高圧力蒸着及び低圧力エッチング処理の組み合わせにおける均一プラズマのためのＩＰＶＤのためのＩＣＰ源
【課題】比較的低圧力及び比較的高圧力の両方で均一なプラズマを生成できるｉＰＶＤ源を提供する。またスパッタ−エッチングのための金属蒸着に対する均一なプラズマを提供する。
【解決手段】比較的低圧力(5mTorr)動作及び比較的高圧力(65mTorr)動作で均一なプラズマ濃度を持つ均一な金属蒸着のためのイオン化物理的気相蒸着(iPVD)源を使用するシステムと方法を提供する。均一性を強化する低圧力動作では、磁石構造がプラズマをチャンバ周辺に移動するために誘導結合プラズマ(ICP)源と組み合わされ、一方、高圧力動作でプラズマのランダム化または熱運動化によってプラズマ均一性が促進される。これにより、組み合わされた連続的な蒸着−エッチング処理における蒸着およびエッチングの両方のための、また、無網状蒸着(NND)および低網状蒸着(LND)の蒸着−エッチング処理のための均一性が提供される。
【解決手段】比較的低圧力(5mTorr)動作及び比較的高圧力(65mTorr)動作で均一なプラズマ濃度を持つ均一な金属蒸着のためのイオン化物理的気相蒸着(iPVD)源を使用するシステムと方法を提供する。均一性を強化する低圧力動作では、磁石構造がプラズマをチャンバ周辺に移動するために誘導結合プラズマ(ICP)源と組み合わされ、一方、高圧力動作でプラズマのランダム化または熱運動化によってプラズマ均一性が促進される。これにより、組み合わされた連続的な蒸着−エッチング処理における蒸着およびエッチングの両方のための、また、無網状蒸着(NND)および低網状蒸着(LND)の蒸着−エッチング処理のための均一性が提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの製造での使用のための誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源に関わる。本発明は、特に、広い圧力範囲にわたってプラズマ均一性が好ましいものである状況での比較的高圧力なイオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）と比較的低圧力なエッチング連続処理とシステムに関係し、さらに、無網状蒸着（ＮＮＤ）および低網状蒸着（ＬＮＤ）をもたらす同時的な蒸着とエッチング処理に関係する。
【背景技術】
【０００２】
高アスペクト比とサブミクロンで特徴付けられた半導体ウェハ上への薄膜の蒸着のためには、イオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）が最も有用であるということが分かった。特許文献１、特許文献２、特許文献３、および特許文献４に記載された特徴をもった装置は、特に連続的または同時的な蒸着およびエッチング処理に対してよく適している。連続的な蒸着とエッチング処理は、真空を破ることなく、またはチャンバからチャンバにウェハを移動させなることなく同じ処理チャンバ内で一基板に適用されうる。この装置の形状は、イオン化ＰＶＤモードからエッチングモードへの、またはエッチングモードからイオン化ＰＶＤモードへの速やかな移行が可能である。この装置の形状は、蒸着モードの際のイオン化ＰＶＤ処理制御パラメータと、エッチングモードの際のエッチング処理制御パラメータとの同時的な最適化をも可能にする。
【０００３】
このイオン化ＰＶＤの利点について、その性能を最大限利用するのには依然としていくつかの制約条件がある。例えば、既存のハードウェアは、広いプロセスウインドウ(process window)上で、蒸着とエッチング処理双方の均一性を同時に最適化することが可能ではない。環状のターゲットは、平面状蒸着均一性のための優れた条件を提供する一方で、均一なエッチング処理のための広範囲の低圧力プラズマを生成するのに広範囲の誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を使用することは、幾何学構造的に制限される。軸方向に基板に整列されたＩＣＰ源(ICP source：ＩＣＰソース)は、ターゲットからスパッタリングされた金属蒸気をイオン化させ、またウェハ中央における特徴(または形状：feature)を満たすのに最適である一方で、それは、組み合わせられた蒸着およびエッチング処理、または無網状蒸着（ＮＮＤ：no-net-deposition）や低網状蒸着（ＬＮＤ：low-not-deposition）での均一なエッチングを提供しないような、軸方向にピークをもつ高濃度プラズマプロフィールを作り出す。これらの処理では、ウェハの増加したバイアスでエッチングが起こるので、蒸着された金属は、蒸着の間に平面領域から除去されるが、一方、特徴(または形状：feature)の側壁には残留する。この網（ネット）処理(net process)は、その特徴(または形状：feature)の底部に薄膜の蒸着物を残留させる。
【０００４】
特許文献２のｉＰＶＤ源は高い金属比と均一な金属蒸着物を提供する。エッチングは特許文献５のようなｉＰＶＤ処理と組み合わせることができる。この組み合わせが低網状蒸着処理または無網状蒸着処理を実現するのに使われるとき、ウェハのスパッタ−エッチング(sputter-etching)の連続的またはパルス状いずれかの処理ステップが使われうる。しかしながら、コンパクトで中央に配置されたＲＦコイルおよびバッフル(baffle：調節部材)によって、エッチングのために通常好まれる低い圧力においてプラズマがチャンバ中央の方に集中する傾向に起因して、不均一なプラズマがエッチングの間にもたらされる可能性がある。
【０００５】
研究者らは誘導結合プラズマ源内のプラズマプロフィールに対するチャンバ幾何学構成と圧力の影響を調査してきた。高圧力（数十ｍＴｏｒｒ）において均一なプラズマプロフィールを実現するために、ＲＦコイルが円筒形状のチャンバ周囲の方に置かれた。また、低圧力動作の間に、プラズマプロフィールは、エッジから中央へのプラズマ濃度比が０．４〜０．５である状態で、ＲＦコイルの位置にかかわらずドーム形の傾向となる、ということも示された。
【０００６】
したがって、スパッタ−エッチングのために比較的低圧力（例えば約６ｍＴｏｒｒ）の、また均一な金属蒸着のために、またＬＮＤ処理とＮＮＤ処理のために比較的高圧力（例えば約６５ｍＴｏｒｒ）の、両方における均一なプラズマを生成することができるｉＰＶＤ源を提供する必要が残っている。
【特許文献１】米国特許第６,２８７,４３５号明細書
【特許文献２】米国特許第６,０８０,２８７号明細書
【特許文献３】米国特許第６,１９７,１６５号明細書
【特許文献４】米国特許第６,１３２,５６４号明細書
【特許文献５】米国特許第６,７５５,９４５号明細書
