黄銅鉱型化合物およびその他の無機化合物の調製方法
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法を提供する。この方法は、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含む。Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択することができ、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ、Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択することができ、Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択することができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。かかる化合物は、電気化学の分野において種々の目的のために使用することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機化合物の調製の分野における改良に関する。特に、本発明は、黄銅鉱型化合物およびその他の無機化合物、例えば、ＩＩＩ〜ＶまたはＩＩ〜ＶＩ族等の化合物の調製に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、黄銅鉱型化合物（例えば、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２等）およびその他の無機化合物、例えば、ＩＩＩ〜ＶまたはＩＩ〜ＶＩ族等（例えば、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等）の化合物の効率的な調製方法を提供するために、幾つかの試みがなされてきている。提案されているこれら方法の多くは、ナノ結晶性化合物の調製に関するものであった。しかしながら、提案されている解決方法の幾つかは、費用および時間のかかる方法に関するものであった。これらの方法は、多くの場合、高価な試薬を必要とし、または幾つかの工程を含むものであった。これらの工程の幾つかは、有害な条件下でも行われていた。幾つかのコロイド方法も提案されているが、これらは、多くの場合、高結晶性ではない化合物をもたらすものであった。
【０００３】
Ｃｚｅｋｅｌｉｕｓら、ｉｎ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、１９９９年、ｖｏｌ．１１（８）、６４３頁〜６４６頁には、ナノ結晶性ＣｕＩｎＳ２の調製方法が記載されている。しかしながら、この２段階方法は、高価な試薬を必要とする。また、この方法は、得られたＣｕＩｎＳ２の表面で抵抗層を形成する可能性のあるホスファイトを使用する。その様な抵抗層は、結局のところ、その様な物質を組み込んでいる装置において、可視光線の吸収の減少および著しい抵抗降下の原因となる可能性がある。
【０００４】
したがって、上述の欠点を解消する方法を提供することは極めて望ましいことである。
【非特許文献１】Ｃｚｅｋｅｌｉｕｓら、ｉｎ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、１９９９年、ｖｏｌ．１１（８）、６４３頁〜６４６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明の目的は、従来方法の欠点を解消する方法を提供することである。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、黄銅鉱型化合物、例えば、ナノ結晶性黄銅鉱型化合物等を簡単にかつ低コストで調製するための方法を提供することである。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、黄銅鉱型化合物、例えば、高結晶性であるナノ結晶性黄銅鉱型化合物等を調製するための方法を提供することである。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、ＩＩＩ〜ＶまたはＩＩ〜ＶＩ族の化合物を簡単にかつ低コストで調製するための方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、ＩＩＩ〜ＶまたはＩＩ〜ＶＩ族のナノ結晶性化合物を簡単にかつ低コストで調製するための方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の１つの態様によれば、式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法が提供される。この方法は、式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１１】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法が提供される。この方法は、
式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させる工程と、
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程と
を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１２】
上述の方法は、式Ｍ３Ｍ１Ａ２で定義される化合物を低コストで調製するのに極めて有効であることが分かった。事実、この方法は、簡単で、複雑な工程を必要とすることなく迅速に行うことができる。事実、この方法は、高価な試薬の使用なしに行うことができる。更に、この方法によれば、Ｈ２Ｓ雰囲気等の有害条件下で行う工程を回避することが可能となる。かかる方法によれば、高純度でかつ高結晶性の化合物、例えば、ナノ結晶性の化合物を得ることも可能となる。また、該方法は、環境に優しく、迅速に行えることが分かった。更に、該方法は、無水条件下で行うことができ、金属酸化物の生成の危険性を著しく減少させることができる。
【００１３】
本発明の別の態様によれば、ＣｕＩｎＳ２の調製方法が提供される。この方法は、
ＣｕＩｎＳ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物とＣｕＸ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１４】
本発明の別の態様によれば、ＣｕＩｎＳ２の調製方法が提供される。この方法は、
式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、Ｉｎ（Ｘ１）３と式（Ｍ２）２Ｓの化合物とを反応させる工程と、
ＣｕＩｎＳ２を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物と式ＣｕＸ２の化合物とを反応させる工程と、
を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１５】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物の調製方法が提供される。この方法は、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ｍ５は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｉ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１６】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物の調製方法が提供される。この方法は、
式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、式Ｍ５（Ｘ３）３の化合物、および式（Ｍ２）２Ａの化合物を一緒に反応させる工程と、
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程と、
を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ｍ５は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ３は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１７】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ４Ａの化合物の調製方法が提供される。この方法は、式Ｍ４Ａの化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ４Ｘ２の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ４は、Ｃｄ２＋、Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋、Ｚｎ２＋、Ｈｇ２＋、Ｍｇ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、およびＰｂ２＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１８】
上述の方法は、式Ｍ４Ａで表される化合物を低コストで調製するのに極めて有効であることが分かった。事実、この方法は、簡単で、複雑な工程を必要とすることなく迅速に行うことができる。事実、この方法は、高価な試薬の使用なしに行うことができる。更に、この方法によれば、Ｈ２Ｓ雰囲気等の有害条件下で行う工程を回避することが可能となる。かかる方法によれば、高純度でかつ高結晶性の化合物、例えば、ナノ結晶性の化合物を得ることも可能となる。また、かかる方法は、環境に優しく、迅速に行えることが分かった。更に、該方法は、無水条件下で行うことができ、金属酸化物の生成の危険性を著しく減少させることができる。
【００１９】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ１Ａの化合物の調製方法が提供される。この方法は、式Ｍ１Ａの化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１Ｘ３の化合物と式（Ｍ２）３Ａの化合物とを一緒に反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ａは、Ｎ、Ｐ、およびＡｓから選択され、
Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００２０】
上述の方法は、式Ｍ１Ａで表される化合物を低コストで調製するのに極めて有効であることが分かった。事実、この方法は、簡単で、複雑な工程を必要とすることなく迅速に行うことができる。事実、この方法は、高価な試薬の使用なしに行うことができる。かかる方法によれば、高純度でかつ高結晶性の化合物、例えば、ナノ結晶性の化合物を得ることも可能となる。また、かかる方法は、環境に優しく、迅速に行えることが分かった。更に、該方法は、無水条件下で行うことができ、金属酸化物の生成の危険性を著しく減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
上記配位性溶媒は、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択することができる。例えば、配位性溶媒をＮ−メチルイミダゾールとすることができる。追加の溶媒を、配位性溶媒に添加することができる。追加の溶媒は、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択することができる。
【００２２】
別の配位性溶媒は、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択することができる。例えば、別の配位性溶媒をＮ−メチルイミダゾールとすることができる。別の配位性溶媒に追加の溶媒を添加することができる。追加の溶媒は、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択することができる。
【００２３】
あるいは、配位性溶媒および／または別の配位性溶媒は、
【００２４】
【化１】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１２ヘテロシクリル、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８アルキニル、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、Ｃ６〜Ｃ２０アラルキル、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリール、およびＣ１〜Ｃ１２ヘテロアリールから選択され、
Ｒ１およびＲ２は、一緒に結合して５〜１４員ヘテロシクリルを形成してもよく、またはポリマー鎖もしくはネットワークの一部である）から選択することができる。
【００２５】
これらの構造で表されるこれら化合物の幾つかは、室温で固体の形態であってもよく、液体の形態とするために加熱してもよく、または、これらは、室温で液体である別の有機溶媒と混合することもできる。
【００２６】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物は、例えば、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＩｎＴｅ２、ＡｕＩｎＳ２、ＡｕＩｎＳｅ２、ＡｕＩｎＴｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＴｅ２、ＨｇＩｎＳ２、ＨｇＩｎＳｅ２、ＨｇＩｎＴｅ２、ＬｉＩｎＳ２、ＬｉＩｎＳｅ２、ＬｉＩｎＴｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＣｕＧａＴｅ２、ＡｕＧａＳ２、ＡｕＧａＳｅ２、ＡｕＧａＴｅ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＧａＴｅ２、ＨｇＧａＳ２、ＨｇＧａＳｅ２、ＨｇＧａＴｅ２、ＣｕＡｌＳ２、ＣｕＡｌＳｅ２、ＣｕＡｌＴｅ２、ＡｕＡｌＳ２、ＡｕＡｌＳｅ２、ＡｕＡｌＴｅ２、ＡｇＡｌＳ２、ＡｇＡｌＳｅ２、ＡｇＡｌＴｅ２、ＨｇＡｌＳ２、ＨｇＡｌＳｅ２、ＨｇＡｌＴｅ２、ＣｕＡｕＳ２、ＣｕＡｕＳｅ２、ＣｕＡｕＴｅ２、ＡｕＡｕＳ２、ＡｕＡｕＳｅ２、ＡｕＡｕＴｅ２、ＡｇＡｕＳ２、ＡｇＡｕＳｅ２、ＡｇＡｕＴｅ２、ＨｇＡｕＳ２、ＨｇＡｕＳｅ２、ＨｇＡｕＴｅ２、ＬｉＦｅＳ２、ＬｉＦｅＳｅ２、ＬｉＦｅＴｅ２、ＡｇＦｅＳ２、ＡｇＦｅＳｅ２、ＡｇＦｅＴｅ２、ＬｉＧａＳ２、ＬｉＧａＳｅ２、およびＬｉＧａＴｅ２から選択することができる。これらはまた、ＣｕＩｎＳ２、ＡｕＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＡｕＧａＳ２、ＣｕＡｌＳ２、およびＬｉＦｅＳ２から選択することができる。特定の一実施形態において、これらは、例えば、ＣｕＩｎＳ２またはＡｇＩｎＳ２であってもよい。
【００２７】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法において、Ｍ２は、例えば、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択することができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択することができる。別の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＣｌ−とすることができる。別の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＩ−とすることができる。別の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＣＮ−とすることができる。
【００２８】
一例では、Ｍ１をＩｎ３＋とすることができ、Ｍ２はＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択することができ、Ｍ３はＣｕ＋、およびＡｇ＋から選択することができ、ＡはＳおよびＳｅから選択することができ、Ｘ２はＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００２９】
別の例では、Ｍ１をＩｎ３＋とすることができ、Ｍ２はＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択することができ、Ｍ３はＣｕ＋、およびＡｇ＋から選択することができ、ＡをＳとすることができ、Ｘ２はＣｌ−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３０】
別の例では、Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択することができ、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、Ｍ３は、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択することができ、Ａは、ＳおよびＳｅから選択することができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３１】
別の例では、Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択することができ、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択することができ、ＡはＳｅであることができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３２】
別の例では、Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択することができ、Ｍ２は、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択することができ、Ａは、ＳおよびＳｅから選択することができ、Ｘ２は、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３３】
別の例では、Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｍ２は、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができる。更なる例では、Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｘ２は、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。更に他の例では、Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｍ２は、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ、Ｘ２は、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３４】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を調製する場合、Ｍ３Ｘ２およびＭ２Ｍ１Ａ２の間の反応は次の通りに行われる：
【００３５】
【化２】
【００３６】
例えば、Ｍ３Ｘ２およびＭ２Ｍ１Ａ２は、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ３Ｘ２およびＭ２Ｍ１Ａ２は、室温で一緒に反応させることができる。
【００３７】
例えば、Ｍ３Ｍ１Ａ２は、沈殿させて、配位性溶媒およびその中に溶解した副生成物を含む混合物から、ろ過により分離することができる。かかる副生成物は、Ｍ２Ｘ２である可能性がある。あるいは、Ｍ３Ｍ１Ａ２は、例えば沈殿させて、配位性溶媒および式Ｍ２Ｘ２の化合物から、ろ過により分離することができる。
【００３８】
１つの実施形態では、式Ｍ３Ｘ２の化合物を式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。
【００３９】
別の実施形態では、式Ｍ３Ｘ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物を式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。例えば、式Ｍ３Ｘ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物を、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に滴下することができる。
【００４０】
別の実施形態では、式Ｍ３Ｘ２の化合物を式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。
【００４１】
別の実施形態では、式Ｍ３Ｘ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物を式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。例えば、式Ｍ３Ｘ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物を、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に滴下することができる。
【００４２】
例えば、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物は、配位性溶媒の存在下で式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。
【００４３】
Ｍ１（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ａの間の反応は、例えば、次の通りに行われる：
【００４４】
【化３】
【００４５】
例えば、Ｍ１（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ａは、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ１（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ａは、室温で一緒に反応させることができる。
【００４６】
１つの実施形態では、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、式（Ｍ２）２Ａの化合物、および配位性溶媒を一緒に混合し、撹拌することができる。音波浴、種々のかき混ぜ手段による撹拌等の当業者に既知の種々の方法により撹拌することができる。
【００４７】
別の実施形態では、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物および配位性溶媒を含む組成物を、式（Ｍ２）２Ａの化合物および配位性溶媒を含む組成物と混合することができる。
【００４８】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を調製する場合、Ｘ１およびＸ２は異なってもよい。あるいは、これらは同一であってもよい。例えば、Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択することができる。あるいは、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＣｌ−とすることができる。
【００４９】
１つの実施形態では、式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物はＣｕＩｎＳ２であることができる。式ＣｕＸ２およびＭ２ＩｎＳ２の化合物を使用してその様な化合物を調製する場合、後者の２つは次の通りに一緒に反応させることができる：
【００５０】
【化４】
【００５１】
例えば、ＣｕＸ２およびＭ２ＩｎＳ２は、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、ＣｕＸ２およびＭ２ＩｎＳ２は、室温で一緒に反応させることができる。
【００５２】
例えば、ＣｕＩｎＳ２は、沈殿させて、配位性溶媒およびその中に溶解した副生成物を含む混合物から、ろ過により分離することができる。かかる副生成物は、Ｍ２Ｘ２である可能性がある。あるいは、ＣｕＩｎＳ２は、例えば沈殿させて、配位性溶媒および式Ｍ２Ｘ２の化合物から、ろ過により分離することができる。
【００５３】
１つの実施形態では、式ＣｕＸ２の化合物を式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。
【００５４】
別の実施形態では、式ＣｕＸ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物を式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。例えば、式ＣｕＸ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物を、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に滴下することができる。Ｘ２は、例えば、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＣｌ−とすることができる。例えば、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物は、配位性溶媒の存在下で式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。得られたＣｕＩｎＳ２は、ナノ結晶性である可能性がある。
【００５５】
１つの実施形態では、式ＣｕＸ２の化合物を式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。
【００５６】
別の実施形態では、式ＣｕＸ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物を式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。例えば、式ＣｕＸ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物を、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に滴下することができる。
【００５７】
Ｘ２は、例えば、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＣｌ−とすることができる。例えば、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物は、配位性溶媒の存在下で式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。得られたＣｕＩｎＳ２は、ナノ結晶性である可能性がある。
【００５８】
ＣｕＩｎＳ２を調製する場合、Ｉｎ（Ｘ１）３は、配位性溶媒の存在下で式（Ｍ２）２Ｓの化合物と反応させることができる。その様な反応は次の通りに行うことができる：
【００５９】
【化５】
【００６０】
例えば、Ｉｎ（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ｓは、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｉｎ（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ｓは、室温で一緒に反応させることができる。
【００６１】
１つの実施形態では、ＣｕＩｎＳ２を得るために、式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物、式（Ｍ２）２Ｓの化合物、および配位性溶媒を一緒に混合し、撹拌することができる。音波浴、種々のかき混ぜ手段を伴う撹拌等の当業者に既知の種々の方法により撹拌することができる。
【００６２】
別の実施形態では、式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物および配位性溶媒を含む組成物を、式（Ｍ２）２Ｓの化合物および配位性溶媒を含む組成物と混合することができる。
【００６３】
ＣｕＩｎＳ２を調製する場合、Ｘ１およびＸ２は異なってもよい。あるいは、これらは同一であってもよい。例えば、Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択することができる。あるいは、Ｘ１は、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＣｌ−とすることができる。例えば、Ｘ２は、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＩ−とすることができる。
【００６４】
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物は、例えば、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２から選択することができる。これらはまた、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２から選択することができ、またはＣｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２から選択することができる。例えば、Ｍ５／Ｍ１のモル比は、約１未満、約０．７５未満、約０．５未満、約０．２５未満、約０．１未満、約０．０５未満、約０．０４未満、約０．０２未満、約０．０１未満、約０．００２未満、または約０．００１未満等の種々の値を有することができる。
【００６５】
例えば、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を調製する場合、式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物は、配位性溶媒の存在下で式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。例えば、Ｍ３Ｘ２およびＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２は、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ３Ｘ２およびＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２は、室温で一緒に反応させることができる。１つの実施形態では、Ｍ１はＭ５と異なってもよい。Ｍ１は、Ｍ５と同一であってもよい。別の実施形態では、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択することができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択することができる。別の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＣｌ−とすることができる。更なる実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＩ−とすることができる。更に他の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＣＮ−とすることができる。別の実施形態では、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択することができる。あるいは、Ｍ２をＬｉ＋とすることができる。
【００６６】
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を調製する場合、Ｍ１（Ｘ１）３、Ｍ５（Ｘ３）３、および（Ｍ２）２Ａは、例えば、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ１（Ｘ１）３、Ｍ５（Ｘ３）３、および（Ｍ２）２Ａは、室温で一緒に反応させることができる。
