説明

1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体および1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法

【課題】1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体を、無機酸および、錫および第一錫塩から選択される一種以上の錫化合物の存在下で還元し、一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体を製造する。[II]の化合物は、対応するナフトール誘導体を硝酸等のニトロ化剤により、ニトロ化することにより製造される。
(Y及びYは、カルボキシル基、カルボン酸エステル基等である。)

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体および1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
芳香族ジアミンは、合成樹脂や有機色素など各種の有機化合物を合成する上で重要な物質である。特に、ナフタレン環上の1位および8位にアミノ基を有する芳香族ジアミンは、フタロペリノン系色素の合成において重要なものである。
【0003】
本出願人は、特許文献1において、複数のニトロ基またはアミノ基をナフタレン環上に有していてもよい2−ヒドロキシ−3,6−ナフタレンジカルボン酸の誘導体を提案しているが、2−ヒドロキシ−3,6−ナフタレンジカルボン酸またはその誘導体の1位および8位に選択的にニトロ基を導入する効率的な方法については知られていない。また1位および8位にニトロ基を有する2−ヒドロキシナフタレン−3,6−ジカルボン酸またはその誘導体のニトロ基を効率的にアミノ基へ誘導する方法についても未だ知られていない。
【特許文献1】国際公開96/032366号パンフレット
【特許文献2】国際公開00/023525号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、2−ヒドロキシナフタレン−3,6−ジカルボン酸またはその誘導体の1位および8位を効率的にニトロ化することによる1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体の製造方法を提供することにある。
【0005】
さらに本発明の目的は、1位および8位にニトロ基を有する2−ヒドロキシナフタレン−3,6−ジカルボン酸またはその誘導体のニトロ基を還元することによる1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
すなわち本発明は、一般式[I]で表される2−ナフトール誘導体をニトロ化剤によりニトロ化することを含む、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体の製造方法を提供する:
【化1】

[I]
【化2】

[II]
[一般式[I]および一般式[II]において、YおよびYは、それぞれ、一般式[1]または一般式[2]で表される基であり、YおよびYは同一であっても異なっていてもよい;
−CO−O−R [1]
−CO−NH−R [2]
およびRは、それぞれ、水素原子、水酸基および/またはハロゲンで置換されていてもよい炭素原子数1〜20のアルキル基から選択される基である]。
【0007】
さらに、本発明は一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体を、無機酸および、錫および第一錫塩から選択される一種以上の錫化合物の存在下で還元することを含む、一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法を提供する:
【化3】

