ＭＥＭＳデバイス、及び介在物、並びにＭＥＭＳデバイス、及び介在物を統合するための方法
【課題】ＭＥＭＳデバイスとの熱膨張の整合がよくとれた基板を有する構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の参照］
本願は、2002年01月02日に出願の米国特許出願第10／038,890号の一部継続出願である、2003年08月15日に出願の米国特許出願第10／642,315号の一部継続出願である。また、米国特許出願第10／642,315号は、2002年08月15日に出願の米国特許仮出願第60／403,796号の優先権を主張する。米国特許出願第10／038,890号は、2001年01月02日に出願の米国特許仮出願第60／259,282号の優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス、及びＭＥＭＳデバイスを統合するための方法に関し、更に詳細には、介在物に直接ボンディングされたＭＥＭＳデバイスを有するアセンブリ、及び前記アセンブリを統合するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般に、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス、例えば、ジャイロスコープ、又は加速度計で使用されるＭＥＭＳデバイス、は熱的ストレス、及び機械的ストレスに敏感である。従来技術では、ＭＥＭＳデバイスは、セラミック・チップ・キャリア・パッケージの床、又は基板に直接取り付けられる。一般に、ＭＥＭＳデバイスはシリコンから製造される。一般に、パッケージが製造される材料は、熱膨張の各係数の観点からＭＥＭＳデバイスの材料と余り整合しない。更に、一般に、ＭＥＭＳデバイスは、ロウ付けによってパッケージにボンディングされる。ロウ付け材料は、類似の熱的ストレスをＭＥＭＳデバイスに与える。
【０００４】
１つのタイプの従来技術のデバイスは、ＭＥＭＳデバイスをパッケージから隔離するための介在物を使用する。介在物は、ＭＥＭＳデバイスが取り付けられるデバイスである。次に、介在物は、ＭＥＭＳパッケージに取り付けられる。介在物の機能は、パッケージによって作用する機械的ストレス、及び熱的ストレスからＭＥＭＳデバイスを隔離することである。図１は、パッケージ、介在物、及びＭＥＭＳデバイスの構造を示す。ＭＥＭＳデバイス、及び介在物は、２つの別々のエンティティとして製造される。次に、ＭＥＭＳデバイスは、金、及び／又はスズ合金を使用して介在物にロウ付けされる。従来技術の構造の１つの短所は、ロウ付け材料が熱的ストレスをＭＥＭＳデバイスに与えることである。更に、ロウ付け材料は、時間が経てばクリープ変形する。これは、ＭＥＭＳデバイスの長期性能安定性、及び信頼性へマイナスに影響する。
【０００５】
更に、従来技術のデバイスでは、一般に、ＭＥＭＳデバイスは、基板、及び基板に取り付けられたシリコンデバイスを含む。基板は、ロウ付けによって介在物にボンディングされる。基板は、ガラス、又は他の材料から製造される。基板がシリコンデバイスと同じ材料から製造されない状況では、基板も熱的ストレスをシリコンデバイスに与える。これは、システム全体の性能を低下させる。
【０００６】
図２は、ＭＥＭＳデバイスを製造する従来の方法を示し、介在物、及びＭＥＭＳデバイスが２つの別々のエンティティとして製造される。プロセスは図の上端から始まり、図の下端まで継続する。介在物を作る従来のプロセスは、両面研磨されたシリコン・ウェハ１０で始まる。酸化被膜１２は、シリコン・ウェハ１０の両側で成長する。ウェハ１０の１側面では、酸化被膜が選択的にエッジングされ、オーム接点１４、及びロウ付け材料１６が、エッチングされた領域に蒸着される。一般に、ＭＥＭＳデバイス２２は、基板２６に取り付けられたシリコンデバイス２４を含む。一般に、シリコンデバイス２４は、陽極ボンディングによって基板２６に取り付けられる。次に、基板２６は、ロウ付けによって介在物１０に取り付けられる。ロウ付けで使用される従来の材料は、金、及びスズである。基板２６と介在物１０の間のロウ付け材料は時間が経てばクリープ変形し、それはＭＥＭＳデバイスの性能へマイナスに影響する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
必要なのはＭＥＭＳデバイス、及び介在物を有する構造であって、介在物はＭＥＭＳデバイスによく整合した熱膨張を有する。この構造を製造する方法の必要性が、更に存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス、及びアセンブリの介在物、又はパッケージからＭＥＭＳデバイスに作用する熱的ストレス、及び機械的ストレスを減少させる介在物を含むアセンブリ、並びにＭＥＭＳデバイス、及び介在物アセンブリを製造するための方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の側面によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ、及び（iii）デバイスレイヤを有する。最初、デバイスレイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。デバイスレイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成されたデバイスレイヤを有する基板にボンディングされる。ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤは、エッチングによって除去される。更に、デバイスレイヤが、ＭＥＭＳデバイスを定めるためにエッチングされる。ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ2レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。
【００１０】
本発明の他の側面によると、本発明の方法は、介在物を製造すること、及びＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングすることを含む。介在物を製造するプロセスは、ＳＯＩウェハを取得することから始まる。薄い酸化被膜が、ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤの底面に形成される。酸化被膜は、接点、又は相互接続ラインのためのホール、又はラインを定めるためにエッチングされる。次に、オーム接点、及び／又は相互接続ラインが、ＳＯＩウェハのデバイスレイヤ、及びハンドル・レイヤに、金属蒸着によって形成される。次のステップでは、ＳＯＩウェハのデバイスレイヤがパターン形成され、導電領域を定める。好ましい１実施例では、少なくとも１つの深い溝がデバイスレイヤ、及び酸化被膜を通して形成され、デバイスレイヤを少なくとも２つの作用領域に分ける。更に、ＳＯＩウェハのデバイスレイヤがパターン形成、及び金属を被覆されて、オーム接点を接続するための相互接続ラインを形成する。
【００１１】
また、ＭＥＭＳデバイスを形成して、ＭＥＭＳデバイスを介在物ウェハにボンディングするプロセスも、本発明の好ましい１実施例によるＳＯＩウェハを取得することから始まる。ＳＯＩウェハのデバイスレイヤは厚さを有し、ウェハが形成しようとするＭＥＭＳデバイスによって要求されるようにドープされる。エッチングはデバイスレイヤで実行され、ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定める。メサ・エッチングが実行され、構造ポストを定めることが好ましい。代わりの実施例では、構造ポストは、介在物ウェハのデバイスレイヤにメサ・エッチングによって定められる。次のステップでは、ポストの最上面を介在物ウェハのデバイスシリコン・レイヤの最上面にボンディングすること、シリコン直接ボンディングが好ましい、によって、ウェハが介在物ウェハに取り付けられる。２つのウェハがボンディングされた後、ＭＥＭＳデバイスウェハのハンドル・レイヤがアセンブリの最上面レイヤになる。次に、ＭＥＭＳデバイスウェハの最上面ハンドル・レイヤが、液体エッチングによってエッチング除去されることが好ましく、液体エッチングは酸化被膜の上面で停止し、従って、下部デバイスシリコン・レイヤがエッチング液によって傷むことを防止する。デバイスウェハの酸化被膜は、ウェットエッチング、又はドライエッチングによって除去される。下部シリコンが攻撃されないように、酸化被膜を除去するために使用されるエッチング液は、シリコン全体のＳｉＯ2の高い選択度を有することが好ましい。代わりの実施例では、ＭＥＭＳデバイスを定めるために、デバイスウェハのデバイスレイヤが誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によって更にパターン形成される必要があることが好ましい。ＭＥＭＳデバイスは、ジャイロスコープ、又は加速デバイスを形成するために使用できる。これらの実施例では、デバイスウェハのデバイスレイヤがエッチングされ、慣性質量を定める。底面介在物ウェハは誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によって更にエッチングされ、介在物の構造を定めることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、上記プロセスによって製造された構造も提供する。構造は、ＳＯＩウェハ、及び介在物に取り付けられたＭＥＭＳデバイスを含む介在物を含む。ＭＥＭＳデバイスは、シリコン・プレートから伸長するポストを含む。ＭＥＭＳデバイスのポストを介在物のデバイスレイヤにボンディングすることによって、ＭＥＭＳデバイスは介在物に直接取り付けられる。
【００１３】
本発明は、素子を構造中でエッチングするための方法を更に提供し、構造は（ｉ）基板、（ii）基板に配置された少なくとも１つのデバイス、及び（ｉｉｉ）基板に取り付けられ、デバイスの上方で伸長する素子を含む。好ましい１実施例によると、本発明の方法は、デバイスの上方の、少なくとも１つの選択された領域がレジストによって覆われるように、レジストを素子に蒸着してパターン形成すること、並びにレジストによって覆われる素子の少なくとも１つの選択された領域が、エッチングされることからレジストによって保護され、従って、レジストに覆われる領域の下のデバイスがエッチングされることから保護されるように、素子をエッチングすることを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来技術のＭＥＭＳデバイスアセンブリ構造を示す側面図である。
【図２】ＭＥＭＳデバイスアセンブリを製造する従来技術のプロセスを示す側面図である。
【図３】本発明の好ましい１実施例により、介在物ウェハを製造するプロセスを示す側面図である。
【図４】本発明の好ましい１実施例により、ＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物ウェハにボンディングするプロセスを示す側面図である。
【図５】本発明の好ましい１実施例により、構造を製造するプロセスを示す側面図である。
【図６】本発明の好ましい他の実施例により、ＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物ウェハにボンディングするプロセスを示す側面図である。
【図７】本発明の好ましい他の実施例により、介在物ウェハと一緒にＭＥＭＳデバイスを製造するプロセスを示す側面図である。
【図８】本発明の１側面により、ＭＥＭＳデバイスのアレイを形成するために使用されるウェハ・スケール・アセンブリの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、ＭＥＭＳデバイスのための形態を提供し、ＭＥＭＳデバイスのための形態は、中間基板、及びロウ付け材料なしに介在物ウェハへボンディングされたシリコンＭＥＭＳデバイスを有する。
【００１６】
