Notice: Undefined variable: fterm_desc_sub in /mnt/www/biblio_conv.php on line 353
EUV用またはEB用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
説明

EUV用またはEB用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

【課題】EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するEUV用又はEB用レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)又は(a0−2)で表される基を含む構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有し、前記基材成分(A)に加えて、光反応型クエンチャー(C)を含有することを特徴とするEUV用又はEB用レジスト組成物。式中の基−R−S(R)(R)は、全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。Mm+は、芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。


Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/disp_n7.php on line 301

【特許請求の範囲】
【請求項1】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するEUV用又はEB用レジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、下記一般式(a0−1)又は(a0−2)で表される基を含む構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有し、
前記基材成分(A)に加えて、光反応型クエンチャー(C)を含有することを特徴とするEUV用又はEB用レジスト組成物。
【化1】

[式中、Q及びQはそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。R、R及びRはそれぞれ独立に有機基であり、RとRとは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−R−S(R)(R)は、全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。Vは対アニオンである。Aはアニオンを含む有機基である。Mm+はm価の有機カチオンであり、mは1〜3の整数である。ただし、Mm+は、芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。]
【請求項2】
前記構成単位(a0)が、下記一般式(a0−21)で表される構成単位である、請求項1記載のEUV用又はEB用レジスト組成物。
【化2】

[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Q2aは単結合又は2価の連結基である。Q2bは単結合又は2価の連結基である。Aはアニオンを含む有機基である。Mm+はm価の有機カチオンであり、mは1〜3の整数である。ただし、Mm+は、芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。]
【請求項3】
前記Mm+が、芳香環を有さない有機カチオンである、請求項1又は2記載のEUV用又はEB用レジスト組成物。
【請求項4】
前記光反応型クエンチャー(C)が、下記一般式(c1)で表される化合物(C1)、下記一般式(c2)で表される化合物(C2)及び下記一般式(c3)で表される化合物(C3)からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のEUV用又はEB用レジスト組成物。
【化3】

[式中、R1cは置換基を有していてもよい炭化水素基である。Z2cは置換基を有していてもよい炭素数1〜30の炭化水素基(ただし、Sに隣接する炭素原子にはフッ素原子は置換されていないものとする)である。R3cは有機基である。Yは直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基であり、Rf3はフッ素原子を含む炭化水素基である。Mはそれぞれ独立に、スルホニウム又はヨードニウムカチオンである。]
【請求項5】
前記高分子化合物(A1)が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のEUV用又はEB用レジスト組成物。
【請求項6】
前記高分子化合物(A1)が、さらに、−SO−含有環式基またはラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)を有する、請求項5記載のEUV用又はEB用レジスト組成物。
【請求項7】
支持体上に、請求項1〜6のいずれか一項に記載のEUV用又はEB用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUV又はEBにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開2013−101222(P2013−101222A)
【公開日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−244722(P2011−244722)
【出願日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【出願人】(000220239)東京応化工業株式会社 (1,407)
【Fターム(参考)】