ＭＥＭＳデバイスの製造方法
【課題】犠牲層を自己制御的に除去することができるＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス５０の製造方法は、まず、第１シリコン酸化膜５１上に、アルミ又はアルミ系合金からなる第１犠牲層５２ａを形成する。第１犠牲層５２ａは、ゲート電極の形成と同時に形成する。次に、第１犠牲層５２ａ上に、ＩＴＯからなる第２犠牲層５２ｂを形成する。第２犠牲層５２ｂは、画素電極の形成と同時に形成する。このような犠牲層５２上に、錘５８として機能する第２シリコン酸化膜５３、シリコン膜５４を形成し、所定の形状にパターンニングする。その後、電食反応を利用して、犠牲層５２に王水を接触させることにより、自己制御的に犠牲層５２を除去し、錘５８の下側に空洞を形成する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイス５０の製造方法は、まず、第１シリコン酸化膜５１上に、アルミ又はアルミ系合金からなる第１犠牲層５２ａを形成する。第１犠牲層５２ａは、ゲート電極の形成と同時に形成する。次に、第１犠牲層５２ａ上に、ＩＴＯからなる第２犠牲層５２ｂを形成する。第２犠牲層５２ｂは、画素電極の形成と同時に形成する。このような犠牲層５２上に、錘５８として機能する第２シリコン酸化膜５３、シリコン膜５４を形成し、所定の形状にパターンニングする。その後、電食反応を利用して、犠牲層５２に王水を接触させることにより、自己制御的に犠牲層５２を除去し、錘５８の下側に空洞を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に可動可能な状態で配置される可動物体を備えたＭＥＭＳデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記したＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイスは、微細加工技術を利用して形成され、例えば、加速度センサやジャイロセンサとして用いられる。具体的には、ＭＥＭＳデバイスは、半導体プロセスを利用して基板上に可動可能な状態で可動物体が配置される（例えば、梁によって錘が可動可能に支持されている）構造となっている。
【０００３】
具体的には、例えば、特許文献１に記載のように、基板上に後で除去する犠牲層が形成されており、犠牲層上に残す膜が形成されている。犠牲層は、例えば、シリコン酸化膜である。膜は、錘（可動物体）として機能させるものであり、例えば、シリコン膜である。
【０００４】
そして、犠牲層をエッチング溶液（例えば、フッ酸）を用いて除去して空洞化することにより、錘が膜からなる梁で支持され浮いた状態となる。そして、この浮いた膜を、可動可能な錘として機能させる。具体的には、この錘の変動を検知して、例えば、加速度や移動した方向等を求める。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１６５５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、犠牲層を除去した後の空洞にエッチング溶液が表面張力によって残り、これにより、錘として機能する膜がエッチング液によって引き寄せられ、膜と基板とが密着する（スティッキング）。これにより、錘が可動しなくなるという問題がある。また、エッチング液が隙間に入りにくいという問題がある。このような問題を避けるために、空洞の高さを高くすると、エッチングの処理時間が長くなる。また、気相エッチングを用いた場合、使用できる材料が限定されるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板上に電食反応を生じる犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に機能膜を形成する工程と、前記犠牲層を前記電食反応を用いて除去し前記機能膜の下に空洞を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、電食反応を利用することにより、自己制御的に犠牲層を除去する（侵食する）ことが可能となるので、犠牲層が除去された後の空洞化した領域にエッチング液が貼り付くことを抑えることが可能となる。よって、機能膜がエッチング溶液によって引き寄せられて、基板と機能膜とが密着すること（スティッキング）を防ぐことができる。その結果、機能膜の下を空洞化することができる。また、電食反応を利用するので、僅かな厚みの犠牲層を除去することができたり、エッチング処理時間を短縮したりすることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記機能膜は、可動可能に支持されていることを特徴とする。
【００１１】
この方法によれば、機能膜が可動可能に周囲に支持されているので、機能膜の下側を空洞化させることにより、機能膜を可動する膜として機能させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記犠牲層は、アルミ又はアルミ系合金とＩＴＯ合金とを含んで構成されることが好ましい。
【００１３】
この方法によれば、アルミ又はアルミ系合金とＩＴＯ合金とを用いるので、例えば、液晶装置等の電気光学装置の製造と一緒に、ＭＥＭＳデバイスを製造することができる。よって、新たな材料を準備することなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記アルミ又はアルミ系合金は、ゲート電極と同時に形成することが好ましい。
【００１５】
この方法によれば、ゲート電極と同時に犠牲層の一方を形成できるので、別に専用の製造工程を設けることなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記アルミ又はアルミ系合金は、ソース電極又はドレイン電極と同時に形成することが好ましい。
【００１７】
この方法によれば、ソース電極又はドレイン電極と同時に犠牲層の一方を形成できるので、別に専用の製造工程を設けることなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記アルミ又はアルミ系合金は、反射電極と同時に形成することが好ましい。
【００１９】
この方法によれば、反射電極と同時に犠牲層の一方を形成できるので、別に専用の製造工程を設けることなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記ＩＴＯ合金は、画素電極と同時に形成することが好ましい。
【００２１】
この方法によれば、画素電極と同時に犠牲層の一方を形成できるので、別に専用の製造工程を設けることなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記機能膜は、梁で支持された錘として機能し、センサの一部として用いられることが好ましい。
