電磁トランスポンダによる端末の認証
【課題】本発明は、トランスポンダが、通信する必要がある端末にデータを送信する前に、端末を認証できる方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電圧を生成する発振回路を備えたトランスポンダにより、磁場を生成する端末を認証する方法によれば、前記トランスポンダと前記端末との結合により決まる少なくとも１つの値を、少なくとも１つの基準値と比較し、比較結果に基づき、前記端末を認証する。具体的には、前記少なくとも１つの値に相当する前記発振回路により生成される電圧の値を測定し、前記測定された値と、前記トランスポンダ及び前記端末の結合の最適結合係数に関して前記発振回路により生成される電圧により決まる前記基準値とを比較する。
【解決手段】本発明に係る電圧を生成する発振回路を備えたトランスポンダにより、磁場を生成する端末を認証する方法によれば、前記トランスポンダと前記端末との結合により決まる少なくとも１つの値を、少なくとも１つの基準値と比較し、比較結果に基づき、前記端末を認証する。具体的には、前記少なくとも１つの値に相当する前記発振回路により生成される電圧の値を測定し、前記測定された値と、前記トランスポンダ及び前記端末の結合の最適結合係数に関して前記発振回路により生成される電圧により決まる前記基準値とを比較する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、電子システムに関し、より具体的には、電磁トランスポンダ、すなわち、読出し及び／又は書込み端末によって非接触且つ無線で応答され得るトランシーバを用いたシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの通信システムは、端末によって生成される電磁場の変調に基づいている。前記通信システムは、盗難防止装置として使用される最も簡素な電子タグから、トランスポンダが端末の電磁場内に存在するときに端末と通信するためのトランスポンダが、計算機能（例えば、電子財布）又はデータ処理機能を備えているより複雑なシステムまで多岐にわたっている。
【０００３】
電磁トランスポンダを備えたシステムは、アンテナを形成する巻線を備えた発振回路のトランスポンダ側及び端末側での使用に基づいている。このような発振回路は、トランスポンダが端末の電磁場内に入ったとき、近傍の磁場によって結合される。端末の発振回路及びトランスポンダの発振回路は、一般的には、端末の発振回路の励起周波数に相当する同一の周波数に同調される。
【０００４】
トランスポンダは、ほとんどの場合、自己電源を有しておらず、端末のアンテナによって発せられる高周波磁場から自身の回路に必要な電力を取り出す。
【０００５】
トランスポンダが端末と通信する必要があるとき、トランスポンダは、データ交換を行う前に、端末を認証しなければならない。例えば、トランスポンダが（金銭又は勘定単位での）支払い手段として使用される適用例では、トランスポンダは、ある端末に対する支払額を蓄えておく場合がある。別の適用例によれば、電子機器（例えば、ＰＤＡ又は携帯電話）に関連付けられているチップカード型のトランスポンダは、他の電子機器（例えば、ラップトップ型又はデスクトップ型コンピュータ）と通信して、ユーザを識別又は認証する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】欧州特許出願公開第０８５７９８１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
現在、認証処理は、暗号化アルゴリズムと、端末及びトランスポンダ間のデータ交換とに基づいている。このような認証処理では、電力及び時間が著しく必要とされる計算が行われる。更に、あらゆる暗号化処理は、認証の秘密を見つけてシステムに不正侵入しようとする攻撃に対して、多かれ少なかれ反応し易い。
【０００８】
トランスポンダが、通信する必要がある端末にデータを送信する前に、端末を認証できることが好ましい。
【０００９】
また、暗号化とは無関係に認証処理を行うことが好ましい。
【００１０】
また、高速で、消費電力及び計算が少ない認証処理を行うことが好ましい。
【００１１】
更に、認証毎に端末及びトランスポンダ間のデータ交換を行うことなく、端末を認証することが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
これらの目的及び他の目的の全て又は一部を達成するために、本発明は、電圧を生成する発振回路を備えたトランスポンダにより、磁場を生成する端末を認証する方法であって、前記トランスポンダと前記端末との結合により決まる少なくとも１つの値を、少なくとも１つの基準値と比較し、比較結果に基づき、前記端末を認証することを特徴とする方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、前記少なくとも１つの値に相当する前記発振回路により生成される電圧の値を測定し、前記測定された値と、前記トランスポンダ及び前記端末の結合の最適結合係数に関して前記発振回路により生成される電圧により決まる前記基準値とを比較する。
【００１４】
本発明によれば、前記最適結合係数に関する前記基準値を、予め推定しておく。
【００１５】
本発明によれば、前記発振回路と並列に配置された前記トランスポンダの回路によって形成される抵抗性負荷の第１の値に関して、前記電圧の第１の値を測定し、前記抵抗性負荷の第２の値に関して、前記電圧の第２の値を測定し、前記少なくとも１つの値に相当する前記電圧の第１の値及び第２の値の比率を、一又は複数の前記基準値と比較する。
【００１６】
本発明によれば、前記基準値は、前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値により決まる。
【００１７】
本発明によれば、前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値を、前記トランスポンダに備えられているプロセッサの消費電力を変更することにより得る。
【００１８】
本発明によれば、前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値を、前記トランスポンダに備えられている切替可能な抵抗性逆変調要素を切り替えることにより得る。
【００１９】
本発明によれば、前記トランスポンダが前記端末を認証しない場合、前記トランスポンダは、意図的に間違ったデータを前記端末に送信する。
【００２０】
本発明は、更に、電磁トランスポンダが端末の磁場内にある場合、直流電圧を与えられ得る整流器の上流側に設けられた発振回路と、前記方法を実施することが可能な少なくとも１つのプロセッサとを備えていることを特徴とする電磁トランスポンダを提供する。
【００２１】
本発明の前述及び他の目的、特徴及び利点を、添付図面を参照して本発明を限定するものではない特定の実施形態について以下に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明が一例として適用されるタイプの電磁トランスポンダ通信システムを非常に簡略化して示す図である。
【図２】電磁トランスポンダ通信システムの端末及びトランスポンダを示すブロック略図である。
【図３】結合係数に応じたトランスポンダの発振回路の電圧の変動の一例を示す図である。
【図４】トランスポンダが端末を認証する方法の実施形態を示すフローチャートである。
【図５】テスト段階の実施形態を示すブロック図である。
【図６】端末を認証することが可能なトランスポンダの実施形態を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
同一の構成要素は、異なる図面において同一の参照番号で示されている。明瞭化のために、本発明の理解に有用なステップ及び構成要素のみが示され、説明されている。具体的には、トランスポンダと端末との通信の符号化及び変調については詳述されておらず、本発明は、あらゆる通常の通信に適合する。更に、トランスポンダによる認証以外の端末又は前記トランスポンダによって実施され得る機能も詳述されておらず、本発明は、ここでもまた、端末又はトランスポンダのあらゆる通常の機能に適合する。
【００２４】
図１は、電磁トランスポンダ通信システムのブロック図である。端末１は、（例えば、近距離無線通信（ＮＦＣ：near field communication）プロトコルに応じて、離れた構成要素、すなわち、トランスポンダと近距離で通信することが可能である。
【００２５】
端末１は、様々な形態、例えば、輸送チケット確認端末、電子パスポートリーダ、ラップトップ型コンピュータ、移動通信機器（ＧＳＭ電話、ＰＤＡ等）、自動車を始動させる電子制御ユニット等の形態から構成され得る。
【００２６】
同様に、トランスポンダ２は、様々な形態、例えば、チップカード、電子輸送チケット、電子パスポート、通信端末（ＧＳＭ電話、ＰＤＡ等）、電子タグ等の形態から構成され得る。
【００２７】
図２は、端末１及びトランスポンダ２の実施例を非常に概略的に示す。
【００２８】
端末１は、コンデンサ（容量性素子）Ｃ１及び抵抗器Ｒ１と直列のインダクタンス（誘導性素子）Ｌ１から構成された一般的には直列の発振回路Ｌ１−Ｃ１を備えている。図２に示された実施例では、この直列発振回路は、増幅器すなわちアンテナカプラ１４の出力端子１２と、基準電圧を有する端子１３（一般的には、アース）との間に接続されている。発振回路内の電流を測定する測定素子１５が、例えば、容量性素子Ｃ１とアース１３との間に設けられている。測定素子１５は、後述する位相調整ループに属している。増幅器１４は変調器（ＭＯＤ）１６から与えられる高周波伝送信号を受取り、変調器１６は、例えば、水晶発振器（図示せず）から基準周波数信号（ＯＳＣ）を受取る。変調器１６は、必要に応じて、伝送を制御して利用するための回路１１から与えられる信号Ｔｘを受取る。回路１１は、一般的には、制御及びデータ処理マイクロプロセッサを備えており、図示しない様々な入力／出力回路（キーボード、ディスプレイ、サーバと通信する要素等）及び／又は処理回路と通信する。端末１の構成要素は、ほとんどの場合、その動作に必要な電力を電源回路（図示せず）から取り出しており、電源回路は、例えば、電源供給ライン配電システム（コンセント）又はバッテリ（例えば、自動車、携帯電話又はコンピュータのバッテリ）に接続されている。変調器１６は、（例えば、１３．５６ＭＨｚの）高周波搬送波（信号）Ｔｘを直列発振回路Ｌ１−Ｃ１に供給し、該発振回路は磁場を生成する。
