【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（ａ５−０−１）又は式（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）と式（ａ６−１）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含有し、構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該構成単位（ａ５）を有する重合体に対して１００ｐｐｍ以下のレジスト組成物。式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３は単結合又は連結基；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは環を形成してもよい。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ⁻は対アニオン、Ａ⁻はアニオンを含む基；Ｍ^ｍ＋は芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない有機カチオン；ｍは１〜３の整数；Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基；Ｐ^３は芳香族炭化水素基である。
［化１］

【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）は、下記の一般式（ａ５−０−１）又は一般式（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）と、下記一般式（ａ６−１）で表される構成単位（ａ６）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該構成単位（ａ５）を有する重合体に対して１００ｐｐｍ（質量基準）以下であることを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｑ^１、Ｑ^２及びＱ^３はそれぞれ独立に単結合又は２価の連結基である。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ⁻は対アニオンである。Ａ⁻はアニオンを含む有機基である。Ｍ^ｍ＋はｍ価の有機カチオンであり、ｍは１〜３の整数である。ただし、Ｍ^ｍ＋は芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。Ｐ^３は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。］
【請求項２】
前記樹脂成分（Ａ１）が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する、請求項１記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項３】
前記Ｍ^ｍ＋が、芳香環を有さない有機カチオンである、請求項１又は２記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶ又はＥＢにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【公開番号】特開２０１３−１０４９８５（Ｐ２０１３−１０４９８５Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４８０９０（Ｐ２０１１−２４８０９０）
【出願日】平成２３年１１月１１日（２０１１．１１．１１）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】