【００２３】
この方法によれば、機能膜が方向や加速度等を検出するための可動可能な錘として用いられるので、機能膜の下側を電食反応によって空洞化させることにより、錘を撓ませる（変動させる）ことが可能となり、センサとして有効に機能させることができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記犠牲層を形成する工程の前に、前記犠牲層と接触する前記基板又は前記基板上に形成された膜の表面を荒らすことが好ましい。
【００２５】
この方法によれば、犠牲層と接触する基板又は膜の表面に荒らした処理を施すことによって、エッチング液を分離させやすくすることが可能となり、基板又は膜と機能膜とが密着すること（スティッキング）を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、液晶装置の構成を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、図１に示す液晶装置は、図示上側が視認側（観察者側）、図示下側が光入射側である場合を示している。
【００２７】
図１に示すように、液晶装置１１は、素子基板１２と、対向基板１３と、素子基板１２と対向基板１３との間に挟持された液晶層１４とを有する。
【００２８】
素子基板１２は、ガラス等の透光性材料からなる基板としての第１基板１５と、第１基板１５の液晶層１４側に形成されたＴＦＴ素子１６と、その液晶層１４側に形成された画素電極１７及び第１配向膜１８と、を主体に構成されている。
【００２９】
具体的には、第１基板１５上（液晶層１４側）に、シリコン酸化膜等からなる下地保護膜（緩衝膜）２１が形成されており、下地保護膜２１上には、多結晶シリコンからなる半導体膜２２が所定のパターンで形成されている。半導体膜２２上には、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２３が形成されており、このゲート絶縁膜２３上には、ゲート電極２４が形成されている。ゲート電極２４は、例えば、アルミ膜からなる。
【００３０】
ゲート電極２４の側面は、例えば、ゲート絶縁膜２３の表面に対してテーパー状となっている。また、半導体膜２２のうち、ゲート絶縁膜２３を介してゲート電極２４と対向する領域が、ゲート電極２４からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域２５となっている。
【００３１】
半導体膜２２において、チャネル領域２５の一方側（図示左側）には、ソース領域２６が形成され、他方側（図示右側）にはドレイン領域２７が形成されている。そして、ゲート電極２４、ゲート絶縁膜２３、ソース電極２８、ドレイン電極２９、半導体膜２２のソース領域２６、チャネル領域２５、ドレイン領域２７等により、画素スイッチング用のＴＦＴ素子１６が構成されている。ソース電極２８及びドレイン電極２９は、例えば、アルミで構成されている。
【００３２】
画素スイッチング用のＴＦＴ素子１６は、ＬＤＤ構造を有するものとなっている。詳述すると、ソース領域２６には、不純物濃度が相対的に高いソース側高濃度領域２６と、相対的に低いソース側低濃度領域３１（ＬＤＤ領域）とが形成されている。ドレイン領域２７には、不純物濃度が相対的に高いドレイン側高濃度領域２７と、相対的に低いドレイン側低濃度領域３２（ＬＤＤ領域）が形成されている。
【００３３】
また、ゲート電極２４等が形成されたゲート絶縁膜２３上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜３３が形成されており、この第１層間絶縁膜３３上に、ソース電極２８及びドレイン電極２９が形成されている。ソース電極２８は、半導体膜２２のソース側高濃度領域２６に電気的に接続されている。ドレイン電極２９は、半導体膜２２のドレイン側高濃度領域２７に電気的に接続されている。
【００３４】
また、ソース電極２８、ドレイン電極２９が形成された第１層間絶縁膜３３上には、シリコン窒化膜等からなる第２層間絶縁膜３４が形成されており、第２層間絶縁膜３４上に、画素電極１７が形成されている。画素電極１７は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等の透明導電性材料からなり、第２層間絶縁膜３４に形成されたコンタクトホール３５を介して、ドレイン電極２９に電気的に接続されている。画素電極１７上には、液晶層１４内の液晶分子の配列を制御するための第１配向膜１８が形成されている。
【００３５】
また、半導体膜２２のドレイン側高濃度領域２７からの延設部分３６（下電極）に対して、ゲート絶縁膜２３と一体形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、ゲート電極２４と同層に形成された容量線３７が上電極として対向配置されており、これら延設部分３６と容量線３７により蓄積容量３８が形成されている。
【００３６】
一方、対向基板１３は、ガラス等の透光性材料からなる第２基板４１と、その液晶層１４側表面に形成された共通電極４２と、第２配向膜４３と、を主体として構成されている。
【００３７】
具体的には、第２基板４１の液晶層１４側表面に、液晶装置１１に太陽光等の入射した光が、少なくとも、半導体膜２２のチャネル領域２５及び低濃度領域３１，３２に入射することを防止するための遮光膜４４が形成されている。また、遮光膜４４が形成された第２基板４１上には、その略全面に渡って、ＩＴＯ等からなる共通電極４２が形成されている。共通電極４２上（液晶層１４側）には、液晶層１４内の液晶分子の配列を制御するための第２配向膜４３が形成されている。
【００３８】
図２及び図３は、ＭＥＭＳデバイスの製造方法を工程順に示す模式図である。各図（ａ）はＭＥＭＳデバイスの模式平面図であり、各図（ｂ）は各図（ａ）のＡ−Ａ'断面に沿う模式断面図である。以下、ＭＥＭＳデバイスの製造方法を、図２及び図３を参照しながら説明する。なお、図２及び図３に示すＭＥＭＳデバイス５０は、センサとして用いられ、例えば、図１に示す液晶装置１１の一部の領域に形成される。ＭＥＭＳデバイス５０の製造方法は、半導体製造プロセス及びＭＥＭＳ製造プロセスが用いられる。
【００３９】
図２に示すように、ＭＥＭＳデバイス５０の製造方法は、第１基板１５（図１参照）上にセンサを構成する錘（機能膜）として機能させる膜を形成する。具体的には、まず、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタ法等により、第１基板１５上に第１シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）５１を成膜する。なお、第１シリコン酸化膜５１は、液晶装置１１を構成する下地保護膜２１やゲート絶縁膜２３を形成する際に、一緒に成膜するようにしてもよい。
