ＭＥＭＳデバイス
【課題】高周波信号の損失を低減することができるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられ、信号が通過する固定電極１２と、基板１１の上方に固定電極１２と対向して設けられ、信号が通過する可動電極１４と、基板１１内に設けられ、可動電極１４を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線ＤＬと、基板１１内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するためのビア抵抗ＲＶａと、を備え、固定電極１２または可動電極１４は、ビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬと接続されている。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられ、信号が通過する固定電極１２と、基板１１の上方に固定電極１２と対向して設けられ、信号が通過する可動電極１４と、基板１１内に設けられ、可動電極１４を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線ＤＬと、基板１１内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するためのビア抵抗ＲＶａと、を備え、固定電極１２または可動電極１４は、ビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬと接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いて作製される、ＭＥＭＳデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話をはじめとする移動体通信（モバイル通信）の市場が拡大するとともに、そのサービスの高機能化が進展している。
【０００３】
それに伴って、移動体通信に利用される周波数は、次第にギガヘルツ（ＧＨｚ）以上の高い周波数帯にシフトし、多チャンネル化される傾向にある。また、ソフトウエア無線（ＳＤＲ：Software-Defined-Radio）技術の将来的な導入の可能性も盛んに検討されている。
【０００４】
チューニング可能な高周波（ＲＦ：Radio Frequency）用デバイスとして、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳデバイスが注目されている。ＭＥＭＳデバイスには高いＱ値（クオリティファクタ）が得られるという利点があり、様々な形態のＭＥＭＳデバイスが提案されている（非特許文献１〜３）。
【０００５】
そのようなＭＥＭＳデバイスの１つに可変キャパシタがある。
【０００６】
図２０は、可変キャパシタ４の適用の例を示す図である。
【０００７】
図２０（ａ）において、可変キャパシタ４ａ〜４ｃは、信号線路１上に共振器２ａ、２ｂを挟んで直列に接続されている。つまり、可変キャパシタ４ａ〜４ｃは、共振器２ａ、２ｂを結合するためのカップリングキャパシタとして用いられている。
【０００８】
図２０（ｂ）において、可変キャパシタ４ｄ、４ｅは、信号線路１とグランドとの間に並列に接続され、インダクタ３とともにπ型の共振回路を構成している。
【０００９】
また、非特許文献３には、ＭＥＭＳ可変キャパシタをＣＰＷ（Coplanar Waveguide）線路を跨ぐように配置して可変分布定数共振器を構成し、複数の可変分布定数共振器を直列に接続してＭＥＭＳ可変フィルタを構成することが開示されている。
【００１０】
図２１は、従来の一般的な可変キャパシタ８０を示す図である。図２１（ａ）は平面図であり、図２１（ｂ）はそのＸ−Ｘ線矢視断面図である。
【００１１】
図２１に示すように、可変キャパシタ８０は、基板８１上に、固定電極８２、可動電極８４、アンカー部８５ａ、８５ｂ、高周波信号が入力される入力信号線路８６、および、高周波信号が出力される出力信号線路８７などを有している。
【００１２】
入力信号線路８６は、固定電極８２に接続されている。また、出力信号線路８７は、支線路８７ａ、８７ｂを有し、支線路８７ａ、８７ｂおよびアンカー部８５ａ、８５ｂを介して可動電極８４に接続されている。
【００１３】
基板８１内には駆動配線ＤＬおよびグランド配線ＧＬが設けられており、固定電極８２はビア８８ａを介して駆動配線ＤＬに接続され、可動電極８４はアンカー部８５ａ、８５ｂ、支線路８７ａ、８７ｂ、およびビア８８ｂ、８８ｃを介してグランド配線ＧＬに接続されている。このような構成により、固定電極８２と可動電極８４との間には、駆動電圧を供給することが可能になっている。
【００１４】
よって、固定電極８２および可動電極８４は、可変キャパシタ８０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【００１５】
なお、固定電極８２と可動電極８４との両電極間に駆動電圧が供給されると、静電引力が作用して両電極間の距離が変化することにより、可変キャパシタ８０の静電容量が変化する。
【００１６】
図２２も、従来の一般的な可変キャパシタ９０を示す図である。図２２（ａ）は平面図であり、図２２（ｂ）はそのＹ−Ｙ線矢視断面図である。
【００１７】
図２２に示すように、可変キャパシタ９０は、駆動電極９１ａ、９１ｂが固定電極８２と独立して設けられており、駆動電極９１ａ、９１ｂがビア８８ｄ、８８ｅを介して駆動配線ＤＬに接続されている点で、可変キャパシタ８０とは異なる。
【００１８】
そのほかに、可動電極が複数配置された可動ヘッド部、基板表面に形成され、可動電極と対向する複数の固定電極、可動ヘッド部に連結され、一端が基板に固定されている圧電駆動部とを備えた容量可変キャパシタが提案されている（特許文献１）。
【００１９】
また、主面上に少なくとも２個のキャパシタ電極が互いに絶縁を保持されて形成された絶縁基板と、絶縁材によって形成され各キャパシタ電極に跨る外形を有してこれらキャパシタ電極との間にそれぞれキャパシタを構成する導電体が形成されたアクチュエータと、アクチュエータを絶縁基板の主面に対して接離動作させる駆動手段とを備える容量可変型キャパシタ装置が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００２０】
【非特許文献１】D. Peroulis et al,“Tunable Lumped Components with Applications to Reconfigurable MEMS Filters”, 2001 IEEE MTT-S Digest, p341-344
【非特許文献２】E. Fourn et al, “MEMS Switchable Interdigital Coplanar Filter”, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol.51, NO.1 p320-324, January 2003
【非特許文献３】A. A. Tamijani et al, “Miniature and Tunable Filters Using MEMS Capacitors ”, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol.51, NO.7, p1878-1885, July 2003
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２００６−９３４６３
【特許文献２】特開２００３−１２４０６３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
さて、従来のＭＥＭＳデバイスには、高周波回路に適用した場合に、高周波信号の損失が発生するという問題があった。
【００２３】
例えば、図２１に示す可変キャパシタ８０において、固定電極８２に入力される高周波信号が駆動配線ＤＬに漏洩するという問題があった。また、図２２に示す可変キャパシタ９０において、駆動電極９１ａ、９１ｂと周辺回路との間の寄生容量によって、高周波信号が駆動配線ＤＬに漏洩するという問題があった。
【００２４】
従来は、バイアスＴ回路を介して高周波信号および駆動電圧を入力することなどによりこれらの問題に対処していたが、高周波信号の漏洩を防止するのに十分とはいえなかった。
【００２５】
本発明は、このような従来のＭＥＭＳデバイスの問題点に鑑みてなされたもので、高周波信号の損失を低減することができるＭＥＭＳデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
以下に述べるＭＥＭＳデバイスは、基板と、前記基板上に設けられ、信号が通過する固定電極と、前記基板の上方に前記固定電極と対向して設けられ、信号が通過する可動電極と、前記基板内に設けられ、前記可動電極を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線と、前記基板内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するための第一の抵抗体と、を備え、前記固定電極または前記可動電極は、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されている。
【００２７】
または、基板と、前記基板上に設けられ、信号が通過する固定電極と、前記基板の上方に前記固定電極と対向して設けられ、信号が通過する可動電極と、前記基板内に設けられ、前記可動電極を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線と、前記基板内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するための第一の抵抗体と、前記基板上に前記可動電極と対向して設けられ、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されている駆動電極と、を備える。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、高周波信号の損失を低減することができるＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第一の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図である。
【図２】図１に示す可変キャパシタの断面図である。
【図３】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図４】第二の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図である。
【図５】図４に示す可変キャパシタの断面図である。
【図６】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図７】第三の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図および断面図である。
【図８】図７に示す可変キャパシタの断面図である。
【図９】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図１０】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図１１】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図１２】第四の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図および断面図である。
【図１３】図１２に示す可変キャパシタの断面図である。
【図１４】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図１５】第五の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図である。
【図１６】図１５に示す可変キャパシタの断面図である。
【図１７】第六の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図である。
【図１８】図１７に示す可変キャパシタの断面図である。
【図１９】可変フィルタの例を示す斜視図である。
【図２０】可変キャパシタの適用の例を示す図である。
【図２１】従来の一般的な可変キャパシタを示す図である。
【図２２】従来の一般的な可変キャパシタを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下の説明に用いる図においては、可変キャパシタおよび基板内部などの構造をわかりやすくするために、各部の寸法の比率が実際の比率とは異なる比率で示されていることがある。また、基板については、平面図への図示を省略している。
【００３１】
〔第一の実施形態〕
図１は第一の実施形態における可変キャパシタ１０の例を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００３２】
図１および図２に示すように、可変キャパシタ１０は、基板１１上に、固定電極１２、可動電極１４、アンカー部１５ａ、１５ｂ、第一の信号線路１６、および第二の信号線路１７などを有している。
【００３３】
基板１１は、複数の絶縁層からなる多層構造になっている。基板１１内には、駆動電圧を供給（印加）するための駆動配線ＤＬおよびグランド配線ＧＬが設けられている。本実施形態では、絶縁層１１０ａ〜１１０ｃからなる３層構造になっており、絶縁層１１０ａ、１１０ｂ間に駆動配線ＤＬが形成されており、絶縁層１１０ｂ、１１０ｃ間にグランド配線ＧＬが形成されている。各絶縁層１１０ａ〜１１０ｃの厚さは、例えば、１０μｍ〜数百μｍ程度である。
【００３４】
以降、絶縁層１１０ａ〜１１０ｃに共通する事項を説明するときは、「絶縁層１１０」と総称することがある。
【００３５】
基板１１として、例えば、多層配線基板である低温同時焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）が用いられる。
【００３６】
固定電極１２は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）などの導電性材料からなり、基板１１の表面に形成されている。ただし、第一の信号線路１６の端部を固定電極１２として利用してもよい。固定電極１２は、例えば、高周波回路における信号線路の一部となる。
【００３７】
可動電極１４は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）などの導電性材料からなり、その中央部が固定電極１２と空隙を介して対向するように架橋された状態で基板１１の上方に形成されている。可動電極１４は、アンカー部１５ａ、１５ｂによって両持ち張りの状態で支持されている。可動電極１４は、例えば、高周波回路における信号線路の一部となる。
【００３８】
アンカー部１５ａ、１５ｂは、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）などの導電性材料からなり、可動電極１４をその両側で支持するように、第二の信号線路１７の支線路１７ａ、１７ｂの延伸方向の一部の上面に形成されている。
【００３９】
第一の信号線路１６は、可動電極１４の架橋方向と直交する方向に延伸するように基板１１の表面に形成されており、固定電極１２に接続されている。
【００４０】
第二の信号線路１７は、支線路１７ａ、１７ｂを有し、第一の信号線路１６の延伸方向と同一の方向に延伸するように基板１１の表面に形成されており、支線路１７ａ、１７ｂおよびアンカー部１５ａ、１５ｂを介して可動電極１４に接続されている。
【００４１】
第一の信号線路１６および第二の信号線路１７は、グランド配線ＧＬなどとともにいわゆるマイクロストリップラインを構成している。
【００４２】
本実施形態では、可変キャパシタ１０は、第一の信号線路１６が高周波信号の入力側となり、第二の信号線路１７が高周波信号の出力側となるように、高周波回路に接続されるものとする。ただし、高周波信号の入力側および出力側が本実施形態とは逆になるように可変キャパシタ１０を接続してもよい。後述する他の実施形態における可変キャパシタについても同様である。なお、本実施形態においては、高周波信号として、１ＭＨｚ以上の周波数の信号を想定している。
【００４３】
図２に示すように、固定電極１２および可動電極１４は、基板１１の内部に設けられている配線にそれぞれ接続される。ただし、その接続には２つの形態があり、図２（ａ）は第一の接続パターンを示しており、図２（ｂ）は第二の接続パターンを示している。
【００４４】
図２（ａ）の第一の接続パターンにおいて、固定電極１２は、その直下の基板１１内に設けられているビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。また、可動電極１４は、アンカー部１５ａ、１５ｂ、支線路１７ａ、１７ｂ、および支線路１７ａ、１７ｂの直下の基板１１内にそれぞれ設けられているビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【００４５】
つまり、固定電極１２と駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶａによって、支線路１７ａ、１７ｂとグランド配線ＧＬとはビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【００４６】
