電気光学装置の製造方法
【課題】本発明は、リソグラフィー技術を用いる場合において、基板端部のレジストを確実に除去することができる電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、リソグラフィー技術を用いて電気光学装置用の基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記基板の端部に沿ってノズルから溶剤を吐出し、前記端部の前記レジストを除去するエッジリンス工程と、を有し、前記エッジリンス工程において、前記ノズルを前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることを特徴とする。
【解決手段】本発明は、リソグラフィー技術を用いて電気光学装置用の基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記基板の端部に沿ってノズルから溶剤を吐出し、前記端部の前記レジストを除去するエッジリンス工程と、を有し、前記エッジリンス工程において、前記ノズルを前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関し、特にリソグラフィー技術を用いる電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置のような電気光学装置に用いられる基板の製造工程では、所定の材料からなる膜（以下、被加工膜と称する）を所定のパターンに加工するためにリソグラフィー技術が用いられている。
【０００３】
リソグラフィー技術では、被加工膜上にレジストを塗布し、該レジストをマスクを介して露光した後に現像することにより、レジストパターンを形成する。そして、上面にレジストパターンが形成された被加工膜に対して、ウェット又はドライ方式のエッチングを行うことにより、被加工膜が所定のパターンに加工される。
【０００４】
このリソグラフィー技術において、基板の端部にレジストが残ってしまうと塵埃の発生源となり、後の工程において不具合を生じる可能性がある。この基板端部のレジストを除去する方法としては、特開２００６−９３４０９号公報や特開平６−１２４８８７号公報に開示されているような、周辺露光法及びエッジリンス法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−９３４０９号公報
【特許文献２】特開平６−１２４８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フォトレジスト等のレジストの外周部には、エッジリンス処理に用いられる溶剤によって溶解された後に再び凝固した特異状態部が存在する。該特異状態部は、レジストの他の部分に対して感度が低下してしまう。また、特異状態部は、レジストの他の部分に対して厚く盛り上がってしまう。
【０００７】
このような特異状態部が形成されたレジストの外周部を、周辺露光により除去しようとしても、現像残りが発生しやすい。このため、従来では、エッジリンス法及び周辺露光法を用いた場合においても、現像後に基板の端部にレジストが残ってしまうことがある。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、基板端部のレジストを確実に除去することができる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置用の基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記基板の端部に沿ってノズルから溶剤を吐出し、前記端部の前記レジストを除去するエッジリンス工程と、を有し、前記エッジリンス工程において、前記ノズルを前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることを特徴とする。
【００１０】
本発明のこのような構成によれば、レジストが現像工程後にも残留してしまうことの原因となる特異状態部の形成を従来よりも抑えることができるため、基板の端部のレジストを確実に除去することができる。
【００１１】
また本発明は、前記エッジリンス工程において、前記ノズルを第１目標位置と、該第１目標位置よりも外側の第２目標位置との間で前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させた後に、前記ノズルを前記第１目標位置よりも外側において、前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることが好ましい。
【００１２】
このような構成によれば、第１目標位置よりも外側のレジストを、エッジリンス工程において確実に除去することができる。
【００１３】
また本発明は、前記エッジリンス工程において、前記第１目標位置近傍では前記ノズルを停滞させずに連続的に移動させることが好ましい。
【００１４】
このような構成によれば、第１目標位置に、ノズルが溶剤を吐出しながら停滞することがないため、レジストの外周部が溶剤により溶解された後に再び凝固することで形成される特異状態部の形成を抑えることができる。
【００１５】
また、本発明は、前記エッジリンス工程後に、前記第１目標位置よりも前記基板の内側まで露光する周辺露光工程と、前記周辺露光工程後に前記レジストを現像する現像工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、周辺露光工程によって基板端部のレジストをより確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】ウェハーの平面図である。
【図４】リソグラフィー技術の概略を示すフローチャートである。
【図５】エッジリンス工程で用いられる処理装置の概略構成を示す図である。
【図６】エッジリンス工程におけるエッジリンスノズルの移動の制御形態を示す図である。
【図７】レジスト塗布工程によりレジストが塗布された状態のウェハーを示す図である。
【図８】エッジリンス工程における、溶剤の吐出時のエッジリンスノズルの位置を示す図である。
【図９】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルがウェハーの端面にまで移動した状態を示す図である。
【図１０】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルが第１目標位置に移動した状態を示す図である。
【図１１】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルが第２目標位置に移動した状態を示す図である。