【特許文献６】米国特許第６,７１９,８８６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、比較的低圧力および比較的高圧力の両方において均一なプラズマを生成することができるｉＰＶＤ源を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、スパッタ−エッチングのための金属蒸着に対する均一なプラズマを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の原理によれば、ｉＰＶＤ源には、ＩＣＰアンテナと、チャンバの周囲に向かって高エネルギー電子を捕獲するよう構成された周囲の磁界が提供され、それによって低いチャンバ圧力またはエッチングの間のチャンバ中央における高エネルギー電子の集中が低減する。本発明の実施の形態では、周囲の磁界を使用して連続的な蒸着とエッチング処理、およびＮＮＤ処理とＬＮＤ処理を含む同時的な蒸着−エッチング処理でのプラズマ均一性を改善する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のこれらおよび他の目的と利点は、本発明の例示的な実施形態の詳細な説明から容易に一層明らかとなるであろう。
【００１１】
ｉＰＶＤ処理装置１０の一実施形態を図１に示す。装置１０は、底部にあって処理のためにウェハ１５を上に保持するサポート１４、およびプラズマ源(plasma source：プラズマソース)３０とコーティング材料源(coating material source：コーティング材料ソース)４０を含む源(source：ソース)２０を備えた真空処理チャンバ１２を含む。コーティング材料源４０は、チャンバ１２上にあり、また真空チャンバ１２と連通するスパッタリング表面４４を持ったスパッタリングターゲット４２を含む。ターゲット４２は、チャンバ１２を囲むチャンバ壁１１における開口にマウントされ、そのチャンバ１２はターゲット４２とは非電導性であるか、またはそれから絶縁されている。通常、冷却システム（図示せず）も提供される。材料源４０は、ターゲット４２の頂部（後部）側にマグネトロン磁石（図示せず）をも含むことができ、その磁石は固定または回転磁石のような可動の磁石を含みうる。材料源４０には、ターゲット４２のスパッタリング表面４４に近接して閉じ込められたスパッタリングプラズマを形成するための、通常は直流（ＤＣ）電気エネルギーのスパッタリング電力源(sputtering power source)（やはり図示せず）も提供される。
【００１２】
プラズマ源３０は、チャンバ壁１１の円筒形状の側壁部を形成する誘電体ウインドウ３２、誘電体ウインドウ３２の外部を囲むらせん形コイルとして示されたＲＦアンテナ３４、および、チャンバ１２内部からのコーティングによる汚染から誘電体ウインドウ３２をシールドする円筒形状で、軸方向にスロットを設けた導電性の蒸着バッフル３６を含む。アンテナ３４はチャンバ１２中に誘導ＲＦエネルギーを結合し、チャンバ１２に高濃度プラズマを形成するよう設定される。
【００１３】
プラズマ源３０は、チャンバ１２外側のプラズマ源３０の外周の周りに間隔を置いて多くの磁石５０を有する。示された実施形態では、反対の極５１と５２を持つ磁石５０は、磁石の極軸がそれぞれの極の間に軸方向に延在し、極５１と５２の間に延びる磁界７０内で誘電体ウインドウ３２におけるチャンバ壁１１の各部分を取り囲むように同じ方向に整列した状態で、チャンバ１２の周囲に近接して隔てられている。磁石５０は例えば馬蹄形に形成でき、一対の棒磁石５３と５４を含み、極の一つが、誘電体ウインドウ３２に近接して置かれた極５１または５２のいずれか一つであるように、また他方の極が磁心材料５６のバーに隣接する状態で、配置された一対の極を備える。磁石５０は、好ましくは、銅、銀、またはニッケルの薄層によってＲＦシールドされ、少なくとも空冷される。磁石５０には、冷却システム（図示せず）をも提供できる。例えば、磁石５０はウォータージャケット(water jacket)の内部に、または隣接して置くことができる。
【００１４】
図１に示した実施形態において、永久磁界７０は極５１，５２の間に軸方向に延在し、チャンバ１２内部でかつシールド３６内部のアンテナ３４の導体の周りに弧を描き、ウインドウ３２の内側の周りに円周状の磁気トンネルを形成する。低圧力、特に、例えば約２０ｍＴｏｒｒを下回るエッチングに使われるレベルにおいて、磁界はコイル３４近くの高エネルギーの電子を捕獲して、チャンバ１２を横切って流れることを妨げ、その状況で、それらがチャンバ１２の中央近くに集中するようになる、と信じられている。そしてこれらの電子は、チャンバ周囲において、よりイオン化させるようになる。このエッジで重み付けされたイオン化は、プラズマイオン濃度が中央でドーム化の少ない状況、または集中がより少ない状況で、チャンバ１２全体に、より均一なプラズマ分布を提供することになる。
【００１５】
さらに、高圧力、特に、例えば約３０ｍＴｏｒｒを上回る圧力でのｉＰＶＤに使われるレベルにおいて、頻繁な衝突が十分に電子の動きをランダム化するので、それらは磁界の影響を感じず、そしてプラズマ濃度分布は磁石アセンブリの付加によって変化しない状態のままである、と信じられている。しかしながら、このような場合、それは、チャンバ１２を横切ってコイル付近の領域からチャンバ中央に向かって高エネルギー電子が流れることを避ける背景ガス(background gas：バックグラウンドガス)との頻繁な衝突となる。それよりむしろ、それらは、結局のところチャンバ全体に導くことになるランダムな動きをするだろうが、しかしコイルの近くでそのエネルギーの大部分を消散させることになるこのような遅いペースで、再びエッジで強化されたイオン化を提供する。
【００１６】
もし低圧力コーティング処理を使用するか、または蒸着の間に磁界を除去する他の理由があるならば、永久磁石またはその一部は、エッチングおよび蒸着のそれぞれの間に所定位置にまたは所定位置から置き換えるように動かすことができる。電気的にオン・オフを切り替えることのできる電磁石をその代わりに使用できるが、永久磁石ほどの効果はなく、実際的でない。
【００１７】
磁界の形状よりむしろコイル３４近くの磁界の存在が、上述と類似の利点を提供するはずである。例えば、図５に示すような部分で構成された磁石５５ａが、コイル３４のさらに限定された部分を囲む軸方向に向けられたトンネルを規定する多くの磁石先端(casp：カスプ)をその磁界５５ａが作るように、外側に間隔を置いて、チャンバ１２の周りに提供できる。磁石５５の磁界は、低圧力においてプラズマを平らにするように、シールド３６内のウインドウ３２の内側近くに電子を保持する何らかの効果を、チャンバ１２内で持つことになる。プラズマ平坦化の効果を引き起こすのに他の磁石形状も使うことができる。
