１，３，５−トリアジン化合物、その製造方法、及びこれを構成成分とする有機電界発光素子
【課題】 有機電界発光素子の駆動電圧の低下や高発光効率化に効果のある電子輸送材料を提供する。
【解決手段】 一般式（１）
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物を製造し、これを構成成分とする有機電界発光素子を作製する。
【解決手段】 一般式（１）
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物を製造し、これを構成成分とする有機電界発光素子を作製する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，３，５−トリアジン化合物とその製造方法、及びそれを含有する有機電界発光素子に関する。さらに詳しくは、有機電界発光素子の構成成分として有用なフェナントレニル基又はベンゾキノリニル基を有する１，３，５−トリアジン化合物とその製造方法に関し、本発明の１，３，５−トリアジン化合物を有機電界発光素子の有機化合物層の少なくとも一層に用いることにより、有機電界発光素子の消費電力の低減、長寿命化を達成することができる。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、発光する化合物を含有する発光層を正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付け、発光層に正孔及び電子を注入して再結合するときに生成する励起子が失活する際の光の放出（蛍光又はりん光）を利用する素子である。近年、有機電界発光素子が、次世代フラットパネルディスプレイの本命と注目されている理由として、薄膜化・軽量化が可能であること、自発光素子であるため消費電力が低いこと、簡単な素子構造なため製造コストが低いこと等が挙げられる。また、その製造方法は、真空蒸着、スピンコート、インクジェット、オフセット印刷、熱転写等、様々な製造技術の応用が可能である。現在、携帯電話、携帯音楽機器、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯機器が実用化されているが、より大型化や高精細化が達成されれば、フラットパネルディスプレイのみならず、面発光光源としての照明、フレキシブル特性を利用したペーパーライクディスプレイ、ウエアラブルディスプレイ、透明性を利用したシースルーディスプレイ等への拡張も可能であり、市場の急速な拡大が期待される。
【０００３】
しかし、技術的に超えなければならない課題はまだ多く、特に現状では、駆動電圧が高く効率が低いため、消費電力が高いことが問題である。また同時に、高い駆動電圧は素子の短寿命化を起こす原因にもなり得る。
【０００４】
この問題点は、有機電界発光素子を構成する材料、特に電子輸送材料の特性が不十分であることに起因する。正孔輸送材料は、トリアリールアミン誘導体を中心に多種多様な材料が知られているが、電子輸送材料の報告例は少ない。既に実用化されている材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）があるが、正孔輸送材料、例えばＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニル（ＮＰＤ）に比べて性能が低いため、有機電界発光素子の特性を制限していた。
【０００５】
他の電子輸送材料の報告例としては、オキサジアゾール誘導体（特許文献１）、キノキサリン誘導体（特許文献２）、トリアゾール誘導体（特許文献３）、シラシクロペンタジエン誘導体（特許文献４）、キノリン誘導体（特許文献５）、ベンゾイミダゾール誘導体（特許文献６）、ベンゾチアゾール誘導体（非特許文献１）等がある。しかしながら、駆動電圧が高い、薄膜が結晶化しやすい、寿命が短い等、実用上問題点が多い。
【０００６】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物は、トリアジン環の２位に１つの３，５−二置換フェニル基を有することを特徴とすると共に、４，６位に２つの芳香族炭化水素基を有することを特徴とする。
【０００７】
最近、１，３，５−トリアジン化合物を有機電界発光素子に用いる例が特許文献７及び８に開示されているが、これらはトリアジン環の２，４，６位にベンゾアゾール部位を有するトリアジン誘導体であり、本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。
【０００８】
また、特許文献９〜１２には、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いる例が開示されているが、これらのトリアジン誘導体は、トリアジン環の２，４，６位に２，４−二置換フェニル基又は３，４−二置換フェニル基を有している点で、３，５−二置換フェニル基を有することを特徴とする本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは異なるものである。
【０００９】
また、特許文献１３には、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いる例が開示されているが、これらはトリアジン環の２，４，６位の全てに芳香族複素環基が置換した芳香族炭化水素基を有するトリアジン誘導体であり、本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。
【００１０】
また、特許文献１４の２７頁には、有機電界発光素子に用いる１，３，５−トリアジン誘導体（化合物番号Ｃ−８）の１例のみが例示されているが、これはトリアジン環の２，４，６位に同一の芳香族炭化水素基を有するトリアジン誘導体であり、本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。
【００１１】
また、特許文献１５の８頁には、有機電界発光素子に用いる１，３，５−トリアジン誘導体（化合物番号１）の１例のみが例示されているが、これはトリアジン環の２，４，６位に同一の４−一置換フェニル基を有するトリアジン誘導体であり、本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。
【００１２】
また、特許文献１６には、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いる例が開示されているが、これらのトリアジン環の２，４，６位は一置換フェニル基で置換されており、３，５−二置換フェニル基を有することを特徴とする本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは異なるものである。
【００１３】
また、特許文献１７には、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いる例が開示されているが、トリアジン環の２，４，６位のフェニル基上の置換基の位置は限定されておらず、３，５−二置換フェニル基を有することを特徴とする本発明の１，３，５−トリアジン化合物は具体的に示されていない。
【００１４】
【特許文献１】特開平６−１３６３５９号公報
【特許文献２】特開平６−２０７１６９号公報
【特許文献３】国際公開第９５／２５０９７号パンフレット
【特許文献４】特開２００５−１０４９８６公報
【特許文献５】特開２００６−１９９６７７公報
【特許文献６】国際公開第２００４／０８０９７５号パンフレット
【特許文献７】特開平７−１５７４７３号公報
【特許文献８】特開２００３−３０３６８９公報
【特許文献９】米国特許第６０５７０４８号明細書
【特許文献１０】米国特許第６２２９０１２号明細書
【特許文献１１】米国特許第６２２５４６７号明細書
【特許文献１２】特開２００４−６３４６５公報
【特許文献１３】特開２００３−４５６６２公報
【特許文献１４】特開２００１−１４３８６９公報
【特許文献１５】特開２００３−２８２２７０公報
【特許文献１６】特許第４１０６９７４号明細書
【特許文献１７】特開２００７−１３７８２９公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、８９巻、０６３５０４、２００６年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、有機電界発光素子の電子輸送層として、素子の低電圧駆動を可能にする新規構造を有する１，３，５−トリアジン化合物を提供し、さらに当該化合物を用いた長寿命を備えた有機電界発光素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、真空蒸着及びスピンコートのいずれの方法でも非晶質の薄膜形成が可能であり、またこれらを電子輸送層として用いた有機電界発光素子が、汎用の有機電界発光素子に比べて消費電力の低減、及び長寿命化が達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１７】
すなわち本発明は、一般式（１）
【００１８】
【化１】
【００１９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物に関するものである。
【００２０】
また本発明は、一般式（２）
【００２１】
【化２】
【００２２】
［式中、Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。ＭはＺｎＲ４、ＭｇＲ５、Ｓｎ（Ｒ６）３、Ｂ（ＯＲ７）２を表す。但し、Ｒ４及びＲ５は各々独立して塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ６は炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ６及びＲ７は夫々同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ７は酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成することもできる。］
で示される化合物と、一般式（３）
【００２３】
【化３】
【００２４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｙ１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。］
で示される化合物を塩基の存在下若しくは不存在下に、パラジウム触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法に関するものである。
【００２５】
また本発明は、一般式（４）
【００２６】
【化４】
【００２７】
［式中、Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｙ２は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。］
で示される化合物と、一般式（５）
【００２８】
【化５】
【００２９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ７は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７は夫々同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ７は酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成することもできる。］
で示される化合物を塩基及びパラジウム触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法に関するものである。
【００３０】
さらに本発明は、一般式（１）で示される１，３，５−トリアジン化合物を構成成分とすることを特徴とする有機電界発光素子に関するものである。
【００３１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３２】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立して水素原子又はメチル基を表し、有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、水素原子が好ましい。
【００３３】
Ａｒで表される置換されていてもよい芳香族炭化水素基としては、置換されていてもよいフェニル基又は置換されていてもよいナフチル基を挙げることができる。
【００３４】
Ａｒで表される置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、ｐ−トリフルオロメチルフェニル基、ｍ−トリフルオロメチルフェニル基、ｏ−トリフルオロメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、メシチル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、３−プロピルフェニル基、４−プロピルフェニル基、２，４−ジプロピルフェニル基、３，５−ジプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２，４−ジイソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、３−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、２，４−ジブチルフェニル基、３，５−ジブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル−４−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−２−イル基、２−メチルビフェニル−４−イル基、３−メチルビフェニル−４−イル基、２’−メチルビフェニル−４−イル基、４’−メチルビフェニル−４−イル基、２，２’−ジメチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−４−イル基、６−メチルビフェニル−３−イル基、５−メチルビフェニル−３−イル基、２’−メチルビフェニル−３−イル基、４’−メチルビフェニル−３−イル基、６，２’−ジメチルビフェニル−３−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−３−イル基、５−メチルビフェニル−２−イル基、６−メチルビフェニル−２−イル基、２’−メチルビフェニル−２−イル基、４’−メチルビフェニル−２−イル基、６，２’−ジメチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−２−イル基、２−トリフルオロメチルビフェニル−４−イル基、３−トリフルオロメチルビフェニル−４−イル基、２’−トリフルオロメチルビフェニル−４−イル基、４’−トリフルオロメチルビフェニル−４−イル基、６−トリフルオロメチルビフェニル−３−イル基、５−トリフルオロメチルビフェニル−３−イル基、２’−トリフルオロメチルビフェニル−３−イル基、４’−トリフルオロメチルビフェニル−３−イル基、５−トリフルオロメチルビフェニル−２−イル基、６−トリフルオロメチルビフェニル−２−イル基、２’−トリフルオロメチルビフェニル−２−イル基、４’−トリフルオロメチルビフェニル−２−イル基、３−エチルビフェニル−４−イル基、４’−エチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリエチルビフェニル−４−イル基、６−エチルビフェニル−３−イル基、４’−エチルビフェニル−３−イル基、５−エチルビフェニル−２−イル基、４’−エチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリエチルビフェニル−２−イル基、３−プロピルビフェニル−４−イル基、４’−プロピルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリプロピルビフェニル−４−イル基、６−プロピルビフェニル−３−イル基、４’−プロピルビフェニル−３−イル基、５−プロピルビフェニル−２−イル基、４’−プロピルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリプロピルビフェニル−２−イル基、３−イソプロピルビフェニル−４−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル−４−イル基、６−イソプロピルビフェニル−３−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−３−イル基、５−イソプロピルビフェニル−２−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル−２−イル基、３−ブチルビフェニル−４−イル基、４’−ブチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリブチルビフェニル−４−イル基、６−ブチルビフェニル−３−イル基、４’−ブチルビフェニル−３−イル基、５−ブチルビフェニル−２−イル基、４’−ブチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリブチルビフェニル−２−イル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−３−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−３−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基等が挙げられる。有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル−４−イル基、ビフェニル−３−イル基が好ましく、合成が容易である点でフェニル基、ｐ−トリル基及びビフェニル−３−イル基がさらに好ましい。
