Ａ面の伝導性チャネルおよびトレンチ保護用井戸領域を有するトランジスタ
【課題】本発明は、半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタを提供する。
【解決手段】半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、該半導体メサと該トレンチの底部の下方との間に延在して、該デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸とを備える、トランジスタ。
【解決手段】半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、該半導体メサと該トレンチの底部の下方との間に延在して、該デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸とを備える、トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、伝導性チャネルが半導体のＡ面で形成される、ＭＯＳＦＥＴに有用なトランジスタ構造に関する。本発明が取り組む課題には、（ｉ）最適な電流出力のために、オン状態でチャネル抵抗を減少させること、および（ｉｉ）デバイス内の逆電圧阻止（ｒｅｖｅｒｓｅ ｖｏｌｔａｇｅ ｂｌｏｃｋｉｎｇ）能力を最大化するために、電界集中（ｆｉｅｌｄ ｃｒｏｗｄｉｎｇ）効果を最小化することが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
過去２０年にわたって、トランジスタ設計は、オン状態で制御された電流フローを達成すると同時に、オフ状態で特定の電圧を阻止する能力を有するように最適化されてきた。炭化ケイ素とＩＩＩ族窒化物とを含む、よりよい半導体材料の開発は、オン状態（例えば、より高い電流出力）とオフ状態（より少ないリーク電流を有する、より高い電圧阻止）との両方において、トランジスタ性能のより大きな制御を可能にする、トランジスタ設計の驚くべき進歩をもたらしてきた。炭化ケイ素は、様々な結晶構造におけるその電気特性により、特に高い関心が持たれてきた。
【０００３】
炭化ケイ素の結晶構造は、使用される層の要素構成により説明される場合が多い。炭化ケイ素基板の断面は、シリコン原子の層の上に直接、炭素原子の層、もしくはその逆を示す。シリコン層は、その上にデバイスを形成するために研磨および使用される場合が多く、それは、シリコン面として知られる。炭素層が曝露される場合は、それは炭素面として知られる。非特許文献１を参照されたい。
【０００４】
炭化ケイ素結晶の配列の軸はまた、半導体デバイスを形成するための配向の選択において重要な役割を果たす。従来、六方晶系構造に対して、ａ１、ａ２、ａ３、およびｃの４つの主軸が、一般的に使用される。ａベクトルのすべては、同一の平面（「ａ平面」）にあり、ｃベクトルは、ａ平面に垂直であるｃ平面にある。同非特許文献１。
【０００５】
以前の研究者たちは、得られたデバイスにおける様々な性能特性を実現するために、炭化ケイ素結晶の異なる平面または面を使用しようと試みてきた。例えば、Ｙａｎｏらは、ｃ面上に形成されるＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度特性と、４Ｈ−ＳｉＣ基板のａ面上の反転層移動度に関する改善された結果とを開示している。Ｙａｎｏ、Ｋｉｍｏｔｏ、Ｍａｔｓｕｎａｍｉ、Ａｓａｎｏ、およびＳｕｇａｗａｒａ「Ｈｉｇｈ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｉｎ Ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒｓ ｏｆ ４Ｈ−ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ ｂｙ Ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ
【０００６】
【数１】
Ｆａｃｅ」、ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ．２０、Ｎｏ．１２（１９９９年１２月）、ｐ．６１１−６１３を参照されたい。
【０００７】
Ｙａｎｏらは、同一の基板上で互いに垂直の電流を有する、２種類のＭＯＳＦＥＴを形成した。
【０００８】
【数２】
面上に形成されるＭＯＳＦＥＴに対するドレイン電流は、実質的に改善され、炭化ケイ素のａ面
【０００９】
【数３】
を使用することにより、チャネル移動度の著しい増加を示した。しかしながら、Ｙａｎｏのデバイスは、比較的低い臨界電界強度を有し、所望よりも低いゲート電圧において逆バイアスの下で伝導を行うことから、Ｙａｎｏの設計は、垂直型パワーデバイスにおいては好ましくない。そのうえ調整される付加パラメータなしで、ａ面上のＭＯＳＦＥＴを改良する唯一の技術は、パワーＭＯＳＦＥＴにおける性能の最適化において、最適な解決策であることを証明していない。
【００１０】
チャネル抵抗が、特に低電圧（＜２ｋＶ）の炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴに対して、ＭＯＳＦＥＴの全オン抵抗のかなりの部分を作り出すことから、パワーＭＯＳＦＥＴ内の電流フローを最大化するためのこれまでの努力は、炭化ケイ素デバイスのチャネル抵抗に焦点を当ててきた。チャネル抵抗を減少させる方法は、（１）チャネル移動度を改善すること、（２）デバイスセルピッチを減少すること、および（３）チャネル長さを減少することに集中してきた。研究努力は、これらの方法を広範囲に研究してきたが、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴ（二重拡散型金属酸化物半導体ＦＥＴ）と、ＵＭＯＳＦＥＴ（トレンチゲート型金属酸化物半導体ＦＥＴ）とは、チャネル移動度の望ましい増加の実現において、わずかな改善のみを示してきた。例えば、既知のＵＭＯＳＦＥＴは、伝導性チャネルにおけるキャリア密度の増加を示すが、これらの同一のデバイスは、逆バイアスの下で、トレンチゲートの角部における電界集中の損害をこうむる。
【００１１】
図１および図４は、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴ（５）と従来技術のＵＭＯＳＦＥＴ（２８）とをそれぞれ示す。従来のＤＭＯＳＦＥＴ（５）は、半導体（１８）上に配設される、ソースと、ゲートと、ドレインコンタクト（１０、１１、１２）とを含み、ゲートコンタクト（１１）は、ゲート領域を絶縁する酸化物層（１５）の上にある。ＤＭＯＳＦＥＴ（５）は、約０．５ミクロンの深さまで半導体内に注入され、約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされる、ｐ＋型井戸（１９）を含む。約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされるｎ＋ソース領域（２０）は、ｐ＋井戸（１９）に隣接し、ｐ＋井戸（１９）と埋め込みチャネル（２１）との間に配設される。埋め込みチャネル（２１）は、ソース（２０）と、ｐ＋井戸（１９）と、活性領域、すなわちＪＦＥＴ領域（２３）の間の半導体（１８）との部分に延在する。ＤＭＯＳＦＥＴ（５）の埋め込みチャネル（２１）、ＪＦＥＴ領域（２３）および支持ドリフト領域（２４）は、約１ｅ１６ｃｍ−３までドープされる。典型的な従来技術のＤＭＯＳＦＥＴでは、製造プロセスが、層の成長中にドーピングの変わりにイオン注入を使用することによって、チャネル表面を制御する。ＤＭＯＳＦＥＴにおいて、イオン注入を正確に実現することは困難であり、得られたデバイスは、チャネル移動度が制限される。
【００１２】
図１のＤＭＯＳＦＥＴ（５）のチャネル抵抗は、図２の順方向電圧対電流曲線に説明される。そこに示すように、図１のＤＭＯＳＦＥＴ（５）は、４０ｃｍ２／Ｖｓのチャネル移動度と、約４．６２ｍΩ・ｃｍ２の特定のオン抵抗とを実現する。それに応じて、図３は、図１の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴ（５）の順方向電流分布を示す。これらの値は、約２５から５０ｃｍ２／Ｖｓの典型的なチャネル移動度を達成する、既知のＤＭＯＳＦＥＴの範囲内である。図３に示すように、デバイスのドリフト領域（２４）内の電流分布は、ゲートにより近い上部（２３）内の最適な電流よりもはるかに少ない。図３は、電流が、デバイスを介するドレイン（１２）への最大フローに対して所望されるようには、拡散していないことを示す。
【００１３】
図４の従来技術のＵＭＯＳＦＥＴ（２８）は、同様の電流制限を経験している。図面に説明するように、ＵＭＯＳＦＥＴ（２８）は、スタンダードソース（３０）と、ゲート（３１）と、ドレイン（３２）とを含み、トレンチ（３６）の内側をおおう酸化物層（３３）の上にあるゲート（３１）を有する。ＵＭＯＳＦＥＴ（２８）の埋め込みチャネル（３８）は、埋め込みチャネル（３８）が、ｐ−ｎ接合のエピタキシャル層（４０、４１）と、酸化物層（３３）との間にあるように、ソース（３０）とトレンチ（３６）の下方とにわたって延在する。従来技術のＵＭＯＳＦＥＴに関する問題は、トレンチ角部（４２）が、トレンチ角部における電界の顕著な集中を示し、ドリフト領域（４３）と基板（４４）とを介する、ドレイン（３２）への下方の電流フローを阻止することである。電界集中はまた、逆バイアス動作の間、より低い持続（ｓｕｓｔａｉｎｅｄ）ゲート電圧をもたらす。
【００１４】
図４のＵＭＯＳＦＥＴはまた、適切なゲートの配置および動作のために、２ミクロンよりも大きいトレンチを必要とする。反応性イオンエッチングが、ＵＭＯＳＦＥＴ内でトレンチを形成するための最適な方法である場合が多いと仮定すると、トレンチ壁は、製造プロセスにおいて、伝導性チャネルが圧迫される非常に重大な損傷を受ける。炭化ケイ素を反応性イオンエッチングにさらす場合に、一定の結果を得ることは困難であり、得られたデバイスは信頼性がない。エッチングに起因する損傷は、絶縁目的でその上に形成される酸化物の質を劣化させる。これらの要因は、従来技術のＵＭＯＳＦＥＴ内で結合して、順方向の伝導に対して最大３０ボルトまでのオン電圧を要求する。
【００１５】
図１および図４の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴとＵＭＯＳＦＥＴデバイスとは、逆バイアス動作において入射電圧（ｉｎｃｉｄｅｎｔ ｖｏｌｔａｇｅ）を阻止する能力とともに、オン状態における最大電流フローを増加させるトランジスタ設計への修正に対する共通の必要性を図示する。
【００１６】
特許文献１（Ｍｉｙａｊｉｍａ １９９９年）は、デバイスに対する閾値電圧と阻止特性とを制御すると同時に、チャネル内の電流を増加させることを目的に改良された、従来の炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴの別の実施例を示す。Ｍｉｙａｊｉｍａの特許文献１の特許は、チャネル層のために、ゲートトレンチ壁に沿って炭化ケイ素の垂直な層を利用する。垂直チャネル層は、非常に薄く、約１０００から５０００オングストロームである。しかしながら、Ｍｉｙａｊｉｍａの特許文献１の設計は、トレンチの縁部での電流集中の問題をなおも経験している。さらに、Ｍｉｙａｊｉｍａは、チャネル移動度を増大させるための、炭化ケイ素結晶のａ面の使用については一切言及していない。
【００１７】
特許文献２（Ｂａｌｉｇａ ２００２年）は、同時に大きい電圧を支持し、電流飽和モードで動作することに関わる同じ問題のいくつかに取り組んでいる。Ｂａｌｉｇａの特許文献２の特許出願は、深い井戸の拡張（Ｐ＋注入）を使用し、トレンチ角部での電流集中をほぼ間違いなく軽減し得る。しかしながら、これらの井戸拡張の以前の研究は、深い井戸が、典型的に高いＪＦＥＴ抵抗をもたらし、それによって、より深いトレンチを必要とすることを示した。Ｂａｌｉｇａは、実際に、井戸に隣接する領域を空乏化するために、深いＰ＋井戸を使用することにより、ＪＦＥＴ効果を促進している。次に、Ｂａｌｉｇａは、ドレイン領域が電流飽和モードである間に、電界効果トランジスタとしてデバイスの空乏領域を操作するために、ＪＦＥＴ効果を使用している。ドレインへの電流フローを抑制するＪＦＥＴ領域の問題は、Ｂａｌｉｇａのデバイスにおいて、なおも明白である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】米国特許第５，９７６，９３６号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００２／０１８５６７９号明細書
【非特許文献】
【００１９】
【非特許文献１】Ｚｅｔｔｅｒｌｉｎｇ、Ｃａｒｌ−Ｍｉｋａｅｌ、「Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ（２００２年）、ｐ．３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
オン状態における高電流出力と、逆バイアスの下でのゲートトレンチにおける低減された電流集中とを有するパワートランジスタを実現するための従来の努力は、概して不成功であった。従来技術は、ゲートトレンチ側壁に沿ったチャネル抵抗を減少させることと、逆バイアスの下で半導体デバイスにわたって電界を拡散するためにデバイスの容量を増加させることとの、競合する要因に取り組むことに失敗してきた。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
（本発明の簡単な概要）
本発明は、オン状態での順方向に伝導中、ドリフト領域（５５）内のＪＦＥＴ効果を最小化すると同時に、炭化ケイ素体（６５）のＡ面に沿った電流を最適化する、新しいトランジスタ構造（５０）である。本発明は、トレンチゲート型デバイス内のゲート角部領域（８０）を保護する、高濃度ドープ型井戸領域（７７）の追加により、高電圧阻止能力をさらに示す。
【００２２】
ゲートコンタクト（６１）のための、半導体内のエッチングされたトレンチ（５６）を利用するトランジスタデバイスに対して、トレンチ側壁に沿った伝導は、半導体、好ましくは炭化ケイ素のＡ面にわたって導電性パス（７２）を提供することにより、増大され得る。本発明によると、トランジスタは、トレンチ（５６）を画定する半導体メサ（６５）の一部に延在する、埋め込みチャネル層（７２）に加えて、トレンチ側壁に沿ったＡ面の伝導を効果的に使用する。ドープ型井戸（７７）は、メサの少なくとも１つから、トレンチ（５６）の深さよりも大きい、電流拡散層すなわちドリフト領域（５５）内の深さまで延在する。電流拡散ドリフト層（５５）は、オン状態で接合抵抗を減少させるために、トレンチ（５６）の底部の下にある半導体メサ（６５）間に延在する。
【００２３】
別の実施形態では、半導体メサ（６５）は、その間にトレンチ（５６）を画定し、各メサ（６５）は、それぞれのメサにおけるｐ−ｎ接合の幅を画定する。埋め込みチャネル層（７２）は、デバイスの上面に隣接し、炭化ケイ素のＡ面に沿った伝導を利用する、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）を形成する。埋め込みチャネル層（７２）は、トレンチ壁にわたって下方に延在する。例えば、Ｐ＋伝導性までドープされる深い井戸領域（７７）は、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の頂部から、トレンチ（５６）よりも大きい深さまで、下方に延在する。深いＰ＋井戸（７７）は、逆バイアス動作の間、トレンチ角部（８０）を保護し、デバイスが、より高い阻止電圧を実現することを可能にする。ドープされた緩衝層（７３）は、各垂直トレンチ壁から深い井戸領域に向かって、デバイスの本体にわたって延在する。
【００２４】
本発明は、ゲートコンタクト（６１）を介して伝導を制御するために、炭化ケイ素のＡ面を利用する。炭化ケイ素のＡ面は、半導体にわたって相互コンダクタンスを増加させることにより、チャネル伝導性を増大させる。反対の導電型の緩衝領域（７３）に近接する深い井戸領域（７７）は、逆バイアス動作の間、トレンチ角部（８０）を保護し、それによりデバイスが、より高いゲート阻止電圧に耐えることを可能にする。
【００２５】
本明細書において、本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴを形成するための方法は、半導体（６５）内に第１の導電型のドープ型井戸領域（７７）を注入するステップと、次に、第１のエピタキシャル層（６８）が、ドープ型井戸領域（７７）の少なくとも一部を被覆するように、半導体上で、第１の導電型の第１のエピタキシャル層（６８）を成長させるステップを含む。次に、本発明は、第１のエピタキシャル層（６８）上に、第２の導電型の第２のエピタキシャル層（６９）を成長させ、次に、一対のメサを形成するために、エピタキシャル層と該半導体とをエッチングすることにより、ｐｎ接合を形成するステップを含む。メサは、その間にトレンチ（５６）を画定し、トレンチは、該ドープ型井戸領域（７７）の深さよりも小さい、半導体への深さを有する。該第２のエピタキシャル層（６８）またはソース領域の一部にわたって、埋め込みチャネル層（７２）を成長させ、該メサ間のトレンチへと埋め込みチャネル層（７２）を延在させることにより、方法は、改善された性能特性を有するＡＭＯＳＦＥＴを実現する。