【００６７】
例えば、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を調製する場合、Ｘ１およびＸ２は異なってもよい。あるいは、これらは同一であってもよい。また、Ｘ１、Ｘ２、およびＸ３は、同一であってもよい。１つの実施形態では、Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択することができる。別の実施形態では、Ｘ１をＣｌ−とすることができる。別の実施形態では、Ｍ１はＭ５と異なってもよい。
【００６８】
式Ｍ４Ａの化合物は、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｏＳ、ＣｏＳｅ、ＣｏＴｅ、ＮｉＳ、ＮｉＳｅ、ＮｉＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＭｎＴｅ、ＦｅＳ、ＦｅＳｅ、ＦｅＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、およびＺｎＴｅから選択することができる。あるいは、これらは、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｏＳ、およびＺｎＳｅから選択することができる。
【００６９】
式Ｍ４Ｘ２の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させて式Ｍ４Ａの化合物を調製する場合、反応は次の通りに行うことができる：
【００７０】
【化６】
【００７１】
例えば、Ｍ４Ｘ２および（Ｍ２）２Ａは、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ４Ｘ２および（Ｍ２）２Ａは、室温で一緒に反応させることができる。
【００７２】
式Ｍ４Ａの化合物は、沈殿させて、配位性溶媒およびその中に溶解した副生成物を含む混合物から、ろ過により分離することができる。副生成物は、Ｍ２Ｘである可能性がある。式Ｍ４Ａの化合物は、沈殿させて、配位性溶媒および式Ｍ２Ｘの化合物から、ろ過により分離することができる。
【００７３】
１つの実施形態では、式Ｍ４Ａの化合物を調製する場合、Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択することができる。あるいは、Ｘは、Ｃｌ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択することができる。Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択することができる。
【００７４】
式Ｍ１Ａの化合物は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、およびＩｎＮから選択することができる。あるいは、これらは、ＧａＡｓおよびＩｎＰから選択することができる。式Ｍ１Ｘ３の化合物と式（Ｍ２）３Ａの化合物とを反応させて式Ｍ１Ａの化合物を調製する場合、反応は次の通りに行うことができる：
【００７５】
【化７】
【００７６】
例えば、Ｍ１Ｘ３および（Ｍ２）３Ａは、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、別の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ１Ｘ３および（Ｍ２）３Ａは、室温で一緒に反応させることができる。
【００７７】
式Ｍ１Ａの化合物は、沈殿させて、配位性溶媒およびその中に溶解した副生成物を含む混合物から、ろ過により分離することができる。副生成物はＭ２Ｘである可能性ある。式Ｍ１Ａの化合物は、沈殿させて、配位性溶媒および式Ｍ２Ｘの化合物から、ろ過により分離することができる。
【００７８】
１つの実施形態では、式Ｍ１Ａの化合物を調製する場合、Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択することができる。あるいは、Ｘは、Ｃｌ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択することができる。Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択することができる。
【００７９】
本発明の方法は、その様にして得た化合物または組成物を乾燥する工程を更に含んでもよい。これらは、例えば、遠心分離、加熱、真空、またはこれらの組合せにより乾燥することができる。本発明の方法は、その様にして得た化合物または組成物を熱処理する工程も更に含んでもよい。例えば、これらは、約７５℃以上の温度で熱処理することができる。あるいは、これらは、種々のその他の温度、例えば、約１００℃以上、約１５０℃以上、約２００℃以上、約２５０℃以上、約３００℃以上、約４００℃以上、または約５００℃以上等の温度で熱処理することができる。この温度は、約１００℃〜約１５０℃、または約２００℃〜約４００℃とすることもできる。
【００８０】
例えば、熱処理は、約３０分間以上にわたって行うことができる。あるいは、熱処理は、種々の時間にわたって、例えば、約４５分以上、約６０分以上、約９０分以上、約１２０分以上、または約１８０分以上にわたって行うことができる。熱処理の継続時間は、約６０分〜約１８０分とすることもできる。
【００８１】
熱処理は、例えば、真空下で行うことができる。真空は、約５０ｍＴｏｒｒ以上または約１００ｍＴｏｒｒ以上とすることができる。
【００８２】
本発明の種々の方法により得られた化合物および組成物は、ナノ結晶性である可能性がある。得られた化合物は、５００ｎｍ未満または２５０ｎｍ未満もしくは１００ｎｍ未満等のその他の値の直径を有する粒子の形態であってもよい。得られた化合物または組成物は、例えば、半導体材料である。
【００８３】
本発明の方法は、得られた化合物または組成物を含む電極を作製する工程を更に含んでもよい。これらの方法は、電極の作製に適した混合物を得るために、得られた化合物もしくは組成物を結着剤と混合する工程、または、電極の作製に適当な前駆体を得るために、得られた化合物もしくは組成物を結着剤と混合する工程を含んでもよい。
【００８４】
あるいは、本発明の方法は、化合物または組成物と結着剤とを含む混合物を得るために、得られた化合物または組成物を結着剤と混合する工程、および該混合物で電極を作製する工程を含んでもよい。混合物は、任意選択的に、Ｎ−メチルピリジノン等の溶媒を含む。例えば、電極を作製するために、混合物の薄膜を基材上に被覆することができる。適当な基材は、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、またはこれらの混合物等の金属を含むことができる。混合物は、導電性向上剤、例えば、カーボンブラック、グラファイト、カーボンナノチューブ、またはこれらの混合物等を更に含むことができる。結着剤は、かかる調製を行うのに適合した、および電極の作製に適した如何なる適当なポリマーであってもよい。当業者は、複数の種々のポリマーを結着剤として使用できることを明確に理解するであろう。非限定的方法では、結着剤は、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ（フッ化ビニリデン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）（ＰＶＤＦ−ＨＦＰ）、またはこれらの混合物とすることができる。
【００８５】
本発明の別の態様によれば、少なくとも２種の化合物、先に定義された方法により得られた第一化合物、および先に定義された方法により得られた第二化合物を含む組成物が提供される。
【００８６】
本発明の別の態様によれば、Ｍ３Ｍ１Ａ２を調製するために先に定義された方法（ここで、式Ｍ１（Ｘ１）３の異なる２種の化合物を式（Ｍ２）２Ａの化合物と反応させる）により調製される化合物が提供される。例えば、式Ｍ１（Ｘ１）３の２種の化合物は、ＩｎＣｌ３またはＧａＣｌ３とすることができる。これらは、モル比を基準にして、ＩｎＣｌ３（９０％）およびＧａＣｌ３（１０％）、ＩｎＣｌ３（９５％）およびＧａＣｌ３（５％）等の種々の割合で使用することができる。その様な化合物は、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびこれらの混合物から選択することができる。得られた化合物は、高純度である可能性があり、低コストで調製できることが分かった。更に、得られた化合物は高結晶性である可能性があることが分かった。
【００８７】
本発明の別の態様によれば、ナノ結晶性化合物または組成物の調製のための、本発明で定義された方法の使用が提供される。その様な化合物または組成物は、太陽電池で使用することができる。
【００８８】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適した化合物または組成物の調製のための、本発明で定義された方法の使用が提供される。
【００８９】
本発明の別の態様によれば、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機での使用に適した化合物または組成物の調製のための、本発明で定義された方法の使用が提供される。
【００９０】
本発明の別の態様によれば、太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物または組成物の調製方法が提供される。この方法は、本発明で定義される方法を実行することを含む。
【００９１】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適した化合物または組成物の調製方法が提供され、この方法は、本発明で定義される方法を実行することを含む。
【００９２】
本発明の別の態様によれば、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適した化合物または組成物の調製方法が提供される。この方法は、本発明で定義される方法を実行することを含む。
【００９３】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される方法により得られた少なくとも１種の化合物および結着剤を含む組成物が提供される。
【００９４】
本発明の別の態様によれば、少なくとも２種の化合物、本発明で定義される方法により得られた第一化合物、および本発明で定義される方法により得られた第二化合物を含む組成物が提供される。
【００９５】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の製造における、本発明で定義される化合物または組成物の使用が提供される。
【００９６】
本発明の別の態様によれば、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における成分または前駆体として、本発明で定義される化合物または組成物を使用する工程を含む、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製方法が提供される。
【００９７】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の作製における成分または前駆体として、本発明の化合物または組成物を使用する工程を含む、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の作製方法が提供される。
【００９８】
本発明の別の態様によれば、太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物が提供される。この化合物は本発明で定義される方法により調製される。
【００９９】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適したナノ結晶性化合物が提供される。この化合物は本発明で定義される方法により調製される。
【０１００】
本発明の別の態様によれば、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適したナノ結晶性化合物が提供される。この化合物は本発明で定義される方法により調製される。
【０１０１】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される化合物または組成物を含む、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機が提供される。
【０１０２】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される化合物または組成物を含む、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置が提供される。
【０１０３】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される方法により得られた化合物または組成物が提供される。
【０１０４】
本発明の化合物または組成物は、光を電気的信号に変換することができる。これらは、ＣＤＲＯＭ装置、ＤＶＤプレーヤーおよびバーコードスキャナでの検出器として機能し、太陽パネル、スキャナおよびデジタルカメラにおける主要な機能要素に相当することも可能である。これらの化合物または組成物は、薄膜太陽電池等の光起電装置において有用である可能性がある。これらは、全ての電子装置およびシステムで見出すことのできるトランジスタにおいて使用することもできる。これらは、スイッチ、論理素子または増幅器として機能する主要な活動素子として使用することができる。本発明の化合物または組成物は、ＣＤＲＯＭ装置、ＤＶＤプレーヤーおよびバーコードスキャナで見出すことのできる半導体レーザーにおいて使用することもできる。これらは、緻密で効果的なコヒーレント光を提供することができる。オプトエレクトロニクス装置では、本発明の化合物または組成物は、光ファイバーに沿って長距離を伝播することのできる赤外線信号を提供するための送信機および受信機として使用することができる。これらの送信機は、インターネットを介して世界中に大量のデジタル情報の迅速な送信を可能にすることができる。
【０１０５】
本発明の別の態様によれば、ＩｎＣｌ３および本発明で定義される配位性溶媒を含む組成物が提供される。この溶媒は、Ｎ−メチルイミダゾールとすることができる。
【０１０６】
本発明の別の態様によれば、ＩｎＣｌ３の無水源として、ＩｎＣｌ３および本発明で定義される配位性溶媒を含む組成物の使用が提供される。
【０１０７】
本発明の別の態様によれば、配位性溶媒と配位性溶媒により安定化されかつ溶解されたＩｎＣｌ３とを含むＩｎＣｌ３系の組成物を調製するための、本発明で定義される配位性溶媒の使用が提供される。
【０１０８】
本発明の別の態様によれば、ＩｎＣｌ３を可溶化しかつ安定化するための、本発明で定義される配位性溶媒の使用が提供される。例えば、ＩｎＣｌ３は、不活性ガス雰囲気、例えば、窒素またはアルゴン下等の無水条件下で可溶化させかつ安定化することができる。
【０１０９】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される配位性溶媒でＩｎＣｌ３を溶解する工程および安定化する工程を含む、ＩｎＣｌ３系組成物の調製方法が提供される。例えば、ＩｎＣｌ３は、不活性ガス雰囲気、例えば、窒素またはアルゴン下等の無水条件下で可溶化させかつ安定化することができる。
【０１１０】
本発明の別の態様によれば、触媒としてＩｎＣｌ３を使用する方法において、ＩｎＣｌ３をＩｎＣｌ３と本発明で定義される配位性溶媒とを含む組成物の形態で提供することを特徴とするＩｎＣｌ３の使用方法が提供される。
【０１１１】
添付の図面は、単なる実施例として本発明の特定の実施形態を表すものである。
【０１１２】
本発明の更なる特徴および利点は、以下の実施例によって説明される種々の特定の実施形態の記載からより容易に明らかとなるであろう。
【実施例】
【０１１３】
（実施例１：ＣｕＩｎＳ２の合成）
ＩｎＣｌ３（１６５．９ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、室温において、２５０ｍＬの二口フラスコ中で、１７ｍＬの無水Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）に溶解させた。硫化リチウム（１３７．８ｍｇ、１．５ｍｍｏｌ）を、１５ｍＬのＮＭＩに室温で懸濁させた。両方の組成物または溶液を一緒に混合し、１時間の超音波浴で処理した後、透明な黄色がかった溶液（溶液Ａ）を得た。
【０１１４】
別の２５０ｍＬ二口フラスコ中で、ＣｕＣｌ（７４．２ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、９ｍＬのＮＭＩに溶解させた（溶液Ｂ）。
【０１１５】
両方の溶液ＡおよびＢを５℃に冷却した後、溶液Ｂを、アルゴン下で溶液Ａに１５分間にわたり滴下した。得られた暗いオレンジ色の懸濁液は凝集に対して安定であった。混合物を、５℃で１２時間撹拌した。次いで、粒子を遠心分離に掛け、ろ過し、室温で、真空下、一晩中乾燥した。最終的に、ＣｕＩｎＳ２の粒子を熱処理することも可能である。
【０１１６】
実施例１で得たサンプルを、ＵＶ−可視分光法（図１）およびＸＲＤ（図２）で分析した。また、サンプルを走査型電子顕微鏡で分析し、その結果を図５（１μｍの目盛）および図６（２００ｎｍの目盛）に示す。
【０１１７】
更なるサンプルを、先に定義されているものと同様の方法で調製したが、これらの場合においては、サンプルを熱処理した。サンプルを３００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下、２時間熱処理し、図３のＸ線回折（ＸＲＤ）パターン、図７の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（１μｍの目盛）、および図８の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（２００ｎｍの目盛）を含む種々の分析をそれについて行った。
【０１１８】
別のサンプルを、５００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理し、図４のＸ線回折（ＸＲＤ）パターン、図９の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（１μｍの目盛）、および図１０の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（５００ｎｍの目盛）を含む種々の分析をそれについて行った。図４では、“＊”で標識化したピークは、Ｉｎ２Ｏ３相に相当し、“＋”で標識化したピークは、Ｃｕ２Ｓ相に相当する。
【０１１９】
図２〜４から分かる傾向は、良好な結晶性が、高い熱処理温度に対して観察されることである。図５〜１０から分かる一般的な傾向は、粒子の凝集が、高い熱処理温度で一層顕著であることである。
【０１２０】
ＵＶ−可視スペクトルは、アセトニトリルに懸濁したサンプルの粒子から得た。このスペクトルは、１．５５ｅＶのバンドギャップエネルギーを有する半導体粒子の特徴的なもので、ＣｕＩｎＳ２の理論値の１．５ｅＶに非常に近い。図２〜４のＸＲＤデータは、コバルト管（波長 λ１：１．７８８９７Åおよびλ２：１．７９２８５Å）およびシリコン検出器を使用して、Ｄ５０００ジーメンス回折計から得た。回折図は、２０°〜１００°の範囲の２θ間で記録した。強度は、毎秒当たりのカウント数（ＣＰＳ）で記録し、強度の割合で正規化した。ピークの割り当はＤｉｆｆｒａｃｔＡＴソフトウエアで行った。実施例１のサンプルを、また、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を使用する原子発光分析で分析したところ、熱処理前後で得られた化学量論は、Ｉｎ １に対してＣｕ ０．９８であった。別のＩＣＰ分析を、前述のものと同じ方法（溶液ＡおよびＢが室温で一緒に混合された）により調製されたサンプルについて行ったところ、熱処理前後で得られた化学量論は、Ｉｎ １に対してＣｕ ０．９３であった。ＩＣＰならびに図１〜１０の結果は、この様に、得られた生成物が、１００ｎｍ未満の粒子直径を持つ良好な結晶性を有する半導体ＣｕＩｎＳ２であったことを明確に示している。
【０１２１】
（実施例２：ＡｇＩｎＳ２の合成）
ＩｎＣｌ３（１６５．９ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、室温において、２５０ｍＬの二口フラスコ中で、１７ｍＬの無水Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）に溶解させた。硫化リチウム（１３７．８ｍｇ、１．５ｍｍｏｌ）を、１５ｍＬのＮＭＩに室温で懸濁させた。両方の溶液を一緒に混合し、１時間の超音波浴で処理した後、透明な黄色がかった溶液（溶液Ａ）を得た。
【０１２２】
別の２５０ｍＬ二口フラスコ中で、ＡｇＣＮ（１００．４ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を、アルゴン下で９ｍＬのＮＭＩに溶解させた（溶液Ｂ）。
【０１２３】
次いで、溶液Ｂを、アルゴン下、２５℃で、溶液Ａに１５分間にわたり滴下した。得られた暗いオレンジ色の懸濁液は凝集に対して安定であった。混合物を、８０℃で１時間の間加熱した。次いで、粒子を遠心分離に掛け、ろ過し、室温で、真空下、一晩中乾燥した。実施例２で得たサンプルを、ＵＶ−可視分光法で分析した（図１１）。ＵＶ−可視スペクトルは、アセトニトリルに懸濁させたサンプルの粒子から得た。このスペクトルは、１．８５ｅＶのバンドギャップエネルギーを有する半導体粒子の特徴的なもので、ＡｇＩｎＳ２の理論値の１．８ｅＶに非常に近い。
【０１２４】
更なるサンプルを、先に定義されているものと同様の方法で調製したが、これらの場合においては、サンプルを熱処理した。サンプルを１００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下、１時間熱処理したところ、該サンプルは図１２のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを特徴としていた。別のサンプルを、４００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下、２時間熱処理したところ、該サンプルは図１３のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを特徴としていた。図１３では、“＊”で標識化したピークは、Ａｇ２Ｓ相に相当し、“＋”で標識化したピークは、Ｉｎ２Ｏ３相に相当する。
【０１２５】
図１２および１３から分かる傾向は、良好な結晶性が、高い熱処理温度に対して観察されることである。
【０１２６】
図１２および１３のＸＲＤデータは、銅管（波長 λ１：１．５４１８Å）およびシリコン検出器を使用して、回折計から得た。回折図は、１０°〜８０°の範囲の２θ間で記録した。強度は、毎秒当たりのカウント数（ＣＰＳ）で記録し、強度の割合で正規化した。ピークの割り当はＤｉｆｆｒａｃｔＡＴソフトウエアで行った。実施例２のサンプルを、また、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を使用する原子発光分析で分析したところ、熱処理前に得られた化学量論は、Ｉｎ １に対してＡｇ １．０７であった。ＩＣＰならびに図１１〜１３の結果は、この様に、得られた生成物が、結晶性半導体ＡｇＩｎＳ２であったことを明確に示している。
【０１２７】
（実施例３：薄膜層高性能電極の作製）
本発明の方法で得られた化合物を使用して薄膜層高性能電極を作製するために、ポリマー結着剤および導電性向上剤を使用する。結着剤および導電性向上剤を、有機溶媒および黄銅鉱型化合物と一緒に混合して懸濁液を得る。次いで、懸濁液を、ブレードアプリケータを使用して基材上に被覆し（集電体として使用される）、次いで、５０℃で１２時間の間真空下で乾燥する。
【０１２８】
その様な懸濁液に対する組成物のサンプルは、ＣｕＩｎＳ２等の黄銅鉱型化合物を９５重量％、結着剤としてのポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）および／またはポリ（フッ化ビニリデン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）（ＰＶＤＦ−ＨＦＰ）を３重量％、導電性増向上剤としてのカーボンブラック粉末を２重量％ならびに溶媒をＮ−メチルピリジノン（ＮＭＰ）とすることができる。
【０１２９】
（実施例４：ＣｄＳの合成）
ＣｄＣｌ２（７４．５ｍｇ、０．４０６ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、室温において、２５０ｍＬの二口フラスコ中で、５ｍＬの無水Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）に溶解させた。硫化リチウム（２２ｍｇ、０．４７ｍｍｏｌ）を、４０ｍＬのＮＭＩに室温で懸濁させた。両方の溶液を一緒に混合した。得られた黄色がかった懸濁液を２５℃で２時間撹拌し、次いで、８０℃で１時間加熱した。次いで、粒子を遠心分離に掛け、ろ過し、室温で、真空下、一晩中乾燥した。次いで、得られたＣｄＳ粒子を、３００℃、１００ｍＴｏｒｒで少なくとも２時間熱処理した。
【０１３０】
実施例４で得たサンプルを、ＵＶ−可視分光法（図１４）およびＸＲＤ（図１５）で分析した。ＵＶ−可視スペクトルは、Ｎ−メチルイミダゾールに懸濁させたサンプルの粒子から得た。このスペクトルは、半導体粒子に特徴的なものである。図１５のＸＲＤデータは、コバルト管（波長 λ１：１．７８８９７Åおよびλ２：１．７９２８５Å）およびシリコン検出器を使用して、Ｄ５０００ジーメンス回折計から得た。回折図は、２０°〜９０°の範囲の２θ間で記録した。強度は、毎秒当たりのカウント数（ＣＰＳ）で記録し、強度の割合で正規化した。ピークの割り当は、ＤｉｆｆｒａｃｔＡＴソフトウエアで行った。図１５では、“＊”で標識化したピークはＣｄＳの結晶性面心立方相に相当し、“＋”で標識化したピークは、六方晶系α−ＣｄＳの別の結晶相に相当し、“＃”で標識化したピークは、Ｃｄ金属の六方晶系相に相当する。
【０１３１】
実施例４のサンプルを、また、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）で分析したところ、熱処理前後で得られた化学量論は、Ｓ １に対してＣｄ １であった。ＩＣＰならびに図１４および１５の結果は、この様に、得られた生成物が、良好な結晶性を有する半導体ＣｄＳであったことを明確に示している。
【０１３２】
（実施例５：ＩｎＰの合成）
ＩｎＣｌ３（１８３．７ｍｇ、８３．４ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、室温において、２５０ｍＬの二口フラスコ中で、２０ｍＬの無水Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）に溶解させた。（Ｍｅ３Ｓｉ）３Ｐ（２００．４ｍｇ、８０ｍｍｏｌ）を、５０ｍＬの無水アセトニトリルに室温で溶解させた。両方の溶液を一緒に混合した。得られた暗赤色懸濁液を２５℃で１２時間撹拌した。次いで、粒子を遠心分離に掛け、ろ過し、室温で、真空下、一晩中乾燥した。得られたＩｎＰ粒子を、１５０℃、１００ｍＴｏｒｒで３時間以上熱処理した。
【０１３３】
実施例５で得たサンプルを、ＸＲＤで分析した（図１６）。図１６のＸＲＤデータは、コバルト管（波長 λ１：１．７８８９７Åおよびλ２：１．７９２８５Å）およびシリコン検出器を使用して、Ｄ５０００ジーメンス回折計から得た。回折図は、２０°〜９０°の範囲の２θ間で記録した。強度は、毎秒当たりのカウント数（ＣＰＳ）で記録し、強度の割合で正規化した。ピークの割り当は、ＤｉｆｆｒａｃｔＡＴソフトウエアで行った。実施例５のサンプルを、また、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）で分析したところ、熱処理前後で得られた化学量論は、Ｐ １．１２に対してＩｎ １であった。ＥＤＸならびに図１６の結果は、この様に、得られた生成物が、ＩｎＰであったことを示している。更に、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）測定は、ＩｎＰが材料表面に存在することを示した。
【０１３４】
本発明を、本発明の特定の実施形態に関して説明したが、本発明は更なる変更ができ、本出願は、本発明の属する技術分野で公知のまたは慣行の範疇に入るものとして、また、前述の本質的特徴に適用可能なものとして、並びに、添付の特許請求の範囲に従うものとして、一般に本発明の原理に従うものの本開示の内容から逸脱したものを含む発明の任意の変形、使用、または適合を包含することを意図するものであることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】本発明の１つの実施形態による方法により得られたＣｕＩｎＳ２サンプルのＵＶ−可視吸収スペクトルを示す図である（サンプルは熱処理されていない）。
【図２】図１で分析されたＣｕＩｎＳ２サンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である。
【図３】本発明の別の実施形態による方法により得られたＣｕＩｎＳ２サンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である（サンプルは、３００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理された）。
【図４】本発明の別の実施形態による方法により得られたＣｕＩｎＳ２サンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である（サンプルは、５００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理された）。
【図５】図１で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は１μｍである）。
【図６】図１で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は２００ｎｍである）。
【図７】図３で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は１μｍである）。
【図８】図３で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は２００ｎｍである）。
【図９】図４で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は１μｍである）。
【図１０】図４で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は５００ｎｍである）。
【図１１】本発明の別の実施形態による方法により得られたＡｇＩｎＳ２サンプルのＵＶ−可視吸収スペクトルを示す図である（サンプルは熱処理されていない）。
【図１２】本発明の別の実施形態による方法により得られたＡｇＩｎＳ２サンプルのＸ−線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である（サンプルは、１００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、１時間熱処理された）。
【図１３】本発明の別の実施形態による方法により得られたＡｇＩｎＳ２サンプルのＸ−線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である（サンプルは、４００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理された）。
【図１４】本発明の別の実施形態による方法により得られたＣｄＳサンプルのＵＶ−可視吸収スペクトルを示す図である（サンプルは、３００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理された）。
【図１５】図１４で分析されたＣｄＳサンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である。