【００３５】
また、Ａｒで表される置換されていてもよいナフチル基としては、１−ナフチル基、４−メチルナフタレン−１−イル基、４−トリフルオロメチルナフタレン−１−イル基、４−エチルナフタレン−１−イル基、４−プロピルナフタレン−１−イル基、４−ブチルナフタレン−１−イル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、５−メチルナフタレン−１−イル基、５−トリフルオロメチルナフタレン−１−イル基、５−エチルナフタレン−１−イル基、５−プロピルナフタレン−１−イル基、５−ブチルナフタレン−１−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、２−ナフチル基、６−メチルナフタレン−２−イル基、６−トリフルオロメチルナフタレン−２−イル基、６−エチルナフタレン−２−イル基、６−プロピルナフタレン−２−イル基、６−ブチルナフタレン−２−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、７−メチルナフタレン−２−イル基、７−トリフルオロメチルナフタレン−２−イル基、７−エチルナフタレン−２−イル基、７−プロピルナフタレン−２−イル基、７−ブチルナフタレン−２−イル基、７−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基等が挙げられる。有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、１−ナフチル基、４−メチルナフタレン−１−イル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、５−メチルナフタレン−１−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、２−ナフチル基、６−メチルナフタレン−２−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、７−メチルナフタレン−２−イル基又は７−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基が好ましく、合成が容易な点で２−ナフチル基がさらに好ましい。
【００３６】
次に、本発明の製造方法について説明する。
【００３７】
一般式（２）で示される化合物の好ましい例としては、次の（Ｉ）〜（ＩＶ）の基本骨格を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３８】
【化６】
【００３９】
Ｍで表されるＺｎＲ４、ＭｇＲ５としては、ＺｎＣｌ、ＺｎＢｒ、ＺｎＩ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ等が例示できる。反応収率がよい点でＺｎＣｌが好ましい。
【００４０】
Ｍで表されるＳｎ（Ｒ６）３としては、ＳｎＭｅ３、ＳｎＢｕ３等が例示できる。
【００４１】
Ｍで表されるＢ（ＯＲ７）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（Ｏ（ｉｓｏ−Ｐｒ））２、Ｂ（ＯＢｕ）２等が例示できる。
【００４２】
Ｍで表されるＢ（ＯＲ７）２において、２つのＲ７が酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成した場合のＢ（ＯＲ７）２の例としては、次の（Ｖ）〜（Ｘ）で示される基が例示でき、反応収率がよい点で（ＶＩ）で示される基が好ましい。
【００４３】
【化７】
【００４４】
Ｙ１としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基が例示でき、反応収率及び選択性がよい点で臭素原子が好ましい。
【００４５】
一般式（４）で示される化合物の好ましい例としては、次の（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）の基本骨格を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４６】
【化８】
【００４７】
Ｙ２としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基が例示でき、反応収率及び選択性がよい点で臭素原子が好ましい。
【００４８】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、次の反応式
【００４９】
【化９】
【００５０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｖ、Ｗ、Ｙ１、Ａｒ及びＭは前記と同じである。］
で示す方法により製造することができる。
【００５１】
「工程１」は、化合物（２）を塩基の存在下若しくは不存在下に、パラジウム触媒の存在下に化合物（３）と反応させて、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する方法であり、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の一般的なカップリング反応の反応条件及び触媒を適用することにより、反応収率よく目的物を得ることができる。反応に用いるパラジウム触媒と化合物（３）とのモル比は、１：２００〜１：２が好ましく、反応収率がよい点で１：１００〜１：１０がさらに好ましい。
【００５２】
「工程１」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム等の錯化合物を例示することができる。入手容易であり、反応収率がよい点で、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが好ましい。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は反応収率がよい点でさらに好ましい。これらの第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。
【００５３】
この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等が例示できる。入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。用いる第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００５４】
「工程１」で用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、反応収率がよい点で炭酸セシウムが好ましい。塩基と化合物（２）とのモル比は、１：２〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００５５】
「工程１」で用いる化合物（２）と化合物（３）とのモル比は、１：１〜５：１が好ましく、反応収率がよい点で２：１〜３：１がさらに好ましい。
【００５６】
「工程１」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でテトラヒドロフランを用いることが好ましい。
【００５７】
「工程１」の反応は、０℃〜１５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で５０℃〜１２０℃の範囲で行うことがさらに好ましい。
【００５８】
化合物（１）は、「工程１」の終了後に通常の処理を行うことで得ることができる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００５９】
次に、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する「工程１」の原料である化合物（２）は、例えば、次の反応式
【００６０】
【化１０】
【００６１】
［式中、Ｒ７、Ｖ、Ｗ及びＭは前記と同じである。Ｙ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。Ｌは脱離基を表す。］
で示した方法により製造することができる。
【００６２】
「工程２」は、一般式（４ａ）で示される化合物をリチウム試薬と反応させ、一般式（４ｂ）で示されるリチウム化合物を得る工程である。「工程２」で得られた化合物（４ｂ）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程３」に供してもよい。
【００６３】
「工程２」で用いられるリチウム試薬としては、反応収率がよい点でブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムが好ましい。リチウム試薬と化合物（４ａ）とのモル比は、１：１〜５：１が好ましく、反応収率が特によい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００６４】
「工程２」で反応の際に用いることのできる溶媒として、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でテトラヒドロフランを用いることが好ましい。
【００６５】
「工程２」の反応は、−１５０℃〜−２０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で−１００℃〜−６０℃の範囲がさらに好ましい。
【００６６】
化合物（４ａ）は、例えば、非特許文献２に記載の汎用的な金属触媒を用いるカップリング反応により容易に得ることができる。Ｙ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基等を例示することができるが、反応収率がよい点で臭素原子が好ましい。
【００６７】
「工程３」は、リチウム化合物（４ｂ）と一般式（６）で示されるカップリング用試薬を反応させることにより、「工程１」で用いる一般式（２）で示される化合物を製造する工程である。「工程３」で得られた化合物（２）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程１」に供してもよい。
【００６８】
「工程３」で用いられるカップリング用試薬（６）としては、ジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ）、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛、塩化トリメチルスズ、塩化トリブチルスズ、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピル、（２，３−ジメチルブタン−２，３−ジオキシ）メトキシボラン、（２，３−ジメチルブタン−２，３−ジオキシ）イソプロポキシボラン、１，３−プロパンジオキシボラン等が例示できる。取り扱いが容易である点でジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ）、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピル、（２，３−ジメチルブタン−２，３−ジオキシ）イソプロポキシボランが好ましく、反応収率がよい点でジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ）がさらに好ましい。Ｌで表される脱離基としては、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＭｅＯ、ｉｓｏ−ＰｒＯを例示することができる。カップリング用試薬（６）と化合物（４ｂ）とのモル比は、１：１〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１．５：１〜３：１がさらに好ましい。
【００６９】
「工程３」の反応は、−１５０℃〜５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で−１００℃〜３０℃の範囲で行うことがさらに好ましい。
【００７０】
「工程４」は、化合物（４ａ）を塩基及びパラジウム触媒の存在下に、一般式（７）で示されるボラン化合物、又は一般式（８）で示されるジボロン化合物と反応させることにより、「工程１」で用いる化合物（２ａ）を製造する工程であり、例えば、非特許文献３又は４に開示されている反応条件及び触媒を適用することにより、反応収率よく目的物を得ることができる。パラジウム触媒と化合物（４ａ）とのモル比は、１：２００〜１：２が好ましく、反応収率がよい点で１：５０〜１：１０がさらに好ましい。得られた化合物（２ａ）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程１」に供してもよい。
【００７１】
「工程４」で用いることのできるパラジウム触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム触媒を挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウムが好ましく、中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が反応収率がよい点で好ましい。また、これらの第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンを挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００７２】
「工程４」で用いることのできる塩基としては、「工程１」で例示した塩基を挙げることができるが、反応収率がよい点で炭酸カリウム及び炭酸セシウムが好ましい。塩基と化合物（４ａ）とのモル比は、１：２〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００７３】
「工程４」で用いるボラン化合物（７）又はジボロン化合物（８）と化合物（４ａ）とのモル比は、１：１〜５：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００７４】
「工程４」で用いることのできる溶媒として、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はジメチルスルホキシドを用いることが好ましい。
【００７５】
「工程４」の反応は、０℃〜１５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で５０℃〜１２０℃の範囲で行うことがさらに好ましい。
【００７６】
化合物（２ａ）は、「工程４」の終了後に通常の処理を行うことで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００７７】
一般式（３）で示される化合物は、例えば、特許文献１８の方法に従って製造することができる。
【００７８】
さらに、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、次の反応式
【００７９】
【化１１】
【００８０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｖ、Ｗ、Ｙ２及びＡｒは前記と同じである。］
で示した方法によっても製造することができる。