【００２６】
エピタキシャル層（６８、６９）を個々に成長させる代わりに、方法の異なる実施形態では、該方法は、イオン注入による異なる導電型領域の形成を含む。
【００２７】
例えば、本発明は、以下の項目を提供する。
（項目１ａ）
半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、
該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、
該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、
該半導体メサと該トレンチの下方との間に延在して、該トランジスタ内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、
該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸と
を備える、トランジスタ。
（項目２ａ）
上記トランジスタは、ＡＭＯＳＦＥＴである、項目１ａに記載のトランジスタ。
（項目３ａ）
上記トランジスタは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである、項目１ａに記載のトランジスタ。
（項目４ａ）
上記トランジスタは、金属酸化物半導体制御型サイリスタである、項目１ａに記載のトランジスタ。
（項目５ａ）
上記ドープ型井戸は、約１×１０１９ｃｍ−３までドープされるＰ＋型井戸である、項目１ａに記載のトランジスタ。
（項目６ａ）
上記メサ内の上記ｐ−ｎ接合のうちの１つは、
上記埋め込みチャネル層の下および上記トレンチと上記Ｐ＋井戸との間に配設されるＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該トレンチと該Ｐ＋井戸との間の該Ｐ＋エピタキシャル層の上にあるＮ＋型ソース領域と
を備える、項目５ａに記載のトランジスタ。
（項目７ａ）
上記Ｐ＋エピタキシャル層は、約５×１０１７ｃｍ−３までドープされ、上記Ｎ＋ソース領域は、約１×１０２０ｃｍ−３までドープされる、項目６ａに記載のトランジスタ。
（項目８ａ）
上記ドープ型井戸から上記トレンチまで延在するエピタキシャル緩衝層をさらに備える、項目６ａに記載のトランジスタ。
（項目９ａ）
上記Ｐ＋型エピタキシャル層と上記緩衝層と上記Ｐ＋型井戸との間の上記ｐ−ｎ接合は、結合するように十分にドープされ、それによってオフ状態で上記トレンチの角部を保護する、項目８ａに記載のトランジスタ。
（項目１０ａ）
第１および第２の半導体メサ間の、ゲートコンタクトを組み込むためのトレンチの壁を画定するＡＭＯＳＦＥＴであって、該トレンチは、半導体のＡ面を曝露させ、該ＡＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接する第１の導電型の第１の半導体エピタキシャル層と、
該第１の半導体エピタキシャル層上にある第２の導電型の第２の半導体エピタキシャル層と、
該ＡＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該第２の半導体エピタキシャル層の上部に延在し、トレンチ壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該第１のエピタキシャル層から該半導体へと下方に、該トレンチよりも大きい深さまで延在する該第１の導電型の井戸領域と
を備える、ＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１１ａ）
上記第１の導電型は、Ｐ＋であり、上記第２の導電型は、Ｎ＋である、項目１０ａに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１２ａ）
上記半導体は、炭化ケイ素を含む、項目１０ａに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１３ａ）
上記埋め込みチャネル層は、上記第１のメサのＮ＋ソース領域から上記第２のメサ内のＮ＋ソース領域まで延在し、それによって上記トレンチ壁を被覆する、項目１０ａに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１４ａ）
上記井戸領域と上記トレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、項目１３ａに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１５ａ）
半導体内のゲートトレンチの壁を画定する第１および第２の半導体メサ内で電気伝導を制御するためのＭＯＳＦＥＴであって、該ＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接するＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層上にあるＮ＋型ソース領域と、
該ＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該Ｎ＋型ソース領域の上部に延在し、該トレンチ壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層から該半導体へと下方に、該ゲートトレンチよりも大きい深さまで延在するＰ＋型井戸と
を備え、
該ＭＯＳＦＥＴは、該半導体のＡ面に沿って該埋め込みチャネル層内で電気伝導を制御する、
ＭＯＳＦＥＴ。
（項目１６ａ）
上記半導体は、炭化ケイ素を含む、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１７ａ）
上記埋め込みチャネル層は、上記第１のメサ内のＮ＋ソース領域から上記第２のメサ内のＮ＋ソース領域まで延在し、それにより上記トレンチ壁を被覆する、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１８ａ）
上記Ｐ＋型井戸と上記ゲートトレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１９ａ）
上記Ｎ＋型緩衝層は、上記埋め込みチャネル層の深さと略等しい深さまで延在する、項目１８ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２０ａ）
上記ゲートトレンチと隣接する上記Ｐ＋型井戸との下に、Ｎ＋型ドリフト層をさらに備え、該ドリフト層は、上記第１の表面の反対側にある上記ＭＯＳＦＥＴの表面に向かって延在する、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２１ａ）
上記Ｎ＋型ドリフト層は、該ドリフト層の最高濃度ドープ領域が上記Ｐ＋井戸に隣接するように、上記反対側のＭＯＳＦＥＴ表面から上記第１のＭＯＳＦＥＴ表面に向かって増加するドーピング濃度を備える、項目２０ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２２ａ）
上記Ｐ＋井戸の反対側にある上記ドリフト層に隣接する半導体基板を備える、項目２０ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２３ａ）
上記ゲートトレンチは、深さが約２ミクロン未満である、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２４ａ）
上記ゲートトレンチは、深さが約１ミクロン未満である、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２５ａ）
上記ゲートトレンチは、深さが約０．８ミクロンであり、上記Ｐ＋井戸は、深さが約１．３ミクロンである、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２６ａ）
上記Ｎ＋ソース領域と上記Ｐ＋エピタキシャル層とは、略同一固定電位にある、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２７ａ）
トランジスタを形成する方法であって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層上に第２の導電型の第２のエピタキシャル層を成長させるステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該第２のエピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
（項目２８ａ）
上記チャネル層は、炭化ケイ素から形成され、該炭化ケイ素のＡ面は、ソースからドレインに伝導性パスを提供する、項目２７ａに記載の方法。
（項目２９ａ）
上記エッチングするステップの前に上記半導体上にＮ＋型緩衝層を成長させ、次いで上記エピタキシャル層のすべてと、下にある該半導体の一部分とをエッチングするステップをさらに包含する、項目２７ａに記載の方法。
（項目３０ａ）
トランジスタを形成するステップであって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層の上部領域を第２の導電型に変換するステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該エピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
（項目１ｂ）
半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、
該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、
該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、
該半導体メサと該トレンチの底部の下方との間に延在して、該デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、
該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸と
を備える、トランジスタ。
（項目２ｂ）
上記トランジスタは、ＡＭＯＳＦＥＴである、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目３ｂ）
上記トランジスタは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目４ｂ）
上記トランジスタは、金属酸化物半導体制御型サイリスタである、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目５ｂ）
上記ドープ型井戸は、約１×１０１９ｃｍ−３までドープされるＰ＋型井戸である、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目６ｂ）
上記メサ内の上記ｐ−ｎ接合のうちの１つは、
上記埋め込みチャネルの下および上記トレンチと上記Ｐ＋井戸との間に配設されるＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該トレンチと該Ｐ＋井戸との間の該Ｐ＋エピタキシャル層の上にあるＮ＋型ソース領域と
を備える、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目７ｂ）
上記Ｐ＋エピタキシャル層は、約５ｅ１７ｃｍ−３までドープされ、上記Ｎ＋ソース領域は、約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされる、項目６ｂに記載のトランジスタ。
（項目８ｂ）
上記ドープ型井戸から上記トレンチまで延在するエピタキシャル緩衝層をさらに備える、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目９ｂ）
上記Ｐ＋型エピタキシャル層と上記Ｎ型緩衝層と上記Ｐ＋型井戸との間の上記ｐ−ｎ接合は、結合するように十分にドープされ、それによってオフ状態で上記トレンチの角部を保護する、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目１０ｂ）
半導体メサ間のトレンチを画定するＡＭＯＳＦＥＴであって、該トレンチは、半導体のＡ面を曝露させ、該ＡＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接する第１の導電型の第１の半導体エピタキシャル層と、
該第１の半導体エピタキシャル層上にある第２の導電型の第２の半導体エピタキシャル層と、
該ＡＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該第２の半導体エピタキシャル層の上部に延在し、該トレンチの壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該第１のエピタキシャル層から該半導体へと下方に、該ゲートトレンチよりも大きい深さまで延在する該第１の導電型の井戸領域と
を備える、ＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１１ｂ）
上記第１の導電型は、Ｐ＋であり、上記第２の導電型は、Ｎ＋である、項目１０ｂに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１２ｂ）
上記半導体は、炭化ケイ素を含む、項目１０ｂに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１３ｂ）
上記埋め込みチャネル層は、１つのメサのＮ＋ソース領域から隣接するメサのＮ＋ソース領域まで延在し、それによって上記トレンチの壁を被覆する、項目１０ｂに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１４ｂ）
上記Ｐ＋型井戸と上記ゲートトレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、項目１３ｂに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１５ｂ）
半導体内のゲートトレンチを画定する一対の半導体メサ内で電気伝導を制御するためのＭＯＳＦＥＴであって、該ＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接するＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層上にあるＮ＋型ソース領域と、
該ＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該Ｎ＋型ソース領域の上部に延在し、該トレンチの壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層から該半導体へと下方に、該ゲートトレンチよりも大きい深さまで延在するＰ＋型井戸と
を備え、
該ＭＯＳＦＥＴは、該半導体のＡ面に沿って該埋め込みチャネル内で電気伝導を制御する、
ＭＯＳＦＥＴ。
（項目１６ｂ）
上記半導体は、炭化ケイ素を含む、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１７ｂ）
上記埋め込みチャネル層は、１つのメサの上記Ｎ＋ソース領域から隣接するメサの上記Ｎ＋ソース領域まで延在し、それにより上記トレンチの壁を被覆する、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１８ｂ）
上記Ｐ＋型井戸と上記ゲートトレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１９ｂ）
上記Ｎ＋型緩衝層は、上記埋め込みチャネル層の深さと略等しい深さまで延在する、項目１８ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２０ｂ）
上記ゲートトレンチと隣接する上記Ｐ＋型井戸との下に、Ｎ＋型ドリフト層をさらに備え、該ドリフト層は、上記第１の表面の反対側にある上記ＭＯＳＦＥＴの表面に向かって延在する、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２１ｂ）
上記Ｎ＋型ドリフト層は、該ドリフト層の最高濃度ドープ領域が上記Ｐ＋井戸に隣接するように、上記反対側のＭＯＳＦＥＴ表面から上記第１のＭＯＳＦＥＴ表面に向かって増加するドーピング濃度を備える、項目２０ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２２ｂ）
上記Ｐ＋井戸の反対側にある上記ドリフト層に隣接する半導体基板を備える、項目２０ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２３ｂ）
上記ゲートトレンチは、深さが約２ミクロン未満である、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２４ｂ）
