高周波モジュールおよびその製造方法
【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール１は、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６と、を備える。シールド層６には、樹脂層５まで達するとともに１μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する開口部６ｃが形成されている。
【解決手段】この高周波モジュール１は、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６と、を備える。シールド層６には、樹脂層５まで達するとともに１μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する開口部６ｃが形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波モジュールおよびその製造方法に関し、特に、電子部品を封止する樹脂層と樹脂層の表面に設けられたシールド層とを備えた高周波モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話等の通信機器に搭載される高周波モジュールが知られている。従来の一例による高周波モジュール１００１は図３５に示すように、高周波半導体チップからなるＩＣ１００２（電子部品）および抵抗やコンデンサなどからなる部品１００３（電子部品）が搭載された基板１００４と、ＩＣ１００２および部品１００３の保護や電磁シールドのためにモジュール全体を覆う金属製のシールドケース１００５（図３６参照）とを備える。なお、図３５では、シールドケース１００５を省略している。高周波モジュール１００１では、シールドケース１００５（図３６参照）を半田付けするためのケース接続端子１００４ａを基板１００４に設ける必要がある。このため、基板１００４の外形が大きくなり、高周波モジュール１００１の外形も大きくなるという不都合がある。
【０００３】
この不都合を解消することが可能な構造も知られている。例えば図３７に示すように、高周波モジュール１１０１は、高周波半導体チップからなるＩＣ１１０２および抵抗やコンデンサなどからなる部品１１０３が搭載された基板１１０４と、ＩＣ１１０２および部品１１０３を封止する絶縁性の樹脂層１１０５と、ＩＣ１１０２および部品１１０３を電磁シールドするために樹脂層１１０５の表面に設けられた導電性のシールド層１１０６とを備える。シールド層１１０６は基板１１０４のグランド層（図示せず）に電気的に接続されており、シールド効果を発揮する。
【０００４】
しかしながら、高周波モジュール１１０１の信頼性試験を行うために、高周波モジュール１１０１を高温高湿槽に入れて吸湿させた後、リフロー炉を用いて加熱すると、図３８に示すようにシールド層１１０６が樹脂層１１０５から剥離して膨れが生じ、電気測定エラーや外観不良が発生した。膨れが増大し、シールド層１１０６とグランド層との接続が切断されると、シールド性が低下する。
【０００５】
信頼性試験の対象でなく、高温高湿槽に入れられていない高周波モジュール１１０１であっても、他の基板に実装される過程でリフロー加熱されると、樹脂層１１０５等に含まれる水分が気化して膨張し、信頼性試験の対象品と同様に、樹脂層１１０５とシールド層１１０６との界面で剥離が生じ、シールド層１１０６が膨れることがある。膨れが増大すればやはりシールド層１１０６とグランド層との接続が切断され、シールド性が低下する。
【０００６】
以上のようにシールド層１１０６が樹脂層１１０５から剥離して膨れが生じたのは、樹脂層１１０５等に含まれる水分が気化して膨張することによって、樹脂層１１０５とシールド層１１０６との界面で剥離が生じてシールド層１１０６が膨れたためであると考えられる。
【０００７】
そこで、シールド層の膨れを抑制することが可能な構造が提案されている（例えば特許文献１参照）。上記特許文献１には、半導体チップＩＣおよびチップ部品などの電子部品が搭載されたモジュール基板と、電子部品を封止する樹脂層と、樹脂層の表面に設けられた導電性のシールド層とを備えたモジュール（高周波モジュール）が開示されている。シールド層は無電解メッキ法により形成されている。また、シールド層を熱処理することにより、シールド層には１ｎｍ〜６０ｎｍ程度の幅を有する複数のマイクロチャンネルクラックが網目状に形成されている。
【０００８】
上記特許文献１に記載の高周波モジュールでは、リフロー加熱されたとき、樹脂層に含まれる水分はマイクロチャンネルクラックを介して外部に排出される。これにより、気化した水分が樹脂層とシールド層との界面に剥離を生じさせることを防ぎ、高周波モジュールの電気特性の劣化や電磁波シールド効果の低下を招かないようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−２１９２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１では、水分の排出経路であるマイクロチャンネルクラックの幅は１ｎｍ〜６０ｎｍ程度であるので、マイクロチャンネルクラックが形成されていることを確認するのが困難であるという問題点がある。なお、ナノオーダーのクラックを確認する場合、電子顕微鏡等を用いる必要があり、確認するのに時間がかかる。
【００１１】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、この発明の高周波モジュールは、電子部品が搭載された基板と、電子部品を封止する絶縁性の樹脂層と、樹脂層の表面に設けられた導電性のシールド層と、を備え、シールド層には、樹脂層まで達するとともに１μｍ以上の開口幅を有する開口部が形成されている。
【００１３】
なお、開口幅とは、例えば、開口部が矩形状である場合は開口部の短辺の長さを言い、開口部が円形状である場合は開口部の直径の大きさを言い、開口部が楕円形状である場合は開口部の短径の大きさを言う。また、後述する開口長さとは、例えば、開口部が矩形状である場合は開口部の長辺の長さを言い、開口部が円形状である場合は開口部の直径の大きさを言い、開口部が楕円形状である場合は開口部の長径の大きさを言う。
【００１４】
この高周波モジュールでは、上記のように、シールド層には、樹脂層まで達する開口部が形成されている。これにより、高周波モジュールを例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層に含まれる水分は開口部を介して外部に排出されるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離してシールド層が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュールに電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。
【００１５】
また、上記のように、１μｍ以上の開口幅を有するように開口部を形成することによって、水分の排出経路である開口部が形成されていることを、容易に確認することができる。例えば２０倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部が形成されていることを十分確認することができる。
【００１６】
また、このような開口部は、後述するように様々な方法で形成することが可能である。
【００１７】
上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は５０μｍ以上の開口幅を有する。このように構成すれば、開口部が形成されていることを目視でも十分確認することができる。
【００１８】
上記開口部が５０μｍ以上の開口幅を有する高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は複数形成されており、開口部は５０μｍ以上１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有する。このように構成すれば、開口部が大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。
【００１９】
上記高周波モジュールにおいて、樹脂層の表面には凹凸が形成されており、樹脂層の表面の凸部の先端面とシールド層の表面とは面一に形成されていてもよい。
【００２０】
上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、シールド層は樹脂層の上面に設けられた上面部と樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、開口部はシールド層の上面部に形成されている。このように構成すれば、剥離が生じやすい部分（樹脂層とシールド層の上面部との界面）近傍の水分を効率よく開口部から排出させることができるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００２１】
上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は標章を兼ねる。このように構成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。
【００２２】
なお、本明細書および特許請求の範囲において、標章とは文字、図形、記号等を含む概念である。
【００２３】
この発明の高周波モジュールの製造方法は、電子部品が搭載された基板を準備する工程と、電子部品を封止する樹脂層を設ける工程と、樹脂層の表面に導電性のシールド層を設ける工程と、を備え、シールド層を設ける工程は、樹脂層まで達するとともに１μｍ以上の開口幅を有する開口部を、シールド層に形成する工程を含む。
【００２４】
この高周波モジュールの製造方法では、上記のように、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程を備える。これにより、高周波モジュールを例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層に含まれる水分は開口部を介して外部に排出されるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離してシールド層が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュールに電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。
【００２５】