【００４０】
次に、第１シリコン酸化膜５１上に犠牲層５２を形成する。犠牲層５２は、例えば、アルミ又はアルミ系合金からなる第１犠牲層５２ａと、ＩＴＯ等の第２犠牲層５２ｂとからなる。例えば、アルミ膜からなるゲート電極２４の形成と同時に、第１犠牲層５２ａを形成する。第１犠牲層５２ａの厚みは、例えば、１００ｎｍである。第１犠牲層５２ａは、例えば、スパッタ法により形成することができる。
【００４１】
次に、例えば、画素電極１７の形成と同時に、第１犠牲層５２ａ上に第２犠牲層５２ｂを成膜技術を用いて形成する。第２犠牲層５２ｂの厚みは、例えば、１００ｎｍである。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとからなる犠牲層５２を所定の形状にパターンニングする。
【００４２】
次に、第１シリコン酸化膜５１及び犠牲層５２上に、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、シリコン酸化膜からなる第２シリコン酸化膜５３を形成する。その後、第２シリコン酸化膜５３上に、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、シリコン膜（Ｓｉ）５４を形成する。
【００４３】
その後、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、及びＭＥＭＳ技術を用いて、シリコン膜５４及び第２シリコン酸化膜５３の一部の領域を櫛歯状にパターンニングしたり、第１空洞部５５及び第２空洞部５６を形成したりする。
【００４４】
以上により、シリコン膜５４からなる梁５７によって、シリコン膜５４と第２シリコン酸化膜５３とからなる錘５８が支持される構成が完成する。
【００４５】
次に、図３に示すように、犠牲層５２を除去して、錘５８の下側に空洞６１を形成する。犠牲層５２を除去する方法として、電食反応を利用する。
【００４６】
電食反応とは、異なる金属同士の電位差を利用し、この金属にエッチング液を接触させることにより自己制御的に金属を除去する。エッチング液は、例えば、王水である。王水は、濃塩酸と濃硝酸とが１：３の割合で混合された溶液である。具体的には、王水を電解液として、第１犠牲層５２ａの腐食（酸化）と第２犠牲層５２ｂの溶解（還元）とによって、第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとが侵食する。
【００４７】
まず、犠牲層５２（第２犠牲層５２ｂ）に王水を接触させる。第２犠牲層５２ｂは王水により除々に溶解されていき、第１犠牲層５２ａに王水が接触した時点で、電食反応により、第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとが除去（侵食）される。もしくは、第１犠牲層５２ａが第２犠牲層５２ｂに覆われていない部分を予め形成しておき、第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとを王水に接触させることにより、電食反応で第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとが除去（侵食）される。より具体的には、王水の中における第１犠牲層５２ａの酸化電位と第２犠牲層５２ｂの還元電位との電位差が反応の駆動力となって、第１犠牲層５２ａの酸化と第２犠牲層５２ｂの還元が促進される。
【００４８】
このように、電食反応を利用して犠牲層５２（第１犠牲層５２ａ、第２犠牲層５２ｂ）を除去することにより、犠牲層５２が除去された後に、錘５８と第１シリコン酸化膜５１との間にエッチング液が残ることによる、スティッキング現象等の発生を抑えることができる。また、僅かな厚みの犠牲層５２であっても、電食反応により除去することができる。その結果、錘５８の下側に空洞６１が形成でき、ＭＥＭＳデバイス５０をセンサとして機能させることができる。
【００４９】
以上により、犠牲層５２が除去され、ＭＥＭＳデバイス（センサ）を構成する錘５８として機能する、第２シリコン酸化膜５３とシリコン膜５４とからなる積層体が浮いた状態となる。錘５８の形状は、図３（ａ）に示すように、前後左右方向の感度を見ることから、例えば、平面視で正方形であることが好ましい。また、液晶装置１１に上記のようなセンサを内蔵させるので、例えば、複数個のセンサを内蔵させることもできる。
【００５０】
次に、上記したセンサの一つである加速度センサについて説明する。加速度センサは、例えば、上記したように、錘５８を梁５７で支持する構成となっている。梁５７は、例えば、櫛歯形状に形成されている。また、櫛歯形状の梁５７に隣接して固定電極５９が設けられている。加速度センサは、例えば、静電容量型で検出しており、梁５７と固定電極５９の間の静電容量で変位を計測する。また、加速度センサに限定されず、ジャイロセンサなど各種のセンサに適用することもできる。
【００５１】
このようなＭＥＭＳデバイス５０を液晶装置１１に内蔵させることにより、例えば、液晶装置１１を備えた携帯電話を落下した際に、センサが落下を検知し、これにより、メモリが破損しないように保護するような使い方に適用できる。また、例えば、携帯電話の向きをセンサで検知し、この向きに応じて表示の向きを変えるような使い方に適用できる。
【００５２】
以上詳述したように、本実施形態のＭＥＭＳデバイス５０の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５３】
（１）本実施形態によれば、電食反応を利用することにより、自己制御的に犠牲層５２を除去する（侵食する）ことが可能となるので、犠牲層５２が除去された後の空洞６１部分に王水が貼り付くことを抑えることが可能となる。よって、第２シリコン酸化膜５３とシリコン膜５４とで積層された錘５８が王水によって引き寄せられて、第１シリコン酸化膜５１と錘５８とが密着すること（スティッキング）を防ぐことができる。その結果、錘５８の下を空洞化することができ、積層された膜を可動する錘５８として機能させることができる。また、電食反応を利用するので、僅かな厚みの犠牲層５２を除去することができたり、エッチング処理時間を短縮したりすることができる。
【００５４】
（２）本実施形態によれば、液晶装置１１に用いる材料で犠牲層５２（アルミ膜からなる第１犠牲層５２ａ、ＩＴＯからなる第２犠牲層５２ｂ）を構成するので、他の材料を新たに準備することなく、また、液晶装置１１の製造方法のプロセスと一緒に犠牲層５２を形成することが可能となり、効率よくＭＥＭＳデバイス５０を形成することができる。
