電気光学装置の製造方法
【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００を製造するにあたって、層間絶縁膜４５上にコンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用導電膜９０をＩＴＯ膜により形成した後、コンタクトホール４５ａの内部を埋める埋め込み膜４８をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜４８に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜９０を露出させる。また、コンタクトホール４５ａの内部には埋め込み膜４８を残す。その際、埋め込み膜４８とコンタクト用導電膜９０とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜４８を選択的に除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。
【解決手段】電気光学装置１００を製造するにあたって、層間絶縁膜４５上にコンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用導電膜９０をＩＴＯ膜により形成した後、コンタクトホール４５ａの内部を埋める埋め込み膜４８をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜４８に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜９０を露出させる。また、コンタクトホール４５ａの内部には埋め込み膜４８を残す。その際、埋め込み膜４８とコンタクト用導電膜９０とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜４８を選択的に除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して画素電極が下層側に導通した構造の電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置では、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して画素電極が下層側に導通した構造が採用されている。かかる構造の電気光学装置において、画素電極の表面にコンタクトホールに起因する凹部が発生していると、表示品位の低下等の原因となる。例えば、液晶装置では、画素電極の表面側に配向膜を形成した際、配向膜の表面に凹部が発生し、液晶の配向が乱れる等の原因となる。また、有機エレクトロルミネッセンス装置の場合、画素電極の表面側に発光層を形成した際、発光層の厚さがばらつく等の原因となる。
【０００３】
一方、反射型の液晶装置において、上記のコンタクト構造を採用するにあたって、層間絶縁膜上にコンタクトホールの底部および内壁に重なるチタン窒化膜（バリア層／コンタクト用電極層）と、コンタクトホールの内部を埋めるシリコン酸化膜（埋込部材層／埋め込み膜）とを設けるとともに、チタン窒化膜およびシリコン酸化膜の上層側にアルミニウム膜からなる画素電極を設け、画素電極とチタン窒化膜とをコンタクトホールの外部で導通させた構成が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
かかる特許文献１に記載の構成では、チタン窒化膜、およびシリコン酸化膜をこの順に成膜した後、エッチング時に生じるプラズマ中の一酸化炭素の発光スペクトル強度が急激に低下したところでシリコン酸化膜に対するエッチング処理を停止することが提案されている。かかる構成によれば、層間絶縁膜上に形成されたシリコン酸化膜を完全に除去することができるとともに、コンタクトホール内に残るシリコン酸化膜の上面位置を、層間絶縁膜の表面に形成されたチタン窒化膜の上面位置とほぼ同等な位置とすることができるので、画素電極の表面を平坦面とすることができると提案されている（特許文献１の段落［００５９］〜［００６０］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−３７０９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、エッチング時に生じるプラズマ中の一酸化炭素の発光スペクトル強度のモニター結果に基づいて、エッチングの終点を判定すると、チタン窒化膜と画素電極との間に導通不良が発生するおそれがある。具体的には、埋込部材層を構成するシリコン酸化膜を成膜した際、シリコン酸化膜の厚さが領域によってばらついていると、発光スペクトル強度が変化しても、シリコン酸化膜が厚く形成された領域にシリコン酸化膜が残ってしまい、チタン窒化膜と画素電極との間に導通不良が発生するおそれがある。また、コンタクトホールの外部のシリコン酸化膜をエッチングする際、シリコン酸化膜が薄く形成された領域では、チタン窒化膜もエッチングされてしまい、チタン窒化膜と画素電極との間に導通不良が発生するおそれがある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の一方面側に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、前記コンタクトホールの底部、前記コンタクトホールの内壁、および前記層間絶縁膜の表面に重なるコンタクト用導電膜を形成するコンタクト用導電膜形成工程と、前記コンタクト用導電膜上に埋め込み膜を形成して前記コンタクトホールの内部を当該埋め込み膜により埋める埋め込み膜形成工程と、前記埋め込み膜に対して反応性イオンエッチングを行い、前記コンタクトホールの外部で前記コンタクト用導電膜と重なる前記埋め込み膜を該埋め込み膜と前記コンタクト用導電膜とのエッチング選択比により選択的に除去して前記コンタクト用導電膜を露出させる一方、前記コンタクトホールの内部には前記埋め込み膜を残す埋め込み膜エッチング工程と、前記コンタクト用導電膜上および前記埋め込み膜上に１層乃至複数層の導電性下地膜を形成する導電性下地膜形成工程と、前記導電性下地膜上に画素電極用導電膜を形成する画素電極用導電膜形成工程と、前記画素電極用導電膜および前記導電性下地膜をパターニングして複数の画素電極を形成するとともに、該複数の画素電極のうち、隣り合う画素電極の間に重なる前記コンタクト用導電膜を除去するパターニング工程と、を有し、前記コンタクト用導電膜には、前記反応性イオンエッチングの際の前記埋め込み膜に対するエッチング選択比が、前記反応性イオンエッチングにおける前記埋め込み膜に対する前記導電性下地膜のエッチング選択比より大きな導電材料を用いることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、層間絶縁膜上にコンタクトホールの底部および内壁に重なるコンタクト用導電膜を形成した後、コンタクトホールの内部を埋める埋め込み膜を形成し、その後、埋め込み膜エッチング工程において、埋め込み膜に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜を露出させる一方、コンタクトホールの内部には埋め込み膜を残す。その際、埋め込み膜とコンタクト用導電膜とのエッチング選択比を利用して、コンタクトホールの外部に形成されている埋め込み膜を完全に除去できるまでエッチングし、コンタクト用導電膜を露出させる。このため、コンタクトホールの外部において、埋め込み膜の厚さが領域によってばらついていた場合でも、コンタクト用導電膜の表面から埋め込み膜を確実に除去することができるので、コンタクト用導電膜と画素電極とを確実に導通させることができる。また、埋め込み膜の厚さが領域によってばらついていた場合でも、コンタクト用導電膜がエッチングにより除去されてしまうことを抑制できるので、コンタクト用導電膜と画素電極とを確実に導通させることができる。また、本形態では、画素電極の下層側に導電性下地膜を形成するが、かかる導電性下地膜は、埋め込み膜をエッチングした後、形成されるため、導電性下地膜については、埋め込み膜とのエッチング選択性という面での制約がない。このため、導電性下地膜については、画素電極に対するバリア層等の機能に最適な材料を選べばよい。逆にいえば、コンタクト用導電膜については、埋め込み膜とのエッチング選択比を優先して材料の選定を行うことができる。
【００１０】
本発明において、前記反応性イオンエッチングでフッ素系のエッチングガスを用いる場合、前記コンタクト用導電膜には、前記フッ素系のエッチングガスを用いた際の前記埋め込み膜に対するエッチング選択比が、前記フッ素系のエッチングガスを用いた際の前記埋め込み膜に対する前記導電性下地膜のエッチング選択比より大きな導電材料を用いることを特徴とする。
【００１１】
本発明において、前記埋め込み膜は、シリコン酸化膜であり、前記コンタクト用導電膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜である構成を採用することができる。かかる構成によれば、エッチング選択比として、以下の関係
埋め込み膜のエッチング速度：コンタクト用導電膜のエッチング速度＝５０以上：１
を実現することができる。
【００１２】
本発明は、前記画素電極用導電膜が反射性金属膜である場合に適用すると効果的である。
【００１３】
本発明において、前記画素電極用導電膜は、例えば、アルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜であり、この場合、前記導電性下地膜は、前記コンタクト用導電膜と前記画素電極用導電膜との反応を防止するバリア層である。かかる構成によれば、コンタクト用導電膜を構成するＩＴＯ膜と、画素電極を構成するアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜との間にバリア層が介在するので、ＩＴＯ膜と、アルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜との反応を防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記バリア層は、例えば、チタン窒化膜あるいはチタン膜である。
【００１５】
本発明において、前記層間絶縁膜形成工程の後、前記コンタクトホール形成工程の前に、前記層間絶縁膜の表面を平坦化する層間絶縁膜平坦化工程を有していることが好ましい。かかる構成によれば、コンタクトホールの外部に形成されている埋め込み膜の厚さが等しくなるので、コンタクトホールの外部に形成されている埋め込み膜を完全に除去できるまでエッチングする場合でも、過度のエッチングを防止することができる。
【００１６】
本発明において、前記パターニング工程の後、前記画素電極の上層側に絶縁膜を形成し、その後、当該絶縁膜の表面を平坦化する絶縁膜平坦化工程を有していることが好ましい。かかる構成によれば、画素電極と重なる領域と、隣り合う画素電極の間に重なる領域とを連続した平坦面とすることができる。
【００１７】
本発明において、前記反応性イオンエッチングを開始する時点では、前記埋め込み膜の上面側を平坦面にしておくことが好ましい。かかる構成によれば、埋め込み膜エッチング工程を終了した段階で、埋め込み膜の表面と、コンタクトホールの外部のコンタクト用導電膜の表面を連続した平坦面とすることができる。それ故、画素電極の表面を連続した平坦面とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法において、パターニング工程でハードマスクを除去した場合の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図１２】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置の製造方法に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００２０】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２１】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２２】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２３】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２４】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００２５】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２６】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２７】
