１，２，４，５−置換フェニル誘導体とその製造方法、及び有機電界発光素子
【課題】有機電界発光素子の低消費電力化を可能にする１，２，４，５−置換フェニル誘導体と、それを電子輸送材とする長寿命を備えた有機電界発光素子の提供。
【解決手段】下記式（１）で表される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
（式中、Ａｒ１は、フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基または２〜４環の炭化水素基。Ｘは、単結合、フェニレン基、ナフチレン基または２価の含窒素ヘテロ芳香族基。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４の少なくとも１つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基であり、残りは水素原子である。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。）
【解決手段】下記式（１）で表される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
（式中、Ａｒ１は、フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基または２〜４環の炭化水素基。Ｘは、単結合、フェニレン基、ナフチレン基または２価の含窒素ヘテロ芳香族基。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４の少なくとも１つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基であり、残りは水素原子である。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，２，４，５−置換フェニル誘導体とその製造方法に関するものである。本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、ベンゼンの１，２，４，５位のいずれかに、含窒素ヘテロ芳香族基を有する置換基を持つことを特徴とする。この１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、良好な電荷輸送特性を持ち、安定な薄膜を形成することから、蛍光又は燐光有機電界発光素子の構成成分として有用である。
【０００２】
本発明は、さらに、１，２，４，５−置換フェニル誘導体からなる少なくとも一つの有機化合物層を有し、駆動性及び発光性に優れた、発光効率が高い有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
有機電界発光素子は、発光材料を含有する発光層を、正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付け、発光層に注入された正孔及び電子の再結合により生ずる励起子が失活する際の光の放出（蛍光又は燐光）を利用する素子であり、ディスプレー等へ応用されている。
【０００４】
１，２，４，５−置換フェニル誘導体を有機電界発光素子に用いる例（特許文献１参照）が開示されている。この例ではベンゼンの１，２，４，５位上の置換基がメタフェニレン基に限定しており、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は含まれない。
【０００５】
１，２，４，５−置換フェニル誘導体として、ビピリジル基を導入した化合物を有機電界発光素子に用いる例（特許文献２参照）が開示されているが、この誘導体では、置換基がピリジル基に限定されており、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は含まれない。
【０００６】
１，２，４，５−置換フェニル誘導体が有機電界発光素子に用いられている例（特許文献３参照）が開示されているが、この例では１，１’：４’，１’’テルフェニルの２’位および５’位が置換された化合物しか規定しておらず、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体とは異なる。また、この特許文献には、上記化合物の発光効率が高いことのみが議論されているだけで、有機電界発光素子に望まれる低消費電力・長寿命は記載されておらず、上記化合物の効果は限定的である。
【０００７】
さらに、フェニル基とピリジル基を組み合わせた誘導体を有機電界発光素子に用いた例（特許文献４〜８参照）があるが、この誘導体は、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体とは骨格が異なるものであって、その有機電界発光素子の性能は十分に向上されてはいない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−９００８５号公報
【特許文献２】ＷＯ２００９−１５１０３９号公報
【特許文献３】ＷＯ２００９−０８１８７３号公報
【特許文献４】特開２００８−６３２３２号公報
【特許文献５】特開２００３−３３６０４３号公報
【特許文献６】特開２００７−０１５９９３号公報
【特許文献７】特開２００５−２５５９８６号公報
【特許文献８】特開２００８−１２７３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
有機電界発光素子は様々な表示機器に利用されているが、電源供給に制限のある携帯機器への有機電界発光素子の利用に関しては、より低消費電力を達成することが求められている。また、同時に有機電界発光素子の商業利用を行う際には、安定した性能を得るために素子寿命をどのように伸長するかが問題となる。
【００１０】
特に電子輸送材料については、素子を低電圧で駆動せしめ消費出力を低減させるための優れた電荷注入及び輸送特性と、素子の長寿命化を可能にする耐久性を併せ持った材料は、従来の化合物の中には見出すことができず、新たな材料が望まれている。
【００１１】
本発明の目的は、有機電界発光素子の構成材料として用いるとき、良好な電荷注入、輸送特性を持つ新規構造を有する１，２，４，５−置換フェニル誘導体を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、工業的に有利な、上記１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法を提供することにある。
【００１３】
本発明のさらに他の目的は、駆動性及び発光性に優れた発光効率の高い有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、含窒素ヘテロ芳香族基を有する置換基をベンゼンの１，２，４，５位のいずれかに持つ１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、青色蛍光素子若しくは燐光素子として用いる為に必要な広いエネルギーギャップ及び高い三重項エネルギーを有すること、また、この１，２，４，５−置換フェニル誘導体を電子輸送層として用いた有機電界発光素子は、駆動性及び発光性に優れており、発光効率が高いという特性を持つことを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち、本発明は、一面において、下記一般式（１）
【００１６】
【化１】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を提供する。
【００１７】
本発明は、他の一面において、下記一般式（２）
【００１８】
【化２】
（式中、Ｚ１は脱離基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つは、アルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、下記の一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物と、
下記一般式（３）
【００１９】
【化３】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｍ１は、金属基またはヘテロ原子基を表す。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物とを、塩基の存在下または非存在下、金属触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、
下記一般式（１）
【００２０】
【化４】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明は、さらに他の一面において、下記一般式（２）
【００２２】
【化５】
（式中、Ｚ１は脱離基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、前記の一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物を、
下記一般式（４）
【００２３】
【化６】
（Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、前記一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。Ｍ２は、金属基又はヘテロ原子基を表す。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物と、
下記一般式（５）
【００２４】
【化７】
（式中、Ｚ１及びＺ２は各々独立に脱離基を表す。但し、Ｚ１とＺ２は同一とならない。）で示される化合物を、塩基の存在下または非存在下、金属触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、
下記一般式（１）
【００２５】
【化８】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法を提供する。
【００２６】
さらに、本発明は、さらに他の一面において、下記一般式（１）
【００２７】
【化９】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分として含む有機電界発光素子を提供する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一般式（１）で表される１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、良好な電荷注入、輸送特性を持つことから、蛍光又は燐光有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけホスト材や電子輸送材等として好適である。
【００２９】
また、上記１，２，４，５−置換フェニル誘導体のバンドギャップは３．２ｅＶ以上であり、パネルを構成する３原色（赤：１．９ｅＶ、緑：２．４ｅＶ、青：２．８ｅＶ）の各色のエネルギーを閉じ込めるのに十分なワイドバンドギャップ材料である。よって、単色の表示素子、３原色のカラー表示素子、照明用途などの白色素子など様々な素子への応用が可能である。本化合物の三重項エネルギーも高く、燐光用途への適用も十分可能である。さらに置換基の変更によって溶解性の制御も可能であるため、蒸着素子ばかりでなく塗布素子への応用も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】後記の試験例−１で作製する有機電界発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．正孔輸送層
４．発光層
５．電子輸送層
６．陰極層
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３３】
本発明の一般式（１）で表される１，２，４，５−置換フェニル誘導体（以下、「化合物（１）」ということがある）において、Ａｒ１で表されるフェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基若しくはフェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基の好ましい例としては、アルキル基で置換されていてもよいピリジル基、アルキル基で置換されていてもよいフェニル基、およびアルキル基で置換されていてもよいフルオレニル基等を挙げることができる。
【００３４】
以下、さらにＡｒ１の具体例を挙げるが、Ａｒ１はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−メチルピリジン−３−イル基、２−メチルピリジン−４−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基、２−メチルピリジン−６−イル基、３−メチルピリジン−２−イル基、３−メチルピリジン−４−イル基、３−メチルピリジン−５−イル基、３−メチルピリジン−６−イル基、４−メチルピリジン−２−イル基、４−メチルピリジン−３−イル基、２，６−ジメチルピリジン−３−イル基、２，６−ジメチルピリジン−４−イル基、３，６−ジメチルピリジン−２−イル基、３，６−ジメチルピリジン−４−イル基、３，６−ジメチルピリジン−５−イル基、２−フェニルピリジン−３−イル基、２−フェニルピリジン−４−イル基、２−フェニルピリジン−５−イル基、２−フェニルピリジン−６−イル基、３−フェニルピリジン−２−イル基、３−フェニルピリジン−４−イル基、３−フェニルピリジン−５−イル基、３−フェニルピリジン−６−イル基、４−フェニルピリジン−２−イル基、４−フェニルピリジン−３−イル基、２，６−ジフェニルピリジン−３−イル基、２，６−ジフェニルピリジン−４−イル基、３，６−ジフェニルピリジン−２−イル基、３，６−ジフェニルピリジン−４−イル基、３，６−ジフェニルピリジン−５−イル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−メチルピリミジン−４−イル基、２−メチルピリミジン−５−イル基、４−メチルピリミジン−２−イル基、４−メチルピリミジン−５−イル基、４−メチルピリミジン−６−イル基、５−メチルピリミジン−２−イル基、５−メチルピリミジン−４−イル基、２，４−ジメチルピリミジン−６−イル基、４，６−ジメチルピリミジン−２−イル基、２−フェニルピリミジン−４−イル基、２−フェニルピリミジン−５−イル基、４−フェニルピリミジン−２−イル基、４−フェニルピリミジン−５−イル基、４−フェニルピリミジン−６−イル基、５−フェニルピリミジン−２−イル基、５−フェニルピリミジン−４−イル基、２，４−ジフェニルピリミジン−６−イル基、４，６−ジフェニルピリミジン−２−イル基、２−ピラジル基、２−メチルピラジン−３−イル基、２−メチルピラジン−５−イル基、２−メチルピラジン−６−イル基、２，６−ジメチルピラジン−３−イル基、２−フェニルピラジン−３−イル基、２−フェニルピラジン−５−イル基、２−フェニルピラジン−６−イル基等が挙げられる。
【００３６】
有機電界発光素子材料として性能が良い点で、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−メチルピリジン−６−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基、３−フェニルピリジン−６−イル基、２−フェニルピリジン−５−イル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、５−フェニルピリミジン−２−イル基が好ましい。合成が容易な点で、２−ピリジル基、３−ピリジル基、２−フェニルピリジン−５−イル基、５−フェニルピリミジン−２−イル基が更に好ましい。
【００３７】
フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、１，３，５−トリメチルフェニル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−２’−イル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−４’−イル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−５’−イル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−６’−イル基、１，１’：２’，１’’−テルフェニル−３’−イル基、１，１’：２’，１’’−テルフェニル−４’−イル基、１，１’：４’，１’’−テルフェニル−２’−イル基等が挙げられる。
【００３８】
有機電界発光素子材料として性能が良い点で、フェニル基、ｐ−トリル基、４−ビフェニル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−５’−イル基が好ましく、合成が容易な点で、フェニル基、ｐ−トリル基、４−ビフェニル基が更に好ましい。
【００３９】
フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基としては、１−ナフチル基、４−メチルナフタレン−１−イル基、４−トリフルオロメチルナフタレン−１−イル基、４−エチルナフタレン−１−イル基、４−プロピルナフタレン−１−イル基、４−ブチルナフタレン−１−イル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、５−メチルナフタレン−１−イル基、５−エチルナフタレン−１−イル基、５−プロピルナフタレン−１−イル基、５−ブチルナフタレン−１−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、２−ナフチル基、６−メチルナフタレン−２−イル基、６−トリフルオロメチルナフタレン−２−イル基、６−エチルナフタレン−２−イル基、６−プロピルナフタレン−２−イル基、６−ブチルナフタレン−２−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、７−メチルナフタレン−２−イル基、７−エチルナフタレン−２−イル基、７−プロピルナフタレン−２−イル基、７−ブチルナフタレン−２−イル基、７−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、１−アントリル基、２−メチルアントラセン−１−イル基、３−メチルアントラセン−１−イル基、４−メチルアントラセン−１−イル基、９−メチルアントラセン−１−イル基、１０−メチルアントラセン−１−イル基、２−フェニルアントラセン−１−イル基、３−フェニルアントラセン−１−イル基、４−フェニルアントラセン−１−イル基、５−フェニルアントラセン−１−イル基、６−フェニルアントラセン−１−イル基、７−フェニルアントラセン−１−イル基、８−フェニルアントラセン−１−イル基、９−フェニルアントラセン−１−イル基、１０−フェニルアントラセン−１−イル基、２−アントリル基、１−メチルアントラセン−２−イル基、３−メチルアントラセン−２−イル基、４−メチルアントラセン−２−イル基、９−メチルアントラセン−２−イル基、１０−メチルアントラセン−２−イル基、１−フェニルアントラセン−２−イル基、３−フェニルアントラセン−２−イル基、４−フェニルアントラセン−２−イル基、５−フェニルアントラセン−２−イル基、６−フェニルアントラセン−２−イル基、７−フェニルアントラセン−２−イル基、８−フェニルアントラセン−２−イル基、９−フェニルアントラセン−２−イル基、１０−フェニルアントラセン−２−イル基、９−アントリル基、２−メチルアントラセン−９−イル基、３−メチルアントラセン−９−イル基、４−メチルアントラセン−９−イル基、１０−メチルアントラセン−９−イル基、１−フェニルアントラセン−９−イル基、２−フェニルアントラセン−９−イル基、３−フェニルアントラセン−９−イル基、４−フェニルアントラセン−９−イル基、１０−フェニルアントラセン−９−イル基、１−フェナントリル基、２−フェニルフェナントレン−１−イル基、３−フェニルフェナントレン−１−イル基、４−フェニルフェナントレン−１−イル基、９−フェニルフェナントレン−１−イル基、２−フェントリル基、１−フェニルフェナントレン−２−イル基、３−フェニルフェナントレン−２−イル基、４−フェニルフェナントレン−２−イル基、９−フェニルフェナントレン−２−イル基、３−フェナントリル基、１−フェニルフェナントレン−３−イル基、２−フェニルフェナントレン−３−イル基、４−フェニルフェナントレン−３−イル基、９−フェニルフェナントレン−３−イル基、４−フェナントリル基、１−フェニルフェナントレン−４−イル基、２−フェニル−４−フェナントリル基、３−フェニル−４−フェナントリル基、９−フェニルフェナントレン−４−イル基、９−フェナントリル基、１−フェニルフェナントレン−９−イル基、２−フェニルフェナントレン−９−イル基、３−フェニルフェナントレン−９−イル基、４−フェニルフェナントレン−９−イル基、１−ピレニル基、６−フェニルピレン−１−イル基、７−フェニルピレン−１−イル基、８−フェニルピレン−１−イル基、２−ピレニル基、６−フェニルピレン−２−イル基、７−フェニルピレン−２−イル基、１−トリフェニレニル基、２−トリフェニレニル基、９，９−ジメチルフルオレン−１−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−３−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−４−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−１−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−３−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−４−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−３−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−４−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−１−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−４−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−１−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−２−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−３−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−４−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−１−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−４−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−１−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−２−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−８−イル基等が挙げられる。
【００４０】
有機電界発光素子の性能が良い点で、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−ピレニル基、２−フェナントレニル基、９−フェナントレニル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−２−イル基、９−アントリル基が好ましく、合成が容易な点で９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、１−ナフチル基、９−フェナントレニル基が更に好ましい。
【００４１】
化合物（１）において、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。ただし、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基である。有機電界発光素子用材料としての性能が良い点で、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、アルキル基で置換されていてもよいピリジル基または水素原子が好ましい。Ａｒ３がピリジル基であって、Ａｒ２およびＡｒ４が水素原子であることが更に好ましい。
【００４２】
以下、さらにＡｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００４３】
アルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−メチルピリジン−３−イル基、２−メチルピリジン−４−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基、２−メチルピリジン−６−イル基、３−メチルピリジン−２−イル基、３−メチルピリジン−４−イル基、３−メチルピリジン−５−イル基、３−メチルピリジン−６−イル基、４−メチルピリジン−２−イル基、４−メチルピリジン−３−イル基、２，６−ジメチルピリジン−３−イル基、２，６−ジメチルピリジン−４−イル基、３，６−ジメチルピリジン−２−イル基、３，６−ジメチルピリジン−４−イル基、３，６−ジメチルピリジン−５−イル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−メチルピリミジン−４−イル基、２−メチルピリミジン−５−イル基、４−メチルピリミジン−２−イル基、４−メチルピリミジン−５−イル基、４−メチルピリミジン−６−イル基、５−メチルピリミジン−２−イル基、５−メチルピリミジン−４−イル基、２，４−ジメチルピリミジン−６−イル基、４，６−ジメチルピリミジン−２−イル基、２−ピラジル基、２−メチルピラジン−３−イル基、２−メチルピラジン−５−イル基、２−メチルピラジン−６−イル基、２，６−ジメチルピラジン−３−イル基等が挙げられる。
【００４４】
有機電界発光素子材料として性能が良い点で、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−メチルピリジン−６−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基、２−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−ピラジル基が好ましい。合成が容易な点で、２−ピリジル基、３−ピリジル基、３−メチルピリジン−６−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基が更に好ましい。
【００４５】
化合物（１）において、Ｘは、単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族置換基を表す。２価の含窒素ヘテロ芳香族基としてはピリジレン基、ピリミジレン基、ピラジレン基、ピリダジレン基等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｘは、上記の中でも、有機電界発光素子用材料としての性能が良い点で、単結合、フェニレン基、ピリジレン基またはピリミジレン基が好ましい。
【００４６】
置換基であるアルキル基としては炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、１−メチルプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンタン−１−イル基、３−メチルブチル、２，２−ジメチルプロピル基、ヘキサン−１−イル基等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
なお、Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４のいずれとも同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。
【００４８】
また、化合物（１）において、各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。
【００４９】
化合物（１）としては、次の（Ａ１）〜（Ａ８８）を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５０】
【化１０】
【００５１】
【化１１】
【００５２】
【化１２】
【００５３】
【化１３】
【００５４】
【化１４】
【００５５】
【化１５】
【００５６】
【化１６】
【００５７】
【化１７】
【００５８】
【化１８】
【００５９】
【化１９】
【００６０】
【化２０】
一般式（３）で示される化合物（以下、「化合物（３）」ということがある）は、例えば、特開２００８−２８０３３０号公報〔００６１〕〜〔００７６〕に開示されている方法を用いて製造することができる。
【００６１】
化合物（３）としては、次の（Ｂ１）〜（Ｂ９６）を例示できるが、これらに限定されるものではない。なお、ここでＭ１は金属基又はヘテロ原子基を表す。
【００６２】
【化２１】
【００６３】
【化２２】
【００６４】
【化２３】
【００６５】
【化２４】
【００６６】
【化２５】
一般式（４）で示される化合物（以下、「化合物（４）」ということがある）は、例えば、特開２００８−２８０３３０号公報〔００６１〕〜〔００７６〕に開示されている方法を用いて製造することができる。
【００６７】
化合物（４）としては、次の（Ｃ１）〜（Ｃ２７）を例示できるが、これらに限定されるものではない。なお、ここでのＭ２は金属基又はヘテロ原子基を表す。
【００６８】
【化２６】
【００６９】
【化２７】
【００７０】
【化２８】
【００７１】
【化２９】
次に、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法について説明する。
【００７２】
１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）は、次の反応式で示される「工程１」により製造できる。
【００７３】
【化３０】
上記一般式（１）、（２）、（３）において、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。Ｚ１は脱離基を表す。Ｍ１は、金属基又はヘテロ原子基を表す。
【００７４】
「工程１」は一般式（２）で示される化合物（以下、化合物（２）ということがある）を、場合によっては塩基の存在下に、金属触媒の存在下に化合物（３）と反応させ、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体を得る方法である。この反応では、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の、一般的なカップリング反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。
【００７５】
化合物（２）におけるＺ１で表される脱離基としては、塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、クロロメタンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオキシ基等を挙げることができる。
【００７６】
化合物（３）におけるＭ１で表される金属基又はヘテロ原子基としては、ＺｎＲ１、ＭｇＲ２、Ｓｎ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ４）２等が挙げることができる。但し、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ３は、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ４は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ４）２の２つのＲ４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
【００７７】
化合物（３）におけるＢ（ＯＲ４）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（ＯｉＰｒ）２、Ｂ（ＯＢｕ）２、Ｂ（ＯＰｈ）２等が例示できる。又、２つのＲ４が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ４）２の例としては、次の（Ｄ１）から（Ｄ６）で示される基が例示でき、収率がよい点で（Ｄ２）で示される基が好ましい。
【００７８】
【化３１】
「工程１」で用いることのできる金属触媒としては、パラジウム触媒及びニッケル触媒等が挙げられる。
【００７９】
「工程１」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等の錯化合物を例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は反応収率がよい点で好ましい。
【００８０】
なお、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル等が例示できる。入手容易であり、反応収率がよい点で、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。
【００８１】
第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００８２】
また、「工程１」で用いることができるニッケル触媒の具体例としては［１，１’ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，１’ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド等が挙げられる。
【００８３】
「工程１」で用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、リン酸三カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点でリン酸三カリウムが望ましい。
【００８４】
塩基と化合物（３）とのモル比は、１：２から１０：１が望ましく、収率がよい点で１：１から３：１がさらに望ましい。
【００８５】
「工程１」で用いる化合物（２）と化合物（３）とのモル比は、１：２から１：１０が望ましく、収率がよい点で１：２から１：４がさらに望ましい。
【００８６】
「工程１」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でジオキサン及び水の混合溶媒を用いることが望ましい。
【００８７】
「工程１」は、０℃から１５０℃から適宜選ばれた温度で実施することができ、収率がよい点で８０℃から１００℃で行うことがさらに望ましい。
【００８８】
化合物（１）は、「工程１」の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００８９】
次に、１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）の製法において、「工程１」の原料として用いる化合物（２）の製法について説明する。
【００９０】
化合物（２）は、次の反応式に示す「工程２」により製造できる。
【００９１】
【化３２】
上記一般式（２）、（４）、（５）において、Ｚ１及びＺ２は各々独立に脱離基を表す。但し、Ｚ１とＺ２は同一とならない。Ｍ２は、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。
【００９２】
「工程２」は一般式（５）で示される化合物（以下、化合物（５）ということがある）を、場合によっては塩基の存在下に、金属触媒の存在下に化合物（４）と反応させ、化合物（１）の製造に用いる化合物（２）を得る方法であり、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の、一般的なカップリング反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。
【００９３】
化合物（４）におけるＭ２で表される金属基又はヘテロ原子基としてとしては、ＺｎＲ１、ＭｇＲ２、Ｓｎ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ４）２等が挙げることができる。但し、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ３は、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ４は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ４）２の２つのＲ４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
【００９４】
化合物（４）におけるＢ（ＯＲ４）２としては、収率がよい点で前述の（Ｄ２）で示される基が好ましい。
【００９５】
化合物（５）におけるＺ１及びＺ２で表される脱離基としては、塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、クロロメタンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオキシ基等を挙げることができる。化合物（５）としては次の（Ｅ１）〜（Ｅ５）を例示できるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００９６】
【化３３】
「工程２」で用いることのできる金属触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム又はニッケル触媒と同様のものを例示することができる。中でも、入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が特に好ましい。
【００９７】