[II]
【化4】

[III]
[一般式[III]において、YおよびYは一般式[I]および一般式[II]と同意である]。
【発明を実施するための最良の形態】
【0008】
以下、本発明を詳細に説明する。まず、一般式[I]で表される2−ナフトール誘導体をニトロ化剤によりニトロ化することを含む、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体の製造方法について説明する。
【0009】
本発明の一般式[I]で表される2−ナフトール誘導体は、従来公知のいずれの方法で得られたものを用いてもよいが、例えば、国際公開98/017621号パンフレットに記載の方法により2−ヒドロキシナフタレン−3,6−ジカルボン酸を調製し、これを、国際公開96/032366号パンフレットまたは国際公開00/023525号パンフレットに記載の方法により、炭素原子数1〜20の脂肪族アルコールによりエステル化するか、炭素原子数1〜20のアルキルアミンによりアミド化することにより調製することができる。
【0010】
一般式[I]で表される化合物におけるYまたはY中の基であるRまたはRがアルキル基である場合のR、Rの具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−ヘキサデシル基、n−オクタデシル基、2−ヒドロキシエチル基、2−クロロエチル基、3−クロロプロピル基などが挙げられる。R、Rは水酸基および/またはハロゲンで置換されていてもよく、ハロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
【0011】
一般式[I]で表される2−ナフトール誘導体を、ニトロ化剤との反応に供することにより、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体が得られる。
【0012】
本発明の、1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体の製造方法に用いる、ニトロ化剤は、ニトロ化反応が良好に進行する限り特に制限されない。本発明の方法に用いる好適なニトロ化剤の例としては、硝酸、発煙硝酸、硝酸アルカリ金属塩、および硝酸アセチルから選択される1種以上が挙げられる。これらのニトロ化剤の中では、反応性や取り扱いやすさから、硝酸を用いるのが好ましい。硝酸をニトロ化剤として用いる場合は、濃硝酸であっても、含水硝酸であってもよいが、反応性から濃硝酸を用いるのが好ましい。
ニトロ化剤の使用量としては、ジニトロ化反応が良好に進行する限り特に限定されないが、一般式[I]で表される2−ナフトール誘導体に対して、2〜50当量用いるのが好ましく、2〜10当量用いるのがより好ましい。
【0013】
本発明において、一般式[I]で表される2−ナフトール誘導体のニトロ化反応に用いる溶媒は、反応が良好に進行する限り特に制限されないが、例えば、濃硫酸、酢酸、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ニトロメタンなどを用いることができる。
溶媒の使用量は、一般式[I]で表される2−ナフトール誘導体に対して1〜50重量倍用いるのが好ましく、1.5〜30重量倍用いるのがより好ましく、2〜20重量倍用いるのが特に好ましい。
【0014】
ニトロ化反応の温度としては、−30〜90℃が好ましく、0〜20℃が特に好ましい。ニトロ化反応は、大気圧下、加圧下、減圧下のいずれの圧力条件で行ってもよい。ニトロ化反応は空気中で行ってもよいが、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気にて行うのが好ましい。本発明の1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体の製造方法において、ニトロ化反応の時間は、原料の2−ナフトール誘導体、ニトロ化剤、溶媒の種類などによっても異なるが、通常、1〜20時間、より好ましくは1〜10時間で行われる。
【0015】
ニトロ化反応により生成した、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体は、例えば、反応液を水またはメタノールなどの水溶性有機溶媒の水溶液と混合した後、析出した結晶をろ過するなどの方法により回収することができる。
【0016】
このようにして得られる、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体は、そのまま、あるいは、所望により、再結晶、水やメタノールなどの溶媒による洗浄などにより精製した後、所望により還元工程に供することができる。
【0017】
次に、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体を、無機酸および、錫および第一錫塩から選択される一種以上の錫化合物の存在下で還元することを含む、一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法について説明する。
【0018】
一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体の、ニトロ基還元反応は、無機酸および、錫および第一錫塩から選択される一種以上の錫化合物の存在下において良好に進行するものである。
【0019】
還元工程において使用される無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、またはこれらの混合物が挙げられ、第一錫塩としては塩化第一錫、ヨウ化第一錫、臭化第一錫またはこれらの混合物が挙げられる。無機酸および、錫化合物の組み合わせとしては、塩酸および塩化第一錫を用いるのが好ましい。
【0020】
無機酸の使用量としては、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体に対して2〜50倍モル、特に好ましくは3〜45倍モル、最も好ましくは5〜40倍モルを用いればよい(硫酸などの多価の酸を用いる場合には、その価数を考慮した量である)。
【0021】
錫化合物の使用量としては、錫化合物中の錫原子の重量として、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体に対して2.5〜10倍重量、特に好ましくは3〜8倍重量を用いればよい。
【0022】
本発明において、ニトロ基の還元工程において使用する溶媒は、錫化合物および無機酸を用いる還元反応に不活性であれば特に制限されない。好適な溶媒の例としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、またはテトラヒドロフランなどが挙げられる。
ニトロ基の還元反応において用いる溶媒の使用量は、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体に対して、0.5〜50重量倍用いるのが好ましく、1〜30重量倍用いるのがより好ましく、2〜20重量倍用いるのが特に好ましい。
【0023】
本発明における還元工程の反応温度は、20〜80℃が好ましく、40〜70℃が特に好ましい。還元工程は、大気圧下、加圧下、減圧下の何れの圧力条件で行ってもよい。還元工程は空気中で行ってもよいが、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気にて行うのが好ましい。
本発明の1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法において、還元工程の反応時間は、1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体の種類、溶媒の種類、および錫化合物の種類などによっても異なるが、通常、0.1〜20時間、より好ましくは0.5〜10時間で行われる。