本発明の好ましい１実施例によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩは、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）材料を使用して、ＭＥＭＳ、及び関連するデバイスを製造するための加工方法である。本発明の方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを提供することを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい、ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び（ｉｉｉ）誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを有する。最初、デバイスレイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。デバイスレイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成されたデバイスレイヤを有する基板にボンディングされる。次に、ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤが、エッチングによって除去される。更に、デバイスレイヤが、ＭＥＭＳデバイスを定めるためにエッチングされる。ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ2レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。ＢＥＳＯＩプロセスの長所の１つは、ハンドル・レイヤがウェットエッチング、又はドライエッチングによって除去されるときに、ＳｉＯ2レイヤがエッチング停止層として機能し、従って、下部デバイスレイヤがエッチング液によって傷むことを防止することである。
【００１７】
図３、及び図４は、本発明によりＭＥＭＳデバイス、及び介在物を製造するプロセスを示す。これらの図は、各加工ステップにおけるウェハの側面図を示す。図示される側面図は、ウェハの全体構造を示さない。例えば、ウェハのデバイスレイヤ上のオーム接点の数は、２に限定されない。ウェハに配置された更に多くの接点、又は更に他のデバイスが存在してもよく、それは図３、及び図４には示されない。
【００１８】
図３は、本発明の１側面により、介在物を形成するために使用されるウェハを加工するプロセスを示す。図３に示されるように、プロセスは図の上端（Ａ）から始まり、図の下端（Ｅ）まで継続する。プロセスは、介在物をＳＯＩウェハ４０で構成することから始まる。（Ａ）に示されるように、ＳＯＩウェハは、デバイスシリコン・レイヤ４２、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ４４、及びハンドル・シリコン・レイヤ４６を含む。充分に導電性であるように、デバイスレイヤ４２は大量にドープされることが好ましい。代替の実施例では、ハンドル・レイヤ４６は大量にドープされる。ドーパント型、及び濃度は、ユーザの要求に基づいてカスタマイズ出来る。その種のＳＯＩウェハは、市場で購入可能である。
【００１９】
（Ｂ）に示されるように、厚さ約１μｍであることが好ましい薄い酸化被膜４８は、ハンドル・レイヤ４６の底面で成長する。薄い酸化被膜４８はエッチングされて薄い酸化被膜４８を通るホールを定め、オーム接点５２がホール領域に蒸着される。（Ｃ）に示されるように、更に多くのオーム接点５０が、デバイスレイヤ４２の上面に蒸着される。オーム接点５０，５２は金属によって形成されることが好ましく、代表的な金属はＡｌ，Ｔｉ，Ｐｔ，及びＡｕを含む。物理蒸着法（ＰＶＤ）、及び化学蒸着法（ＣＶＤ）のような従来の金属被覆プロセスが、金属を蒸着して接点を形成するために使用できる。接点５０，５２は、スパッタ蒸着によって形成されることが好ましい。（Ｄ）に示されるように、次のステップでは、ヒータ５４、及びセンサ５６が、薄い酸化被膜４８の底面に形成される。ヒータ５４はＴｉ，及びＰｔのスパッタ蒸着によって形成されることが好ましく、センサ５６はＴｉ，Ｐｔ，及びＡｕのスパッタ蒸着によって形成されることが好ましい。接点５０，５２、ヒータ５４、及びセンサ５６は、上記リストのような１又は複数の金属レイヤ、又は大量にドープされた多結晶シリコンのような他の導電材料によって形成できる。次のステップでは、（Ｅ）に示されるように、ウェハ４０のデバイスレイヤ４２がパターン形成され、導電領域を定める。（Ｅ）の実施例では、深い溝６０がデバイスレイヤ４２、及び酸化被膜４４を通して形成され、デバイスレイヤ４２を２つの作用領域に分け、２つの作用領域は互いに導電性ではない。好ましい１実施例では、溝６０の形成においては、表面技術システム（ＳＴＳ）ツールで実行されることが好ましい高度に異方性のエッチング、例えば、 Bosch エッチング、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）、又は誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングが、デバイスシリコン・レイヤ４２から酸化被膜４４をエッチングするために使用される。次に、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）、又は他の適したエッチング・プロセスが、酸化被膜４４を通してエッチングするために使用される。ＲＩＥでは、シリコン全体のＳｉＯ2の高い選択度が、適切な化学エッチングを選択することによって得られる。更に、ウェハ４０のデバイスレイヤ４２がパターン形成、及び金属を被覆されて、オーム接点を接続するための相互接続ラインを形成する。
【００２０】
図４は、ＭＥＭＳデバイスを形成するプロセス、次にＭＥＭＳデバイスを介在物ウェハ４０にボンディングするプロセスを示し、介在物ウェハ４０は図３のプロセスで形成された。デバイス形成プロセス、及び介在物にボンディングするプロセスは、図４の上端（Ａ）から始まり、図４の下端（Ｇ）まで継続する。プロセスは、ＳＯＩウェハ８０を取得して提供することから始まり、ＳＯＩウェハ８０はＭＥＭＳデバイスを形成するために使用される。ＳＯＩウェハ８０は、デバイスシリコン・レイヤ８２、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ８４、及びハンドル・シリコン・レイヤ８６を含む。デバイスレイヤ８２は、ウェハ８０が形成するＭＥＭＳデバイスによって要求されるようにドープされる。（Ｂ）に示されるように、エッチングはデバイスレイヤ８２で実行され、ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定める。図４に示される実施例では、メサ・エッチングが実行されて、構造ポスト８８を定める。１又は複数のポスト８８が、デバイスレイヤ８２上に定められることが好ましい。次のステップでは、（Ｃ）に示されるように、ポスト８８の最上面をウェハ４０のデバイスシリコン・レイヤ４２の最上面にボンディングすることによって、ウェハ８０がウェハ４０に取り付けられる。ボンディング技術が、以下で更に詳細に呈示される。（Ｃ）では、２つのウェハ８０、及びウェハ４０がボンディングされた後、ウェハ８０のハンドル・レイヤ８６がデバイスの最上面レイヤになる。図４の（Ｃ）から（Ｄ）では、最上面ハンドル・レイヤ８６が液体エッチングによってエッチング除去されることが好ましく、液体エッチングは酸化被膜８４の上面で停止し、従って、下部デバイスシリコン・レイヤ８２がエッチング液によって傷むことを防止する。（Ｄ）から（Ｅ）では、酸化被膜８４はウェットエッチング、若しくはドライエッチング、又はウェットエッチング、及びドライエッチングの組み合わせによって除去される。下部シリコンが攻撃されないように、酸化被膜８４を除去するために使用されるエッチング液は、シリコン全体のＳｉＯ2の高い選択度を有することが好ましい。ステップ（Ｅ）からステップ（Ｆ）では、ＭＥＭＳデバイスを定めるために、ウェハ８０のデバイスレイヤ８２が更にパターン形成される。好ましい形態では、表面技術システム（ＳＴＳ）ツールで実行される誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングが使用され、ＭＥＭＳデバイスをデバイスレイヤ８２に定める。実施例を介して、ＭＥＭＳデバイスは、ジャイロスコープ、又は加速デバイスを形成するためにも使用できる。また、他のＭＥＭＳデバイスも形成される。（Ｆ）に示されるように、ジャイロスコープ、及び加速度計の実施例では、デバイスレイヤ８２がエッチングされて、慣性質量を定める。ステップ（Ｇ）では、底面ウェハ４０が、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によって更にエッチングされ、介在物の構造を定め、及び／又は個々のデバイスをウェハから分離することが好ましい。
【００２１】
上記のプロセスによって加工されたデバイスは、ＭＥＭＳデバイス８０、及びシリコン直接ボンディングによってボンディングされた介在物４０を有し、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングするための従来技術のデバイスで要求されるような、ＭＥＭＳデバイス８０の最上面レイヤ８２と介在物４０の最上面レイヤ４２の間の、ロウ付け材料、又は基板レイヤを有さない。本発明のプロセスによって加工されたデバイスは、高い安定性、及び信頼性をデバイスの寿命にわたって有する。更に、本発明のプロセスは、中間基板を使用することなくＭＥＭＳデバイスが介在物に直接ボンディングされることをもたらし、従って、ＭＥＭＳデバイスの熱容量を減少させ、組み合わされた介在物ＭＥＭＳ構造の熱安定性を増加させる。組み合わされた介在物ＭＥＭＳ構造を作り出すための処理ステップの数は、アイテムを別々に製造し、それらをボンディングするために必要なステップの数より小さい。
【００２２】
ＭＥＭＳデバイス８０が、シリコン直接ボンディングによって介在物４０へボンディングされることが好ましい。シリコン融解ボンディングとも呼ばれる直接ボンディングは、当該技術分野で既知のウェハ−ウェハ・ボンディング技術である。プロセスは３つの基本的なステップを含む。即ち、表面処理、コンタクティング、及びアニーリングである。ボンディングされる表面は、平坦で平滑でなければならない。ボンディングされる各ウェハは、平坦度適用領域での厚さの最大値と最小値の差（ＴＴＶ）が３μｍより小さくなければならず、１μｍより小さいことが好ましい。ウェハ表面は洗浄され、クリーンルームで処理されて２つの水和した表面を形成する。表面処理の後、２つの洗浄された表面をプレスすることによって、汚染されていない環境で２つのウェハが接触する。次のステップは、接触したウェハの高温アニーリングであり、８００℃と１２００℃の間の高温が好ましい。或いは、接触したウェハは低温でアニーリングできるが、長い時間周期が好ましい。２つのウェハの間の界面におけるボンディング強さは、種々の技術、例えば、張力／剪断試験、によって測定できる。２つのウェハをボンディングするために使用できるボンディング方法は、直接ボンディングに限定されない。直接ボンディングの代替方法は、陽極ボンディング、中間レイヤ・ボンディング、及び類似の方法を含むが、限定されない。広範囲の中間レイヤ、及びボンディング技術は、中間レイヤ・ボンディング、例えば、Ａｕ薄膜を使用する共晶ボンディング、半田ボンディング、ポリマ・ボンディング、低融解温度ガラス・ボンディング、及び熱圧着ボンディング、で使用できる。
【００２３】
図４の（Ｅ）から（Ｆ）で示されるように、ＭＥＭＳデバイス（例えば、ジャイロスコープ、加速度計、又は他のデバイスの慣性質量）を定めるために上面デバイスシリコン・レイヤ８２が定められるステップでは、保護がなければ、介在物４０、特に、介在物４０の最上面の接点５０は、エッチング・プロセスの間に傷められる。従って、他の好ましい実施例では、図５に示されるように、レジスト９０のレイヤは、デバイスレイヤ８２の最上面の、接点５０の上方の領域、又は介在物４０の他のデバイスに蒸着される。レジスト９０は、ＭＥＭＳデバイスを定めるプロセスの間にデバイスレイヤ８２の最上面に蒸着されるのと同じレジストであり得る。換言すれば、酸化被膜８４が除去された後、レジスト９０のレイヤはデバイスレイヤ８２の表面に蒸着され、以下のフォトリソグラフィ・プロセスでは、デバイスレイヤ８２をエッチングするためにレジスト９０がパターン形成され、ＭＥＭＳデバイスを定め、下部接点５０、及び介在物４０の上面の他のデバイスを保護する。図５は、レジスト９０がフォトリソグラフィ・プロセスによってパターン形成された後の、ウェハ８０の側面図を示す。図から分かるように、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングが好ましい以下のエッチング・プロセスでは、介在物４０の接点５０は、プラズマによってエッチングされることから保護される。