図２（ｂ）の第二の接続パターンにおいて、固定電極１２は、その直下の基板１１内に設けられているビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。また、可動電極１４は、アンカー部１５ａ、１５ｂ、支線路１７ａ、１７ｂ、および支線路１７ａ、１７ｂの直下の基板１１内にそれぞれ設けられている導体ビアＣＶａ、ＣＶｂを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【００４７】
つまり、固定電極１２と駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶａによって、支線路１７ａ、１７ｂとグランド配線ＧＬとは導体ビアＣＶａ、ＣＶｂによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【００４８】
すなわち、第一の接続パターンと第二の接続パターンとの違いは、可動電極１４とグランド配線ＧＬとの間に、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃが挿入されているか、導体ビアＣＶａ、ＣＶｂが挿入されているかの違いであり、そのほかは同じである。
【００４９】
いずれの接続パターンにおいても、固定電極１２および可動電極１４は、可変キャパシタ１０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【００５０】
なお、第一の接続パターンは、例えば、図２０（ａ）に示す可変キャパシタ４ａ〜４ｃのように、信号線路１に対して可変キャパシタ１０を直列に接続する場合に行われる接続パターンである。また、第二の接続パターンは、例えば、図１６（ｂ）に示す可変キャパシタ４ｄ、４ｅのように、信号線路１に対して可変キャパシタ１０を並列に接続する場合に行われる接続パターンである。
【００５１】
以降、ビア抵抗ＲＶａ〜ＲＶｃに共通する事項を説明するときは、「ビア抵抗ＲＶ」と総称することがある。導体ビアＣＶａ、ＣＶｂについても同様に「導体ビアＣＶ」と総称することがある。
【００５２】
ビア抵抗ＲＶは、基板１１の１層または複数層の絶縁層１１０を貫通するビアホールに形成されている抵抗体である。本実施形態では、第一の接続パターンおよび第二の接続パターンにおいて、絶縁層１１０ｂ、１１０ｃを貫通するようにビア抵抗ＲＶａが形成されている。また、第一の接続パターンにおいて、絶縁層１１０ｃを貫通するようにビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃが形成されている。
【００５３】
ビア抵抗ＲＶは、例えば、直径５０μｍ〜２００μｍ程度の円柱状である。また、絶縁層１１０の厚みとビア抵抗ＲＶの直径との比では、例えば、１：１〜２：１程度となる。ビア抵抗ＲＶの抵抗値（インピーダンス値）は、基本的には高周波信号を遮断するのに十分な値である。例えば、線路の特性インピーダンスが５０Ω程度である場合に、数百Ω程度以上の値であり、好ましくは５００Ω以上の値である。
【００５４】
ただし、ビア抵抗ＲＶの抵抗値は、可変キャパシタ１０の適用先の回路の種類に応じて適宜調整してもよい。つまり、ビア抵抗ＲＶを高周波信号の遮断に用いるだけでなくその他の用途に用いてもよい。よって、ビア抵抗ＲＶａ〜ＲＶｃの各抵抗値は、互いに同じであることもあるし、異なることもある。例えば、第一の接続パターンにおいて、ビア抵抗ＲＶａ〜ＲＶｃのすべての抵抗値が５００Ωに設定されることもあるし、ビア抵抗ＲＶａの抵抗値が５００Ωに設定され、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃの抵抗値がそれ以上またはそれ以下の値に設定されることもある。
【００５５】
導体ビアＣＶは、基板１１の１層または複数層の絶縁層１１０を貫通するビアホールに形成されている良導体である。本実施形態では、第二の接続パターンにおいて、絶縁層１１０ｃを貫通するように導体ビアＣＶａ、ＣＶｂが形成されている。
【００５６】
導体ビアＣＶも、例えば、直径５０μｍ〜２００μｍ程度の円柱状である。その抵抗値（インピーダンス値）は、高周波信号を良好に通過させるのに要求される値である。例えば、数百ｍΩ程度以下の値である。
【００５７】
ビア抵抗ＲＶは、基板１１としてＬＴＣＣが用いられる場合には、例えば、次のようにして作製される。
【００５８】
すなわち、絶縁層１１０となる所定の大きさのグリーンシートを用意し、ビア抵抗ＲＶを形成しようとする箇所にパンチングまたはレーザーなどによって、例えば穴径５０μｍ〜２００μｍ程度の貫通穴（ビアホール）を穿孔する。
【００５９】
次に、貫通穴内にスクリーン印刷などの技術によって適当な抵抗材料を充填する。抵抗材料は、ビア抵抗ＲＶに要求される抵抗値などに応じて選択される。抵抗材料として、例えば、金属酸化物などが用いられる。あるいは、ニクロム（ＮｉＣｒ）または窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）などが用いられる。
【００６０】
次に、上層の絶縁層１１０に穿孔される貫通穴に連なるビア抵抗ＲＶを形成する場合には、抵抗材料を充填した貫通穴の上部を覆うように、スクリーン印刷などによって導電パターンまたは抵抗パターンを形成する。これにより、上下の絶縁層１１０間にいわゆる受けランドが形成され、両絶縁層１１０に穿孔される貫通穴同士を確実に接続することができる。
【００６１】
そのほか、駆動配線ＤＬおよびグランド配線ＧＬとなる導電パターンなどを印刷などによって形成するなどして、一層の絶縁層１１０を作製する。
【００６２】
同様にして、複数の絶縁層１１０を作製し、それらを積層した積層体に圧力を加えた後に焼成（焼結）することにより、ビア抵抗ＲＶが内蔵された基板１１が完成する。
【００６３】
導体ビアＣＶも、ビア抵抗ＲＶの場合と類似の方法により形成される。すなわち、導体ビアＣＶを形成する場合には、穿孔した貫通穴内に抵抗材料ではなく導電材料を充填する。
【００６４】
このように、基板１１としてＬＴＣＣが用いられる場合には、ビア抵抗ＲＶおよび導体ビアＣＶは、ＬＴＣＣの製造における焼成と同時に形成される。
【００６５】
図３は、可変キャパシタ１０の等価回路を示す図である。
【００６６】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ１０は、図３（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【００６７】
すなわち、固定電極１２は、第一の信号線路１６に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【００６８】
ここで、ビア抵抗ＲＶａは、固定電極１２に極めて近い位置である固定電極１２の直下に設けられている。よって、可変キャパシタ１０を高周波回路に接続したときに、第一の信号線路１６に入力される高周波信号は、駆動配線ＤＬ側へはほとんど流れ込むことがなく、つまり、駆動配線ＤＬ側とは遮断され、そのまま固定電極１２側へ印加される。つまり、ビア抵抗ＲＶａによって、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００６９】
また、可動電極１４は、第二の信号線路１７に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【００７０】
ここで、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃは、それぞれ可動電極１４に極めて近い位置である支線路１７ａ、１７ｂの直下に設けられている。よって、可変キャパシタ１０を高周波回路に接続したときに、可動電極１４に印加される高周波信号は、グランド配線ＧＬ側へはほとんど流れ込むことがなく、つまり、グランド配線ＧＬ側とは遮断され、第二の信号線路１７側へそのまま出力される。つまり、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃによって、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００７１】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ１０は、図３（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。すなわち、図３（ａ）に示す等価回路から、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを省いた構成として表現可能である。
【００７２】
この場合にも、固定電極１２に極めて近い位置にビア抵抗ＲＶａが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００７３】
さて、可変キャパシタ１０は、固定電極１２および可動電極１４の両電極間に静電容量Ｅｃ１を有する。
【００７４】
駆動配線ＤＬを介して固定電極１２に駆動電圧が印加されると、両電極間に静電引力が作用して、可動電極１４が固定電極１２の側へ変位することにより、すなわち、両電極間の距離が変化することにより、可変キャパシタ１０の静電容量Ｅｃ１が変化する。つまり、静電容量Ｅｃ１は可変容量である。
【００７５】
以上の通り、可変キャパシタ１０では、ビア抵抗ＲＶによって、高周波信号の駆動配線ＤＬまたはグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００７６】
しかも、ビア抵抗ＲＶは、基板１１の内部に埋め込まれているため、周辺回路への浮遊容量が小さく、高周波信号の伝達に悪影響を及ぼすことがない。また、基板１１の表面のスペースが従来通りに確保される。
【００７７】
なお、本実施形態では、固定電極１２がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、可動電極１４がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていたが、互いが逆に接続されていてもよい。すなわち、可動電極１４がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、固定電極１２がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていてもよい。
【００７８】
〔第二の実施形態〕
図４は第二の実施形態における可変キャパシタ２０の例を示す平面図、図５は図４のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【００７９】
図４および図５に示すように、可変キャパシタ２０は、駆動電極２１ａ、２１ｂが固定電極１２とは別個に設けられている点、つまり駆動分離型である点で、第一の実施形態における可変キャパシタ１０とは異なる。
【００８０】
すなわち、固定電極１２は駆動配線ＤＬに接続されておらず、駆動電極２１ａ、２１ｂがそれぞれビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅを介して駆動配線ＤＬに接続されている。そのため、可変キャパシタ１０において設けられていたビア抵抗ＲＶａは、可変キャパシタ２０では不要であるので、設けられていない。
【００８１】
可変キャパシタ２０のそのほかの構成要素は、第一の実施形態における可変キャパシタ１０と共通する。共通する構成要素については、可変キャパシタ１０の説明で用いた符号と同一の符号を付し、説明を省略する。後述する他の実施形態における可変キャパシタの説明においても同様である。
【００８２】
駆動電極２１ａ、２１ｂは、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）などの導電性材料からなり、固定電極１２を間に挟んで基板１１の表面に形成されている。つまり、固定電極１２の両脇に近接して設けられている。なお、本実施形態では、２つの駆動電極２１ａ、２１ｂが設けられているが、同様の駆動電極が１つまたは３つ以上設けられていてもよい。
【００８３】
図５に示すように、駆動電極２１ａ、２１ｂは、それぞれその直下の基板１１内に設けられているビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【００８４】
つまり、駆動電極２１ａと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｄによって、駆動電極２１ｂと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｅによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【００８５】
図５（ａ）は第一の接続パターンを示しており、図５（ｂ）は第二の接続パターンを示している。
【００８６】
いずれの接続パターンにおいても、固定電極１２は、可変キャパシタ２０の容量電極としての役割を有するが、駆動電極としての役割を有さない。他方、可動電極１４は、可変キャパシタ２０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【００８７】
図６は、可変キャパシタ２０の等価回路を示す図である。
【００８８】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ２０は、図６（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【００８９】
すなわち、可動電極１４は、第二の信号線路１７に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【００９０】
ここで、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃは、それぞれ可動電極１４に極めて近い位置である支線路１７ａ、１７ｂの直下に設けられている。そのため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００９１】
また、駆動電極２１ａ、２１ｂは、可動電極１４に作用するように固定電極１２と近接して配置されており（図５参照）、ビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【００９２】
ここで、駆動電極２１ａ、２１ｂは、その他の電極、信号線路、および配線などの周辺回路と直接には接続されていないが、周辺回路との間、特に近接して配置されている固定電極１２との間の寄生容量Ｃｐによって、高周波で用いたときのインピーダンスの低下が無視できなくなることがある。
【００９３】
ビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅは、それぞれ駆動電極２１ａ、２１ｂに極めて近い位置である駆動電極２１ａ、２１ｂの直下に設けられている。そのため、寄生容量Ｃｐがあっても、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００９４】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ２０は、図６（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。すなわち、図６（ａ）に示す等価回路から、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを省いた構成として表現可能である。
【００９５】
この場合にも、駆動電極２１ａ、２１ｂに極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００９６】
さて、可変キャパシタ２０も、第一の実施形態における可変キャパシタ１０と同様に、固定電極１２および可動電極１４の両電極間に可変容量である静電容量Ｅｃ２を有する。
【００９７】
〔第三の実施形態〕
図７（ａ）は第三の実施形態における可変キャパシタ３０の例を示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ１−Ｃ１線矢視断面図、図８は図７（ａ）のＣ２−Ｃ２線矢視断面図である。
【００９８】
図７および図８に示すように、可変キャパシタ３０は、基板３１上に、第一の固定電極３２、第二の固定電極３３、可動電極３４、アンカー部３５ａ、３５ｂ、第一の信号線路３６、および第二の信号線路３７などを有している。
【００９９】
基板３１は、第一の実施形態における基板１１と同様の形態を有している。
【０１００】
第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、形成材料および形状などにおいて、第一の実施形態における固定電極１２と同様の形態を有している。また、第一の信号線路３６の端部および第二の信号線路３７の端部を、それぞれ第一の固定電極３２および第二の固定電極３３として利用してもよいことも同様である。
【０１０１】
第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、両者のそれぞれ１つの側面同士が、可変キャパシタ３０の中心軸であるα−α軸を間に挟んで対向するように配置されている。つまり、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、α−α軸を対称軸として、互いに対称に配置されている。