図３および図４等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２８】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂには、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２９】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３０】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３１】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３２】
本形態において、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成すれば、電気光学装置１００を反射型の液晶装置として構成することができる。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３３】
また、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成すれば、電気光学装置１００を透過型の液晶装置として構成することができる。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることができる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる反射型の液晶装置である場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３６】
（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図、および画素電極９ａのコンタクト部分を拡大して示す説明図である。なお、図３では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３７】
図３に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３８】
図４に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３９】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４０】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４１】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４２】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４３】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４４】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４６、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４５】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４６、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４６を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４６】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４７】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等の反射性金属膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、アルミニウム膜からなり、層間絶縁膜４５は、シリコン酸化膜からなる。図４（ｂ）等を参照して後述するように、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４８】
画素電極９ａの表面には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００４９】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図４（ａ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（画素電極９ａのコンタクト部分の具体的構成）
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態では、画素電極９ａを中継電極７ｂに電気的に接続するにあたって、層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されている。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００５２】
本形態では、層間絶縁膜４５上には、コンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用電極層９０ａが形成されており、コンタクト用電極層９０ａは、コンタクトホール４５ａの底部４５ｅで中継電極７ｂに導通している。
【００５３】
また、コンタクトホール４５ａの内部において、コンタクト用電極層９０ａ上に形成された凹部は、埋め込み膜４８によって埋められている。従って、コンタクト用電極層９０ａは、コンタクトホール４５ａの内部で埋め込み膜４８によって覆われている。ここで、埋め込み膜４８の上面にはわずかな凹部４８ａが発生しているが、かかる凹部４８ａは、平面サイズおよび深さ寸法のいずれにおいても、コンタクトホール４５ａと比較すると、極めて小さい。
【００５４】
本形態において、コンタクト用電極層９０ａとしては、埋め込み膜４８に対するエッチング選択比が、後述する導電性下地膜９１ａの埋め込み膜４８に対するエッチング選択比より大きい材料が用いられている。より具体的には、本形態において、コンタクト用電極層９０ａはＩＴＯ膜からなり、埋め込み膜４８はシリコン酸化膜からなり、導電性下地膜９１ａはチタン窒化膜からなる。かかるシリコン酸化膜およびＩＴＯ膜に対して、後述する反応性イオンエッチングを行う際にフッ素系のエッチングガスを用いると、エッチング速度は、以下の関係
シリコン酸化膜：ＩＴＯ膜＝５０以上：１
シリコン酸化膜：チタン窒化膜＝７：１
にある。
【００５５】
本形態において、画素電極９ａは、コンタクト用電極層９０ａおよび埋め込み膜４８の上層側に形成されており、コンタクトホール４５ａの外部でコンタクト用電極層９０ａに電気的に接続している。ここで、コンタクト用電極層９０ａはＩＴＯ膜からなり、画素電極９ａはアルミニウム膜であり、かかる導電膜を直接、重ねるとＩＴＯ膜中の酸素がアルミニウム膜に引き抜かれる腐食等が発生する。
【００５６】
そこで、本形態では、まず、コンタクト用電極層９０ａおよび埋め込み膜４８の上層側には、チタン窒化膜からなるバリア層が導電性下地膜９１ａとして形成されており、かかる導電性下地膜９１ａは、コンタクトホール４５ａの外部でコンタクト用電極層９０ａに重なって導通している。また、導電性下地膜９１ａの上層側には、アルミニウム膜からなる画素電極９ａが形成されており、かかる画素電極９ａは、導電性下地膜９１ａに重なって導通している。その結果、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａの外部で導電性下地膜９１ａを介してコンタクト用電極層９０ａに電気的に接続し、導電性下地膜９１ａおよびコンタクト用電極層９０ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。ここで、導電性下地膜９１ａおよびコンタクト用電極層９０ａは、画素電極９ａと略同一の平面形状を有している。
【００５７】
かかる構成によれば、コンタクトホール４５ａの内部が埋め込み膜４８によって埋められているので、画素電極９ａの表面には大きな凹部が発生していない。それ故、配向膜１６を適正に形成することができる。
【００５８】
なお、本形態では、画素電極９ａの表面には、画素電極９ａをパターニングする際に用いたシリコン酸化膜からなるハードマスク９７ａ（エッチングマスク）が残っており、かかるハードマスク９７ａの上に配向膜１６が形成されている。
【００５９】
（電気光学装置１００の製造方法）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法において、パターニング工程でハードマスクを除去した場合の説明図である。なお、電気光学装置１００を製造するにあたっては、素子基板１０および対向基板２０を多数取りできる大型基板の状態で途中の工程までを行い、その後、単品サイズに切断する。但し、以下の説明では、素子基板１０の形成に用いられる大型基板も素子基板１０として説明し、対向基板２０の形成に用いられる大型基板も対向基板２０として説明する。また、層間絶縁膜４５を形成した以降の工程を中心に説明し、層間絶縁膜４５を形成するまでの工程には周知の方法を採用することができるので、それらの説明を省略する。
【００６０】
本形態の電気光学装置１００の素子基板１０を製造するには、層間絶縁膜形成工程において、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により層間絶縁膜４５を素子基板１０の全面に形成した後、層間絶縁膜平坦化工程において、層間絶縁膜４５の表面を平坦化する。かかる層間絶縁膜平坦化工程では、化学機械研磨等を利用することができる。化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。
【００６１】
層間絶縁膜平坦化工程の後、図５（ａ）に示すコンタクトホール形成工程では、フォトリソグラフィ技術を利用してレジストマスクを形成した後、エッチングを行って、層間絶縁膜４５にコンタクトホール４５ａを形成する。
【００６２】
次に、図５（ｂ）に示すコンタクト用導電膜形成工程では、素子基板１０の全面にコンタクト用導電膜９０を形成する。その結果、コンタクト用導電膜９０は、コンタクトホール４５ａの底部４５ｅ、コンタクトホールの内壁４５ｆ、および層間絶縁膜４５の表面に重なる。本形態では、コンタクト用導電膜９０として、ＩＴＯ膜をスパッタ法等により形成する。
【００６３】
次に、図５（ｃ）に示す埋め込み膜形成工程では、素子基板１０の全面に、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により、埋め込み膜４８としてのシリコン酸化膜を形成する。その結果、コンタクト用導電膜９０上に埋め込み膜４８が形成されるとともに、コンタクトホール４５ａの内部は、埋め込み膜４８によって埋められる。なお、埋め込み膜４８の表面には、コンタクトホール４５ａに起因する凹部４８ｅが形成されるが、かかる凹部４８ｅは、サイズおよび深さの双方においてコンタクトホール４５ａより小さい。