【００２４】
図６は、ＭＥＭＳデバイスを製造するために使用できる他の１つのプロセスを示す。また、全体のプロセスも、図３に示されるものと同じ介在物を提供すること、ＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングすることを含む。ＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングするプロセスは、図の上端のステップ（Ａ）から始まり、図の下端のステップ（Ｇ）まで継続する。ステップ（Ａ）では、標準的なＳＯＩウェハ８０が提供され、ＳＯＩウェハ８０は、デバイスシリコン・レイヤ８２、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ８４、及びハンドル・シリコン・レイヤ８６を含む。デバイスレイヤ８２は、形成されるＭＥＭＳデバイス（即ち、慣性質量）の厚さ、及び導電性を有する。ステップ（Ｂ）では、メサ・エッチングがデバイスレイヤ８２で実行され、ＭＥＭＳデバイスの構造を少なくとも部分的に定める。実施例では、構造ポスト８８がデバイスレイヤ８２で定められる。次のステップでは、（Ｃ）に示されるように、ＳＴＳツールでは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングがデバイスシリコン・レイヤ８２で実行され、ＭＥＭＳデバイスを更に定めることが好ましい。エッチングはデバイスレイヤ８２を通して実行され、下にある酸化被膜８４で停止する。次のステップでは、（Ｄ）に示されるように、ウェハ８０が介在物ウェハ４０にボンディングされる。図３に示されるように、介在物ウェハ４０は、以前の製造プロセスで準備されてきた。上記のように、ポスト８８はウェハ４０のデバイスレイヤ４２の最上面へ直接ボンディングによってボンディングされることが好ましい。（Ｄ）から（Ｅ）では、ハンドル・レイヤ８６が液体エッチングによってエッチング除去されることが好ましく、液体エッチングは酸化被膜８４の上面で停止し、従って、下部デバイスシリコン・レイヤ８２がエッチング液によって傷むことを防止する。（Ｅ）から（Ｆ）では、酸化被膜８４はウェットエッチング、若しくはドライエッチング、又はウェットエッチング、及びドライエッチングの組み合わせによって除去される。下部シリコンが攻撃されないように、酸化被膜８４を除去するために使用されるエッチング液は、シリコン全体のＳｉＯ2の高い選択度を有することが好ましい。ステップ（Ｇ）では、底面介在物ウェハ４０が、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によって更にエッチングされ、介在物の構造を定め、及び／又は個々のデバイスをウェハから分離することが好ましい。次に、デバイスは、パッケージに取り付けられるように準備される。
【００２５】
また、このデバイスは、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングするための従来技術のデバイスで要求されるような、最上面レイヤＭＥＭＳデバイスと介在物の間のロウ付け材料、又は中間基板レイヤも有さず、従って、デバイスの性能が向上する。
【００２６】
図４〜図６に示される実施例では、ＭＥＭＳデバイスを形成するために使用されるウェハに、構造ポスト８８が定められる。或いは、構造ポスト８８は、介在物ウェハ４０に定めることが出来る。この代替プロセスは、図７の（Ａ）に示されるように、介在物を形成するために使用されるＳＯＩウェハ４０を使用して始まる。（Ｂ）に示されるように、メサ・エッチングが介在物ウェハ４０のデバイスレイヤ４２で実行され、構造ポスト８８を定める。次に、図３に示されるプロセスと同様に、薄い酸化被膜が介在物ウェハ４０の底面に形成され、１又は複数のオーム接点、センサ、及び１又は複数のヒータが介在物ウェハ４０に形成され、溝が介在物ウェハ４０のデバイスレイヤ４２、及び酸化被膜４４を通して定められる。（Ｄ）に示されるように、ＭＥＭＳデバイスを形成するために使用される他の１つのＳＯＩウェハ８０が、介在物ウェハ４０にボンディングされ、ウェハ８０のデバイスレイヤ８２がポスト８８に面する。（Ｄ）から（Ｅ）では、２つのウェハがボンディングされた後、ＭＥＭＳデバイスウェハ８０のハンドル・レイヤ８６がエッチングによって除去される。（Ｅ）から（Ｆ）では、ＭＥＭＳデバイスウェハ８０の酸化被膜８４がエッチングによって除去される。（Ｆ）から（Ｇ）では、ＭＥＭＳデバイスウェハ８０のデバイスレイヤ８２が更にエッチングされて、ＭＥＭＳデバイスを定める。ステップ（Ｈ）では、底面ウェハ４０が更にエッチングされ、介在物の構造を定め、及び／又は個々のデバイスをウェハ４０から分離する。
【００２７】
本発明は、ＭＥＭＳデバイス、及び単一デバイスレベルでＭＥＭＳデバイスを製造する方法を記載してきた。一般に、その種のデバイスは、半導体材料の１つのウェハで多数が加工される。次に、ウェハ・スケール・アセンブリが、個々のデバイスに分割される。当業者は、ウェハ・スケール加工が本明細書に記載されたものと同じプロセスを使用することを評価すべきである。
【００２８】
図８は、ウェハ・スケール・アセンブリ１００（図は、アセンブリの一部を示す）を示し、ウェハ・スケール・アセンブリ１００は、ボンディングされた２つのウェハ、介在物を形成するために使用されるＳＯＩウェハ４０、及びＭＥＭＳデバイスを形成するために使用されるＳＯＩウェハ８０を含む。ウェハ・スケール・アセンブリは、ＭＥＭＳデバイスのアレイを形成するために使用される、構造１０２のアレイを含む。ウェハ・スケールのＭＥＭＳデバイスのエッチング・プロセスは、本明細書に記載されたものと同じプロセスである。ウェハ・スケール・アセンブリ１００がエッチングされた後、ＭＥＭＳデバイスのアレイが介在物ウェハ４０に定められる。次に、結果として生じる構造が、個々のＭＥＭＳデバイスに分割される。
【００２９】
当業者は、上記プロセスは加工プロセスを簡単に記載するのみであり、詳細なステップは記載されておらず、例えば、任意のエッチング・ステップでは、フォトレジスト、及びフォトリソグラフィの蒸着のステップは記載されていないことを理解すべきである。当業者は、これらのステップが加工プロセスで要求されることを理解すべきであり、本発明に記載される実施例から全体の加工プロセスを評価すべきである。本明細書は、好ましいプロセスのステップを順番に記載するが、当業者は、これらのステップを記載される順番で実行する必要はないことを理解すべきであり、例えば、図４、及び図６のステップ（Ｇ）は、更に早い段階で実行できる。
【００３０】
以上、本発明の好ましい実施例について図示し記載したが、特許請求の範囲によって定められる本発明の範囲から逸脱することなしに種々の変形および変更がなし得ることは、当業者には明らかであろう。
【符号の説明】
【００３１】
１０ 介在物
１２ 酸化被膜
１４ オーム接点
１６ ロウ付け材料
２２ ＭＥＭＳデバイス
２４ シリコンデバイス
２６ 基板
４０，８０ ＳＯＩウェハ
４２，８２ デバイスレイヤ
４４，８４ 誘電体レイヤ
４８ 酸化被膜
５０，５２ 接点
５４ ヒータ
６０ 溝
８６ ハンドル・シリコン・レイヤ
８８ 構造ポスト
１００ ウェハ・スケール・アセンブリ
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の参照］
本願は、2002年01月02日に出願の米国特許出願第10／038,890号の一部継続出願である、2003年08月15日に出願の米国特許出願第10／642,315号の一部継続出願である。また、米国特許出願第10／642,315号は、2002年08月15日に出願の米国特許仮出願第60／403,796号の優先権を主張する。米国特許出願第10／038,890号は、2001年01月02日に出願の米国特許仮出願第60／259,282号の優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス、及びＭＥＭＳデバイスを統合するための方法に関し、更に詳細には、介在物に直接ボンディングされたＭＥＭＳデバイスを有するアセンブリ、及び前記アセンブリを統合するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般に、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス、例えば、ジャイロスコープ、又は加速度計で使用されるＭＥＭＳデバイス、は熱的ストレス、及び機械的ストレスに敏感である。従来技術では、ＭＥＭＳデバイスは、セラミック・チップ・キャリア・パッケージの床、又は基板に直接取り付けられる。一般に、ＭＥＭＳデバイスはシリコンから製造される。一般に、パッケージが製造される材料は、熱膨張の各係数の観点からＭＥＭＳデバイスの材料と余り整合しない。更に、一般に、ＭＥＭＳデバイスは、ロウ付けによってパッケージにボンディングされる。ロウ付け材料は、類似の熱的ストレスをＭＥＭＳデバイスに与える。
【０００４】
１つのタイプの従来技術のデバイスは、ＭＥＭＳデバイスをパッケージから隔離するための介在物を使用する。介在物は、ＭＥＭＳデバイスが取り付けられるデバイスである。次に、介在物は、ＭＥＭＳパッケージに取り付けられる。介在物の機能は、パッケージによって作用する機械的ストレス、及び熱的ストレスからＭＥＭＳデバイスを隔離することである。図１は、パッケージ、介在物、及びＭＥＭＳデバイスの構造を示す。ＭＥＭＳデバイス、及び介在物は、２つの別々のエンティティとして製造される。次に、ＭＥＭＳデバイスは、金、及び／又はスズ合金を使用して介在物にロウ付けされる。従来技術の構造の１つの短所は、ロウ付け材料が熱的ストレスをＭＥＭＳデバイスに与えることである。更に、ロウ付け材料は、時間が経てばクリープ変形する。これは、ＭＥＭＳデバイスの長期性能安定性、及び信頼性へマイナスに影響する。
【０００５】
更に、従来技術のデバイスでは、一般に、ＭＥＭＳデバイスは、基板、及び基板に取り付けられたシリコンデバイスを含む。基板は、ロウ付けによって介在物にボンディングされる。基板は、ガラス、又は他の材料から製造される。基板がシリコンデバイスと同じ材料から製造されない状況では、基板も熱的ストレスをシリコンデバイスに与える。これは、システム全体の性能を低下させる。
【０００６】
図２は、ＭＥＭＳデバイスを製造する従来の方法を示し、介在物、及びＭＥＭＳデバイスが２つの別々のエンティティとして製造される。プロセスは図の上端から始まり、図の下端まで継続する。介在物を作る従来のプロセスは、両面研磨されたシリコン・ウェハ１０で始まる。酸化被膜１２は、シリコン・ウェハ１０の両側で成長する。ウェハ１０の１側面では、酸化被膜が選択的にエッジングされ、オーム接点１４、及びロウ付け材料１６が、エッチングされた領域に蒸着される。一般に、ＭＥＭＳデバイス２２は、基板２６に取り付けられたシリコンデバイス２４を含む。一般に、シリコンデバイス２４は、陽極ボンディングによって基板２６に取り付けられる。次に、基板２６は、ロウ付けによって介在物１０に取り付けられる。ロウ付けで使用される従来の材料は、金、及びスズである。基板２６と介在物１０の間のロウ付け材料は時間が経てばクリープ変形し、それはＭＥＭＳデバイスの性能へマイナスに影響する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
必要なのはＭＥＭＳデバイス、及び介在物を有する構造であって、介在物はＭＥＭＳデバイスによく整合した熱膨張を有する。この構造を製造する方法の必要性が、更に存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス、及びアセンブリの介在物、又はパッケージからＭＥＭＳデバイスに作用する熱的ストレス、及び機械的ストレスを減少させる介在物を含むアセンブリ、並びにＭＥＭＳデバイス、及び介在物アセンブリを製造するための方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の側面によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ、及び（iii）デバイスレイヤを有する。最初、デバイスレイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。デバイスレイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成されたデバイスレイヤを有する基板にボンディングされる。ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤは、エッチングによって除去される。更に、デバイスレイヤが、ＭＥＭＳデバイスを定めるためにエッチングされる。ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ2レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。
