電気光学装置の製造方法
【課題】基板表面に残留している金属不純物を適切に除去する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法における洗浄工程は、基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、オゾン水処理工程の後に基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、第１リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、第１希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、第２リンス処理工程の後に基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、第１混合流体処理工程の後に基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、第３リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、第２希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、第４リンス処理工程の後に基板を乾燥させる乾燥工程とを含む。
【解決手段】電気光学装置の製造方法における洗浄工程は、基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、オゾン水処理工程の後に基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、第１リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、第１希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、第２リンス処理工程の後に基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、第１混合流体処理工程の後に基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、第３リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、第２希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、第４リンス処理工程の後に基板を乾燥させる乾燥工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法に関し、特に、電気光学装置を構成する基板の洗浄方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の方法では、製造工程において、電気光学装置を構成する基板表面に残留している金属不純物を良好に除去することが図られる。例えば特許文献１には、酸化処理液及びエッチング処理液を基板表面に供給する該基板の化学的な洗浄に加えて、ソフトスプレーによる基板の物理的な洗浄を行う方法が開示されている。
【０００３】
或いは、特許文献２には、基板を略水平面内において回転させつつ、リンス純水を該基板上に吐出して該基板上に液膜を形成した後に、洗浄液と加圧された気体とが混合された洗浄ミストを該基板上に吐出する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−７９７５５号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９０８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の背景技術を用いたとしても基板表面に残留している金属不純物を十分には除去できない場合がある。すると、金属不純物を除去する工程の後に形成された金属膜にウィスカー成長が生じる可能性があるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、基板表面に残留している金属不純物を適切に除去することができる電気光学装置の製造方法を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に、第１の導電性材料を含んでなる第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、前記第１導電層の上に、絶縁材料を含んでなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の上に、所定形状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンを用いて、前記絶縁層にエッチングを施すエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、前記レジストパターンを除去するアッシング工程と、前記アッシング工程の後に、前記基板表面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の後に、前記エッチングされた絶縁層の上に、第２の導電性材料を含んでなる第２導電層を形成する第２導電層形成工程とを備え、前記洗浄工程は、前記基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、前記オゾン水処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、前記第１リンス処理工程の後に、前記基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、前記第１希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、前記第２リンス処理工程の後に、前記基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、前記第１混合流体処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、前記第３リンス処理工程の後に、前記基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、前記第２希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、前記第４リンス処理工程の後に、前記基板を乾燥させる乾燥工程とを含む。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、当該製造方法は、第１導電層形成工程、絶縁層形成工程、レジストパターン形成工程、エッチング工程、アッシング工程、洗浄工程及び第２導電層形成工程を備えている。
【０００９】
第１導電層形成工程において、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板上に、例えば高純度多結晶シリコン（所謂、ポリシリコン）等の第１の導電性材料を含んでなる第１導電層が形成される。
【００１０】
次に、絶縁層形成工程において、例えば珪酸ガラス等の絶縁材料を含んでなる絶縁層が形成される。次に、レジストパターン形成工程において、絶縁層の上に、所定形状のレジストパターンが形成される。
【００１１】
次に、エッチング工程において、レジストパターンを用いて絶縁層にエッチングが施される。次に、アッシング工程において、例えば酸素プラズマアッシング等により、レジストパターンが除去される。
【００１２】
