電気特性測定用試料の作製方法、測定方法及び試料加工測定装置
【課題】プローブとの接触が維持され正確に測定を行うことのできる電気特性測定用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法により上記課題を解決する。
【解決手段】半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法により上記課題を解決する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気特性測定用試料の作製方法及び試料加工測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多層形成された半導体集積回路等の検査を行う方法として、半導体集積回路等を破壊して、ナノプロービング装置を用いて半導体集積回路等の内部の電気的特性を測定する方法がある。
【０００３】
具体的には、半導体集積回路等を破壊して電極面を露出させて、測定対象となる電気特性測定用試料（単に、試料と称する場合がある）を作製する。この試料の作製には、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）装置等が用いられる。
【０００４】
作製された電気特性測定用試料は、ナノプロービング装置により電気的な測定を行う。ナノプロービング装置は、先端の曲率半径が１００ｎｍ程度の導電性プローブを複数装備しており、このプローブを測定対象となる試料の表面に接触させて試料における抵抗値や容量等の電気的特性を測定する装置である。このようなナノプロービング装置としては、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）型と、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡：Scanning Electron Microscope）型とがある。ＡＦＭ型のナノプロービング装置では、プローブをＡＦＭのカンチレバーとして使用しＡＦＭ像を取得することにより、試料表面の測定箇所を特定するものである。一方、ＳＥＭ型のナノプロービング装置では試料のＳＥＭ像を観察することにより試料の表面の測定箇所を特定するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−４７６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ナノプロービング装置を用いて測定対象となる試料の電気特性を測定する場合には、プローブと試料間の接触抵抗が高くなり、プローブと試料間を流れる電流が不安定となり、正確な測定を行うことができない場合がある。このように正確な測定を行うことができなくなる原因として、以下の３つが考えられる。
【０００７】
最初に、第１の原因としては、図１に示すようにナノプロービング装置を用いた測定では、試料１１１における電極１１２等の測定箇所の大きさ及び電極１１２等の測定箇所間の距離は数１００ｎｍであり、非常に近い距離である。このため、測定の際にはナノプロービング装置のプローブ１１３を各々電極１１２等に接触させて測定を行うが、プローブ１１３同士が接触しないように試料１１１の表面に対し、斜めに接触させることのできるプローブ１１３が用いられる。このようなプローブ１１３を用いて測定を行う際には、試料１１１の電極１１２とプローブ１１３との接触面積を大きくし、接触抵抗を減らすため、プローブ１１３に対し、試料１１１面に押しつける方向に力を加えるという工程が行われる。この際、プローブ１１３が試料１１１面に対し斜めに接触しているため、プローブ１１３の先端が試料１１１の表面を滑るように移動してしまう。上述したように、試料１１１における電極１１２等の大きさは、数１００ｎｍである。よって、最初は電極１１２等にプローブ１１３の先端が接触している場合であっても、プローブ１１３の先端が滑って、電極１１２等以外の領域にプローブ１１３の先端が移動してしまい、接触抵抗が高くなる場合がある。
【０００８】
また、第２の原因としては、プロービング装置等における振動等のため、試料１１１がドリフトした場合に、プローブ１１３の先端の接触位置が、測定箇所である電極１１２等の位置からずれてしまい、接触抵抗が高くなる場合がある。これは、測定箇所である電極１１２等の大きさが数１００ｎｍと非常に小さいため、生じる可能性は高い。
【０００９】
更に、第３の原因として、試料１１１の表面における電極１１２等の表面が酸化されて絶縁膜や抵抗の高い膜が形成されている場合、また、電極１１２等の表面に汚れが付着している場合が考えられる。即ち、半導体集積回路等を破壊して試料１１１を作製するＦＩＢ装置等と、ナノプロービング装置とは異なる装置である。よって、ＦＩＢ装置とナノプロービング装置との間で試料１１１を移動させている間に、電極１１２等の表面に酸化膜が形成されてしまう場合や、汚れが付着してしまう場合がある。これにより、接触抵抗が高くなる場合がある。
【００１０】
このため、測定対象となる試料の表面における電極等とプローブとの間で接触抵抗が高くなることなく、正確な測定を行うことができる電気特性測定用試料の作製方法、測定方法及び試料加工測定装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本実施の形態の一観点によれば、半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本実施の形態の他の一観点によれば、半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための試料の測定方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層の前記凹部の中央に電気特性の測定を行うためのプローブを接触させて、前記試料における電気回路の電気特性の測定を行う電気特性測定工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
また、本実施の形態の他の一観点によれば、同一チャンバー内に、試料を加工するための集束イオンビームを照射するイオン源と、前記試料に導電層を成膜するため、前記導電層を形成するための元素を含む成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、加工された試料の電気特性を測定するためのプローブと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
開示の電気特性測定用試料の作製方法、測定方法及び試料加工測定装置によれば、測定対象となる試料の表面における電極等とプローブとの間で接触抵抗が高くなることなく、正確な測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の電気特性測定用試料の説明図