【図１２】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルが第３目標位置に移動した状態を示す図である。
【図１３】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルが第２目標位置に移動し、停滞している状態を示す図である。
【図１４】エッジリンス工程が終了した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の好ましい形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各構成要素毎に縮尺を異ならせてあるものであり、本発明は、これらの図に記載された構成要素の数量、構成要素の形状、構成要素の大きさの比率、及び各構成要素の相対的な位置関係のみに限定されるものではない。
【００１９】
まず、本実施形態の電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。
【００２０】
電気光学装置１００は、ガラスもしくは石英等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を挟持してなり、液晶の配向状態を変化させることにより、画像表示領域１０ａに対向基板２０側から入射する光を変調しＴＦＴアレイ基板１０側から出射することで、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示するものである。
【００２１】
本実施形態に係る電気光学装置１００では、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間でありシール材５２により囲まれた領域内には、液晶５０が充填されている。シール材５２は、紫外線硬化型樹脂もしくは熱硬化型樹脂からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上又は対向基板２０上の少なくとも一方に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化されたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配設されている。
【００２２】
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を充填するための方法の一例として、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール材５２により貼り合わせた後に、シール材５２に設けられた開口部である液晶注入口１１０から液晶５０を充填する液晶注入方式を用いるものとする。なお、液晶注入口１１０は、複数設けられるものであってもよい。
【００２３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を充填する方法は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれかにシール材５２を設け、該シール材５２の内側に所定量の液晶５０を滴下した後にＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる滴下貼り合わせ方式であってもよい。
【００２４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。また、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より以遠を周辺領域として規定する。
【００２５】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われるように設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に対向する辺に沿って設けられ、額縁遮光膜５３に覆われるように設けられた複数の配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されている。
【００２６】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００２７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。
【００２８】
本実施形態では一例として、配向膜１６及び２２は、樹脂膜であるポリイミド膜（以下、ＰＩ膜と称する）にラビング処理を施すことにより形成されるものとする。なお、配向膜１６及び２２は、ポリイミド以外の樹脂膜にラビング処理を施すことによって形成されるものであってもよいし、ＳｉＯ２等の無機膜を斜方蒸着することにより形成されるいわゆる無機配向膜であってもよい。
【００２９】
液晶５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。液晶５０の液晶の配向状態に応じて、対向基板２０側から入射しＴＦＴアレイ基板１０側から出射する光の偏光状態が変化する。
【００３０】
また、図示しないが対向基板２０の入射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置されている。この一対の偏光板により電気光学装置１００の画像表示領域１０ａを透過する光の透過率が液晶の配向状態に応じて変化する。
【００３１】
以上に説明した電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０は、図３に示すような円板状の基板であるウェハー３５から切り出されることで形成される。ウェハー３５の表面３５ａ上には、リソグラフィー技術等の半導体製造方法を用いて上述のＴＦＴアレイ基板１０を構成するＴＦＴ、画素電極９ａ等が形成される。
【００３２】
以下に、本発明に係る電気光学装置の製造方法として、ウェハー３５上にリソグラフィー技術を用いて所定のパターンを有する膜を形成する方法について説明する。なお、以下では本発明に係る電気光学装置の製造方法と、従来のリソグラフィー技術との異なる点のみを詳細に説明するものとし、公知である点についてはその説明を適宜に省略するものとする。
【００３３】
まず、リソグラフィー技術の概略的な工程を図４のフローチャートを参照して説明する。リソグラフィー技術では、まず、当該リソグラフィー技術により形成したいパターンを構成するための所定の材料からなり所定の膜厚を有する被加工膜をウェハー３５上に形成する（ステップＳ１）。
【００３４】
