露光マスク、ペリクル、半導体装置の製造方法
【課題】露光マスクを使った半導体パタ―ンの露光の際、迷光による多重露光を回避する。
【解決手段】ペリクルに一体的に、露光パタ―ンが形成されているレチクルの露光領域を避けて、可視光を透過するが紫外光は透過しないカバー膜を形成する。
【解決手段】ペリクルに一体的に、露光パタ―ンが形成されているレチクルの露光領域を避けて、可視光を透過するが紫外光は透過しないカバー膜を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は露光マスクおよびかかる露光マスクを使った半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造では、所定のデバイスパタ―ンを担持した露光マスクを使い、前記所定のデバイスパタ―ンを、縮小投影露光装置により、紫外光など解像度の高い短波長光の光源を使って被処理基板上に投影し、前記被処理基板上に塗布した感光性レジストを露光させることが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−９６７４１号公報
【特許文献２】特開昭６１−１８５９２９号公報
【特許文献３】特開平６−２１５９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に露光マスクは、露光波長の光に対して透過率を有する例えば石英ガラスなどの基板よりなりパタ―ン形成面に所定のデバイスパタ―ンを焼き付けられたレチクルと、前記レチクルの前記パタ―ン形成面を保護するペリクルより構成されており、前記ペリクルは、前記パタ―ン形成面に、前記デバイスパタ―ンが形成されているパタ―ン形成領域を囲んで装着されるフレーム部材と、前記フレーム部材が形成する開口部を塞ぐ、前記露光波長の光に対して透過な保護膜（以下、「ペリクル膜」と称する）より構成されている。
【０００５】
一方、前記レチクルのパタ―ン形成面には、被処理基板に転写されるべきデバイスパタ―ンの他にも、レチクルの位置合わせのための位置合わせマークやオペレータのための目視可能な様々な記号類が書き込まれている。これらの位置合わせマークや記号類は、被処理基板に転写されるべきものではない。
【０００６】
ところが、このような露光マスクを縮小投影露光装置に装着して露光を行った場合、露光装置内で発生した迷光（フレア光）により、このような転写されるべきでない位置合わせマークや記号類（以下、「非露光パタ―ン」と称する）が被処理基板に転写され、本来のデバイスパタ―ン領域にパターニングされてしまう場合がある。このような不適切な転写の影響は、特にメモリなど、集積密度が高く、かつ規則的な繰り返しを多く含む半導体装置において顕著に表れ、その結果、これらの半導体装置において線幅が変化するなど、電気特性が変調されてしまうことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一の特徴によれば露光マスクは、パタ―ン形成面を有するレチクルと、前記レチクルの前記パタ―ン形成面上に装着されたペリクルと、を含み、前記レチクルは、前記パタ―ン形成面のうちの露光領域に露光パタ―ンを、また前記露光領域の外に非露光パタ―ンを担持し、前記ペリクルは、前記レチクルの前記パタ―ン形成面上に装着され前記露光領域を囲むフレーム部材と、前記フレーム部材のうち、前記レチクルから遠い側の縁部に前記露光領域を覆って設けられ、露光波長の紫外光に透過な保護膜と、を含み、前記ペリクルはさらに、前記レチクルのパタ―ン形成面のうち、前記露光領域を避けて前記非露光パタ―ンを覆うカバー部材を含み、前記カバー部材は可視光に透過で、前記露光波長の光を遮光する材料より構成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、前記カバー部材を設けることにより、レチクルのパタ―ン形成面のうち、露光領域以外に形成されている非露光パタ―ンが、迷光により被処理基板に転写される問題が解決される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態で使われる露光装置の概要を示す斜視図である。
【図２Ａ】第１の実施形態で使われるレチクルを示す平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａ中、線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図３Ａ】第１の実施形態で使われる露光マスクを示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａ中、線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【図４】図１の露光装置において第１の実施形態による露光マスクを使って行う露光の概要を示す図である。
【図５】ポリカーボネートの光透過率を示すグラフである。
【図６】比較対照例による露光マスクを使って行う露光の概要を示す図である。
【図７Ａ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その１）である。
【図７Ｂ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その２）である。
【図７Ｃ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その３）である。
【図７Ｄ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その４）である。
【図７Ｅ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その５）である。
【図７Ｆ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その６）である。
【図７Ｇ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その７）である。
【図８】第１の実施形態の一変形例を示す断面図である。
【図９】第２の実施形態で使われるレチクルを示す平面図である。
【図１０】第２の実施形態によるペリクルを示す分解斜視図である。
【図１１】第２の実施形態による露光マスクの一部を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態で使われるスキャナとよばれる縮小投影露光装置１０の例を示す。
