電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器
【課題】例えば電極パッドと薄膜素子との間に剥離層を介して静電結合が生じることを低減する。
【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、転写元基板（１０）に形成した薄膜素子（３１０）を転写先基板（７０）に転写することにより電気光学装置用基板を製造する製造方法であって、転写元基板上に設けられた剥離層（１１）上に絶縁膜（５）を介して薄膜素子を形成する工程と、転写元基板上における薄膜素子よりも上層側に電極パッド（５００）を形成する工程と、転写元基板上の積層構造における絶縁膜と電極パッドとの間に、転写元基板上で平面的に見て電極パッドに少なくとも部分的に重なるように、遮蔽電極（７１０）を形成する工程とを含む。
【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、転写元基板（１０）に形成した薄膜素子（３１０）を転写先基板（７０）に転写することにより電気光学装置用基板を製造する製造方法であって、転写元基板上に設けられた剥離層（１１）上に絶縁膜（５）を介して薄膜素子を形成する工程と、転写元基板上における薄膜素子よりも上層側に電極パッド（５００）を形成する工程と、転写元基板上の積層構造における絶縁膜と電極パッドとの間に、転写元基板上で平面的に見て電極パッドに少なくとも部分的に重なるように、遮蔽電極（７１０）を形成する工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置用基板は、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられ、例えば薄膜トランジスター（以下「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」と適宜称する）等の薄膜素子を例えばプラスチック基板等の可撓性基板上に備えてなる。
【０００３】
この種の電気光学装置用基板を製造する方法として、先ずガラス基板上に剥離層（或いは分離層）を介して薄膜素子を形成した後、剥離層に光を照射することによりガラス基板から薄膜素子を剥離（或いは離脱）させて、可撓性基板へ転写する方法が知られている（例えば特許文献１参照）。このような製造方法は、素子転写法或いはＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Annealing/Ablation）（登録商標）と呼ばれる。
【０００４】
一方、この種の電気光学装置用基板には、薄膜素子に電源電位を供給するための電極パッドが薄膜素子よりも上層側に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３１７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような素子転写法によって電気光学装置用基板を製造する場合において、電極パッドに電源電位が供給されると、剥離層を介して電極パッドと薄膜素子との間に静電結合が生じて、薄膜素子の特性が悪化してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。この結果、電気光学装置用基板の製造プロセスにおける歩留まりが低下してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば電極パッドと薄膜素子との間に剥離層を介して静電結合が生じることを低減でき、歩留まりを向上させることが可能な電気光学装置用基板の製造方法、このような製造方法によって製造された電気光学装置用基板、このような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は上記課題を解決するために、転写元基板に形成した薄膜素子を転写先基板に転写することにより電気光学装置用基板を製造する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記転写元基板上に設けられた剥離層上に絶縁膜を介して前記薄膜素子を形成する工程と、前記転写元基板上における前記薄膜素子よりも上層側に電極パッドを形成する工程と、前記転写元基板上の積層構造における前記絶縁膜と前記電極パッドとの間に、前記転写元基板上で平面的に見て前記電極パッドに少なくとも部分的に重なるように、遮蔽電極を形成する工程とを含む。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、例えばガラス基板等である転写元基板に形成した例えばＴＦＴ等である薄膜素子を、例えば可撓性基板等である転写先基板に転写することにより、転写先基板上に薄膜素子を備えてなる電気光学装置用基板を製造する。
【００１０】
本発明によれば、転写元基板上に設けられた剥離層上に絶縁膜を介して薄膜素子を形成する。剥離層は、照射される光を吸収し、その層及び界面の少なくとも一方において剥離を生じるような性質を有するものであり、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜から形成することができる。剥離層は、典型的には、転写元基板上のほぼ全面に設けられる。絶縁膜は、薄膜素子の下地として剥離層上に設けられる。
【００１１】
本発明では、薄膜素子よりも上層側に電極パッドを形成する。電極パッドは、例えば、薄膜素子に電気的に接続され、外部から電源電位が供給される。
【００１２】
本発明では特に、転写元基板上の積層構造における絶縁膜と電極パッドとの間に、例えば所定電位が供給される遮蔽電極を、転写元基板上で平面的に見て電極パッドに少なくとも部分的に重なるように形成する。よって、電極パッドと剥離層との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によって低減或いは防止できる。従って、電極パッドに電源電位が供給された際、電極パッドと剥離層との間に静電結合が生じることにより、剥離層が電源電位に近い電位になることを低減或いは防止できる。これにより、剥離層と薄膜素子との間に静電結合が生じることによって、言い換えれば、剥離層を介して電極パッドと薄膜素子との間に静電結合が生じることによって薄膜素子の特性が悪化してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、電気光学装置用基板の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。
【００１３】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、電極パッドと薄膜素子との間に剥離層を介して静電結合が生じることを低減でき、歩留まりを向上させることが可能である。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の一態様では、前記遮蔽電極を形成する工程は、前記転写元基板上で平面的に見て前記電極パッドが前記遮蔽電極に含まれるように、前記遮蔽電極を形成する。
【００１５】
この態様によれば、遮蔽電極は、転写元基板上で平面的に見て、電極パッドよりも大きな面積を有し、電極パッドを含むように形成される。よって、電極パッドと剥離層との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によってより確実に低減或いは防止できる。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の他の態様では、前記薄膜素子を形成する工程は、前記薄膜素子として、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と該半導体層の上層側に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスターを形成し、前記遮蔽電極を形成する工程は、前記遮蔽電極を、前記半導体層及び前記ゲート電極の少なくとも一方と同一種類の膜から同一機会に形成する。
【００１７】
この態様によれば、遮蔽電極を半導体層及びゲート電極の少なくとも一方と同一機会に形成するので、製造プロセスを簡略化することが可能となる。
【００１８】
上述した薄膜素子を形成する工程が薄膜トランジスターを形成する態様では、前記電極パッドを形成する工程は、前記電極パッドが前記半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続されるように、前記電極パッドを形成し、前記電極パッドに第１の電源電位を供給すると共に、前記半導体層の第２のソース・ドレイン領域に前記第１の電源電位と異なる第２の電源電位を供給し、且つ、前記遮蔽電極に前記第１の電源電位と前記第２の電源電位との間の第３の電源電位を供給する工程を含んでもよい。
【００１９】
この場合には、半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電極パッドを介して例えば高電位電源電位である第１の電源電位が供給され、半導体層の第２のソース・ドレイン領域に例えば高電位電源電位よりも低い低電位電源電位である第２の電源電位が供給される。
【００２０】
ここで特に、遮蔽電極に第１の電源電位と第２の電源電位との間の第３の電源電位が供給されるので、電極パッドと剥離層との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によってより確実に低減或いは防止できる。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の他の態様では、前記薄膜素子を形成する工程は、前記薄膜素子として、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と該半導体層の上層側に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスターを形成し、前記電極パッドを形成する工程は、前記電極パッドが前記半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続されるように、前記電極パッドを形成し、前記遮蔽電極を形成する工程は、前記電極パッドの面積に対する前記遮蔽電極の面積の比率が、前記電極パッドと前記剥離層との間の第１距離と前記遮蔽電極と前記剥離層との間の第２距離との和に対する前記第２距離の比率に等しくなるように、前記遮蔽電極を形成し、前記電極パッドに第１の電源電位を供給すると共に、前記半導体層の第２のソース・ドレイン領域に前記第１の電源電位と異なる第２の電源電位を供給し、且つ、前記遮蔽電極に前記第２の電源電位を供給する工程を含む。
【００２２】
この態様によれば、電極パッドと剥離層との間に生じる静電結合の大きさ（即ち、電極パッドと剥離層との間の静電容量）と、遮蔽電極と剥離層との間に生じる静電結合の大きさ（即ち、遮蔽電極と剥離層との間の静電容量）とを互いに等しくすることができ、剥離層の電位を第１の電源電位と第２の電源電位との平均値に殆ど或いは完全に一致させることができる。よって、例えば、剥離層上に絶縁膜を介してＰチャネル型の薄膜トランジスターとＮチャネル型の薄膜トランジスターを形成する場合、Ｐチャネル型の薄膜トランジスターとＮチャネル型の薄膜トランジスターとの各々について剥離層を介して電極パッドと半導体層との間に生じる静電結合を低減できる。従って、Ｐチャネル型の薄膜トランジスターとＮチャネル型の薄膜トランジスターとの両方について、例えばリーク電流が増大するなど、薄膜トランジスターの特性が悪化してしまうことを低減できる。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、支持基板上に設けられた導電膜上に絶縁膜を介して設けられた薄膜素子と、前記支持基板上における前記薄膜素子よりも上層側に設けられた電極パッドと、前記支持基板上の積層構造における前記絶縁膜と前記電極パッドとの間に、前記支持基板上で平面的に見て前記電極パッドに少なくとも部分的に重なるように形成された遮蔽電極とを備える。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置用基板は、上述した本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によって製造され、例えば可撓性基板等である支持基板上に設けられた導電膜上に絶縁膜を介して設けられた薄膜素子を備えてなる。導電膜は、典型的には、転写元基板から転写先基板である支持基板上に転写される薄膜素子を支持基板に接着するための接着層、或いは、外部からの光が薄膜素子に入射するのを遮断するための遮光膜として設けられている。