次に、被加工膜上に所定の膜厚でレジストを塗布する（ステップＳ２）。そして、ウェハー３５の端部に塗布されているレジストを除去するための、詳しくは後述するエッジリンス処理及びバックリンス処理を行う（ステップＳ３）。
【００３５】
次に、レジストを除去したい領域のみに所定の波長の光を照射し、露光する（ステップＳ４）。次にウェハー３５の端部のレジストに所定の波長の光を照射し、レジストの外周部を露光する、いわゆる周辺露光を行う（ステップＳ５）。そして、レジストを現像液により現像することにより、露光された領域のレジストを除去する（ステップＳ６）。
【００３６】
以上の工程により、被加工膜の表面は、所定のパターンのレジストに覆われた領域と、露出した領域とに分かれる。この被加工膜のレジストに覆われていない露出した領域を、ドライエッチング法又はウェットエッチング法等によりエッチングすることにより、被加工膜は、所定のパターンに加工される（ステップＳ７）。そして、パターン上に残っているレジストを、剥離し除去する（ステップＳ８）。
【００３７】
本発明は、以上に述べたリソグラフィー技術において、特にステップＳ３のエッジリンス工程に関するものである。
まず、エッジリンス工程に用いられる電気光学装置の製造装置である処理装置２００の構成について説明する。
【００３８】
図５に示すように、処理装置２００は、処理装置２００の動作を制御する制御部２０１と、ウェハー３５を被加工膜３６を上方に向けた状態で略水平に保持し、ウェハー３５を略鉛直な軸周りに回転させることが可能な保持部２０２とを具備してなる。
【００３９】
また、保持部２０２に保持されたウェハー３５の端部３５ｂの近傍には、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１が配設されている。エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１は、いわゆるエッジリンス法に用いられるものであり、ウェハー３５の端部３５ｂに沿うようにウェハー３５の両側（上方及び下方）からウェハー３５の径方向外側に向けて溶剤を吐出するためのノズルである。
【００４０】
エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１は、溶剤を貯留する溶剤タンク２１２に接続されている。また、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１からの溶剤の吐出の制御は、それぞれバルブ２１４及び２１５により行われる。
【００４１】
また、エッジリンスノズル２１０は、ノズル移動機構部２１３により、ウェハー３５の径方向に沿って移動可能に支持されている。なお、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１から吐出される溶剤は、レジストを溶解することが可能なものであればよく、例えばＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡの混合溶液等が用いられる。
【００４２】
また、図示しないが、処理装置２００には、保持部２０２を回転させるための駆動機構、各部に電源を供給するための電源装置等が配設されている。
【００４３】
次に、上述した処理装置２００を用いて行われる、本実施形態の電気光学装置の製造方法であるステップＳ３のエッジリンス工程の詳細について説明する。
【００４４】
図６は、溶剤の吐出期間中におけるノズル移動機構部２１３によるエッジリンスノズル２１０の移動を示す図である。図６において、横軸は時間を示し、縦軸はエッジリンスノズル２１０の位置を示している。
【００４５】
以下の説明において、溶剤の吐出開始時間を、Ｔ＝０とし、溶剤の吐出終了時間をＴ＝ｔ７とする。すなわち、時間Ｔが０からｔ７の間は、エッジリンスノズル２１０から溶剤が吐出される。
【００４６】
また、図７に示すように、エッジリンスノズル２１０は、ウェハー３５の径方向に沿うＸ軸上を移動するものとし、ウェハー３５の端面をＸ＝０とする。またＸ軸において、ウェハー３５の端面よりも内側を正方向とする。また、図８から図１４は、エッジリンス工程の溶剤吐出期間中の様子を、時間Ｔ＝０から時間Ｔ＝ｔ７まで順を追って説明するための図である。
【００４７】
まず、ステップＳ３のエッジリンス工程に先だって行われるステップＳ２のレジスト塗布工程では、図７に示すように、スピンコート法等によりウェハー３５の被加工膜３６上に所定の厚さの膜状のレジスト３７が塗布される。この状態において、ウェハー３５の端部３５ｂでは、レジスト３７が、図７に示すようにウェハー３５の端面（外周面）にまで回り込むように塗布された状態となる。
【００４８】
ステップＳ３のエッジリンス工程では、まず図８に示すように、保持部２０２を回転させた状態において、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１から溶剤を吐出する（Ｔ＝０、Ｘ＝ｘｓ、ｘｓ＜０）。このとき、エッジリンスノズル２１０は、ウェハー３５の端部３５ｂから径方向外側に離間した吐出開始位置ｘｓに位置させておき、溶剤の吐出開始後に、エッジリンスノズル２１０を所定の速度でウェハー３５の径方向内側の第１目標位置ｘ１に向かって移動させる。
【００４９】
図９は、エッジリンスノズル２１０がウェハー３５の端面にまで移動した状態（Ｔ＝ｔ１、Ｘ＝０）を示しており、図１０は、エッジリンスノズル２１０が第１目標位置ｘ１に到達した状態（Ｔ＝ｔ２、Ｘ＝ｘ１）を示している。
【００５０】
図６に示すように、この第１目標位置ｘ１が、エッジリンスノズル２１０がウェハー３５の最も内側に位置する位置である。そして、本実施形態では、エッジリンスノズル２１０を第１目標位置ｘ１で停止させずに、第１目標位置ｘ１よりもウェハー３５の外側である第２目標位置ｘ２へエッジリンスノズル２１０を移動させる。図１１は、エッジリンスノズル２１０が、第１目標位置ｘ１から外側へ移動し第２目標位置ｘ２に到達した状態（Ｔ＝ｔ３、Ｘ＝ｘ２、ｘ２＜ｘ１）を示している。
【００５１】
言い換えれば、本実施形態では、時間ｔ１からｔ３の期間において、溶剤を吐出するエッジリンスノズル２１０を、ウェハー３５の内側方向及び外側方向へ揺動させる。
【００５２】
次に、エッジリンスノズル２１０を、第２目標位置ｘ２よりもウェハー３５の内側であり、かつ第１目標位置ｘ１よりもウェハーの外側である第３目標位置ｘ３へエッジリンスノズル２１０を移動させる。図１２は、エッジリンスノズル２１０が、第２目標位置ｘ２から内側へ移動し第３目標位置ｘ２３到達した状態（Ｔ＝ｔ４、Ｘ＝ｘ３、ｘ２＜ｘ３＜ｘ１）を示している。
【００５３】