【００１１】
図１を参照するに縮小投影露光装置１０は光源１１と、被処理基板Wを保持して移動させるウェハ走査ステージ１２を含み、前記光源１１とウェハ走査ステージ１２の間には、第１の実施形態による露光マスク１４を担持するレチクル走査ステージ１３が設けられている。
【００１２】
前記光源１１は、例えばエキシマレーザなど、遠紫外（ＤＵＶ）波長の露光ビームを発生する光源であり、前記光源１１から出射した露光ビームはミラー１５で反射された後、コリメートレンズ系１６により前記レチクル走査ステージ１３上の露光マスク１４に平行光ビームとして照射される。
【００１３】
このようにして前記露光マスク１４に照射された露光ビームは前記露光マスク１４を通過する際に露光マスク１４のレチクルが保持している所望の半導体回路パタ―ンに従って整型され、前記レチクル走査ステージ１３とウェハ走査ステージ１２の間に設けられた投影レンズ系１７により、前記被処理基板Wの表面に集束される。
【００１４】
図２Ａは、前記露光マスク１４の一部を構成するレチクル１４Ａを示す平面図、図２Ｂは図２Ａ中、線Ａ−Ａ’に沿った断面図を示す。
【００１５】
図２Ａ，図２Ｂを参照するに、前記レチクル１４Ａは露光ビームの波長の光に対して透過な例えば石英ガラスなどよりなるガラス基板２１を有し、前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａには、前記露光ビームに対して不透過な例えばＣｒなどの金属膜をパターニングすることにより遮光帯２２が形成され、前記遮光帯２２は前記パタ―ン形成面２１Ａにおいて露光領域２３を画成している。さらに前記パタ―ン形成面２１Ａには、前記露光領域２３において、露光したい半導体回路のパタ―ンに対応した露光パタ―ン２３Ａが、前記金属膜をパターニングすることにより形成されている。
【００１６】
このようなレチクル１４Ａを通過することにより、前記露光ビームは、所望の露光パタ―ン２３Ａに従って整型され、整型された露光ビームを被処理基板Ｗ上に前記投影レンズ系１７により集束することにより、被処理基板Ｗ上に所望の半導体パタ―ンが結像され、所望の露光が行われる。
【００１７】
このようなレチクル１４Ａでは、前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａ上、前記遮光帯２２の外側、すなわち露光領域２３の外側において、前記レチクル１４Ａを露光装置１０のレチクル走査ステージ１３上に位置決めするための位置合わせマーク２３Ｂや、オペレータや露光装置の制御システムがレチクル１４Ａを識別するための様々な記号類２３Ｃなどの非露光パタ―ンが、やはり前記金属膜のパターニングにより書き込まれている。このような記号類には、英数字の他にバーコードなども含まれる。
【００１８】
前記レチクル１４Ａを前記露光装置１０上に装着する場合には、このような記号類２３Ｃを読み取り、さらに位置合わせマーク２３Ｂを使って露光マスク１４の位置合わせがなされる。このような位置合わせは一般に、露光に使われる紫外光ではなく、可視光を使って行われる。
【００１９】
さて図１に示した露光マスク１４では、前記レチクル１４Ａに、前記パタ―ン形成領域２１Ａ上の露光パタ―ン２３Ａを保護するために、さらにペリクル２５が設けられている。すなわち図１の縮小投影露光装置１０において露光マスク１４は、前記レチクル１４Ａとペリクル２５とより構成されている。
【００２０】
図３Ａおよび図３Ｂは、このようなペリクル２５を設けた状態の露光マスク１４を示す、それぞれ平面図および図３Ａ中、線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【００２１】
図３Ａおよび図３Ｂを参照するに、ペリクル２５はフレーム部材２５Ａと前記フレーム部材２５Ａに貼り付けられたペリクル膜２５Ｂとを含み、前記フレーム部材２５Ａを、前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａに、接着剤層２５ａを介して接着することにより、前記露光マスク１４に装着される。ペリクル２５は、前記パタ―ン形成面２１Ａに形成された半導体パタ―ン２３Ａを前記フレーム部材２５Ａおよびペリクル膜２５Ｂにより覆い、埃などより保護する機能を果たす。前記ペリクル膜２５Ｂは、前記露光波長に対して透過な、例えばフッ素ポリマ膜などより構成されているが、図３Ａの平面図では、図示されていない。
【００２２】
前記ペリクル２５は例えば２〜７ミリメートル程度の高さを有しており、前記ペリクル膜２５Ｂ上に埃などが堆積しても、その大きさが数十ミクロン程度以下であれば、その影が被処理基板Ｗの表面に結像されるのを回避することができる。同様に前記ガラス基板２１も２〜７ミリメートル程度の厚さを有しており、ガラス基板２１の下面に埃が堆積しても、その影が被処理基板Ｗの表面に結像されることはない。
【００２３】
さらに前記ペリクル２５は、前記パタ―ン形成面２１Ａに近接して、可視光に対しては透過だが露光ビームの波長に対しては不透過な、例えばポリカーボネートや紫外光カットガラス、などよりなる厚さが例えば数十ミクロンから３ｍｍ程度のカバー膜２５Ｃを、前記パタ―ン形成面２１Ａの近傍に有している。その際前記カバー膜２５Ｃは、前記パタ―ン形成面２１Ａのうち、前記フレーム部材２５Ａから前記遮光帯２２までの領域、すなわち前記パタ―ン形成面２１Ａのうち、前記非露光パタ―ン２３Ｂや２３Ｃを覆うように形成されている。
【００２４】
図示の例では前記カバー膜２５Ｃは前記パタ―ン形成面２１Ａに前記接着剤層２５ａにより接着されているが、前記カバー膜２５Ｃは前記フレーム部材２５Ａにも、同様な接着剤層２５ｂ（図８Ｇを参照）により接着されている。前記カバー膜２５Ｃは、カバー膜２５Ｃのエッジからの回折光が投影レンズ系１７に入射しないように、できるだけ前記基板２１のパタ―ン形成面２１Ａに近接して形成されるのが好ましく、前記パタ―ン形成面２１Ａに接して形成されてもよいが、カバー膜２５Ｃが前記パタ―ン形成面２１Ａに接触すると発塵のおそれもあるので、例えば数百ミクロン以上離間して形成するのがより好ましい。
【００２５】
図４は、前記縮小投影露光装置１０に装着した露光マスク１４により、被処理基板Ｗを露光する際の様子を示す断面図である。
【００２６】
図４を参照するに、図示していないレチクル走査ステージ１３上には図３Ｂに示す構成の露光マスク１４が上下反転された状態で装着されており、図示はしないが先に述べたように可視光を使って前記レチクル走査ステージ１３上の所定の位置に位置合わせされている。