【００２９】
容量性素子Ｃ１は、例えば、信号ＣＴＲＬにより制御可能な可変容量性素子である。この容量性素子Ｃ１は、基準信号に関するアンテナ（インダクタンス）Ｌ１の電流Ｉ１の位相調整に関与する。この調整は、高周波信号の調整、すなわち、送信されるべきデータＴｘがないとき増幅器１４に与えられる信号に相当する搬送波の信号の調整である。該調整は、基準信号と一定の位相関係でアンテナＬ１の電流Ｉ１を維持するように、端末１の発振回路のキャパシタンスを変化させることによって行われる。この基準信号は、例えば、変調器１６に供給される基準周波数信号ＯＳＣに相当する。信号ＣＴＲＬは、比較器１７から与えられる。比較器１７は、前記基準信号に関する位相間隔を検出する機能と、検出に応じて容量性素子Ｃ１のキャパシタンスを変更する機能とを有する。この比較器１７は、測定素子１５（例えば、強度変圧器又は抵抗器）によって検出される発振回路の電流Ｉ１に関するデータＭＥＳを受取る。
【００３０】
端末１と協働可能なトランスポンダ２は、発振回路を備えており、該発振回路は、例えば、２つの端子２１及び端子２２間のコンデンサ（容量性素子）Ｃ２と並列なインダクタンス（誘導性素子）Ｌ２から並列に構成されている。（受信共振回路と呼ばれる）並列発振回路Ｌ２−Ｃ２は、端末１の発振回路Ｌ１−Ｃ１によって生成される磁場を取り込むように設けられている。発振回路Ｌ２−Ｃ２及び発振回路Ｌ１−Ｃ１は、同一の共振周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）に同調される。端子２１及び端子２２は、（ほとんどの場合、全波の）整流ブリッジ２３の２つの交流入力端子に接続されている。整流ブリッジ２３の整流出力端子が、正端子２４及び基準端子２５を夫々画定する。コンデンサＣａが、整流電圧を平滑化するために、端子２４及び端子２５間に接続されている。回収された電力が、図示しないバッテリを再充電するために用いられる。
【００３１】
トランスポンダ２が端末１の磁場内にあるとき、高周波電圧が、共振回路Ｌ２−Ｃ２に生成される。整流ブリッジ２３によって整流されてコンデンサＣａによって平滑化されるこの電圧は、電圧調整器（ＲＥＧ）２６を介してトランスポンダ２の電子回路に供給電圧として与えられる。このような電子回路は、一般的には、記憶装置（図示せず）と関連付けられた処理部（例えば、マイクロコントローラμＣ、プロセッサ）２７と、端末１から受信される信号を復調する復調器（ＤＥＭ）２８と、データを端末１に送信するための変調器（ＭＯＤ）２９とを含んでいる。トランスポンダ２は、一般的には、整流前に端子２１及び端子２２の一方から回収される高周波信号から回路２０によって取り出されるクロック（ＣＬＫ）を用いて同期される。ほとんどの場合、トランスポンダ２の全ての電子回路は、同一のチップにまとめられている。
【００３２】
端末１からトランスポンダ２にデータを送信するために、変調器１６は、信号Ｔｘに応じて搬送波の信号（ＯＳＣ）を変調（一般に、振幅変調）する。トランスポンダ２側では、これらのデータは、電圧ＶCaに基づいて復調器２８によって復調される。復調器２８は、復調されるべき信号を整流ブリッジ２３の上流側でサンプリングする。
【００３３】
トランスポンダ２から端末１へデータを送信するために、変調器２９は、端末１により生成される磁場内でトランスポンダの回路によって形成される負荷の変調（逆変調）段３０を制御する。この変調（逆変調）段３０は、一般的には、端子２４及び端子２５間で直列な電子スイッチＫ３０（例えば、トランジスタ）及び抵抗器Ｒ３０（又は、コンデンサ）から構成されている。スイッチＫ３０は、端末１の発振回路の励起信号の周波数より十分低い（一般的には、少なくとも１０分の１の）いわゆる副搬送波周波数（例えば、８４７．５ｋＨｚ）で制御される。スイッチＫ３０がオンのとき、トランスポンダ２が高周波磁場から大量の電力をサンプリングするように、トランスポンダ２の発振回路は、回路２０、調整器２６、処理部２７、復調器２８及び変調器２９によって形成される負荷に関して追加の減衰を受ける。端末１側では、増幅器１４は高周波励起信号の振幅を一定に維持する。その結果、トランスポンダ２の電力変動が、アンテナＬ１の電流Ｉ１の振幅及び位相変動として変換される。この変動は、端末１の振幅又は位相復調器によって検出される。図２に示された実施形態では、比較器１７は、トランスポンダ２から与えられる信号を復調するためにも用いられる位相復調器と一体化されている。従って、比較器１７は、回路１１に返す信号Ｒｘに、トランスポンダ１から受信したデータの起こり得る逆変調をもたらす。他の復調回路、例えば、コンデンサＣ１の電圧の測定を利用する回路を設けてもよい。
【００３４】
トランスポンダと端末との通信を符号化／復号して変調／復調するための多くの変形例が存在する。
【００３５】
位相調整ループの応答時間が、トランスポンダからの起こり得る逆変調の妨害を避けるために十分長く、且つトランスポンダが端末の磁場内を通過する速度と比較して十分短い。これは、変調周波数（例えば、遠隔電力供給搬送波の１３．５６ＭＨｚの周波数、及びトランスポンダから端末へデータを送信するために用いられる８４７．５ｋＨｚの逆変調周波数）に対する静的調整ということもできる。
【００３６】
位相調整端末の一例が、欧州特許出願公開第０８５７９８１号明細書に記載されている。
【００３７】
端末側で位相が調整されることにより、トランスポンダが端末の磁場内にあるとき、トランスポンダの発振回路における電流及び電圧を測定して、測定結果から、トランスポンダの結合に関する情報を導き出すことが可能になる。端末の発振回路とトランスポンダの発振回路との結合係数は、実質的には、トランスポンダと端末との距離によって決まる。ｋで示される結合係数は、常に０と１との間にある。結合係数は、次の式で定義され得る。
k = M/√(L1・L2) （式１）
尚、Ｍは、端末の発振回路のインダクタンスＬ１と、トランスポンダの発振回路のインダクタンスＬ２との相互インダクタンスを表す。
【００３８】
最適結合が、トランスポンダの発振回路の電圧ＶC2が最大である位置にあるとして定義される。ｋopt で示される最適結合係数は、以下に示すように表現されてもよい。
kopt = √(L2/L1・R1/R2) （式２）
尚、Ｒ２は、トランスポンダの発振回路と並列に設けられた構成要素によって形成される負荷の抵抗と等価な抵抗を表す。
【００３９】
換言すれば、抵抗Ｒ２は、コンデンサＣ２及びインダクタンスＬ２と（整流ブリッジ２３の前又は後ろで）並列に配置されたトランスポンダ２の全ての回路の抵抗と等価な抵抗を表わす。トランスポンダの回路によるコンダクタンスが、「抵抗性負荷」と呼ばれる。この負荷のレベルが、発振回路に並列な抵抗Ｒ２によって表される。式２では、インダクタンスＬ１（端末のアンテナ）の直列抵抗は無視されている。また、この直列抵抗の値が、簡素化のために、抵抗器Ｒ１の値に含まれているとみなされ得る。
【００４０】
式２は、端末とトランスポンダとの結合特徴を表す。同一のトランスポンダ及び所与の動作条件（負荷Ｒ２）では、最適結合係数は、インダクタンスＬ１の値及び抵抗器Ｒ１の値を調整する端末に応じて変化する。
【００４１】
このような特徴を利用して、トランスポンダが、前記結合特徴を間接的に確認することにより、トランスポンダが配置されている範囲内で端末を認証することが可能になる。
【００４２】
図３は、最適結合係数に関して標準化された結合係数ｋ／ｋopt に応じてトランスポンダ側で回収される電圧ＶC2の変動の一例を示す。この曲線は、ゼロ結合に相当する座標軸の原点（ゼロ電圧）から開始する。ゼロ結合は、トランスポンダによって信号が検出されないようなトランスポンダから端末までの距離に相当する。電圧ＶC2は、最適結合係数ｋopt のとき（ｋ／ｋopt ＝１であるとき）最大値ＶC2opt に達し、結合係数ｋが１に等しいとき中間値ＶC2(1) に減少する。
【００４３】
トランスポンダ側で、トランスポンダと端末との結合を評価するために、トランスポンダの発振回路の容量性素子Ｃ２の電圧ＶC2が用いられる。この電圧ＶC2は、以下の関係式により得られる。
VC2 = I2/ω・C2 （式３）
尚、Ｉ２は、トランスポンダの発振回路の電流を表し、ωは、信号のパルスを表す。
【００４４】
電流Ｉ２は、以下の関係式により得られる。
I2 = M・ω・I1/Z2 （式４）
尚、Ｉ１は、端末の発振回路の電流を表し、Ｚ２は、トランスポンダのインピーダンスを表す。
【００４５】
トランスポンダのインピーダンスＺ２は、以下の関係式により得られる。
Z22 = X22+(L2/R2・C2)2 （式５）
尚、Ｘ２は、発振回路のインピーダンスの虚数部を表す（X2=ω・L2-1/ω・C2）。
【００４６】
更に、端末の発振回路の電流Ｉ１は、以下の関係式により得られる。
I1 = Vg/Z1app （式６）
尚、Ｖｇは、端末の発振回路を励起するいわゆる発電電圧を示し、Ｚ１app は、発振回路の見掛けインピーダンスを表す。
【００４７】
端末の発振回路の位相を調整することにより、トランスポンダに形成される負荷の虚数部を変調周波数に関して静的に変更する傾向がある全ての変動が、この位相調整ループによって補償され得る。従って、静的動作では、見掛けインピーダンスＺ１app の虚数部は確実にゼロである。従って、見掛けインピーダンスＺ１app は、見掛け抵抗Ｒ１app （インピーダンスの実数部）に等しくなり、以下に示すように表現されてもよい。
Z1app = R1app = R1+(k2・ω2・L1・L22)/(Z22・R2・C2) （式７）
【００４８】
発振回路は同調されるので、インピーダンスＺ２の虚数部Ｘ２は、第一近似としてゼロに近いとみなされ得る。その結果、インピーダンスＺ２の値は、以下の関係式により得られる。
Z2 ＝ L2/R2・C2 （式８）
【００４９】
この単純化した式８を式４及び式７に挿入し、式４を式３に挿入することにより、トランスポンダの発振回路で回収される電圧ＶC2について、以下の式が得られる。
VC2 = ｋ・√(L1/L2)・{Vg/(R1/R2+k2・L1/L2)} （式９）
【００５０】
式９は、所与の端末（発電電圧Ｖｇ、抵抗器Ｒ１及びインダクタンスＬ１の一定値）及びインダクタンスＬ２の一定値（従って、コンデンサＣ２の一定値）では、電圧ＶC2は、結合係数ｋと、トランスポンダの回路によって形成されて発振回路と並列に設けられる（抵抗Ｒ２と等価な）抵抗性負荷とによってのみ決まることを示している。