次に、エッジリンスノズル２１０を第３目標位置ｘ３から、第２目標位置ｘ２へエッジリンスノズル２１０を移動させる。そして、エッジリンスノズル２１０を第２目標位置ｘ２に、時間Ｔ＝ｔ６まで停止させる。図１３は、エッジリンスノズル２１０が、第３目標位置ｘ１から外側へ移動し第２目標位置ｘ２に到達した状態（Ｔ＝ｔ５〜ｔ６、Ｘ＝ｘ２）を示している。
【００５４】
言い換えれば、本実施形態では、時間ｔ３からｔ５の期間において、溶剤を吐出するエッジリンスノズル２１０を、ウェハー３５の内側方向及び外側方向へ揺動させる。そしてこの時間ｔ３からｔ５の期間における揺動でエッジリンスノズル２１０がウェハー３５の最も内側に移動する位置ｘ３は、最初に行った時間ｔ１からｔ３の期間における揺動でエッジリンスノズル２１０がウェハー３５の最も内側に移動する位置ｘ１よりも、ウェハー３５の外側とされている。
【００５５】
この時間ｔ３からｔ５の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動、及び時間ｔ５からｔ６におけるエッジリンスノズル２１０の停滞によって、第３目標位置ｘ３よりも外側に塗布されていたレジストが除去される。
【００５６】
なお、時間ｔ３からｔ５の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動だけでは、第３目標位置ｘ３よりも外側に塗布されていたレジストが十分に除去できない場合には、第２目標位置ｘ２と第３目標位置ｘ３との間で複数回揺動を繰り返してもよい。また、時間ｔ３からｔ５の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動だけで、第３目標位置ｘ３よりも外側に塗布されていたレジストが十分に除去できる場合には、時間ｔ５からｔ６におけるエッジリンスノズル２１０の停滞を行わなくてもよい。
【００５７】
次に、エッジリンスノズル２１０を、第２目標位置ｘ２から、ウェハー３５から径方向外側に離間した吐出開始位置ｘｓへ移動させた後に、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１からの溶剤の吐出を停止する。図１４は、エッジリンスノズル２１０が吐出開始位置ｘｓに到達し、溶剤の吐出が停止した状態（Ｔ＝ｔ７、Ｘ＝ｘｓ）を示している。そして、保持部２０２の回転を停止する。
【００５８】
以上で、本実施形態のエッジリンス工程が終了する。この後のステップＳ５の周辺露光工程において、第１目標位置ｘ１よりも所定の距離だけ内側までウェハー３５の端部３５ｂを露光し、ステップＳ６の現像工程において現像処理を行うことにより、ウェハー３５の端部３５ｂに塗布されたレジスト３７が完全に除去される。
【００５９】
以上に説明したエッジリンス工程では、エッジリンスノズル２１０を時間ｔ１からｔ３の期間において、ウェハー３５の内側方向及び外側方向へ揺動させる。そして、この時間ｔ１からｔ３の期間における揺動では、エッジリンスノズル２１０は、常に移動するため、ウェハー３５の最も内側である第１目標位置ｘ１で停滞することがない。
【００６０】
したがって、本実施形態では、第１目標位置ｘ１辺りに位置するレジスト３７の外周部の近傍に、エッジリンスノズル２１０が溶剤を吐出しながら停滞することがないため、レジスト３７の外周部が溶剤により溶解された後に再び凝固することで形成される特異状態部の形成を抑えることができる。
【００６１】
すなわち、本実施形態によれば、レジストが現像工程後にも残留してしまうことの原因となる特異状態部の形成を従来よりも抑えることができるため、ウェハー３５の端部３５ｂのレジストを確実に除去することができる。
【００６２】
なお、上述した本実施形態では、時間ｔ１からｔ３の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動幅の大きい揺動の後に、時間ｔ３からｔ５の期間においてエッジリンスノズル２１０の揺動幅の小さい揺動を実施することで、第３目標位置ｘ３よりも外側に塗布されていたレジスト３７をエッジリンス工程で確実に除去するようにしているが、本発明はこの形態に限られるものではない。
【００６３】
例えば、時間ｔ１からｔ３の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動幅の大きい揺動のみによって、ウェハー３５の端部３５ｂ上のレジストを十分に除去できる場合であれば、その後のエッジリンスノズル２１０の揺動や停滞を行わなくてもよい。
【００６４】
なお、上述した本実施形態では、電気光学装置用の基板の一例として円板状のウェハー３５を用いているが、電気光学装置用の基板は矩形状であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法の技術的範囲に含まれるものである。
【００６６】
例えば、電気光学装置は、透過型の液晶パネルに限らず、半透過型又は反射型の液晶パネルにも適用できる。反射型の液晶パネルとしては、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ(Liquid Crystal On Silicon)がある。
【符号の説明】
【００６７】
３５ ウェハー、
３５ｂ 端部、
３６ 被加工膜、
３７ レジスト、
２００ 処理装置、
２０１ 制御部
２０２ 保持部、
２１０ エッジリンスノズル、
２１１ バックリンスノズル、
２１２ 溶剤タンク、
２１３ ノズル移動機構部、
２１４ バルブ、
２１５ バルブ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関し、特にリソグラフィー技術を用いる電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置のような電気光学装置に用いられる基板の製造工程では、所定の材料からなる膜（以下、被加工膜と称する）を所定のパターンに加工するためにリソグラフィー技術が用いられている。
【０００３】
リソグラフィー技術では、被加工膜上にレジストを塗布し、該レジストをマスクを介して露光した後に現像することにより、レジストパターンを形成する。そして、上面にレジストパターンが形成された被加工膜に対して、ウェット又はドライ方式のエッチングを行うことにより、被加工膜が所定のパターンに加工される。
【０００４】
このリソグラフィー技術において、基板の端部にレジストが残ってしまうと塵埃の発生源となり、後の工程において不具合を生じる可能性がある。この基板端部のレジストを除去する方法としては、特開２００６−９３４０９号公報や特開平６−１２４８８７号公報に開示されているような、周辺露光法及びエッジリンス法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−９３４０９号公報