また、上記のように、１μｍ以上の開口幅を有する開口部をシールド層に形成する工程を備えることによって、水分の排出経路である開口部が形成されていることを、容易に確認することができる。例えば２０倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部が形成されていることを十分確認することができる。
【００２６】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にマスクを配置する工程と、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、マスクを除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。
【００２７】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、レーザ加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。
【００２８】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、機械加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。
【００２９】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、エッチング加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。
【００３０】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は標章を兼ねる。このように構成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。
【００３１】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、樹脂層を設ける工程は、電子部品を封止するように樹脂層を配置する工程と、樹脂層の表面に凹凸を形成する工程とを含み、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、シールド層の表面を研磨することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。
【００３２】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、樹脂層を設ける工程は、内面に凹凸が形成された成型金型を用いて、表面に凹凸が形成された樹脂層を形成する工程を含み、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、シールド層の表面を研磨することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。なお、任意の位置に開口部を形成することも可能である。
【００３３】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は５０μｍ以上の開口幅を有する。このように構成すれば、開口部が形成されていることを目視でも十分確認することができる。
【００３４】
上記開口部が５０μｍ以上の開口幅を有する高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は複数形成されており、開口部は５０μｍ以上１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有する。このように構成すれば、開口部が大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。
【００３５】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層は樹脂層の上面に設けられた上面部と樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、開口部はシールド層の上面部に形成される。このように構成すれば、剥離が生じやすい部分（樹脂層とシールド層の上面部との界面）近傍の水分を効率よく開口部から排出させることができるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００３６】
以上のように、本発明によれば、水分の排出経路（開口部）の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの構造を示した平面図である。
【図２】図１のＡ１−Ａ１線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ１−Ｂ１線に沿った断面図である。
【図４】図１に示した本発明の第１実施形態のシールド層の開口部の構造を示した平面図である。
【図５】図１に示した本発明の第１実施形態のシールド層の開口部の構造を示した拡大平面図である。
【図６】図１に示した本発明の第１実施形態のシールド層の開口部の変形例を示した拡大平面図である。
【図７】図１に示した本発明の第１実施形態の高周波モジュールの構造を示した平面図である。
【図８】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図９】図８のＡ２−Ａ２線に沿った断面図である。
【図１０】図８のＢ２−Ｂ２線に沿った断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図１２】図１１のＡ３−Ａ３線に沿った断面図である。
【図１３】図１１のＢ３−Ｂ３線に沿った断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図１５】図１４のＡ４−Ａ４線に沿った断面図である。
【図１６】図１４のＢ４−Ｂ４線に沿った断面図である。
【図１７】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図１８】図１７のＡ５−Ａ５線に沿った断面図である。
【図１９】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図２０】図１９のＡ６−Ａ６線に沿った断面図である。
【図２１】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図２２】図２１のＡ７−Ａ７線に沿った断面図である。
【図２３】図２１のＢ７−Ｂ７線に沿った断面図である。
【図２４】本発明の第２実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図２５】図２４のＡ８−Ａ８線に沿った断面図である。
【図２６】図２４のＢ８−Ｂ８線に沿った断面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態の高周波モジュールの構造を示した平面図である。
【図２８】図２７のＡ９−Ａ９線に沿った断面図である。
【図２９】図２７に示した本発明の第３実施形態のシールド層の開口部を説明するための拡大断面図である。
【図３０】本発明の第３実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図３１】本発明の第３実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための拡大断面図である。
【図３２】本発明の第３実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための拡大断面図である。
【図３３】本発明の第４実施形態の高周波モジュールの製造に用いる成型金型の構造を示した断面図である。
【図３４】本発明の第４実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図３５】従来の一例による高周波モジュールの構造を示した平面図である。
【図３６】図３５に示した従来の一例による高周波モジュールの構造を示した正面図である。
【図３７】樹脂層の表面にシールド層が設けられた従来の一例による高周波モジュールの構造を示した断面図である。
【図３８】図３７に示した従来の一例による高周波モジュールの樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じてシールド層が膨れた状態を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、理解を容易にするために、断面図であってもハッチングを施さない場合がある。
【００３９】
（第１実施形態）
まず、図１〜図７を参照して、本発明の第１実施形態による高周波モジュール１の構造について説明する。
【００４０】
本発明の第１実施形態による高周波モジュール１は携帯電話等の通信機器（電子機器）に搭載されるものであって、電子機器全体を制御するメイン基板（図示せず）に実装されるものである。高周波モジュール１は図１および図２に示すように、高周波半導体チップや他の半導体チップからなるＩＣ２と、抵抗やコンデンサなどからなる部品３と、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、ＩＣ２および部品３を電磁シールドするために樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６とを備えている。なお、ＩＣ２および部品３は、本発明の「電子部品」の一例である。
【００４１】
ＩＣ２および部品３は図２に示すように、半田層（図示せず）などにより基板４の接続端子４ａに実装されている。基板４には、接続端子４ａと、基板４の４隅に配置されたグランド層４ｂ（図３参照）と、基板４の裏面に配置された外部接続端子（図示せず）と、接続端子４ａ、グランド層４ｂおよび外部接続端子に接続された配線（図示せず）とが設けられている。
【００４２】
樹脂層５は例えば黒色のエポキシ樹脂により形成されており、エポキシ樹脂を熱硬化させることにより形成されている。このため、樹脂層５は、基板４、ＩＣ２および部品３に対する熱膨張差を減らすために、例えば球状のシリカフィラーを含有している。樹脂層５の上面５ａから基板４までの厚みＴ１は約１ｍｍ以下であり、ＩＣ２および部品３上の樹脂層５の厚みは約０．２ｍｍ以上となっている。
【００４３】
樹脂層５は上面５ａと側面５ｂとを有しており、本実施形態では上面５ａは略平坦面に形成されている。樹脂層５の４つの側面５ｂには、側面５ｂの横幅方向に沿って延びる（図２の紙面に対して垂直方向に延びる）段差部５ｃが形成されている。樹脂層５の４隅には図３に示すように、段差部５ｃ（図２参照）よりも深く、基板４のグランド層４ｂに達する凹部５ｄが形成されている。
【００４４】