【００５１】
式９は、トランスポンダの発振回路Ｌ２−Ｃ２が、同調周波数、すなわち、ω・√(L2・C2)=1に設定されているとみなされている場合にのみ適用可能であることに留意すべきである。
【００５２】
最適結合係数ｋopt の位置では、最大電圧ＶC2opt が、（式２及び式９を組み合わせた）以下の式により得られる。
VC2opt = Vg/2・√(R2/R1) （式１０）
【００５３】
式１０は、所与の端末に関して、トランスポンダが端末と関連付けられるテスト段階で、トランスポンダ及び端末の最適結合における抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2opt]R20 の値を記憶できることを示している。このためには、発電電圧Ｖｇの値及び抵抗器Ｒ１の値を知っておき、電圧ＶC2を測定するだけで十分である。
【００５４】
その後、動作中に、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2]R20の現在値を、最適結合係数ｋopt の位置における抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2opt]R20 の値と比較することにより認証処理が行われてもよい。現在値は、記憶されている電圧ＶC2opt]R20 の値以下でなければならない。現在値が、記憶されている電圧ＶC2opt]R20 の値より大きい場合、端末が、規定されている磁場より大きな磁場を生成すべく設定されていることを意味する。従って、端末は、正当ではない（又は、不適切に構成されている）とみなされる。実際には、端末が変造された端末である危険性がある。
【００５５】
式９及び式１０を組み合わせて、最適結合係数ｋopt に関して標準化された結合係数（ｋ／ｋopt ）を表現することにより、電圧ＶC2が以下に式により得られる。
VC2 = 2・VC2opt・[(k/kopt)/{1+(k/kopt)2}] （式１１）
【００５６】
所与の結合係数ｋでは、端末の発振回路のインピーダンスが変動せず、発振回路は同調されたままであるとすると、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２１及び抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2の夫々の値ＶC2]R21及び値ＶC2]R20の比率が、式１１に従って、以下の式により得られる。
VC2]R21/VC2]R20= {(k/kopt]R20)2+1}/{(k/kopt]R20)2+R20/R21} （式１２）
【００５７】
式１２は、抵抗Ｒ２の抵抗値を、第１の値Ｒ２０から、より大きな第２の値Ｒ２１に増加させることにより（これは、発振回路Ｌ２−Ｃ２と並列に設けられたトランスポンダの回路の負荷を減少させることを意味する）、電圧ＶC2]R21が、電圧ＶC2]R20より大きくなることを示している。逆に、抵抗Ｒ２の抵抗値を減少させることにより、回収される電圧ＶC2は減少する。
【００５８】
従って、同調状態の所与の端末（発電電圧Ｖｇ及び抵抗器Ｒ１の一定値）及びトランスポンダでは、（抵抗値Ｒ２０及び抵抗値Ｒ２１に等しい）２つの抵抗性負荷に関して得られる電圧が比較され得る。抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０が、（抵抗性負荷を減少させることにより）抵抗値Ｒ２１まで増加するとき、抵抗値Ｒ２１に関して得られた電圧ＶC2]R21は、最初の抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2]R20以下になる。これは、端末が、予想される電流より小さい電流Ｖｇ／Ｒ１を生成するように設定されており、端末及びトランスポンダの結合が、予想される結合特徴を順守していないことを意味する。
【００５９】
抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０から、より大きな抵抗値Ｒ２１への切替に相当する抵抗性負荷の変動に関して、式１２より、以下の式が得られる。
(k/kopt]R20)2= (1-VC2]R21/VC2]R20・R20/R21)/(VC2]R21/VC2]R20-1)（式１３）
【００６０】
式１１及び式１３を組み合わせることにより、以下の式が得られる。
VC2]R20/VC2opt]R20= [2・√{(VC2]R20/VC2]R21-R20/R21)・(1-VC2]R20/VC2]R21)}]/(1-R20/R21) （式１４）
【００６１】
抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０から、より小さな抵抗値Ｒ２１への変動では、式１３及び式１４は、夫々以下の式１３′及び式１４′になる。
(k/kopt]R20)2= (VC2]R21/VC2]R20・R20/R21-1)/(1-VC2]R21/VC2]R20)
（式１３′）
VC2]R20/VC2opt]R20= [2・√{(R20/R21-VC2]R20/VC2]R21)・(VC2]R20/VC2]R21-1)}]/(R20/R21-1) （式１４′）
【００６２】
従って、電圧ＶC2]R20の現在値も確認され得る。抵抗Ｒ２の変動の方向に応じて、この電圧ＶC2]R20の現在値が、式１４及び式１４′の内の一方に当てはまらない場合、端末は、規定されている端末及びトランスポンダの結合に適合しているとみなされない。
【００６３】
実際には、トランスポンダの発振回路の電圧ＶC2が直接測定されるわけではなく、整流ブリッジ２３の出力におけるコンデンサＣａの平滑化された電圧ＶCaが測定される。電圧ＶCaは、電圧ＶC2に比例する。電圧比が評価されるので、電圧ＶC2と電圧ＶCaとの比例定数を知る必要がない。特定の実施形態では、測定は、マイクロプロセッサによって行われる。測定された電圧値が、アナログ手段により、又は、選択的な数ビット以上のディジタル処理により記憶され、該ビット数は、所望の分析精度により決まる。
【００６４】
図４は、その磁場内にトランスポンダが存在する端末の認証を確認する方法の実施形態を示すフローチャートである。図４に関する説明を簡略化するために、実際には、電圧ＶCaの値ＶCa]R20及び値ＶCa]R21を測定する方が容易であり、このことは、値の比較に対して何も変更がないことが分かっているので、値ＶC2]R20及び値ＶCa]R21について説明する。
【００６５】
抵抗Ｒ２の第１の値Ｒ２０に関するコンデンサＣ２の電圧を測定して記憶することにより開始する（ステップ４１）。次に、抵抗Ｒ２の値を、より大きな値（例えば、抵抗値Ｒ２１）に変更する（ステップ４２）。
【００６６】
次いで、抵抗値Ｒ２１に関する電圧ＶC2が測定されて記憶される（ステップ４３）。
【００６７】
抵抗値Ｒ２０に関して得られた電圧ＶC2]R20の現在値が、最適結合係数ｋopt における抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2opt]R20 の値と比較されて、電圧ＶC2]R20の現在値が電圧ＶC2opt]R20 の値以下であるか否かが判断される（ステップ４４）。最適結合係数ｋopt における電圧ＶC2opt]R20 の値は、トランスポンダが認証リーダの磁場内に存在するとみなされているテスト段階中にトランスポンダに予め記憶されている。ステップ４４は、電圧ＶC2]R20が測定されるとすぐに（ステップ４１の後に）行われてもよい。
【００６８】
ステップ４４により、電圧ＶC2]R20の現在値が電圧ＶC2opt]R20 の値以下でないと判断された場合（ステップ４４の出力Ｎ）、トランスポンダの処理部２７は、例えば、エラー処理を行う（ステップ４９）。このエラー処理は、例えば、トランザクション拒否、トランスポンダのリセット、（操作された情報に関する重要な機能を実行しない）フェールソフト動作等に相当する。また、トランスポンダが、意図的に間違った情報で端末を誤解又は混乱させるメッセージ、例えば、ランダムデータを含むメッセージを端末に送信してもよい。その他の様々な処理が想定されてもよい。例えば、通常、暗号化メカニズムにより認証されない場合のあらゆるエラー処理が想定されてもよい。
【００６９】
ステップ４４により、電圧ＶC2]R20の現在値が電圧ＶC2opt]R20 の値以下であると判断された場合（ステップ４４の出力Ｙ）、図４に示された実施形態では、電圧ＶC2]R20と電圧ＶC2]R21との比率に関して連続した２つの判定が行われる。
【００７０】
このために、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０及び抵抗値Ｒ２１と等しい抵抗性負荷に関して測定された電圧の比率ｒV が計算されて記憶される（ステップ４５)。
【００７１】
その後、この比率ｒV が１より大きいか否かが判断される（ステップ４６）。比率ｒV が１以下であると判断された場合（ステップ４６の出力Ｎ）、エラー処理（ステップ４９）に進む。
【００７２】
比率ｒV が１より大きいと判断された場合（ステップ４６の出力Ｙ）、この比率ｒV が、抵抗値Ｒ２１と抵抗値Ｒ２０との比率より小さいか否かが判断される（ステップ４７）。比率ｒV が、抵抗値Ｒ２１と抵抗値Ｒ２０との比率以上であると判断された場合（ステップ４７の出力Ｎ）、端末が、予測される磁場より大きな磁場を生成していることを意味する。従って、端末は認証されない（ステップ４９）。
【００７３】
最後に、電圧ＶC2]R20の値が式１４に当てはまるか否かが判断される（ステップ４８)。電圧ＶC2]R20の値が式１４に当てはまらないと判断された場合（ステップ４８の出力Ｎ）、エラー処理が行われる（ステップ４９）。逆に、電圧ＶC2]R20の値が式１４に当てはまると判断された場合（ステップ４８の出力Ｙ）、その磁場内にトランスポンダが存在する端末は認証されて（ステップ５０）、トランザクション又は通信を開始され得る。
【００７４】
上述された処理は、上述された順序と異なる順序で行われてもよい。しかし、処理が、計算の複雑さが増す順序で優先的に行われることにより、トランスポンダに適合しない端末を更に迅速に拒絶することが可能になる。
【００７５】
更に、様々な中間値（例えば、比率ｒV 又は比率Ｒ２１／Ｒ２０）が記憶されて、連続する処理で再利用されてもよく、又は逆に、処理中に計算されてもよい。