【図２】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の作製方法の説明図（１）
【図３】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の作製方法の説明図（２）
【図４】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の作製方法の説明図（３）
【図５】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の作製方法の説明図（４）
【図６】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の測定方法の説明図
【図７】電気特性測定用試料を測定した測定時間と電流の相関図
【図８】第２の実施の形態における試料加工測定装置の構造図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、電気特性測定用試料の作製方法であり、図２から図６に基づき説明する。
【００１８】
本実施の形態における電気特性測定用試料は、図２に示すように多層形成された半導体集積回路等を加工することにより作製されるものである。この半導体集積回路等は、トランジスタ部を有するものであり、シリコン基板１１上に、ゲート電極及びゲート絶縁膜等を有するゲート部１２が形成されており、両側にはタングステン（Ｗ）からなるビア１３がシリコン基板１１の表面に略垂直に形成されている。更に、ビア１３の上部にはビア１３と接続された第１の配線層１４が形成されている。このようなビア１３及び第１の配線層１４は、シリコン基板１１上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜にビアホールを形成し、このビアホールをタングステンにより埋め込むことにより形成し、更に、ビア１３の上部に第１の配線層１４を形成することができる。このような工程を順次繰り返し行うことにより、順次積層してビア１５、第２の配線層１６、ビア１７、第３の配線層１８、ビア１９、第４の配線層２０、ビア２１、第５の配線層２２が形成されているものである。尚、このような半導体集積回路等では、ビア１３、１５、１７、１９、２１、第１の配線層１４、第２の配線層１６、第３の配線層１８、第４の配線層２０、第５の配線層２２は配線部分となる、また、これら配線部分の周囲には各々の工程において形成された層間絶縁膜は積層されて層間絶縁膜２３が形成される。
【００１９】
次に、図３に示すように、図２に示される半導体集積回路における第１の配線層１４より上層を除去する。尚、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は上面図を示す。具体的には、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）、機械研磨、または、集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置によるエッチング加工により、半導体集積回路における第１の配線層１４より上層を除去する。これにより、第１の配線層１４の下に形成されているビア１３の表面を露出させる。ＣＭＰまたは機械研磨により第１の配線層１４より上層を除去した場合には、ビア１３の表面における酸化物または汚れを除去するために、最後にＦＩＢ装置によるエッチング加工によりビア１３の表面の仕上げ加工を行う。この際行われるＦＩＢ装置によるエッチング加工にはＧａイオンが用いられ、ドーズ量５×１０−３Ｃ／ｃｍ２である。このようにＦＩＢ装置を用いて露出させたビア１３の直径は約２２０ｎｍである。
【００２０】
次に、図４に示すように、露出しているビア１３の表面に第１の導電層となる第１の金属層３１を形成する。尚、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は上面図を示す。第１の金属層３１は、ＦＩＢ装置のビーム・アシスト・デポジションにより成膜する。具体的には、ＦＩＢ装置内にメチルシクロペンタジエニルトリメチル白金（Ｃ９Ｈ１６Ｐｔ）を供給し、Ｇａイオンビームをビア１３の表面に向けて照射する。これにより、照射されたＧａイオンビームによるＧａとＰｔとの置換反応が生じ、ビア１３表面にＰｔからなる第１の金属層３１が堆積され成膜される。このように形成された第１の金属層３１の膜厚は約１０ｎｍである。
【００２１】
尚、上記説明では、第１の金属層３１がＰｔにより形成される場合について説明したが、金属材料であればどのような材料でもよく、更には、導電性を有する化合物材料であってもよい。例えば、第１の金属層３１をタングステンにより形成する場合には、原料ガスとして、タングステンヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）を供給し、Ｇａイオンビームをビア１３の表面に向けて照射する。これにより、照射されたＧａイオンビームにおけるＧａとＷとの置換反応が生じ、ビア１３表面にＷからなる第１の金属層３１を形成することができる。また、図３に示す工程では、ビア１３の表面を露出させるため、また、ビア１３の表面の仕上げ加工にはＦＩＢ装置が用いられている。一方、図４に示す工程では、ＦＩＢ装置内での第１の金属膜３１の成膜が行われる。よって、図３に示す工程から図４に示す工程は、同じＦＩＢ装置のチャンバー内において真空状態で行われるため、ビア１３が露出している表面が酸化されることなく、また、汚れ等が付着することもない。
【００２２】
次に、図５に示すように、第１の金属層３１上に第２の導電層となる第２の金属層３２を形成する。尚、図５（ａ）は断面図、図５（ｂ）は上面図を示す。第２の金属層３２は、第１の金属層３１上にリング状（輪帯状）に形成される。第２の金属層３２の厚さは約１０ｎｍであり、リングの幅は約５０ｎｍである。第２の金属層３２の形成方法は、第１の金属層３１の形成方法と同様の方法により行われる。即ち、ＦＩＢ装置内にメチルシクロペンタジエニルトリメチル白金（Ｃ９Ｈ１６Ｐｔ）を供給し、Ｇａイオンビームを第１の金属層３１上であって、第２の金属層３２の形成される領域に照射する。これにより、照射されたＧａイオンビームにおけるＧａとＰｔとの置換反応が生じ、第１の金属層３１上にリング状のＰｔからなる第２の金属層３２が堆積される。このようにして、第１の金属層３１と第２の金属層３２からなる中央に凹部３４を有する金属層３３が形成される。尚、金属層３３は導電層となるものである。また、第２の金属層３２は、リング形状に限定されるものではなく、井戸型形状等の第１の金属層３１と第２の金属層３２により中心部分に凹部３４が形成されるような形状であればよい。また、第２の金属層３２についても第１の金属層３１と同様にＷ等の金属材料により形成することができ、更には、導電性を有する化合物材料で形成することも可能である。