【図１６】本発明の別の実施形態による方法により得られたＩｎＰサンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機化合物の調製の分野における改良に関する。特に、本発明は、黄銅鉱型化合物およびその他の無機化合物、例えば、ＩＩＩ〜ＶまたはＩＩ〜ＶＩ族等の化合物の調製に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、黄銅鉱型化合物（例えば、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＳ２等）およびその他の無機化合物、例えば、ＩＩＩ〜ＶまたはＩＩ〜ＶＩ族等（例えば、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等）の化合物の効率的な調製方法を提供するために、幾つかの試みがなされてきている。提案されているこれら方法の多くは、ナノ結晶性化合物の調製に関するものであった。しかしながら、提案されている解決方法の幾つかは、費用および時間のかかる方法に関するものであった。これらの方法は、多くの場合、高価な試薬を必要とし、または幾つかの工程を含むものであった。これらの工程の幾つかは、有害な条件下でも行われていた。幾つかのコロイド方法も提案されているが、これらは、多くの場合、高結晶性ではない化合物をもたらすものであった。
【０００３】
Ｃｚｅｋｅｌｉｕｓら、ｉｎ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、１９９９年、ｖｏｌ．１１（８）、６４３頁〜６４６頁には、ナノ結晶性ＣｕＩｎＳ２の調製方法が記載されている。しかしながら、この２段階方法は、高価な試薬を必要とする。また、この方法は、得られたＣｕＩｎＳ２の表面で抵抗層を形成する可能性のあるホスファイトを使用する。その様な抵抗層は、結局のところ、その様な物質を組み込んでいる装置において、可視光線の吸収の減少および著しい抵抗降下の原因となる可能性がある。
【０００４】
したがって、上述の欠点を解消する方法を提供することは極めて望ましいことである。
【非特許文献１】Ｃｚｅｋｅｌｉｕｓら、ｉｎ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、１９９９年、ｖｏｌ．１１（８）、６４３頁〜６４６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明の目的は、従来方法の欠点を解消する方法を提供することである。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、黄銅鉱型化合物、例えば、ナノ結晶性黄銅鉱型化合物等を簡単にかつ低コストで調製するための方法を提供することである。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、黄銅鉱型化合物、例えば、高結晶性であるナノ結晶性黄銅鉱型化合物等を調製するための方法を提供することである。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、ＩＩＩ〜ＶまたはＩＩ〜ＶＩ族の化合物を簡単にかつ低コストで調製するための方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、ＩＩＩ〜ＶまたはＩＩ〜ＶＩ族のナノ結晶性化合物を簡単にかつ低コストで調製するための方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の１つの態様によれば、式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法が提供される。この方法は、式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１１】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法が提供される。この方法は、
式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させる工程と、
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程と
を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１２】
上述の方法は、式Ｍ３Ｍ１Ａ２で定義される化合物を低コストで調製するのに極めて有効であることが分かった。事実、この方法は、簡単で、複雑な工程を必要とすることなく迅速に行うことができる。事実、この方法は、高価な試薬の使用なしに行うことができる。更に、この方法によれば、Ｈ２Ｓ雰囲気等の有害条件下で行う工程を回避することが可能となる。かかる方法によれば、高純度でかつ高結晶性の化合物、例えば、ナノ結晶性の化合物を得ることも可能となる。また、該方法は、環境に優しく、迅速に行えることが分かった。更に、該方法は、無水条件下で行うことができ、金属酸化物の生成の危険性を著しく減少させることができる。
【００１３】
本発明の別の態様によれば、ＣｕＩｎＳ２の調製方法が提供される。この方法は、
ＣｕＩｎＳ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物とＣｕＸ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１４】
本発明の別の態様によれば、ＣｕＩｎＳ２の調製方法が提供される。この方法は、
式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、Ｉｎ（Ｘ１）３と式（Ｍ２）２Ｓの化合物とを反応させる工程と、
ＣｕＩｎＳ２を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物と式ＣｕＸ２の化合物とを反応させる工程と、
を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１５】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物の調製方法が提供される。この方法は、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ｍ５は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｉ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１６】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物の調製方法が提供される。この方法は、
式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、式Ｍ５（Ｘ３）３の化合物、および式（Ｍ２）２Ａの化合物を一緒に反応させる工程と、
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程と、
を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ｍ５は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ３は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１７】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ４Ａの化合物の調製方法が提供される。この方法は、式Ｍ４Ａの化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ４Ｘ２の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ４は、Ｃｄ２＋、Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋、Ｚｎ２＋、Ｈｇ２＋、Ｍｇ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、およびＰｂ２＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００１８】
上述の方法は、式Ｍ４Ａで表される化合物を低コストで調製するのに極めて有効であることが分かった。事実、この方法は、簡単で、複雑な工程を必要とすることなく迅速に行うことができる。事実、この方法は、高価な試薬の使用なしに行うことができる。更に、この方法によれば、Ｈ２Ｓ雰囲気等の有害条件下で行う工程を回避することが可能となる。かかる方法によれば、高純度でかつ高結晶性の化合物、例えば、ナノ結晶性の化合物を得ることも可能となる。また、かかる方法は、環境に優しく、迅速に行えることが分かった。更に、該方法は、無水条件下で行うことができ、金属酸化物の生成の危険性を著しく減少させることができる。
【００１９】
本発明の別の態様によれば、式Ｍ１Ａの化合物の調製方法が提供される。この方法は、式Ｍ１Ａの化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１Ｘ３の化合物と式（Ｍ２）３Ａの化合物とを一緒に反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ａは、Ｎ、Ｐ、およびＡｓから選択され、
Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される。
【００２０】
上述の方法は、式Ｍ１Ａで表される化合物を低コストで調製するのに極めて有効であることが分かった。事実、この方法は、簡単で、複雑な工程を必要とすることなく迅速に行うことができる。事実、この方法は、高価な試薬の使用なしに行うことができる。かかる方法によれば、高純度でかつ高結晶性の化合物、例えば、ナノ結晶性の化合物を得ることも可能となる。また、かかる方法は、環境に優しく、迅速に行えることが分かった。更に、該方法は、無水条件下で行うことができ、金属酸化物の生成の危険性を著しく減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
上記配位性溶媒は、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択することができる。例えば、配位性溶媒をＮ−メチルイミダゾールとすることができる。追加の溶媒を、配位性溶媒に添加することができる。追加の溶媒は、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択することができる。
【００２２】
別の配位性溶媒は、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択することができる。例えば、別の配位性溶媒をＮ−メチルイミダゾールとすることができる。別の配位性溶媒に追加の溶媒を添加することができる。追加の溶媒は、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択することができる。
【００２３】
あるいは、配位性溶媒および／または別の配位性溶媒は、
【００２４】
【化１】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１２ヘテロシクリル、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８アルキニル、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、Ｃ６〜Ｃ２０アラルキル、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリール、およびＣ１〜Ｃ１２ヘテロアリールから選択され、
Ｒ１およびＲ２は、一緒に結合して５〜１４員ヘテロシクリルを形成してもよく、またはポリマー鎖もしくはネットワークの一部である）から選択することができる。
【００２５】
これらの構造で表されるこれら化合物の幾つかは、室温で固体の形態であってもよく、液体の形態とするために加熱してもよく、または、これらは、室温で液体である別の有機溶媒と混合することもできる。
【００２６】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物は、例えば、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＩｎＴｅ２、ＡｕＩｎＳ２、ＡｕＩｎＳｅ２、ＡｕＩｎＴｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＴｅ２、ＨｇＩｎＳ２、ＨｇＩｎＳｅ２、ＨｇＩｎＴｅ２、ＬｉＩｎＳ２、ＬｉＩｎＳｅ２、ＬｉＩｎＴｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＣｕＧａＴｅ２、ＡｕＧａＳ２、ＡｕＧａＳｅ２、ＡｕＧａＴｅ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＧａＴｅ２、ＨｇＧａＳ２、ＨｇＧａＳｅ２、ＨｇＧａＴｅ２、ＣｕＡｌＳ２、ＣｕＡｌＳｅ２、ＣｕＡｌＴｅ２、ＡｕＡｌＳ２、ＡｕＡｌＳｅ２、ＡｕＡｌＴｅ２、ＡｇＡｌＳ２、ＡｇＡｌＳｅ２、ＡｇＡｌＴｅ２、ＨｇＡｌＳ２、ＨｇＡｌＳｅ２、ＨｇＡｌＴｅ２、ＣｕＡｕＳ２、ＣｕＡｕＳｅ２、ＣｕＡｕＴｅ２、ＡｕＡｕＳ２、ＡｕＡｕＳｅ２、ＡｕＡｕＴｅ２、ＡｇＡｕＳ２、ＡｇＡｕＳｅ２、ＡｇＡｕＴｅ２、ＨｇＡｕＳ２、ＨｇＡｕＳｅ２、ＨｇＡｕＴｅ２、ＬｉＦｅＳ２、ＬｉＦｅＳｅ２、ＬｉＦｅＴｅ２、ＡｇＦｅＳ２、ＡｇＦｅＳｅ２、ＡｇＦｅＴｅ２、ＬｉＧａＳ２、ＬｉＧａＳｅ２、およびＬｉＧａＴｅ２から選択することができる。これらはまた、ＣｕＩｎＳ２、ＡｕＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＡｕＧａＳ２、ＣｕＡｌＳ２、およびＬｉＦｅＳ２から選択することができる。特定の一実施形態において、これらは、例えば、ＣｕＩｎＳ２またはＡｇＩｎＳ２であってもよい。
【００２７】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法において、Ｍ２は、例えば、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択することができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択することができる。別の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＣｌ−とすることができる。別の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＩ−とすることができる。別の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＣＮ−とすることができる。
【００２８】
一例では、Ｍ１をＩｎ３＋とすることができ、Ｍ２はＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択することができ、Ｍ３はＣｕ＋、およびＡｇ＋から選択することができ、ＡはＳおよびＳｅから選択することができ、Ｘ２はＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００２９】
別の例では、Ｍ１をＩｎ３＋とすることができ、Ｍ２はＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択することができ、Ｍ３はＣｕ＋、およびＡｇ＋から選択することができ、ＡをＳとすることができ、Ｘ２はＣｌ−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３０】
別の例では、Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択することができ、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、Ｍ３は、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択することができ、Ａは、ＳおよびＳｅから選択することができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３１】
別の例では、Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択することができ、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択することができ、ＡはＳｅであることができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３２】
別の例では、Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択することができ、Ｍ２は、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択することができ、Ａは、ＳおよびＳｅから選択することができ、Ｘ２は、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３３】
別の例では、Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｍ２は、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができる。更なる例では、Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｘ２は、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。更に他の例では、Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｍ２は、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択することができ、Ｘ２は、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択することができる。
【００３４】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を調製する場合、Ｍ３Ｘ２およびＭ２Ｍ１Ａ２の間の反応は次の通りに行われる：
【００３５】
【化２】
【００３６】
例えば、Ｍ３Ｘ２およびＭ２Ｍ１Ａ２は、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ３Ｘ２およびＭ２Ｍ１Ａ２は、室温で一緒に反応させることができる。
【００３７】
例えば、Ｍ３Ｍ１Ａ２は、沈殿させて、配位性溶媒およびその中に溶解した副生成物を含む混合物から、ろ過により分離することができる。かかる副生成物は、Ｍ２Ｘ２である可能性がある。あるいは、Ｍ３Ｍ１Ａ２は、例えば沈殿させて、配位性溶媒および式Ｍ２Ｘ２の化合物から、ろ過により分離することができる。
【００３８】
１つの実施形態では、式Ｍ３Ｘ２の化合物を式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。
【００３９】
別の実施形態では、式Ｍ３Ｘ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物を式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。例えば、式Ｍ３Ｘ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物を、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に滴下することができる。
【００４０】
別の実施形態では、式Ｍ３Ｘ２の化合物を式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。
【００４１】
別の実施形態では、式Ｍ３Ｘ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物を式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。例えば、式Ｍ３Ｘ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物を、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に滴下することができる。
【００４２】
例えば、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物は、配位性溶媒の存在下で式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。
【００４３】
Ｍ１（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ａの間の反応は、例えば、次の通りに行われる：
【００４４】
【化３】
【００４５】
例えば、Ｍ１（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ａは、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ１（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ａは、室温で一緒に反応させることができる。
【００４６】
１つの実施形態では、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、式（Ｍ２）２Ａの化合物、および配位性溶媒を一緒に混合し、撹拌することができる。音波浴、種々のかき混ぜ手段による撹拌等の当業者に既知の種々の方法により撹拌することができる。
【００４７】
別の実施形態では、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物および配位性溶媒を含む組成物を、式（Ｍ２）２Ａの化合物および配位性溶媒を含む組成物と混合することができる。
【００４８】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を調製する場合、Ｘ１およびＸ２は異なってもよい。あるいは、これらは同一であってもよい。例えば、Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択することができる。あるいは、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＣｌ−とすることができる。
【００４９】
１つの実施形態では、式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物はＣｕＩｎＳ２であることができる。式ＣｕＸ２およびＭ２ＩｎＳ２の化合物を使用してその様な化合物を調製する場合、後者の２つは次の通りに一緒に反応させることができる：
【００５０】
【化４】
【００５１】
例えば、ＣｕＸ２およびＭ２ＩｎＳ２は、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、ＣｕＸ２およびＭ２ＩｎＳ２は、室温で一緒に反応させることができる。
【００５２】
例えば、ＣｕＩｎＳ２は、沈殿させて、配位性溶媒およびその中に溶解した副生成物を含む混合物から、ろ過により分離することができる。かかる副生成物は、Ｍ２Ｘ２である可能性がある。あるいは、ＣｕＩｎＳ２は、例えば沈殿させて、配位性溶媒および式Ｍ２Ｘ２の化合物から、ろ過により分離することができる。
【００５３】
１つの実施形態では、式ＣｕＸ２の化合物を式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。
【００５４】
別の実施形態では、式ＣｕＸ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物を式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。例えば、式ＣｕＸ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物を、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および配位性溶媒を含む組成物に滴下することができる。Ｘ２は、例えば、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＣｌ−とすることができる。例えば、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物は、配位性溶媒の存在下で式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。得られたＣｕＩｎＳ２は、ナノ結晶性である可能性がある。
【００５５】
１つの実施形態では、式ＣｕＸ２の化合物を式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。
【００５６】
別の実施形態では、式ＣｕＸ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物を式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。例えば、式ＣｕＸ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物を、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および別の配位性溶媒を含む組成物に滴下することができる。
【００５７】
Ｘ２は、例えば、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＣｌ−とすることができる。例えば、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物は、配位性溶媒の存在下で式ＣｕＸ２の化合物と反応させることができる。得られたＣｕＩｎＳ２は、ナノ結晶性である可能性がある。
【００５８】
ＣｕＩｎＳ２を調製する場合、Ｉｎ（Ｘ１）３は、配位性溶媒の存在下で式（Ｍ２）２Ｓの化合物と反応させることができる。その様な反応は次の通りに行うことができる：
【００５９】
【化５】
【００６０】
例えば、Ｉｎ（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ｓは、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｉｎ（Ｘ１）３および（Ｍ２）２Ｓは、室温で一緒に反応させることができる。
【００６１】
１つの実施形態では、ＣｕＩｎＳ２を得るために、式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物、式（Ｍ２）２Ｓの化合物、および配位性溶媒を一緒に混合し、撹拌することができる。音波浴、種々のかき混ぜ手段を伴う撹拌等の当業者に既知の種々の方法により撹拌することができる。
【００６２】
別の実施形態では、式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物および配位性溶媒を含む組成物を、式（Ｍ２）２Ｓの化合物および配位性溶媒を含む組成物と混合することができる。
【００６３】
ＣｕＩｎＳ２を調製する場合、Ｘ１およびＸ２は異なってもよい。あるいは、これらは同一であってもよい。例えば、Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択することができる。あるいは、Ｘ１は、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＣｌ−とすることができる。例えば、Ｘ２は、Ｃｌ−、およびＩ−から選択することができ、またはＩ−とすることができる。
【００６４】
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物は、例えば、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２から選択することができる。これらはまた、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２から選択することができ、またはＣｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２から選択することができる。例えば、Ｍ５／Ｍ１のモル比は、約１未満、約０．７５未満、約０．５未満、約０．２５未満、約０．１未満、約０．０５未満、約０．０４未満、約０．０２未満、約０．０１未満、約０．００２未満、または約０．００１未満等の種々の値を有することができる。
【００６５】
例えば、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を調製する場合、式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物は、配位性溶媒の存在下で式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させることができる。例えば、Ｍ３Ｘ２およびＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２は、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ３Ｘ２およびＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２は、室温で一緒に反応させることができる。１つの実施形態では、Ｍ１はＭ５と異なってもよい。Ｍ１は、Ｍ５と同一であってもよい。別の実施形態では、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択することができ、Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択することができる。別の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＣｌ−とすることができる。更なる実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＩ−とすることができる。更に他の実施形態では、Ｍ２をＬｉ＋とすることができ、Ｘ２をＣＮ−とすることができる。別の実施形態では、Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択することができる。あるいは、Ｍ２をＬｉ＋とすることができる。
【００６６】
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を調製する場合、Ｍ１（Ｘ１）３、Ｍ５（Ｘ３）３、および（Ｍ２）２Ａは、例えば、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ１（Ｘ１）３、Ｍ５（Ｘ３）３、および（Ｍ２）２Ａは、室温で一緒に反応させることができる。
【００６７】
例えば、式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を調製する場合、Ｘ１およびＸ２は異なってもよい。あるいは、これらは同一であってもよい。また、Ｘ１、Ｘ２、およびＸ３は、同一であってもよい。１つの実施形態では、Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択することができる。別の実施形態では、Ｘ１をＣｌ−とすることができる。別の実施形態では、Ｍ１はＭ５と異なってもよい。
【００６８】
式Ｍ４Ａの化合物は、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｏＳ、ＣｏＳｅ、ＣｏＴｅ、ＮｉＳ、ＮｉＳｅ、ＮｉＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＭｎＴｅ、ＦｅＳ、ＦｅＳｅ、ＦｅＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、およびＺｎＴｅから選択することができる。あるいは、これらは、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｏＳ、およびＺｎＳｅから選択することができる。