第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調整することもできる。この際用いることのできる三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンと同様のものが例示できる。入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０から１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２から５：１がさらに好ましい。
【００９８】
「工程２」で用いることのできる塩基としては、「工程１」で例示した塩基と同様のものを例示することができ、収率がよい点で炭酸ナトリウムが望ましい。塩基と化合物（４）とのモル比は、１：１から１０：１が望ましく、収率がよい点で２：１から５：１が望ましい。
【００９９】
「工程２」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でテトラヒドロフラン及び水の混合溶媒を用いることが望ましい。
【０１００】
「工程２」は、０℃から１５０℃から適宜選ばれた温度で実施することができ、収率がよい点で５０℃から６０℃で行うことがさらに望ましい。
【０１０１】
化合物（２）は、「工程１」の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよいが、単離することなく「工程１」に供することもできる。
【０１０２】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）を構成成分として含む有機電界発光素子の製造方法に特に限定はないが、真空蒸着法による成膜が可能である。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムや製造コストを考慮すると、一般的に用いられる拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０−２〜１×１０−５Ｐａ程度が好ましい。蒸着速度は、形成する膜の厚さによるが０．００５〜１．０ｎｍ／秒が好ましい。
【０１０３】
また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、汎用の装置を用いたスピンコート法、インクジェット法、キャスト法又はディップ法等による成膜も可能である。
【実施例】
【０１０４】
以下、実験例及び試験例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０５】
実施例−１
【０１０６】
【化３４】
Ｔｆ:トリフルオロメタンスルホニル
アルゴン気流下、４，６−ジクロロ−１，３−ジヒドロキシベンゼン２．００ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）、ピリジン３．５３ｇ（４４．７ｍｍｏｌ）を１１．２ｍＬのジクロロメタンに溶解させ、０℃に冷却した。その後、無水トリフルオロメタンスルホン酸をジクロロメタンで１Ｍに希釈した溶液２６．８ｍＬ（２６．８ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下し、室温で３時間撹拌した。得られた反応溶液にジエチルエーテルを加えて希釈し、１Ｍの塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄した。得られた有機層を濃縮乾燥し、目的の１，３−ジクロロ−４，６−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼンの燈色液体（収量４．２ｇ、収率８５％）を得た。
【０１０７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．７３（ｓ，１Ｈ），７．３９（ｓ，１Ｈ）．
実施例−２
【０１０８】
【化３５】
アルゴン気流下、１，３−ジクロロ−４，６−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン５．６９ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）、４−（２−ピリジル）フェニルボロン酸５．１１ｇ（２５．７ｍｍｏｌ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム２７０ｍｇ（０．３８ｍｍｏｌ）を１９３ｍＬのテトラヒドロフランに溶解させ、２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液３８．５ｍＬ（７７．０ｍｍｏｌ）を加えた後に、加熱還流下で２９時間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除去し、有機層を濃縮して反応粗体を得た。得られた反応粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製し、目的の４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの黄白色固体（収量３．５９ｇ、収率６２％）を得た。
【０１０９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．２５（ｄｄ，Ｊ＝８．７，４．７Ｈｚ，２Ｈ），７．４２（ｓ，１Ｈ），７．５８（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），７．６４（ｓ，１Ｈ），７．７７（ｄ，Ｊ＝３．５Ｈｚ，４Ｈ），８．０７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），８．７１（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−３
【０１１０】
【化３６】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル３．００ｇ（６．６２ｍｍｏｌ）、４，４，４’，４’，５，５，５’５’−オクタメチル−２，２−ビ−１，３，２−ジオキサボロラン６．７２ｇ（２６．５ｍｍｏｌ）、トリスジベンジリデンアセトンパラジウム１２１．２ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１２５．８ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム２．６０ｇ（２６．５ｍｍｏｌ）を１５０ｍＬの１，４−ジオキサン及び３０ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で２時間攪拌した。反応液を濃縮した後、クロロホルムを加え、有機層と水層を分離した。得られた有機層を濃縮し、得られた粗製生物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びメタノールの混合溶媒）により精製し、目的の４’６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル（収量１．６０ｇ、収率３８％）を得た。
【０１１１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．１．２５（ｓ，２４Ｈ），７．２１（ｄｄｄ，Ｊ＝６．７，５．０，１．８Ｈｚ，２Ｈ），７．４７（ｓ，１Ｈ），７．５４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），７．７２−７．７８（ｍ，４Ｈ），８．０１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．１０（ｓ，１Ｈ），８．７０（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−４
【０１１２】
【化３７】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．７０ｇ（１．５４ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸０．７５ｇ（６．１８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１０．４ｍｇ（０．０４６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル４４．１ｍｇ（０．０９２ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４．０２（１２．４ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、加熱還流下で２６間攪拌した。室温まで冷却後、反応系中にクロロホルムを加えて薄めた後、濾過によって無機残渣を取り除いた。得られた有機層を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製し、目的の４’−フェニル−４−（２−ピリジル）−５’−［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：２’，１’’−テルフェニルの白色固体（収量０．６９ｇ、収率８３％）を得た。
【０１１３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．２０−７．２７（ｍ，１２Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），７．５５（ｓ，１Ｈ），７．６１（ｓ，１Ｈ），７．６９−７．７５（ｍ，４Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ）， ８．６７（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−５
【０１１４】
【化３８】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．７０ｇ（１．５４ｍｍｏｌ）、４−ビフェニルボロン酸１．２２ｇ（６．１８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１０．４ｍｇ（０．０４６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル４４．１ｍｇ（０．０９３ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４．０２ｇ（１２．４ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、加熱還流下で２４間攪拌した。続いて５ｍＬの水を加えた後、加熱還流下で２４時間撹拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製し、目的の４’’，６’’−ビス［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：４’，１’’：３’’，１’’’：４’’’，１’’’’−キンクフェニルの白色固体（収量０．６２ｇ、収率５８％）を得た。
【０１１５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１８−７．２２（ｍ，２Ｈ），７．３０（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．３９（ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，４Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５８（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），７．６５（ｓ，２Ｈ），７．７０−７．７４（ｍ，４Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−６
【０１１６】
【化３９】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．８０ｇ（１．７６ｍｍｏｌ）、９，９−ジメチルフルオレン−２−ボロン酸０．６６ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１９．８ｍｇ（０．０８８ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル８４．１ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム１．９４ｇ（９．１７ｍｍｏｌ）を１００ｍＬのジオキサン及び１５ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で２６時間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製し、目的の４’，６’−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの白色固体（収量０．４５ｇ、収率３３％）を得た。
【０１１７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．１．２４（ｓ，１２Ｈ），７．１９（ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，４Ｈ）， ７．２５−７．３８（ｍ，１２Ｈ），７．６２−７．７０（ｍ，９Ｈ），７．７７（ｓ，１Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．６５（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−７
【０１１８】
【化４０】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル１．００ｇ（２．２１ｍｍｏｌ）、３−ピリジンボロン酸１．０８ｇ（８．８２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２４．８ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１０５ｍｇ（０．２２ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム３．７４ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）を１００ｍＬのトルエン、１０ｍＬのエタノール及び１０ｍｌの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で２４間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びメタノールの混合溶媒）により精製し、目的の４，４’’−ジ（２−ピリジル）−４’，６’−ジ（３−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの白色固体（収量０．２５ｇ、収率２１％）を得た。
【０１１９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．２０−７．２７（ｍ，４Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５２（ｓ，１Ｈ），７．５６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．６８（ｓ，１Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．７７（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．４９（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，２Ｈ），８．６０（ｓ，２Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−８
【０１２０】
【化４１】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．５０ｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、４−（３−ピリジル）フェニルボロン酸０．６６ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１２．４ｍｇ（０．０５５ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル５２．６ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．３４ｇ（１１．０ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのジオキサン及び２０ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で７５間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物をトルエンによる再結晶を２回繰り返し、目的の４−（２−ピリジル）−４’’−（３−ピリジル）−４’−［４−（３−ピリジル）フェニル］−５’−［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：２’，１’’−テルフェニルの茶色固体（収量０．２７ｇ、収率３５％）を得た。
【０１２１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１８−７．２２（ｍ，２Ｈ），７．３２（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．６２（ｓ，１Ｈ），７．６６（ｓ，１Ｈ），７．７０−７．７２（ｍ，４Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．５５（ｄ，Ｊ＝４．９Ｈｚ，２Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．８４（ｓ，２Ｈ）．
実施例−９
【０１２２】
【化４２】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．５０ｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジン−５−イルボロン酸０．６６ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１２．４ｍｇ（０．０５５ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル５２．６ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．３４ｇ（１１．０ｍｍｏｌ）を１５ｍＬのジオキサン及び１０ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で９１間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物をトルエンによる再結晶を２回繰り返し、目的の４’，６’−ビス（２−フェニルピリジン−５−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの灰色固体（収量０．２２ｇ、収率２９％）を得た。