【００５５】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００５６】
（変形例１）
上記したように、比較的平坦化されている第１シリコン酸化膜５１上に犠牲層５２（５２ａ，５２ｂ）を形成することに代えて、例えば、図４及び図５に示すように、ディンプル加工のような凸凹状６２の上に犠牲層５２を形成するようにすることが好ましい。図４は、犠牲層５２を除去する前のＭＥＭＳデバイス５０の構造を示す模式断面図である。図５は、犠牲層５２を除去した後のＭＥＭＳデバイス５０の構造を示す模式断面図である。第１シリコン酸化膜５１における犠牲層５２と接触する部分を凸凹状６２にする方法として、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成するようにしてもよい。凸凹状６２の形状は、不規則に荒らすようにしてもよい。第１犠牲層５２ａは、第１シリコン酸化膜５１の凸凹形状が反映されて、凸凹状に成膜される。凸凹形状は、丸形状でもいいし波形状でもよい。これによれば、表面張力の力が王水に伝わりにくく、王水を分離しやすくできる。その結果、犠牲層５２のエッチング性が向上し、スティッキングが発生することをより抑えることができる。
【００５７】
（変形例２）
上記したように、犠牲層５２は、第１犠牲層５２ａであるアルミ膜と第２犠牲層５２ｂであるＩＴＯとの組み合わせに限定されず、例えば、ディスプレイに用いる材料に限定されなければ、以下のような組み合わせの材料であってもよい。例えば、一方の金属材料を、金（Ａｕ）又は白金（Ｐｔ）で構成し、他方の金属を、ニクロム（ＮｉＣｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）又はタンタル（Ｔａ）で構成した組み合わせで使用するようにしてもよい。
【００５８】
（変形例３）
上記したように、ゲート電極２４と一緒に第１犠牲層５２ａを形成することに限定されず、例えば、ソース電極２８又はドレイン電極２９と一緒に形成するようにしてもよい。また、上記の他に、反射電極（図示せず）と一緒に形成するようにしてもよい。この場合、例えば、第２層間絶縁膜３４と画素電極１７との間に反射電極が形成されている。
【００５９】
（変形例４）
上記したように、犠牲層５２を第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとの２層構造にしたことに限定されず、例えば、３層構造など複数層の構造にするようにしてもよい。
【００６０】
（変形例５）
上記したように、液晶装置１１を製造する際一緒に、第１犠牲層５２ａ、第２犠牲層５２ｂ、第１シリコン酸化膜５１を形成することに限定されず、第２シリコン酸化膜５３やシリコン膜５４も一緒に形成するようにしてもよい。
【００６１】
（変形例６）
上記したように、犠牲層５２の周囲に形成された材料は、シリコン酸化膜（５１，５３）やシリコン膜（５４）で構成することに限定されず、例えば、以下のような材料を用いるようにしてもよい。シリコンウエハやＳＯＩ（Silicon On Insulator）を用いる場合では、シリコン酸化膜に代えて、シリコンを用いてもよい。また、ディスプレイの材料を使用する場合であれば、第１シリコン酸化膜に代えて、感光性アクリル樹脂を用いるようにしてもよい。また、シリコン膜に代えて、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）で構成するようにしてもよい。
【００６２】
（変形例７）
上記したように、ＭＥＭＳデバイス５０を液晶装置１１に内蔵させることに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置など電気光学装置に内蔵させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の構成を示す模式断面図。
【図２】ＭＥＭＳデバイスの製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図３】ＭＥＭＳデバイスの製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図４】ＭＥＭＳデバイスの製造方法の変形例を示す模式断面図。
【図５】ＭＥＭＳデバイスの製造方法の変形例を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００６４】
１１…液晶装置、１２…素子基板、１３…対向基板、１４…液晶層、１５…基板としての第１基板、１６…ＴＦＴ素子、１７…画素電極、１８…第１配向膜、２１…下地保護膜、２２…半導体膜、２３…ゲート絶縁膜、２４…ゲート電極、２５…チャネル領域、２６…ソース領域、２７…ドレイン領域、２８…ソース電極、２９…ドレイン電極、３１…ソース側低濃度領域、３２…ドレイン側低濃度領域、３３…第１層間絶縁膜、３４…第２層間絶縁膜、３５…コンタクトホール、３６…延設部分、３７…容量線、３８…蓄積容量、４１…第２基板、４２…共通電極、４３…第２配向膜、４４…遮光膜、５０…ＭＥＭＳデバイス、５１…第１シリコン酸化膜、５２…犠牲層、５２ａ…第１犠牲層、５２ｂ…第２犠牲層、５３…第２シリコン酸化膜、５４…シリコン膜、５５…第１空洞部、５６…第２空洞部、５７…梁、５８…機能膜としての錘、６１…空洞、６２…凸凹状。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に可動可能な状態で配置される可動物体を備えたＭＥＭＳデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記したＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイスは、微細加工技術を利用して形成され、例えば、加速度センサやジャイロセンサとして用いられる。具体的には、ＭＥＭＳデバイスは、半導体プロセスを利用して基板上に可動可能な状態で可動物体が配置される（例えば、梁によって錘が可動可能に支持されている）構造となっている。
【０００３】
具体的には、例えば、特許文献１に記載のように、基板上に後で除去する犠牲層が形成されており、犠牲層上に残す膜が形成されている。犠牲層は、例えば、シリコン酸化膜である。膜は、錘（可動物体）として機能させるものであり、例えば、シリコン膜である。
【０００４】