【０１０２】
可動電極３４は、第一の実施形態における可動電極１４と同様の形態を有している。
【０１０３】
アンカー部３５ａ、３５ｂは、基本的には第一の実施形態におけるアンカー部１５ａ、１５ｂと同様の形態を有しているが、基板３１の表面に直接に形成されている。
【０１０４】
第一の信号線路３６は、第一の実施形態における第一の信号線路１６と同様の形態を有している。
【０１０５】
第二の信号線路３７は、第一の信号線路３６の延伸方向と同一の方向に延伸するように基板３１の表面に形成されており、第二の固定電極３３に接続されている。
【０１０６】
可変キャパシタ３０は、全体として、その中心軸であるα−α軸を対称軸として対称となるように構成されており、入力側から見た特性と出力側から見た特性とがほぼ同じである。よって、可変キャパシタ３０においては、入力端である第一の固定電極３２および出力端である第二の固定電極３３における高周波信号の反射を低減することができる。
【０１０７】
図８に示すように、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、それぞれその直下の基板３１内に設けられているビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１０８】
つまり、第一の固定電極３２と駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶａによって、第二の固定電極３３と駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｂによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１０９】
ただし、第一の固定電極３２または第二の固定電極３３のいずれか一方だけがビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続されていてもよい。
【０１１０】
図８（ａ）の第一の接続パターンにおいて、可動電極３４は、アンカー部３５ａ、３５ｂ、およびアンカー部３５ａ、３５ｂの直下の基板３１内にそれぞれ設けられているビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１１１】
つまり、アンカー部３５ａ、３５ｂとグランド配線ＧＬとはビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄによって直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１１２】
図８（ｂ）の第二の接続パターンにおいて、可動電極３４は、アンカー部３５ａ、３５ｂ、およびアンカー部３５ａ、３５ｂの直下の基板３１内にそれぞれ設けられている導体ビアＣＶａ、ＣＶｂを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１１３】
つまり、アンカー部３５ａ、３５ｂとグランド配線ＧＬとは導体ビアＣＶａ、ＣＶｂによって直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１１４】
いずれの接続パターンにおいても、第一の固定電極３２、第二の固定電極３３、および可動電極３４は、可変キャパシタ３０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【０１１５】
図９ないし図１１は、可変キャパシタ３０の等価回路を示す図である。
【０１１６】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、図９（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１１７】
すなわち、第一の固定電極３２は、第一の信号線路３６に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。また、第二の固定電極３３は、第二の信号線路３７に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶｂを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１１８】
ここで、ビア抵抗ＲＶａは、第一の固定電極３２に極めて近い位置である第一の固定電極３２の直下に設けられている。また、ビア抵抗ＲＶｂは、第二の固定電極３３に極めて近い位置である第二の固定電極３３の直下に設けられている。そのため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１１９】
また、可動電極３４は、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１２０】
ここで、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄは、それぞれ可動電極３４に極めて近い位置であるアンカー部３５ａ、３５ｂの直下に設けられている。そのため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１２１】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、図９（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。すなわち、図９（ａ）に示す等価回路から、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを省いた構成として表現可能である。
【０１２２】
この場合にも、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３に極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１２３】
さて、可変キャパシタ３０では、第一の固定電極３２と可動電極３４との間に静電容量Ｅｃ３１を有する可変容量部ＣＡａが実現される。また、第二の固定電極３３と可動電極３４との間に静電容量Ｅｃ３２を有する可変容量部ＣＡｂが実現される。また、第一の固定電極３２と第二の固定電極３３との間に静電容量Ｅｃ３３を有する固定容量部ＣＢが実現される。
【０１２４】
駆動配線ＤＬを介して第一の固定電極３２および第二の固定電極３３の両固定電極に駆動電圧が印加されると、両固定電極と可動電極３４との間に静電引力が作用することにより、静電容量Ｅｃ３１、Ｅｃ３２が変化する。つまり、静電容量Ｅｃ３１、Ｅｃ３２は可変容量である。他方、静電容量Ｅｃ３３は固定容量である。
【０１２５】
このように、可変キャパシタ３０は、可変容量のほかに固定容量を有している。よって、可変キャパシタ３０においては、第一の実施形態における可変キャパシタ１０と較べて、容量の可変幅をより自由に設定して所望のインピーダンス値を得ることができる。
【０１２６】
図９（ａ）に示す等価回路は、ビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂによって、高周波的には、可変容量部ＣＡａ、ＣＡｂおよび固定容量部ＣＢから駆動配線ＤＬが切り離された回路として捉えることができる。そこで、図９（ａ）に示す等価回路は、図１０（ａ）に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１２７】
すなわち、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、可変容量部ＣＡａ、ＣＡｂが、固定容量部ＣＢの両側の信号線路と、グランドに接続された抵抗Ｒとの間に並列に接続された回路で表現可能である。なお、抵抗Ｒは、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄによる合成抵抗である。
【０１２８】
さらに、抵抗Ｒの抵抗値が十分に大きい場合、例えば５００Ω以上である場合に、図１０（ａ）に示す等価回路は、図１０（ｂ）に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１２９】
すなわち、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、直列に接続された可変容量部ＣＡａ、ＣＡｂが、固定容量部ＣＢと並列に接続された回路で表現可能である。
【０１３０】
また、図９（ｂ）に示す等価回路は、図１１（ａ）に示すπ型の等価回路に置き換えることができる。
【０１３１】
すなわち、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、可変容量部ＣＡａ、ＣＡｂが、固定容量部ＣＢの両側の信号線路とグランドとの間に並列に接続された回路で表現可能である。
【０１３２】
さらに、図１１（ａ）に示すπ型の等価回路は、図１１（ｂ）に示すＴ型の等価回路に置き換えることができる。
【０１３３】
すなわち、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、可変容量部ＣＡが、固定容量部ＣＢａ、ＣＢｂ間の接続部とグランドとの間に接続された回路で表現可能である。
【０１３４】
なお、本実施形態では、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、可動電極３４がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていたが、互いが逆に接続されていてもよい。すなわち、可動電極３４がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていてもよい。
【０１３５】
〔第四の実施形態〕
図１２（ａ）は第四の実施形態における可変キャパシタ４０の例を示す平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＤ１−Ｄ１線矢視断面図、図１３は図１２（ａ）のＤ２−Ｄ２線矢視断面図である。
【０１３６】
図１２および図１３に示すように、可変キャパシタ４０は、駆動電極４１ａ、４１ｂが第一の固定電極３２および第二の固定電極３３とは別個に設けられている点、つまり駆動分離型である点で、第三の実施形態における可変キャパシタ３０とは異なる。
【０１３７】
すなわち、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は駆動配線ＤＬに接続されておらず、駆動電極４１ａ、４１ｂがそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。そのため、可変キャパシタ３０において設けられていたビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂは、可変キャパシタ４０では不要であるので、設けられていない。
【０１３８】
可変キャパシタ４０のそのほかの構成要素は、第三の実施形態における可変キャパシタ３０と共通する。
【０１３９】
駆動電極４１ａ、４１ｂは、それぞれ第二の実施形態における駆動電極２１ａ、２１ｂと同様の形態を有している。つまり、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３の両脇に近接して設けられている。
【０１４０】
図１３に示すように、駆動電極４１ａ、４１ｂは、それぞれその直下の基板３１内に設けられているビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１４１】
つまり、駆動電極４１ａと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｅによって、駆動電極４１ｂと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｆによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１４２】
図１３（ａ）は第一の接続パターンを示しており、図１３（ｂ）は第二の接続パターンを示している。
【０１４３】
いずれの接続パターンにおいても、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、可変キャパシタ４０の容量電極としての役割を有するが、駆動電極としての役割を有さない。他方、可動電極３４は、可変キャパシタ４０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【０１４４】
図１４は、可変キャパシタ４０の等価回路を示す図である。
【０１４５】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ４０は、図１４（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１４６】
すなわち、可動電極３４は、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１４７】
ここで、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄは、それぞれ可動電極３４に極めて近い位置であるアンカー部３５ａ、３５ｂの直下に設けられている。そのため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１４８】
また、駆動電極４１ａ、４１ｂは、可動電極１４に作用するようにそれぞれ第一の固定電極３２および第二の固定電極３３と近接して配置されており（図１３参照）、ビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１４９】
ここで、ビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆは、それぞれ駆動電極４１ａ、４１ｂに極めて近い位置である駆動電極４１ａ、４１ｂの直下に設けられている。そのため、駆動電極４１ａ、４１ｂと周辺回路との間、特に近接して配置されている第一の固定電極３２および第二の固定電極３３との間に寄生容量Ｃｐがあっても、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１５０】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ４０は、図１４（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。すなわち、図１４（ａ）に示す等価回路から、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを省いた構成として表現可能である。
【０１５１】
この場合にも、駆動電極４１ａ、４１ｂに極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１５２】
さて、可変キャパシタ４０でも、第三の実施形態における可変キャパシタ３０と同様に、静電容量Ｅｃ４１を有する可変容量部ＣＡａ、静電容量Ｅｃ４２を有する可変容量部ＣＡｂ、静電容量Ｅｃ４３を有する固定容量部ＣＢが実現される。
【０１５３】
図１４（ａ）に示す、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ４０の等価回路は、可変キャパシタ３０の場合と同様に、高周波的には、図１０に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１５４】
また、図１４（ｂ）に示す、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ４０の等価回路も、可変キャパシタ３０の場合と同様に、高周波的には、図１１に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１５５】
〔第五の実施形態〕
図１５は第五の実施形態における可変キャパシタ５０の例を示す平面図、図１６は図１５のＥ−Ｅ線矢視断面図である。
【０１５６】
図１５および図１６に示すように、可変キャパシタ５０は、基板５１上に、第一の固定電極５２、第二の固定電極５３、可動電極５４、アンカー部５５ａ、５５ｂ、第一の信号線路５６、および第二の信号線路５７などを有している。
【０１５７】
基板５１は、第三の実施形態における基板３１と同様の形態を有している。
【０１５８】
第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は、形成材料などにおいて、それぞれ第三の実施形態における第一の固定電極３２および第二の固定電極３３と同様の形態を有している。第一の信号線路５６の端部および第二の信号線路５７の端部を、それぞれ第一の固定電極５２および第二の固定電極５３として利用してもよいことも同様である。
【０１５９】
第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は、それぞれ第一の櫛歯部５２ａ〜５２ｃおよび第二の櫛歯部５３ａ〜５３ｃを備え、両者の各櫛歯部が所定の距離を隔てて互い違いに入り込むように配置されている。なお、本実施形態では、両者に３本ずつの櫛歯部が設けられているが、同様の櫛歯部が２本または４本以上設けられていてもよい。
【０１６０】
