１大型基板１２０の各行方向（Ｘ方向）に形成されている対向基板形成領域２０の内の折り返し側（本実施形態では右端）に位置する対向基板形成領域２０の終端側に折り返し点ＲＰが設定されている。尚、この折り返し点ＲＰに連続する辺（図５の右端の辺）が、本発明の、第１の辺に対向する第２の辺に相当する。
【００３３】
そして、ディスペンサ３０のノズルを描画開始点ＳＰに臨ませた後、シール材の描画を開始する。その際、シール材の吐出遅れが発生するが、この吐出遅れは描画開始点ＳＰを通過する際に解消され、対向基板形成領域２０の描画開始点ＳＰ側の上部連結部５５ａに到達したときは、ディスペンサ３０のノズルからシール材が定量吐出されている。
【００３４】
ディスペンサ３０のノズルから吐出されるシール材により、往路において、先ず、最初の対向基板形成領域２０の上部シール部５３を形成する。上部シール部５３の形成に際しては、ディスペンサ３０を行方向（＋Ｘ方向）へ相対移動させ、このディスペンサ３０のノズルから吐出されるシール材により描画開始点ＳＰに連続する上部連結部５５ａを形成する。次いで、ディスペンサ３０を斜め上方へ相対移動させて左側傾斜部５６ａを形成する。その後、ディスペンサ３０を列方向（＋Ｙ方向）へ相対移動させて左側部５７ａを形成する。
【００３５】
そして、上端付近でディスペンサ３０を斜め上方（約４５°）へ相対移動させて、面取り部５８ａを形成する。
【００３６】
その後、ディスペンサ３０を行方向（＋Ｘ方向）へ相対移動させて上辺部５９ａを形成する。そして、ディスペンサ３０が右側部６０ａ付近に到達したとき、このディスペンサ３０を斜め下方（約４５°）へ相対移動させて、面取り部６１ａを形成する。次いで、ディスペンサ３０を列方向（−Ｙ方向）へ下降させて、左側部５７ａに対峙する右側部６０ａを形成する。
【００３７】
その後、ディスペンサ３０を斜め下方へ相対移動させて、左側傾斜部５６ａに対峙する右側傾斜部６２ａを形成する。そして、シール材５２の列方向（Ｙ方向）の中央部付近で、ディスペンサ３０を行方向（＋Ｘ方向）へ相対移動させて上部連結部５５ａを形成する。そして、この上部連結部５５ａを介して、ディスペンサ３０を右隣の対向基板形成領域２０へ相対移動させ、この対向基板形成領域２０に、上部シール部５３を、ディスペンサ３０の相対移動により連続形成する（図６(a)参照）。
【００３８】
この動作を繰り返すことで、右隣の対向基板形成領域２０に上部シール部５３を連続形成する。そして、右端の対向基板形成領域２０に対して上部シール部５３の形成が完了すると、図７に示すように、上部連結部５５ａをそのまま延長させて折り返し点ＲＰの上辺部ＲＰ１を形成し、次いで、ディスペンサ３０を列方向（−Ｙ方向）へ下降させて、側部ＲＰ２を形成し、その後、ディスペンサ３０を行方向（−Ｘ方向）へ相対移動させて、下辺部ＲＰ３を形成し、そして、そこからディスペンサ３０を斜め上方へ相対移動させて斜辺部ＲＰ４を形成する。
【００３９】
その後、ディスペンサ３０を行方向（−Ｘ方向）へ相対移動させて、下部シール部５４の下部連結部５５ｂを、右端の対向基板形成領域２０に形成する。この下部連結部５５ｂから復路となる。この復路では、先ず、右端の対向基板形成領域２０の下部連結部５５ｂに続けて、ディスペンサ３０を斜め下方へ相対移動させて右側傾斜部６２ｂを形成する。次いで、ディスペンサ３０を列方向（−Ｙ方向）へ相対移動させて右側部６０ｂを形成する。そして、下端付近でディスペンサ３０を斜め下方（約４５°）へ相対移動させて、面取り部６１ｂを形成する。
【００４０】
その後、ディスペンサ３０を行方向（−Ｘ方向）へ相対移動させて下辺部５９ｂを形成する。そして、ディスペンサ３０が左側部５７ｂ付近に到達したとき、このディスペンサ３０を斜め上方（約４５°）へ相対移動させて、面取り部５８ｂを形成する。次いで、ディスペンサ３０を列方向（＋Ｙ方向）へ上昇させて、右側部６０ｂに対峙する左側部５７ｂを形成する。
【００４１】
次いで、ディスペンサ３０を斜め上方へ相対移動させて、右側傾斜部６２ｂに対峙する左側傾斜部５６ｂを形成する。そして、シール材５２の列方向（Ｙ方向）の中央部付近で、ディスペンサ３０を行方向（−Ｘ方向）へ相対移動させて、上部シール部５３の上部連結部５５ａに近接する位置に下部連結部５５ｂを形成する。
【００４２】
その後、この下部連結部５５ｂを介して、ディスペンサ３０を左隣の対向基板形成領域２０へ相対移動させ、この対向基板形成領域２０に、下部シール部５４を、ディスペンサ３０を上述と同様に動作させて連続形成する（図６(a)参照）。
【００４３】