【００１０】
本発明の他の側面によると、本発明の方法は、介在物を製造すること、及びＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングすることを含む。介在物を製造するプロセスは、ＳＯＩウェハを取得することから始まる。薄い酸化被膜が、ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤの底面に形成される。酸化被膜は、接点、又は相互接続ラインのためのホール、又はラインを定めるためにエッチングされる。次に、オーム接点、及び／又は相互接続ラインが、ＳＯＩウェハのデバイスレイヤ、及びハンドル・レイヤに、金属蒸着によって形成される。次のステップでは、ＳＯＩウェハのデバイスレイヤがパターン形成され、導電領域を定める。好ましい１実施例では、少なくとも１つの深い溝がデバイスレイヤ、及び酸化被膜を通して形成され、デバイスレイヤを少なくとも２つの作用領域に分ける。更に、ＳＯＩウェハのデバイスレイヤがパターン形成、及び金属を被覆されて、オーム接点を接続するための相互接続ラインを形成する。
【００１１】
また、ＭＥＭＳデバイスを形成して、ＭＥＭＳデバイスを介在物ウェハにボンディングするプロセスも、本発明の好ましい１実施例によるＳＯＩウェハを取得することから始まる。ＳＯＩウェハのデバイスレイヤは厚さを有し、ウェハが形成しようとするＭＥＭＳデバイスによって要求されるようにドープされる。エッチングはデバイスレイヤで実行され、ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定める。メサ・エッチングが実行され、構造ポストを定めることが好ましい。代わりの実施例では、構造ポストは、介在物ウェハのデバイスレイヤにメサ・エッチングによって定められる。次のステップでは、ポストの最上面を介在物ウェハのデバイスシリコン・レイヤの最上面にボンディングすること、シリコン直接ボンディングが好ましい、によって、ウェハが介在物ウェハに取り付けられる。２つのウェハがボンディングされた後、ＭＥＭＳデバイスウェハのハンドル・レイヤがアセンブリの最上面レイヤになる。次に、ＭＥＭＳデバイスウェハの最上面ハンドル・レイヤが、液体エッチングによってエッチング除去されることが好ましく、液体エッチングは酸化被膜の上面で停止し、従って、下部デバイスシリコン・レイヤがエッチング液によって傷むことを防止する。デバイスウェハの酸化被膜は、ウェットエッチング、又はドライエッチングによって除去される。下部シリコンが攻撃されないように、酸化被膜を除去するために使用されるエッチング液は、シリコン全体のＳｉＯ2の高い選択度を有することが好ましい。代わりの実施例では、ＭＥＭＳデバイスを定めるために、デバイスウェハのデバイスレイヤが誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によって更にパターン形成される必要があることが好ましい。ＭＥＭＳデバイスは、ジャイロスコープ、又は加速デバイスを形成するために使用できる。これらの実施例では、デバイスウェハのデバイスレイヤがエッチングされ、慣性質量を定める。底面介在物ウェハは誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によって更にエッチングされ、介在物の構造を定めることが好ましい。
【００１２】
また、本発明は、上記プロセスによって製造された構造も提供する。構造は、ＳＯＩウェハ、及び介在物に取り付けられたＭＥＭＳデバイスを含む介在物を含む。ＭＥＭＳデバイスは、シリコン・プレートから伸長するポストを含む。ＭＥＭＳデバイスのポストを介在物のデバイスレイヤにボンディングすることによって、ＭＥＭＳデバイスは介在物に直接取り付けられる。
【００１３】
本発明は、素子を構造中でエッチングするための方法を更に提供し、構造は（ｉ）基板、（ii）基板に配置された少なくとも１つのデバイス、及び（ｉｉｉ）基板に取り付けられ、デバイスの上方で伸長する素子を含む。好ましい１実施例によると、本発明の方法は、デバイスの上方の、少なくとも１つの選択された領域がレジストによって覆われるように、レジストを素子に蒸着してパターン形成すること、並びにレジストによって覆われる素子の少なくとも１つの選択された領域が、エッチングされることからレジストによって保護され、従って、レジストに覆われる領域の下のデバイスがエッチングされることから保護されるように、素子をエッチングすることを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来技術のＭＥＭＳデバイスアセンブリ構造を示す側面図である。
【図２】ＭＥＭＳデバイスアセンブリを製造する従来技術のプロセスを示す側面図である。
【図３】本発明の好ましい１実施例により、介在物ウェハを製造するプロセスを示す側面図である。
【図４】本発明の好ましい１実施例により、ＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物ウェハにボンディングするプロセスを示す側面図である。
【図５】本発明の好ましい１実施例により、構造を製造するプロセスを示す側面図である。
【図６】本発明の好ましい他の実施例により、ＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物ウェハにボンディングするプロセスを示す側面図である。
【図７】本発明の好ましい他の実施例により、介在物ウェハと一緒にＭＥＭＳデバイスを製造するプロセスを示す側面図である。
【図８】本発明の１側面により、ＭＥＭＳデバイスのアレイを形成するために使用されるウェハ・スケール・アセンブリの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、ＭＥＭＳデバイスのための形態を提供し、ＭＥＭＳデバイスのための形態は、中間基板、及びロウ付け材料なしに介在物ウェハへボンディングされたシリコンＭＥＭＳデバイスを有する。
【００１６】
本発明の好ましい１実施例によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩは、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）材料を使用して、ＭＥＭＳ、及び関連するデバイスを製造するための加工方法である。本発明の方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを提供することを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい、ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び（ｉｉｉ）誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを有する。最初、デバイスレイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。デバイスレイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成されたデバイスレイヤを有する基板にボンディングされる。次に、ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤが、エッチングによって除去される。更に、デバイスレイヤが、ＭＥＭＳデバイスを定めるためにエッチングされる。ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ2レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。ＢＥＳＯＩプロセスの長所の１つは、ハンドル・レイヤがウェットエッチング、又はドライエッチングによって除去されるときに、ＳｉＯ2レイヤがエッチング停止層として機能し、従って、下部デバイスレイヤがエッチング液によって傷むことを防止することである。
【００１７】
図３、及び図４は、本発明によりＭＥＭＳデバイス、及び介在物を製造するプロセスを示す。これらの図は、各加工ステップにおけるウェハの側面図を示す。図示される側面図は、ウェハの全体構造を示さない。例えば、ウェハのデバイスレイヤ上のオーム接点の数は、２に限定されない。ウェハに配置された更に多くの接点、又は更に他のデバイスが存在してもよく、それは図３、及び図４には示されない。
【００１８】
図３は、本発明の１側面により、介在物を形成するために使用されるウェハを加工するプロセスを示す。図３に示されるように、プロセスは図の上端（Ａ）から始まり、図の下端（Ｅ）まで継続する。プロセスは、介在物をＳＯＩウェハ４０で構成することから始まる。（Ａ）に示されるように、ＳＯＩウェハは、デバイスシリコン・レイヤ４２、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ４４、及びハンドル・シリコン・レイヤ４６を含む。充分に導電性であるように、デバイスレイヤ４２は大量にドープされることが好ましい。代替の実施例では、ハンドル・レイヤ４６は大量にドープされる。ドーパント型、及び濃度は、ユーザの要求に基づいてカスタマイズ出来る。その種のＳＯＩウェハは、市場で購入可能である。
【００１９】
（Ｂ）に示されるように、厚さ約１μｍであることが好ましい薄い酸化被膜４８は、ハンドル・レイヤ４６の底面で成長する。薄い酸化被膜４８はエッチングされて薄い酸化被膜４８を通るホールを定め、オーム接点５２がホール領域に蒸着される。（Ｃ）に示されるように、更に多くのオーム接点５０が、デバイスレイヤ４２の上面に蒸着される。オーム接点５０，５２は金属によって形成されることが好ましく、代表的な金属はＡｌ，Ｔｉ，Ｐｔ，及びＡｕを含む。物理蒸着法（ＰＶＤ）、及び化学蒸着法（ＣＶＤ）のような従来の金属被覆プロセスが、金属を蒸着して接点を形成するために使用できる。接点５０，５２は、スパッタ蒸着によって形成されることが好ましい。（Ｄ）に示されるように、次のステップでは、ヒータ５４、及びセンサ５６が、薄い酸化被膜４８の底面に形成される。ヒータ５４はＴｉ，及びＰｔのスパッタ蒸着によって形成されることが好ましく、センサ５６はＴｉ，Ｐｔ，及びＡｕのスパッタ蒸着によって形成されることが好ましい。接点５０，５２、ヒータ５４、及びセンサ５６は、上記リストのような１又は複数の金属レイヤ、又は大量にドープされた多結晶シリコンのような他の導電材料によって形成できる。次のステップでは、（Ｅ）に示されるように、ウェハ４０のデバイスレイヤ４２がパターン形成され、導電領域を定める。（Ｅ）の実施例では、深い溝６０がデバイスレイヤ４２、及び酸化被膜４４を通して形成され、デバイスレイヤ４２を２つの作用領域に分け、２つの作用領域は互いに導電性ではない。好ましい１実施例では、溝６０の形成においては、表面技術システム（ＳＴＳ）ツールで実行されることが好ましい高度に異方性のエッチング、例えば、 Bosch エッチング、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）、又は誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングが、デバイスシリコン・レイヤ４２から酸化被膜４４をエッチングするために使用される。次に、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）、又は他の適したエッチング・プロセスが、酸化被膜４４を通してエッチングするために使用される。ＲＩＥでは、シリコン全体のＳｉＯ2の高い選択度が、適切な化学エッチングを選択することによって得られる。更に、ウェハ４０のデバイスレイヤ４２がパターン形成、及び金属を被覆されて、オーム接点を接続するための相互接続ラインを形成する。
【００２０】