次に、洗浄工程において、基板表面が洗浄される。次に、第２導電層形成工程において、例えばポリシリコン等の第２の導電性材料を含んでなる第２導電層が形成される。尚、第１の導電性材料及び第２の導電性材料は、同一であってもよいし、相互に異なっていてもよい。
【００１３】
洗浄工程は、オゾン水処理工程、第１リンス処理工程、第１希フッ酸処理工程、第２リンス処理工程、第１混合流体処理工程、第３リンス処理工程、第２希フッ酸処理工程、第４リンス処理工程及び乾燥工程を含んでいる。
【００１４】
オゾン水処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面にオゾン水が供給され、該基板表面が酸化される。次に、第１リンス処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に純水が供給され、オゾン水が洗い流される。
【００１５】
次に、第１希フッ酸処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に希フッ酸が供給され、オゾン水処理工程において形成された酸化膜が除去される。この工程において、基板表面に残留している金属不純物の少なくとも一部が酸化膜と共に除去される。
【００１６】
次に、第２リンス処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される。次に、第１混合流体処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に、例えば純水等の洗浄液と、例えば窒素等の気体とが混合されてなる混合流体が供給され、第１希フッ酸処理工程において除去されなかった金属不純物が除去される。
【００１７】
次に、第３リンス処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に純水が供給され、混合流体が洗い流される。次に、第２希フッ酸処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に希フッ酸が供給され、第１混合流体処理工程において自然形成された酸化膜が除去される。
【００１８】
次に、第４リンス処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される。次に、乾燥工程において、基板が高速回転されることにより、基板が乾燥される。
【００１９】
本願発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、レジストパターンをプラズマアッシングにより除去すると、比較的高温環境になり、レジストパターンに含まれる、例えばステンレス等の金属不純物が、比較的強固に基板表面に付着する。このため、オゾン水処理と希フッ酸処理との組み合わせでは、金属不純物を十分には除去できないおそれがある。他方で、硫酸とオゾン水とを用いて基板表面を洗浄する方法が提案されているが、環境負荷が比較的大きくなるおそれがある。
【００２０】
しかるに本発明では、上述の如く、洗浄工程が、オゾン水処理工程及び第１希フッ酸処理工程の後に、第１混合流体工程を含んでいる。このため、オゾン水処理工程及び第１希フッ酸処理工程によって付着力が弱められた金属不純物を、第１混合流体工程において除去することができる。
【００２１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る洗浄工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態の変形例に係る洗浄工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめている。
【００２４】
＜電気光学装置＞
先ず、本発明に係る電気光学装置の実施形態を、図１及び図２を参照して説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００２５】
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２６】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２８】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２９】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のトランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３２】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３３】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３４】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００３５】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３６】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図３及び図４を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【００３７】
下層配線形成工程において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、例えばポリシリコン等を含んでなる下層配線２１０が形成された後、絶縁層形成工程において、該下層配線２１０の上に、例えば珪酸ガラスを含んでなる層間絶縁膜２２０が形成される（図３（ａ）参照）。
【００３８】
尚、下層配線２１０は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等により形成すればよい。
【００３９】
次に、レジストパターン形成工程において、層間絶縁膜２２０の上に、所定形状のレジストパターン２３０が形成される（図３（ｂ）参照）。この際、レジストパターン２３０には、微量の金属不純物Ｒが含まれることが、本願発明者の研究により判明している。尚、レジストパターン２３０を形成するための、レジスト膜のパターニングには、例えばフォトリソグラフィ等を用いればよい。
【００４０】
次に、エッチング工程において、レジストパターン２３０を用いて層間絶縁膜２２０に対し、例えばドライエッチング等のエッチングが施されることにより、層間絶縁膜２２０に、例えばコンタクトホール２２１等が形成される（図３（ｃ）参照）。
【００４１】
次に、アッシング工程において、例えば酸素プラズマアッシング等により、レジストパターン２３０が除去される（図３（ｄ）参照）。この際、レジストパターン２３０に含まれていた金属不純物Ｒの少なくとも一部が、層間絶縁膜２２０等の上（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の表面）に残留することが、本願発明者の研究により判明している。
【００４２】
次に、洗浄工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の表面がスピン洗浄されることにより、金属不純物Ｒが除去される（図３（ｅ）参照）。次に、上層配線形成工程において、層間絶縁膜２２０の上に、例えばポリシリコン等を含んでなる上層配線２４０が形成される（図３（ｆ）参照）。尚、下層配線２１０と上層配線２４０とは、コンタクトホール２２１を介して電気的に接続される。
【００４３】
尚、本実施形態に係る「下層配線形成工程」、「上層配線形成工程」、「下層配線２１０」、「層間絶縁膜２２０」及び「上層配線２４０」は、夫々、本発明に係る「第１導電層形成工程」、「第２導電層形成工程」、「第１導電層」、「絶縁層」及び「第２導電層」の一例である。また、本実施形態に係る「ポリシリコン」は、本発明に係る「第１の導電性材料」及び「第２の導電性材料」の一例である。
