説明

LEDパッケージ

【課題】パッケージ基材に清浄に光を反射する銀メッキを施すもので、その銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト合金メッキ処理を施すことにより、経時的に又熱を受けてもLEDの光の反射面が高輝度を維持するLEDパッケージを提供する。
【解決手段】LEDチップが底面に接合されて納められ透明封入材が充填されるキャビティを有し、キャビティの少なくとも底面が銀メッキによる反射面であるLEDパッケージにおいて、該銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキが保護膜として施されている。
【効果】パッケージ基材に清浄に光を反射する銀メッキを施すもので、変色しやすいという銀メッキの欠点を解決し、その銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキを施すことにより、経時的に変色が防止され、LEDに係る高温でも高輝度且つ高効率な反射面を安定して維持することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、LED(発光ダイオード)のチップが装填されるキャビティの反射面を改善したLEDパッケージに関する。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオードは、電流を流すことによって発光する半導体発光素子であって、GaAsやGaN等の半導体からなるPN接合ダイオードで、これに順方向の電圧(P型にプラス、N型にマイナス)を加えると、P型半導体の内部にプラスの荷電をもつホール(正孔)が、N型半導体の内部にはマイナスの電荷をもった電子がそれぞれ発生し、この二つが結合するときに光が発生する。この光の色はPN接合ダイオードを作る材料などにより、いろいろなものが出せるようになっている。
【0003】
最近脚光を浴びている白色LEDは、様々な表示や照明に用いられているが、この発光原理には二つあり、その一つは光の三原色である赤、緑、青を合成して白色とするもので、もう一つは青色LEDを蛍光物質で覆い、これらが発する黄色と元々の青色とが合成されて白色を発光するものである。どちらも、青色LEDが必要であるが、これは発明に成功したメーカーの日亜化学工業株式会社が大きなシェアを占めている。
【0004】
LEDの外観については、砲弾型、チップ型、多セグメント型などがある。これを形作るパッケージは、その部材をアノード(陽極)とカソード(陰極)に分け、少なくともその一方が底面となるように逆台形のキャビティ形成され、その底面にLED素子(チップ)が接着され、アノードとカソードとにワイヤーで接続され、そしてキャビティに透明樹脂が充填して封止される。したがって、LED素子から発する光はキャビティの内面に反射し、透明封入材から外部に放出される。
【0005】
キャビティの底面を反射面(リフレクター)とするために、アノードとカソードの基材を金または銀メッキされる。そのうち金は様々な化合物に対して不活性で変色を起こさない点で優れているが、青色光を吸収するため、銀メッキに比較し輝度が低下するというデメリットがある。一方、銀メッキ部分を湿気や化学物質による腐食から保護するため、銀メッキ上にアクリル系樹脂をプライマーとして塗布することにより、銀メッキが変色して光の取り出し効果が低下するのを防止する提案がなされる(特許文献1、特許文献2)。
【0006】
また、従来の一般的に銀メッキに変色防止処理を施す場合、メッキ工程については、パッケージの基材は、アノードとカソードとに分けて成形され、その両方について、脱脂および酸活性処理の後、下地メッキ(Cu・Ni合金など)をなし、その上に銀メッキを施してから、変色防止処理を施す。これには有機系変色防止剤(2‐ヘプタデルイミダゾール、2‐メルカプトベンゾチアゾール、チオナリドなど)を使用し、浸漬または塗布により銀メッキに表面処理が施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】2009−206124号公報
【特許文献2】2009−290180号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、上記のような従来の変色防止処理によれば、作業性がよくないばかりか、パッケージ基材の表面の銀メッキの変色を安定して防止することができなかった。特に、有機系の変色防止剤を使用したときには、それが熱に弱いため、LEDから発する熱を受けることにより機能を喪失し、銀の大気中の硫化物と反応する性質から、銀メッキが次第に変色するという事態は避けられなかった。また、反射効率の低下はLEDの熱がこもる原因となるため悪循環を招くという問題もあった。
【0009】