【0024】
還元工程後は、反応液を、冷却、濃縮あるいは水または希塩酸などの貧溶媒を添加することにより、一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の結晶を析出させることができる。
【0025】
析出した、一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の結晶は、遠心分離、フィルタープレスなどの常法に従い回収される。
【0026】
また別の方法としては、還元反応後の反応液からろ過により不溶物を除去した後、得られたろ液を中和し、酢酸エチルなどの疎水性有機溶媒を用いて、生成した一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体を抽出し、水層と有機層に分液した後に、有機層を濃縮することにより一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体を回収することが出来る。
【0027】
このようにして得られる、一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体は、所望により再結晶や、水やメタノールなどの溶媒による洗浄などの方法により精製された後、合成樹脂や有機色素など各種有機化合物の合成原料として好適に利用される。
【実施例】
【0028】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
〔LC−MS測定条件〕
装置:Waters Alliance−ZMD
カラム:Wakopak
移動相:0.1wt%蟻酸水溶液/MeOH=10/90(体積比)
カラム温度:40℃
流量:1.0mL/min
Cone電圧:10〜50V
温度:SourceBrock 150℃,
Desolvation 300℃
Scan mode:ESI
【0029】
実施例1(ニトロ化反応)
攪拌装置および温度計を備えた、容量500mLの反応容器に、2−ヒドロキシナフタレン−3,6−ジカルボン酸ジ−n−ブチルエステル15g(43.6mmol)および濃硫酸300gを仕込んだ。これを、0〜3℃に冷却した後、濃硝酸11.5gおよび濃硫酸37.5gからなる混合液を、5℃以下に維持しながら120分かけ滴下した。滴下終了後、5℃にて15分攪拌した後、反応液を、氷水1000g中に注ぎ、2−ヒドロキシ−1,8−ジニトロナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステルの結晶を析出させた。
【0030】
析出した結晶を吸引ろ過により回収した後、これを冷メタノールに懸濁し先浄した。洗浄後の結晶を吸引ろ過により回収した後、乾燥し、2−ヒドロキシ−1,8−ジニトロナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステル15gを得た(収率79.4%)。
なお、生成物は、LC−MSにより目的の2−ヒドロキシ−1,8−ジニトロナフタレン−3,6−ジカルボン酸ジ−n−ブチルエステルであると確認された(m/z:433)。
【0031】
実施例2(還元反応)
攪拌装置および温度計を備えた、容量300mLの反応容器に、2−ヒドロキシ−1,8−ジニトロナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステル5g(12mmol)、錫8g、エタノール100mL、水50mL及び濃塩酸2.5mLを仕込んだ。これを、60℃にて1.5時間攪拌した後、吸引ろ過により固形物をろ別した。ろ液を減圧下に濃縮し、結晶を析出させた。次いで、析出した結晶をメタノールに溶解させ不溶分を吸引ろ過によりろ別し、ろ液に水を加え結晶を析出させた後、吸引ろ過により結晶を回収した。
【0032】
結晶を乾燥し、2−ヒドロキシ−1,8−ジアミノナフタレン−3,6−ジカルボン酸ジ−n−ブチルエステル2.5gを得た(収率55.6%)。
なお、生成物は、LC−MSにより目的の2−ヒドロキシ−1,8−ジアミノナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステルであると確認した(m/z:375、373)。
【0033】
実施例3(還元反応)
攪拌装置および温度計を備えた、容量100mLの反応容器に、2−ヒドロキシ−1,8−ジニトロナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステル3g(6.91mmol)、エタノール15g、及び濃塩酸14.4gを仕込んだ。これに、室温にて塩化錫(II)2水和物15g及びエタノール15gからなる混合液を35分かけて滴下した。滴下終了後、50℃にて35分攪拌した後に、室温まで冷却し、結晶を析出させた。
【0034】
析出した結晶を吸引ろ過により回収した後に、酢酸に懸濁し洗浄した。洗浄後の結晶を吸引ろ過により回収した後、メタノールに懸濁し洗浄した。洗浄後の結晶を吸引ろ過により回収した後、乾燥し、2−ヒドロキシ−1,8−ジアミノナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステル1.65gを得た(収率63.7%)。
【0035】
比較例1
反応容器に、2−ヒドロキシ−1,8−ジニトロナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステル0.43g(1mmol)、酸化白金0.005g、及びイソプロパノール10gを仕込んだ。
【0036】
水素を1MPa(G)になるまで充填した後、70℃にて3.5時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、水素を反応容器から排出した。反応液からろ過により酸化白金を除去した後、減圧濃縮したが、2−ヒドロキシ−1,8−ジアミノナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステルは得られなかった。
【0037】
比較例2
反応容器に、2−ヒドロキシ−1,8−ジニトロナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステル0.43g(1mmol)、5%パラジウム炭素0.02g、及びイソプロパノール10gを仕込んだ。
【0038】
水素を1MPa(G)になるまで充填した後、70℃にて6時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、水素を反応容器から排出した。反応液からろ過によりパラジウム炭素を除去した後、減圧濃縮し、結晶を析出させたが、析出した結晶中には2−ヒドロキシ−1,8−ジアミノナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステルは含まれなかった。
【0039】
比較例3
攪拌装置および温度計を備えた、容量50mLの反応容器に、2−ヒドロキシ−1,8−ジニトロナフタレン−3,6−ジカルボン酸ジ−n−ブチルエステル0.43g(1mmol)、鉄0.55g、エタノール10mL、水2.5mL及び濃塩酸0.125mLを仕込んだ。
【0040】
これを、1時間還流した後、反応液から吸引ろ過により鉄を除去した。ろ液を減圧濃縮したが、2−ヒドロキシ−1,8−ジアミノナフタレン−3,6−ジカルボン酸−ジ−n−ブチルエステルは得られなかった。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
一般式[I]で表される2−ナフトール誘導体をニトロ化剤によりニトロ化することを含む、一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体の製造方法:
【化1】