【００２３】
以上により、電気特性測定用試料の作製は終了する。本実施の形態における電気特性用試料の作製は、ＦＩＢ装置を用いて行うことが可能であり、ＦＩＢ装置のチャンバー内から取り出すことなく、電気特性測定用試料を作製することができる。よって、この間にビア１３、第１の金属層３１及び第２の金属層３２の表面において酸化膜が形成されることはなく、また汚れ等が付着することもない。
【００２４】
次に、図６に基づき作製された電気特性測定用試料の測定方法について説明する。尚、図６（ａ）は断面図、図６（ｂ）は上面図を示す。作製された電気特性測定用試料の測定は、ナノプロービング装置により行う。具体的には、プローブ４０の先端を第１の金属層３１と第２の金属層３２とにより形成される金属層３３の凹部３４の中央に挿入し、第１の金属層３１及び第２の金属層３２とプローブ４０とを接触させて測定を行う。この状態では、プローブ４０の先端は第１の金属層３１及び第２の金属層３２により形成される金属層３３の凹部３４に固定される。よって、ドリフトや力が加わった場合でもプローブ４０の先端が移動することなく、プローブ４０と第１の金属層３１及び第２の金属層３２との接触を安定的に保つことができ、大きな電流変動が生じることなく、安定した測定を行うことができる。尚、測定に用いたナノプロービング装置のプローブ等がＦＩＢ装置のチャンバー内に設けられていれば、第１の金属層３１及び第２の金属層３２の表面において酸化膜が形成されることはなく、また汚れ等が付着することなく、測定を行うことが可能である。
【００２５】
図７は、電気特性測定用試料にプローブを接触させて、プローブとビア間を流れる電流の時間変化を測定した図である。図７（ａ）は、上述したように、第２の金属層３２の膜厚を１０ｎｍで形成したものである。図７（ａ）に示されるように、約６００秒以上において、大きな電流変動がなく、安定的に電流の測定を行うことができる。一方、図７（ｂ）は、第２の金属層３２の膜厚を５ｎｍで形成したものである。図７（ｂ）に示されるように、１００秒以上経過した後に、プローブとビアとの間の電気的接触が不安定となり、電流値の変動が大きくなり安定しなくなる。このように、第２の金属膜３２の膜厚は、１０ｎｍ以上で形成することが好ましい。
【００２６】
尚、図７（ａ）、（ｂ）の測定に用いた試料は、第２の金属層３２の膜厚が異なるのみで、他の構造は同一である。また、測定に用いたプローブの先端における曲率半径は、約１００ｎｍである。よって、安定して電流等の測定を行うためには、第２の金属層の膜厚は、プローブの曲率半径の１０％以上であることが好ましい。
【００２７】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は試料加工測定装置である。具体的には、電気特性測定用試料の作製から測定まで、同一のチャンバー内において行うことができれば、ビアや金属層の表面に酸化膜が形成されることなく、また、汚れ等も付着することがないため、安定した測定を行うことができる。更に、電気特性測定用試料の作製から測定まで、同一のチャンバー内で行うことができれば、試料の移動や排気等の時間を短縮することができ、試料の作製から測定を短時間で行うことができる。
【００２８】
図８に、本実施の形態における試料加工測定装置を示す。この試料加工測定装置７０は、ナノプロービング機能、ＦＩＢ加工機能、金属膜を成膜する機能、ＳＩＭ（Scanning Ion Microscope）機能を有している。即ち、試料加工測定装置７０のチャンバー７１内において、ナノプロービング機能、ＦＩＢ加工機能、金属膜を成膜する機能、ＳＩＭ（Scanning Ion Microscope）機能を行うことが可能な部材が設けられている。
【００２９】
具体的には、チャンバー７１内に、Ｇａイオン源７２を有しており、Ｇａイオン源７２から供給されたＧａイオンビームを集束する集束レンズ７３、絞り７４、対物レンズ７５、走査用偏向部７６を有している。これによりＧａイオンビームを加工の対象となる試料５０に照射し、エッチング加工、ミリング加工等を行うことができ、試料５０のＦＩＢ加工を行うことができる。
【００３０】
また、チャンバー７１内に、メチルシクロペンタジエニルトリメチル白金等の成膜ガスを供給するための成膜ガス供給部７７を有している。よって、成膜ガス供給部７７より成膜ガスを供給し、同一チャンバー７１内に設けられたＧａイオン源７２により供給されるＧａイオンビームを照射することにより第１の金属膜、第２の金属膜等の導電層となる金属膜を成膜することができる。
【００３１】
また、チャンバー７１内に、二次電子検出器７８を有しており、Ｇａイオン源７２より照射されたＧａイオンビームにより発生する二次電子を検出することができる。よって、二次電子検出器７８により検出された二次電子によりチャンバー７１外に設けられたＳＩＭ像モニター７９にＳＩＭ像を表示させることができる。
【００３２】
また、チャンバー７１内に、試料５０の電気的測定を行うためのプローブ８１及びプローブ８１の位置制御を行うためのプローブ位置制御部８２を有している。また、チャンバー７１外にはプローブ８１に接続された電気特性測定部８３が設けられており、更には、プローブ位置制御部８２及び電気特性測定部８３に接続された処理部８４、処理部８４に接続された電気特性表示モニター８５を有している。これにより、試料５０にプローブ８１を接触させて、試料５０の電気的特性を測定することができ、ナノプロービング装置としての機能を有している。
【００３３】
本実施の形態における試料加工測定装置では、同一チャンバー７１内において、試料５０の加工から測定を行うことができるため、ビアや金属層の表面に酸化膜が形成されることなく、また、汚れ等も付着することがない。よって、安定した測定を行うことが可能である。また、電気特性測定用試料の作製から測定まで、同一のチャンバー内で行うことができるため、試料の移動や排気等の時間を短縮することができ、試料の作製から測定までの時間を短時間で行うことができる。
【００３４】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００３５】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、
真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、
真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、
を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法。
（付記２）