この発明は、上記のような実情に鑑みて、パッケージ基材に清浄に光を反射する銀メッキを施すもので、その銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト合金メッキ処理を施すことにより、経時的に又熱を受けてもLEDの光の反射面が高輝度を維持するLEDパッケージを提供することを課題とした。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記の課題を解決するために、この発明は、LEDチップが底面に接合されて納められ透明封入材が充填されるキャビティを有し、キャビティの少なくとも底面が銀メッキによる反射面であるLEDパッケージにおいて、該銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキが保護膜として施されていることを特徴とするLEDパッケージを提供する。
【0011】
LEDパッケージを上記のように構成したから、銀メッキはインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキにより変色しないように保護されるが、インジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキは高温に耐えるために、この機能が確実に発揮される。
【0012】
インジウム(In)は、原子番号49の元素で、第3族元素の一つである。インジウムの色調は銀白色の柔らかい金属で、常温、空気中で安定する金属である。現在、インジウムは透明導電皮膜、光デバイスや半導体などの用途向けに要求が高まっている。また、インジウム・コバルト合金皮膜は耐熱性が強く、熱に対して銀などの皮膜との熱拡散しにくいため、これからの工業向け電子部品に採用することにも最適である。
【0013】
インジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキの皮膜の特徴については、それが0.0001μmであっても次のような特徴を有する。
(1) 柔らかい銀白色の均一でピンホールのない皮膜が得られる。
(2) 下地メッキ金属の色調及び光沢度に影響しない。
(3) 皮膜の結晶は均一の微細粒子である。
(4) インジウム・コバルト合金メッキ皮膜の場合には、インジウム50〜98%及びコバルト50〜2%の合金比率が最適である。
(5) 皮膜の厚さがたとえ、わずか0.0001μmでも耐酸アルカリ性、耐硫化ガスなどに優れている。
【0014】
今まで銀の表面に無機又は有機化合物を使用する銀変色防止剤が開発、使用されてきたが、LEDの環境下では効果が得られなかった。本発明は、上記のインジウムメッキ又はインジウム・コバルト合金メッキの特徴に着目し、特に安定した高度反射率を要求するLEDパッケージのキャビティの反射面において、銀メッキ皮膜上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキをたとえ0.0001μmの僅少な厚みでメッキされていても銀の変色を確実に防止することができるという知見を得て所期の目的を達成し得たものである。
【発明の効果】
【0015】
以上説明したように、この発明のLEDパッケージによれば、パッケージ基材に清浄に光を反射する銀メッキを施すもので、変色しやすいという銀メッキの欠点を解決し、その銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキを施すことにより、経時的に変色が防止され、LEDに係る高温でも高輝度且つ高効率な反射面を安定して維持することができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】この発明のLEDパッケージをLEDの概略の制作要領で示す一の手順の断面説明図である。
【図2】次の手順の説明図である。
【図3】次の手順の説明図である。
【図4】次の手順の説明図である。
【図5】次の手順の説明図である。
【図6】LEDが完成した説明図である。
【図7】他の実施例を示す図6に対応する断面説明図である。
【図8】他の実施例を示す図6に対応する断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
本発明は、LEDパッケージを構成するアノード基材1aとカソード基材1bとの両方又は一方に銀メッキ5を施すとともにその上に変色防止を主目的とするインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキ7を施すものである。インジウムメッキには、シアン化合物浴、スルファミン酸塩浴、ホウフッ化物浴などがある。インジウム・コバルト合金の場合には、スルファミン酸などの無機酸化合物又はクエン酸などの有機酸化合物より構成をしたメッキ浴である。
【0018】
(1) シアン化合物浴は、密着のよい光沢あるメッキが得られる。しかし、不溶性陽極を使用する必要があり、また、浴の管理が他の浴に比べて若干難しい。
【0019】
〔シアン化合物浴組成及びメッキ条件〕
インジウム濃度 35g/1
シアン化カリウム 100g/1
水酸化カリウム 60g/1
添加剤 適量
pH 13以上
浴温度 20〜30°C以上