上記ゲートトレンチは、深さが約１ミクロン未満である、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２５ｂ）
上記ゲートトレンチは、深さが約０．８ミクロンであり、上記Ｐ＋井戸は、深さが約１．３ミクロンである、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２６ｂ）
上記Ｎ＋ソース領域と上記Ｐ＋エピタキシャル層とは、略同一固定電位にある、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２７ｂ）
トランジスタを形成する方法であって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層上に第２の導電型の第２のエピタキシャル層を成長させるステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該第２のエピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
（項目２８ｂ）
上記チャネル層は、炭化ケイ素から形成され、該炭化ケイ素のａ面は、ソースからドレインに伝導性パスを提供する、項目２７ｂに記載の方法。
（項目２９ｂ）
上記エッチングするステップの前に上記半導体上にＮ＋型緩衝層を成長させ、次いで上記エピタキシャル層のすべてと、下にある該半導体の一部分とをエッチングするステップをさらに包含する、項目２７ｂに記載の方法。
（項目３０ｂ）
トランジスタを形成するステップであって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層の上部領域を第２の導電型に変換するステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該エピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
【００２８】
（摘要）
トランジスタ構造は、オン状態での順方向に伝導中、ドリフト領域内のＪＦＥＴ効果を最小化するＡＭＯＳＦＥＴを形成するために、炭化ケイ素体のＡ面に沿って電流を最適化する。該ＡＭＯＳＦＥＴは、トレンチゲート型デバイス内のゲート角部領域を保護する高濃度ドープ型井戸領域の追加により、高電圧阻止能力をさらに示す。該ＡＭＯＳＦＥＴは、該トレンチを画定する半導体メサの一部に延在する埋め込みチャネル層に加えて、トレンチ側壁に沿って該Ａ面の伝導を使用する。ドープ型井戸は、該メサの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまでの電流拡散層内に延在する。電流拡散層は、オン状態で接合抵抗を減少させるために、該トレンチの底部の下にある該半導体メサ間に延在する。該トレンチと該深い井戸との間の緩衝層は、該トレンチ角部における電界集中からの保護を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、埋め込みチャネルを有する、従来技術の二重拡散型電界効果トランジスタ（ＤＭＯＳＦＥＴ）である。
【図２】図２は、図１の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴに関する、順方向ＩＶ曲線のグラフ表示である。
【図３】図３は、図１の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴの、順方向電流分布のグラフ表示である。
【図４】図４は、垂直トレンチ壁に沿って伝導性チャネルを有する、従来技術のトレンチゲート型電界効果トランジスタ（ＵＭＯＳＦＥＴ）である。
【図５】図５は、本発明に従った、炭化ケイ素結晶構造のａ面上に形成される、金属酸化物半導体（ＭＯＳＦＥＴ）である。
【図６】図６は、本発明に従った、炭化ケイ素のａ面上に形成される、ＭＯＳＦＥＴに関する順方向電流分布のグラフ図である。
【図７】図７は、本発明に従った、炭化ケイ素のａ面上に形成される、ＭＯＳＦＥＴに関する順方向電流対電圧曲線のグラフ図である。
【図８ａ】図８ａは、１２００Ｖの阻止電圧での、ＤＭＯＳＦＥＴの電界強度分布を示すグラフである。
【図８ｂ】図８ｂは、１２００Ｖの阻止電圧での、ＵＭＯＳＦＥＴの電界強度分布を示すグラフである。
【図８ｃ】図８ｃは、１２００Ｖの阻止電圧での、本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴの電界強度分布を示すグラフである。
【図９ａ】図９ａは、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴの酸化物層内の、電界強度の最大深さを示すグラフである。
【図９ｂ】図９ｂは、従来技術のＵＭＯＳＦＥＴの酸化物層内の、電界強度の最大深さを示すグラフである。
【図９ｃ】図９ｃは、本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴの酸化物層内の、電界強度の最大深さを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（詳細な説明）
本発明のＭＯＳＦＥＴは、チャネル移動度の増加（例えば、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴに対して、１００ｃｍ２／Ｖｓ以下になるが、ＡＭＯＳＦＥＴに対しては、最大２００ｃｍ２／Ｖｓになる）のために、炭化ケイ素結晶エピタキシャル層のＡ面上に、伝導性チャネルを含む。図５は、新しいＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の構造を説明する。ドリフト領域（５５）すなわち電流拡散層は、ソース領域（６０）からドリフト領域（５５）を通じてドレイン（６２）まで流動する電流を有する、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の活性領域を形成するエピタキシャル層を支持する。概して、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）は、半導体結晶構造（５８）のトレンチ（５６）内に、絶縁ゲート（６１）、すなわち制御コンタクトを有するトランジスタである。トレンチ（５６）は、一対の半導体メサ（６５）を画定し、それぞれは、その中にｐｎ接合を形成するｐ＋型層（６８）とｎ＋型層（６９）とを含む。ｐ＋型層（６８）は、埋め込みチャネル（７２）の下、およびトレンチ（５６）とｐ＋ドープ型井戸（７７）との間に配設される、エピタキシャル層である。ｎ＋型層（６９）は、伝導目的のためのソース領域である。ｎ＋層（６９）は、ｐ＋層（６８）の頂部と、埋め込みチャネル（７２）の下に隣接して位置する。ドリフト領域（５５）は、ＡＭＯＳＦＥＴの上述の活性領域を支持する。好ましい実施形態では、ドリフト領域（５５）は、基板上にあるＮ＋エピタキシャル層であり、トレンチの底部と、ゲートコンタクトの反対側にあるＡＭＯＳＦＥＴの表面との間に延在する。ＡＭＯＳＦＥＴは、ドレイン（６２）に近接する底部ＭＯＳＦＥＴ表面から、ソース領域（６９）に近接する上部ＭＯＳＦＥＴ表面に向かって増加する、ドリフト領域（５５）内のドーピング濃度を利用する等、より高度なドーピング技術を含み得る。本実施形態では、ドリフト層の最高濃度ドープ領域は、該Ｐ＋井戸（７７）に隣接する。
【００３１】
ドレインコンタクト（６２）は、デバイスの底部に取り付けられ、ソースからドレインへの、ドリフト領域（５５）をわたった伝導を可能にする。この伝導は、トレンチ（５６）内のゲート（６１）上の電圧により制御される。チャネル領域（７２）が、適切な抵抗とチャネル長さを有する限り、ある特定閾値以上のゲート上の正電圧は、ソースからドレインへの制御された伝導を可能にする。
【００３２】
本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴは、ソースと、ゲートと、ドレインコンタクト（６０、６１、６２）とを含む、機能的なトランジスタ特性を含み、ゲートコンタクト（６１）は、トレンチ（５６）内の絶縁酸化物層（６４）の上に形成される。ソースコンタクト（６０）は、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の第１の表面上に位置し、ｐ＋ドープ型井戸（７７）とｎ＋ソース領域（６９）との上部に延在する。
【００３３】
好ましい実施形態では、緩衝層（７３）は、ｐ＋井戸領域（７７）から、トレンチ（５６）の底部に向かって延在し、酸化物層（６４）とゲートコンタクト（６１）とは、トレンチ（５６）内にある。緩衝層（７３）が、トレンチ角部（８０）に隣接して適切に配設されると、ｐ＋エピタキシャル層（６８）と、ｎ型緩衝層（７３）と、ｐ＋型ドープ型井戸（７７）との間のｐ−ｎ接合は、結合するように十分にドープされ、それにより、オフまたは非伝導状態でトレンチ角部を保護する。これは、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）が、ドレイン（６２）へのリーク電流、またはデバイスの完全な破壊さえもなく、ゲート（６１）上のより高い電圧に耐えることを可能にする。好ましい実施形態では、Ｎ＋型緩衝層（７３）は、埋め込みチャネル層（７２）とほぼ同じ深さまで延在する。
【００３４】
一実施形態では、各層内のドーピングは十分であり、その上に幅広い電圧レベルを有するゲート（６１）により制御される、オン状態での最適な電流を提供する。例えば、図５の実施例では、ｐ＋エピタキシャル層（６８）は、約５ｅ１７ｃｍ−３までドープされ、ｎ＋ソース領域は、約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされる。
【００３５】
本発明のＡＭＯＳＦＥＴ（５０）は、ゲート（６１）電圧に応じて、ソース（６０）からドレイン（６２）までの高い電流処理能力を提供するために特に好適な、チャネル層（７２）を有する。埋め込みチャネル層（７２）が、エピタキシャルｐ−ｎ接合層（６８、６９）を形成する半導体結晶構造のＡ面、
【００３６】
【数４】
面にわたって、導電性パスを提供するように、埋め込みチャネル層（７２）は、半導体メサ（６５）の上面の一部に延在し、底壁を含むトレンチ（５６）の外壁を少なくとも部分的に被覆する。
【００３７】
ドリフトまたは電流拡散層（５５）は、デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させるために、トレンチ（５６）の底部の下にある半導体メサ（６５）間に延在する。好ましい一実施形態では、ドリフト層（５５）は、半導体メサ（６５）とゲートトレンチ（６１）との幅にわたって延在する。ドリフト層（５５）は、ドレインコンタクト（６２）が取り付けられた半導体基板上に設置され得る。少なくとも１つのドープ型井戸（７７）は、メサ（６５）の少なくとも１つ内に、トレンチ（５６）の深さよりも大きいドリフト領域（５５）内の深さまで延在する。
【００３８】
図５のデバイスのドーピングレベルは、図面内の陰影により図示される。本発明のＡＭＯＳＦＥＴが、あらゆる領域に対するあらゆる特定のドーピングレベルに制限されない一方で、ドーピング範囲は、性能、特にソースからドレインへの電流フローに影響を与える。図５のデバイスにより図示される一実施例では、ドープ型井戸（７７）は、約１ｅ１９ｃｍ−３のドーピングレベルを有するｐ＋型井戸である。ｎ＋ソース領域（６９）は、約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされ、ｐ＋エピタキシャル層（６８）は、約５ｅ１７ｃｍ−３までドープされる。本実施形態の望ましい特性を達成するために、埋め込みチャネル層（７２）は、約２ｅ１６ｃｍ−３のドーピングレベルを有し、ｎ＋緩衝層は、約１ｅ１６ｃｍ−３にあり、ドリフト層は、約５ｅ１５ｃｍ−３までドープされる。任意選択で、チャネル特性の強化のために、ｎ＋ソース領域（６９）とｐ＋エピタキシャル層とは、略同一固定電位にある。
【００３９】
ＡＭＯＳＦＥＴは、トレンチが半導体のＡ面
【００４０】
【数５】
を曝露するように、半導体メサ間にトレンチを画定する。各メサは、ソースからドレインへの電流フローを制御するための、ｐｎ接合を含む。それに応じて、メサ（６５）は、メサにわたって延在し、トレンチ（５６）に隣接する、第１の導電型（例えば、Ｐ＋）の第１の半導体エピタキシャル層（６８）を有する。ｐｎ接合を達成するために、メサ（６５）は、第１の半導体エピ層（６８）上に、第２の導電型（例えば、Ｎ＋）の第２の半導体エピタキシャル層（６９）を含む。図５の実施形態では、Ｎ＋層（６９）は、ソース領域である。
【００４１】
埋め込みチャネル（７２）は、１つのメサ（６５）頂部から、ソースコンタクト（６０）の少なくとも一部の下の部分から、半導体のＡ面に沿ったトレンチ壁を下って、トレンチ底部にわたって、トレンチの反対側の壁に上がって、第２のメサ（６５）の表面に延在する。つまり、埋め込みチャネル層（７２）は、１つのメサのＮ＋ソース領域から、反対側のメサのＮ＋ソース領域に延在し、それによりトレンチ壁を被覆する。次に、埋め込みチャネル（７２）は、ゲートコンタクト（６１）と埋め込みチャネル（７２）との間に絶縁層（例えば、二酸化ケイ素）（６４）を有する、ゲートコンタクト（６１）に近接して配設される。その趣旨で、埋め込みチャネル（７２）の少なくとも一部は、各メサのソース領域と、ゲートコンタクトの下の絶縁層との間にある。全体的に、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）は、半導体のＡ面に沿って、埋め込みチャネル（７２）内の電気伝導を制御する。
【００４２】
トレンチチャネルの角部（８０）を保護し、その領域内の電流集中効果を軽減するために、ＡＭＯＳＦＥＴは、第１のエピタキシャル層（６８）から、半導体メサへと下方に延在する、第１の導電型（例えば、Ｐ＋）を有する井戸領域（７７）を含む。本発明のＡＭＯＳＦＥＴ（５０）は、ソース領域（６０）と同一の導電型（例えば、Ｎ＋）を有し、トレンチ（５６）壁と井戸（７７）との間の、各メサ（６５）内の底部領域の少なくとも一部に延在する、緩衝層（７３）をさらに利用する。緩衝層（７３）は、さらなる伝導制御のために、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の井戸領域（７７）とのｐｎ接合を形成する。好ましい実施形態では、緩衝層（７３）は、埋め込みチャネル（７２）の外壁から、井戸（７７）の外壁に延在する。
【００４３】
本発明に従った炭化ケイ素結晶構造のＡ面
【００４４】
【数６】
を利用する一利点は、従来技術のゲートトレンチよりも浅いゲートトレンチによって望ましい性能を達成することである。ＵＭＯＳＦＥＴにおける従来技術のトレンチは、２ミクロンを超える。本明細書中の本発明の一実施形態において、ゲートトレンチ（５６）は、約２ミクロン未満の深さであり、好適な実施形態においては、ゲートトレンチ（５６）は、約１ミクロン未満の深さである。さらに好適な実施形態は、約０．８ミクロンの深さのゲートトレンチ（５６）を利用する。
【００４５】
図５のＡＭＯＳＦＥＴの別の特性は、Ｐ＋井戸（７７）の深さである。井戸（７７）は、緩衝層（７３）よりも大きい深さまで、かつトレンチ（５６）または埋め込みチャネル（７２）のいずれかよりもさらに深く延在する。深いＰ＋井戸（７７）は、ゲートと半導体との結合により生成される電界を遮断することにより、トレンチ角部（８０）を保護する。好ましい実施形態では、Ｐ＋井戸（７７）は、図５に示すように、深さが約１．３ミクロンである。
【００４６】
図６に示すように、順方向電流分布は、Ｐ＋井戸（７７）の追加の深さ、および図５に示すような緩衝層（７３）の使用により、ドリフト領域（５５）のより大きい部分にわたって非常に増大される。電流密度分布が、図６のＡＭＯＳＦＥＴの主要部分、特にドリフト領域（５５）内で、３００Ａ／ｃｍ２に達することの意義は大きい。比較すると、図３のＤＭＯＳＦＥＴは、ドリフト領域の著しく小さい領域内で、３００Ａ／ｃｍ２の範囲の電流密度を達成する。図３でテストされたＤＭＯＳＦＥＴのドリフト領域の大部分は、２００〜２２５Ａ／ｃｍ２の範囲の電流密度を達成した。
【００４７】
図７は、図５のＡＭＯＳＦＥＴデバイスに印加される様々なゲート電圧に対する、電流出力を図示する。２．８４ｍｏｈｍｓ・ｃｍ２の特定のオン抵抗は、図２に示すような従来技術のＤＭＯＳＦＥＴに対する、４．６２のオン抵抗に比べて著しい改善である。本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴ内の炭化ケイ素Ａ面の使用は、チャネル内の抵抗の著しい減少をもたらす。
【００４８】
本明細書に記載されるＡＭＯＳＦＥＴは、高いチャネル移動度、短いチャネル長さ、半導体内のＪＦＥＴ抵抗の減少、および高いチャネル密度により、より低いオン抵抗を有する。高いチャネル移動度は、Ａ面
【００４９】
【数７】
に沿って、埋め込みチャネル（７２）を通じて、より高い相互コンダクタンスを示す。チャネル集中の軽減は、Ａ面に沿ったより高い電流処理能力を達成するのに役立つ。これらの質は、約１ミクロン未満までの浅いトレンチエッチングを含む製造プロセスにおいて、達成される。本発明の他の実施形態は、従来技術のデバイスのトレンチ深さよりも著しく小さい、約１ミクロンから２ミクロンのトレンチ深さを利用する。これらの改善をＭＯＳＦＥＴ設計に組み込むことにより、ＡＭＯＳＦＥＴは、順方向の伝導に対して、約３ボルト未満、および好ましくは約２ボルトの閾値電圧Ｖｔを達成する。