【００２７】
図４の状態では前記光源１１からの露光ビーム１１Ａが図示していない前記コリメートレンズ系１６により、平行光の形で前記露光マスク１４を構成するレチクル１４Ａに照射されており、露光ビーム１１Ａは前記レチクル１４Ａを通過する際に、前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａに形成された半導体パタ―ン２３Ａにより整型される。
【００２８】
整型された露光ビーム１１Ａは前記投影レンズ系１７により前記被処理基板Ｗ上に集束され、前記被処理基板Ｗ上のレジスト膜が所望の露光パタ―ン２３Ａに従って露光される。
【００２９】
ところで、このような縮小投影露光装置１０においては、前記光源１１からの露光ビーム１１Ａが、図４に示すように露光マスク１４を構成するレチクル１４Ａの露光領域１３に平行光ビームの形で入射するが、その他に、前記光源１１から露光マスク１４までの光路の途中において回折や散乱などにより、図４中に破線で示す迷光１１Ｂが発生することがある。このような迷光１１Ｂは必ずしも平行光ビームにはならず、拡散してレチクル１４Ａのうち、前記露光領域２３の外の位置合わせマーク２３Ｂやオペレータのための記号２３Ｃなどが記入されている領域を照射する場合がある。
【００３０】
そこでこのような迷光１１Ｂは、前記位置合わせマーク２３Ｂや記号２３Ｃなどにより整型されてしまい、その後投影レンズ系１７に入射すると被処理基板Ｗの表面に結像されてしまうが、本実施形態では前記ペリクル２５に、例えば図５に示すような可視光には透過だが露光ビーム１１Ａの波長に対しては不透過なカバー膜２５Ｃを、前記パタ―ン形成面２１Ａのうち、前記フレーム２５Ｂから前記遮光帯２２までの領域を覆うように形成されているため、このような迷光１１Ｂは前記カバー膜２５Ｃにより遮光され、投影レンズ系１７を介して被処理基板Ｗに投影されることはない。ただし図５はポリカーボネートの光透過率と波長の関係を表したグラフであり、例えばポリカーボネートを前記カバー膜２５Ｃの材料として使うことにより、約４００ｎｍ以下の紫外光波長を遮光することができるのがわかる。
【００３１】
すなわち本実施形態によれば、前記レチクル１４Ａの露光領域２３の外に書き込まれている位置合わせマーク２３Ｂや様々な記号２３Ｃなどの非露光パタ―ンが、迷光１１Ｂにより被処理基板Ｗに書き込まれてしまう問題が解消される。
【００３２】
図６は、前記図４と類似した露光マスク１４０による被処理基板Ｗの露光の比較例を示す断面図である。図６の比較例では露光マスク１４０は、先の実施形態と同じレチクル１を使うが、前記ペリクル２５の代わりに、カバー膜２５Ｃを省略したペリクル２５０が使われる。図６中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３３】
図６を参照するに、この比較例では前記カバー膜２５Ｃが省略されているため前記迷光１１Ｂは前記レチクル１４Ａを通過した後遮光されることがなく、そのまま投影レンズ系１７に入り、前記被処理基板Ｗの表面に集光される。
【００３４】
本実施形態は、前記カバー膜２５Ｃを有するペリクル２５を使うことにより、このような迷光１１Ｂによる多重露光を抑制することが可能である。なお前記カバー膜２５Ｃは前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａのうち、前記位置合わせマーク２５Ｂや記号類２５Ｃなどの非露光パタ―ンを覆っていれば十分であり、前記フレーム部材２５Ａから遮光帯２２までの領域を覆えば十分であるが、露光領域２３を覆わない限り、さらに遮光帯２２の一部あるいは全体を覆っても差し支えはない。前記カバー膜２５Ｃは可視光に透過であるため、可視光を使って行われるレチクル１４Ａの位置合わせに支障が生じることはない。
【００３５】
また、特に前記カバー膜２５Ｃを前記ペリクル２５のうち、前記レチクルとのガラス基板２１近傍に形成することにより、迷光１１Ｂによる多重露光をさらに効果的に回避することが可能となる。
【００３６】
以下、前記ペリクル２５の製造方法について説明する。
【００３７】
図７Ａを参照するに、まずアルミニウム材などを加工して、前記フレーム部材２５Ａを作製し、これを洗浄した後、陽極酸化処理を行い、表面を安定化させる。
【００３８】
また図７Ｂに示すようにガラス板３１上に、前記ペリクル膜２５Ｂとなる樹脂材料３２を液体状で滴下し、図７Ｃに示すように前記ガラス板３１を高速回転させ、前記ガラス板３１上に前記ペリクル膜２５Ｂを形成する。
【００３９】
さらに前記ガラス板３１を加熱して、図７Ｄに示すように前記ペリクル膜２５Ｂを剥離させる。
【００４０】
また一方で、図７Ｅに示すようにポリカーボネートや紫外線カットガラスなどの板を切削加工や射出成型などの手段により加工し、前記カバー膜２５Ｃに相当する部材を形成し、これを、接着剤層２５ｂを介して前記フレーム部材２５Ａの一の側に接着する。前記接着剤層２５ｂについては、後で説明する図７Ｇを参照。前記ポリカーボネートや紫外線カットガラスなどの板は、露光マスク１４が図１の投影縮小露光装置１０に装着された場合、前記カバー膜２５Ｃを介して位置合わせマーク２３Ｂや記号類２３Ｃが認識できるように、例えば前記フレーム部材２５Ａの高さの半分以下の厚さに形成するのが好ましく、例えば先に説明したように数十ミクロンから３ｍｍ程度の厚さを有するのが好ましい。
【００４１】
さらに図７Ｆに示すように、一の側にこのようにカバー膜２５Ｃを形成したフレーム部材２５Ａの他の側に接着剤を塗布し、前記ペリクル膜２５Ｂを接着する。これにより、ペリクル２５が完成する。
【００４２】
完成したペリクル２５は、図７Ｇに示すように前記カバー膜２５Ｃの一部に接着剤層２５ａが形成され、前記レチクル１４Ａを構成するガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａに、前記接着剤層２５ａを介して接着される。かかる構成によれば、前記カバー膜２５Ｃを前記レチクル１４Ａのガラス基板２１にできるだけ近づけて形成できるため、前記図４からわかるように迷光１１Ｂを、効率的に遮光することが可能となる。
【００４３】
その際、図７Ｇに示されているように、前記カバー膜２５Ｃを前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａからわずかに離間させておくことにより、前記カバー膜２５Ｃが前記ガラス基板２１に直接に接触した場合に生じるおそれのある発塵の問題を回避することができるので有利である。
【００４４】