【００８１】
「工程５」は、化合物（５）を塩基及びパラジウム触媒の存在下に、化合物（４）と反応させて本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する工程であり、一般的な鈴木−宮浦反応の反応条件及び触媒を適用することにより、反応収率よく目的物を得ることができる。パラジウム触媒と化合物（５）とのモル比は、１：２００〜１：２が好ましく、反応収率がよい点で１：１００〜１：１０がさらに好ましい。
【００８２】
「工程５」で用いることのできるパラジウム触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム触媒を挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが好ましく、中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が反応収率がよい点で好ましい。また、これらのパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンを挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００８３】
「工程５」で用いることのできる塩基としては、「工程１」で例示した塩基を挙げることができるが、反応収率がよい点で炭酸セシウムが好ましい。塩基と化合物（４）とのモル比は、１：２〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００８４】
「工程５」で用いる化合物（４）と化合物（５）とのモル比は、２：１〜５：１が好ましく、反応収率がよい点で２：１〜３：１がさらに好ましい。
【００８５】
「工程５」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でテトラヒドロフランを用いることが好ましい。
【００８６】
「工程５」の反応は、０℃〜１５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で５０℃〜１２０℃の範囲で行うことが好ましい。
【００８７】
化合物（１）は、「工程５」の終了後に通常の処理を行うことで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００８８】
次に、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する「工程５」の原料である化合物（５）は、例えば、次の反応式
【００８９】
【化１２】
【００９０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｙ１及びＡｒは前記と同じである。］
で示した方法により製造することができる。
【００９１】
「工程６」は、化合物（３）を塩基及びパラジウム触媒の存在下に、ボラン化合物（７）又はジボロン化合物（８）と反応させることにより、「工程５」で用いる化合物（５）を製造する工程であり、例えば、非特許文献３又は４に開示されている反応条件及び触媒を適用することにより、反応収率よく目的物を得ることができる。パラジウム触媒と化合物（３）とのモル比は、１：２００〜１：２が好ましく、反応収率がよい点で１：１００〜１：１０がさらに好ましい。得られた化合物（５）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程５」に供してもよい。
【００９２】
「工程６」で用いることのできるパラジウム触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム触媒を挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウムが好ましく、中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が反応収率がよい点で好ましい。また、これらのパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンを挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００９３】
「工程６」で用いることのできる塩基としては、「工程１」で例示した塩基を挙げることができるが、反応収率がよい点で酢酸カリウムが好ましい。塩基と化合物（３）とのモル比は、１：２〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００９４】
「工程６」で用いるボラン化合物（７）又はジボロン化合物（８）と化合物（３）とのモル比は、１：１〜５：１が好ましく、反応収率がよい点で２：１〜４：１がさらに好ましい。
【００９５】
「工程６」で用いることのできる溶媒として、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でテトラヒドロフランを用いることが好ましい。
【００９６】
「工程６」の反応は、０℃〜１５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で５０℃〜１２０℃の範囲で行うことが好ましい。
【００９７】
化合物（５）は、「工程６」の終了後に通常の処理を行うことで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００９８】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る有機電界発光素子用薄膜の製造方法は特に限定されないが、真空蒸着法による成膜が可能である。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムや製造コストを考慮すると、一般的に用いられる拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０−２Ｐａ〜１×１０−５Ｐａ程度が好ましい。蒸着速度は、形成する膜の厚さによるが０．００５ｎｍ／秒〜１．０ｎｍ／秒が好ましい。また、１，３，５−トリアジン化合物（１）は、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル又はテトラヒドロフラン等に対する溶解度が高いため、汎用の装置を用いたスピンコ−ト法、インクジェット法、キャスト法又はディップ法等による成膜も可能である。
【００９９】
【特許文献１８】特開２００６−６２９６２公報
【非特許文献２】Ｊ．Ｔｓｕｊｉ著、「Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ａｎｄ Ｃａｔａｌｙｓｔｓ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，２００４年
【非特許文献３】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６０巻，７５０８−７５１０，１９９５年
【非特許文献４】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６５巻，１６４−１６８，２０００年
【発明の効果】
【０１００】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る薄膜は、高い表面平滑性、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、酸化還元耐性、耐水性、耐酸素性、電子注入特性等をもつため、有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけ電子輸送材、正孔ブロック材、発光ホスト材等として用いることができる。従って、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る薄膜は、有機電界発光素子の構成成分としての利用が期待される。
【実施例】
【０１０１】
以下、実施例及び参考例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０２】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定には、Ｂｒｕｋｅｒ社製 ＤＰＸ２５０及びＤＰＸ５００スペクトロメーターを使用した。
【０１０３】
また、実験で使用した試薬は、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．、東京化成工業株式会社、和光純薬工業株式会社、関東化学株式会社から購入し、必要に応じて精製したものを使用した。
【０１０４】
反応溶媒であるテトラヒドロフランは、関東化学社製の安定剤無添加かつ脱水したものを用いた。
【０１０５】
カラムクロマトグラフィーには、関東化学社製 粒径６３μｍ−２１０μｍの球状シリカゲルを用いた。
【０１０６】
実施例１
２−｛４，４”−ビス（１，１０−フェナントロリン−２−イル）−［１，１’；３’，１”］−テルフェニル−５’−イル｝−４，６−ジ−ｐ−トリル−１，３，５−トリアジンの合成
【０１０７】
【化１３】
【０１０８】
アルゴン気流下、２−（３，５−ジブロモフェニル）−４，６−ジ−ｐ−トリル−１，３，５−トリアジン ２４８ｍｇ（０．５００ｍｍｏｌ）、２−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，１０−フェナントロリン ４２０ｍｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム３５８ｍｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．３ｍｇ（０．０１ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン５．２ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに懸濁し、１４時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 メタノール：クロロホルム＝１：４０）で精製し、目的の２−｛４，４”−ビス（１，１０−フェナントロリン−２−イル）−［１，１’；３’，１”］−テルフェニル−５’−イル｝−４，６−ジ−ｐ−トリル−１，３，５−トリアジンの黄色固体（収量４０２ｍｇ、収率９５％）を得た。
【０１０９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ２．５１（ｓ，６Ｈ），７．４２（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．６８（ｄｄ，Ｊ＝８．１，４．４Ｈｚ，２Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，４Ｈ），８．０５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．２３（ｍ，１Ｈ），８．２４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．２９（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．７Ｈｚ，２Ｈ），８．３７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．５８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．７３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），９．１１（ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ），９．２９（ｄｄ，Ｊ＝４．４，１．７Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例２
２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−｛３，５−ビス［４−（１，１０−フェナントロリン−２−イル）ナフタレン−１−イル］フェニル｝−１，３，５−トリアジンの合成
【０１１０】
【化１４】
【０１１１】
アルゴン気流下、２，４−ジ−ｍ−ビフェニル−６−（３，５−ジブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン １７２ｍｇ（０．２７８ｍｍｏｌ）、２−［１−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ナフタレン−４−イル］−１，１０−フェナントロリン ３００ｍｇ（０．６９４ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４５３ｍｇ（１．３９ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ） ３．１ｍｇ（０．０１４ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル １３．３ｍｇ（０．０２８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに懸濁し、１４時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 メタノール：クロロホルム＝１：５０〜１：４０）で精製した後、クロロホルム−メタノールで再結晶し、目的の２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−｛３，５−ビス［４−（１，１０−フェナントロリン−２−イル）ナフタレン−１−イル］フェニル｝−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１１ｍｇ、収率４％）を得た。
【０１１２】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．３３（ｂｒｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．４０−７．５３（ｍ，８Ｈ），７．５７−７．６８（ｍ，８Ｈ），７．７６−７．７８（ｍ，２Ｈ），７．７７（ｂｒｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），７．９２−７．９９（ｍ，５Ｈ），８．１５−８．２６（ｍ，６Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．７３（ｂｒｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），８．９６（ｂｒｓ，２Ｈ），９．００（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，２Ｈ），９．１７（ｄｄ，Ｊ＝４．４，１．７Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例３
２−｛４，４”−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−［１，１’；３’，１”］−テルフェニル−５’−イル｝−４，６−ジ（ナフタレン−２−イル）−１，３，５−トリアジンの合成
【０１１３】
【化１５】
【０１１４】
アルゴン気流下、２−（４−ブロモフェニル）ベンゾ［ｈ］キノリン ３３４ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、ブチルリチウムを１．１０ｍｍｏｌ含むヘキサン溶液０．６８ｍＬを−７８℃で滴下した。溶液を−７８℃で１５分間攪拌後、ジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ） ２７８ｍｇ（１．１０ｍｍｏｌ）を加えて３０分間攪拌後、室温まで昇温し、２−（３，５−ジブロモフェニル）−４，６−ジ（ナフタレン−２−イル）−１，３，５−トリアジン １８９ｍｇ（０．３３３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０） １５．４ｍｇ（０．０１３ｍｍｏｌ）を加え、１３．５時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、２−｛４，４”−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−［１，１’；３’，１”］−テルフェニル−５’−イル｝−４，６−ジ（ナフタレン−２−イル）−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量２３１ｍｇ、収率７６％）を得た。