【００５０】
図８および図９は、炭化ケイ素のＡ面上に伝導性チャネルを有する、本発明に従い形成されるトランジスタの、有利な電気的応答を示す。図は、従来の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴ（図８ａ、図９ａ）とＵＭＯＳＦＥＴ（図８ｂ、図９ｂ）トランジスタとを、本明細書に開示されるＡＭＯＳＦＥＴ（図８ｃ、図９ｃ）と比較する。
【００５１】
図８は、それぞれの上の１２００Ｖの阻止電圧の印加後の、３つのデバイス（ＤＭＯＳ、ＵＭＯＳ、ＡＭＯＳ）に関する電界強度分布の略図である。図８ａでは、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴは、酸化物絶縁層（１５）に沿った高い電界強度を示し、それにより、デバイスがその領域内で破壊する前に、耐えることができる逆バイアスを最小化する。図８ｂの従来技術のＵＭＯＳＦＥＴは、トレンチのゲートコンタクトと半導体壁との交差点で、同様の電界集中を示す。図８ｂにおけるトレンチ角部での電界集中は、デバイスが、完全な電圧阻止特性を達成することを回避する。その一方、本発明に従って形成され、図８ｃに示すＡＭＯＳＦＥＴは、トレンチ角部を、トレンチ内のより高い電界から保護する緩衝層（７３）と深い井戸（７７）とを含む。図８ｃに示すように、本発明のＡＭＯＳＦＥＴのトレンチ角部は、約１．２６ｅ６ボルト／ｃｍ未満の電界強度に曝露され、同一の阻止電圧で約５ｅ６Ｖ／ｃｍの電界強度に曝露される、図８ｂのＵＭＯＳＦＥＴのトレンチに比べて改善されている。これらの結果に基づき、本発明のＡＭＯＳＦＥＴは、深いｐ＋井戸（７７）とｎ型緩衝層（７３）とを含む改善された設計により、より高い逆阻止電圧に耐えることが可能である。
【００５２】
図９は、図８からの各デバイスの酸化物層内の電界強度を図示する（それぞれＤＭＯＳ、ＵＭＯＳ、およびＡＭＯＳ）。図９ｂに示す従来のＵＭＯＳＦＥＴでは、トレンチ角部での電界は、ＡＭＯＳＦＥＴの酸化物層（図９ｃ）内の最大電界強度よりも５０パーセント大きい。ＡＭＯＳＦＥＴ（図９ｃ）はまた、図９ｂのＵＭＯＳＦＥＴの急激な減少とは対照的に、炭化ケイ素全体により均一に電界を拡散する。ＵＭＯＳＦＥＴに関する電界応答は、適切な動作を妨害する、トレンチ角部での電界集中の予想されたパターンを示す。本明細書に開示されるＡＭＯＳＦＥＴは、その上のより高い阻止電圧を可能にするために、デバイス本体全体に均一に、適切に電界強度を拡散する。
【００５３】
本明細書に開示されるＡＭＯＳＦＥＴを形成する方法は、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴに効果的に使用されてきた技術を強化する。しかしながら、従来の方法は、ＡＭＯＳＦＥＴが、炭化ケイ素エピ層のＡ面に伝導性チャネルを含むという事実を説明するために、変更される。上述のように、本発明に従ったＭＯＳＦＥＴは、既知の手段により形成される炭化ケイ素基板を任意選択で含む。４Ｈ−ＳｉＣのドリフト領域（５５）層は、基板上でエピタキシャルに成長し、次に、本発明の強化された実施形態で、典型的にｎ型にドープされる炭化ケイ素の緩衝層（７３）が、ドリフト領域（５５）上に形成される。方法は、第１の導電型、好ましくはＰ＋の、少なくとも１つのドープ型井戸領域（７７）を形成するステップを含む。井戸領域（７７）は、あらゆる一般的な技術により形成され得るが、好ましくは、ドーパントを、デバイスの頂部から１ミクロンよりも大きい深さまで、半導体に注入することにより形成される。デバイス本体内にｐｎ接合を形成するために、方法は、第１のエピタキシャル層（６８）が、ドープ型井戸領域（７７）の少なくとも一部を被覆するように、ドリフト領域（５５）上に、第１の導電型の第１のエピタキシャル層（６８）を成長させるステップを含む。第２の導電型の第２のエピタキシャル層（６９）は、第１のエピタキシャル層（６８）上に形成される。この段階でのＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の本体は、頂部から底部への電気伝導を制御するために、好ましくは炭化ケイ素の半導体層を含む。
【００５４】
本発明の方法の次のステップは、半導体層内にトレンチを形成し、それにより一対の半導体メサ（６５）を形成するために、エピタキシャル層、特に緩衝層（７３）、ならびに第１および第２のエピタキシャル層（６８、６９）をエッチングするステップである。トレンチ（５６）は、好ましくは、ドープ型井戸領域（７７）の深さよりも小さい深さまで延在する。埋め込みチャネル層（７２）は、第２のエピタキシャル層（６９）の少なくとも一部にわたって形成される。埋め込みチャネル層（７２）は、トレンチ（５６）へとトレンチ底部にわたって延在し、反対側のトレンチ壁と、第１の反対側にある第２のメサの少なくとも一部を被覆するように続く。その後、トレンチ壁は、ゲートコンタクト（６１）がトレンチ内に形成される、二酸化ケイ素等のゲート絶縁（６４）層により被覆される。これらの種類のトランジスタに共通のソースとドレインコンタクトとが、本明細書のＡＭＯＳＦＥＴ（５０）を完成する。
【００５５】
上述のドーピング方法は、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）が、オン状態で高い電流出力を達成するように、他の変形型において修正され得ることに留意することが重要である。例えば、半導体のＡ面に沿ったチャネル領域を有するトランジスタを形成する方法は、半導体（５５）内に第１の導電型のドープ型井戸領域（７７）を注入するステップと、次に、井戸層（７７）の少なくとも一部分の上に、第１の導電型のエピタキシャル層（６８）を成長させるステップとを含む。本発明の本実施形態では、第１のエピタキシャル層（６８）の上部は、当該分野で既知の注入技術により、反対の導電型に変換され得る。第２の導電型のこの上部は、次に、トランジスタ（５０）内にｐｎ接合を形成するために、第２のエピタキシャル層（６９）となる。エピタキシャル層のエッチングは、伝導を制御するゲートコンタクト（６１）を形成するために、望ましいトレンチを形成する。
【００５６】
本明細書に記載される方法は、半導体層のＡ面上の高伝導性チャネルから利益を得る、他のトランジスタを形成するためにも使用され得る。したがって、本発明は、ＭＯＳＦＥＴに限定されず、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと金属酸化物半導体制御型サイリスタとにも、同様に適用できる。これらのデバイスのすべてを形成するために使用される半導体材料は、好ましくは炭化ケイ素であるが、本発明は、そのようなものに限定されない。
【００５７】
当業者は、本発明が、多くの異なる種類のトランジスタのデバイス構造において、具現化され得ることを認識するであろう。したがって、本発明は、本明細書に図示される特定の構造に限定されない。例えば、トランジスタは、構成に応じてｐ型またはｎ型チャネルを含み得る。本明細書に記載されるあらゆる層またはトランジスタ領域も、本文書に使用される説明が、一例に過ぎないため、反対のドーピングタイプを有し得る。
【００５８】
図面および明細書において、本発明の好ましい実施形態が説明されており、特定の用語が用いられてきたが、それらは、一般的かつ説明的意味でのみ使用され、制限目的のために使用されず、本発明の範囲は、特許請求の範囲において規定される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、伝導性チャネルが半導体のＡ面で形成される、ＭＯＳＦＥＴに有用なトランジスタ構造に関する。本発明が取り組む課題には、（ｉ）最適な電流出力のために、オン状態でチャネル抵抗を減少させること、および（ｉｉ）デバイス内の逆電圧阻止（ｒｅｖｅｒｓｅ ｖｏｌｔａｇｅ ｂｌｏｃｋｉｎｇ）能力を最大化するために、電界集中（ｆｉｅｌｄ ｃｒｏｗｄｉｎｇ）効果を最小化することが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
過去２０年にわたって、トランジスタ設計は、オン状態で制御された電流フローを達成すると同時に、オフ状態で特定の電圧を阻止する能力を有するように最適化されてきた。炭化ケイ素とＩＩＩ族窒化物とを含む、よりよい半導体材料の開発は、オン状態（例えば、より高い電流出力）とオフ状態（より少ないリーク電流を有する、より高い電圧阻止）との両方において、トランジスタ性能のより大きな制御を可能にする、トランジスタ設計の驚くべき進歩をもたらしてきた。炭化ケイ素は、様々な結晶構造におけるその電気特性により、特に高い関心が持たれてきた。
【０００３】
炭化ケイ素の結晶構造は、使用される層の要素構成により説明される場合が多い。炭化ケイ素基板の断面は、シリコン原子の層の上に直接、炭素原子の層、もしくはその逆を示す。シリコン層は、その上にデバイスを形成するために研磨および使用される場合が多く、それは、シリコン面として知られる。炭素層が曝露される場合は、それは炭素面として知られる。非特許文献１を参照されたい。
【０００４】
炭化ケイ素結晶の配列の軸はまた、半導体デバイスを形成するための配向の選択において重要な役割を果たす。従来、六方晶系構造に対して、ａ１、ａ２、ａ３、およびｃの４つの主軸が、一般的に使用される。ａベクトルのすべては、同一の平面（「ａ平面」）にあり、ｃベクトルは、ａ平面に垂直であるｃ平面にある。同非特許文献１。
【０００５】
以前の研究者たちは、得られたデバイスにおける様々な性能特性を実現するために、炭化ケイ素結晶の異なる平面または面を使用しようと試みてきた。例えば、Ｙａｎｏらは、ｃ面上に形成されるＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度特性と、４Ｈ−ＳｉＣ基板のａ面上の反転層移動度に関する改善された結果とを開示している。Ｙａｎｏ、Ｋｉｍｏｔｏ、Ｍａｔｓｕｎａｍｉ、Ａｓａｎｏ、およびＳｕｇａｗａｒａ「Ｈｉｇｈ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｉｎ Ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒｓ ｏｆ ４Ｈ−ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ ｂｙ Ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ
【０００６】
【数１】
Ｆａｃｅ」、ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ．２０、Ｎｏ．１２（１９９９年１２月）、ｐ．６１１−６１３を参照されたい。
【０００７】
Ｙａｎｏらは、同一の基板上で互いに垂直の電流を有する、２種類のＭＯＳＦＥＴを形成した。
【０００８】
【数２】
面上に形成されるＭＯＳＦＥＴに対するドレイン電流は、実質的に改善され、炭化ケイ素のａ面
【０００９】
【数３】
を使用することにより、チャネル移動度の著しい増加を示した。しかしながら、Ｙａｎｏのデバイスは、比較的低い臨界電界強度を有し、所望よりも低いゲート電圧において逆バイアスの下で伝導を行うことから、Ｙａｎｏの設計は、垂直型パワーデバイスにおいては好ましくない。そのうえ調整される付加パラメータなしで、ａ面上のＭＯＳＦＥＴを改良する唯一の技術は、パワーＭＯＳＦＥＴにおける性能の最適化において、最適な解決策であることを証明していない。
【００１０】
チャネル抵抗が、特に低電圧（＜２ｋＶ）の炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴに対して、ＭＯＳＦＥＴの全オン抵抗のかなりの部分を作り出すことから、パワーＭＯＳＦＥＴ内の電流フローを最大化するためのこれまでの努力は、炭化ケイ素デバイスのチャネル抵抗に焦点を当ててきた。チャネル抵抗を減少させる方法は、（１）チャネル移動度を改善すること、（２）デバイスセルピッチを減少すること、および（３）チャネル長さを減少することに集中してきた。研究努力は、これらの方法を広範囲に研究してきたが、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴ（二重拡散型金属酸化物半導体ＦＥＴ）と、ＵＭＯＳＦＥＴ（トレンチゲート型金属酸化物半導体ＦＥＴ）とは、チャネル移動度の望ましい増加の実現において、わずかな改善のみを示してきた。例えば、既知のＵＭＯＳＦＥＴは、伝導性チャネルにおけるキャリア密度の増加を示すが、これらの同一のデバイスは、逆バイアスの下で、トレンチゲートの角部における電界集中の損害をこうむる。
【００１１】
図１および図４は、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴ（５）と従来技術のＵＭＯＳＦＥＴ（２８）とをそれぞれ示す。従来のＤＭＯＳＦＥＴ（５）は、半導体（１８）上に配設される、ソースと、ゲートと、ドレインコンタクト（１０、１１、１２）とを含み、ゲートコンタクト（１１）は、ゲート領域を絶縁する酸化物層（１５）の上にある。ＤＭＯＳＦＥＴ（５）は、約０．５ミクロンの深さまで半導体内に注入され、約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされる、ｐ＋型井戸（１９）を含む。約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされるｎ＋ソース領域（２０）は、ｐ＋井戸（１９）に隣接し、ｐ＋井戸（１９）と埋め込みチャネル（２１）との間に配設される。埋め込みチャネル（２１）は、ソース（２０）と、ｐ＋井戸（１９）と、活性領域、すなわちＪＦＥＴ領域（２３）の間の半導体（１８）との部分に延在する。ＤＭＯＳＦＥＴ（５）の埋め込みチャネル（２１）、ＪＦＥＴ領域（２３）および支持ドリフト領域（２４）は、約１ｅ１６ｃｍ−３までドープされる。典型的な従来技術のＤＭＯＳＦＥＴでは、製造プロセスが、層の成長中にドーピングの変わりにイオン注入を使用することによって、チャネル表面を制御する。ＤＭＯＳＦＥＴにおいて、イオン注入を正確に実現することは困難であり、得られたデバイスは、チャネル移動度が制限される。
【００１２】
図１のＤＭＯＳＦＥＴ（５）のチャネル抵抗は、図２の順方向電圧対電流曲線に説明される。そこに示すように、図１のＤＭＯＳＦＥＴ（５）は、４０ｃｍ２／Ｖｓのチャネル移動度と、約４．６２ｍΩ・ｃｍ２の特定のオン抵抗とを実現する。それに応じて、図３は、図１の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴ（５）の順方向電流分布を示す。これらの値は、約２５から５０ｃｍ２／Ｖｓの典型的なチャネル移動度を達成する、既知のＤＭＯＳＦＥＴの範囲内である。図３に示すように、デバイスのドリフト領域（２４）内の電流分布は、ゲートにより近い上部（２３）内の最適な電流よりもはるかに少ない。図３は、電流が、デバイスを介するドレイン（１２）への最大フローに対して所望されるようには、拡散していないことを示す。
【００１３】
図４の従来技術のＵＭＯＳＦＥＴ（２８）は、同様の電流制限を経験している。図面に説明するように、ＵＭＯＳＦＥＴ（２８）は、スタンダードソース（３０）と、ゲート（３１）と、ドレイン（３２）とを含み、トレンチ（３６）の内側をおおう酸化物層（３３）の上にあるゲート（３１）を有する。ＵＭＯＳＦＥＴ（２８）の埋め込みチャネル（３８）は、埋め込みチャネル（３８）が、ｐ−ｎ接合のエピタキシャル層（４０、４１）と、酸化物層（３３）との間にあるように、ソース（３０）とトレンチ（３６）の下方とにわたって延在する。従来技術のＵＭＯＳＦＥＴに関する問題は、トレンチ角部（４２）が、トレンチ角部における電界の顕著な集中を示し、ドリフト領域（４３）と基板（４４）とを介する、ドレイン（３２）への下方の電流フローを阻止することである。電界集中はまた、逆バイアス動作の間、より低い持続（ｓｕｓｔａｉｎｅｄ）ゲート電圧をもたらす。
【００１４】
図４のＵＭＯＳＦＥＴはまた、適切なゲートの配置および動作のために、２ミクロンよりも大きいトレンチを必要とする。反応性イオンエッチングが、ＵＭＯＳＦＥＴ内でトレンチを形成するための最適な方法である場合が多いと仮定すると、トレンチ壁は、製造プロセスにおいて、伝導性チャネルが圧迫される非常に重大な損傷を受ける。炭化ケイ素を反応性イオンエッチングにさらす場合に、一定の結果を得ることは困難であり、得られたデバイスは信頼性がない。エッチングに起因する損傷は、絶縁目的でその上に形成される酸化物の質を劣化させる。これらの要因は、従来技術のＵＭＯＳＦＥＴ内で結合して、順方向の伝導に対して最大３０ボルトまでのオン電圧を要求する。
【００１５】
図１および図４の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴとＵＭＯＳＦＥＴデバイスとは、逆バイアス動作において入射電圧（ｉｎｃｉｄｅｎｔ ｖｏｌｔａｇｅ）を阻止する能力とともに、オン状態における最大電流フローを増加させるトランジスタ設計への修正に対する共通の必要性を図示する。
【００１６】