前記エッチング工程は、ＦＩＢによるエッチングを行う工程を含むものであること特徴とする付記１に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記３）
導電層は、第１の導電層と第２の導電層とにより形成されるものであって、
前記導電層形成工程は、前記配線部分の表面に第１の導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１の導電層上に、中央部分が開口した第２の導電層を形成する第２導電層形成工程と、
を有することを特徴とする付記１または２に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記４）
前記第２の導電膜は、リング形状であることを特徴とする付記３に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記５）
前記導電材料は金属材料であることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記６）
前記金属材料は、ＰｔまたはＷであることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記７）
前記導電層は、前記導電層を形成する元素を含む有機金属を供給し、前記配線部分の表面にＦＩＢを照射することにより、前記ＦＩＢに含まれるイオンと、前記有機金属に含まれる元素とが置換し、前記配線部分の表面に、前記有機金属に含まれる元素が堆積することにより形成されるものであることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記８）
前記エッチング工程と前記導電層形成工程とは、同一チャンバー内で行われることを特徴とする付記１から７のいずれかに記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記９）
半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための試料の測定方法において、
真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、
真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層の前記凹部の中央に電気特性の測定を行うためのプローブを接触させて、前記試料における電気回路の電気特性の測定を行う電気特性測定工程と、
を有することを特徴とする測定方法。
（付記１０）
同一チャンバー内に、
試料を加工するための集束イオンビームを照射するイオン源と、
前記試料に導電層を成膜するため、前記導電層を形成するための元素を含む成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、
加工された試料の電気特性を測定するためのプローブと、
を有することを特徴とする試料加工測定装置。
（付記１１）
前記チャンバー内には、前記試料のＳＩＭ画像を観察するための二次電子検出部を有していることを特徴とする付記１０に記載の試料加工測定装置。
（付記１２）
前記ガス供給部より供給されるガスは、前記集束イオンビームが照射された領域において、前記成膜ガスに含まれる前記導電層を形成するための元素と、前記集束イオンビームに含まれるイオンとが置換することにより、前記導電層を形成するものであることを特徴とする付記１０または１１に記載の試料加工測定装置。
【符号の説明】
【００３６】
１１ 半導体基板
１２ ゲート部
１３ ビア
１４ 第１の配線層
２３ 層間絶縁膜
３１ 第１の金属層（第１の導電層）
３２ 第２の金属層（第２の導電層）
３３ 金属層
３４ 凹部
４０ プローブ
７０ 試料加工測定装置
７１ チャンバー
７２ Ｇａイオン源
７３ 集束レンズ
７４ 絞り
７５ 対物レンズ
７６ 走査用偏向部
７７ 成膜ガス供給部
７８ 二次電子検出器
７９ ＳＩＭ像モニター
８１ プローブ
８２ プローブ位置制御部
８３ 電気特性測定部
８４ 処理部
８５ 電気特性表示モニター
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気特性測定用試料の作製方法及び試料加工測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多層形成された半導体集積回路等の検査を行う方法として、半導体集積回路等を破壊して、ナノプロービング装置を用いて半導体集積回路等の内部の電気的特性を測定する方法がある。
【０００３】
具体的には、半導体集積回路等を破壊して電極面を露出させて、測定対象となる電気特性測定用試料（単に、試料と称する場合がある）を作製する。この試料の作製には、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）装置等が用いられる。
【０００４】
作製された電気特性測定用試料は、ナノプロービング装置により電気的な測定を行う。ナノプロービング装置は、先端の曲率半径が１００ｎｍ程度の導電性プローブを複数装備しており、このプローブを測定対象となる試料の表面に接触させて試料における抵抗値や容量等の電気的特性を測定する装置である。このようなナノプロービング装置としては、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）型と、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡：Scanning Electron Microscope）型とがある。ＡＦＭ型のナノプロービング装置では、プローブをＡＦＭのカンチレバーとして使用しＡＦＭ像を取得することにより、試料表面の測定箇所を特定するものである。一方、ＳＥＭ型のナノプロービング装置では試料のＳＥＭ像を観察することにより試料の表面の測定箇所を特定するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−４７６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ナノプロービング装置を用いて測定対象となる試料の電気特性を測定する場合には、プローブと試料間の接触抵抗が高くなり、プローブと試料間を流れる電流が不安定となり、正確な測定を行うことができない場合がある。このように正確な測定を行うことができなくなる原因として、以下の３つが考えられる。
【０００７】