【０１１５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．６１−７．６４（ｍ，４Ｈ），７．７６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），７．７１−７．８７（ｍ，４Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），７．９４−７．９７（ｍ，４Ｈ），８．１０（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），８．１４−８．２２（ｍ，４Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．２９（ｂｒｓ，１Ｈ），８．３１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６０（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），８．９４（ｄｄ，Ｊ＝８．６，１．７Ｈｚ，２Ｈ），９．２１（ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ），９．４５（ｂｒｓ，２Ｈ），９．５９（ｂｒｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例４
２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−｛３，５−ビス［６−（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）ピリジン−２−イル］フェニル｝−１，３，５−トリアジンの合成
【０１１６】
【化１６】
【０１１７】
アルゴン気流下、２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−［３，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジン ２６６ｍｇ（０．３７３ｍｍｏｌ）、２−（６−ブロモピリジン−２−イル）ベンゾ［ｈ］キノリン ２５０ｍｇ（０．７４６ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４８６ｍｇ（１．４９ｍｍｏｌ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ） １３．１ｍｇ（０．０１９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに懸濁し、１８時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、クロロホルムで再結晶により２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−｛３，５−ビス［６−（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）ピリジン−２−イル］フェニル｝−１，３，５−トリアジンの黄色固体（収量１５５ｍｇ、収率４３％）を得た。
【０１１８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．３４（ｍ，２Ｈ），７．４７（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，４Ｈ），７．７５−７．７９（ｍ，６Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ），７．８５−７．８７（ｍ，４Ｈ），７．９０（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．９５（ｂｒｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），８．００（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），８．１３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．１８（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），８．２１（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．０Ｈｚ，２Ｈ），８．９５（ｂｒｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），９．０４（ｄｄ，Ｊ＝７．５，１．０Ｈｚ，２Ｈ），９．１２（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），９．２１（ｔ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ），９．３８（ｔ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，１Ｈ），９．６１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），９．８３（ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ）．
参考例１
２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−［３，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンの合成
【０１１９】
【化１７】
【０１２０】
アルゴン気流下、２，４−ジ−ｍ−ビフェニル−６−（３，５−ジブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン ３１０ｍｇ（０．５００ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン３０５ｍｇ（１．２０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム２３６ｍｇ（２．４０ｍｍｏｌ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ） １７．５ｍｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに懸濁し、１８時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−［３，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量３０５ｍｇ、収率８５％）を得た。
【０１２１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ１．３４（ｓ，２４Ｈ），７．３５（ｂｒｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．４５（ｂｒｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．６１（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），７．７３（ｂｒｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．８０（ｂｒｄｄｄ，Ｊ＝７．７，１．６，１．６Ｈｚ，２Ｈ），８．４５（ｂｒｓ，１Ｈ），８．７３（ｂｒｄｄｄ，Ｊ＝７．７，１．６，１．６Ｈｚ，２Ｈ），９．０２（ｂｒｔ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，２Ｈ），９．２２（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，２Ｈ）．
［実施の形態］
１，３，５−トリアジンを構成成分とする有機電界発光素子の作製と性能評価
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いる。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行う。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図１に示すような発光面積が４ｍｍ２の有機電界発光素子を作製する。まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０−４Ｐａまで減圧する。その後、図１の１で示す前記ガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４及び電子輸送層５を順次成膜し、その後陰極層６を成膜する。正孔注入層２としては、昇華精製したフタロシアニン銅（ＩＩ）を２５ｎｍの膜厚で真空蒸着する。正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフチレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を４５ｎｍの膜厚で真空蒸着する。発光層４としては、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）ジフェニル（ＤＰＶＢｉ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９９：１質量％の割合で４０ｎｍの膜厚で真空蒸着する。電子輸送層５としては、本発明の１，３，５−トリアジン化合物もしくは既存材料のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着する。なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３ｎｍ／秒〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着する。最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層６を成膜する。陰極層６は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ０．５ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とする。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定する。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止する。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いる。
【０１２２】
作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価する。発光特性として、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し、連続点灯時の輝度半減時間を測定する。
【０１２３】
本発明の化合物を用いれば、既存材料に比較して、低消費電力化、長寿命化が期待される。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】実施の形態（素子評価）で作製する有機電界発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．正孔輸送層
４．発光層
５．電子輸送層
６．陰極層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，３，５−トリアジン化合物とその製造方法、及びそれを含有する有機電界発光素子に関する。さらに詳しくは、有機電界発光素子の構成成分として有用なフェナントレニル基又はベンゾキノリニル基を有する１，３，５−トリアジン化合物とその製造方法に関し、本発明の１，３，５−トリアジン化合物を有機電界発光素子の有機化合物層の少なくとも一層に用いることにより、有機電界発光素子の消費電力の低減、長寿命化を達成することができる。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、発光する化合物を含有する発光層を正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付け、発光層に正孔及び電子を注入して再結合するときに生成する励起子が失活する際の光の放出（蛍光又はりん光）を利用する素子である。近年、有機電界発光素子が、次世代フラットパネルディスプレイの本命と注目されている理由として、薄膜化・軽量化が可能であること、自発光素子であるため消費電力が低いこと、簡単な素子構造なため製造コストが低いこと等が挙げられる。また、その製造方法は、真空蒸着、スピンコート、インクジェット、オフセット印刷、熱転写等、様々な製造技術の応用が可能である。現在、携帯電話、携帯音楽機器、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯機器が実用化されているが、より大型化や高精細化が達成されれば、フラットパネルディスプレイのみならず、面発光光源としての照明、フレキシブル特性を利用したペーパーライクディスプレイ、ウエアラブルディスプレイ、透明性を利用したシースルーディスプレイ等への拡張も可能であり、市場の急速な拡大が期待される。
【０００３】
しかし、技術的に超えなければならない課題はまだ多く、特に現状では、駆動電圧が高く効率が低いため、消費電力が高いことが問題である。また同時に、高い駆動電圧は素子の短寿命化を起こす原因にもなり得る。
【０００４】
この問題点は、有機電界発光素子を構成する材料、特に電子輸送材料の特性が不十分であることに起因する。正孔輸送材料は、トリアリールアミン誘導体を中心に多種多様な材料が知られているが、電子輸送材料の報告例は少ない。既に実用化されている材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）があるが、正孔輸送材料、例えばＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニル（ＮＰＤ）に比べて性能が低いため、有機電界発光素子の特性を制限していた。
【０００５】
他の電子輸送材料の報告例としては、オキサジアゾール誘導体（特許文献１）、キノキサリン誘導体（特許文献２）、トリアゾール誘導体（特許文献３）、シラシクロペンタジエン誘導体（特許文献４）、キノリン誘導体（特許文献５）、ベンゾイミダゾール誘導体（特許文献６）、ベンゾチアゾール誘導体（非特許文献１）等がある。しかしながら、駆動電圧が高い、薄膜が結晶化しやすい、寿命が短い等、実用上問題点が多い。
【０００６】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物は、トリアジン環の２位に１つの３，５−二置換フェニル基を有することを特徴とすると共に、４，６位に２つの芳香族炭化水素基を有することを特徴とする。
【０００７】
最近、１，３，５−トリアジン化合物を有機電界発光素子に用いる例が特許文献７及び８に開示されているが、これらはトリアジン環の２，４，６位にベンゾアゾール部位を有するトリアジン誘導体であり、本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。
【０００８】
また、特許文献９〜１２には、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いる例が開示されているが、これらのトリアジン誘導体は、トリアジン環の２，４，６位に２，４−二置換フェニル基又は３，４−二置換フェニル基を有している点で、３，５−二置換フェニル基を有することを特徴とする本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは異なるものである。
【０００９】
また、特許文献１３には、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いる例が開示されているが、これらはトリアジン環の２，４，６位の全てに芳香族複素環基が置換した芳香族炭化水素基を有するトリアジン誘導体であり、本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。
【００１０】