特許文献１（Ｍｉｙａｊｉｍａ １９９９年）は、デバイスに対する閾値電圧と阻止特性とを制御すると同時に、チャネル内の電流を増加させることを目的に改良された、従来の炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴの別の実施例を示す。Ｍｉｙａｊｉｍａの特許文献１の特許は、チャネル層のために、ゲートトレンチ壁に沿って炭化ケイ素の垂直な層を利用する。垂直チャネル層は、非常に薄く、約１０００から５０００オングストロームである。しかしながら、Ｍｉｙａｊｉｍａの特許文献１の設計は、トレンチの縁部での電流集中の問題をなおも経験している。さらに、Ｍｉｙａｊｉｍａは、チャネル移動度を増大させるための、炭化ケイ素結晶のａ面の使用については一切言及していない。
【００１７】
特許文献２（Ｂａｌｉｇａ ２００２年）は、同時に大きい電圧を支持し、電流飽和モードで動作することに関わる同じ問題のいくつかに取り組んでいる。Ｂａｌｉｇａの特許文献２の特許出願は、深い井戸の拡張（Ｐ＋注入）を使用し、トレンチ角部での電流集中をほぼ間違いなく軽減し得る。しかしながら、これらの井戸拡張の以前の研究は、深い井戸が、典型的に高いＪＦＥＴ抵抗をもたらし、それによって、より深いトレンチを必要とすることを示した。Ｂａｌｉｇａは、実際に、井戸に隣接する領域を空乏化するために、深いＰ＋井戸を使用することにより、ＪＦＥＴ効果を促進している。次に、Ｂａｌｉｇａは、ドレイン領域が電流飽和モードである間に、電界効果トランジスタとしてデバイスの空乏領域を操作するために、ＪＦＥＴ効果を使用している。ドレインへの電流フローを抑制するＪＦＥＴ領域の問題は、Ｂａｌｉｇａのデバイスにおいて、なおも明白である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】米国特許第５，９７６，９３６号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００２／０１８５６７９号明細書
【非特許文献】
【００１９】
【非特許文献１】Ｚｅｔｔｅｒｌｉｎｇ、Ｃａｒｌ−Ｍｉｋａｅｌ、「Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ（２００２年）、ｐ．３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
オン状態における高電流出力と、逆バイアスの下でのゲートトレンチにおける低減された電流集中とを有するパワートランジスタを実現するための従来の努力は、概して不成功であった。従来技術は、ゲートトレンチ側壁に沿ったチャネル抵抗を減少させることと、逆バイアスの下で半導体デバイスにわたって電界を拡散するためにデバイスの容量を増加させることとの、競合する要因に取り組むことに失敗してきた。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
（本発明の簡単な概要）
本発明は、オン状態での順方向に伝導中、ドリフト領域（５５）内のＪＦＥＴ効果を最小化すると同時に、炭化ケイ素体（６５）のＡ面に沿った電流を最適化する、新しいトランジスタ構造（５０）である。本発明は、トレンチゲート型デバイス内のゲート角部領域（８０）を保護する、高濃度ドープ型井戸領域（７７）の追加により、高電圧阻止能力をさらに示す。
【００２２】
ゲートコンタクト（６１）のための、半導体内のエッチングされたトレンチ（５６）を利用するトランジスタデバイスに対して、トレンチ側壁に沿った伝導は、半導体、好ましくは炭化ケイ素のＡ面にわたって導電性パス（７２）を提供することにより、増大され得る。本発明によると、トランジスタは、トレンチ（５６）を画定する半導体メサ（６５）の一部に延在する、埋め込みチャネル層（７２）に加えて、トレンチ側壁に沿ったＡ面の伝導を効果的に使用する。ドープ型井戸（７７）は、メサの少なくとも１つから、トレンチ（５６）の深さよりも大きい、電流拡散層すなわちドリフト領域（５５）内の深さまで延在する。電流拡散ドリフト層（５５）は、オン状態で接合抵抗を減少させるために、トレンチ（５６）の底部の下にある半導体メサ（６５）間に延在する。
【００２３】
別の実施形態では、半導体メサ（６５）は、その間にトレンチ（５６）を画定し、各メサ（６５）は、それぞれのメサにおけるｐ−ｎ接合の幅を画定する。埋め込みチャネル層（７２）は、デバイスの上面に隣接し、炭化ケイ素のＡ面に沿った伝導を利用する、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）を形成する。埋め込みチャネル層（７２）は、トレンチ壁にわたって下方に延在する。例えば、Ｐ＋伝導性までドープされる深い井戸領域（７７）は、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の頂部から、トレンチ（５６）よりも大きい深さまで、下方に延在する。深いＰ＋井戸（７７）は、逆バイアス動作の間、トレンチ角部（８０）を保護し、デバイスが、より高い阻止電圧を実現することを可能にする。ドープされた緩衝層（７３）は、各垂直トレンチ壁から深い井戸領域に向かって、デバイスの本体にわたって延在する。
【００２４】
本発明は、ゲートコンタクト（６１）を介して伝導を制御するために、炭化ケイ素のＡ面を利用する。炭化ケイ素のＡ面は、半導体にわたって相互コンダクタンスを増加させることにより、チャネル伝導性を増大させる。反対の導電型の緩衝領域（７３）に近接する深い井戸領域（７７）は、逆バイアス動作の間、トレンチ角部（８０）を保護し、それによりデバイスが、より高いゲート阻止電圧に耐えることを可能にする。
【００２５】
本明細書において、本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴを形成するための方法は、半導体（６５）内に第１の導電型のドープ型井戸領域（７７）を注入するステップと、次に、第１のエピタキシャル層（６８）が、ドープ型井戸領域（７７）の少なくとも一部を被覆するように、半導体上で、第１の導電型の第１のエピタキシャル層（６８）を成長させるステップを含む。次に、本発明は、第１のエピタキシャル層（６８）上に、第２の導電型の第２のエピタキシャル層（６９）を成長させ、次に、一対のメサを形成するために、エピタキシャル層と該半導体とをエッチングすることにより、ｐｎ接合を形成するステップを含む。メサは、その間にトレンチ（５６）を画定し、トレンチは、該ドープ型井戸領域（７７）の深さよりも小さい、半導体への深さを有する。該第２のエピタキシャル層（６８）またはソース領域の一部にわたって、埋め込みチャネル層（７２）を成長させ、該メサ間のトレンチへと埋め込みチャネル層（７２）を延在させることにより、方法は、改善された性能特性を有するＡＭＯＳＦＥＴを実現する。
【００２６】
エピタキシャル層（６８、６９）を個々に成長させる代わりに、方法の異なる実施形態では、該方法は、イオン注入による異なる導電型領域の形成を含む。
【００２７】
例えば、本発明は、以下の項目を提供する。
（項目１ａ）
半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、
該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、
該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、
該半導体メサと該トレンチの下方との間に延在して、該トランジスタ内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、
該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸と
を備える、トランジスタ。
（項目２ａ）
上記トランジスタは、ＡＭＯＳＦＥＴである、項目１ａに記載のトランジスタ。
（項目３ａ）
上記トランジスタは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである、項目１ａに記載のトランジスタ。
（項目４ａ）
上記トランジスタは、金属酸化物半導体制御型サイリスタである、項目１ａに記載のトランジスタ。
（項目５ａ）
上記ドープ型井戸は、約１×１０１９ｃｍ−３までドープされるＰ＋型井戸である、項目１ａに記載のトランジスタ。
（項目６ａ）
上記メサ内の上記ｐ−ｎ接合のうちの１つは、
上記埋め込みチャネル層の下および上記トレンチと上記Ｐ＋井戸との間に配設されるＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該トレンチと該Ｐ＋井戸との間の該Ｐ＋エピタキシャル層の上にあるＮ＋型ソース領域と
を備える、項目５ａに記載のトランジスタ。
（項目７ａ）
上記Ｐ＋エピタキシャル層は、約５×１０１７ｃｍ−３までドープされ、上記Ｎ＋ソース領域は、約１×１０２０ｃｍ−３までドープされる、項目６ａに記載のトランジスタ。
（項目８ａ）
上記ドープ型井戸から上記トレンチまで延在するエピタキシャル緩衝層をさらに備える、項目６ａに記載のトランジスタ。
（項目９ａ）
上記Ｐ＋型エピタキシャル層と上記緩衝層と上記Ｐ＋型井戸との間の上記ｐ−ｎ接合は、結合するように十分にドープされ、それによってオフ状態で上記トレンチの角部を保護する、項目８ａに記載のトランジスタ。
（項目１０ａ）
第１および第２の半導体メサ間の、ゲートコンタクトを組み込むためのトレンチの壁を画定するＡＭＯＳＦＥＴであって、該トレンチは、半導体のＡ面を曝露させ、該ＡＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接する第１の導電型の第１の半導体エピタキシャル層と、
該第１の半導体エピタキシャル層上にある第２の導電型の第２の半導体エピタキシャル層と、
該ＡＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該第２の半導体エピタキシャル層の上部に延在し、トレンチ壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該第１のエピタキシャル層から該半導体へと下方に、該トレンチよりも大きい深さまで延在する該第１の導電型の井戸領域と
を備える、ＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１１ａ）
上記第１の導電型は、Ｐ＋であり、上記第２の導電型は、Ｎ＋である、項目１０ａに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１２ａ）
上記半導体は、炭化ケイ素を含む、項目１０ａに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１３ａ）
上記埋め込みチャネル層は、上記第１のメサのＮ＋ソース領域から上記第２のメサ内のＮ＋ソース領域まで延在し、それによって上記トレンチ壁を被覆する、項目１０ａに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１４ａ）
上記井戸領域と上記トレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、項目１３ａに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１５ａ）
半導体内のゲートトレンチの壁を画定する第１および第２の半導体メサ内で電気伝導を制御するためのＭＯＳＦＥＴであって、該ＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接するＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層上にあるＮ＋型ソース領域と、
該ＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該Ｎ＋型ソース領域の上部に延在し、該トレンチ壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層から該半導体へと下方に、該ゲートトレンチよりも大きい深さまで延在するＰ＋型井戸と
を備え、
該ＭＯＳＦＥＴは、該半導体のＡ面に沿って該埋め込みチャネル層内で電気伝導を制御する、
ＭＯＳＦＥＴ。
（項目１６ａ）
上記半導体は、炭化ケイ素を含む、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１７ａ）
上記埋め込みチャネル層は、上記第１のメサ内のＮ＋ソース領域から上記第２のメサ内のＮ＋ソース領域まで延在し、それにより上記トレンチ壁を被覆する、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１８ａ）
上記Ｐ＋型井戸と上記ゲートトレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１９ａ）
上記Ｎ＋型緩衝層は、上記埋め込みチャネル層の深さと略等しい深さまで延在する、項目１８ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２０ａ）
上記ゲートトレンチと隣接する上記Ｐ＋型井戸との下に、Ｎ＋型ドリフト層をさらに備え、該ドリフト層は、上記第１の表面の反対側にある上記ＭＯＳＦＥＴの表面に向かって延在する、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２１ａ）
上記Ｎ＋型ドリフト層は、該ドリフト層の最高濃度ドープ領域が上記Ｐ＋井戸に隣接するように、上記反対側のＭＯＳＦＥＴ表面から上記第１のＭＯＳＦＥＴ表面に向かって増加するドーピング濃度を備える、項目２０ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２２ａ）
上記Ｐ＋井戸の反対側にある上記ドリフト層に隣接する半導体基板を備える、項目２０ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２３ａ）
上記ゲートトレンチは、深さが約２ミクロン未満である、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２４ａ）
上記ゲートトレンチは、深さが約１ミクロン未満である、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２５ａ）
上記ゲートトレンチは、深さが約０．８ミクロンであり、上記Ｐ＋井戸は、深さが約１．３ミクロンである、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２６ａ）
上記Ｎ＋ソース領域と上記Ｐ＋エピタキシャル層とは、略同一固定電位にある、項目１５ａに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２７ａ）
トランジスタを形成する方法であって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層上に第２の導電型の第２のエピタキシャル層を成長させるステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該第２のエピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
（項目２８ａ）
上記チャネル層は、炭化ケイ素から形成され、該炭化ケイ素のＡ面は、ソースからドレインに伝導性パスを提供する、項目２７ａに記載の方法。
（項目２９ａ）
上記エッチングするステップの前に上記半導体上にＮ＋型緩衝層を成長させ、次いで上記エピタキシャル層のすべてと、下にある該半導体の一部分とをエッチングするステップをさらに包含する、項目２７ａに記載の方法。
（項目３０ａ）
トランジスタを形成するステップであって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層の上部領域を第２の導電型に変換するステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該エピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
（項目１ｂ）
半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、
該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、
該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、
該半導体メサと該トレンチの底部の下方との間に延在して、該デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、
該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸と
を備える、トランジスタ。
（項目２ｂ）
上記トランジスタは、ＡＭＯＳＦＥＴである、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目３ｂ）
上記トランジスタは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目４ｂ）
