【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用であり、且つ、使用するモノマーの種類に関わらず製造が可能である、露光により分解して酸を発生する高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】アニオン基と、スルホニウム又はヨードニウムカチオンとを有するモノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、洗浄した後、当該前駆体ポリマーをスルホニウム又はヨードニウムカチオンと塩交換させる、高分子化合化合物の製造方法であって、塩交換に用いるスルホニウム又はヨードニウムカチオンが、前記モノマー中のスルホニウム又はヨードニウムカチオンよりも疎水性が高いことを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
アニオン基と、スルホニウム又はヨードニウムカチオンとを有するモノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、洗浄した後、当該前駆体ポリマーをスルホニウム又はヨードニウムカチオンと塩交換させる、高分子化合化合物の製造方法であって、
塩交換に用いるスルホニウム又はヨードニウムカチオンが、前記モノマー中のスルホニウム又はヨードニウムカチオンよりも疎水性が高いことを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。
【請求項２】
前記アニオン基が、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、及びトリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンからなる群より選択される少なくとも一種の基である、請求項１記載の高分子化合物の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の高分子化合物の製造方法により製造された高分子化合物を含有するレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項３記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１３−９５８８０（Ｐ２０１３−９５８８０Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４１６１５（Ｐ２０１１−２４１６１５）
【出願日】平成２３年１１月２日（２０１１．１１．２）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】