【００６９】
式Ｍ４Ｘ２の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させて式Ｍ４Ａの化合物を調製する場合、反応は次の通りに行うことができる：
【００７０】
【化６】
【００７１】
例えば、Ｍ４Ｘ２および（Ｍ２）２Ａは、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、その他の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ４Ｘ２および（Ｍ２）２Ａは、室温で一緒に反応させることができる。
【００７２】
式Ｍ４Ａの化合物は、沈殿させて、配位性溶媒およびその中に溶解した副生成物を含む混合物から、ろ過により分離することができる。副生成物は、Ｍ２Ｘである可能性がある。式Ｍ４Ａの化合物は、沈殿させて、配位性溶媒および式Ｍ２Ｘの化合物から、ろ過により分離することができる。
【００７３】
１つの実施形態では、式Ｍ４Ａの化合物を調製する場合、Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択することができる。あるいは、Ｘは、Ｃｌ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択することができる。Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択することができる。
【００７４】
式Ｍ１Ａの化合物は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、およびＩｎＮから選択することができる。あるいは、これらは、ＧａＡｓおよびＩｎＰから選択することができる。式Ｍ１Ｘ３の化合物と式（Ｍ２）３Ａの化合物とを反応させて式Ｍ１Ａの化合物を調製する場合、反応は次の通りに行うことができる：
【００７５】
【化７】
【００７６】
例えば、Ｍ１Ｘ３および（Ｍ２）３Ａは、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させることができる。これらは、別の温度範囲、例えば、約−５℃〜約５０℃、約０℃〜約４０℃、約５〜約３５℃、または約１５〜約３０℃等で一緒に反応させることもできる。あるいは、Ｍ１Ｘ３および（Ｍ２）３Ａは、室温で一緒に反応させることができる。
【００７７】
式Ｍ１Ａの化合物は、沈殿させて、配位性溶媒およびその中に溶解した副生成物を含む混合物から、ろ過により分離することができる。副生成物はＭ２Ｘである可能性ある。式Ｍ１Ａの化合物は、沈殿させて、配位性溶媒および式Ｍ２Ｘの化合物から、ろ過により分離することができる。
【００７８】
１つの実施形態では、式Ｍ１Ａの化合物を調製する場合、Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択することができる。あるいは、Ｘは、Ｃｌ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択することができる。Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択することができる。
【００７９】
本発明の方法は、その様にして得た化合物または組成物を乾燥する工程を更に含んでもよい。これらは、例えば、遠心分離、加熱、真空、またはこれらの組合せにより乾燥することができる。本発明の方法は、その様にして得た化合物または組成物を熱処理する工程も更に含んでもよい。例えば、これらは、約７５℃以上の温度で熱処理することができる。あるいは、これらは、種々のその他の温度、例えば、約１００℃以上、約１５０℃以上、約２００℃以上、約２５０℃以上、約３００℃以上、約４００℃以上、または約５００℃以上等の温度で熱処理することができる。この温度は、約１００℃〜約１５０℃、または約２００℃〜約４００℃とすることもできる。
【００８０】
例えば、熱処理は、約３０分間以上にわたって行うことができる。あるいは、熱処理は、種々の時間にわたって、例えば、約４５分以上、約６０分以上、約９０分以上、約１２０分以上、または約１８０分以上にわたって行うことができる。熱処理の継続時間は、約６０分〜約１８０分とすることもできる。
【００８１】
熱処理は、例えば、真空下で行うことができる。真空は、約５０ｍＴｏｒｒ以上または約１００ｍＴｏｒｒ以上とすることができる。
【００８２】
本発明の種々の方法により得られた化合物および組成物は、ナノ結晶性である可能性がある。得られた化合物は、５００ｎｍ未満または２５０ｎｍ未満もしくは１００ｎｍ未満等のその他の値の直径を有する粒子の形態であってもよい。得られた化合物または組成物は、例えば、半導体材料である。
【００８３】
本発明の方法は、得られた化合物または組成物を含む電極を作製する工程を更に含んでもよい。これらの方法は、電極の作製に適した混合物を得るために、得られた化合物もしくは組成物を結着剤と混合する工程、または、電極の作製に適当な前駆体を得るために、得られた化合物もしくは組成物を結着剤と混合する工程を含んでもよい。
【００８４】
あるいは、本発明の方法は、化合物または組成物と結着剤とを含む混合物を得るために、得られた化合物または組成物を結着剤と混合する工程、および該混合物で電極を作製する工程を含んでもよい。混合物は、任意選択的に、Ｎ−メチルピリジノン等の溶媒を含む。例えば、電極を作製するために、混合物の薄膜を基材上に被覆することができる。適当な基材は、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、またはこれらの混合物等の金属を含むことができる。混合物は、導電性向上剤、例えば、カーボンブラック、グラファイト、カーボンナノチューブ、またはこれらの混合物等を更に含むことができる。結着剤は、かかる調製を行うのに適合した、および電極の作製に適した如何なる適当なポリマーであってもよい。当業者は、複数の種々のポリマーを結着剤として使用できることを明確に理解するであろう。非限定的方法では、結着剤は、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ（フッ化ビニリデン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）（ＰＶＤＦ−ＨＦＰ）、またはこれらの混合物とすることができる。
【００８５】
本発明の別の態様によれば、少なくとも２種の化合物、先に定義された方法により得られた第一化合物、および先に定義された方法により得られた第二化合物を含む組成物が提供される。
【００８６】
本発明の別の態様によれば、Ｍ３Ｍ１Ａ２を調製するために先に定義された方法（ここで、式Ｍ１（Ｘ１）３の異なる２種の化合物を式（Ｍ２）２Ａの化合物と反応させる）により調製される化合物が提供される。例えば、式Ｍ１（Ｘ１）３の２種の化合物は、ＩｎＣｌ３またはＧａＣｌ３とすることができる。これらは、モル比を基準にして、ＩｎＣｌ３（９０％）およびＧａＣｌ３（１０％）、ＩｎＣｌ３（９５％）およびＧａＣｌ３（５％）等の種々の割合で使用することができる。その様な化合物は、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびこれらの混合物から選択することができる。得られた化合物は、高純度である可能性があり、低コストで調製できることが分かった。更に、得られた化合物は高結晶性である可能性があることが分かった。
【００８７】
本発明の別の態様によれば、ナノ結晶性化合物または組成物の調製のための、本発明で定義された方法の使用が提供される。その様な化合物または組成物は、太陽電池で使用することができる。
【００８８】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適した化合物または組成物の調製のための、本発明で定義された方法の使用が提供される。
【００８９】
本発明の別の態様によれば、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機での使用に適した化合物または組成物の調製のための、本発明で定義された方法の使用が提供される。
【００９０】
本発明の別の態様によれば、太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物または組成物の調製方法が提供される。この方法は、本発明で定義される方法を実行することを含む。
【００９１】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適した化合物または組成物の調製方法が提供され、この方法は、本発明で定義される方法を実行することを含む。
【００９２】
本発明の別の態様によれば、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適した化合物または組成物の調製方法が提供される。この方法は、本発明で定義される方法を実行することを含む。
【００９３】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される方法により得られた少なくとも１種の化合物および結着剤を含む組成物が提供される。
【００９４】
本発明の別の態様によれば、少なくとも２種の化合物、本発明で定義される方法により得られた第一化合物、および本発明で定義される方法により得られた第二化合物を含む組成物が提供される。
【００９５】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の製造における、本発明で定義される化合物または組成物の使用が提供される。
【００９６】
本発明の別の態様によれば、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における成分または前駆体として、本発明で定義される化合物または組成物を使用する工程を含む、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製方法が提供される。
【００９７】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の作製における成分または前駆体として、本発明の化合物または組成物を使用する工程を含む、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の作製方法が提供される。
【００９８】
本発明の別の態様によれば、太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物が提供される。この化合物は本発明で定義される方法により調製される。
【００９９】
本発明の別の態様によれば、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適したナノ結晶性化合物が提供される。この化合物は本発明で定義される方法により調製される。
【０１００】
本発明の別の態様によれば、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適したナノ結晶性化合物が提供される。この化合物は本発明で定義される方法により調製される。
【０１０１】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される化合物または組成物を含む、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機が提供される。
【０１０２】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される化合物または組成物を含む、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置が提供される。
【０１０３】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される方法により得られた化合物または組成物が提供される。
【０１０４】
本発明の化合物または組成物は、光を電気的信号に変換することができる。これらは、ＣＤＲＯＭ装置、ＤＶＤプレーヤーおよびバーコードスキャナでの検出器として機能し、太陽パネル、スキャナおよびデジタルカメラにおける主要な機能要素に相当することも可能である。これらの化合物または組成物は、薄膜太陽電池等の光起電装置において有用である可能性がある。これらは、全ての電子装置およびシステムで見出すことのできるトランジスタにおいて使用することもできる。これらは、スイッチ、論理素子または増幅器として機能する主要な活動素子として使用することができる。本発明の化合物または組成物は、ＣＤＲＯＭ装置、ＤＶＤプレーヤーおよびバーコードスキャナで見出すことのできる半導体レーザーにおいて使用することもできる。これらは、緻密で効果的なコヒーレント光を提供することができる。オプトエレクトロニクス装置では、本発明の化合物または組成物は、光ファイバーに沿って長距離を伝播することのできる赤外線信号を提供するための送信機および受信機として使用することができる。これらの送信機は、インターネットを介して世界中に大量のデジタル情報の迅速な送信を可能にすることができる。
【０１０５】
本発明の別の態様によれば、ＩｎＣｌ３および本発明で定義される配位性溶媒を含む組成物が提供される。この溶媒は、Ｎ−メチルイミダゾールとすることができる。
【０１０６】
本発明の別の態様によれば、ＩｎＣｌ３の無水源として、ＩｎＣｌ３および本発明で定義される配位性溶媒を含む組成物の使用が提供される。
【０１０７】
本発明の別の態様によれば、配位性溶媒と配位性溶媒により安定化されかつ溶解されたＩｎＣｌ３とを含むＩｎＣｌ３系の組成物を調製するための、本発明で定義される配位性溶媒の使用が提供される。
【０１０８】
本発明の別の態様によれば、ＩｎＣｌ３を可溶化しかつ安定化するための、本発明で定義される配位性溶媒の使用が提供される。例えば、ＩｎＣｌ３は、不活性ガス雰囲気、例えば、窒素またはアルゴン下等の無水条件下で可溶化させかつ安定化することができる。
【０１０９】
本発明の別の態様によれば、本発明で定義される配位性溶媒でＩｎＣｌ３を溶解する工程および安定化する工程を含む、ＩｎＣｌ３系組成物の調製方法が提供される。例えば、ＩｎＣｌ３は、不活性ガス雰囲気、例えば、窒素またはアルゴン下等の無水条件下で可溶化させかつ安定化することができる。
【０１１０】
本発明の別の態様によれば、触媒としてＩｎＣｌ３を使用する方法において、ＩｎＣｌ３をＩｎＣｌ３と本発明で定義される配位性溶媒とを含む組成物の形態で提供することを特徴とするＩｎＣｌ３の使用方法が提供される。
【０１１１】
添付の図面は、単なる実施例として本発明の特定の実施形態を表すものである。
【０１１２】
本発明の更なる特徴および利点は、以下の実施例によって説明される種々の特定の実施形態の記載からより容易に明らかとなるであろう。
【実施例】
【０１１３】
（実施例１：ＣｕＩｎＳ２の合成）
ＩｎＣｌ３（１６５．９ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、室温において、２５０ｍＬの二口フラスコ中で、１７ｍＬの無水Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）に溶解させた。硫化リチウム（１３７．８ｍｇ、１．５ｍｍｏｌ）を、１５ｍＬのＮＭＩに室温で懸濁させた。両方の組成物または溶液を一緒に混合し、１時間の超音波浴で処理した後、透明な黄色がかった溶液（溶液Ａ）を得た。
【０１１４】
別の２５０ｍＬ二口フラスコ中で、ＣｕＣｌ（７４．２ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、９ｍＬのＮＭＩに溶解させた（溶液Ｂ）。
【０１１５】
両方の溶液ＡおよびＢを５℃に冷却した後、溶液Ｂを、アルゴン下で溶液Ａに１５分間にわたり滴下した。得られた暗いオレンジ色の懸濁液は凝集に対して安定であった。混合物を、５℃で１２時間撹拌した。次いで、粒子を遠心分離に掛け、ろ過し、室温で、真空下、一晩中乾燥した。最終的に、ＣｕＩｎＳ２の粒子を熱処理することも可能である。
【０１１６】
実施例１で得たサンプルを、ＵＶ−可視分光法（図１）およびＸＲＤ（図２）で分析した。また、サンプルを走査型電子顕微鏡で分析し、その結果を図５（１μｍの目盛）および図６（２００ｎｍの目盛）に示す。
【０１１７】
更なるサンプルを、先に定義されているものと同様の方法で調製したが、これらの場合においては、サンプルを熱処理した。サンプルを３００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下、２時間熱処理し、図３のＸ線回折（ＸＲＤ）パターン、図７の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（１μｍの目盛）、および図８の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（２００ｎｍの目盛）を含む種々の分析をそれについて行った。
【０１１８】
別のサンプルを、５００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理し、図４のＸ線回折（ＸＲＤ）パターン、図９の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（１μｍの目盛）、および図１０の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像（５００ｎｍの目盛）を含む種々の分析をそれについて行った。図４では、“＊”で標識化したピークは、Ｉｎ２Ｏ３相に相当し、“＋”で標識化したピークは、Ｃｕ２Ｓ相に相当する。
【０１１９】
図２〜４から分かる傾向は、良好な結晶性が、高い熱処理温度に対して観察されることである。図５〜１０から分かる一般的な傾向は、粒子の凝集が、高い熱処理温度で一層顕著であることである。
【０１２０】
ＵＶ−可視スペクトルは、アセトニトリルに懸濁したサンプルの粒子から得た。このスペクトルは、１．５５ｅＶのバンドギャップエネルギーを有する半導体粒子の特徴的なもので、ＣｕＩｎＳ２の理論値の１．５ｅＶに非常に近い。図２〜４のＸＲＤデータは、コバルト管（波長 λ１：１．７８８９７Åおよびλ２：１．７９２８５Å）およびシリコン検出器を使用して、Ｄ５０００ジーメンス回折計から得た。回折図は、２０°〜１００°の範囲の２θ間で記録した。強度は、毎秒当たりのカウント数（ＣＰＳ）で記録し、強度の割合で正規化した。ピークの割り当はＤｉｆｆｒａｃｔＡＴソフトウエアで行った。実施例１のサンプルを、また、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を使用する原子発光分析で分析したところ、熱処理前後で得られた化学量論は、Ｉｎ １に対してＣｕ ０．９８であった。別のＩＣＰ分析を、前述のものと同じ方法（溶液ＡおよびＢが室温で一緒に混合された）により調製されたサンプルについて行ったところ、熱処理前後で得られた化学量論は、Ｉｎ １に対してＣｕ ０．９３であった。ＩＣＰならびに図１〜１０の結果は、この様に、得られた生成物が、１００ｎｍ未満の粒子直径を持つ良好な結晶性を有する半導体ＣｕＩｎＳ２であったことを明確に示している。
【０１２１】
（実施例２：ＡｇＩｎＳ２の合成）
ＩｎＣｌ３（１６５．９ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、室温において、２５０ｍＬの二口フラスコ中で、１７ｍＬの無水Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）に溶解させた。硫化リチウム（１３７．８ｍｇ、１．５ｍｍｏｌ）を、１５ｍＬのＮＭＩに室温で懸濁させた。両方の溶液を一緒に混合し、１時間の超音波浴で処理した後、透明な黄色がかった溶液（溶液Ａ）を得た。
【０１２２】
別の２５０ｍＬ二口フラスコ中で、ＡｇＣＮ（１００．４ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を、アルゴン下で９ｍＬのＮＭＩに溶解させた（溶液Ｂ）。
【０１２３】
次いで、溶液Ｂを、アルゴン下、２５℃で、溶液Ａに１５分間にわたり滴下した。得られた暗いオレンジ色の懸濁液は凝集に対して安定であった。混合物を、８０℃で１時間の間加熱した。次いで、粒子を遠心分離に掛け、ろ過し、室温で、真空下、一晩中乾燥した。実施例２で得たサンプルを、ＵＶ−可視分光法で分析した（図１１）。ＵＶ−可視スペクトルは、アセトニトリルに懸濁させたサンプルの粒子から得た。このスペクトルは、１．８５ｅＶのバンドギャップエネルギーを有する半導体粒子の特徴的なもので、ＡｇＩｎＳ２の理論値の１．８ｅＶに非常に近い。
【０１２４】
更なるサンプルを、先に定義されているものと同様の方法で調製したが、これらの場合においては、サンプルを熱処理した。サンプルを１００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下、１時間熱処理したところ、該サンプルは図１２のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを特徴としていた。別のサンプルを、４００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下、２時間熱処理したところ、該サンプルは図１３のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを特徴としていた。図１３では、“＊”で標識化したピークは、Ａｇ２Ｓ相に相当し、“＋”で標識化したピークは、Ｉｎ２Ｏ３相に相当する。
【０１２５】
図１２および１３から分かる傾向は、良好な結晶性が、高い熱処理温度に対して観察されることである。
【０１２６】
図１２および１３のＸＲＤデータは、銅管（波長 λ１：１．５４１８Å）およびシリコン検出器を使用して、回折計から得た。回折図は、１０°〜８０°の範囲の２θ間で記録した。強度は、毎秒当たりのカウント数（ＣＰＳ）で記録し、強度の割合で正規化した。ピークの割り当はＤｉｆｆｒａｃｔＡＴソフトウエアで行った。実施例２のサンプルを、また、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を使用する原子発光分析で分析したところ、熱処理前に得られた化学量論は、Ｉｎ １に対してＡｇ １．０７であった。ＩＣＰならびに図１１〜１３の結果は、この様に、得られた生成物が、結晶性半導体ＡｇＩｎＳ２であったことを明確に示している。
【０１２７】
（実施例３：薄膜層高性能電極の作製）
本発明の方法で得られた化合物を使用して薄膜層高性能電極を作製するために、ポリマー結着剤および導電性向上剤を使用する。結着剤および導電性向上剤を、有機溶媒および黄銅鉱型化合物と一緒に混合して懸濁液を得る。次いで、懸濁液を、ブレードアプリケータを使用して基材上に被覆し（集電体として使用される）、次いで、５０℃で１２時間の間真空下で乾燥する。
【０１２８】
その様な懸濁液に対する組成物のサンプルは、ＣｕＩｎＳ２等の黄銅鉱型化合物を９５重量％、結着剤としてのポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）および／またはポリ（フッ化ビニリデン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）（ＰＶＤＦ−ＨＦＰ）を３重量％、導電性増向上剤としてのカーボンブラック粉末を２重量％ならびに溶媒をＮ−メチルピリジノン（ＮＭＰ）とすることができる。
【０１２９】
（実施例４：ＣｄＳの合成）
ＣｄＣｌ２（７４．５ｍｇ、０．４０６ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、室温において、２５０ｍＬの二口フラスコ中で、５ｍＬの無水Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）に溶解させた。硫化リチウム（２２ｍｇ、０．４７ｍｍｏｌ）を、４０ｍＬのＮＭＩに室温で懸濁させた。両方の溶液を一緒に混合した。得られた黄色がかった懸濁液を２５℃で２時間撹拌し、次いで、８０℃で１時間加熱した。次いで、粒子を遠心分離に掛け、ろ過し、室温で、真空下、一晩中乾燥した。次いで、得られたＣｄＳ粒子を、３００℃、１００ｍＴｏｒｒで少なくとも２時間熱処理した。
【０１３０】
実施例４で得たサンプルを、ＵＶ−可視分光法（図１４）およびＸＲＤ（図１５）で分析した。ＵＶ−可視スペクトルは、Ｎ−メチルイミダゾールに懸濁させたサンプルの粒子から得た。このスペクトルは、半導体粒子に特徴的なものである。図１５のＸＲＤデータは、コバルト管（波長 λ１：１．７８８９７Åおよびλ２：１．７９２８５Å）およびシリコン検出器を使用して、Ｄ５０００ジーメンス回折計から得た。回折図は、２０°〜９０°の範囲の２θ間で記録した。強度は、毎秒当たりのカウント数（ＣＰＳ）で記録し、強度の割合で正規化した。ピークの割り当は、ＤｉｆｆｒａｃｔＡＴソフトウエアで行った。図１５では、“＊”で標識化したピークはＣｄＳの結晶性面心立方相に相当し、“＋”で標識化したピークは、六方晶系α−ＣｄＳの別の結晶相に相当し、“＃”で標識化したピークは、Ｃｄ金属の六方晶系相に相当する。
【０１３１】
実施例４のサンプルを、また、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）で分析したところ、熱処理前後で得られた化学量論は、Ｓ １に対してＣｄ １であった。ＩＣＰならびに図１４および１５の結果は、この様に、得られた生成物が、良好な結晶性を有する半導体ＣｄＳであったことを明確に示している。
【０１３２】
（実施例５：ＩｎＰの合成）
ＩｎＣｌ３（１８３．７ｍｇ、８３．４ｍｍｏｌ）を、アルゴン下、室温において、２５０ｍＬの二口フラスコ中で、２０ｍＬの無水Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）に溶解させた。（Ｍｅ３Ｓｉ）３Ｐ（２００．４ｍｇ、８０ｍｍｏｌ）を、５０ｍＬの無水アセトニトリルに室温で溶解させた。両方の溶液を一緒に混合した。得られた暗赤色懸濁液を２５℃で１２時間撹拌した。次いで、粒子を遠心分離に掛け、ろ過し、室温で、真空下、一晩中乾燥した。得られたＩｎＰ粒子を、１５０℃、１００ｍＴｏｒｒで３時間以上熱処理した。
【０１３３】
実施例５で得たサンプルを、ＸＲＤで分析した（図１６）。図１６のＸＲＤデータは、コバルト管（波長 λ１：１．７８８９７Åおよびλ２：１．７９２８５Å）およびシリコン検出器を使用して、Ｄ５０００ジーメンス回折計から得た。回折図は、２０°〜９０°の範囲の２θ間で記録した。強度は、毎秒当たりのカウント数（ＣＰＳ）で記録し、強度の割合で正規化した。ピークの割り当は、ＤｉｆｆｒａｃｔＡＴソフトウエアで行った。実施例５のサンプルを、また、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）で分析したところ、熱処理前後で得られた化学量論は、Ｐ １．１２に対してＩｎ １であった。ＥＤＸならびに図１６の結果は、この様に、得られた生成物が、ＩｎＰであったことを示している。更に、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）測定は、ＩｎＰが材料表面に存在することを示した。
【０１３４】
本発明を、本発明の特定の実施形態に関して説明したが、本発明は更なる変更ができ、本出願は、本発明の属する技術分野で公知のまたは慣行の範疇に入るものとして、また、前述の本質的特徴に適用可能なものとして、並びに、添付の特許請求の範囲に従うものとして、一般に本発明の原理に従うものの本開示の内容から逸脱したものを含む発明の任意の変形、使用、または適合を包含することを意図するものであることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】本発明の１つの実施形態による方法により得られたＣｕＩｎＳ２サンプルのＵＶ−可視吸収スペクトルを示す図である（サンプルは熱処理されていない）。
【図２】図１で分析されたＣｕＩｎＳ２サンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である。
【図３】本発明の別の実施形態による方法により得られたＣｕＩｎＳ２サンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である（サンプルは、３００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理された）。
【図４】本発明の別の実施形態による方法により得られたＣｕＩｎＳ２サンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である（サンプルは、５００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理された）。
【図５】図１で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は１μｍである）。
【図６】図１で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は２００ｎｍである）。
【図７】図３で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は１μｍである）。
【図８】図３で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は２００ｎｍである）。
【図９】図４で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は１μｍである）。
【図１０】図４で分析されたサンプルの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す図である（目盛は５００ｎｍである）。
【図１１】本発明の別の実施形態による方法により得られたＡｇＩｎＳ２サンプルのＵＶ−可視吸収スペクトルを示す図である（サンプルは熱処理されていない）。
【図１２】本発明の別の実施形態による方法により得られたＡｇＩｎＳ２サンプルのＸ−線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である（サンプルは、１００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、１時間熱処理された）。
【図１３】本発明の別の実施形態による方法により得られたＡｇＩｎＳ２サンプルのＸ−線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である（サンプルは、４００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理された）。
【図１４】本発明の別の実施形態による方法により得られたＣｄＳサンプルのＵＶ−可視吸収スペクトルを示す図である（サンプルは、３００℃で、１００ｍＴｏｒｒの真空下で、２時間熱処理された）。
【図１５】図１４で分析されたＣｄＳサンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である。
【図１６】本発明の別の実施形態による方法により得られたＩｎＰサンプルのＸ線回折（ＸＲＤ）パターンを示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させる工程と、
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、前記少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程と
を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法。
【請求項２】