【００６４】
次に、図５（ｄ）に示す埋め込み膜エッチング工程では、素子基板１０の全面に対して、ＣＨＦ3やＣＦ4等のフッ素系のガスを用いて反応性イオンエッチングを行い、コンタクトホール４５ａの外部においてコンタクト用導電膜９０と重なる埋め込み膜４８を除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。かかる工程の際、埋め込み膜４８は、コンタクトホール４５ａの内部に残る。
【００６５】
ここで、コンタクト用導電膜９０および埋め込み膜４８としては、エッチング選択比が大きい材料が用いられており、かかるエッチング選択比を利用して、コンタクトホール４５ａの外部でコンタクト用導電膜９０と重なる埋め込み膜４８を完全に除去する。より具体的には、本形態において、コンタクト用導電膜９０はＩＴＯ膜からなり、埋め込み膜４８はシリコン酸化膜からなり、シリコン酸化膜およびＩＴＯ膜のエッチング速度は、以下の関係
シリコン酸化膜：ＩＴＯ膜＝５０以上：１
である。このため、エッチング時間を長めに設定すれば、コンタクトホール４５ａの外部でコンタクト用導電膜９０と重なる埋め込み膜４８を完全に除去することができる。その際、コンタクト用導電膜９０もエッチングされるが、エッチング量はわずかであるため、支障はない。なお、エッチング時間を長めに設定したため、埋め込み膜４８の上面にはわずかな凹部４８ａが発生する。但し、凹部４８ａは、平面サイズおよび深さ寸法のいずれにおいても、コンタクトホール４５ａと比較すると、極めて小さい。
【００６６】
次に、図５（ｅ）に示す導電性下地膜形成工程では、素子基板１０の全面に、スパッタ法等により、チタン窒化膜からなる導電性下地膜９１を形成する。
【００６７】
次に、図５（ｆ）に示す画素用導電膜形成工程では、素子基板１０の全面に、スパッタ法等により、アルミニウム膜からなる画素電極用導電膜９を形成する。
【００６８】
次に、図５（ｇ）〜図５（ｊ）に示すパターニング工程において、画素電極用導電膜９をパターニングして複数の画素電極９ａを形成するとともに、複数の画素電極９ａのうち、隣り合う画素電極９ａの間に重なる導電性下地膜９１およびコンタクト用導電膜９０を除去する。かかるパターニング工程において、本形態では、エッチングマスクとしてハードマスク９７ａを用いる。従って、本形態では、以下に説明するように、パターニング工程を行う。
【００６９】
まず、図５（ｇ）に示すハードマスク用膜形成工程では、ハードマスク９７ａを形成するためのハードマスク用膜９７として、プラズマＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜を形成した後、図５（ｈ）に示すレジストマスク形成工程では、フォトリソグラフィ技術を利用してハードマスク用膜９７上にレジストマスク９８ａを形成する。
【００７０】
この状態で、反応性イオンエッチングやプラズマエッチング等のドライエッチングを行うと、まず、ハードマスク用膜９７のうち、レジストマスク９８ａから露出している部分がエッチングされ、図５（ｉ）に示すように、ハードマスク９７ａが形成される。そして、塩素系ガス、フッ素系ガス、ヨウ素系ガスの順にエッチングガスを切り替えながら、反応性イオンエッチングやプラズマエッチング等のドライエッチングを行うと、図５（ｊ）に示すように、画素電極用導電膜９、導電性下地膜９１およびコンタクト用導電膜９０が順次パターニングされる。その結果、複数の画素電極９ａ、導電性下地膜９１ａおよびコンタクト用電極層９０ａが形成されるとともに、隣り合う画素電極９ａの間に重なる導電性下地膜９１およびコンタクト用導電膜９０が除去される。その間、エッチングガスに酸素を導入すると、レジストマスク９８ａが除去される。次に、斜方蒸着を行って、図４に示すように配向膜１６を形成すれば、素子基板１０が完成する。
【００７１】
本形態では、図４および図５に示すように、パターニング工程を終了した時点でハードマスク９７ａが画素電極９ａ上に残る構成であり、かかるハードマスク９７ａは、画素電極９ａに対する保護膜として利用することができる。これに対して、パターニング工程が終了するまでにハードマスク９７ａがエッチングされる構成を採用すれば、図６に示すように、画素電極９ａの表面に配向膜１６が形成される構造となる。なお、後述する実施の形態２〜６では、ハードマスク９７ａを残した形態を採用しているが、実施の形態２〜６のいずれにおいても、ハードマスク９７ａを除去した形態を採用してもよい。
【００７２】
しかる後には、図２等を参照して説明したように、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせた後、減圧雰囲気中でシール材１０７の液晶注入口１０７ｃから液晶を注入し、しかる後に、シール材１０７の液晶注入口１０７ｃを封止材１０８で封止する。その間、所定のタイミングで大型基板を単品サイズの素子基板１０や対向基板２０に切断すれば、図２等を参照して説明した単品サイズの液晶パネル１００ｐを得ることができる。
【００７３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態に係る電気光学装置１００においては、層間絶縁膜４５上にコンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用導電膜９０を形成した後、コンタクトホール４５ａの内部を埋める埋め込み膜４８を形成し、その後、埋め込み膜４８に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜９０を露出させる一方、コンタクトホール４５ａの内部には埋め込み膜４８を残す。その際、埋め込み膜４８とコンタクト用導電膜９０とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜４８を選択的に除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。このため、コンタクトホール４５ａの外部において、埋め込み膜４８の厚さが領域によってばらついていた場合でも、コンタクト用導電膜９０の表面から埋め込み膜４８を確実に除去することができるので、コンタクト用電極層９０ａと画素電極９ａとを確実に導通させることができる。また、埋め込み膜４８の厚さが領域によってばらついていた場合でも、コンタクト用導電膜９０がエッチングにより除去されてしまうことがないので、コンタクト用電極層９０ａと画素電極９ａとを確実に導通させることができる。
【００７４】
また、本形態において、埋め込み膜エッチング工程の後、画素電極用導電膜形成工程の前に導電性下地膜９１を形成しておき、パターニング工程では、隣り合う画素電極９ａの間に重なる導電性下地膜９１を除去する。このため、画素電極９ａの特性等を補完する目的で導電性下地膜９１を形成する場合でも、かかる導電性下地膜９１とは別にコンタクト用導電膜９０を用いているので、コンタクト用導電膜９０については、埋め込み膜とのエッチング選択比を優先して材料の選定を行うことができる。すなわち、埋め込み膜４８がシリコン酸化膜であるので、コンタクト用導電膜９０としては、ＩＴＯ膜を用いることができる。それ故、導電性下地膜９１に用いたチタン窒化膜をコンタクト用導電膜９０として用いた場合には、埋め込み膜４８とのエッチング選択比が小さいので、埋め込み膜４８をエッチングした際、コンタクト用導電膜９０がエッチングにより除去されてしまうおそれがあるが、本形態によれば、かかる問題が発生しにくい。
【００７５】
また、本形態では、導電性下地膜９１としてチタン窒化膜からなるバリア層を形成したため、コンタクト用導電膜９０を構成するＩＴＯ膜と、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜との反応を防止することができる。
【００７６】
また、本形態では、層間絶縁膜４５を形成した後、コンタクトホール４５ａを形成する前に、層間絶縁膜４５の表面を平坦化する層間絶縁膜平坦化工程を行う。このため、コンタクトホール４５ａの外部では、コンタクト用導電膜９０および導電性下地膜９１を平坦面に形成することができるので、埋め込み膜４８の厚さが領域によってばらつくことを抑制することができる。従って、埋め込み膜４８を確実に除去する場合でも、エッチング時間を過度に長く設定する必要がないので、エッチング後、埋め込み膜４８の上面に形成される凹部４８ａをより小さくすることができる。
【００７７】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７８】
実施の形態１では、埋め込み膜４８を形成した後、埋め込み膜４８の表面に凹部４８ｅ（図５（ｃ）参照）が存在するまま、埋め込み膜エッチング工程を行ったが、本形態では、図７を参照して以下に説明するように、反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側を平坦面にしておく。
【００７９】
より具体的には、図７（ａ）に示すように、埋め込み膜形成工程で埋め込み膜４８をシリケートガラス等により形成した後、図７（ｂ）に示すように、スピンコート法等により、レジストを塗布し、レジストを硬化させる。あるいは、スピンオングラスを塗布する。その結果、埋め込み膜４８の上面側に、表面が平坦面になっている平坦化膜４９を形成することができる。従って、埋め込み膜エッチング工程において反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側（平坦化膜４９の表面）が平坦面になっているので、図７（ｃ）に示すように、反応性イオンエッチングを終了した際、コンタクトホール４５ａに残る埋め込み膜４８の表面は平坦面（平面）であり、かつ、埋め込み膜４８の表面は、コンタクト用導電膜９０の表面と連続した平坦面（平面）を形成する。それ故、図７（ｄ）に示すように、パターニング工程を行った時点で、画素電極９ａの表面が平坦面になっているので、平坦面上に配向膜１６を形成することができ、かかる平坦面上であれば、斜方蒸着によって配向膜１６を好適に形成することができる。
【００８０】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８１】
図８を参照して以下に説明するように、本形態でも、実施の形態２と同様、反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側を平坦面にしておく。より具体的には、図８（ａ）に示すように、埋め込み膜形成工程で埋め込み膜４８を形成した後、図８（ｂ）に示すように、化学機械研磨等の方法により、埋め込み膜４８を厚さ方向の途中位置まで研磨する。従って、埋め込み膜エッチング工程において反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側が平坦面になっているので、図８（ｃ）に示すように、反応性イオンエッチングを終了した際、コンタクトホール４５ａに残る埋め込み膜４８の表面は平坦面（平面）であり、かつ、埋め込み膜４８の表面は、コンタクト用導電膜９０の表面と連続した平坦面（平面）を形成する。それ故、図８（ｄ）に示すように、パターニング工程を行った時点で、画素電極９ａの表面が平坦面になっているので、平坦面上に配向膜１６を形成することができる。
【００８２】
［実施の形態４］
図９は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８３】
図９を参照して以下に説明するように、本形態でも、実施の形態２、３と同様、反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側を平坦面にしておく。より具体的には、図９（ａ）に示すように、埋め込み膜形成工程において、スピンオングラスを塗布し、埋め込み膜４８を形成する。従って、埋め込み膜エッチング工程において反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側が平坦面になっているので、図９（ｂ）に示すように、反応性イオンエッチングを終了した際、コンタクトホール４５ａに残る埋め込み膜４８の表面は平坦面（平面）であり、かつ、埋め込み膜４８の表面は、コンタクト用導電膜９０の表面と連続した平坦面（平面）を形成する。それ故、図９（ｃ）に示すように、パターニング工程を行った時点で、画素電極９ａの表面が平坦面になっているので、平坦面上に配向膜１６を形成することができる。