【００２５】
本発明では特に、支持基板上の積層構造における絶縁膜と電極パッドとの間に、例えば所定電位が供給される遮蔽電極が、支持基板上で平面的に見て電極パッドに少なくとも部分的に重なるように形成されている。よって、電極パッドと導電膜との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によって低減或いは防止できる。従って、電極パッドに電源電位が供給された際、電極パッドと導電膜との間に静電結合が生じることにより、導電膜が電源電位に近い電位になることを低減或いは防止できる。これにより、導電膜と薄膜素子との間に静電結合が生じることによって、言い換えれば、導電膜を介して電極パッドと薄膜素子との間に静電結合が生じることによって薄膜素子の特性が悪化してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、電気光学装置用基板の信頼性を高めることができる。
【００２６】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、電極パッドと薄膜素子との間に導電膜を介して静電結合が生じることを低減でき、電気光学装置用基板の信頼性を高めることが可能である。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置用基板を備える。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置は、上述した本発明に係る電気光学装置用基板を備えるので、例えば、信頼性が高く、高品位な表示を行うことが可能な、例えば電気泳動表示装置、液晶表示装置、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置などの各種表示装置を実現できる。
【００２９】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備える。
【００３０】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を備えるので、例えば、信頼性が高く、高品位な表示を行うことが可能な、例えば電子ペーパー、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等を実現することが可能である。また、本発明の電子機器として、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器も実現することができる。
【００３１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る電極パッド及び遮蔽電極の位置関係を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その１）である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その２）である。
【図５】第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を示す工程断面図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置用基板を適用した電気光学装置の一例たる電気泳動表示装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる電子ペーパーの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる電子ノートの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３４】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図１から図４を参照して説明する。
【００３５】
先ず、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法によって製造される電気光学装置用基板の構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００３６】
図１は、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法によって製造される電気光学装置用基板の構成を模式的に示す断面図である。
【００３７】
図１において、本実施形態に係る電気光学装置用基板１は、可撓性を有する支持基板７０上にＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０を含む回路部３００を備えており、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられる例えば電気泳動表示装置、有機ＥＬ表示装置等の電気光学装置に用いられる。
【００３８】
図１において、電気光学装置用基板１は、支持基板７０と、回路部３００とを備えている。
【００３９】
支持基板７０は、可撓性基板（即ち、撓る或いは湾曲することが可能な基板）である。尚、支持基板７０は、可撓性を有していれば、例えばプラスチック基板、ステンレス基板、アルミニウム基板等であってもよい。また、支持基板７０は必ずしも可撓性を有していなくてもよい。
【００４０】
回路部３００は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の絶縁材料からなる絶縁膜５上に形成されたＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０を備えた薄膜回路であり、支持基板７０上に接着層９０によって接着されている。尚、ＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０は本発明に係る「薄膜素子」の一例であり、絶縁膜５は本発明に係る「絶縁膜」の一例であり、接着層９０は本発明に係る「導電膜」の一例である。
【００４１】
回路部３００は、ＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０から構成されたインバーター回路として形成されている。
【００４２】
ＴＦＴ３１０は、Ｐチャネル型のＴＦＴであり、半導体層３１１と、ゲート電極３１２とを備えている。
【００４３】
半導体層３１１は、絶縁膜５上に形成されており、例えばポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）を含んでなる。半導体層３１１は、チャネル領域３１１ｃと、ソース・ドレイン領域３１１ａと、ソース・ドレイン領域３１１ｂとを有している。ソース・ドレイン領域３１１ａとソース・ドレイン領域３１１ｂとは、チャネル領域３１１ｃを挟んで両側に配置され、チャネル領域３１１ｃにそれぞれ隣接している。ソース・ドレイン領域３１１ａ及びソース・ドレイン領域３１１ｂは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３１１に不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
【００４４】
ゲート電極３１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜を含んでなり、半導体層３１１よりもゲート絶縁膜２を介して上層側に配置されている。ゲート電極３１２は、後述するゲート電極３２２と互いに電気的に接続され、ゲート電極３２２と共にゲート配線に電気的に接続されている。
【００４５】
ゲート絶縁膜２は、半導体層３１１及び後述する半導体層３２１を上層側から覆うように形成されている。ゲート絶縁膜２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の絶縁材料からなる。
【００４６】
ソース・ドレイン領域３１１ａは、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介して例えばＡｌ膜を含んでなるソース・ドレイン配線３１３に電気的に接続されている。ソース・ドレイン配線３１３は、後述する電極パッド５００と互いに電気的に接続されている。
【００４７】
ソース・ドレイン領域３１１ｂは、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介して例えばＡｌ膜を含んでなる接続配線３０１に電気的に接続されている。接続配線３０１は、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールをそれぞれ介してソース・ドレイン領域３１１ｂ及び後述するソース・ドレイン領域３２１ｂに電気的に接続されている。即ち、ソース・ドレイン領域３１１ｂとソース・ドレイン領域３２１ｂとは、接続配線３０１を介して互いに電気的に接続されている。
【００４８】
ＴＦＴ３２０は、Ｎチャネル型のＴＦＴであり、半導体層３２１と、ゲート電極３２２とを備えている。
【００４９】
半導体層３２１は、絶縁膜５上に形成されており、例えばポリシリコンを含んでなる。半導体層３２１は、チャネル領域３２１ｃと、ソース・ドレイン領域３２１ａと、ソース・ドレイン領域３２１ｂとを有している。ソース・ドレイン領域３２１ａとソース・ドレイン領域３２１ｂとは、チャネル領域３２１ｃを挟んで両側に配置され、チャネル領域３２１ｃにそれぞれ隣接している。ソース・ドレイン領域３２１ａ及びソース・ドレイン領域３２１ｂは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３２１に不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
【００５０】
ゲート電極３２２は、例えばＡｌ膜を含んでなり、半導体層３２１よりもゲート絶縁膜２を介して上層側に配置されている。ゲート電極３２２は、上述したように、ゲート電極３１２と互いに電気的に接続され、ゲート電極３１２と共にゲート配線に電気的に接続されている。
【００５１】
ソース・ドレイン領域３２１ａは、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介して例えばＡｌ膜を含んでなるソース・ドレイン配線３２３に電気的に接続されている。ソース・ドレイン配線３２３には、外部から低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給される。
【００５２】
ソース・ドレイン領域３２１ｂは、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介して接続配線３０１に電気的に接続されている。
【００５３】
図１において、電気光学装置用基板１は、電極パッド５００と、パッシベーション膜６１とを備えている。
【００５４】