この動作を繰り返すことで、左隣の対向基板形成領域２０に下部シール部５４を連続形成する。そして、左端の対向基板形成領域２０に対して下部シール部５４の形成が完了すると、下部連結部５５ｂをそのまま延長させて描画終了点ＥＰを形成し、ディスペンサ３０のノズルからのシール材の描画を停止させる。
【００４４】
次いで、第１大型基板１２０の次の行に形成されている複数の対向基板形成領域２０に対して、上述と同様の手順によりシール材５２を、連続した描画パターンＰＴにより形成する。そして、全ての行に形成されている複数の対向基板形成領域２０に対してシール材５２の形成が完了した後、各シール材５２で囲まれた対向基板形成領域２０に液晶５０を滴下し、図３に示すように、減圧状態で第１大型基板１２０と、複数のＴＦＴ基板形成領域１０が形成されている第２大型基板１１０とを貼り合わせる（大型基板貼り合わせ工程）。
【００４５】
大型基板１１０，１２０を貼り合わせると、図６（ｂ）に示すように、描画された描画パターンＰＴが潰されて幅方向に広がり、往路で形成した上部連結部５５ａと復路で形成した下部連結部５５ｂとが接合して、閉口されたシール材５２が形成される。又、このとき、上部連結部５５ａ，５５ｂに連続する領域、すなわち描画方向が反転する狭い描画間隔の領域を傾斜部５６ａ，５６ｂ，６２ａ，６２ｂとしたので、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせた際に、この各傾斜部５６ａ，５６ｂ，６２ａ，６２ｂにより表示領域までの距離を離すことができ、上部連結部５５ａ，５５ｂの両端のコーナ付近にシール材が比較的多く盛りつけられても、シール材の表示領域内への広がりが抑制されて、シール材の表示領域内への進入を防止することができる。更に、最後の対向基板形成領域２０に対するシール材の描画では、往路から復路に切りかわる領域には、対向基板形成領域２０から外方へ延出する折り返し点ＲＰを設けたので、両大型基板１１０，１２０を貼り合わせた際に、この折り返し点ＲＰのシール材が潰されて広がっても、表示領域内にシール材が入り込むことがない。
【００４６】
又、描画パターンＰＴが往路から復路に掛けて連続形成されるので、この描画パターンＰＴの描画に際して、描画タクト時間の短縮が実現でき、描画条件出しに要する段取り時間もほぼ一定となり、作業効率の大幅な向上を実現することができる。又、一つの行の描画パターンＰＴの描画では、描画開始点ＳＰと描画終了点ＥＰとが一カ所のみとなるためシール材に混入する気泡等の影響によるシール材の吐出不良が発生し難くなり、描画不良が低減されて、製品の歩留まり率が向上する。
【００４７】
そして、両大型基板１１０，１２０を所定に貼り合わせた後、シール材５２を硬化させる。その後、貼り合わされている大型基板１１０，１２０を、液晶装置単位毎に切り出す（基板切断工程）。
【００４８】
尚、本実施形態では、複数の対向基板形成領域２０が形成されている第１大型基板１２０側に描画パターンＰＴを描画したが、複数のＴＦＴ基板形成領域１０が形成されている第２大型基板１１０側に描画パターンＰＴを描画するようにしても良い。
【００４９】
［第２実施形態］
図８に本発明の第２実施形態による描画パターンの要部拡大図を示す。本実施形態では、描画パターンＰＴの描画に際し、領域毎に相対移動速度を可変させるようにしたものである。ディスペンサ３０のノズルからはシール材が定量吐出されているが、特にコーナ部では、直線部と同様の相対移動速度で描画を行うとシール材の断面積が減少して、シール切れが生じやすくなる。
【００５０】
従って、本実施形態では、シール材の途切れやすい領域の相対移動速度を遅く、途切れにくい領域の相対移動速度を速くすることで、描画パターンＰＴ全体の塗布量をほぼ均一となるようにしたものである。
【００５１】
図８に示すように、描画の相対移動速度をＡ＞Ｂ＞Ｃ＞Ｄとし、上部シール部５３の描画パターンＰＴでは、上辺部５９ａを面取り部６１ａにさしかかる手前まで、最も速い速度Ａで描画し、そこから面取り部５８ｂが終了するまで速度Ｂで描画し、右側部６０ａを再び速度Ａで右側傾斜部６２ａにさしかかる手前まで描画する。そして、そこから右側傾斜部６２ａを速度Ｂで描画し、上部連結部５５ａにさしかかるコーナ部を、最も遅い速度Ｄで描画する。
【００５２】
次いで、上部連結部５５ａを速度Ｂで描画し、右隣の対向基板形成領域２０の傾斜部５６ａに連続するコーナ部を最も遅い速度Ｄで描画し、次いで傾斜部５６ａから左側部５７ａの途中までを速度Ｃで描画し、そこから左側部５７ａの面取り部５８ａにさしかかる手前までを、最も速い速度Ａで描画し、そこから面取り部５８ａを速度Ｂで描画し、上辺部５９ａを最速の速度Ａで描画する。