上記トランジスタは、金属酸化物半導体制御型サイリスタである、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目５ｂ）
上記ドープ型井戸は、約１×１０１９ｃｍ−３までドープされるＰ＋型井戸である、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目６ｂ）
上記メサ内の上記ｐ−ｎ接合のうちの１つは、
上記埋め込みチャネルの下および上記トレンチと上記Ｐ＋井戸との間に配設されるＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該トレンチと該Ｐ＋井戸との間の該Ｐ＋エピタキシャル層の上にあるＮ＋型ソース領域と
を備える、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目７ｂ）
上記Ｐ＋エピタキシャル層は、約５ｅ１７ｃｍ−３までドープされ、上記Ｎ＋ソース領域は、約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされる、項目６ｂに記載のトランジスタ。
（項目８ｂ）
上記ドープ型井戸から上記トレンチまで延在するエピタキシャル緩衝層をさらに備える、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目９ｂ）
上記Ｐ＋型エピタキシャル層と上記Ｎ型緩衝層と上記Ｐ＋型井戸との間の上記ｐ−ｎ接合は、結合するように十分にドープされ、それによってオフ状態で上記トレンチの角部を保護する、項目１ｂに記載のトランジスタ。
（項目１０ｂ）
半導体メサ間のトレンチを画定するＡＭＯＳＦＥＴであって、該トレンチは、半導体のＡ面を曝露させ、該ＡＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接する第１の導電型の第１の半導体エピタキシャル層と、
該第１の半導体エピタキシャル層上にある第２の導電型の第２の半導体エピタキシャル層と、
該ＡＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該第２の半導体エピタキシャル層の上部に延在し、該トレンチの壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該第１のエピタキシャル層から該半導体へと下方に、該ゲートトレンチよりも大きい深さまで延在する該第１の導電型の井戸領域と
を備える、ＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１１ｂ）
上記第１の導電型は、Ｐ＋であり、上記第２の導電型は、Ｎ＋である、項目１０ｂに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１２ｂ）
上記半導体は、炭化ケイ素を含む、項目１０ｂに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１３ｂ）
上記埋め込みチャネル層は、１つのメサのＮ＋ソース領域から隣接するメサのＮ＋ソース領域まで延在し、それによって上記トレンチの壁を被覆する、項目１０ｂに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１４ｂ）
上記Ｐ＋型井戸と上記ゲートトレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、項目１３ｂに記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
（項目１５ｂ）
半導体内のゲートトレンチを画定する一対の半導体メサ内で電気伝導を制御するためのＭＯＳＦＥＴであって、該ＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接するＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層上にあるＮ＋型ソース領域と、
該ＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該Ｎ＋型ソース領域の上部に延在し、該トレンチの壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層から該半導体へと下方に、該ゲートトレンチよりも大きい深さまで延在するＰ＋型井戸と
を備え、
該ＭＯＳＦＥＴは、該半導体のＡ面に沿って該埋め込みチャネル内で電気伝導を制御する、
ＭＯＳＦＥＴ。
（項目１６ｂ）
上記半導体は、炭化ケイ素を含む、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１７ｂ）
上記埋め込みチャネル層は、１つのメサの上記Ｎ＋ソース領域から隣接するメサの上記Ｎ＋ソース領域まで延在し、それにより上記トレンチの壁を被覆する、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１８ｂ）
上記Ｐ＋型井戸と上記ゲートトレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目１９ｂ）
上記Ｎ＋型緩衝層は、上記埋め込みチャネル層の深さと略等しい深さまで延在する、項目１８ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２０ｂ）
上記ゲートトレンチと隣接する上記Ｐ＋型井戸との下に、Ｎ＋型ドリフト層をさらに備え、該ドリフト層は、上記第１の表面の反対側にある上記ＭＯＳＦＥＴの表面に向かって延在する、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２１ｂ）
上記Ｎ＋型ドリフト層は、該ドリフト層の最高濃度ドープ領域が上記Ｐ＋井戸に隣接するように、上記反対側のＭＯＳＦＥＴ表面から上記第１のＭＯＳＦＥＴ表面に向かって増加するドーピング濃度を備える、項目２０ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２２ｂ）
上記Ｐ＋井戸の反対側にある上記ドリフト層に隣接する半導体基板を備える、項目２０ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２３ｂ）
上記ゲートトレンチは、深さが約２ミクロン未満である、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２４ｂ）
上記ゲートトレンチは、深さが約１ミクロン未満である、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２５ｂ）
上記ゲートトレンチは、深さが約０．８ミクロンであり、上記Ｐ＋井戸は、深さが約１．３ミクロンである、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２６ｂ）
上記Ｎ＋ソース領域と上記Ｐ＋エピタキシャル層とは、略同一固定電位にある、項目１５ｂに記載のＭＯＳＦＥＴ。
（項目２７ｂ）
トランジスタを形成する方法であって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層上に第２の導電型の第２のエピタキシャル層を成長させるステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該第２のエピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
（項目２８ｂ）
上記チャネル層は、炭化ケイ素から形成され、該炭化ケイ素のａ面は、ソースからドレインに伝導性パスを提供する、項目２７ｂに記載の方法。
（項目２９ｂ）
上記エッチングするステップの前に上記半導体上にＮ＋型緩衝層を成長させ、次いで上記エピタキシャル層のすべてと、下にある該半導体の一部分とをエッチングするステップをさらに包含する、項目２７ｂに記載の方法。
（項目３０ｂ）
トランジスタを形成するステップであって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層の上部領域を第２の導電型に変換するステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該エピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
【００２８】
（摘要）
トランジスタ構造は、オン状態での順方向に伝導中、ドリフト領域内のＪＦＥＴ効果を最小化するＡＭＯＳＦＥＴを形成するために、炭化ケイ素体のＡ面に沿って電流を最適化する。該ＡＭＯＳＦＥＴは、トレンチゲート型デバイス内のゲート角部領域を保護する高濃度ドープ型井戸領域の追加により、高電圧阻止能力をさらに示す。該ＡＭＯＳＦＥＴは、該トレンチを画定する半導体メサの一部に延在する埋め込みチャネル層に加えて、トレンチ側壁に沿って該Ａ面の伝導を使用する。ドープ型井戸は、該メサの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまでの電流拡散層内に延在する。電流拡散層は、オン状態で接合抵抗を減少させるために、該トレンチの底部の下にある該半導体メサ間に延在する。該トレンチと該深い井戸との間の緩衝層は、該トレンチ角部における電界集中からの保護を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、埋め込みチャネルを有する、従来技術の二重拡散型電界効果トランジスタ（ＤＭＯＳＦＥＴ）である。
【図２】図２は、図１の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴに関する、順方向ＩＶ曲線のグラフ表示である。
【図３】図３は、図１の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴの、順方向電流分布のグラフ表示である。
【図４】図４は、垂直トレンチ壁に沿って伝導性チャネルを有する、従来技術のトレンチゲート型電界効果トランジスタ（ＵＭＯＳＦＥＴ）である。
【図５】図５は、本発明に従った、炭化ケイ素結晶構造のａ面上に形成される、金属酸化物半導体（ＭＯＳＦＥＴ）である。
【図６】図６は、本発明に従った、炭化ケイ素のａ面上に形成される、ＭＯＳＦＥＴに関する順方向電流分布のグラフ図である。
【図７】図７は、本発明に従った、炭化ケイ素のａ面上に形成される、ＭＯＳＦＥＴに関する順方向電流対電圧曲線のグラフ図である。
【図８ａ】図８ａは、１２００Ｖの阻止電圧での、ＤＭＯＳＦＥＴの電界強度分布を示すグラフである。
【図８ｂ】図８ｂは、１２００Ｖの阻止電圧での、ＵＭＯＳＦＥＴの電界強度分布を示すグラフである。
【図８ｃ】図８ｃは、１２００Ｖの阻止電圧での、本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴの電界強度分布を示すグラフである。
【図９ａ】図９ａは、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴの酸化物層内の、電界強度の最大深さを示すグラフである。
【図９ｂ】図９ｂは、従来技術のＵＭＯＳＦＥＴの酸化物層内の、電界強度の最大深さを示すグラフである。
【図９ｃ】図９ｃは、本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴの酸化物層内の、電界強度の最大深さを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（詳細な説明）
本発明のＭＯＳＦＥＴは、チャネル移動度の増加（例えば、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴに対して、１００ｃｍ２／Ｖｓ以下になるが、ＡＭＯＳＦＥＴに対しては、最大２００ｃｍ２／Ｖｓになる）のために、炭化ケイ素結晶エピタキシャル層のＡ面上に、伝導性チャネルを含む。図５は、新しいＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の構造を説明する。ドリフト領域（５５）すなわち電流拡散層は、ソース領域（６０）からドリフト領域（５５）を通じてドレイン（６２）まで流動する電流を有する、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の活性領域を形成するエピタキシャル層を支持する。概して、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）は、半導体結晶構造（５８）のトレンチ（５６）内に、絶縁ゲート（６１）、すなわち制御コンタクトを有するトランジスタである。トレンチ（５６）は、一対の半導体メサ（６５）を画定し、それぞれは、その中にｐｎ接合を形成するｐ＋型層（６８）とｎ＋型層（６９）とを含む。ｐ＋型層（６８）は、埋め込みチャネル（７２）の下、およびトレンチ（５６）とｐ＋ドープ型井戸（７７）との間に配設される、エピタキシャル層である。ｎ＋型層（６９）は、伝導目的のためのソース領域である。ｎ＋層（６９）は、ｐ＋層（６８）の頂部と、埋め込みチャネル（７２）の下に隣接して位置する。ドリフト領域（５５）は、ＡＭＯＳＦＥＴの上述の活性領域を支持する。好ましい実施形態では、ドリフト領域（５５）は、基板上にあるＮ＋エピタキシャル層であり、トレンチの底部と、ゲートコンタクトの反対側にあるＡＭＯＳＦＥＴの表面との間に延在する。ＡＭＯＳＦＥＴは、ドレイン（６２）に近接する底部ＭＯＳＦＥＴ表面から、ソース領域（６９）に近接する上部ＭＯＳＦＥＴ表面に向かって増加する、ドリフト領域（５５）内のドーピング濃度を利用する等、より高度なドーピング技術を含み得る。本実施形態では、ドリフト層の最高濃度ドープ領域は、該Ｐ＋井戸（７７）に隣接する。
【００３１】
ドレインコンタクト（６２）は、デバイスの底部に取り付けられ、ソースからドレインへの、ドリフト領域（５５）をわたった伝導を可能にする。この伝導は、トレンチ（５６）内のゲート（６１）上の電圧により制御される。チャネル領域（７２）が、適切な抵抗とチャネル長さを有する限り、ある特定閾値以上のゲート上の正電圧は、ソースからドレインへの制御された伝導を可能にする。
【００３２】
本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴは、ソースと、ゲートと、ドレインコンタクト（６０、６１、６２）とを含む、機能的なトランジスタ特性を含み、ゲートコンタクト（６１）は、トレンチ（５６）内の絶縁酸化物層（６４）の上に形成される。ソースコンタクト（６０）は、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の第１の表面上に位置し、ｐ＋ドープ型井戸（７７）とｎ＋ソース領域（６９）との上部に延在する。
【００３３】
好ましい実施形態では、緩衝層（７３）は、ｐ＋井戸領域（７７）から、トレンチ（５６）の底部に向かって延在し、酸化物層（６４）とゲートコンタクト（６１）とは、トレンチ（５６）内にある。緩衝層（７３）が、トレンチ角部（８０）に隣接して適切に配設されると、ｐ＋エピタキシャル層（６８）と、ｎ型緩衝層（７３）と、ｐ＋型ドープ型井戸（７７）との間のｐ−ｎ接合は、結合するように十分にドープされ、それにより、オフまたは非伝導状態でトレンチ角部を保護する。これは、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）が、ドレイン（６２）へのリーク電流、またはデバイスの完全な破壊さえもなく、ゲート（６１）上のより高い電圧に耐えることを可能にする。好ましい実施形態では、Ｎ＋型緩衝層（７３）は、埋め込みチャネル層（７２）とほぼ同じ深さまで延在する。
【００３４】
一実施形態では、各層内のドーピングは十分であり、その上に幅広い電圧レベルを有するゲート（６１）により制御される、オン状態での最適な電流を提供する。例えば、図５の実施例では、ｐ＋エピタキシャル層（６８）は、約５ｅ１７ｃｍ−３までドープされ、ｎ＋ソース領域は、約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされる。
【００３５】
本発明のＡＭＯＳＦＥＴ（５０）は、ゲート（６１）電圧に応じて、ソース（６０）からドレイン（６２）までの高い電流処理能力を提供するために特に好適な、チャネル層（７２）を有する。埋め込みチャネル層（７２）が、エピタキシャルｐ−ｎ接合層（６８、６９）を形成する半導体結晶構造のＡ面、
【００３６】
【数４】
面にわたって、導電性パスを提供するように、埋め込みチャネル層（７２）は、半導体メサ（６５）の上面の一部に延在し、底壁を含むトレンチ（５６）の外壁を少なくとも部分的に被覆する。
【００３７】
ドリフトまたは電流拡散層（５５）は、デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させるために、トレンチ（５６）の底部の下にある半導体メサ（６５）間に延在する。好ましい一実施形態では、ドリフト層（５５）は、半導体メサ（６５）とゲートトレンチ（６１）との幅にわたって延在する。ドリフト層（５５）は、ドレインコンタクト（６２）が取り付けられた半導体基板上に設置され得る。少なくとも１つのドープ型井戸（７７）は、メサ（６５）の少なくとも１つ内に、トレンチ（５６）の深さよりも大きいドリフト領域（５５）内の深さまで延在する。