また本実施形態では、図７Ｇの工程において、カバー膜２５Ｃがペリクル２５に一体的に設けられているので、ペリクル２５とカバー膜２５Ｃを別々に扱う必要がなく、取扱が容易になる。
【００４５】
図８は本実施形態の一変形例であり、前記保護カバー２５Ｃを、フレーム部材２５Ａの一の側に形成した凹部２５ｃに保持した構成を示している。この場合には、前記保護カバー２５Ｃの端が前記凹部２５ｃにおいて、接着剤層２５ｂにより保持され、前記フレーム部材２５Ａは、前記保護カバー２５Ｃを保持した側が、接着剤層２５ａを介してレチクル１４Ａに接着される。
【００４６】
［第２の実施形態］
図９は、第２の実施形態で使われるレチクル１４Ｂの構成を示す平面図である。図９中、先に図２Ａで説明した部分には同一の参照符号を付し説明を省略する。
【００４７】
図９を参照するに、本実施形態ではレチクル１４Ｂのうち、ガラス基板２１の外周に沿って、さらに別の記号類２３Ｄが非露光パタ―ンとして書き込まれており、さらに図１０に示すペリクル４５を構成するフレーム部材２５Ａが、図９中に破線で示すように、非露光パタ―ン２３Ｃと非露光パタ―ン２３Ｄの間において接着されている。
【００４８】
図１０は、このようなペリクル４５よりなる第２の実施形態による構成を示す分解斜視図である。
【００４９】
図１０を参照するに、ペリクル４５は先の実施形態と同様なフレーム部材２５Ａ、ペリクル膜２５Ｂおよびカバー膜２５Ｃを有しているが、本実施形態では前記カバー膜２５Ｃがフレーム部材２５Ａの外側にまで延在し、外側カバー膜２５Ｄを形成している。前記外側カバー膜２５Ｄは前記レチクル１４Ｂを構成するガラス基板２１の外周で、スキャナやステッパの吸着保持箇所近辺まで延在し、ペリクル４５外周に沿って形成された非露光パタ―ン２３Ｄを覆う。
【００５０】
図１１は、このようにして形成された露光マスク４４の一部を示す拡大断面図である。
【００５１】
図１１を参照するに、前記露光マスク４４では前記非露光パタ―ン２３Ｃを覆うカバー膜２５Ｃが前記フレーム部材２５Ａの外側まで延在し、非露光パタ―ン２３Ｄを覆う外側カバー膜２５Ｄを形成しているのがわかる。ただし本実施形態において前記外側カバー膜２５Ｄは必ずしも前記ガラス基板２１の外周まで延在する必要はなく、前記フレーム部材２５Ａよりも外側の非露光パタ―ン２３Ｄを覆っていれば十分である。
【００５２】
本実施形態においても、前記カバー膜２５Ｃ，２５Ｄは前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａから数十ミクロン以上離間させるのが、発塵防止の観点から好ましい。
【００５３】
なお以上の説明は、主としていわゆるネガ型の露光マスクを使った例について行ったが、同様の説明は、ポジ型の露光マスクにおいても成立する。
【００５４】
また以上の説明は、レチクルがいわゆるバイナリ型のレチクルである場合のみならず、位相シフトを用いたハーフトーン型やレベンソン型のレチクルであった場合でも同様に成立する。
【００５５】
また以上の説明では投影縮小露光装置として図１のスキャナ型の装置１０を使った場合を説明したが、本実施形態はステッパを使った露光の場合でも有効である。
【００５６】
以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０ 縮小投影露光装置
１１ 光源
１１Ａ 露光ビーム
１１Ｂ 迷光
１２ ウェハ走査ステージ
１３ レチクル走査ステージ
１４，４４，１４０ 露光マスク
１４Ａ，１４Ｂ レチクル
１５ ミラー
１６ コリメートレンズ系
１７ 投影レンズ系
２１ ガラス基板
２２ 遮光帯
２３ 露光領域
２３Ａ 露光パタ―ン
２３Ｂ 位置合わせマーク
２３Ｃ，２３Ｄ 記号類
２５，４５ ペリクル
２５Ａ フレーム部材
２５ａ，２５ｂ 接着剤層
２５Ｂ ペリクル膜
２５Ｃ，２５Ｄ カバー膜
３１ ガラス板
３２ 樹脂材料
【技術分野】
【０００１】
本発明は露光マスクおよびかかる露光マスクを使った半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造では、所定のデバイスパタ―ンを担持した露光マスクを使い、前記所定のデバイスパタ―ンを、縮小投影露光装置により、紫外光など解像度の高い短波長光の光源を使って被処理基板上に投影し、前記被処理基板上に塗布した感光性レジストを露光させることが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−９６７４１号公報
【特許文献２】特開昭６１−１８５９２９号公報
【特許文献３】特開平６−２１５９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に露光マスクは、露光波長の光に対して透過率を有する例えば石英ガラスなどの基板よりなりパタ―ン形成面に所定のデバイスパタ―ンを焼き付けられたレチクルと、前記レチクルの前記パタ―ン形成面を保護するペリクルより構成されており、前記ペリクルは、前記パタ―ン形成面に、前記デバイスパタ―ンが形成されているパタ―ン形成領域を囲んで装着されるフレーム部材と、前記フレーム部材が形成する開口部を塞ぐ、前記露光波長の光に対して透過な保護膜（以下、「ペリクル膜」と称する）より構成されている。
【０００５】
一方、前記レチクルのパタ―ン形成面には、被処理基板に転写されるべきデバイスパタ―ンの他にも、レチクルの位置合わせのための位置合わせマークやオペレータのための目視可能な様々な記号類が書き込まれている。これらの位置合わせマークや記号類は、被処理基板に転写されるべきものではない。
【０００６】