また、特許文献１４の２７頁には、有機電界発光素子に用いる１，３，５−トリアジン誘導体（化合物番号Ｃ−８）の１例のみが例示されているが、これはトリアジン環の２，４，６位に同一の芳香族炭化水素基を有するトリアジン誘導体であり、本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。
【００１１】
また、特許文献１５の８頁には、有機電界発光素子に用いる１，３，５−トリアジン誘導体（化合物番号１）の１例のみが例示されているが、これはトリアジン環の２，４，６位に同一の４−一置換フェニル基を有するトリアジン誘導体であり、本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。
【００１２】
また、特許文献１６には、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いる例が開示されているが、これらのトリアジン環の２，４，６位は一置換フェニル基で置換されており、３，５−二置換フェニル基を有することを特徴とする本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは異なるものである。
【００１３】
また、特許文献１７には、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いる例が開示されているが、トリアジン環の２，４，６位のフェニル基上の置換基の位置は限定されておらず、３，５−二置換フェニル基を有することを特徴とする本発明の１，３，５−トリアジン化合物は具体的に示されていない。
【００１４】
【特許文献１】特開平６−１３６３５９号公報
【特許文献２】特開平６−２０７１６９号公報
【特許文献３】国際公開第９５／２５０９７号パンフレット
【特許文献４】特開２００５−１０４９８６公報
【特許文献５】特開２００６−１９９６７７公報
【特許文献６】国際公開第２００４／０８０９７５号パンフレット
【特許文献７】特開平７−１５７４７３号公報
【特許文献８】特開２００３−３０３６８９公報
【特許文献９】米国特許第６０５７０４８号明細書
【特許文献１０】米国特許第６２２９０１２号明細書
【特許文献１１】米国特許第６２２５４６７号明細書
【特許文献１２】特開２００４−６３４６５公報
【特許文献１３】特開２００３−４５６６２公報
【特許文献１４】特開２００１−１４３８６９公報
【特許文献１５】特開２００３−２８２２７０公報
【特許文献１６】特許第４１０６９７４号明細書
【特許文献１７】特開２００７−１３７８２９公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、８９巻、０６３５０４、２００６年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、有機電界発光素子の電子輸送層として、素子の低電圧駆動を可能にする新規構造を有する１，３，５−トリアジン化合物を提供し、さらに当該化合物を用いた長寿命を備えた有機電界発光素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、真空蒸着及びスピンコートのいずれの方法でも非晶質の薄膜形成が可能であり、またこれらを電子輸送層として用いた有機電界発光素子が、汎用の有機電界発光素子に比べて消費電力の低減、及び長寿命化が達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１７】
すなわち本発明は、一般式（１）
【００１８】
【化１】
【００１９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物に関するものである。
【００２０】
また本発明は、一般式（２）
【００２１】
【化２】
【００２２】
［式中、Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。ＭはＺｎＲ４、ＭｇＲ５、Ｓｎ（Ｒ６）３、Ｂ（ＯＲ７）２を表す。但し、Ｒ４及びＲ５は各々独立して塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ６は炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ６及びＲ７は夫々同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ７は酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成することもできる。］
で示される化合物と、一般式（３）
【００２３】
【化３】
【００２４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｙ１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。］
で示される化合物を塩基の存在下若しくは不存在下に、パラジウム触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法に関するものである。
【００２５】
また本発明は、一般式（４）
【００２６】
【化４】
【００２７】
［式中、Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｙ２は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。］
で示される化合物と、一般式（５）
【００２８】
【化５】
【００２９】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ７は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７は夫々同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ７は酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成することもできる。］
で示される化合物を塩基及びパラジウム触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法に関するものである。
【００３０】
さらに本発明は、一般式（１）で示される１，３，５−トリアジン化合物を構成成分とすることを特徴とする有機電界発光素子に関するものである。
【００３１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３２】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立して水素原子又はメチル基を表し、有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、水素原子が好ましい。
【００３３】
Ａｒで表される置換されていてもよい芳香族炭化水素基としては、置換されていてもよいフェニル基又は置換されていてもよいナフチル基を挙げることができる。
【００３４】
Ａｒで表される置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、ｐ−トリフルオロメチルフェニル基、ｍ−トリフルオロメチルフェニル基、ｏ−トリフルオロメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、メシチル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、３−プロピルフェニル基、４−プロピルフェニル基、２，４−ジプロピルフェニル基、３，５−ジプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２，４−ジイソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、３−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、２，４−ジブチルフェニル基、３，５−ジブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル−４−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−２−イル基、２−メチルビフェニル−４−イル基、３−メチルビフェニル−４−イル基、２’−メチルビフェニル−４−イル基、４’−メチルビフェニル−４−イル基、２，２’−ジメチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−４−イル基、６−メチルビフェニル−３−イル基、５−メチルビフェニル−３−イル基、２’−メチルビフェニル−３−イル基、４’−メチルビフェニル−３−イル基、６，２’−ジメチルビフェニル−３−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−３−イル基、５−メチルビフェニル−２−イル基、６−メチルビフェニル−２−イル基、２’−メチルビフェニル−２−イル基、４’−メチルビフェニル−２−イル基、６，２’−ジメチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリメチルビフェニル−２−イル基、２−トリフルオロメチルビフェニル−４−イル基、３−トリフルオロメチルビフェニル−４−イル基、２’−トリフルオロメチルビフェニル−４−イル基、４’−トリフルオロメチルビフェニル−４−イル基、６−トリフルオロメチルビフェニル−３−イル基、５−トリフルオロメチルビフェニル−３−イル基、２’−トリフルオロメチルビフェニル−３−イル基、４’−トリフルオロメチルビフェニル−３−イル基、５−トリフルオロメチルビフェニル−２−イル基、６−トリフルオロメチルビフェニル−２−イル基、２’−トリフルオロメチルビフェニル−２−イル基、４’−トリフルオロメチルビフェニル−２−イル基、３−エチルビフェニル−４−イル基、４’−エチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリエチルビフェニル−４−イル基、６−エチルビフェニル−３−イル基、４’−エチルビフェニル−３−イル基、５−エチルビフェニル−２−イル基、４’−エチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリエチルビフェニル−２−イル基、３−プロピルビフェニル−４−イル基、４’−プロピルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリプロピルビフェニル−４−イル基、６−プロピルビフェニル−３−イル基、４’−プロピルビフェニル−３−イル基、５−プロピルビフェニル−２−イル基、４’−プロピルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリプロピルビフェニル−２−イル基、３−イソプロピルビフェニル−４−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル−４−イル基、６−イソプロピルビフェニル−３−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−３−イル基、５−イソプロピルビフェニル−２−イル基、４’−イソプロピルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル−２−イル基、３−ブチルビフェニル−４−イル基、４’−ブチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリブチルビフェニル−４−イル基、６−ブチルビフェニル−３−イル基、４’−ブチルビフェニル−３−イル基、５−ブチルビフェニル−２−イル基、４’−ブチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリブチルビフェニル−２−イル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、２’，４’，６’−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−４−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−３−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−３−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基、４’−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基、２’，４’，６’−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２−イル基等が挙げられる。有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル−４−イル基、ビフェニル−３−イル基が好ましく、合成が容易である点でフェニル基、ｐ−トリル基及びビフェニル−３−イル基がさらに好ましい。
【００３５】
また、Ａｒで表される置換されていてもよいナフチル基としては、１−ナフチル基、４−メチルナフタレン−１−イル基、４−トリフルオロメチルナフタレン−１−イル基、４−エチルナフタレン−１−イル基、４−プロピルナフタレン−１−イル基、４−ブチルナフタレン−１−イル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、５−メチルナフタレン−１−イル基、５−トリフルオロメチルナフタレン−１−イル基、５−エチルナフタレン−１−イル基、５−プロピルナフタレン−１−イル基、５−ブチルナフタレン−１−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、２−ナフチル基、６−メチルナフタレン−２−イル基、６−トリフルオロメチルナフタレン−２−イル基、６−エチルナフタレン−２−イル基、６−プロピルナフタレン−２−イル基、６−ブチルナフタレン−２−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、７−メチルナフタレン−２−イル基、７−トリフルオロメチルナフタレン−２−イル基、７−エチルナフタレン−２−イル基、７−プロピルナフタレン−２−イル基、７−ブチルナフタレン−２−イル基、７−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基等が挙げられる。有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、１−ナフチル基、４−メチルナフタレン−１−イル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、５−メチルナフタレン−１−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、２−ナフチル基、６−メチルナフタレン−２−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、７−メチルナフタレン−２−イル基又は７−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基が好ましく、合成が容易な点で２−ナフチル基がさらに好ましい。
【００３６】
次に、本発明の製造方法について説明する。
【００３７】
一般式（２）で示される化合物の好ましい例としては、次の（Ｉ）〜（ＩＶ）の基本骨格を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３８】
【化６】
【００３９】
Ｍで表されるＺｎＲ４、ＭｇＲ５としては、ＺｎＣｌ、ＺｎＢｒ、ＺｎＩ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ等が例示できる。反応収率がよい点でＺｎＣｌが好ましい。
【００４０】
Ｍで表されるＳｎ（Ｒ６）３としては、ＳｎＭｅ３、ＳｎＢｕ３等が例示できる。
【００４１】
Ｍで表されるＢ（ＯＲ７）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（Ｏ（ｉｓｏ−Ｐｒ））２、Ｂ（ＯＢｕ）２等が例示できる。
【００４２】
Ｍで表されるＢ（ＯＲ７）２において、２つのＲ７が酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成した場合のＢ（ＯＲ７）２の例としては、次の（Ｖ）〜（Ｘ）で示される基が例示でき、反応収率がよい点で（ＶＩ）で示される基が好ましい。
【００４３】
【化７】
【００４４】