【特許文献２】特開平６−１２４８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フォトレジスト等のレジストの外周部には、エッジリンス処理に用いられる溶剤によって溶解された後に再び凝固した特異状態部が存在する。該特異状態部は、レジストの他の部分に対して感度が低下してしまう。また、特異状態部は、レジストの他の部分に対して厚く盛り上がってしまう。
【０００７】
このような特異状態部が形成されたレジストの外周部を、周辺露光により除去しようとしても、現像残りが発生しやすい。このため、従来では、エッジリンス法及び周辺露光法を用いた場合においても、現像後に基板の端部にレジストが残ってしまうことがある。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、基板端部のレジストを確実に除去することができる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置用の基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記基板の端部に沿ってノズルから溶剤を吐出し、前記端部の前記レジストを除去するエッジリンス工程と、を有し、前記エッジリンス工程において、前記ノズルを前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることを特徴とする。
【００１０】
本発明のこのような構成によれば、レジストが現像工程後にも残留してしまうことの原因となる特異状態部の形成を従来よりも抑えることができるため、基板の端部のレジストを確実に除去することができる。
【００１１】
また本発明は、前記エッジリンス工程において、前記ノズルを第１目標位置と、該第１目標位置よりも外側の第２目標位置との間で前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させた後に、前記ノズルを前記第１目標位置よりも外側において、前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることが好ましい。
【００１２】
このような構成によれば、第１目標位置よりも外側のレジストを、エッジリンス工程において確実に除去することができる。
【００１３】
また本発明は、前記エッジリンス工程において、前記第１目標位置近傍では前記ノズルを停滞させずに連続的に移動させることが好ましい。
【００１４】
このような構成によれば、第１目標位置に、ノズルが溶剤を吐出しながら停滞することがないため、レジストの外周部が溶剤により溶解された後に再び凝固することで形成される特異状態部の形成を抑えることができる。
【００１５】
また、本発明は、前記エッジリンス工程後に、前記第１目標位置よりも前記基板の内側まで露光する周辺露光工程と、前記周辺露光工程後に前記レジストを現像する現像工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、周辺露光工程によって基板端部のレジストをより確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】ウェハーの平面図である。
【図４】リソグラフィー技術の概略を示すフローチャートである。
【図５】エッジリンス工程で用いられる処理装置の概略構成を示す図である。
【図６】エッジリンス工程におけるエッジリンスノズルの移動の制御形態を示す図である。
【図７】レジスト塗布工程によりレジストが塗布された状態のウェハーを示す図である。
【図８】エッジリンス工程における、溶剤の吐出時のエッジリンスノズルの位置を示す図である。
【図９】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルがウェハーの端面にまで移動した状態を示す図である。
【図１０】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルが第１目標位置に移動した状態を示す図である。
【図１１】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルが第２目標位置に移動した状態を示す図である。
【図１２】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルが第３目標位置に移動した状態を示す図である。
【図１３】エッジリンス工程において、エッジリンスノズルが第２目標位置に移動し、停滞している状態を示す図である。
【図１４】エッジリンス工程が終了した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の好ましい形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各構成要素毎に縮尺を異ならせてあるものであり、本発明は、これらの図に記載された構成要素の数量、構成要素の形状、構成要素の大きさの比率、及び各構成要素の相対的な位置関係のみに限定されるものではない。
【００１９】
まず、本実施形態の電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。
【００２０】
電気光学装置１００は、ガラスもしくは石英等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を挟持してなり、液晶の配向状態を変化させることにより、画像表示領域１０ａに対向基板２０側から入射する光を変調しＴＦＴアレイ基板１０側から出射することで、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示するものである。
【００２１】
本実施形態に係る電気光学装置１００では、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間でありシール材５２により囲まれた領域内には、液晶５０が充填されている。シール材５２は、紫外線硬化型樹脂もしくは熱硬化型樹脂からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上又は対向基板２０上の少なくとも一方に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化されたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配設されている。