ところが、このような露光マスクを縮小投影露光装置に装着して露光を行った場合、露光装置内で発生した迷光（フレア光）により、このような転写されるべきでない位置合わせマークや記号類（以下、「非露光パタ―ン」と称する）が被処理基板に転写され、本来のデバイスパタ―ン領域にパターニングされてしまう場合がある。このような不適切な転写の影響は、特にメモリなど、集積密度が高く、かつ規則的な繰り返しを多く含む半導体装置において顕著に表れ、その結果、これらの半導体装置において線幅が変化するなど、電気特性が変調されてしまうことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一の特徴によれば露光マスクは、パタ―ン形成面を有するレチクルと、前記レチクルの前記パタ―ン形成面上に装着されたペリクルと、を含み、前記レチクルは、前記パタ―ン形成面のうちの露光領域に露光パタ―ンを、また前記露光領域の外に非露光パタ―ンを担持し、前記ペリクルは、前記レチクルの前記パタ―ン形成面上に装着され前記露光領域を囲むフレーム部材と、前記フレーム部材のうち、前記レチクルから遠い側の縁部に前記露光領域を覆って設けられ、露光波長の紫外光に透過な保護膜と、を含み、前記ペリクルはさらに、前記レチクルのパタ―ン形成面のうち、前記露光領域を避けて前記非露光パタ―ンを覆うカバー部材を含み、前記カバー部材は可視光に透過で、前記露光波長の光を遮光する材料より構成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、前記カバー部材を設けることにより、レチクルのパタ―ン形成面のうち、露光領域以外に形成されている非露光パタ―ンが、迷光により被処理基板に転写される問題が解決される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態で使われる露光装置の概要を示す斜視図である。
【図２Ａ】第１の実施形態で使われるレチクルを示す平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａ中、線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図３Ａ】第１の実施形態で使われる露光マスクを示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａ中、線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【図４】図１の露光装置において第１の実施形態による露光マスクを使って行う露光の概要を示す図である。
【図５】ポリカーボネートの光透過率を示すグラフである。
【図６】比較対照例による露光マスクを使って行う露光の概要を示す図である。
【図７Ａ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その１）である。
【図７Ｂ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その２）である。
【図７Ｃ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その３）である。
【図７Ｄ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その４）である。
【図７Ｅ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その５）である。
【図７Ｆ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その６）である。
【図７Ｇ】第１の実施形態によるペリクルの製造工程を示す図（その７）である。
【図８】第１の実施形態の一変形例を示す断面図である。
【図９】第２の実施形態で使われるレチクルを示す平面図である。
【図１０】第２の実施形態によるペリクルを示す分解斜視図である。
【図１１】第２の実施形態による露光マスクの一部を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態で使われるスキャナとよばれる縮小投影露光装置１０の例を示す。
【００１１】
図１を参照するに縮小投影露光装置１０は光源１１と、被処理基板Wを保持して移動させるウェハ走査ステージ１２を含み、前記光源１１とウェハ走査ステージ１２の間には、第１の実施形態による露光マスク１４を担持するレチクル走査ステージ１３が設けられている。
【００１２】
前記光源１１は、例えばエキシマレーザなど、遠紫外（ＤＵＶ）波長の露光ビームを発生する光源であり、前記光源１１から出射した露光ビームはミラー１５で反射された後、コリメートレンズ系１６により前記レチクル走査ステージ１３上の露光マスク１４に平行光ビームとして照射される。
【００１３】
このようにして前記露光マスク１４に照射された露光ビームは前記露光マスク１４を通過する際に露光マスク１４のレチクルが保持している所望の半導体回路パタ―ンに従って整型され、前記レチクル走査ステージ１３とウェハ走査ステージ１２の間に設けられた投影レンズ系１７により、前記被処理基板Wの表面に集束される。
【００１４】
図２Ａは、前記露光マスク１４の一部を構成するレチクル１４Ａを示す平面図、図２Ｂは図２Ａ中、線Ａ−Ａ’に沿った断面図を示す。
【００１５】
図２Ａ，図２Ｂを参照するに、前記レチクル１４Ａは露光ビームの波長の光に対して透過な例えば石英ガラスなどよりなるガラス基板２１を有し、前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａには、前記露光ビームに対して不透過な例えばＣｒなどの金属膜をパターニングすることにより遮光帯２２が形成され、前記遮光帯２２は前記パタ―ン形成面２１Ａにおいて露光領域２３を画成している。さらに前記パタ―ン形成面２１Ａには、前記露光領域２３において、露光したい半導体回路のパタ―ンに対応した露光パタ―ン２３Ａが、前記金属膜をパターニングすることにより形成されている。
【００１６】
このようなレチクル１４Ａを通過することにより、前記露光ビームは、所望の露光パタ―ン２３Ａに従って整型され、整型された露光ビームを被処理基板Ｗ上に前記投影レンズ系１７により集束することにより、被処理基板Ｗ上に所望の半導体パタ―ンが結像され、所望の露光が行われる。
【００１７】
このようなレチクル１４Ａでは、前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａ上、前記遮光帯２２の外側、すなわち露光領域２３の外側において、前記レチクル１４Ａを露光装置１０のレチクル走査ステージ１３上に位置決めするための位置合わせマーク２３Ｂや、オペレータや露光装置の制御システムがレチクル１４Ａを識別するための様々な記号類２３Ｃなどの非露光パタ―ンが、やはり前記金属膜のパターニングにより書き込まれている。このような記号類には、英数字の他にバーコードなども含まれる。
【００１８】
前記レチクル１４Ａを前記露光装置１０上に装着する場合には、このような記号類２３Ｃを読み取り、さらに位置合わせマーク２３Ｂを使って露光マスク１４の位置合わせがなされる。このような位置合わせは一般に、露光に使われる紫外光ではなく、可視光を使って行われる。
【００１９】
さて図１に示した露光マスク１４では、前記レチクル１４Ａに、前記パタ―ン形成領域２１Ａ上の露光パタ―ン２３Ａを保護するために、さらにペリクル２５が設けられている。すなわち図１の縮小投影露光装置１０において露光マスク１４は、前記レチクル１４Ａとペリクル２５とより構成されている。