シールド層６は金属により形成されている。例えば、シールド層６は樹脂層５側から、約０．５μｍの厚みを有するＮｉ層と、約１０μｍの厚みを有するＣｕ層と、約２μｍの厚みを有するＮｉ層とによって形成されている。例えば、約０．５μｍの厚みを有するＮｉ層は無電解メッキ法により形成され、Ｃｕ層および約２μｍの厚みを有するＮｉ層は電解メッキ法により形成される。Ｃｕ層はシールド層６の導電性を高くするために設けられており、約２μｍの厚みを有するＮｉ層はＣｕ層の酸化を防止するために設けられている。
【００４５】
シールド層６の構造および製造方法は上記に限定されない。例えば、樹脂層５側から、約０．０５μｍの厚みを有するＳＵＳ（ステンレス鋼）層と、約１．５μｍの厚みを有するＣｕ層と、約０．１５μｍの厚みを有するＳＵＳ層とをスパッタ法によって形成してもよい。スパッタ法を用いる場合、Ｎｉ層よりもＳＵＳ層を形成する方がスパッタ効率がよい。Ｃｕ層はシールド層６の導電性を高くするために設けられ、約０．１５μｍの厚みを有するＳＵＳ層はＣｕ層の酸化を防止するために設けられる。
【００４６】
シールド層６は樹脂層５の上面５ａに設けられた上面部６ａと、側面５ｂに設けられた側面部６ｂとを含んでいる。側面部６ｂは樹脂層５の段差部５ｃおよび凹部５ｄを覆うように設けられており、側面部６ｂおよび上面部６ａは基板４のグランド層４ｂに電気的に接続されている。
【００４７】
上面部６ａには図１および図２に示すように、樹脂層５まで達する開口部６ｃが形成されている。開口部６ｃは図４に示すように、複数設けられており、例えば約５０μｍ以上約１００μｍ以下の開口幅Ｗ１および開口長さＬ１を有する。なお、図１に描かれた開口部６ｃは、図４に描かれた複数の開口部６ｃの集合を１個の開口部６ｃとして簡略化して表示したものである。複数の開口部６ｃは約１００μｍの間隔を隔てて配置されている。そして、複数の開口部６ｃによって、例えば×形状（十字形状）が形成されている。なお、１つの開口部６ｃは図５に示すような矩形状ではなく、例えば図６に示すように円形状であってもよい。また、複数の開口部６ｃではなく１つの開口部６ｃによって、例えば図１に示したような×形状（十字形状）が形成されていてもよい。また、開口部６ｃによって×形状以外の形状が形成されていてもよい。例えば、開口部６ｃを、文字、図形、記号等の形に形成して高周波モジュール１の機種名や製造ロット番号を表すようにしてもよい。言い換えると、開口部６ｃは高周波モジュール１の機種名や製造ロット番号を表す標章を兼ねてもよい。
【００４８】
開口部６ｃは図７に示すように、ＶＣＯ（電圧制御発振器）のインダクタ等のノイズ放射源となる部品３ａの真上に位置しないように形成されている。これにより、高周波モジュール１からの放射ノイズが他の機器に悪影響を及ぼすのを抑制することが可能である。
【００４９】
次に、図２、図３および図８〜図２３を参照して、高周波モジュール１の製造方法について説明する。
【００５０】
まず、図８〜図１０に示すように、所定の位置にＩＣ２および部品３が搭載された基板１４を準備する。この基板１４は基板４を例えば６個含んでおり、後述するように、１つの基板１４から６個の高周波モジュール１が製造される。なお、図８の破線は、個片に分離する位置を示している。
【００５１】
そして、図１１〜図１３に示すように、ＩＣ２および部品３を封止するように絶縁性のエポキシ樹脂を流し込み（配置し）、熱硬化させることにより樹脂層５を形成する。このとき、成型金型（図示せず）を用いて樹脂層５を形成してもよい。
【００５２】
その後、図１４および図１５に示すように、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、個片に分離する位置に分割溝５ｅを形成する。このとき、例えば樹脂厚の半分程度の深さを有するように分割溝５ｅを形成する。そして、図１４および図１６に示すように、分割溝５ｅの交点に、グランド層４ｂまで達するビアホール５ｆを形成する。このとき、溶融樹脂の飛散や樹脂残渣を低減するために、短波長レーザであるＵＶ−ＹＡＧレーザを用いることが好ましい。
【００５３】
その後、図１７および図１８に示すように、樹脂層５の上面５ａのうちの開口部６ｃを形成する位置にマスク１０を配置（形成）する。そして、メッキ法やスパッタ法を用いて樹脂層５の表面にシールド層６を配置（形成）し、マスク１０を除去することにより、図１９および図２０に示すように、樹脂層５まで達する開口部６ｃを有するシールド層６が形成される。なお、メッキ法を用いる場合、例えば、無電解メッキ法により約０．５μｍの厚みを有するＮｉ層を形成し、その上に電解メッキ法により約１０μｍの厚みを有するＣｕ層および約２μｍの厚みを有するＮｉ層を形成してもよい。スパッタ法を用いる場合、例えば、約０．０５μｍの厚みを有するＳＵＳ層、約１．５μｍの厚みを有するＣｕ層および約０．１５μｍの厚みを有するＳＵＳ層を形成してもよい。
【００５４】
最後に、図２１〜図２３に示すように、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、分割溝５ｅをフルカット（フルダイシング）することによって、個片化された高周波モジュール１が得られる。このとき、分割溝５ｅおよびビアホール５ｆ（図１６参照）は、それぞれ、段差部５ｃ（図２参照）および凹部５ｄ（図３参照）になる。
【００５５】
本実施形態では、上記のように、シールド層６には、樹脂層５まで達する開口部６ｃが形成されている。これにより、高周波モジュール１を例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層５に含まれる水分は開口部６ｃを介して外部に排出されるので、樹脂層５とシールド層６との界面で剥離してシールド層６が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュール１に電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。また、膨れが増大することに起因してシールド層６と基板４のグランド層４ｂとの接続が切断されることがないので、シールド性が低下するのも抑制することができる。
【００５６】
また、上記のように、開口部６ｃは約５０μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する。これにより、水分の排出経路である開口部６ｃが形成されていることを目視でも十分確認することができる。なお、樹脂層５を黒色の樹脂により形成することによって、シールド層６と樹脂層５とのコントラストを向上させることができ、開口部６ｃが形成されていることの確認をより容易にしている。
【００５７】
また、上記のように、開口部６ｃは約１００μｍ以下の開口幅Ｗ１および開口長さＬ１を有する。これにより、開口部６ｃが大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。
【００５８】
また、上記のように、開口部６ｃはシールド層６の上面部６ａに形成されている。これにより、剥離が生じやすい部分（樹脂層５とシールド層６の上面部６ａとの界面）近傍の水分を効率よく開口部６ｃから排出させることができるので、樹脂層５とシールド層６との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００５９】
また、上記のように、標章を兼ねるように開口部６ｃを形成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。
【００６０】
また、上記のように、樹脂層５の表面にマスク１０を配置し、樹脂層５の表面にシールド層６を配置した後、マスク１０を除去することにより、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に形成する。これにより、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に容易に形成することができる。また、シールド層６の任意の位置に開口部６ｃを形成することができる。例えば樹脂層５の厚み、電子部品（ＩＣ２および部品３）の大きさ、モジュール構成材料等により樹脂層５とシールド層６との界面に含まれる水分量が異なるので、任意の位置に開口部６ｃを形成することによって、剥離を効果的に抑えることが可能である。
【００６１】
（第２実施形態）
この第２実施形態では、図１４〜図１６、図１９、図２０および図２４〜図２６を参照して、上記第１実施形態と異なり、レーザ加工、機械加工またはエッチング加工によりシールド層６に開口部６ｃを形成する場合について説明する。
【００６２】
図１４〜図１６に示すように、上記第１実施形態と同様にして、樹脂層５に分割溝５ｅおよびビアホール５ｆを形成する。
【００６３】
そして、図２４〜図２６に示すように、樹脂層５の表面にシールド層６を配置する。その後、シールド層６の上面部６ａを選択的に除去することにより、図１９および図２０に示すように、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に形成する。このとき、レーザ装置（図示せず）を用いたレーザ加工により、シールド層６に開口部６ｃを形成してもよい。また、ドリル加工などの機械加工により、シールド層６に開口部６ｃを形成してもよい。また、ウェットエッチング加工などのエッチング加工により、シールド層６に開口部６ｃを形成してもよい。
【００６４】
そして、上記第１実施形態と同様、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、分割溝５ｅをフルカット（フルダイシング）することによって、個片化された高周波モジュール１が得られる。
【００６５】
なお、第２実施形態の構造およびその他の製造方法は、上記第１実施形態と同様である。
【００６６】
本実施形態では、上記のように、レーザ加工、機械加工またはエッチング加工によりシールド層６を選択的に除去することによって、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に形成する。これにより、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に容易に形成することができる。また、シールド層６の任意の位置に開口部６ｃを形成することができる。
【００６７】
上記第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６８】
（第３実施形態）
図２７〜図２９を参照して、本発明の第３実施形態による高周波モジュール１の構造について説明する。
【００６９】