【００１８】
最高３０ｃｍの直径のウェハのために設計された源２０の最大半径として、５０．５ｃｍが可能であり、それは現在の多くのｉＰＶＤモジュールよりかなりより小さい。このような源２０は、平らなターゲットおよび円錐台形のターゲットを含んだ種々の形のターゲットを含むことができる。約１０度から水平までの円錐角を持った円錐台形ターゲットは、特に実用性が期待できる。現在のｉＰＶＤモジュールの大きさは、ウェハの上にプラズマを可能な限り均一に保つ要求によって、また半径方向の同時二極性電界を低減する要求によって操作されていた。その目的を達成するために、大きな空間がウェハ１５の周りに提供されていた。本発明の上述の実施形態による源２０によれば、プラズマは設計的に均一となり、そして半径方向の同時二極性電界は非常に小さくなる。チャンバの半径上の唯一の制約は、金属輸送と壁に対する損失であって、その状況はチャンバ直径の縮小がバッフル上に蒸着される金属の割合を増加させることである。
【００１９】
小さな処理容量の理由から、必要とされるＲＦ電力は、現在の典型的なｉＰＶＤシステムにおける５．５ｋＷａｔｔ未満とできる。より小さなサイズのものはコイルインダクタンスをも低減し、１３．５６ＭＨｚにおける動作をより容易に達成させる。コイルの巻き数またはアンテナ３４もまた最適化できる。２ＭＨｚにおける動作が特に有用であると期待される。
【００２０】
バッフル３６には、好ましくは、スロット３８を通してウインドウ３２にコーティング材料の流れることを防ぐための山形(chevron)をした断面を備えるスロット３８が提供される。円筒形状のバッフル３６は、源がチャンバの端部にアンテナを備えた状態で使われる円形のバッフルよりも遥かに大きな表面積を持っている。これは、通過する減少させたパワー流れと組み合わせて、バッフル３２への熱負荷を減らす。このようなバッフル３２は、冷却シンク(sink)との接触によって十分に冷却でき、チャンバ壁の一部とできる。状況に応じて、バッフルは、図２に示したようにバッフルの上端と底部に沿ってチャンネルを通る水流によって冷却することができる。
【００２１】
バッフル３６には、図４に示すように、チャンバ壁１１においてバッフル３６を連結する上側サポートフランジ６０も提供できる。壁１１において、バッフル３６がチャンバ壁１１と異なる電位が維持されるのかどうかに応じて、バッフル３６は壁１１から絶縁されるか、または電気的に接続されることが可能である。通常、バッフルフランジ６０はウインドウ３２とチャンバ壁１１との間にあり、チャンバ壁１１から良好にＲＦ接地される。
【００２２】
フランジ６０は、その頂部周りに上部冷却流体チャンネル６１を持ち、冷却流体が流入口６２を通って供給される。図３に示すように、チャンネル６１は、バッフル３６底部のリムにおける下側の冷却流体チャンネル６４に繋がる２つのスロット３８の間に縦チャンネル６３を通して接続されている。下側のチャンネル６４は、さらに、リム６０における流体流出口６６への別の２つのスロット３８の間に他の縦チャンネル６５を通して接続されている。フランジ６０のリムにおける流入口６１と流出口６６によって、チャンバ１２の真空中ではなくむしろ標準圧力における雰囲気中で、水か他の液体供給が可能となる。水はまず流入口６２から流れ込み、そしてバッフルの上側リング６１を通り、それからバッフルリブの１つにある縦チャンネル６３に沿って下側リング６４に流れ込む。下側リング６４での横断が完了した後、水は縦チャンネル６５に沿って頂部のリング６１に流れ込み、そしてその場所で最終的に流出口６６を介してバッフル３６から流れ出る。
【００２３】
源２０はチャンバシールドを必要としない。その代わりに、壁１１の露出した部分はアルミニウムから作られ、そして、その内側表面が材料付着力を促進するように処理された状態で水冷される。そして壁１１は定期的に洗浄でき、通常は、その壁が洗浄された壁に取り替えられ、そして取り外された壁が洗浄および修理に送られる。
【００２４】
この源２０は、整備の見地からいくつかの利点を持っている。ターゲット４２はＲＦ源３０から分離される。それによって、ターゲット４２を交換することは、プラズマと材料源を組み合せる設計よりも遥かに単純で迅速である。同様に、チャンバ壁１１は取り外して洗浄することができる。しかも、この部分は、ターゲットを取り外して交換するためのホイスト（引き上げ装置）の必要性を排除するのに十分な軽さである。小さなフットプリント(footprint：占有面積)と単純なコイル設計もまたコストを低減する。
【００２５】
ｉＰＶＤタイプの半導体ウェハ処理装置についての例は、特許文献２、特許文献１、特許文献６に記載されている。本発明の例は図１の装置１０との関連で記載されているにもかかわらず、他のタイプのシステムにさえも適用できる。
【００２６】
本発明の特定の模範的な実施形態のみを上記で詳細に記述してきたが、当技術分野の当業者ならば、本発明の新規な教示と利点から実質的に逸脱することなく、多くの修正が上記模範的な実施形態において可能である、ということが容易に理解できるであろう。したがって、そのような修正のすべてが本発明の範囲の中に含まれることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態による源を持つ処理装置の断面斜視図である。
【図２】図１の処理装置の源の蒸着バッフルの一部の斜視図である。
【図３】図２のバッフルに対する冷却チャンネル形状を示す概略図である。
【図４】図１の一部を通して図２のバッフルを示す図である。
【図５】図１に示す実施形態に対する代案の磁石形状を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０ ｉＰＶＤ処理装置
１１ チャンバ壁
１２ 真空チャンバ
１４ サポート
１５ ウェハ
２０ 源
３０ プラズマ源
３２ 誘電体ウインドウ
３４ ＲＦアンテナ（コイル）
３６ バッフル
３８ スロット
４０ コーティング源
４２ スパッタリングターゲット
４４ スパッタリング表面
５０ 磁石
５１，５２ 極
５３ 棒磁石
５５ 磁石
５５ａ 磁界
５６ 磁心材料
６０ バッフルフランジ
６１ 冷却流体チャンネル
６２ 流入口
６３ 縦チャンネル
６４ 冷却流体チャンネル
６５ 縦チャンネル
６６ 流出口
７０ 永久磁界
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの製造での使用のための誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源に関わる。本発明は、特に、広い圧力範囲にわたってプラズマ均一性が好ましいものである状況での比較的高圧力なイオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）と比較的低圧力なエッチング連続処理とシステムに関係し、さらに、無網状蒸着（ＮＮＤ）および低網状蒸着（ＬＮＤ）をもたらす同時的な蒸着とエッチング処理に関係する。