前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記配位性溶媒の存在下で前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記別の配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記別の配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記別の配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１、６、および７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項５または８に記載の方法。
【請求項１０】
Ｍ１（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ａとの反応が次の通りに行われる、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【化１】
【請求項１１】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２との反応が次の通りに行われる、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【化２】
【請求項１２】
Ｍ１（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ａとを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
Ｍ１（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ａとを室温で一緒に反応させる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２とを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２とを室温で一緒に反応させる、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記副生成物がＭ２Ｘ２である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘ２の化合物からろ過により分離する、請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、前記式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、前記式（Ｍ２）２Ａの化合物、および前記配位性溶媒を一緒に混合し、撹拌する、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、前記式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、前記式（Ｍ２）２Ａの化合物、および前記配位性溶媒を一緒に混合し、音波浴中で撹拌する、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を、前記式（Ｍ２）２Ａの化合物および前記配位性溶媒を含む組成物と混合する、請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物を前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物を前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物を、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に滴下する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
Ｘ１とＸ２が異なる、請求項１から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
Ｘ１とＸ２が同じである、請求項１から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
Ｘ１が、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択される、請求項１から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
Ｘ１がＣｌ−である、請求項１から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法。
【請求項３２】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２との反応が次の通りに行われる、請求項３１から３３のいずれか一項に記載の方法。
【化３】
【請求項３５】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項３１から３４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２とを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項３１から３６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３８】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２とを室温で一緒に反応させる、請求項３１から３６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４０】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項３１から３９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４１】
前記副生成物がＭ２Ｘ２である、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘ２の化合物からろ過により分離する、請求項３４に記載の方法。
【請求項４３】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物を前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項３１から４２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４４】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項３１から４２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４５】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に滴下する、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物が、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＩｎＴｅ２、ＡｕＩｎＳ２、ＡｕＩｎＳｅ２、ＡｕＩｎＴｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＴｅ２、ＨｇＩｎＳ２、ＨｇＩｎＳｅ２、ＨｇＩｎＴｅ２、ＬｉＩｎＳ２、ＬｉＩｎＳｅ２、ＬｉＩｎＴｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＣｕＧａＴｅ２、ＡｕＧａＳ２、ＡｕＧａＳｅ２、ＡｕＧａＴｅ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＧａＴｅ２、ＨｇＧａＳ２、ＨｇＧａＳｅ２、ＨｇＧａＴｅ２、ＣｕＡｌＳ２、ＣｕＡｌＳｅ２、ＣｕＡｌＴｅ２、ＡｕＡｌＳ２、ＡｕＡｌＳｅ２、ＡｕＡｌＴｅ２、ＡｇＡｌＳ２、ＡｇＡｌＳｅ２、ＡｇＡｌＴｅ２、ＨｇＡｌＳ２、ＨｇＡｌＳｅ２、ＨｇＡｌＴｅ２、ＣｕＡｕＳ２、ＣｕＡｕＳｅ２、ＣｕＡｕＴｅ２、ＡｕＡｕＳ２、ＡｕＡｕＳｅ２、ＡｕＡｕＴｅ２、ＡｇＡｕＳ２、ＡｇＡｕＳｅ２、ＡｇＡｕＴｅ２、ＨｇＡｕＳ２、ＨｇＡｕＳｅ２、ＨｇＡｕＴｅ２、ＬｉＦｅＳ２、ＬｉＦｅＳｅ２、ＬｉＦｅＴｅ２、ＡｇＦｅＳ２、ＡｇＦｅＳｅ２、ＡｇＦｅＴｅ２、ＬｉＧａＳ２、ＬｉＧａＳｅ２、およびＬｉＧａＴｅ２から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４７】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物が、ＣｕＩｎＳ２、ＡｕＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＡｕＧａＳ２、ＣｕＡｌＳ２、およびＬｉＦｅＳ２から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４８】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物が、ＣｕＩｎＳ２、およびＡｇＩｎＳ２から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４９】
Ｍ２が、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択され、Ｘ２が、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５０】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＣｌ−である、請求項１から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５１】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＩである、請求項１から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５２】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＣＮ−である、請求項１から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５３】
Ｍ１がＩｎ３＋であり、
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択され、
Ｍ３がＣｕ＋、およびＡｇ＋から選択され、
ＡがＳおよびＳｅから選択され、
Ｘ２がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択される、
請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５４】
Ｍ１がＩｎ３＋であり、
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択され、
Ｍ３がＣｕ＋、およびＡｇ＋から選択され、
ＡがＳであり、
Ｘ２がＣｌ−、およびＣＮ−から選択される、
請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５５】
Ｍ１がＢ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３がＡｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
ＡがＳおよびＳｅから選択され、
Ｘ２がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、
請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５６】
Ｍ１がＢ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３がＣｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
ＡがＳｅであり、
Ｘ２がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５７】
Ｍ１がＢ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２がＣｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３がＣｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
ＡがＳおよびＳｅから選択され、
Ｘ２がＢｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、
請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５８】
Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｍ２がＣｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５９】
Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｘ２がＢｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６０】
Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｍ２がＣｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され、Ｘ２がＢｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６１】
得られた前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物がナノ結晶性である、請求項１から６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６２】
式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、Ｉｎ（Ｘ１）３と式（Ｍ２）２Ｓの化合物とを反応させる工程と、
ＣｕＩｎＳ２の化合物を得るために、前記少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物と式ＣｕＸ２の化合物とを反応させる工程と
を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
ＣｕＩｎＳ２の調製方法。
【請求項６３】
Ｉｎ（Ｘ１）３を、前記配位性溶媒の存在下で前記式（Ｍ２）２Ｓの化合物と反応させる、請求項６２に記載の方法。
【請求項６４】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項６２または６３に記載の方法。
【請求項６５】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項６２または６３に記載の方法。
【請求項６６】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項６２から６５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６７】
前記別の配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項６２に記載の方法。
【請求項６８】
前記別の配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項６２に記載の方法。
【請求項６９】
前記別の配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項６２、６７、および６８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７０】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項６６または６９に記載の方法。
【請求項７１】
Ｉｎ（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ｓとの反応が次の通りに行われる、請求項６２から７０のいずれか一項に記載の方法。
【化４】
【請求項７２】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２との反応が次の通りに行われる、請求項６２から７１のいずれか一項に記載の方法。
【化５】
【請求項７３】
Ｉｎ（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ｓとを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項６２から７２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７４】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項７３に記載の方法。
【請求項７５】
Ｉｎ（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ｓとを室温で一緒に反応させる、請求項６２から７２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７６】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２とを約−１０〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項６２から７５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７７】
前記温度が約−５〜約５０℃である、請求項７６に記載の方法。
【請求項７８】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２とを室温で一緒に反応させる、請求項６２から７５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７９】
前記式Ｍ３ＩｎＳ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項６２から７８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８０】
前記副生成物がＭ２Ｘ２である、請求項７９に記載の方法。
【請求項８１】
ＣｕＩｎＳ２を沈殿させ、前記配位溶性媒および前記式Ｍ２Ｘ２の化合物からろ過により分離する、請求項７２に記載の方法。
【請求項８２】
前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を得るために、前記式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物、前記式（Ｍ２）２Ｓの化合物、および前記配位性溶媒を一緒に混合し、撹拌する、請求項６２から８１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８３】
前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を得るために、前記式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物、前記式（Ｍ２）２Ｓの化合物、および前記配位性溶媒を一緒に混合し、音波浴中で撹拌する、請求項６２から８１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８４】
前記式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を、前記式（Ｍ２）２Ａの化合物および前記配位性溶媒を含む組成物と混合する、請求項８２または８３に記載の方法。
【請求項８５】
前記式ＣｕＸ２の化合物を前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を前記式ＣｕＸ２の化合物と反応させる、請求項６２から８４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８６】
前記式ＣｕＸ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物を前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を前記式ＣｕＸ２の化合物と反応させる、請求項６２から８４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８７】
前記式ＣｕＸ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物を、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に滴下する、請求項８６に記載の方法。
【請求項８８】
ＣｕＩｎＳ２を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物と式ＣｕＸ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
ＣｕＩｎＳ２の調製方法。
【請求項８９】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項８８に記載の方法。
【請求項９０】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項８８に記載の方法。
【請求項９１】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項８８から９０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９２】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項９１に記載の方法。
【請求項９３】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２との反応が次の通りに行われる、請求項８８から９２のいずれか一項に記載の方法。
【化６】
【請求項９４】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２とを約−１０〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項８８から９３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９５】
前記温度が約−５〜約５０℃である、請求項９４に記載の方法。
【請求項９６】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２とを室温で一緒に反応させる、請求項８８から９３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９７】
前記式Ｍ３ＩｎＳ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項８８から９６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９８】
前記副生成物がＭ２Ｘ２である、請求項９７に記載の方法。
【請求項９９】
ＣｕＩｎＳ２を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘ２の化合物からろ過により分離する、請求項９３に記載の方法。
【請求項１００】
前記式ＣｕＸ２の化合物を前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を前記式ＣｕＸ２の化合物と反応させる、請求項８８から９９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０１】
前記式ＣｕＸ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を前記式ＣｕＸ２の化合物と反応させる、請求項８８から１００のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０２】
前記式ＣｕＸ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に滴下する、請求項１０１に記載の方法。
【請求項１０３】
Ｘ２がＣｌ−およびＩ−から選択される、請求項６２から１０２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０４】
Ｘ２がＣｌ−である、請求項６２から１０２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０５】
得られた前記ＣｕＩｎＳ２がナノ結晶性である、請求項６２から１０４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０６】
式Ｍ４Ａの化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ４Ｘ２の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ４は、Ｃｄ２＋、Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋、Ｚｎ２＋、Ｈｇ２＋、Ｍｇ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、およびＰｂ２＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ４Ａの化合物の調製方法。
【請求項１０７】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１０６に記載の方法。
【請求項１０８】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１０６に記載の方法。
【請求項１０９】
次の通りに行われる、請求項１０６から１０８のいずれか一項に記載の方法。
【化７】
【請求項１１０】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１０６から１０９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１１】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項１１０に記載の方法。
【請求項１１２】
約−１０℃〜約１８０℃の温度で行われる、請求項１０６から１１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１３】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項１１２に記載の方法。
【請求項１１４】
室温で行われる、請求項１０６から１１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１５】
前記式Ｍ４Ａの化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項１０６から１１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１６】
前記副生成物がＭ２Ｘである、請求項１１５に記載の方法。
【請求項１１７】
前記式Ｍ４Ａの化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘの化合物からろ過により分離する、請求項１０９に記載の方法。
【請求項１１８】
前記式Ｍ４Ａの化合物が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｏＳ、ＣｏＳｅ、ＣｏＴｅ、ＮｉＳ、ＮｉＳｅ、ＮｉＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＭｎＴｅ、ＦｅＳ、ＦｅＳｅ、ＦｅＴｅ、ＺｕＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＺｕＳ、ＺｎＳｅ、およびＺｎＴｅから選択される、請求項１０６から１１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１９】
前記式Ｍ４Ａの化合物が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｏＳ、およびＺｎＳｅから選択される、請求項１０６から１１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２０】
前記式Ｍ４Ａの化合物がＣｄＳである、請求項１０６から１１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２１】
Ｘが、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１０６から１２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２２】
Ｘが、Ｃｌ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１０６から１２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２３】
得られた前記式Ｍ４Ａの化合物がナノ結晶性である、請求項１０６から１２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２４】
式Ｍ１Ａの化合物を得るために、配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１Ｘ３の化合物と式（Ｍ２）３Ａの化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ａは、Ｎ、Ｐ、およびＡｓから選択され、
Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ１Ａの化合物の調製方法。
【請求項１２５】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１２４に記載の方法。
【請求項１２６】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１２４に記載の方法。
【請求項１２７】
次の通りに行われる、請求項１２４から１２６のいずれか一項に記載の方法。
【化８】
【請求項１２８】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１２４から１２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２９】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１３０】
約−１０℃〜約１８０℃の温度で行われる、請求項１２４から１２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３１】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項１３０に記載の方法。
【請求項１３２】
室温で行われる、請求項１２４から１２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３３】
前記式Ｍ１Ａの化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項１２４から１３２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３４】
前記副生成物がＭ２Ｘである、請求項１３３に記載の方法。
【請求項１３５】
前記式Ｍ１Ａの化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘの化合物からろ過により分離する、請求項１２７に記載の方法。
【請求項１３６】
前記式Ｍ１Ａの化合物が、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、およびＩｎＮから選択される、請求項１２４から１３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３７】