本発明の第３実施形態による高周波モジュール１では図２７および図２８に示すように、シールド層６の上面部６ａに、樹脂層５まで達する開口部６ｃが多数形成されている。具体的には図２９に示すように、樹脂層５の上面５ａには凹凸（複数の凹部５ｇおよび複数の凸部５ｈ）が形成されている。凹部５ｇはシールド層６で埋められている。凸部５ｈの先端面（上面）はシールド層６の表面と面一に形成されている。そして、凸部５ｈの位置に、シールド層６の開口部６ｃが形成されている。この開口部６ｃは約１μｍ以上約１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有する。また、複数の開口部６ｃは、シールド層６の上面部６ａの全域にわたって形成されている。なお、図では理解を容易にするために、開口部６ｃを大きく描いている。
【００７０】
第３実施形態のその他の構造は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００７１】
次に、図２９〜図３２を参照して、高周波モジュール１の製造方法について説明する。
【００７２】
上記第１および第２実施形態と同様にして、ＩＣ２および部品３を封止するように絶縁性のエポキシ樹脂を配置し、熱硬化させることにより樹脂層５を形成する。
【００７３】
その後、図３０および図３１に示すように、樹脂層５の上面５ａに、例えばサンドブラスト処理により、凹凸（複数の凹部５ｇおよび複数の凸部５ｈ）を形成する。このとき、後の工程で形成するシールド層６の厚みと同等以上の高さ（または深さ）を有する凹凸を形成する。例えば、シールド層６をメッキ法により形成する場合は約１３μｍ以上の高さ（または深さ）を有する凹凸を形成することが好ましく、シールド層６をスパッタ法により形成する場合は約１．７μｍ以上の高さ（または深さ）を有する凹凸を形成することが好ましい。また、このとき、後で行われる研磨工程において約１μｍ以上約１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有する開口部６ｃが形成されるように、凹部５ｇおよび凸部５ｈの寸法を設定して形成する。
【００７４】
そして、上記第１および第２実施形態と同様にして、樹脂層５に分割溝５ｅおよびビアホール５ｆを形成する。なお、樹脂層５の上面５ａに凹凸を形成する前に、樹脂層５に分割溝５ｅおよびビアホール５ｆを形成してもよい。
【００７５】
その後、図３２に示すように、樹脂層５の表面にシールド層６を配置する。そして、樹脂層５の上面５ａが露出するまでシールド層６の上面を研磨する。これにより、図２９に示すように、シールド層６に多数の開口部６ｃが形成される。このとき、凸部５ｈの先端面がシールド層６の表面に露出し、シールド層６の表面と面一になる。
【００７６】
その後、上記第１および第２実施形態と同様、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、分割溝５ｅをフルカット（フルダイシング）することによって、個片化された高周波モジュール１が得られる。
【００７７】
なお、第３実施形態のその他の製造方法は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００７８】
本実施形態では、上記のように、約１μｍ以上の開口幅を有するように開口部６ｃを形成することによって、水分の排出経路である開口部６ｃが形成されていることを、容易に確認することができる。例えば２０倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部６ｃが形成されていることを十分確認することができる。
【００７９】
また、上記のように、樹脂層５の上面５ａに例えばサンドブラスト処理により凹凸（複数の凹部５ｇおよび複数の凸部５ｈ）を形成し、樹脂層５の表面にシールド層６を配置する。その後、シールド層６の上面５ａを研磨することにより、開口部６ｃをシールド層６に形成する。これにより、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に容易に形成することができる。
【００８０】
上記第３実施形態のその他の効果は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００８１】
（第４実施形態）
この第４実施形態では、図３０〜図３４を参照して、上記第３実施形態と異なり、成型金型５０により樹脂層５に凹凸を形成する場合について説明する。
【００８２】
内面の上面に凹凸５０ａが形成された成型金型５０（図３３参照）を用いて、図３４に示すようにＩＣ２および部品３を封止するようにエポキシ樹脂を配置（充填）し硬化させることにより、樹脂層５を形成する。これにより、図３０および図３１に示すように、樹脂層５の上面５ａに凹凸が形成される。すなわち、樹脂層５はエポキシ樹脂を用いた射出成型により形成され、射出成型時に樹脂層５の上面５ａに凹凸が形成される。
【００８３】
そして、上記第１〜第３実施形態と同様にして、樹脂層５に分割溝５ｅおよびビアホール５ｆを形成し、樹脂層５の表面にシールド層６を配置する。その後、上記第３実施形態と同様にして、樹脂層５の上面５ａが露出するまでシールド層６の上面を研磨し、分割溝５ｅをフルカット（フルダイシング）することによって、個片化された高周波モジュール１が得られる。
【００８４】
なお、第４実施形態の構造およびその他の製造方法は、上記第３実施形態と同様である。
【００８５】
本実施形態では、上記のように、内面に凹凸５０ａが形成された成型金型５０を用いることによって、表面に凹凸（複数の凹部５ｇおよび複数の凸部５ｈ）が形成された樹脂層５を容易に形成することができる。
【００８６】
上記第４実施形態のその他の効果は、上記第１〜第３実施形態と同様である。
【００８７】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８８】
例えば、上記実施形態では、高周波モジュールを携帯電話に適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、携帯電話以外の電子機器にも適用可能である。
【００８９】
また、シールド層の材質や厚みは適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００９０】
１ 高周波モジュール
２ ＩＣ（電子部品）
３ 部品（電子部品）
４、１４ 基板
５ 樹脂層
５ａ 上面
５ｂ 側面
５ｈ 凸部
６ シールド層
６ａ 上面部
６ｂ 側面部
６ｃ 開口部
１０ マスク
５０ 成型金型
５０ａ 凹凸
Ｌ１ 開口長さ
Ｗ１ 開口幅
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波モジュールおよびその製造方法に関し、特に、電子部品を封止する樹脂層と樹脂層の表面に設けられたシールド層とを備えた高周波モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話等の通信機器に搭載される高周波モジュールが知られている。従来の一例による高周波モジュール１００１は図３５に示すように、高周波半導体チップからなるＩＣ１００２（電子部品）および抵抗やコンデンサなどからなる部品１００３（電子部品）が搭載された基板１００４と、ＩＣ１００２および部品１００３の保護や電磁シールドのためにモジュール全体を覆う金属製のシールドケース１００５（図３６参照）とを備える。なお、図３５では、シールドケース１００５を省略している。高周波モジュール１００１では、シールドケース１００５（図３６参照）を半田付けするためのケース接続端子１００４ａを基板１００４に設ける必要がある。このため、基板１００４の外形が大きくなり、高周波モジュール１００１の外形も大きくなるという不都合がある。
【０００３】
この不都合を解消することが可能な構造も知られている。例えば図３７に示すように、高周波モジュール１１０１は、高周波半導体チップからなるＩＣ１１０２および抵抗やコンデンサなどからなる部品１１０３が搭載された基板１１０４と、ＩＣ１１０２および部品１１０３を封止する絶縁性の樹脂層１１０５と、ＩＣ１１０２および部品１１０３を電磁シールドするために樹脂層１１０５の表面に設けられた導電性のシールド層１１０６とを備える。シールド層１１０６は基板１１０４のグランド層（図示せず）に電気的に接続されており、シールド効果を発揮する。
【０００４】
しかしながら、高周波モジュール１１０１の信頼性試験を行うために、高周波モジュール１１０１を高温高湿槽に入れて吸湿させた後、リフロー炉を用いて加熱すると、図３８に示すようにシールド層１１０６が樹脂層１１０５から剥離して膨れが生じ、電気測定エラーや外観不良が発生した。膨れが増大し、シールド層１１０６とグランド層との接続が切断されると、シールド性が低下する。
【０００５】
信頼性試験の対象でなく、高温高湿槽に入れられていない高周波モジュール１１０１であっても、他の基板に実装される過程でリフロー加熱されると、樹脂層１１０５等に含まれる水分が気化して膨張し、信頼性試験の対象品と同様に、樹脂層１１０５とシールド層１１０６との界面で剥離が生じ、シールド層１１０６が膨れることがある。膨れが増大すればやはりシールド層１１０６とグランド層との接続が切断され、シールド性が低下する。
【０００６】
以上のようにシールド層１１０６が樹脂層１１０５から剥離して膨れが生じたのは、樹脂層１１０５等に含まれる水分が気化して膨張することによって、樹脂層１１０５とシールド層１１０６との界面で剥離が生じてシールド層１１０６が膨れたためであると考えられる。
【０００７】
そこで、シールド層の膨れを抑制することが可能な構造が提案されている（例えば特許文献１参照）。上記特許文献１には、半導体チップＩＣおよびチップ部品などの電子部品が搭載されたモジュール基板と、電子部品を封止する樹脂層と、樹脂層の表面に設けられた導電性のシールド層とを備えたモジュール（高周波モジュール）が開示されている。シールド層は無電解メッキ法により形成されている。また、シールド層を熱処理することにより、シールド層には１ｎｍ〜６０ｎｍ程度の幅を有する複数のマイクロチャンネルクラックが網目状に形成されている。
【０００８】
上記特許文献１に記載の高周波モジュールでは、リフロー加熱されたとき、樹脂層に含まれる水分はマイクロチャンネルクラックを介して外部に排出される。これにより、気化した水分が樹脂層とシールド層との界面に剥離を生じさせることを防ぎ、高周波モジュールの電気特性の劣化や電磁波シールド効果の低下を招かないようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−２１９２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１では、水分の排出経路であるマイクロチャンネルクラックの幅は１ｎｍ〜６０ｎｍ程度であるので、マイクロチャンネルクラックが形成されていることを確認するのが困難であるという問題点がある。なお、ナノオーダーのクラックを確認する場合、電子顕微鏡等を用いる必要があり、確認するのに時間がかかる。