【００４４】
次に、本実施形態に係る洗浄工程について、図４のフローチャートを参照して説明を加える。
【００４５】
図４において、先ず、オゾン水処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面にオゾン水が供給されることによって、該ＴＦＴアレイ基板１０表面が酸化される（ステップＳ１０１）。次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、オゾン水が洗い流される（ステップＳ１０２）。
【００４６】
次に、希フッ酸処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に希フッ酸が供給され、オゾン水処理工程Ｓ１０１において形成された酸化膜が除去される（ステップＳ１０３）。この工程において、ＴＦＴアレイ基板１０表面に残留している金属不純物Ｒの少なくとも一部が酸化膜と共に除去される。次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される（ステップＳ１０４）。
【００４７】
次に、混合流体処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に、純水と窒素とが混合されてなる混合流体が供給され、希フッ酸処理工程Ｓ１０３において除去されなかった金属不純物Ｒが除去される（ステップＳ１０５）。ここで、混合流体は、例えば、純水１５０ミリリットルに、窒素２リットルを混合してなる洗浄ミストである。
【００４８】
尚、混合流体処理工程Ｓ１０５では、混合流体を吐出するノズルが、ＴＦＴアレイ基板１０の表面をスキャンするように移動される。
【００４９】
希フッ酸処理工程Ｓ１０３において除去されなかった金属不純物Ｒは、その付着力が、該希フッ酸処理工程Ｓ１０３によって大なり小なり弱められているので、混合流体処理工程Ｓ１０５において、金属不純物Ｒを比較的容易に除去することが可能であることが本願発明者の研究により判明している。
【００５０】
次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、混合流体が洗い流される（ステップＳ１０６）。
【００５１】
次に、希フッ酸処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に希フッ酸が供給され、混合流体処理工程Ｓ１０５において、例えば下層配線２１０のうちコンタクトホール２２１により露出されている表面に自然形成された酸化膜が除去される（ステップＳ１０７）。
【００５２】
次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される（ステップＳ１０８）。次に、スピン乾燥工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が高速回転されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０が乾燥される（ステップＳ１０９）。
【００５３】
尚、本実施形態に係る「ステップＳ１０２」、「ステップＳ１０３」、「ステップＳ１０４」、「ステップＳ１０５」、「ステップＳ１０６」、「ステップＳ１０７」、「ステップＳ１０８」及び「ステップＳ１０９」は、夫々、本発明に係る「第１リンス処理工程」、「第１希フッ酸処理工程」、「第２リンス処理工程」、「第１混合流体処理工程」、「第３リンス処理工程」、「第２希フッ酸処理工程」、「第４リンス処理工程」及び「乾燥工程」の一例である。
【００５４】
＜変形例＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態の変形例を、図５のフローチャートを参照して説明する。
【００５５】
図５において、先ず、希フッ酸処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に希フッ酸が供給される（ステップＳ２０１）。次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される（ステップＳ２０２）。
【００５６】
次に、混合流体処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に、純水と窒素とが混合されてなる混合流体が供給される（ステップＳ２０３）。次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、混合流体が洗い流される（ステップＳ２０４）。次に、上述したステップＳ１０１以降の処理が順に実行される。
【００５７】
このように構成すれば、金属不純物Ｒの除去性を向上させることができ、実用上非常に有利である。
【００５８】
尚、本変形例に係る「ステップＳ２０１」、「ステップＳ２０２」、「ステップＳ２０３」及び「ステップＳ２０４」は、夫々、本発明に係る「第３希フッ酸処理工程」、「第５リンス処理工程」、「第２混合流体処理工程」及び「第６リンス処理工程」の一例である。
【００５９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６０】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１００…液晶装置、２１０…下層配線、２２０…層間絶縁膜、２３０…レジストパターン、２４０…上層配線、Ｒ…金属不純物
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置の製造方法に関し、特に、電気光学装置を構成する基板の洗浄方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の方法では、製造工程において、電気光学装置を構成する基板表面に残留している金属不純物を良好に除去することが図られる。例えば特許文献１には、酸化処理液及びエッチング処理液を基板表面に供給する該基板の化学的な洗浄に加えて、ソフトスプレーによる基板の物理的な洗浄を行う方法が開示されている。
【０００３】
或いは、特許文献２には、基板を略水平面内において回転させつつ、リンス純水を該基板上に吐出して該基板上に液膜を形成した後に、洗浄液と加圧された気体とが混合された洗浄ミストを該基板上に吐出する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−７９７５５号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９０８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の背景技術を用いたとしても基板表面に残留している金属不純物を十分には除去できない場合がある。