前記式Ｍ１Ａの化合物がＧａＡｓまたはＩｎＰである、請求項１２４から１３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３８】
前記式Ｍ１Ａの化合物がＩｎＰである、請求項１２４から１３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３９】
ＸがＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１２４から１３８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４０】
ＸがＣｌ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１２４から１３８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４１】
Ｍ２が、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択される、請求項１０６から１４０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４２】
Ｍ２がＬｉ＋である、請求項１０６から１４０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４３】
得られた前記式Ｍ１Ａの化合物がナノ結晶性である、請求項１２４から１４２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４４】
前記配位性溶媒が、
【化９】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１２ヘテロシクリル、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８アルキニル、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、Ｃ６〜Ｃ２０アラルキル、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリール、およびＣ１〜Ｃ１２ヘテロアリールから選択され、
Ｒ１およびＲ２は、一緒に結合して５〜１４員ヘテロシクリルを形成してもよく、またはポリマー鎖もしくはネットワークの一部である）
から選択される、請求項１、２、３１、６２、６３、８８、１０６、および１２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４５】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１４４に記載の方法。
【請求項１４６】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項１４５に記載の方法。
【請求項１４７】
前記別の配位性溶媒が、
【化１０】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１２ヘテロシクリル、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８アルキニル、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、Ｃ６〜Ｃ２０アラルキル、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリール、およびＣ１〜Ｃ１２ヘテロアリールから選択され、
Ｒ１およびＲ２は、一緒に結合して５〜１４員ヘテロシクリルを形成してもよく、またはポリマー鎖もしくはネットワークの一部である）
から選択される、請求項１、２、６２、および６３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４８】
前記別の配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１４７に記載の方法。
【請求項１４９】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項１４８に記載の方法。
【請求項１５０】
（Ｔ１）３Ｓｉ−が（ＣＨ３）３Ｓｉ−である、請求項１から４８、６２から８７、８８から１０２、および１０６から１４０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５１】
Ｎ（Ｔ２）４＋がＮＨ４＋である、請求項１から４８、６２から８７、８８から１０２、１０６から１４０、および１５０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５２】
更に、前記の様にして得られた化合物を乾燥する工程を含む、請求項１から１５１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５３】
前記の様にして得られた化合物を、遠心分離、加熱、真空、またはこれらの組合せで乾燥する、請求項１５２に記載の方法。
【請求項１５４】
更に、前記の様にして得られた化合物を熱処理する工程を含む、請求項１から１５３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５５】
更に、得られた前記化合物を含む電極を作製する工程を含む、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５６】
更に、電極の作製に適した混合物を得るために、得られた前記化合物を結着剤と混合する工程を含む、請求項１から１５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５７】
更に、電極の作製に適した前駆体を得るために、得られた前記化合物を結着剤と混合する工程を含む、請求項１から１５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５８】
更に、前記化合物および前記結着剤を含む混合物を得るために、得られた前記化合物を結着剤と混合する工程と、前記混合物で電極を作製する工程とを含む、請求項１から１５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５９】
前記電極を作製するために、前記混合物の薄膜を基材上に被覆する、請求項１５８に記載の方法。
【請求項１６０】
前記基材が、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、およびこれらの混合物から選択される金属を含む、請求項１５９に記載の方法。
【請求項１６１】
前記混合物が導電性向上剤を更に含む、請求項１５６から１６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６２】
前記導電性向上剤が、カーボンブラック、グラファイト、カーボンナノチューブ、およびこれらの混合物から選択される、請求項１６１に記載の方法。
【請求項１６３】
前記結着剤がポリマーである、請求項１５６から１６２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６４】
前記ポリマーが、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ（フッ化ビニリデン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）、およびこれらの混合物から選択される、請求項１６３に記載の方法。
【請求項１６５】
前記混合物が更に溶媒を含む、請求項１５６から１６４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６６】
前記溶媒がＮ−メチルピリジノンである、請求項１６５に記載の方法。
【請求項１６７】
太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物の調製のための、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法の使用。
【請求項１６８】
オプトエレクトロニクスの分野での使用に適した化合物の調製のための、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法の使用。
【請求項１６９】
光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適した化合物の調製のための、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法の使用。
【請求項１７０】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法を実施することを含む、太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物の調製方法。
【請求項１７１】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法を実施することを含む、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適した化合物の調製方法。
【請求項１７２】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法を実施することを含む、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適した化合物の調製方法。
【請求項１７３】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により得られた化合物と結着剤とを含む組成物。
【請求項１７４】
少なくとも２種の化合物と、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により得られた第一化合物と、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により得られた第二化合物とを含む組成物。
【請求項１７５】
太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の製造における、請求項１７３または１７４に記載の組成物の使用。
【請求項１７６】
オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の製造における、請求項１７３または１７４に記載の組成物の使用。
【請求項１７７】
太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における成分または前駆体として、請求項１７３または１７４に記載の組成物を使用する工程を含む、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製方法。
【請求項１７８】
オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の作製における成分または前駆体として、請求項１７３または１７４に記載の組成物を使用する工程を含む、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の作製方法。
【請求項１７９】
ＩｎＣｌ３と請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒とを含む組成物。
【請求項１８０】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１７９に記載の組成物。
【請求項１８１】
ＩｎＣｌ３の無水源としての、請求項１７９または１８０の前記組成物の使用。
【請求項１８２】
前記配位性溶媒と前記配位性溶媒で安定化されかつ溶解されたＩｎＣｌ３とを含むＩｎＣｌ３系組成物を調製するための、請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒の使用。
【請求項１８３】
ＩｎＣｌ３を可溶化しかつ安定化するための、請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒の使用。
【請求項１８４】
前記ＩｎＣｌ３を無水条件下で可溶化しかつ安定化する、請求項１８３に記載の使用。
【請求項１８５】
請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒にＩｎＣｌ３を溶解させかつ安定化する工程を含む、ＩｎＣｌ３系組成物の調製方法。
【請求項１８６】
前記ＩｎＣｌ３を無水条件下で可溶化しかつ安定化する、請求項１８５に記載の方法。
【請求項１８７】
触媒としてＩｎＣｌ３を使用する方法において、ＩｎＣｌ３と請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒とを含む組成物の形態で前記ＩｎＣｌ３を準備することを特徴とするＩｎＣｌ３の使用方法。
【請求項１８８】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１８７に記載の方法。
【請求項１８９】
２種の異なる式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物を前記式（Ｍ２）２Ａの化合物と反応させる、請求項１から３０のいずれか一項に記載の方法により調製される化合物。
【請求項１９０】
前記化合物が、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびこれらの混合物から選択される化合物を含む、請求項１８９に記載の化合物。
【請求項１９１】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により調製される、太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物。
【請求項１９２】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により調製される、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適したナノ結晶性化合物。
【請求項１９３】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により調製される、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適したナノ結晶性化合物。
【請求項１９４】
請求項１７３または１７４に記載の組成物を含む、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機。
【請求項１９５】
請求項１７３または１７４に記載の組成物を含む、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置。
【請求項１９６】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により得られた化合物。
【請求項１９７】
式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、式Ｍ５（Ｘ３）３の化合物、および式（Ｍ２）２Ａの化合物を一緒に反応させる工程と、
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、前記少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、前記式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程と
を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝Ｃ１〜Ｃ６鎖のアルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ｍ５は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ３は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物の調製方法。
【請求項１９８】
前記式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を前記配位性溶媒の存在下で前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項１９７に記載の方法。
【請求項１９９】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１９７または１９８に記載の方法。
【請求項２００】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１９７または１９８に記載の方法。
【請求項２０１】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１９７から２００のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０２】
前記別の配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１９７に記載の方法。
【請求項２０３】
前記別の配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１９７に記載の方法。
【請求項２０４】
前記別の配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１９７、２０２または２０３に記載の方法。
【請求項２０５】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項２０１または２０４に記載の方法。
【請求項２０６】
Ｍ１（Ｘ１）３、Ｍ５（Ｘ３）３、および（Ｍ２）２Ａを、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項１９７から２０７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０７】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項２０６に記載の方法。
【請求項２０８】
Ｍ１（Ｘ１）３、Ｍ５（Ｘ３）３、および（Ｍ２）２Ａを、室温で一緒に反応させる、請求項１９７から２０７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０９】
Ｍ３Ｘ２とＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２とを、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項１９７から２０８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１０】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項２０９に記載の方法。
【請求項２１１】
Ｍ３Ｘ２とＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２とを、室温で一緒に反応させる、請求項１９７から２０８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１２】
Ｘ１とＸ２とが異なる、請求項１９７から２１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１３】
Ｘ１とＸ２とが同じである、請求項１９７から２１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１４】
Ｘ１とＸ２とＸ３とが同じである、請求項１９７から２１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１５】
Ｘ１がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択される、請求項１９７から２１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１６】
Ｘ１がＣｌ−である、請求項１９７から２１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１７】
Ｍ１がＭ５と異なる、請求項１９７から２１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１８】
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ｍ５は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物の調製方法。
【請求項２１９】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項２１８に記載の方法。
【請求項２２０】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項２１８に記載の方法。
【請求項２２１】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項２１８から２２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２２】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項２２１に記載の方法。
【請求項２２３】
Ｍ３Ｘ２とＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２とを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項２１８から２２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２４】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項２２３に記載の方法。
【請求項２２５】
Ｍ３Ｘ２とＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２とを室温で一緒に反応させる、請求項２１８から２２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２６】
Ｍ１がＭ５と異なる、請求項２１８から２２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２７】
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択され、Ｘ２がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２８】
Ｍ２がＬｉ＋およびＮａ＋から選択され、Ｘ２がＣｌ−およびＩ−から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２９】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＣｌ−である、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３０】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＩ−である、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３１】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＣＮ−である、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３２】
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３３】
Ｍ２がＬｉ＋である、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３４】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３５】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３６】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約１未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３７】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．５未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３８】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．２５未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３９】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．１未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４０】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．０２未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４１】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．０１未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４２】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．００２未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４３】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．００１未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４４】
更に、前記の様にして得られた化合物を熱処理する工程を含む、請求項１９７から２４３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４５】
前記の様にして得られた化合物を、約７５℃以上の温度で約３０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２４６】
前記の様にして得られた化合物を、約１００℃以上の温度で約６０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２４７】
前記の様にして得られた化合物を、約２００℃以上の温度で約１２０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２４８】
前記の様にして得られた化合物を、約１００℃以上の温度で約１８０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２４９】
前記の様にして得られた化合物を、約２００℃以上の温度で約１８０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２５０】
前記温度が約２５０℃以上である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５１】
前記温度が約３００℃以上である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５２】
前記温度が約４００℃以上である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５３】
前記温度が約５００℃以上である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５４】
前記温度が約１００℃〜約５００℃である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５５】
前記温度が約２００℃〜約４００℃である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５６】
前記化合物を真空下で熱処理する、請求項２４５から２５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５７】
前記化合物を約５０ｍＴｏｒｒ以上の真空下で熱処理する、請求項２４５から２５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５８】
前記化合物を約１００ｍＴｏｒｒ以上の真空下で熱処理する、請求項２４５から２５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１】
式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させる工程と、
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、前記少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程と
を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法。
【請求項２】
前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記配位性溶媒の存在下で前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記別の配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記別の配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記別の配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１、６、および７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項５または８に記載の方法。
【請求項１０】
Ｍ１（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ａとの反応が次の通りに行われる、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【化１】
【請求項１１】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２との反応が次の通りに行われる、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【化２】
【請求項１２】
Ｍ１（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ａとを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