電極パッド５００は、層間絶縁膜４１上に形成されており、例えばＡｌ膜を含んでなる。電極パッド５００よりも上層側には、上述したソース・ドレイン配線３２３、接続配線３０１及びソース・ドレイン配線３１３を覆うように、例えばアクリル等の樹脂膜からなるパッシベーション膜６１が形成されている。電極パッド５００は、パッシベーション膜６１に形成された開口部６１５から露出するように形成されている。言い換えれば、電極パッド５００は、層間絶縁膜４１上に成膜された例えばＡｌを含む膜のうち、パッシベーション膜６１の開口部６１５から露出する膜部分として形成されている。電極パッド５００は、ソース・ドレイン配線３１３に電気的に接続されている。即ち、電極パッド５００は、ソース・ドレイン配線３１３を介してソース・ドレイン領域３１１ａに電気的に接続されている。電極パッド５００には、外部から高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）が供給される。
【００５５】
図１において、本実施形態では特に、支持基板７０上の積層構造における絶縁膜５と電極パッド５００との間（言い換えれば、接着層９０と電極パッド５００との間）に、遮蔽電極７１０が設けられている。
【００５６】
遮蔽電極７１０は、製造プロセスにおいてゲート電極３１２及びゲート電極３２２と同一機会に形成された同一種類の膜からなる。即ち、遮蔽電極７１０は、ゲート絶縁膜２上に形成されており、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜を含んでなる。
【００５７】
図２は、電極パッド５００及び遮蔽電極７１０の位置関係を模式的に示す平面図である。
【００５８】
図２において、電極パッド５００は、支持基板７０上に複数設けられている。遮蔽電極７１０は、複数の電極パッド５００の各々に対して１つずつ設けられている。遮蔽電極７１０は、支持基板７０上で平面的に見て電極パッド５００を含むように形成されている。遮蔽電極７１０には、ソース・ドレイン領域３２３に供給される低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）と電極パッド５００に供給される高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）との間の中間電源電位（本実施形態では、低電位電源電位ＶＳＳと高電位電源電位ＶＤＤとの平均値である例えば２．５Ｖ）が外部から供給される。尚、中間電源電位は本発明に係る「第３の電源電位」の一例である。
【００５９】
よって、電極パッド５００と接着層９０との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によって低減或いは防止できる。従って、電極パッド５００に高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）が供給された際、電極パッド５００と接着層９０との間に静電結合が生じることにより、接着層９０が高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位になることを低減或いは防止できる。これにより、高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった接着層９０とＴＦＴ３１０の半導体層３１１との間に静電結合が生じることによって、言い換えれば、接着層９０を介して電極パッド５００と半導体層３１１との間に静電結合が生じることによってＴＦＴ３１０の特性が悪化してしまうことを低減或いは防止できる。具体的には、例えば、電極パッド５００との間の静電結合によって高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった接着層９０によってＴＦＴ３１０にリーク電流が発生してしまうこと、即ち、ゲート電極３１２に低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給されることでＴＦＴ３１０が本来オフ状態であるべきときに、高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった接着層９０からチャネル領域３１１ｃに電圧が印加され、チャネル領域３１１ｃに電流が発生してしまうことを遮蔽電極７１０によって低減或いは防止できる。従って、電気光学装置用基板１の信頼性を高めることができる。
【００６０】
次に、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図３及び図４を参照して説明する。
【００６１】
本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法は、上述したＳＵＦＴＬＡを用いた製造方法であり、回路部３００を転写元基板１０（図３参照）上に形成し、回路部３００を転写元基板１０から仮転写基板２０（図３（Ｃ）及び図４参照）に一旦転写した後、仮転写基板２０に転写された回路部３００を転写先基板である支持基板７０（図４（Ｂ）参照）に転写することにより、支持基板７０上に回路部３００を備えてなる電気光学装置用基板１（図１参照）を製造する。
【００６２】
図３及び図４は、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図である。
【００６３】
先ず、図３（Ａ）に示す工程において、例えばガラス基板等からなる転写元基板１０上に剥離層１１及び絶縁膜５を介してＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０を形成する。具体的には、転写元基板１０上に設けられた剥離層１１上に絶縁膜５を形成し、この絶縁膜５上にＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０を形成する。尚、ＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０の形成には、通常の半導体集積技術を用いることができる。
【００６４】
剥離層１１は、後の工程（即ち、後述する図４（Ａ）に示す工程）において照射される光を吸収し、その層及び界面の少なくとも一方において剥離を生じるような性質を有するものである。本実施形態では、剥離層１１をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜から形成する。
【００６５】
ここで、ＴＦＴ３１０のゲート電極３１２及びＴＦＴ３２０のゲート電極３２２を形成する際に、遮蔽電極７１０を形成する。即ち、ゲート絶縁膜２上に例えばＡｌ膜を含む導電膜を成膜し、この導電膜をパターニングすることにより、ゲート電極３１２、ゲート電極３２２及び遮蔽電極７１０を形成する。つまり、ゲート電極３１２及びゲート電極３２２と同一種類の膜から同一機会に遮蔽電極７１０を形成する。よって、製造プロセスの複雑化を招くことなく、遮蔽電極７１０を形成することができる。遮蔽電極７１０は、後の工程（即ち、後述する図３（Ｂ）に示す工程）において形成される電極パッド５００よりも大きな面積を有し、転写元基板１０上で平面的に見て電極パッド５００を含むように形成される。遮蔽電極７１０には、低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）と高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）との間の中間電源電位（本実施形態では、低電位電源電位ＶＳＳと高電位電源電位ＶＤＤとの平均値である例えば２．５Ｖ）が外部から供給される。
【００６６】
次に、図３（Ｂ）に示す工程において、ゲート電極３１２、ゲート電極３２２及び遮蔽電極７１０を覆うように、転写元基板１０のほぼ全面に層間絶縁膜４１を形成する。
【００６７】
次に、層間絶縁膜４１上に例えばＡｌ膜を含む導電膜を成膜し、この導電膜をパターニングすることにより、ソース・ドレイン配線３２３、接続配線３０１、ソース・ドレイン配線３１３及び電極パッド５００を形成する。この際、ソース・ドレイン配線３２３は層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域３２１ａに電気的に接続され、接続配線３０１は層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールをそれぞれ介してソース・ドレイン領域３１１ｂ及びソース・ドレイン領域３２１ｂに電気的に接続され、ソース・ドレイン配線３１３は層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域３１１ａに電気的に接続される。ソース・ドレイン配線３１３及び電極パッド５００は、連続的に形成され、互いに電気的に接続される。
【００６８】
次に、ソース・ドレイン配線３２３、接続配線３０１、ソース・ドレイン配線３１３及び電極パッド５００を覆うように、製造元基板１０のほぼ全面にパッシベーション膜６１を例えばアクリル等の樹脂膜から形成する。この際、電極パッド５００を露出させる開口部６１５を有するようにパッシベーション膜６１を形成する。
【００６９】
ここで、本実施形態では特に、上述したように、転写元基板１０上の積層構造における絶縁膜５と電極パッド５００との間に、低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）と高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）との間の中間電源電位（本実施形態では、低電位電源電位ＶＳＳと高電位電源電位ＶＤＤとの平均値である例えば２．５Ｖ）が供給される遮蔽電極７１０を、転写元基板１０上で平面的に見て電極パッド５００に含まれるように形成する。よって、電極パッド５００と剥離層１１との間に静電結合が生じることを遮蔽電極７１０によって低減或いは防止できる。従って、電極パッド５００に高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）が供給された際、電極パッド５００と剥離層１１との間に静電結合が生じることにより、剥離層１１が高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位になることを低減或いは防止できる。これにより、高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった剥離層１１とＴＦＴ３１０の半導体層３１１との間に静電結合が生じることによって、言い換えれば、剥離層１１を介して電極パッド５００と半導体層３１１との間に静電結合が生じることによってＴＦＴ３１０の特性が悪化してしまうことを低減或いは防止できる。具体的には、例えば、電極パッド５００との間の静電結合によって高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった剥離層１１によってＴＦＴ３１０にリーク電流が発生してしまうこと、即ち、ゲート電極３１２に低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給されることでＴＦＴ３１０が本来オフ状態であるべきときに、高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった剥離層１１からチャネル領域３１１ｃに電圧が印加され、チャネル領域３１１ｃに電流が発生してしまうことを遮蔽電極７１０によって低減或いは防止できる。この結果、電気光学装置用基板１の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。
【００７０】