そして、犠牲層をエッチング溶液（例えば、フッ酸）を用いて除去して空洞化することにより、錘が膜からなる梁で支持され浮いた状態となる。そして、この浮いた膜を、可動可能な錘として機能させる。具体的には、この錘の変動を検知して、例えば、加速度や移動した方向等を求める。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１６５５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、犠牲層を除去した後の空洞にエッチング溶液が表面張力によって残り、これにより、錘として機能する膜がエッチング液によって引き寄せられ、膜と基板とが密着する（スティッキング）。これにより、錘が可動しなくなるという問題がある。また、エッチング液が隙間に入りにくいという問題がある。このような問題を避けるために、空洞の高さを高くすると、エッチングの処理時間が長くなる。また、気相エッチングを用いた場合、使用できる材料が限定されるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板上に電食反応を生じる犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に機能膜を形成する工程と、前記犠牲層を前記電食反応を用いて除去し前記機能膜の下に空洞を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この方法によれば、電食反応を利用することにより、自己制御的に犠牲層を除去する（侵食する）ことが可能となるので、犠牲層が除去された後の空洞化した領域にエッチング液が貼り付くことを抑えることが可能となる。よって、機能膜がエッチング溶液によって引き寄せられて、基板と機能膜とが密着すること（スティッキング）を防ぐことができる。その結果、機能膜の下を空洞化することができる。また、電食反応を利用するので、僅かな厚みの犠牲層を除去することができたり、エッチング処理時間を短縮したりすることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記機能膜は、可動可能に支持されていることを特徴とする。
【００１１】
この方法によれば、機能膜が可動可能に周囲に支持されているので、機能膜の下側を空洞化させることにより、機能膜を可動する膜として機能させることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記犠牲層は、アルミ又はアルミ系合金とＩＴＯ合金とを含んで構成されることが好ましい。
【００１３】
この方法によれば、アルミ又はアルミ系合金とＩＴＯ合金とを用いるので、例えば、液晶装置等の電気光学装置の製造と一緒に、ＭＥＭＳデバイスを製造することができる。よって、新たな材料を準備することなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記アルミ又はアルミ系合金は、ゲート電極と同時に形成することが好ましい。
【００１５】
この方法によれば、ゲート電極と同時に犠牲層の一方を形成できるので、別に専用の製造工程を設けることなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記アルミ又はアルミ系合金は、ソース電極又はドレイン電極と同時に形成することが好ましい。
【００１７】
この方法によれば、ソース電極又はドレイン電極と同時に犠牲層の一方を形成できるので、別に専用の製造工程を設けることなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記アルミ又はアルミ系合金は、反射電極と同時に形成することが好ましい。
【００１９】
この方法によれば、反射電極と同時に犠牲層の一方を形成できるので、別に専用の製造工程を設けることなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記ＩＴＯ合金は、画素電極と同時に形成することが好ましい。
【００２１】
この方法によれば、画素電極と同時に犠牲層の一方を形成できるので、別に専用の製造工程を設けることなく、効率的にＭＥＭＳデバイスを製造することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記機能膜は、梁で支持された錘として機能し、センサの一部として用いられることが好ましい。
【００２３】
この方法によれば、機能膜が方向や加速度等を検出するための可動可能な錘として用いられるので、機能膜の下側を電食反応によって空洞化させることにより、錘を撓ませる（変動させる）ことが可能となり、センサとして有効に機能させることができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、前記犠牲層を形成する工程の前に、前記犠牲層と接触する前記基板又は前記基板上に形成された膜の表面を荒らすことが好ましい。
【００２５】
この方法によれば、犠牲層と接触する基板又は膜の表面に荒らした処理を施すことによって、エッチング液を分離させやすくすることが可能となり、基板又は膜と機能膜とが密着すること（スティッキング）を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、液晶装置の構成を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、図１に示す液晶装置は、図示上側が視認側（観察者側）、図示下側が光入射側である場合を示している。
【００２７】
図１に示すように、液晶装置１１は、素子基板１２と、対向基板１３と、素子基板１２と対向基板１３との間に挟持された液晶層１４とを有する。
【００２８】
素子基板１２は、ガラス等の透光性材料からなる基板としての第１基板１５と、第１基板１５の液晶層１４側に形成されたＴＦＴ素子１６と、その液晶層１４側に形成された画素電極１７及び第１配向膜１８と、を主体に構成されている。
【００２９】
具体的には、第１基板１５上（液晶層１４側）に、シリコン酸化膜等からなる下地保護膜（緩衝膜）２１が形成されており、下地保護膜２１上には、多結晶シリコンからなる半導体膜２２が所定のパターンで形成されている。半導体膜２２上には、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２３が形成されており、このゲート絶縁膜２３上には、ゲート電極２４が形成されている。ゲート電極２４は、例えば、アルミ膜からなる。
【００３０】
ゲート電極２４の側面は、例えば、ゲート絶縁膜２３の表面に対してテーパー状となっている。また、半導体膜２２のうち、ゲート絶縁膜２３を介してゲート電極２４と対向する領域が、ゲート電極２４からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域２５となっている。
【００３１】
半導体膜２２において、チャネル領域２５の一方側（図示左側）には、ソース領域２６が形成され、他方側（図示右側）にはドレイン領域２７が形成されている。そして、ゲート電極２４、ゲート絶縁膜２３、ソース電極２８、ドレイン電極２９、半導体膜２２のソース領域２６、チャネル領域２５、ドレイン領域２７等により、画素スイッチング用のＴＦＴ素子１６が構成されている。ソース電極２８及びドレイン電極２９は、例えば、アルミで構成されている。