Ｍ１（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ａとを室温で一緒に反応させる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２とを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２とを室温で一緒に反応させる、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記副生成物がＭ２Ｘ２である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘ２の化合物からろ過により分離する、請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、前記式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、前記式（Ｍ２）２Ａの化合物、および前記配位性溶媒を一緒に混合し、撹拌する、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、前記式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、前記式（Ｍ２）２Ａの化合物、および前記配位性溶媒を一緒に混合し、音波浴中で撹拌する、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を、前記式（Ｍ２）２Ａの化合物および前記配位性溶媒を含む組成物と混合する、請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物を前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物を前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物を、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に滴下する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
Ｘ１とＸ２が異なる、請求項１から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
Ｘ１とＸ２が同じである、請求項１から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
Ｘ１が、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択される、請求項１から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
Ｘ１がＣｌ−である、請求項１から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物の調製方法。
【請求項３２】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２との反応が次の通りに行われる、請求項３１から３３のいずれか一項に記載の方法。
【化３】
【請求項３５】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項３１から３４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２とを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項３１から３６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３８】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
Ｍ３Ｘ２とＭ２Ｍ１Ａ２とを室温で一緒に反応させる、請求項３１から３６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４０】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項３１から３９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４１】
前記副生成物がＭ２Ｘ２である、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘ２の化合物からろ過により分離する、請求項３４に記載の方法。
【請求項４３】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物を前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項３１から４２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４４】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物を前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項３１から４２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４５】
前記式Ｍ３Ｘ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を、前記式Ｍ２Ｍ１Ａ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に滴下する、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物が、ＣｕＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳｅ２、ＣｕＩｎＴｅ２、ＡｕＩｎＳ２、ＡｕＩｎＳｅ２、ＡｕＩｎＴｅ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＡｇＩｎＴｅ２、ＨｇＩｎＳ２、ＨｇＩｎＳｅ２、ＨｇＩｎＴｅ２、ＬｉＩｎＳ２、ＬｉＩｎＳｅ２、ＬｉＩｎＴｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＧａＳｅ２、ＣｕＧａＴｅ２、ＡｕＧａＳ２、ＡｕＧａＳｅ２、ＡｕＧａＴｅ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＧａＴｅ２、ＨｇＧａＳ２、ＨｇＧａＳｅ２、ＨｇＧａＴｅ２、ＣｕＡｌＳ２、ＣｕＡｌＳｅ２、ＣｕＡｌＴｅ２、ＡｕＡｌＳ２、ＡｕＡｌＳｅ２、ＡｕＡｌＴｅ２、ＡｇＡｌＳ２、ＡｇＡｌＳｅ２、ＡｇＡｌＴｅ２、ＨｇＡｌＳ２、ＨｇＡｌＳｅ２、ＨｇＡｌＴｅ２、ＣｕＡｕＳ２、ＣｕＡｕＳｅ２、ＣｕＡｕＴｅ２、ＡｕＡｕＳ２、ＡｕＡｕＳｅ２、ＡｕＡｕＴｅ２、ＡｇＡｕＳ２、ＡｇＡｕＳｅ２、ＡｇＡｕＴｅ２、ＨｇＡｕＳ２、ＨｇＡｕＳｅ２、ＨｇＡｕＴｅ２、ＬｉＦｅＳ２、ＬｉＦｅＳｅ２、ＬｉＦｅＴｅ２、ＡｇＦｅＳ２、ＡｇＦｅＳｅ２、ＡｇＦｅＴｅ２、ＬｉＧａＳ２、ＬｉＧａＳｅ２、およびＬｉＧａＴｅ２から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４７】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物が、ＣｕＩｎＳ２、ＡｕＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳ２、ＡｇＩｎＳｅ２、ＣｕＧａＳ２、ＡｕＧａＳ２、ＣｕＡｌＳ２、およびＬｉＦｅＳ２から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４８】
前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物が、ＣｕＩｎＳ２、およびＡｇＩｎＳ２から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４９】
Ｍ２が、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択され、Ｘ２が、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５０】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＣｌ−である、請求項１から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５１】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＩである、請求項１から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５２】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＣＮ−である、請求項１から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５３】
Ｍ１がＩｎ３＋であり、
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択され、
Ｍ３がＣｕ＋、およびＡｇ＋から選択され、
ＡがＳおよびＳｅから選択され、
Ｘ２がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択される、
請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５４】
Ｍ１がＩｎ３＋であり、
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択され、
Ｍ３がＣｕ＋、およびＡｇ＋から選択され、
ＡがＳであり、
Ｘ２がＣｌ−、およびＣＮ−から選択される、
請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５５】
Ｍ１がＢ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３がＡｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
ＡがＳおよびＳｅから選択され、
Ｘ２がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、
請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５６】
Ｍ１がＢ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３がＣｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
ＡがＳｅであり、
Ｘ２がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５７】
Ｍ１がＢ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２がＣｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３がＣｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
ＡがＳおよびＳｅから選択され、
Ｘ２がＢｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、
請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５８】
Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｍ２がＣｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５９】
Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｘ２がＢｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６０】
Ｍ３Ｍ１Ａ２がＣｕＩｎＳ２である場合、Ｍ２がＣｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され、Ｘ２がＢｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、およびＣＮ−から選択される、請求項１から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６１】
得られた前記式Ｍ３Ｍ１Ａ２の化合物がナノ結晶性である、請求項１から６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６２】
式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、Ｉｎ（Ｘ１）３と式（Ｍ２）２Ｓの化合物とを反応させる工程と、
ＣｕＩｎＳ２の化合物を得るために、前記少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物と式ＣｕＸ２の化合物とを反応させる工程と
を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
ＣｕＩｎＳ２の調製方法。
【請求項６３】
Ｉｎ（Ｘ１）３を、前記配位性溶媒の存在下で前記式（Ｍ２）２Ｓの化合物と反応させる、請求項６２に記載の方法。
【請求項６４】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項６２または６３に記載の方法。
【請求項６５】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項６２または６３に記載の方法。
【請求項６６】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項６２から６５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６７】
前記別の配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項６２に記載の方法。
【請求項６８】
前記別の配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項６２に記載の方法。
【請求項６９】
前記別の配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項６２、６７、および６８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７０】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項６６または６９に記載の方法。
【請求項７１】
Ｉｎ（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ｓとの反応が次の通りに行われる、請求項６２から７０のいずれか一項に記載の方法。
【化４】
【請求項７２】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２との反応が次の通りに行われる、請求項６２から７１のいずれか一項に記載の方法。
【化５】
【請求項７３】
Ｉｎ（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ｓとを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項６２から７２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７４】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項７３に記載の方法。
【請求項７５】
Ｉｎ（Ｘ１）３と（Ｍ２）２Ｓとを室温で一緒に反応させる、請求項６２から７２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７６】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２とを約−１０〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項６２から７５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７７】
前記温度が約−５〜約５０℃である、請求項７６に記載の方法。
【請求項７８】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２とを室温で一緒に反応させる、請求項６２から７５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７９】
前記式Ｍ３ＩｎＳ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項６２から７８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８０】
前記副生成物がＭ２Ｘ２である、請求項７９に記載の方法。
【請求項８１】
ＣｕＩｎＳ２を沈殿させ、前記配位溶性媒および前記式Ｍ２Ｘ２の化合物からろ過により分離する、請求項７２に記載の方法。
【請求項８２】
前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を得るために、前記式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物、前記式（Ｍ２）２Ｓの化合物、および前記配位性溶媒を一緒に混合し、撹拌する、請求項６２から８１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８３】
前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を得るために、前記式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物、前記式（Ｍ２）２Ｓの化合物、および前記配位性溶媒を一緒に混合し、音波浴中で撹拌する、請求項６２から８１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８４】
前記式Ｉｎ（Ｘ１）３の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を、前記式（Ｍ２）２Ａの化合物および前記配位性溶媒を含む組成物と混合する、請求項８２または８３に記載の方法。
【請求項８５】
前記式ＣｕＸ２の化合物を前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を前記式ＣｕＸ２の化合物と反応させる、請求項６２から８４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８６】
前記式ＣｕＸ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物を前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を前記式ＣｕＸ２の化合物と反応させる、請求項６２から８４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８７】
前記式ＣｕＸ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物を、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記別の配位性溶媒を含む組成物に滴下する、請求項８６に記載の方法。
【請求項８８】
ＣｕＩｎＳ２を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物と式ＣｕＸ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
ＣｕＩｎＳ２の調製方法。
【請求項８９】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項８８に記載の方法。
【請求項９０】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項８８に記載の方法。
【請求項９１】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項８８から９０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９２】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項９１に記載の方法。
【請求項９３】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２との反応が次の通りに行われる、請求項８８から９２のいずれか一項に記載の方法。
【化６】
【請求項９４】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２とを約−１０〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項８８から９３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９５】
前記温度が約−５〜約５０℃である、請求項９４に記載の方法。
【請求項９６】
ＣｕＸ２とＭ２ＩｎＳ２とを室温で一緒に反応させる、請求項８８から９３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９７】
前記式Ｍ３ＩｎＳ２の化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項８８から９６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９８】
前記副生成物がＭ２Ｘ２である、請求項９７に記載の方法。
【請求項９９】
ＣｕＩｎＳ２を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘ２の化合物からろ過により分離する、請求項９３に記載の方法。
【請求項１００】
前記式ＣｕＸ２の化合物を前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を前記式ＣｕＸ２の化合物と反応させる、請求項８８から９９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０１】
前記式ＣｕＸ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に添加することにより、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物を前記式ＣｕＸ２の化合物と反応させる、請求項８８から１００のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０２】
前記式ＣｕＸ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物を、前記式Ｍ２ＩｎＳ２の化合物および前記配位性溶媒を含む組成物に滴下する、請求項１０１に記載の方法。
【請求項１０３】
Ｘ２がＣｌ−およびＩ−から選択される、請求項６２から１０２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０４】
Ｘ２がＣｌ−である、請求項６２から１０２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０５】
得られた前記ＣｕＩｎＳ２がナノ結晶性である、請求項６２から１０４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０６】
式Ｍ４Ａの化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ４Ｘ２の化合物と式（Ｍ２）２Ａの化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ４は、Ｃｄ２＋、Ｃｏ２＋、Ｎｉ２＋、Ｚｎ２＋、Ｈｇ２＋、Ｍｇ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、およびＰｂ２＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ４Ａの化合物の調製方法。
【請求項１０７】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１０６に記載の方法。
【請求項１０８】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１０６に記載の方法。
【請求項１０９】
次の通りに行われる、請求項１０６から１０８のいずれか一項に記載の方法。
【化７】
【請求項１１０】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１０６から１０９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１１】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項１１０に記載の方法。
【請求項１１２】
約−１０℃〜約１８０℃の温度で行われる、請求項１０６から１１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１３】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項１１２に記載の方法。
【請求項１１４】
室温で行われる、請求項１０６から１１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１５】
前記式Ｍ４Ａの化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項１０６から１１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１６】
前記副生成物がＭ２Ｘである、請求項１１５に記載の方法。
【請求項１１７】
前記式Ｍ４Ａの化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘの化合物からろ過により分離する、請求項１０９に記載の方法。
【請求項１１８】
前記式Ｍ４Ａの化合物が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｏＳ、ＣｏＳｅ、ＣｏＴｅ、ＮｉＳ、ＮｉＳｅ、ＮｉＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＭｎＴｅ、ＦｅＳ、ＦｅＳｅ、ＦｅＴｅ、ＺｕＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＺｕＳ、ＺｎＳｅ、およびＺｎＴｅから選択される、請求項１０６から１１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１９】
前記式Ｍ４Ａの化合物が、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｏＳ、およびＺｎＳｅから選択される、請求項１０６から１１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２０】
前記式Ｍ４Ａの化合物がＣｄＳである、請求項１０６から１１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２１】
Ｘが、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１０６から１２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２２】
Ｘが、Ｃｌ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１０６から１２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２３】
得られた前記式Ｍ４Ａの化合物がナノ結晶性である、請求項１０６から１２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２４】
式Ｍ１Ａの化合物を得るために、配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１Ｘ３の化合物と式（Ｍ２）３Ａの化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ａは、Ｎ、Ｐ、およびＡｓから選択され、
Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ１Ａの化合物の調製方法。
【請求項１２５】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１２４に記載の方法。
【請求項１２６】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１２４に記載の方法。
【請求項１２７】
次の通りに行われる、請求項１２４から１２６のいずれか一項に記載の方法。
【化８】
【請求項１２８】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１２４から１２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２９】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１３０】
約−１０℃〜約１８０℃の温度で行われる、請求項１２４から１２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３１】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項１３０に記載の方法。
【請求項１３２】
室温で行われる、請求項１２４から１２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３３】
前記式Ｍ１Ａの化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および該溶媒に溶解した副生成物を含む混合物からろ過により分離する、請求項１２４から１３２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３４】
前記副生成物がＭ２Ｘである、請求項１３３に記載の方法。
【請求項１３５】
前記式Ｍ１Ａの化合物を沈殿させ、前記配位性溶媒および前記式Ｍ２Ｘの化合物からろ過により分離する、請求項１２７に記載の方法。
【請求項１３６】
前記式Ｍ１Ａの化合物が、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、およびＩｎＮから選択される、請求項１２４から１３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３７】
前記式Ｍ１Ａの化合物がＧａＡｓまたはＩｎＰである、請求項１２４から１３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３８】
前記式Ｍ１Ａの化合物がＩｎＰである、請求項１２４から１３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３９】
ＸがＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１２４から１３８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４０】
ＸがＣｌ−、Ｉ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１２４から１３８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４１】
Ｍ２が、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択される、請求項１０６から１４０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４２】
Ｍ２がＬｉ＋である、請求項１０６から１４０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４３】
得られた前記式Ｍ１Ａの化合物がナノ結晶性である、請求項１２４から１４２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４４】