すると、金属不純物を除去する工程の後に形成された金属膜にウィスカー成長が生じる可能性があるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、基板表面に残留している金属不純物を適切に除去することができる電気光学装置の製造方法を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に、第１の導電性材料を含んでなる第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、前記第１導電層の上に、絶縁材料を含んでなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の上に、所定形状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンを用いて、前記絶縁層にエッチングを施すエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、前記レジストパターンを除去するアッシング工程と、前記アッシング工程の後に、前記基板表面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の後に、前記エッチングされた絶縁層の上に、第２の導電性材料を含んでなる第２導電層を形成する第２導電層形成工程とを備え、前記洗浄工程は、前記基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、前記オゾン水処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、前記第１リンス処理工程の後に、前記基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、前記第１希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、前記第２リンス処理工程の後に、前記基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、前記第１混合流体処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、前記第３リンス処理工程の後に、前記基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、前記第２希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、前記第４リンス処理工程の後に、前記基板を乾燥させる乾燥工程とを含む。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、当該製造方法は、第１導電層形成工程、絶縁層形成工程、レジストパターン形成工程、エッチング工程、アッシング工程、洗浄工程及び第２導電層形成工程を備えている。
【０００９】
第１導電層形成工程において、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板上に、例えば高純度多結晶シリコン（所謂、ポリシリコン）等の第１の導電性材料を含んでなる第１導電層が形成される。
【００１０】
次に、絶縁層形成工程において、例えば珪酸ガラス等の絶縁材料を含んでなる絶縁層が形成される。次に、レジストパターン形成工程において、絶縁層の上に、所定形状のレジストパターンが形成される。
【００１１】
次に、エッチング工程において、レジストパターンを用いて絶縁層にエッチングが施される。次に、アッシング工程において、例えば酸素プラズマアッシング等により、レジストパターンが除去される。
【００１２】
次に、洗浄工程において、基板表面が洗浄される。次に、第２導電層形成工程において、例えばポリシリコン等の第２の導電性材料を含んでなる第２導電層が形成される。尚、第１の導電性材料及び第２の導電性材料は、同一であってもよいし、相互に異なっていてもよい。
【００１３】
洗浄工程は、オゾン水処理工程、第１リンス処理工程、第１希フッ酸処理工程、第２リンス処理工程、第１混合流体処理工程、第３リンス処理工程、第２希フッ酸処理工程、第４リンス処理工程及び乾燥工程を含んでいる。
【００１４】
オゾン水処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面にオゾン水が供給され、該基板表面が酸化される。次に、第１リンス処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に純水が供給され、オゾン水が洗い流される。
【００１５】
次に、第１希フッ酸処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に希フッ酸が供給され、オゾン水処理工程において形成された酸化膜が除去される。この工程において、基板表面に残留している金属不純物の少なくとも一部が酸化膜と共に除去される。
【００１６】
次に、第２リンス処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される。次に、第１混合流体処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に、例えば純水等の洗浄液と、例えば窒素等の気体とが混合されてなる混合流体が供給され、第１希フッ酸処理工程において除去されなかった金属不純物が除去される。
【００１７】
次に、第３リンス処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に純水が供給され、混合流体が洗い流される。次に、第２希フッ酸処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に希フッ酸が供給され、第１混合流体処理工程において自然形成された酸化膜が除去される。
【００１８】
次に、第４リンス処理工程において、基板が所定回転数で回転されつつ、基板表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される。次に、乾燥工程において、基板が高速回転されることにより、基板が乾燥される。
【００１９】
本願発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、レジストパターンをプラズマアッシングにより除去すると、比較的高温環境になり、レジストパターンに含まれる、例えばステンレス等の金属不純物が、比較的強固に基板表面に付着する。このため、オゾン水処理と希フッ酸処理との組み合わせでは、金属不純物を十分には除去できないおそれがある。他方で、硫酸とオゾン水とを用いて基板表面を洗浄する方法が提案されているが、環境負荷が比較的大きくなるおそれがある。
【００２０】
しかるに本発明では、上述の如く、洗浄工程が、オゾン水処理工程及び第１希フッ酸処理工程の後に、第１混合流体工程を含んでいる。このため、オゾン水処理工程及び第１希フッ酸処理工程によって付着力が弱められた金属不純物を、第１混合流体工程において除去することができる。
【００２１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る洗浄工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態の変形例に係る洗浄工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめている。
【００２４】
＜電気光学装置＞
先ず、本発明に係る電気光学装置の実施形態を、図１及び図２を参照して説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。
【００２５】
本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００２６】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２８】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２９】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のトランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３２】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３３】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３４】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００３５】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３６】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図３及び図４を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る製造方法の一部の工程を示す工程断面図である。