【背景技術】
【０００２】
高アスペクト比とサブミクロンで特徴付けられた半導体ウェハ上への薄膜の蒸着のためには、イオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）が最も有用であるということが分かった。特許文献１、特許文献２、特許文献３、および特許文献４に記載された特徴をもった装置は、特に連続的または同時的な蒸着およびエッチング処理に対してよく適している。連続的な蒸着とエッチング処理は、真空を破ることなく、またはチャンバからチャンバにウェハを移動させなることなく同じ処理チャンバ内で一基板に適用されうる。この装置の形状は、イオン化ＰＶＤモードからエッチングモードへの、またはエッチングモードからイオン化ＰＶＤモードへの速やかな移行が可能である。この装置の形状は、蒸着モードの際のイオン化ＰＶＤ処理制御パラメータと、エッチングモードの際のエッチング処理制御パラメータとの同時的な最適化をも可能にする。
【０００３】
このイオン化ＰＶＤの利点について、その性能を最大限利用するのには依然としていくつかの制約条件がある。例えば、既存のハードウェアは、広いプロセスウインドウ(process window)上で、蒸着とエッチング処理双方の均一性を同時に最適化することが可能ではない。環状のターゲットは、平面状蒸着均一性のための優れた条件を提供する一方で、均一なエッチング処理のための広範囲の低圧力プラズマを生成するのに広範囲の誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を使用することは、幾何学構造的に制限される。軸方向に基板に整列されたＩＣＰ源(ICP source：ＩＣＰソース)は、ターゲットからスパッタリングされた金属蒸気をイオン化させ、またウェハ中央における特徴(または形状：feature)を満たすのに最適である一方で、それは、組み合わせられた蒸着およびエッチング処理、または無網状蒸着（ＮＮＤ：no-net-deposition）や低網状蒸着（ＬＮＤ：low-not-deposition）での均一なエッチングを提供しないような、軸方向にピークをもつ高濃度プラズマプロフィールを作り出す。これらの処理では、ウェハの増加したバイアスでエッチングが起こるので、蒸着された金属は、蒸着の間に平面領域から除去されるが、一方、特徴(または形状：feature)の側壁には残留する。この網（ネット）処理(net process)は、その特徴(または形状：feature)の底部に薄膜の蒸着物を残留させる。
【０００４】
特許文献２のｉＰＶＤ源は高い金属比と均一な金属蒸着物を提供する。エッチングは特許文献５のようなｉＰＶＤ処理と組み合わせることができる。この組み合わせが低網状蒸着処理または無網状蒸着処理を実現するのに使われるとき、ウェハのスパッタ−エッチング(sputter-etching)の連続的またはパルス状いずれかの処理ステップが使われうる。しかしながら、コンパクトで中央に配置されたＲＦコイルおよびバッフル(baffle：調節部材)によって、エッチングのために通常好まれる低い圧力においてプラズマがチャンバ中央の方に集中する傾向に起因して、不均一なプラズマがエッチングの間にもたらされる可能性がある。
【０００５】
研究者らは誘導結合プラズマ源内のプラズマプロフィールに対するチャンバ幾何学構成と圧力の影響を調査してきた。高圧力（数十ｍＴｏｒｒ）において均一なプラズマプロフィールを実現するために、ＲＦコイルが円筒形状のチャンバ周囲の方に置かれた。また、低圧力動作の間に、プラズマプロフィールは、エッジから中央へのプラズマ濃度比が０．４〜０．５である状態で、ＲＦコイルの位置にかかわらずドーム形の傾向となる、ということも示された。
【０００６】
したがって、スパッタ−エッチングのために比較的低圧力（例えば約６ｍＴｏｒｒ）の、また均一な金属蒸着のために、またＬＮＤ処理とＮＮＤ処理のために比較的高圧力（例えば約６５ｍＴｏｒｒ）の、両方における均一なプラズマを生成することができるｉＰＶＤ源を提供する必要が残っている。
【特許文献１】米国特許第６,２８７,４３５号明細書
【特許文献２】米国特許第６,０８０,２８７号明細書
【特許文献３】米国特許第６,１９７,１６５号明細書
【特許文献４】米国特許第６,１３２,５６４号明細書
【特許文献５】米国特許第６,７５５,９４５号明細書
【特許文献６】米国特許第６,７１９,８８６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、比較的低圧力および比較的高圧力の両方において均一なプラズマを生成することができるｉＰＶＤ源を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、スパッタ−エッチングのための金属蒸着に対する均一なプラズマを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の原理によれば、ｉＰＶＤ源には、ＩＣＰアンテナと、チャンバの周囲に向かって高エネルギー電子を捕獲するよう構成された周囲の磁界が提供され、それによって低いチャンバ圧力またはエッチングの間のチャンバ中央における高エネルギー電子の集中が低減する。本発明の実施の形態では、周囲の磁界を使用して連続的な蒸着とエッチング処理、およびＮＮＤ処理とＬＮＤ処理を含む同時的な蒸着−エッチング処理でのプラズマ均一性を改善する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のこれらおよび他の目的と利点は、本発明の例示的な実施形態の詳細な説明から容易に一層明らかとなるであろう。
【００１１】
ｉＰＶＤ処理装置１０の一実施形態を図１に示す。装置１０は、底部にあって処理のためにウェハ１５を上に保持するサポート１４、およびプラズマ源(plasma source：プラズマソース)３０とコーティング材料源(coating material source：コーティング材料ソース)４０を含む源(source：ソース)２０を備えた真空処理チャンバ１２を含む。コーティング材料源４０は、チャンバ１２上にあり、また真空チャンバ１２と連通するスパッタリング表面４４を持ったスパッタリングターゲット４２を含む。ターゲット４２は、チャンバ１２を囲むチャンバ壁１１における開口にマウントされ、そのチャンバ１２はターゲット４２とは非電導性であるか、またはそれから絶縁されている。通常、冷却システム（図示せず）も提供される。材料源４０は、ターゲット４２の頂部（後部）側にマグネトロン磁石（図示せず）をも含むことができ、その磁石は固定または回転磁石のような可動の磁石を含みうる。材料源４０には、ターゲット４２のスパッタリング表面４４に近接して閉じ込められたスパッタリングプラズマを形成するための、通常は直流（ＤＣ）電気エネルギーのスパッタリング電力源(sputtering power source)（やはり図示せず）も提供される。