【００７６】
更に、実行される判定の数は、用途、所望の認証の信頼性、トランスポンダの計算電力、利用可能なデータ等により決まる。例えば、抵抗値Ｒ２０及び抵抗値Ｒ２１を判断できないが、抵抗値Ｒ２１が抵抗値Ｒ２０より大きいことのみが分かっている簡略化された実施形態では、ステップ４６だけで十分である。この簡略化された実施形態では、テスト段階が必要ではないことに留意すべきである。しかし、確認は、抵抗Ｒ２の２つ以上の抵抗値に関して複数回行うことにより向上し得る。また評価は、抵抗Ｒ２の抵抗値を減少させることにより行われてもよい。従って、抵抗Ｒ２の抵抗値は、トランスポンダの回路への電力の供給を確保するために、電圧ＶC2の必要な値ＶC2]R21を維持するだけで十分である。更に、ステップ４６及びステップ４７の関係は逆でなければならない（ｒV ＜１、及びｒV ＞Ｒ２１／Ｒ２０）。
【００７７】
端末の動作の際の起こり得るドリフトを考慮して、許容値の許容誤差又は範囲が処理に導入されてもよく、又は、認可された端末群の場合には、この端末群の間の許容可能な分散が導入されてもよい。
【００７８】
従って、トランスポンダの発振回路の２つの抵抗値に関して測定された２つの電圧値に基づいて、端末を認証することが可能である。
【００７９】
この認証の信頼性は、テスト段階によって判断される関係を利用することによって改善され得る。
【００８０】
図５は、トランスポンダ２が端末（図示せず）の磁場内にあるとき、前記端末を認証するか否かを自動的に判断すべく設けられたトランスポンダ２の実施形態を示すブロック図である。図５の表示は、図２の表示と比べて簡略化されている。具体的には、復調及び逆変調の手段、並びにクロック周波数を得るための構成要素が図示されていない。
【００８１】
前述したように、トランスポンダ２は、その端子２１及び２２が、整流ブリッジ２３の入力端子に接続されている並列発振回路Ｌ２−Ｃ２に基づいている。処理部２７のために電流Ｉｃを測定する要素が調整器２６の出力側に設けられてもよい。更に、整流ブリッジ２３の端子２４及び端子２５間に、切替可能な抵抗性回路４０が設けられている。例えば、２つの抵抗器Ｒ４３及び抵抗器Ｒ４５が並列に接続されており、夫々の抵抗器４３、４５は、夫々のスイッチＫ４３、Ｋ４５と直列に接続されている。スイッチＫ４３及びスイッチＫ４５（例えば、ＭＯＳトランジスタ）は、結合位置を判断する方法を実施するために切り替えられる。処理部（ＰＵ、プロセッサ）２７は、入力ＭＥＳで電圧ＶCaに関する情報を受取り、上述した方法を実施する。図５に示された実施形態では、両方の抵抗器Ｒ４３及び抵抗器Ｒ４５が機能的に接続されているとき、抵抗Ｒ２（トランスポンダの回路の負荷）は抵抗値Ｒ２０を示す。抵抗器Ｒ４３及び抵抗器Ｒ４５の内の一方（例えば、抵抗器Ｒ４３）の接続が切られると、抵抗Ｒ２の抵抗値が抵抗値Ｒ２１に増加する。前記方法の変形例に応じて他の接続及び切替が設定されてもよい。例えば、抵抗Ｒ２の２つの抵抗値の内の一方が、他のトランスポンダの回路の抵抗性負荷に相当するとみなして、単一の切替可能な抵抗器が用いられてもよい。
【００８２】
好適な実施形態によれば、切替可能な抵抗器は、抵抗性逆変調に用いられる抵抗器に相当する。例えば、逆変調抵抗器が回路で機能するように、逆変調抵抗器を切り替えること（図２に示された実施例におけるスイッチＫ３０がオンの状態）により、電圧ＶC2]R20の値が測定される。次に、スイッチＫ３０がオフされて、電圧ＶC2]R21の値が測定される。
【００８３】
変形例として、等価な抵抗Ｒ２の抵抗値の増加又は減少が、トランスポンダの回路、一般的には処理部２７の消費電力を変動させることによって引き起こされる。例えば、抵抗Ｒ２の抵抗値を減少させるために（消費電力を増加させるために）、処理部２７による計算又は処理の実行が開始される。等価な抵抗Ｒ２の抵抗値の増加は、ある計算の割込みによる処理部２７の消費電力の減少によって引き起こされてもよい。変形例として、クロックにより調整される実行速度が回路２０を用いて低減されてもよい。処理部２７によって実行されるべき様々なタスクに関する消費電力が分かる時点から、抵抗Ｒ２における変動も分かる。
【００８４】
端末を認証するために必要な計算は、計算の実行時間が、端末の前方でのトランスポンダの変位速度（ひいては結合係数の変動速度）に対して無視し得る程十分に簡単である。これは特に、マイクロコントローラを備えたトランスポンダが暗号機能を実行する場合であり、この場合、このような計算を駆使する機能自体は、結合が変化しないとみなされ得る期間中に実行される。他の場合では、トランスポンダが端末の受信面に載置されている場合、トランスポンダと端末との結合が更に長い期間変動しない。
【００８５】
認証は、端末との通信の確立を必要とすることなく行われることに留意すべきである。従って、要求の復調（ひいては、トランスポンダの通信機能の始動）が、端末が認証されるときのみ認められるので、トランスポンダに含まれているデータの保護が保証される。
【００８６】
図６は、テスト段階中に端末を認証することが可能なトランスポンダの実施形態を示すフローチャートである。
【００８７】
このようなテスト段階は、端末が、トランスポンダ又はトランスポンダ群と適合されていることが望まれるときに実施される。例えば、このようなテスト段階は、製造の終了の際のトランスポンダの較正段階で実施される。別の実施例によれば、値は、サンプルに基づいて決定されて、一連の製造の際に、トランスポンダの不揮発性メモリに記録される。また別の実施例によれば、トランスポンダと端末との適合は、最終ユーザが選択する電磁気装置（例えば、最終ユーザの携帯電話及びラップトップ型コンピュータ）間のデータ交換を認証したときのみ最終ユーザにより行われる。トランスポンダで使用可能な発電電圧Ｖｇ及び抵抗器Ｒ１の値は、このテスト段階で実際の端末によってトランスポンダに通信されてもよい。
【００８８】
テスト段階は、トランスポンダを、端末との公称結合に関して設定することによって開始する（ステップ６１）。例えば、このような関係は、チップカード又は別のタイプのトランスポンダを、適合されることが望まれる端末に載置することを含む。
【００８９】
次に、トランスポンダの所与の抵抗性負荷に関する電圧ＶC2]R20が測定される（ステップ６２）。
【００９０】
最後に、測定された電圧ＶC2]R20の値、対応する抵抗の抵抗値Ｒ２０、及び端末の対応する抵抗器Ｒ１及び発電電圧Ｖｇの値が記憶される。これらの値は、端末の製造者から得てもよく、又は、端末の適合された検出要素によって測定されて、例えば、テスト段階中に特定の通信を開始することによって、トランスポンダに通信されてもよい。トランスポンダは、様々な値を記憶するのではなく、式１０を用いて電圧ＶC2opt]R20 を直接計算して、計算結果を記憶してもよい（ステップ６３)。
【００９１】
異なる変形例を有する様々な実施形態について説明している。当業者は、あらゆる進歩性を示すことなく、様々な実施形態及び変形例の様々な構成要素を組み合わせることができることに留意すべきである。具体的には、実行される処理の選択及び順序は、用途、例えば、認証を実行するために利用可能な時間、トランスポンダの計算容量等によって決まる。
【００９２】
このような変更、修正及び改良は、本開示の一部であることが意図され、また、本発明の意図及び範囲内にあることが意図されている。従って、上記の説明は、単に例示的なものであり、限定することを意図するものではない。本発明は、特許請求の範囲に定義されていること、及び特許請求の範囲に対する等価物によってのみ限定される。
【符号の説明】
【００９３】
１ 端末
２ トランスポンダ
２３ 整流器、整流ブリッジ
２７ プロセッサ、処理部
３０ 抵抗性逆変調要素、変調（逆変調）段
Ｃ２ 発振回路、コンデンサ、容量性素子
Ｌ２ 発振回路、インダクタンス、誘導性素子
Ｒ２ 抵抗性負荷、抵抗
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、電子システムに関し、より具体的には、電磁トランスポンダ、すなわち、読出し及び／又は書込み端末によって非接触且つ無線で応答され得るトランシーバを用いたシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの通信システムは、端末によって生成される電磁場の変調に基づいている。前記通信システムは、盗難防止装置として使用される最も簡素な電子タグから、トランスポンダが端末の電磁場内に存在するときに端末と通信するためのトランスポンダが、計算機能（例えば、電子財布）又はデータ処理機能を備えているより複雑なシステムまで多岐にわたっている。
【０００３】
電磁トランスポンダを備えたシステムは、アンテナを形成する巻線を備えた発振回路のトランスポンダ側及び端末側での使用に基づいている。このような発振回路は、トランスポンダが端末の電磁場内に入ったとき、近傍の磁場によって結合される。端末の発振回路及びトランスポンダの発振回路は、一般的には、端末の発振回路の励起周波数に相当する同一の周波数に同調される。
【０００４】
トランスポンダは、ほとんどの場合、自己電源を有しておらず、端末のアンテナによって発せられる高周波磁場から自身の回路に必要な電力を取り出す。
【０００５】
トランスポンダが端末と通信する必要があるとき、トランスポンダは、データ交換を行う前に、端末を認証しなければならない。例えば、トランスポンダが（金銭又は勘定単位での）支払い手段として使用される適用例では、トランスポンダは、ある端末に対する支払額を蓄えておく場合がある。別の適用例によれば、電子機器（例えば、ＰＤＡ又は携帯電話）に関連付けられているチップカード型のトランスポンダは、他の電子機器（例えば、ラップトップ型又はデスクトップ型コンピュータ）と通信して、ユーザを識別又は認証する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】欧州特許出願公開第０８５７９８１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
現在、認証処理は、暗号化アルゴリズムと、端末及びトランスポンダ間のデータ交換とに基づいている。このような認証処理では、電力及び時間が著しく必要とされる計算が行われる。更に、あらゆる暗号化処理は、認証の秘密を見つけてシステムに不正侵入しようとする攻撃に対して、多かれ少なかれ反応し易い。
【０００８】