【００８４】
［実施の形態５］
図１０は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８５】
実施の形態１では、パターニング工程の後、そのまま配向膜１６を形成したが、本形態では、図１０に示すように、画素電極９ａの上層側に平坦化膜１７を形成する。より具体的には、図１０（ａ）に示すように、パターニング工程の後、画素電極９ａの上層側にシリコン酸化膜等の絶縁膜１７ｔを形成した後、絶縁膜１７ｔの表面を化学機械研磨等の方法により平坦化する絶縁膜平坦化工程を行う。その結果、図１０（ｂ）に示すように、画素電極９ａの上層側に、表面が連続した平坦面（平面）になっている平坦化膜１７を形成することができる。それ故、図１０（ｃ）に示すように、平坦化膜１７上に配向膜１６を形成することができる。かかる構成によれば、画素電極９ａと重なる領域と、隣り合う画素電極９ａの間と重なる領域とが連続した平坦面（平面）になっているので、斜方蒸着により平坦化膜１７を好適に形成することができる。
【００８６】
［実施の形態６］
図１１は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８７】
図１１に示すように、本形態でも、実施の形態５と同様、画素電極９ａの上層側に、表面が連続した平坦面（平面）になっている平坦化膜１７を形成する。かかる構成を採用するにあたって、本形態では、図１１（ａ）に示すように、チタン窒化膜からなる導電性下地膜９１ａに加えて、チタン膜からなる導電性下地膜９２ａを加える。かかる構成は、図５を参照して説明した導電性下地膜形成工程において、チタン窒化膜からなる導電性下地膜９１の後、チタンからなる導電性下地膜を形成することにより実現することができる。
【００８８】
そして、パターニング工程の後、図１１（ｂ）に示すように、画素電極９ａの上層側にシリコン酸化膜等の絶縁膜１７ｔを形成し、次に、絶縁膜１７ｔの表面を化学機械研磨により平坦化する絶縁膜平坦化工程を行う。その結果、図１１（ｃ）に示すように、画素電極９ａの上層側に、表面が連続した平坦面（平面）になっている平坦化膜１７を形成することができ、図１１（ｄ）に示すように、かかる平坦化膜１７上に配向膜１６を形成することができる。
【００８９】
かかる構成によれば、化学機械研磨の際の熱がアルミニウム膜からなる画素電極９ａに伝わっても、かかる熱は、画素電極９ａと導電性下地膜９２ａとの間でアルミニウムとチタンとの合金化に使われるので、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の表面が荒れない。それ故、画素電極９ａに不要な凹凸が発生しないので、画素電極９ａの表面では正反射が起こることになる。
【００９０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、埋め込み膜４８としてシリコン酸化膜を用い、コンタクト用導電膜９０としてＩＴＯ膜を用いたが、他の材料の組み合わせであってもよい。例えば、埋め込み膜４８については、樹脂以外の材料であって、ＣＶＤ法やスパッタ法等で成膜でき、成膜時の流動性を有していることが好ましい。また、埋め込み膜４８については、絶縁材料であることが好ましく、その点では、シリコン酸化膜が最も好ましいが、例えば、埋め込み膜４８としてシリコン膜を用い、反応性イオンエッチングのエッチングガスとしてフッ化キセノンを用いれば、コンタクト用導電膜９０として様々な材料を用いてもエッチング選択比が大きいという利点がある。
【００９１】
上記実施の形態では、画素電極９ａにアルミニウム膜を用いることにより、電気光学装置１００を反射型の液晶装置として構成した場合を中心に説明したが、コンタクト用導電膜９０および画素電極９ａにＩＴＯ膜等の透光性導電膜を用いて、電気光学装置１００を透過型の液晶装置として構成してもよい。
【００９２】
上記実施の形態では、画素電極９ａのコンタクト部を中心に説明したが、コンタクト用導電膜９０として形成したＩＴＯ膜や、他の導電膜については、端子電極１０２の形成や、基板間導通用電極１９の形成に用いてもよい。
【００９３】
上記実施の形態では、配向膜１６、２６として無機配向膜を用いる場合を中心に説明したが、配向膜１６、２６としてポリイミド等の有機配向膜を用いた場合に本発明を適用してもよい。
【００９４】
上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を中心に説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマ表示装置、電気泳動型表示装置等の電気光学装置において画素電極９ａを下層側と電気的に接続する場合に本発明を適用してもよい。
【００９５】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図１２は、本発明を適用した投射型表示装置および光学ユニットの概略構成図であり、図１２（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００９６】
図１２（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図１２（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。
【００９７】
（投射型表示装置の第１例）
図１２（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【００９８】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【００９９】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１００】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１０１】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１０２】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１０３】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１０４】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１０５】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１０６】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１０７】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【０１０８】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１０９】
（投射型表示装置の第２例）
図１２（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【０１１０】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【０１１１】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【０１１２】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【０１１３】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１１４】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【０１１５】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１１６】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１１７】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、２０・・対向基板、４５・・層間絶縁膜、４５ａ・・コンタクトホール、４８・・埋め込み膜、５０・・液晶層、９０・・コンタクト用導電膜、９０ａ・・コンタクト用電極層、９１ａ、９２ａ・・導電性下地膜、１００・・電気光学装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して画素電極が下層側に導通した構造の電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置では、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して画素電極が下層側に導通した構造が採用されている。かかる構造の電気光学装置において、画素電極の表面にコンタクトホールに起因する凹部が発生していると、表示品位の低下等の原因となる。例えば、液晶装置では、画素電極の表面側に配向膜を形成した際、配向膜の表面に凹部が発生し、液晶の配向が乱れる等の原因となる。また、有機エレクトロルミネッセンス装置の場合、画素電極の表面側に発光層を形成した際、発光層の厚さがばらつく等の原因となる。
【０００３】
一方、反射型の液晶装置において、上記のコンタクト構造を採用するにあたって、層間絶縁膜上にコンタクトホールの底部および内壁に重なるチタン窒化膜（バリア層／コンタクト用電極層）と、コンタクトホールの内部を埋めるシリコン酸化膜（埋込部材層／埋め込み膜）とを設けるとともに、チタン窒化膜およびシリコン酸化膜の上層側にアルミニウム膜からなる画素電極を設け、画素電極とチタン窒化膜とをコンタクトホールの外部で導通させた構成が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