【００３７】
下層配線形成工程において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、例えばポリシリコン等を含んでなる下層配線２１０が形成された後、絶縁層形成工程において、該下層配線２１０の上に、例えば珪酸ガラスを含んでなる層間絶縁膜２２０が形成される（図３（ａ）参照）。
【００３８】
尚、下層配線２１０は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等により形成すればよい。
【００３９】
次に、レジストパターン形成工程において、層間絶縁膜２２０の上に、所定形状のレジストパターン２３０が形成される（図３（ｂ）参照）。この際、レジストパターン２３０には、微量の金属不純物Ｒが含まれることが、本願発明者の研究により判明している。尚、レジストパターン２３０を形成するための、レジスト膜のパターニングには、例えばフォトリソグラフィ等を用いればよい。
【００４０】
次に、エッチング工程において、レジストパターン２３０を用いて層間絶縁膜２２０に対し、例えばドライエッチング等のエッチングが施されることにより、層間絶縁膜２２０に、例えばコンタクトホール２２１等が形成される（図３（ｃ）参照）。
【００４１】
次に、アッシング工程において、例えば酸素プラズマアッシング等により、レジストパターン２３０が除去される（図３（ｄ）参照）。この際、レジストパターン２３０に含まれていた金属不純物Ｒの少なくとも一部が、層間絶縁膜２２０等の上（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の表面）に残留することが、本願発明者の研究により判明している。
【００４２】
次に、洗浄工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の表面がスピン洗浄されることにより、金属不純物Ｒが除去される（図３（ｅ）参照）。次に、上層配線形成工程において、層間絶縁膜２２０の上に、例えばポリシリコン等を含んでなる上層配線２４０が形成される（図３（ｆ）参照）。尚、下層配線２１０と上層配線２４０とは、コンタクトホール２２１を介して電気的に接続される。
【００４３】
尚、本実施形態に係る「下層配線形成工程」、「上層配線形成工程」、「下層配線２１０」、「層間絶縁膜２２０」及び「上層配線２４０」は、夫々、本発明に係る「第１導電層形成工程」、「第２導電層形成工程」、「第１導電層」、「絶縁層」及び「第２導電層」の一例である。また、本実施形態に係る「ポリシリコン」は、本発明に係る「第１の導電性材料」及び「第２の導電性材料」の一例である。
【００４４】
次に、本実施形態に係る洗浄工程について、図４のフローチャートを参照して説明を加える。
【００４５】
図４において、先ず、オゾン水処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面にオゾン水が供給されることによって、該ＴＦＴアレイ基板１０表面が酸化される（ステップＳ１０１）。次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、オゾン水が洗い流される（ステップＳ１０２）。
【００４６】
次に、希フッ酸処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に希フッ酸が供給され、オゾン水処理工程Ｓ１０１において形成された酸化膜が除去される（ステップＳ１０３）。この工程において、ＴＦＴアレイ基板１０表面に残留している金属不純物Ｒの少なくとも一部が酸化膜と共に除去される。次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される（ステップＳ１０４）。
【００４７】
次に、混合流体処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に、純水と窒素とが混合されてなる混合流体が供給され、希フッ酸処理工程Ｓ１０３において除去されなかった金属不純物Ｒが除去される（ステップＳ１０５）。ここで、混合流体は、例えば、純水１５０ミリリットルに、窒素２リットルを混合してなる洗浄ミストである。
【００４８】
尚、混合流体処理工程Ｓ１０５では、混合流体を吐出するノズルが、ＴＦＴアレイ基板１０の表面をスキャンするように移動される。
【００４９】
希フッ酸処理工程Ｓ１０３において除去されなかった金属不純物Ｒは、その付着力が、該希フッ酸処理工程Ｓ１０３によって大なり小なり弱められているので、混合流体処理工程Ｓ１０５において、金属不純物Ｒを比較的容易に除去することが可能であることが本願発明者の研究により判明している。
【００５０】
次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、混合流体が洗い流される（ステップＳ１０６）。
【００５１】
次に、希フッ酸処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に希フッ酸が供給され、混合流体処理工程Ｓ１０５において、例えば下層配線２１０のうちコンタクトホール２２１により露出されている表面に自然形成された酸化膜が除去される（ステップＳ１０７）。
【００５２】
次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される（ステップＳ１０８）。次に、スピン乾燥工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が高速回転されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０が乾燥される（ステップＳ１０９）。
【００５３】
尚、本実施形態に係る「ステップＳ１０２」、「ステップＳ１０３」、「ステップＳ１０４」、「ステップＳ１０５」、「ステップＳ１０６」、「ステップＳ１０７」、「ステップＳ１０８」及び「ステップＳ１０９」は、夫々、本発明に係る「第１リンス処理工程」、「第１希フッ酸処理工程」、「第２リンス処理工程」、「第１混合流体処理工程」、「第３リンス処理工程」、「第２希フッ酸処理工程」、「第４リンス処理工程」及び「乾燥工程」の一例である。
【００５４】
＜変形例＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態の変形例を、図５のフローチャートを参照して説明する。
【００５５】
図５において、先ず、希フッ酸処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に希フッ酸が供給される（ステップＳ２０１）。次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、希フッ酸が洗い流される（ステップＳ２０２）。
【００５６】
次に、混合流体処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に、純水と窒素とが混合されてなる混合流体が供給される（ステップＳ２０３）。次に、純水リンス処理工程において、ＴＦＴアレイ基板１０が所定回転数で回転されつつ、ＴＦＴアレイ基板１０表面に純水が供給され、混合流体が洗い流される（ステップＳ２０４）。次に、上述したステップＳ１０１以降の処理が順に実行される。