【００２０】
図３Ａおよび図３Ｂは、このようなペリクル２５を設けた状態の露光マスク１４を示す、それぞれ平面図および図３Ａ中、線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【００２１】
図３Ａおよび図３Ｂを参照するに、ペリクル２５はフレーム部材２５Ａと前記フレーム部材２５Ａに貼り付けられたペリクル膜２５Ｂとを含み、前記フレーム部材２５Ａを、前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａに、接着剤層２５ａを介して接着することにより、前記露光マスク１４に装着される。ペリクル２５は、前記パタ―ン形成面２１Ａに形成された半導体パタ―ン２３Ａを前記フレーム部材２５Ａおよびペリクル膜２５Ｂにより覆い、埃などより保護する機能を果たす。前記ペリクル膜２５Ｂは、前記露光波長に対して透過な、例えばフッ素ポリマ膜などより構成されているが、図３Ａの平面図では、図示されていない。
【００２２】
前記ペリクル２５は例えば２〜７ミリメートル程度の高さを有しており、前記ペリクル膜２５Ｂ上に埃などが堆積しても、その大きさが数十ミクロン程度以下であれば、その影が被処理基板Ｗの表面に結像されるのを回避することができる。同様に前記ガラス基板２１も２〜７ミリメートル程度の厚さを有しており、ガラス基板２１の下面に埃が堆積しても、その影が被処理基板Ｗの表面に結像されることはない。
【００２３】
さらに前記ペリクル２５は、前記パタ―ン形成面２１Ａに近接して、可視光に対しては透過だが露光ビームの波長に対しては不透過な、例えばポリカーボネートや紫外光カットガラス、などよりなる厚さが例えば数十ミクロンから３ｍｍ程度のカバー膜２５Ｃを、前記パタ―ン形成面２１Ａの近傍に有している。その際前記カバー膜２５Ｃは、前記パタ―ン形成面２１Ａのうち、前記フレーム部材２５Ａから前記遮光帯２２までの領域、すなわち前記パタ―ン形成面２１Ａのうち、前記非露光パタ―ン２３Ｂや２３Ｃを覆うように形成されている。
【００２４】
図示の例では前記カバー膜２５Ｃは前記パタ―ン形成面２１Ａに前記接着剤層２５ａにより接着されているが、前記カバー膜２５Ｃは前記フレーム部材２５Ａにも、同様な接着剤層２５ｂ（図８Ｇを参照）により接着されている。前記カバー膜２５Ｃは、カバー膜２５Ｃのエッジからの回折光が投影レンズ系１７に入射しないように、できるだけ前記基板２１のパタ―ン形成面２１Ａに近接して形成されるのが好ましく、前記パタ―ン形成面２１Ａに接して形成されてもよいが、カバー膜２５Ｃが前記パタ―ン形成面２１Ａに接触すると発塵のおそれもあるので、例えば数百ミクロン以上離間して形成するのがより好ましい。
【００２５】
図４は、前記縮小投影露光装置１０に装着した露光マスク１４により、被処理基板Ｗを露光する際の様子を示す断面図である。
【００２６】
図４を参照するに、図示していないレチクル走査ステージ１３上には図３Ｂに示す構成の露光マスク１４が上下反転された状態で装着されており、図示はしないが先に述べたように可視光を使って前記レチクル走査ステージ１３上の所定の位置に位置合わせされている。
【００２７】
図４の状態では前記光源１１からの露光ビーム１１Ａが図示していない前記コリメートレンズ系１６により、平行光の形で前記露光マスク１４を構成するレチクル１４Ａに照射されており、露光ビーム１１Ａは前記レチクル１４Ａを通過する際に、前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａに形成された半導体パタ―ン２３Ａにより整型される。
【００２８】
整型された露光ビーム１１Ａは前記投影レンズ系１７により前記被処理基板Ｗ上に集束され、前記被処理基板Ｗ上のレジスト膜が所望の露光パタ―ン２３Ａに従って露光される。
【００２９】
ところで、このような縮小投影露光装置１０においては、前記光源１１からの露光ビーム１１Ａが、図４に示すように露光マスク１４を構成するレチクル１４Ａの露光領域１３に平行光ビームの形で入射するが、その他に、前記光源１１から露光マスク１４までの光路の途中において回折や散乱などにより、図４中に破線で示す迷光１１Ｂが発生することがある。このような迷光１１Ｂは必ずしも平行光ビームにはならず、拡散してレチクル１４Ａのうち、前記露光領域２３の外の位置合わせマーク２３Ｂやオペレータのための記号２３Ｃなどが記入されている領域を照射する場合がある。
【００３０】
そこでこのような迷光１１Ｂは、前記位置合わせマーク２３Ｂや記号２３Ｃなどにより整型されてしまい、その後投影レンズ系１７に入射すると被処理基板Ｗの表面に結像されてしまうが、本実施形態では前記ペリクル２５に、例えば図５に示すような可視光には透過だが露光ビーム１１Ａの波長に対しては不透過なカバー膜２５Ｃを、前記パタ―ン形成面２１Ａのうち、前記フレーム２５Ｂから前記遮光帯２２までの領域を覆うように形成されているため、このような迷光１１Ｂは前記カバー膜２５Ｃにより遮光され、投影レンズ系１７を介して被処理基板Ｗに投影されることはない。ただし図５はポリカーボネートの光透過率と波長の関係を表したグラフであり、例えばポリカーボネートを前記カバー膜２５Ｃの材料として使うことにより、約４００ｎｍ以下の紫外光波長を遮光することができるのがわかる。
【００３１】
すなわち本実施形態によれば、前記レチクル１４Ａの露光領域２３の外に書き込まれている位置合わせマーク２３Ｂや様々な記号２３Ｃなどの非露光パタ―ンが、迷光１１Ｂにより被処理基板Ｗに書き込まれてしまう問題が解消される。
【００３２】
図６は、前記図４と類似した露光マスク１４０による被処理基板Ｗの露光の比較例を示す断面図である。図６の比較例では露光マスク１４０は、先の実施形態と同じレチクル１を使うが、前記ペリクル２５の代わりに、カバー膜２５Ｃを省略したペリクル２５０が使われる。図６中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００３３】
図６を参照するに、この比較例では前記カバー膜２５Ｃが省略されているため前記迷光１１Ｂは前記レチクル１４Ａを通過した後遮光されることがなく、そのまま投影レンズ系１７に入り、前記被処理基板Ｗの表面に集光される。
【００３４】