かかる特許文献１に記載の構成では、チタン窒化膜、およびシリコン酸化膜をこの順に成膜した後、エッチング時に生じるプラズマ中の一酸化炭素の発光スペクトル強度が急激に低下したところでシリコン酸化膜に対するエッチング処理を停止することが提案されている。かかる構成によれば、層間絶縁膜上に形成されたシリコン酸化膜を完全に除去することができるとともに、コンタクトホール内に残るシリコン酸化膜の上面位置を、層間絶縁膜の表面に形成されたチタン窒化膜の上面位置とほぼ同等な位置とすることができるので、画素電極の表面を平坦面とすることができると提案されている（特許文献１の段落［００５９］〜［００６０］）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−３７０９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、エッチング時に生じるプラズマ中の一酸化炭素の発光スペクトル強度のモニター結果に基づいて、エッチングの終点を判定すると、チタン窒化膜と画素電極との間に導通不良が発生するおそれがある。具体的には、埋込部材層を構成するシリコン酸化膜を成膜した際、シリコン酸化膜の厚さが領域によってばらついていると、発光スペクトル強度が変化しても、シリコン酸化膜が厚く形成された領域にシリコン酸化膜が残ってしまい、チタン窒化膜と画素電極との間に導通不良が発生するおそれがある。また、コンタクトホールの外部のシリコン酸化膜をエッチングする際、シリコン酸化膜が薄く形成された領域では、チタン窒化膜もエッチングされてしまい、チタン窒化膜と画素電極との間に導通不良が発生するおそれがある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の一方面側に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、前記コンタクトホールの底部、前記コンタクトホールの内壁、および前記層間絶縁膜の表面に重なるコンタクト用導電膜を形成するコンタクト用導電膜形成工程と、前記コンタクト用導電膜上に埋め込み膜を形成して前記コンタクトホールの内部を当該埋め込み膜により埋める埋め込み膜形成工程と、前記埋め込み膜に対して反応性イオンエッチングを行い、前記コンタクトホールの外部で前記コンタクト用導電膜と重なる前記埋め込み膜を該埋め込み膜と前記コンタクト用導電膜とのエッチング選択比により選択的に除去して前記コンタクト用導電膜を露出させる一方、前記コンタクトホールの内部には前記埋め込み膜を残す埋め込み膜エッチング工程と、前記コンタクト用導電膜上および前記埋め込み膜上に１層乃至複数層の導電性下地膜を形成する導電性下地膜形成工程と、前記導電性下地膜上に画素電極用導電膜を形成する画素電極用導電膜形成工程と、前記画素電極用導電膜および前記導電性下地膜をパターニングして複数の画素電極を形成するとともに、該複数の画素電極のうち、隣り合う画素電極の間に重なる前記コンタクト用導電膜を除去するパターニング工程と、を有し、前記コンタクト用導電膜には、前記反応性イオンエッチングの際の前記埋め込み膜に対するエッチング選択比が、前記反応性イオンエッチングにおける前記埋め込み膜に対する前記導電性下地膜のエッチング選択比より大きな導電材料を用いることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、層間絶縁膜上にコンタクトホールの底部および内壁に重なるコンタクト用導電膜を形成した後、コンタクトホールの内部を埋める埋め込み膜を形成し、その後、埋め込み膜エッチング工程において、埋め込み膜に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜を露出させる一方、コンタクトホールの内部には埋め込み膜を残す。その際、埋め込み膜とコンタクト用導電膜とのエッチング選択比を利用して、コンタクトホールの外部に形成されている埋め込み膜を完全に除去できるまでエッチングし、コンタクト用導電膜を露出させる。このため、コンタクトホールの外部において、埋め込み膜の厚さが領域によってばらついていた場合でも、コンタクト用導電膜の表面から埋め込み膜を確実に除去することができるので、コンタクト用導電膜と画素電極とを確実に導通させることができる。また、埋め込み膜の厚さが領域によってばらついていた場合でも、コンタクト用導電膜がエッチングにより除去されてしまうことを抑制できるので、コンタクト用導電膜と画素電極とを確実に導通させることができる。また、本形態では、画素電極の下層側に導電性下地膜を形成するが、かかる導電性下地膜は、埋め込み膜をエッチングした後、形成されるため、導電性下地膜については、埋め込み膜とのエッチング選択性という面での制約がない。このため、導電性下地膜については、画素電極に対するバリア層等の機能に最適な材料を選べばよい。逆にいえば、コンタクト用導電膜については、埋め込み膜とのエッチング選択比を優先して材料の選定を行うことができる。
【００１０】
本発明において、前記反応性イオンエッチングでフッ素系のエッチングガスを用いる場合、前記コンタクト用導電膜には、前記フッ素系のエッチングガスを用いた際の前記埋め込み膜に対するエッチング選択比が、前記フッ素系のエッチングガスを用いた際の前記埋め込み膜に対する前記導電性下地膜のエッチング選択比より大きな導電材料を用いることを特徴とする。
【００１１】
本発明において、前記埋め込み膜は、シリコン酸化膜であり、前記コンタクト用導電膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜である構成を採用することができる。かかる構成によれば、エッチング選択比として、以下の関係
埋め込み膜のエッチング速度：コンタクト用導電膜のエッチング速度＝５０以上：１
を実現することができる。
【００１２】
本発明は、前記画素電極用導電膜が反射性金属膜である場合に適用すると効果的である。
【００１３】
本発明において、前記画素電極用導電膜は、例えば、アルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜であり、この場合、前記導電性下地膜は、前記コンタクト用導電膜と前記画素電極用導電膜との反応を防止するバリア層である。かかる構成によれば、コンタクト用導電膜を構成するＩＴＯ膜と、画素電極を構成するアルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜との間にバリア層が介在するので、ＩＴＯ膜と、アルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜との反応を防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記バリア層は、例えば、チタン窒化膜あるいはチタン膜である。
【００１５】
本発明において、前記層間絶縁膜形成工程の後、前記コンタクトホール形成工程の前に、前記層間絶縁膜の表面を平坦化する層間絶縁膜平坦化工程を有していることが好ましい。かかる構成によれば、コンタクトホールの外部に形成されている埋め込み膜の厚さが等しくなるので、コンタクトホールの外部に形成されている埋め込み膜を完全に除去できるまでエッチングする場合でも、過度のエッチングを防止することができる。
【００１６】
本発明において、前記パターニング工程の後、前記画素電極の上層側に絶縁膜を形成し、その後、当該絶縁膜の表面を平坦化する絶縁膜平坦化工程を有していることが好ましい。かかる構成によれば、画素電極と重なる領域と、隣り合う画素電極の間に重なる領域とを連続した平坦面とすることができる。
【００１７】
本発明において、前記反応性イオンエッチングを開始する時点では、前記埋め込み膜の上面側を平坦面にしておくことが好ましい。かかる構成によれば、埋め込み膜エッチング工程を終了した段階で、埋め込み膜の表面と、コンタクトホールの外部のコンタクト用導電膜の表面を連続した平坦面とすることができる。それ故、画素電極の表面を連続した平坦面とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法において、パターニング工程でハードマスクを除去した場合の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る電気光学装置の製造方法の要部を示す工程断面図である。
【図１２】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置の製造方法に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００２０】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２１】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２２】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２３】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２４】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００２５】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２６】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２７】
図３および図４等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２８】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂには、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２９】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３０】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３１】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３２】
本形態において、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成すれば、電気光学装置１００を反射型の液晶装置として構成することができる。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３３】
また、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成すれば、電気光学装置１００を透過型の液晶装置として構成することができる。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることができる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる反射型の液晶装置である場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３６】
（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図、および画素電極９ａのコンタクト部分を拡大して示す説明図である。なお、図３では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３７】
図３に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３８】
図４に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３９】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４０】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４１】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４２】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４３】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４４】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４６、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４５】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４６、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４６を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４６】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４７】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等の反射性金属膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、アルミニウム膜からなり、層間絶縁膜４５は、シリコン酸化膜からなる。図４（ｂ）等を参照して後述するように、画素電極９ａは、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４８】