【０１２３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．２１（ｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，２Ｈ），７．３６−７．４６（ｍ，１０Ｈ），７．５７−７．６３（ｍ，５Ｈ），７．６９−７．７５（ｍ，５Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−１０
【０１２４】
【化４３】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．１０ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）、２−［３，５−ジ（２−ピリジル）フェニル］−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン０．２４ｇ（０．６６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．５ｍｇ（０．０１１ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１１．０ｍｇ（０．０２３ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム４２１ｍｇ（１．９９ｍｍｏｌ）を１１ｍＬの１，４−ジオキサン及び２．５ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で４０間攪拌した。室温まで冷却後、水層と有機層を分離し、有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム）により精製し、目的の３，５−ジ（２−ピリジル）−５’−｛３，５−ジ（２−ピリジル）フェニル｝−４’’−（２−ピリジル）−４’−｛４−（２−ピリジル）フェニル｝−１，１’：２’，１’’−テルフェニルの灰色固体（収量０．０３０ｇ、収率１６％）を得た。
【０１２５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１４−７．２０（ｍ，６Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），７．５９−７．７１（ｍ，８Ｈ），７．７２（ｓ，１Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，４Ｈ），７．９３（ｓ，１Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，４Ｈ），８．５４（ｔ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６３−８．６６（ｍ、６Ｈ）．
実施例−１１
【０１２６】
【化４４】
アルゴン気流下、４’６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．３０ｇ（０．４７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム５．３ｍｇ（０．０２４ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル２２．５ｍｇ（０．０４７ｍｍｏｌ）、２−クロロ−５−フェニルピリジン０．２１ｇ（１．１３ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム０．４８（２．２６ｍｍｏｌ）を１５ｍＬの１，４−ジオキサンおよび４．５ｍＬの水の混合溶媒に溶解させた後、６０℃で２４時間、９５℃で３時間攪拌した。０℃まで冷却後、析出した固体をろ取し、得られた粗生成物をトルエンによる再結晶で精製することにより目的の４’，６’−ビス（３−フェニルピリジン−６−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの灰色固体（収量０．０６９ｇ、収率２１％）を得た。
【０１２７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１１（ｄｄ，Ｊ＝８．２，０．９Ｈｚ，２Ｈ），７．２１（ｔ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，２Ｈ），７．３６（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．４２−７．４６（ｍ，８Ｈ），７．５８（ｄｄ，Ｊ＝８．５，１．４Ｈｚ，４Ｈ），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．３，２．４Ｈｚ，２Ｈ），７．６６（ｓ，１Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，４Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．２１（ｓ，１Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．８９（ｄｄ，Ｊ＝２．４，０．８Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例―１２
【０１２８】
【化４５】
アルゴン気流下、４’６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．３９ｇ（０．６１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２．８ｍｇ（０．０２４ｍｍｏｌ）、２−クロロ−５−フェニルピリミジン０．３５ｇ（１．８２ｍｍｏｌ）を８ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解させた後、２Ｍに調整したリン酸三カリウム水溶液１．８２ｍＬ（３．６４ｍｍｏｌ）を加えた。得られた混合液を１００℃に昇温し、１２時間攪拌した。室温まで冷却後、１５ｍＬの水および１５ｍＬのメタノールを加え、０℃まで冷却した。析出した固体をろ取し、得られた粗生成物をトルエンによる再結晶で精製することにより目的の４’６’−ビス（５−フェニルピリミジン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの灰色固体（収量０．２８ｇ、収率６７％）を得た。
【０１２９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１８−７．２２（ｍ，２Ｈ），７．４０−７．４４（ｍ，６Ｈ），７．４８（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，４Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），７．７２−７．７４（ｍ，５Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），８．５７（ｓ，１Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．８８（ｓ，４Ｈ）．
試験例−１
素子作製に用いる有機材料は、昇華精製を行った後に使用した。基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、図１に示す多層構造を有する発光面積４ｍｍ２の有機電界発光素子を作製した。
【０１３０】
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、図１の１で示す、前記ガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４及び電子輸送層５を順次成膜し、その後陰極層６を成膜した。正孔注入層２としては、昇華精製したフタロシアニン銅（ＩＩ）を２５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を４５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。発光層４としては、２―ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニルエテン−１−イル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９７：３（質量％）の割合で４０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層５としては、実施例−４で合成した４’−フェニル−４−（２−ピリジル）−５’−［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：２’，１’’−テルフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。
【０１３１】
なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着した。最後に、ＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配し、陰極層６を成膜する。陰極層６は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ１．０ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。
【０１３２】
さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。
【０１３３】
作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定した。
【０１３４】
作製した素子の測定値は、６．１５Ｖ、１７９２ｃｄ／ｍ２、８．９６ｃｄ／Ａ、４．５８ｌｍ／Ｗであった。
【０１３５】
比較例−１
試験例−１の電子輸送層５に代えて、既存材料のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１３６】
作製した素子の測定値は、６．４４Ｖ、１６６４ｃｄ／ｍ２、８．３２ｃｄ／Ａ、４．０６ｌｍ／Ｗであった。
【０１３７】
試験例−２
試験例−１の電子輸送層５に代えて、実施例−５で合成した４’’，６’’−ビス［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：４’，１’’：３’’，１’’’：４’’’，１’’’’−キンクフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１３８】
作製した素子の測定値は、５．７６Ｖ、１８１８ｃｄ／ｍ２、９．０９ｃｄ／Ａ、４．９６ｌｍ／Ｗであった。
【０１３９】
試験例−３
試験例−１の発光層４に代えて、２―ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニルエテン−１−イル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９３：７（質量％）の割合で４０ｎｍの膜厚とし、試験例−１の電子輸送層５に代えて、実施例−７で合成した４，４’’−ジ（２−ピリジル）−４’，６’−ジ（３−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１４０】
作製した素子の測定値は、４．３Ｖ、２０４０ｃｄ／ｍ２、１０．２ｃｄ／Ａ、７．４９ｌｍ／Ｗであった。また、この素子の輝度半減時間は、１９２時間であった。
【０１４１】
比較例−２
試験例−３の電子輸送層５に代えて、既存材料のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１４２】
作製した素子の測定値は、５．７Ｖ、１９８５ｃｄ／ｍ２、９．９３ｃｄ／Ａ、５．４８ｌｍ／Ｗであった。またこの素子の輝度半減時間は、５７８時間であった。
【０１４３】
試験例−４
試験例−３の電子輸送層５に代えて、実施例−８で合成した４−（２−ピリジル）−４’’−（３−ピリジル）−４’−［４−（３−ピリジル）フェニル］−５’−［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：２’，１’’−テルフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１４４】
作製した素子の測定値は、４．１Ｖ、１９９３ｃｄ／ｍ２、９．９７ｃｄ／Ａ、７．６７ｌｍ／Ｗであった。またこの素子の輝度半減時間は、２４３時間であった。
【０１４５】
試験例−５
試験例−３の電子輸送層５に代えて、実施例−９で合成した４’，６’−ビス（２−フェニルピリジン−５−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１４６】
作製した素子の測定値は、４．２Ｖ、２０６０ｃｄ／ｍ２、１０．３ｃｄ／Ａ、７．７２ｌｍ／Ｗであった。またこの素子の輝度半減時間は、２１８時間であった。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体からなる薄膜は、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、耐水性、耐酸素性、電子注入特性等をもつため、有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけ電子輸送材、正孔ブロック材、発光ホスト材等として用いることができる。さらに本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）は、ワイドバンドギャップを有するため、蛍光素子だけではなく燐光素子、さらに導電性の向上や素子寿命の改善に用いられる目的で、ｎ−ドーパントを加えるドーピング素子にも適用可能である。
【０１４８】
また本発明の実施例では、蒸着素子として高い発光効率および低駆動電力化を実現できた。これによってパネル以外の照明などにも利用可能である。さらに有機溶媒への溶解性や高い電子輸送性を有するため、塗布素子、フレキシブル素子、有機トランジスタ、有機薄膜太陽電池への応用などに利用可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，２，４，５−置換フェニル誘導体とその製造方法に関するものである。本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、ベンゼンの１，２，４，５位のいずれかに、含窒素ヘテロ芳香族基を有する置換基を持つことを特徴とする。この１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、良好な電荷輸送特性を持ち、安定な薄膜を形成することから、蛍光又は燐光有機電界発光素子の構成成分として有用である。
【０００２】
本発明は、さらに、１，２，４，５−置換フェニル誘導体からなる少なくとも一つの有機化合物層を有し、駆動性及び発光性に優れた、発光効率が高い有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
有機電界発光素子は、発光材料を含有する発光層を、正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付け、発光層に注入された正孔及び電子の再結合により生ずる励起子が失活する際の光の放出（蛍光又は燐光）を利用する素子であり、ディスプレー等へ応用されている。
【０００４】
１，２，４，５−置換フェニル誘導体を有機電界発光素子に用いる例（特許文献１参照）が開示されている。この例ではベンゼンの１，２，４，５位上の置換基がメタフェニレン基に限定しており、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は含まれない。
【０００５】
１，２，４，５−置換フェニル誘導体として、ビピリジル基を導入した化合物を有機電界発光素子に用いる例（特許文献２参照）が開示されているが、この誘導体では、置換基がピリジル基に限定されており、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は含まれない。
【０００６】
１，２，４，５−置換フェニル誘導体が有機電界発光素子に用いられている例（特許文献３参照）が開示されているが、この例では１，１’：４’，１’’テルフェニルの２’位および５’位が置換された化合物しか規定しておらず、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体とは異なる。また、この特許文献には、上記化合物の発光効率が高いことのみが議論されているだけで、有機電界発光素子に望まれる低消費電力・長寿命は記載されておらず、上記化合物の効果は限定的である。
【０００７】
さらに、フェニル基とピリジル基を組み合わせた誘導体を有機電界発光素子に用いた例（特許文献４〜８参照）があるが、この誘導体は、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体とは骨格が異なるものであって、その有機電界発光素子の性能は十分に向上されてはいない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−９００８５号公報
【特許文献２】ＷＯ２００９−１５１０３９号公報
【特許文献３】ＷＯ２００９−０８１８７３号公報
【特許文献４】特開２００８−６３２３２号公報
【特許文献５】特開２００３−３３６０４３号公報
【特許文献６】特開２００７−０１５９９３号公報
【特許文献７】特開２００５−２５５９８６号公報
【特許文献８】特開２００８−１２７３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
有機電界発光素子は様々な表示機器に利用されているが、電源供給に制限のある携帯機器への有機電界発光素子の利用に関しては、より低消費電力を達成することが求められている。また、同時に有機電界発光素子の商業利用を行う際には、安定した性能を得るために素子寿命をどのように伸長するかが問題となる。
【００１０】
特に電子輸送材料については、素子を低電圧で駆動せしめ消費出力を低減させるための優れた電荷注入及び輸送特性と、素子の長寿命化を可能にする耐久性を併せ持った材料は、従来の化合物の中には見出すことができず、新たな材料が望まれている。
【００１１】
本発明の目的は、有機電界発光素子の構成材料として用いるとき、良好な電荷注入、輸送特性を持つ新規構造を有する１，２，４，５−置換フェニル誘導体を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、工業的に有利な、上記１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法を提供することにある。
【００１３】