【００３２】
画素スイッチング用のＴＦＴ素子１６は、ＬＤＤ構造を有するものとなっている。詳述すると、ソース領域２６には、不純物濃度が相対的に高いソース側高濃度領域２６と、相対的に低いソース側低濃度領域３１（ＬＤＤ領域）とが形成されている。ドレイン領域２７には、不純物濃度が相対的に高いドレイン側高濃度領域２７と、相対的に低いドレイン側低濃度領域３２（ＬＤＤ領域）が形成されている。
【００３３】
また、ゲート電極２４等が形成されたゲート絶縁膜２３上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜３３が形成されており、この第１層間絶縁膜３３上に、ソース電極２８及びドレイン電極２９が形成されている。ソース電極２８は、半導体膜２２のソース側高濃度領域２６に電気的に接続されている。ドレイン電極２９は、半導体膜２２のドレイン側高濃度領域２７に電気的に接続されている。
【００３４】
また、ソース電極２８、ドレイン電極２９が形成された第１層間絶縁膜３３上には、シリコン窒化膜等からなる第２層間絶縁膜３４が形成されており、第２層間絶縁膜３４上に、画素電極１７が形成されている。画素電極１７は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等の透明導電性材料からなり、第２層間絶縁膜３４に形成されたコンタクトホール３５を介して、ドレイン電極２９に電気的に接続されている。画素電極１７上には、液晶層１４内の液晶分子の配列を制御するための第１配向膜１８が形成されている。
【００３５】
また、半導体膜２２のドレイン側高濃度領域２７からの延設部分３６（下電極）に対して、ゲート絶縁膜２３と一体形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、ゲート電極２４と同層に形成された容量線３７が上電極として対向配置されており、これら延設部分３６と容量線３７により蓄積容量３８が形成されている。
【００３６】
一方、対向基板１３は、ガラス等の透光性材料からなる第２基板４１と、その液晶層１４側表面に形成された共通電極４２と、第２配向膜４３と、を主体として構成されている。
【００３７】
具体的には、第２基板４１の液晶層１４側表面に、液晶装置１１に太陽光等の入射した光が、少なくとも、半導体膜２２のチャネル領域２５及び低濃度領域３１，３２に入射することを防止するための遮光膜４４が形成されている。また、遮光膜４４が形成された第２基板４１上には、その略全面に渡って、ＩＴＯ等からなる共通電極４２が形成されている。共通電極４２上（液晶層１４側）には、液晶層１４内の液晶分子の配列を制御するための第２配向膜４３が形成されている。
【００３８】
図２及び図３は、ＭＥＭＳデバイスの製造方法を工程順に示す模式図である。各図（ａ）はＭＥＭＳデバイスの模式平面図であり、各図（ｂ）は各図（ａ）のＡ−Ａ'断面に沿う模式断面図である。以下、ＭＥＭＳデバイスの製造方法を、図２及び図３を参照しながら説明する。なお、図２及び図３に示すＭＥＭＳデバイス５０は、センサとして用いられ、例えば、図１に示す液晶装置１１の一部の領域に形成される。ＭＥＭＳデバイス５０の製造方法は、半導体製造プロセス及びＭＥＭＳ製造プロセスが用いられる。
【００３９】
図２に示すように、ＭＥＭＳデバイス５０の製造方法は、第１基板１５（図１参照）上にセンサを構成する錘（機能膜）として機能させる膜を形成する。具体的には、まず、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタ法等により、第１基板１５上に第１シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）５１を成膜する。なお、第１シリコン酸化膜５１は、液晶装置１１を構成する下地保護膜２１やゲート絶縁膜２３を形成する際に、一緒に成膜するようにしてもよい。
【００４０】
次に、第１シリコン酸化膜５１上に犠牲層５２を形成する。犠牲層５２は、例えば、アルミ又はアルミ系合金からなる第１犠牲層５２ａと、ＩＴＯ等の第２犠牲層５２ｂとからなる。例えば、アルミ膜からなるゲート電極２４の形成と同時に、第１犠牲層５２ａを形成する。第１犠牲層５２ａの厚みは、例えば、１００ｎｍである。第１犠牲層５２ａは、例えば、スパッタ法により形成することができる。
【００４１】
次に、例えば、画素電極１７の形成と同時に、第１犠牲層５２ａ上に第２犠牲層５２ｂを成膜技術を用いて形成する。第２犠牲層５２ｂの厚みは、例えば、１００ｎｍである。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとからなる犠牲層５２を所定の形状にパターンニングする。
【００４２】
次に、第１シリコン酸化膜５１及び犠牲層５２上に、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、シリコン酸化膜からなる第２シリコン酸化膜５３を形成する。その後、第２シリコン酸化膜５３上に、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により、シリコン膜（Ｓｉ）５４を形成する。
【００４３】
その後、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、及びＭＥＭＳ技術を用いて、シリコン膜５４及び第２シリコン酸化膜５３の一部の領域を櫛歯状にパターンニングしたり、第１空洞部５５及び第２空洞部５６を形成したりする。
【００４４】
以上により、シリコン膜５４からなる梁５７によって、シリコン膜５４と第２シリコン酸化膜５３とからなる錘５８が支持される構成が完成する。
【００４５】
次に、図３に示すように、犠牲層５２を除去して、錘５８の下側に空洞６１を形成する。犠牲層５２を除去する方法として、電食反応を利用する。
【００４６】
電食反応とは、異なる金属同士の電位差を利用し、この金属にエッチング液を接触させることにより自己制御的に金属を除去する。エッチング液は、例えば、王水である。王水は、濃塩酸と濃硝酸とが１：３の割合で混合された溶液である。具体的には、王水を電解液として、第１犠牲層５２ａの腐食（酸化）と第２犠牲層５２ｂの溶解（還元）とによって、第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとが侵食する。
【００４７】