画素電極９ａの表面には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００４９】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図４（ａ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（画素電極９ａのコンタクト部分の具体的構成）
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態では、画素電極９ａを中継電極７ｂに電気的に接続するにあたって、層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されている。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００５２】
本形態では、層間絶縁膜４５上には、コンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用電極層９０ａが形成されており、コンタクト用電極層９０ａは、コンタクトホール４５ａの底部４５ｅで中継電極７ｂに導通している。
【００５３】
また、コンタクトホール４５ａの内部において、コンタクト用電極層９０ａ上に形成された凹部は、埋め込み膜４８によって埋められている。従って、コンタクト用電極層９０ａは、コンタクトホール４５ａの内部で埋め込み膜４８によって覆われている。ここで、埋め込み膜４８の上面にはわずかな凹部４８ａが発生しているが、かかる凹部４８ａは、平面サイズおよび深さ寸法のいずれにおいても、コンタクトホール４５ａと比較すると、極めて小さい。
【００５４】
本形態において、コンタクト用電極層９０ａとしては、埋め込み膜４８に対するエッチング選択比が、後述する導電性下地膜９１ａの埋め込み膜４８に対するエッチング選択比より大きい材料が用いられている。より具体的には、本形態において、コンタクト用電極層９０ａはＩＴＯ膜からなり、埋め込み膜４８はシリコン酸化膜からなり、導電性下地膜９１ａはチタン窒化膜からなる。かかるシリコン酸化膜およびＩＴＯ膜に対して、後述する反応性イオンエッチングを行う際にフッ素系のエッチングガスを用いると、エッチング速度は、以下の関係
シリコン酸化膜：ＩＴＯ膜＝５０以上：１
シリコン酸化膜：チタン窒化膜＝７：１
にある。
【００５５】
本形態において、画素電極９ａは、コンタクト用電極層９０ａおよび埋め込み膜４８の上層側に形成されており、コンタクトホール４５ａの外部でコンタクト用電極層９０ａに電気的に接続している。ここで、コンタクト用電極層９０ａはＩＴＯ膜からなり、画素電極９ａはアルミニウム膜であり、かかる導電膜を直接、重ねるとＩＴＯ膜中の酸素がアルミニウム膜に引き抜かれる腐食等が発生する。
【００５６】
そこで、本形態では、まず、コンタクト用電極層９０ａおよび埋め込み膜４８の上層側には、チタン窒化膜からなるバリア層が導電性下地膜９１ａとして形成されており、かかる導電性下地膜９１ａは、コンタクトホール４５ａの外部でコンタクト用電極層９０ａに重なって導通している。また、導電性下地膜９１ａの上層側には、アルミニウム膜からなる画素電極９ａが形成されており、かかる画素電極９ａは、導電性下地膜９１ａに重なって導通している。その結果、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａの外部で導電性下地膜９１ａを介してコンタクト用電極層９０ａに電気的に接続し、導電性下地膜９１ａおよびコンタクト用電極層９０ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。ここで、導電性下地膜９１ａおよびコンタクト用電極層９０ａは、画素電極９ａと略同一の平面形状を有している。
【００５７】
かかる構成によれば、コンタクトホール４５ａの内部が埋め込み膜４８によって埋められているので、画素電極９ａの表面には大きな凹部が発生していない。それ故、配向膜１６を適正に形成することができる。
【００５８】
なお、本形態では、画素電極９ａの表面には、画素電極９ａをパターニングする際に用いたシリコン酸化膜からなるハードマスク９７ａ（エッチングマスク）が残っており、かかるハードマスク９７ａの上に配向膜１６が形成されている。
【００５９】
（電気光学装置１００の製造方法）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の製造方法において、パターニング工程でハードマスクを除去した場合の説明図である。なお、電気光学装置１００を製造するにあたっては、素子基板１０および対向基板２０を多数取りできる大型基板の状態で途中の工程までを行い、その後、単品サイズに切断する。但し、以下の説明では、素子基板１０の形成に用いられる大型基板も素子基板１０として説明し、対向基板２０の形成に用いられる大型基板も対向基板２０として説明する。また、層間絶縁膜４５を形成した以降の工程を中心に説明し、層間絶縁膜４５を形成するまでの工程には周知の方法を採用することができるので、それらの説明を省略する。
【００６０】
本形態の電気光学装置１００の素子基板１０を製造するには、層間絶縁膜形成工程において、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により層間絶縁膜４５を素子基板１０の全面に形成した後、層間絶縁膜平坦化工程において、層間絶縁膜４５の表面を平坦化する。かかる層間絶縁膜平坦化工程では、化学機械研磨等を利用することができる。化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。
【００６１】
層間絶縁膜平坦化工程の後、図５（ａ）に示すコンタクトホール形成工程では、フォトリソグラフィ技術を利用してレジストマスクを形成した後、エッチングを行って、層間絶縁膜４５にコンタクトホール４５ａを形成する。
【００６２】
次に、図５（ｂ）に示すコンタクト用導電膜形成工程では、素子基板１０の全面にコンタクト用導電膜９０を形成する。その結果、コンタクト用導電膜９０は、コンタクトホール４５ａの底部４５ｅ、コンタクトホールの内壁４５ｆ、および層間絶縁膜４５の表面に重なる。本形態では、コンタクト用導電膜９０として、ＩＴＯ膜をスパッタ法等により形成する。
【００６３】
次に、図５（ｃ）に示す埋め込み膜形成工程では、素子基板１０の全面に、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により、埋め込み膜４８としてのシリコン酸化膜を形成する。その結果、コンタクト用導電膜９０上に埋め込み膜４８が形成されるとともに、コンタクトホール４５ａの内部は、埋め込み膜４８によって埋められる。なお、埋め込み膜４８の表面には、コンタクトホール４５ａに起因する凹部４８ｅが形成されるが、かかる凹部４８ｅは、サイズおよび深さの双方においてコンタクトホール４５ａより小さい。
【００６４】
次に、図５（ｄ）に示す埋め込み膜エッチング工程では、素子基板１０の全面に対して、ＣＨＦ3やＣＦ4等のフッ素系のガスを用いて反応性イオンエッチングを行い、コンタクトホール４５ａの外部においてコンタクト用導電膜９０と重なる埋め込み膜４８を除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。かかる工程の際、埋め込み膜４８は、コンタクトホール４５ａの内部に残る。
【００６５】
ここで、コンタクト用導電膜９０および埋め込み膜４８としては、エッチング選択比が大きい材料が用いられており、かかるエッチング選択比を利用して、コンタクトホール４５ａの外部でコンタクト用導電膜９０と重なる埋め込み膜４８を完全に除去する。より具体的には、本形態において、コンタクト用導電膜９０はＩＴＯ膜からなり、埋め込み膜４８はシリコン酸化膜からなり、シリコン酸化膜およびＩＴＯ膜のエッチング速度は、以下の関係
シリコン酸化膜：ＩＴＯ膜＝５０以上：１
である。このため、エッチング時間を長めに設定すれば、コンタクトホール４５ａの外部でコンタクト用導電膜９０と重なる埋め込み膜４８を完全に除去することができる。その際、コンタクト用導電膜９０もエッチングされるが、エッチング量はわずかであるため、支障はない。なお、エッチング時間を長めに設定したため、埋め込み膜４８の上面にはわずかな凹部４８ａが発生する。但し、凹部４８ａは、平面サイズおよび深さ寸法のいずれにおいても、コンタクトホール４５ａと比較すると、極めて小さい。
【００６６】
次に、図５（ｅ）に示す導電性下地膜形成工程では、素子基板１０の全面に、スパッタ法等により、チタン窒化膜からなる導電性下地膜９１を形成する。
【００６７】
次に、図５（ｆ）に示す画素用導電膜形成工程では、素子基板１０の全面に、スパッタ法等により、アルミニウム膜からなる画素電極用導電膜９を形成する。
【００６８】
次に、図５（ｇ）〜図５（ｊ）に示すパターニング工程において、画素電極用導電膜９をパターニングして複数の画素電極９ａを形成するとともに、複数の画素電極９ａのうち、隣り合う画素電極９ａの間に重なる導電性下地膜９１およびコンタクト用導電膜９０を除去する。かかるパターニング工程において、本形態では、エッチングマスクとしてハードマスク９７ａを用いる。従って、本形態では、以下に説明するように、パターニング工程を行う。
【００６９】
まず、図５（ｇ）に示すハードマスク用膜形成工程では、ハードマスク９７ａを形成するためのハードマスク用膜９７として、プラズマＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜を形成した後、図５（ｈ）に示すレジストマスク形成工程では、フォトリソグラフィ技術を利用してハードマスク用膜９７上にレジストマスク９８ａを形成する。
【００７０】
この状態で、反応性イオンエッチングやプラズマエッチング等のドライエッチングを行うと、まず、ハードマスク用膜９７のうち、レジストマスク９８ａから露出している部分がエッチングされ、図５（ｉ）に示すように、ハードマスク９７ａが形成される。そして、塩素系ガス、フッ素系ガス、ヨウ素系ガスの順にエッチングガスを切り替えながら、反応性イオンエッチングやプラズマエッチング等のドライエッチングを行うと、図５（ｊ）に示すように、画素電極用導電膜９、導電性下地膜９１およびコンタクト用導電膜９０が順次パターニングされる。その結果、複数の画素電極９ａ、導電性下地膜９１ａおよびコンタクト用電極層９０ａが形成されるとともに、隣り合う画素電極９ａの間に重なる導電性下地膜９１およびコンタクト用導電膜９０が除去される。その間、エッチングガスに酸素を導入すると、レジストマスク９８ａが除去される。次に、斜方蒸着を行って、図４に示すように配向膜１６を形成すれば、素子基板１０が完成する。
【００７１】
本形態では、図４および図５に示すように、パターニング工程を終了した時点でハードマスク９７ａが画素電極９ａ上に残る構成であり、かかるハードマスク９７ａは、画素電極９ａに対する保護膜として利用することができる。これに対して、パターニング工程が終了するまでにハードマスク９７ａがエッチングされる構成を採用すれば、図６に示すように、画素電極９ａの表面に配向膜１６が形成される構造となる。なお、後述する実施の形態２〜６では、ハードマスク９７ａを残した形態を採用しているが、実施の形態２〜６のいずれにおいても、ハードマスク９７ａを除去した形態を採用してもよい。
【００７２】
しかる後には、図２等を参照して説明したように、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせた後、減圧雰囲気中でシール材１０７の液晶注入口１０７ｃから液晶を注入し、しかる後に、シール材１０７の液晶注入口１０７ｃを封止材１０８で封止する。その間、所定のタイミングで大型基板を単品サイズの素子基板１０や対向基板２０に切断すれば、図２等を参照して説明した単品サイズの液晶パネル１００ｐを得ることができる。