本発明のさらに他の目的は、駆動性及び発光性に優れた発光効率の高い有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、含窒素ヘテロ芳香族基を有する置換基をベンゼンの１，２，４，５位のいずれかに持つ１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、青色蛍光素子若しくは燐光素子として用いる為に必要な広いエネルギーギャップ及び高い三重項エネルギーを有すること、また、この１，２，４，５−置換フェニル誘導体を電子輸送層として用いた有機電界発光素子は、駆動性及び発光性に優れており、発光効率が高いという特性を持つことを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち、本発明は、一面において、下記一般式（１）
【００１６】
【化１】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を提供する。
【００１７】
本発明は、他の一面において、下記一般式（２）
【００１８】
【化２】
（式中、Ｚ１は脱離基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つは、アルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、下記の一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物と、
下記一般式（３）
【００１９】
【化３】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｍ１は、金属基またはヘテロ原子基を表す。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物とを、塩基の存在下または非存在下、金属触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、
下記一般式（１）
【００２０】
【化４】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明は、さらに他の一面において、下記一般式（２）
【００２２】
【化５】
（式中、Ｚ１は脱離基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、前記の一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物を、
下記一般式（４）
【００２３】
【化６】
（Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、前記一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。Ｍ２は、金属基又はヘテロ原子基を表す。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物と、
下記一般式（５）
【００２４】
【化７】
（式中、Ｚ１及びＺ２は各々独立に脱離基を表す。但し、Ｚ１とＺ２は同一とならない。）で示される化合物を、塩基の存在下または非存在下、金属触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、
下記一般式（１）
【００２５】
【化８】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法を提供する。
【００２６】
さらに、本発明は、さらに他の一面において、下記一般式（１）
【００２７】
【化９】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分として含む有機電界発光素子を提供する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一般式（１）で表される１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、良好な電荷注入、輸送特性を持つことから、蛍光又は燐光有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけホスト材や電子輸送材等として好適である。
【００２９】
また、上記１，２，４，５−置換フェニル誘導体のバンドギャップは３．２ｅＶ以上であり、パネルを構成する３原色（赤：１．９ｅＶ、緑：２．４ｅＶ、青：２．８ｅＶ）の各色のエネルギーを閉じ込めるのに十分なワイドバンドギャップ材料である。よって、単色の表示素子、３原色のカラー表示素子、照明用途などの白色素子など様々な素子への応用が可能である。本化合物の三重項エネルギーも高く、燐光用途への適用も十分可能である。さらに置換基の変更によって溶解性の制御も可能であるため、蒸着素子ばかりでなく塗布素子への応用も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】後記の試験例−１で作製する有機電界発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．正孔輸送層
４．発光層
５．電子輸送層
６．陰極層
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３３】
本発明の一般式（１）で表される１，２，４，５−置換フェニル誘導体（以下、「化合物（１）」ということがある）において、Ａｒ１で表されるフェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基若しくはフェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基の好ましい例としては、アルキル基で置換されていてもよいピリジル基、アルキル基で置換されていてもよいフェニル基、およびアルキル基で置換されていてもよいフルオレニル基等を挙げることができる。
【００３４】
以下、さらにＡｒ１の具体例を挙げるが、Ａｒ１はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−メチルピリジン−３−イル基、２−メチルピリジン−４−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基、２−メチルピリジン−６−イル基、３−メチルピリジン−２−イル基、３−メチルピリジン−４−イル基、３−メチルピリジン−５−イル基、３−メチルピリジン−６−イル基、４−メチルピリジン−２−イル基、４−メチルピリジン−３−イル基、２，６−ジメチルピリジン−３−イル基、２，６−ジメチルピリジン−４−イル基、３，６−ジメチルピリジン−２−イル基、３，６−ジメチルピリジン−４−イル基、３，６−ジメチルピリジン−５−イル基、２−フェニルピリジン−３−イル基、２−フェニルピリジン−４−イル基、２−フェニルピリジン−５−イル基、２−フェニルピリジン−６−イル基、３−フェニルピリジン−２−イル基、３−フェニルピリジン−４−イル基、３−フェニルピリジン−５−イル基、３−フェニルピリジン−６−イル基、４−フェニルピリジン−２−イル基、４−フェニルピリジン−３−イル基、２，６−ジフェニルピリジン−３−イル基、２，６−ジフェニルピリジン−４−イル基、３，６−ジフェニルピリジン−２−イル基、３，６−ジフェニルピリジン−４−イル基、３，６−ジフェニルピリジン−５−イル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−メチルピリミジン−４−イル基、２−メチルピリミジン−５−イル基、４−メチルピリミジン−２−イル基、４−メチルピリミジン−５−イル基、４−メチルピリミジン−６−イル基、５−メチルピリミジン−２−イル基、５−メチルピリミジン−４−イル基、２，４−ジメチルピリミジン−６−イル基、４，６−ジメチルピリミジン−２−イル基、２−フェニルピリミジン−４−イル基、２−フェニルピリミジン−５−イル基、４−フェニルピリミジン−２−イル基、４−フェニルピリミジン−５−イル基、４−フェニルピリミジン−６−イル基、５−フェニルピリミジン−２−イル基、５−フェニルピリミジン−４−イル基、２，４−ジフェニルピリミジン−６−イル基、４，６−ジフェニルピリミジン−２−イル基、２−ピラジル基、２−メチルピラジン−３−イル基、２−メチルピラジン−５−イル基、２−メチルピラジン−６−イル基、２，６−ジメチルピラジン−３−イル基、２−フェニルピラジン−３−イル基、２−フェニルピラジン−５−イル基、２−フェニルピラジン−６−イル基等が挙げられる。
【００３６】
有機電界発光素子材料として性能が良い点で、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−メチルピリジン−６−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基、３−フェニルピリジン−６−イル基、２−フェニルピリジン−５−イル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、５−フェニルピリミジン−２−イル基が好ましい。合成が容易な点で、２−ピリジル基、３−ピリジル基、２−フェニルピリジン−５−イル基、５−フェニルピリミジン−２−イル基が更に好ましい。
【００３７】
フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、１，３，５−トリメチルフェニル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−２’−イル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−４’−イル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−５’−イル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−６’−イル基、１，１’：２’，１’’−テルフェニル−３’−イル基、１，１’：２’，１’’−テルフェニル−４’−イル基、１，１’：４’，１’’−テルフェニル−２’−イル基等が挙げられる。
【００３８】
有機電界発光素子材料として性能が良い点で、フェニル基、ｐ−トリル基、４−ビフェニル基、１，１’：３’，１’’−テルフェニル−５’−イル基が好ましく、合成が容易な点で、フェニル基、ｐ−トリル基、４−ビフェニル基が更に好ましい。
【００３９】
フェニル基またはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基としては、１−ナフチル基、４−メチルナフタレン−１−イル基、４−トリフルオロメチルナフタレン−１−イル基、４−エチルナフタレン−１−イル基、４−プロピルナフタレン−１−イル基、４−ブチルナフタレン−１−イル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、５−メチルナフタレン−１−イル基、５−エチルナフタレン−１−イル基、５−プロピルナフタレン−１−イル基、５−ブチルナフタレン−１−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、２−ナフチル基、６−メチルナフタレン−２−イル基、６−トリフルオロメチルナフタレン−２−イル基、６−エチルナフタレン−２−イル基、６−プロピルナフタレン−２−イル基、６−ブチルナフタレン−２−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、７−メチルナフタレン−２−イル基、７−エチルナフタレン−２−イル基、７−プロピルナフタレン−２−イル基、７−ブチルナフタレン−２−イル基、７−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、１−アントリル基、２−メチルアントラセン−１−イル基、３−メチルアントラセン−１−イル基、４−メチルアントラセン−１−イル基、９−メチルアントラセン−１−イル基、１０−メチルアントラセン−１−イル基、２−フェニルアントラセン−１−イル基、３−フェニルアントラセン−１−イル基、４−フェニルアントラセン−１−イル基、５−フェニルアントラセン−１−イル基、６−フェニルアントラセン−１−イル基、７−フェニルアントラセン−１−イル基、８−フェニルアントラセン−１−イル基、９−フェニルアントラセン−１−イル基、１０−フェニルアントラセン−１−イル基、２−アントリル基、１−メチルアントラセン−２−イル基、３−メチルアントラセン−２−イル基、４−メチルアントラセン−２−イル基、９−メチルアントラセン−２−イル基、１０−メチルアントラセン−２−イル基、１−フェニルアントラセン−２−イル基、３−フェニルアントラセン−２−イル基、４−フェニルアントラセン−２−イル基、５−フェニルアントラセン−２−イル基、６−フェニルアントラセン−２−イル基、７−フェニルアントラセン−２−イル基、８−フェニルアントラセン−２−イル基、９−フェニルアントラセン−２−イル基、１０−フェニルアントラセン−２−イル基、９−アントリル基、２−メチルアントラセン−９−イル基、３−メチルアントラセン−９−イル基、４−メチルアントラセン−９−イル基、１０−メチルアントラセン−９−イル基、１−フェニルアントラセン−９−イル基、２−フェニルアントラセン−９−イル基、３−フェニルアントラセン−９−イル基、４−フェニルアントラセン−９−イル基、１０−フェニルアントラセン−９−イル基、１−フェナントリル基、２−フェニルフェナントレン−１−イル基、３−フェニルフェナントレン−１−イル基、４−フェニルフェナントレン−１−イル基、９−フェニルフェナントレン−１−イル基、２−フェントリル基、１−フェニルフェナントレン−２−イル基、３−フェニルフェナントレン−２−イル基、４−フェニルフェナントレン−２−イル基、９−フェニルフェナントレン−２−イル基、３−フェナントリル基、１−フェニルフェナントレン−３−イル基、２−フェニルフェナントレン−３−イル基、４−フェニルフェナントレン−３−イル基、９−フェニルフェナントレン−３−イル基、４−フェナントリル基、１−フェニルフェナントレン−４−イル基、２−フェニル−４−フェナントリル基、３−フェニル−４−フェナントリル基、９−フェニルフェナントレン−４−イル基、９−フェナントリル基、１−フェニルフェナントレン−９−イル基、２−フェニルフェナントレン−９−イル基、３−フェニルフェナントレン−９−イル基、４−フェニルフェナントレン−９−イル基、１−ピレニル基、６−フェニルピレン−１−イル基、７−フェニルピレン−１−イル基、８−フェニルピレン−１−イル基、２−ピレニル基、６−フェニルピレン−２−イル基、７−フェニルピレン−２−イル基、１−トリフェニレニル基、２−トリフェニレニル基、９，９−ジメチルフルオレン−１−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−３−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−４−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−１−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−３−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−４−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−３−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−４−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ａ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−１−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−４−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｂ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−１−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−２−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−３−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−４−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ａ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−１−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−４−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｂ］フルオレン−８−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−１−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−２−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−５−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−６−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−７−イル基、９，９−ジフェニルベンゾ［ｃ］フルオレン−８−イル基等が挙げられる。
【００４０】
有機電界発光素子の性能が良い点で、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−ピレニル基、２−フェナントレニル基、９−フェナントレニル基、９，９−ジメチルベンゾ［ｃ］フルオレン−２−イル基、９−アントリル基が好ましく、合成が容易な点で９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、１−ナフチル基、９−フェナントレニル基が更に好ましい。
【００４１】
化合物（１）において、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。ただし、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基である。有機電界発光素子用材料としての性能が良い点で、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、アルキル基で置換されていてもよいピリジル基または水素原子が好ましい。Ａｒ３がピリジル基であって、Ａｒ２およびＡｒ４が水素原子であることが更に好ましい。
【００４２】
以下、さらにＡｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００４３】
アルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−メチルピリジン−３−イル基、２−メチルピリジン−４−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基、２−メチルピリジン−６−イル基、３−メチルピリジン−２−イル基、３−メチルピリジン−４−イル基、３−メチルピリジン−５−イル基、３−メチルピリジン−６−イル基、４−メチルピリジン−２−イル基、４−メチルピリジン−３−イル基、２，６−ジメチルピリジン−３−イル基、２，６−ジメチルピリジン−４−イル基、３，６−ジメチルピリジン−２−イル基、３，６−ジメチルピリジン−４−イル基、３，６−ジメチルピリジン−５−イル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−メチルピリミジン−４−イル基、２−メチルピリミジン−５−イル基、４−メチルピリミジン−２−イル基、４−メチルピリミジン−５−イル基、４−メチルピリミジン−６−イル基、５−メチルピリミジン−２−イル基、５−メチルピリミジン−４−イル基、２，４−ジメチルピリミジン−６−イル基、４，６−ジメチルピリミジン−２−イル基、２−ピラジル基、２−メチルピラジン−３−イル基、２−メチルピラジン−５−イル基、２−メチルピラジン−６−イル基、２，６−ジメチルピラジン−３−イル基等が挙げられる。
【００４４】
有機電界発光素子材料として性能が良い点で、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−メチルピリジン−６−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基、２−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−ピラジル基が好ましい。合成が容易な点で、２−ピリジル基、３−ピリジル基、３−メチルピリジン−６−イル基、２−メチルピリジン−５−イル基が更に好ましい。
【００４５】
化合物（１）において、Ｘは、単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族置換基を表す。２価の含窒素ヘテロ芳香族基としてはピリジレン基、ピリミジレン基、ピラジレン基、ピリダジレン基等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｘは、上記の中でも、有機電界発光素子用材料としての性能が良い点で、単結合、フェニレン基、ピリジレン基またはピリミジレン基が好ましい。
【００４６】
置換基であるアルキル基としては炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、１−メチルプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンタン−１−イル基、３−メチルブチル、２，２−ジメチルプロピル基、ヘキサン−１−イル基等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
なお、Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４のいずれとも同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。
【００４８】
また、化合物（１）において、各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。
【００４９】
化合物（１）としては、次の（Ａ１）〜（Ａ８８）を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５０】
【化１０】
【００５１】
【化１１】
【００５２】
【化１２】
【００５３】
【化１３】
【００５４】
【化１４】
【００５５】
【化１５】
【００５６】
【化１６】
【００５７】
【化１７】
【００５８】
【化１８】
【００５９】
【化１９】
【００６０】
【化２０】
一般式（３）で示される化合物（以下、「化合物（３）」ということがある）は、例えば、特開２００８−２８０３３０号公報〔００６１〕〜〔００７６〕に開示されている方法を用いて製造することができる。
【００６１】
化合物（３）としては、次の（Ｂ１）〜（Ｂ９６）を例示できるが、これらに限定されるものではない。なお、ここでＭ１は金属基又はヘテロ原子基を表す。
【００６２】
【化２１】
【００６３】
【化２２】
【００６４】
【化２３】
【００６５】
【化２４】
【００６６】
【化２５】
一般式（４）で示される化合物（以下、「化合物（４）」ということがある）は、例えば、特開２００８−２８０３３０号公報〔００６１〕〜〔００７６〕に開示されている方法を用いて製造することができる。
【００６７】
化合物（４）としては、次の（Ｃ１）〜（Ｃ２７）を例示できるが、これらに限定されるものではない。なお、ここでのＭ２は金属基又はヘテロ原子基を表す。
【００６８】
【化２６】
【００６９】
【化２７】
【００７０】
【化２８】
【００７１】
【化２９】
次に、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法について説明する。
【００７２】
１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）は、次の反応式で示される「工程１」により製造できる。
【００７３】
【化３０】
上記一般式（１）、（２）、（３）において、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とならない。Ｚ１は脱離基を表す。Ｍ１は、金属基又はヘテロ原子基を表す。
【００７４】
「工程１」は一般式（２）で示される化合物（以下、化合物（２）ということがある）を、場合によっては塩基の存在下に、金属触媒の存在下に化合物（３）と反応させ、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体を得る方法である。この反応では、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の、一般的なカップリング反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。
【００７５】
化合物（２）におけるＺ１で表される脱離基としては、塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、クロロメタンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオキシ基等を挙げることができる。
【００７６】
化合物（３）におけるＭ１で表される金属基又はヘテロ原子基としては、ＺｎＲ１、ＭｇＲ２、Ｓｎ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ４）２等が挙げることができる。但し、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ３は、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ４は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ４）２の２つのＲ４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
【００７７】
化合物（３）におけるＢ（ＯＲ４）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（ＯｉＰｒ）２、Ｂ（ＯＢｕ）２、Ｂ（ＯＰｈ）２等が例示できる。又、２つのＲ４が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ４）２の例としては、次の（Ｄ１）から（Ｄ６）で示される基が例示でき、収率がよい点で（Ｄ２）で示される基が好ましい。
【００７８】
【化３１】
「工程１」で用いることのできる金属触媒としては、パラジウム触媒及びニッケル触媒等が挙げられる。
【００７９】
「工程１」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等の錯化合物を例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は反応収率がよい点で好ましい。
【００８０】
なお、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル等が例示できる。入手容易であり、反応収率がよい点で、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。
【００８１】
第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００８２】
また、「工程１」で用いることができるニッケル触媒の具体例としては［１，１’ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，１’ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド等が挙げられる。
【００８３】
「工程１」で用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、リン酸三カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点でリン酸三カリウムが望ましい。
【００８４】
塩基と化合物（３）とのモル比は、１：２から１０：１が望ましく、収率がよい点で１：１から３：１がさらに望ましい。
【００８５】
「工程１」で用いる化合物（２）と化合物（３）とのモル比は、１：２から１：１０が望ましく、収率がよい点で１：２から１：４がさらに望ましい。
【００８６】
「工程１」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でジオキサン及び水の混合溶媒を用いることが望ましい。
【００８７】
「工程１」は、０℃から１５０℃から適宜選ばれた温度で実施することができ、収率がよい点で８０℃から１００℃で行うことがさらに望ましい。
【００８８】
化合物（１）は、「工程１」の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００８９】
次に、１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）の製法において、「工程１」の原料として用いる化合物（２）の製法について説明する。
【００９０】
化合物（２）は、次の反応式に示す「工程２」により製造できる。
【００９１】
【化３２】
上記一般式（２）、（４）、（５）において、Ｚ１及びＺ２は各々独立に脱離基を表す。但し、Ｚ１とＺ２は同一とならない。Ｍ２は、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。
【００９２】
「工程２」は一般式（５）で示される化合物（以下、化合物（５）ということがある）を、場合によっては塩基の存在下に、金属触媒の存在下に化合物（４）と反応させ、化合物（１）の製造に用いる化合物（２）を得る方法であり、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の、一般的なカップリング反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。
【００９３】
化合物（４）におけるＭ２で表される金属基又はヘテロ原子基としてとしては、ＺｎＲ１、ＭｇＲ２、Ｓｎ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ４）２等が挙げることができる。但し、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ３は、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ４は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ４）２の２つのＲ４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
【００９４】
化合物（４）におけるＢ（ＯＲ４）２としては、収率がよい点で前述の（Ｄ２）で示される基が好ましい。
【００９５】
化合物（５）におけるＺ１及びＺ２で表される脱離基としては、塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、クロロメタンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオキシ基等を挙げることができる。化合物（５）としては次の（Ｅ１）〜（Ｅ５）を例示できるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００９６】
【化３３】
「工程２」で用いることのできる金属触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム又はニッケル触媒と同様のものを例示することができる。中でも、入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が特に好ましい。
【００９７】
第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調整することもできる。この際用いることのできる三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンと同様のものが例示できる。入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０から１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２から５：１がさらに好ましい。
【００９８】
「工程２」で用いることのできる塩基としては、「工程１」で例示した塩基と同様のものを例示することができ、収率がよい点で炭酸ナトリウムが望ましい。塩基と化合物（４）とのモル比は、１：１から１０：１が望ましく、収率がよい点で２：１から５：１が望ましい。
【００９９】
「工程２」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でテトラヒドロフラン及び水の混合溶媒を用いることが望ましい。
【０１００】
「工程２」は、０℃から１５０℃から適宜選ばれた温度で実施することができ、収率がよい点で５０℃から６０℃で行うことがさらに望ましい。
【０１０１】
化合物（２）は、「工程１」の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよいが、単離することなく「工程１」に供することもできる。
【０１０２】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）を構成成分として含む有機電界発光素子の製造方法に特に限定はないが、真空蒸着法による成膜が可能である。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムや製造コストを考慮すると、一般的に用いられる拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０−２〜１×１０−５Ｐａ程度が好ましい。蒸着速度は、形成する膜の厚さによるが０．００５〜１．０ｎｍ／秒が好ましい。
【０１０３】
また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、汎用の装置を用いたスピンコート法、インクジェット法、キャスト法又はディップ法等による成膜も可能である。
【実施例】
【０１０４】
以下、実験例及び試験例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０５】
実施例−１
【０１０６】
【化３４】
Ｔｆ:トリフルオロメタンスルホニル
アルゴン気流下、４，６−ジクロロ−１，３−ジヒドロキシベンゼン２．００ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）、ピリジン３．５３ｇ（４４．７ｍｍｏｌ）を１１．２ｍＬのジクロロメタンに溶解させ、０℃に冷却した。その後、無水トリフルオロメタンスルホン酸をジクロロメタンで１Ｍに希釈した溶液２６．８ｍＬ（２６．８ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下し、室温で３時間撹拌した。得られた反応溶液にジエチルエーテルを加えて希釈し、１Ｍの塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄した。得られた有機層を濃縮乾燥し、目的の１，３−ジクロロ−４，６−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼンの燈色液体（収量４．２ｇ、収率８５％）を得た。
【０１０７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．７３（ｓ，１Ｈ），７．３９（ｓ，１Ｈ）．
実施例−２
【０１０８】
【化３５】
アルゴン気流下、１，３−ジクロロ−４，６−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン５．６９ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）、４−（２−ピリジル）フェニルボロン酸５．１１ｇ（２５．７ｍｍｏｌ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム２７０ｍｇ（０．３８ｍｍｏｌ）を１９３ｍＬのテトラヒドロフランに溶解させ、２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液３８．５ｍＬ（７７．０ｍｍｏｌ）を加えた後に、加熱還流下で２９時間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除去し、有機層を濃縮して反応粗体を得た。得られた反応粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製し、目的の４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの黄白色固体（収量３．５９ｇ、収率６２％）を得た。
【０１０９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．２５（ｄｄ，Ｊ＝８．７，４．７Ｈｚ，２Ｈ），７．４２（ｓ，１Ｈ），７．５８（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），７．６４（ｓ，１Ｈ），７．７７（ｄ，Ｊ＝３．５Ｈｚ，４Ｈ），８．０７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），８．７１（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−３
【０１１０】