【００１２】
プラズマ源３０は、チャンバ壁１１の円筒形状の側壁部を形成する誘電体ウインドウ３２、誘電体ウインドウ３２の外部を囲むらせん形コイルとして示されたＲＦアンテナ３４、および、チャンバ１２内部からのコーティングによる汚染から誘電体ウインドウ３２をシールドする円筒形状で、軸方向にスロットを設けた導電性の蒸着バッフル３６を含む。アンテナ３４はチャンバ１２中に誘導ＲＦエネルギーを結合し、チャンバ１２に高濃度プラズマを形成するよう設定される。
【００１３】
プラズマ源３０は、チャンバ１２外側のプラズマ源３０の外周の周りに間隔を置いて多くの磁石５０を有する。示された実施形態では、反対の極５１と５２を持つ磁石５０は、磁石の極軸がそれぞれの極の間に軸方向に延在し、極５１と５２の間に延びる磁界７０内で誘電体ウインドウ３２におけるチャンバ壁１１の各部分を取り囲むように同じ方向に整列した状態で、チャンバ１２の周囲に近接して隔てられている。磁石５０は例えば馬蹄形に形成でき、一対の棒磁石５３と５４を含み、極の一つが、誘電体ウインドウ３２に近接して置かれた極５１または５２のいずれか一つであるように、また他方の極が磁心材料５６のバーに隣接する状態で、配置された一対の極を備える。磁石５０は、好ましくは、銅、銀、またはニッケルの薄層によってＲＦシールドされ、少なくとも空冷される。磁石５０には、冷却システム（図示せず）をも提供できる。例えば、磁石５０はウォータージャケット(water jacket)の内部に、または隣接して置くことができる。
【００１４】
図１に示した実施形態において、永久磁界７０は極５１，５２の間に軸方向に延在し、チャンバ１２内部でかつシールド３６内部のアンテナ３４の導体の周りに弧を描き、ウインドウ３２の内側の周りに円周状の磁気トンネルを形成する。低圧力、特に、例えば約２０ｍＴｏｒｒを下回るエッチングに使われるレベルにおいて、磁界はコイル３４近くの高エネルギーの電子を捕獲して、チャンバ１２を横切って流れることを妨げ、その状況で、それらがチャンバ１２の中央近くに集中するようになる、と信じられている。そしてこれらの電子は、チャンバ周囲において、よりイオン化させるようになる。このエッジで重み付けされたイオン化は、プラズマイオン濃度が中央でドーム化の少ない状況、または集中がより少ない状況で、チャンバ１２全体に、より均一なプラズマ分布を提供することになる。
【００１５】
さらに、高圧力、特に、例えば約３０ｍＴｏｒｒを上回る圧力でのｉＰＶＤに使われるレベルにおいて、頻繁な衝突が十分に電子の動きをランダム化するので、それらは磁界の影響を感じず、そしてプラズマ濃度分布は磁石アセンブリの付加によって変化しない状態のままである、と信じられている。しかしながら、このような場合、それは、チャンバ１２を横切ってコイル付近の領域からチャンバ中央に向かって高エネルギー電子が流れることを避ける背景ガス(background gas：バックグラウンドガス)との頻繁な衝突となる。それよりむしろ、それらは、結局のところチャンバ全体に導くことになるランダムな動きをするだろうが、しかしコイルの近くでそのエネルギーの大部分を消散させることになるこのような遅いペースで、再びエッジで強化されたイオン化を提供する。
【００１６】
もし低圧力コーティング処理を使用するか、または蒸着の間に磁界を除去する他の理由があるならば、永久磁石またはその一部は、エッチングおよび蒸着のそれぞれの間に所定位置にまたは所定位置から置き換えるように動かすことができる。電気的にオン・オフを切り替えることのできる電磁石をその代わりに使用できるが、永久磁石ほどの効果はなく、実際的でない。
【００１７】
磁界の形状よりむしろコイル３４近くの磁界の存在が、上述と類似の利点を提供するはずである。例えば、図５に示すような部分で構成された磁石５５ａが、コイル３４のさらに限定された部分を囲む軸方向に向けられたトンネルを規定する多くの磁石先端(casp：カスプ)をその磁界５５ａが作るように、外側に間隔を置いて、チャンバ１２の周りに提供できる。磁石５５の磁界は、低圧力においてプラズマを平らにするように、シールド３６内のウインドウ３２の内側近くに電子を保持する何らかの効果を、チャンバ１２内で持つことになる。プラズマ平坦化の効果を引き起こすのに他の磁石形状も使うことができる。
【００１８】
最高３０ｃｍの直径のウェハのために設計された源２０の最大半径として、５０．５ｃｍが可能であり、それは現在の多くのｉＰＶＤモジュールよりかなりより小さい。このような源２０は、平らなターゲットおよび円錐台形のターゲットを含んだ種々の形のターゲットを含むことができる。約１０度から水平までの円錐角を持った円錐台形ターゲットは、特に実用性が期待できる。現在のｉＰＶＤモジュールの大きさは、ウェハの上にプラズマを可能な限り均一に保つ要求によって、また半径方向の同時二極性電界を低減する要求によって操作されていた。その目的を達成するために、大きな空間がウェハ１５の周りに提供されていた。本発明の上述の実施形態による源２０によれば、プラズマは設計的に均一となり、そして半径方向の同時二極性電界は非常に小さくなる。チャンバの半径上の唯一の制約は、金属輸送と壁に対する損失であって、その状況はチャンバ直径の縮小がバッフル上に蒸着される金属の割合を増加させることである。
【００１９】
小さな処理容量の理由から、必要とされるＲＦ電力は、現在の典型的なｉＰＶＤシステムにおける５．５ｋＷａｔｔ未満とできる。より小さなサイズのものはコイルインダクタンスをも低減し、１３．５６ＭＨｚにおける動作をより容易に達成させる。コイルの巻き数またはアンテナ３４もまた最適化できる。２ＭＨｚにおける動作が特に有用であると期待される。
【００２０】
バッフル３６には、好ましくは、スロット３８を通してウインドウ３２にコーティング材料の流れることを防ぐための山形(chevron)をした断面を備えるスロット３８が提供される。円筒形状のバッフル３６は、源がチャンバの端部にアンテナを備えた状態で使われる円形のバッフルよりも遥かに大きな表面積を持っている。これは、通過する減少させたパワー流れと組み合わせて、バッフル３２への熱負荷を減らす。このようなバッフル３２は、冷却シンク(sink)との接触によって十分に冷却でき、チャンバ壁の一部とできる。状況に応じて、バッフルは、図２に示したようにバッフルの上端と底部に沿ってチャンネルを通る水流によって冷却することができる。
