ＥＵＶ用またはＥＢ用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ３−Ｓ＋（Ｒ４）（Ｒ５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ３−Ｓ＋（Ｒ４）（Ｒ５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、
前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【化１】
［式中、Ｑ１及びＱ２はそれぞれ独立に単結合又は２価の連結基である。Ｒ３、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に有機基であり、Ｒ４とＲ５とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−Ｒ３−Ｓ＋（Ｒ４）（Ｒ５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ−は対アニオンである。Ａ−はアニオンを含む有機基である。Ｍｍ＋はｍ価の有機カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。ただし、Ｍｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。］
【請求項２】
前記構成単位（ａ０）が、下記一般式（ａ０−２１）で表される構成単位である、請求項１記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【化２】
［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。Ｑ２ａは単結合又は２価の連結基である。Ｑ２ｂは単結合又は２価の連結基である。Ａ−はアニオンを含む有機基である。Ｍｍ＋はｍ価の有機カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。ただし、Ｍｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。］
【請求項３】
前記Ｍｍ＋が、芳香環を有さない有機カチオンである、請求項１又は２記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項４】
前記光反応型クエンチャー（Ｃ）が、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）、下記一般式（ｃ２）で表される化合物（Ｃ２）及び下記一般式（ｃ３）で表される化合物（Ｃ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【化３】
［式中、Ｒ１ｃは置換基を有していてもよい炭化水素基である。Ｚ２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基（ただし、Ｓに隣接する炭素原子にはフッ素原子は置換されていないものとする）である。Ｒ３ｃは有機基である。Ｙ３は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基であり、Ｒｆ３はフッ素原子を含む炭化水素基である。Ｍ＋はそれぞれ独立に、スルホニウム又はヨードニウムカチオンである。］
【請求項５】
前記高分子化合物（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項６】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、−ＳＯ２−含有環式基またはラクトン含有環式基を含む構成単位（ａ２）を有する、請求項５記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項７】
支持体上に、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶ又はＥＢにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項１】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、
前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【化１】
［式中、Ｑ１及びＱ２はそれぞれ独立に単結合又は２価の連結基である。Ｒ３、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に有機基であり、Ｒ４とＲ５とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−Ｒ３−Ｓ＋（Ｒ４）（Ｒ５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ−は対アニオンである。Ａ−はアニオンを含む有機基である。Ｍｍ＋はｍ価の有機カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。ただし、Ｍｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。］
【請求項２】
前記構成単位（ａ０）が、下記一般式（ａ０−２１）で表される構成単位である、請求項１記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【化２】
［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。Ｑ２ａは単結合又は２価の連結基である。Ｑ２ｂは単結合又は２価の連結基である。Ａ−はアニオンを含む有機基である。Ｍｍ＋はｍ価の有機カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。ただし、Ｍｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。］
【請求項３】
前記Ｍｍ＋が、芳香環を有さない有機カチオンである、請求項１又は２記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項４】
前記光反応型クエンチャー（Ｃ）が、下記一般式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）、下記一般式（ｃ２）で表される化合物（Ｃ２）及び下記一般式（ｃ３）で表される化合物（Ｃ３）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【化３】
［式中、Ｒ１ｃは置換基を有していてもよい炭化水素基である。Ｚ２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基（ただし、Ｓに隣接する炭素原子にはフッ素原子は置換されていないものとする）である。Ｒ３ｃは有機基である。Ｙ３は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキレン基又はアリーレン基であり、Ｒｆ３はフッ素原子を含む炭化水素基である。Ｍ＋はそれぞれ独立に、スルホニウム又はヨードニウムカチオンである。］
【請求項５】
前記高分子化合物（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項６】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、−ＳＯ２−含有環式基またはラクトン含有環式基を含む構成単位（ａ２）を有する、請求項５記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項７】
支持体上に、請求項１〜６のいずれか一項に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶ又はＥＢにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【公開番号】特開２０１３−１０１２２２（Ｐ２０１３−１０１２２２Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４４７２２（Ｐ２０１１−２４４７２２）
【出願日】平成２３年１１月８日（２０１１．１１．８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月８日（２０１１．１１．８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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