次に、図３（Ｃ）に示す工程において、パッシベーション膜６０を覆うように、製造元基板１０のほぼ全面に水溶性の接着剤である仮接着剤６００を例えばディスペンサ塗布法或いはインクジェット塗布法等によって設ける。仮接着剤６００としては、光硬化性のアクリレート系樹脂を用いることができる。
【００７１】
次に、仮接着剤６００を介して転写元基板１０と仮転写基板２０とを貼り合わせる。仮転写基板２０は、例えばガラス基板からなり、仮転写基板２０における転写元基板１０に対向する側の面には、転写元基板１０と同様に、剥離層２１が形成されている。剥離層２１は、剥離層１１と同様に、アモルファスシリコン膜から形成される。
【００７２】
次に、仮接着剤６００に対して仮転写基板２０側から光を照射することにより、仮接着剤６００を硬化させる。
【００７３】
次に、図４（Ａ）に示す工程において、剥離層１１に対して転写元基板１０側から光を照射し、絶縁膜５から転写元基板１０を剥離する。
【００７４】
次に、図４（Ｂ）に示す工程において、絶縁膜５に転写先基板である支持基板７０を接着層９０によって接着する。
【００７５】
その後、剥離層２１に対して仮転写基板２０側から光を照射し、仮接着剤６００から仮転写基板２０を剥離する。次に、水に浸すことにより水溶性の接着剤である仮接着剤６００を除去する。
【００７６】
このようにして、支持基板７０上に回路部３００を備えてなる電気光学装置用基板１を製造することができる。
【００７７】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、電極パッド５００とＴＦＴ３１０との間に剥離層１１を介して静電結合が生じることを低減でき、歩留まりを向上させることが可能である。
【００７８】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図５を参照して説明する。
【００７９】
図５は、第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を示す工程断面図である。尚、図５において、図１から図４に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８０】
第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法は、上述した第１実施形態における遮蔽電極７１０に代えて遮蔽電極７２０を形成する点で、上述した第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法と概ね同様である。
【００８１】
図５において、第２実施形態では特に、ＴＦＴ３１０のゲート電極３１２及びＴＦＴ３２０のゲート電極３２２を形成する際に、電極パッド５００よりも小さい面積を有し且つ低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給される遮蔽電極７２０を形成する。
【００８２】
即ち、ゲート絶縁膜２上に例えばＡｌ膜を含む導電膜を成膜し、この導電膜をパターニングすることにより、ゲート電極３１２、ゲート電極３２２及び遮蔽電極７２０を形成する。この際、遮蔽電極７２０を、電極パッド５００よりも小さい面積を有し且つ低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給されるように形成する。ここで特に、遮蔽電極７２０を、電極パッド５００の面積に対する遮蔽電極７２０の面積の比率が、電極パッド５００と剥離層１１との間の距離ｄ１と遮蔽電極７２０と剥離層１１との間の距離ｄ２との和に対する距離ｄ２の比率（即ち、ｄ２／（ｄ１＋ｄ２））に等しくなるように形成する。よって、電極パッド５００と剥離層１１との間に生じる静電結合の大きさ（即ち、電極パッド５００と剥離層１１との間の静電容量）と、遮蔽電極７２０と剥離層１１との間に生じる静電結合の大きさ（即ち、遮蔽電極７２０と剥離層１１との間の静電容量）とを互いに等しくすることができ、剥離層１１の電位を高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）と低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）との平均値（例えば２．５Ｖ）に殆ど或いは完全に一致させることができる。よって、剥離層１１上に絶縁膜５を介して形成されたＰチャネル型のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦＴとの各々について剥離層１１を介して電極パッド５００と半導体層との間に生じる静電結合を低減できる。従って、Ｐチャネル型のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦＴとの両方について、例えばリーク電流が増大するなど、ＴＦＴの特性が悪化してしまうことを低減できる。
【００８３】
＜電気光学装置＞
次に、上述した電気光学装置用基板を適用した電気光学装置について、図６を参照して説明する。以下では、上述した電気光学装置用基板を電気光学装置の一例である電気泳動表示装置に適用した場合を例にとる。
【００８４】
図６は、本実施形態に係る電気泳動表示装置の構成を示す断面図である。
【００８５】
図６において、本実施形態に係る電気泳動表示装置は、上述した実施形態に係る電気光学装置用基板が適用された素子基板１２８を備えている。本実施形態に係る電気泳動表示装置は、素子基板１２８と対向基板１２９との間に電気泳動素子１２３が挟持される構成となっている。
【００８６】
素子基板１２８上には、走査線、データ線、画素スイッチング用ＴＦＴ、駆動回路用ＴＦＴ等が作り込まれた積層構造が形成されている。この積層構造の上層側に複数の画素電極１２１がマトリクス状に設けられている。対向基板１２９における素子基板１２８との対向面上には、共通電極１２２が複数の画素電極１２１と対向してベタ状に形成されている。電気泳動素子１２３は、互いに異なる極性に帯電された白色及び黒色の電気泳動粒子をそれぞれ含んでなる複数のマイクロカプセル１８０から構成されており、例えば樹脂等からなるバインダー１３０及び接着層１３１によって素子基板１２８及び対向基板１２９間で固定されている。
【００８７】
画素電極１２１及び共通電極１２２間に画像信号に応じた電圧が印加されることにより、白色及び黒色の電気泳動粒子の一方が共通電極１２２側に移動し、他方が画素電極１２１側に移動することにより、各画素１２０において対向基板１２９側に白色又は黒色が表示される。
【００８８】
本実施形態に係る電気泳動表示装置は、上述した本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えるので、信頼性が高く、高品位な表示を行うことができる。
【００８９】
＜電子機器＞
次に、上述した電気泳動表示装置を適用した電子機器について、図７及び図８を参照して説明する。以下では、上述した電気泳動表示装置を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。
【００９０】
図７は、電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。
【００９１】
図７に示すように、電子ペーパー１４００は、上述した実施形態に係る電気泳動表示装置を表示部１４０１として備えている。電子ペーパー１４００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。
【００９２】
図８は、電子ノート１５００の構成を示す斜視図である。
【００９３】
図８に示すように、電子ノート１５００は、図７で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力するための表示データ入力手段（図示せず）を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。
【００９４】
上述した電子ペーパー１４００及び電子ノート１５００は、上述した実施形態に係る電気泳動表示装置を備えるので、信頼性が高く、高品位な表示を行うことが可能である。
【００９５】
尚、これらの他に、腕時計、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部に、上述した本実施形態に係る電気泳動表示装置を適用することができる。
【００９６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９７】
５…絶縁膜、２…ゲート絶縁膜、１０…転写元基板、１１…剥離層、２０…仮転写基板、４１…層間絶縁膜、６１…パッシベーション膜、７０…支持基板、９０…接着層、３００…回路部、３１０、３２０…ＴＦＴ、３１１、３２１…半導体層、３１２、３２２…ゲート電極、５００…電極パッド、７１０、７２０…遮蔽電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置用基板は、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられ、例えば薄膜トランジスター（以下「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」と適宜称する）等の薄膜素子を例えばプラスチック基板等の可撓性基板上に備えてなる。
【０００３】
この種の電気光学装置用基板を製造する方法として、先ずガラス基板上に剥離層（或いは分離層）を介して薄膜素子を形成した後、剥離層に光を照射することによりガラス基板から薄膜素子を剥離（或いは離脱）させて、可撓性基板へ転写する方法が知られている（例えば特許文献１参照）。このような製造方法は、素子転写法或いはＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Annealing/Ablation）（登録商標）と呼ばれる。
【０００４】
一方、この種の電気光学装置用基板には、薄膜素子に電源電位を供給するための電極パッドが薄膜素子よりも上層側に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３１７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような素子転写法によって電気光学装置用基板を製造する場合において、電極パッドに電源電位が供給されると、剥離層を介して電極パッドと薄膜素子との間に静電結合が生じて、薄膜素子の特性が悪化してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。この結果、電気光学装置用基板の製造プロセスにおける歩留まりが低下してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば電極パッドと薄膜素子との間に剥離層を介して静電結合が生じることを低減でき、歩留まりを向上させることが可能な電気光学装置用基板の製造方法、このような製造方法によって製造された電気光学装置用基板、このような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は上記課題を解決するために、転写元基板に形成した薄膜素子を転写先基板に転写することにより電気光学装置用基板を製造する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記転写元基板上に設けられた剥離層上に絶縁膜を介して前記薄膜素子を形成する工程と、前記転写元基板上における前記薄膜素子よりも上層側に電極パッドを形成する工程と、前記転写元基板上の積層構造における前記絶縁膜と前記電極パッドとの間に、前記転写元基板上で平面的に見て前記電極パッドに少なくとも部分的に重なるように、遮蔽電極を形成する工程とを含む。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、例えばガラス基板等である転写元基板に形成した例えばＴＦＴ等である薄膜素子を、例えば可撓性基板等である転写先基板に転写することにより、転写先基板上に薄膜素子を備えてなる電気光学装置用基板を製造する。