Ｙ１としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基が例示でき、反応収率及び選択性がよい点で臭素原子が好ましい。
【００４５】
一般式（４）で示される化合物の好ましい例としては、次の（ＸＩ）〜（ＸＩＶ）の基本骨格を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４６】
【化８】
【００４７】
Ｙ２としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基が例示でき、反応収率及び選択性がよい点で臭素原子が好ましい。
【００４８】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、次の反応式
【００４９】
【化９】
【００５０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｖ、Ｗ、Ｙ１、Ａｒ及びＭは前記と同じである。］
で示す方法により製造することができる。
【００５１】
「工程１」は、化合物（２）を塩基の存在下若しくは不存在下に、パラジウム触媒の存在下に化合物（３）と反応させて、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する方法であり、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の一般的なカップリング反応の反応条件及び触媒を適用することにより、反応収率よく目的物を得ることができる。反応に用いるパラジウム触媒と化合物（３）とのモル比は、１：２００〜１：２が好ましく、反応収率がよい点で１：１００〜１：１０がさらに好ましい。
【００５２】
「工程１」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム等の錯化合物を例示することができる。入手容易であり、反応収率がよい点で、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが好ましい。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は反応収率がよい点でさらに好ましい。これらの第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。
【００５３】
この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等が例示できる。入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。用いる第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００５４】
「工程１」で用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、反応収率がよい点で炭酸セシウムが好ましい。塩基と化合物（２）とのモル比は、１：２〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００５５】
「工程１」で用いる化合物（２）と化合物（３）とのモル比は、１：１〜５：１が好ましく、反応収率がよい点で２：１〜３：１がさらに好ましい。
【００５６】
「工程１」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でテトラヒドロフランを用いることが好ましい。
【００５７】
「工程１」の反応は、０℃〜１５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で５０℃〜１２０℃の範囲で行うことがさらに好ましい。
【００５８】
化合物（１）は、「工程１」の終了後に通常の処理を行うことで得ることができる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００５９】
次に、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する「工程１」の原料である化合物（２）は、例えば、次の反応式
【００６０】
【化１０】
【００６１】
［式中、Ｒ７、Ｖ、Ｗ及びＭは前記と同じである。Ｙ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。Ｌは脱離基を表す。］
で示した方法により製造することができる。
【００６２】
「工程２」は、一般式（４ａ）で示される化合物をリチウム試薬と反応させ、一般式（４ｂ）で示されるリチウム化合物を得る工程である。「工程２」で得られた化合物（４ｂ）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程３」に供してもよい。
【００６３】
「工程２」で用いられるリチウム試薬としては、反応収率がよい点でブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムが好ましい。リチウム試薬と化合物（４ａ）とのモル比は、１：１〜５：１が好ましく、反応収率が特によい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００６４】
「工程２」で反応の際に用いることのできる溶媒として、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でテトラヒドロフランを用いることが好ましい。
【００６５】
「工程２」の反応は、−１５０℃〜−２０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で−１００℃〜−６０℃の範囲がさらに好ましい。
【００６６】
化合物（４ａ）は、例えば、非特許文献２に記載の汎用的な金属触媒を用いるカップリング反応により容易に得ることができる。Ｙ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基等を例示することができるが、反応収率がよい点で臭素原子が好ましい。
【００６７】
「工程３」は、リチウム化合物（４ｂ）と一般式（６）で示されるカップリング用試薬を反応させることにより、「工程１」で用いる一般式（２）で示される化合物を製造する工程である。「工程３」で得られた化合物（２）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程１」に供してもよい。
【００６８】
「工程３」で用いられるカップリング用試薬（６）としては、ジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ）、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛、塩化トリメチルスズ、塩化トリブチルスズ、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピル、（２，３−ジメチルブタン−２，３−ジオキシ）メトキシボラン、（２，３−ジメチルブタン−２，３−ジオキシ）イソプロポキシボラン、１，３−プロパンジオキシボラン等が例示できる。取り扱いが容易である点でジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ）、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピル、（２，３−ジメチルブタン−２，３−ジオキシ）イソプロポキシボランが好ましく、反応収率がよい点でジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ）がさらに好ましい。Ｌで表される脱離基としては、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＭｅＯ、ｉｓｏ−ＰｒＯを例示することができる。カップリング用試薬（６）と化合物（４ｂ）とのモル比は、１：１〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１．５：１〜３：１がさらに好ましい。
【００６９】
「工程３」の反応は、−１５０℃〜５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で−１００℃〜３０℃の範囲で行うことがさらに好ましい。
【００７０】
「工程４」は、化合物（４ａ）を塩基及びパラジウム触媒の存在下に、一般式（７）で示されるボラン化合物、又は一般式（８）で示されるジボロン化合物と反応させることにより、「工程１」で用いる化合物（２ａ）を製造する工程であり、例えば、非特許文献３又は４に開示されている反応条件及び触媒を適用することにより、反応収率よく目的物を得ることができる。パラジウム触媒と化合物（４ａ）とのモル比は、１：２００〜１：２が好ましく、反応収率がよい点で１：５０〜１：１０がさらに好ましい。得られた化合物（２ａ）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程１」に供してもよい。
【００７１】
「工程４」で用いることのできるパラジウム触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム触媒を挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウムが好ましく、中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が反応収率がよい点で好ましい。また、これらの第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンを挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００７２】
「工程４」で用いることのできる塩基としては、「工程１」で例示した塩基を挙げることができるが、反応収率がよい点で炭酸カリウム及び炭酸セシウムが好ましい。塩基と化合物（４ａ）とのモル比は、１：２〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００７３】
「工程４」で用いるボラン化合物（７）又はジボロン化合物（８）と化合物（４ａ）とのモル比は、１：１〜５：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００７４】
「工程４」で用いることのできる溶媒として、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又はジメチルスルホキシドを用いることが好ましい。
【００７５】
「工程４」の反応は、０℃〜１５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で５０℃〜１２０℃の範囲で行うことがさらに好ましい。
【００７６】
化合物（２ａ）は、「工程４」の終了後に通常の処理を行うことで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００７７】
一般式（３）で示される化合物は、例えば、特許文献１８の方法に従って製造することができる。
【００７８】
さらに、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、次の反応式
【００７９】
【化１１】
【００８０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｖ、Ｗ、Ｙ２及びＡｒは前記と同じである。］
で示した方法によっても製造することができる。
【００８１】
「工程５」は、化合物（５）を塩基及びパラジウム触媒の存在下に、化合物（４）と反応させて本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する工程であり、一般的な鈴木−宮浦反応の反応条件及び触媒を適用することにより、反応収率よく目的物を得ることができる。パラジウム触媒と化合物（５）とのモル比は、１：２００〜１：２が好ましく、反応収率がよい点で１：１００〜１：１０がさらに好ましい。
【００８２】
「工程５」で用いることのできるパラジウム触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム触媒を挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが好ましく、中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が反応収率がよい点で好ましい。また、これらのパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンを挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００８３】
「工程５」で用いることのできる塩基としては、「工程１」で例示した塩基を挙げることができるが、反応収率がよい点で炭酸セシウムが好ましい。塩基と化合物（４）とのモル比は、１：２〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００８４】
「工程５」で用いる化合物（４）と化合物（５）とのモル比は、２：１〜５：１が好ましく、反応収率がよい点で２：１〜３：１がさらに好ましい。
【００８５】
「工程５」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でテトラヒドロフランを用いることが好ましい。
【００８６】
「工程５」の反応は、０℃〜１５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で５０℃〜１２０℃の範囲で行うことが好ましい。
【００８７】
化合物（１）は、「工程５」の終了後に通常の処理を行うことで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００８８】
次に、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する「工程５」の原料である化合物（５）は、例えば、次の反応式
【００８９】
【化１２】
【００９０】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７、Ｙ１及びＡｒは前記と同じである。］
で示した方法により製造することができる。
【００９１】
「工程６」は、化合物（３）を塩基及びパラジウム触媒の存在下に、ボラン化合物（７）又はジボロン化合物（８）と反応させることにより、「工程５」で用いる化合物（５）を製造する工程であり、例えば、非特許文献３又は４に開示されている反応条件及び触媒を適用することにより、反応収率よく目的物を得ることができる。パラジウム触媒と化合物（３）とのモル比は、１：２００〜１：２が好ましく、反応収率がよい点で１：１００〜１：１０がさらに好ましい。得られた化合物（５）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程５」に供してもよい。
【００９２】
「工程６」で用いることのできるパラジウム触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム触媒を挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウムが好ましく、中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が反応収率がよい点で好ましい。また、これらのパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンを挙げることができるが、入手容易であり、反応収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００９３】
「工程６」で用いることのできる塩基としては、「工程１」で例示した塩基を挙げることができるが、反応収率がよい点で酢酸カリウムが好ましい。塩基と化合物（３）とのモル比は、１：２〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００９４】
「工程６」で用いるボラン化合物（７）又はジボロン化合物（８）と化合物（３）とのモル比は、１：１〜５：１が好ましく、反応収率がよい点で２：１〜４：１がさらに好ましい。
【００９５】
「工程６」で用いることのできる溶媒として、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。反応収率がよい点でテトラヒドロフランを用いることが好ましい。
【００９６】