図４は、ＭＥＭＳデバイスを形成するプロセス、次にＭＥＭＳデバイスを介在物ウェハ４０にボンディングするプロセスを示し、介在物ウェハ４０は図３のプロセスで形成された。デバイス形成プロセス、及び介在物にボンディングするプロセスは、図４の上端（Ａ）から始まり、図４の下端（Ｇ）まで継続する。プロセスは、ＳＯＩウェハ８０を取得して提供することから始まり、ＳＯＩウェハ８０はＭＥＭＳデバイスを形成するために使用される。ＳＯＩウェハ８０は、デバイスシリコン・レイヤ８２、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ８４、及びハンドル・シリコン・レイヤ８６を含む。デバイスレイヤ８２は、ウェハ８０が形成するＭＥＭＳデバイスによって要求されるようにドープされる。（Ｂ）に示されるように、エッチングはデバイスレイヤ８２で実行され、ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定める。図４に示される実施例では、メサ・エッチングが実行されて、構造ポスト８８を定める。１又は複数のポスト８８が、デバイスレイヤ８２上に定められることが好ましい。次のステップでは、（Ｃ）に示されるように、ポスト８８の最上面をウェハ４０のデバイスシリコン・レイヤ４２の最上面にボンディングすることによって、ウェハ８０がウェハ４０に取り付けられる。ボンディング技術が、以下で更に詳細に呈示される。（Ｃ）では、２つのウェハ８０、及びウェハ４０がボンディングされた後、ウェハ８０のハンドル・レイヤ８６がデバイスの最上面レイヤになる。図４の（Ｃ）から（Ｄ）では、最上面ハンドル・レイヤ８６が液体エッチングによってエッチング除去されることが好ましく、液体エッチングは酸化被膜８４の上面で停止し、従って、下部デバイスシリコン・レイヤ８２がエッチング液によって傷むことを防止する。（Ｄ）から（Ｅ）では、酸化被膜８４はウェットエッチング、若しくはドライエッチング、又はウェットエッチング、及びドライエッチングの組み合わせによって除去される。下部シリコンが攻撃されないように、酸化被膜８４を除去するために使用されるエッチング液は、シリコン全体のＳｉＯ2の高い選択度を有することが好ましい。ステップ（Ｅ）からステップ（Ｆ）では、ＭＥＭＳデバイスを定めるために、ウェハ８０のデバイスレイヤ８２が更にパターン形成される。好ましい形態では、表面技術システム（ＳＴＳ）ツールで実行される誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングが使用され、ＭＥＭＳデバイスをデバイスレイヤ８２に定める。実施例を介して、ＭＥＭＳデバイスは、ジャイロスコープ、又は加速デバイスを形成するためにも使用できる。また、他のＭＥＭＳデバイスも形成される。（Ｆ）に示されるように、ジャイロスコープ、及び加速度計の実施例では、デバイスレイヤ８２がエッチングされて、慣性質量を定める。ステップ（Ｇ）では、底面ウェハ４０が、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によって更にエッチングされ、介在物の構造を定め、及び／又は個々のデバイスをウェハから分離することが好ましい。
【００２１】
上記のプロセスによって加工されたデバイスは、ＭＥＭＳデバイス８０、及びシリコン直接ボンディングによってボンディングされた介在物４０を有し、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングするための従来技術のデバイスで要求されるような、ＭＥＭＳデバイス８０の最上面レイヤ８２と介在物４０の最上面レイヤ４２の間の、ロウ付け材料、又は基板レイヤを有さない。本発明のプロセスによって加工されたデバイスは、高い安定性、及び信頼性をデバイスの寿命にわたって有する。更に、本発明のプロセスは、中間基板を使用することなくＭＥＭＳデバイスが介在物に直接ボンディングされることをもたらし、従って、ＭＥＭＳデバイスの熱容量を減少させ、組み合わされた介在物ＭＥＭＳ構造の熱安定性を増加させる。組み合わされた介在物ＭＥＭＳ構造を作り出すための処理ステップの数は、アイテムを別々に製造し、それらをボンディングするために必要なステップの数より小さい。
【００２２】
ＭＥＭＳデバイス８０が、シリコン直接ボンディングによって介在物４０へボンディングされることが好ましい。シリコン融解ボンディングとも呼ばれる直接ボンディングは、当該技術分野で既知のウェハ−ウェハ・ボンディング技術である。プロセスは３つの基本的なステップを含む。即ち、表面処理、コンタクティング、及びアニーリングである。ボンディングされる表面は、平坦で平滑でなければならない。ボンディングされる各ウェハは、平坦度適用領域での厚さの最大値と最小値の差（ＴＴＶ）が３μｍより小さくなければならず、１μｍより小さいことが好ましい。ウェハ表面は洗浄され、クリーンルームで処理されて２つの水和した表面を形成する。表面処理の後、２つの洗浄された表面をプレスすることによって、汚染されていない環境で２つのウェハが接触する。次のステップは、接触したウェハの高温アニーリングであり、８００℃と１２００℃の間の高温が好ましい。或いは、接触したウェハは低温でアニーリングできるが、長い時間周期が好ましい。２つのウェハの間の界面におけるボンディング強さは、種々の技術、例えば、張力／剪断試験、によって測定できる。２つのウェハをボンディングするために使用できるボンディング方法は、直接ボンディングに限定されない。直接ボンディングの代替方法は、陽極ボンディング、中間レイヤ・ボンディング、及び類似の方法を含むが、限定されない。広範囲の中間レイヤ、及びボンディング技術は、中間レイヤ・ボンディング、例えば、Ａｕ薄膜を使用する共晶ボンディング、半田ボンディング、ポリマ・ボンディング、低融解温度ガラス・ボンディング、及び熱圧着ボンディング、で使用できる。
【００２３】
図４の（Ｅ）から（Ｆ）で示されるように、ＭＥＭＳデバイス（例えば、ジャイロスコープ、加速度計、又は他のデバイスの慣性質量）を定めるために上面デバイスシリコン・レイヤ８２が定められるステップでは、保護がなければ、介在物４０、特に、介在物４０の最上面の接点５０は、エッチング・プロセスの間に傷められる。従って、他の好ましい実施例では、図５に示されるように、レジスト９０のレイヤは、デバイスレイヤ８２の最上面の、接点５０の上方の領域、又は介在物４０の他のデバイスに蒸着される。レジスト９０は、ＭＥＭＳデバイスを定めるプロセスの間にデバイスレイヤ８２の最上面に蒸着されるのと同じレジストであり得る。換言すれば、酸化被膜８４が除去された後、レジスト９０のレイヤはデバイスレイヤ８２の表面に蒸着され、以下のフォトリソグラフィ・プロセスでは、デバイスレイヤ８２をエッチングするためにレジスト９０がパターン形成され、ＭＥＭＳデバイスを定め、下部接点５０、及び介在物４０の上面の他のデバイスを保護する。図５は、レジスト９０がフォトリソグラフィ・プロセスによってパターン形成された後の、ウェハ８０の側面図を示す。図から分かるように、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングが好ましい以下のエッチング・プロセスでは、介在物４０の接点５０は、プラズマによってエッチングされることから保護される。
【００２４】
図６は、ＭＥＭＳデバイスを製造するために使用できる他の１つのプロセスを示す。また、全体のプロセスも、図３に示されるものと同じ介在物を提供すること、ＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングすることを含む。ＭＥＭＳデバイスを製造して、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングするプロセスは、図の上端のステップ（Ａ）から始まり、図の下端のステップ（Ｇ）まで継続する。ステップ（Ａ）では、標準的なＳＯＩウェハ８０が提供され、ＳＯＩウェハ８０は、デバイスシリコン・レイヤ８２、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ８４、及びハンドル・シリコン・レイヤ８６を含む。デバイスレイヤ８２は、形成されるＭＥＭＳデバイス（即ち、慣性質量）の厚さ、及び導電性を有する。ステップ（Ｂ）では、メサ・エッチングがデバイスレイヤ８２で実行され、ＭＥＭＳデバイスの構造を少なくとも部分的に定める。実施例では、構造ポスト８８がデバイスレイヤ８２で定められる。次のステップでは、（Ｃ）に示されるように、ＳＴＳツールでは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングがデバイスシリコン・レイヤ８２で実行され、ＭＥＭＳデバイスを更に定めることが好ましい。エッチングはデバイスレイヤ８２を通して実行され、下にある酸化被膜８４で停止する。次のステップでは、（Ｄ）に示されるように、ウェハ８０が介在物ウェハ４０にボンディングされる。図３に示されるように、介在物ウェハ４０は、以前の製造プロセスで準備されてきた。上記のように、ポスト８８はウェハ４０のデバイスレイヤ４２の最上面へ直接ボンディングによってボンディングされることが好ましい。（Ｄ）から（Ｅ）では、ハンドル・レイヤ８６が液体エッチングによってエッチング除去されることが好ましく、液体エッチングは酸化被膜８４の上面で停止し、従って、下部デバイスシリコン・レイヤ８２がエッチング液によって傷むことを防止する。（Ｅ）から（Ｆ）では、酸化被膜８４はウェットエッチング、若しくはドライエッチング、又はウェットエッチング、及びドライエッチングの組み合わせによって除去される。下部シリコンが攻撃されないように、酸化被膜８４を除去するために使用されるエッチング液は、シリコン全体のＳｉＯ2の高い選択度を有することが好ましい。ステップ（Ｇ）では、底面介在物ウェハ４０が、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によって更にエッチングされ、介在物の構造を定め、及び／又は個々のデバイスをウェハから分離することが好ましい。次に、デバイスは、パッケージに取り付けられるように準備される。
【００２５】
また、このデバイスは、ＭＥＭＳデバイスを介在物にボンディングするための従来技術のデバイスで要求されるような、最上面レイヤＭＥＭＳデバイスと介在物の間のロウ付け材料、又は中間基板レイヤも有さず、従って、デバイスの性能が向上する。
【００２６】
図４〜図６に示される実施例では、ＭＥＭＳデバイスを形成するために使用されるウェハに、構造ポスト８８が定められる。或いは、構造ポスト８８は、介在物ウェハ４０に定めることが出来る。この代替プロセスは、図７の（Ａ）に示されるように、介在物を形成するために使用されるＳＯＩウェハ４０を使用して始まる。（Ｂ）に示されるように、メサ・エッチングが介在物ウェハ４０のデバイスレイヤ４２で実行され、構造ポスト８８を定める。次に、図３に示されるプロセスと同様に、薄い酸化被膜が介在物ウェハ４０の底面に形成され、１又は複数のオーム接点、センサ、及び１又は複数のヒータが介在物ウェハ４０に形成され、溝が介在物ウェハ４０のデバイスレイヤ４２、及び酸化被膜４４を通して定められる。（Ｄ）に示されるように、ＭＥＭＳデバイスを形成するために使用される他の１つのＳＯＩウェハ８０が、介在物ウェハ４０にボンディングされ、ウェハ８０のデバイスレイヤ８２がポスト８８に面する。（Ｄ）から（Ｅ）では、２つのウェハがボンディングされた後、ＭＥＭＳデバイスウェハ８０のハンドル・レイヤ８６がエッチングによって除去される。（Ｅ）から（Ｆ）では、ＭＥＭＳデバイスウェハ８０の酸化被膜８４がエッチングによって除去される。（Ｆ）から（Ｇ）では、ＭＥＭＳデバイスウェハ８０のデバイスレイヤ８２が更にエッチングされて、ＭＥＭＳデバイスを定める。ステップ（Ｈ）では、底面ウェハ４０が更にエッチングされ、介在物の構造を定め、及び／又は個々のデバイスをウェハ４０から分離する。
【００２７】
本発明は、ＭＥＭＳデバイス、及び単一デバイスレベルでＭＥＭＳデバイスを製造する方法を記載してきた。一般に、その種のデバイスは、半導体材料の１つのウェハで多数が加工される。次に、ウェハ・スケール・アセンブリが、個々のデバイスに分割される。当業者は、ウェハ・スケール加工が本明細書に記載されたものと同じプロセスを使用することを評価すべきである。
【００２８】