【００１１】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、この発明の高周波モジュールは、電子部品が搭載された基板と、電子部品を封止する絶縁性の樹脂層と、樹脂層の表面に設けられた導電性のシールド層と、を備え、シールド層には、樹脂層まで達するとともに１μｍ以上の開口幅を有する開口部が形成されている。
【００１３】
なお、開口幅とは、例えば、開口部が矩形状である場合は開口部の短辺の長さを言い、開口部が円形状である場合は開口部の直径の大きさを言い、開口部が楕円形状である場合は開口部の短径の大きさを言う。また、後述する開口長さとは、例えば、開口部が矩形状である場合は開口部の長辺の長さを言い、開口部が円形状である場合は開口部の直径の大きさを言い、開口部が楕円形状である場合は開口部の長径の大きさを言う。
【００１４】
この高周波モジュールでは、上記のように、シールド層には、樹脂層まで達する開口部が形成されている。これにより、高周波モジュールを例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層に含まれる水分は開口部を介して外部に排出されるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離してシールド層が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュールに電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。
【００１５】
また、上記のように、１μｍ以上の開口幅を有するように開口部を形成することによって、水分の排出経路である開口部が形成されていることを、容易に確認することができる。例えば２０倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部が形成されていることを十分確認することができる。
【００１６】
また、このような開口部は、後述するように様々な方法で形成することが可能である。
【００１７】
上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は５０μｍ以上の開口幅を有する。このように構成すれば、開口部が形成されていることを目視でも十分確認することができる。
【００１８】
上記開口部が５０μｍ以上の開口幅を有する高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は複数形成されており、開口部は５０μｍ以上１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有する。このように構成すれば、開口部が大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。
【００１９】
上記高周波モジュールにおいて、樹脂層の表面には凹凸が形成されており、樹脂層の表面の凸部の先端面とシールド層の表面とは面一に形成されていてもよい。
【００２０】
上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、シールド層は樹脂層の上面に設けられた上面部と樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、開口部はシールド層の上面部に形成されている。このように構成すれば、剥離が生じやすい部分（樹脂層とシールド層の上面部との界面）近傍の水分を効率よく開口部から排出させることができるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００２１】
上記高周波モジュールにおいて、好ましくは、開口部は標章を兼ねる。このように構成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。
【００２２】
なお、本明細書および特許請求の範囲において、標章とは文字、図形、記号等を含む概念である。
【００２３】
この発明の高周波モジュールの製造方法は、電子部品が搭載された基板を準備する工程と、電子部品を封止する樹脂層を設ける工程と、樹脂層の表面に導電性のシールド層を設ける工程と、を備え、シールド層を設ける工程は、樹脂層まで達するとともに１μｍ以上の開口幅を有する開口部を、シールド層に形成する工程を含む。
【００２４】
この高周波モジュールの製造方法では、上記のように、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程を備える。これにより、高周波モジュールを例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層に含まれる水分は開口部を介して外部に排出されるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離してシールド層が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュールに電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。
【００２５】
また、上記のように、１μｍ以上の開口幅を有する開口部をシールド層に形成する工程を備えることによって、水分の排出経路である開口部が形成されていることを、容易に確認することができる。例えば２０倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部が形成されていることを十分確認することができる。
【００２６】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にマスクを配置する工程と、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、マスクを除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。
【００２７】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、レーザ加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。
【００２８】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、機械加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。
【００２９】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、エッチング加工によりシールド層を選択的に除去することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。また、任意の位置に開口部を形成することができる。
【００３０】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は標章を兼ねる。このように構成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。
【００３１】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、樹脂層を設ける工程は、電子部品を封止するように樹脂層を配置する工程と、樹脂層の表面に凹凸を形成する工程とを含み、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、シールド層の表面を研磨することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。
【００３２】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、樹脂層を設ける工程は、内面に凹凸が形成された成型金型を用いて、表面に凹凸が形成された樹脂層を形成する工程を含み、シールド層を設ける工程は、樹脂層の表面にシールド層を配置する工程と、シールド層の表面を研磨することにより、樹脂層まで達する開口部をシールド層に形成する工程とを含む。このように構成すれば、樹脂層まで達する開口部をシールド層に容易に形成することができる。なお、任意の位置に開口部を形成することも可能である。
【００３３】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は５０μｍ以上の開口幅を有する。このように構成すれば、開口部が形成されていることを目視でも十分確認することができる。
【００３４】
上記開口部が５０μｍ以上の開口幅を有する高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、開口部は複数形成されており、開口部は５０μｍ以上１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有する。このように構成すれば、開口部が大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。
【００３５】
上記高周波モジュールの製造方法において、好ましくは、シールド層は樹脂層の上面に設けられた上面部と樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、開口部はシールド層の上面部に形成される。このように構成すれば、剥離が生じやすい部分（樹脂層とシールド層の上面部との界面）近傍の水分を効率よく開口部から排出させることができるので、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００３６】
以上のように、本発明によれば、水分の排出経路（開口部）の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの構造を示した平面図である。
【図２】図１のＡ１−Ａ１線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ１−Ｂ１線に沿った断面図である。
【図４】図１に示した本発明の第１実施形態のシールド層の開口部の構造を示した平面図である。
【図５】図１に示した本発明の第１実施形態のシールド層の開口部の構造を示した拡大平面図である。
【図６】図１に示した本発明の第１実施形態のシールド層の開口部の変形例を示した拡大平面図である。
【図７】図１に示した本発明の第１実施形態の高周波モジュールの構造を示した平面図である。
【図８】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図９】図８のＡ２−Ａ２線に沿った断面図である。