トランスポンダが、通信する必要がある端末にデータを送信する前に、端末を認証できることが好ましい。
【０００９】
また、暗号化とは無関係に認証処理を行うことが好ましい。
【００１０】
また、高速で、消費電力及び計算が少ない認証処理を行うことが好ましい。
【００１１】
更に、認証毎に端末及びトランスポンダ間のデータ交換を行うことなく、端末を認証することが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
これらの目的及び他の目的の全て又は一部を達成するために、本発明は、電圧を生成する発振回路を備えたトランスポンダにより、磁場を生成する端末を認証する方法であって、前記トランスポンダと前記端末との結合により決まる少なくとも１つの値を、少なくとも１つの基準値と比較し、比較結果に基づき、前記端末を認証することを特徴とする方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、前記少なくとも１つの値に相当する前記発振回路により生成される電圧の値を測定し、前記測定された値と、前記トランスポンダ及び前記端末の結合の最適結合係数に関して前記発振回路により生成される電圧により決まる前記基準値とを比較する。
【００１４】
本発明によれば、前記最適結合係数に関する前記基準値を、予め推定しておく。
【００１５】
本発明によれば、前記発振回路と並列に配置された前記トランスポンダの回路によって形成される抵抗性負荷の第１の値に関して、前記電圧の第１の値を測定し、前記抵抗性負荷の第２の値に関して、前記電圧の第２の値を測定し、前記少なくとも１つの値に相当する前記電圧の第１の値及び第２の値の比率を、一又は複数の前記基準値と比較する。
【００１６】
本発明によれば、前記基準値は、前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値により決まる。
【００１７】
本発明によれば、前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値を、前記トランスポンダに備えられているプロセッサの消費電力を変更することにより得る。
【００１８】
本発明によれば、前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値を、前記トランスポンダに備えられている切替可能な抵抗性逆変調要素を切り替えることにより得る。
【００１９】
本発明によれば、前記トランスポンダが前記端末を認証しない場合、前記トランスポンダは、意図的に間違ったデータを前記端末に送信する。
【００２０】
本発明は、更に、電磁トランスポンダが端末の磁場内にある場合、直流電圧を与えられ得る整流器の上流側に設けられた発振回路と、前記方法を実施することが可能な少なくとも１つのプロセッサとを備えていることを特徴とする電磁トランスポンダを提供する。
【００２１】
本発明の前述及び他の目的、特徴及び利点を、添付図面を参照して本発明を限定するものではない特定の実施形態について以下に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明が一例として適用されるタイプの電磁トランスポンダ通信システムを非常に簡略化して示す図である。
【図２】電磁トランスポンダ通信システムの端末及びトランスポンダを示すブロック略図である。
【図３】結合係数に応じたトランスポンダの発振回路の電圧の変動の一例を示す図である。
【図４】トランスポンダが端末を認証する方法の実施形態を示すフローチャートである。
【図５】テスト段階の実施形態を示すブロック図である。
【図６】端末を認証することが可能なトランスポンダの実施形態を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
同一の構成要素は、異なる図面において同一の参照番号で示されている。明瞭化のために、本発明の理解に有用なステップ及び構成要素のみが示され、説明されている。具体的には、トランスポンダと端末との通信の符号化及び変調については詳述されておらず、本発明は、あらゆる通常の通信に適合する。更に、トランスポンダによる認証以外の端末又は前記トランスポンダによって実施され得る機能も詳述されておらず、本発明は、ここでもまた、端末又はトランスポンダのあらゆる通常の機能に適合する。
【００２４】
図１は、電磁トランスポンダ通信システムのブロック図である。端末１は、（例えば、近距離無線通信（ＮＦＣ：near field communication）プロトコルに応じて、離れた構成要素、すなわち、トランスポンダと近距離で通信することが可能である。
【００２５】
端末１は、様々な形態、例えば、輸送チケット確認端末、電子パスポートリーダ、ラップトップ型コンピュータ、移動通信機器（ＧＳＭ電話、ＰＤＡ等）、自動車を始動させる電子制御ユニット等の形態から構成され得る。
【００２６】
同様に、トランスポンダ２は、様々な形態、例えば、チップカード、電子輸送チケット、電子パスポート、通信端末（ＧＳＭ電話、ＰＤＡ等）、電子タグ等の形態から構成され得る。
【００２７】
図２は、端末１及びトランスポンダ２の実施例を非常に概略的に示す。
【００２８】
端末１は、コンデンサ（容量性素子）Ｃ１及び抵抗器Ｒ１と直列のインダクタンス（誘導性素子）Ｌ１から構成された一般的には直列の発振回路Ｌ１−Ｃ１を備えている。図２に示された実施例では、この直列発振回路は、増幅器すなわちアンテナカプラ１４の出力端子１２と、基準電圧を有する端子１３（一般的には、アース）との間に接続されている。発振回路内の電流を測定する測定素子１５が、例えば、容量性素子Ｃ１とアース１３との間に設けられている。測定素子１５は、後述する位相調整ループに属している。増幅器１４は変調器（ＭＯＤ）１６から与えられる高周波伝送信号を受取り、変調器１６は、例えば、水晶発振器（図示せず）から基準周波数信号（ＯＳＣ）を受取る。変調器１６は、必要に応じて、伝送を制御して利用するための回路１１から与えられる信号Ｔｘを受取る。回路１１は、一般的には、制御及びデータ処理マイクロプロセッサを備えており、図示しない様々な入力／出力回路（キーボード、ディスプレイ、サーバと通信する要素等）及び／又は処理回路と通信する。端末１の構成要素は、ほとんどの場合、その動作に必要な電力を電源回路（図示せず）から取り出しており、電源回路は、例えば、電源供給ライン配電システム（コンセント）又はバッテリ（例えば、自動車、携帯電話又はコンピュータのバッテリ）に接続されている。変調器１６は、（例えば、１３．５６ＭＨｚの）高周波搬送波（信号）Ｔｘを直列発振回路Ｌ１−Ｃ１に供給し、該発振回路は磁場を生成する。
【００２９】
容量性素子Ｃ１は、例えば、信号ＣＴＲＬにより制御可能な可変容量性素子である。この容量性素子Ｃ１は、基準信号に関するアンテナ（インダクタンス）Ｌ１の電流Ｉ１の位相調整に関与する。この調整は、高周波信号の調整、すなわち、送信されるべきデータＴｘがないとき増幅器１４に与えられる信号に相当する搬送波の信号の調整である。該調整は、基準信号と一定の位相関係でアンテナＬ１の電流Ｉ１を維持するように、端末１の発振回路のキャパシタンスを変化させることによって行われる。この基準信号は、例えば、変調器１６に供給される基準周波数信号ＯＳＣに相当する。信号ＣＴＲＬは、比較器１７から与えられる。比較器１７は、前記基準信号に関する位相間隔を検出する機能と、検出に応じて容量性素子Ｃ１のキャパシタンスを変更する機能とを有する。この比較器１７は、測定素子１５（例えば、強度変圧器又は抵抗器）によって検出される発振回路の電流Ｉ１に関するデータＭＥＳを受取る。
【００３０】
端末１と協働可能なトランスポンダ２は、発振回路を備えており、該発振回路は、例えば、２つの端子２１及び端子２２間のコンデンサ（容量性素子）Ｃ２と並列なインダクタンス（誘導性素子）Ｌ２から並列に構成されている。（受信共振回路と呼ばれる）並列発振回路Ｌ２−Ｃ２は、端末１の発振回路Ｌ１−Ｃ１によって生成される磁場を取り込むように設けられている。発振回路Ｌ２−Ｃ２及び発振回路Ｌ１−Ｃ１は、同一の共振周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）に同調される。端子２１及び端子２２は、（ほとんどの場合、全波の）整流ブリッジ２３の２つの交流入力端子に接続されている。整流ブリッジ２３の整流出力端子が、正端子２４及び基準端子２５を夫々画定する。コンデンサＣａが、整流電圧を平滑化するために、端子２４及び端子２５間に接続されている。回収された電力が、図示しないバッテリを再充電するために用いられる。
【００３１】
トランスポンダ２が端末１の磁場内にあるとき、高周波電圧が、共振回路Ｌ２−Ｃ２に生成される。整流ブリッジ２３によって整流されてコンデンサＣａによって平滑化されるこの電圧は、電圧調整器（ＲＥＧ）２６を介してトランスポンダ２の電子回路に供給電圧として与えられる。このような電子回路は、一般的には、記憶装置（図示せず）と関連付けられた処理部（例えば、マイクロコントローラμＣ、プロセッサ）２７と、端末１から受信される信号を復調する復調器（ＤＥＭ）２８と、データを端末１に送信するための変調器（ＭＯＤ）２９とを含んでいる。トランスポンダ２は、一般的には、整流前に端子２１及び端子２２の一方から回収される高周波信号から回路２０によって取り出されるクロック（ＣＬＫ）を用いて同期される。ほとんどの場合、トランスポンダ２の全ての電子回路は、同一のチップにまとめられている。
【００３２】
端末１からトランスポンダ２にデータを送信するために、変調器１６は、信号Ｔｘに応じて搬送波の信号（ＯＳＣ）を変調（一般に、振幅変調）する。トランスポンダ２側では、これらのデータは、電圧ＶCaに基づいて復調器２８によって復調される。復調器２８は、復調されるべき信号を整流ブリッジ２３の上流側でサンプリングする。
【００３３】