図８は、ウェハ・スケール・アセンブリ１００（図は、アセンブリの一部を示す）を示し、ウェハ・スケール・アセンブリ１００は、ボンディングされた２つのウェハ、介在物を形成するために使用されるＳＯＩウェハ４０、及びＭＥＭＳデバイスを形成するために使用されるＳＯＩウェハ８０を含む。ウェハ・スケール・アセンブリは、ＭＥＭＳデバイスのアレイを形成するために使用される、構造１０２のアレイを含む。ウェハ・スケールのＭＥＭＳデバイスのエッチング・プロセスは、本明細書に記載されたものと同じプロセスである。ウェハ・スケール・アセンブリ１００がエッチングされた後、ＭＥＭＳデバイスのアレイが介在物ウェハ４０に定められる。次に、結果として生じる構造が、個々のＭＥＭＳデバイスに分割される。
【００２９】
当業者は、上記プロセスは加工プロセスを簡単に記載するのみであり、詳細なステップは記載されておらず、例えば、任意のエッチング・ステップでは、フォトレジスト、及びフォトリソグラフィの蒸着のステップは記載されていないことを理解すべきである。当業者は、これらのステップが加工プロセスで要求されることを理解すべきであり、本発明に記載される実施例から全体の加工プロセスを評価すべきである。本明細書は、好ましいプロセスのステップを順番に記載するが、当業者は、これらのステップを記載される順番で実行する必要はないことを理解すべきであり、例えば、図４、及び図６のステップ（Ｇ）は、更に早い段階で実行できる。
【００３０】
以上、本発明の好ましい実施例について図示し記載したが、特許請求の範囲によって定められる本発明の範囲から逸脱することなしに種々の変形および変更がなし得ることは、当業者には明らかであろう。
【符号の説明】
【００３１】
１０ 介在物
１２ 酸化被膜
１４ オーム接点
１６ ロウ付け材料
２２ ＭＥＭＳデバイス
２４ シリコンデバイス
２６ 基板
４０，８０ ＳＯＩウェハ
４２，８２ デバイスレイヤ
４４，８４ 誘電体レイヤ
４８ 酸化被膜
５０，５２ 接点
５４ ヒータ
６０ 溝
８６ ハンドル・シリコン・レイヤ
８８ 構造ポスト
１００ ウェハ・スケール・アセンブリ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アセンブリを製造するための方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含むＳＯＩウェハを取得し、
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、
介在物ウェハを取得し、
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが前記介在物ウェハに面する方法で、前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングし、
前記ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、及び
前記ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去する諸ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングすることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップが、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングによって実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップが、慣性質量を定める、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記介在物ウェハの構造を更に定めるために、前記介在物ウェハをエッチングするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤが二酸化ケイ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングするステップが、直接ボンディングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハに直接ボンディングするステップが、
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤの最上面、及び前記介在物ウェハの最上面を洗浄し、
前記２つの最上面を接触させ、及び
接触された２つのウェハをアニーリングする諸ステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングするステップが、陽極ボンディングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングするステップが、中間レイヤ・ボンディングを含み、前記中間レイヤ材料がウェハ−ウェハ・ボンディングに適合される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスを形成するために適合されたドーパント濃度でドープされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップが、前記デバイスレイヤを前記ＭＥＭＳデバイスのポストにボンディングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップが、メサ・エッチングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記介在物ウェハがＳＯＩウェハから製造され、前記介在物ウェハが、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記介在物ウェハの前記誘電体レイヤが、二酸化ケイ素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
介在物ウェハを取得する前記ステップが、前記介在物ウェハを前記ＳＯＩウェハから形成するステップを含み、前記介在物ウェハを前記ＳＯＩウェハから形成するステップが、
（ａ）前記デバイスレイヤ、及び前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤに接点を形成し、及び
（ｂ）前記介在物ウェハに作用領域を定めるために、前記デバイスレイヤ、及び前記介在物ウェハの前記誘電体レイヤをエッチングする諸ステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
相互接続ラインを前記介在物ウェハに形成するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記デバイスレイヤ、及び前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤに接点を形成するステップの前に、前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤの底面に酸化被膜を形成するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤに少なくとも１つのヒータを蒸着するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤに少なくとも１つのセンサを蒸着するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法によって製造される、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アセンブリを製造するための方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含むＳＯＩウェハを取得し、
前記ＭＥＭＳデバイスを部分的に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、
介在物ウェハを取得し、
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが前記介在物ウェハに面する方法で、前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングし、
前記ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、
前記ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去し、及び
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングする諸ステップを含む方法。
【請求項２３】
前記介在物ウェハがＳＯＩウェハから製造され、前記介在物ウェハが、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アセンブリを製造する方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第１ＳＯＩウェハを取得し、
前記第１ＳＯＩウェハに領域を定めるために、前記デバイスレイヤ、及び前記誘電体レイヤをエッチングし、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第２ＳＯＩウェハを取得し、
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤを、前記第１ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤにボンディングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、及び
前記第２ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去する諸ステップを含む方法。
【請求項２５】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップを更に含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の方法によって製造される、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２７】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置であって、
ＳＯＩウェハを含む介在物ウェハを含み、前記ＳＯＩウェハが、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含み、
シリコン・プレートから伸長するポストを含み、前記ＭＥＭＳデバイスの前記ポストを前記介在物の前記デバイスレイヤにボンディングすることによって、前記介在物に取り付けられることを特徴とする微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２８】
前記ＭＥＭＳデバイスが、ロウ付け材料を使用することなく前記介在物に取り付けられる、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２９】
前記ＭＥＭＳデバイスが慣性質量を含む、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３０】
前記ＭＥＭＳデバイスが、
第２ＳＯＩウェハを取得し、前記第２ＳＯＩウェハが
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含み、
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤを、前記介在物ウェハの前記デバイスレイヤにボンディングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、及び
前記第２ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去する諸ステップを含むプロセスによって製造される、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３１】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップを更に含む、請求項３０に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３２】
直接ボンディングによって、前記ＭＥＭＳデバイスが前記介在物ウェハに取り付けられる、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３３】