最初に、第１の原因としては、図１に示すようにナノプロービング装置を用いた測定では、試料１１１における電極１１２等の測定箇所の大きさ及び電極１１２等の測定箇所間の距離は数１００ｎｍであり、非常に近い距離である。このため、測定の際にはナノプロービング装置のプローブ１１３を各々電極１１２等に接触させて測定を行うが、プローブ１１３同士が接触しないように試料１１１の表面に対し、斜めに接触させることのできるプローブ１１３が用いられる。このようなプローブ１１３を用いて測定を行う際には、試料１１１の電極１１２とプローブ１１３との接触面積を大きくし、接触抵抗を減らすため、プローブ１１３に対し、試料１１１面に押しつける方向に力を加えるという工程が行われる。この際、プローブ１１３が試料１１１面に対し斜めに接触しているため、プローブ１１３の先端が試料１１１の表面を滑るように移動してしまう。上述したように、試料１１１における電極１１２等の大きさは、数１００ｎｍである。よって、最初は電極１１２等にプローブ１１３の先端が接触している場合であっても、プローブ１１３の先端が滑って、電極１１２等以外の領域にプローブ１１３の先端が移動してしまい、接触抵抗が高くなる場合がある。
【０００８】
また、第２の原因としては、プロービング装置等における振動等のため、試料１１１がドリフトした場合に、プローブ１１３の先端の接触位置が、測定箇所である電極１１２等の位置からずれてしまい、接触抵抗が高くなる場合がある。これは、測定箇所である電極１１２等の大きさが数１００ｎｍと非常に小さいため、生じる可能性は高い。
【０００９】
更に、第３の原因として、試料１１１の表面における電極１１２等の表面が酸化されて絶縁膜や抵抗の高い膜が形成されている場合、また、電極１１２等の表面に汚れが付着している場合が考えられる。即ち、半導体集積回路等を破壊して試料１１１を作製するＦＩＢ装置等と、ナノプロービング装置とは異なる装置である。よって、ＦＩＢ装置とナノプロービング装置との間で試料１１１を移動させている間に、電極１１２等の表面に酸化膜が形成されてしまう場合や、汚れが付着してしまう場合がある。これにより、接触抵抗が高くなる場合がある。
【００１０】
このため、測定対象となる試料の表面における電極等とプローブとの間で接触抵抗が高くなることなく、正確な測定を行うことができる電気特性測定用試料の作製方法、測定方法及び試料加工測定装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本実施の形態の一観点によれば、半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本実施の形態の他の一観点によれば、半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための試料の測定方法において、真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層の前記凹部の中央に電気特性の測定を行うためのプローブを接触させて、前記試料における電気回路の電気特性の測定を行う電気特性測定工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
また、本実施の形態の他の一観点によれば、同一チャンバー内に、試料を加工するための集束イオンビームを照射するイオン源と、前記試料に導電層を成膜するため、前記導電層を形成するための元素を含む成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、加工された試料の電気特性を測定するためのプローブと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
開示の電気特性測定用試料の作製方法、測定方法及び試料加工測定装置によれば、測定対象となる試料の表面における電極等とプローブとの間で接触抵抗が高くなることなく、正確な測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の電気特性測定用試料の説明図
【図２】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の作製方法の説明図（１）
【図３】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の作製方法の説明図（２）
【図４】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の作製方法の説明図（３）
【図５】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の作製方法の説明図（４）
【図６】第１の実施の形態における電気特性測定用試料の測定方法の説明図
【図７】電気特性測定用試料を測定した測定時間と電流の相関図
【図８】第２の実施の形態における試料加工測定装置の構造図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、電気特性測定用試料の作製方法であり、図２から図６に基づき説明する。
【００１８】
本実施の形態における電気特性測定用試料は、図２に示すように多層形成された半導体集積回路等を加工することにより作製されるものである。この半導体集積回路等は、トランジスタ部を有するものであり、シリコン基板１１上に、ゲート電極及びゲート絶縁膜等を有するゲート部１２が形成されており、両側にはタングステン（Ｗ）からなるビア１３がシリコン基板１１の表面に略垂直に形成されている。更に、ビア１３の上部にはビア１３と接続された第１の配線層１４が形成されている。このようなビア１３及び第１の配線層１４は、シリコン基板１１上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜にビアホールを形成し、このビアホールをタングステンにより埋め込むことにより形成し、更に、ビア１３の上部に第１の配線層１４を形成することができる。このような工程を順次繰り返し行うことにより、順次積層してビア１５、第２の配線層１６、ビア１７、第３の配線層１８、ビア１９、第４の配線層２０、ビア２１、第５の配線層２２が形成されているものである。尚、このような半導体集積回路等では、ビア１３、１５、１７、１９、２１、第１の配線層１４、第２の配線層１６、第３の配線層１８、第４の配線層２０、第５の配線層２２は配線部分となる、また、これら配線部分の周囲には各々の工程において形成された層間絶縁膜は積層されて層間絶縁膜２３が形成される。
【００１９】
次に、図３に示すように、図２に示される半導体集積回路における第１の配線層１４より上層を除去する。尚、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は上面図を示す。具体的には、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）、機械研磨、または、集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置によるエッチング加工により、半導体集積回路における第１の配線層１４より上層を除去する。これにより、第１の配線層１４の下に形成されているビア１３の表面を露出させる。ＣＭＰまたは機械研磨により第１の配線層１４より上層を除去した場合には、ビア１３の表面における酸化物または汚れを除去するために、最後にＦＩＢ装置によるエッチング加工によりビア１３の表面の仕上げ加工を行う。この際行われるＦＩＢ装置によるエッチング加工にはＧａイオンが用いられ、ドーズ量５×１０−３Ｃ／ｃｍ２である。このようにＦＩＢ装置を用いて露出させたビア１３の直径は約２２０ｎｍである。