【化３６】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル３．００ｇ（６．６２ｍｍｏｌ）、４，４，４’，４’，５，５，５’５’−オクタメチル−２，２−ビ−１，３，２−ジオキサボロラン６．７２ｇ（２６．５ｍｍｏｌ）、トリスジベンジリデンアセトンパラジウム１２１．２ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１２５．８ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム２．６０ｇ（２６．５ｍｍｏｌ）を１５０ｍＬの１，４−ジオキサン及び３０ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で２時間攪拌した。反応液を濃縮した後、クロロホルムを加え、有機層と水層を分離した。得られた有機層を濃縮し、得られた粗製生物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びメタノールの混合溶媒）により精製し、目的の４’６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル（収量１．６０ｇ、収率３８％）を得た。
【０１１１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．１．２５（ｓ，２４Ｈ），７．２１（ｄｄｄ，Ｊ＝６．７，５．０，１．８Ｈｚ，２Ｈ），７．４７（ｓ，１Ｈ），７．５４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），７．７２−７．７８（ｍ，４Ｈ），８．０１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．１０（ｓ，１Ｈ），８．７０（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−４
【０１１２】
【化３７】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．７０ｇ（１．５４ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸０．７５ｇ（６．１８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１０．４ｍｇ（０．０４６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル４４．１ｍｇ（０．０９２ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４．０２（１２．４ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、加熱還流下で２６間攪拌した。室温まで冷却後、反応系中にクロロホルムを加えて薄めた後、濾過によって無機残渣を取り除いた。得られた有機層を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製し、目的の４’−フェニル−４−（２−ピリジル）−５’−［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：２’，１’’−テルフェニルの白色固体（収量０．６９ｇ、収率８３％）を得た。
【０１１３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．２０−７．２７（ｍ，１２Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），７．５５（ｓ，１Ｈ），７．６１（ｓ，１Ｈ），７．６９−７．７５（ｍ，４Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ）， ８．６７（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−５
【０１１４】
【化３８】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．７０ｇ（１．５４ｍｍｏｌ）、４−ビフェニルボロン酸１．２２ｇ（６．１８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１０．４ｍｇ（０．０４６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル４４．１ｍｇ（０．０９３ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４．０２ｇ（１２．４ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、加熱還流下で２４間攪拌した。続いて５ｍＬの水を加えた後、加熱還流下で２４時間撹拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製し、目的の４’’，６’’−ビス［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：４’，１’’：３’’，１’’’：４’’’，１’’’’−キンクフェニルの白色固体（収量０．６２ｇ、収率５８％）を得た。
【０１１５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１８−７．２２（ｍ，２Ｈ），７．３０（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．３９（ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，４Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５８（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），７．６５（ｓ，２Ｈ），７．７０−７．７４（ｍ，４Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−６
【０１１６】
【化３９】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．８０ｇ（１．７６ｍｍｏｌ）、９，９−ジメチルフルオレン−２−ボロン酸０．６６ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１９．８ｍｇ（０．０８８ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル８４．１ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム１．９４ｇ（９．１７ｍｍｏｌ）を１００ｍＬのジオキサン及び１５ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で２６時間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）により精製し、目的の４’，６’−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの白色固体（収量０．４５ｇ、収率３３％）を得た。
【０１１７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．１．２４（ｓ，１２Ｈ），７．１９（ｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，４Ｈ）， ７．２５−７．３８（ｍ，１２Ｈ），７．６２−７．７０（ｍ，９Ｈ），７．７７（ｓ，１Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．６５（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−７
【０１１８】
【化４０】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル１．００ｇ（２．２１ｍｍｏｌ）、３−ピリジンボロン酸１．０８ｇ（８．８２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２４．８ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１０５ｍｇ（０．２２ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム３．７４ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）を１００ｍＬのトルエン、１０ｍＬのエタノール及び１０ｍｌの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で２４間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム及びメタノールの混合溶媒）により精製し、目的の４，４’’−ジ（２−ピリジル）−４’，６’−ジ（３−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの白色固体（収量０．２５ｇ、収率２１％）を得た。
【０１１９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．２０−７．２７（ｍ，４Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５２（ｓ，１Ｈ），７．５６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．６８（ｓ，１Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．７７（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．４９（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，２Ｈ），８．６０（ｓ，２Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝５．０Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−８
【０１２０】
【化４１】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．５０ｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、４−（３−ピリジル）フェニルボロン酸０．６６ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１２．４ｍｇ（０．０５５ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル５２．６ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．３４ｇ（１１．０ｍｍｏｌ）を３０ｍＬのジオキサン及び２０ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で７５間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物をトルエンによる再結晶を２回繰り返し、目的の４−（２−ピリジル）−４’’−（３−ピリジル）−４’−［４−（３−ピリジル）フェニル］−５’−［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：２’，１’’−テルフェニルの茶色固体（収量０．２７ｇ、収率３５％）を得た。
【０１２１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１８−７．２２（ｍ，２Ｈ），７．３２（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．６２（ｓ，１Ｈ），７．６６（ｓ，１Ｈ），７．７０−７．７２（ｍ，４Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．５５（ｄ，Ｊ＝４．９Ｈｚ，２Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．８４（ｓ，２Ｈ）．
実施例−９
【０１２２】
【化４２】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．５０ｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジン−５−イルボロン酸０．６６ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１２．４ｍｇ（０．０５５ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル５２．６ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．３４ｇ（１１．０ｍｍｏｌ）を１５ｍＬのジオキサン及び１０ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で９１間攪拌した。室温まで冷却後、水層を除き有機層を濃縮した。得られた粗生成物をトルエンによる再結晶を２回繰り返し、目的の４’，６’−ビス（２−フェニルピリジン−５−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの灰色固体（収量０．２２ｇ、収率２９％）を得た。
【０１２３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．２１（ｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，２Ｈ），７．３６−７．４６（ｍ，１０Ｈ），７．５７−７．６３（ｍ，５Ｈ），７．６９−７．７５（ｍ，５Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−１０
【０１２４】
【化４３】
アルゴン気流下、４’，６’−ジクロロ−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．１０ｇ（０．２２ｍｍｏｌ）、２−［３，５−ジ（２−ピリジル）フェニル］−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン０．２４ｇ（０．６６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．５ｍｇ（０．０１１ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１１．０ｍｇ（０．０２３ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム４２１ｍｇ（１．９９ｍｍｏｌ）を１１ｍＬの１，４−ジオキサン及び２．５ｍＬの水の混合溶媒に溶解し、加熱還流下で４０間攪拌した。室温まで冷却後、水層と有機層を分離し、有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム）により精製し、目的の３，５−ジ（２−ピリジル）−５’−｛３，５−ジ（２−ピリジル）フェニル｝−４’’−（２−ピリジル）−４’−｛４−（２−ピリジル）フェニル｝−１，１’：２’，１’’−テルフェニルの灰色固体（収量０．０３０ｇ、収率１６％）を得た。
【０１２５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１４−７．２０（ｍ，６Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），７．５９−７．７１（ｍ，８Ｈ），７．７２（ｓ，１Ｈ），７．９２（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，４Ｈ），７．９３（ｓ，１Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，４Ｈ），８．５４（ｔ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６３−８．６６（ｍ、６Ｈ）．
実施例−１１
【０１２６】
【化４４】
アルゴン気流下、４’６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．３０ｇ（０．４７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム５．３ｍｇ（０．０２４ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル２２．５ｍｇ（０．０４７ｍｍｏｌ）、２−クロロ−５−フェニルピリジン０．２１ｇ（１．１３ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム０．４８（２．２６ｍｍｏｌ）を１５ｍＬの１，４−ジオキサンおよび４．５ｍＬの水の混合溶媒に溶解させた後、６０℃で２４時間、９５℃で３時間攪拌した。０℃まで冷却後、析出した固体をろ取し、得られた粗生成物をトルエンによる再結晶で精製することにより目的の４’，６’−ビス（３−フェニルピリジン−６−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの灰色固体（収量０．０６９ｇ、収率２１％）を得た。
【０１２７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１１（ｄｄ，Ｊ＝８．２，０．９Ｈｚ，２Ｈ），７．２１（ｔ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，２Ｈ），７．３６（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．４２−７．４６（ｍ，８Ｈ），７．５８（ｄｄ，Ｊ＝８．５，１．４Ｈｚ，４Ｈ），７．６３（ｄｄ，Ｊ＝８．３，２．４Ｈｚ，２Ｈ），７．６６（ｓ，１Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，４Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．２１（ｓ，１Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．８９（ｄｄ，Ｊ＝２．４，０．８Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例―１２
【０１２８】
【化４５】
アルゴン気流下、４’６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニル０．３９ｇ（０．６１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２．８ｍｇ（０．０２４ｍｍｏｌ）、２−クロロ−５−フェニルピリミジン０．３５ｇ（１．８２ｍｍｏｌ）を８ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解させた後、２Ｍに調整したリン酸三カリウム水溶液１．８２ｍＬ（３．６４ｍｍｏｌ）を加えた。得られた混合液を１００℃に昇温し、１２時間攪拌した。室温まで冷却後、１５ｍＬの水および１５ｍＬのメタノールを加え、０℃まで冷却した。析出した固体をろ取し、得られた粗生成物をトルエンによる再結晶で精製することにより目的の４’６’−ビス（５−フェニルピリミジン−２−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルの灰色固体（収量０．２８ｇ、収率６７％）を得た。