本実施形態は、前記カバー膜２５Ｃを有するペリクル２５を使うことにより、このような迷光１１Ｂによる多重露光を抑制することが可能である。なお前記カバー膜２５Ｃは前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａのうち、前記位置合わせマーク２５Ｂや記号類２５Ｃなどの非露光パタ―ンを覆っていれば十分であり、前記フレーム部材２５Ａから遮光帯２２までの領域を覆えば十分であるが、露光領域２３を覆わない限り、さらに遮光帯２２の一部あるいは全体を覆っても差し支えはない。前記カバー膜２５Ｃは可視光に透過であるため、可視光を使って行われるレチクル１４Ａの位置合わせに支障が生じることはない。
【００３５】
また、特に前記カバー膜２５Ｃを前記ペリクル２５のうち、前記レチクルとのガラス基板２１近傍に形成することにより、迷光１１Ｂによる多重露光をさらに効果的に回避することが可能となる。
【００３６】
以下、前記ペリクル２５の製造方法について説明する。
【００３７】
図７Ａを参照するに、まずアルミニウム材などを加工して、前記フレーム部材２５Ａを作製し、これを洗浄した後、陽極酸化処理を行い、表面を安定化させる。
【００３８】
また図７Ｂに示すようにガラス板３１上に、前記ペリクル膜２５Ｂとなる樹脂材料３２を液体状で滴下し、図７Ｃに示すように前記ガラス板３１を高速回転させ、前記ガラス板３１上に前記ペリクル膜２５Ｂを形成する。
【００３９】
さらに前記ガラス板３１を加熱して、図７Ｄに示すように前記ペリクル膜２５Ｂを剥離させる。
【００４０】
また一方で、図７Ｅに示すようにポリカーボネートや紫外線カットガラスなどの板を切削加工や射出成型などの手段により加工し、前記カバー膜２５Ｃに相当する部材を形成し、これを、接着剤層２５ｂを介して前記フレーム部材２５Ａの一の側に接着する。前記接着剤層２５ｂについては、後で説明する図７Ｇを参照。前記ポリカーボネートや紫外線カットガラスなどの板は、露光マスク１４が図１の投影縮小露光装置１０に装着された場合、前記カバー膜２５Ｃを介して位置合わせマーク２３Ｂや記号類２３Ｃが認識できるように、例えば前記フレーム部材２５Ａの高さの半分以下の厚さに形成するのが好ましく、例えば先に説明したように数十ミクロンから３ｍｍ程度の厚さを有するのが好ましい。
【００４１】
さらに図７Ｆに示すように、一の側にこのようにカバー膜２５Ｃを形成したフレーム部材２５Ａの他の側に接着剤を塗布し、前記ペリクル膜２５Ｂを接着する。これにより、ペリクル２５が完成する。
【００４２】
完成したペリクル２５は、図７Ｇに示すように前記カバー膜２５Ｃの一部に接着剤層２５ａが形成され、前記レチクル１４Ａを構成するガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａに、前記接着剤層２５ａを介して接着される。かかる構成によれば、前記カバー膜２５Ｃを前記レチクル１４Ａのガラス基板２１にできるだけ近づけて形成できるため、前記図４からわかるように迷光１１Ｂを、効率的に遮光することが可能となる。
【００４３】
その際、図７Ｇに示されているように、前記カバー膜２５Ｃを前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａからわずかに離間させておくことにより、前記カバー膜２５Ｃが前記ガラス基板２１に直接に接触した場合に生じるおそれのある発塵の問題を回避することができるので有利である。
【００４４】
また本実施形態では、図７Ｇの工程において、カバー膜２５Ｃがペリクル２５に一体的に設けられているので、ペリクル２５とカバー膜２５Ｃを別々に扱う必要がなく、取扱が容易になる。
【００４５】
図８は本実施形態の一変形例であり、前記保護カバー２５Ｃを、フレーム部材２５Ａの一の側に形成した凹部２５ｃに保持した構成を示している。この場合には、前記保護カバー２５Ｃの端が前記凹部２５ｃにおいて、接着剤層２５ｂにより保持され、前記フレーム部材２５Ａは、前記保護カバー２５Ｃを保持した側が、接着剤層２５ａを介してレチクル１４Ａに接着される。
【００４６】
［第２の実施形態］
図９は、第２の実施形態で使われるレチクル１４Ｂの構成を示す平面図である。図９中、先に図２Ａで説明した部分には同一の参照符号を付し説明を省略する。
【００４７】
図９を参照するに、本実施形態ではレチクル１４Ｂのうち、ガラス基板２１の外周に沿って、さらに別の記号類２３Ｄが非露光パタ―ンとして書き込まれており、さらに図１０に示すペリクル４５を構成するフレーム部材２５Ａが、図９中に破線で示すように、非露光パタ―ン２３Ｃと非露光パタ―ン２３Ｄの間において接着されている。
【００４８】
図１０は、このようなペリクル４５よりなる第２の実施形態による構成を示す分解斜視図である。
【００４９】
図１０を参照するに、ペリクル４５は先の実施形態と同様なフレーム部材２５Ａ、ペリクル膜２５Ｂおよびカバー膜２５Ｃを有しているが、本実施形態では前記カバー膜２５Ｃがフレーム部材２５Ａの外側にまで延在し、外側カバー膜２５Ｄを形成している。前記外側カバー膜２５Ｄは前記レチクル１４Ｂを構成するガラス基板２１の外周で、スキャナやステッパの吸着保持箇所近辺まで延在し、ペリクル４５外周に沿って形成された非露光パタ―ン２３Ｄを覆う。
【００５０】
図１１は、このようにして形成された露光マスク４４の一部を示す拡大断面図である。
【００５１】
図１１を参照するに、前記露光マスク４４では前記非露光パタ―ン２３Ｃを覆うカバー膜２５Ｃが前記フレーム部材２５Ａの外側まで延在し、非露光パタ―ン２３Ｄを覆う外側カバー膜２５Ｄを形成しているのがわかる。ただし本実施形態において前記外側カバー膜２５Ｄは必ずしも前記ガラス基板２１の外周まで延在する必要はなく、前記フレーム部材２５Ａよりも外側の非露光パタ―ン２３Ｄを覆っていれば十分である。
【００５２】
本実施形態においても、前記カバー膜２５Ｃ，２５Ｄは前記ガラス基板２１のパタ―ン形成面２１Ａから数十ミクロン以上離間させるのが、発塵防止の観点から好ましい。
【００５３】
なお以上の説明は、主としていわゆるネガ型の露光マスクを使った例について行ったが、同様の説明は、ポジ型の露光マスクにおいても成立する。
【００５４】
また以上の説明は、レチクルがいわゆるバイナリ型のレチクルである場合のみならず、位相シフトを用いたハーフトーン型やレベンソン型のレチクルであった場合でも同様に成立する。
【００５５】
また以上の説明では投影縮小露光装置として図１のスキャナ型の装置１０を使った場合を説明したが、本実施形態はステッパを使った露光の場合でも有効である。
【００５６】
以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０ 縮小投影露光装置
１１ 光源
１１Ａ 露光ビーム