第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は、中心点に対して互いに対称に配置されている。
【０１６１】
可動電極５４およびアンカー部５５ａ、５５ｂは、それぞれ第三の実施形態における可動電極３４およびアンカー部３５ａ、３５ｂと同様の形態を有している。
【０１６２】
第一の信号線路５６および第二の信号線路５７は、基本的にはそれぞれ第三の実施形態における第一の信号線路３６および第二の信号線路３７と同様の形態を有しているが、線路幅が若干幅広に形成されている。
【０１６３】
可変キャパシタ５０も、全体として、その中心点に対して対称となるように構成されており、第三の実施形態における可変キャパシタ３０と同様に、入力側から見た特性と出力側から見た特性とがほぼ同じである。よって、可変キャパシタ５０においても、高周波信号の反射を低減することができる。
【０１６４】
図１６に示すように、第一の櫛歯部５２ａは、その直下の基板５１内に設けられているビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１６５】
つまり、第一の櫛歯部５２ａと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶａによって直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１６６】
ただし、第一の櫛歯部５２ａの代わりに第一の櫛歯部５２ｂ、５２ｃが駆動配線ＤＬに接続されていてもよいし、第一の櫛歯部５２ａ〜５２ｃのすべてが駆動配線ＤＬに接続されていてもよい。
【０１６７】
また、第二の櫛歯部５３ｃは、その直下の基板５１内に設けられているビア抵抗ＲＶｂを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１６８】
つまり、第二の櫛歯部５３ｃと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｂによって直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１６９】
ただし、第二の櫛歯部５３ｃの代わりに第二の櫛歯部５３ａ、５３ｂが駆動配線ＤＬに接続されていてもよいし、第二の櫛歯部５３ａ〜５３ｃのすべてが駆動配線ＤＬに接続されていてもよい。
【０１７０】
結局のところ、第一の櫛歯部５２ａ〜５２ｃおよび第二の櫛歯部５３ａ〜５３ｃのうちの少なくとも１つが駆動配線ＤＬに接続されていればよい。
【０１７１】
また、図１６（ａ）の第一の接続パターンにおいて、可動電極５４は、アンカー部５５ａ、５５ｂ、およびアンカー部５５ａ、５５ｂの直下の基板５１内にそれぞれ設けられているビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１７２】
また、図１６（ｂ）の第二の接続パターンにおいて、可動電極５４は、アンカー部５５ａ、５５ｂ、およびアンカー部５５ａ、５５ｂの直下の基板５１内にそれぞれ設けられている導体ビアＣＶａ、ＣＶｂを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１７３】
いずれの接続パターンにおいても、第一の固定電極５２、第二の固定電極５３、および可動電極５４は、可変キャパシタ５０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【０１７４】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ５０は、第三の実施形態における可変キャパシタ３０の場合と同様に、図９（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１７５】
この場合にも、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３に極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１７６】
また、可動電極５４に極めて近い位置にビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄが設けられているため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１７７】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ５０も、第三の実施形態における可変キャパシタ３０の場合と同様に、図９（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１７８】
この場合にも、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３に極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１７９】
さて、可変キャパシタ５０では、第一の固定電極５２と可動電極５４との間に静電容量Ｅｃ５１を有する可変容量部ＣＡａが実現される。また、第二の固定電極５３と可動電極５４との間に静電容量Ｅｃ５２を有する可変容量部ＣＡｂが実現される。
【０１８０】
そして、第一の櫛歯部５２ａと第二の櫛歯部５２ａとの間、第一の櫛歯部５２ｂと第二の櫛歯部５３ｂとの間、および第一の櫛歯部５２ｃと第二の櫛歯部５３ｃとの間にそれぞれ静電容量Ｅｃ５３を有する固定容量部ＣＢが実現される。つまり、第一の固定電極５２と第二の固定電極５３とで、いわゆるInterdigital型の固定キャパシタが構成されており、隣接する各櫛歯部間にＥｃ５３を有する。
【０１８１】
駆動配線ＤＬを介して第一の櫛歯部５２ａおよび第二の櫛歯部５３ａに駆動電圧が印加されると、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３と可動電極５４との間に静電引力が作用することにより、静電容量Ｅｃ５１、Ｅｃ５２が変化する。つまり、静電容量Ｅｃ５１、Ｅｃ５２は可変容量である。他方、静電容量Ｅｃ５３は固定容量である。
【０１８２】
このように、可変キャパシタ５０は、可変容量のほかに固定容量を有している。しかも、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３の櫛歯部の本数に応じた固定容量を持たせることができる。例えば、櫛歯部の本数を多くすれば、その分だけ固定容量の値を大きくすることができる。よって、可変キャパシタ５０においては、第三の実施形態における可変キャパシタ３０と較べて、容量の可変幅をより自由に設定して所望のインピーダンス値を得ることができる。
【０１８３】
図９（ａ）に示す、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ５０の等価回路は、可変キャパシタ３０の場合と同様に、高周波的には、図１０に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１８４】
また、図９（ｂ）に示す、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ５０の等価回路も、可変キャパシタ３０の場合と同様に、高周波的には、図１１に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１８５】
なお、本実施形態では、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、可動電極５４がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていたが、互いが逆に接続されていてもよい。すなわち、可動電極５４がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていてもよい。
【０１８６】
〔第六の実施形態〕
図１７は第六の実施形態における可変キャパシタ６０の例を示す平面図、図１８は図１６のＦ−Ｆ線矢視断面図である。
【０１８７】
図１７および図１８に示すように、可変キャパシタ６０は、駆動電極６１ａ、６１ｂが第一の固定電極５２および第二の固定電極５３とは別個に設けられている点、つまり駆動分離型である点で、第五の実施形態における可変キャパシタ５０とは異なる。
【０１８８】
すなわち、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は駆動配線ＤＬに接続されておらず、駆動電極６１ａ、６１ｂがそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。そのため、可変キャパシタ５０において設けられていたビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂは、可変キャパシタ６０では不要であるので、設けられていない。
【０１８９】
可変キャパシタ６０のそのほかの構成要素は、第五の実施形態における可変キャパシタ５０と共通する。
【０１９０】
駆動電極６１ａ、６１ｂは、それぞれ第二の実施形態における駆動電極２１ａ、２１ｂと同様の形態を有している。つまり、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３の両脇に近接して設けられている。
【０１９１】
図１８に示すように、駆動電極６１ａ、６１ｂは、それぞれその直下の基板５１内に設けられているビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１９２】
つまり、駆動電極６１ａと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｅによって、駆動電極６１ｂと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｆによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１９３】
図１８（ａ）は第一の接続パターンを示しており、図１８（ｂ）は第二の接続パターンを示している。
【０１９４】
いずれの接続パターンにおいても、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は、可変キャパシタ６０の容量電極としての役割を有するが、駆動電極としての役割を有さない。他方、可動電極５４は、可変キャパシタ６０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【０１９５】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ６０は、第四の実施形態における可変キャパシタ４０の場合と同様に、図１４（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１９６】
この場合にも、駆動電極６１ａ、６１ｂに極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１９７】
また、可動電極５４に極めて近い位置にビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄが設けられているため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１９８】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ６０も、第四の実施形態における可変キャパシタ４０の場合と同様に、図１４（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１９９】
この場合にも、駆動電極６１ａ、６１ｂに極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０２００】
さて、可変キャパシタ６０でも、第五の実施形態における可変キャパシタ５０と同様に、静電容量Ｅｃ６１を有する可変容量部ＣＡａ、静電容量Ｅｃ６２を有する可変容量部ＣＡｂ、静電容量Ｅｃ６３を有する固定容量部ＣＢが実現される。
【０２０１】
図１４（ａ）に示す、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ６０の等価回路は、可変キャパシタ４０の場合と同様に、高周波的には、図１０に示す等価回路に置き換えることができる。
【０２０２】
また、図１４（ｂ）に示す、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ６０の等価回路も、可変キャパシタ４０の場合と同様に、高周波的には、図１１に示す等価回路に置き換えることができる。
【０２０３】
図１９は、可変フィルタ７０の例を示す斜視図である。
【０２０４】
図１９に示すように、可変フィルタ７０は、基板７１、分布定数線路としてのマイクロストリップ線７２、可変共振部７３、および可変カップリング部７４などを有している。また、基板７１内に、内層グランド７０Ｇおよびビア７０Ｖを有している。
【０２０５】
上述の可変キャパシタ１０〜６０は、例えば、可変カップリング部７４に適用することが可能である。その場合に、マイクロストリップ線７２は、上述の可変キャパシタ１０〜６０の固定電極または可動電極に接続される。なお、可変カップリング部７４によって、高周波信号の伝播長または通過周波数などを適宜調整することが可能になる。
【０２０６】
以上の実施形態において、可変キャパシタ１０〜６０の全体または一部の構造、形状、および材料などは、本発明の主旨に沿って適宜変更可能である。
【０２０７】
例えば、可変キャパシタ１０〜６０には、入力用の信号線路と出力用の信号線路とが一対一で設けられていたが、入力用の信号線路と出力用の信号線路とを一対多または多対多で設けてもよい。その場合に、信号線路ごとに対応する固定電極などを設ける。そのようにすることで、例えば、可変キャパシタ１０〜６０に分波器としての機能を持たせることが可能となる。
【０２０８】
また、上述のビア抵抗およびその他の構成は、可変キャパシタに限らず、高周波信号の損失を防止する必要がある各種のＭＥＭＳデバイスに広く適用可能である。
【符号の説明】
【０２０９】
１０、２０、３０、４０、５０、６０ 可変キャパシタ（ＭＥＭＳデバイス）
１１、３１、５１ 基板
１２ 固定電極
１４、３４、５４ 可動電極
２１、４１、６１ 駆動電極
３２、５２ 第一の固定電極
３３、５３ 第二の固定電極
５２ａ〜５２ｃ 第一の櫛歯部（櫛歯）
５３ａ〜５３ｃ 第二の櫛歯部（櫛歯）
ＤＬ 駆動配線
ＧＬ グランド配線
ＲＶ ビア抵抗（第一の抵抗体、第二の抵抗体）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いて作製される、ＭＥＭＳデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話をはじめとする移動体通信（モバイル通信）の市場が拡大するとともに、そのサービスの高機能化が進展している。
【０００３】
それに伴って、移動体通信に利用される周波数は、次第にギガヘルツ（ＧＨｚ）以上の高い周波数帯にシフトし、多チャンネル化される傾向にある。また、ソフトウエア無線（ＳＤＲ：Software-Defined-Radio）技術の将来的な導入の可能性も盛んに検討されている。
【０００４】
チューニング可能な高周波（ＲＦ：Radio Frequency）用デバイスとして、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるＭＥＭＳデバイスが注目されている。ＭＥＭＳデバイスには高いＱ値（クオリティファクタ）が得られるという利点があり、様々な形態のＭＥＭＳデバイスが提案されている（非特許文献１〜３）。
【０００５】
そのようなＭＥＭＳデバイスの１つに可変キャパシタがある。
【０００６】
図２０は、可変キャパシタ４の適用の例を示す図である。
【０００７】
図２０（ａ）において、可変キャパシタ４ａ〜４ｃは、信号線路１上に共振器２ａ、２ｂを挟んで直列に接続されている。つまり、可変キャパシタ４ａ〜４ｃは、共振器２ａ、２ｂを結合するためのカップリングキャパシタとして用いられている。
【０００８】
図２０（ｂ）において、可変キャパシタ４ｄ、４ｅは、信号線路１とグランドとの間に並列に接続され、インダクタ３とともにπ型の共振回路を構成している。
【０００９】
また、非特許文献３には、ＭＥＭＳ可変キャパシタをＣＰＷ（Coplanar Waveguide）線路を跨ぐように配置して可変分布定数共振器を構成し、複数の可変分布定数共振器を直列に接続してＭＥＭＳ可変フィルタを構成することが開示されている。
【００１０】
図２１は、従来の一般的な可変キャパシタ８０を示す図である。図２１（ａ）は平面図であり、図２１（ｂ）はそのＸ−Ｘ線矢視断面図である。
【００１１】
図２１に示すように、可変キャパシタ８０は、基板８１上に、固定電極８２、可動電極８４、アンカー部８５ａ、８５ｂ、高周波信号が入力される入力信号線路８６、および、高周波信号が出力される出力信号線路８７などを有している。
【００１２】
入力信号線路８６は、固定電極８２に接続されている。また、出力信号線路８７は、支線路８７ａ、８７ｂを有し、支線路８７ａ、８７ｂおよびアンカー部８５ａ、８５ｂを介して可動電極８４に接続されている。
【００１３】