【００２２】
本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を充填するための方法の一例として、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール材５２により貼り合わせた後に、シール材５２に設けられた開口部である液晶注入口１１０から液晶５０を充填する液晶注入方式を用いるものとする。なお、液晶注入口１１０は、複数設けられるものであってもよい。
【００２３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を充填する方法は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれかにシール材５２を設け、該シール材５２の内側に所定量の液晶５０を滴下した後にＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる滴下貼り合わせ方式であってもよい。
【００２４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。また、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より以遠を周辺領域として規定する。
【００２５】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われるように設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に対向する辺に沿って設けられ、額縁遮光膜５３に覆われるように設けられた複数の配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されている。
【００２６】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。
【００２７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。
【００２８】
本実施形態では一例として、配向膜１６及び２２は、樹脂膜であるポリイミド膜（以下、ＰＩ膜と称する）にラビング処理を施すことにより形成されるものとする。なお、配向膜１６及び２２は、ポリイミド以外の樹脂膜にラビング処理を施すことによって形成されるものであってもよいし、ＳｉＯ２等の無機膜を斜方蒸着することにより形成されるいわゆる無機配向膜であってもよい。
【００２９】
液晶５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。液晶５０の液晶の配向状態に応じて、対向基板２０側から入射しＴＦＴアレイ基板１０側から出射する光の偏光状態が変化する。
【００３０】
また、図示しないが対向基板２０の入射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置されている。この一対の偏光板により電気光学装置１００の画像表示領域１０ａを透過する光の透過率が液晶の配向状態に応じて変化する。
【００３１】
以上に説明した電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０は、図３に示すような円板状の基板であるウェハー３５から切り出されることで形成される。ウェハー３５の表面３５ａ上には、リソグラフィー技術等の半導体製造方法を用いて上述のＴＦＴアレイ基板１０を構成するＴＦＴ、画素電極９ａ等が形成される。
【００３２】
以下に、本発明に係る電気光学装置の製造方法として、ウェハー３５上にリソグラフィー技術を用いて所定のパターンを有する膜を形成する方法について説明する。なお、以下では本発明に係る電気光学装置の製造方法と、従来のリソグラフィー技術との異なる点のみを詳細に説明するものとし、公知である点についてはその説明を適宜に省略するものとする。
【００３３】
まず、リソグラフィー技術の概略的な工程を図４のフローチャートを参照して説明する。リソグラフィー技術では、まず、当該リソグラフィー技術により形成したいパターンを構成するための所定の材料からなり所定の膜厚を有する被加工膜をウェハー３５上に形成する（ステップＳ１）。
【００３４】
次に、被加工膜上に所定の膜厚でレジストを塗布する（ステップＳ２）。そして、ウェハー３５の端部に塗布されているレジストを除去するための、詳しくは後述するエッジリンス処理及びバックリンス処理を行う（ステップＳ３）。
【００３５】
次に、レジストを除去したい領域のみに所定の波長の光を照射し、露光する（ステップＳ４）。次にウェハー３５の端部のレジストに所定の波長の光を照射し、レジストの外周部を露光する、いわゆる周辺露光を行う（ステップＳ５）。そして、レジストを現像液により現像することにより、露光された領域のレジストを除去する（ステップＳ６）。
【００３６】
以上の工程により、被加工膜の表面は、所定のパターンのレジストに覆われた領域と、露出した領域とに分かれる。この被加工膜のレジストに覆われていない露出した領域を、ドライエッチング法又はウェットエッチング法等によりエッチングすることにより、被加工膜は、所定のパターンに加工される（ステップＳ７）。そして、パターン上に残っているレジストを、剥離し除去する（ステップＳ８）。
【００３７】
本発明は、以上に述べたリソグラフィー技術において、特にステップＳ３のエッジリンス工程に関するものである。
まず、エッジリンス工程に用いられる電気光学装置の製造装置である処理装置２００の構成について説明する。
【００３８】
図５に示すように、処理装置２００は、処理装置２００の動作を制御する制御部２０１と、ウェハー３５を被加工膜３６を上方に向けた状態で略水平に保持し、ウェハー３５を略鉛直な軸周りに回転させることが可能な保持部２０２とを具備してなる。
【００３９】
また、保持部２０２に保持されたウェハー３５の端部３５ｂの近傍には、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１が配設されている。エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１は、いわゆるエッジリンス法に用いられるものであり、ウェハー３５の端部３５ｂに沿うようにウェハー３５の両側（上方及び下方）からウェハー３５の径方向外側に向けて溶剤を吐出するためのノズルである。
【００４０】
エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１は、溶剤を貯留する溶剤タンク２１２に接続されている。また、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１からの溶剤の吐出の制御は、それぞれバルブ２１４及び２１５により行われる。
【００４１】
また、エッジリンスノズル２１０は、ノズル移動機構部２１３により、ウェハー３５の径方向に沿って移動可能に支持されている。なお、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１から吐出される溶剤は、レジストを溶解することが可能なものであればよく、例えばＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡの混合溶液等が用いられる。
【００４２】
また、図示しないが、処理装置２００には、保持部２０２を回転させるための駆動機構、各部に電源を供給するための電源装置等が配設されている。
【００４３】
次に、上述した処理装置２００を用いて行われる、本実施形態の電気光学装置の製造方法であるステップＳ３のエッジリンス工程の詳細について説明する。
【００４４】
図６は、溶剤の吐出期間中におけるノズル移動機構部２１３によるエッジリンスノズル２１０の移動を示す図である。図６において、横軸は時間を示し、縦軸はエッジリンスノズル２１０の位置を示している。
【００４５】
以下の説明において、溶剤の吐出開始時間を、Ｔ＝０とし、溶剤の吐出終了時間をＴ＝ｔ７とする。すなわち、時間Ｔが０からｔ７の間は、エッジリンスノズル２１０から溶剤が吐出される。
【００４６】
また、図７に示すように、エッジリンスノズル２１０は、ウェハー３５の径方向に沿うＸ軸上を移動するものとし、ウェハー３５の端面をＸ＝０とする。またＸ軸において、ウェハー３５の端面よりも内側を正方向とする。また、図８から図１４は、エッジリンス工程の溶剤吐出期間中の様子を、時間Ｔ＝０から時間Ｔ＝ｔ７まで順を追って説明するための図である。
【００４７】
まず、ステップＳ３のエッジリンス工程に先だって行われるステップＳ２のレジスト塗布工程では、図７に示すように、スピンコート法等によりウェハー３５の被加工膜３６上に所定の厚さの膜状のレジスト３７が塗布される。この状態において、ウェハー３５の端部３５ｂでは、レジスト３７が、図７に示すようにウェハー３５の端面（外周面）にまで回り込むように塗布された状態となる。
【００４８】
ステップＳ３のエッジリンス工程では、まず図８に示すように、保持部２０２を回転させた状態において、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１から溶剤を吐出する（Ｔ＝０、Ｘ＝ｘｓ、ｘｓ＜０）。このとき、エッジリンスノズル２１０は、ウェハー３５の端部３５ｂから径方向外側に離間した吐出開始位置ｘｓに位置させておき、溶剤の吐出開始後に、エッジリンスノズル２１０を所定の速度でウェハー３５の径方向内側の第１目標位置ｘ１に向かって移動させる。
【００４９】
図９は、エッジリンスノズル２１０がウェハー３５の端面にまで移動した状態（Ｔ＝ｔ１、Ｘ＝０）を示しており、図１０は、エッジリンスノズル２１０が第１目標位置ｘ１に到達した状態（Ｔ＝ｔ２、Ｘ＝ｘ１）を示している。
【００５０】
図６に示すように、この第１目標位置ｘ１が、エッジリンスノズル２１０がウェハー３５の最も内側に位置する位置である。そして、本実施形態では、エッジリンスノズル２１０を第１目標位置ｘ１で停止させずに、第１目標位置ｘ１よりもウェハー３５の外側である第２目標位置ｘ２へエッジリンスノズル２１０を移動させる。図１１は、エッジリンスノズル２１０が、第１目標位置ｘ１から外側へ移動し第２目標位置ｘ２に到達した状態（Ｔ＝ｔ３、Ｘ＝ｘ２、ｘ２＜ｘ１）を示している。
【００５１】
言い換えれば、本実施形態では、時間ｔ１からｔ３の期間において、溶剤を吐出するエッジリンスノズル２１０を、ウェハー３５の内側方向及び外側方向へ揺動させる。
【００５２】
次に、エッジリンスノズル２１０を、第２目標位置ｘ２よりもウェハー３５の内側であり、かつ第１目標位置ｘ１よりもウェハーの外側である第３目標位置ｘ３へエッジリンスノズル２１０を移動させる。図１２は、エッジリンスノズル２１０が、第２目標位置ｘ２から内側へ移動し第３目標位置ｘ２３到達した状態（Ｔ＝ｔ４、Ｘ＝ｘ３、ｘ２＜ｘ３＜ｘ１）を示している。
【００５３】
次に、エッジリンスノズル２１０を第３目標位置ｘ３から、第２目標位置ｘ２へエッジリンスノズル２１０を移動させる。そして、エッジリンスノズル２１０を第２目標位置ｘ２に、時間Ｔ＝ｔ６まで停止させる。図１３は、エッジリンスノズル２１０が、第３目標位置ｘ１から外側へ移動し第２目標位置ｘ２に到達した状態（Ｔ＝ｔ５〜ｔ６、Ｘ＝ｘ２）を示している。
【００５４】
言い換えれば、本実施形態では、時間ｔ３からｔ５の期間において、溶剤を吐出するエッジリンスノズル２１０を、ウェハー３５の内側方向及び外側方向へ揺動させる。そしてこの時間ｔ３からｔ５の期間における揺動でエッジリンスノズル２１０がウェハー３５の最も内側に移動する位置ｘ３は、最初に行った時間ｔ１からｔ３の期間における揺動でエッジリンスノズル２１０がウェハー３５の最も内側に移動する位置ｘ１よりも、ウェハー３５の外側とされている。
【００５５】
この時間ｔ３からｔ５の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動、及び時間ｔ５からｔ６におけるエッジリンスノズル２１０の停滞によって、第３目標位置ｘ３よりも外側に塗布されていたレジストが除去される。
【００５６】
なお、時間ｔ３からｔ５の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動だけでは、第３目標位置ｘ３よりも外側に塗布されていたレジストが十分に除去できない場合には、第２目標位置ｘ２と第３目標位置ｘ３との間で複数回揺動を繰り返してもよい。また、時間ｔ３からｔ５の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動だけで、第３目標位置ｘ３よりも外側に塗布されていたレジストが十分に除去できる場合には、時間ｔ５からｔ６におけるエッジリンスノズル２１０の停滞を行わなくてもよい。
【００５７】
次に、エッジリンスノズル２１０を、第２目標位置ｘ２から、ウェハー３５から径方向外側に離間した吐出開始位置ｘｓへ移動させた後に、エッジリンスノズル２１０及びバックリンスノズル２１１からの溶剤の吐出を停止する。図１４は、エッジリンスノズル２１０が吐出開始位置ｘｓに到達し、溶剤の吐出が停止した状態（Ｔ＝ｔ７、Ｘ＝ｘｓ）を示している。そして、保持部２０２の回転を停止する。