【図１０】図８のＢ２−Ｂ２線に沿った断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図１２】図１１のＡ３−Ａ３線に沿った断面図である。
【図１３】図１１のＢ３−Ｂ３線に沿った断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図１５】図１４のＡ４−Ａ４線に沿った断面図である。
【図１６】図１４のＢ４−Ｂ４線に沿った断面図である。
【図１７】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図１８】図１７のＡ５−Ａ５線に沿った断面図である。
【図１９】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図２０】図１９のＡ６−Ａ６線に沿った断面図である。
【図２１】本発明の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図２２】図２１のＡ７−Ａ７線に沿った断面図である。
【図２３】図２１のＢ７−Ｂ７線に沿った断面図である。
【図２４】本発明の第２実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図２５】図２４のＡ８−Ａ８線に沿った断面図である。
【図２６】図２４のＢ８−Ｂ８線に沿った断面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態の高周波モジュールの構造を示した平面図である。
【図２８】図２７のＡ９−Ａ９線に沿った断面図である。
【図２９】図２７に示した本発明の第３実施形態のシールド層の開口部を説明するための拡大断面図である。
【図３０】本発明の第３実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための平面図である。
【図３１】本発明の第３実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための拡大断面図である。
【図３２】本発明の第３実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための拡大断面図である。
【図３３】本発明の第４実施形態の高周波モジュールの製造に用いる成型金型の構造を示した断面図である。
【図３４】本発明の第４実施形態の高周波モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図３５】従来の一例による高周波モジュールの構造を示した平面図である。
【図３６】図３５に示した従来の一例による高周波モジュールの構造を示した正面図である。
【図３７】樹脂層の表面にシールド層が設けられた従来の一例による高周波モジュールの構造を示した断面図である。
【図３８】図３７に示した従来の一例による高周波モジュールの樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じてシールド層が膨れた状態を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、理解を容易にするために、断面図であってもハッチングを施さない場合がある。
【００３９】
（第１実施形態）
まず、図１〜図７を参照して、本発明の第１実施形態による高周波モジュール１の構造について説明する。
【００４０】
本発明の第１実施形態による高周波モジュール１は携帯電話等の通信機器（電子機器）に搭載されるものであって、電子機器全体を制御するメイン基板（図示せず）に実装されるものである。高周波モジュール１は図１および図２に示すように、高周波半導体チップや他の半導体チップからなるＩＣ２と、抵抗やコンデンサなどからなる部品３と、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、ＩＣ２および部品３を電磁シールドするために樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６とを備えている。なお、ＩＣ２および部品３は、本発明の「電子部品」の一例である。
【００４１】
ＩＣ２および部品３は図２に示すように、半田層（図示せず）などにより基板４の接続端子４ａに実装されている。基板４には、接続端子４ａと、基板４の４隅に配置されたグランド層４ｂ（図３参照）と、基板４の裏面に配置された外部接続端子（図示せず）と、接続端子４ａ、グランド層４ｂおよび外部接続端子に接続された配線（図示せず）とが設けられている。
【００４２】
樹脂層５は例えば黒色のエポキシ樹脂により形成されており、エポキシ樹脂を熱硬化させることにより形成されている。このため、樹脂層５は、基板４、ＩＣ２および部品３に対する熱膨張差を減らすために、例えば球状のシリカフィラーを含有している。樹脂層５の上面５ａから基板４までの厚みＴ１は約１ｍｍ以下であり、ＩＣ２および部品３上の樹脂層５の厚みは約０．２ｍｍ以上となっている。
【００４３】
樹脂層５は上面５ａと側面５ｂとを有しており、本実施形態では上面５ａは略平坦面に形成されている。樹脂層５の４つの側面５ｂには、側面５ｂの横幅方向に沿って延びる（図２の紙面に対して垂直方向に延びる）段差部５ｃが形成されている。樹脂層５の４隅には図３に示すように、段差部５ｃ（図２参照）よりも深く、基板４のグランド層４ｂに達する凹部５ｄが形成されている。
【００４４】
シールド層６は金属により形成されている。例えば、シールド層６は樹脂層５側から、約０．５μｍの厚みを有するＮｉ層と、約１０μｍの厚みを有するＣｕ層と、約２μｍの厚みを有するＮｉ層とによって形成されている。例えば、約０．５μｍの厚みを有するＮｉ層は無電解メッキ法により形成され、Ｃｕ層および約２μｍの厚みを有するＮｉ層は電解メッキ法により形成される。Ｃｕ層はシールド層６の導電性を高くするために設けられており、約２μｍの厚みを有するＮｉ層はＣｕ層の酸化を防止するために設けられている。
【００４５】
シールド層６の構造および製造方法は上記に限定されない。例えば、樹脂層５側から、約０．０５μｍの厚みを有するＳＵＳ（ステンレス鋼）層と、約１．５μｍの厚みを有するＣｕ層と、約０．１５μｍの厚みを有するＳＵＳ層とをスパッタ法によって形成してもよい。スパッタ法を用いる場合、Ｎｉ層よりもＳＵＳ層を形成する方がスパッタ効率がよい。Ｃｕ層はシールド層６の導電性を高くするために設けられ、約０．１５μｍの厚みを有するＳＵＳ層はＣｕ層の酸化を防止するために設けられる。
【００４６】
シールド層６は樹脂層５の上面５ａに設けられた上面部６ａと、側面５ｂに設けられた側面部６ｂとを含んでいる。側面部６ｂは樹脂層５の段差部５ｃおよび凹部５ｄを覆うように設けられており、側面部６ｂおよび上面部６ａは基板４のグランド層４ｂに電気的に接続されている。
【００４７】
上面部６ａには図１および図２に示すように、樹脂層５まで達する開口部６ｃが形成されている。開口部６ｃは図４に示すように、複数設けられており、例えば約５０μｍ以上約１００μｍ以下の開口幅Ｗ１および開口長さＬ１を有する。なお、図１に描かれた開口部６ｃは、図４に描かれた複数の開口部６ｃの集合を１個の開口部６ｃとして簡略化して表示したものである。複数の開口部６ｃは約１００μｍの間隔を隔てて配置されている。そして、複数の開口部６ｃによって、例えば×形状（十字形状）が形成されている。なお、１つの開口部６ｃは図５に示すような矩形状ではなく、例えば図６に示すように円形状であってもよい。また、複数の開口部６ｃではなく１つの開口部６ｃによって、例えば図１に示したような×形状（十字形状）が形成されていてもよい。また、開口部６ｃによって×形状以外の形状が形成されていてもよい。例えば、開口部６ｃを、文字、図形、記号等の形に形成して高周波モジュール１の機種名や製造ロット番号を表すようにしてもよい。言い換えると、開口部６ｃは高周波モジュール１の機種名や製造ロット番号を表す標章を兼ねてもよい。
【００４８】
開口部６ｃは図７に示すように、ＶＣＯ（電圧制御発振器）のインダクタ等のノイズ放射源となる部品３ａの真上に位置しないように形成されている。これにより、高周波モジュール１からの放射ノイズが他の機器に悪影響を及ぼすのを抑制することが可能である。
【００４９】
次に、図２、図３および図８〜図２３を参照して、高周波モジュール１の製造方法について説明する。
【００５０】
まず、図８〜図１０に示すように、所定の位置にＩＣ２および部品３が搭載された基板１４を準備する。この基板１４は基板４を例えば６個含んでおり、後述するように、１つの基板１４から６個の高周波モジュール１が製造される。なお、図８の破線は、個片に分離する位置を示している。
【００５１】
そして、図１１〜図１３に示すように、ＩＣ２および部品３を封止するように絶縁性のエポキシ樹脂を流し込み（配置し）、熱硬化させることにより樹脂層５を形成する。このとき、成型金型（図示せず）を用いて樹脂層５を形成してもよい。
【００５２】
その後、図１４および図１５に示すように、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、個片に分離する位置に分割溝５ｅを形成する。このとき、例えば樹脂厚の半分程度の深さを有するように分割溝５ｅを形成する。そして、図１４および図１６に示すように、分割溝５ｅの交点に、グランド層４ｂまで達するビアホール５ｆを形成する。このとき、溶融樹脂の飛散や樹脂残渣を低減するために、短波長レーザであるＵＶ−ＹＡＧレーザを用いることが好ましい。
【００５３】
その後、図１７および図１８に示すように、樹脂層５の上面５ａのうちの開口部６ｃを形成する位置にマスク１０を配置（形成）する。そして、メッキ法やスパッタ法を用いて樹脂層５の表面にシールド層６を配置（形成）し、マスク１０を除去することにより、図１９および図２０に示すように、樹脂層５まで達する開口部６ｃを有するシールド層６が形成される。なお、メッキ法を用いる場合、例えば、無電解メッキ法により約０．５μｍの厚みを有するＮｉ層を形成し、その上に電解メッキ法により約１０μｍの厚みを有するＣｕ層および約２μｍの厚みを有するＮｉ層を形成してもよい。スパッタ法を用いる場合、例えば、約０．０５μｍの厚みを有するＳＵＳ層、約１．５μｍの厚みを有するＣｕ層および約０．１５μｍの厚みを有するＳＵＳ層を形成してもよい。
【００５４】
最後に、図２１〜図２３に示すように、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、分割溝５ｅをフルカット（フルダイシング）することによって、個片化された高周波モジュール１が得られる。このとき、分割溝５ｅおよびビアホール５ｆ（図１６参照）は、それぞれ、段差部５ｃ（図２参照）および凹部５ｄ（図３参照）になる。
【００５５】