【００７３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態に係る電気光学装置１００においては、層間絶縁膜４５上にコンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用導電膜９０を形成した後、コンタクトホール４５ａの内部を埋める埋め込み膜４８を形成し、その後、埋め込み膜４８に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜９０を露出させる一方、コンタクトホール４５ａの内部には埋め込み膜４８を残す。その際、埋め込み膜４８とコンタクト用導電膜９０とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜４８を選択的に除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。このため、コンタクトホール４５ａの外部において、埋め込み膜４８の厚さが領域によってばらついていた場合でも、コンタクト用導電膜９０の表面から埋め込み膜４８を確実に除去することができるので、コンタクト用電極層９０ａと画素電極９ａとを確実に導通させることができる。また、埋め込み膜４８の厚さが領域によってばらついていた場合でも、コンタクト用導電膜９０がエッチングにより除去されてしまうことがないので、コンタクト用電極層９０ａと画素電極９ａとを確実に導通させることができる。
【００７４】
また、本形態において、埋め込み膜エッチング工程の後、画素電極用導電膜形成工程の前に導電性下地膜９１を形成しておき、パターニング工程では、隣り合う画素電極９ａの間に重なる導電性下地膜９１を除去する。このため、画素電極９ａの特性等を補完する目的で導電性下地膜９１を形成する場合でも、かかる導電性下地膜９１とは別にコンタクト用導電膜９０を用いているので、コンタクト用導電膜９０については、埋め込み膜とのエッチング選択比を優先して材料の選定を行うことができる。すなわち、埋め込み膜４８がシリコン酸化膜であるので、コンタクト用導電膜９０としては、ＩＴＯ膜を用いることができる。それ故、導電性下地膜９１に用いたチタン窒化膜をコンタクト用導電膜９０として用いた場合には、埋め込み膜４８とのエッチング選択比が小さいので、埋め込み膜４８をエッチングした際、コンタクト用導電膜９０がエッチングにより除去されてしまうおそれがあるが、本形態によれば、かかる問題が発生しにくい。
【００７５】
また、本形態では、導電性下地膜９１としてチタン窒化膜からなるバリア層を形成したため、コンタクト用導電膜９０を構成するＩＴＯ膜と、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜との反応を防止することができる。
【００７６】
また、本形態では、層間絶縁膜４５を形成した後、コンタクトホール４５ａを形成する前に、層間絶縁膜４５の表面を平坦化する層間絶縁膜平坦化工程を行う。このため、コンタクトホール４５ａの外部では、コンタクト用導電膜９０および導電性下地膜９１を平坦面に形成することができるので、埋め込み膜４８の厚さが領域によってばらつくことを抑制することができる。従って、埋め込み膜４８を確実に除去する場合でも、エッチング時間を過度に長く設定する必要がないので、エッチング後、埋め込み膜４８の上面に形成される凹部４８ａをより小さくすることができる。
【００７７】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７８】
実施の形態１では、埋め込み膜４８を形成した後、埋め込み膜４８の表面に凹部４８ｅ（図５（ｃ）参照）が存在するまま、埋め込み膜エッチング工程を行ったが、本形態では、図７を参照して以下に説明するように、反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側を平坦面にしておく。
【００７９】
より具体的には、図７（ａ）に示すように、埋め込み膜形成工程で埋め込み膜４８をシリケートガラス等により形成した後、図７（ｂ）に示すように、スピンコート法等により、レジストを塗布し、レジストを硬化させる。あるいは、スピンオングラスを塗布する。その結果、埋め込み膜４８の上面側に、表面が平坦面になっている平坦化膜４９を形成することができる。従って、埋め込み膜エッチング工程において反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側（平坦化膜４９の表面）が平坦面になっているので、図７（ｃ）に示すように、反応性イオンエッチングを終了した際、コンタクトホール４５ａに残る埋め込み膜４８の表面は平坦面（平面）であり、かつ、埋め込み膜４８の表面は、コンタクト用導電膜９０の表面と連続した平坦面（平面）を形成する。それ故、図７（ｄ）に示すように、パターニング工程を行った時点で、画素電極９ａの表面が平坦面になっているので、平坦面上に配向膜１６を形成することができ、かかる平坦面上であれば、斜方蒸着によって配向膜１６を好適に形成することができる。
【００８０】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８１】
図８を参照して以下に説明するように、本形態でも、実施の形態２と同様、反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側を平坦面にしておく。より具体的には、図８（ａ）に示すように、埋め込み膜形成工程で埋め込み膜４８を形成した後、図８（ｂ）に示すように、化学機械研磨等の方法により、埋め込み膜４８を厚さ方向の途中位置まで研磨する。従って、埋め込み膜エッチング工程において反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側が平坦面になっているので、図８（ｃ）に示すように、反応性イオンエッチングを終了した際、コンタクトホール４５ａに残る埋め込み膜４８の表面は平坦面（平面）であり、かつ、埋め込み膜４８の表面は、コンタクト用導電膜９０の表面と連続した平坦面（平面）を形成する。それ故、図８（ｄ）に示すように、パターニング工程を行った時点で、画素電極９ａの表面が平坦面になっているので、平坦面上に配向膜１６を形成することができる。
【００８２】
［実施の形態４］
図９は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８３】
図９を参照して以下に説明するように、本形態でも、実施の形態２、３と同様、反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側を平坦面にしておく。より具体的には、図９（ａ）に示すように、埋め込み膜形成工程において、スピンオングラスを塗布し、埋め込み膜４８を形成する。従って、埋め込み膜エッチング工程において反応性イオンエッチングを開始する時点では、埋め込み膜４８の上面側が平坦面になっているので、図９（ｂ）に示すように、反応性イオンエッチングを終了した際、コンタクトホール４５ａに残る埋め込み膜４８の表面は平坦面（平面）であり、かつ、埋め込み膜４８の表面は、コンタクト用導電膜９０の表面と連続した平坦面（平面）を形成する。それ故、図９（ｃ）に示すように、パターニング工程を行った時点で、画素電極９ａの表面が平坦面になっているので、平坦面上に配向膜１６を形成することができる。
【００８４】
［実施の形態５］
図１０は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８５】
実施の形態１では、パターニング工程の後、そのまま配向膜１６を形成したが、本形態では、図１０に示すように、画素電極９ａの上層側に平坦化膜１７を形成する。より具体的には、図１０（ａ）に示すように、パターニング工程の後、画素電極９ａの上層側にシリコン酸化膜等の絶縁膜１７ｔを形成した後、絶縁膜１７ｔの表面を化学機械研磨等の方法により平坦化する絶縁膜平坦化工程を行う。その結果、図１０（ｂ）に示すように、画素電極９ａの上層側に、表面が連続した平坦面（平面）になっている平坦化膜１７を形成することができる。それ故、図１０（ｃ）に示すように、平坦化膜１７上に配向膜１６を形成することができる。かかる構成によれば、画素電極９ａと重なる領域と、隣り合う画素電極９ａの間と重なる領域とが連続した平坦面（平面）になっているので、斜方蒸着により平坦化膜１７を好適に形成することができる。
【００８６】
［実施の形態６］
図１１は、本発明の実施の形態６に係る電気光学装置１００の製造方法の要部を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００８７】
図１１に示すように、本形態でも、実施の形態５と同様、画素電極９ａの上層側に、表面が連続した平坦面（平面）になっている平坦化膜１７を形成する。かかる構成を採用するにあたって、本形態では、図１１（ａ）に示すように、チタン窒化膜からなる導電性下地膜９１ａに加えて、チタン膜からなる導電性下地膜９２ａを加える。かかる構成は、図５を参照して説明した導電性下地膜形成工程において、チタン窒化膜からなる導電性下地膜９１の後、チタンからなる導電性下地膜を形成することにより実現することができる。
【００８８】
そして、パターニング工程の後、図１１（ｂ）に示すように、画素電極９ａの上層側にシリコン酸化膜等の絶縁膜１７ｔを形成し、次に、絶縁膜１７ｔの表面を化学機械研磨により平坦化する絶縁膜平坦化工程を行う。その結果、図１１（ｃ）に示すように、画素電極９ａの上層側に、表面が連続した平坦面（平面）になっている平坦化膜１７を形成することができ、図１１（ｄ）に示すように、かかる平坦化膜１７上に配向膜１６を形成することができる。
【００８９】
かかる構成によれば、化学機械研磨の際の熱がアルミニウム膜からなる画素電極９ａに伝わっても、かかる熱は、画素電極９ａと導電性下地膜９２ａとの間でアルミニウムとチタンとの合金化に使われるので、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の表面が荒れない。それ故、画素電極９ａに不要な凹凸が発生しないので、画素電極９ａの表面では正反射が起こることになる。
【００９０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、埋め込み膜４８としてシリコン酸化膜を用い、コンタクト用導電膜９０としてＩＴＯ膜を用いたが、他の材料の組み合わせであってもよい。例えば、埋め込み膜４８については、樹脂以外の材料であって、ＣＶＤ法やスパッタ法等で成膜でき、成膜時の流動性を有していることが好ましい。また、埋め込み膜４８については、絶縁材料であることが好ましく、その点では、シリコン酸化膜が最も好ましいが、例えば、埋め込み膜４８としてシリコン膜を用い、反応性イオンエッチングのエッチングガスとしてフッ化キセノンを用いれば、コンタクト用導電膜９０として様々な材料を用いてもエッチング選択比が大きいという利点がある。
【００９１】
上記実施の形態では、画素電極９ａにアルミニウム膜を用いることにより、電気光学装置１００を反射型の液晶装置として構成した場合を中心に説明したが、コンタクト用導電膜９０および画素電極９ａにＩＴＯ膜等の透光性導電膜を用いて、電気光学装置１００を透過型の液晶装置として構成してもよい。
【００９２】
上記実施の形態では、画素電極９ａのコンタクト部を中心に説明したが、コンタクト用導電膜９０として形成したＩＴＯ膜や、他の導電膜については、端子電極１０２の形成や、基板間導通用電極１９の形成に用いてもよい。
【００９３】
上記実施の形態では、配向膜１６、２６として無機配向膜を用いる場合を中心に説明したが、配向膜１６、２６としてポリイミド等の有機配向膜を用いた場合に本発明を適用してもよい。
【００９４】
上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を中心に説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマ表示装置、電気泳動型表示装置等の電気光学装置において画素電極９ａを下層側と電気的に接続する場合に本発明を適用してもよい。