【００５３】
一方、下部シール部５４の描画パターンＰＴでは、下辺部５９ｂを面取り部５８ｂにさしかかる手前まで、最も速い速度Ａで描画し、そこから面取り部５８ｂが終了するまで速度Ｂで描画し、左側部５７ｂを再び速度Ａで傾斜部５６ｂにさしかかる手前まで描画する。そして、そこから傾斜部５６ｂを速度Ｂで描画し、下部連結部５５ｂにさしかかるコーナ部を、最も遅い速度Ｄで描画する。
【００５４】
次いで、下部連結部５５ｂを速度Ｂで描画し、左隣の対向基板形成領域２０の傾斜部６２ｂに連続するコーナ部を最も遅い速度Ｄで描画し、次いで傾斜部６２ｂから右側部６０ｂの途中までを速度Ｃで描画し、そこから右側部６０ｂの面取り部６１ｂにさしかかる手前までを、最も速い速度Ａで描画し、そこから面取り部６１ｂを速度Ｂで描画し、下辺部５９ｂを最速の速度Ａで描画する。
【００５５】
このように、本実施形態では、各領域の相対移動速度を、シール材の塗布状況に応じて可変させるようにしたので、シール材の塗布量が均一となり、安定した描画を行うことができる。
【００５６】
［第３実施形態］
図９、図１０に本発明の第３実施形態を示す。図９に示すように、ディスペンサ３０を第１大型基板１２０に沿って移動させるに際しては、レーザ等を用いた非接触式変位計３１で第１大型基板１２０とディスペンサ３０のノズル端との距離を計測し、この距離を一定に保持するように制御しながら相対移動させている。
【００５７】
しかし、相対移動方向が急激に変化する領域では、進行方向が切換えられる都度に振動が発生する。この振動により非接触式変位計３１の計測値の誤差が大きくなり、計測精度が低下する。
【００５８】
従って、本実施形態では、図１０に示すように、上辺部５９ａと下辺部５９ｂ以外の、進行方向が大きく切りかわる領域では、非接触式変位計３１から信号を読込まず、第１大型基板１２０とディスペンサ３０のノズル端と間の距離を固定した状態で描画を行うようにしたものである。その結果、進行方向が急激に切りかわる領域において振動が発生しても、安定した描画を行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明における電気光学装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置以外に、パッシブマトリックス型の液晶装置、ＴＦＤ（薄型ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶装置であっても良く、更に、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display、及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）、更には、ＤＬＰ（Digital Light Processing）やＤＭＤ（Digital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１実施形態による電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図
【図２】同、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置であって、図１のH-H'断面図
【図３】同、大型基板どうしを貼り合わせる状態を示す斜視図
【図４】同、大型基板の平面図
【図５】同、図４の部分拡大図
【図６】同、（ａ）は貼り合わせ前の描画パターンを示す平面図、（ｂ）は貼り合わせ後の描画パターンの状態を示す平面図
【図７】同、図５のVII部拡大図
【図８】第２実施形態による描画パターンの要部拡大図
【図９】第３実施形態による大型基板にシール材を描画する状態の説明図
【図１０】同、描画パターンの説明図
【図１１】従来の描画パターンの説明図
【符号の説明】
【００６１】
１０…ＴＦＴ基板（基板形成領域）、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板（対向基板形成領域）、３０…ディスペンサ、３１…非接触式変位計、５２…シール材、５３…上部シール部、５４…下部シール部、５５…連結部、５５ａ…上部連結部、５５ｂ…下部連結部、５６ａ，…５６ｂ…左側傾斜部、５７ａ，５７ｂ…左側部、５８ａ，５８ｂ，６１ａ，６１ｂ…面取り部、５９ａ…上辺部、５９ｂ…下辺部、６０ａ，６０ｂ…右側部、６２ａ，６２ｂ…右側傾斜部、１１０…第２大型基板、１２０…第１大型基板、１２１…基板形成領域、Ａ〜Ｄ…描画速度、ＥＰ…描画終了点、ＲＰ…折り返し点、ＰＴ…描画パターン、ＳＰ…描画開始点