トランスポンダ２から端末１へデータを送信するために、変調器２９は、端末１により生成される磁場内でトランスポンダの回路によって形成される負荷の変調（逆変調）段３０を制御する。この変調（逆変調）段３０は、一般的には、端子２４及び端子２５間で直列な電子スイッチＫ３０（例えば、トランジスタ）及び抵抗器Ｒ３０（又は、コンデンサ）から構成されている。スイッチＫ３０は、端末１の発振回路の励起信号の周波数より十分低い（一般的には、少なくとも１０分の１の）いわゆる副搬送波周波数（例えば、８４７．５ｋＨｚ）で制御される。スイッチＫ３０がオンのとき、トランスポンダ２が高周波磁場から大量の電力をサンプリングするように、トランスポンダ２の発振回路は、回路２０、調整器２６、処理部２７、復調器２８及び変調器２９によって形成される負荷に関して追加の減衰を受ける。端末１側では、増幅器１４は高周波励起信号の振幅を一定に維持する。その結果、トランスポンダ２の電力変動が、アンテナＬ１の電流Ｉ１の振幅及び位相変動として変換される。この変動は、端末１の振幅又は位相復調器によって検出される。図２に示された実施形態では、比較器１７は、トランスポンダ２から与えられる信号を復調するためにも用いられる位相復調器と一体化されている。従って、比較器１７は、回路１１に返す信号Ｒｘに、トランスポンダ１から受信したデータの起こり得る逆変調をもたらす。他の復調回路、例えば、コンデンサＣ１の電圧の測定を利用する回路を設けてもよい。
【００３４】
トランスポンダと端末との通信を符号化／復号して変調／復調するための多くの変形例が存在する。
【００３５】
位相調整ループの応答時間が、トランスポンダからの起こり得る逆変調の妨害を避けるために十分長く、且つトランスポンダが端末の磁場内を通過する速度と比較して十分短い。これは、変調周波数（例えば、遠隔電力供給搬送波の１３．５６ＭＨｚの周波数、及びトランスポンダから端末へデータを送信するために用いられる８４７．５ｋＨｚの逆変調周波数）に対する静的調整ということもできる。
【００３６】
位相調整端末の一例が、欧州特許出願公開第０８５７９８１号明細書に記載されている。
【００３７】
端末側で位相が調整されることにより、トランスポンダが端末の磁場内にあるとき、トランスポンダの発振回路における電流及び電圧を測定して、測定結果から、トランスポンダの結合に関する情報を導き出すことが可能になる。端末の発振回路とトランスポンダの発振回路との結合係数は、実質的には、トランスポンダと端末との距離によって決まる。ｋで示される結合係数は、常に０と１との間にある。結合係数は、次の式で定義され得る。
k = M/√(L1・L2) （式１）
尚、Ｍは、端末の発振回路のインダクタンスＬ１と、トランスポンダの発振回路のインダクタンスＬ２との相互インダクタンスを表す。
【００３８】
最適結合が、トランスポンダの発振回路の電圧ＶC2が最大である位置にあるとして定義される。ｋopt で示される最適結合係数は、以下に示すように表現されてもよい。
kopt = √(L2/L1・R1/R2) （式２）
尚、Ｒ２は、トランスポンダの発振回路と並列に設けられた構成要素によって形成される負荷の抵抗と等価な抵抗を表す。
【００３９】
換言すれば、抵抗Ｒ２は、コンデンサＣ２及びインダクタンスＬ２と（整流ブリッジ２３の前又は後ろで）並列に配置されたトランスポンダ２の全ての回路の抵抗と等価な抵抗を表わす。トランスポンダの回路によるコンダクタンスが、「抵抗性負荷」と呼ばれる。この負荷のレベルが、発振回路に並列な抵抗Ｒ２によって表される。式２では、インダクタンスＬ１（端末のアンテナ）の直列抵抗は無視されている。また、この直列抵抗の値が、簡素化のために、抵抗器Ｒ１の値に含まれているとみなされ得る。
【００４０】
式２は、端末とトランスポンダとの結合特徴を表す。同一のトランスポンダ及び所与の動作条件（負荷Ｒ２）では、最適結合係数は、インダクタンスＬ１の値及び抵抗器Ｒ１の値を調整する端末に応じて変化する。
【００４１】
このような特徴を利用して、トランスポンダが、前記結合特徴を間接的に確認することにより、トランスポンダが配置されている範囲内で端末を認証することが可能になる。
【００４２】
図３は、最適結合係数に関して標準化された結合係数ｋ／ｋopt に応じてトランスポンダ側で回収される電圧ＶC2の変動の一例を示す。この曲線は、ゼロ結合に相当する座標軸の原点（ゼロ電圧）から開始する。ゼロ結合は、トランスポンダによって信号が検出されないようなトランスポンダから端末までの距離に相当する。電圧ＶC2は、最適結合係数ｋopt のとき（ｋ／ｋopt ＝１であるとき）最大値ＶC2opt に達し、結合係数ｋが１に等しいとき中間値ＶC2(1) に減少する。
【００４３】
トランスポンダ側で、トランスポンダと端末との結合を評価するために、トランスポンダの発振回路の容量性素子Ｃ２の電圧ＶC2が用いられる。この電圧ＶC2は、以下の関係式により得られる。
VC2 = I2/ω・C2 （式３）
尚、Ｉ２は、トランスポンダの発振回路の電流を表し、ωは、信号のパルスを表す。
【００４４】
電流Ｉ２は、以下の関係式により得られる。
I2 = M・ω・I1/Z2 （式４）
尚、Ｉ１は、端末の発振回路の電流を表し、Ｚ２は、トランスポンダのインピーダンスを表す。
【００４５】
トランスポンダのインピーダンスＺ２は、以下の関係式により得られる。
Z22 = X22+(L2/R2・C2)2 （式５）
尚、Ｘ２は、発振回路のインピーダンスの虚数部を表す（X2=ω・L2-1/ω・C2）。
【００４６】
更に、端末の発振回路の電流Ｉ１は、以下の関係式により得られる。
I1 = Vg/Z1app （式６）
尚、Ｖｇは、端末の発振回路を励起するいわゆる発電電圧を示し、Ｚ１app は、発振回路の見掛けインピーダンスを表す。
【００４７】
端末の発振回路の位相を調整することにより、トランスポンダに形成される負荷の虚数部を変調周波数に関して静的に変更する傾向がある全ての変動が、この位相調整ループによって補償され得る。従って、静的動作では、見掛けインピーダンスＺ１app の虚数部は確実にゼロである。従って、見掛けインピーダンスＺ１app は、見掛け抵抗Ｒ１app （インピーダンスの実数部）に等しくなり、以下に示すように表現されてもよい。
Z1app = R1app = R1+(k2・ω2・L1・L22)/(Z22・R2・C2) （式７）
【００４８】
発振回路は同調されるので、インピーダンスＺ２の虚数部Ｘ２は、第一近似としてゼロに近いとみなされ得る。その結果、インピーダンスＺ２の値は、以下の関係式により得られる。
Z2 ＝ L2/R2・C2 （式８）
【００４９】
この単純化した式８を式４及び式７に挿入し、式４を式３に挿入することにより、トランスポンダの発振回路で回収される電圧ＶC2について、以下の式が得られる。
VC2 = ｋ・√(L1/L2)・{Vg/(R1/R2+k2・L1/L2)} （式９）
【００５０】
式９は、所与の端末（発電電圧Ｖｇ、抵抗器Ｒ１及びインダクタンスＬ１の一定値）及びインダクタンスＬ２の一定値（従って、コンデンサＣ２の一定値）では、電圧ＶC2は、結合係数ｋと、トランスポンダの回路によって形成されて発振回路と並列に設けられる（抵抗Ｒ２と等価な）抵抗性負荷とによってのみ決まることを示している。
【００５１】
式９は、トランスポンダの発振回路Ｌ２−Ｃ２が、同調周波数、すなわち、ω・√(L2・C2)=1に設定されているとみなされている場合にのみ適用可能であることに留意すべきである。
【００５２】
最適結合係数ｋopt の位置では、最大電圧ＶC2opt が、（式２及び式９を組み合わせた）以下の式により得られる。
VC2opt = Vg/2・√(R2/R1) （式１０）
【００５３】
式１０は、所与の端末に関して、トランスポンダが端末と関連付けられるテスト段階で、トランスポンダ及び端末の最適結合における抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2opt]R20 の値を記憶できることを示している。このためには、発電電圧Ｖｇの値及び抵抗器Ｒ１の値を知っておき、電圧ＶC2を測定するだけで十分である。
【００５４】
その後、動作中に、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2]R20の現在値を、最適結合係数ｋopt の位置における抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2opt]R20 の値と比較することにより認証処理が行われてもよい。現在値は、記憶されている電圧ＶC2opt]R20 の値以下でなければならない。現在値が、記憶されている電圧ＶC2opt]R20 の値より大きい場合、端末が、規定されている磁場より大きな磁場を生成すべく設定されていることを意味する。従って、端末は、正当ではない（又は、不適切に構成されている）とみなされる。実際には、端末が変造された端末である危険性がある。
【００５５】
式９及び式１０を組み合わせて、最適結合係数ｋopt に関して標準化された結合係数（ｋ／ｋopt ）を表現することにより、電圧ＶC2が以下に式により得られる。
VC2 = 2・VC2opt・[(k/kopt)/{1+(k/kopt)2}] （式１１）
【００５６】
所与の結合係数ｋでは、端末の発振回路のインピーダンスが変動せず、発振回路は同調されたままであるとすると、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２１及び抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2の夫々の値ＶC2]R21及び値ＶC2]R20の比率が、式１１に従って、以下の式により得られる。
VC2]R21/VC2]R20= {(k/kopt]R20)2+1}/{(k/kopt]R20)2+R20/R21} （式１２）
【００５７】
式１２は、抵抗Ｒ２の抵抗値を、第１の値Ｒ２０から、より大きな第２の値Ｒ２１に増加させることにより（これは、発振回路Ｌ２−Ｃ２と並列に設けられたトランスポンダの回路の負荷を減少させることを意味する）、電圧ＶC2]R21が、電圧ＶC2]R20より大きくなることを示している。逆に、抵抗Ｒ２の抵抗値を減少させることにより、回収される電圧ＶC2は減少する。
【００５８】
従って、同調状態の所与の端末（発電電圧Ｖｇ及び抵抗器Ｒ１の一定値）及びトランスポンダでは、（抵抗値Ｒ２０及び抵抗値Ｒ２１に等しい）２つの抵抗性負荷に関して得られる電圧が比較され得る。抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０が、（抵抗性負荷を減少させることにより）抵抗値Ｒ２１まで増加するとき、抵抗値Ｒ２１に関して得られた電圧ＶC2]R21は、最初の抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2]R20以下になる。これは、端末が、予想される電流より小さい電流Ｖｇ／Ｒ１を生成するように設定されており、端末及びトランスポンダの結合が、予想される結合特徴を順守していないことを意味する。