基板８１内には駆動配線ＤＬおよびグランド配線ＧＬが設けられており、固定電極８２はビア８８ａを介して駆動配線ＤＬに接続され、可動電極８４はアンカー部８５ａ、８５ｂ、支線路８７ａ、８７ｂ、およびビア８８ｂ、８８ｃを介してグランド配線ＧＬに接続されている。このような構成により、固定電極８２と可動電極８４との間には、駆動電圧を供給することが可能になっている。
【００１４】
よって、固定電極８２および可動電極８４は、可変キャパシタ８０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【００１５】
なお、固定電極８２と可動電極８４との両電極間に駆動電圧が供給されると、静電引力が作用して両電極間の距離が変化することにより、可変キャパシタ８０の静電容量が変化する。
【００１６】
図２２も、従来の一般的な可変キャパシタ９０を示す図である。図２２（ａ）は平面図であり、図２２（ｂ）はそのＹ−Ｙ線矢視断面図である。
【００１７】
図２２に示すように、可変キャパシタ９０は、駆動電極９１ａ、９１ｂが固定電極８２と独立して設けられており、駆動電極９１ａ、９１ｂがビア８８ｄ、８８ｅを介して駆動配線ＤＬに接続されている点で、可変キャパシタ８０とは異なる。
【００１８】
そのほかに、可動電極が複数配置された可動ヘッド部、基板表面に形成され、可動電極と対向する複数の固定電極、可動ヘッド部に連結され、一端が基板に固定されている圧電駆動部とを備えた容量可変キャパシタが提案されている（特許文献１）。
【００１９】
また、主面上に少なくとも２個のキャパシタ電極が互いに絶縁を保持されて形成された絶縁基板と、絶縁材によって形成され各キャパシタ電極に跨る外形を有してこれらキャパシタ電極との間にそれぞれキャパシタを構成する導電体が形成されたアクチュエータと、アクチュエータを絶縁基板の主面に対して接離動作させる駆動手段とを備える容量可変型キャパシタ装置が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００２０】
【非特許文献１】D. Peroulis et al,“Tunable Lumped Components with Applications to Reconfigurable MEMS Filters”, 2001 IEEE MTT-S Digest, p341-344
【非特許文献２】E. Fourn et al, “MEMS Switchable Interdigital Coplanar Filter”, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol.51, NO.1 p320-324, January 2003
【非特許文献３】A. A. Tamijani et al, “Miniature and Tunable Filters Using MEMS Capacitors ”, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol.51, NO.7, p1878-1885, July 2003
【特許文献】
【００２１】
【特許文献１】特開２００６−９３４６３
【特許文献２】特開２００３−１２４０６３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
さて、従来のＭＥＭＳデバイスには、高周波回路に適用した場合に、高周波信号の損失が発生するという問題があった。
【００２３】
例えば、図２１に示す可変キャパシタ８０において、固定電極８２に入力される高周波信号が駆動配線ＤＬに漏洩するという問題があった。また、図２２に示す可変キャパシタ９０において、駆動電極９１ａ、９１ｂと周辺回路との間の寄生容量によって、高周波信号が駆動配線ＤＬに漏洩するという問題があった。
【００２４】
従来は、バイアスＴ回路を介して高周波信号および駆動電圧を入力することなどによりこれらの問題に対処していたが、高周波信号の漏洩を防止するのに十分とはいえなかった。
【００２５】
本発明は、このような従来のＭＥＭＳデバイスの問題点に鑑みてなされたもので、高周波信号の損失を低減することができるＭＥＭＳデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
以下に述べるＭＥＭＳデバイスは、基板と、前記基板上に設けられ、信号が通過する固定電極と、前記基板の上方に前記固定電極と対向して設けられ、信号が通過する可動電極と、前記基板内に設けられ、前記可動電極を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線と、前記基板内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するための第一の抵抗体と、を備え、前記固定電極または前記可動電極は、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されている。
【００２７】
または、基板と、前記基板上に設けられ、信号が通過する固定電極と、前記基板の上方に前記固定電極と対向して設けられ、信号が通過する可動電極と、前記基板内に設けられ、前記可動電極を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線と、前記基板内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するための第一の抵抗体と、前記基板上に前記可動電極と対向して設けられ、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されている駆動電極と、を備える。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、高周波信号の損失を低減することができるＭＥＭＳデバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第一の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図である。
【図２】図１に示す可変キャパシタの断面図である。
【図３】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図４】第二の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図である。
【図５】図４に示す可変キャパシタの断面図である。
【図６】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図７】第三の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図および断面図である。
【図８】図７に示す可変キャパシタの断面図である。
【図９】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図１０】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図１１】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図１２】第四の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図および断面図である。
【図１３】図１２に示す可変キャパシタの断面図である。
【図１４】可変キャパシタの等価回路を示す図である。
【図１５】第五の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図である。
【図１６】図１５に示す可変キャパシタの断面図である。
【図１７】第六の実施形態における可変キャパシタの例を示す平面図である。
【図１８】図１７に示す可変キャパシタの断面図である。
【図１９】可変フィルタの例を示す斜視図である。
【図２０】可変キャパシタの適用の例を示す図である。
【図２１】従来の一般的な可変キャパシタを示す図である。
【図２２】従来の一般的な可変キャパシタを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下の説明に用いる図においては、可変キャパシタおよび基板内部などの構造をわかりやすくするために、各部の寸法の比率が実際の比率とは異なる比率で示されていることがある。また、基板については、平面図への図示を省略している。
【００３１】
〔第一の実施形態〕
図１は第一の実施形態における可変キャパシタ１０の例を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００３２】
図１および図２に示すように、可変キャパシタ１０は、基板１１上に、固定電極１２、可動電極１４、アンカー部１５ａ、１５ｂ、第一の信号線路１６、および第二の信号線路１７などを有している。
【００３３】
基板１１は、複数の絶縁層からなる多層構造になっている。基板１１内には、駆動電圧を供給（印加）するための駆動配線ＤＬおよびグランド配線ＧＬが設けられている。本実施形態では、絶縁層１１０ａ〜１１０ｃからなる３層構造になっており、絶縁層１１０ａ、１１０ｂ間に駆動配線ＤＬが形成されており、絶縁層１１０ｂ、１１０ｃ間にグランド配線ＧＬが形成されている。各絶縁層１１０ａ〜１１０ｃの厚さは、例えば、１０μｍ〜数百μｍ程度である。
【００３４】
以降、絶縁層１１０ａ〜１１０ｃに共通する事項を説明するときは、「絶縁層１１０」と総称することがある。
【００３５】
基板１１として、例えば、多層配線基板である低温同時焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）が用いられる。
【００３６】
固定電極１２は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）などの導電性材料からなり、基板１１の表面に形成されている。ただし、第一の信号線路１６の端部を固定電極１２として利用してもよい。固定電極１２は、例えば、高周波回路における信号線路の一部となる。
【００３７】
可動電極１４は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）などの導電性材料からなり、その中央部が固定電極１２と空隙を介して対向するように架橋された状態で基板１１の上方に形成されている。可動電極１４は、アンカー部１５ａ、１５ｂによって両持ち張りの状態で支持されている。可動電極１４は、例えば、高周波回路における信号線路の一部となる。
【００３８】
アンカー部１５ａ、１５ｂは、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）などの導電性材料からなり、可動電極１４をその両側で支持するように、第二の信号線路１７の支線路１７ａ、１７ｂの延伸方向の一部の上面に形成されている。
【００３９】
第一の信号線路１６は、可動電極１４の架橋方向と直交する方向に延伸するように基板１１の表面に形成されており、固定電極１２に接続されている。
【００４０】
第二の信号線路１７は、支線路１７ａ、１７ｂを有し、第一の信号線路１６の延伸方向と同一の方向に延伸するように基板１１の表面に形成されており、支線路１７ａ、１７ｂおよびアンカー部１５ａ、１５ｂを介して可動電極１４に接続されている。
【００４１】
第一の信号線路１６および第二の信号線路１７は、グランド配線ＧＬなどとともにいわゆるマイクロストリップラインを構成している。
【００４２】
本実施形態では、可変キャパシタ１０は、第一の信号線路１６が高周波信号の入力側となり、第二の信号線路１７が高周波信号の出力側となるように、高周波回路に接続されるものとする。ただし、高周波信号の入力側および出力側が本実施形態とは逆になるように可変キャパシタ１０を接続してもよい。後述する他の実施形態における可変キャパシタについても同様である。なお、本実施形態においては、高周波信号として、１ＭＨｚ以上の周波数の信号を想定している。
【００４３】
図２に示すように、固定電極１２および可動電極１４は、基板１１の内部に設けられている配線にそれぞれ接続される。ただし、その接続には２つの形態があり、図２（ａ）は第一の接続パターンを示しており、図２（ｂ）は第二の接続パターンを示している。
【００４４】
図２（ａ）の第一の接続パターンにおいて、固定電極１２は、その直下の基板１１内に設けられているビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。また、可動電極１４は、アンカー部１５ａ、１５ｂ、支線路１７ａ、１７ｂ、および支線路１７ａ、１７ｂの直下の基板１１内にそれぞれ設けられているビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【００４５】
つまり、固定電極１２と駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶａによって、支線路１７ａ、１７ｂとグランド配線ＧＬとはビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【００４６】
図２（ｂ）の第二の接続パターンにおいて、固定電極１２は、その直下の基板１１内に設けられているビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。また、可動電極１４は、アンカー部１５ａ、１５ｂ、支線路１７ａ、１７ｂ、および支線路１７ａ、１７ｂの直下の基板１１内にそれぞれ設けられている導体ビアＣＶａ、ＣＶｂを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【００４７】
つまり、固定電極１２と駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶａによって、支線路１７ａ、１７ｂとグランド配線ＧＬとは導体ビアＣＶａ、ＣＶｂによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【００４８】
すなわち、第一の接続パターンと第二の接続パターンとの違いは、可動電極１４とグランド配線ＧＬとの間に、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃが挿入されているか、導体ビアＣＶａ、ＣＶｂが挿入されているかの違いであり、そのほかは同じである。
【００４９】
いずれの接続パターンにおいても、固定電極１２および可動電極１４は、可変キャパシタ１０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【００５０】
なお、第一の接続パターンは、例えば、図２０（ａ）に示す可変キャパシタ４ａ〜４ｃのように、信号線路１に対して可変キャパシタ１０を直列に接続する場合に行われる接続パターンである。また、第二の接続パターンは、例えば、図１６（ｂ）に示す可変キャパシタ４ｄ、４ｅのように、信号線路１に対して可変キャパシタ１０を並列に接続する場合に行われる接続パターンである。
【００５１】
以降、ビア抵抗ＲＶａ〜ＲＶｃに共通する事項を説明するときは、「ビア抵抗ＲＶ」と総称することがある。導体ビアＣＶａ、ＣＶｂについても同様に「導体ビアＣＶ」と総称することがある。
【００５２】
ビア抵抗ＲＶは、基板１１の１層または複数層の絶縁層１１０を貫通するビアホールに形成されている抵抗体である。本実施形態では、第一の接続パターンおよび第二の接続パターンにおいて、絶縁層１１０ｂ、１１０ｃを貫通するようにビア抵抗ＲＶａが形成されている。また、第一の接続パターンにおいて、絶縁層１１０ｃを貫通するようにビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃが形成されている。
【００５３】
ビア抵抗ＲＶは、例えば、直径５０μｍ〜２００μｍ程度の円柱状である。また、絶縁層１１０の厚みとビア抵抗ＲＶの直径との比では、例えば、１：１〜２：１程度となる。ビア抵抗ＲＶの抵抗値（インピーダンス値）は、基本的には高周波信号を遮断するのに十分な値である。例えば、線路の特性インピーダンスが５０Ω程度である場合に、数百Ω程度以上の値であり、好ましくは５００Ω以上の値である。
【００５４】
ただし、ビア抵抗ＲＶの抵抗値は、可変キャパシタ１０の適用先の回路の種類に応じて適宜調整してもよい。つまり、ビア抵抗ＲＶを高周波信号の遮断に用いるだけでなくその他の用途に用いてもよい。よって、ビア抵抗ＲＶａ〜ＲＶｃの各抵抗値は、互いに同じであることもあるし、異なることもある。例えば、第一の接続パターンにおいて、ビア抵抗ＲＶａ〜ＲＶｃのすべての抵抗値が５００Ωに設定されることもあるし、ビア抵抗ＲＶａの抵抗値が５００Ωに設定され、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃの抵抗値がそれ以上またはそれ以下の値に設定されることもある。
【００５５】
導体ビアＣＶは、基板１１の１層または複数層の絶縁層１１０を貫通するビアホールに形成されている良導体である。本実施形態では、第二の接続パターンにおいて、絶縁層１１０ｃを貫通するように導体ビアＣＶａ、ＣＶｂが形成されている。
【００５６】
導体ビアＣＶも、例えば、直径５０μｍ〜２００μｍ程度の円柱状である。その抵抗値（インピーダンス値）は、高周波信号を良好に通過させるのに要求される値である。例えば、数百ｍΩ程度以下の値である。
【００５７】
ビア抵抗ＲＶは、基板１１としてＬＴＣＣが用いられる場合には、例えば、次のようにして作製される。
【００５８】
