説明

非水系インクジェット用インク、インク塗布方法

【課題】粘度、表面張力、溶剤の沸点等の様々なパラメータをインクジェット用に制御しなければならない非水系インクジェット用インクにおいて、ジェッティング後、表面処理を行わずに平坦な基板ににじみあるいはぬれ広がりの少なく、良好なパターン膜が得られ、かつ低粘度のためインクジェットヘッドの加熱が不必要な非水系インクジェット用インクを提供すること。
【解決手段】界面活性剤(B)を含有する非水系インクジェット用インクであって、前記界面活性剤(B)の含有濃度が、0.00001重量%以上、臨界ミセル濃度以下であることを特徴とする非水系インクジェット用インク。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
界面活性剤(B)を含有する非水系インクジェット用インクであって、
前記界面活性剤(B)の含有濃度が、0.00001重量%以上、臨界ミセル濃度以下であることを特徴とする非水系インクジェット用インク。
【請求項2】
前記界面活性剤(B)が、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーンフッ素系界面活性剤、アクリル系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤およびベタイン系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも1種の界面活性剤であることを特徴とする請求項1に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項3】
前記界面活性剤(B)が、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびアクリル系界面活性剤からなる群より選択される少なくとも1種の界面活性剤であることを特徴とする請求項1に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項4】
ポリイミドを形成可能な化合物およびポリイミドからなる群より選択される少なくとも1種の化合物(A)を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項5】
前記化合物(A)が、下記一般式(1)〜(6)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物であることを特徴とする請求項4に記載の非水系インクジェット用インク。
【化1−1】

【化1−2】

【化1−3】

【化1−4】

【化1−5】

【化1−6】

(式(1)〜(6)中、Rは、それぞれ独立して水素原子または下記式(a)で表される基であり、R'は、それぞれ独立してアミノ基(NH2)または下記式(b)で表される基であり、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して炭素数2〜500の有機基であり、nは0〜1000の整数である。ただし、nが0のとき、Rは下記式(a)で表される基であり、R'は下記式(b)で表される基であり、R1100mol%中、下記式(z)で表されるシリコーン構造を有するR1は10mol%未満であり、R2100mol%中、下記式(z)で表されるシリコーン構造のR2は10mol%未満である。)
【化2】

【化3】

【化4】

(式(z)中、R5およびR6は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜12のアルキル、炭素数3〜6のアルケニル、炭素数5〜8のシクロアルキル、炭素数6〜12のアリールまたはベンジルであり、R7は、それぞれ独立してメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、xはそれぞれ独立して1〜6の整数であり、yは1〜200の整数である。)
【請求項6】
溶媒(C)を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項7】
前記溶媒(C)が、乳酸エチル、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、テトラグライム、トリグライム、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンおよびγ−ブチロラクトンからなる群より選択される少なくとも1種の溶媒であることを特徴とする請求項6に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項8】
さらに環状エーテル(D)を含有させることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項9】
前記環状エーテル(D)が、N,N,N',N'−テトラグリシジル−m−キシレンジアミン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、N,N,N',N'−テトラグリシジル−4,4'−ジアミノジフェニルメタン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよび下記式(7)〜(16)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物であることを特徴とする請求項8に記載の非水系インクジェット用インク。
【化5−1】

【化5−2】

【化5−3】

【化5−4】

(式(10)中、nは0〜10の整数である。)
【化5−5】

【化5−6】

【化5−7】

【化5−8】

【化5−9】

(式(15)中、Rcは、炭素数2〜100の四価の有機基であり、Rdは、それぞれ独立して炭素数1〜30の二価の有機基であり、Reは、それぞれ独立して下記式(c)〜(e)で表される化合物からなる群より選択される一価の有機基である。)
【化5−9−1】

(式(c)中、Rfは、水素原子または炭素数1〜3のアルキルである。)
【化5−10】

(式(16)中、nは2〜4の整数である。)
【請求項10】
熱硬化性であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項11】
光硬化性であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インク。
【請求項12】
請求項1〜11のいずれか一項に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布法によって塗布する工程を含むことを特徴とするインク塗布方法。
【請求項13】
請求項4または5に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、
該塗膜を加熱することによって、ポリイミド膜を形成する工程とを含むことを特徴とするポリイミド膜形成方法。
【請求項14】
請求項4または5に記載の非水系インクジェット用インクを、インクジェット塗布方法によって基板上にパターン状に塗布して塗膜を形成する工程と、
該塗膜を加熱することによって、パターン状ポリイミド膜を形成する工程とを含むことを特徴とするポリイミド膜形成方法。
【請求項15】
請求項13に記載のポリイミド膜形成方法により得られることを特徴とするポリイミド膜。
【請求項16】
請求項14に記載のポリイミド膜形成方法により得られることを特徴とするパターン状ポリイミド膜。
【請求項17】
請求項15に記載のポリイミド膜または請求項16に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とするフィルム基板。
【請求項18】
請求項15に記載のポリイミド膜または請求項16に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項19】
請求項15に記載のポリイミド膜または請求項16に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする電子材料用基板。
【請求項20】
請求項15に記載のポリイミド膜または請求項16に記載のパターン状ポリイミド膜を有することを特徴とする電子部品。
【請求項21】
請求項17に記載のフィルム基板、請求項18に記載の半導体ウェハまたは請求項19に記載の電子材料用基板を有することを特徴とする電子部品。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2011−80043(P2011−80043A)
【公開日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−195894(P2010−195894)
【出願日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【出願人】(000002071)チッソ株式会社 (658)
【Fターム(参考)】