【００５９】
抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０から、より大きな抵抗値Ｒ２１への切替に相当する抵抗性負荷の変動に関して、式１２より、以下の式が得られる。
(k/kopt]R20)2= (1-VC2]R21/VC2]R20・R20/R21)/(VC2]R21/VC2]R20-1)（式１３）
【００６０】
式１１及び式１３を組み合わせることにより、以下の式が得られる。
VC2]R20/VC2opt]R20= [2・√{(VC2]R20/VC2]R21-R20/R21)・(1-VC2]R20/VC2]R21)}]/(1-R20/R21) （式１４）
【００６１】
抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０から、より小さな抵抗値Ｒ２１への変動では、式１３及び式１４は、夫々以下の式１３′及び式１４′になる。
(k/kopt]R20)2= (VC2]R21/VC2]R20・R20/R21-1)/(1-VC2]R21/VC2]R20)
（式１３′）
VC2]R20/VC2opt]R20= [2・√{(R20/R21-VC2]R20/VC2]R21)・(VC2]R20/VC2]R21-1)}]/(R20/R21-1) （式１４′）
【００６２】
従って、電圧ＶC2]R20の現在値も確認され得る。抵抗Ｒ２の変動の方向に応じて、この電圧ＶC2]R20の現在値が、式１４及び式１４′の内の一方に当てはまらない場合、端末は、規定されている端末及びトランスポンダの結合に適合しているとみなされない。
【００６３】
実際には、トランスポンダの発振回路の電圧ＶC2が直接測定されるわけではなく、整流ブリッジ２３の出力におけるコンデンサＣａの平滑化された電圧ＶCaが測定される。電圧ＶCaは、電圧ＶC2に比例する。電圧比が評価されるので、電圧ＶC2と電圧ＶCaとの比例定数を知る必要がない。特定の実施形態では、測定は、マイクロプロセッサによって行われる。測定された電圧値が、アナログ手段により、又は、選択的な数ビット以上のディジタル処理により記憶され、該ビット数は、所望の分析精度により決まる。
【００６４】
図４は、その磁場内にトランスポンダが存在する端末の認証を確認する方法の実施形態を示すフローチャートである。図４に関する説明を簡略化するために、実際には、電圧ＶCaの値ＶCa]R20及び値ＶCa]R21を測定する方が容易であり、このことは、値の比較に対して何も変更がないことが分かっているので、値ＶC2]R20及び値ＶCa]R21について説明する。
【００６５】
抵抗Ｒ２の第１の値Ｒ２０に関するコンデンサＣ２の電圧を測定して記憶することにより開始する（ステップ４１）。次に、抵抗Ｒ２の値を、より大きな値（例えば、抵抗値Ｒ２１）に変更する（ステップ４２）。
【００６６】
次いで、抵抗値Ｒ２１に関する電圧ＶC2が測定されて記憶される（ステップ４３）。
【００６７】
抵抗値Ｒ２０に関して得られた電圧ＶC2]R20の現在値が、最適結合係数ｋopt における抵抗値Ｒ２０に関する電圧ＶC2opt]R20 の値と比較されて、電圧ＶC2]R20の現在値が電圧ＶC2opt]R20 の値以下であるか否かが判断される（ステップ４４）。最適結合係数ｋopt における電圧ＶC2opt]R20 の値は、トランスポンダが認証リーダの磁場内に存在するとみなされているテスト段階中にトランスポンダに予め記憶されている。ステップ４４は、電圧ＶC2]R20が測定されるとすぐに（ステップ４１の後に）行われてもよい。
【００６８】
ステップ４４により、電圧ＶC2]R20の現在値が電圧ＶC2opt]R20 の値以下でないと判断された場合（ステップ４４の出力Ｎ）、トランスポンダの処理部２７は、例えば、エラー処理を行う（ステップ４９）。このエラー処理は、例えば、トランザクション拒否、トランスポンダのリセット、（操作された情報に関する重要な機能を実行しない）フェールソフト動作等に相当する。また、トランスポンダが、意図的に間違った情報で端末を誤解又は混乱させるメッセージ、例えば、ランダムデータを含むメッセージを端末に送信してもよい。その他の様々な処理が想定されてもよい。例えば、通常、暗号化メカニズムにより認証されない場合のあらゆるエラー処理が想定されてもよい。
【００６９】
ステップ４４により、電圧ＶC2]R20の現在値が電圧ＶC2opt]R20 の値以下であると判断された場合（ステップ４４の出力Ｙ）、図４に示された実施形態では、電圧ＶC2]R20と電圧ＶC2]R21との比率に関して連続した２つの判定が行われる。
【００７０】
このために、抵抗Ｒ２の抵抗値Ｒ２０及び抵抗値Ｒ２１と等しい抵抗性負荷に関して測定された電圧の比率ｒV が計算されて記憶される（ステップ４５)。
【００７１】
その後、この比率ｒV が１より大きいか否かが判断される（ステップ４６）。比率ｒV が１以下であると判断された場合（ステップ４６の出力Ｎ）、エラー処理（ステップ４９）に進む。
【００７２】
比率ｒV が１より大きいと判断された場合（ステップ４６の出力Ｙ）、この比率ｒV が、抵抗値Ｒ２１と抵抗値Ｒ２０との比率より小さいか否かが判断される（ステップ４７）。比率ｒV が、抵抗値Ｒ２１と抵抗値Ｒ２０との比率以上であると判断された場合（ステップ４７の出力Ｎ）、端末が、予測される磁場より大きな磁場を生成していることを意味する。従って、端末は認証されない（ステップ４９）。
【００７３】
最後に、電圧ＶC2]R20の値が式１４に当てはまるか否かが判断される（ステップ４８)。電圧ＶC2]R20の値が式１４に当てはまらないと判断された場合（ステップ４８の出力Ｎ）、エラー処理が行われる（ステップ４９）。逆に、電圧ＶC2]R20の値が式１４に当てはまると判断された場合（ステップ４８の出力Ｙ）、その磁場内にトランスポンダが存在する端末は認証されて（ステップ５０）、トランザクション又は通信を開始され得る。
【００７４】
上述された処理は、上述された順序と異なる順序で行われてもよい。しかし、処理が、計算の複雑さが増す順序で優先的に行われることにより、トランスポンダに適合しない端末を更に迅速に拒絶することが可能になる。
【００７５】
更に、様々な中間値（例えば、比率ｒV 又は比率Ｒ２１／Ｒ２０）が記憶されて、連続する処理で再利用されてもよく、又は逆に、処理中に計算されてもよい。
【００７６】
更に、実行される判定の数は、用途、所望の認証の信頼性、トランスポンダの計算電力、利用可能なデータ等により決まる。例えば、抵抗値Ｒ２０及び抵抗値Ｒ２１を判断できないが、抵抗値Ｒ２１が抵抗値Ｒ２０より大きいことのみが分かっている簡略化された実施形態では、ステップ４６だけで十分である。この簡略化された実施形態では、テスト段階が必要ではないことに留意すべきである。しかし、確認は、抵抗Ｒ２の２つ以上の抵抗値に関して複数回行うことにより向上し得る。また評価は、抵抗Ｒ２の抵抗値を減少させることにより行われてもよい。従って、抵抗Ｒ２の抵抗値は、トランスポンダの回路への電力の供給を確保するために、電圧ＶC2の必要な値ＶC2]R21を維持するだけで十分である。更に、ステップ４６及びステップ４７の関係は逆でなければならない（ｒV ＜１、及びｒV ＞Ｒ２１／Ｒ２０）。
【００７７】
端末の動作の際の起こり得るドリフトを考慮して、許容値の許容誤差又は範囲が処理に導入されてもよく、又は、認可された端末群の場合には、この端末群の間の許容可能な分散が導入されてもよい。
【００７８】
従って、トランスポンダの発振回路の２つの抵抗値に関して測定された２つの電圧値に基づいて、端末を認証することが可能である。
【００７９】
この認証の信頼性は、テスト段階によって判断される関係を利用することによって改善され得る。
【００８０】
図５は、トランスポンダ２が端末（図示せず）の磁場内にあるとき、前記端末を認証するか否かを自動的に判断すべく設けられたトランスポンダ２の実施形態を示すブロック図である。図５の表示は、図２の表示と比べて簡略化されている。具体的には、復調及び逆変調の手段、並びにクロック周波数を得るための構成要素が図示されていない。
【００８１】
前述したように、トランスポンダ２は、その端子２１及び２２が、整流ブリッジ２３の入力端子に接続されている並列発振回路Ｌ２−Ｃ２に基づいている。処理部２７のために電流Ｉｃを測定する要素が調整器２６の出力側に設けられてもよい。更に、整流ブリッジ２３の端子２４及び端子２５間に、切替可能な抵抗性回路４０が設けられている。例えば、２つの抵抗器Ｒ４３及び抵抗器Ｒ４５が並列に接続されており、夫々の抵抗器４３、４５は、夫々のスイッチＫ４３、Ｋ４５と直列に接続されている。スイッチＫ４３及びスイッチＫ４５（例えば、ＭＯＳトランジスタ）は、結合位置を判断する方法を実施するために切り替えられる。処理部（ＰＵ、プロセッサ）２７は、入力ＭＥＳで電圧ＶCaに関する情報を受取り、上述した方法を実施する。図５に示された実施形態では、両方の抵抗器Ｒ４３及び抵抗器Ｒ４５が機能的に接続されているとき、抵抗Ｒ２（トランスポンダの回路の負荷）は抵抗値Ｒ２０を示す。抵抗器Ｒ４３及び抵抗器Ｒ４５の内の一方（例えば、抵抗器Ｒ４３）の接続が切られると、抵抗Ｒ２の抵抗値が抵抗値Ｒ２１に増加する。前記方法の変形例に応じて他の接続及び切替が設定されてもよい。例えば、抵抗Ｒ２の２つの抵抗値の内の一方が、他のトランスポンダの回路の抵抗性負荷に相当するとみなして、単一の切替可能な抵抗器が用いられてもよい。
【００８２】
好適な実施形態によれば、切替可能な抵抗器は、抵抗性逆変調に用いられる抵抗器に相当する。例えば、逆変調抵抗器が回路で機能するように、逆変調抵抗器を切り替えること（図２に示された実施例におけるスイッチＫ３０がオンの状態）により、電圧ＶC2]R20の値が測定される。次に、スイッチＫ３０がオフされて、電圧ＶC2]R21の値が測定される。
【００８３】
変形例として、等価な抵抗Ｒ２の抵抗値の増加又は減少が、トランスポンダの回路、一般的には処理部２７の消費電力を変動させることによって引き起こされる。例えば、抵抗Ｒ２の抵抗値を減少させるために（消費電力を増加させるために）、処理部２７による計算又は処理の実行が開始される。等価な抵抗Ｒ２の抵抗値の増加は、ある計算の割込みによる処理部２７の消費電力の減少によって引き起こされてもよい。変形例として、クロックにより調整される実行速度が回路２０を用いて低減されてもよい。処理部２７によって実行されるべき様々なタスクに関する消費電力が分かる時点から、抵抗Ｒ２における変動も分かる。