陰極電流密度 1〜2A/dm
攪拌 カソードロッカー
【0020】
(2) スルファミン酸塩浴は、インジウムを陽極とすることができ、色調の良いメッキが安定に得られる。
〔スルファミン酸塩浴組成及びメッキ条件〕
スルファミン酸インジウム 100g/1
スルファミン酸ナトリウム 150g/1
スルファミン酸 25g/1
添加剤 適量
pH 1.5〜2.5
浴温度 20〜30°C
陰極電流密度 1〜2A/dm
攪拌 空気
【0021】
(3) ホウフッ化物浴は、インジウムを陽極に使用でき、浴組織も変動が少なく緻密なメッキができる。
また、高濃度、高電流密度でメッキすることもできる。
〔ホウフッ化物浴組成及び条件〕
ホウフッ化インジウム 230g/1
ホウ酸 20g/1
ホウフッ化アンモニウム 40g/1
添加剤 適量
pH(ホウフッ酸で) 1〜2
浴温度 20〜30°C
陰極電流密度 1〜2A/dm
攪拌 空気
【0022】
インジウムメッキ液の特徴としては、浴温度は20〜30°Cであるから経済的であり、メッキ液の安定性に優れている。また、補充法で長時間使用でき、メッキ液の管理項目はpHおよびインジウムメタル濃度だけであるから作業中に液を管理しやすい。
【0023】
(4)スルファミン酸化合物のインジウム・コバルト合金メッキ浴は、浴温及びpHが低く、合金皮膜の結晶が緻密なので、耐硫化ガスなど良好である。
〔スルファミン酸化合物浴組成及びメッキ条件〕
スルファミン酸インジウム 100g/L
硫酸コバルト 20g/L
スルファミン酸カリウム 200g/L
リン酸二水素一カリウム 30g/L
添加剤 適量
pH 1.5〜3.0
浴温度 20〜30℃
陰極電流密度 0.5〜3.0A/dm
メッキ時間 5〜〜40秒
【0024】
(5)有機酸化合物のインジウム・コバルト合金メッキ浴の特徴は、弱酸性、メッキの付き回りが良く、合金皮膜の比率が安定し、合金皮膜の結晶がもっとも緻密のため銀メッキ皮膜の耐硫化ガスなどが良好である。
〔有機酸化合物のインジウム・コバルト合金浴組成及びメッキ条件〕
インジウムメタル濃度 30g/L
コバルトメタル濃度 5g/L
酒石酸 120g/L
酒石酸カリウムナトリウム 50g/L
ポリエチレングリコール#1000 1〜2g/L
pH 3.6〜5.4
浴温度 30〜65℃
攪拌 機械・中攪拌
陰極電流密度 0.2〜5A/dm
メッキ時間 3〜60秒
【0025】
インジウム・コバルト合金メッキ皮膜の特徴としては、インジウム50〜98%及びコバルト50〜2%の合金比率で、合金皮膜の結晶がもっとも緻密のため、銀メッキ皮膜の耐硫化ガス、耐酸アルカリなどが良好である。そのためこれからの電子部品などの分野で広く使用される可能性が高い。
【実施例1】
【0026】
図1ないし図6は、表面実装型LED(チップ型)の製造手順でパッケージを示したもので、メッキ厚は微小であるが、これらの図では分かりやすく説明の都合から断面においてメッキ厚を過度な厚みで示した。
【0027】
パッケージの基材は、アノード基材1aとカソード基材1bとからなり、板材をプレス3で加工することにより両方が得られる(図1)。その両方に脱脂、酸活性(アルカリ脱脂後に表面を清浄にする)処理を施した外面に、銅合金の下地メッキの後、銀メッキ5とインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキ7とが順次施される(図2)。インジウムメッキは、前記(1)(又は(2)、(3))、及びインジウム・コバルト合金メッキの場合は、前記(4)又は(5)のメッキ浴及び条件で行う。
【0028】
次に、一種のインサート成形により、アノード基材1aとカソード基材1bとを樹脂成形部9により一体に結合するとともに、樹脂成形部9の中央部にキャビティ11を設ける(図3)。キャビティ11は、底面が両基材1a,1bの露出面であって、上面に銀メッキ5がインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキ7に透かして清浄な反射面となっている。なお、その底面ではアノード基材1aとカソード基材1bとの間に樹脂が充填され間隔が保持されている。また、キャビティ11の内側面は外側への反射光が得られるように傾斜してある。
【0029】
カソード基材1bの上面にはLEDチップ13が銀ペーストを介して固定される(図4)。そして、LEDチップ13はアノード基材1aと、カソード基材1bとにそれぞれ金線のワイヤー15a,15bを介して接続(ボンディング)される(図5)。この状態でキャビティ11にアクリル樹脂の透明封入材17が充填される。
【実施例2】
【0030】
図7は、上記実施例と類例の表面実装型LEDを示したものである(なお、図1〜図6とは違ってメッキ厚は断面では示さない。図8についても同じ)。
【0031】
この場合は、銅合金のメッキを下地として、銀メッキ5とインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキ7とが施されたアノード基材1aとカソード基材1bとが互いに口合する断面コ字形であって、上部において、カソード基材1b側が長くアノード基材1a側が短く形成されている。こうすれば、LEDチップ13を出来るだけ中央部に位置してカソード基材1bに接着できる。