【００１０】
本発明によれば、転写元基板上に設けられた剥離層上に絶縁膜を介して薄膜素子を形成する。剥離層は、照射される光を吸収し、その層及び界面の少なくとも一方において剥離を生じるような性質を有するものであり、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜から形成することができる。剥離層は、典型的には、転写元基板上のほぼ全面に設けられる。絶縁膜は、薄膜素子の下地として剥離層上に設けられる。
【００１１】
本発明では、薄膜素子よりも上層側に電極パッドを形成する。電極パッドは、例えば、薄膜素子に電気的に接続され、外部から電源電位が供給される。
【００１２】
本発明では特に、転写元基板上の積層構造における絶縁膜と電極パッドとの間に、例えば所定電位が供給される遮蔽電極を、転写元基板上で平面的に見て電極パッドに少なくとも部分的に重なるように形成する。よって、電極パッドと剥離層との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によって低減或いは防止できる。従って、電極パッドに電源電位が供給された際、電極パッドと剥離層との間に静電結合が生じることにより、剥離層が電源電位に近い電位になることを低減或いは防止できる。これにより、剥離層と薄膜素子との間に静電結合が生じることによって、言い換えれば、剥離層を介して電極パッドと薄膜素子との間に静電結合が生じることによって薄膜素子の特性が悪化してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、電気光学装置用基板の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。
【００１３】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、電極パッドと薄膜素子との間に剥離層を介して静電結合が生じることを低減でき、歩留まりを向上させることが可能である。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の一態様では、前記遮蔽電極を形成する工程は、前記転写元基板上で平面的に見て前記電極パッドが前記遮蔽電極に含まれるように、前記遮蔽電極を形成する。
【００１５】
この態様によれば、遮蔽電極は、転写元基板上で平面的に見て、電極パッドよりも大きな面積を有し、電極パッドを含むように形成される。よって、電極パッドと剥離層との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によってより確実に低減或いは防止できる。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の他の態様では、前記薄膜素子を形成する工程は、前記薄膜素子として、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と該半導体層の上層側に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスターを形成し、前記遮蔽電極を形成する工程は、前記遮蔽電極を、前記半導体層及び前記ゲート電極の少なくとも一方と同一種類の膜から同一機会に形成する。
【００１７】
この態様によれば、遮蔽電極を半導体層及びゲート電極の少なくとも一方と同一機会に形成するので、製造プロセスを簡略化することが可能となる。
【００１８】
上述した薄膜素子を形成する工程が薄膜トランジスターを形成する態様では、前記電極パッドを形成する工程は、前記電極パッドが前記半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続されるように、前記電極パッドを形成し、前記電極パッドに第１の電源電位を供給すると共に、前記半導体層の第２のソース・ドレイン領域に前記第１の電源電位と異なる第２の電源電位を供給し、且つ、前記遮蔽電極に前記第１の電源電位と前記第２の電源電位との間の第３の電源電位を供給する工程を含んでもよい。
【００１９】
この場合には、半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電極パッドを介して例えば高電位電源電位である第１の電源電位が供給され、半導体層の第２のソース・ドレイン領域に例えば高電位電源電位よりも低い低電位電源電位である第２の電源電位が供給される。
【００２０】
ここで特に、遮蔽電極に第１の電源電位と第２の電源電位との間の第３の電源電位が供給されるので、電極パッドと剥離層との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によってより確実に低減或いは防止できる。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の他の態様では、前記薄膜素子を形成する工程は、前記薄膜素子として、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と該半導体層の上層側に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスターを形成し、前記電極パッドを形成する工程は、前記電極パッドが前記半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続されるように、前記電極パッドを形成し、前記遮蔽電極を形成する工程は、前記電極パッドの面積に対する前記遮蔽電極の面積の比率が、前記電極パッドと前記剥離層との間の第１距離と前記遮蔽電極と前記剥離層との間の第２距離との和に対する前記第２距離の比率に等しくなるように、前記遮蔽電極を形成し、前記電極パッドに第１の電源電位を供給すると共に、前記半導体層の第２のソース・ドレイン領域に前記第１の電源電位と異なる第２の電源電位を供給し、且つ、前記遮蔽電極に前記第２の電源電位を供給する工程を含む。
【００２２】
この態様によれば、電極パッドと剥離層との間に生じる静電結合の大きさ（即ち、電極パッドと剥離層との間の静電容量）と、遮蔽電極と剥離層との間に生じる静電結合の大きさ（即ち、遮蔽電極と剥離層との間の静電容量）とを互いに等しくすることができ、剥離層の電位を第１の電源電位と第２の電源電位との平均値に殆ど或いは完全に一致させることができる。よって、例えば、剥離層上に絶縁膜を介してＰチャネル型の薄膜トランジスターとＮチャネル型の薄膜トランジスターを形成する場合、Ｐチャネル型の薄膜トランジスターとＮチャネル型の薄膜トランジスターとの各々について剥離層を介して電極パッドと半導体層との間に生じる静電結合を低減できる。従って、Ｐチャネル型の薄膜トランジスターとＮチャネル型の薄膜トランジスターとの両方について、例えばリーク電流が増大するなど、薄膜トランジスターの特性が悪化してしまうことを低減できる。
【００２３】
本発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、支持基板上に設けられた導電膜上に絶縁膜を介して設けられた薄膜素子と、前記支持基板上における前記薄膜素子よりも上層側に設けられた電極パッドと、前記支持基板上の積層構造における前記絶縁膜と前記電極パッドとの間に、前記支持基板上で平面的に見て前記電極パッドに少なくとも部分的に重なるように形成された遮蔽電極とを備える。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置用基板は、上述した本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によって製造され、例えば可撓性基板等である支持基板上に設けられた導電膜上に絶縁膜を介して設けられた薄膜素子を備えてなる。導電膜は、典型的には、転写元基板から転写先基板である支持基板上に転写される薄膜素子を支持基板に接着するための接着層、或いは、外部からの光が薄膜素子に入射するのを遮断するための遮光膜として設けられている。
【００２５】
本発明では特に、支持基板上の積層構造における絶縁膜と電極パッドとの間に、例えば所定電位が供給される遮蔽電極が、支持基板上で平面的に見て電極パッドに少なくとも部分的に重なるように形成されている。よって、電極パッドと導電膜との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によって低減或いは防止できる。従って、電極パッドに電源電位が供給された際、電極パッドと導電膜との間に静電結合が生じることにより、導電膜が電源電位に近い電位になることを低減或いは防止できる。これにより、導電膜と薄膜素子との間に静電結合が生じることによって、言い換えれば、導電膜を介して電極パッドと薄膜素子との間に静電結合が生じることによって薄膜素子の特性が悪化してしまうことを低減或いは防止できる。この結果、電気光学装置用基板の信頼性を高めることができる。
【００２６】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、電極パッドと薄膜素子との間に導電膜を介して静電結合が生じることを低減でき、電気光学装置用基板の信頼性を高めることが可能である。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置用基板を備える。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置は、上述した本発明に係る電気光学装置用基板を備えるので、例えば、信頼性が高く、高品位な表示を行うことが可能な、例えば電気泳動表示装置、液晶表示装置、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置などの各種表示装置を実現できる。
【００２９】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備える。
【００３０】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を備えるので、例えば、信頼性が高く、高品位な表示を行うことが可能な、例えば電子ペーパー、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等を実現することが可能である。また、本発明の電子機器として、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器も実現することができる。
【００３１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る電極パッド及び遮蔽電極の位置関係を示す平面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その１）である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図（その２）である。
【図５】第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を示す工程断面図である。
【図６】本発明に係る電気光学装置用基板を適用した電気光学装置の一例たる電気泳動表示装置の構成を示す断面図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる電子ペーパーの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる電子ノートの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３４】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図１から図４を参照して説明する。