すなわち、絶縁層１１０となる所定の大きさのグリーンシートを用意し、ビア抵抗ＲＶを形成しようとする箇所にパンチングまたはレーザーなどによって、例えば穴径５０μｍ〜２００μｍ程度の貫通穴（ビアホール）を穿孔する。
【００５９】
次に、貫通穴内にスクリーン印刷などの技術によって適当な抵抗材料を充填する。抵抗材料は、ビア抵抗ＲＶに要求される抵抗値などに応じて選択される。抵抗材料として、例えば、金属酸化物などが用いられる。あるいは、ニクロム（ＮｉＣｒ）または窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）などが用いられる。
【００６０】
次に、上層の絶縁層１１０に穿孔される貫通穴に連なるビア抵抗ＲＶを形成する場合には、抵抗材料を充填した貫通穴の上部を覆うように、スクリーン印刷などによって導電パターンまたは抵抗パターンを形成する。これにより、上下の絶縁層１１０間にいわゆる受けランドが形成され、両絶縁層１１０に穿孔される貫通穴同士を確実に接続することができる。
【００６１】
そのほか、駆動配線ＤＬおよびグランド配線ＧＬとなる導電パターンなどを印刷などによって形成するなどして、一層の絶縁層１１０を作製する。
【００６２】
同様にして、複数の絶縁層１１０を作製し、それらを積層した積層体に圧力を加えた後に焼成（焼結）することにより、ビア抵抗ＲＶが内蔵された基板１１が完成する。
【００６３】
導体ビアＣＶも、ビア抵抗ＲＶの場合と類似の方法により形成される。すなわち、導体ビアＣＶを形成する場合には、穿孔した貫通穴内に抵抗材料ではなく導電材料を充填する。
【００６４】
このように、基板１１としてＬＴＣＣが用いられる場合には、ビア抵抗ＲＶおよび導体ビアＣＶは、ＬＴＣＣの製造における焼成と同時に形成される。
【００６５】
図３は、可変キャパシタ１０の等価回路を示す図である。
【００６６】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ１０は、図３（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【００６７】
すなわち、固定電極１２は、第一の信号線路１６に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【００６８】
ここで、ビア抵抗ＲＶａは、固定電極１２に極めて近い位置である固定電極１２の直下に設けられている。よって、可変キャパシタ１０を高周波回路に接続したときに、第一の信号線路１６に入力される高周波信号は、駆動配線ＤＬ側へはほとんど流れ込むことがなく、つまり、駆動配線ＤＬ側とは遮断され、そのまま固定電極１２側へ印加される。つまり、ビア抵抗ＲＶａによって、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００６９】
また、可動電極１４は、第二の信号線路１７に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【００７０】
ここで、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃは、それぞれ可動電極１４に極めて近い位置である支線路１７ａ、１７ｂの直下に設けられている。よって、可変キャパシタ１０を高周波回路に接続したときに、可動電極１４に印加される高周波信号は、グランド配線ＧＬ側へはほとんど流れ込むことがなく、つまり、グランド配線ＧＬ側とは遮断され、第二の信号線路１７側へそのまま出力される。つまり、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃによって、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００７１】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ１０は、図３（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。すなわち、図３（ａ）に示す等価回路から、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを省いた構成として表現可能である。
【００７２】
この場合にも、固定電極１２に極めて近い位置にビア抵抗ＲＶａが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００７３】
さて、可変キャパシタ１０は、固定電極１２および可動電極１４の両電極間に静電容量Ｅｃ１を有する。
【００７４】
駆動配線ＤＬを介して固定電極１２に駆動電圧が印加されると、両電極間に静電引力が作用して、可動電極１４が固定電極１２の側へ変位することにより、すなわち、両電極間の距離が変化することにより、可変キャパシタ１０の静電容量Ｅｃ１が変化する。つまり、静電容量Ｅｃ１は可変容量である。
【００７５】
以上の通り、可変キャパシタ１０では、ビア抵抗ＲＶによって、高周波信号の駆動配線ＤＬまたはグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００７６】
しかも、ビア抵抗ＲＶは、基板１１の内部に埋め込まれているため、周辺回路への浮遊容量が小さく、高周波信号の伝達に悪影響を及ぼすことがない。また、基板１１の表面のスペースが従来通りに確保される。
【００７７】
なお、本実施形態では、固定電極１２がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、可動電極１４がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていたが、互いが逆に接続されていてもよい。すなわち、可動電極１４がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、固定電極１２がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていてもよい。
【００７８】
〔第二の実施形態〕
図４は第二の実施形態における可変キャパシタ２０の例を示す平面図、図５は図４のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【００７９】
図４および図５に示すように、可変キャパシタ２０は、駆動電極２１ａ、２１ｂが固定電極１２とは別個に設けられている点、つまり駆動分離型である点で、第一の実施形態における可変キャパシタ１０とは異なる。
【００８０】
すなわち、固定電極１２は駆動配線ＤＬに接続されておらず、駆動電極２１ａ、２１ｂがそれぞれビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅを介して駆動配線ＤＬに接続されている。そのため、可変キャパシタ１０において設けられていたビア抵抗ＲＶａは、可変キャパシタ２０では不要であるので、設けられていない。
【００８１】
可変キャパシタ２０のそのほかの構成要素は、第一の実施形態における可変キャパシタ１０と共通する。共通する構成要素については、可変キャパシタ１０の説明で用いた符号と同一の符号を付し、説明を省略する。後述する他の実施形態における可変キャパシタの説明においても同様である。
【００８２】
駆動電極２１ａ、２１ｂは、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）などの導電性材料からなり、固定電極１２を間に挟んで基板１１の表面に形成されている。つまり、固定電極１２の両脇に近接して設けられている。なお、本実施形態では、２つの駆動電極２１ａ、２１ｂが設けられているが、同様の駆動電極が１つまたは３つ以上設けられていてもよい。
【００８３】
図５に示すように、駆動電極２１ａ、２１ｂは、それぞれその直下の基板１１内に設けられているビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【００８４】
つまり、駆動電極２１ａと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｄによって、駆動電極２１ｂと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｅによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【００８５】
図５（ａ）は第一の接続パターンを示しており、図５（ｂ）は第二の接続パターンを示している。
【００８６】
いずれの接続パターンにおいても、固定電極１２は、可変キャパシタ２０の容量電極としての役割を有するが、駆動電極としての役割を有さない。他方、可動電極１４は、可変キャパシタ２０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【００８７】
図６は、可変キャパシタ２０の等価回路を示す図である。
【００８８】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ２０は、図６（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【００８９】
すなわち、可動電極１４は、第二の信号線路１７に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【００９０】
ここで、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃは、それぞれ可動電極１４に極めて近い位置である支線路１７ａ、１７ｂの直下に設けられている。そのため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００９１】
また、駆動電極２１ａ、２１ｂは、可動電極１４に作用するように固定電極１２と近接して配置されており（図５参照）、ビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【００９２】
ここで、駆動電極２１ａ、２１ｂは、その他の電極、信号線路、および配線などの周辺回路と直接には接続されていないが、周辺回路との間、特に近接して配置されている固定電極１２との間の寄生容量Ｃｐによって、高周波で用いたときのインピーダンスの低下が無視できなくなることがある。
【００９３】
ビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅは、それぞれ駆動電極２１ａ、２１ｂに極めて近い位置である駆動電極２１ａ、２１ｂの直下に設けられている。そのため、寄生容量Ｃｐがあっても、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００９４】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ２０は、図６（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。すなわち、図６（ａ）に示す等価回路から、ビア抵抗ＲＶｂ、ＲＶｃを省いた構成として表現可能である。
【００９５】
この場合にも、駆動電極２１ａ、２１ｂに極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶｄ、ＲＶｅが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【００９６】
さて、可変キャパシタ２０も、第一の実施形態における可変キャパシタ１０と同様に、固定電極１２および可動電極１４の両電極間に可変容量である静電容量Ｅｃ２を有する。
【００９７】
〔第三の実施形態〕
図７（ａ）は第三の実施形態における可変キャパシタ３０の例を示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ１−Ｃ１線矢視断面図、図８は図７（ａ）のＣ２−Ｃ２線矢視断面図である。
【００９８】
図７および図８に示すように、可変キャパシタ３０は、基板３１上に、第一の固定電極３２、第二の固定電極３３、可動電極３４、アンカー部３５ａ、３５ｂ、第一の信号線路３６、および第二の信号線路３７などを有している。
【００９９】
基板３１は、第一の実施形態における基板１１と同様の形態を有している。
【０１００】
第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、形成材料および形状などにおいて、第一の実施形態における固定電極１２と同様の形態を有している。また、第一の信号線路３６の端部および第二の信号線路３７の端部を、それぞれ第一の固定電極３２および第二の固定電極３３として利用してもよいことも同様である。
【０１０１】
第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、両者のそれぞれ１つの側面同士が、可変キャパシタ３０の中心軸であるα−α軸を間に挟んで対向するように配置されている。つまり、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、α−α軸を対称軸として、互いに対称に配置されている。
【０１０２】
可動電極３４は、第一の実施形態における可動電極１４と同様の形態を有している。
【０１０３】
アンカー部３５ａ、３５ｂは、基本的には第一の実施形態におけるアンカー部１５ａ、１５ｂと同様の形態を有しているが、基板３１の表面に直接に形成されている。
【０１０４】
第一の信号線路３６は、第一の実施形態における第一の信号線路１６と同様の形態を有している。
【０１０５】
第二の信号線路３７は、第一の信号線路３６の延伸方向と同一の方向に延伸するように基板３１の表面に形成されており、第二の固定電極３３に接続されている。
【０１０６】
可変キャパシタ３０は、全体として、その中心軸であるα−α軸を対称軸として対称となるように構成されており、入力側から見た特性と出力側から見た特性とがほぼ同じである。よって、可変キャパシタ３０においては、入力端である第一の固定電極３２および出力端である第二の固定電極３３における高周波信号の反射を低減することができる。
【０１０７】
図８に示すように、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、それぞれその直下の基板３１内に設けられているビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１０８】
つまり、第一の固定電極３２と駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶａによって、第二の固定電極３３と駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｂによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１０９】
ただし、第一の固定電極３２または第二の固定電極３３のいずれか一方だけがビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続されていてもよい。
【０１１０】
図８（ａ）の第一の接続パターンにおいて、可動電極３４は、アンカー部３５ａ、３５ｂ、およびアンカー部３５ａ、３５ｂの直下の基板３１内にそれぞれ設けられているビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１１１】
つまり、アンカー部３５ａ、３５ｂとグランド配線ＧＬとはビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄによって直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１１２】
図８（ｂ）の第二の接続パターンにおいて、可動電極３４は、アンカー部３５ａ、３５ｂ、およびアンカー部３５ａ、３５ｂの直下の基板３１内にそれぞれ設けられている導体ビアＣＶａ、ＣＶｂを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１１３】
つまり、アンカー部３５ａ、３５ｂとグランド配線ＧＬとは導体ビアＣＶａ、ＣＶｂによって直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１１４】
いずれの接続パターンにおいても、第一の固定電極３２、第二の固定電極３３、および可動電極３４は、可変キャパシタ３０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【０１１５】
図９ないし図１１は、可変キャパシタ３０の等価回路を示す図である。
【０１１６】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、図９（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１１７】
すなわち、第一の固定電極３２は、第一の信号線路３６に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。また、第二の固定電極３３は、第二の信号線路３７に接続されるとともに、ビア抵抗ＲＶｂを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１１８】
ここで、ビア抵抗ＲＶａは、第一の固定電極３２に極めて近い位置である第一の固定電極３２の直下に設けられている。また、ビア抵抗ＲＶｂは、第二の固定電極３３に極めて近い位置である第二の固定電極３３の直下に設けられている。そのため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１１９】