【００３８】
図５のデバイスのドーピングレベルは、図面内の陰影により図示される。本発明のＡＭＯＳＦＥＴが、あらゆる領域に対するあらゆる特定のドーピングレベルに制限されない一方で、ドーピング範囲は、性能、特にソースからドレインへの電流フローに影響を与える。図５のデバイスにより図示される一実施例では、ドープ型井戸（７７）は、約１ｅ１９ｃｍ−３のドーピングレベルを有するｐ＋型井戸である。ｎ＋ソース領域（６９）は、約１ｅ２０ｃｍ−３までドープされ、ｐ＋エピタキシャル層（６８）は、約５ｅ１７ｃｍ−３までドープされる。本実施形態の望ましい特性を達成するために、埋め込みチャネル層（７２）は、約２ｅ１６ｃｍ−３のドーピングレベルを有し、ｎ＋緩衝層は、約１ｅ１６ｃｍ−３にあり、ドリフト層は、約５ｅ１５ｃｍ−３までドープされる。任意選択で、チャネル特性の強化のために、ｎ＋ソース領域（６９）とｐ＋エピタキシャル層とは、略同一固定電位にある。
【００３９】
ＡＭＯＳＦＥＴは、トレンチが半導体のＡ面
【００４０】
【数５】
を曝露するように、半導体メサ間にトレンチを画定する。各メサは、ソースからドレインへの電流フローを制御するための、ｐｎ接合を含む。それに応じて、メサ（６５）は、メサにわたって延在し、トレンチ（５６）に隣接する、第１の導電型（例えば、Ｐ＋）の第１の半導体エピタキシャル層（６８）を有する。ｐｎ接合を達成するために、メサ（６５）は、第１の半導体エピ層（６８）上に、第２の導電型（例えば、Ｎ＋）の第２の半導体エピタキシャル層（６９）を含む。図５の実施形態では、Ｎ＋層（６９）は、ソース領域である。
【００４１】
埋め込みチャネル（７２）は、１つのメサ（６５）頂部から、ソースコンタクト（６０）の少なくとも一部の下の部分から、半導体のＡ面に沿ったトレンチ壁を下って、トレンチ底部にわたって、トレンチの反対側の壁に上がって、第２のメサ（６５）の表面に延在する。つまり、埋め込みチャネル層（７２）は、１つのメサのＮ＋ソース領域から、反対側のメサのＮ＋ソース領域に延在し、それによりトレンチ壁を被覆する。次に、埋め込みチャネル（７２）は、ゲートコンタクト（６１）と埋め込みチャネル（７２）との間に絶縁層（例えば、二酸化ケイ素）（６４）を有する、ゲートコンタクト（６１）に近接して配設される。その趣旨で、埋め込みチャネル（７２）の少なくとも一部は、各メサのソース領域と、ゲートコンタクトの下の絶縁層との間にある。全体的に、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）は、半導体のＡ面に沿って、埋め込みチャネル（７２）内の電気伝導を制御する。
【００４２】
トレンチチャネルの角部（８０）を保護し、その領域内の電流集中効果を軽減するために、ＡＭＯＳＦＥＴは、第１のエピタキシャル層（６８）から、半導体メサへと下方に延在する、第１の導電型（例えば、Ｐ＋）を有する井戸領域（７７）を含む。本発明のＡＭＯＳＦＥＴ（５０）は、ソース領域（６０）と同一の導電型（例えば、Ｎ＋）を有し、トレンチ（５６）壁と井戸（７７）との間の、各メサ（６５）内の底部領域の少なくとも一部に延在する、緩衝層（７３）をさらに利用する。緩衝層（７３）は、さらなる伝導制御のために、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の井戸領域（７７）とのｐｎ接合を形成する。好ましい実施形態では、緩衝層（７３）は、埋め込みチャネル（７２）の外壁から、井戸（７７）の外壁に延在する。
【００４３】
本発明に従った炭化ケイ素結晶構造のＡ面
【００４４】
【数６】
を利用する一利点は、従来技術のゲートトレンチよりも浅いゲートトレンチによって望ましい性能を達成することである。ＵＭＯＳＦＥＴにおける従来技術のトレンチは、２ミクロンを超える。本明細書中の本発明の一実施形態において、ゲートトレンチ（５６）は、約２ミクロン未満の深さであり、好適な実施形態においては、ゲートトレンチ（５６）は、約１ミクロン未満の深さである。さらに好適な実施形態は、約０．８ミクロンの深さのゲートトレンチ（５６）を利用する。
【００４５】
図５のＡＭＯＳＦＥＴの別の特性は、Ｐ＋井戸（７７）の深さである。井戸（７７）は、緩衝層（７３）よりも大きい深さまで、かつトレンチ（５６）または埋め込みチャネル（７２）のいずれかよりもさらに深く延在する。深いＰ＋井戸（７７）は、ゲートと半導体との結合により生成される電界を遮断することにより、トレンチ角部（８０）を保護する。好ましい実施形態では、Ｐ＋井戸（７７）は、図５に示すように、深さが約１．３ミクロンである。
【００４６】
図６に示すように、順方向電流分布は、Ｐ＋井戸（７７）の追加の深さ、および図５に示すような緩衝層（７３）の使用により、ドリフト領域（５５）のより大きい部分にわたって非常に増大される。電流密度分布が、図６のＡＭＯＳＦＥＴの主要部分、特にドリフト領域（５５）内で、３００Ａ／ｃｍ２に達することの意義は大きい。比較すると、図３のＤＭＯＳＦＥＴは、ドリフト領域の著しく小さい領域内で、３００Ａ／ｃｍ２の範囲の電流密度を達成する。図３でテストされたＤＭＯＳＦＥＴのドリフト領域の大部分は、２００〜２２５Ａ／ｃｍ２の範囲の電流密度を達成した。
【００４７】
図７は、図５のＡＭＯＳＦＥＴデバイスに印加される様々なゲート電圧に対する、電流出力を図示する。２．８４ｍｏｈｍｓ・ｃｍ２の特定のオン抵抗は、図２に示すような従来技術のＤＭＯＳＦＥＴに対する、４．６２のオン抵抗に比べて著しい改善である。本発明に従ったＡＭＯＳＦＥＴ内の炭化ケイ素Ａ面の使用は、チャネル内の抵抗の著しい減少をもたらす。
【００４８】
本明細書に記載されるＡＭＯＳＦＥＴは、高いチャネル移動度、短いチャネル長さ、半導体内のＪＦＥＴ抵抗の減少、および高いチャネル密度により、より低いオン抵抗を有する。高いチャネル移動度は、Ａ面
【００４９】
【数７】
に沿って、埋め込みチャネル（７２）を通じて、より高い相互コンダクタンスを示す。チャネル集中の軽減は、Ａ面に沿ったより高い電流処理能力を達成するのに役立つ。これらの質は、約１ミクロン未満までの浅いトレンチエッチングを含む製造プロセスにおいて、達成される。本発明の他の実施形態は、従来技術のデバイスのトレンチ深さよりも著しく小さい、約１ミクロンから２ミクロンのトレンチ深さを利用する。これらの改善をＭＯＳＦＥＴ設計に組み込むことにより、ＡＭＯＳＦＥＴは、順方向の伝導に対して、約３ボルト未満、および好ましくは約２ボルトの閾値電圧Ｖｔを達成する。
【００５０】
図８および図９は、炭化ケイ素のＡ面上に伝導性チャネルを有する、本発明に従い形成されるトランジスタの、有利な電気的応答を示す。図は、従来の従来技術のＤＭＯＳＦＥＴ（図８ａ、図９ａ）とＵＭＯＳＦＥＴ（図８ｂ、図９ｂ）トランジスタとを、本明細書に開示されるＡＭＯＳＦＥＴ（図８ｃ、図９ｃ）と比較する。
【００５１】
図８は、それぞれの上の１２００Ｖの阻止電圧の印加後の、３つのデバイス（ＤＭＯＳ、ＵＭＯＳ、ＡＭＯＳ）に関する電界強度分布の略図である。図８ａでは、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴは、酸化物絶縁層（１５）に沿った高い電界強度を示し、それにより、デバイスがその領域内で破壊する前に、耐えることができる逆バイアスを最小化する。図８ｂの従来技術のＵＭＯＳＦＥＴは、トレンチのゲートコンタクトと半導体壁との交差点で、同様の電界集中を示す。図８ｂにおけるトレンチ角部での電界集中は、デバイスが、完全な電圧阻止特性を達成することを回避する。その一方、本発明に従って形成され、図８ｃに示すＡＭＯＳＦＥＴは、トレンチ角部を、トレンチ内のより高い電界から保護する緩衝層（７３）と深い井戸（７７）とを含む。図８ｃに示すように、本発明のＡＭＯＳＦＥＴのトレンチ角部は、約１．２６ｅ６ボルト／ｃｍ未満の電界強度に曝露され、同一の阻止電圧で約５ｅ６Ｖ／ｃｍの電界強度に曝露される、図８ｂのＵＭＯＳＦＥＴのトレンチに比べて改善されている。これらの結果に基づき、本発明のＡＭＯＳＦＥＴは、深いｐ＋井戸（７７）とｎ型緩衝層（７３）とを含む改善された設計により、より高い逆阻止電圧に耐えることが可能である。
【００５２】
図９は、図８からの各デバイスの酸化物層内の電界強度を図示する（それぞれＤＭＯＳ、ＵＭＯＳ、およびＡＭＯＳ）。図９ｂに示す従来のＵＭＯＳＦＥＴでは、トレンチ角部での電界は、ＡＭＯＳＦＥＴの酸化物層（図９ｃ）内の最大電界強度よりも５０パーセント大きい。ＡＭＯＳＦＥＴ（図９ｃ）はまた、図９ｂのＵＭＯＳＦＥＴの急激な減少とは対照的に、炭化ケイ素全体により均一に電界を拡散する。ＵＭＯＳＦＥＴに関する電界応答は、適切な動作を妨害する、トレンチ角部での電界集中の予想されたパターンを示す。本明細書に開示されるＡＭＯＳＦＥＴは、その上のより高い阻止電圧を可能にするために、デバイス本体全体に均一に、適切に電界強度を拡散する。
【００５３】
本明細書に開示されるＡＭＯＳＦＥＴを形成する方法は、従来技術のＤＭＯＳＦＥＴに効果的に使用されてきた技術を強化する。しかしながら、従来の方法は、ＡＭＯＳＦＥＴが、炭化ケイ素エピ層のＡ面に伝導性チャネルを含むという事実を説明するために、変更される。上述のように、本発明に従ったＭＯＳＦＥＴは、既知の手段により形成される炭化ケイ素基板を任意選択で含む。４Ｈ−ＳｉＣのドリフト領域（５５）層は、基板上でエピタキシャルに成長し、次に、本発明の強化された実施形態で、典型的にｎ型にドープされる炭化ケイ素の緩衝層（７３）が、ドリフト領域（５５）上に形成される。方法は、第１の導電型、好ましくはＰ＋の、少なくとも１つのドープ型井戸領域（７７）を形成するステップを含む。井戸領域（７７）は、あらゆる一般的な技術により形成され得るが、好ましくは、ドーパントを、デバイスの頂部から１ミクロンよりも大きい深さまで、半導体に注入することにより形成される。デバイス本体内にｐｎ接合を形成するために、方法は、第１のエピタキシャル層（６８）が、ドープ型井戸領域（７７）の少なくとも一部を被覆するように、ドリフト領域（５５）上に、第１の導電型の第１のエピタキシャル層（６８）を成長させるステップを含む。第２の導電型の第２のエピタキシャル層（６９）は、第１のエピタキシャル層（６８）上に形成される。この段階でのＡＭＯＳＦＥＴ（５０）の本体は、頂部から底部への電気伝導を制御するために、好ましくは炭化ケイ素の半導体層を含む。
【００５４】
本発明の方法の次のステップは、半導体層内にトレンチを形成し、それにより一対の半導体メサ（６５）を形成するために、エピタキシャル層、特に緩衝層（７３）、ならびに第１および第２のエピタキシャル層（６８、６９）をエッチングするステップである。トレンチ（５６）は、好ましくは、ドープ型井戸領域（７７）の深さよりも小さい深さまで延在する。埋め込みチャネル層（７２）は、第２のエピタキシャル層（６９）の少なくとも一部にわたって形成される。埋め込みチャネル層（７２）は、トレンチ（５６）へとトレンチ底部にわたって延在し、反対側のトレンチ壁と、第１の反対側にある第２のメサの少なくとも一部を被覆するように続く。その後、トレンチ壁は、ゲートコンタクト（６１）がトレンチ内に形成される、二酸化ケイ素等のゲート絶縁（６４）層により被覆される。これらの種類のトランジスタに共通のソースとドレインコンタクトとが、本明細書のＡＭＯＳＦＥＴ（５０）を完成する。
【００５５】
上述のドーピング方法は、ＡＭＯＳＦＥＴ（５０）が、オン状態で高い電流出力を達成するように、他の変形型において修正され得ることに留意することが重要である。例えば、半導体のＡ面に沿ったチャネル領域を有するトランジスタを形成する方法は、半導体（５５）内に第１の導電型のドープ型井戸領域（７７）を注入するステップと、次に、井戸層（７７）の少なくとも一部分の上に、第１の導電型のエピタキシャル層（６８）を成長させるステップとを含む。本発明の本実施形態では、第１のエピタキシャル層（６８）の上部は、当該分野で既知の注入技術により、反対の導電型に変換され得る。第２の導電型のこの上部は、次に、トランジスタ（５０）内にｐｎ接合を形成するために、第２のエピタキシャル層（６９）となる。エピタキシャル層のエッチングは、伝導を制御するゲートコンタクト（６１）を形成するために、望ましいトレンチを形成する。
【００５６】
本明細書に記載される方法は、半導体層のＡ面上の高伝導性チャネルから利益を得る、他のトランジスタを形成するためにも使用され得る。したがって、本発明は、ＭＯＳＦＥＴに限定されず、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと金属酸化物半導体制御型サイリスタとにも、同様に適用できる。これらのデバイスのすべてを形成するために使用される半導体材料は、好ましくは炭化ケイ素であるが、本発明は、そのようなものに限定されない。
【００５７】
当業者は、本発明が、多くの異なる種類のトランジスタのデバイス構造において、具現化され得ることを認識するであろう。したがって、本発明は、本明細書に図示される特定の構造に限定されない。例えば、トランジスタは、構成に応じてｐ型またはｎ型チャネルを含み得る。本明細書に記載されるあらゆる層またはトランジスタ領域も、本文書に使用される説明が、一例に過ぎないため、反対のドーピングタイプを有し得る。
【００５８】
図面および明細書において、本発明の好ましい実施形態が説明されており、特定の用語が用いられてきたが、それらは、一般的かつ説明的意味でのみ使用され、制限目的のために使用されず、本発明の範囲は、特許請求の範囲において規定される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、
該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、
該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、
該半導体メサと該トレンチの下方との間に延在して、該トランジスタ内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、
該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸と
を備える、トランジスタ。
【請求項２】
前記トランジスタは、ＡＭＯＳＦＥＴである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記トランジスタは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記トランジスタは、金属酸化物半導体制御型サイリスタである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ドープ型井戸は、約１×１０１９ｃｍ−３までドープされるＰ＋型井戸である、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記メサ内の前記ｐ−ｎ接合のうちの１つは、
前記埋め込みチャネル層の下および前記トレンチと前記Ｐ＋井戸との間に配設されるＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該トレンチと該Ｐ＋井戸との間の該Ｐ＋エピタキシャル層の上にあるＮ＋型ソース領域と
を備える、請求項５に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記Ｐ＋エピタキシャル層は、約５×１０１７ｃｍ−３までドープされ、前記Ｎ＋ソース領域は、約１×１０２０ｃｍ−３までドープされる、請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記ドープ型井戸から前記トレンチまで延在するエピタキシャル緩衝層をさらに備える、請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記Ｐ＋型エピタキシャル層と前記緩衝層と前記Ｐ＋型井戸との間の前記ｐ−ｎ接合は、結合するように十分にドープされ、それによってオフ状態で前記トレンチの角部を保護する、請求項８に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
第１および第２の半導体メサ間の、ゲートコンタクトを組み込むためのトレンチの壁を画定するＡＭＯＳＦＥＴであって、該トレンチは、半導体のＡ面を曝露させ、該ＡＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接する第１の導電型の第１の半導体エピタキシャル層と、
該第１の半導体エピタキシャル層上にある第２の導電型の第２の半導体エピタキシャル層と、
該ＡＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該第２の半導体エピタキシャル層の上部に延在し、トレンチ壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該第１のエピタキシャル層から該半導体へと下方に、該トレンチよりも大きい深さまで延在する該第１の導電型の井戸領域と
を備える、ＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１１】
前記第１の導電型は、Ｐ＋であり、前記第２の導電型は、Ｎ＋である、請求項１０に記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１２】