本実施形態では、上記のように、シールド層６には、樹脂層５まで達する開口部６ｃが形成されている。これにより、高周波モジュール１を例えばリフロー炉を用いて加熱した場合、樹脂層５に含まれる水分は開口部６ｃを介して外部に排出されるので、樹脂層５とシールド層６との界面で剥離してシールド層６が膨れるのを、防止することができる。このため、高周波モジュール１に電気測定エラーや外観不良が発生するのを抑制することができる。また、膨れが増大することに起因してシールド層６と基板４のグランド層４ｂとの接続が切断されることがないので、シールド性が低下するのも抑制することができる。
【００５６】
また、上記のように、開口部６ｃは約５０μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する。これにより、水分の排出経路である開口部６ｃが形成されていることを目視でも十分確認することができる。なお、樹脂層５を黒色の樹脂により形成することによって、シールド層６と樹脂層５とのコントラストを向上させることができ、開口部６ｃが形成されていることの確認をより容易にしている。
【００５７】
また、上記のように、開口部６ｃは約１００μｍ以下の開口幅Ｗ１および開口長さＬ１を有する。これにより、開口部６ｃが大きくなり過ぎるのを抑制することができ、シールド性が低下するのを抑制することができる。
【００５８】
また、上記のように、開口部６ｃはシールド層６の上面部６ａに形成されている。これにより、剥離が生じやすい部分（樹脂層５とシールド層６の上面部６ａとの界面）近傍の水分を効率よく開口部６ｃから排出させることができるので、樹脂層５とシールド層６との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００５９】
また、上記のように、標章を兼ねるように開口部６ｃを形成すれば、標印工程を別途設ける必要がないので、製造時間が長くなるのを抑制することができる。
【００６０】
また、上記のように、樹脂層５の表面にマスク１０を配置し、樹脂層５の表面にシールド層６を配置した後、マスク１０を除去することにより、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に形成する。これにより、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に容易に形成することができる。また、シールド層６の任意の位置に開口部６ｃを形成することができる。例えば樹脂層５の厚み、電子部品（ＩＣ２および部品３）の大きさ、モジュール構成材料等により樹脂層５とシールド層６との界面に含まれる水分量が異なるので、任意の位置に開口部６ｃを形成することによって、剥離を効果的に抑えることが可能である。
【００６１】
（第２実施形態）
この第２実施形態では、図１４〜図１６、図１９、図２０および図２４〜図２６を参照して、上記第１実施形態と異なり、レーザ加工、機械加工またはエッチング加工によりシールド層６に開口部６ｃを形成する場合について説明する。
【００６２】
図１４〜図１６に示すように、上記第１実施形態と同様にして、樹脂層５に分割溝５ｅおよびビアホール５ｆを形成する。
【００６３】
そして、図２４〜図２６に示すように、樹脂層５の表面にシールド層６を配置する。その後、シールド層６の上面部６ａを選択的に除去することにより、図１９および図２０に示すように、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に形成する。このとき、レーザ装置（図示せず）を用いたレーザ加工により、シールド層６に開口部６ｃを形成してもよい。また、ドリル加工などの機械加工により、シールド層６に開口部６ｃを形成してもよい。また、ウェットエッチング加工などのエッチング加工により、シールド層６に開口部６ｃを形成してもよい。
【００６４】
そして、上記第１実施形態と同様、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、分割溝５ｅをフルカット（フルダイシング）することによって、個片化された高周波モジュール１が得られる。
【００６５】
なお、第２実施形態の構造およびその他の製造方法は、上記第１実施形態と同様である。
【００６６】
本実施形態では、上記のように、レーザ加工、機械加工またはエッチング加工によりシールド層６を選択的に除去することによって、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に形成する。これにより、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に容易に形成することができる。また、シールド層６の任意の位置に開口部６ｃを形成することができる。
【００６７】
上記第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００６８】
（第３実施形態）
図２７〜図２９を参照して、本発明の第３実施形態による高周波モジュール１の構造について説明する。
【００６９】
本発明の第３実施形態による高周波モジュール１では図２７および図２８に示すように、シールド層６の上面部６ａに、樹脂層５まで達する開口部６ｃが多数形成されている。具体的には図２９に示すように、樹脂層５の上面５ａには凹凸（複数の凹部５ｇおよび複数の凸部５ｈ）が形成されている。凹部５ｇはシールド層６で埋められている。凸部５ｈの先端面（上面）はシールド層６の表面と面一に形成されている。そして、凸部５ｈの位置に、シールド層６の開口部６ｃが形成されている。この開口部６ｃは約１μｍ以上約１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有する。また、複数の開口部６ｃは、シールド層６の上面部６ａの全域にわたって形成されている。なお、図では理解を容易にするために、開口部６ｃを大きく描いている。
【００７０】
第３実施形態のその他の構造は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００７１】
次に、図２９〜図３２を参照して、高周波モジュール１の製造方法について説明する。
【００７２】
上記第１および第２実施形態と同様にして、ＩＣ２および部品３を封止するように絶縁性のエポキシ樹脂を配置し、熱硬化させることにより樹脂層５を形成する。
【００７３】
その後、図３０および図３１に示すように、樹脂層５の上面５ａに、例えばサンドブラスト処理により、凹凸（複数の凹部５ｇおよび複数の凸部５ｈ）を形成する。このとき、後の工程で形成するシールド層６の厚みと同等以上の高さ（または深さ）を有する凹凸を形成する。例えば、シールド層６をメッキ法により形成する場合は約１３μｍ以上の高さ（または深さ）を有する凹凸を形成することが好ましく、シールド層６をスパッタ法により形成する場合は約１．７μｍ以上の高さ（または深さ）を有する凹凸を形成することが好ましい。また、このとき、後で行われる研磨工程において約１μｍ以上約１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有する開口部６ｃが形成されるように、凹部５ｇおよび凸部５ｈの寸法を設定して形成する。
【００７４】
そして、上記第１および第２実施形態と同様にして、樹脂層５に分割溝５ｅおよびビアホール５ｆを形成する。なお、樹脂層５の上面５ａに凹凸を形成する前に、樹脂層５に分割溝５ｅおよびビアホール５ｆを形成してもよい。
【００７５】
その後、図３２に示すように、樹脂層５の表面にシールド層６を配置する。そして、樹脂層５の上面５ａが露出するまでシールド層６の上面を研磨する。これにより、図２９に示すように、シールド層６に多数の開口部６ｃが形成される。このとき、凸部５ｈの先端面がシールド層６の表面に露出し、シールド層６の表面と面一になる。
【００７６】
その後、上記第１および第２実施形態と同様、ダイシングブレード（図示せず）を用いて、分割溝５ｅをフルカット（フルダイシング）することによって、個片化された高周波モジュール１が得られる。
【００７７】
なお、第３実施形態のその他の製造方法は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００７８】
本実施形態では、上記のように、約１μｍ以上の開口幅を有するように開口部６ｃを形成することによって、水分の排出経路である開口部６ｃが形成されていることを、容易に確認することができる。例えば２０倍程度の拡大鏡や実体顕微鏡を用いれば、開口部６ｃが形成されていることを十分確認することができる。
【００７９】
また、上記のように、樹脂層５の上面５ａに例えばサンドブラスト処理により凹凸（複数の凹部５ｇおよび複数の凸部５ｈ）を形成し、樹脂層５の表面にシールド層６を配置する。その後、シールド層６の上面５ａを研磨することにより、開口部６ｃをシールド層６に形成する。これにより、樹脂層５まで達する開口部６ｃをシールド層６に容易に形成することができる。
【００８０】
上記第３実施形態のその他の効果は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００８１】
（第４実施形態）
この第４実施形態では、図３０〜図３４を参照して、上記第３実施形態と異なり、成型金型５０により樹脂層５に凹凸を形成する場合について説明する。
【００８２】
内面の上面に凹凸５０ａが形成された成型金型５０（図３３参照）を用いて、図３４に示すようにＩＣ２および部品３を封止するようにエポキシ樹脂を配置（充填）し硬化させることにより、樹脂層５を形成する。これにより、図３０および図３１に示すように、樹脂層５の上面５ａに凹凸が形成される。すなわち、樹脂層５はエポキシ樹脂を用いた射出成型により形成され、射出成型時に樹脂層５の上面５ａに凹凸が形成される。
【００８３】
そして、上記第１〜第３実施形態と同様にして、樹脂層５に分割溝５ｅおよびビアホール５ｆを形成し、樹脂層５の表面にシールド層６を配置する。その後、上記第３実施形態と同様にして、樹脂層５の上面５ａが露出するまでシールド層６の上面を研磨し、分割溝５ｅをフルカット（フルダイシング）することによって、個片化された高周波モジュール１が得られる。
【００８４】
なお、第４実施形態の構造およびその他の製造方法は、上記第３実施形態と同様である。
【００８５】
本実施形態では、上記のように、内面に凹凸５０ａが形成された成型金型５０を用いることによって、表面に凹凸（複数の凹部５ｇおよび複数の凸部５ｈ）が形成された樹脂層５を容易に形成することができる。
【００８６】
上記第４実施形態のその他の効果は、上記第１〜第３実施形態と同様である。
【００８７】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００８８】