また、可動電極３４は、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１２０】
ここで、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄは、それぞれ可動電極３４に極めて近い位置であるアンカー部３５ａ、３５ｂの直下に設けられている。そのため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１２１】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、図９（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。すなわち、図９（ａ）に示す等価回路から、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを省いた構成として表現可能である。
【０１２２】
この場合にも、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３に極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１２３】
さて、可変キャパシタ３０では、第一の固定電極３２と可動電極３４との間に静電容量Ｅｃ３１を有する可変容量部ＣＡａが実現される。また、第二の固定電極３３と可動電極３４との間に静電容量Ｅｃ３２を有する可変容量部ＣＡｂが実現される。また、第一の固定電極３２と第二の固定電極３３との間に静電容量Ｅｃ３３を有する固定容量部ＣＢが実現される。
【０１２４】
駆動配線ＤＬを介して第一の固定電極３２および第二の固定電極３３の両固定電極に駆動電圧が印加されると、両固定電極と可動電極３４との間に静電引力が作用することにより、静電容量Ｅｃ３１、Ｅｃ３２が変化する。つまり、静電容量Ｅｃ３１、Ｅｃ３２は可変容量である。他方、静電容量Ｅｃ３３は固定容量である。
【０１２５】
このように、可変キャパシタ３０は、可変容量のほかに固定容量を有している。よって、可変キャパシタ３０においては、第一の実施形態における可変キャパシタ１０と較べて、容量の可変幅をより自由に設定して所望のインピーダンス値を得ることができる。
【０１２６】
図９（ａ）に示す等価回路は、ビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂによって、高周波的には、可変容量部ＣＡａ、ＣＡｂおよび固定容量部ＣＢから駆動配線ＤＬが切り離された回路として捉えることができる。そこで、図９（ａ）に示す等価回路は、図１０（ａ）に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１２７】
すなわち、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、可変容量部ＣＡａ、ＣＡｂが、固定容量部ＣＢの両側の信号線路と、グランドに接続された抵抗Ｒとの間に並列に接続された回路で表現可能である。なお、抵抗Ｒは、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄによる合成抵抗である。
【０１２８】
さらに、抵抗Ｒの抵抗値が十分に大きい場合、例えば５００Ω以上である場合に、図１０（ａ）に示す等価回路は、図１０（ｂ）に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１２９】
すなわち、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、直列に接続された可変容量部ＣＡａ、ＣＡｂが、固定容量部ＣＢと並列に接続された回路で表現可能である。
【０１３０】
また、図９（ｂ）に示す等価回路は、図１１（ａ）に示すπ型の等価回路に置き換えることができる。
【０１３１】
すなわち、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、可変容量部ＣＡａ、ＣＡｂが、固定容量部ＣＢの両側の信号線路とグランドとの間に並列に接続された回路で表現可能である。
【０１３２】
さらに、図１１（ａ）に示すπ型の等価回路は、図１１（ｂ）に示すＴ型の等価回路に置き換えることができる。
【０１３３】
すなわち、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ３０は、可変容量部ＣＡが、固定容量部ＣＢａ、ＣＢｂ間の接続部とグランドとの間に接続された回路で表現可能である。
【０１３４】
なお、本実施形態では、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、可動電極３４がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていたが、互いが逆に接続されていてもよい。すなわち、可動電極３４がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていてもよい。
【０１３５】
〔第四の実施形態〕
図１２（ａ）は第四の実施形態における可変キャパシタ４０の例を示す平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＤ１−Ｄ１線矢視断面図、図１３は図１２（ａ）のＤ２−Ｄ２線矢視断面図である。
【０１３６】
図１２および図１３に示すように、可変キャパシタ４０は、駆動電極４１ａ、４１ｂが第一の固定電極３２および第二の固定電極３３とは別個に設けられている点、つまり駆動分離型である点で、第三の実施形態における可変キャパシタ３０とは異なる。
【０１３７】
すなわち、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は駆動配線ＤＬに接続されておらず、駆動電極４１ａ、４１ｂがそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。そのため、可変キャパシタ３０において設けられていたビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂは、可変キャパシタ４０では不要であるので、設けられていない。
【０１３８】
可変キャパシタ４０のそのほかの構成要素は、第三の実施形態における可変キャパシタ３０と共通する。
【０１３９】
駆動電極４１ａ、４１ｂは、それぞれ第二の実施形態における駆動電極２１ａ、２１ｂと同様の形態を有している。つまり、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３の両脇に近接して設けられている。
【０１４０】
図１３に示すように、駆動電極４１ａ、４１ｂは、それぞれその直下の基板３１内に設けられているビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１４１】
つまり、駆動電極４１ａと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｅによって、駆動電極４１ｂと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｆによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１４２】
図１３（ａ）は第一の接続パターンを示しており、図１３（ｂ）は第二の接続パターンを示している。
【０１４３】
いずれの接続パターンにおいても、第一の固定電極３２および第二の固定電極３３は、可変キャパシタ４０の容量電極としての役割を有するが、駆動電極としての役割を有さない。他方、可動電極３４は、可変キャパシタ４０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【０１４４】
図１４は、可変キャパシタ４０の等価回路を示す図である。
【０１４５】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ４０は、図１４（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１４６】
すなわち、可動電極３４は、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１４７】
ここで、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄは、それぞれ可動電極３４に極めて近い位置であるアンカー部３５ａ、３５ｂの直下に設けられている。そのため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１４８】
また、駆動電極４１ａ、４１ｂは、可動電極１４に作用するようにそれぞれ第一の固定電極３２および第二の固定電極３３と近接して配置されており（図１３参照）、ビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１４９】
ここで、ビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆは、それぞれ駆動電極４１ａ、４１ｂに極めて近い位置である駆動電極４１ａ、４１ｂの直下に設けられている。そのため、駆動電極４１ａ、４１ｂと周辺回路との間、特に近接して配置されている第一の固定電極３２および第二の固定電極３３との間に寄生容量Ｃｐがあっても、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１５０】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ４０は、図１４（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。すなわち、図１４（ａ）に示す等価回路から、ビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを省いた構成として表現可能である。
【０１５１】
この場合にも、駆動電極４１ａ、４１ｂに極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１５２】
さて、可変キャパシタ４０でも、第三の実施形態における可変キャパシタ３０と同様に、静電容量Ｅｃ４１を有する可変容量部ＣＡａ、静電容量Ｅｃ４２を有する可変容量部ＣＡｂ、静電容量Ｅｃ４３を有する固定容量部ＣＢが実現される。
【０１５３】
図１４（ａ）に示す、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ４０の等価回路は、可変キャパシタ３０の場合と同様に、高周波的には、図１０に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１５４】
また、図１４（ｂ）に示す、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ４０の等価回路も、可変キャパシタ３０の場合と同様に、高周波的には、図１１に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１５５】
〔第五の実施形態〕
図１５は第五の実施形態における可変キャパシタ５０の例を示す平面図、図１６は図１５のＥ−Ｅ線矢視断面図である。
【０１５６】
図１５および図１６に示すように、可変キャパシタ５０は、基板５１上に、第一の固定電極５２、第二の固定電極５３、可動電極５４、アンカー部５５ａ、５５ｂ、第一の信号線路５６、および第二の信号線路５７などを有している。
【０１５７】
基板５１は、第三の実施形態における基板３１と同様の形態を有している。
【０１５８】
第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は、形成材料などにおいて、それぞれ第三の実施形態における第一の固定電極３２および第二の固定電極３３と同様の形態を有している。第一の信号線路５６の端部および第二の信号線路５７の端部を、それぞれ第一の固定電極５２および第二の固定電極５３として利用してもよいことも同様である。
【０１５９】
第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は、それぞれ第一の櫛歯部５２ａ〜５２ｃおよび第二の櫛歯部５３ａ〜５３ｃを備え、両者の各櫛歯部が所定の距離を隔てて互い違いに入り込むように配置されている。なお、本実施形態では、両者に３本ずつの櫛歯部が設けられているが、同様の櫛歯部が２本または４本以上設けられていてもよい。
【０１６０】
第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は、中心点に対して互いに対称に配置されている。
【０１６１】
可動電極５４およびアンカー部５５ａ、５５ｂは、それぞれ第三の実施形態における可動電極３４およびアンカー部３５ａ、３５ｂと同様の形態を有している。
【０１６２】
第一の信号線路５６および第二の信号線路５７は、基本的にはそれぞれ第三の実施形態における第一の信号線路３６および第二の信号線路３７と同様の形態を有しているが、線路幅が若干幅広に形成されている。
【０１６３】
可変キャパシタ５０も、全体として、その中心点に対して対称となるように構成されており、第三の実施形態における可変キャパシタ３０と同様に、入力側から見た特性と出力側から見た特性とがほぼ同じである。よって、可変キャパシタ５０においても、高周波信号の反射を低減することができる。
【０１６４】
図１６に示すように、第一の櫛歯部５２ａは、その直下の基板５１内に設けられているビア抵抗ＲＶａを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１６５】
つまり、第一の櫛歯部５２ａと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶａによって直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１６６】
ただし、第一の櫛歯部５２ａの代わりに第一の櫛歯部５２ｂ、５２ｃが駆動配線ＤＬに接続されていてもよいし、第一の櫛歯部５２ａ〜５２ｃのすべてが駆動配線ＤＬに接続されていてもよい。
【０１６７】
また、第二の櫛歯部５３ｃは、その直下の基板５１内に設けられているビア抵抗ＲＶｂを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１６８】
つまり、第二の櫛歯部５３ｃと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｂによって直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１６９】
ただし、第二の櫛歯部５３ｃの代わりに第二の櫛歯部５３ａ、５３ｂが駆動配線ＤＬに接続されていてもよいし、第二の櫛歯部５３ａ〜５３ｃのすべてが駆動配線ＤＬに接続されていてもよい。
【０１７０】
結局のところ、第一の櫛歯部５２ａ〜５２ｃおよび第二の櫛歯部５３ａ〜５３ｃのうちの少なくとも１つが駆動配線ＤＬに接続されていればよい。
【０１７１】
また、図１６（ａ）の第一の接続パターンにおいて、可動電極５４は、アンカー部５５ａ、５５ｂ、およびアンカー部５５ａ、５５ｂの直下の基板５１内にそれぞれ設けられているビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１７２】
また、図１６（ｂ）の第二の接続パターンにおいて、可動電極５４は、アンカー部５５ａ、５５ｂ、およびアンカー部５５ａ、５５ｂの直下の基板５１内にそれぞれ設けられている導体ビアＣＶａ、ＣＶｂを介してグランド配線ＧＬに接続されている。
【０１７３】
いずれの接続パターンにおいても、第一の固定電極５２、第二の固定電極５３、および可動電極５４は、可変キャパシタ５０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【０１７４】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ５０は、第三の実施形態における可変キャパシタ３０の場合と同様に、図９（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１７５】
この場合にも、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３に極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１７６】
また、可動電極５４に極めて近い位置にビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄが設けられているため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１７７】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ５０も、第三の実施形態における可変キャパシタ３０の場合と同様に、図９（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１７８】