【００５８】
以上で、本実施形態のエッジリンス工程が終了する。この後のステップＳ５の周辺露光工程において、第１目標位置ｘ１よりも所定の距離だけ内側までウェハー３５の端部３５ｂを露光し、ステップＳ６の現像工程において現像処理を行うことにより、ウェハー３５の端部３５ｂに塗布されたレジスト３７が完全に除去される。
【００５９】
以上に説明したエッジリンス工程では、エッジリンスノズル２１０を時間ｔ１からｔ３の期間において、ウェハー３５の内側方向及び外側方向へ揺動させる。そして、この時間ｔ１からｔ３の期間における揺動では、エッジリンスノズル２１０は、常に移動するため、ウェハー３５の最も内側である第１目標位置ｘ１で停滞することがない。
【００６０】
したがって、本実施形態では、第１目標位置ｘ１辺りに位置するレジスト３７の外周部の近傍に、エッジリンスノズル２１０が溶剤を吐出しながら停滞することがないため、レジスト３７の外周部が溶剤により溶解された後に再び凝固することで形成される特異状態部の形成を抑えることができる。
【００６１】
すなわち、本実施形態によれば、レジストが現像工程後にも残留してしまうことの原因となる特異状態部の形成を従来よりも抑えることができるため、ウェハー３５の端部３５ｂのレジストを確実に除去することができる。
【００６２】
なお、上述した本実施形態では、時間ｔ１からｔ３の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動幅の大きい揺動の後に、時間ｔ３からｔ５の期間においてエッジリンスノズル２１０の揺動幅の小さい揺動を実施することで、第３目標位置ｘ３よりも外側に塗布されていたレジスト３７をエッジリンス工程で確実に除去するようにしているが、本発明はこの形態に限られるものではない。
【００６３】
例えば、時間ｔ１からｔ３の期間におけるエッジリンスノズル２１０の揺動幅の大きい揺動のみによって、ウェハー３５の端部３５ｂ上のレジストを十分に除去できる場合であれば、その後のエッジリンスノズル２１０の揺動や停滞を行わなくてもよい。
【００６４】
なお、上述した本実施形態では、電気光学装置用の基板の一例として円板状のウェハー３５を用いているが、電気光学装置用の基板は矩形状であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法の技術的範囲に含まれるものである。
【００６６】
例えば、電気光学装置は、透過型の液晶パネルに限らず、半透過型又は反射型の液晶パネルにも適用できる。反射型の液晶パネルとしては、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ(Liquid Crystal On Silicon)がある。
【符号の説明】
【００６７】
３５ ウェハー、
３５ｂ 端部、
３６ 被加工膜、
３７ レジスト、
２００ 処理装置、
２０１ 制御部
２０２ 保持部、
２１０ エッジリンスノズル、
２１１ バックリンスノズル、
２１２ 溶剤タンク、
２１３ ノズル移動機構部、
２１４ バルブ、
２１５ バルブ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置用の基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記基板の端部に沿ってノズルから溶剤を吐出し、前記端部の前記レジストを除去するエッジリンス工程と、
を有し、
前記エッジリンス工程において、前記ノズルを前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッジリンス工程において、
前記ノズルを第１目標位置と、該第１目標位置よりも外側の第２目標位置との間で前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させた後に、
前記ノズルを前記第１目標位置よりも外側において、前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッジリンス工程において、前記第１目標位置近傍では前記ノズルを停滞させずに連続的に移動させることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッジリンス工程後に、前記第１目標位置よりも前記基板の内側まで露光する周辺露光工程と、
前記周辺露光工程後に前記レジストを現像する現像工程と、を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
電気光学装置用の基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記基板の端部に沿ってノズルから溶剤を吐出し、前記端部の前記レジストを除去するエッジリンス工程と、
を有し、
前記エッジリンス工程において、前記ノズルを前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッジリンス工程において、
前記ノズルを第１目標位置と、該第１目標位置よりも外側の第２目標位置との間で前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させた後に、
前記ノズルを前記第１目標位置よりも外側において、前記基板の内側方向及び外側方向へ揺動させることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッジリンス工程において、前記第１目標位置近傍では前記ノズルを停滞させずに連続的に移動させることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッジリンス工程後に、前記第１目標位置よりも前記基板の内側まで露光する周辺露光工程と、
前記周辺露光工程後に前記レジストを現像する現像工程と、を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−２１７３５８（Ｐ２０１０−２１７３５８Ａ）
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−６２４００（Ｐ２００９−６２４００）
【出願日】平成２１年３月１６日（２００９．３．１６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１６日（２００９．３．１６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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