【００２０】
次に、図４に示すように、露出しているビア１３の表面に第１の導電層となる第１の金属層３１を形成する。尚、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は上面図を示す。第１の金属層３１は、ＦＩＢ装置のビーム・アシスト・デポジションにより成膜する。具体的には、ＦＩＢ装置内にメチルシクロペンタジエニルトリメチル白金（Ｃ９Ｈ１６Ｐｔ）を供給し、Ｇａイオンビームをビア１３の表面に向けて照射する。これにより、照射されたＧａイオンビームによるＧａとＰｔとの置換反応が生じ、ビア１３表面にＰｔからなる第１の金属層３１が堆積され成膜される。このように形成された第１の金属層３１の膜厚は約１０ｎｍである。
【００２１】
尚、上記説明では、第１の金属層３１がＰｔにより形成される場合について説明したが、金属材料であればどのような材料でもよく、更には、導電性を有する化合物材料であってもよい。例えば、第１の金属層３１をタングステンにより形成する場合には、原料ガスとして、タングステンヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）を供給し、Ｇａイオンビームをビア１３の表面に向けて照射する。これにより、照射されたＧａイオンビームにおけるＧａとＷとの置換反応が生じ、ビア１３表面にＷからなる第１の金属層３１を形成することができる。また、図３に示す工程では、ビア１３の表面を露出させるため、また、ビア１３の表面の仕上げ加工にはＦＩＢ装置が用いられている。一方、図４に示す工程では、ＦＩＢ装置内での第１の金属膜３１の成膜が行われる。よって、図３に示す工程から図４に示す工程は、同じＦＩＢ装置のチャンバー内において真空状態で行われるため、ビア１３が露出している表面が酸化されることなく、また、汚れ等が付着することもない。
【００２２】
次に、図５に示すように、第１の金属層３１上に第２の導電層となる第２の金属層３２を形成する。尚、図５（ａ）は断面図、図５（ｂ）は上面図を示す。第２の金属層３２は、第１の金属層３１上にリング状（輪帯状）に形成される。第２の金属層３２の厚さは約１０ｎｍであり、リングの幅は約５０ｎｍである。第２の金属層３２の形成方法は、第１の金属層３１の形成方法と同様の方法により行われる。即ち、ＦＩＢ装置内にメチルシクロペンタジエニルトリメチル白金（Ｃ９Ｈ１６Ｐｔ）を供給し、Ｇａイオンビームを第１の金属層３１上であって、第２の金属層３２の形成される領域に照射する。これにより、照射されたＧａイオンビームにおけるＧａとＰｔとの置換反応が生じ、第１の金属層３１上にリング状のＰｔからなる第２の金属層３２が堆積される。このようにして、第１の金属層３１と第２の金属層３２からなる中央に凹部３４を有する金属層３３が形成される。尚、金属層３３は導電層となるものである。また、第２の金属層３２は、リング形状に限定されるものではなく、井戸型形状等の第１の金属層３１と第２の金属層３２により中心部分に凹部３４が形成されるような形状であればよい。また、第２の金属層３２についても第１の金属層３１と同様にＷ等の金属材料により形成することができ、更には、導電性を有する化合物材料で形成することも可能である。
【００２３】
以上により、電気特性測定用試料の作製は終了する。本実施の形態における電気特性用試料の作製は、ＦＩＢ装置を用いて行うことが可能であり、ＦＩＢ装置のチャンバー内から取り出すことなく、電気特性測定用試料を作製することができる。よって、この間にビア１３、第１の金属層３１及び第２の金属層３２の表面において酸化膜が形成されることはなく、また汚れ等が付着することもない。
【００２４】
次に、図６に基づき作製された電気特性測定用試料の測定方法について説明する。尚、図６（ａ）は断面図、図６（ｂ）は上面図を示す。作製された電気特性測定用試料の測定は、ナノプロービング装置により行う。具体的には、プローブ４０の先端を第１の金属層３１と第２の金属層３２とにより形成される金属層３３の凹部３４の中央に挿入し、第１の金属層３１及び第２の金属層３２とプローブ４０とを接触させて測定を行う。この状態では、プローブ４０の先端は第１の金属層３１及び第２の金属層３２により形成される金属層３３の凹部３４に固定される。よって、ドリフトや力が加わった場合でもプローブ４０の先端が移動することなく、プローブ４０と第１の金属層３１及び第２の金属層３２との接触を安定的に保つことができ、大きな電流変動が生じることなく、安定した測定を行うことができる。尚、測定に用いたナノプロービング装置のプローブ等がＦＩＢ装置のチャンバー内に設けられていれば、第１の金属層３１及び第２の金属層３２の表面において酸化膜が形成されることはなく、また汚れ等が付着することなく、測定を行うことが可能である。
【００２５】
図７は、電気特性測定用試料にプローブを接触させて、プローブとビア間を流れる電流の時間変化を測定した図である。図７（ａ）は、上述したように、第２の金属層３２の膜厚を１０ｎｍで形成したものである。図７（ａ）に示されるように、約６００秒以上において、大きな電流変動がなく、安定的に電流の測定を行うことができる。一方、図７（ｂ）は、第２の金属層３２の膜厚を５ｎｍで形成したものである。図７（ｂ）に示されるように、１００秒以上経過した後に、プローブとビアとの間の電気的接触が不安定となり、電流値の変動が大きくなり安定しなくなる。このように、第２の金属膜３２の膜厚は、１０ｎｍ以上で形成することが好ましい。
【００２６】
尚、図７（ａ）、（ｂ）の測定に用いた試料は、第２の金属層３２の膜厚が異なるのみで、他の構造は同一である。また、測定に用いたプローブの先端における曲率半径は、約１００ｎｍである。よって、安定して電流等の測定を行うためには、第２の金属層の膜厚は、プローブの曲率半径の１０％以上であることが好ましい。
【００２７】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は試料加工測定装置である。具体的には、電気特性測定用試料の作製から測定まで、同一のチャンバー内において行うことができれば、ビアや金属層の表面に酸化膜が形成されることなく、また、汚れ等も付着することがないため、安定した測定を行うことができる。更に、電気特性測定用試料の作製から測定まで、同一のチャンバー内で行うことができれば、試料の移動や排気等の時間を短縮することができ、試料の作製から測定を短時間で行うことができる。