【実施例3】
【0032】
図8は、砲弾型LEDを示したもので、アノード基材1aとカソード基材1bとのうち、カソード基材1bの上端部に膨出部14を設け、そこに凹部を設けることによりキャビティ11が形成されているので、このカソード基材1b(全体)にだけ銅合金メッキを下地として銀メッキ5とインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキ7とが施される。
【0033】
この場合も、LEDチップ13は、アノード基材1aとカソード基材1bとにワイヤー15a,15bを介して接続され、キャビティ11には透明封入材17が充填されるが、レンズ19をインサート成形することによりアノード基材1aとカソード基材1bとがインサートとして一体化される。
【0034】
LED用銀メッキについては次の品質が要求されるが、これらはインジウムメッキ7により有効に保持される結果となった。
(1) 光沢度(0.4〜0.8)
(2) 反射率維持
(3) 耐熱後(300°C)の耐硫化特性(経時変色について)
(4) ワイヤーボンデング性
これら特性について、次の試験を行ってこられの要求が確保されることを確認できた。
(イ)変色試験として二酸化硫黄ガス試験(SO225±5ppm 室温±1°C 湿度80±5%)
(ロ)硫化水素ガス試験(H2S10±2ppm 室温40±1°C 湿度80±5%)
なお、比較例としていえば、従来は、一般的に有機系の変色防止を施していたわけであるが、この皮膜は200°C程度で破壊された。インジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキ7は300°Cで耐えるので本発明が一段と優れていることが分かる。
【符号の説明】
【0035】
1a アノード基材
1b カソード基材
5 銀メッキ
7 インジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキ
9 樹脂成形部
14 膨出部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
LEDチップが底面に接合されて納められ透明封入材が充填されるキャビティを有し、キャビティの少なくとも底面が銀メッキによる反射面であるLEDパッケージにおいて、該銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキが保護膜として施されていることを特徴とするLEDパッケージ。
【請求項2】
アノード基材とカソード基材とを間隔を隔てて樹脂成形部の成形により一体化するとともに、樹脂成形部の中央部に凹部を設けることにより両基材が底面に露出するキャビティが形成され、両基材に銀メッキとインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキを施すことにより、キャビティの底面が銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキを保護膜として施されている反射面となっていることを特徴とする請求項1記載のLEDパッケージ。
【請求項3】
レンズの樹脂成形により一体化されるアノード基材とカソード基材とが間隔を隔てて設けられ、カソード基材は、上端部にアノード基材に向かって突出する膨出部を設けるとともに、膨出部に凹部を設けることによりキャビティが形成され、カソード基材に銀メッキとインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキとを施すことにより、キャビティの内面の全面が、銀メッキの上にインジウムメッキ又はインジウム・コバルト(In−Co)合金メッキを保護膜として施されている反射面となっていることを特徴とする請求項1記載のLEDパッケージ。
【請求項4】
銀メッキ皮膜の保護膜として、インジウム単体メッキの場合には、インジウム100%であることを特徴とする請求項1,2又は3記載のLEDパッケージ。
【請求項5】
銀メッキ皮膜の保護膜として、インジウム・コバルト合金メッキ皮膜の場合には、インジウム50〜98%とコバルト50〜2%との合金比率であることを特徴とする請求項1,2又は3記載のLEDパッケージ。



【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【公開番号】特開2011−222881(P2011−222881A)
【公開日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−92881(P2010−92881)
【出願日】平成22年4月14日(2010.4.14)
【出願人】(510104735)
【出願人】(504453328)株式会社高松メッキ (16)
【Fターム(参考)】