【００５７】
このように構成すれば、金属不純物Ｒの除去性を向上させることができ、実用上非常に有利である。
【００５８】
尚、本変形例に係る「ステップＳ２０１」、「ステップＳ２０２」、「ステップＳ２０３」及び「ステップＳ２０４」は、夫々、本発明に係る「第３希フッ酸処理工程」、「第５リンス処理工程」、「第２混合流体処理工程」及び「第６リンス処理工程」の一例である。
【００５９】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６０】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１００…液晶装置、２１０…下層配線、２２０…層間絶縁膜、２３０…レジストパターン、２４０…上層配線、Ｒ…金属不純物
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の導電性材料を含んでなる第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１導電層の上に、絶縁材料を含んでなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の上に、所定形状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンを用いて、前記絶縁層にエッチングを施すエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記レジストパターンを除去するアッシング工程と、
前記アッシング工程の後に、前記基板表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後に、前記エッチングされた絶縁層の上に、第２の導電性材料を含んでなる第２導電層を形成する第２導電層形成工程と
を備え、
前記洗浄工程は、
前記基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、
前記オゾン水処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、
前記第１リンス処理工程の後に、前記基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、
前記第１希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、
前記第２リンス処理工程の後に、前記基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、
前記第１混合流体処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、
前記第３リンス処理工程の後に、前記基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、
前記第２希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、
前記第４リンス処理工程の後に、前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を含む
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄工程は、前記オゾン水処理工程より前に、
前記基板表面に希フッ酸を供給する第３希フッ酸処理工程と、
前記第３希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第５リンス処理工程と、
前記第５リンス処理工程の後に、前記基板表面に、前記混合流体を供給する第２混合流体処理工程と、
前記第２混合流体処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第６リンス処理工程と
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
基板上に、第１の導電性材料を含んでなる第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１導電層の上に、絶縁材料を含んでなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の上に、所定形状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンを用いて、前記絶縁層にエッチングを施すエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記レジストパターンを除去するアッシング工程と、
前記アッシング工程の後に、前記基板表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後に、前記エッチングされた絶縁層の上に、第２の導電性材料を含んでなる第２導電層を形成する第２導電層形成工程と
を備え、
前記洗浄工程は、
前記基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、
前記オゾン水処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第１リンス処理工程と、
前記第１リンス処理工程の後に、前記基板表面に希フッ酸を供給する第１希フッ酸処理工程と、
前記第１希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第２リンス処理工程と、
前記第２リンス処理工程の後に、前記基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第１混合流体処理工程と、
前記第１混合流体処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第３リンス処理工程と、
前記第３リンス処理工程の後に、前記基板表面に希フッ酸を供給する第２希フッ酸処理工程と、
前記第２希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第４リンス処理工程と、
前記第４リンス処理工程の後に、前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を含む
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄工程は、前記オゾン水処理工程より前に、
前記基板表面に希フッ酸を供給する第３希フッ酸処理工程と、
前記第３希フッ酸処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第５リンス処理工程と、
前記第５リンス処理工程の後に、前記基板表面に、前記混合流体を供給する第２混合流体処理工程と、
前記第２混合流体処理工程の後に、前記基板表面に純水を供給する第６リンス処理工程と
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１１−１５５０３６（Ｐ２０１１−１５５０３６Ａ）
【公開日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３９２６（Ｐ２０１０−１３９２６）
【出願日】平成２２年１月２６日（２０１０．１．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月２６日（２０１０．１．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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