まず、犠牲層５２（第２犠牲層５２ｂ）に王水を接触させる。第２犠牲層５２ｂは王水により除々に溶解されていき、第１犠牲層５２ａに王水が接触した時点で、電食反応により、第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとが除去（侵食）される。もしくは、第１犠牲層５２ａが第２犠牲層５２ｂに覆われていない部分を予め形成しておき、第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとを王水に接触させることにより、電食反応で第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとが除去（侵食）される。より具体的には、王水の中における第１犠牲層５２ａの酸化電位と第２犠牲層５２ｂの還元電位との電位差が反応の駆動力となって、第１犠牲層５２ａの酸化と第２犠牲層５２ｂの還元が促進される。
【００４８】
このように、電食反応を利用して犠牲層５２（第１犠牲層５２ａ、第２犠牲層５２ｂ）を除去することにより、犠牲層５２が除去された後に、錘５８と第１シリコン酸化膜５１との間にエッチング液が残ることによる、スティッキング現象等の発生を抑えることができる。また、僅かな厚みの犠牲層５２であっても、電食反応により除去することができる。その結果、錘５８の下側に空洞６１が形成でき、ＭＥＭＳデバイス５０をセンサとして機能させることができる。
【００４９】
以上により、犠牲層５２が除去され、ＭＥＭＳデバイス（センサ）を構成する錘５８として機能する、第２シリコン酸化膜５３とシリコン膜５４とからなる積層体が浮いた状態となる。錘５８の形状は、図３（ａ）に示すように、前後左右方向の感度を見ることから、例えば、平面視で正方形であることが好ましい。また、液晶装置１１に上記のようなセンサを内蔵させるので、例えば、複数個のセンサを内蔵させることもできる。
【００５０】
次に、上記したセンサの一つである加速度センサについて説明する。加速度センサは、例えば、上記したように、錘５８を梁５７で支持する構成となっている。梁５７は、例えば、櫛歯形状に形成されている。また、櫛歯形状の梁５７に隣接して固定電極５９が設けられている。加速度センサは、例えば、静電容量型で検出しており、梁５７と固定電極５９の間の静電容量で変位を計測する。また、加速度センサに限定されず、ジャイロセンサなど各種のセンサに適用することもできる。
【００５１】
このようなＭＥＭＳデバイス５０を液晶装置１１に内蔵させることにより、例えば、液晶装置１１を備えた携帯電話を落下した際に、センサが落下を検知し、これにより、メモリが破損しないように保護するような使い方に適用できる。また、例えば、携帯電話の向きをセンサで検知し、この向きに応じて表示の向きを変えるような使い方に適用できる。
【００５２】
以上詳述したように、本実施形態のＭＥＭＳデバイス５０の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５３】
（１）本実施形態によれば、電食反応を利用することにより、自己制御的に犠牲層５２を除去する（侵食する）ことが可能となるので、犠牲層５２が除去された後の空洞６１部分に王水が貼り付くことを抑えることが可能となる。よって、第２シリコン酸化膜５３とシリコン膜５４とで積層された錘５８が王水によって引き寄せられて、第１シリコン酸化膜５１と錘５８とが密着すること（スティッキング）を防ぐことができる。その結果、錘５８の下を空洞化することができ、積層された膜を可動する錘５８として機能させることができる。また、電食反応を利用するので、僅かな厚みの犠牲層５２を除去することができたり、エッチング処理時間を短縮したりすることができる。
【００５４】
（２）本実施形態によれば、液晶装置１１に用いる材料で犠牲層５２（アルミ膜からなる第１犠牲層５２ａ、ＩＴＯからなる第２犠牲層５２ｂ）を構成するので、他の材料を新たに準備することなく、また、液晶装置１１の製造方法のプロセスと一緒に犠牲層５２を形成することが可能となり、効率よくＭＥＭＳデバイス５０を形成することができる。
【００５５】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００５６】
（変形例１）
上記したように、比較的平坦化されている第１シリコン酸化膜５１上に犠牲層５２（５２ａ，５２ｂ）を形成することに代えて、例えば、図４及び図５に示すように、ディンプル加工のような凸凹状６２の上に犠牲層５２を形成するようにすることが好ましい。図４は、犠牲層５２を除去する前のＭＥＭＳデバイス５０の構造を示す模式断面図である。図５は、犠牲層５２を除去した後のＭＥＭＳデバイス５０の構造を示す模式断面図である。第１シリコン酸化膜５１における犠牲層５２と接触する部分を凸凹状６２にする方法として、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成するようにしてもよい。凸凹状６２の形状は、不規則に荒らすようにしてもよい。第１犠牲層５２ａは、第１シリコン酸化膜５１の凸凹形状が反映されて、凸凹状に成膜される。凸凹形状は、丸形状でもいいし波形状でもよい。これによれば、表面張力の力が王水に伝わりにくく、王水を分離しやすくできる。その結果、犠牲層５２のエッチング性が向上し、スティッキングが発生することをより抑えることができる。
【００５７】
（変形例２）
上記したように、犠牲層５２は、第１犠牲層５２ａであるアルミ膜と第２犠牲層５２ｂであるＩＴＯとの組み合わせに限定されず、例えば、ディスプレイに用いる材料に限定されなければ、以下のような組み合わせの材料であってもよい。例えば、一方の金属材料を、金（Ａｕ）又は白金（Ｐｔ）で構成し、他方の金属を、ニクロム（ＮｉＣｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）又はタンタル（Ｔａ）で構成した組み合わせで使用するようにしてもよい。
【００５８】
（変形例３）
上記したように、ゲート電極２４と一緒に第１犠牲層５２ａを形成することに限定されず、例えば、ソース電極２８又はドレイン電極２９と一緒に形成するようにしてもよい。また、上記の他に、反射電極（図示せず）と一緒に形成するようにしてもよい。この場合、例えば、第２層間絶縁膜３４と画素電極１７との間に反射電極が形成されている。
【００５９】
（変形例４）
上記したように、犠牲層５２を第１犠牲層５２ａと第２犠牲層５２ｂとの２層構造にしたことに限定されず、例えば、３層構造など複数層の構造にするようにしてもよい。
【００６０】
（変形例５）
上記したように、液晶装置１１を製造する際一緒に、第１犠牲層５２ａ、第２犠牲層５２ｂ、第１シリコン酸化膜５１を形成することに限定されず、第２シリコン酸化膜５３やシリコン膜５４も一緒に形成するようにしてもよい。
【００６１】
（変形例６）