【００３５】
先ず、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法によって製造される電気光学装置用基板の構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００３６】
図１は、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法によって製造される電気光学装置用基板の構成を模式的に示す断面図である。
【００３７】
図１において、本実施形態に係る電気光学装置用基板１は、可撓性を有する支持基板７０上にＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０を含む回路部３００を備えており、例えば電子ペーパー等のフレキシブルデバイスに用いられる例えば電気泳動表示装置、有機ＥＬ表示装置等の電気光学装置に用いられる。
【００３８】
図１において、電気光学装置用基板１は、支持基板７０と、回路部３００とを備えている。
【００３９】
支持基板７０は、可撓性基板（即ち、撓る或いは湾曲することが可能な基板）である。尚、支持基板７０は、可撓性を有していれば、例えばプラスチック基板、ステンレス基板、アルミニウム基板等であってもよい。また、支持基板７０は必ずしも可撓性を有していなくてもよい。
【００４０】
回路部３００は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の絶縁材料からなる絶縁膜５上に形成されたＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０を備えた薄膜回路であり、支持基板７０上に接着層９０によって接着されている。尚、ＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０は本発明に係る「薄膜素子」の一例であり、絶縁膜５は本発明に係る「絶縁膜」の一例であり、接着層９０は本発明に係る「導電膜」の一例である。
【００４１】
回路部３００は、ＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０から構成されたインバーター回路として形成されている。
【００４２】
ＴＦＴ３１０は、Ｐチャネル型のＴＦＴであり、半導体層３１１と、ゲート電極３１２とを備えている。
【００４３】
半導体層３１１は、絶縁膜５上に形成されており、例えばポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）を含んでなる。半導体層３１１は、チャネル領域３１１ｃと、ソース・ドレイン領域３１１ａと、ソース・ドレイン領域３１１ｂとを有している。ソース・ドレイン領域３１１ａとソース・ドレイン領域３１１ｂとは、チャネル領域３１１ｃを挟んで両側に配置され、チャネル領域３１１ｃにそれぞれ隣接している。ソース・ドレイン領域３１１ａ及びソース・ドレイン領域３１１ｂは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３１１に不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
【００４４】
ゲート電極３１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜を含んでなり、半導体層３１１よりもゲート絶縁膜２を介して上層側に配置されている。ゲート電極３１２は、後述するゲート電極３２２と互いに電気的に接続され、ゲート電極３２２と共にゲート配線に電気的に接続されている。
【００４５】
ゲート絶縁膜２は、半導体層３１１及び後述する半導体層３２１を上層側から覆うように形成されている。ゲート絶縁膜２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の絶縁材料からなる。
【００４６】
ソース・ドレイン領域３１１ａは、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介して例えばＡｌ膜を含んでなるソース・ドレイン配線３１３に電気的に接続されている。ソース・ドレイン配線３１３は、後述する電極パッド５００と互いに電気的に接続されている。
【００４７】
ソース・ドレイン領域３１１ｂは、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介して例えばＡｌ膜を含んでなる接続配線３０１に電気的に接続されている。接続配線３０１は、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールをそれぞれ介してソース・ドレイン領域３１１ｂ及び後述するソース・ドレイン領域３２１ｂに電気的に接続されている。即ち、ソース・ドレイン領域３１１ｂとソース・ドレイン領域３２１ｂとは、接続配線３０１を介して互いに電気的に接続されている。
【００４８】
ＴＦＴ３２０は、Ｎチャネル型のＴＦＴであり、半導体層３２１と、ゲート電極３２２とを備えている。
【００４９】
半導体層３２１は、絶縁膜５上に形成されており、例えばポリシリコンを含んでなる。半導体層３２１は、チャネル領域３２１ｃと、ソース・ドレイン領域３２１ａと、ソース・ドレイン領域３２１ｂとを有している。ソース・ドレイン領域３２１ａとソース・ドレイン領域３２１ｂとは、チャネル領域３２１ｃを挟んで両側に配置され、チャネル領域３２１ｃにそれぞれ隣接している。ソース・ドレイン領域３２１ａ及びソース・ドレイン領域３２１ｂは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３２１に不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
【００５０】
ゲート電極３２２は、例えばＡｌ膜を含んでなり、半導体層３２１よりもゲート絶縁膜２を介して上層側に配置されている。ゲート電極３２２は、上述したように、ゲート電極３１２と互いに電気的に接続され、ゲート電極３１２と共にゲート配線に電気的に接続されている。
【００５１】
ソース・ドレイン領域３２１ａは、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介して例えばＡｌ膜を含んでなるソース・ドレイン配線３２３に電気的に接続されている。ソース・ドレイン配線３２３には、外部から低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給される。
【００５２】
ソース・ドレイン領域３２１ｂは、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介して接続配線３０１に電気的に接続されている。
【００５３】
図１において、電気光学装置用基板１は、電極パッド５００と、パッシベーション膜６１とを備えている。
【００５４】
電極パッド５００は、層間絶縁膜４１上に形成されており、例えばＡｌ膜を含んでなる。電極パッド５００よりも上層側には、上述したソース・ドレイン配線３２３、接続配線３０１及びソース・ドレイン配線３１３を覆うように、例えばアクリル等の樹脂膜からなるパッシベーション膜６１が形成されている。電極パッド５００は、パッシベーション膜６１に形成された開口部６１５から露出するように形成されている。言い換えれば、電極パッド５００は、層間絶縁膜４１上に成膜された例えばＡｌを含む膜のうち、パッシベーション膜６１の開口部６１５から露出する膜部分として形成されている。電極パッド５００は、ソース・ドレイン配線３１３に電気的に接続されている。即ち、電極パッド５００は、ソース・ドレイン配線３１３を介してソース・ドレイン領域３１１ａに電気的に接続されている。電極パッド５００には、外部から高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）が供給される。
【００５５】
図１において、本実施形態では特に、支持基板７０上の積層構造における絶縁膜５と電極パッド５００との間（言い換えれば、接着層９０と電極パッド５００との間）に、遮蔽電極７１０が設けられている。
【００５６】
遮蔽電極７１０は、製造プロセスにおいてゲート電極３１２及びゲート電極３２２と同一機会に形成された同一種類の膜からなる。即ち、遮蔽電極７１０は、ゲート絶縁膜２上に形成されており、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜を含んでなる。
【００５７】
図２は、電極パッド５００及び遮蔽電極７１０の位置関係を模式的に示す平面図である。
【００５８】
図２において、電極パッド５００は、支持基板７０上に複数設けられている。遮蔽電極７１０は、複数の電極パッド５００の各々に対して１つずつ設けられている。遮蔽電極７１０は、支持基板７０上で平面的に見て電極パッド５００を含むように形成されている。遮蔽電極７１０には、ソース・ドレイン領域３２３に供給される低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）と電極パッド５００に供給される高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）との間の中間電源電位（本実施形態では、低電位電源電位ＶＳＳと高電位電源電位ＶＤＤとの平均値である例えば２．５Ｖ）が外部から供給される。尚、中間電源電位は本発明に係る「第３の電源電位」の一例である。
【００５９】
よって、電極パッド５００と接着層９０との間に静電結合が生じることを遮蔽電極によって低減或いは防止できる。従って、電極パッド５００に高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）が供給された際、電極パッド５００と接着層９０との間に静電結合が生じることにより、接着層９０が高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位になることを低減或いは防止できる。これにより、高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった接着層９０とＴＦＴ３１０の半導体層３１１との間に静電結合が生じることによって、言い換えれば、接着層９０を介して電極パッド５００と半導体層３１１との間に静電結合が生じることによってＴＦＴ３１０の特性が悪化してしまうことを低減或いは防止できる。具体的には、例えば、電極パッド５００との間の静電結合によって高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった接着層９０によってＴＦＴ３１０にリーク電流が発生してしまうこと、即ち、ゲート電極３１２に低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給されることでＴＦＴ３１０が本来オフ状態であるべきときに、高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった接着層９０からチャネル領域３１１ｃに電圧が印加され、チャネル領域３１１ｃに電流が発生してしまうことを遮蔽電極７１０によって低減或いは防止できる。従って、電気光学装置用基板１の信頼性を高めることができる。
【００６０】
次に、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図３及び図４を参照して説明する。
【００６１】