【００２１】
バッフル３６には、図４に示すように、チャンバ壁１１においてバッフル３６を連結する上側サポートフランジ６０も提供できる。壁１１において、バッフル３６がチャンバ壁１１と異なる電位が維持されるのかどうかに応じて、バッフル３６は壁１１から絶縁されるか、または電気的に接続されることが可能である。通常、バッフルフランジ６０はウインドウ３２とチャンバ壁１１との間にあり、チャンバ壁１１から良好にＲＦ接地される。
【００２２】
フランジ６０は、その頂部周りに上部冷却流体チャンネル６１を持ち、冷却流体が流入口６２を通って供給される。図３に示すように、チャンネル６１は、バッフル３６底部のリムにおける下側の冷却流体チャンネル６４に繋がる２つのスロット３８の間に縦チャンネル６３を通して接続されている。下側のチャンネル６４は、さらに、リム６０における流体流出口６６への別の２つのスロット３８の間に他の縦チャンネル６５を通して接続されている。フランジ６０のリムにおける流入口６１と流出口６６によって、チャンバ１２の真空中ではなくむしろ標準圧力における雰囲気中で、水か他の液体供給が可能となる。水はまず流入口６２から流れ込み、そしてバッフルの上側リング６１を通り、それからバッフルリブの１つにある縦チャンネル６３に沿って下側リング６４に流れ込む。下側リング６４での横断が完了した後、水は縦チャンネル６５に沿って頂部のリング６１に流れ込み、そしてその場所で最終的に流出口６６を介してバッフル３６から流れ出る。
【００２３】
源２０はチャンバシールドを必要としない。その代わりに、壁１１の露出した部分はアルミニウムから作られ、そして、その内側表面が材料付着力を促進するように処理された状態で水冷される。そして壁１１は定期的に洗浄でき、通常は、その壁が洗浄された壁に取り替えられ、そして取り外された壁が洗浄および修理に送られる。
【００２４】
この源２０は、整備の見地からいくつかの利点を持っている。ターゲット４２はＲＦ源３０から分離される。それによって、ターゲット４２を交換することは、プラズマと材料源を組み合せる設計よりも遥かに単純で迅速である。同様に、チャンバ壁１１は取り外して洗浄することができる。しかも、この部分は、ターゲットを取り外して交換するためのホイスト（引き上げ装置）の必要性を排除するのに十分な軽さである。小さなフットプリント(footprint：占有面積)と単純なコイル設計もまたコストを低減する。
【００２５】
ｉＰＶＤタイプの半導体ウェハ処理装置についての例は、特許文献２、特許文献１、特許文献６に記載されている。本発明の例は図１の装置１０との関連で記載されているにもかかわらず、他のタイプのシステムにさえも適用できる。
【００２６】
本発明の特定の模範的な実施形態のみを上記で詳細に記述してきたが、当技術分野の当業者ならば、本発明の新規な教示と利点から実質的に逸脱することなく、多くの修正が上記模範的な実施形態において可能である、ということが容易に理解できるであろう。したがって、そのような修正のすべてが本発明の範囲の中に含まれることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態による源を持つ処理装置の断面斜視図である。
【図２】図１の処理装置の源の蒸着バッフルの一部の斜視図である。
【図３】図２のバッフルに対する冷却チャンネル形状を示す概略図である。
【図４】図１の一部を通して図２のバッフルを示す図である。
【図５】図１に示す実施形態に対する代案の磁石形状を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０ ｉＰＶＤ処理装置
１１ チャンバ壁
１２ 真空チャンバ
１４ サポート
１５ ウェハ
２０ 源
３０ プラズマ源
３２ 誘電体ウインドウ
３４ ＲＦアンテナ（コイル）
３６ バッフル
３８ スロット
４０ コーティング源
４２ スパッタリングターゲット
４４ スパッタリング表面
５０ 磁石
５１，５２ 極
５３ 棒磁石
５５ 磁石
５５ａ 磁界
５６ 磁心材料
６０ バッフルフランジ
６１ 冷却流体チャンネル
６２ 流入口
６３ 縦チャンネル
６４ 冷却流体チャンネル
６５ 縦チャンネル
６６ 流出口
７０ 永久磁界
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高アスペクト比で、サブミクロンによって特徴付けられ半導体ウェハ上に薄膜を蒸着する方法において、
真空チャンバ内で複数の処理において連続的に半導体ウェハを処理する段階であって、イオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）処理およびスパッタエッチング処理を含んだ段階と、
ｉＰＶＤ処理であって、
ターゲットから前記真空処理チャンバ内の処理スペースに、コーティング材料をスパッタリングする段階と、
アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成する段階と、
前記処理スペースのプラズマ中でスパッタされたコーティング材料をイオン化させ、前記処理スペースから基板上へイオン化したスパッタ材料を蒸着する段階と、
を含む処理と、
エッチング処理であって、
前記アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成する段階と、
前記処理スペースのプラズマ中でプロセスガスをイオン化させる段階と、
前記処理チャンバの周辺付近の少なくともいくらかのプラズマを磁気的に閉じ込める段階と、
前記イオン化されたプロセスガスによって基板サポート上の前記基板をエッチングする段階と、
を含む処理と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記蒸着処理と前記エッチング処理とは連続的に行なわれる
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記蒸着処理と前記エッチング処理とは同時的に行なわれる
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記蒸着処理と前記エッチング処理は、基板の平らな領域上に網状蒸着をもたらさないように同時に行なわれる
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記蒸着処理と前記エッチング処理は、基板の平らな領域上に低網状蒸着をもたらすように同時に行なわれる