【０１２９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ．７．１８−７．２２（ｍ，２Ｈ），７．４０−７．４４（ｍ，６Ｈ），７．４８（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，４Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），７．７２−７．７４（ｍ，５Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，４Ｈ），８．５７（ｓ，１Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．８８（ｓ，４Ｈ）．
試験例−１
素子作製に用いる有機材料は、昇華精製を行った後に使用した。基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、図１に示す多層構造を有する発光面積４ｍｍ２の有機電界発光素子を作製した。
【０１３０】
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、図１の１で示す、前記ガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４及び電子輸送層５を順次成膜し、その後陰極層６を成膜した。正孔注入層２としては、昇華精製したフタロシアニン銅（ＩＩ）を２５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を４５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。発光層４としては、２―ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニルエテン−１−イル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９７：３（質量％）の割合で４０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層５としては、実施例−４で合成した４’−フェニル−４−（２−ピリジル）−５’−［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：２’，１’’−テルフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。
【０１３１】
なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着した。最後に、ＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配し、陰極層６を成膜する。陰極層６は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ１．０ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。
【０１３２】
さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。
【０１３３】
作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定した。
【０１３４】
作製した素子の測定値は、６．１５Ｖ、１７９２ｃｄ／ｍ２、８．９６ｃｄ／Ａ、４．５８ｌｍ／Ｗであった。
【０１３５】
比較例−１
試験例−１の電子輸送層５に代えて、既存材料のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１３６】
作製した素子の測定値は、６．４４Ｖ、１６６４ｃｄ／ｍ２、８．３２ｃｄ／Ａ、４．０６ｌｍ／Ｗであった。
【０１３７】
試験例−２
試験例−１の電子輸送層５に代えて、実施例−５で合成した４’’，６’’−ビス［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：４’，１’’：３’’，１’’’：４’’’，１’’’’−キンクフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１３８】
作製した素子の測定値は、５．７６Ｖ、１８１８ｃｄ／ｍ２、９．０９ｃｄ／Ａ、４．９６ｌｍ／Ｗであった。
【０１３９】
試験例−３
試験例−１の発光層４に代えて、２―ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニルエテン−１−イル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９３：７（質量％）の割合で４０ｎｍの膜厚とし、試験例−１の電子輸送層５に代えて、実施例−７で合成した４，４’’−ジ（２−ピリジル）−４’，６’−ジ（３−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１４０】
作製した素子の測定値は、４．３Ｖ、２０４０ｃｄ／ｍ２、１０．２ｃｄ／Ａ、７．４９ｌｍ／Ｗであった。また、この素子の輝度半減時間は、１９２時間であった。
【０１４１】
比較例−２
試験例−３の電子輸送層５に代えて、既存材料のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１４２】
作製した素子の測定値は、５．７Ｖ、１９８５ｃｄ／ｍ２、９．９３ｃｄ／Ａ、５．４８ｌｍ／Ｗであった。またこの素子の輝度半減時間は、５７８時間であった。
【０１４３】
試験例−４
試験例−３の電子輸送層５に代えて、実施例−８で合成した４−（２−ピリジル）−４’’−（３−ピリジル）−４’−［４−（３−ピリジル）フェニル］−５’−［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’：２’，１’’−テルフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１４４】
作製した素子の測定値は、４．１Ｖ、１９９３ｃｄ／ｍ２、９．９７ｃｄ／Ａ、７．６７ｌｍ／Ｗであった。またこの素子の輝度半減時間は、２４３時間であった。
【０１４５】
試験例−５
試験例−３の電子輸送層５に代えて、実施例−９で合成した４’，６’−ビス（２−フェニルピリジン−５−イル）−４，４’’−ジ（２−ピリジル）−１，１’：３’，１’’−テルフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した以外は、試験例−１と同様に作製した。
【０１４６】
作製した素子の測定値は、４．２Ｖ、２０６０ｃｄ／ｍ２、１０．３ｃｄ／Ａ、７．７２ｌｍ／Ｗであった。またこの素子の輝度半減時間は、２１８時間であった。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体からなる薄膜は、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、耐水性、耐酸素性、電子注入特性等をもつため、有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけ電子輸送材、正孔ブロック材、発光ホスト材等として用いることができる。さらに本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）は、ワイドバンドギャップを有するため、蛍光素子だけではなく燐光素子、さらに導電性の向上や素子寿命の改善に用いられる目的で、ｎ−ドーパントを加えるドーピング素子にも適用可能である。
【０１４８】
また本発明の実施例では、蒸着素子として高い発光効率および低駆動電力化を実現できた。これによってパネル以外の照明などにも利用可能である。さらに有機溶媒への溶解性や高い電子輸送性を有するため、塗布素子、フレキシブル素子、有機トランジスタ、有機薄膜太陽電池への応用などに利用可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とはならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とはならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項２】
Ａｒ１がアルキル基で置換されていてもよいピリジル基、アルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはアルキル基で置換されていてもよいフルオレニル基である請求項１に記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項３】
Ｘが単結合、フェニレン基、ピリジレン基またはピリミジレン基である請求項１または２に記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項４】
Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４が各々独立にアルキル基で置換されていてもよいピリジル基または水素原子である請求項１から３のいずれかに記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項５】
Ａｒ３がピリジル基であって、Ａｒ２およびＡｒ４が水素原子である請求項１から4のいずれかに記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項６】
下記一般式（２）
【化２】
（式中、Ｚ１は脱離基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、下記の一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物と、下記一般式（３）
【化３】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｍ１は、金属基又はヘテロ原子基を表す。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物とを、塩基の存在下または非存在下、金属触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、下記一般式（１）
【化４】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とはならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とはならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項７】
下記一般式（２）
【化５】
（式中、Ｚ１は脱離基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、前記一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物を、下記一般式（４）
【化６】
（Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、前記一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。Ｍ２は、金属基又はヘテロ原子基を表す。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物と、下記一般式（５）
【化７】
（式中、Ｚ１及びＺ２は各々独立に脱離基を表す。但し、Ｚ１とＺ２は同一とはならない。）で示される化合物を、場合によっては塩基の存在下に、金属触媒の存在下でカップリング反応させることにより製造することを特徴とする請求項６に記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項８】
下記一般式（１）
【化８】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とはならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とはならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分として含む有機電界発光素子。
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とはならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とはならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項２】
Ａｒ１がアルキル基で置換されていてもよいピリジル基、アルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはアルキル基で置換されていてもよいフルオレニル基である請求項１に記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項３】
Ｘが単結合、フェニレン基、ピリジレン基またはピリミジレン基である請求項１または２に記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項４】
Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４が各々独立にアルキル基で置換されていてもよいピリジル基または水素原子である請求項１から３のいずれかに記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項５】
Ａｒ３がピリジル基であって、Ａｒ２およびＡｒ４が水素原子である請求項１から4のいずれかに記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項６】
下記一般式（２）
【化２】
（式中、Ｚ１は脱離基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、下記の一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物と、下記一般式（３）
【化３】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｍ１は、金属基又はヘテロ原子基を表す。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物とを、塩基の存在下または非存在下、金属触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、下記一般式（１）
【化４】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とはならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とはならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項７】
下記一般式（２）
【化５】
（式中、Ｚ１は脱離基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、前記一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物を、下記一般式（４）
【化６】
（Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。また、前記一般式（３）中のＸが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一ではなく、また、Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一ではない。Ｍ２は、金属基又はヘテロ原子基を表す。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される化合物と、下記一般式（５）
【化７】
（式中、Ｚ１及びＺ２は各々独立に脱離基を表す。但し、Ｚ１とＺ２は同一とはならない。）で示される化合物を、場合によっては塩基の存在下に、金属触媒の存在下でカップリング反応させることにより製造することを特徴とする請求項６に記載の１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項８】
下記一般式（１）
【化８】
（式中、Ａｒ１はフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基、フェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよいフェニル基、またはフェニル基若しくはアルキル基で置換されていてもよい２〜４環の炭化水素基を表す。Ｘは単結合、アルキル基で置換されていてもよいフェニレン基、アルキル基で置換されていてもよいナフチレン基、またはアルキル基で置換されていてもよい２価の含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４は各々独立にアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基または水素原子を表す。但し、Ａｒ２、Ａｒ３およびＡｒ４のうち少なくとも一つはアルキル基で置換されていてもよい含窒素ヘテロ芳香族基を表す。Ｘが１，３−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ２およびＡｒ４と同一とはならない。Ｘが１，４−フェニレン基の時、Ａｒ１はＡｒ３と同一とはならない。また、式中の各水素原子は各々独立に重水素原子であってもよい。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分として含む有機電界発光素子。
【図１】
【公開番号】特開２０１２−１４４５２３（Ｐ２０１２−１４４５２３Ａ）
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２７２３７６（Ｐ２０１１−２７２３７６）
【出願日】平成２３年１２月１３日（２０１１．１２．１３）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月２日（２０１２．８．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月１３日（２０１１．１２．１３）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【Ｆターム（参考）】
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