上記したように、犠牲層５２の周囲に形成された材料は、シリコン酸化膜（５１，５３）やシリコン膜（５４）で構成することに限定されず、例えば、以下のような材料を用いるようにしてもよい。シリコンウエハやＳＯＩ（Silicon On Insulator）を用いる場合では、シリコン酸化膜に代えて、シリコンを用いてもよい。また、ディスプレイの材料を使用する場合であれば、第１シリコン酸化膜に代えて、感光性アクリル樹脂を用いるようにしてもよい。また、シリコン膜に代えて、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）で構成するようにしてもよい。
【００６２】
（変形例７）
上記したように、ＭＥＭＳデバイス５０を液晶装置１１に内蔵させることに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置など電気光学装置に内蔵させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の構成を示す模式断面図。
【図２】ＭＥＭＳデバイスの製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図３】ＭＥＭＳデバイスの製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図４】ＭＥＭＳデバイスの製造方法の変形例を示す模式断面図。
【図５】ＭＥＭＳデバイスの製造方法の変形例を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００６４】
１１…液晶装置、１２…素子基板、１３…対向基板、１４…液晶層、１５…基板としての第１基板、１６…ＴＦＴ素子、１７…画素電極、１８…第１配向膜、２１…下地保護膜、２２…半導体膜、２３…ゲート絶縁膜、２４…ゲート電極、２５…チャネル領域、２６…ソース領域、２７…ドレイン領域、２８…ソース電極、２９…ドレイン電極、３１…ソース側低濃度領域、３２…ドレイン側低濃度領域、３３…第１層間絶縁膜、３４…第２層間絶縁膜、３５…コンタクトホール、３６…延設部分、３７…容量線、３８…蓄積容量、４１…第２基板、４２…共通電極、４３…第２配向膜、４４…遮光膜、５０…ＭＥＭＳデバイス、５１…第１シリコン酸化膜、５２…犠牲層、５２ａ…第１犠牲層、５２ｂ…第２犠牲層、５３…第２シリコン酸化膜、５４…シリコン膜、５５…第１空洞部、５６…第２空洞部、５７…梁、５８…機能膜としての錘、６１…空洞、６２…凸凹状。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電食反応を生じる犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に機能膜を形成する工程と、
前記犠牲層を前記電食反応を用いて除去し前記機能膜の下に空洞を形成する工程と、
を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記機能膜は、可動可能に支持されていることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記犠牲層は、アルミ又はアルミ系合金とＩＴＯ合金とを含んで構成されることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記アルミ又はアルミ系合金は、ゲート電極と同時に形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記アルミ又はアルミ系合金は、ソース電極又はドレイン電極と同時に形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記アルミ又はアルミ系合金は、反射電極と同時に形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記ＩＴＯ合金は、画素電極と同時に形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記機能膜は、梁で支持された錘として機能し、センサの一部として用いられることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記犠牲層を形成する工程の前に、前記犠牲層と接触する前記基板又は前記基板上に形成された膜の表面を荒らすことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項１】
基板上に電食反応を生じる犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に機能膜を形成する工程と、
前記犠牲層を前記電食反応を用いて除去し前記機能膜の下に空洞を形成する工程と、
を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記機能膜は、可動可能に支持されていることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記犠牲層は、アルミ又はアルミ系合金とＩＴＯ合金とを含んで構成されることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記アルミ又はアルミ系合金は、ゲート電極と同時に形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記アルミ又はアルミ系合金は、ソース電極又はドレイン電極と同時に形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記アルミ又はアルミ系合金は、反射電極と同時に形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記ＩＴＯ合金は、画素電極と同時に形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記機能膜は、梁で支持された錘として機能し、センサの一部として用いられることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
前記犠牲層を形成する工程の前に、前記犠牲層と接触する前記基板又は前記基板上に形成された膜の表面を荒らすことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−１３６９３４（Ｐ２００９−１３６９３４Ａ）
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３１３１４６（Ｐ２００７−３１３１４６）
【出願日】平成１９年１２月４日（２００７．１２．４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月４日（２００７．１２．４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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