「工程６」の反応は、０℃〜１５０℃の範囲から適宜選ばれた温度で実施することができ、反応収率がよい点で５０℃〜１２０℃の範囲で行うことが好ましい。
【００９７】
化合物（５）は、「工程６」の終了後に通常の処理を行うことで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００９８】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る有機電界発光素子用薄膜の製造方法は特に限定されないが、真空蒸着法による成膜が可能である。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムや製造コストを考慮すると、一般的に用いられる拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０−２Ｐａ〜１×１０−５Ｐａ程度が好ましい。蒸着速度は、形成する膜の厚さによるが０．００５ｎｍ／秒〜１．０ｎｍ／秒が好ましい。また、１，３，５−トリアジン化合物（１）は、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル又はテトラヒドロフラン等に対する溶解度が高いため、汎用の装置を用いたスピンコ−ト法、インクジェット法、キャスト法又はディップ法等による成膜も可能である。
【００９９】
【特許文献１８】特開２００６−６２９６２公報
【非特許文献２】Ｊ．Ｔｓｕｊｉ著、「Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ａｎｄ Ｃａｔａｌｙｓｔｓ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，２００４年
【非特許文献３】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６０巻，７５０８−７５１０，１９９５年
【非特許文献４】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６５巻，１６４−１６８，２０００年
【発明の効果】
【０１００】
本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る薄膜は、高い表面平滑性、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、酸化還元耐性、耐水性、耐酸素性、電子注入特性等をもつため、有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけ電子輸送材、正孔ブロック材、発光ホスト材等として用いることができる。従って、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る薄膜は、有機電界発光素子の構成成分としての利用が期待される。
【実施例】
【０１０１】
以下、実施例及び参考例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０２】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの測定には、Ｂｒｕｋｅｒ社製 ＤＰＸ２５０及びＤＰＸ５００スペクトロメーターを使用した。
【０１０３】
また、実験で使用した試薬は、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．、東京化成工業株式会社、和光純薬工業株式会社、関東化学株式会社から購入し、必要に応じて精製したものを使用した。
【０１０４】
反応溶媒であるテトラヒドロフランは、関東化学社製の安定剤無添加かつ脱水したものを用いた。
【０１０５】
カラムクロマトグラフィーには、関東化学社製 粒径６３μｍ−２１０μｍの球状シリカゲルを用いた。
【０１０６】
実施例１
２−｛４，４”−ビス（１，１０−フェナントロリン−２−イル）−［１，１’；３’，１”］−テルフェニル−５’−イル｝−４，６−ジ−ｐ−トリル−１，３，５−トリアジンの合成
【０１０７】
【化１３】
【０１０８】
アルゴン気流下、２−（３，５−ジブロモフェニル）−４，６−ジ−ｐ−トリル−１，３，５−トリアジン ２４８ｍｇ（０．５００ｍｍｏｌ）、２−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，１０−フェナントロリン ４２０ｍｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム３５８ｍｇ（１．１０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．３ｍｇ（０．０１ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン５．２ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに懸濁し、１４時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 メタノール：クロロホルム＝１：４０）で精製し、目的の２−｛４，４”−ビス（１，１０−フェナントロリン−２−イル）−［１，１’；３’，１”］−テルフェニル−５’−イル｝−４，６−ジ−ｐ−トリル−１，３，５−トリアジンの黄色固体（収量４０２ｍｇ、収率９５％）を得た。
【０１０９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ２．５１（ｓ，６Ｈ），７．４２（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．６８（ｄｄ，Ｊ＝８．１，４．４Ｈｚ，２Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，４Ｈ），８．０５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．２３（ｍ，１Ｈ），８．２４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．２９（ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．７Ｈｚ，２Ｈ），８．３７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．５８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．７３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），９．１１（ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ），９．２９（ｄｄ，Ｊ＝４．４，１．７Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例２
２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−｛３，５−ビス［４−（１，１０−フェナントロリン−２−イル）ナフタレン−１−イル］フェニル｝−１，３，５−トリアジンの合成
【０１１０】
【化１４】
【０１１１】
アルゴン気流下、２，４−ジ−ｍ−ビフェニル−６−（３，５−ジブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン １７２ｍｇ（０．２７８ｍｍｏｌ）、２−［１−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ナフタレン−４−イル］−１，１０−フェナントロリン ３００ｍｇ（０．６９４ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４５３ｍｇ（１．３９ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ） ３．１ｍｇ（０．０１４ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル １３．３ｍｇ（０．０２８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに懸濁し、１４時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 メタノール：クロロホルム＝１：５０〜１：４０）で精製した後、クロロホルム−メタノールで再結晶し、目的の２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−｛３，５−ビス［４−（１，１０−フェナントロリン−２−イル）ナフタレン−１−イル］フェニル｝−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１１ｍｇ、収率４％）を得た。
【０１１２】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．３３（ｂｒｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．４０−７．５３（ｍ，８Ｈ），７．５７−７．６８（ｍ，８Ｈ），７．７６−７．７８（ｍ，２Ｈ），７．７７（ｂｒｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），７．９２−７．９９（ｍ，５Ｈ），８．１５−８．２６（ｍ，６Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．７３（ｂｒｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），８．９６（ｂｒｓ，２Ｈ），９．００（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，２Ｈ），９．１７（ｄｄ，Ｊ＝４．４，１．７Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例３
２−｛４，４”−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−［１，１’；３’，１”］−テルフェニル−５’−イル｝−４，６−ジ（ナフタレン−２−イル）−１，３，５−トリアジンの合成
【０１１３】
【化１５】
【０１１４】
アルゴン気流下、２−（４−ブロモフェニル）ベンゾ［ｈ］キノリン ３３４ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解し、ブチルリチウムを１．１０ｍｍｏｌ含むヘキサン溶液０．６８ｍＬを−７８℃で滴下した。溶液を−７８℃で１５分間攪拌後、ジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（ＩＩ） ２７８ｍｇ（１．１０ｍｍｏｌ）を加えて３０分間攪拌後、室温まで昇温し、２−（３，５−ジブロモフェニル）−４，６−ジ（ナフタレン−２−イル）−１，３，５−トリアジン １８９ｍｇ（０．３３３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０） １５．４ｍｇ（０．０１３ｍｍｏｌ）を加え、１３．５時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、２−｛４，４”−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−［１，１’；３’，１”］−テルフェニル−５’−イル｝−４，６−ジ（ナフタレン−２−イル）−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量２３１ｍｇ、収率７６％）を得た。
【０１１５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．６１−７．６４（ｍ，４Ｈ），７．７６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），７．７１−７．８７（ｍ，４Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），７．９４−７．９７（ｍ，４Ｈ），８．１０（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），８．１４−８．２２（ｍ，４Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．２９（ｂｒｓ，１Ｈ），８．３１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６０（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），８．９４（ｄｄ，Ｊ＝８．６，１．７Ｈｚ，２Ｈ），９．２１（ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ），９．４５（ｂｒｓ，２Ｈ），９．５９（ｂｒｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例４
２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−｛３，５−ビス［６−（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）ピリジン−２−イル］フェニル｝−１，３，５−トリアジンの合成
【０１１６】
【化１６】
【０１１７】
アルゴン気流下、２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−［３，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジン ２６６ｍｇ（０．３７３ｍｍｏｌ）、２−（６−ブロモピリジン−２−イル）ベンゾ［ｈ］キノリン ２５０ｍｇ（０．７４６ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム４８６ｍｇ（１．４９ｍｍｏｌ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ） １３．１ｍｇ（０．０１９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに懸濁し、１８時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、クロロホルムで再結晶により２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−｛３，５−ビス［６−（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）ピリジン−２−イル］フェニル｝−１，３，５−トリアジンの黄色固体（収量１５５ｍｇ、収率４３％）を得た。
【０１１８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．３４（ｍ，２Ｈ），７．４７（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，４Ｈ），７．７５−７．７９（ｍ，６Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ），７．８５−７．８７（ｍ，４Ｈ），７．９０（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），７．９５（ｂｒｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），８．００（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），８．１３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），８．１８（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），８．２１（ｄｄ，Ｊ＝７．７，１．０Ｈｚ，２Ｈ），８．９５（ｂｒｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），９．０４（ｄｄ，Ｊ＝７．５，１．０Ｈｚ，２Ｈ），９．１２（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），９．２１（ｔ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ），９．３８（ｔ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，１Ｈ），９．６１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），９．８３（ｄ，Ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ）．