本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法は、上述したＳＵＦＴＬＡを用いた製造方法であり、回路部３００を転写元基板１０（図３参照）上に形成し、回路部３００を転写元基板１０から仮転写基板２０（図３（Ｃ）及び図４参照）に一旦転写した後、仮転写基板２０に転写された回路部３００を転写先基板である支持基板７０（図４（Ｂ）参照）に転写することにより、支持基板７０上に回路部３００を備えてなる電気光学装置用基板１（図１参照）を製造する。
【００６２】
図３及び図４は、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示す工程断面図である。
【００６３】
先ず、図３（Ａ）に示す工程において、例えばガラス基板等からなる転写元基板１０上に剥離層１１及び絶縁膜５を介してＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０を形成する。具体的には、転写元基板１０上に設けられた剥離層１１上に絶縁膜５を形成し、この絶縁膜５上にＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０を形成する。尚、ＴＦＴ３１０及びＴＦＴ３２０の形成には、通常の半導体集積技術を用いることができる。
【００６４】
剥離層１１は、後の工程（即ち、後述する図４（Ａ）に示す工程）において照射される光を吸収し、その層及び界面の少なくとも一方において剥離を生じるような性質を有するものである。本実施形態では、剥離層１１をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜から形成する。
【００６５】
ここで、ＴＦＴ３１０のゲート電極３１２及びＴＦＴ３２０のゲート電極３２２を形成する際に、遮蔽電極７１０を形成する。即ち、ゲート絶縁膜２上に例えばＡｌ膜を含む導電膜を成膜し、この導電膜をパターニングすることにより、ゲート電極３１２、ゲート電極３２２及び遮蔽電極７１０を形成する。つまり、ゲート電極３１２及びゲート電極３２２と同一種類の膜から同一機会に遮蔽電極７１０を形成する。よって、製造プロセスの複雑化を招くことなく、遮蔽電極７１０を形成することができる。遮蔽電極７１０は、後の工程（即ち、後述する図３（Ｂ）に示す工程）において形成される電極パッド５００よりも大きな面積を有し、転写元基板１０上で平面的に見て電極パッド５００を含むように形成される。遮蔽電極７１０には、低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）と高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）との間の中間電源電位（本実施形態では、低電位電源電位ＶＳＳと高電位電源電位ＶＤＤとの平均値である例えば２．５Ｖ）が外部から供給される。
【００６６】
次に、図３（Ｂ）に示す工程において、ゲート電極３１２、ゲート電極３２２及び遮蔽電極７１０を覆うように、転写元基板１０のほぼ全面に層間絶縁膜４１を形成する。
【００６７】
次に、層間絶縁膜４１上に例えばＡｌ膜を含む導電膜を成膜し、この導電膜をパターニングすることにより、ソース・ドレイン配線３２３、接続配線３０１、ソース・ドレイン配線３１３及び電極パッド５００を形成する。この際、ソース・ドレイン配線３２３は層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域３２１ａに電気的に接続され、接続配線３０１は層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールをそれぞれ介してソース・ドレイン領域３１１ｂ及びソース・ドレイン領域３２１ｂに電気的に接続され、ソース・ドレイン配線３１３は層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域３１１ａに電気的に接続される。ソース・ドレイン配線３１３及び電極パッド５００は、連続的に形成され、互いに電気的に接続される。
【００６８】
次に、ソース・ドレイン配線３２３、接続配線３０１、ソース・ドレイン配線３１３及び電極パッド５００を覆うように、製造元基板１０のほぼ全面にパッシベーション膜６１を例えばアクリル等の樹脂膜から形成する。この際、電極パッド５００を露出させる開口部６１５を有するようにパッシベーション膜６１を形成する。
【００６９】
ここで、本実施形態では特に、上述したように、転写元基板１０上の積層構造における絶縁膜５と電極パッド５００との間に、低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）と高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）との間の中間電源電位（本実施形態では、低電位電源電位ＶＳＳと高電位電源電位ＶＤＤとの平均値である例えば２．５Ｖ）が供給される遮蔽電極７１０を、転写元基板１０上で平面的に見て電極パッド５００に含まれるように形成する。よって、電極パッド５００と剥離層１１との間に静電結合が生じることを遮蔽電極７１０によって低減或いは防止できる。従って、電極パッド５００に高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）が供給された際、電極パッド５００と剥離層１１との間に静電結合が生じることにより、剥離層１１が高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位になることを低減或いは防止できる。これにより、高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった剥離層１１とＴＦＴ３１０の半導体層３１１との間に静電結合が生じることによって、言い換えれば、剥離層１１を介して電極パッド５００と半導体層３１１との間に静電結合が生じることによってＴＦＴ３１０の特性が悪化してしまうことを低減或いは防止できる。具体的には、例えば、電極パッド５００との間の静電結合によって高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった剥離層１１によってＴＦＴ３１０にリーク電流が発生してしまうこと、即ち、ゲート電極３１２に低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給されることでＴＦＴ３１０が本来オフ状態であるべきときに、高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）に近い電位となった剥離層１１からチャネル領域３１１ｃに電圧が印加され、チャネル領域３１１ｃに電流が発生してしまうことを遮蔽電極７１０によって低減或いは防止できる。この結果、電気光学装置用基板１の製造プロセスにおける歩留まりを向上させることができる。
【００７０】
次に、図３（Ｃ）に示す工程において、パッシベーション膜６０を覆うように、製造元基板１０のほぼ全面に水溶性の接着剤である仮接着剤６００を例えばディスペンサ塗布法或いはインクジェット塗布法等によって設ける。仮接着剤６００としては、光硬化性のアクリレート系樹脂を用いることができる。
【００７１】
次に、仮接着剤６００を介して転写元基板１０と仮転写基板２０とを貼り合わせる。仮転写基板２０は、例えばガラス基板からなり、仮転写基板２０における転写元基板１０に対向する側の面には、転写元基板１０と同様に、剥離層２１が形成されている。剥離層２１は、剥離層１１と同様に、アモルファスシリコン膜から形成される。
【００７２】
次に、仮接着剤６００に対して仮転写基板２０側から光を照射することにより、仮接着剤６００を硬化させる。
【００７３】
次に、図４（Ａ）に示す工程において、剥離層１１に対して転写元基板１０側から光を照射し、絶縁膜５から転写元基板１０を剥離する。
【００７４】
次に、図４（Ｂ）に示す工程において、絶縁膜５に転写先基板である支持基板７０を接着層９０によって接着する。
【００７５】
その後、剥離層２１に対して仮転写基板２０側から光を照射し、仮接着剤６００から仮転写基板２０を剥離する。次に、水に浸すことにより水溶性の接着剤である仮接着剤６００を除去する。
【００７６】
このようにして、支持基板７０上に回路部３００を備えてなる電気光学装置用基板１を製造することができる。
【００７７】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、電極パッド５００とＴＦＴ３１０との間に剥離層１１を介して静電結合が生じることを低減でき、歩留まりを向上させることが可能である。
【００７８】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法について、図５を参照して説明する。
【００７９】
図５は、第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法の主要な工程を示す工程断面図である。尚、図５において、図１から図４に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８０】
第２実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法は、上述した第１実施形態における遮蔽電極７１０に代えて遮蔽電極７２０を形成する点で、上述した第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法と概ね同様である。
【００８１】
図５において、第２実施形態では特に、ＴＦＴ３１０のゲート電極３１２及びＴＦＴ３２０のゲート電極３２２を形成する際に、電極パッド５００よりも小さい面積を有し且つ低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給される遮蔽電極７２０を形成する。
【００８２】
即ち、ゲート絶縁膜２上に例えばＡｌ膜を含む導電膜を成膜し、この導電膜をパターニングすることにより、ゲート電極３１２、ゲート電極３２２及び遮蔽電極７２０を形成する。この際、遮蔽電極７２０を、電極パッド５００よりも小さい面積を有し且つ低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）が供給されるように形成する。ここで特に、遮蔽電極７２０を、電極パッド５００の面積に対する遮蔽電極７２０の面積の比率が、電極パッド５００と剥離層１１との間の距離ｄ１と遮蔽電極７２０と剥離層１１との間の距離ｄ２との和に対する距離ｄ２の比率（即ち、ｄ２／（ｄ１＋ｄ２））に等しくなるように形成する。よって、電極パッド５００と剥離層１１との間に生じる静電結合の大きさ（即ち、電極パッド５００と剥離層１１との間の静電容量）と、遮蔽電極７２０と剥離層１１との間に生じる静電結合の大きさ（即ち、遮蔽電極７２０と剥離層１１との間の静電容量）とを互いに等しくすることができ、剥離層１１の電位を高電位電源電位ＶＤＤ（例えば５Ｖ）と低電位電源電位ＶＳＳ（例えば０Ｖ）との平均値（例えば２．５Ｖ）に殆ど或いは完全に一致させることができる。よって、剥離層１１上に絶縁膜５を介して形成されたＰチャネル型のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦＴとの各々について剥離層１１を介して電極パッド５００と半導体層との間に生じる静電結合を低減できる。従って、Ｐチャネル型のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦＴとの両方について、例えばリーク電流が増大するなど、ＴＦＴの特性が悪化してしまうことを低減できる。
【００８３】
＜電気光学装置＞
次に、上述した電気光学装置用基板を適用した電気光学装置について、図６を参照して説明する。以下では、上述した電気光学装置用基板を電気光学装置の一例である電気泳動表示装置に適用した場合を例にとる。
【００８４】
図６は、本実施形態に係る電気泳動表示装置の構成を示す断面図である。
【００８５】