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチング処理の間の前記処理チャンバの周辺付近の少なくともいくらかのプラズマを磁気的に閉じ込める段階は、前記蒸着処理および前記エッチング処理の両方の間に、前記チャンバの周りに磁石を提供することによって達成される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記蒸着処理の間に第１の圧力に前記チャンバを保持し、前記エッチング処理の間に、より低い第２の圧力に前記チャンバを保持する段階を、さらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の圧力は少なくとも３０ｍＴｏｒｒであり、前記第２の圧力は１０ｍＴｏｒｒ未満である
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の圧力は約６５ｍＴｏｒｒであり、前記第２の圧力は約５１０ｍＴｏｒｒである
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
チャンバの周りに２つの端部と側壁とを持った真空処理チャンバと、
前記チャンバの一端にある前記チャンバ内のスパッタリングターゲットと、
前記チャンバの他端にある基板サポートと、
前記チャンバの側壁を囲むアンテナを持った高濃度プラズマ源と、
前記チャンバの側壁の外側にあり、前記チャンバの周囲に向かって電子を駆動する１つ以上の磁気的に閉じ込められた領域にわたって磁界を延在させるように前記側壁に対して配置された反対の磁極を持った永久磁石アセンブリと、
を有することを特徴とする半導体ウェハ処理装置。
【請求項１１】
蒸着モードおよびエッチングモードを含む複数のモードで、
前記装置を操作するようにプログラムされたコントローラと、
ターゲットから真空処理チャンバの中の処理スペースにコーティング材料をスパッタリングし、アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成し、前記処理スペースのプラズマ中でスパッタされたコーティング材料をイオン化させ、そして前記処理スペースから基板上へイオン化したスパッタ材料を蒸着することを含む蒸着モードと、
前記アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成し、前記処理スペースのプラズマ中でプロセスガスをイオン化させ、前記イオン化されたプロセスガスによって基板サポート上の前記基板をエッチングすることを含むエッチングモードと、
をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記蒸着モードは、処理スペースにおいて前記蒸着モードの間に３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力を保持することを含み、
前記エッチングは、処理スペースにおいて前記エッチングの間に１０ｍＴｏｒｒ以下の圧力を保持することを含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
第１のモードと第２のモードを含んだ複数のモードにおいて前記装置を動作させるようプログラムされたコントローラを有し、
前記第１のモードは、処理スペースにおいて３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力を保持することを含み、
前記第２のモードは、処理スペースにおいて１０ｍＴｏｒｒ以下の圧力を保持することを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記永久磁石アセンプリは、前記チャンバ壁内の前記チャンバの周囲に延在する磁気トンネルを生成するように、それぞれ軸方向に整列されて同じ方向に方向付けられ離間したＮ極およびＳ極を持った複数の磁石を含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記磁界は少なくともアンテナの一部を囲む
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１６】
蒸着−エッチング処理における使用のためのｉＰＶＤ源において、ＩＣＰアンテナおよび周囲の磁界を提供することは、チャンバ周囲に向かって電子を移動するよう構成され、それによって低いチャンバ圧力またはエッチングの間のチャンバ中央におけるプラズマの集中を低減させることを特徴とするｉＰＶＤ源。
【請求項１７】
前記蒸着−エッチング処理は無網状蒸着（ＮＮＤ）であることを特徴とする請求項１６に記載のｉＰＶＤ源。
【請求項１８】
前記蒸着−エッチング処理は低網状蒸着（ＬＮＤ）であることを特徴とする請求項１６に記載のｉＰＶＤ源。
【請求項１９】
前記蒸着−エッチング処理は連続的な蒸着−エッチング処理であることを特徴とする請求項１６に記載のｉＰＶＤ源。
【請求項２０】
前記蒸着−エッチング処理は、蒸着部分がエッチング部分よりも高い圧力において行なわれる状態で、蒸着部分とそれに続くエッチング部分を持つことを特徴とする請求項１６に記載のｉＰＶＤ源。
【請求項１】
高アスペクト比で、サブミクロンによって特徴付けられ半導体ウェハ上に薄膜を蒸着する方法において、
真空チャンバ内で複数の処理において連続的に半導体ウェハを処理する段階であって、イオン化物理的気相蒸着（ｉＰＶＤ）処理およびスパッタエッチング処理を含んだ段階と、
ｉＰＶＤ処理であって、
ターゲットから前記真空処理チャンバ内の処理スペースに、コーティング材料をスパッタリングする段階と、
アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成する段階と、
前記処理スペースのプラズマ中でスパッタされたコーティング材料をイオン化させ、前記処理スペースから基板上へイオン化したスパッタ材料を蒸着する段階と、
を含む処理と、
エッチング処理であって、
前記アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成する段階と、
前記処理スペースのプラズマ中でプロセスガスをイオン化させる段階と、
前記処理チャンバの周辺付近の少なくともいくらかのプラズマを磁気的に閉じ込める段階と、
前記イオン化されたプロセスガスによって基板サポート上の前記基板をエッチングする段階と、
を含む処理と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記蒸着処理と前記エッチング処理とは連続的に行なわれる
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記蒸着処理と前記エッチング処理とは同時的に行なわれる
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記蒸着処理と前記エッチング処理は、基板の平らな領域上に網状蒸着をもたらさないように同時に行なわれる