前記半導体は、炭化ケイ素を含む、請求項１０に記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１３】
前記埋め込みチャネル層は、前記第１のメサのＮ＋ソース領域から前記第２のメサ内のＮ＋ソース領域まで延在し、それによって前記トレンチ壁を被覆する、請求項１０に記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１４】
前記井戸領域と前記トレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、請求項１３に記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１５】
半導体内のゲートトレンチの壁を画定する第１および第２の半導体メサ内で電気伝導を制御するためのＭＯＳＦＥＴであって、該ＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接するＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層上にあるＮ＋型ソース領域と、
該ＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該Ｎ＋型ソース領域の上部に延在し、該トレンチ壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層から該半導体へと下方に、該ゲートトレンチよりも大きい深さまで延在するＰ＋型井戸と
を備え、
該ＭＯＳＦＥＴは、該半導体のＡ面に沿って該埋め込みチャネル層内で電気伝導を制御する、
ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１６】
前記半導体は、炭化ケイ素を含む、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１７】
前記埋め込みチャネル層は、前記第１のメサ内のＮ＋ソース領域から前記第２のメサ内のＮ＋ソース領域まで延在し、それにより前記トレンチ壁を被覆する、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１８】
前記Ｐ＋型井戸と前記ゲートトレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１９】
前記Ｎ＋型緩衝層は、前記埋め込みチャネル層の深さと略等しい深さまで延在する、請求項１８に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２０】
前記ゲートトレンチと隣接する前記Ｐ＋型井戸との下に、Ｎ＋型ドリフト層をさらに備え、該ドリフト層は、前記第１の表面の反対側にある前記ＭＯＳＦＥＴの表面に向かって延在する、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２１】
前記Ｎ＋型ドリフト層は、該ドリフト層の最高濃度ドープ領域が前記Ｐ＋井戸に隣接するように、前記反対側のＭＯＳＦＥＴ表面から前記第１のＭＯＳＦＥＴ表面に向かって増加するドーピング濃度を備える、請求項２０に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２２】
前記Ｐ＋井戸の反対側にある前記ドリフト層に隣接する半導体基板を備える、請求項２０に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２３】
前記ゲートトレンチは、深さが約２ミクロン未満である、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２４】
前記ゲートトレンチは、深さが約１ミクロン未満である、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２５】
前記ゲートトレンチは、深さが約０．８ミクロンであり、前記Ｐ＋井戸は、深さが約１．３ミクロンである、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２６】
前記Ｎ＋ソース領域と前記Ｐ＋エピタキシャル層とは、略同一固定電位にある、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２７】
トランジスタを形成する方法であって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層上に第２の導電型の第２のエピタキシャル層を成長させるステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該第２のエピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
【請求項２８】
前記チャネル層は、炭化ケイ素から形成され、該炭化ケイ素のＡ面は、ソースからドレインに伝導性パスを提供する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記エッチングするステップの前に前記半導体上にＮ＋型緩衝層を成長させ、次いで前記エピタキシャル層のすべてと、下にある該半導体の一部分とをエッチングするステップをさらに包含する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
トランジスタを形成するステップであって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層の上部領域を第２の導電型に変換するステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該エピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
【請求項１】
半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、
該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、
該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、
該半導体メサと該トレンチの下方との間に延在して、該トランジスタ内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、
該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸と
を備える、トランジスタ。
【請求項２】
前記トランジスタは、ＡＭＯＳＦＥＴである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記トランジスタは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記トランジスタは、金属酸化物半導体制御型サイリスタである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記ドープ型井戸は、約１×１０１９ｃｍ−３までドープされるＰ＋型井戸である、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記メサ内の前記ｐ−ｎ接合のうちの１つは、
前記埋め込みチャネル層の下および前記トレンチと前記Ｐ＋井戸との間に配設されるＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該トレンチと該Ｐ＋井戸との間の該Ｐ＋エピタキシャル層の上にあるＮ＋型ソース領域と
を備える、請求項５に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記Ｐ＋エピタキシャル層は、約５×１０１７ｃｍ−３までドープされ、前記Ｎ＋ソース領域は、約１×１０２０ｃｍ−３までドープされる、請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記ドープ型井戸から前記トレンチまで延在するエピタキシャル緩衝層をさらに備える、請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記Ｐ＋型エピタキシャル層と前記緩衝層と前記Ｐ＋型井戸との間の前記ｐ−ｎ接合は、結合するように十分にドープされ、それによってオフ状態で前記トレンチの角部を保護する、請求項８に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
第１および第２の半導体メサ間の、ゲートコンタクトを組み込むためのトレンチの壁を画定するＡＭＯＳＦＥＴであって、該トレンチは、半導体のＡ面を曝露させ、該ＡＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接する第１の導電型の第１の半導体エピタキシャル層と、
該第１の半導体エピタキシャル層上にある第２の導電型の第２の半導体エピタキシャル層と、
該ＡＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該第２の半導体エピタキシャル層の上部に延在し、トレンチ壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該第１のエピタキシャル層から該半導体へと下方に、該トレンチよりも大きい深さまで延在する該第１の導電型の井戸領域と
を備える、ＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１１】
前記第１の導電型は、Ｐ＋であり、前記第２の導電型は、Ｎ＋である、請求項１０に記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１２】
前記半導体は、炭化ケイ素を含む、請求項１０に記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１３】
前記埋め込みチャネル層は、前記第１のメサのＮ＋ソース領域から前記第２のメサ内のＮ＋ソース領域まで延在し、それによって前記トレンチ壁を被覆する、請求項１０に記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１４】
前記井戸領域と前記トレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、請求項１３に記載のＡＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１５】
半導体内のゲートトレンチの壁を画定する第１および第２の半導体メサ内で電気伝導を制御するためのＭＯＳＦＥＴであって、該ＭＯＳＦＥＴは、
該トレンチに隣接するＰ＋型半導体エピタキシャル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層上にあるＮ＋型ソース領域と、
該ＭＯＳＦＥＴの第１の表面に隣接する埋め込みチャネル層であって、該Ｎ＋型ソース領域の上部に延在し、該トレンチ壁に沿って続く、埋め込みチャネル層と、
該Ｐ＋エピタキシャル層から該半導体へと下方に、該ゲートトレンチよりも大きい深さまで延在するＰ＋型井戸と
を備え、
該ＭＯＳＦＥＴは、該半導体のＡ面に沿って該埋め込みチャネル層内で電気伝導を制御する、
ＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１６】
前記半導体は、炭化ケイ素を含む、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１７】
前記埋め込みチャネル層は、前記第１のメサ内のＮ＋ソース領域から前記第２のメサ内のＮ＋ソース領域まで延在し、それにより前記トレンチ壁を被覆する、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１８】
前記Ｐ＋型井戸と前記ゲートトレンチとの間にＮ＋型緩衝層をさらに備える、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１９】
前記Ｎ＋型緩衝層は、前記埋め込みチャネル層の深さと略等しい深さまで延在する、請求項１８に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２０】
前記ゲートトレンチと隣接する前記Ｐ＋型井戸との下に、Ｎ＋型ドリフト層をさらに備え、該ドリフト層は、前記第１の表面の反対側にある前記ＭＯＳＦＥＴの表面に向かって延在する、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２１】
前記Ｎ＋型ドリフト層は、該ドリフト層の最高濃度ドープ領域が前記Ｐ＋井戸に隣接するように、前記反対側のＭＯＳＦＥＴ表面から前記第１のＭＯＳＦＥＴ表面に向かって増加するドーピング濃度を備える、請求項２０に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２２】
前記Ｐ＋井戸の反対側にある前記ドリフト層に隣接する半導体基板を備える、請求項２０に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２３】
前記ゲートトレンチは、深さが約２ミクロン未満である、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２４】
前記ゲートトレンチは、深さが約１ミクロン未満である、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２５】
前記ゲートトレンチは、深さが約０．８ミクロンであり、前記Ｐ＋井戸は、深さが約１．３ミクロンである、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２６】
前記Ｎ＋ソース領域と前記Ｐ＋エピタキシャル層とは、略同一固定電位にある、請求項１５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２７】
トランジスタを形成する方法であって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層上に第２の導電型の第２のエピタキシャル層を成長させるステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該第２のエピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
【請求項２８】
前記チャネル層は、炭化ケイ素から形成され、該炭化ケイ素のＡ面は、ソースからドレインに伝導性パスを提供する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記エッチングするステップの前に前記半導体上にＮ＋型緩衝層を成長させ、次いで前記エピタキシャル層のすべてと、下にある該半導体の一部分とをエッチングするステップをさらに包含する、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
トランジスタを形成するステップであって、
半導体内に第１の導電型のドープ型井戸領域を注入するステップと、
該半導体上に該第１の導電型の第１のエピタキシャル層を成長させることにより、該第１のエピタキシャル層は、該ドープ型井戸領域の少なくとも一部分を被覆するステップと、
該第１のエピタキシャル層の上部領域を第２の導電型に変換するステップと、
該半導体内に一対のメサを形成するために、該エピタキシャル層と該半導体とをエッチングするステップであって、該メサは、その間にトレンチを画定し、該トレンチは、該ドープ型井戸領域の深さよりも小さい該半導体への深さを有する、ステップと、
該エピタキシャル層の一部分にわたって埋め込みチャネル層を成長させ、該メサ間の該トレンチ内に該埋め込みチャネル層を延在させるステップと
を包含する、方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図８ｃ】
【図９ａ】
【図９ｂ】
【図９ｃ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８ａ】
【図８ｂ】
【図８ｃ】
【図９ａ】
【図９ｂ】
【図９ｃ】
【公開番号】特開２００９−１４１３６３（Ｐ２００９−１４１３６３Ａ）
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００８−３１０３２７（Ｐ２００８−３１０３２７）
【出願日】平成２０年１２月４日（２００８．１２．４）
【出願人】（５０６０７８３７８）クリー， インコーポレイティッド (26)
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３１０３２７（Ｐ２００８−３１０３２７）
【出願日】平成２０年１２月４日（２００８．１２．４）
【出願人】（５０６０７８３７８）クリー， インコーポレイティッド (26)
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