陽極ボンディングによって、前記ＭＥＭＳデバイスが前記介在物ウェハに取り付けられる、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３４】
中間レイヤ・ボンディングによって、前記ＭＥＭＳデバイスが前記介在物ウェハに取り付けられ、前記中間レイヤ材料がウェハ−ウェハ・ボンディングに適合される、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３５】
構造中の素子をエッチングするための方法であって、前記構造が、（ｉ）基板（ｉｉ）前記基板に配置された少なくとも１つのデバイス、及び（ｉｉｉ）前記基板に取り付けられ、前記デバイスの上方に配置される前記素子を含み、
前記素子の少なくとも１つの選択された領域が前記レジストによって覆われ、前記少なくとも１つの選択された領域が前記少なくとも１つのデバイスの上方にあるように、レジストを前記素子に配置してパターン形成し、及び
前記素子をエッチングし、それによって、前記レジストによって覆われる前記少なくとも１つの選択された領域が、前記レジストによってエッチングされることから保護され、それによって、前記領域の下の前記少なくとも１つのデバイスが、エッチングされることから保護されることを特徴とする方法。
【請求項３６】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アセンブリを製造する方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第１ＳＯＩウェハを取得し、
少なくとも１つの構造ポストを定めるために、前記デバイスレイヤでメサ・エッチングを実行し、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第２ＳＯＩウェハを取得し、
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤを、前記第１ＳＯＩウェハの前記少なくとも１つの構造ポストにボンディングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、及び
前記第２ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去する諸ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項３７】
前記ＭＥＭＳデバイスを定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップを更に含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
介在物の構造を定めるために、前記第１ＳＯＩウェハをエッチングするステップを更に含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するための方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含むＳＯＩウェハを取得し、
構造ポストのセットのアレイを定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、構造ポストの各セットが、少なくとも１つの構造ポストを含み、
介在物ウェハを取得し、
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが前記介在物ウェハに面する方法で、前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングし、
前記ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、
前記ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去し、
前記ＭＥＭＳデバイスのアレイを定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、及び
結果として生じる構造を、個々のＭＥＭＳデバイスに分割する諸ステップを含む方法。
【請求項４０】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第１ＳＯＩウェハを取得し、
構造ポストのセットのアレイを定めるために、前記デバイスレイヤでメサ・エッチングを実行し、構造ポストの各セットが、少なくとも１つの構造ポストを含み、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第２ＳＯＩウェハを取得し、
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤを、前記第１ＳＯＩウェハの前記少なくとも１つの構造ポストにボンディングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、
前記第２ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去し、
前記ＭＥＭＳデバイスのアレイを定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、及び
結果として生じる構造を、個々のＭＥＭＳデバイスに分割する諸ステップを含む方法。
【請求項４１】
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４２】
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項２２に記載の方法。
【請求項４３】
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項２４に記載の方法。
【請求項４４】
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項３６に記載の方法。
【請求項４５】
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項３９に記載の方法。
【請求項４６】
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項４０に記載の方法。
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アセンブリを製造するための方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含むＳＯＩウェハを取得し、
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、
介在物ウェハを取得し、
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが前記介在物ウェハに面する方法で、前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングし、
前記ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、及び
前記ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去する諸ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングすることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップが、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングによって実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップが、慣性質量を定める、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記介在物ウェハの構造を更に定めるために、前記介在物ウェハをエッチングするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤが二酸化ケイ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングするステップが、直接ボンディングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハに直接ボンディングするステップが、
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤの最上面、及び前記介在物ウェハの最上面を洗浄し、
前記２つの最上面を接触させ、及び
接触された２つのウェハをアニーリングする諸ステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングするステップが、陽極ボンディングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングするステップが、中間レイヤ・ボンディングを含み、前記中間レイヤ材料がウェハ−ウェハ・ボンディングに適合される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスを形成するために適合されたドーパント濃度でドープされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップが、前記デバイスレイヤを前記ＭＥＭＳデバイスのポストにボンディングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップが、メサ・エッチングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記介在物ウェハがＳＯＩウェハから製造され、前記介在物ウェハが、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記介在物ウェハの前記誘電体レイヤが、二酸化ケイ素を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
介在物ウェハを取得する前記ステップが、前記介在物ウェハを前記ＳＯＩウェハから形成するステップを含み、前記介在物ウェハを前記ＳＯＩウェハから形成するステップが、
（ａ）前記デバイスレイヤ、及び前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤに接点を形成し、及び
（ｂ）前記介在物ウェハに作用領域を定めるために、前記デバイスレイヤ、及び前記介在物ウェハの前記誘電体レイヤをエッチングする諸ステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
相互接続ラインを前記介在物ウェハに形成するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記デバイスレイヤ、及び前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤに接点を形成するステップの前に、前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤの底面に酸化被膜を形成するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤに少なくとも１つのヒータを蒸着するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記介在物ウェハの前記ハンドル・レイヤに少なくとも１つのセンサを蒸着するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法によって製造される、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アセンブリを製造するための方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含むＳＯＩウェハを取得し、
前記ＭＥＭＳデバイスを部分的に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、
介在物ウェハを取得し、