この場合にも、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３に極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１７９】
さて、可変キャパシタ５０では、第一の固定電極５２と可動電極５４との間に静電容量Ｅｃ５１を有する可変容量部ＣＡａが実現される。また、第二の固定電極５３と可動電極５４との間に静電容量Ｅｃ５２を有する可変容量部ＣＡｂが実現される。
【０１８０】
そして、第一の櫛歯部５２ａと第二の櫛歯部５２ａとの間、第一の櫛歯部５２ｂと第二の櫛歯部５３ｂとの間、および第一の櫛歯部５２ｃと第二の櫛歯部５３ｃとの間にそれぞれ静電容量Ｅｃ５３を有する固定容量部ＣＢが実現される。つまり、第一の固定電極５２と第二の固定電極５３とで、いわゆるInterdigital型の固定キャパシタが構成されており、隣接する各櫛歯部間にＥｃ５３を有する。
【０１８１】
駆動配線ＤＬを介して第一の櫛歯部５２ａおよび第二の櫛歯部５３ａに駆動電圧が印加されると、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３と可動電極５４との間に静電引力が作用することにより、静電容量Ｅｃ５１、Ｅｃ５２が変化する。つまり、静電容量Ｅｃ５１、Ｅｃ５２は可変容量である。他方、静電容量Ｅｃ５３は固定容量である。
【０１８２】
このように、可変キャパシタ５０は、可変容量のほかに固定容量を有している。しかも、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３の櫛歯部の本数に応じた固定容量を持たせることができる。例えば、櫛歯部の本数を多くすれば、その分だけ固定容量の値を大きくすることができる。よって、可変キャパシタ５０においては、第三の実施形態における可変キャパシタ３０と較べて、容量の可変幅をより自由に設定して所望のインピーダンス値を得ることができる。
【０１８３】
図９（ａ）に示す、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ５０の等価回路は、可変キャパシタ３０の場合と同様に、高周波的には、図１０に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１８４】
また、図９（ｂ）に示す、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ５０の等価回路も、可変キャパシタ３０の場合と同様に、高周波的には、図１１に示す等価回路に置き換えることができる。
【０１８５】
なお、本実施形態では、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、可動電極５４がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていたが、互いが逆に接続されていてもよい。すなわち、可動電極５４がビア抵抗ＲＶを介して駆動配線ＤＬに接続され、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３がビア抵抗ＲＶまたは導体ビアＣＶを介してグランド配線ＧＬに接続されていてもよい。
【０１８６】
〔第六の実施形態〕
図１７は第六の実施形態における可変キャパシタ６０の例を示す平面図、図１８は図１６のＦ−Ｆ線矢視断面図である。
【０１８７】
図１７および図１８に示すように、可変キャパシタ６０は、駆動電極６１ａ、６１ｂが第一の固定電極５２および第二の固定電極５３とは別個に設けられている点、つまり駆動分離型である点で、第五の実施形態における可変キャパシタ５０とは異なる。
【０１８８】
すなわち、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は駆動配線ＤＬに接続されておらず、駆動電極６１ａ、６１ｂがそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。そのため、可変キャパシタ５０において設けられていたビア抵抗ＲＶａ、ＲＶｂは、可変キャパシタ６０では不要であるので、設けられていない。
【０１８９】
可変キャパシタ６０のそのほかの構成要素は、第五の実施形態における可変キャパシタ５０と共通する。
【０１９０】
駆動電極６１ａ、６１ｂは、それぞれ第二の実施形態における駆動電極２１ａ、２１ｂと同様の形態を有している。つまり、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３の両脇に近接して設けられている。
【０１９１】
図１８に示すように、駆動電極６１ａ、６１ｂは、それぞれその直下の基板５１内に設けられているビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆを介して駆動配線ＤＬに接続されている。
【０１９２】
つまり、駆動電極６１ａと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｅによって、駆動電極６１ｂと駆動配線ＤＬとはビア抵抗ＲＶｆによって、それぞれ直結されており、かつ最短距離でつながっている。
【０１９３】
図１８（ａ）は第一の接続パターンを示しており、図１８（ｂ）は第二の接続パターンを示している。
【０１９４】
いずれの接続パターンにおいても、第一の固定電極５２および第二の固定電極５３は、可変キャパシタ６０の容量電極としての役割を有するが、駆動電極としての役割を有さない。他方、可動電極５４は、可変キャパシタ６０の容量電極としての役割のほかに、駆動電極としての役割も有する。
【０１９５】
第一の接続パターンにおける可変キャパシタ６０は、第四の実施形態における可変キャパシタ４０の場合と同様に、図１４（ａ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１９６】
この場合にも、駆動電極６１ａ、６１ｂに極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１９７】
また、可動電極５４に極めて近い位置にビア抵抗ＲＶｃ、ＲＶｄが設けられているため、高周波信号のグランド配線ＧＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０１９８】
第二の接続パターンにおける可変キャパシタ６０も、第四の実施形態における可変キャパシタ４０の場合と同様に、図１４（ｂ）に示すような等価回路で表現可能である。
【０１９９】
この場合にも、駆動電極６１ａ、６１ｂに極めて近い位置にそれぞれビア抵抗ＲＶｅ、ＲＶｆが設けられているため、高周波信号の駆動配線ＤＬへの漏洩を効率よく防止することができる。
【０２００】
さて、可変キャパシタ６０でも、第五の実施形態における可変キャパシタ５０と同様に、静電容量Ｅｃ６１を有する可変容量部ＣＡａ、静電容量Ｅｃ６２を有する可変容量部ＣＡｂ、静電容量Ｅｃ６３を有する固定容量部ＣＢが実現される。
【０２０１】
図１４（ａ）に示す、第一の接続パターンにおける可変キャパシタ６０の等価回路は、可変キャパシタ４０の場合と同様に、高周波的には、図１０に示す等価回路に置き換えることができる。
【０２０２】
また、図１４（ｂ）に示す、第二の接続パターンにおける可変キャパシタ６０の等価回路も、可変キャパシタ４０の場合と同様に、高周波的には、図１１に示す等価回路に置き換えることができる。
【０２０３】
図１９は、可変フィルタ７０の例を示す斜視図である。
【０２０４】
図１９に示すように、可変フィルタ７０は、基板７１、分布定数線路としてのマイクロストリップ線７２、可変共振部７３、および可変カップリング部７４などを有している。また、基板７１内に、内層グランド７０Ｇおよびビア７０Ｖを有している。
【０２０５】
上述の可変キャパシタ１０〜６０は、例えば、可変カップリング部７４に適用することが可能である。その場合に、マイクロストリップ線７２は、上述の可変キャパシタ１０〜６０の固定電極または可動電極に接続される。なお、可変カップリング部７４によって、高周波信号の伝播長または通過周波数などを適宜調整することが可能になる。
【０２０６】
以上の実施形態において、可変キャパシタ１０〜６０の全体または一部の構造、形状、および材料などは、本発明の主旨に沿って適宜変更可能である。
【０２０７】
例えば、可変キャパシタ１０〜６０には、入力用の信号線路と出力用の信号線路とが一対一で設けられていたが、入力用の信号線路と出力用の信号線路とを一対多または多対多で設けてもよい。その場合に、信号線路ごとに対応する固定電極などを設ける。そのようにすることで、例えば、可変キャパシタ１０〜６０に分波器としての機能を持たせることが可能となる。
【０２０８】
また、上述のビア抵抗およびその他の構成は、可変キャパシタに限らず、高周波信号の損失を防止する必要がある各種のＭＥＭＳデバイスに広く適用可能である。
【符号の説明】
【０２０９】
１０、２０、３０、４０、５０、６０ 可変キャパシタ（ＭＥＭＳデバイス）
１１、３１、５１ 基板
１２ 固定電極
１４、３４、５４ 可動電極
２１、４１、６１ 駆動電極
３２、５２ 第一の固定電極
３３、５３ 第二の固定電極
５２ａ〜５２ｃ 第一の櫛歯部（櫛歯）
５３ａ〜５３ｃ 第二の櫛歯部（櫛歯）
ＤＬ 駆動配線
ＧＬ グランド配線
ＲＶ ビア抵抗（第一の抵抗体、第二の抵抗体）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、信号が通過する固定電極と、
前記基板の上方に前記固定電極と対向して設けられ、信号が通過する可動電極と、
前記基板内に設けられ、前記可動電極を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線と、
前記基板内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するための第一の抵抗体と、
を備え、
前記固定電極または前記可動電極は、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されている、
ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記固定電極は、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されており、
前記第一の抵抗体は、前記固定電極の直下に形成されている、
請求項１記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記基板内に形成された第二のビアホールに設けられた信号を遮断するための第二の抵抗体を備え、
前記固定電極は、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されており、
前記可動電極は、前記第二の抵抗体を介してグランド配線と接続されている、
請求項１または２記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に設けられ、信号が通過する固定電極と、
前記基板の上方に前記固定電極と対向して設けられ、信号が通過する可動電極と、
前記基板内に設けられ、前記可動電極を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線と、
前記基板内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するための第一の抵抗体と、
前記基板上に前記可動電極と対向して設けられ、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されている駆動電極と、
を備える、
ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記第一の抵抗体は、前記駆動電極の直下に形成されている、
請求項４記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
前記可動電極は、前記基板内に形成された第二のビアホールに設けられた信号を遮断するための第二の抵抗体を介してグランド配線と接続されている、
請求項４または５記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項７】
前記固定電極は、第一の固定電極および第二の固定電極を含み、
前記第一の固定電極および前記第二の固定電極は、それぞれ１つの側面同士が対向して設けられている、
請求項４ないし６のいずれかに記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項８】
前記固定電極は、第一の固定電極および第二の固定電極を含み、
前記第一の固定電極および前記第二の固定電極は、複数の櫛歯を有し互いの当該各櫛歯が互い違いに入り込んで設けられている、
請求項４ないし７のいずれかに記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、信号が通過する固定電極と、
前記基板の上方に前記固定電極と対向して設けられ、信号が通過する可動電極と、
前記基板内に設けられ、前記可動電極を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線と、
前記基板内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するための第一の抵抗体と、
を備え、
前記固定電極または前記可動電極は、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されている、
ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記固定電極は、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されており、
前記第一の抵抗体は、前記固定電極の直下に形成されている、
請求項１記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記基板内に形成された第二のビアホールに設けられた信号を遮断するための第二の抵抗体を備え、
前記固定電極は、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されており、
前記可動電極は、前記第二の抵抗体を介してグランド配線と接続されている、
請求項１または２記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に設けられ、信号が通過する固定電極と、
前記基板の上方に前記固定電極と対向して設けられ、信号が通過する可動電極と、
前記基板内に設けられ、前記可動電極を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線と、
前記基板内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するための第一の抵抗体と、
前記基板上に前記可動電極と対向して設けられ、前記第一の抵抗体を介して前記駆動配線と接続されている駆動電極と、
を備える、
ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記第一の抵抗体は、前記駆動電極の直下に形成されている、
請求項４記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
前記可動電極は、前記基板内に形成された第二のビアホールに設けられた信号を遮断するための第二の抵抗体を介してグランド配線と接続されている、
請求項４または５記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項７】
前記固定電極は、第一の固定電極および第二の固定電極を含み、
前記第一の固定電極および前記第二の固定電極は、それぞれ１つの側面同士が対向して設けられている、
請求項４ないし６のいずれかに記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項８】
前記固定電極は、第一の固定電極および第二の固定電極を含み、
前記第一の固定電極および前記第二の固定電極は、複数の櫛歯を有し互いの当該各櫛歯が互い違いに入り込んで設けられている、
請求項４ないし７のいずれかに記載のＭＥＭＳデバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１１−１８７８８３（Ｐ２０１１−１８７８８３Ａ）
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５４４２１（Ｐ２０１０−５４４２１）
【出願日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２１年度、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、「立体構造新機能集積回路（ドリームチップ）技術開発／複数周波数対応通信三次元デバイス技術」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２１年度、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、「立体構造新機能集積回路（ドリームチップ）技術開発／複数周波数対応通信三次元デバイス技術」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]