前記配位性溶媒が、
【化９】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１２ヘテロシクリル、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８アルキニル、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、Ｃ６〜Ｃ２０アラルキル、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリール、およびＣ１〜Ｃ１２ヘテロアリールから選択され、
Ｒ１およびＲ２は、一緒に結合して５〜１４員ヘテロシクリルを形成してもよく、またはポリマー鎖もしくはネットワークの一部である）
から選択される、請求項１、２、３１、６２、６３、８８、１０６、および１２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４５】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１４４に記載の方法。
【請求項１４６】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項１４５に記載の方法。
【請求項１４７】
前記別の配位性溶媒が、
【化１０】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一でも異なってもよく、水素原子、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１２ヘテロシクリル、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル、Ｃ２〜Ｃ８アルキニル、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、Ｃ６〜Ｃ２０アラルキル、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリール、およびＣ１〜Ｃ１２ヘテロアリールから選択され、
Ｒ１およびＲ２は、一緒に結合して５〜１４員ヘテロシクリルを形成してもよく、またはポリマー鎖もしくはネットワークの一部である）
から選択される、請求項１、２、６２、および６３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４８】
前記別の配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１４７に記載の方法。
【請求項１４９】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項１４８に記載の方法。
【請求項１５０】
（Ｔ１）３Ｓｉ−が（ＣＨ３）３Ｓｉ−である、請求項１から４８、６２から８７、８８から１０２、および１０６から１４０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５１】
Ｎ（Ｔ２）４＋がＮＨ４＋である、請求項１から４８、６２から８７、８８から１０２、１０６から１４０、および１５０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５２】
更に、前記の様にして得られた化合物を乾燥する工程を含む、請求項１から１５１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５３】
前記の様にして得られた化合物を、遠心分離、加熱、真空、またはこれらの組合せで乾燥する、請求項１５２に記載の方法。
【請求項１５４】
更に、前記の様にして得られた化合物を熱処理する工程を含む、請求項１から１５３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５５】
更に、得られた前記化合物を含む電極を作製する工程を含む、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５６】
更に、電極の作製に適した混合物を得るために、得られた前記化合物を結着剤と混合する工程を含む、請求項１から１５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５７】
更に、電極の作製に適した前駆体を得るために、得られた前記化合物を結着剤と混合する工程を含む、請求項１から１５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５８】
更に、前記化合物および前記結着剤を含む混合物を得るために、得られた前記化合物を結着剤と混合する工程と、前記混合物で電極を作製する工程とを含む、請求項１から１５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５９】
前記電極を作製するために、前記混合物の薄膜を基材上に被覆する、請求項１５８に記載の方法。
【請求項１６０】
前記基材が、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、およびこれらの混合物から選択される金属を含む、請求項１５９に記載の方法。
【請求項１６１】
前記混合物が導電性向上剤を更に含む、請求項１５６から１６０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６２】
前記導電性向上剤が、カーボンブラック、グラファイト、カーボンナノチューブ、およびこれらの混合物から選択される、請求項１６１に記載の方法。
【請求項１６３】
前記結着剤がポリマーである、請求項１５６から１６２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６４】
前記ポリマーが、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ（フッ化ビニリデン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）、およびこれらの混合物から選択される、請求項１６３に記載の方法。
【請求項１６５】
前記混合物が更に溶媒を含む、請求項１５６から１６４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６６】
前記溶媒がＮ−メチルピリジノンである、請求項１６５に記載の方法。
【請求項１６７】
太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物の調製のための、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法の使用。
【請求項１６８】
オプトエレクトロニクスの分野での使用に適した化合物の調製のための、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法の使用。
【請求項１６９】
光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適した化合物の調製のための、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法の使用。
【請求項１７０】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法を実施することを含む、太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物の調製方法。
【請求項１７１】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法を実施することを含む、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適した化合物の調製方法。
【請求項１７２】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法を実施することを含む、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適した化合物の調製方法。
【請求項１７３】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により得られた化合物と結着剤とを含む組成物。
【請求項１７４】
少なくとも２種の化合物と、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により得られた第一化合物と、請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により得られた第二化合物とを含む組成物。
【請求項１７５】
太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の製造における、請求項１７３または１７４に記載の組成物の使用。
【請求項１７６】
オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の製造における、請求項１７３または１７４に記載の組成物の使用。
【請求項１７７】
太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における成分または前駆体として、請求項１７３または１７４に記載の組成物を使用する工程を含む、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製方法。
【請求項１７８】
オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の作製における成分または前駆体として、請求項１７３または１７４に記載の組成物を使用する工程を含む、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置の作製方法。
【請求項１７９】
ＩｎＣｌ３と請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒とを含む組成物。
【請求項１８０】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１７９に記載の組成物。
【請求項１８１】
ＩｎＣｌ３の無水源としての、請求項１７９または１８０の前記組成物の使用。
【請求項１８２】
前記配位性溶媒と前記配位性溶媒で安定化されかつ溶解されたＩｎＣｌ３とを含むＩｎＣｌ３系組成物を調製するための、請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒の使用。
【請求項１８３】
ＩｎＣｌ３を可溶化しかつ安定化するための、請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒の使用。
【請求項１８４】
前記ＩｎＣｌ３を無水条件下で可溶化しかつ安定化する、請求項１８３に記載の使用。
【請求項１８５】
請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒にＩｎＣｌ３を溶解させかつ安定化する工程を含む、ＩｎＣｌ３系組成物の調製方法。
【請求項１８６】
前記ＩｎＣｌ３を無水条件下で可溶化しかつ安定化する、請求項１８５に記載の方法。
【請求項１８７】
触媒としてＩｎＣｌ３を使用する方法において、ＩｎＣｌ３と請求項３２、３３、３５、３６、１４４、１４５、および１４６のいずれか一項に記載の配位性溶媒とを含む組成物の形態で前記ＩｎＣｌ３を準備することを特徴とするＩｎＣｌ３の使用方法。
【請求項１８８】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１８７に記載の方法。
【請求項１８９】
２種の異なる式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物を前記式（Ｍ２）２Ａの化合物と反応させる、請求項１から３０のいずれか一項に記載の方法により調製される化合物。
【請求項１９０】
前記化合物が、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびこれらの混合物から選択される化合物を含む、請求項１８９に記載の化合物。
【請求項１９１】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により調製される、太陽電池での使用に適したナノ結晶性化合物。
【請求項１９２】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により調製される、オプトエレクトロニクスの分野での使用に適したナノ結晶性化合物。
【請求項１９３】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により調製される、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機の作製における使用に適したナノ結晶性化合物。
【請求項１９４】
請求項１７３または１７４に記載の組成物を含む、太陽電池、光ダイオード、トランジスタ、センサー、半導体レーザー、またはデジタル映写機。
【請求項１９５】
請求項１７３または１７４に記載の組成物を含む、オプトエレクトロニクス装置、光ルミネッセンス装置または無線通信装置。
【請求項１９６】
請求項１から１５４のいずれか一項に記載の方法により得られた化合物。
【請求項１９７】
式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ１（Ｘ１）３の化合物、式Ｍ５（Ｘ３）３の化合物、および式（Ｍ２）２Ａの化合物を一緒に反応させる工程と、
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、前記少なくとも１種の配位性溶媒、少なくとも１種の別の配位性溶媒、またはこれらの混合物の存在下で、前記式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程と
を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝Ｃ１〜Ｃ６鎖のアルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ｍ５は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ１は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択され、
Ｘ３は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物の調製方法。
【請求項１９８】
前記式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を前記配位性溶媒の存在下で前記式Ｍ３Ｘ２の化合物と反応させる、請求項１９７に記載の方法。
【請求項１９９】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１９７または１９８に記載の方法。
【請求項２００】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１９７または１９８に記載の方法。
【請求項２０１】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１９７から２００のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０２】
前記別の配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項１９７に記載の方法。
【請求項２０３】
前記別の配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項１９７に記載の方法。
【請求項２０４】
前記別の配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項１９７、２０２または２０３に記載の方法。
【請求項２０５】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項２０１または２０４に記載の方法。
【請求項２０６】
Ｍ１（Ｘ１）３、Ｍ５（Ｘ３）３、および（Ｍ２）２Ａを、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項１９７から２０７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０７】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項２０６に記載の方法。
【請求項２０８】
Ｍ１（Ｘ１）３、Ｍ５（Ｘ３）３、および（Ｍ２）２Ａを、室温で一緒に反応させる、請求項１９７から２０７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０９】
Ｍ３Ｘ２とＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２とを、約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項１９７から２０８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１０】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項２０９に記載の方法。
【請求項２１１】
Ｍ３Ｘ２とＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２とを、室温で一緒に反応させる、請求項１９７から２０８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１２】
Ｘ１とＸ２とが異なる、請求項１９７から２１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１３】
Ｘ１とＸ２とが同じである、請求項１９７から２１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１４】
Ｘ１とＸ２とＸ３とが同じである、請求項１９７から２１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１５】
Ｘ１がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、およびＮＯ３−から選択される、請求項１９７から２１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１６】
Ｘ１がＣｌ−である、請求項１９７から２１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１７】
Ｍ１がＭ５と異なる、請求項１９７から２１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１８】
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物を得るために、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物と式Ｍ３Ｘ２の化合物とを反応させる工程を含み、
式中、
Ｍ１は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ｍ２は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、（Ｔ１）３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ２）４＋から選択され（ここで、各Ｔ１は、それぞれ独立して、直鎖または分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表し、各Ｔ２は、それぞれ独立して、水素原子、または直鎖もしくは分枝鎖のＣ１〜Ｃ６アルキルを表す）、
Ｍ３は、Ｃｕ＋、Ａｇ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋、Ｆｒ＋、Ａｕ＋、およびＨｇ＋から選択され、
Ｍ５は、Ｂ３＋、Ａｌ３＋、Ｇａ３＋、Ｉｎ３＋、Ｔｌ３＋、Ｆｅ３＋、およびＡｕ３＋から選択され、
Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択され、
Ｘ２は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＮＯ３−、ＯＣＮ−、ＳＣＮ−、およびＣＮ−から選択される
式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物の調製方法。
【請求項２１９】
前記配位性溶媒が、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、およびこれらの混合物から選択される、請求項２１８に記載の方法。
【請求項２２０】
前記配位性溶媒がＮ−メチルイミダゾールである、請求項２１８に記載の方法。
【請求項２２１】
前記配位性溶媒に、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｃ１〜Ｃ６アルコール類（エタノール、イソプロパノール等）、ジメチルスルホキシド、Ｃ２〜Ｃ１０アミド類（ジメチルホルムアミド等）、Ｃ３〜Ｃ１０直鎖カーボネート類（ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等）、Ｃ３〜Ｃ１０環状カーボネート類（エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等）、Ｃ１〜Ｃ６アルキル尿素（テトラメチル尿素等）、イオン液体、室温溶融塩、およびこれらの混合物から選択される追加の溶媒を添加する、請求項２１８から２２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２２】
前記室温溶融塩が、ジアルキルイミダゾリウム、トリアルキルスルホニウム、第四級アミン（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルアンモニウム等）および第四級ホスホニウム（Ｃ１〜Ｃ２０テトラアルキルホスホニウムまたはＣ６〜Ｃ１２テトラアリールホスホニウム等）から選択されるカチオンと、（ＦＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、ＣＦ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＡｓＦ６−、ＣＨ３ＣＯＯ−、（ＣＮ）２Ｎ−、ＮＯ３−、２．３ＨＦ、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、およびＣｌＯ４−から選択されるアニオンとを含む、請求項２２１に記載の方法。
【請求項２２３】
Ｍ３Ｘ２とＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２とを約−１０℃〜約１８０℃の温度で一緒に反応させる、請求項２１８から２２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２４】
前記温度が約−５℃〜約５０℃である、請求項２２３に記載の方法。
【請求項２２５】
Ｍ３Ｘ２とＭ２（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２とを室温で一緒に反応させる、請求項２１８から２２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２６】
Ｍ１がＭ５と異なる、請求項２１８から２２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２７】
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋、およびＫ＋から選択され、Ｘ２がＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｆ−、およびＣＮ−から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２８】
Ｍ２がＬｉ＋およびＮａ＋から選択され、Ｘ２がＣｌ−およびＩ−から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２９】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＣｌ−である、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３０】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＩ−である、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３１】
Ｍ２がＬｉ＋であり、Ｘ２がＣＮ−である、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３２】
Ｍ２がＬｉ＋、Ｎａ＋および（ＣＨ３）３Ｓｉ−から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３３】
Ｍ２がＬｉ＋である、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３４】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３５】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓ２、Ｃｕ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、Ａｇ（Ａｌ，Ｉｎ）Ｓｅ２、およびＣｕ（Ｇａ，Ｉｎ）Ｓｅ２から選択される、請求項１９７から２２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３６】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約１未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３７】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．５未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３８】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．２５未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３９】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．１未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４０】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．０２未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４１】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．０１未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４２】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．００２未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４３】
前記式Ｍ３（Ｍ５，Ｍ１）Ａ２の化合物が、Ｍ５／Ｍ１のモル比が約０．００１未満の化合物である、請求項１９７から２３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４４】
更に、前記の様にして得られた化合物を熱処理する工程を含む、請求項１９７から２４３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４５】
前記の様にして得られた化合物を、約７５℃以上の温度で約３０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２４６】
前記の様にして得られた化合物を、約１００℃以上の温度で約６０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２４７】
前記の様にして得られた化合物を、約２００℃以上の温度で約１２０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２４８】
前記の様にして得られた化合物を、約１００℃以上の温度で約１８０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２４９】
前記の様にして得られた化合物を、約２００℃以上の温度で約１８０分間以上熱処理する、請求項１５４または２４４に記載の方法。
【請求項２５０】
前記温度が約２５０℃以上である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５１】
前記温度が約３００℃以上である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５２】
前記温度が約４００℃以上である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５３】
前記温度が約５００℃以上である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５４】
前記温度が約１００℃〜約５００℃である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５５】
前記温度が約２００℃〜約４００℃である、請求項２４５から２４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５６】
前記化合物を真空下で熱処理する、請求項２４５から２５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５７】
前記化合物を約５０ｍＴｏｒｒ以上の真空下で熱処理する、請求項２４５から２５５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５８】
前記化合物を約１００ｍＴｏｒｒ以上の真空下で熱処理する、請求項２４５から２５５のいずれか一項に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公表番号】特表２００８−５４０３０４（Ｐ２００８−５４０３０４Ａ）
【公表日】平成２０年１１月２０日（２００８．１１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５０９２８３（Ｐ２００８−５０９２８３）
【出願日】平成１８年５月８日（２００６．５．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＣＡ２００６／０００７３８
【国際公開番号】ＷＯ２００６／１１９６２１
【国際公開日】平成１８年１１月１６日（２００６．１１．１６）
【出願人】（５０７３６４９７５）
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２０年１１月２０日（２００８．１１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月８日（２００６．５．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＣＡ２００６／０００７３８
【国際公開番号】ＷＯ２００６／１１９６２１
【国際公開日】平成１８年１１月１６日（２００６．１１．１６）
【出願人】（５０７３６４９７５）
【Ｆターム（参考）】
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