【００２８】
図８に、本実施の形態における試料加工測定装置を示す。この試料加工測定装置７０は、ナノプロービング機能、ＦＩＢ加工機能、金属膜を成膜する機能、ＳＩＭ（Scanning Ion Microscope）機能を有している。即ち、試料加工測定装置７０のチャンバー７１内において、ナノプロービング機能、ＦＩＢ加工機能、金属膜を成膜する機能、ＳＩＭ（Scanning Ion Microscope）機能を行うことが可能な部材が設けられている。
【００２９】
具体的には、チャンバー７１内に、Ｇａイオン源７２を有しており、Ｇａイオン源７２から供給されたＧａイオンビームを集束する集束レンズ７３、絞り７４、対物レンズ７５、走査用偏向部７６を有している。これによりＧａイオンビームを加工の対象となる試料５０に照射し、エッチング加工、ミリング加工等を行うことができ、試料５０のＦＩＢ加工を行うことができる。
【００３０】
また、チャンバー７１内に、メチルシクロペンタジエニルトリメチル白金等の成膜ガスを供給するための成膜ガス供給部７７を有している。よって、成膜ガス供給部７７より成膜ガスを供給し、同一チャンバー７１内に設けられたＧａイオン源７２により供給されるＧａイオンビームを照射することにより第１の金属膜、第２の金属膜等の導電層となる金属膜を成膜することができる。
【００３１】
また、チャンバー７１内に、二次電子検出器７８を有しており、Ｇａイオン源７２より照射されたＧａイオンビームにより発生する二次電子を検出することができる。よって、二次電子検出器７８により検出された二次電子によりチャンバー７１外に設けられたＳＩＭ像モニター７９にＳＩＭ像を表示させることができる。
【００３２】
また、チャンバー７１内に、試料５０の電気的測定を行うためのプローブ８１及びプローブ８１の位置制御を行うためのプローブ位置制御部８２を有している。また、チャンバー７１外にはプローブ８１に接続された電気特性測定部８３が設けられており、更には、プローブ位置制御部８２及び電気特性測定部８３に接続された処理部８４、処理部８４に接続された電気特性表示モニター８５を有している。これにより、試料５０にプローブ８１を接触させて、試料５０の電気的特性を測定することができ、ナノプロービング装置としての機能を有している。
【００３３】
本実施の形態における試料加工測定装置では、同一チャンバー７１内において、試料５０の加工から測定を行うことができるため、ビアや金属層の表面に酸化膜が形成されることなく、また、汚れ等も付着することがない。よって、安定した測定を行うことが可能である。また、電気特性測定用試料の作製から測定まで、同一のチャンバー内で行うことができるため、試料の移動や排気等の時間を短縮することができ、試料の作製から測定までの時間を短時間で行うことができる。
【００３４】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００３５】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、
真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、
真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、
を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法。
（付記２）
前記エッチング工程は、ＦＩＢによるエッチングを行う工程を含むものであること特徴とする付記１に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記３）
導電層は、第１の導電層と第２の導電層とにより形成されるものであって、
前記導電層形成工程は、前記配線部分の表面に第１の導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１の導電層上に、中央部分が開口した第２の導電層を形成する第２導電層形成工程と、
を有することを特徴とする付記１または２に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記４）
前記第２の導電膜は、リング形状であることを特徴とする付記３に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記５）
前記導電材料は金属材料であることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記６）
前記金属材料は、ＰｔまたはＷであることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記７）
前記導電層は、前記導電層を形成する元素を含む有機金属を供給し、前記配線部分の表面にＦＩＢを照射することにより、前記ＦＩＢに含まれるイオンと、前記有機金属に含まれる元素とが置換し、前記配線部分の表面に、前記有機金属に含まれる元素が堆積することにより形成されるものであることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記８）
前記エッチング工程と前記導電層形成工程とは、同一チャンバー内で行われることを特徴とする付記１から７のいずれかに記載の電気特性測定用試料の作製方法。
（付記９）
半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための試料の測定方法において、
真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、
真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層の前記凹部の中央に電気特性の測定を行うためのプローブを接触させて、前記試料における電気回路の電気特性の測定を行う電気特性測定工程と、
を有することを特徴とする測定方法。
（付記１０）
同一チャンバー内に、
試料を加工するための集束イオンビームを照射するイオン源と、
前記試料に導電層を成膜するため、前記導電層を形成するための元素を含む成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、
加工された試料の電気特性を測定するためのプローブと、
を有することを特徴とする試料加工測定装置。
（付記１１）
前記チャンバー内には、前記試料のＳＩＭ画像を観察するための二次電子検出部を有していることを特徴とする付記１０に記載の試料加工測定装置。
（付記１２）