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記蒸着処理と前記エッチング処理は、基板の平らな領域上に低網状蒸着をもたらすように同時に行なわれる
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチング処理の間の前記処理チャンバの周辺付近の少なくともいくらかのプラズマを磁気的に閉じ込める段階は、前記蒸着処理および前記エッチング処理の両方の間に、前記チャンバの周りに磁石を提供することによって達成される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記蒸着処理の間に第１の圧力に前記チャンバを保持し、前記エッチング処理の間に、より低い第２の圧力に前記チャンバを保持する段階を、さらに有する
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の圧力は少なくとも３０ｍＴｏｒｒであり、前記第２の圧力は１０ｍＴｏｒｒ未満である
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の圧力は約６５ｍＴｏｒｒであり、前記第２の圧力は約５１０ｍＴｏｒｒである
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
チャンバの周りに２つの端部と側壁とを持った真空処理チャンバと、
前記チャンバの一端にある前記チャンバ内のスパッタリングターゲットと、
前記チャンバの他端にある基板サポートと、
前記チャンバの側壁を囲むアンテナを持った高濃度プラズマ源と、
前記チャンバの側壁の外側にあり、前記チャンバの周囲に向かって電子を駆動する１つ以上の磁気的に閉じ込められた領域にわたって磁界を延在させるように前記側壁に対して配置された反対の磁極を持った永久磁石アセンブリと、
を有することを特徴とする半導体ウェハ処理装置。
【請求項１１】
蒸着モードおよびエッチングモードを含む複数のモードで、
前記装置を操作するようにプログラムされたコントローラと、
ターゲットから真空処理チャンバの中の処理スペースにコーティング材料をスパッタリングし、アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成し、前記処理スペースのプラズマ中でスパッタされたコーティング材料をイオン化させ、そして前記処理スペースから基板上へイオン化したスパッタ材料を蒸着することを含む蒸着モードと、
前記アンテナから前記処理スペースにＲＦエネルギーを結合することによって、高い濃度のプラズマを形成し、前記処理スペースのプラズマ中でプロセスガスをイオン化させ、前記イオン化されたプロセスガスによって基板サポート上の前記基板をエッチングすることを含むエッチングモードと、
をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記蒸着モードは、処理スペースにおいて前記蒸着モードの間に３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力を保持することを含み、
前記エッチングは、処理スペースにおいて前記エッチングの間に１０ｍＴｏｒｒ以下の圧力を保持することを含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
第１のモードと第２のモードを含んだ複数のモードにおいて前記装置を動作させるようプログラムされたコントローラを有し、
前記第１のモードは、処理スペースにおいて３０ｍＴｏｒｒ以上の圧力を保持することを含み、
前記第２のモードは、処理スペースにおいて１０ｍＴｏｒｒ以下の圧力を保持することを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記永久磁石アセンプリは、前記チャンバ壁内の前記チャンバの周囲に延在する磁気トンネルを生成するように、それぞれ軸方向に整列されて同じ方向に方向付けられ離間したＮ極およびＳ極を持った複数の磁石を含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記磁界は少なくともアンテナの一部を囲む
ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１６】
蒸着−エッチング処理における使用のためのｉＰＶＤ源において、ＩＣＰアンテナおよび周囲の磁界を提供することは、チャンバ周囲に向かって電子を移動するよう構成され、それによって低いチャンバ圧力またはエッチングの間のチャンバ中央におけるプラズマの集中を低減させることを特徴とするｉＰＶＤ源。
【請求項１７】
前記蒸着−エッチング処理は無網状蒸着（ＮＮＤ）であることを特徴とする請求項１６に記載のｉＰＶＤ源。
【請求項１８】
前記蒸着−エッチング処理は低網状蒸着（ＬＮＤ）であることを特徴とする請求項１６に記載のｉＰＶＤ源。
【請求項１９】
前記蒸着−エッチング処理は連続的な蒸着−エッチング処理であることを特徴とする請求項１６に記載のｉＰＶＤ源。
【請求項２０】
前記蒸着−エッチング処理は、蒸着部分がエッチング部分よりも高い圧力において行なわれる状態で、蒸着部分とそれに続くエッチング部分を持つことを特徴とする請求項１６に記載のｉＰＶＤ源。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−１０３９２９（Ｐ２００７−１０３９２９Ａ）
【公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２５９４１９（Ｐ２００６−２５９４１９）
【出願日】平成１８年９月２５日（２００６．９．２５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【出願人】（５０５３９０６８０）ト−キョ−・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド (64)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２５日（２００６．９．２５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【出願人】（５０５３９０６８０）ト−キョ−・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド (64)
【Ｆターム（参考）】
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