図６において、本実施形態に係る電気泳動表示装置は、上述した実施形態に係る電気光学装置用基板が適用された素子基板１２８を備えている。本実施形態に係る電気泳動表示装置は、素子基板１２８と対向基板１２９との間に電気泳動素子１２３が挟持される構成となっている。
【００８６】
素子基板１２８上には、走査線、データ線、画素スイッチング用ＴＦＴ、駆動回路用ＴＦＴ等が作り込まれた積層構造が形成されている。この積層構造の上層側に複数の画素電極１２１がマトリクス状に設けられている。対向基板１２９における素子基板１２８との対向面上には、共通電極１２２が複数の画素電極１２１と対向してベタ状に形成されている。電気泳動素子１２３は、互いに異なる極性に帯電された白色及び黒色の電気泳動粒子をそれぞれ含んでなる複数のマイクロカプセル１８０から構成されており、例えば樹脂等からなるバインダー１３０及び接着層１３１によって素子基板１２８及び対向基板１２９間で固定されている。
【００８７】
画素電極１２１及び共通電極１２２間に画像信号に応じた電圧が印加されることにより、白色及び黒色の電気泳動粒子の一方が共通電極１２２側に移動し、他方が画素電極１２１側に移動することにより、各画素１２０において対向基板１２９側に白色又は黒色が表示される。
【００８８】
本実施形態に係る電気泳動表示装置は、上述した本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えるので、信頼性が高く、高品位な表示を行うことができる。
【００８９】
＜電子機器＞
次に、上述した電気泳動表示装置を適用した電子機器について、図７及び図８を参照して説明する。以下では、上述した電気泳動表示装置を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。
【００９０】
図７は、電子ペーパー１４００の構成を示す斜視図である。
【００９１】
図７に示すように、電子ペーパー１４００は、上述した実施形態に係る電気泳動表示装置を表示部１４０１として備えている。電子ペーパー１４００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。
【００９２】
図８は、電子ノート１５００の構成を示す斜視図である。
【００９３】
図８に示すように、電子ノート１５００は、図７で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力するための表示データ入力手段（図示せず）を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。
【００９４】
上述した電子ペーパー１４００及び電子ノート１５００は、上述した実施形態に係る電気泳動表示装置を備えるので、信頼性が高く、高品位な表示を行うことが可能である。
【００９５】
尚、これらの他に、腕時計、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部に、上述した本実施形態に係る電気泳動表示装置を適用することができる。
【００９６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９７】
５…絶縁膜、２…ゲート絶縁膜、１０…転写元基板、１１…剥離層、２０…仮転写基板、４１…層間絶縁膜、６１…パッシベーション膜、７０…支持基板、９０…接着層、３００…回路部、３１０、３２０…ＴＦＴ、３１１、３２１…半導体層、３１２、３２２…ゲート電極、５００…電極パッド、７１０、７２０…遮蔽電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写元基板に形成した薄膜素子を転写先基板に転写することにより電気光学装置用基板を製造する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記転写元基板上に設けられた剥離層上に絶縁膜を介して前記薄膜素子を形成する工程と、
前記転写元基板上における前記薄膜素子よりも上層側に電極パッドを形成する工程と、
前記転写元基板上の積層構造における前記絶縁膜と前記電極パッドとの間に、前記転写元基板上で平面的に見て前記電極パッドに少なくとも部分的に重なるように、遮蔽電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記遮蔽電極を形成する工程は、前記転写元基板上で平面的に見て前記電極パッドが前記遮蔽電極に含まれるように、前記遮蔽電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記薄膜素子を形成する工程は、前記薄膜素子として、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と該半導体層の上層側に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスターを形成し、
前記遮蔽電極を形成する工程は、前記遮蔽電極を、前記半導体層及び前記ゲート電極の少なくとも一方と同一種類の膜から同一機会に形成する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記電極パッドを形成する工程は、前記電極パッドが前記半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続されるように、前記電極パッドを形成し、
前記電極パッドに第１の電源電位を供給すると共に、前記半導体層の第２のソース・ドレイン領域に前記第１の電源電位と異なる第２の電源電位を供給し、且つ、前記遮蔽電極に前記第１の電源電位と前記第２の電源電位との間の第３の電源電位を供給する工程を含む
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記薄膜素子を形成する工程は、前記薄膜素子として、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と該半導体層の上層側に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスターを形成し、
前記電極パッドを形成する工程は、前記電極パッドが前記半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続されるように、前記電極パッドを形成し、
前記遮蔽電極を形成する工程は、前記電極パッドの面積に対する前記遮蔽電極の面積の比率が、前記電極パッドと前記剥離層との間の第１距離と前記遮蔽電極と前記剥離層との間の第２距離との和に対する前記第２距離の比率に等しくなるように、前記遮蔽電極を形成し、
前記電極パッドに第１の電源電位を供給すると共に、前記半導体層の第２のソース・ドレイン領域に前記第１の電源電位と異なる第２の電源電位を供給し、且つ、前記遮蔽電極に前記第２の電源電位を供給する工程を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
支持基板上に設けられた導電膜上に絶縁膜を介して設けられた薄膜素子と、
前記支持基板上における前記薄膜素子よりも上層側に設けられた電極パッドと、
前記支持基板上の積層構造における前記絶縁膜と前記電極パッドとの間に、前記支持基板上で平面的に見て前記電極パッドに少なくとも部分的に重なるように形成された遮蔽電極と
を備えることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
転写元基板に形成した薄膜素子を転写先基板に転写することにより電気光学装置用基板を製造する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記転写元基板上に設けられた剥離層上に絶縁膜を介して前記薄膜素子を形成する工程と、
前記転写元基板上における前記薄膜素子よりも上層側に電極パッドを形成する工程と、
前記転写元基板上の積層構造における前記絶縁膜と前記電極パッドとの間に、前記転写元基板上で平面的に見て前記電極パッドに少なくとも部分的に重なるように、遮蔽電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記遮蔽電極を形成する工程は、前記転写元基板上で平面的に見て前記電極パッドが前記遮蔽電極に含まれるように、前記遮蔽電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記薄膜素子を形成する工程は、前記薄膜素子として、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と該半導体層の上層側に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスターを形成し、
前記遮蔽電極を形成する工程は、前記遮蔽電極を、前記半導体層及び前記ゲート電極の少なくとも一方と同一種類の膜から同一機会に形成する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記電極パッドを形成する工程は、前記電極パッドが前記半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続されるように、前記電極パッドを形成し、
前記電極パッドに第１の電源電位を供給すると共に、前記半導体層の第２のソース・ドレイン領域に前記第１の電源電位と異なる第２の電源電位を供給し、且つ、前記遮蔽電極に前記第１の電源電位と前記第２の電源電位との間の第３の電源電位を供給する工程を含む
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
前記薄膜素子を形成する工程は、前記薄膜素子として、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と該半導体層の上層側に設けられたゲート電極とを有する薄膜トランジスターを形成し、
前記電極パッドを形成する工程は、前記電極パッドが前記半導体層の第１のソース・ドレイン領域に電気的に接続されるように、前記電極パッドを形成し、
前記遮蔽電極を形成する工程は、前記電極パッドの面積に対する前記遮蔽電極の面積の比率が、前記電極パッドと前記剥離層との間の第１距離と前記遮蔽電極と前記剥離層との間の第２距離との和に対する前記第２距離の比率に等しくなるように、前記遮蔽電極を形成し、
前記電極パッドに第１の電源電位を供給すると共に、前記半導体層の第２のソース・ドレイン領域に前記第１の電源電位と異なる第２の電源電位を供給し、且つ、前記遮蔽電極に前記第２の電源電位を供給する工程を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項６】
支持基板上に設けられた導電膜上に絶縁膜を介して設けられた薄膜素子と、
前記支持基板上における前記薄膜素子よりも上層側に設けられた電極パッドと、
前記支持基板上の積層構造における前記絶縁膜と前記電極パッドとの間に、前記支持基板上で平面的に見て前記電極パッドに少なくとも部分的に重なるように形成された遮蔽電極と
を備えることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−２１６７８６（Ｐ２０１１−２１６７８６Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８５４７２（Ｐ２０１０−８５４７２）
【出願日】平成２２年４月１日（２０１０．４．１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月１日（２０１０．４．１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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