前記ガス供給部より供給されるガスは、前記集束イオンビームが照射された領域において、前記成膜ガスに含まれる前記導電層を形成するための元素と、前記集束イオンビームに含まれるイオンとが置換することにより、前記導電層を形成するものであることを特徴とする付記１０または１１に記載の試料加工測定装置。
【符号の説明】
【００３６】
１１ 半導体基板
１２ ゲート部
１３ ビア
１４ 第１の配線層
２３ 層間絶縁膜
３１ 第１の金属層（第１の導電層）
３２ 第２の金属層（第２の導電層）
３３ 金属層
３４ 凹部
４０ プローブ
７０ 試料加工測定装置
７１ チャンバー
７２ Ｇａイオン源
７３ 集束レンズ
７４ 絞り
７５ 対物レンズ
７６ 走査用偏向部
７７ 成膜ガス供給部
７８ 二次電子検出器
７９ ＳＩＭ像モニター
８１ プローブ
８２ プローブ位置制御部
８３ 電気特性測定部
８４ 処理部
８５ 電気特性表示モニター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、
真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、
真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、
を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法。
【請求項２】
前記エッチング工程は、ＦＩＢによるエッチングを行う工程を含むものであること特徴とする請求項１に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
【請求項３】
導電層は、第１の導電層と第２の導電層とにより形成されるものであって、
前記導電層形成工程は、前記配線部分の表面に第１の導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１の導電層上に、中央部分が開口した第２の導電層を形成する第２導電層形成工程と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
【請求項４】
前記第２の導電膜は、リング形状であることを特徴とする請求項３に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
【請求項５】
半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための試料の測定方法において、
真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、
真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層の前記凹部の中央に電気特性の測定を行うためのプローブを接触させて、前記試料における電気回路の電気特性の測定を行う電気特性測定工程と、
を有することを特徴とする測定方法。
【請求項６】
同一チャンバー内に、
試料を加工するための集束イオンビームを照射するイオン源と、
前記試料に導電層を成膜するため、前記導電層を形成するための元素を含む成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、
加工された試料の電気特性を測定するためのプローブと、
を有することを特徴とする試料加工測定装置。
【請求項７】
前記チャンバー内には、前記試料のＳＩＭ画像を観察するための二次電子検出部を有していることを特徴とする請求項６に記載の試料加工測定装置。
【請求項１】
半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための電気特性測定用試料の作製方法において、
真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、
真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、
を有することを特徴とする電気特性測定用試料の作製方法。
【請求項２】
前記エッチング工程は、ＦＩＢによるエッチングを行う工程を含むものであること特徴とする請求項１に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
【請求項３】
導電層は、第１の導電層と第２の導電層とにより形成されるものであって、
前記導電層形成工程は、前記配線部分の表面に第１の導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１の導電層上に、中央部分が開口した第２の導電層を形成する第２導電層形成工程と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
【請求項４】
前記第２の導電膜は、リング形状であることを特徴とする請求項３に記載の電気特性測定用試料の作製方法。
【請求項５】
半導体基板上に形成された電子回路における電気特性の測定を行うための試料の測定方法において、
真空中において、前記半導体基板上に形成されている所定の領域を除去し、配線部分の表面を露出させるエッチング工程と、
真空中において、露出している前記配線部分の表面に、導電性材料により中央に凹部を有する形状の導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層の前記凹部の中央に電気特性の測定を行うためのプローブを接触させて、前記試料における電気回路の電気特性の測定を行う電気特性測定工程と、
を有することを特徴とする測定方法。
【請求項６】
同一チャンバー内に、
試料を加工するための集束イオンビームを照射するイオン源と、
前記試料に導電層を成膜するため、前記導電層を形成するための元素を含む成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、
加工された試料の電気特性を測定するためのプローブと、
を有することを特徴とする試料加工測定装置。
【請求項７】
前記チャンバー内には、前記試料のＳＩＭ画像を観察するための二次電子検出部を有していることを特徴とする請求項６に記載の試料加工測定装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−１７９９５９（Ｐ２０１１−１７９９５９Ａ）
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−４４２７９（Ｐ２０１０−４４２７９）
【出願日】平成２２年３月１日（２０１０．３．１）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１日（２０１０．３．１）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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