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが前記介在物ウェハに面する方法で、前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングし、
前記ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、
前記ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去し、及び
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングする諸ステップを含む方法。
【請求項２３】
前記介在物ウェハがＳＯＩウェハから製造され、前記介在物ウェハが、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アセンブリを製造する方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第１ＳＯＩウェハを取得し、
前記第１ＳＯＩウェハに領域を定めるために、前記デバイスレイヤ、及び前記誘電体レイヤをエッチングし、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第２ＳＯＩウェハを取得し、
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤを、前記第１ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤにボンディングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、及び
前記第２ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去する諸ステップを含む方法。
【請求項２５】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップを更に含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
請求項２４に記載の方法によって製造される、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２７】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置であって、
ＳＯＩウェハを含む介在物ウェハを含み、前記ＳＯＩウェハが、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含み、
シリコン・プレートから伸長するポストを含み、前記ＭＥＭＳデバイスの前記ポストを前記介在物の前記デバイスレイヤにボンディングすることによって、前記介在物に取り付けられることを特徴とする微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２８】
前記ＭＥＭＳデバイスが、ロウ付け材料を使用することなく前記介在物に取り付けられる、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２９】
前記ＭＥＭＳデバイスが慣性質量を含む、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３０】
前記ＭＥＭＳデバイスが、
第２ＳＯＩウェハを取得し、前記第２ＳＯＩウェハが
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含み、
前記ＭＥＭＳデバイスを少なくとも部分的に定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤを、前記介在物ウェハの前記デバイスレイヤにボンディングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、及び
前記第２ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去する諸ステップを含むプロセスによって製造される、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３１】
前記ＭＥＭＳデバイスを更に定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップを更に含む、請求項３０に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３２】
直接ボンディングによって、前記ＭＥＭＳデバイスが前記介在物ウェハに取り付けられる、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３３】
陽極ボンディングによって、前記ＭＥＭＳデバイスが前記介在物ウェハに取り付けられる、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３４】
中間レイヤ・ボンディングによって、前記ＭＥＭＳデバイスが前記介在物ウェハに取り付けられ、前記中間レイヤ材料がウェハ−ウェハ・ボンディングに適合される、請求項２７に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項３５】
構造中の素子をエッチングするための方法であって、前記構造が、（ｉ）基板（ｉｉ）前記基板に配置された少なくとも１つのデバイス、及び（ｉｉｉ）前記基板に取り付けられ、前記デバイスの上方に配置される前記素子を含み、
前記素子の少なくとも１つの選択された領域が前記レジストによって覆われ、前記少なくとも１つの選択された領域が前記少なくとも１つのデバイスの上方にあるように、レジストを前記素子に配置してパターン形成し、及び
前記素子をエッチングし、それによって、前記レジストによって覆われる前記少なくとも１つの選択された領域が、前記レジストによってエッチングされることから保護され、それによって、前記領域の下の前記少なくとも１つのデバイスが、エッチングされることから保護されることを特徴とする方法。
【請求項３６】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アセンブリを製造する方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第１ＳＯＩウェハを取得し、
少なくとも１つの構造ポストを定めるために、前記デバイスレイヤでメサ・エッチングを実行し、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第２ＳＯＩウェハを取得し、
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤを、前記第１ＳＯＩウェハの前記少なくとも１つの構造ポストにボンディングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、及び
前記第２ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去する諸ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項３７】
前記ＭＥＭＳデバイスを定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングするステップを更に含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
介在物の構造を定めるために、前記第１ＳＯＩウェハをエッチングするステップを更に含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するための方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含むＳＯＩウェハを取得し、
構造ポストのセットのアレイを定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、構造ポストの各セットが、少なくとも１つの構造ポストを含み、
介在物ウェハを取得し、
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが前記介在物ウェハに面する方法で、前記ＳＯＩウェハを前記介在物ウェハにボンディングし、
前記ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、
前記ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去し、
前記ＭＥＭＳデバイスのアレイを定めるために、前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、及び
結果として生じる構造を、個々のＭＥＭＳデバイスに分割する諸ステップを含む方法。
【請求項４０】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する方法であって、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第１ＳＯＩウェハを取得し、
構造ポストのセットのアレイを定めるために、前記デバイスレイヤでメサ・エッチングを実行し、構造ポストの各セットが、少なくとも１つの構造ポストを含み、
（ｉ）ハンドル・レイヤ、
（ｉｉ）前記ハンドル・レイヤ上の誘電体レイヤ、及び
（ｉｉｉ）前記誘電体レイヤ上のデバイスレイヤを含む第２ＳＯＩウェハを取得し、
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤを、前記第１ＳＯＩウェハの前記少なくとも１つの構造ポストにボンディングし、
前記第２ＳＯＩウェハの前記ハンドル・レイヤを除去し、
前記第２ＳＯＩウェハの前記誘電体レイヤを除去し、
前記ＭＥＭＳデバイスのアレイを定めるために、前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤをエッチングし、及び
結果として生じる構造を、個々のＭＥＭＳデバイスに分割する諸ステップを含む方法。
【請求項４１】
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４２】
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項２２に記載の方法。
【請求項４３】
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項２４に記載の方法。
【請求項４４】
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項３６に記載の方法。
【請求項４５】
前記ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項３９に記載の方法。
【請求項４６】
前記第２ＳＯＩウェハの前記デバイスレイヤが、前記ＭＥＭＳデバイスの形成に適合された厚さ、及び導電性によって特徴付けられる、請求項４０に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１３−１４００１（Ｐ２０１３−１４００１Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１９６２７３（Ｐ２０１２−１９６２７３）
【出願日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【分割の表示】特願２００７−５２１５８６（Ｐ２００７−５２１５８６）の分割
【原出願日】平成１７年７月１３日（２００５．７．１３）
【出願人】（５９１０１６９７６）ザ・チャールズ・スターク・ドレイパ・ラボラトリー・インコーポレイテッド (10)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【分割の表示】特願２００７−５２１５８６（Ｐ２００７−５２１５８６）の分割
【原出願日】平成１７年７月１３日（２００５．７．１３）
【出願人】（５９１０１６９７６）ザ・チャールズ・スターク・ドレイパ・ラボラトリー・インコーポレイテッド (10)
【Ｆターム（参考）】
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