【００９５】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図１２は、本発明を適用した投射型表示装置および光学ユニットの概略構成図であり、図１２（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００９６】
図１２（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図１２（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。
【００９７】
（投射型表示装置の第１例）
図１２（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【００９８】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【００９９】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１００】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１０１】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１０２】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１０３】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１０４】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１０５】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１０６】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１０７】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【０１０８】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１０９】
（投射型表示装置の第２例）
図１２（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【０１１０】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【０１１１】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【０１１２】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【０１１３】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１１４】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【０１１５】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１１６】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１１７】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、２０・・対向基板、４５・・層間絶縁膜、４５ａ・・コンタクトホール、４８・・埋め込み膜、５０・・液晶層、９０・・コンタクト用導電膜、９０ａ・・コンタクト用電極層、９１ａ、９２ａ・・導電性下地膜、１００・・電気光学装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面側に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
前記コンタクトホールの底部、前記コンタクトホールの内壁、および前記層間絶縁膜の表面に重なるコンタクト用導電膜を形成するコンタクト用導電膜形成工程と、
前記コンタクト用導電膜上に埋め込み膜を形成して前記コンタクトホールの内部を当該埋め込み膜により埋める埋め込み膜形成工程と、
前記埋め込み膜に対して反応性イオンエッチングを行い、前記コンタクトホールの外部で前記コンタクト用導電膜と重なる前記埋め込み膜を該埋め込み膜と前記コンタクト用導電膜とのエッチング選択比により選択的に除去して前記コンタクト用導電膜を露出させる一方、前記コンタクトホールの内部には前記埋め込み膜を残す埋め込み膜エッチング工程と、
前記コンタクト用導電膜上および前記埋め込み膜上に１層乃至複数層の導電性下地膜を形成する導電性下地膜形成工程と、
前記導電性下地膜上に画素電極用導電膜を形成する画素電極用導電膜形成工程と、
前記画素電極用導電膜および前記導電性下地膜をパターニングして複数の画素電極を形成するとともに、該複数の画素電極のうち、隣り合う画素電極の間に重なる前記コンタクト用導電膜を除去するパターニング工程と、
を有し、
前記コンタクト用導電膜には、前記反応性イオンエッチングの際の前記埋め込み膜に対するエッチング選択比が、前記反応性イオンエッチングにおける前記埋め込み膜に対する前記導電性下地膜のエッチング選択比より大きな導電材料を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記反応性イオンエッチングでは、フッ素系のエッチングガスを用い、
前記コンタクト用導電膜には、前記フッ素系のエッチングガスを用いた際の前記埋め込み膜に対するエッチング選択比が、前記フッ素系のエッチングガスを用いた際の前記埋め込み膜に対する前記導電性下地膜のエッチング選択比より大きな導電材料を用いることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記埋め込み膜は、シリコン酸化膜であり、
前記コンタクト用導電膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記画素電極用導電膜は、反射性金属膜であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記画素電極用導電膜は、アルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜であり、
前記導電性下地膜は、前記コンタクト用導電膜と前記画素電極用導電膜との反応を防止するバリア層であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記バリア層は、チタン窒化膜あるいはチタン膜であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記層間絶縁膜形成工程の後、前記コンタクトホール形成工程の前に、前記層間絶縁膜の表面を平坦化する層間絶縁膜平坦化工程を有していることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記パターニング工程の後、前記画素電極の上層側に絶縁膜を形成し、
その後、当該絶縁膜の表面を平坦化する絶縁膜平坦化工程を有していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記反応性イオンエッチングを開始する時点では、前記埋め込み膜の上面側を平坦面にしておくことを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
基板の一方面側に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
前記コンタクトホールの底部、前記コンタクトホールの内壁、および前記層間絶縁膜の表面に重なるコンタクト用導電膜を形成するコンタクト用導電膜形成工程と、
前記コンタクト用導電膜上に埋め込み膜を形成して前記コンタクトホールの内部を当該埋め込み膜により埋める埋め込み膜形成工程と、
前記埋め込み膜に対して反応性イオンエッチングを行い、前記コンタクトホールの外部で前記コンタクト用導電膜と重なる前記埋め込み膜を該埋め込み膜と前記コンタクト用導電膜とのエッチング選択比により選択的に除去して前記コンタクト用導電膜を露出させる一方、前記コンタクトホールの内部には前記埋め込み膜を残す埋め込み膜エッチング工程と、
前記コンタクト用導電膜上および前記埋め込み膜上に１層乃至複数層の導電性下地膜を形成する導電性下地膜形成工程と、
前記導電性下地膜上に画素電極用導電膜を形成する画素電極用導電膜形成工程と、
前記画素電極用導電膜および前記導電性下地膜をパターニングして複数の画素電極を形成するとともに、該複数の画素電極のうち、隣り合う画素電極の間に重なる前記コンタクト用導電膜を除去するパターニング工程と、
を有し、
前記コンタクト用導電膜には、前記反応性イオンエッチングの際の前記埋め込み膜に対するエッチング選択比が、前記反応性イオンエッチングにおける前記埋め込み膜に対する前記導電性下地膜のエッチング選択比より大きな導電材料を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記反応性イオンエッチングでは、フッ素系のエッチングガスを用い、
前記コンタクト用導電膜には、前記フッ素系のエッチングガスを用いた際の前記埋め込み膜に対するエッチング選択比が、前記フッ素系のエッチングガスを用いた際の前記埋め込み膜に対する前記導電性下地膜のエッチング選択比より大きな導電材料を用いることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記埋め込み膜は、シリコン酸化膜であり、
前記コンタクト用導電膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記画素電極用導電膜は、反射性金属膜であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記画素電極用導電膜は、アルミニウム膜あるいはアルミニウム合金膜であり、
前記導電性下地膜は、前記コンタクト用導電膜と前記画素電極用導電膜との反応を防止するバリア層であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記バリア層は、チタン窒化膜あるいはチタン膜であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記層間絶縁膜形成工程の後、前記コンタクトホール形成工程の前に、前記層間絶縁膜の表面を平坦化する層間絶縁膜平坦化工程を有していることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記パターニング工程の後、前記画素電極の上層側に絶縁膜を形成し、
その後、当該絶縁膜の表面を平坦化する絶縁膜平坦化工程を有していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記反応性イオンエッチングを開始する時点では、前記埋め込み膜の上面側を平坦面にしておくことを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−２５５９６０（Ｐ２０１２−２５５９６０Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２９８７７（Ｐ２０１１−１２９８７７）
【出願日】平成２３年６月１０日（２０１１．６．１０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１０日（２０１１．６．１０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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