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板形成領域を有する第１大型基板に対して、少なくとも該各基板形成領域にシール材を描画するシール材描画工程と、
前記第１大型基板に対し前記シール材を介して第２大型基板を貼り合わせる大型基板貼り合わせ工程とを備え、
前記シール材描画工程では、予め設定されている描画パターンに従い、互いに隣接して配設されている複数の前記基板形成領域に対し、往路において前記基板形成領域の一部に前記シール材を連続描画し、該往路の終端に連続する折り返し点を経て復路へ移動し、該復路において該基板形成領域の他部に対してシール材を連続描画する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記シール材描画工程では、複数の前記基板形成領域の第１の辺に前記シール材の描画開始点と描画終了点とが位置しており、前記折り返し点が、前記第１の辺と対向する第２の辺に位置することを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記シール材描画工程では、前記シール材の描画開始点と描画終了点とが近接された位置に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記シール描画工程では、コーナ部の描画速度を直線部の描画速度よりも遅く設定されている
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記シール描画工程では、隣接する前記基板形成領域間に対するシール材の描画間隔が狭く設定されている
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
複数の基板形成領域を有する第１大型基板に対して、少なくとも該各基板形成領域にシール材を描画するシール材描画工程と、
前記第１大型基板に対し前記シール材を介して第２大型基板を貼り合わせる大型基板貼り合わせ工程とを備え、
前記シール材描画工程では、予め設定されている描画パターンに従い、互いに隣接して配設されている複数の前記基板形成領域に対し、往路において前記基板形成領域の一部に前記シール材を連続描画し、該往路の終端に連続する折り返し点を経て復路へ移動し、該復路において該基板形成領域の他部に対してシール材を連続描画する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記シール材描画工程では、複数の前記基板形成領域の第１の辺に前記シール材の描画開始点と描画終了点とが位置しており、前記折り返し点が、前記第１の辺と対向する第２の辺に位置することを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記シール材描画工程では、前記シール材の描画開始点と描画終了点とが近接された位置に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記シール描画工程では、コーナ部の描画速度を直線部の描画速度よりも遅く設定されている
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記シール描画工程では、隣接する前記基板形成領域間に対するシール材の描画間隔が狭く設定されている
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−３１０１００（Ｐ２００８−３１０１００Ａ）
【公開日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１５８３５４（Ｐ２００７−１５８３５４）
【出願日】平成１９年６月１５日（２００７．６．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１２月２５日（２００８．１２．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年６月１５日（２００７．６．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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