[I]
【化2】

[II]
[一般式[I]および一般式[II]において、YおよびYは、それぞれ、一般式[1]または一般式[2]で表される基であり、YおよびYは同一であっても異なっていてもよい;
−CO−O−R [1]
−CO−NH−R [2]
およびRは、それぞれ、水素原子、水酸基および/またはハロゲンで置換されていてもよい炭素原子数1〜20のアルキル基から選択される基である]。
【請求項2】
ニトロ化剤が、硝酸、発煙硝酸、硝酸アルカリ金属塩、および硝酸アセチルからなる群から選択される1種以上である、請求項1に記載の1,8−ジニトロ−2−ナフトールの製造方法。
【請求項3】
一般式[II]で表される1,8−ジニトロ−2−ナフトール誘導体を、無機酸および、錫および第一錫塩から選択される一種以上の錫化合物の存在下で還元することを含む、一般式[III]で表される1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法:
【化3】

[II]
【化4】

[III]
[一般式[III]において、YおよびYは一般式[I]および一般式[II]と同意である]。
【請求項4】
錫化合物が、塩化第一錫、ヨウ化第一錫、臭化第一錫およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項3に記載の1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法。
【請求項5】
無機酸が、塩酸、硫酸、硝酸およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項3または4に記載の1,8−ジアミノ−2−ナフトール誘導体の製造方法。
【請求項6】
無機酸が塩酸であり、錫化合物が塩化第一錫である、請求項3に記載の1,8−ジアミノ−2−ナフトールの製造方法。

【公開番号】特開2007−302603(P2007−302603A)
【公開日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−132435(P2006−132435)
【出願日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【出願人】(000189659)上野製薬株式会社 (76)
【Fターム(参考)】