【００８４】
端末を認証するために必要な計算は、計算の実行時間が、端末の前方でのトランスポンダの変位速度（ひいては結合係数の変動速度）に対して無視し得る程十分に簡単である。これは特に、マイクロコントローラを備えたトランスポンダが暗号機能を実行する場合であり、この場合、このような計算を駆使する機能自体は、結合が変化しないとみなされ得る期間中に実行される。他の場合では、トランスポンダが端末の受信面に載置されている場合、トランスポンダと端末との結合が更に長い期間変動しない。
【００８５】
認証は、端末との通信の確立を必要とすることなく行われることに留意すべきである。従って、要求の復調（ひいては、トランスポンダの通信機能の始動）が、端末が認証されるときのみ認められるので、トランスポンダに含まれているデータの保護が保証される。
【００８６】
図６は、テスト段階中に端末を認証することが可能なトランスポンダの実施形態を示すフローチャートである。
【００８７】
このようなテスト段階は、端末が、トランスポンダ又はトランスポンダ群と適合されていることが望まれるときに実施される。例えば、このようなテスト段階は、製造の終了の際のトランスポンダの較正段階で実施される。別の実施例によれば、値は、サンプルに基づいて決定されて、一連の製造の際に、トランスポンダの不揮発性メモリに記録される。また別の実施例によれば、トランスポンダと端末との適合は、最終ユーザが選択する電磁気装置（例えば、最終ユーザの携帯電話及びラップトップ型コンピュータ）間のデータ交換を認証したときのみ最終ユーザにより行われる。トランスポンダで使用可能な発電電圧Ｖｇ及び抵抗器Ｒ１の値は、このテスト段階で実際の端末によってトランスポンダに通信されてもよい。
【００８８】
テスト段階は、トランスポンダを、端末との公称結合に関して設定することによって開始する（ステップ６１）。例えば、このような関係は、チップカード又は別のタイプのトランスポンダを、適合されることが望まれる端末に載置することを含む。
【００８９】
次に、トランスポンダの所与の抵抗性負荷に関する電圧ＶC2]R20が測定される（ステップ６２）。
【００９０】
最後に、測定された電圧ＶC2]R20の値、対応する抵抗の抵抗値Ｒ２０、及び端末の対応する抵抗器Ｒ１及び発電電圧Ｖｇの値が記憶される。これらの値は、端末の製造者から得てもよく、又は、端末の適合された検出要素によって測定されて、例えば、テスト段階中に特定の通信を開始することによって、トランスポンダに通信されてもよい。トランスポンダは、様々な値を記憶するのではなく、式１０を用いて電圧ＶC2opt]R20 を直接計算して、計算結果を記憶してもよい（ステップ６３)。
【００９１】
異なる変形例を有する様々な実施形態について説明している。当業者は、あらゆる進歩性を示すことなく、様々な実施形態及び変形例の様々な構成要素を組み合わせることができることに留意すべきである。具体的には、実行される処理の選択及び順序は、用途、例えば、認証を実行するために利用可能な時間、トランスポンダの計算容量等によって決まる。
【００９２】
このような変更、修正及び改良は、本開示の一部であることが意図され、また、本発明の意図及び範囲内にあることが意図されている。従って、上記の説明は、単に例示的なものであり、限定することを意図するものではない。本発明は、特許請求の範囲に定義されていること、及び特許請求の範囲に対する等価物によってのみ限定される。
【符号の説明】
【００９３】
１ 端末
２ トランスポンダ
２３ 整流器、整流ブリッジ
２７ プロセッサ、処理部
３０ 抵抗性逆変調要素、変調（逆変調）段
Ｃ２ 発振回路、コンデンサ、容量性素子
Ｌ２ 発振回路、インダクタンス、誘導性素子
Ｒ２ 抵抗性負荷、抵抗
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧を生成する発振回路を備えたトランスポンダにより、磁場を生成する端末を認証する方法であって、
前記トランスポンダと前記端末との結合により決まる少なくとも１つの値を、少なくとも１つの基準値と比較し、
比較結果に基づき、前記端末を認証することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの値に相当する前記発振回路により生成される電圧の値を測定し、
前記測定された値と、前記トランスポンダ及び前記端末の結合の最適結合係数に関して前記発振回路により生成される電圧により決まる前記基準値とを比較することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記最適結合係数に関する前記基準値を、予め推定しておくことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記発振回路と並列に配置された前記トランスポンダの回路によって形成される抵抗性負荷の第１の値に関して、前記電圧の第１の値を測定し、
前記抵抗性負荷の第２の値に関して、前記電圧の第２の値を測定し、
前記少なくとも１つの値に相当する前記電圧の第１の値及び第２の値の比率を、一又は複数の前記基準値と比較することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記基準値は、前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値により決まることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値を、前記トランスポンダに備えられているプロセッサの消費電力を変更することにより得ることを特徴とする請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値を、前記トランスポンダに備えられている切替可能な抵抗性逆変調要素を切り替えることにより得ることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記トランスポンダが前記端末を認証しない場合、前記トランスポンダは、意図的に間違ったデータを前記端末に送信することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
電磁トランスポンダが端末の磁場内にある場合、直流電圧を与えられ得る整流器の上流側に設けられた発振回路と、
請求項１乃至８のいずれかに記載の方法を実施することが可能な少なくとも１つのプロセッサと
を備えていることを特徴とする電磁トランスポンダ。
【請求項１】
電圧を生成する発振回路を備えたトランスポンダにより、磁場を生成する端末を認証する方法であって、
前記トランスポンダと前記端末との結合により決まる少なくとも１つの値を、少なくとも１つの基準値と比較し、
比較結果に基づき、前記端末を認証することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの値に相当する前記発振回路により生成される電圧の値を測定し、
前記測定された値と、前記トランスポンダ及び前記端末の結合の最適結合係数に関して前記発振回路により生成される電圧により決まる前記基準値とを比較することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記最適結合係数に関する前記基準値を、予め推定しておくことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記発振回路と並列に配置された前記トランスポンダの回路によって形成される抵抗性負荷の第１の値に関して、前記電圧の第１の値を測定し、
前記抵抗性負荷の第２の値に関して、前記電圧の第２の値を測定し、
前記少なくとも１つの値に相当する前記電圧の第１の値及び第２の値の比率を、一又は複数の前記基準値と比較することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記基準値は、前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値により決まることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値を、前記トランスポンダに備えられているプロセッサの消費電力を変更することにより得ることを特徴とする請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記抵抗性負荷の第１の値及び第２の値を、前記トランスポンダに備えられている切替可能な抵抗性逆変調要素を切り替えることにより得ることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記トランスポンダが前記端末を認証しない場合、前記トランスポンダは、意図的に間違ったデータを前記端末に送信することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
電磁トランスポンダが端末の磁場内にある場合、直流電圧を与えられ得る整流器の上流側に設けられた発振回路と、
請求項１乃至８のいずれかに記載の方法を実施することが可能な少なくとも１つのプロセッサと
を備えていることを特徴とする電磁トランスポンダ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−１０２９９（Ｐ２０１１−１０２９９Ａ）
【公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１４１９４９（Ｐ２０１０−１４１９４９）
【出願日】平成２２年６月２２日（２０１０．６．２２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＧＳＭ
【出願人】（５０９０９６１５３）エス テ マイクロエレクトロニクス（ローセット）エス アー エス (15)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月２２日（２０１０．６．２２）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＧＳＭ
【出願人】（５０９０９６１５３）エス テ マイクロエレクトロニクス（ローセット）エス アー エス (15)
【Ｆターム（参考）】
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