例えば、上記実施形態では、高周波モジュールを携帯電話に適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、携帯電話以外の電子機器にも適用可能である。
【００８９】
また、シールド層の材質や厚みは適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００９０】
１ 高周波モジュール
２ ＩＣ（電子部品）
３ 部品（電子部品）
４、１４ 基板
５ 樹脂層
５ａ 上面
５ｂ 側面
５ｈ 凸部
６ シールド層
６ａ 上面部
６ｂ 側面部
６ｃ 開口部
１０ マスク
５０ 成型金型
５０ａ 凹凸
Ｌ１ 開口長さ
Ｗ１ 開口幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が搭載された基板と、
前記電子部品を封止する絶縁性の樹脂層と、
前記樹脂層の表面に設けられた導電性のシールド層と、
を備え、
前記シールド層には、前記樹脂層まで達するとともに１μｍ以上の開口幅を有する開口部が形成されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記開口部は５０μｍ以上の開口幅を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記開口部は複数形成されており、
前記開口部は５０μｍ以上１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有することを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記樹脂層の表面には凹凸が形成されており、
前記樹脂層の表面の凸部の先端面と前記シールド層の表面とは面一に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記シールド層は前記樹脂層の上面に設けられた上面部と前記樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、
前記開口部は前記シールド層の上面部に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記開口部は標章を兼ねることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
電子部品が搭載された基板を準備する工程と、
前記電子部品を封止する樹脂層を設ける工程と、
前記樹脂層の表面に導電性のシールド層を設ける工程と、
を備え、
前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層まで達するとともに１μｍ以上の開口幅を有する開口部を、前記シールド層に形成する工程を含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面にマスクを配置する工程と、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
前記マスクを除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
レーザ加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
機械加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
エッチング加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記開口部は標章を兼ねることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂層を設ける工程は、
前記電子部品を封止するように前記樹脂層を配置する工程と、
前記樹脂層の表面に凹凸を形成する工程とを含み、
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
前記シールド層の表面を研磨することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂層を設ける工程は、内面に凹凸が形成された成型金型を用いて、表面に凹凸が形成された前記樹脂層を形成する工程を含み、
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
前記シールド層の表面を研磨することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記開口部は５０μｍ以上の開口幅を有することを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記開口部は複数形成されており、
前記開口部は５０μｍ以上１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有することを特徴とする請求項１５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記シールド層は前記樹脂層の上面に設けられた上面部と前記樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、
前記開口部は前記シールド層の上面部に形成されることを特徴とする請求項７〜１６のいずれか１項に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１】
電子部品が搭載された基板と、
前記電子部品を封止する絶縁性の樹脂層と、
前記樹脂層の表面に設けられた導電性のシールド層と、
を備え、
前記シールド層には、前記樹脂層まで達するとともに１μｍ以上の開口幅を有する開口部が形成されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記開口部は５０μｍ以上の開口幅を有することを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記開口部は複数形成されており、
前記開口部は５０μｍ以上１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有することを特徴とする請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記樹脂層の表面には凹凸が形成されており、
前記樹脂層の表面の凸部の先端面と前記シールド層の表面とは面一に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記シールド層は前記樹脂層の上面に設けられた上面部と前記樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、
前記開口部は前記シールド層の上面部に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記開口部は標章を兼ねることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
電子部品が搭載された基板を準備する工程と、
前記電子部品を封止する樹脂層を設ける工程と、
前記樹脂層の表面に導電性のシールド層を設ける工程と、
を備え、
前記シールド層を設ける工程は、前記樹脂層まで達するとともに１μｍ以上の開口幅を有する開口部を、前記シールド層に形成する工程を含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面にマスクを配置する工程と、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
前記マスクを除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
レーザ加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
機械加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
エッチング加工により前記シールド層を選択的に除去することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記開口部は標章を兼ねることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂層を設ける工程は、
前記電子部品を封止するように前記樹脂層を配置する工程と、
前記樹脂層の表面に凹凸を形成する工程とを含み、
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
前記シールド層の表面を研磨することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂層を設ける工程は、内面に凹凸が形成された成型金型を用いて、表面に凹凸が形成された前記樹脂層を形成する工程を含み、
前記シールド層を設ける工程は、
前記樹脂層の表面に前記シールド層を配置する工程と、
前記シールド層の表面を研磨することにより、前記樹脂層まで達する開口部を前記シールド層に形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記開口部は５０μｍ以上の開口幅を有することを特徴とする請求項７に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記開口部は複数形成されており、
前記開口部は５０μｍ以上１００μｍ以下の開口幅および開口長さを有することを特徴とする請求項１５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記シールド層は前記樹脂層の上面に設けられた上面部と前記樹脂層の側面に設けられた側面部とを含み、
前記開口部は前記シールド層の上面部に形成されることを特徴とする請求項７〜１６のいずれか１項に記載の高周波モジュールの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【公開番号】特開２０１３−５８５１３（Ｐ２０１３−５８５１３Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９４５４０（Ｐ２０１１−１９４５４０）
【出願日】平成２３年９月７日（２０１１．９．７）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月７日（２０１１．９．７）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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