１１Ｂ 迷光
１２ ウェハ走査ステージ
１３ レチクル走査ステージ
１４，４４，１４０ 露光マスク
１４Ａ，１４Ｂ レチクル
１５ ミラー
１６ コリメートレンズ系
１７ 投影レンズ系
２１ ガラス基板
２２ 遮光帯
２３ 露光領域
２３Ａ 露光パタ―ン
２３Ｂ 位置合わせマーク
２３Ｃ，２３Ｄ 記号類
２５，４５ ペリクル
２５Ａ フレーム部材
２５ａ，２５ｂ 接着剤層
２５Ｂ ペリクル膜
２５Ｃ，２５Ｄ カバー膜
３１ ガラス板
３２ 樹脂材料
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パタ―ン形成面を有するレチクルと、
前記レチクルの前記パタ―ン形成面上に装着されたペリクルと、を含み、
前記レチクルは、前記パタ―ン形成面のうちの露光領域に露光パタ―ンを、また前記露光領域の外に非露光パタ―ンを担持し、
前記ペリクルは、前記レチクルの前記パタ―ン形成面上に装着され前記露光領域を囲むフレーム部材と、前記フレーム部材のうち、前記レチクルから遠い側の縁部に前記露光領域を覆って設けられ、露光波長の紫外光を透過する保護膜と、を含み、
前記ペリクルはさらに、前記レチクルのパタ―ン形成面の前記非露光パタ―ンを覆うカバー部材を含み、
前記カバー部材は可視光を透過し、前記露光波長の光を遮光する材料より構成されることを特徴とする露光マスク。
【請求項２】
前記カバー部材は、前記レチクルのパタ―ン形成面のうち、少なくとも前記フレーム部材から遮光帯までの範囲を覆うことを特徴とする請求項1記載の露光マスク。
【請求項３】
前記カバー部材は、さらに前記レチクルのパタ―ン形成面のうち、前記フレーム部材が装着される領域よりも外側の領域をも覆うことを特徴とする請求項２記載の露光マスク。
【請求項４】
前記フレーム部材は、前記縁部に対向する縁部が前記パタ―ン形成面に、前記カバー部材を介して接着されていることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の露光マスク。
【請求項５】
前記カバー部材は前記フレーム部材に対応する部分が前記パタ―ン形成面に、接着剤層を介して接着されていることを特徴とする請求項４記載の露光マスク。
【請求項６】
前記カバー部材は、前記パタ―ン形成面から離間して設けられていることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の露光マスク。
【請求項７】
フレーム部材と、
前記フレーム部材の一の側の縁部に貼り付けられ、前記フレーム部材が囲む空間を覆う紫外光を透過する膜と、
前記フレームの他方の側の縁部に貼り付けられた、可視光を透過し紫外光を遮光する材料よりなるカバー膜と、を含むペリクルであって、
前記カバー膜は前記フレーム部材の内側において、前記ペリクルが装着されるレチクルのパタ―ン形成面のうち、露光パタ―ンが形成されている領域を避けて形成され、非露光パタ―ンが形成されている領域を覆うことを特徴とするペリクル。
【請求項８】
請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の露光マスクを使って被処理基板を露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
パタ―ン形成面を有するレチクルと、
前記レチクルの前記パタ―ン形成面上に装着されたペリクルと、を含み、
前記レチクルは、前記パタ―ン形成面のうちの露光領域に露光パタ―ンを、また前記露光領域の外に非露光パタ―ンを担持し、
前記ペリクルは、前記レチクルの前記パタ―ン形成面上に装着され前記露光領域を囲むフレーム部材と、前記フレーム部材のうち、前記レチクルから遠い側の縁部に前記露光領域を覆って設けられ、露光波長の紫外光を透過する保護膜と、を含み、
前記ペリクルはさらに、前記レチクルのパタ―ン形成面の前記非露光パタ―ンを覆うカバー部材を含み、
前記カバー部材は可視光を透過し、前記露光波長の光を遮光する材料より構成されることを特徴とする露光マスク。
【請求項２】
前記カバー部材は、前記レチクルのパタ―ン形成面のうち、少なくとも前記フレーム部材から遮光帯までの範囲を覆うことを特徴とする請求項1記載の露光マスク。
【請求項３】
前記カバー部材は、さらに前記レチクルのパタ―ン形成面のうち、前記フレーム部材が装着される領域よりも外側の領域をも覆うことを特徴とする請求項２記載の露光マスク。
【請求項４】
前記フレーム部材は、前記縁部に対向する縁部が前記パタ―ン形成面に、前記カバー部材を介して接着されていることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の露光マスク。
【請求項５】
前記カバー部材は前記フレーム部材に対応する部分が前記パタ―ン形成面に、接着剤層を介して接着されていることを特徴とする請求項４記載の露光マスク。
【請求項６】
前記カバー部材は、前記パタ―ン形成面から離間して設けられていることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の露光マスク。
【請求項７】
フレーム部材と、
前記フレーム部材の一の側の縁部に貼り付けられ、前記フレーム部材が囲む空間を覆う紫外光を透過する膜と、
前記フレームの他方の側の縁部に貼り付けられた、可視光を透過し紫外光を遮光する材料よりなるカバー膜と、を含むペリクルであって、
前記カバー膜は前記フレーム部材の内側において、前記ペリクルが装着されるレチクルのパタ―ン形成面のうち、露光パタ―ンが形成されている領域を避けて形成され、非露光パタ―ンが形成されている領域を覆うことを特徴とするペリクル。
【請求項８】
請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の露光マスクを使って被処理基板を露光する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−５４０７２（Ｐ２０１３−５４０７２Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９０１２３（Ｐ２０１１−１９０１２３）
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月３１日（２０１１．８．３１）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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