参考例１
２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−［３，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンの合成
【０１１９】
【化１７】
【０１２０】
アルゴン気流下、２，４−ジ−ｍ−ビフェニル−６−（３，５−ジブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン ３１０ｍｇ（０．５００ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン３０５ｍｇ（１．２０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム２３６ｍｇ（２．４０ｍｍｏｌ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ） １７．５ｍｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに懸濁し、１８時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去した後、メタノールを加え、析出した固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、２，４−ビス（ビフェニル−３−イル）−６−［３，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量３０５ｍｇ、収率８５％）を得た。
【０１２１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ１．３４（ｓ，２４Ｈ），７．３５（ｂｒｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．４５（ｂｒｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．６１（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），７．７３（ｂｒｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．８０（ｂｒｄｄｄ，Ｊ＝７．７，１．６，１．６Ｈｚ，２Ｈ），８．４５（ｂｒｓ，１Ｈ），８．７３（ｂｒｄｄｄ，Ｊ＝７．７，１．６，１．６Ｈｚ，２Ｈ），９．０２（ｂｒｔ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，２Ｈ），９．２２（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，２Ｈ）．
［実施の形態］
１，３，５−トリアジンを構成成分とする有機電界発光素子の作製と性能評価
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いる。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行う。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図１に示すような発光面積が４ｍｍ２の有機電界発光素子を作製する。まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０−４Ｐａまで減圧する。その後、図１の１で示す前記ガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４及び電子輸送層５を順次成膜し、その後陰極層６を成膜する。正孔注入層２としては、昇華精製したフタロシアニン銅（ＩＩ）を２５ｎｍの膜厚で真空蒸着する。正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフチレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を４５ｎｍの膜厚で真空蒸着する。発光層４としては、４，４’−ビス（２，２−ジフェニル−エテン−１−イル）ジフェニル（ＤＰＶＢｉ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９９：１質量％の割合で４０ｎｍの膜厚で真空蒸着する。電子輸送層５としては、本発明の１，３，５−トリアジン化合物もしくは既存材料のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着する。なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３ｎｍ／秒〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着する。最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層６を成膜する。陰極層６は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ０．５ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とする。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定する。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止する。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いる。
【０１２２】
作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価する。発光特性として、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し、連続点灯時の輝度半減時間を測定する。
【０１２３】
本発明の化合物を用いれば、既存材料に比較して、低消費電力化、長寿命化が期待される。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】実施の形態（素子評価）で作製する有機電界発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．正孔輸送層
４．発光層
５．電子輸送層
６．陰極層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物。
【請求項２】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が水素原子であることを特徴とする請求項１に記載の１，３，５−トリアジン化合物。
【請求項３】
Ｖが炭素原子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の１，３，５−トリアジン化合物。
【請求項４】
Ａｒが置換されていてもよいフェニル基又は置換されていてもよいナフチル基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の１，３，５−トリアジン化合物。
【請求項５】
一般式（２）
【化２】
［式中、Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。ＭはＺｎＲ４、ＭｇＲ５、Ｓｎ（Ｒ６）３、Ｂ（ＯＲ７）２を表す。但し、Ｒ４及びＲ５は各々独立して塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ６は炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ６及びＲ７は夫々同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ７は酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成することもできる。］
で示される化合物と、一般式（３）
【化３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｙ１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。］
で示される化合物を塩基の存在下若しくは不存在下に、パラジウム触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｖ、Ｗ及びＡｒは前記と同じである。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
【請求項６】
一般式（４）
【化５】
［式中、Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｙ２は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。］
で示される化合物と、一般式（５）
【化６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ７は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７は夫々同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ７は酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成することもできる。］
で示される化合物を塩基及びパラジウム触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｖ、Ｗ及びＡｒは前記と同じである。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
【請求項７】
パラジウム触媒が、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体であることを特徴とする請求項５又は６に記載の１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
【請求項８】
第三級ホスフィンが、トリフェニルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルであることを特徴とする請求項７に記載の１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
【請求項９】
一般式（１）
【化８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物を構成成分とすることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物。
【請求項２】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３が水素原子であることを特徴とする請求項１に記載の１，３，５−トリアジン化合物。
【請求項３】
Ｖが炭素原子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の１，３，５−トリアジン化合物。
【請求項４】
Ａｒが置換されていてもよいフェニル基又は置換されていてもよいナフチル基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の１，３，５−トリアジン化合物。
【請求項５】
一般式（２）
【化２】
［式中、Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。ＭはＺｎＲ４、ＭｇＲ５、Ｓｎ（Ｒ６）３、Ｂ（ＯＲ７）２を表す。但し、Ｒ４及びＲ５は各々独立して塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ６は炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ６及びＲ７は夫々同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ７は酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成することもできる。］
で示される化合物と、一般式（３）
【化３】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｙ１は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。］
で示される化合物を塩基の存在下若しくは不存在下に、パラジウム触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｖ、Ｗ及びＡｒは前記と同じである。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
【請求項６】
一般式（４）
【化５】
［式中、Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｙ２は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホキシ基を表す。］
で示される化合物と、一般式（５）
【化６】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ７は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７は夫々同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ７は酸素原子を介して結合するホウ素原子と一体となって環を形成することもできる。］
で示される化合物を塩基及びパラジウム触媒の存在下でカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化７】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｖ、Ｗ及びＡｒは前記と同じである。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
【請求項７】
パラジウム触媒が、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体であることを特徴とする請求項５又は６に記載の１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
【請求項８】
第三級ホスフィンが、トリフェニルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルであることを特徴とする請求項７に記載の１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
【請求項９】
一般式（１）
【化８】
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子又はメチル基を表す。Ｖ及びＷは炭素原子又は窒素原子を表す。Ａｒは置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。］
で示される１，３，５−トリアジン化合物を構成成分とすることを特徴とする有機電界発光素子。
【図１】
【公開番号】特開２０１０−９００３４（Ｐ２０１０−９００３４Ａ）
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２５８６５１（Ｐ２００８−２５８６５１）
【出願日】平成２０年１０月３日（２００８．１０．３）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【出願人】（０００１７３７６２）財団法人相模中央化学研究所 (151)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月３日（２００８．１０．３）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【出願人】（０００１７３７６２）財団法人相模中央化学研究所 (151)
【Ｆターム（参考）】
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